TW202043687A - 基板乾燥腔 - Google Patents

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Abstract

本發明係關於一種基板乾燥腔。該基板乾燥腔包含：一上殼體；一下殼體；一密封部分；一基板放置板；一上供應埠，其經構形以提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應及排放埠，其經構形以藉由該乾燥用超臨界流體之供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後一有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一多噴嘴單元，其經構形以分散透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體以朝向該基板放置板均勻地噴灑。根據本發明，藉由以一分散方式供應該超臨界流體以朝向一基板均勻地噴灑，防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷，增加該基板之乾燥效率，且縮短一程序時間。

Description

基板乾燥腔
本發明係關於一種基板乾燥腔，且更具體而言係關於一種其中藉由以一分散方式供應一超臨界流體以朝向一基板均勻地噴灑，防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷，增加該基板之乾燥效率，且縮短一程序時間，且藉由導引該超臨界流體對稱地流動並藉由供應及排放該超臨界流體以均勻地分散於一腔內部，增加該基板之乾燥效率，且在一乾燥程序完成之後敞開該腔時，防止顆粒引入至該腔內部之該基板上之基板乾燥腔。
一半導體器件之一製造程序包含各種程序，諸如一微影程序、一蝕刻程序、一離子植入程序及類似者。在各程序完成之後，在下一程序開始之前，執行用於移除保留於一晶圓之一表面上之雜質或殘留物以清潔該晶圓表面之一清潔程序及一乾燥程序。
例如，在一蝕刻程序之後的一晶圓之一清潔程序中，將一清潔用化學溶液供應至該晶圓之一表面且接著將去離子水(DIW)供應至該晶圓表面以執行一清洗處理。在執行清洗處理之後，執行其中移除保留於該晶圓表面上之DIW以乾燥該晶圓之一乾燥程序。
作為執行乾燥之一方法，例如已知藉由用異丙醇(IPA)取代一晶圓上之DIW來乾燥一晶圓之一技術。
然而，根據習知乾燥技術，如圖1中所繪示，當執行乾燥時，出現形成於一晶圓上之一圖案歸因於液體IPA之表面張力而塌陷之一問題。
為了解決上述問題，已提出其中表面張力變為零之一超臨界乾燥技術。
根據超臨界乾燥技術，藉由在一腔中將處於一超臨界狀態之二氧化碳供應至其表面被IPA潤濕之一晶圓，該晶圓上之IPA溶解於一超臨界二氧化碳(CO2 )流體中。此後，自該腔逐漸排放其中溶解有IPA之超臨界二氧化碳(CO2 )流體使得可乾燥該晶圓而無圖案塌陷。
圖2繪示在韓國專利申請公開案第10-2017-0137243號(其係關於使用此一超臨界流體之一基板處理裝置之一相關技術)中所揭示之一基板處理腔。
參考圖2，在一超臨界乾燥程序期間移除一有機溶劑之一程序中，可將有機溶劑引入至與構成一高壓腔410之一上主體430及一下主體420接觸之一耦合表面上。引入至上主體430及下主體420之耦合表面上之有機溶劑變為顆粒且該等顆粒經累積於上主體430及下主體420之耦合表面周圍。
在超臨界乾燥程序完成之後，敞開該腔以便將一經處理基板卸載至外部。在此情況下，上主體430及下主體420之耦合表面周圍之顆粒可歸因於該腔之內部與外部之間的一壓差而引入至該腔中。
根據韓國專利申請公開案第10-2017-0137243號，由於該基板經定位於低於上主體430及下主體420之耦合表面之一位準處，故很可能在其中將上主體430及下主體420之耦合表面周圍之顆粒引入至該腔中之程序中一些顆粒藉由重力而引入至該基板上。
如上文所描述，在該程序中引入至該基板上之顆粒致使缺陷。因此，為了防止引入顆粒，需要在上主體430及下主體420之耦合表面周圍另外設置一阻障膜。據此，存在該裝置之總體結構變得複雜之一問題。
此外，根據包含韓國專利申請公開案第10-2017-0137243號之相關技術，由於用於供應一初始增壓用超臨界流體之一下供應埠422及用於在乾燥之後排出一超臨界流體之一排出埠426未經定位於下主體420之中間處，故當供應及排放該超臨界流體時，該超臨界流體非對稱地流動，且因此該超臨界流體難以均勻地分散於該腔內部以便供應及排放。據此，出現乾燥效率降低之一問題。
此外，根據包含韓國專利申請公開案第10-2017-0137243號之相關技術，當在乾燥程序中進行初始增壓之後執行其中重複乾燥及排放之沖洗時，將自一上供應埠432供應之一超臨界流體直接噴灑於一基板W上。
據此，存在在該腔中形成該超臨界流體但可能歸因於快速增壓時之一衝擊力而在基板W之一中央部分中發生圖案塌陷之一問題。
另外，存在難以供應該超臨界流體均勻地分散於該腔內部從而導致該基板之乾燥效率降低之一問題。
另外，存在因為在維持一高壓條件時增加該超臨界流體每單位時間之一流量存在一限制而難以縮短一程序時間之一問題。
[相關技術文件]
[專利文件]
韓國專利申請公開案第10-2017-0137243號(2017年12月13日發佈，標題：SUBSTRATE PROCESSING APPARATUS AND METHOD)
技術問題
本發明旨在提供一種其中藉由以一分散方式供應一乾燥用超臨界流體以朝向一基板均勻地噴灑，防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷，增加該基板之乾燥效率，且縮短一程序時間之技術。
本發明亦旨在提供一種其中使用一多噴嘴單元使得在維持一高壓條件時增加一乾燥用超臨界流體每單位時間之一流量且因此縮短一程序時間之技術。
本發明亦旨在提供一種其中減小一腔之一工作體積以對應於由一多噴嘴單元所佔據之一體積使得縮短一程序時間之技術。
本發明亦旨在提供一種其中單個整合式供應及排放埠提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於一基板上之一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑使得導引該超臨界流體對稱地流動且供應及排放該超臨界流體以均勻地分散於一腔內部從而導致該基板之乾燥效率增加之技術。
本發明亦旨在提供一種其中在一乾燥程序完成之後敞開一腔時重新引入之顆粒被一基板放置板阻擋(此對於放置一基板係至關重要的)，防止一初始增壓用超臨界流體在乾燥程序開始時直接流向該基板之一表面以防止形成於該基板上之一圖案塌陷，防止該初始增壓用超臨界流體中可含有之顆粒累積於該基板上或減少該等顆粒之一累積量，歸因於由該基板放置板所佔據之一體積而減小該腔之一工作體積，且縮短一乾燥程序時間之技術。
本發明亦旨在提供一種其中將一基板放置於一基板放置板上以定位於高於一上殼體及一下殼體之一耦合表面之一位準處使得當一乾燥程序完成且接著敞開一腔時，防止設置於該上殼體及該下殼體之耦合表面上之一密封部分周圍之顆粒藉由歸因於該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上之技術。 問題解決方案
根據本發明之一態樣，提供一種基板乾燥腔，其包含：一上殼體；一下殼體，其經耦合至該上殼體以便敞開或閉合；一密封部分，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦合表面上；一基板放置板，其經耦合至該下殼體之一底表面且其上放置有一基板，在該基板上形成一有機溶劑；一上供應埠，其經形成於該上殼體之一中央區上以面對該基板放置板且提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑；一整合式供應及排放埠，其經構形以藉由該乾燥用超臨界流體之供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及一多噴嘴單元，其經構形以分散透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體以朝向該基板放置板均勻地噴灑。
該多噴嘴單元可包含：一耦合部分，其經耦合至該上供應埠；一圓盤形主體部分，其具有耦合至該耦合部分且填充有自該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體之一中空部；及一分散噴嘴單元，其包含耦合至該主體部分之一下表面以面對該基板放置板之複數個單元分散噴嘴。
構成該分散噴嘴單元之該複數個單元分散噴嘴可均勻地安置於該主體部分之整個下表面上。
該整合式供應及排放埠可經形成以自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且在該一個側表面與該另一側表面之間的一中間區中面對該基板放置板。
該整合式供應及排放埠可包含：一第一管線，其經形成以自該下殼體之該一個側表面延伸至該中間區；一共同埠部分，其經形成以在該中間區中與該第一管線連通且面對該基板放置板；及一第二管線，其經形成以在該中間區中與該共同埠部分及該第一管線連通且延伸至該下殼體之該另一側表面。
該第一管線及該共同埠部分可提供該初始增壓用超臨界流體之該供應路徑，且該共同埠部分及該第二管線可提供其中溶解有該有機溶劑之該超臨界流體之該排放路徑。
該基板可經放置於該基板放置板上以定位於高於該下殼體及該上殼體之該耦合表面之一位準處，且當一乾燥程序完成且接著敞開該下殼體及該上殼體時，可防止設置於該耦合表面上之該密封部分周圍之顆粒藉由歸因於該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
透過該第一管線及該共同埠部分供應之該初始增壓用超臨界流體可被該基板放置板阻擋以防止直接噴灑於該基板上。
該基板乾燥腔可進一步包含一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦合至該下殼體之該底表面之一端及耦合至該基板放置板之另一端且在支撐該基板放置板時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間可用來導引透過該整合式供應及排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體沿著該基板放置板之一下表面移動且在其中放置有該基板之一處理區中逐漸擴散。
該基板乾燥腔可進一步包含一基板支撐件，該基板支撐件具有耦合至該基板放置板之一上表面之一端及耦合至該基板之另一端且在支撐該基板時將該基板與該基板放置板之該上表面分離。
歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該上表面與該基板之間的一第二分離空間可用來將該基板之一下表面暴露於透過該整合式供應及排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體及透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體使得縮短一乾燥程序時間。 有利發明效應
根據本發明，藉由以一分散方式供應一乾燥用超臨界流體以朝向一基板均勻地噴灑，可防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷，可增加該基板之乾燥效率，且可縮短一程序時間。
此外，可使用一多噴嘴單元使得可在維持一高壓條件時增加一乾燥用超臨界流體每單位時間之一流量，且因此可縮短程序時間。
此外，可減小一腔之一工作體積以對應於由一多噴嘴單元所佔據之一體積，且因此可縮短程序時間。
此外，單個整合式供應及排放埠可提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於一基板上之一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑使得可導引該超臨界流體對稱地流動且可供應及排放該超臨界流體以均勻地分散於一腔內部，從而導致該基板之乾燥效率增加。
此外，在一乾燥程序完成之後敞開一腔時重新引入之顆粒可被一基板放置板阻擋(此對於放置一基板係至關重要的)，可防止一初始增壓用超臨界流體在乾燥程序開始時直接流向該基板之一表面以防止形成於該基板上之一圖案塌陷，可防止該初始增壓用超臨界流體中所含有之顆粒累積於該基板上或減少該等顆粒之一累積量，可歸因於由該基板放置板所佔據之一體積而減小該腔之一工作體積，且可縮短一乾燥程序時間。
此外，可將一基板放置於一基板放置板上以定位於高於一上殼體及一下殼體之一耦合表面之一位準處使得當一乾燥程序完成且接著敞開一腔時，可防止設置於該上殼體及該下殼體之耦合表面上之一密封部分周圍之顆粒藉由歸因於該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
本說明書中所揭示之本發明之實施例之特定結構及功能描述僅出於描述本發明之實施例之目的，且本發明之實施例可以各種形式體現且不應被解釋為限於本說明書中所描述之實施例。
雖然本發明之實施例可以各種方式修改且採取各種替代形式，但其特定實施例在隨附圖式中展示且在本說明書中詳細描述。並非意欲將本發明限於所揭示之特定形式。相反，本發明將覆蓋落入隨附發明申請專利範圍之精神及範疇內之所有修改、等效物及替代物。
應理解，儘管在本文中可使用術語「第一」、「第二」及類似者來描述各種元件，但該等元件不受該等術語限制。該等術語僅用來區分一個元件與另一元件。例如，在不脫離本發明之範疇之情況下，一第一元件可稱為第二元件，且類似地，一第二元件可稱為第一元件。
應理解，當一元件稱為「連接」或「耦合」至另一元件時，該元件可直接連接或耦合至該另一元件或可存在中間元件。相反，當一元件稱為「直接連接」或「直接耦合」至另一元件時，不存在中間元件。應以一類似方式解釋用來描述元件之間的關係之其他字語(即，「在...之間」與「直接在...之間」，「相鄰」與「直接相鄰」及類似者)。
本文中所使用之術語僅出於描述特定實施例之目的且並非意欲於限於本發明。如本文中所使用，單數形式「一」、「一個」及「該」意欲於亦包含複數形式，除非內文另有明確指示。應進一步理解，當在本文中使用時，術語「包括(comprise、comprising)」及/或「包含(include、including)」指定存在所述特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其等組合，但不排除存在或添加一或多個其他特徵、整數、步驟、操作、元件、部件或其等組合。
除非另有定義，否則本文中所使用之包含技術及科學術語之所有術語具有相同於本發明所屬領域之一般技術者通常所理解之含義。應進一步理解，諸如常用詞典中所定義之術語之術語應被解釋為具有與其等在相關技術之內文中之含義一致之一含義且不應以一理想化或過於正式之意義來解釋，除非本文中明確地如此定義。
在後文中，將參考隨附圖式詳細描述本發明之實例性實施例。
圖3係繪示根據本發明之一實施例之一基板乾燥腔之一視圖，圖4係本發明之實施例中之一多噴嘴單元之一實例性截面視圖，圖5係本發明之實施例中之多噴嘴單元之一實例性仰視圖，圖6係繪示本發明之實施例中之一初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之一視圖，圖7係繪示本發明之實施例中之一乾燥用超臨界流體之一擴散路徑之一視圖，圖8係繪示本發明之實施例中之其中溶解有一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之一視圖，且圖9係本發明之實施例中之用於描述一原理之一視圖，其中當一乾燥程序完成且接著敞開一下殼體及一上殼體時，防止存在於設置於上殼體及下殼體之一耦合表面上之一密封部分上及密封部分周圍之顆粒引入至一基板上。
參考圖3至圖9，根據本發明之實施例之一基板乾燥腔1包含一上殼體10、一下殼體20、一密封部分30、一基板放置板40、一整合式供應及排放埠50、一上供應埠60、一基板放置板支撐件70、一基板支撐件80、一殼體驅動器90及一多噴嘴單元100。
上殼體10及下殼體20彼此耦合以便敞開或閉合且提供其中執行一乾燥程序之一空間。例如，上殼體10及下殼體20可具有一圓柱形狀，但本發明不限於此。如下文將描述，上供應埠60經形成於上殼體10中且整合式供應及排放埠50經形成於下殼體20中。如下文將描述，多噴嘴單元100經耦合至上供應埠60之一端。
密封部分30經設置於下殼體20及上殼體10之一耦合表面C上且維持下殼體20及上殼體10之耦合表面C之氣密性以將該腔之一內部區與外部隔離。
例如，如用於描述原理之圖9中所繪示，其中當乾燥程序完成且接著敞開下殼體20及上殼體10時，防止存在於設置於上殼體10及下殼體20之耦合表面C上之密封部分30上及密封部分30周圍之顆粒引入至一基板W上，基板W經放置於基板放置板40上以定位於高於下殼體20及上殼體10之耦合表面C上之一位準處，且當乾燥程序完成且接著敞開下殼體20及上殼體10時，基板W可經構形使得防止設置於耦合表面C上之密封部分30周圍之顆粒藉由歸因於基板W與耦合表面C之間的一高度差之重力而引入至基板W上。
基板放置板40係耦合至下殼體20之一底表面22且其上放置有基板W之一組件，在基板W上形成一有機溶劑。
例如，基板放置板40可經構形使得透過構成整合式供應及排放埠50之一第一管線510及一共同埠部分520供應之一初始增壓用超臨界流體被基板放置板40阻擋且防止直接噴灑於基板W上。
更具體而言，如繪示初始增壓用超臨界流體之擴散路徑之圖6及繪示其中溶解有有機溶劑之超臨界流體之排放路徑之圖8中所繪示，在乾燥程序完成之後敞開該腔時重新引入之顆粒可被基板放置板40阻擋(此對於放置為乾燥程序之一對象之基板W係至關重要的)，可防止初始增壓用超臨界流體在乾燥程序開始時直接流向基板W之一表面以防止形成於基板W上之一圖案塌陷，可防止初始增壓用超臨界流體中可含有之顆粒累積於基板W上或可減少該等顆粒之一累積量，可歸因於由基板放置板40所佔據之一體積而減小該腔之一工作體積，且可縮短一乾燥程序時間。
整合式供應及排放埠50係經形成以自下殼體20之一個側表面24延伸至另一側表面26並在一個側表面24及另一側表面26之一中間區28中面對基板放置板40且提供初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於基板W上之有機溶劑之超臨界流體之一排放路徑之一組件。
單個整合式供應及排放埠50可提供初始增壓用超臨界流體之供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於基板W上之有機溶劑之超臨界流體之排放路徑使得可導引超臨界流體對稱地流動且可供應及排放超臨界流體以均勻地分散於該腔內部，從而導致該基板之乾燥效率增加。
例如，整合式供應及排放埠50可包含：第一管線510，其經形成以自下殼體20之一個側表面24延伸至中間區28；共同埠部分520，其經形成以在中間區28中與第一管線510連通且面對基板放置板40；及第二管線530，其經形成以在中間區28中與共同埠部分520及第一管線510連通且延伸至下殼體20之另一側表面26。第一管線510及共同埠部分520可提供初始增壓用超臨界流體之供應路徑，且共同埠部分520及第二管線530可提供其中溶解有有機溶劑之超臨界流體之排放路徑。
上供應埠60係經形成以在上殼體10之中央區中面對基板放置板40以提供乾燥用超臨界流體之供應路徑之一組件。
例如，1)可在一預設初始增壓時間期間透過構成整合式供應及排放埠50之第一管線510及共同埠部分520供應初始增壓用超臨界流體，2)在已經過初始增壓時間之後，可阻止初始增壓用超臨界流體之供應且可在一乾燥時間期間透過上供應埠60供應乾燥用超臨界流體，且3)在已經過乾燥時間之後，可阻止乾燥用超臨界流體之供應且可在一排放時間期間透過構成整合式供應及排放埠50之共同埠部分520及第二管線530排放一混合流體。在此情況下，例如，乾燥用超臨界流體之供應及混合流體之排放可重複預設次數，即，乾燥用超臨界流體及混合流體可沖洗預設次數。
多噴嘴單元100可用來分散在沖洗期間透過上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體以朝向基板放置板40均勻地噴灑，在基板放置板40上放置有基板W。
另外，參考圖4中所繪示之多噴嘴單元100之截面視圖及圖5中所繪示之多噴嘴單元100之仰視圖，多噴嘴單元100可包含一耦合部分110、一主體部分120及一分散噴嘴單元130。
耦合部分110係耦合至上供應埠60之一組件。例如，耦合部分110及上供應埠60可使用一螺釘接合方法來耦合，但兩個部分之耦合方法不限於此。
主體部分120可例如具有耦合至耦合部分110且填充有自上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體之一中空部E，且可具有一圓盤形外觀。
分散噴嘴單元130包含耦合至主體部分120之一下表面以面對基板放置板40之複數個單元分散噴嘴。
例如，構成分散噴嘴單元130之複數個單元分散噴嘴可經構形以均勻地安置於主體部分120之整個下表面上。
與相關技術不同，根據使用多噴嘴單元100之上述構形，由於乾燥用超臨界流體透過多噴嘴單元100朝向該基板均勻地分散及供應，故可防止該基板之一中央部分中之圖案塌陷且增加該基板之乾燥效率。
此外，可使用多噴嘴單元100使得可在維持一高壓條件時增加乾燥用超臨界流體每單位時間之一流量，且因此可縮短一程序時間。
此外，可減小該腔之工作體積以對應於由多噴嘴單元100所佔據之體積，且因此可縮短程序時間。
基板放置板支撐件70係具有耦合至下殼體20之底表面22之一端及耦合至基板放置板40之另一端且在支撐基板放置板40時將基板放置板40與下殼體20之底表面22分離之一組件。
例如，歸因於基板放置板支撐件70而存在於下殼體20之底表面22與基板放置板40之間的一第一分離空間R1可用來導引透過整合式供應及排放埠50供應之初始增壓用超臨界流體沿著基板放置板40之一下表面移動且在其中放置有基板W之一處理區內逐漸擴散。
基板支撐件80係具有耦合至基板放置板40之上表面之一端及耦合至基板W之另一端且在支撐基板W時將基板W與基板放置板40之上表面分離之一組件。
例如，藉由基板支撐件80而存在於基板放置板40之上表面與基板W之間的一第二分離空間R2可用來將基板W之下表面暴露於透過整合式供應及排放埠50供應之初始增壓用超臨界流體及透過上供應埠60供應之乾燥用超臨界流體使得可縮短一乾燥程序時間。
殼體驅動器90可為用於敞開或閉合一殼體之一單元且可用來藉由在乾燥程序完成之後驅動下殼體20以將下殼體20與上殼體10分離來敞開該腔或可用來藉由當乾燥程序開始時驅動下殼體20以將下殼體20耦合至上殼體10來閉合該腔。在圖式中，殼體驅動器90被表示為驅動下殼體20，但此僅係一實例，且殼體驅動器90可經構形以驅動上殼體10。
例如，初始增壓用超臨界流體及乾燥用超臨界流體可包含二氧化碳(CO2 )且有機溶劑可包含醇，但本發明不限於此。作為一特定實例，醇可包含甲醇、乙醇、1-丙醇、2-丙醇(IPA)及1-丁醇，但本發明不限於此。
例如，根據依據本發明之實施例之在基板乾燥腔中執行之超臨界乾燥技術，藉由在該腔中將超臨界二氧化碳供應至其表面被諸如醇之一有機溶劑潤濕之基板W，基板W上之醇溶解於一超臨界二氧化碳流體中。接著，藉由自該腔逐漸排放其中溶解有醇之超臨界二氧化碳流體，可乾燥基板W而無圖案塌陷。
如上文詳細描述，根據本發明，藉由以一分散方式供應乾燥用超臨界流體以均勻地噴灑於該基板上，可防止該基板之中央部分中之圖案塌陷，增加該基板之乾燥效率，且縮短一程序時間。
此外，可使用多噴嘴單元使得可在維持一高壓條件時增加乾燥用超臨界流體每單位時間之一流量，且因此可縮短程序時間。
此外，可減小該腔之一工作體積以對應於由多噴嘴單元所佔據之一體積，且因此可縮短程序時間。
此外，單個整合式供應及排放埠可提供初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後溶解有形成於該基板上之有機溶劑之超臨界流體之一排放路徑，使得可導引該超臨界流體對稱地流動且可供應及排放該超臨界流體以均勻地分散於該腔內部，從而導致該基板之乾燥效率增加。
此外，在乾燥程序完成之後敞開該腔時重新引入之顆粒可被該基板放置板阻擋(此對於放置該基板係至關重要的)，可防止初始增壓用超臨界流體在乾燥程序開始時直接流向該基板之表面以防止形成於該基板上之一圖案塌陷，可防止初始增壓用超臨界流體中可含有之顆粒累積於該基板上或可減少該等顆粒之一累積量，可歸因於由該基板放置板所佔據之一體積而減小該腔之一工作體積，且可縮短一乾燥程序時間。
此外，可將該基板放置於該基板放置板上以定位於高於該上殼體及該下殼體之耦合表面之一位準處使得當該乾燥程序完成且接著敞開該腔時，可防止設置於該上殼體及該下殼體之耦合表面上之密封部分周圍之顆粒藉由歸因於該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
1:基板乾燥腔 10:上殼體 20:下殼體 22:底表面 24:一個側表面 26:另一側表面 28:中間區 30:密封部分 40:基板放置板 50:整合式供應及排放埠 60:上供應埠 70:基板放置板支撐件 80:基板支撐件 90:殼體驅動器 100:多噴嘴單元 110:耦合部分 120:主體部分 130:分散噴嘴單元 410:高壓腔 420:下主體 422:下供應埠 426:排出埠 430:上主體 432:上供應埠 510:第一管線 520:共同埠部分 530:第二管線 C:耦合表面 E:中空部 R1:第一分離空間 R2:第二分離空間 W:基板
圖1係繪示根據一相關技術之在乾燥一基板之一程序中發生之一圖案塌陷現象之一視圖。
圖2係繪示一習知基板乾燥腔之一視圖。
圖3係繪示根據本發明之一實施例之一基板乾燥腔之一視圖。
圖4係本發明之一實施例中之一多噴嘴單元之一實例性截面視圖。
圖5係本發明之一實施例中之一多噴嘴單元之一實例性仰視圖。
圖6係繪示本發明之一實施例中之一初始增壓用超臨界流體之一擴散路徑之一視圖。
圖7係繪示本發明之一實施例中之一乾燥用超臨界流體之一擴散路徑之一視圖。
圖8係繪示本發明之一實施例中之其中溶解有一有機溶劑之一超臨界流體之一排放路徑之一視圖。
圖9係本發明之一實施例中之用於描述一原理之一視圖，其中當一乾燥程序完成且接著敞開一下殼體及一上殼體時，防止存在於設置於上殼體及下殼體之一耦合表面上之一密封部分上及該密封部分周圍之顆粒引入至一基板上。
1:基板乾燥腔
10:上殼體
20:下殼體
22:底表面
24:一個側表面
26:另一側表面
28:中間區
30:密封部分
40:基板放置板
50:整合式供應及排放埠
60:上供應埠
70:基板放置板支撐件
80:基板支撐件
90:殼體驅動器
100:多噴嘴單元
510:第一管線
520:共同埠部分
530:第二管線
C:耦合表面
R1:第一分離空間
R2:第二分離空間
W:基板

Claims (12)

  1. 一種基板乾燥腔，其包括： 一上殼體； 一下殼體，其經耦合至該上殼體以便敞開或閉合； 一密封部分，其經設置於該下殼體及該上殼體之一耦合表面上； 一基板放置板，其經耦合至該下殼體之一底表面且其上放置一基板，在該基板上形成一有機溶劑； 一上供應埠，其經形成於該上殼體之一中央區上以面對該基板放置板且提供一乾燥用超臨界流體之一供應路徑； 一整合式供應及排放埠，其經構形以藉由該乾燥用超臨界流體之供應提供一初始增壓用超臨界流體之一供應路徑及其中在乾燥之後該有機溶劑溶解於該乾燥用超臨界流體中之一混合流體之一排放路徑；及 一多噴嘴單元，其經構形以分散透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體以朝向該基板放置板均勻地噴灑。
  2. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該多噴嘴單元包含： 一耦合部分，其經耦合至該上供應埠； 一圓盤形主體部分，其具有耦合至該耦合部分且填充有自該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體之一中空部；及 一分散噴嘴單元，其包含耦合至該主體部分之一下表面以面對該基板放置板之複數個單元分散噴嘴。
  3. 如請求項2之基板乾燥腔，其中構成該分散噴嘴單元之該複數個單元分散噴嘴均勻地安置於該主體部分之整個下表面上。
  4. 如請求項1之基板乾燥腔，其中該整合式供應及排放埠經形成以自該下殼體之一個側表面延伸至另一側表面且在該一個側表面與該另一側表面之間的一中間區中面對該基板放置板。
  5. 如請求項4之基板乾燥腔，其中該整合式供應及排放埠包含： 一第一管線，其經形成以自該下殼體之該一個側表面延伸至該中間區； 一共同埠部分，其經形成以在該中間區中與該第一管線連通且面對該基板放置板；及 一第二管線，其經形成以在該中間區中與該共同埠部分及該第一管線連通且延伸至該下殼體之該另一側表面。
  6. 如請求項5之基板乾燥腔，其中： 該第一管線及該共同埠部分提供該初始增壓用超臨界流體之該供應路徑；且 該共同埠部分及該第二管線提供其中溶解有該有機溶劑之該超臨界流體之該排放路徑。
  7. 如請求項5之基板乾燥腔，其中： 該基板經放置於該基板放置板上以定位於高於該下殼體及該上殼體之該耦合表面之一位準處；且 當一乾燥程序完成且接著敞開該下殼體及該上殼體時，防止設置於該耦合表面上之該密封部分周圍之顆粒藉由歸因於該基板與該耦合表面之間的一高度差之重力而引入至該基板上。
  8. 如請求項7之基板乾燥腔，其中透過該第一管線及該共同埠部分供應之該初始增壓用超臨界流體被該基板放置板阻擋以防止直接噴灑於該基板上。
  9. 如請求項1之基板乾燥腔，其進一步包括一基板放置板支撐件，該基板放置板支撐件具有耦合至該下殼體之該底表面之一端及耦合至該基板放置板之另一端且在支撐該基板放置板時將該基板放置板與該下殼體之該底表面分離。
  10. 如請求項9之基板乾燥腔，其中歸因於該基板放置板支撐件而存在於該下殼體之該底表面與該基板放置板之間的一第一分離空間用來引導透過該整合式供應及排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體沿著該基板放置板之一下表面移動且在其中放置有該基板之一處理區中逐漸擴散。
  11. 如請求項1之基板乾燥腔，其進一步包括一基板支撐件，該基板支撐件具有耦合至該基板放置板之一上表面之一端及耦合至該基板之另一端且在支撐該基板時將該基板與該基板放置板之該上表面分離。
  12. 如請求項11之基板乾燥腔，其中歸因於該基板支撐件而存在於該基板放置板之該上表面與該基板之間的一第二分離空間用來將該基板之一下表面暴露於透過該整合式供應及排放埠供應之該初始增壓用超臨界流體及透過該上供應埠供應之該乾燥用超臨界流體使得縮短一乾燥程序時間。
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