TW202102840A - 三維形狀檢測裝置、方法、及電漿處理裝置 - Google Patents

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Abstract

分光Scatterometry中散射光測定時之視野包含多個圖案之情況下,在不實施該尺寸管理對象外之圖案的模型化之情況下,實現從該視野中的分光反射強度將尺寸(三維形狀)管理之對象外的圖案之影響之除去。具備藉由針對對象亦即樣品(103)照射光點而對光點之視野中的分光反射強度進行測定的分光反射強度測定部,且依據測定的分光反射強度對光點之視野內的三維形狀進行檢測的三維形狀檢測裝置(100)中,於其外部控制裝置(102)具有:可以事先計算光點之視野內的第一區域中的分光特徵值之分光特徵值計算部;及可以對光點之視野內的第一區域與光點之視野內的第一區域以外之第二區域的面積率進行推論的面積率推論部。

Description

三維形狀檢測裝置、方法、及電漿處理裝置
本發明關於半導體製造過程或製程後之晶圓等的圖案化的表面形狀的測定技術。
隨著半導體元件之微細化進展調查半導體晶圓表面之製程狀況的重要性變高。尤其是,要求半導體製造之工程中加工為納米級的電路圖案之臨界尺寸CD (Critical Dimension)之測量,使用測長SEM(Scanning Electron Microscope)、AFM(Atomic Force Microscope)等進行測定。尤其是以in-situ(現場)測量作為前提之情況下,重視非接触、非破壊、即時性而使用基於光學式臨界尺寸OCD(Optical Critical Dimension)測定法(亦稱為光波散射測定法Scatterometry)的三維形狀測定。在寬頻帶中進行具有週期構造的表面構造圖案之測定的反射測定時,稱為將分光置於之前的分光Scatterometry(分光散射測量)。
通常,基於分光Scatterometry的測定係在半導體晶圓之劃線區域等形成稱為TEG(Test Element Group)之測試用的圖案,藉由對該TEG實施測定來進行製程之尺寸管理。另一方面,關於藉由TEG中的測定來管理實際之佈局圖案之尺寸(三維形狀),例如依據專利文獻1記載有如以下這樣的問題。
(1)在劃線區域中,無法確保為了配置反映了多樣的佈局圖案的多樣的光罩所必要的面積。 (2)在劃線區域之光罩與實際之佈局圖案中半導體晶圓內之位置不同,因此伴隨著製程的半導體晶圓內之尺寸誤差量分別不同,難以高精度進行尺寸管理。 (3)劃線區域之光罩與實際之佈局圖案中,包含各別中之周邊之佈局圖案在內的圖案密度不同。亦即,所謂近接效應(受到圖案密度影響致使曝光/顯像後之圖案尺寸變化的現象)引起的影響度分別不同。 先前技術文獻 專利文獻
專利文獻1:特開2006-100619號公報 專利文獻2:特開2019-57547號公報
[發明所欲解決的課題]
針對上述(1)~(3)之問題,專利文獻1中記載有半導體裝置之製造方法及半導體製造裝置中之與佈局圖案相關之解決手段。但是,不是在佈局設計階段,更後段之半導體製造過程中或在製程後之in-situ的晶圓表面之檢測過程中,適用專利文獻1這樣的手段是困難的。
此處,作為製程或製程後之三維形狀檢測過程中的上述問題之解決手段,可以考慮不對TEG而是對實際之佈局圖案實施分光Scatterometry的測定。藉此,關於上述(1)之問題,本來配置檢測用之多樣的佈局圖案變為不必要。關於上述(2)之問題,實際之佈局圖案成為檢測位置,因此不必要考慮誤差量之變動。關於上述(3)之問題,因為實際之佈局圖案成為檢測位置,因此不必要考慮近接效應之影響。亦即,藉由在實際之佈局圖案中進行分光Scatterometry的測定可以解決上述(1)~(3)之問題。
分光Scatterometry中,通常適用基於使用嚴格耦合波分析RCWA(Rigorous Coupled Wave Analysis)對週期溝的向量繞射理論的分析。此時RCWA中成為必要的構造的模型化(不僅是構造,亦包含折射率或吸光係數等光學常數之決定)為必要的區域,若視野為單一圖案的話,僅形成該單一圖案的最小之週期構造即可。
但是,散射光測定時的視野包含多個圖案之情況下,需要對該多個圖案中的最小的週期構造全部實施模型化。和單一圖案比較,需要模型化的區域非常廣大,因此包含於視野的複雜且廣大的多個圖案之模型化在現實上有困難。此處,為了使實際之佈局圖案中的分光Scatterometry成為可能,從散射光測定時之視野所包含的多個圖案之分光反射,將尺寸管理之對象外之圖案之影響在不實施模型化之情況下可以除掉的手段成為必須的。
本發明之目的在於提供,在分光Scatterometry中散射光測定時之視野包含多個圖案之情況下,從該視野中的分光反射強度將三維形狀之尺寸管理之對象外的圖案之影響除掉,使任意之視野中的尺寸管理成為可能的三維形狀檢測裝置、方法、及電漿處理裝置。 [解決課題之手段]
為了達成上述目的,本發明提供的三維形狀檢測裝置,係將光點照射至對象,對照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測者,該三維形狀檢測裝置具備:分光反射強度測定部,用於測定分光反射強度;分光特徵值算出部,依據藉由分光反射強度測定部測定的分光反射強度來計算光點之視野內的區域亦即第一區域之分光特徵值;面積率推論部,對被射出的光照明的對象之圖像進行攝影,依據攝影的圖像對第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論;及控制裝置,依據推論出的面積率計算三維形狀;第二區域為光點之視野內的第一區域以外之區域。
又,為了達成上述目的,本發明提供的面積率推論方法,係將光點照射至對象,針對檢測照射的光點之視野內的三維形狀的情況下所使用的面積率進行推論者,該面積率推論方法,係對被射出的光照明的對象之圖像進行攝影,依據攝影的圖像來推論面積率,面積率為第一區域之面積與第二區域之面積的面積率,第一區域為光點之視野內的區域,第二區域為光點之視野內的第一區域以外之區域。
另外,為了達成上述目的,本發明提供的三維形狀檢測方法,係將光點照射至對象,對照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測者,該三維形狀檢測方法具有:對分光反射強度進行測定的步驟;依據測定的分光反射強度計算光點之視野內的第一區域中的分光特徵值的步驟;對被射出的光照明的對象之圖像進行攝影,依據攝影的圖像對第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論的步驟;及依據推論出的面積率計算三維形狀的步驟;第二區域為光點之視野內的第一區域以外之區域。
又,另外,為了達成上述目的,本發明提供的電漿處理裝置,係具備:處理室,對試料進行電漿處理;高頻電源,供給用於生成電漿的高頻電力;試料台,用於載置試料;及三維形狀檢測裝置,將光點照射至試料之對象,對照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測;其中該三維形狀檢測裝置具備:分光反射強度測定部,用於測定分光反射強度;分光特徵值算出部,依據藉由分光反射強度測定部測定的分光反射強度來計算光點之視野內的區域亦即第一區域之分光特徵值;面積率推論部,對被射出的光照明的對象之圖像進行攝影,依據攝影的圖像對第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論;及控制裝置,依據推論出的面積率計算三維形狀;第二區域為光點之視野內的第一區域以外之區域。 發明效果
依據本發明,在分光Scatterometry中,從散射光測定時之視野所包含的多個圖案之分光反射將三維形狀之尺寸管理之對象外之圖案的影響除掉,可以實現實際之佈局圖案中的尺寸管理。
以下,參照圖面說明本發明之實施形態圖面。在這之前,使用圖3說明假設分光Scatterometry中的測定實TEG中的測定時之課題。
如圖3(a)所示,作為測試圖案確保散射光測定時之視野(光點:View of Scatterometry)被充分收斂之寬度。此處,(a)表示圖案(1)為基於三維形狀檢測的尺寸管理之對象圖案。(a)中,測定視野內被圖案(1)佔有,因此作為散射光的測定結果而獲得的分光反射強度或分光反射率(Reflectance)僅由圖案(1)貢獻。
另一方面,實際之佈局圖案中,並非以光散射光測定作為前提的佈局,因此尺寸管理之對象圖案以外之其他圖案或配線區域等密集混在。再加上分光Scatterometry中,通常使用可見光(約400nm至約800nm)之帶域之光,因此即使使用成像光學系統調整光點之大小亦有其界限,使散射光測定時之視野(光點)收斂於尺寸管理之對象圖案區域內是困難的事。亦即,散射光的測定結果,如圖3(b)所示,觀測到的不僅是基於三維形狀檢測的尺寸管理之對象的圖案(1),而是成為與尺寸管理之對象外之圖案(2)的混合圖案之反射率。本說明書中,將圖案(1)稱為可以事前計算的光點之視野內的區域亦即第一區域,將圖案(2)稱為光點之視野內的第一區域以外之區域亦即第二區域。
如上述般,即使於實際之佈局圖案中實施分光Scatterometry,散射光測定時之視野中在尺寸管理之對象圖案亦即在圖3(a)中的圖案(1),亦無法避免混合圖3(b)中的圖案(1)以外之圖案或配線區域等即圖3(b)中的圖案(2)。
對圖3(b)所示這樣由圖案(1)、圖案(2)形成的混合圖案實施分光測定的情況下,本實施例中依據散射光測定時之視野(光點:View of Scatterometry)中的混合圖案之相互的干涉性(coherence)而分類為多個形態。分類為(i)混合圖案之干涉性高的情況(Coherent),(ii)混合圖案之干涉性低的情況(Incoherent),(iii)(i)與(ii)之中間之情況(Between (i) and (ii))之3個實施形態。本實施例中作為規定混合圖案之干涉性的因子係將同調因子(Coherence-Factor)fc 設定為如式1。
[數1]
Figure 02_image001
其中,同調因子fc 係由實施分光測定的光學系統之規格及散射光測定時之視野中的混合圖案之最小週期之間距等規定的變數。
本實施例中分類為,將同調因子fc 相等於大致1之情況設為(i)混合圖案之干涉性高的情況(Coherent),將同調因子fc 相等於大致0之情況設為(ii)混合圖案之干涉性低的情況(Incoherent),將同調因子fc 在0與1之間之情況設為(iii)(i)與(ii)之中間之情況(Between (i) and (ii))。又,干涉性之分類不必要與上式所示規則一致,同調因子fc 未必一定要設定。以下之實施例之說明中,首先,針對(i)混合圖案之干涉性高的情況(Coherent),在不實施模型化之情況下將尺寸管理之對象外的圖案之影響除掉的方法說明如下。 實施例1
實施例1為(i)混合圖案之干涉性高的情況下(Coherent),在不實施模型化之情況下將尺寸管理之對象外的圖案之影響除掉的三維形狀檢測裝置及檢測方法之實施例。亦即,係將光點照射至對象,對照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測的三維形狀檢測裝置,具備:分光反射強度測定部,用於測定分光反射強度;分光特徵值算出部,依據藉由分光反射強度測定部測定的分光反射強度來計算光點之視野內的區域亦即第一區域之分光特徵值;面積率推論部,對被射出的光照明的對象之圖像進行攝影,依據攝影的圖像對第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論;及控制裝置,依據推論出的面積率計算三維形狀;第二區域為光點之視野內的第一區域以外之區域的三維形狀檢測裝置及檢測方法之實施例。
圖1使利用分光Scatterometry,實施從混合圖案之分光反射除去尺寸管理之對象外之圖案之影響的實際之佈局圖案中的尺寸管理,換言之為對與樣品的測定視野中的三維形狀進行檢測的三維形狀檢測裝置之模式圖及功能方塊圖。
如圖1所示,三維形狀檢測裝置100經由控制群101與外部控制裝置102連接。外部控制裝置102係作為事前分光特徵值計算功能而具有省略了圖示的執行藉由RCWA等的模型計算對分光特徵值進行計算的程式等之中央處理部(CPU)等的內部功能。對樣品103的測定視野中的三維形狀進行檢測的情況下,三維形狀檢測裝置100係依據從外部控制裝置102接收的信號開始檢測。因此本說明書中的三維形狀檢測裝置亦可以考慮為在上述三維形狀檢測裝置100包含外部控制裝置102的構成。
三維形狀檢測裝置100除了控制群101以外還具備照明光源104、光學系統105、分光器群106、光學系統移動機構107、及樣品搬送機構108。
照明光源104為藉由分光Scatterometry可以對樣品103之特性進行測定的寬頻帶之光源,例如藉由將中心波長不同的多個發光二極體LED(Light Emitting Diode)予以組合的光源來實現。又,照明光源104未必限定於LED光源,亦可以是鹵素燈或氘燈等的其他光源。點亮照明光源104之情況下,從照明光源驅動電路101-1將以期待的強度點亮照明光源的照明光源驅動信號輸入至照明光源104。
分光器群106檢測出基於樣品103的三維形狀檢測裝置100的測定視野中的反射散射光。本實施例中的分光器群106係由選擇器106-1、分光器106-2、視野推論光源106-3構成。分光器106-2在寬頻帶中測定照明光源104照射至樣品103時之反射散射光。該視野推論光源106-3係和外部控制裝置102或後述說明的攝影元件105-9構成本實施例之三維形狀檢測裝置的面積率推論部,本說明書中亦有稱為視野檢測用光源之情況。
樣品搬送機構108係將成為檢測對象的樣品103從省略圖示的樣品儲存部搬送至光學系統105之檢測視野可以照射至樣品103的位置。又,樣品搬送機構108具有可以固定樣品103的省略圖示的樣品固定機構。
又,三維形狀檢測裝置100可以不是單體,可以是和具有其他功能的裝置組合的形態。例如可以是變更對象之構造的構造變更部,與藉由電漿進行表面處理的電漿處理裝置或掃描電子顯微鏡SEM(Scanning Electron Microscope)組合,藉此來檢測樣品103的測定視野中的三維形狀的裝置構成。又,電漿處理裝置之基本構成,例如本申請人先前申請的專利文獻2等所揭示這樣地,具備:對象被進行電漿處理的處理室;供給微波之高頻電力的高頻電源;藉由與微波之相互作用而形成生成電漿之磁場的磁場形成部;及對高頻電源與磁場形成部進行控制的控制部等;本實施例之三維形狀檢測裝置100之重要部分係設置於處理室內。
三維形狀檢測裝置100的測定視野係由光學系統105與樣品103的相對的位置關係確定。光學系統移動機構107於其筐體之上設置有光學系統105,藉由光學系統移動機構107之移動,成為可以變更樣品103中的三維形狀檢測裝置100的測定視野之構成。光學系統移動機構107例如藉由將正交的2軸之移動機構組合,在與樣品103平行的2軸內可以移動任意距離的構成來實現。但是,移動可能軸未必一定要二維,若可以將三維形狀檢測裝置100的測定視野移動至期待的位置,則一維亦可。
移動光學系統移動機構107之情況下,從構成控制群101的移動載台驅動電路101-6將期待的移動距離之驅動所必要的驅動信號輸入至光學系統移動機構107。光學系統移動機構107例如藉由步進馬達載台來實現,在期待的移動距離之驅動中使與移動距離相當的數之脈衝信號從移動載台驅動電路101-6輸入至光學系統移動機構107。光學系統移動機構107未必一定是步進馬達載台,例如可以是DC馬達載台、省略圖示的依據現在位置檢測系統的信號而與移動載台驅動電路101-6組合的閉合迴路控制系統這樣的其他實現手段。又,圖1中係藉由光學系統移動機構107移動光學系統105來變更光學系統105與樣品103之相對位置,但是作為相對位置之變更手段亦可以藉由樣品搬送機構108移動樣品103來實現。
使用圖2對本實施例中的樣品103的測定視野中的分光反射測定之處理進行說明。圖2係表示樣品103的測定視野中的分光反射測定處理之流程圖。該流程之動作主體主要為外部控制裝置102。樣品103之分光反射測定之處理開始時(步驟201,以下稱為S201),從外部控制裝置102經由照明光源驅動電路101-1對照明光源104之強度等的發光條件進行設定(S202)。照明光源104之發光條件設定之後,移行至S203。
於S203中從外部控制裝置102對照明光源驅動電路101-1輸入將照明光源104之發光設為開啟(ON)的信號。結果,照明光源驅動電路101-1傳送使照明光源104按照S202中設定的條件點亮的驅動信號。藉由來自照明光源驅動電路101-1之驅動信號輸入使照明光源104開始發光。照明光源104之光透過光纖輸入至構成光學系統105的連接器A105-1。經由連接器A105-1輸入的光通過透鏡群A105-2成為光學式平行的光。通過透鏡群A105-2的平行光被鏡105-3反射的光線,係透過以規定之分割比進行反射/透過的方式進行光學設計的無偏光分光器A105-4。被無偏光分光器A105-4反射/透過的光之P偏光與S偏光之成分比率相等。透過無偏光分光器A105-4的光會通過透鏡群B105-5。通過透鏡群B105-5的光在樣品103之上以光點直徑成為規定之光點大小的方式成為收斂光,之後,被以規定之分割比進行反射/透過的方式進行光學設計的無偏光分光器B105-6反射。被無偏光分光器B105-6反射/透過的光之P偏光與S偏光之成分比率相等。被無偏光分光器B105-6反射的光會透過偏光子105-7。透過偏光子105-7的光變化偏光狀態而以特定之直線偏光入射至樣品103之上,在樣品103之表面上被反射。在樣品103之表面反射的光與入射時大致同一之路徑朝相反方向通過。樣品103中反射的光之中,透過無偏光分光器B105-6的光會透過透鏡群C105-8成像於攝影元件105-9。另一方面,無偏光分光器B105-6及無偏光分光器A105-4中同時被反射的光係藉由透鏡群D105-10聚光於連接器B105-11。亦即,藉由S203設定光源成為開啟,樣品103的測定視野中的表面反射光經由連接器B105-11到達選擇器106-1。又,本實施例的光學系統105中105-4及105-6之兩分光器未必一定是無偏光分光器,基於入射光線之分離之觀點只要是可以實現同樣效果之光學部品的話,可以是其他光學部品。
藉由S203開啟照明光源104之發光之後,移行至S204。S204中實施後述對規定之視野的測定視野變更及測定視野推論處理,之後,移行至S205之偏光條件變更。又,S204中推論的測定視野之大小較S203中照明的區域小。S205中從外部控制裝置102經由偏光子驅動電路101-5對偏光子105-7進行驅動而使成為特定之直線偏光的方式來設定變更偏光條件,移行至接續之S206。
S206中從外部控制裝置102經由選擇器控制電路101-0於選擇器106-1中執行光纖之光路切換。S206之切換中光路被設定為分光器側。藉由S206使樣品103的測定視野中的表面反射光到達分光器106-2。S206之選擇器切換後移行至S207之分光器測定條件設定。於S207中從外部控制裝置102經由分光器控制電路101-2對分光器106-2設定曝光時間或平均化次數等的分光反射測定時之測定條件。測定條件設定之後移行至S208之分光測定實施。
於S208中,從外部控制裝置102經由分光器控制電路101-2依據S207中設定的曝光時間於分光器控制電路101-2實施分光反射測定,移行至S209。於S209中判斷現在之分光反射測定次數Nnow 是否到達S207中設定的平均化次數Nave 。現在之分光反射測定次數Nnow 在S207中設定的平均化次數Nave 以下時(S209中的否),再度移行至S208。另一方面,分光反射測定次數Nnow 成為S207中設定的平均化次數Nave 以上時(S209中的是)移行至S210。
於S210中使分光器106-2中測定的分光反射的測定結果經由分光器控制電路101-2傳送至外部控制裝置102。分光反射測定結果之傳送結束時移行至S211。於S211中從外部控制裝置102將關閉照明光源104的信號輸入至照明光源驅動電路101-1。結果,照明光源驅動電路101-1傳送熄滅照明光源104的驅動信號。藉由S211將照明光源104設為關閉,藉此,結束樣品103的測定視野中的分光反射測定之處理(S212)。
接著,使用圖4對本實施例中的測定視野變更及測定視野推論處理(S204)進行說明。圖4係表示樣品103中的測定視野變更及測定視野推論處理之流程圖。該流程圖之動作主體主要為外部控制裝置102。樣品103中的測定視野變更及測定視野推論處理開始時(S401),從外部控制裝置102經由移動載台驅動電路101-6將期待的移動距離之驅動所必要的驅動信號傳送至光學系統移動機構107(S402)。驅動信號傳送之後,移行至S403。
於S403中判斷光學系統移動機構107之現在位置Pnow 是否與目標位置Ptarget 大致一致。判斷光學系統移動機構107還在移動中之情況下(S403中的否),再度移行至S403。另一方面,判斷光學系統移動機構107移動完成,現在位置Pnow 與目標位置Ptarget 大致一致之情況下(S403中的是)移行至S404。於S404中從外部控制裝置102經由選擇器控制電路101-0於選擇器106-1中執行光纖之光路切換。S404之切換中光路設定為視野推論光源106-3側。
選擇器切換後移行至S405。於S405中從外部控制裝置102經由視野推論光源驅動電路101-3設定視野推論光源106-3之強度等的發光條件。視野推論光源106-3之發光條件設定之後移行至S406。於S406中從外部控制裝置102對視野推論光源驅動電路101-3輸入開啟視野推論光源106-3之發光的信號。結果,視野推論光源驅動電路101-3傳送按照S405中設定的條件點亮視野推論光源106-3的驅動信號。藉由來自視野推論光源驅動電路101-3之驅動信號輸入使視野推論光源106-3開始發光。
此時,視野推論光源106-3之光於圖2之S208中,在樣品103之表面被反射,與到達分光器106-2的照明光源104之光在選擇器106-1以後通過大致相反之路徑而到達樣品103之表面。又,通過光學式大致相反之路徑,因此視野推論光源106-3之於樣品103上的視野(光點)大致相等於分光器106-2之於樣品103上的測定視野。於S406中視野推論光源106-3之發光開啟之後移行至S407之視野推論處理。於S407中實施對分光反射強度進行測定時之視野的推論處理。
使用圖5說明本實施例中的視野推論處理。圖5(a)係表示針對具有成為三維形狀檢測的尺寸管理之對象的圖案(1)與尺寸管理之對象外之圖案(2)之混合圖案的樣品103,藉由視野圖像檢測裝置之一部分亦即攝影元件105-9針對S406中藉由視野推論光源106-3照明的樣品表面進行攝影的攝影圖像的一部分。視野圖像檢測裝置之一部分亦即外部控制裝置102、在S407之視野推論處理中,首先依據經由攝影元件105-9攝影的攝影圖像將圓形之分光反射強度的測定時之視野進行圖像抽出。藉由視野推論光源106-3之照明而攝影的圖像中分光反射強度的測定時之視野(View of Scatterometry)相比其他區域其亮度較高。
此處,視野圖像檢測裝置係依據該對比藉由圖像處理將圓形之分光反射強度的測定時之視野予以抽出。該圖像處理例如實施使用霍夫轉換(Hough Transform)的圓形區域抽出。圓形區域抽出的圖像成為圖5(b)所示模式圖。又,圓形區域抽出所使用的圖像處理不限定於霍夫轉換,亦可以是基於機械學習的區域抽出等其他圖像處理。本實施例中的分光反射強度的測定時之推論視野設為該圓形抽出的區域。S407中的圓形區域抽出之後移行至S408。於S408中實施針對S407中推論出的視野內的混合圖案中的成為尺寸管理對象之圖案(1)與尺寸管理之對象外之圖案(2)的面積率進行推論的處理。如先前之說明,圖案(1)係可以事前計算的光點之視野內的區域亦即第一區域,圖案(2)係光點之視野內的第一區域以外之區域亦即第二區域。
使用圖5說明本實施例中的面積率推論處理。於S408中首先從S407中推論出的推論視野之圖像亦即圖5(b)實施圖案(1)與圖案(2)之區域分割之圖像處理。例如藉由組合邊緣檢測與形態轉換(Morphology Transform)來實施區域之二值化從而實施面積率推論。
圖5(c)係針對圖5(b)依據亮度之不連續性實施邊緣檢測的結果之模式圖。圖5(d)係針對圖5(c)實施了膨脹、收縮或組合彼等的形態轉換的結果之模式圖。再者,圖5(e)係針對圖5(d)實施了基於二值化的區域分割的結果之模式圖。依據獲得的圖5(e)僅顯示圖案(1)之區域的圖像的模式圖係如圖5(f),僅顯示圖案(2)之區域的圖像的模式圖係如圖5(g)。外部控制裝置102係依據該圖5(f)與圖5(g)之像素比率計算視野內整體中的圖案(2)之面積比率s(0≦s≦1),將該值設為本實施例中的視野內的推論面積率。以上之S408中的視野內的面積率推論處理之後移行至S409。
於S409中係從外部控制裝置102對視野推論光源驅動電路101-3輸入關閉視野推論光源106-3之信號。結果,視野推論光源驅動電路101-3傳送使視野推論光源106-3熄滅的驅動信號。藉由S409將視野推論光源106-3設為關閉,結束視野內的混合圖案中的測定視野變更及測定視野推論處理(S410)。
使用圖6說明本實施例之(i)混合圖案之干涉性高的情況下(Coherent)從混合圖案之分光反射強度將尺寸管理對象外的圖案之影響除掉的方法。圖6係表示尺寸管理對象外之圖案影響除去處理之流程圖,該流程圖之處理主體為外部控制裝置102。後述說明的圖8、圖9之流程圖亦同樣。
尺寸管理對象外之圖案影響除去處理開始時(S601),實施規定之第1個視野中的樣品分光反射強度測定處理(S602)。S602中實施的處理係和使用圖2之上述處理相等。S602之結果,完成第1個視野中的分光反射強度I及第1個視野中的尺寸管理對象外的圖案的面積率s之取得(S603)。S603結束後移行至S604。於S604中實施和第1個視野不同的規定之第2個視野中的樣品分光反射強度測定處理(S604)。S604中實施的處理亦和S602相同,係和使用圖2的上述處理相等。S604之結果,完成第2個視野中的分光反射強度I’及第2個視野中的尺寸管理對象外的圖案的面積率s’之取得(S605)。此處,樣品103之分光反射強度測定視野中,在某一觀測點x、時刻t中,分光反射強度測定之波長範圍中的指數(index)為與第i編號之波長λi相當的波數ki 中,尺寸管理對象之圖案(1)中的反射光之波之振幅 ψ1,i 及尺寸管理對象外的圖案(2)中的反射光之波之振幅 ψ2,i 使用複數(complex number)表現而通常以式2表示。此處,式2中的φ為初始相位。
[數2]
Figure 02_image003
本實施例中假設(i)混合圖案之干涉性高的情況(Coherent),圖案(1)之反射光與圖案(2)之反射光相互干涉,因此混合圖案之分光反射強度IAll,i 可以藉由振幅ψ之和之平方獲得。再者,本實施例之混合圖案之分光反射強度IAll,i 係使用圖案(2)的面積率s、圖案(1)之振幅ψ1,i 及圖案(2)之振幅ψ2,i 以式3表示。
[數3]
Figure 02_image005
,亦即將混合圖案之振幅ψAll,i 以形成混合圖案的各圖案之振幅與其面積率之積之和表現,取其平方來計算強度。為求簡單,針對ψ1,i 及ψ2,i ,不以使用指數之複數標記,而以如式4這樣的複數標記來表示時,混合圖案之分光反射強度I以式5表示。
[數4]
Figure 02_image007
[數5]
Figure 02_image009
此處,假設尺寸管理對象亦即圖案(1)之振幅ψ1,i ,係依據對該分光反射強度進行了測定的樣品103之實測部之斷面構造分析等,藉由外部控制裝置102之事前分光特徵值計算功能藉由RCWA等的模型計算事先獲得者,則在S603為止之時點中,式5中的IAll,i 、s、αi 、βi 為已知之值,與圖案(2)相關之參數亦即γi 、δi 之2個為未知之值。但是,藉由獲得S604中的第2個視野中的分光反射強度,則如式6所示,未知之值為2個,可以歸納為式2之聯立方程式,可以導出未知之值即尺寸管理對象外之圖案(2)之振幅ψ2,i 之實部αi 及虛部βi
[數6]
Figure 02_image011
於S606中,藉由解出與式6相當的聯立方程式可以導出波長λi 中的尺寸管理對象外之振幅ψ2,i 。導出振幅ψ2,i 之實部αi 及虛部βi之後移行至S607。於S607中判斷分光反射測定之波長範圍中的指數i是否與規定之最後之波長範圍相當的指數nend 相等。S607中判斷現在之指數i小於nend 時(S607中的否)移行至S608,將現在之指數i增加1(S608)之後再度移行至S606。
另一方面,判斷現在之指數i大於nend 時(S607中的是)移行至S609。於S609中對任意之視野中的樣品103之分光反射強度IAll,i’’ 及該視野中的圖案(2)的面積率s’’進行測定。S609中實施的處理亦和使用圖2的上述處理相等。
於接續的S610中,使用尺寸推論對象亦即圖案(1)之與推論構造模型對應的振幅ψ1,cal 、i之實部αcal,i 及虛部βcal,i 、以及S606中導出的圖案(2)之振幅ψ2,i 之實部γi 及虛部δi ,藉由式7所示計算導出圖案(2)的面積率成為s’’的混合圖案之任意之視野中的分光反射強度測定之波長範圍中的指數為第i編號之與推論構造模型對應的計算分光反射強度Ical,i 。導出分光反射強度Ical,i 之後移行至S611。
[數7]
Figure 02_image013
S611中判斷分光反射強度測定之波長範圍中的指數i是否相等於與規定之最後之波長範圍相當的指數nend 。於S611中判斷現在之指數i小於nend 時(S611中的否)移行至S612,將現在之指數i增加1(S612)之後再度移行至S610。另一方面,判斷現在之指數i大於nend 時(S611中的是)移行至S613。
S613中將推論構造模型對應的計算強度Ical,i 與實測的任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 進行比較判斷全波長中是否一致。作為判斷例如針對全波長範圍中,針對藉由計算算出的與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 與實測的任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 之差之平方和進行計算,依據該值是否在規定之臨界值以內進行判斷。於S613中判斷全波長中與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 不等於任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 時(S613中的否)移行至S614,變更尺寸推論對象亦即圖案(1)之現在之構造參數(S614)之後再度移行至S610。
另一方面,S613中判斷全波長中與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 相等於任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 時(S613中的是),結束(i)混合圖案之干涉性高的情況下之尺寸管理對象外之圖案影響除去處理(S615)。又,圖6中將全波長中的與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 及任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 分別標記為Ical 及IAll’’
此處,由式6亦可以理解,(i)混合圖案之干涉性高的情況下應導出的未知之值為2個,因此只要構建基於2個以上之式的聯立方程式即可,上述圖6中作為其之一例係藉由實施變更了測定視野的2次的測定來構建出聯立方程式。聯立方程式之構建方法不限定於實施變更測定視野的測定者,即使是同一視野,藉由視野內的構造變化前後的分光反射強度來構建聯立方程式亦可。
例如圖7(a)係從斷面方向觀察樣品103之散射光測定時之視野(View of Scatterometry)的模式圖。斷面的上部係表示作為電漿蝕刻時之圖案保護目的之阻劑材料(Resist Material)。整面被阻劑材料覆蓋的區域為尺寸管理之對象外之圖案(2),僅有一部分被阻劑材料覆蓋的區域為尺寸管理之對象圖案(1)。
另一方面,圖7(b)係同樣從斷面方向觀察對圖7(a)實施電漿蝕刻之後之樣品103的模式圖。圖案(1)被蝕刻,其三維構造變化。關於該圖7(a)與(b)中各別的尺寸管理對象之圖案(1)之振幅,只要依據測定了該分光反射強度的樣品103之實測部之斷面構造分析等,藉由外部控制裝置102之事前分光特徵值計算功能藉由RCWA等的模型計算能夠獲得的話,藉由在圖7(a)與(b)各別測定分光反射強度來構建聯立方程式,即可以獲得尺寸管理之對象外之圖案(2)之振幅ψ2,i
依據本實施例所示以上之構成及動作,三維形狀檢測裝置100在(i)混合圖案之干涉性高的情況下(Coherent)可以在不實施模型化之情況下將尺寸管理之對象外的圖案之影響除掉,換言之,任意之視野中的尺寸(三維形狀)管理成為可能。 實施例2
以下,本實施例中說明(ii)混合圖案之干涉性低的情況下(Incoherent),在不實施模型化之情況下將尺寸管理之對象外的圖案之影響除掉的方法。
實施例2中,關於樣品分光反射強度測定處理係實施和實施例1中說明的處理內容相同的內容。以下,使用圖8說明本實施例中和實施例1不同的(ii)混合圖案之干涉性低的情況下(Incoherent)從混合圖案之分光反射強度將尺寸管理對象外的圖案之影響除掉的方法。
圖8係表示尺寸管理對象外之圖案影響除去處理之流程圖。尺寸管理對象外之圖案影響除去處理開始時(S801),實施規定之視野中的樣品分光反射強度測定處理(S802)。S802中實施的處理係和實施例1中使用圖2說明的處理相等。S802之結果,完成規定之視野中的分光反射強度I及該規定之視野中的尺寸管理對象外的圖案的面積率s之取得(S803)。此處,在樣品103之分光反射強度測定中,本實施例中分光反射強度測定的測定範圍中的指數為第i編號之波長λi 中的混合圖案之分光反射強度IAll,i 係以式8表現。
[數8]
Figure 02_image015
亦即,以形成混合圖案的各圖案之強度與其面積率之積之和表現混合圖案之強度IAll,i 。此乃因為,本實施例中假設(ii)混合圖案之干涉性低的情況(Incoherent),因此分光反射強度IAll,i 不是將圖案(1)之反射光與圖案(2)之反射光如實施例1般取振幅之和之後予以平方,而是以強度之和來表現。此處,若尺寸管理對象之圖案(1)之分光反射強度I1,i 係依據測定了該分光反射強度的樣品103之實測部之斷面構造分析等,藉由外部控制裝置102之事前分光特徵值計算功能藉由RCWA等的模型計算事先獲得者,則於S803為止時點,式8中的IAll,i 、s、I1,i 為已知之值,僅圖案(2)之分光反射強度I2,i 為未知之值。因此藉由解出針對式8所示未知之值1個的方程式,可以導出未知之值亦即圖案(2)之分光反射強度I2,i (S804)。導出波長λi 中的尺寸管理對象外之圖案(2)之分光反射強度I2,i 之後移行至S805。
於S805中判斷分光反射強度測定之波長範圍中的指數i是否相等於與規定之最後之波長範圍相當的指數nend 。S805中判斷現在之指數i小於nend 時(S805中的否)移行至S806,將現在之指數i增加1(S806)之後再度移行至S804。另一方面,判斷現在之指數i大於nend 時(S805中的是)移行至S807。
S807中對任意之視野中的樣品103之分光反射強度IAll,i’’ 及該視野中的圖案(2)的面積率s’’進行測定。S807中實施的處理亦和使用圖2的上述處理相等。在接續的S808中,使用尺寸推論對象亦即圖案(1)的與推論構造模型對應的分光反射強度I1,cal,i 及導出的圖案(2)之分光反射強度I2,i ,藉由式9所示計算導出圖案(2)的面積率成為s’’的混合圖案之任意之視野中的分光反射強度測定之波長範圍中的指數為第i編號之與推論構造模型對應的計算分光反射強度Ical,i
[數9]
Figure 02_image017
導出分光反射強度Ical,i 之後移行至S809。S809中判斷分光反射強度測定之波長範圍中的指數i是否相等於與規定之最後之波長範圍相當的指數nend 。S809中判斷現在之指數i小於nend 時(S809中的否)移行至S810,將現在之指數i增加1(S810)之後再度移行至S808。另一方面,判斷現在之指數i大於nend 時(S809中的是)移行至S811。
於S811中,將與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 和實測的任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 進行比較判斷全波長中是否一致。作為判斷例如於全波長範圍中針對藉由計算算出的與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 與實測的任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 之差之平方和進行計算,依據該值是否在規定之臨界值以內進行判斷。S811中判斷全波長中與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 不等於任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 時(S811中的否)移行至S812,變更尺寸推論對象亦即圖案(1)之現在之構造參數(S812)之後再度移行至S808。
另一方面,S811中判斷全波長中與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 相等於任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 時(S811中的是),結束(ii)混合圖案之干涉性低的情況下(Incoherent)之尺寸管理對象外之圖案影響除去處理(S813)。又,圖8中將全波長中的與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 及任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 分別標記為Ical 及IAll’’ 。 依據本實施例所示以上之構成及動作,三維形狀檢測裝置100在(ii)混合圖案之干涉性低的情況下(Incoherent)在不實施模型化之情況下可以除掉尺寸管理對象外之圖案之影響,換言之,任意之視野中的尺寸(三維形狀)管理成為可能。 實施例3
以下,本實施例中說明(iii)在(i)與(ii)之中間之情況下(Between(i) and (ii)),在不實施模型化之情況下除掉尺寸管理之對象外的圖案之影響的方法。
本實施例中,關於樣品分光反射強度測定處理亦實施和實施例1中說明的處理內容相同的內容。以下,本實施例中使用圖9說明與實施例1及2不同的(iii)在(i)與(ii)之中間之情況下(Between (i) and (ii)),從混合圖案之分光反射強度將尺寸管理對象外的圖案之影響除掉的方法。
圖9係表示尺寸管理對象外之圖案影響除去處理之流程圖。尺寸管理對象外之圖案影響除去處理開始時(S901),實施規定之第1個視野中的樣品分光反射強度測定處理(S902)。S902中實施的處理係實施和實施例1中說明的處理內容相同的內容。S902之結果,完成第1個視野中的分光反射強度I及第1個視野中的尺寸管理對象外的圖案的面積率s之取得(S903)。S903結束時移行至S904。於S904中實施和第1個視野不同的規定之第2個視野中的樣品分光反射強度測定處理(S904)。S904中實施的處理亦和S902相同,係與使用圖2的上述處理相等。S904之結果,完成第2個視野中的分光反射強度I’及第2個視野中的尺寸管理對象外的圖案的面積率s’之取得(S905)。
此處,本實施例中假設(i)與(ii)之中間之情況(Between (i) and(ii)),因此混合圖案之分光反射強度IAll,i 之一部分為圖案(1)之反射光與圖案(2)之反射光相互干涉,或者一部分為相互不干涉,因此,混合圖案之分光反射強度IAll,i 以式10之第1式表現。
[數10]
Figure 02_image019
針對取與同調因子fc 之積的干涉性低之項係以形成混合圖案的各圖案之強度與其面積率之積之和表現,針對其餘之取與1-fc 之積的干涉性高的項則以形成混合圖案的各圖案之振幅與其面積率之積之和表現。又,圖案(2)之分光反射強度I2,i 相等於振幅之絶對值的平方之一半,因此,以式10之第2式表示。此處,若尺寸管理對象的圖案(1)之分光反射強度I1,i 、振幅之實部αi 及虛部βi 係依據已對該分光反射強度進行測定的樣品103之實測部之斷面構造分析等,藉由外部控制裝置102之事前分光特徵值計算功能藉由RCWA等的模型計算事先獲得者,則於S903為止之時點,式10中的IAll,i 、I1,i 、s、αi 、βi 為已知之值,和圖案(2)相關的參數亦即γi 、δi 之2個為未知之值。但是,藉由獲得S904中的第2個視野中的分光反射強度,如式11所示未知之值為2個,可以歸納為式2之聯立方程式,可以導出未知之值即尺寸管理對象外之圖案(2)之振幅ψ2,i 之實部αi 及虛部βi
[數11]
Figure 02_image021
於S906中,藉由求解與式11相當的聯立方程式可以導出波長λi 中的尺寸管理對象外之振幅ψ2,i 之實部αi 及虛部βi 。導出振幅ψ2,i 之後移行至S907。於S907中判斷分光反射測定之波長範圍中的指數i是否相等於與規定之最後之波長範圍相當的指數nend 。S907中判斷現在之指數i小於nend 時(S907中的否)移行至S908,將現在之指數i增加1(S908)之後再度移行至S906。另一方面,判斷現在之指數i大於nend 時(S907中的是)移行至S909。S909中對任意之視野中的樣品103之分光反射強度IAll,i’’ 及該視野中的圖案(2)的面積率s’’進行測定。S909中實施的處理亦和使用圖2的上述處理相等。 於接續的S910中,使用尺寸推論對象的圖案(1)之與推論構造模型對應的分光反射強度I1,cal,i 、振幅ψ1,cal,i 之實部αcal,i 及虛部βcal,i 以及S906中導出的圖案(2)之振幅ψ2,i 之實部γi 及虛部δi ,藉由式12所示計算導出圖案(2)的面積率成為s’’的混合圖案之任意之視野中的分光反射強度測定之波長範圍中的指數為第i編號之與推論構造模型對應的計算分光反射強度Ical,i
[數12]
Figure 02_image023
導出分光反射強度Ical,i 之後移行至S911。於S911中判斷分光反射強度測定之波長範圍中的指數i是否相等於與規定之最後之波長範圍相當的指數nend 。S911中判斷現在之指數i小於nend 時(S911中的否)移行至S912,將現在之指數i增加1(S912)之後移行至S910。另一方面,判斷現在之指數i大於nend 時(S911中的是)移行至S913。於S913中對與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 與實測的任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 進行比較判斷全波長中是否一致。作為判斷例如於全波長範圍中,針對藉由計算算出的與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 與實測的任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 之差之平方和進行計算,依據該值是否在規定之臨界值以內進行判斷。S913中,判斷全波長中與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 不等於任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 時(S913中的否)移行至S914,變更尺寸推論對象之圖案(1)之現在之構造參數(S914)之後,再度移行至S910。另一方面,S913中判斷全波長中與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 相等於任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 時(S913中的是),結束(iii)(i)與(ii)之中間之情況下(Between (i) and (ii))之尺寸管理對象外之圖案影響除去處理(S915)。又,圖9中全波長中的與推論構造模型對應的計算強度Ical,i 及任意之視野中的樣品分光反射強度IAll,i’’ 分別標記為Ical 及IAll’’ 。 又,上述例中藉由推論振幅ψ2,i 而除去振幅對尺寸管理對象外的圖案(2)之影響,但依據至少3個以上之視野中的分光反射強度的測定來推論導出圖案(2)之分光反射強度I2,i 及振幅ψ2,i 亦可。
依據本實施例所示以上之構成及動作,三維形狀檢測裝置100在(iii)(i)與(ii)之中間之情況下(Between (i) and (ii))在不實施模型化之情況下可以除掉尺寸管理對象外之圖案之影響,換言之,任意之視野中的尺寸(三維形狀)管理成為可能。
本發明不限定於上述實施例,包含各種變形例。例如上述實施例係為了較佳理解本發明而詳細明者,未必一定要限定於具備說明之全部構成者。
另外,上述各構成、功能、外部控制裝置等,係以作為實現彼等之一部分或全部功能的CPU用之程式之例為中心進行說明,但是彼等之一部分或全部例如藉由積體電路之設計等而以硬體來實現亦可。亦即,外部控制裝置之全部或一部分之功能,作為程式之取代例如可以藉由ASIC(Application Specific Integrated Circuit)、FPGA (Field Programmable Gate Array)等的積體電路等來實現。
100:三維形狀檢測裝置 101:控制群 101-0:選擇器控制電路 101-1:照明光源驅動電路 101-2:分光器控制電路 101-3:視野推論光源驅動電路 101-4:受光元件控制電路 101-5:偏光子驅動電路 101-6:移動載台驅動電路 102:外部控制裝置 103:樣品 104:照明光源 105:光學系統 105-1:連接器A 105-2:透鏡群A 105-3:鏡 105-4:無偏光分光器A 105-5:透鏡群B 105-6:無偏光分光器B 105-7:偏光子 105-8:透鏡群C 105-9:攝影元件 105-10:透鏡群D 105-11:連接器B 106:分光器群 106-1:選擇器 106-2:分光器 106-3:視野推論光源 107:光學系統移動機構 108:樣品搬送機構
[圖1]表示實施例1中實施實際之佈局圖案中的尺寸管理的三維形狀檢測裝置之一構成例的圖。 [圖2]表示實施例1的樣品分光反射強度測定處理之流程圖的圖。 [圖3]表示實施例1的TEG及混合圖案中的散射光測定時之視野之模式圖。 [圖4]表示實施例1的測定視野變更及測定視野推論處理之流程圖的圖。 [圖5]表示視野推論處理中的各圖像處理的模式圖。 [圖6]表示實施例1的尺寸管理對象外之圖案影響除去處理之流程的圖。 [圖7]表示從斷面方向觀察到的樣品103之電漿蝕刻前後之模式圖。 [圖8]表示實施例2的尺寸管理對象外之圖案影響除去處理之流程的圖。 [圖9]表示實施例3的尺寸管理對象外之圖案影響除去處理之流程的圖。
100:三維形狀檢測裝置
101:控制群
101-0:選擇器控制電路
101-1:照明光源驅動電路
101-2:分光器控制電路
101-3:視野推論光源驅動電路
101-4:受光元件控制電路
101-5:偏光子驅動電路
101-6:移動載台驅動電路
102:外部控制裝置
103:樣品
104:照明光源
105:光學系統
105-1:連接器A
105-2:透鏡群A
105-3:鏡
105-4:無偏光分光器A
105-5:透鏡群B
105-6:無偏光分光器B
105-7:偏光子
105-8:透鏡群C
105-9:攝影元件
105-10:透鏡群D
105-11:連接器B
106:分光器群
106-1:選擇器
106-2:分光器
106-3:視野推論光源
107:光學系統移動機構
108:樣品搬送機構

Claims (13)

  1. 一種三維形狀檢測裝置,係將光點照射至對象,對前述照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測者,該三維形狀檢測裝置具備: 分光反射強度測定部,用於測定分光反射強度; 分光特徵值算出部,依據藉由前述分光反射強度測定部測定的分光反射強度來計算前述光點之視野內的區域亦即第一區域之分光特徵值; 面積率推論部,對被射出的光照明的前述對象之圖像進行攝影,依據前述攝影的圖像對前述第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論;及 控制裝置,依據前述推論出的面積率計算三維形狀; 前述第二區域為前述光點之視野內的前述第一區域以外之區域。
  2. 如請求項1之三維形狀檢測裝置,其中 前述分光特徵值為複數振幅(complex amplitude)、分光反射強度或前述複數振幅及前述分光反射強度。
  3. 如請求項1之三維形狀檢測裝置,其中 前述分光特徵值為複數振幅, 前述分光特徵值算出部,係依據事先算出的前述第一區域之複數振幅、藉由前述分光反射強度測定部所測定的多個前述分光反射強度、以及前述面積率來計算前述第二區域之複數振幅。
  4. 如請求項1之三維形狀檢測裝置,其中 前述分光特徵值為複數振幅及分光反射強度, 前述分光特徵值算出部,係依據事先算出的前述第一區域之複數振幅、事先算出的前述第一區域之分光反射強度、藉由前述分光反射強度測定部所測定的多個前述分光反射強度、以及前述面積率來計算前述第二區域之複數振幅及前述第二區域之分光反射強度。
  5. 如請求項1之三維形狀檢測裝置,其中 前述分光特徵值為分光反射強度, 前述分光特徵值算出部,係依據事先算出的前述第一區域之分光反射強度、藉由前述分光反射強度測定部所測定的分光反射強度、以及前述面積率來計算前述第二區域之分光反射強度。
  6. 如請求項3或4之三維形狀檢測裝置,其中 還具備:構造變更部,用於變更前述第一區域之構造; 前述多個前述分光反射強度,係藉由前述構造變更部變更的前述第一區域之構造中的多個分光反射強度。
  7. 如請求項6之三維形狀檢測裝置,其中 前述構造變更部為電漿蝕刻裝置。
  8. 一種面積率推論方法,係將光點照射至對象,針對檢測前述照射有的光點之視野內的三維形狀的情況下所使用的面積率進行推論者,該面積率推論方法,係對被射出的光照明的前述對象之圖像進行攝影,依據前述攝影的圖像來推論前述面積率, 前述面積率為第一區域之面積與第二區域之面積的面積率, 前述第一區域為前述光點之視野內的區域, 前述第二區域為前述光點之視野內的前述第一區域以外之區域。
  9. 一種三維形狀檢測方法,係將光點照射至對象,對前述照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測者,該三維形狀檢測方法具有: 對分光反射強度進行測定的步驟; 依據前述已測定的分光反射強度計算前述光點之視野內的第一區域中的分光特徵值的步驟; 對被射出的光照明的前述對象之圖像進行攝影,依據前述攝影的圖像對前述第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論的步驟;及 依據前述推論出的面積率計算三維形狀的步驟; 前述第二區域為前述光點之視野內的前述第一區域以外之區域。
  10. 如請求項9之三維形狀檢測方法,其中 前述分光特徵值為複數振幅, 前述計算分光特徵值的步驟,係依據事先算出的前述第一區域之複數振幅、前述已測定的多個前述分光反射強度、以及前述面積率來計算前述第二區域之複數振幅。
  11. 如請求項9之三維形狀檢測方法,其中 前述分光特徵值為複數振幅及分光反射強度, 計算前述分光特徵值的步驟,係依據事先算出的前述第一區域之複數振幅、事先算出的前述第一區域之分光反射強度、前述已測定的多個前述分光反射強度、以及前述面積率來計算前述第二區域之複數振幅及前述第二區域之分光反射強度。
  12. 如請求項9之三維形狀檢測方法,其中 前述分光特徵值為分光反射強度, 計算前述分光特徵值的步驟,係依據事先算出的前述第一區域之分光反射強度、前述已測定的分光反射強度、以及前述面積率來計算前述第二區域之分光反射強度。
  13. 一種電漿處理裝置,係具備:處理室,對試料進行電漿處理;高頻電源,供給用於生成電漿的高頻電力;試料台,用於載置前述試料;及三維形狀檢測裝置,將光點照射至前述試料之對象,對前述照射有光點之視野內的三維形狀進行檢測;其中 前述該三維形狀檢測裝置具備: 分光反射強度測定部,用於測定分光反射強度; 分光特徵值算出部,依據藉由前述分光反射強度測定部測定的分光反射強度來計算前述光點之視野內的區域亦即第一區域之分光特徵值; 面積率推論部,對被射出的光照明的前述對象之圖像進行攝影,依據前述攝影的圖像對前述第一區域之面積與第二區域之面積的面積率進行推論;及 控制裝置,依據前述推論出的面積率計算三維形狀; 前述第二區域為前述光點之視野內的前述第一區域以外之區域。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR102399816B1 (ko) * 2019-08-05 2022-05-20 주식회사 히타치하이테크 플라스마 처리 장치

Family Cites Families (27)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
IL130874A (en) * 1999-07-09 2002-12-01 Nova Measuring Instr Ltd System and method for measuring pattern structures
JP2004022822A (ja) 2002-06-17 2004-01-22 Shibaura Mechatronics Corp プラズマ処理方法および装置
JP3984116B2 (ja) * 2002-07-09 2007-10-03 株式会社東芝 フォトマスクの製造方法
JP2005337927A (ja) * 2004-05-27 2005-12-08 Hitachi High-Technologies Corp 膜厚計測方法および膜厚計測装置
JP4447970B2 (ja) * 2004-06-14 2010-04-07 キヤノン株式会社 物体情報生成装置および撮像装置
JP2006100619A (ja) * 2004-09-30 2006-04-13 Renesas Technology Corp 半導体装置の製造方法および半導体装置
JP4996049B2 (ja) * 2004-10-14 2012-08-08 株式会社日立ハイテクノロジーズ 薄膜デバイスの膜厚計測方法及び膜厚計測装置
JP2007067037A (ja) 2005-08-30 2007-03-15 Hitachi High-Technologies Corp 真空処理装置
JP5186129B2 (ja) * 2006-08-25 2013-04-17 大日本スクリーン製造株式会社 溝パターンの深さの測定方法および測定装置
TWI404165B (zh) 2007-04-02 2013-08-01 Sosul Co Ltd 基材支撐裝置及包含該裝置之電漿蝕刻裝置
US20090297404A1 (en) 2008-05-29 2009-12-03 Applied Materials, Inc. Plasma reactor with high speed plasma impedance tuning by modulation of source power or bias power
JP5419666B2 (ja) 2009-06-12 2014-02-19 三菱重工業株式会社 基板処理装置
JP2011228436A (ja) 2010-04-19 2011-11-10 Hitachi High-Technologies Corp プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP5876040B2 (ja) * 2010-06-17 2016-03-02 ノヴァ・メジャーリング・インストゥルメンツ・リミテッド パターン化構造の光学検査を最適化するための方法およびシステム
JP2012018097A (ja) * 2010-07-08 2012-01-26 Elpida Memory Inc パターン測定方法およびパターン測定装置
CN102072708B (zh) * 2010-11-16 2012-01-04 杨诚 一种光学检测装置
JP2013148447A (ja) * 2012-01-19 2013-08-01 Elpida Memory Inc パターン測定装置およびパターン測定方法
KR101394436B1 (ko) * 2012-08-20 2014-05-13 (주) 루켄테크놀러지스 3차원 표면 형상 측정장치 및 3차원 표면 형상 측정방법
JP6207880B2 (ja) 2012-09-26 2017-10-04 東芝メモリ株式会社 プラズマ処理装置およびプラズマ処理方法
JP6246875B1 (ja) * 2016-08-24 2017-12-13 Ckd株式会社 計測装置
CN206178339U (zh) * 2016-10-31 2017-05-17 厦门天马微电子有限公司 一种掩膜板和阵列基板
CN106546604B (zh) * 2016-11-02 2019-04-05 山西大学 一种青铜器表面及亚表面微缺陷检测方法及系统
US20180286643A1 (en) * 2017-03-29 2018-10-04 Tokyo Electron Limited Advanced optical sensor, system, and methodologies for etch processing monitoring
JP6285597B1 (ja) * 2017-06-05 2018-02-28 大塚電子株式会社 光学測定装置および光学測定方法
JP6703508B2 (ja) 2017-09-20 2020-06-03 株式会社日立ハイテク プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
CN107678167A (zh) * 2017-10-17 2018-02-09 京东方科技集团股份有限公司 三维显示面板和显示装置
CN108580896A (zh) * 2018-06-29 2018-09-28 中国兵器装备研究院 一种双光束高表面质量的快速增材制造设备

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