TW202104558A

TW202104558A - 液晶介質

Info

Publication number: TW202104558A
Application number: TW109113858A
Authority: TW
Inventors: 金壽英; 崔昌錫; 成正熙; 吳明洲; 相圭李
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2019-04-26
Filing date: 2020-04-24
Publication date: 2021-02-01
Also published as: JP2020186371A; US11655417B2; US20200339882A1; CN111849506A; EP3730591A1; KR20200125902A

Abstract

本發明係關於一種尤其基於極性化合物混合物之液晶介質，且係關於其用於尤其基於VA、SA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS、UB-FFS或PS-UB-FFS效應之主動式矩陣顯示器的用途。

Description

液晶介質

此類型之介質可尤其用於基於ECB效應之具有主動式矩陣定址之電光顯示器及共平面切換型(IPS)顯示器或邊緣場切換型(FFS)顯示器。

電控雙折射之原理、ECB效應或此外的對準相變形(DAP)效應於1971年首次加以描述(M.F. Schieckel及K. Fahrenschon, 「Deformation of nematic liquid crystals with vertical orientation in electrical fields」, Appl. Phys. Lett. 19 (1971), 3912)。隨後有J.F. Kahn之論文(Appl. Phys. Lett. 20 (1972), 1193)及G. Labrunie及J. Robert之論文(J. Appl. Phys. 44 (1973), 4869)。

J. Robert及F. Clerc之論文(SID 80 Digest Techn. Papers (1980), 30)、J. Duchene之論文(Displays 7 (1986), 3)及H. Schad之論文(SID 82 Digest Techn. Papers (1982), 244)展示液晶相必須具有高彈性常數之比率K₃ /K₁ 值、高光學各向異性Δn值及Δε≤-0.5之介電各向異性值，以便適用於基於ECB效應之高資訊顯示元件。基於ECB效應之電光顯示元件具有垂直之槳葉緣對準(VA技術=垂直對準型(v erticallya ligned))。負介電性液晶介質亦可用於使用所謂IPS或FFS效應之顯示器中。

除共平面切換型(i n-p lanes witching；IPS)顯示器(例如：Yeo, S.D., 論文15.3: 「An LC Display for the TV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第758及759頁)及眾所周知之扭轉向列型(t wistedn ematic；TN)顯示器以外，例如在多域垂直對準(m ulti-domainv erticala lignment；MVA，例如：Yoshide, H.等人, 論文3.1: 「MVA LCD for Notebook or Mobile PCs ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第I冊, 第6至9頁，及Liu, C.T. 等人, 論文15.1: 「A 46-inch TFT-LCD HDTV Technology ...」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第750至753頁)、圖案化垂直對準(p atternedv erticala lignment；PVA，例如：Kim, Sang Soo, 論文15.4: 「Super PVA Sets New State-of-the-Art for LCD-TV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第760至763頁)、先進大視角(a dvanceds uperv iew；ASV，例如：Shigeta, Mitzuhiro及Fukuoka, Hirofumi, 論文15.2: 「Development of High Quality LCDTV」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第II冊, 第754至757頁)模式中使用ECB效應之顯示器，如所謂的垂直對準向列型(v erticallya lignedn ematic；VAN)顯示器，本身已形成為目前最重要之三種較新類型之液晶顯示器中之一者，尤其用於電視應用。該等技術以一般形式在例如Souk, Jun, SID Seminar 2004, seminar M-6: 「Recent Advances in LCD Technology」, Seminar Lecture Notes, M-6/1至M-6/26及Miller, Ian, SID Seminar 2004, seminar M-7: 「LCD-Television」, Seminar Lecture Notes, M-7/1至M-7/32中比較。儘管現代ECB顯示器之響應時間已藉由伴隨過激勵之定址方法而得到顯著改良，例如：Kim, Hyeon Kyeong 等人, 論文9.1: 「A 57-in. Wide UXGA TFT-LCD for HDTV Application」, SID 2004 International Symposium, Digest of Technical Papers, XXXV, 第I冊, 第106至109頁，但達成視訊相容之響應時間，尤其在切換灰度上，仍為尚未得到滿意地解決之問題。

此效應在電光顯示元件中之工業應用需要LC相，其必須滿足多種要求。在本文中，對水分、空氣及物理影響(諸如熱、紅外、可見光及紫外輻射以及直流及交流電場)之化學抗性尤其重要。

此外，要求工業可用之LC相在適合之溫度範圍內及低黏度下具有液晶中間相。

迄今揭示之具有液晶中間相之一系列化合物均不包括符合所有此等要求之單一化合物。因此一般製備兩種至25種，較佳三種至18種化合物之混合物以獲得可用作LC相之物質。然而，以此方式不可能輕而易舉地製得最佳相，因為迄今尚未獲得具有顯著負介電各向異性及足夠長期穩定性之液晶材料。

已知矩陣液晶顯示器(MLC顯示器)。可用於個別像素之個別切換的非線性元件為例如主動元件(亦即電晶體)。因此使用術語「主動式矩陣」，其中以下兩種類型之間可存在區別： 1. 矽晶圓上作為基板之金屬氧化物半導體(MOS)電晶體 2. 玻璃板上作為基板之薄膜電晶體(TFT)。

在類型1之情況下，所用電光效應通常為動態散射或客體-主體效應。使用單晶矽作為基板材料限制了顯示器尺寸，因為即便各種部件-顯示器之模組總成亦會在接合處產生問題。

在更有前景之類型2 (較佳)之情況下，所用電光效應通常為TN效應。

在兩種技術之間存在區別：包含諸如CdSe之化合物半導體之TFT，或基於多晶或非晶矽之TFT。後一技術在全世界得到廣泛使用。

將TFT矩陣施用於顯示器之一個玻璃板的內部，而另一玻璃板在其內部攜帶透明相對電極。與像素電極之尺寸相比，TFT極小且對影像幾乎無不良影響。此技術亦可擴展至具備全色能力之顯示器(fully colour-capable display)，其中以濾光器元件與各可切換像素相對之方式佈置紅光、綠光及藍光濾光器之馬賽克(mosaic)。

本文之術語MLC顯示器涵蓋具有整合式非線性元件之任何矩陣顯示器，亦即除主動式矩陣以外，亦涵蓋具有被動元件，諸如變阻器或二極體(MIM=金屬-絕緣體-金屬)之顯示器。

此類型之MLC顯示器尤其適用於TV應用(例如袖珍TV)或汽車或飛機構造中之高資訊顯示器。除了關於對比度之角度依賴性及響應時間的問題以外，由於液晶混合物之比電阻不夠高，在MLC顯示器中亦出現困難[TOGASHI, S., SEKIGUCHI, K., TANABE, H., YAMAMOTO, E., SORIMACHI, K., TAJIMA, E., WATANABE, H., SHIMIZU, H., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: A 210-288 Matrix LCD Controlled by Double Stage Diode Rings, 第141頁及以後, Paris; STROMER, M., Proc. Eurodisplay 84, 1984年9月: Design of Thin Film Transistors for Matrix Addressing of Television Liquid Crystal Displays, 第145及以後, Paris]。隨著電阻減小，MLC顯示器之對比度劣化。因為液晶混合物之比電阻由於與顯示器之內表面相互作用而通常隨MLC顯示器之壽命下降，所以對於必須在長操作時段內具有可接受之電阻值的顯示器，高(初始)電阻極其重要。

因此，對於具有大工作溫度範圍、短響應時間及低臨限電壓的同時具有極高比電阻之MLC顯示器(憑藉其可產生各種灰度)，仍持續存在巨大需求。

常用之MLC-TN顯示器之缺點係由於其相對較低之對比度、相對較高之視角依賴性及在此等顯示器中產生灰度之難度。

VA顯示器具有顯著較佳視角依賴性，且因此主要用於電視及監視器。然而，在本文中仍持續需要改良響應時間，尤其關於具有圖框速率(影像改變頻率/重複率)大於60 Hz之電視之使用。然而同時，必須不減弱諸如低溫穩定性之特性。

可在如彼等UB-FFS模式之TFT顯示器中觀測到之另一個問題為閃爍之出現，閃爍係亮度隨時間之變化，亦即，亮度在顯示器操作之充電及保持週期期間波動。導致閃爍之主要原因包括例如由於雜質、電極之間的不對稱電壓或撓曲電效應而產生殘餘DC電荷。由撓曲電效應誘發之閃爍可藉由如實例部分所述之所謂白閃爍方法來評估。

另一問題為影像黏滯(或殘像)之出現，其中由個別像素之暫時性定址在LC顯示器中產生之影像即使在已關斷此等像素中之電場之後或在已定址其他像素之後仍保持可見。此可藉由量測易磁化軸位移來評估，其指示LC分子相對於基板之初始斷態定向方向與其在若干定址循環之後的斷態定向之間的差異。

本發明係基於以下目標：提供尤其用於監視器及TV應用，基於ECB效應或基於IPS或FFS效應之液晶混合物，該等液晶混合物無以上提及之缺點或僅具有降低程度之以上提及之缺點。尤其，必須確保監視器及電視在極高及極低溫度下亦運作，且同時具有短響應時間且同時具有改良之可靠性特性，尤其在長操作時間之後不具有影像黏滯或具有顯著減少之影像黏滯。

此目標係藉由提供如下所述及主張之LC介質來達成。

使用如下所揭示及要求之具有負介電各向異性之LC混合物出人意料地產生極低旋轉黏度及降低旋轉黏度與彈性常數之比率，同時在UV曝光之後亦維持高可靠性及高VHR值。因此可製備液晶混合物，較佳VA、PS (=聚合物穩定(p olymers tabilised))-VA、SA (=自對準)-VA、IPS、PS-IPS、PS-FFS、FFS混合物，尤其UB-FFS (超亮度邊緣場切換(u ltrab rightnessf ringef ields witching))或PS-UB-FFS混合物，其具有短響應時間及良好可靠性，且同時具有良好相特性及良好低溫特性。

本發明係關於一種具有負介電各向異性且包含一或多種式LB化合物之液晶(LC)介質

其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義： R¹ 具有1至9個，較佳1至6個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧烷基或具有2至9個，較佳2至6個C原子之烯基或烯氧基，其均視情況經氟化， L¹ 、L² F或Cl，較佳F， X¹ 具有1、2或3個C原子之氟化烷基或烷氧基，較佳CF₃ 或OCF₃ ， Y¹ O或S。

本發明進一步係關於如上文及下文所述之LC介質出於電光目的之用途，尤其在用於3D應用之快門眼鏡中，或在VA、PS-VA、SA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS、UB-FFS或PS-UB-FFS顯示器中之用途。

本發明進一步係關於含有如上文及下文所述之LC介質之電光LC顯示器，尤其VA、PS-VA、SA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS、UB-FFS或PS-UB-FFS顯示器。

本發明進一步係關於一種用於製備如上文及下文所述之LC介質之方法，其包含以下步驟：將一或多種式LB化合物與一或多種其他LC化合物及視情況存在之一或多種添加劑混合。

根據本發明之LC介質較佳展現極廣向列相範圍，其中清澈點≥70℃，較佳地≥75℃，尤其≥80℃；極有利之電容臨限值；相對較高之保持率值；及同時在-20℃及-30℃下之極良好之低溫穩定性；以及極低之旋轉黏度及短響應時間。

根據本發明之LC介質進一步特徵在於以下事實：除了改良旋轉黏度γ₁ 以外，亦可甚至在UV曝光之後達成高可靠性及高VHR值。

根據本發明之LC介質進一步特徵在於以下事實：除了改良旋轉黏度γ₁ 以外，亦可觀測到用於改良響應時間之相對較高之彈性常數K₃ 值。特別是，根據本發明之混合物具有尤其低之旋轉黏度γ₁ 值與彈性常數K₃ 之比率γ₁ /K₃ 值，其為快響應時間之指標。

較佳式LB化合物係選自以下子式：

其中R¹ 具有如式LB中所給出之含義中之一者，且較佳表示具有1至6個C原子之直鏈烷基；極佳甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基；更佳乙基或丙基；最佳丙基。

極佳式LB化合物係選自以下子式：

最佳為式LB-1-1及LB2-2化合物。

式LB、LB1、LB2及其子式化合物在LC介質中之總比例為＞0重量%至≤5重量%、較佳0.05重量%至4重量%、極佳0.1重量%至3重量%、更佳0.1重量%至2重量%、最佳0.5重量%至1重量%。

較佳地，LC介質含有1、2或3種式LB、LB1、LB2或其子式化合物。

在本發明之另一較佳實施例中，LC介質包含一或多種式LB1或其子式化合物及一或多種式LB2或其子式化合物。

在根據本發明之LC介質中，可達成以下優點中之一或多者： - 高透射率， - 高對比率， - 減少之影像黏滯， - 減少之ODF雲紋， - 在UV曝光及/或熱處理之後的高可靠性及高VHR值， - 高雙折射率， - 降低之旋轉黏度 - 較快響應時間， - 減少之白閃爍， - 較低易磁化軸位移ΔΦ。

在本發明之一較佳實施例中，LC介質包含一或多種包含烯基，較佳選自式AN及AY之化合物：

其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義：

，

，

R^A1 具有2至9個C原子之烯基，或若環X、Y及Z中之至少一者表示環己烯基，則亦具有R^A2 之含義中之一者， R^A2 具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換， Z^x -CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳為單鍵， L^1-4 H、F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F或CHF₂ H，較佳為H、F或Cl， x 1或2， z 0或1。

較佳式AN及AY化合物為其中R^A2 選自乙烯基、丙烯基、丁烯基、戊烯基、己烯基及庚烯基之彼等化合物。

更佳式AN及AY化合物為其中L¹ 及L² 表示F，或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl及L³ 且L⁴ 表示F，或L³ 及L⁴ 中之一者表示F且另一者表示Cl之彼等化合物。

式AN化合物較佳選自以下子式：

其中alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至7個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

極佳式AN化合物係選自以下子式：

其中m表示1、2、3、4、5或6，i表示0、1、2或3，且R^b1 表示H、CH₃ 或C₂ H₅ 。

極尤其較佳式AY化合物係選自以下子式：

最佳為式AN1a2、AN1a5、AN6a1及AN6a2化合物。

在一較佳實施例中，LC介質含有一或多種選自式AN1a2、AN1a5及AN1a6之化合物。

較佳地，LC介質或LC主體混合物含有1至5種，較佳1、2或3種選自式AN或其子式之化合物。

式AN化合物在LC介質中之比例較佳為5%至70%、更佳為10%至60%、最佳為20%至60%。

式AY化合物較佳選自以下子式：

極佳式AY化合物係選自以下子式：

其中m及n各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5或6，且烯基表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

式AY化合物在LC介質中之比例較佳為2重量%至50重量%、極佳為5重量%至40重量%、最佳為5重量%至30重量%。

較佳地，LC介質或LC主體混合物含有1至5種，較佳1、2或3種選自式AY或其子式之化合物。

在本發明之一較佳實施例中，LC介質包含一或多種式AY14，極佳AY14a化合物。式AY14或AY14a化合物在LC介質中之比例較佳為3至30重量%。

式AN及/或AY之烯基化合物之添加使得能夠降低LC介質之黏度且減少LC介質之響應時間。

LC介質較佳不包含含有末端乙烯氧基(-O-CH=CH₂ )之化合物，尤其不包含其中R^A1 或R^A2 表示或含有末端乙烯氧基(-O-CH=CH₂ )之式AN或AY化合物。

根據本發明之LC介質之更佳實施例為以下部分a)至z)之彼等實施例，包括其任何組合： a) 包含一或多種式CY及/或PY化合物之LC介質：

其中 a 表示1或2， b 表示0或1，

表示

R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳為具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， Z^x 及Z^y 各自彼此獨立地表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳為單鍵， L^1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，L¹ 及L² 兩者均表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl，或L³ 及L⁴ 均表示F或L³ 及L⁴ 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式CY化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中a表示1或2，alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且(O)表示氧原子或單鍵。

式PY化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且(O)表示氧原子或單鍵。

b) LC介質包含一或多種下式化合物：

其中個別基團具有以下含義：

表示

，

表示

， R³ 及R⁴ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換， Z^y 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳單鍵。

式ZK化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。

尤其較佳為式ZK1化合物。

尤其較佳之式ZK化合物係選自以下子式：

其中丙基、丁基及戊基係直鏈基團。

最佳為式ZK1a化合物。

c) LC介質包含一或多種下式化合物：

其中個別基團在每次出現時相同或不同地具有以下含義： R⁵ 及R⁶ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳為具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，

表示

，

表示

， e 表示1或2。

式DK化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

d) LC介質包含一或多種下式DY化合物：

其中個別基團具有以下含義：

表示

，其中至少一個環F不同於伸環己基， f 表示1或2， R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換， Z^x 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵，較佳單鍵。 L¹ 及L² 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，基團L¹ 及L² 均表示F，或基團L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式DY化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中R¹ 具有上文所示之含義，alkyl表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，且v表示1至6之整數。R¹ 較佳表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，尤其CH₃ 、C₂ H₅ 、n-C₃ H₇ 、n-C₄ H₉ 、n-C₅ H₁₁ 、CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

e) LC介質包含一或多種下式化合物：

其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義： R¹ 、R² 具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其均視情況經氟化， L^T1 至L^T6 H、F或Cl，其中L^T1 至L^T6 中之至少一者為F或Cl。

式T化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中R表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基，R*表示具有2至7個C原子之直鏈烯基，(O)表示氧原子或單鍵，且m表示1至6之整數。R*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

R及R*較佳表示甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基、甲氧基、乙氧基、丙氧基、丁氧基或戊氧基。

極佳為式T1、T2及T3化合物，尤其彼等式T1及T2化合物。

極佳為式T1至T24化合物，其中(O)表示氧原子，m為1、2、3、4或5，且R為甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基，其較佳為直鏈的。

較佳地，LC介質不含大於15%之式T或T1至T24化合物或任何其他具有聯三苯基團之化合物。

較佳地，式T或T1至T24化合物或具有聯三苯基團之任何其他化合物在LC介質中之比例為至少5%、極佳5至15%、最佳5至10%。

較佳地，LC介質含有1至5種，極佳1或2種式T或T1至T24化合物。

f) LC介質包含一或多種選自由下式組成之群的化合物：

其中alkyl表示C₁ _- ₆ 烷基，L^x 表示H或F，且X表示F、Cl、OCF₃ 、OCHF₂ 或OCH=CF₂ 。尤其較佳為其中X表示F之式G1化合物。

g) LC介質包含一或多種選自由下式組成之群的化合物：

其中R⁵ 具有上文針對R¹ 所指示之含義中之一者，alkyl表示C₁ _- ₆ 烷基，d表示0或1，且z及m各自彼此獨立地表示1至6之整數。此等化合物中之R⁵ 尤其較佳為C₁ _- ₆ 烷基或C₁ _- ₆ 烷氧基或C₂ _- ₆ 烯基，d較佳為1。根據本發明之LC介質較佳包含量≥5重量%之一或多種上文所提及之式之化合物。

h) LC介質包含一或多種選自由下式組成之群的聯二苯化合物：

其中alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，且alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。式B1至B3之聯二苯在LC混合物中之比例較佳為至少3重量%，尤其≥5重量%。

式B2化合物尤其較佳。

式B1至B3化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中alkyl*表示具有1至6個C原子之烷基。根據本發明之介質尤其較佳包含一或多種式B1a及/或B2c化合物。

i) LC介質包含一或多種選自由下式組成之群的化合物：

其中R¹ 及R² 具有上文所指示之含義且較佳各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或具有2至6個C原子之直鏈烯基。

較佳介質包含一或多種選自式O1、O3及O4之化合物。

k) LC介質包含一或多種下式化合物：

其中

	表示


	，

R⁹ 表示H、CH₃ 、C₂ H₅ 或正C₃ H₇ ，(F)表示視情況存在之氟取代基，且q表示1、2或3，且R⁷ 具有針對R¹ 所指示之含義中之一者，其量較佳＞3重量%、尤其≥5重量%且尤其極佳5重量%至30重量%。

尤其較佳式FI化合物係選自由以下子式組成之群：

其中R⁷ 較佳表示直鏈烷基，且R⁹ 表示CH₃ 、C₂ H₅ 或正C₃ H₇ 。尤其較佳為式FI1、FI2及FI3化合物。

l) LC介質包含一或多種選自由下式組成之群的化合物：

其中R⁸ 具有針對R¹ 所指示之含義，且alkyl表示具有1至6個C原子之直鏈烷基。

m) LC介質包含一或多種含有四氫萘基或萘基單元之化合物，諸如選自由下式組成之群的化合物：

其中 R¹⁰ 及R¹¹ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳為具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，且R¹⁰ 及R¹¹ 較佳表示具有1至6個C原子之直鏈烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之直鏈烯基，及 Z¹ 及Z² 各自彼此獨立地表示-C₂ H₄ -、-CH=CH-、-(CH₂ )₄ -、-(CH₂ )₃ O-、-O(CH₂ )₃ -、-CH=CH-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CH₂ -或單鍵。

n) LC介質包含一或多種下式之二氟二苯并𠳭烷及/或𠳭烷：

其中 R¹¹ 及R¹² 各自彼此獨立地具有上文針對R¹¹ 所指示之含義中之一者；環M 為反-1,4-伸環己基或1,4-伸苯基， Z^m -C₂ H₄ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-或-O-CO-， c 為0、1或2，較佳呈3至20重量%之量，尤其呈3至15重量%之量。

尤其較佳式BC、CR及RC化合物係選自由以下子式組成之群：

其中alkyl及alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，(O)表示氧原子或單鍵，c為1或2，且alkenyl及alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。alkenyl及alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

極尤其較佳為包含一、二或三種式BC-2化合物之混合物。

o) LC介質包含一或多種下式之氟化菲及/或二苯并呋喃：

其中R¹¹ 及R¹² 各自彼此獨立地具有上文針對R¹¹ 所指示之含義中之一者，b表示0或1，L表示F且r表示1、2或3。

尤其較佳之式PH及BF化合物係選自由以下子式組成之群：

其中R及R'各自彼此獨立地表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基。

p) LC介質包含一或多種下式之單環化合物

其中 R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳為具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， L¹ 及L² 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。

較佳地，L¹ 及L² 兩者均表示F或L¹ 及L² 中之一者表示F且另一者表示Cl。

式Y化合物較佳係選自由以下子式組成之群：

其中，Alkyl及Alkyl*各自彼此獨立地表示具有1至6個C原子之直鏈烷基，Alkoxy表示具有1至6個C原子之直鏈烷氧基，且Alkenyl及Alkenyl*各自彼此獨立地表示具有2至6個C原子之直鏈烯基。Alkenyl及Alkenyl*較佳表示CH₂ =CH-、CH₂ =CHCH₂ CH₂ -、CH₃ -CH=CH-、CH₃ -CH₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₂ -CH=CH-、CH₃ -(CH₂ )₃ -CH=CH-或CH₃ -CH=CH-(CH₂ )₂ -。

尤其較佳之式Y化合物係選自由以下子式組成之群：

其中Alkoxy較佳表示具有3、4或5個C原子之直鏈烷氧基。

q) LC介質包含一或多種選自由下式組成之群之聯四苯化合物：

其中 R^Q 為具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其均視情況經氟化， X^Q 為F、Cl、具有1至6個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之鹵化烯基或烯氧基， L^Q1 至L^Q6 彼此獨立地為H或F，其中L^Q1 至L^Q6 中之至少一者為F。

較佳式Q化合物為其中R^Q 表示具有2至6個C原子之直鏈烷基，極佳乙基、正丙基或正丁基之彼等化合物。

較佳之式Q化合物為其中L^Q3 及L^Q4 為F之彼等化合物。更佳之式Q化合物為其中L^Q3 、L^Q4 及L^Q1 及L^Q2 中之一或兩者為F之彼等化合物。

較佳之式Q化合物為其中X^Q 表示F或OCF₃ ，極佳F之彼等化合物。

式Q化合物較佳係選自以下子式：

其中R^Q 具有上文及下文所給出之式Q之含義中之一者或其較佳含義中之一者，且較佳為乙基、正丙基或正丁基。

尤其較佳為式Q1化合物，尤其為其中R^Q 為正丙基之彼等化合物。

較佳地，式Q化合物在整體混合物中之比例為＞0重量%至≤5重量%、極佳為0.1重量%至2重量%、最佳為0.2重量%至1.5重量%。

較佳地，LC介質含有1至5種，較佳1或2種式Q化合物。

將式Q之聯四苯化合物添加至LC主體混合物中能夠減少ODF雲紋，同時保持高UV吸收，實現快速且完全之聚合，實現強烈且快速產生傾斜角，且增加LC介質之UV穩定性。

此外，將具有正介電各向異性之式Q化合物添加至具有負介電各向異性之LC介質中實現更好地控制介電常數ε_|| 及ε_⊥ 值，且尤其能夠達成高介電常數ε_|| 值，同時保持介電各向異性Δε恆定，藉此降低反沖電壓且減少影像黏滯。

r) LC介質包含一或多種式C化合物：

其中 R^C 表示具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其均視情況經氟化， X^C 表示F、Cl、具有1至6個C原子之鹵化烷基或烷氧基或具有2至6個C原子之鹵化烯基或烯氧基， L^C1 、L^C2 彼此獨立地表示H或F，其中L^C1 及L^C2 中之至少一者為F。

較佳之式C化合物為其中R^C 表示具有2至6個C原子之直鏈烷基，極佳乙基、正丙基或正丁基之彼等化合物。

較佳之式C化合物為其中L^C1 及L^C2 為F之彼等化合物。

較佳之式C化合物為其中X^C 表示F或OCF₃ ，極佳F之彼等化合物。

較佳之式C化合物係選自下式：

其中R^C 具有上文及下文所給出之式C之含義中之一者或其較佳含義中之一者，且較佳為乙基、丙基或正丁基，極佳為丙基。

較佳地，式C化合物在整體混合物中之比例為＞0重量%至≤10重量%、極佳為0.1重量%至8重量%、最佳為0.2重量%至5重量%。

較佳地，LC介質含有1至5種，較佳1、2或3種式C化合物。

將具有正介電各向異性之式C化合物添加至具有負介電各向異性之LC介質中實現更好地控制介電常數ε_|| 及ε_⊥ 值，且尤其能夠達成高介電常數ε_|| 值，同時保持介電各向異性Δε恆定，藉此降低反沖電壓且減少影像黏滯。此外，式C化合物之添加使得能夠降低LC介質之黏度且減少LC介質之響應時間。

s) LC介質包含1至8種，較佳1至5種式CY1、CY2、PY1及/或PY2化合物。此等化合物在整體混合物中之比例較佳為5至60%，尤其較佳10至35%。在各情況下，此等個別化合物之含量較佳為2至20%。

t) LC介質包含1至8種，較佳1至5種式CY9、CY10、PY9及/或PY10化合物。此等化合物在整體混合物中之比例較佳為5至60%，尤其較佳10至35%。在各情況下，此等個別化合物之含量較佳為2至20%。

u) LC介質包含1至10種，較佳1至8種式ZK化合物，尤其式ZK1、ZK2及/或ZK6化合物。此等化合物在整體混合物中之比例較佳為3至25%，尤其較佳5至45%。在各情況下，此等個別化合物之含量較佳為2至20%。

v) 在LC介質中，式CY、PY及ZK化合物在整體混合物中之比例大於70%，較佳大於80%。

w) LC介質含有一或多種含有烯基之化合物，其較佳選自由式CY、PY及DY (其中R¹ 及R² 中之一者或兩者表示具有2至6個C原子之直鏈烯基)；式ZK及DK (其中R³ 及R⁴ 中之一者或兩者或R⁵ 及R⁶ 中之一者或兩者表示具有2至6個C原子之直鏈烯基)；及式B2及B3組成之群，極佳選自式CY15、CY16、CY24、CY32、PY15、PY16、ZK3、ZK4、DK3、DK6、B2及B3。此等化合物在LC主體混合物中之濃度較佳為2至70%，極佳3至55%。

x) LC介質含有一或多種，較佳1至5種所選式PY1至PY8，極佳式PY2之化合物。此等化合物在整體混合物中之比例較佳為1至30%，尤其較佳2至20%。在各情況下，此等個別化合物之含量較佳為1至20%。

y) LC介質含有一或多種選自式AN1至AN15，較佳選自式AN1、AN3及AN6、更佳選自式AN1a及AN6a、極佳選自式AN1a2、AN1a5、AN6a1及AN6a2之化合物。此等化合物在整體混合物中之比例較佳為5至70%、更佳10至60%、最佳20至60%。

z) LC介質含有一或多種選自式AY1至AY14、更佳選自式AY5a、AY6a、AY9a、AY10a、AY11a及AY14a、極佳選自式AY14a之化合物。此等化合物在整體混合物中之比例較佳為2至50重量%、極佳5至40重量%、最佳5至30重量%。

上文所提及之較佳實施例之化合物與上述之經聚合之化合物的組合在高清澈點及高VHR值不變的同時在根據本發明之LC介質中引起低臨限電壓、低旋轉黏度及極良好之低溫穩定性。

使用含有可聚合化合物之LC介質實現在PSA顯示器中快速形成特別低之預傾斜角。特別是，與來自先前技術之介質相比，LC介質在PSA顯示器中展現顯著縮短之響應時間，尤其亦顯著縮短之灰度響應時間。

在20℃下，本發明之LC介質及LC主體混合物較佳具有至少80 K，尤其較佳至少100 K之向列相範圍及≤ 250 mPa·s，較佳≤ 200 mPa·s之旋轉黏度。

在根據本發明之VA型顯示器中，LC介質層中之分子在關斷狀態下垂直於電極表面(垂直地)對準或具有傾斜之垂直對準。在向電極施加電壓後，LC分子發生再對準，其中縱向分子軸平行於電極表面。

根據本發明之LC介質較佳基於具有負介電各向異性之化合物，尤其適用於VA、UB-FFS、PS-VA及PS-UB-FFS型顯示器，且較佳在20℃及1 kHz下具有極佳-0.5至-10，最佳-2.5至-7.5之負介電各向異性Δε。

根據本發明之LC介質(尤其用於VA、UB-FFS、PS-VA及PS-UB-FFS型顯示器)中之雙折射率Δn較佳低於0.16、尤其較佳0.06至0.14、極尤其較佳0.07至0.12。

根據本發明之LC介質亦可包含為熟習此項技術者已知且描述於文獻中之其他添加劑，諸如聚合引發劑、抑制劑、穩定劑、表面活性物質或對掌性摻雜劑。此等添加劑可為可聚合或不可聚合的。

在本發明之一較佳實施例中，LC介質另外包含一或多種可聚合化合物。

可聚合化合物較佳係選自式M R^a -B¹ -(Z^b -B² )_m -R^b M 其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義： R^a 及R^b P、P-Sp-、H、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、SF₅ 或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I、CN、P或P-Sp-置換，其中，若B¹ 及/或B² 含有飽和C原子，則R^a 及/或R^b 亦可表示螺聯至此飽和C原子之基團，其中基團R^a 及R^b 中之至少一者表示或含有基團P或P-Sp-， P 可聚合基團， Sp 間隔基團或單鍵， B¹ 及B² 芳族基、雜芳族基、脂環族基或雜環基，較佳具有4至25個環原子，其亦可含有稠合環且其未經取代或經L單取代或多取代， Z^b -O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-OCO-、-O-CO-O-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-(CH₂ )_n1 -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-(CF₂ )_n1 -、-CH=CH-、-CF=CF-、-C≡C-、-CH=CH-COO-、-OCO-CH=CH-、CR⁰ R⁰⁰ 或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 各自彼此獨立地表示H或具有1至12個C原子之烷基， m 表示0、1、2、3或4， n1 表示1、2、3或4， L P、P-Sp-、OH、CH₂ OH、F、Cl、Br、I、-CN、-NO₂ 、-NCO、-NCS、-OCN、-SCN、-C(=O)N(R^x )₂ 、-C(=O)Y¹ 、-C(=O)R^x 、-N(R^x )₂ 、視情況經取代之矽烷基、具有6至20個C原子之視情況經取代之芳基或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基，其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換， P及Sp 具有上文所指示之含義， Y¹ 表示鹵素， R^x 表示P；P-Sp-；H；鹵素；具有1至25個C原子之直鏈、分支鏈或環狀烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、P或P-Sp-置換；具有6至40個C原子之視情況經取代之芳基或芳氧基；或具有2至40個C原子之視情況經取代之雜芳基或雜芳氧基。

尤其較佳之式I化合物為其中B¹ 及B² 各自彼此獨立地表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、萘-1,4-二基、萘-2,6-二基、菲-2,7-二基、9,10-二氫-菲-2,7-二基、蒽-2,7-二基、茀-2,7-二基、香豆素、黃酮之彼等化合物，其中另外，此等組中之一或多個CH基團可經N、環己烷-1,4-二基置換，其中另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可經O及/或S、1,4-伸環己烯基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基、哌啶-1,4-二基、十氫萘-2,6-二基、1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基、茚烷-2,5-二基或八氫-4,7-甲橋茚烷-2,5-二基，其中所有此等基團可未經取代或經如上文所定義之L單取代或多取代。

尤其較佳之式M化合物為其中B¹ 及B² 各自彼此獨立地表示1,4-伸苯基、1,3-伸苯基、萘-1,4-二基或萘-2,6-二基之彼等化合物，

極佳之式M化合物係選自下式：

其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義： P¹ 、P² 、P³ 可聚合基團，較佳選自乙烯氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧雜環丁烷及環氧基， Sp¹ 、Sp² 、Sp³ 單鍵或間隔基團，其中另外，基團P¹ -Sp¹ -、P¹ -Sp² -及P³ -Sp³ -中之一或多者可表示R^aa ，其限制條件為存在之基團P¹ -Sp¹ -、P² -Sp² 及P³ -Sp³ -中之至少一者不同於R^aa ，較佳意指-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-或-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1為1至12之整數， R^aa H、F、Cl、CN或具有1至25個C原子之直鏈或分支鏈烷基，其中另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-C(R⁰ )=C(R⁰⁰ )-、-C≡C-、-N(R⁰ )-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-置換，且其中另外，一或多個H原子可經F、Cl、CN或P¹ -Sp¹ -置換，尤其較佳地，具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈之視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基(其中烯基及炔基具有至少兩個C原子且分支鏈基團具有至少三個C原子)， R⁰ 、R⁰⁰ H或具有1至12個C原子之烷基， R^y 及R^z H、F、CH₃ 或CF₃ ， X¹ 、X² 、X³ -CO-O-、-O-CO-或單鍵， Z^M1 -O-、-CO-、-C(R^y R^z )-或-CF₂ CF₂ -， Z^M2 、Z^M3 -CO-O-、-O-CO-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -或-(CH₂ )_n -，其中n為2、3或4， L F、Cl、CN或具有1至12個C原子之直鏈或分支鏈之視情況單氟化或多氟化之烷基、烷氧基、烯基、炔基、烷基羰基、烷氧羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基， L'、L" H、F或Cl， k 0或1， r 0、1、2、3或4， s 0、1、2或3， t 0、1或2， x 0或1。

尤其較佳為式M2及M13化合物。

更佳為三反應性化合物M15至M31，尤其M17、M18、M19、M22、M23、M24、M25、M30、M31及M32。

在式M1至M32化合物中，基團

較佳為

，其中L在每次出現時相同或不同地具有上文或下文所給出之含義中之一者，且較佳為F、Cl、CN、NO₂ 、CH₃ 、C₂ H₅ 、C(CH₃ )₃ 、CH(CH₃ )₂ 、CH₂ CH(CH₃ )C₂ H₅ 、OCH₃ 、OC₂ H₅ 、COCH₃ 、COC₂ H₅ 、COOCH₃ 、COOC₂ H₅ 、CF₃ 、OCF₃ 、OCHF₂ 、OC₂ F₅ 或P-Sp-，極佳為F、Cl、CN、CH₃ 、C₂ H₅ 、OCH₃ 、COCH₃ 、OCF₃ 或P-Sp-，更佳為F、Cl、CH₃ 、OCH₃ 、COCH₃ 或OCF₃ ，尤其F或CH₃ 。

較佳之式M1至M32化合物為其中P¹ 、P² 及P³ 表示丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氧雜環丁烷或環氧基，極佳丙烯酸酯或甲基丙烯酸酯基之彼等化合物。

更佳之式M1至M32化合物為其中Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 為單鍵之彼等化合物。

更佳之式M1至M32化合物為其中Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 中之一者為單鍵且Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 中之另一者與單鍵不同之彼等化合物。

更佳之式M1至M32化合物為其中與單鍵不同之彼等基團Sp¹ 、Sp² 及Sp³ 表示-(CH₂ )_s1 -X"-之彼等化合物，其中s1為1至6之整數，較佳2、3、4或5，且X"為連接至苯環之鍵且為-O-、-O-CO-、-CO-O、-O-CO-O-或單鍵。

尤其較佳為包含一、二或三種式M，較佳選自式M1至M32之可聚合化合物的LC介質。

更佳可聚合化合物列於下表D中。

較佳地，可聚合化合物在LC介質中之比例為0.01至5%、極佳0.05至1%、最佳0.1至0.5%。

可聚合基團P為適用於聚合反應(諸如自由基或離子鏈聚合、加成聚合或聚縮合)或適用於類似聚合物反應(例如加成或縮合於主聚合物鏈上)之基團。尤其較佳為用於鏈聚合之基團，尤其含有C=C雙鍵或-C≡C-參鍵之彼等基團，及適用於開環聚合之基團，諸如氧雜環丁烷或環氧基。

較佳之基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、CH₂ =CW² -(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₃ -CH=CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、HO-CW² W³ -、HS-CW² W³ -、HW² N-、HO-CW² W³ -NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-、HOOC-、OCN-及W⁴ W⁵ W⁶ Si-，其中W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、苯基或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、F、Cl或CH₃ ；W² 及W³ 各自彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、甲基、乙基或正丙基；W⁴ 、W⁵ 及W⁶ 各自彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基；W⁷ 及W⁸ 各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基；Phe表示1,4-伸苯基，其視情況經除P-Sp-外之一或多個如上文所定義之基團L取代；k₁ 、k₂ 及k₃ 各自彼此獨立地表示0或1；k₃ 較佳表示1且k₄ 表示1至10之整數。

極佳之基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-、CH₂ =CW¹ -CO-、

、CH₂ =CW² -O-、CH₂ =CW² -、CW¹ =CH-CO-(O)_k3 -、CW¹ =CH-CO-NH-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、(CH₂ =CH)₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ CH-OCO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-、(CH₂ =CH-CH₂ )₂ N-CO-、CH₂ =CW¹ -CO-NH-、CH₂ =CH-(COO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、CH₂ =CH-(CO)_k1 -Phe-(O)_k2 -、Phe-CH=CH-及W⁴ W⁵ W⁶ Si-，其中W¹ 表示H、F、Cl、CN、CF₃ 、苯基或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、F、Cl或CH₃ ；W² 及W³ 各自彼此獨立地表示H或具有1至5個C原子之烷基，尤其H、甲基、乙基或正丙基；W⁴ 、W⁵ 及W⁶ 各自彼此獨立地表示Cl、具有1至5個C原子之氧雜烷基或氧雜羰基烷基；W⁷ 及W⁸ 各自彼此獨立地表示H、Cl或具有1至5個C原子之烷基；Phe表示1,4-伸苯基；k₁ 、k₂ 及k₃ 各自彼此獨立地表示0或1；k₃ 較佳表示1且k₄ 表示1至10之整數。

極其較佳之基團P係選自由以下組成之群：CH₂ =CW¹ -CO-O-，尤其CH₂ =CH-CO-O-、CH₂ =C(CH₃ )-CO-O-及CH₂ =CF-CO-O-，進一步為CH₂ =CH-O-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-CO-、(CH₂ =CH)₂ CH-O-、

。

更佳之可聚合基團P係選自由以下組成之群：乙烯氧基、丙烯酸酯基、甲基丙烯酸酯基、氟丙烯酸酯基、氯丙烯酸酯基、氧雜環丁烷及環氧化物，最佳選自丙烯酸酯基及甲基丙烯酸酯基。

若Sp與單鍵不同，則其較佳為式Sp"-X"，以使得各別基團P-Sp-符合式P-Sp"-X"-，其中 Sp" 表示具有1至20個，較佳1至12個C原子之伸烷基，其視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中另外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O原子及/或S原子彼此不直接鍵聯之方式各自彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、-N(R⁰ )-、-Si(R⁰ R⁰⁰ )-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-S-CO-、-CO-S-、-N(R⁰⁰ )-CO-O-、-O-CO-N(R⁰ )-、-N(R⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-CH=CH-或-C≡C-置換， X" 表示-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-、-O-CO-O-、-CO-N(R⁰ )-、-N(R⁰ )-CO-、-N(R⁰ )-CO-N(R⁰⁰ )-、-OCH₂ -、-CH₂ O-、-SCH₂ -、-CH₂ S-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CF₂ S-、-SCF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CR⁰ -、-CY² =CY³ -、-C≡C-、-CH=CH-CO-O-、-O-CO-CH=CH-或單鍵， R⁰ 及R⁰⁰ 各自彼此獨立地表示H或具有1至20個C原子之烷基，及 Y² 及Y³ 各自彼此獨立地表示H、F、Cl或CN。 X"較佳為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR⁰ -、-NR⁰ -CO-、-NR⁰ -CO-NR⁰⁰ -或單鍵。

典型之間隔基團Sp及-Sp"-X"-為例如-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ CH₂ O)_q1 -CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -S-CH₂ CH₂ -、-CH₂ CH₂ -NH-CH₂ CH₂ -或-(SiR⁰ R⁰⁰ -O)_p1 -，其中p1為1至12之整數，q1為1至3之整數，且R⁰ 及R⁰⁰ 具有上文所指示之含義。

尤其較佳之基團Sp及-Sp"-X"-為-(CH₂ )_p1 -、-(CH₂ )_p1 -O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-、-(CH₂ )_p1 -CO-O-、-(CH₂ )_p1 -O-CO-O-，其中p1及q1具有上文所指示之含義。

在各情況下，尤其較佳之基團Sp"為直鏈伸乙基、伸丙基、伸丁基、伸戊基、伸己基、伸庚基、伸辛基、伸壬基、伸癸基、伸十一烷基、伸十二烷基、伸十八烷基、伸乙基氧基伸乙基、亞甲基氧基伸丁基、伸乙基硫基伸乙基、伸乙基-N-甲基亞胺基伸乙基、1-甲基伸烷基、伸乙烯基、伸丙烯基及伸丁烯基。

為了製造PSA顯示器，藉由在LC顯示器之基板之間的LC介質中原位聚合，視情況同時向電極施加電壓，使LC介質中所含有之可聚合化合物聚合或交聯(若一種化合物含有兩個或更多之可聚合基團)。

根據本發明之PSA顯示器之結構對應於如在開始時引用之先前技術中所述之PSA顯示器的常見幾何結構。無突起之幾何結構較佳，尤其其中另外，濾色器側上之電極未經結構化且僅TFT側上之電極具有槽之彼等幾何結構。PS-VA顯示器之尤其適合且較佳之電極結構描述於例如US 2006/0066793 A1中。

較佳地，可聚合化合物在LC介質中之比例為＞0至＜5%、極佳＞0至＜1%、最佳0.01至0.5%。

視情況地，將一或多種聚合引發劑添加至LC介質中。聚合之適合條件及引發劑之適合類型及量為熟習此項技術者所已知且描述於文獻中。適合於自由基聚合之引發劑為例如可商購之光引發劑Irgacure651®、Irgacure184®、Irgacure907®、Irgacure369®或Darocure1173® (Ciba AG)。若採用聚合引發劑，則其比例較佳為0.001至5重量%，尤其較佳為0.001至1重量%。

在另一較佳實施例中，LC介質不含有聚合引發劑。

LC介質亦可包含一或多種穩定劑。穩定劑之適合類型及量為熟習此項技術者已知且描述於文獻中。例如，尤其適合之穩定劑為來自Irganox®系列(Ciba AG)之可商購之穩定劑，諸如Irganox® 1076。若採用穩定劑，則其比例較佳為10-500,000 ppm、更佳50-5,000 ppm、極佳50-1,000 ppm。

在本發明之另一較佳實施例中，LC介質含有一或多種選自下表C之穩定劑。

在本發明之另一較佳實施例中，LC介質含有一或多種選自由下式組成之群的穩定劑：

其中個別基團彼此獨立地且在每次出現時相同或不同地具有以下含義： R^a-d 具有1至10個、較佳1至6個、極佳1至4個C原子之直鏈或分支鏈烷基，最佳甲基， X^S H、CH₃ 、OH或O^• ， A^S 具有1至20個C原子之視情況經取代之直鏈、分支鏈或環狀伸烷基， n 1至6之整數，較佳3。

較佳之式S3之穩定劑係選自式S3A

其中n2為1至12之整數，且其中基團(CH₂ )_n2 中之一或多個H原子視情況經甲基、乙基、丙基、丁基、戊基或己基置換。

極佳之穩定劑係選自由下式組成之群：

在一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種選自由式S1-1、S2-1、S3-1、S3-1及S3-3組成之群的穩定劑。

在一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種選自下表C之穩定劑。

較佳地，穩定劑(如式S1至S3之彼等穩定劑)在液晶介質中之比例為10至500 ppm，極佳20至100 ppm。

在另一較佳實施例中，根據本發明之LC介質含有一或多種選自式II或其子式之SA添加劑。SA添加劑在LC介質中之濃度較佳為0.1至5%、極佳0.2至3%、最佳0.2至1.5%。

在一較佳實施例中，根據本發明之LC介質或顯示器含有一或多種選自下表F之SA添加劑。

在另一較佳實施例中，根據本發明之SA-VA或SA-FFS顯示器不含有聚醯亞胺對準層。

較佳為具有向列LC相且較佳不具有對掌性液晶相之LC介質。

在另一較佳實施例中，LC介質含有一或多種較佳濃度為0.01至1%，極佳0.05至0.5%之對掌性摻雜劑。對掌性摻雜劑較佳係選自由下表B之化合物組成之群，極佳選自由R-或S-1011、R-或S-2011、R-或S-3011、R-或S-4011及R-或S-5011組成之群。

在另一較佳實施例中，LC介質含有一或多種對掌性摻雜劑之外消旋體，該(等)對掌性摻雜劑較佳選自前述段落中所提及之對掌性摻雜劑。

此外，可向LC介質中添加例如0至15重量%之多色染料，進一步添加奈米粒子、導電鹽(較佳4-己氧基苯甲酸乙基二甲基十二烷基銨、四苯基硼酸四丁銨或冠醚之錯合鹽) (參見例如Haller等人, Mol. Cryst. Liq. Cryst.24 , 249-258 (1973))以用於改良導電性；或添加物質以用於調整介電各向異性、黏度及/或向列相之對準。此類型之物質描述於例如DE-A 22 09 127、22 40 864、23 21 632、23 38 281、24 50 088、26 37 430及28 53 728中。

根據本發明之LC介質之較佳實施例a)至z)的個別組分為已知的或其製備方法因為其基於描述於文獻中之標準方法而可容易地由熟習相關技術者自先前技術衍生。相應式CY化合物描述於例如EP-A-0 364 538中。相應式ZK化合物描述於例如DE-A-26 36 684及DE-A-33 21 373中。

以本身習知之方式例如藉由將上文所提及之化合物中之一或多者與如上所定義之一或多種可聚合化合物且視情況與其他液晶化合物及/或添加劑混合來製備可根據本發明使用之LC介質。一般而言，宜在高溫下將以較少量使用之所需量之組分溶解於構成主要成分之組分中。亦可混合組分於有機溶劑(例如丙酮、氯仿或甲醇)中之溶液，且在充分混合後例如藉由蒸餾再次移除溶劑。本發明進一步係關於用於製備根據本發明之LC介質之方法。

熟習此項技術者不言而喻，根據本發明之LC介質亦可包含其中例如H、N、O、Cl、F已經如氘等之對應同位素置換之化合物。

由偏振器、電極底板及經表面處理之電極構造根據本發明之LC顯示器對應於此類型之顯示器的常見設計。術語常見設計在此概括地使用且亦涵蓋LC顯示器之所有衍生物及變體，尤其包括基於多晶矽TFT或MIM之矩陣顯示元件。

以下實例解釋本發明但不對其進行限制。然而，其向熟習此項技術者展示較佳混合物概念與較佳待用之化合物及其各別濃度及其與彼此之組合。此外，各實例說明可獲得之特性及特性組合。

在上文及下文中，百分比資料表示重量百分比；所有溫度均以攝氏度表示。

在整個專利申請案及工作實例中，藉助於縮寫字指示液晶化合物之結構。除非另外指示，否則向化學式之轉化根據表I-III進行。所有基團C_n H_2n ₊ ₁ 、C_m H_2m+1 、C_n H2_n 、C_m H_2m 及C_k H_2k 分別為直鏈烷基或烯基，在各情況下具有n、m或k個C原子；n及m各自彼此獨立地表示1、2、3、4、5、6、7、8、9、10、11或12，較佳1、2、3、4、5或6，且k為0、1、2、3、4、5或6。在表I中將各別化合物之環元素編碼，在表II中列出橋接成員，且在表III中指示化合物之左側或右側側鏈之符號的含義。表 I ：環元素

表 II ：橋接成員

E	-CH₂ CH₂ -
V	-CH=CH-
T	-C≡C-
W	-CF₂ CF₂ -
Z	-COO-	ZI	-OCO-
O	-CH₂ O-	OI	-OCH₂ -
Q	-CF₂ O-	QI	-OCF₂ -

表 III ：側鏈

左側側鏈	右側側鏈
n-	C_n H_2n+1 -	-n	-C_n H_2n+1
nO-	C_n H_2n+1 -O-	-On	-O-C_n H_2n+1
V-	CH₂ =CH-	-V	-CH=CH₂
nV-	C_n H_2n+1 -CH=CH-	-nV	-C_n H_2n -CH=CH₂
Vn-	CH₂ =CH- C_n H_2n -	-Vn	-CH=CH-C_n H_2n+1
nVm-	C_n H_2n+1 -CH=CH-C_m H_2m -	-nVm	- C_n H_2n -CH=CH-C_m H_2m+1
N-	N≡C-	-N	-C≡N
F-	F-	-F	-F
Cl-	Cl-	-Cl	-Cl
M-	CFH₂ -	-M	-CFH₂
D-	CF₂ H-	-D	-CF₂ H
T-	CF₃ -	-T	-CF₃
MO-	CFH₂ O-	-OM	-OCFH₂
DO-	CF₂ HO-	-OD	-OCF₂ H
TO-	CF₃ O-	-OT	-OCF₃
T-	CF₃ -	-T	-CF₃
A-	H-C≡C-	-A	-C≡C-H
FXO-	CF₂ =CHO-	-OXF	-OCH=CF₂

較佳混合物組分展示於表A中。

表 A 在下式中，m及n彼此獨立地為1至12之整數，較佳為1、2、3、4、5或6，k為0、1、2、3、4、5或6，且(O)C_m H_2m ₊ ₁ 意謂C_m H_2m ₊ ₁ 或OC_m H_2m ₊ ₁ 。

尤其較佳為包含至少一種、兩種、三種、四種或更多種選自表A之化合物的液晶混合物。

表B指示通常添加至根據本發明之混合物中之可能摻雜劑。混合物較佳包含0-10重量%、尤其0.001-5重量%且尤其較佳0.001-3重量%之摻雜劑。

表 B

表 C 下文提及可以例如0-10重量%之量添加至根據本發明之混合物中之穩定劑。

表 D 表D展示可用於根據本發明之LC介質之說明性反應性液晶原基化合物。

在一較佳實施例中，根據本發明之混合物包含一或多種可聚合化合物，較佳選自式RM-1至RM-140之可聚合化合物。其中，化合物RM-1、RM-4、RM-8、RM-17、RM-19、RM-35、RM-37、RM-39、RM-40、RM-41、RM-42、RM-50、RM-53、RM-54、RM-56、RM-59、RM-66、RM-76、RM-78、RM-90、RM-93、RM-104、RM-105、RM-111、RM-119、RM-122、RM-123及RM-124為尤其較佳的。

表 E 表E展示用於垂直對準之自對準添加劑，其可以連同式I之可聚合化合物一起用於根據本發明之SA-VA及SA-FFS顯示器之LC介質中：

在一較佳實施例中，根據本發明之LC介質及顯示器包含一或多種選自式SA-1至SA-48、較佳選自式SA-14至SA-48、極佳選自式SA-20至SA-34及SA-48之SA添加劑，較佳與一或多種式M之RM組合。

以下實例意欲解釋本發明，但不對其進行限制。

在上文及下文中，除非另外明確指出，否則所有百分比資料均表示重量百分比，且係關於整體相應混合物，包含所有固體或液晶組分，但不含溶劑。此外，除非另外明確指出，否則所有溫度均以攝氏度(℃)指示。m.p.表示熔點，cl.p. =清澈點。此外，C =結晶狀態，N =向列相，S =近晶相且I =均向性相。此等符號之間的資料表示轉移溫度。

另外，使用以下縮寫及符號： V₀ 在20℃下之臨限電壓，電容性[V]， n_e 在20℃及589 nm下之異常折射率， n_o 在20℃及589 nm下之尋常折射率， Δn 在20℃及589 nm下之光學各向異性， ε_⊥ 在20℃及1 kHz下垂直於引向器之介質電容率， ε_|| 在20℃及1 kHz下平行於引向器之介電電容率， Δε 在20℃及1 kHz下之介電各向異性， cl.p., T_ni 清澈點[℃]， γ₁ 在20℃下之旋轉黏度[mPa·s]， K₁ 彈性常數，在20℃下「傾斜」變形[pN]， K₂ 彈性常數，在20℃下「扭轉」變形[pN]， K₃ 彈性常數，在20℃下「彎曲」變形[pN]。

除非在各情況下另外明確指示，否則所有物理特性均係且已根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」, Status 1997年11月, Merck KGaA, Germany來測定，且適用於20℃之溫度。

對於本發明，除非另外明確指示，否則術語「臨限電壓」係關於電容臨限值(V₀ )，亦稱為弗雷德里克臨限值(Freedericks threshold)。在各實例中，光學臨限值亦可如一般常見地針對10%相對對比度(V₁₀ )而引述。

實例除非另外說明，否則製備試驗台及量測其電光學及其他特性之方法係藉由如下所述或與其類似之方法來進行。

用於量測電容臨限電壓之顯示器係由兩個間距為25 µm之平面平行玻璃外板組成，其中之每一者在內部具有電極層且在頂部具有未經摩擦之聚醯亞胺對準層，實現液晶分子之槳葉緣對準。

VHR值係如下量測：將LC混合物引入至包含未經摩擦之VA-聚醯亞胺對準層之VA-VHR試驗台中。除非另外說明，否則LC層厚度d為大約3 µm。在1 V、60 Hz、64 µs脈衝下曝光之前及之後測定VHR值(量測儀器：Autronic-Melchers VHRM-105)。

比較實例 1 如下調配向列型LC主體混合物C1。

CC-3-V	24.50%	cl.p.	85.9℃
CC-3-V1	12.00%	Δn	0.0933
CCP-V-1	13.50%	Δε	-3.3
CPY-3-O2	1.00%	ε_\|\|	3.4
CCY-5-O2	3.00%	γ₁	101 mPa s
CLY-3-O2	9.00%	K₁	15.6
CLY-4-O2	5.50%	K₃	18.0
CLY-5-O2	5.50%	K₃ /K₁	1.15
CY-3-O2	12.00%	V₀	2.46 V
CY-3-O4	4.00%
CY-5-O2	4.00%
B(S)-2O-O4	4.00%
B(S)-2O-O5	2.00%

實例 1 藉由混合99.5%之LC主體混合物C1與0.5%之式LB2-2之化合物LB(S)-3-OT來調配LC混合物N1。

實例 2 藉由混合99.0%之LC主體混合物C1與1.0%之式LB2-2之化合物LB(S)-3-OT來調配LC混合物N2。

實例 3 藉由混合97.0%之LC主體混合物C1與3.0 %之式LB2-2之化合物LB(S)-3-OT來調配LC混合物N3。

實例 4 藉由混合99.5%之LC主體混合物C1與0.5 %之式LB1-1之化合物LB-3-T來調配LC混合物N4。

實例 5 藉由混合99.0%之LC主體混合物C1與1.0 %之式LB1-1之化合物LB-3-T來調配LC混合物N5。

實例 6 藉由混合97.0%之LC主體混合物C1與3.0 %之式LB1-1之化合物LB-3-T來調配LC混合物N6。

VHR 值在60℃，3Hz下，在UB-FFS VHR試驗台中使用LED燈在光曝露之前及之後之不同時間量測混合物C1及N1至N3之VHR值。

結果展示於表1中。表 1 - VHR 值

	C1	N1	N2	N3
60℃下之VHR (%)	VHR / %
初始	95.3	95.0	94.9	94.6
24小時光應力之後	90.8	90.7	90.4	89.4
72小時光應力之後	84.9	85.2	83.8	82.1
168小時光應力之後	74.2	74.5	73.0	68.9
240小時光應力之後	66.9	68.1	66.4	60.9

自表1可見，根據本發明之混合物N1至N3展示與參考混合物C1之彼等VHR值相當的VHR值。

白閃爍 在25℃，10 Hz下，在UB-FFS試驗台中用V100電壓負載量測混合物C1及N1至N3之白閃爍值。

結果展示於表2中。表 2 - V100 ， 10 Hz ， 25 ℃ 下之白閃爍

	C1	N1	N2	N3
白閃爍	1.9	1.3	1.4	1.3

自表2可見，根據本發明之混合物N1至N3與參考混合物C1相比，展示顯著減少之白閃爍。

利用 AC 負載之易磁化軸位移 在UB-FFS試驗台中在30 Hz下，10Vrms持續2小時之應力後，在0電壓，室溫下量測混合物C1及N1至N3之易磁化軸位移ΔΦ持續90分鐘。

結果展示於表3中。表 3 - 利用 AC 負載之 ΔΦ

ΔΦ	C1	N1	N2	N3
0分鐘	0.11	0.09	0.10	0.09
30分鐘	0.03	0.02	0.02	0.03
60分鐘	0.02	0.01	0.01	0.03
90分鐘	0.01	0.01	0.01	0.02

自表3可見，根據本發明之混合物N1至N3與參考混合物C1相比，展示較低易磁化軸位移ΔΦ。

Claims

一種液晶(LC)介質，其具有負介電各向異性且包含一或多種式LB化合物
其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義： R¹ 具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其均視情況經氟化， L¹ 、L² F或Cl， X¹ 具有1、2或3個C原子之氟化烷基或烷氧基， Y¹ O或S， R¹ 、R² 具有1至9個C原子之烷基、烷氧基、氧雜烷基或烷氧烷基或具有2至9個C原子之烯基或烯氧基，其均視情況經氟化， L¹ 、L² F或Cl。
如請求項1之LC介質，其中該等式LB化合物係選自以下子式：

其中R¹ 具有請求項1中所給出之含義中之一者。
如請求項1或2之LC介質，其中該等式LB化合物係選自以下子式
其中R¹ 具有請求項1中所給出之含義中之一者。
如請求項1至3中任一項之LC介質，其中其另外包含一或多種選自式AN及AY之化合物

其中個別基團在每次出現時相同或不同且各自彼此獨立地具有以下含義：

，

，
R^A1 具有2至9個C原子之烯基，或若環X、Y及Z中之至少一者表示環己烯基，則亦具有R^A2 之含義中之一者， R^A2 具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換， Z^x -CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CO-O-、-O-CO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-、-CH=CH-CH₂ O-或單鍵， L^1-4 H、F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F或CHF₂ H， x 1或2， z 0或1。
如請求項1至4中任一項之LC介質，其中其另外包含一或多種選自式CY及PY之化合物：
其中個別基團具有以下含義： a 表示1或2， b 表示0或1，
表示

R¹ 及R² 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換， Z^x 表示-CH=CH-、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-O-、-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -或單鍵， L^1-4 各自彼此獨立地表示F、Cl、OCF₃ 、CF₃ 、CH₃ 、CH₂ F、CHF₂ 。
如請求項1至5中任一項之LC介質，其中其另外包含一或多種選自式ZK及DK之化合物：
其中個別基團在每次出現時相同或不同地具有以下含義：
表示
，
表示
，
表示
，及 R³ 及R⁴ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-O-CO-或-CO-O-置換， Z^y 表示-CH₂ CH₂ -、-CH=CH-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-COO-、-OCO-、-C₂ F₄ -、-CF=CF-或單鍵， R⁵ 及R⁶ 各自彼此獨立地表示具有1至12個C原子之烷基，其中另外，一或兩個不相鄰CH₂ 基團可以O原子彼此不直接鍵聯之方式經-O-、-CH=CH-、-CO-、-OCO-或-COO-置換，較佳為具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， e 表示1或2。
如請求項1至6中任一項之LC介質，其中其另外包含一或多種選自下式之化合物：
其中R及R'各自彼此獨立地表示具有1至7個C原子之直鏈烷基或烷氧基。
一種LC顯示器，其包含如請求項1至7中任一項中所定義之LC介質。
如請求項8之LC顯示器，其為VA、SA-VA、IPS、PS-IPS、FFS、PS-FFS、UB-FFS或PS-UB-FFS顯示器。
一種製備如請求項1至7中任一項之LC介質之方法，其包含以下步驟：將一或多種如請求項1至3中任一項中所定義之式LB或其子式化合物與一或多種選自如請求項4或5中所定義之式AN、AY、CY及PY之化合物且視情況與其他LC化合物及/或添加劑混合。