TW202104783A - 流體控制裝置之製造方法 - Google Patents

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常塚淳志
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Abstract

製造藉由隔膜閥體(122)與閥座(121d)抵接或分開來控制流體之流動的藥液閥(1)。在流體控制裝置之製造方法，隔膜閥體(122)是與閥座(121d)抵接之落座構件(1222)、和本體構件(1221)的結合體；結合體係藉由切削材料結合體(21)所形成，而該材料結合體(21)係將是落座構件(1222)之材料的落座構件材料(212)、與是本體構件(1221)之材料的本體構件材料(211)焊接而成；焊接係在材料結合體(21)之落座構件材料(212)與本體構件材料(211)的接觸面，在結合體之比落座構件(1222)與本體構件(1221)之接觸面更寬廣的範圍所進行。

Description

流體控制裝置之製造方法
本發明係有關於一種流體控制裝置的製造方法，該流體控制裝置的製造方法係製造藉由閥體與閥座抵接或分開來控制流體之流動的流體控制裝置。
作為藉由閥體與閥座抵接或分開，來控制流體之流動的流體控制裝置，例如想到在半導體製造裝置使用之進行藥液之流量控制的藥液閥等。在此藥液閥，係使用與閥座抵接、分開的隔膜閥體，藉由該隔膜閥體之隔膜部重複彈性變形，進行與閥座之抵接、分開。因此，在隔膜閥體，係應用彎曲耐久性高之例如聚四氟乙烯(PTFE)的氟樹脂。
此處，因為PTFE係無法進行射出成形，所以對藉由將粉末狀之PTFE進行壓縮成形而作成塊狀者進行切削加工，而形成隔膜閥體。可是，因為將粉末狀之材料進行壓縮成形，所以有可能因切削加工而產生灰塵。隔膜閥體產生灰塵時，因重複與閥座之抵接、分開，而微細之灰塵從隔膜閥體剝落，成為粒子，有可能混入在藥液閥流動之藥液。粒子係例如產生半導體之配線圖案的缺陷等，因為有可能對半導體製造之良率有不良影響，所以需要防止可能成為粒子的原因之隔膜閥體之灰塵的產生。
因此，如在專利文獻1之揭示所示，想到藉落座構件與本體構件的結合體構成隔膜閥體，而該落座構件係與閥座抵接、分開，該本體構件係具有隔膜部。即，藉是低產生灰塵材料之氟樹脂(例如全氟烷氧基烷烴(PFA))製作落座構件，再將該落座構件焊接於藉PTFE所製作的本體構件，藉此，構成隔膜閥體。藉由在落座構件使用是低產生灰塵材料之氟樹脂，可抑制切削加工所造成之灰塵的產生，而可防止粒子的發生。 [先行專利文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016－65560號公報
[發明所欲解決之課題]
可是，在該習知技術具有如以下所示之問題。以往之隔膜閥體41係例如如圖17所示，由具有隔膜部411a之本體構件411、與環狀之落座構件412所構成。本體構件411及落座構件412係都藉射出成形等形成後，藉從光源44所照射之雷射光45彼此被焊接，而構成隔膜閥體41。
在這種隔膜閥體41，係無法將本體構件411與落座構件412之接觸面的全部焊接。因為，若當作已將接觸面的全部焊接，則如圖19所示，發生焊接部43之樹脂的溢出43a。有可能因該溢出43a剝落而成為粒子。因此，為了避免可能成為粒子之原因之溢出43a的產生，如圖18所示，以將落座構件412之外周附近及內周附近除外的方式形成焊接部42，而在落座構件412之外周附近及內周附近係不焊接。因為在落座構件412之外周附近及內周附近不焊接，所以在落座構件412之外周附近及內周附近，在本體構件411與落座構件412之間產生間隙。該間隙有可能成為在藥液閥流動之藥液之滯留的原因。藥液滯留時，因滯留之藥液劣化而藥液之含有成分變成固體，而有可能成為粒子。粒子係例如產生半導體之配線圖案的缺陷等，有可能對半導體製造之良率有不良影響。
又，在專利文獻1，係例如如圖20所示，亦揭示藉閥部本體46與落座構件47之結合體形成閥座的情況。落座構件47係藉是低產生灰塵材料之PFA所製作。而且，該落座構件47係藉從光源44所照射之雷射光45被焊接於藉PTFE所製作的閥部本體46。在此情況，亦為了防止焊接部之樹脂的溢出，無法將閥部本體46與落座構件47之接觸面的全部焊接。因此，在閥部本體46與落座構件47之間產生間隙，在因該間隙而有可能發生藥液之滯留上，係與上述之藉本體構件411與落座構件412之結合體構成隔膜閥體41的情況一樣。
本發明係為了解決該問題點，目的在於提供一種流體控制裝置之製造方法，該流體控制裝置之製造方法係藉由落座構件與本體構件被焊接所構成的閥體或閥座在落座構件與本體構件之間不會具有間隙，而可防止流體之滯留的發生。 [解決課題之手段]
本發明之一形態之流體控制裝置的製造方法係具有如下所示的構成。(1)在製造藉由閥體與閥座抵接或分開來控制流體之流動的流體控制裝置之流體控制裝置的製造方法，其特徵為：閥體或閥座之任一方是與另一方抵接之落座構件、和本體構件的結合體；結合體係藉由切削材料結合體所形成，而該材料結合體係將是落座構件之材料的落座構件材料、與是本體構件之材料的本體構件材料焊接而成；焊接係在材料結合體之落座構件材料與本體構件材料的接觸面，在結合體之比落座構件與本體構件之接觸面更寬廣的範圍所進行。此處，流體控制裝置係意指藉由控制流體控制裝置所流入之流體的流動，進行從流體控制裝置所流出之流體之流體控制或壓力控制的裝置。
該構成之流體控制裝置的製造方法係閥體或閥座之任一方是與另一方抵接之落座構件、和本體構件的結合體。而且，該結合體係藉由切削材料結合體所形成，而該材料結合體係將是落座構件之材料的落座構件材料、與是該本體構件之材料的本體構件材料焊接而成。而且，落座構件材料與本體構件材料之焊接係在該結合體之比該落座構件與該本體構件之接觸面更寬廣的範圍所進行。即，在落座構件材料與本體構件材料被焊接之面積的範圍內，形成進行切削加工後之落座構件與該本體構件的接觸面。因此，不會產生以往所產生之焊接部之樹脂的溢出，而可將落座構件與本體構件之接觸面整體焊接。藉由將落座構件與本體構件之接觸面整體焊接，因為在落座構件與本體構件之間係不會產生間隙，所以可防止以往擔心之藥液之滯留的發生。
若可防止滯留的發生，則可防止因藥液之含有成分變成固體而成為粒子的可能。於是，可降低半導體之配線圖案之缺陷的產生等在半導體製造的良率出現不良影響的可能性。 [發明之效果]
若依據本發明之流體控制裝置的製造方法，因為藉由落座構件與本體構件被焊接所構成的閥體或閥座在落座構件與本體構件之間不會具有間隙，所以可防止流體(例如藥液)之滯留的發生。
＜第1實施形態＞
一面參照圖面，一面詳細地說明本發明之流體控制裝置之製造方法的第1實施形態。第1實施形態之流體控制裝置係例如是在半導體製程所使用之進行藥液之流量控制的藥液閥1，如圖1所示，由驅動部11與閥部12所構成。
驅動部11係包括第1外殼111與第2外殼112，並在其內部具有活塞113。第1外殼111係形成筒狀，該筒狀係圖1中的上端側被封閉，另一方面，圖1中的下端側被作成開口。在外周面，係形成第1供排氣口111a。而且，第1外殼111之圖1中的下端部係經由O環115氣密地被嵌裝於第2外殼112之圖1中的上端部。
第2外殼112係形成圖1中的上端側、下端側都被作成開口的筒狀，在外周面係形成第2供排氣口112a。第1外殼111與第2外殼112係在同軸上排列，並藉第1外殼111之中空部與第2外殼112之中空部形成活塞室116。
在活塞室116，係活塞113被裝填成在圖1中之上下方向可滑動。此處，圖1中之上方向係開閥方向，圖1中之下方向係閉閥方向。而且，活塞室116係藉活塞113的活塞部113a被劃分成上室116a與下室116b。在活塞部113a的外周與活塞室116的內壁之間係配置O環117，而將上室116a與下室116b之間保持氣密。
上室116a係藉流路111b與第1供排氣口111a連通，下室116b係藉流路112b與第2供排氣口112a連通。在下室116b，係配設線圈彈簧114，線圈彈簧114之圖1中的下端部係與下室116b之底面抵接，線圈彈簧114之圖1中的上端部係與活塞部113a之下端面抵接。而且，線圈彈簧114係藉彈力，將活塞113向開閥方向偏壓。
又，活塞113係在活塞部113a的上端側、下端側，分別具有第1活塞桿113b、第2活塞桿113c。
第1活塞桿113b係被插入槽部111c，該槽部111c係被設置於第1外殼111之圖1中的下面側。藉此，活塞113在圖1中之上下方向滑動時，被槽部111c引導。
第2活塞桿113c係被插入貫穿孔112c，該貫穿孔112c係貫穿第2外殼112的下端面與下室116b。在第2活塞桿113c的外周面與貫穿孔112c的內周面之間係配設O環118。而將下室116b保持氣密。而且，構成閥部12之隔膜閥體122(閥體之一例)與第2活塞桿113c的頭端部螺合。
閥部12係與驅動部11之圖1中的下側連結，並由閥部本體121、隔膜閥體122以及台座123所構成。閥部本體121係包括：流入流路121a，係流入藥液等之流體；及流出流路121b，係流出所流入之流體。而且，在閥部本體121之圖1中的上端面中央，係鑽設閥室121c，閥室121c係將流入流路121a與流出流路121b連通。在閥室121c的底面，係形成隔膜閥體122所抵接、分開的閥座121d。
隔膜閥體122係如圖2所示，是本體構件1221與落座構件1222的結合體，而該落座構件1222係與閥座121d抵接、分開。
本體構件1221係具有隔膜部1221a，該隔膜部1221a係伴隨隔膜閥體122進行上下動而產生彈性變形。進而，在隔膜部1221a的外周係具有固定部1221b。固定部1221b係如圖1所示，被第2外殼112與閥部本體121從圖1中的上下方向夾持、固定。在本體構件1221之圖2中的上端面，係鑽設螺紋部1221c，如上述所示，第2活塞桿113c的頭端部與螺紋部1221c螺合。
落座構件1222係被焊接於本體構件1221，本體構件1221與落座構件1222的接觸面係如圖3所示，成為焊接部32。而且，落座構件1222之與被焊接側相反側的面係成為與閥座121d抵接的抵接面1222a。
這種是本體構件1221與落座構件1222之結合體的隔膜閥體122係藉切削加工所形成，細節係如以下所示形成。
首先，如圖4(a)所示，以與支撐體23相對向地接觸的方式配置是本體構件1221的材料之塊狀的本體構件材料211。進而，作成在其上重疊，將是落座構件1222的材料之板狀的落座構件材料212配置成與本體構件材料211接觸。此處，本體構件材料211係例如是耐藥性優異之PTFE的壓縮成形品。落座構件材料212係例如是PFA的擠壓成形品。
接著，如圖4(b)所示，對堆疊之本體構件材料211與落座構件材料212，將在與支撐體23係相反側具有散熱作用的紅外線透過性固體22配置成與落座構件材料212接觸。此處，紅外線透過性固體22係例如列舉硒化鋅(ZnSe)、硫化鋅(Zns)、矽(Si)、鍺(Ge)、藍寶石(Al2 O3 )或砷化鎵(GaAs)等之具有導熱率15w/m．K以上的紅外結晶材料。
然後，如圖4(c)所示，一面在箭號F方向施加壓縮力，使本體構件材料211與落座構件材料212密接，一面從紅外線透過性固體22之側，從光源24對本體構件材料211與落座構件材料212照射紅外線光束25。
此外，紅外線光束25之波長範圍係從0.37μm至15μm，較佳係波長10.6μm或10.6μm±0.5μm之CO2 雷射、或者波長5.3μm或5.3μm±0.5μm之CO雷射、或者波長從375至2000nm的半導體雷射，在半導體雷射的情況，係波長1.06μm或1.06μm±0.5μm之YAG雷射、或者波長1.07μm或1.07μm±0.5μm之光纖雷射、或者波長2.05μm或2.05μm±0.5μm的銩雷射較佳。
照射紅外線光束25時，在紅外線透過性固體22與落座構件材料212之邊界，溫度變低，另一方面，在本體構件材料211與落座構件材料212之邊界，溫度成為最高。即，根據滲透之紅外線能量，可發現在內部成為高溫的區域。結果，可一面儘量抑制落座構件材料212之在紅外線照射側表層之顯著的收縮、破處、燒爛以及熱分解等的熱損傷所造成之表面性狀的惡化，一面在短時間內將本體構件材料211與落座構件材料212焊接。而且，藉由本體構件材料211與落座構件材料212被焊接，形成材料結合體21。
最後，如圖4(d)所示，藉由對材料結合體21進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成隔膜閥體122。
此處，落座構件1222之抵接面1222a(參照圖3)係不是藉切削加工所形成，而是落座構件材料212之成形面所殘留的狀態。
例如，在採用藉切削加工形成抵接面1222a的情況，切刃痕殘留於抵接面1222a。因切刃痕，在抵接面1222a之表面形成微細的凹部及凸部，而有可能表面粗糙度變粗。表面粗糙度變粗之抵接面1222a重複對閥座121d之抵接、分開時，該微細的凸部剝離，而有可能成為發生粒子的原因。
因此，如本發明所示，以藉擠壓成形之成形面構成抵接面1222a時，因為可防止表面粗糙度變粗，所以抵接面1222a重複對閥座121d之抵接、分開，亦難發生粒子。
此外，本實施形態之落座構件材料212係採用是PFA之擠壓成形品，但是亦可是PFA之射出成形品。但，藉射出成形使落座構件材料212成形時，認為抵接面1222a之表面粗糙度受到模具元件之表面粗糙度左右、或因在模具內充滿氣體而在抵接面發生燒焦，而表面粗糙度變粗。因此，可說藉不受模具元件之影響的擠壓成形使落座構件材料212成形最佳。
又，將本體構件材料211與落座構件材料212焊接，而形成材料結合體21時，藉紅外線光束25焊接的範圍係在藉切削加工所形成的隔膜閥體122之比本體構件1221與落座構件1222之接觸面積更寬廣的範圍進行。
詳細地說明之，如上述所示，藉切削加工所形成的隔膜閥體122之本體構件1221與落座構件1222的接觸面係成為焊接部32。在上視圖之材料結合體21上虛擬地表示此焊接部32時，成為圖5中之被虛線包圍的範圍。而，在上視圖之材料結合體21上虛擬地表示藉紅外線光束25焊接的範圍時，成為圖5中之被一點鏈線包圍的焊接範圍WA11。依此方式，藉由在比焊接部32之範圍更寬廣的範圍進行藉紅外線光束25之焊接，焊接部32係如圖3所示，被形成於本體構件1221與落座構件1222之接觸面整體。因此，在切削後的本體構件1221與落座構件1222之間，係不會產生間隙。藉由在本體構件1221與落座構件1222之間不會產生間隙，可防止以往擔心之滯留的發生。若可防止滯留的發生，則可防止因滯留之藥液劣化而藥液之含有成分成為粒子的可能，而可降低產生半導體之配線圖案之缺陷的可能性。
此外，進行藉紅外線光束25之焊接的範圍係因為只要包含焊接部32即可，所以亦可採用例如如圖6所示之焊接範圍WA12。或者，亦可將本體構件材料211與落座構件材料212之接觸面整體焊接。
此外，在藉紅外線光束25之焊接所使用的支撐體23係為了在紅外線光束25之照射中穩定地保持紅外線透過性固體22、本體構件材料211以及落座構件材料212的接觸狀態。因此，只要是具有這種功能者，支撐體23之材質或形狀係任意都可。例如，想到使用例如承受如箭號F(參照圖4(c))所示之壓縮力亦難發生塑性變形而具有適度之剛性的鋼、鋁合金、銅等之金屬製的塊或板。
進而，亦可支撐體23係採用在照射紅外線光束25之側的表層具有藉橡膠之緩衝層。在將厚度薄之熱可塑性樹脂構件(PFA或PTFE等)彼此焊接的情況，或將熱收縮性高之熱可塑性樹脂構件彼此焊接的情況，因熱可塑性樹脂構件本身之表面起伏等，具有紅外線透過性固體22與落座構件材料212之接觸壓力及接觸面積、或本體構件材料211與落座構件材料212之接觸壓力及接觸面積不足的可能性。此接觸壓力及接觸面積不足時，在焊接後有可能在焊接部發生空洞或破處、收縮等之缺陷。因此，若支撐體23具有緩衝層，則改善紅外線透過性固體22、本體構件材料211以及落座構件材料212之接觸壓力及接觸面積，而可抑制焊接後之空洞或破處、顯著之收縮等之缺陷的發生。
除了上述之藉紅外線光束25的焊接以外，亦可採用藉以下說明之熱板焊接來形成隔膜閥體122。如圖7(a)所示，將本體構件材料211與落座構件材料212配置成夾住熱板31，而分別與熱板31接觸。藉此，本體構件材料211及落座構件材料212之各自之與熱板31接觸的端面熔化。
接著，如圖7(b)所示除去熱板31後，如圖7(c)所示，使本體構件材料211及落座構件材料212之熔化的面彼此密接。而且，對本體構件材料211及落座構件材料212之熔化的面從垂直方向(箭號F)一面壓縮本體構件材料211及落座構件材料212一面冷卻。藉此，本體構件材料211與落座構件材料212被焊接，而形成材料結合體21。
然後，如圖7(d)所示，對材料結合體21進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成隔膜閥體122。
若依據在上述所說明之熱板焊接，本體構件材料211與落座構件材料212之接觸面整體被焊接。因此，焊接範圍係藉切削加工所形成之隔膜閥體122之比是本體構件1221與落座構件1222的接觸面之焊接部32的範圍更寬廣。因此，焊接部32係如圖3所示，被形成於本體構件1211與落座構件1222之接觸面整體。因此，在本體構件1221與落座構件1222之間係不會產生間隙。藉由在本體構件1221與落座構件1222之間不會產生間隙，可防止以往擔心之滯留的發生。若可防止滯留的發生，則可防止因滯留之藥液劣化而藥液之含有成分成為粒子的可能，而可降低產生半導體之配線圖案之缺陷的可能性。
又，在採用藉由在藉射出成形等形成本體構件1221與落座構件1222後焊接，來形成隔膜閥體122的情況，係必須將落座構件1222對本體構件1221進行定位。在無法進行正確之定位的情況，係有可能在落座構件1222之位置偏差的狀態被焊接於本體構件1221。關於這一點，本實施形態之隔膜閥體122係如在上述的說明所示，因為藉由切削材料結合體21所形成，所以不必將落座構件1222對本體構件1221進行定位。因此，不會在落座構件1222之位置偏差的狀態被焊接於本體構件1221。
其次，說明藥液閥1的動作。圖1所示之藥液閥1係位於開閥狀態。在此狀態，從操作空氣供給源(未圖示)向第1供排氣口111a供給操作空氣時，經由流路111b向上室116a供給操作空氣。隨著供給操作空氣，上室116a之壓力逐漸地上升，活塞部113a之上端面所承受的壓力超過線圈彈簧114的偏壓力時，活塞113在抵抗線圈彈簧114的偏壓力下向閉閥方向(圖1中，下方向)移動。然後，隨著活塞113向閉閥方向移動，下室116b內的空氣係被活塞部113a壓縮，並經由流路112b及第2供排氣口112a向驅動部11的外部被排出。活塞113向閉閥方向移動時，與第2活塞桿113c之頭端螺合的隔膜閥體122向閉閥方向移動。然後，落座構件1222的抵接面1222a與閥座121d抵接時，藥液閥1係成為閉閥狀態。
對成為閉閥狀態之藥液閥1，停止供給操作空氣時，抵抗線圈彈簧114的偏壓力之上室116a的壓力變成不作用，活塞113藉線圈彈簧114的偏壓力向開閥方向移動。於是，與第2活塞桿113c之頭端螺合的隔膜閥體122亦向開閥方向移動，而落座構件1222從閥座121d分開，成為開閥狀態。在此時，上室116a所充填之操作空氣係經由流路111b及第1供排氣口111a向驅動部11的外部被排出，而驅動部11之外部的空氣經由第2供排氣口112a及流路112b流入下室116b。
此外，在上述之第1實施形態，構成隔膜閥體122之落座構件1222係藉由切削材料結合體21，而被形成圓環狀，但是亦可如圖8及圖9所示之隔膜閥體125的落座構件1252所示，採用板狀。此隔膜閥體125亦藉由從材料結合體21切削所形成，而該材料結合體21係將是耐藥性優異之PTFE之壓縮成形品的本體構件材料211、與是PFA之擠壓成形品的落座構件材料212焊接而成。該焊接係在比本體構件1251與落座構件1252之接觸面積更寬廣的範圍所進行。又，落座構件1252的抵接面1252a係與落座構件1222之抵接面1222a一樣，由成形面所形成。與這種隔膜閥體125抵接、分開的閥座124d係以向閥部本體124之閥室124c的底面突出成凸狀的方式所形成。
至此為止，作為流體控制裝置，列舉進行流量控制之藥液閥1，但是亦可採用進行壓力控制之流體控制裝置。作為進行壓力控制之流體控制裝置，例如列舉如圖21所示之調壓器5。此調壓器5係在半導體製造裝置所使用之流體控制裝置，在閥部本體521之內部，藉操作空氣所驅動之隔膜閥體524與閥座521e抵接、分開，藉此，進行從流入流路521a流入後從流出流路521b流出之流體的壓力控制。
首先，說明調壓器5的構成。調壓器5係藉由利用螺栓等之固定構件將閥部本體521、上蓋522以及下蓋523組裝成一體所構成，整體上係形成大致長方體。此外，閥部本體521係例如由氟系合成樹脂所成形。上蓋522與下蓋523係例如由聚丙烯樹脂所成形。
在閥部本體521，係形成：流入流路521a，係流入流體；及流出流路521b，係流出流入流路521a所流入之流體。
在閥部本體521之圖21中之下端面的中央部，係鑽設上游側流體室521c，在上游側流體室521c之圖21中的上面係設置閥座521e。又，在閥部本體521之圖21中之上端面的中央部，係鑽設與上游側流體室521c連通的下游側流體室521d，藉上游側流體室521c與下游側流體室521d將流入流路521a與流出流路521b連通。
在上游側流體室521c與下游側流體室521d，係收容在圖21中之上下方向可往復移動的隔膜閥體524。此隔膜閥體524係本體構件5241與落座構件5242的結合體。
本體構件5241係具有伴隨隔膜閥體524進行上下動而產生彈性變形的隔膜部5241a。在隔膜部5241a的外周係具有固定部5241b，固定部5241b係被閥部本體521與下蓋523從圖21中的上下方向夾持並固定。在本體構件5241之圖21中的上端部，係設置結合軸5242b，藉由將隔膜構件526壓入結合軸5242b，使隔膜閥體524與隔膜構件526成為一體。
落座構件5242係被焊接於本體構件5241，本體構件5241與落座構件5242之接觸面係成為焊接部。此焊接部係與圖3所示之焊接部32一樣，被形成於本體構件5241與落座構件5242之接觸面整體。而且，落座構件5242之與被焊接之側相反側的面係成為與閥座521e抵接的抵接面5242a。抵接面5242a係與在上述之藥液閥1所使用的隔膜閥體122、125一樣，由是落座構件5242的材料之落座構件材料612(參照圖22)的成形面所形成，防止粒子的發生。
這種是本體構件5241與落座構件5242之結合體的隔膜閥體524係藉切削加工所形成，細節係如以下所示形成。
首先，如圖22(a)所示，以與支撐體23相對向地接觸的方式配置是本體構件5241之材料的本體構件材料611。進而，作成在其上重疊，而將是落座構件5242的材料之板狀的落座構件材料612配置成與本體構件材料611接觸。因為本體構件材料611係具有用以形成結合軸5242b的突起611a，所以落座構件5242係具有突起611a所貫穿之貫穿孔612a。此處，本體構件材料611係例如是耐藥性優異之PTFE的壓縮成形品。落座構件材料612係例如是PFA的擠壓成形品或射出成形品。此外，在將落座構件材料612作成擠壓成形品的情況，需要對板狀的材料加工，並預先設置貫穿孔612a。
接著，如圖22(b)所示，對堆疊之本體構件材料611與落座構件材料612，將在與支撐體23係相反側具有散熱作用的紅外線透過性固體62配置成與落座構件材料612接觸。
然後，如圖22(c)所示，一面在箭號F方向施加壓縮力，使本體構件材料611與落座構件材料612密接，一面從紅外線透過性固體62之側，從光源24對本體構件材料611與落座構件材料612照射紅外線光束25。照射紅外線光束25，將本體構件材料611與落座構件材料612焊接，藉此，形成材料結合體61。藉紅外線光束25焊接的範圍係在藉切削加工所形成的隔膜閥體524之比本體構件5241與落座構件5242之接觸面積更寬廣的範圍進行。這係與在上述之藥液閥1所使用的隔膜閥體122、125一樣。因此，因為本體構件5241與落座構件5242之接觸面全部成為焊接部，所以在本體構件5241與落座構件5242之間不會產生間隙，而可防止流體(例如藥液)之滯留的發生。
最後，如圖22(d)所示，藉由對材料結合體61進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成隔膜閥體524。
除了上述之藉紅外線光束25的焊接以外，亦可採用藉以下說明之熱板焊接來形成隔膜閥體524。如圖23(a)所示，將本體構件材料611與落座構件材料612配置成夾住熱板63，而分別與熱板63接觸。藉此，本體構件材料611及落座構件材料612之各自之與熱板63接觸的端面熔化。
接著，如圖23(b)所示拿掉熱板63後，如圖23(c)所示，使本體構件材料611及落座構件材料612之熔化的面彼此密接。而且，對本體構件材料611及落座構件材料612之熔化的面從垂直方向(箭號F)一面壓縮本體構件材料611及落座構件材料612一面冷卻。藉此，本體構件材料611與落座構件材料612被焊接，而形成材料結合體61。
然後，如圖23(d)所示，對材料結合體61進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成隔膜閥體524。
若依據熱板焊接，在本體構件5241與落座構件5242之間不會產生間隙，在可防止以往擔心之滯留的發生上，係與在上述之藥液閥1所使用的隔膜閥體122、125一樣。
又，因為藉由切削材料結合體61來形成隔膜閥體524，所以不必將落座構件5242對本體構件5241進行定位，而不會在落座構件5242之位置偏差的狀態被焊接於本體構件5241。這一點，亦係與在上述之藥液閥1所使用的隔膜閥體122、125一樣。
接著，下蓋523係在內部收容線圈彈簧514。線圈彈簧514之圖21中之上側的端部係與在隔膜閥體524之圖21中的下端部所組裝之彈簧承受構件525抵接，並藉線圈彈簧514之偏壓力將隔膜閥體524向圖21中的上方偏壓。即，藉線圈彈簧514的偏壓力，可維持構成隔膜閥體524的落座構件5242之與閥座521e抵接的狀態。
在下蓋523，係形成開放通口523a，該開放通口523a係為了從隔膜部5241a將圖21中之下側的空間(下部空間)保持於大氣壓，而向大氣開放。因為在開放通口523a係連接未圖示的配管，所以在對半導體製造裝置無不良影響的場所，可將下部空間向大氣開放。藉此，隔膜閥體524圓滑地進行上下動。
隔膜構件526係具有隔膜部526a，並藉閥部本體521與上蓋522夾持並固定其周緣部526b。而且，在上蓋522之圖21中的上端面係形成供氣通口522a。供氣通口522a係與壓力操作室521f連通，該壓力操作室521f係由上蓋522與隔膜構件526所形成的空間。自壓力供給源向供氣通口522a供給操作空氣時，隔膜構件526係藉由隔膜部526a產生彈性變形，而因應於操作空氣之操作壓力進行上下動。
其次，說明調壓器5的動作。在未向調壓器5供給操作空氣的起始狀態，係因為線圈彈簧514經由彈簧承受構件525將隔膜閥體524向圖21中的上方向偏壓，所以位於隔膜閥體524與閥座521e抵接之閉閥狀態。在此狀態，係上游側流體室521c與下游側流體室521d之間被遮斷，而阻止上游側流體室521c與下游側流體室521d之間之流體的流通。
對位於閉閥狀態之調壓器5，從供氣通口522a供給操作空氣時，與供氣通口522a連通之壓力操作室521f的壓力升高，而隔膜構件526一面使隔膜部526a產生彈性變形，一面向圖21中的下方向移動。
因為隔膜構件526係與隔膜閥體524成為一體，所以隨著隔膜構件526向圖21中的下方向移動，同時隔膜閥體524亦在抵抗線圈彈簧514的偏壓力下，向圖21中的下方向移動。於是，隔膜閥體524與閥座521e分開，而調壓器5成為開閥狀態。在此狀態，係因為容許上游側流體室521c與下游側流體室521d之間之流體的流通，所以流入流入流路521a之流體係經由上游側流體室521c與下游側流體室521d，從流出流路521b流出。
而且，在上游側流體室521c之壓力變高的情況，隔膜閥體524係對閥座521e，向圖21中的上側移動，並以將下游側流體室521d之壓力保持定壓的方式動作。反之，在上游側流體室521c之壓力變低的情況，隔膜閥體524係對閥座521e，向開放側移動，並以將下游側流體室521d之壓力保持定壓的方式動作。利用這種動作、與向壓力操作室521f所供給之操作空氣的壓力調整，可進行下游側流體室521d內之流體，即從流出流路521b所流出之流體控制的壓力控制。
然後，停止供給操作空氣時，藉線圈彈簧514的偏壓力，隔膜閥體524向圖21中的上方向移動，藉由隔膜閥體524與閥座521e抵接，調壓器5成為閉閥狀態。
此外，在上述之調壓器5，構成隔膜閥體524之落座構件5242係藉由切削材料結合體21，而截面被形成為大致三角形的圓環形，但是亦可如圖24所示之隔膜閥體528的落座構件5282所示，採用截面被形成為長方形者。此隔膜閥體528亦是本體構件5281與落座構件5282的結合體。即，藉由切削材料結合體61所形成，而該材料結合體61係將是耐藥性優異之PTFE之壓縮成形品的本體構件材料611、與是PFA之擠壓成形品或射出成形品的落座構件材料612焊接而成。本體構件材料611與落座構件材料612之焊接係在比本體構件5281與落座構件5282之接觸面積更寬廣的範圍所進行。又，落座構件5282的抵接面5282a係與落座構件1222之抵接面1222a一樣，由成形面所形成。與這種隔膜閥體528抵接、分開之在閥部本體527所設置的閥座527e係在上游側流體室521c之圖中的上面，以角度往落座構件5282縮小的方式所形成。
如以上之說明所示，若依據本實施形態之流體控制裝置的製造方法，(1)製造藉由隔膜閥體122(125、524、528)與閥座121d(124d、521e、527e)抵接或分開來控制流體之流動的流體控制裝置(例如，藥液閥1、調壓器5)。在流體控制裝置之製造方法，其特徵為：隔膜閥體122(125、524、528)是與閥座121d(124d、521e、527e)抵接之落座構件1222(1252、5242、5282)、和本體構件1221(1251、5241、5281)的結合體；結合體係藉由切削材料結合體21(61)所形成，而該材料結合體21(61)係將是落座構件1222(1252、5242、5282)之材料的落座構件材料212(612)、與是本體構件1221(1251、5241、5281)之材料的本體構件材料211(611)焊接而成；焊接係在材料結合體21(61)之落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)的接觸面，在結合體之比落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之接觸面更寬廣的範圍所進行。因此，因為隔膜閥體122(125、524、528)在落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之間不會具有間隙，所以可防止流體(例如藥液)之滯留的發生，而該隔膜閥體122(125、524、528)係藉由將落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)焊接所構成。
在本實施形態，係隔膜閥體122(125、524、528)是與閥座121d(124d、521e、527e)抵接之落座構件1222(1252、5242、5282)、和本體構件1221(1251、5241、5281)的結合體。而且，該結合體係藉由切削材料結合體21(61)所形成，而該材料結合體21(61)係將是落座構件1222(1252、5242、5282)之材料的落座構件材料212、與是本體構件1221(1251、5241、5281)之材料的本體構件材料211焊接而成。而且，落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)之焊接係在結合體之比落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之接觸面更寬廣的範圍所進行。即，在落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)被焊接之面積的範圍內，形成進行切削加工後之落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之接觸面。因此，可將落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之接觸面整體焊接。藉由將落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之接觸面整體焊接，因為在落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之間係不會產生間隙，所以可防止以往擔心之藥液之滯留的發生。
若可防止滯留的發生，則可防止因藥液之含有成分變成固體而成為粒子的可能性。於是，可降低半導體之配線圖案之缺陷的產生等在半導體製造的良率出現不良影響的可能性。
(2)在(1)項之流體控制裝置(藥液閥1、調壓器5)的製造方法，其特徵為：落座構件材料212(612)係藉射出成形或擠壓成形之任一方所成形；落座構件1222(1252、5242、5282)係具有與閥座121d(124d、521e、527e)抵接的抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)，抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)係由落座構件材料212(612)的成形面所形成。因此，可防止因隔膜閥體122(125、524、528)與閥座121d(124d、521e、527e)重複抵接、分開，而落座構件1222(1252、5242、5282)磨耗所造成之粒子的發生。
例如，在藉切削加工形成落座構件1222(1252、5242、5282)與本體構件1221(1251、5241、5281)之結合體時，在藉切削加工形成落座構件1222(1252、5242、5282)的抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)時，切刃痕殘留於抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)。因切刃痕，而在抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)之表面形成微細的凹部及凸部，而有可能表面粗糙度變粗。表面粗糙度變粗之抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)重複對閥座121d(124d、521e、527e)之抵接、分開時，該微細的凸部剝離，而有可能成為發生粒子的原因。
因此，如本發明所示，以藉射出成形或擠壓成形之成形面構成抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)時，可防止表面粗糙度變粗。因此，抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)重複對閥座121d(124d、521e、527e)之抵接、分開，亦粒子難發生。此外，藉射出成形使落座構件材料212(612)成形時，認為抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)之表面粗糙度受到模具元件之表面粗糙度左右、或因在模具內充滿氣體而在抵接面1222a(1252a、5242a、5282a)發生燒焦，而表面粗糙度變粗。因此，藉擠壓成形使落座構件材料212(612)成形最佳。
(3)在(1)或(2)項之流體控制裝置(藥液閥1、調壓器5)的製造方法，其特徵為：材料結合體21(61)係藉以下之步驟所形成，重疊步驟，係將落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)重疊；重疊步驟，係對將落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)重疊者，進而將紅外線透過性固體22(62)重疊；以及焊接步驟，係藉紅外線透過性固體22(62)，一面將落座構件材料212(612)壓在本體構件材料211(611)，一面從紅外線透過性固體22(62)側，對落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)照射紅外線光束25，藉此，將落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)焊接。因此，因為藉利用紅外線光束25之局部性加熱，將落座構件材料212(612)與本體構件材料211(611)焊接，所以可一面儘量抑制在紅外線光束25照射側表層之顯著的收縮、破處、燒爛以及熱分解等的熱損傷所造成之表面性狀的惡化，一面在短時間內將本體構件材料211(611)與落座構件材料212(612)焊接。
(4)在(1)或(2)項之流體控制裝置(藥液閥1、調壓器5)的製造方法，其特徵為：材料結合體21(61)係藉以下之步驟所形成，熔化步驟，係藉由在本體構件材料211(611)與落座構件材料212(612)之間夾入熱板31(63)，使本體構件材料211(611)及落座構件材料212(612)之熱板31(63)所接觸的面熔化；除去步驟，係從本體構件材料211(611)與落座構件材料212(612)之間除去熱板31(63)；以及焊接步驟，係使本體構件材料211(611)與落座構件材料212(612)之熔化的面彼此接觸，再對熔化的面從垂直方向，一面對本體構件材料211(611)與落座構件材料212(612)加壓一面冷卻，藉此，將本體構件材料211(611)與落座構件材料212(612)焊接。因此，焊接步驟成為更容易。藉紅外線光束25之焊接，係在紅外線光束25所照射之側配置的材料，係為了使紅外線光束25易透過，選擇具有透過性的材料，而在與紅外線光束25所照射之側係相反側配置的材料，係為了易吸收紅外線光束25，必須選擇具有吸收性的材料。可是，若是藉熱板31之焊接，不必如上述所示考慮透過性或吸收性，而可易於焊接。 ＜第2實施形態＞
其次，說明第2實施形態。在第1實施形態之是流體控制裝置的藥液閥1，係將隔膜閥體122(125)作成本體構件1221(1251)與落座構件1222(1252)的結合體，但是如圖10至圖12所示之藥液閥2所示，在閥座側，係可使用作為本體構件之閥部本體126、與落座構件127的結合體。以下，只說明與第1實施形態之藥液閥1的相異點。
閥部本體126係在圖10中之上端面的中央，鑽設閥室126c，藉由將落座構件127焊接於在閥室126c之底面所設置的凸部126d，形成閥座132。凸部126d與落座構件127的接觸面係如圖12所示，成為焊接部33。而且，落座構件127之與被焊接之側相反側的面係成為抵接面127a，該抵接面127a係與隔膜閥體128的落座面128a抵接。
這種閥部本體126與落座構件127的結合體係藉切削加工所形成，細節係如以下所示形成。首先，如圖13(a)所示，以與支撐體23相對向地接觸的方式配置是閥部本體126的材料之塊狀的本體構件材料261。在本體構件材料261，係已形成凹部261a之狀態，該凹部261a係成為閥部本體126之閥室126c。在該凹部261a的底面，將是落座構件127的材料之板狀的落座構件材料262配置成與本體構件材料211接觸。此處，本體構件材料261係例如是耐藥性優異之PTFE的壓縮成形品。落座構件材料262係例如是PFA的擠壓成形品。此外，亦可落座構件材料262係射出成形品。
接著，如圖13(b)所示，對堆疊之本體構件材料261與落座構件材料262，將在與支撐體23係相反側具有散熱作用的紅外線透過性固體27配置成與落座構件材料262接觸。
然後，如圖13(c)所示，一面在箭號F方向施加壓縮力，使本體構件材料261與落座構件材料262密接，一面從紅外線透過性固體27之側，從光源24對本體構件材料261與落座構件材料262照射紅外線光束25。照射紅外線光束25時，在本體構件材料261與落座構件材料262之邊界，溫度成為最高。因此，可一面儘量抑制落座構件材料262之在紅外線照射側表層之顯著的收縮、破處、燒爛以及熱分解等的熱損傷所造成之表面性狀的惡化，一面在短時間內將本體構件材料261與落座構件材料262焊接。而且，藉由本體構件材料261與落座構件材料262被焊接，形成材料結合體26。
最後，如圖13(d)所示，藉由對材料結合體26進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成閥部本體126與落座構件127的結合體。
此處，落座構件127之與隔膜閥體128之落座面128a抵接的抵接面127a係不是藉切削加工所形成，而是落座構件材料262之成形面所殘留的狀態。
例如，在採用藉切削加工形成抵接面127a的情況，切刃痕殘留於抵接面127a。因切刃痕，而在抵接面127a之表面形成微細的凹部及凸部，有可能表面粗糙度變粗。表面粗糙度變粗之抵接面127a重複與隔膜閥體128之抵接、分開時，該微細的凸部剝離，而有可能成為發生粒子的原因。
因此，如本實施形態所示，以藉擠壓成形之成形面構成抵接面127a時，可防止表面粗糙度變粗。因此，抵接面127a重複與隔膜閥體128之抵接、分開，亦難發生粒子。
又，在藉本體構件材料261與落座構件材料262形成材料結合體26時，藉紅外線光束25之焊接係在藉切削加工所形成之閥部本體126與落座構件127的結合體之比閥部本體126與落座構件127之接觸面積更寬廣的範圍進行。藉由作成依此方式，焊接部33係如圖12所示，被形成於閥部本體126與落座構件1272之接觸面整體。因此，在切削後的閥部本體126與落座構件127之間，係不會產生間隙。藉由在閥部本體126與落座構件127之間無間隙，可防止以往擔心之滯留的發生。若可防止滯留的發生，則可防止因滯留之藥液劣化而藥液之含有成分成為粒子的可能，而可降低產生半導體之配線圖案之缺陷的可能性。
除了上述之藉紅外線光束25的焊接以外，亦可採用藉以下說明之熱板焊接來形成閥部本體126與落座構件127之結合體。如圖14(a)所示，藉本體構件材料261之凹部261a的底面與落座構件材料262配置成夾住熱板31。而且，使凹部261a的底面與落座構件材料262分別與熱板31接觸。藉此，凹部261a的底面及落座構件材料262之與熱板31接觸的端面熔化。
接著，如圖14(b)所示除去熱板31後，如圖14(c)所示，使本體構件材料261及落座構件材料262之熔化的面彼此密接。而且，對本體構件材料261及落座構件材料262之熔化的面從垂直方向(箭號F)一面壓縮本體構件材料261及落座構件材料262一面冷卻。藉此，本體構件材料261與落座構件材料262被焊接，而形成材料結合體26。
然後，如圖14(d)所示，對材料結合體26進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成閥部本體126與落座構件127之結合體。
若依據在上述所說明之熱板焊接，本體構件材料261與落座構件材料262之接觸面整體被焊接。因此，焊接範圍係藉切削加工所形成之閥部本體126與落座構件127的結合體之比是閥部本體126與落座構件127的接觸面之焊接部33的範圍更寬廣。因此，焊接部33係如圖12所示，被形成於閥部本體126與落座構件127之接觸面整體。因此，在閥部本體126與落座構件127之間係不會產生間隙。藉由在閥部本體126與落座構件127之間不會產生間隙，可防止以往擔心之滯留的發生。若可防止滯留的發生，則可防止因滯留之藥液劣化而藥液之含有成分成為粒子的可能，而可降低產生半導體之配線圖案之缺陷的可能性。
在上述之第2實施形態，落座構件127係藉由切削材料結合體26，而截面被形成為大致三角形的圓環形，但是亦可如圖15及圖16所示之落座構件130所示，將截面作成長方形。在此情況，閥部本體129係在圖15中之上端面的中央，鑽設閥室129c，並將落座構件130焊接於在閥室129c之底面所設置的凸部129d，藉此，形成閥座133。此閥部本體129與落座構件130之結合體，亦藉由切削材料結合體26所形成，而該材料結合體26係將是耐藥性優異之PTFE之壓縮成形品的本體構件材料261、與是PFA之擠壓成形品的落座構件材料262焊接而成。該焊接係在比閥部本體129與落座構件130之接觸面積寬廣的範圍所進行。又，落座構件130的抵接面130a係與落座構件127之抵接面127a一樣，由成形面所形成。與這種閥座133抵接、分開之隔膜閥體131係具有落座部131a，該落座部131a係以向圖15中之下端面突出成凸狀的方式所形成。
至此為止，作為流體控制裝置，列舉進行流量控制之藥液閥2，但是，例如，如圖25所示，在進行壓力控制之調壓器6，亦在閥座側，可使用作為本體構件之閥部本體529、與落座構件530的結合體。
閥部本體529係在圖25中之下端面的中央，鑽設上游側流體室521c，落座構件530被焊接於在上游側流體室521c之上面所設置的凸部529e，藉此，形成閥座532。凸部529e與落座構件530的接觸面係成為焊接部。此焊接部係與圖12所示之焊接部33一樣，被形成於凸部529e與落座構件530的接觸面整體。而且，落座構件530之與被焊接之側相反側的面係成為與隔膜閥體531之落座面531a抵接的抵接面530a。抵接面530a係與在上述之藥液閥2所使用的落座構件127一樣，由是落座構件530的材料之落座構件材料712(參照圖26)的成形面所形成，而防止粒子的發生。
這種閥部本體529與落座構件530之結合體係藉切削加工所形成，細節係如以下所示形成。首先，如圖26(a)所示，以與支撐體23相對向地接觸的方式配置是閥部本體529的材料之塊狀的本體構件材料711。在本體構件材料711，係已形成凹部711a之狀態，該凹部711a係成為閥部本體529之上游側流體室521c。在該凹部711a的底面，將是落座構件530的材料之板狀的落座構件材料712配置成與本體構件材料711接觸。此處，本體構件材料711係例如是耐藥性優異之PTFE的壓縮成形品。落座構件材料712係例如是PFA的擠壓成形品或射出成形品。
接著，如圖26(b)所示，對堆疊之本體構件材料711與落座構件材料712，在與支撐體23係相反側，將紅外線透過性固體64配置成與落座構件材料712接觸。
然後，如圖26(c)所示，一面在箭號F方向施加壓縮力，使本體構件材料711與落座構件材料712密接，一面從紅外線透過性固體64之側，從光源24對本體構件材料711與落座構件材料712照射紅外線光束25。照射紅外線光束25，藉由本體構件材料711與落座構件材料712被焊接，形成材料結合體71。藉紅外線光束25焊接的範圍係在藉切削加工所形成之閥部本體529與落座構件530的結合體之比閥部本體529與落座構件530之接觸面積更寬廣的範圍進行。這一點係與在上述之藥液閥2所使用的閥部本體126、129一樣。因此，因為閥部本體529與落座構件530之接觸面全部成為焊接部，所以在閥部本體529與落座構件530之間不會產生間隙，而可防止流體(例如藥液)之滯留的發生。
最後，如圖26(d)所示，藉由對材料結合體71進行切削加工成以虛線所示的形狀，而形成閥部本體529與落座構件530的結合體。
除了上述之藉紅外線光束25的焊接以外，亦可採用藉熱板焊接來形成閥部本體529與落座構件530的結合體。熱板焊接的步驟係與圖14所示之步驟一樣。
藉本體構件材料711之凹部711a的底面與落座構件材料712配置成夾住熱板，而使凹部711a的底面與落座構件材料712之與熱板接觸的端面熔化。接著，除去熱板後，使本體構件材料711及落座構件材料712之熔化的面彼此密接。並對本體構件材料711及落座構件材料712之熔化的面從垂直方向一面壓縮本體構件材料711及落座構件材料712一面冷卻。藉此，本體構件材料711與落座構件材料712被焊接，而形成材料結合體71。然後，對材料結合體71進行切削加工，而形成閥部本體529與落座構件530之結合體。
若依據熱板焊接，在閥部本體529與落座構件530之間不會產生間隙，而可防止以往擔心之滯留的發生。這一點係與上述之藥液閥2的閥座132、133一樣。
在上述之調壓器6，落座構件530係藉由切削材料結合體71，而截面被形成為大致三角形的圓環形，但是亦可如圖27所示之落座構件534所示，採用將截面作成長方形者。在此情況，閥部本體533係在圖27中之下端面的中央，鑽設上游側流體室521c，藉由將落座構件534焊接於在上游側流體室521c之底面所設置的凸部533e，形成閥座536。此閥部本體533與落座構件534的結合體亦藉由切削材料結合體71所形成，而該材料結合體71係將是耐藥性優異之PTFE之壓縮成形品的本體構件材料711、與是PFA之擠壓成形品或射出成形品的落座構件材料712焊接而成。該焊接係在比閥部本體533與落座構件534之接觸面積寬廣的範圍所進行。又，落座構件534的抵接面534a係與落座構件530之抵接面530a一樣，由成形面所形成。與這種閥座536抵接、分開之隔膜閥體535係如圖27所示，具有以突出成凸狀之方式所形成的落座部535a。
如以上之說明所示，若依據第2實施形態之流體控制裝置(藥液閥2、調壓器6)的製造方法，(1)製造藉由隔膜閥體128(131、531、535)與閥座132(133、532、536)抵接或分開來控制流體之流動的流體控制裝置(例如，藥液閥2、調壓器6)。在流體控制裝置之製造方法，其特徵為：閥座132(133、532、536)是與隔膜閥體128(131、531、535)抵接之落座構件127(130、530、534)、和作為本體構件之閥部本體126(129、529、533)的結合體；結合體係藉由切削材料結合體26(71)所形成，而該材料結合體26(71)係將是落座構件127(130、530、534)之材料的落座構件材料262(712)、與是閥部本體126(129、529、533)之材料的本體構件材料261(711)焊接而成；焊接係在材料結合體26(71)之落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)的接觸面，在結合體之比落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之接觸面更寬廣的範圍所進行。因此，因為藉由落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)被焊接所構成的閥座132(133、532、536)在落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之間不會具有間隙，所以可防止流體(例如藥液)之滯留的發生。
在本實施形態，係閥座132(133、532、536)是與隔膜閥體128(131、531、535)抵接之落座構件127(130、530、534)、和閥部本體126(129、529、533)的結合體。而且，該結合體係藉由切削材料結合體26(71)所形成，而該材料結合體26(71)係將是落座構件127(130、530、534)之材料的落座構件材料262(712)、與是閥部本體126(129、529、533)之材料的本體構件材料261(711)焊接而成。而且，落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)之焊接係在結合體之比落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之接觸面更寬廣的範圍所進行。即，在落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)被焊接之面積的範圍內，形成進行切削加工後之落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)的接觸面。因此，可將落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之接觸面整體焊接。藉由將落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之接觸面整體焊接，因為在落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之間係不會產生間隙，所以可防止以往擔心之藥液之滯留的發生。若可防止滯留的發生，則可防止因藥液之含有成分變成固體而成為粒子的可能性。於是，可降低半導體之配線圖案之缺陷的產生等在半導體製造的良率出現不良影響的可能性。
(2)在(1)項之流體控制裝置(藥液閥2、調壓器6)的製造方法，其特徵為：落座構件材料262(712)係藉射出成形或擠壓成形之任一方所成形；落座構件127(130、530、534)係具有與隔膜閥體128(131、531、535)抵接的抵接面127a(130a、530a、534a)，抵接面127a(130a、530a、534a)係由落座構件材料262(712)的成形面所形成。因此，可防止因隔膜閥體128(131、531、535)與閥座132(133、532、536)重複抵接、分開，而落座構件127(130、530、534)磨耗所造成之粒子的發生。
例如，在藉切削加工形成落座構件127(130、530、534)與閥部本體126(129、529、533)之結合體時，在藉切削加工形成落座構件127(130、530、534)的抵接面127a(130a、530a、534a)時，切刃痕殘留於抵接面127a(130a、530a、534a)。因切刃痕，在抵接面127a(130a、530a、534a)之表面形成微細的凹部及凸部，而有可能表面粗糙度變粗。表面粗糙度變粗之抵接面127a(130a、530a、534a)重複對隔膜閥體128(131、531、535)之抵接、分開時，該微細的凸部剝離，而有可能成為發生粒子的原因。
因此，如本發明所示，以藉射出成形或擠壓成形之成形面構成抵接面127a(130a、530a、534a)時，可防止表面粗糙度變粗。因此，抵接面127a(130a、530a、534a)重複對隔膜閥體128(131、531、535)之抵接、分開，亦粒子難發生。此外，藉射出成形使落座構件材料262(712)成形時，認為抵接面127a(130a、530a、534a)之表面粗糙度受到模具元件之表面粗糙度左右、或因在模具內充滿氣體而在抵接面127a(130a、530a、534a)發生燒焦，而表面粗糙度變粗。因此，藉擠壓成形使落座構件材料262(711)成形最佳。
(3)在(1)或(2)項之流體控制裝置(藥液閥2、調壓器6)的製造方法，其特徵為：材料結合體26(71)係藉以下之步驟所形成，重疊步驟，係將落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)重疊；重疊步驟，係對將落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)重疊者，進而將紅外線透過性固體27(64)重疊；以及焊接步驟，係藉紅外線透過性固體27(64)，一面將落座構件材料262(712)壓在本體構件材料261(711)，一面從紅外線透過性固體27(64)側，對落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)照射紅外線光束25，藉此，將落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)焊接。因此，因為藉利用紅外線光束25之局部性加熱，將落座構件材料262(712)與本體構件材料261(711)焊接，所以可一面儘量抑制在紅外線光束25照射側表層之顯著的收縮、破處、燒爛以及熱分解等的熱損傷所造成之表面性狀的惡化，一面在短時間內將本體構件材料261(711)與落座構件材料262(712)焊接。
(4)在(1)或(2)項之流體控制裝置(藥液閥2、調壓器6)的製造方法，其特徵為：材料結合體26(71)係藉以下之步驟所形成，熔化步驟，係藉由在本體構件材料261(711)與落座構件材料262(712)之間夾入熱板31，使本體構件材料261(711)及落座構件材料262(712)之熱板31所接觸的面熔化；除去步驟，係從本體構件材料261(711)與落座構件材料262(712)之間除去熱板31；以及焊接步驟，係使本體構件材料261(711)與落座構件材料262(712)之熔化的面彼此接觸，再對熔化的面從垂直方向，一面對本體構件材料261(711)與落座構件材料262(712)加壓一面冷卻，藉此，將本體構件材料261(711)與落座構件材料262(712)焊接。因此，焊接步驟成為更容易。藉紅外線光束25之焊接，係在紅外線光束25所照射之側配置的材料，係為了使紅外線光束25易透過，選擇具有透過性的材料，而在與紅外線光束25所照射之側係相反側配置的材料，係為了易吸收紅外線光束25，必須選擇具有吸收性的材料。可是，若是藉熱板31之焊接，不必如如上述所示考慮透過性或吸收性，而可易於焊接。
此外，上述之第1實施形態及第2實施形態係只不過是單純的舉例表示，絲毫未限定本發明。因此，本發明係當然在不超出其主旨的範圍內，可進行各種的改良、變形。例如，在流體控制裝置採用在半導體製程所使用的藥液閥1、2或調壓器5、6，但是不是被限定為這些，在醫用分析裝置所使用之藥液閥等之各種的流體控制裝置，可應用本發明。
又，作為落座構件材料212、262、612、712，列舉PFA，但是不是被限定為此，亦可使用其他的熱可塑性樹脂。又，作為本體構件材料211、261、611、711，列舉PTFE，但是不是被限定為此，亦可是改良之PTFE或PFA。又，列舉藉紅外線光束25之焊接、或熱板焊接來製造材料結合體21、26、61、71的例子，但是亦可採用藉紅外線加熱器、振動焊接、超音波焊接來製造材料結合體21、26、61、71。
1:藥液閥(流體控制裝置之一例) 21:材料結合體 121d:閥座 122:隔膜閥體(閥體之一例) 211:本體構件材料 212:落座構件材料 1221:本體構件 1222:落座構件
[圖1] 係第1實施形態之流體控制裝置的剖面圖。 [圖2] 係第1實施形態之流體控制裝置之隔膜閥體的剖面圖。 [圖3] 係將圖2之本體構件與落座構件之焊接部放大的圖。 [圖4] (a)至(d)係說明藉利用紅外線光束之焊接來製造第1實施形態之隔膜閥體之步驟的圖。 [圖5] 係說明藉紅外線光束焊接之範圍的圖。 [圖6] 係說明藉紅外線光束焊接之範圍之變形例的圖。 [圖7] (a)至(d)係說明藉熱板焊接來製造第1實施形態之隔膜閥體之步驟的圖。 [圖8] 係表示第1實施形態之流體控制裝置之變形例的圖。 [圖9] 係將圖8所示之隔膜閥體放大的圖。 [圖10] 係第2實施形態之流體控制裝置的剖面圖。 [圖11] 係第2實施形態之流體控制裝置之閥座部分的剖面圖。 [圖12] 係將圖11之本體構件(閥部本體)與落座構件之焊接部放大的圖。 [圖13] (a)至(d)係說明藉利用紅外線光束之焊接來製造第2實施形態之閥部本體與落座構件的結合體之步驟的圖。 [圖14] (a)至(d)係說明藉熱板焊接來製造第2實施形態之閥部本體與落座構件的結合體之步驟的圖。 [圖15] 係表示第2實施形態之流體控制裝置之變形例的圖。 [圖16] 係將圖15之閥部本體與落座構件的結合體放大的圖。 [圖17] 係說明習知技術之隔膜閥體的圖。 [圖18] 係將圖17之本體構件與落座構件的焊接部放大的圖。 [圖19] 係說明習知技術之隔膜閥體的圖。 [圖20] 係說明習知技術之閥部本體的圖。 [圖21] 係表示第1實施形態之流體控制裝置之變形例的圖。 [圖22] (a)至(d)係說明藉利用紅外線光束之焊接來製造圖21所示之隔膜閥體之步驟的圖。 [圖23] (a)至(d)係說明藉熱板焊接來製造圖21所示之隔膜閥體之步驟的圖。 [圖24] 係表示圖21所示之流體控制裝置(調壓器)之變形例的圖。 [圖25] 係表示第2實施形態之流體控制裝置之變形例的圖。 [圖26] (a)至(d)係說明藉利用紅外線光束之焊接來製造圖25所示 之閥部本體與落座構件的結合體之步驟的圖。 [圖27] 係表示圖25所示之流體控制裝置(調壓器)之變形例的圖。
122:隔膜閥體(閥體之一例)
1221:本體構件
1221a:隔膜部
1221b:固定部
1221c:螺紋部
1222:落座構件

Claims (4)

  1. 一種流體控制裝置之製造方法，係製造藉由閥體與閥座抵接或分開來控制流體之流動的流體控制裝置之流體控制裝置的製造方法，其特徵為： 該閥體或該閥座之任一方是與另一方抵接之落座構件、和本體構件的結合體； 該結合體係藉由切削材料結合體所形成，而該材料結合體係將是該落座構件之材料的落座構件材料、與是該本體構件之材料的本體構件材料焊接而成； 該焊接係在該材料結合體之該落座構件材料與該本體構件材料的接觸面，在該結合體之比該落座構件與該本體構件之接觸面更寬廣的範圍所進行。
  2. 如請求項1之流體控制裝置的製造方法，其中 該落座構件材料係藉射出成形或擠壓成形之任一方所成形； 該落座構件係具有與該閥體或該閥座抵接的抵接面，該抵接面係由該落座構件材料的成形面所形成。
  3. 如請求項1或2之流體控制裝置的製造方法，其中 該材料結合體係藉以下之步驟所形成， 重疊步驟，係將該落座構件材料與該本體構件材料重疊； 重疊步驟，係對將該落座構件材料與該本體構件材料重疊者，進而將紅外線透過性固體重疊；以及 焊接步驟，係藉該紅外線透過性固體，一面將該落座構件材料壓在該本體構件材料，一面從該紅外線透過性固體側，對該落座構件材料與該本體構件材料照射紅外線光束，藉此，將該落座構件材料與該本體構件材料焊接。
  4. 如請求項1或2之流體控制裝置的製造方法，其中 該材料結合體係藉以下之步驟所形成， 熔化步驟，係藉由在該本體構件材料與該落座構件材料之間夾入熱板，使該本體構件材料及該落座構件材料之該熱板所接觸的面熔化； 除去步驟，係從該本體構件材料與該落座構件材料之間除去該熱板；以及 焊接步驟，係使該本體構件材料與該落座構件材料之熔化的面彼此接觸，再對該熔化的面從垂直方向，一面對該本體構件材料與該落座構件材料加壓一面冷卻，藉此，將該本體構件材料與該落座構件材料焊接。
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