TW202045287A

TW202045287A - 以雷射開窗形成光學擋牆的方法及光學擋牆結構

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Publication number: TW202045287A
Application number: TW108120738A
Authority: TW
Inventors: 李蕙如
Original assignee: 培英半導體有限公司
Priority date: 2019-06-14
Filing date: 2019-06-14
Publication date: 2020-12-16
Also published as: TWI784175B

Abstract

本發明提供一種光學擋牆結構，其包括一基板、一第一擋牆層、一雷射遮蔽銅層及一第二擋牆層，基板具有一工作面，第一擋牆層形成於工作面上，且第一擋牆層圍構一裸露工作面的第一開窗；雷射遮蔽銅層形成於第一擋牆層的一上表面但不形成於圍構第一開窗的側壁；第二擋牆層形成於雷射遮蔽銅層上，且第二擋牆層圍構一第二開窗，第二擋牆層的橫截面積小於第一擋牆層，第二開窗的輪廓大於第一開窗，且第二開窗裸露雷射遮蔽銅層的一部分。本發明還提供一種以雷射開窗形成光學擋牆的方法。

Description

以雷射開窗形成光學擋牆的方法及光學擋牆結構

本發明是關於一種光電機構的製作方法及結構，特別是關於一種在光電機構上形成擋牆的製作方法及其結構。

現有的光感測器包括一發光單元及一感光單元，發光單元所發射的光線被偵測物反射後，可由感光單元接收並輸出一感測訊號。為了避免發光單元所發出的光線直接傳遞到感光單元，現有的光感測器會在發光單元與感光單元之間設置擋牆，讓發光單元只在預定的方向發出光線，並讓感光單元只感測來自預定方向的光線，藉此增加光感測器的可靠度。

現有光感測器的擋牆多是藉由射出成型（injection molding）等模塑方式來形成，但此製程有其不足在於：（1）易有溢膠問題，因而降低良率；（2）易因模塑偏移（mold shift）而影響精度，且不利小型化；（3）需針對不同擋牆造型分別製作模具，因而增加成本。

有鑑於此，本發明之主要目的在於提供一種可提高精度並降低成本的光電機構製程。

為了達成上述及其他目的，本發明提供一種以雷射開窗形成光學擋牆的方法，包括：提供一基板，該基板具有一工作面；將一第一擋牆膜形成於該工作面，該第一擋牆膜具有一第一擋牆區及一第一非擋牆區；在該第一擋牆膜進行雷射雕刻前，將一第二擋牆膜形成於該第一擋牆膜上，該第二擋牆膜具有一第二擋牆區及一第二非擋牆區，該第二擋牆區位於該第一擋牆區上，且該第二擋牆區的橫截面積不大於該第一擋牆區；利用雷射光束將該第一、第二非擋牆區移除，保留該第一、第二擋牆區，其中該第一、第二擋牆區圍構一裸露該工作面的開窗。

為了達成上述及其他目的，本發明還提供一種光學擋牆結構，其包括一基板、一第一擋牆層、一雷射遮蔽銅層及一第二擋牆層，基板具有一工作面，第一擋牆層形成於工作面上，且第一擋牆層圍構一裸露工作面的第一開窗；雷射遮蔽銅層形成於第一擋牆層的一上表面但不形成於圍構第一開窗的側壁；第二擋牆層形成於雷射遮蔽銅層上，且第二擋牆層圍構一第二開窗，第二擋牆層的橫截面積小於第一擋牆層，第二開窗的輪廓大於第一開窗，且第二開窗裸露雷射遮蔽銅層的一部分。

經由上述方法所形成的擋牆精度高，加工成本得以下降，且光電機構的電路設計自由度得以提高，即便修改開窗位置或形狀，也不須如先前技術般重新製作或修改模具。並且，通過在擋牆層之間形成雷射遮蔽銅層的方法，能夠在一次雷射雕刻作業中使多層擋牆層具有不同的輪廓，藉此大幅提高設計自由度。

本發明是一種以雷射開窗形成光學擋牆的方法及其光學擋牆結構，所述光學擋牆結構可應用於發光設備、感光設備或同時具有發光與感光功能的設備，例如先前技術所述的光感測器，所述光感測器可應用於但不限於遙控器、側距儀。

以下通過第1至12圖說明以雷射開窗形成光學擋牆的方法的其中一實施方式。

請參考第1圖，首先提供一基板10，其具有一工作面11，該基板10可以是預製有電路的電路板或LED用的導線架，舉例而言，基板10具有絕緣基材及形成於絕緣基材的電路結構及電接點，所述絕緣基材例如是環氧樹脂、玻璃布（woven glass）、聚酯或其他常用於製作電路板基材的材質。

接著，請參考第2圖，利用層合機將一光可固化或熱可固化的第一擋牆膜20層合於工作面11，圖式中所繪示的虛線表現第一擋牆膜20一第一擋牆區21及一第一非擋牆區22之間的邊界，第一擋牆區21例如成環狀，第一非擋牆區22至少一部分被包圍在第一擋牆區21之間。在第1圖所繪示的狀態中，第一擋牆膜20處於尚未完全固化的狀態，此時第一擋牆區21及第一非擋牆區22在化學結構上尚無實質差異；第一擋牆膜20形成於工作面11後，可被進一步光固化或熱固化。在層合於工作面11前，所述第一擋牆膜20例如是預先形成於一乘載膜上，乘載膜在第一擋牆膜20層合於工作面11後被移除，所述承載膜可為聚乙烯對苯二甲酸酯（PET）或其他聚酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醯胺醯亞胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的實施方式中，第一擋牆膜20為黑色而可吸收大部分的光線。在其他可能的實施方式中，第一擋牆膜也可以通過將未固化的擋牆漿料通過網版印刷或其他塗布方式塗布在工作面上，而後進行固化而形成。

如第3圖所示，以化學鍍、濺鍍或其他方式在第一擋牆膜20的上表面201形成一雷射遮蔽銅層30。

接著，如第4圖所示，在雷射遮蔽銅層30上形成一光阻層31，並對光阻層31選擇性照射、曝光。

再接著，如第5圖所示，以顯影液將對正對第一非擋牆區22的光阻層31的部分選擇性移除，裸露底下的雷射遮蔽銅層30。

然後，如第6圖所示，以蝕刻液將正對第一非擋牆區22的雷射遮蔽銅層30的部分選擇性移除，裸露底下的第一擋牆層20，特別是裸露底下的第一非擋牆區22。

如第7圖所示，移除光阻層。

如第8圖所示，在第一擋牆膜20進行雷射雕刻前且已經被預先固化後，將一光可固化或熱可固化的第二擋牆膜40形成於第一擋牆膜20上，其中第二擋牆膜40的一部分還覆蓋雷射遮蔽銅層30。與第一擋牆膜20相似，第二擋牆膜40同樣具有一第二擋牆區41及一第二非擋牆區42，第二擋牆區41位於第一擋牆區21上方，且第二擋牆區41的橫截面積不大於第一擋牆區21，亦即，第二擋牆區41的輪廓相當於或小於第一擋牆區21。相似地，在層合於第二擋牆膜20前，未完全固化的第二擋牆膜40也例如是預先形成於一乘載膜上，第二擋牆膜40形成於第一擋牆膜20後，可被進一步光固化或熱固化，乘載膜可在第二擋牆膜40層合於第一擋牆膜20後被移除，所述承載膜可為聚乙烯對苯二甲酸酯（PET）或其他聚酯薄膜、聚醯亞胺薄膜、聚醯胺醯亞胺薄膜、聚丙烯薄膜、聚苯乙烯薄膜。在可能的實施方式中，第二擋牆膜40同樣為黑色而可吸收大部分的光線。在其他可能的實施方式中，第二擋牆膜也可以通過將未固化的擋牆漿料通過網版印刷或其他塗布方式塗布在第一擋牆膜上，而後進行固化而形成。

如第9圖所示，利用雷射雕刻機發射雷射光束，選擇性地將第一、第二非擋牆區22、42移除，其中，部分雷射光束雖然穿透了第二非擋牆區42，但因為被雷射遮蔽銅層30遮蔽，而無法再繼續深入，藉此保留雷射遮蔽銅層30底下的第一擋牆區21，形成第10圖所示的狀態，留下來的第一、第二擋牆區21、41分別作為第一、第二擋牆層20A、40A，第一擋牆層20A圍構一第一開窗601，第二擋牆層40A圍構一第二開窗602，第一、第二開窗601、602的組合為一個可裸露工作面11的開窗60。本實施例中，第二擋牆層40A的橫截面積小於第一擋牆層20A，且第二開窗602的輪廓大於第一開窗601，這樣的漸擴型開窗有助於機械手臂或其他機構作業。

接著，如第11圖所示，在開窗60內的工作面11上形成光電單元70，光電單元70的數量可視需求而定，且光電單元70為發光單元及感光單元其中一者，且第一、第二擋牆層20A、40A及雷射遮蔽銅層30的組合所形成的擋牆高於光電單元70，而用以阻擋光線。光電單元70可與基板10上的電路結構或電接點形成電性連接，所述電性連接例如是通過打線接合（wire bonding）實現；在光電單元為覆晶LED的場合或其他適當的情形中，可以省略打線接合步驟。發光單元例如為LED，感光單元例如為CCD或CMOS，發光單元用以發射光線，感光單元用以感測光線，所述光線可為可見光或不可見光，例如紅外線。

接著，如第12圖所示，於開窗60內點膠，所點的膠體80為可透光膠體，例如透明膠或螢光膠，用以保護所述光電單元70及/或用以發出預選波長的光線，亦即，所製得的光學擋牆結構具有一基板10、一具有第一開窗601的第一擋牆層20A、一形成於第一擋牆層20A的上表面但不形成於圍構第一開窗601的側壁的雷射遮蔽銅層30、一具有第二開窗602的第二擋牆層40A、一形成於工作面11上且位於開窗60內的光電單元70、以及一形成於開窗60內的膠體80。

需說明的是，前述實施例僅以兩層擋牆層為例進行說明，在本發明其他可能的實施方式中，也可以通過類似的多層層疊方法形成更多層的擋牆層，例如在第13圖所示的實施例中，所製得的光學擋牆結構具有一基板10、一具有第一開窗601的第一擋牆層20A、一形成於第一擋牆層20A的上表面但不形成於圍構第一開窗601的側壁的雷射遮蔽銅層30、一具有第二開窗602的第二擋牆層40A、一形成於第二擋牆層40A的上表面但不形成於圍構第二開窗602的側壁的雷射遮蔽銅層35、一具有第三開窗603的第三擋牆層50A、一形成於工作面11上且位於開窗60內的光電單元70、以及一形成於開窗60內的膠體80。

綜合上述，通過在擋牆層之間形成雷射遮蔽銅層的方法，能夠在一次雷射雕刻作業中使多層擋牆層具有不同的輪廓，藉此大幅提高設計自由度。

在其他可能的實施方式中，可以通過調整雷射光束中心區及外圍區的雷射強度，使得雷射光束中心區具有較強的穿透能力，藉此在不設置雷射遮蔽銅層的情況下，也能形成階梯狀或漸擴狀的開窗。

10:基板 11:工作面 20:第一擋牆膜 20A:第一擋牆層 201:上表面 21:第一擋牆區 22:第一非擋牆區 30、35:雷射遮蔽銅層 31:光阻層 40:第二擋牆膜 40A:第二擋牆層 41:第二擋牆區 42:第二非擋牆區 50A:第三擋牆層 60:開窗 601:第一開窗 602:第二開窗 603:第三開窗 70:光電單元 80:膠體

第1至12圖為本發明第一實施例的製作方法示意圖。

第13圖為本發明光學擋牆結構的另一實施例。

10:基板

11:工作面

20A:第一擋牆層

30:雷射遮蔽銅層

40A:第二擋牆層

60:開窗

601:第一開窗

602:第二開窗

70:光電單元

80:膠體

Claims

一種以雷射開窗形成光學擋牆的方法，包括：提供一基板，該基板具有一工作面；將一第一擋牆膜形成於該工作面，該第一擋牆膜具有一第一擋牆區及一第一非擋牆區；在該第一擋牆膜進行雷射雕刻前，將一第二擋牆膜形成於該第一擋牆膜上，該第二擋牆膜具有一第二擋牆區及一第二非擋牆區，該第二擋牆區位於該第一擋牆區上，且該第二擋牆區的橫截面積不大於該第一擋牆區；利用雷射光束將該第一、第二非擋牆區移除，保留該第一、第二擋牆區，其中該第一、第二擋牆區圍構一裸露該工作面的開窗。
如請求項1所述以雷射開窗形成光學擋牆的方法，其中該第二擋牆區的橫截面積小於該第一擋牆區。
如請求項1所述以雷射開窗形成光學擋牆的方法，更包括：在該第一、第二非擋牆區被移除後，在該開窗內的工作面上形成至少一光電單元，該光電單元為發光單元及感光單元其中一者。
如請求項3所述以雷射開窗形成光學擋牆的方法，更包括：在該開窗內設置該至少一光電單元之後，更在該開窗內點膠。
如請求項1所述以雷射開窗形成光學擋牆的方法，其中該第一擋牆膜形成於該工作面時尚未完全固化，該第二擋牆膜形成於該第一擋牆膜前，該第一擋牆膜被完全固化。
如請求項1至5中任一項所述以雷射開窗形成光學擋牆的方法，其中該第一擋牆膜形成於該工作面後，更在該第一擋牆膜上形成一裸露該第一非擋牆區但覆蓋該第一擋牆區的雷射遮蔽銅層，該第二擋牆膜形成於該第一擋牆膜時，該第二擋牆膜的一部分是覆蓋於該雷射遮蔽銅層。
一種光學擋牆結構，包括：一基板，具有一工作面；一形成於該工作面上的第一擋牆層，該第一擋牆層圍構一第一開窗，該工作面在該第一開窗中裸露；一雷射遮蔽銅層，形成於該第一擋牆層的一上表面但不形成於圍構該第一開窗的側壁；以及一形成於該雷射遮蔽銅層上的第二擋牆層，該第二擋牆層圍構一第二開窗，該第二擋牆層的橫截面積小於該第一擋牆層，該第二開窗的輪廓大於該第一開窗，且該第二開窗裸露該雷射遮蔽銅層的一部分。
如請求項7所述的光學擋牆結構，更包括至少一光電單元形成於該第一、第二開窗內的工作面上。