TW202043871A - 顯示裝置 - Google Patents

Abstract

一種顯示裝置，包括：基板，其包括顯示區域及在該顯示區域周圍的周邊區域；在顯示區域中沿第一方向延伸之複數條掃描線；在顯示區域中沿與第一方向相交的第二方向延伸之複數條資料線；以及位於周邊區域中之複數個資料扇出單元，複數個資料扇出單元中的每一個包括電連接至複數條資料線的資料扇出線；其中，在複數個資料扇出單元中，資料扇出線交替設置，並包括位於不同層之第一資料扇出線及第二資料扇出線，且相鄰之最外側的資料扇出線為第一資料扇出線或第二資料扇出線，相鄰之最外側資料扇出線分別包括在複數個資料扇出單元中彼此相鄰的兩個資料扇出單元中。

Description

顯示裝置

相關申請案之交互參照

本案主張2019年3月12日提交至韓國智慧財產局之韓國專利申請案號10-2019-0028156之優先權及效益，其全部內容藉由參照而併入本文中。

本發明的示例性實施方式涉及一種顯示裝置，更具體地，涉及一種具有使訊號干擾最小化之資料扇出單元的顯示裝置。

隨著在視覺上表達諸如資料及圖像之各種類型的電訊號資訊的顯示領域的迅速發展，已經引入了具有諸如纖薄外型、輕便及低功耗等優異特性之各種平板顯示裝置，並且這些顯示裝置之解析度也有所提高。

當增加顯示裝置之解析度時，將電訊號傳輸至顯示區域之佈線數量不可避免地增加，其結果是，由於當減小相鄰佈線之間的間隔時發生的意外耦合(干擾)，可能會降低顯示裝置的圖像品質。

在此背景技術部分中所揭露之上述資訊僅用於理解本發明概念，因此，其可能含有不構成現有技術之資訊。

申請人發現，藉由將相鄰的訊號線設置在不同層中，可以減少或防止顯示裝置中之訊號線之間的干擾，例如資料扇出線。申請人進一步發現，將相鄰資料扇出單元之最外側的線設置在同一層中會導致例如亮度上的不良偏差。

根據本發明之原理及示例性實施方式建構的顯示裝置提供了優異的圖像品質，並且防止或減少了將電訊號傳輸至顯示區域之佈線之間的干擾發生。例如，根據一個或多個示例性實施方式，向顯示區域施加電訊號之扇出單元中的至少一些包括位於不同層上並交替設置的第一扇出線及第二扇出線，從而減少或防止扇出線之間的干擾。

此外，根據一個或多個示例性實施方式，設置在彼此相鄰且分別彼此相鄰之兩個相鄰的扇出單元中的最外側的扇出線包括位於同一層上的第一扇出線或第二扇出線 從而最小化或防止在顯示裝置中發生亮度偏差。

本發明概念之附加特徵將在以下說明中闡述，並且部分地將從該說明中變得顯而易見，或者可藉由實施本發明概念來獲知。

根據一個或多個實施例，一種顯示裝置包括：基板，其包括顯示區域及圍繞該顯示區域之周邊區域；在顯示區域中沿第一方向延伸之複數條掃描線；在顯示區域中沿與第一方向相交的第二方向延伸之複數條資料線；以及位於周邊區域中之複數個資料扇出單元，該複數個資料扇出單元中的每一個包括電連接至該複數個資料線之資料扇出線；其中，在該複數個資料扇出單元中的每一個，資料扇出線包括交替設置並位於不同層上之第一資料扇出線及第二資料扇出線，且相鄰之最外側扇出線為第一資料扇出線或第二資料扇出線，相鄰之最外側的資料扇出線分別包括在複數個資料扇出單元中彼此相鄰之兩個資料扇出單元中。

包括在兩個資料扇出單元中之第一資料扇出線及第二資料扇出線可被設置為相對於最外側的資料扇出線彼此對稱。

複數個資料扇出單元中的每一個可包括：與顯示區域相鄰的連接單元、與連接單元相對的墊單元、以及在連接單元與墊單元之間的延伸單元，以及延伸單元可包括在第一區域的相對兩側上的第一區域及第二區域以及第三區域，並且複數個資料扇出單元可在第一區域中包括彎曲圖案。

第二區域的形狀及第三區域的形狀可以彼此不同。

複數個像素可設置在顯示區域中，複數個像素電連接至複數條掃描線及複數條資料線，並且複數個像素中的每一個可包括一具有薄膜電晶體之像素電路，以及與薄膜電晶體電連接之發光元件。

薄膜電晶體可包括活化層、閘極電極、源極電極及汲極電極，第一閘極絕緣層可設置在活化層與閘極電極之間，第二閘極絕緣層可設置在閘極電極、源極電極與汲極電極之間，以及第一閘極絕緣層及第二閘極絕緣層中之每一層可延伸至周邊區域並且包括無機材料。

閘極電極及第一資料扇出線可設置在同一層上並且可包括相同的材料。

第二資料扇出線可設置在第二閘極絕緣層上。

顯示裝置進一步可包括在第二資料扇出線上之層間絕緣層，其中，源極電極及汲極電極可設置在顯示區域中之層間絕緣層上。

發光元件可包括一有機發光二極體。

應當理解的是，前述之一般說明及下述之詳細說明都是示例性及解釋性的，並且其旨在提供對本發明之申請專利範圍的進一步解釋。

在下面之說明中，出於解釋之目的，闡述了許多具體細節，以便提供對本發明的各種示例性實施例或實施方式之透徹理解。如本文所用"實施例"及"實施方式"是可互換的詞，其是採用本文所揭露之一個或多個發明概念的裝置或方法的非限制性示例；然而，顯而易見的是，可在沒有這些具體細節或具有一個或多個等效設置之情況下實踐各種示例性實施例；在其他實例中，以方塊圖形式示出了習知之結構及設備，以避免不必要地混淆各種示例性實施例；此外，各種示例性實施例可以是不同的，但是不必是排他的；例如，在不脫離本發明概念的情況下，可在另一示例性實施例中使用或實現示例性實施例之特定形狀、配置及特徵。

除非另有說明，否則所說明之示例性實施例應理解為提供一些可在實踐中實現本發明概念之方式的細節變化的示例性特徵；因此，除非另有說明，否則可將各種實施例之特徵、組件、模塊、層、膜、面板、區域及/或面等(下文中單獨或統稱為"元件")進行組合、 分離、互換及/或重新設置，而不脫離本發明概念。

一般在附圖中使用交叉影線及/或陰影來闡明相鄰要素之間的邊界。因此，無論是否存在交叉影線或陰影都不能傳達或表明對特定材料、材料特性、尺寸、比例、所示元件之間的共通性及/或任何其他特徵、屬性，特性等，除非另有說明；此外，在附圖中，為了清楚及/或描述性目的，可能誇大了元件的尺寸及相對尺寸；當示例性實施例可以不同地實現時，可與所描述之順序不同地執行特定處理順序；例如，兩個連續描述之過程可以基本上同時執行或以所描述之順序相反的順序執行；同理，相同之的參考數字表示相同的元件。

當諸如層之類的元件被稱為"在"另一元件或層"上"，"連接至"或"耦合至"另一元件或層時，其可直接在另一元件或層之上，連接至或耦合至另一元件或層。要素或層或中間元件或層可以存在。然而，當元件或層被稱為"直接在"另一元件或層"上"， "直接連接至"或"直接耦合至"另一元件或層時，則不存在中間元件或層。為此，術語"連接"可以指具有或不具有中間元件的物理、電氣及/或流體連接。此外，D1軸，D2軸及D3軸不限於直角坐標系的三個軸，例如x、y及z軸，並且可在更廣泛的意義上進行解釋；例如，D1軸、D2軸及D3軸可以彼此垂直，或者可以表示彼此不垂直之不同方向。為了本發明之目的，"X、Y及Z中的至少一個"及"選自由X、Y及Z組成之群中的至少一個"可被解釋為僅X、僅Y、僅Z，或X、Y及Z中兩個或多個的任意組合，例如XYZ、XYY、YZ及ZZ。如本文所使用之術語"及/或"包括一個或多個相關聯列出之項目的任何及所有組合。

儘管術語"第一"、"第二"等在本文中可用於描述各種類型的元件，但是這些元件不應受這些術語的限制。 這些術語用於將一個元件與另一個元件區隔開。因此，在不脫離本發明之教示的情況下，下面討論的第一元件可以被稱為第二元件。

空間相對術語，例如"之下"、"下方"、"下面"、"下部"、"上方"、"上部"、"之上"、"上面"、"側"(例如"側壁")等在本文中可用於描述性目的，從而在該附圖中描述一個元件與另一元件的關係；空間相對術語旨在涵蓋除附圖中描繪的方位以外的設備在使用、操作及/或製造中的不同方向。例如，如果附圖中的裝置被翻轉，則所述為在其他元件或特徵"下方"或"之下"的元件將被定向為在其他元件或特徵"上方"。因此，示例性術語"下方"可以包括上方及下方兩個方向。此外，該裝置可以其他方式定向(例如，旋轉90度或其他方向)，因此，本文中所使用的空間相對描述語被相應地解釋。

本文使用的術語是出於描述特定實施例之目的而非限制性的。如本文所使用的單數形式"一"、"一個"及"該"也旨在包括複數形式，除非上下文另外明確指出。此外，當在本說明書中使用該術語"包括"、"包含"、"涵蓋"及/或"涵括"時，其指定所述之特徵、整數、步驟、操作、要素、組件及/或其群組，但不排除一個或多個其他特徵、整數、步驟、操作、要素、組件及/或其群組之存在或添加。還應注意，如本文所使用的術語"基本上"、"大約"及其他類似術語被用作近似術語而不是程度術語，因此，被用於解釋測量、計算及/或提供數值之固有偏差將被本領域中的普通技術人員所識別。

本文所參考之截面圖及/或分解圖描述了各種示例性實施例，其為理想之示例性實施例及/或中間結構之示意圖。故例如由於製造技術及/或公差導致的圖示形狀之變化是可預期的。因此，本文公開的示例性實施例不須被解釋為限於該區域的特定圖示形狀，而是包括由例如製造引起的形狀偏差。以此方式，該附圖中所示之區域本質上為示意性的，且該區域的形狀可能無法反映裝置區域的實際形狀，故該圖並不旨在限制。

除非另有定義，否則本文中使用的所有術語（包括技術術語及科學術語）具有與本發明內容所屬之該技術領域具通常知識者所理解的相同含義。術語，例如在常用詞典中定義的術語，應解釋為具有與相關領域中之含義一致的含義，且不應以理想化或過於正式的意義來解釋，除非在此明確定義。

在下文中，將參考附圖更全面地描述本發明，在附圖中示出了本發明的示例實施例；當參考附圖進行描述時，附圖中相同之元件符號表示相同或對應的元件。

第1圖係根據示例性實施例之顯示裝置10的平面圖，第2圖係第1圖之顯示裝置10的一個(子)像素的等效電路圖。

參照第1圖，根據示例性實施例之顯示裝置10，其包括在圖像顯示之顯示區域DA及在顯示區域DA外部的周邊區域PA。可以理解，基板100包括顯示區域DA及周邊區域PA。

可在顯示區域DA中設置在第一方向上延伸的複數條掃描線SL及在與第一方向相交的第二方向上延伸的複數條資料線DL。複數個資料扇出單元DF及複數個閘極扇出單元GF可設置在周邊區域PA中。資料扇出單元DF可設置成大致上平行於掃描線SL延伸的行，而閘極扇出單元GF可設置成大致上平行於資料線DL延伸的列。

每一個資料扇出單元DF包括複數條資料扇出線DFL。每一條資料扇出線DFL的一端電連接至相應的資料墊DP，而另一端電連接至相應的資料線DL。每一個資料扇出單元DF之資料扇出線DFL之間的間隔(間距)從資料線DL朝向資料墊DP變窄。

諸如驅動集成電路之類的外部設備可以電連接至資料墊DP。例如，包括資料驅動器的驅動集成電路可以玻璃上晶片(COG)方法與資料墊DP結合，並安裝在基板100的周邊區域PA中。作為另一示例，資料墊DP可以是連接至設置有驅動集成電路的柔性印刷電路板上。

每一個閘極扇出單元GF包括複數條閘極扇出線GFL。每一個閘極扇出線GFL的一端電連接至相應的閘極墊GP，並且其另一端電連接至相應的掃描線SL。每一個閘極扇出單元GF的閘極扇出線GFL之間的間隔(間距)從掃描線SL朝向閘極墊GP變窄。

諸如驅動集成電路之類的外部設備可以電連接至閘極墊GP。例如，包括閘極驅動器的驅動集成電路可以玻璃上晶片(COG)方法與閘極墊GP結合，並安裝在基板100的周邊區域PA中。作為另一示例，閘極墊GP可以是連接至設置有驅動集成電路的柔性印刷電路板上。

複數個(子)像素P形成在顯示區域DA之資料線DL及閘極線GL相交的部分中，(子)像素P電連接至資料線DL及閘極線GL。

第2圖示出了一個(子)像素P的等效電路圖示例。參照第2圖，(子)像素P可以包括像素電路PC及發光元件，該像素電路 PC連接至掃描線SL及資料線DL，以及發光元件連接至像素電路PC。發光元件可包括例如有機發光二極體OLED。

像素電路PC可包括驅動薄膜電晶體Td、開關薄膜電晶體Ts及儲存電容器Cst。開關薄膜電晶體Ts可連接至掃描線SL及資料線DL，並且可以響應於藉由掃描線SL輸入之掃描訊號而將藉由資料線DL輸入之資料訊號傳輸至驅動薄膜電晶體Td。儲存電容器Cst可連接至開關薄膜電晶體Ts及驅動電壓線PL，並且可以儲存與從開關薄膜電晶體Ts傳輸之電壓及提供給驅動電壓線PL之驅動電壓ELVDD之間的差值相對應的電壓。

驅動薄膜電晶體Td可連接至驅動電壓線PL及儲存電容器Cst，並且可以響應在儲存電容器Cst中儲存之電壓來控制從驅動電壓線PL流過有機發光二極體OLED的驅動電流。有機發光二極體OLED可藉由使用驅動電流來發射具有預定亮度的光。有機發光二極體OLED可發射例如紅、綠、藍或白光。

儘管第2圖示出了一個(子)像素P包括兩個薄膜電晶體及一個儲存電容器的情況，但是示例性實施例不限於此。在另一個示例性實施例中，(子)像素P之像素電路PC可包括三個或更多個薄膜電晶體或兩個或更多個儲存電容器，其可以進行各種修改。

第3圖係沿第1圖中I-I'線截取之截面的示例截面圖。在下文中，參考第3圖詳細描述一個(子)像素之結構。

參照第3圖，薄膜電晶體210及發光元件310可設置在基板100上方，發光元件310電連接至薄膜電晶體210。發光元件310可包括有機發光二極體OLED，並且薄膜電晶體210可對應於參照第2圖描述之像素電路PC(參見第2圖)的驅動薄膜電晶體Td(參見第2圖)。儘管第3圖僅示出了一個薄膜電晶體210，但是為了便於描述，參照第2圖描述之開關薄膜電晶體Ts(參見第2圖)及儲存電容器Cst(參見第2圖)形成在基板100上方。

基板100可以包括各種材料，例如包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)及聚醯亞胺(PI)之塑料。例如，基板100可包括各種柔性或可彎曲的材料。基板100可包括聚合物樹脂，例如聚醚碸(PES)、聚丙烯酸酯、聚醚醯亞胺(PEI)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚苯硫醚(PPS)、聚芳酯、聚醯亞胺(PI)、聚碳酸酯(PC)、以及醋酸丙酸纖維素(CAP)。基板100可包括多層，該多層包括兩層及阻擋層，此兩層分別包括上述聚合物樹脂，阻擋層包括無機材料並設置在兩層之間，且無機材料包括SiO_x 、SiN_x 及/或SiON。基板100可以進行各種修改。

緩衝層110可設置在基板100上。緩衝層110可在基板100上提供平坦之表面，並阻擋穿透基板100之異物等。例如，緩衝層110可包括無機材料如氧化矽、氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧化鈦或氮化鈦，或有機材料如聚醯亞胺、聚酯及丙烯酸。緩衝層110可包括多種上述之示例性材料的堆疊體。

薄膜電晶體210可包括有活化層211、閘極電極213、源極電極215a及汲極電極215b。在下文中，描述針對薄膜電晶體210是頂閘極型(top-gate type)薄膜電晶體的示例性情況，其中有活化層211、閘極電極213、源極電極215a及汲極電極215b依序地設置形成。然而，示例性實施例不限於此，並且可以實現諸如底閘極型(bottom-gate type)薄膜電晶體之各種類型的薄膜電晶體210。

活化層211可包括諸如非晶矽或多晶矽之半導體材料。然而，示例性實施例不限於此，並且活化層211可包括各種材料。在示例性實施例中，活化層211可包括有機半導體材料。在另一個示例性實施例中，活化層211可包括氧化物半導體材料。例如，活化層211可包括第12、13及14族金屬元素，諸如Zn、In、Ga、Sn、Cd、Ge及其組合材料的氧化物。

第一閘極絕緣層121設置在活化層211上。第一閘極絕緣層121可包括單層或多層，其包括諸如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽之無機材料。第一閘極絕緣層121可使活化層211與閘極電極213絕緣，並且不僅延伸至顯示區域DA，還可延伸至周邊區域PA。

閘極電極213設置在第一閘極絕緣層121上。閘極電極213可連接至被施加導通/截止訊號之閘極線到薄膜電晶體210。閘極電極213可包括低電阻金屬材料。例如，閘極電極213可包括含有Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W及Cu中之至少一種的單層或多層。

第二閘極絕緣層122設置在閘極電極213上。第二閘極絕緣層122可包括單層或多層，所述單層或多層包括諸如氧化矽、氮化矽及/或氮氧化矽之無機材料並延伸至周邊區域PA。

設置在第二閘極絕緣層122上的層間絕緣層131不僅可延伸至顯示區域DA，並且可延伸至周邊區域PA。層間絕緣層131可包括單層或包括無機材料的多層。例如，無機材料可包括金屬氧化物或金屬氮化物。具體而言，無機材料可以包括SiO₂ 、SiN_x 、SiON、Al₂ O₃ 、TiO₂ 、Ta₂ O₅ 、HfO₂ 或ZrO₂ 。

源極電極215a及汲極電極215b設置在層間絕緣層131上。亦即，第二閘極絕緣層122及層間絕緣層131使源極電極215a及汲極電極215b與閘極電極213絕緣。

源極電極215a及汲極電極215b可包括含有Al、Pt、Pd、Ag、Mg、Au、Ni、Nd、Ir、Cr、Li、Ca、Mo、Ti、W及Cu中的至少一種的單層或多層。例如，源極電極215a及汲極電極215b可以具有包括Ti、Al及Ti的三層堆疊結構。

源極電極215a及汲極電極215b可藉由形成在第一閘極絕緣層121、第二閘極絕緣層122以及層間絕緣層131中的連接孔個別地連接至活化層211之源極區及汲極區。

平面化層140設置在源極電極215a及汲極電極215b上。平面化層140藉由解決因薄膜電晶體210導致之高度差來防止發光元件310產生缺陷。平面化層140可包括單層或包括有機材料的多層。有機材料可以包括通用聚合物，例如聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)及聚苯乙烯(PS)、具有酚基之聚合物衍生物、丙烯酸基的聚合物、醯亞胺基的聚合物，芳基醚基的聚合物、醯胺基聚合物、氟基聚合物、對二甲苯基聚合物、乙烯醇基聚合物或其混合物。

發光元件310可設置在平面化層140上，發光元件310包括像素電極311、共用電極315及中間層313，中間層313設置在像素電極311與共用電極315之間並包括一發射層。例如，發光元件310可以包括有機發光二極體。

像素電極311可設置在平面化層140上並且藉由形成在平面化層140中的接觸孔電連接至其下方的薄膜電晶體210。像素電極311可具有各種形狀，例如，可藉由光蝕刻法將其圖案化成島狀。

像素電極311可包括例如反射電極。例如，像素電極311可包括反射層及設置在反射層上的透明或半透明電極層，該反射層包括Ag、Mg、Pt、Pd、Au、Ni、Nd、Ir、Cr及其化合物中的至少一種。透明或半透明電極層可以包括ITO、IZO、ITZO、GZO及IGZO中的至少一種。

例如，像素電極311可具有以下之堆疊結構，包括：第一導電層，該第一導電層是透明或半透明的電極層；第二導電層包括Ag；第三導電層為透明或半透明的電極層。此外，包括Ag的第二導電層可以進一步包括具有原子半徑等於或小於Ag的原子半徑之合金元素，以防止Ag的凝聚。合金元素可包括Zn、Ni、Co、Cu、Ga、Ge、Pt、Sb、Mn、W及Mo中的至少一種。

像素定義層150形成在平面化層140上，像素定義層150覆蓋像素電極311的邊緣。像素定義層150藉由包括與每一個像素相對應之開口來定義像素。亦即，開口至少暴露出像素電極311的中心部分。此外，像素定義層150可藉由增加像素電極311與共用電極315的邊緣之間的距離來防止在像素電極311與共用電極315的邊緣之間發生電弧等。像素定義層150可包括至少一種有機絕緣材料，包括聚醯亞胺、聚醯胺、丙烯酸樹脂、苯并環丁烷及酚醛樹脂，並且可藉由旋塗形成。

中間層313可設置在像素電極311之藉由像素定義層150的開口暴露的一部分上。中間層313可包括低分子量或聚合物材料。在中間層313包括低分子量材料的情況下，中間層313可具有空穴注入層(HIL)、空穴傳輸層(HTL)、發射層(EML)、電子傳輸層(ETL)、電子注入層(EIL)等結構以堆疊成單個或複合配置。中間層313可包括各種有機材料，例如銅酞菁(CuPc)，N,N'-二(萘-1-基)- N,N'-二苯基聯苯胺(NPB)以及tris-8-羥基喹啉鋁(Alq3)。這些層可藉由真空沉積形成。

在中間層313包括聚合物材料的情況下，中間層313可具有包括HTL及EML的結構。在這種情況下，HTL可以包括PEDOT，並且EML可以包括聚合物材料，例如，基於聚亞苯基亞乙烯基(PPV)的材料及基於聚芴的材料。中間層313的結構不限於此，並且可進行各種修改。例如，中間層313可包括在複數個像素電極311上是一體的層，或者可包括與複數個像素電極311中的每一個相對應的圖案化層。

共用電極315可被設置為覆蓋顯示區域DA。亦即，共用電極315可被設置為一體以覆蓋複數個發光元件310。共用電極315可包括透明或半透明電極，並且包括具有較小功函數之金屬薄層，並且包括Li、Ca、LiF/Ca、LiF/Al、Al、Ag、Mg及其化合物中的至少一種。此外，可在金屬薄層上進一步形成包括用於透明電極的材料的輔助電極層或匯流電極，用於透明電極的材料包括ITO、IZO、ZnO或In₂ O₃ 。因此，共用電極315可透射從包括在中間層313中之有機發射層發射的光。亦即，從有機發射層發射的光可以直接發射至共用電極315，或者可被包括反射電極的像素電極311反射，然後發射至共用電極315。

然而，根據所示出的示例性實施例之第1圖的顯示裝置10不限於頂部發射型顯示裝置，並且可以是從有機發射層發射的光發射至基板100的底部發射型顯示裝置。在這種情況下，像素電極311可包括透明或半透明電極，並且共用電極315可包括反射電極。此外，第1圖的顯示裝置10可以是在包括頂側及底側的兩個方向上發光之雙發射型顯示裝置。

第4圖係第1圖之顯示裝置10的資料扇出單元的放大平面圖；第5圖係第4圖中沿線II-II'截取之截面的示例截面圖；第6圖6係沿第4圖中沿線III-III'截取之截面的示例截面圖。

第4圖示出了彼此相鄰的第一資料扇出單元DF1及第二資料扇出單元DF2。第一資料扇出單元DF1及第二資料扇出單元DF2表示在第1圖所示之複數個資料扇出單元DF中彼此相鄰的兩個資料扇出單元DF。此外，儘管下文描述了第二資料扇出單元DF2，但是此說明也適用於第一資料扇出單元DF1。

在第二資料扇出單元DF2中設置有複數個資料扇出線DFL。每一條資料扇出線DFL的一端連接至複數個資料版DP之其中一個，而另一端連接至資料線DL(見第1圖)。

資料扇出線DFL在資料扇出區域中彼此間隔。 資料扇出區域可包括墊單元SA1、連接單元SA5以及延伸單元。延伸單元可包括第一區域SA2、第二區域SA3以及第三區域SA4。儘管在第4圖中示出了第二區域SA3及第三區域SA4具有相同的形狀，但是示例性實施例不限於此。亦即，第二區域SA3及第三區域SA4可具有不同的形狀或不同的面積。

連接單元SA5可與顯示區域DA(見第1圖)相鄰，並且複數個資料墊DP設置在與連接單元SA5相對的墊單元SA1中。

第一區域SA2、第二區域SA3以及第三區域SA4設置在墊單元SA1與連接單元SA5之間。第二區域SA3及第三區域SA4設置在第一區域SA2的兩個相對側。在附圖中，第二區域SA3及第三區域SA4可具有三角形之形狀，並且第一區域SA2可具有倒三角形之形狀。

資料扇出線DFL可連接至墊單元SA1中之資料墊DP，並且被設置為使資料扇出線DFL之間的間隔(間距)是固定的。

資料扇出線DFL從墊單元SA1延伸至第一區域SA2。在第一區域SA2中，資料扇出線DFL設置為使資料扇出線DFL之間的間距大致固定。

同時，由於資料墊DP之間的間距小於顯示區域DA(見第1圖)的資料線DL(見第1圖)之間的間距，因此資料扇出線DFL在第二區域SA3及第三區域SA4中沿傾斜方向擴展並延伸。資料扇出線DFL之間的間距在第二區域SA3及第三區域SA4中朝向連接單元SA5增加。其結果是，資料扇出線DFL的長度可以從第二資料扇出單元DF2的中心朝向第二資料扇出單元DF2的外側增加。

因此，取決於第二資料扇出單元DF2的位置，資料扇出線DFL之間的電阻可能產生差異。為了防止這種情況，資料扇出線DFL可在第一區域SA2中包括彎曲圖案。例如，圖案可包括鋸齒形圖案。另外，可藉由增加從第一區域SA2的邊緣朝向第一區域SA2的中心之圖案的彎曲次數來減少資料扇出線DFL之間的電阻差。

資料扇出線DFL可包括交替設置的第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2。在這種情況下，如第5圖所示，第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2可位於不同的層上。

例如，第一資料扇出線DFL1可位於第一閘極絕緣層121上，第二資料扇出線DFL2可位於覆蓋第一資料扇出線之第二閘極絕緣層122上。亦即，第一資料扇出線DFL1及閘極電極213(見第3圖)可由相同材料同時形成。層間絕緣層131、平面化層140及像素定義層150可依序地堆疊在第二資料扇出線DFL2上。

如上所述，當交替設置的第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2位於不同的層上時，由於第一資料扇出線DFL1與第二資料扇出線DFL2之間的間距相較於第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2位於同一層上的時可以減少，即使第一資料扇出線DFL1及DFL2的數量增加，故可防止或最小化彼此相鄰的第一資料扇出線DFL1與第二資料扇出線DFL2之間的短路及干擾。

位於不同層上的第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2意指藉由不同製程形成第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2。這意味著第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2的電阻可能因厚度等方面而不同，以及第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2的不同是由於形成第一資料扇出線DFL1及第二資料扇形線DFL2的製程之間的差異所致。

此外，如上所述，第二區域SA3及第三區域SA4可具有不同的形狀。例如，由於包括在顯示裝置10(見第1圖)中其他元件的設置等原因，當第一資料扇出單元DF1的墊單元SA1及/或第二資料扇出單元DF2的墊單元SA1的位置移動時，由於連接單元SA5的位置不變，所以第二區域SA3及第三區域SA4在第一資料扇出單元DF1及/或第二資料扇出單元DF2可具有不同的形狀。藉由這種配置，在第一資料扇出單元DF1的資料扇出線DFL中最靠近第二資料扇出單元DF2的最外側資料扇出線DFL之長度及第二資料扇出單元DF2的資料扇出線DFL中最靠近第一資料扇出單元DF1的最外側資料扇出線DFL可彼此不同。

在這種狀態下，當第一資料扇出單元DF1最外側之資料扇出線DFL為最鄰近第二資料扇出單元DF2及第二資料扇出單元DF2最外側之資料扇出線為最鄰近第一資料扇出單元DF1形成於不同層上時，兩者之間的電阻差異可能會更大，以及(子)像素P(見第1圖)之間的亮度差異可能明顯地出現，這是由於(子)像素分別從連接至最外側的資料扇出線DF的兩條資料線DL(見第1圖)中接收資料訊號所導致。

因此，如第6圖所示，在製造過程中最外側資料扇出線DFL中不同電阻之形成，可藉由將第一資料扇出單元DF1最外側之資料扇出線DFL及第二資料扇出單元DF2最外側資料扇出線DFL定位在同一層中而避免。藉由這種配置，即使第一資料扇出單元DF1最外側之資料扇出線DFL及第二資料扇出單元DF2最外側之資料扇出線DFL形成之長度不同，由於防止了其間電阻差異的增加，可使顯示裝置10(見第1圖)中產生之亮度差異最小化。

儘管在第6圖中示出了最鄰近第二資料扇出單元DF2之第一資料扇出單元DF1的資料扇出線DFL，以及最鄰近第一資料扇出單元DF1之第二資料扇出單元DF2的資料扇出線DFL，該示例性實施例不限於此。亦即，由於分別包括在第一資料扇出單元DF1及第二資料扇出單元DF2中並且彼此相鄰的最外側的資料扇出線DFL可位於同一層上，因此它們可以是第二資料扇出線DFL2。

此外，由於第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2在第一資料扇出單元DF1及第二資料扇出單元DF2中交替設置並位於不同的層上，第一資料扇出單元DF1及第二資料扇出單元DF2中的第一資料扇出線DFL1及第二資料扇出線DFL2可相對於最外側彼此相鄰的資料扇出線而彼此對稱。

根據示例性實施例，由於向顯示區域DA施加電訊號的複數個扇出單元中的每一個均包括位於不同層上並且交替設置的第一扇出線及第二扇出線，故可防止或減少扇出線之間的干擾發生。

此外，由於彼此相鄰並分別包括在彼此相鄰的兩個扇出單元中的最外側扇出線包括位於同一層上的第一扇出線或第二扇出線，其可防止或最小化顯示裝置產生亮度偏差。本發明的範圍不限於或不受這些作用的限制。

儘管上文已說明了某些示例性實施例及實施方式，但是根據該說明，其他實施例及修改將是顯而易見的。據此，本發明概念不限於該等實施例，而是限於所附申請專利範圍的較寬範圍以及對本技術領域具通常知識者顯而易見之各種明顯的修改及等同設置。

10:顯示裝置 100:基板 110:緩衝層 121:第一閘極絕緣層 122:第二閘極絕緣層 131:層間絕緣層 140:平面化層 150:像素定義層 210:薄膜電晶體 211:活化層 213:閘極電極 215a:源極電極 215b:汲極電極 310:發光元件 311:像素電極 313:中間層 315:共用電極 Cst:儲存電容器 DA:顯示區域 DF,DF1,DF2:資料扇出單元 DFL,DFL1,DFL2:資料扇出線 DL:資料線 DP:資料墊 EVLDD:驅動電壓 GF:閘極扇出單元 GFL:閘極扇出線 GP:閘極墊 OLED:有機發光二極體 P:像素 PA:周邊區域 PC:像素電路 PL:驅動電壓線 SA1:墊單元 SA2:第一區域 SA3:第二區域 SA4:第三區域 SA5:連接單元 SL:掃描線 Td:驅動薄膜電晶體 Ts:開關薄膜電晶體

附圖係併入本說明書中構成本說明書之一部分以提供對本發明之進一步理解、說明本發明之示例性實施例，以及與本說明書一起用於解釋發明概念。

第1圖係根據本發明原理建構之顯示裝置的示例性實施例的平面圖； 第2圖係第1圖之顯示設備的一個代表性(子)像素的等效電路圖； 第3圖係沿第1圖中I-I'線截取之截面的示例截面圖； 第4圖係第1圖之顯示裝置的第一資料扇出單元及相鄰的第二資料扇出單元的放大平面圖； 第5圖係沿著第4圖中II-II'線截取之截面的示例截面圖；以及 第6圖係沿著第4圖中III-III'線截取之截面的示例截面圖。

10:顯示裝置

100:基板

DA:顯示區

DF:資料扇出單元

DFL:資料扇出線

DL:資料線

DP:資料墊

GF:閘極扇出單元

GFL:閘極扇出線

GP:閘極墊

P:像素

PA:周邊區域

SL:掃描線

Claims (10)

1. 一種顯示裝置，其包括： 一基板，其包括一顯示區域及至少部分地圍繞該顯示區域的一週邊區域； 複數條掃描線，在該顯示區域中沿第一方向延伸； 複數條資料線，在該顯示區域中沿著與第一方向相交的第二方向延伸；以及 複數個資料扇出單元，位於該周邊區域中，該複數個資料扇出單元中的每一個包括電連接至該複數條資料線的複數條資料扇出線， 其中，在該複數個資料扇出單元之至少部分中，該複數條資料扇出線包括交替設置並位於不同層上的一第一資料扇出線及一第二資料扇出線； 其中，彼此相鄰之一第一資料扇出單元及一第二資料扇出單元最外側的資料扇出線均為該第一資料扇出線或該第二資料扇出線。
2. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 該複數個資料扇出單元中之兩個相鄰的資料扇出單元所包括的該第一資料扇出線及該第二資料扇出線係設置為相對於相鄰之最外側的資料扇出線而彼此對稱。
3. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 該複數個資料扇出單元之至少部分中包括具有與該顯示區域相鄰的一連接單元、與該連接單元相對的一墊單元、以及設置在該連接單元與該墊單元之間的一延伸單元的資料扇出單元，且 該延伸單元包括一第一區域、一第二區域及一第三區域，該第二區域設置在該第一區域與該第三區域之間，且 該複數個資料扇出單元中之至少部分在該第一區域中包括一彎曲圖案。
4. 如請求項3所述之顯示裝置，其中， 該第二區域及該第三區域具有不同之形狀。
5. 如請求項1所述之顯示裝置，其中， 複數個像素設置在該顯示區域中，該複數個像素電連接至該複數條掃描線及該複數條資料線，且 該複數個像素中的每一個包括一像素電路，該像素電路包括一薄膜電晶體，以及電連接至該薄膜電晶體的一發光元件。
6. 如請求項5所述之顯示裝置，其中， 該薄膜電晶體包括一活化層、一閘極電極、一源極電極及一汲極電極， 一第一閘極絕緣層設置在該活化層與該閘極電極之間， 一第二閘極絕緣層設置在該閘極電極、該源極電極及該汲極電極之間，且 該第一閘極絕緣層及該第二閘極絕緣層中的每一個延伸至該周邊區域並且包括一無機材料。
7. 如請求項6所述之顯示裝置，其中， 該閘極電極及該第一資料扇出線設置於同一層上，並且包括基本上相同之材料。
8. 如請求項7所述之顯示裝置，其中， 該第二資料扇出線設置在該第二閘極絕緣層上。
9. 如請求項8所述之顯示裝置，其進一步包括： 一層間絕緣層，設置在該第二資料扇出線上， 其中，該源極電極及該汲極電極設置在該顯示區域中的該層間絕緣層上。
10. 如請求項5所述之顯示裝置，其中， 該發光元件包括一有機發光二極體。

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