TW202042362A - 包含以一第一方向對齊之第一焊點互連件及以一第二方向對齊之第二焊點互連件之裝置 - Google Patents
包含以一第一方向對齊之第一焊點互連件及以一第二方向對齊之第二焊點互連件之裝置 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202042362A TW202042362A TW108143976A TW108143976A TW202042362A TW 202042362 A TW202042362 A TW 202042362A TW 108143976 A TW108143976 A TW 108143976A TW 108143976 A TW108143976 A TW 108143976A TW 202042362 A TW202042362 A TW 202042362A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- solder joint
- series
- interconnects
- joint interconnects
- electrical connection
- Prior art date
Links
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 title claims abstract description 662
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 85
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims abstract description 60
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims abstract description 60
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 39
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 16
- 238000004806 packaging method and process Methods 0.000 claims description 7
- 238000004891 communication Methods 0.000 claims description 3
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims description 3
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims description 3
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims description 3
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 96
- 239000012792 core layer Substances 0.000 description 7
- JFIMDKGRGPNPRQ-UHFFFAOYSA-N 1,2,3,4,5-pentachloro-6-(2,3,4,5-tetrachlorophenyl)benzene Chemical compound ClC1=C(Cl)C(Cl)=CC(C=2C(=C(Cl)C(Cl)=C(Cl)C=2Cl)Cl)=C1Cl JFIMDKGRGPNPRQ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 4
- 230000006870 function Effects 0.000 description 4
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 description 3
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 3
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 description 3
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 3
- 239000011295 pitch Substances 0.000 description 3
- 239000010453 quartz Substances 0.000 description 3
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 3
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 3
- VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N silicon dioxide Inorganic materials O=[Si]=O VYPSYNLAJGMNEJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 2
- 238000009434 installation Methods 0.000 description 2
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 2
- 238000007747 plating Methods 0.000 description 2
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 2
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000017525 heat dissipation Effects 0.000 description 1
- 239000000463 material Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 230000008569 process Effects 0.000 description 1
- 238000000926 separation method Methods 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/50—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor for integrated circuit devices, e.g. power bus, number of leads
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49811—Additional leads joined to the metallisation on the insulating substrate, e.g. pins, bumps, wires, flat leads
- H01L23/49816—Spherical bumps on the substrate for external connection, e.g. ball grid arrays [BGA]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
- H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
- H01L21/04—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof the devices having potential barriers, e.g. a PN junction, depletion layer or carrier concentration layer
- H01L21/48—Manufacture or treatment of parts, e.g. containers, prior to assembly of the devices, using processes not provided for in a single one of the subgroups H01L21/06 - H01L21/326
- H01L21/4814—Conductive parts
- H01L21/4846—Leads on or in insulating or insulated substrates, e.g. metallisation
- H01L21/4853—Connection or disconnection of other leads to or from a metallisation, e.g. pins, wires, bumps
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49827—Via connections through the substrates, e.g. pins going through the substrate, coaxial cables
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5384—Conductive vias through the substrate with or without pins, e.g. buried coaxial conductors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/52—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames
- H01L23/538—Arrangements for conducting electric current within the device in operation from one component to another, i.e. interconnections, e.g. wires, lead frames the interconnection structure between a plurality of semiconductor chips being formed on, or in, insulating substrates
- H01L23/5386—Geometry or layout of the interconnection structure
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L24/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/065—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00
- H01L25/0655—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L27/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/18—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof the devices being of types provided for in two or more different subgroups of the same main group of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/50—Multistep manufacturing processes of assemblies consisting of devices, each device being of a type provided for in group H01L27/00 or H01L29/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/12—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process
- H01L2224/14—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors prior to the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/141—Disposition
- H01L2224/1412—Layout
- H01L2224/1413—Square or rectangular array
- H01L2224/14131—Square or rectangular array being uniform, i.e. having a uniform pitch across the array
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/16—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of an individual bump connector
- H01L2224/161—Disposition
- H01L2224/16151—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive
- H01L2224/16221—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked
- H01L2224/16225—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation
- H01L2224/16235—Disposition the bump connector connecting between a semiconductor or solid-state body and an item not being a semiconductor or solid-state body, e.g. chip-to-substrate, chip-to-passive the body and the item being stacked the item being non-metallic, e.g. insulating substrate with or without metallisation the bump connector connecting to a via metallisation of the item
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/10—Bump connectors; Manufacturing methods related thereto
- H01L2224/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L2224/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
- H01L2224/171—Disposition
- H01L2224/17104—Disposition relative to the bonding areas, e.g. bond pads
- H01L2224/17106—Disposition relative to the bonding areas, e.g. bond pads the bump connectors being bonded to at least one common bonding area
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/8119—Arrangement of the bump connectors prior to mounting
- H01L2224/81192—Arrangement of the bump connectors prior to mounting wherein the bump connectors are disposed only on another item or body to be connected to the semiconductor or solid-state body
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2224/00—Indexing scheme for arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies and methods related thereto as covered by H01L24/00
- H01L2224/80—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected
- H01L2224/81—Methods for connecting semiconductor or other solid state bodies using means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected using a bump connector
- H01L2224/818—Bonding techniques
- H01L2224/81801—Soldering or alloying
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L24/00—Arrangements for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies; Methods or apparatus related thereto
- H01L24/01—Means for bonding being attached to, or being formed on, the surface to be connected, e.g. chip-to-package, die-attach, "first-level" interconnects; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/10—Bump connectors ; Manufacturing methods related thereto
- H01L24/15—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process
- H01L24/17—Structure, shape, material or disposition of the bump connectors after the connecting process of a plurality of bump connectors
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/141—Analog devices
- H01L2924/142—HF devices
- H01L2924/1421—RF devices
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/143—Digital devices
- H01L2924/1432—Central processing unit [CPU]
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2924/00—Indexing scheme for arrangements or methods for connecting or disconnecting semiconductor or solid-state bodies as covered by H01L24/00
- H01L2924/10—Details of semiconductor or other solid state devices to be connected
- H01L2924/11—Device type
- H01L2924/14—Integrated circuits
- H01L2924/143—Digital devices
- H01L2924/1434—Memory
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Geometry (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Combinations Of Printed Boards (AREA)
- Production Of Multi-Layered Print Wiring Board (AREA)
Abstract
本發明揭示一種裝置,其包括一第一晶粒及一封裝基板。該封裝基板包括:一介電層;複數個通孔,其形成在該介電層中;一第一複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第一金屬層上;及一第二複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第二金屬層上。該裝置包括:一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接;一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接;一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接。
Description
各種特徵係關於包括晶粒及封裝基板之裝置,但更特定言之,係關於包括晶粒、封裝基板、以第一方向對齊之複數個第一焊點互連件及以第二方向對齊之複數個第二焊點互連件之裝置。
圖1說明包括基板102及晶粒104之整合裝置100。晶粒104經由複數個焊點互連件140耦接至基板102之第一表面,該複數個焊點互連件140可包括凸塊及導柱。
基板102包括複數個介電層120、複數個互連件122及複數個表面互連件123。介電層120之各層包括經圖案化金屬層及通孔。基板102包括第一阻焊層124、第二阻焊層126及複數個焊點互連件130。
可以特定方式配置複數個焊點互連件130及複數個焊點互連件140,以適應基板102之晶粒104及複數個互連件122之設計。此等設計可能並非為最佳的,且製造成本很高。因此,不同晶粒可需要焊點互連件130及140之不同配置。
因此,需要提供一種裝置,該裝置包括以特定方式設計、配置、對齊及/或組態之焊點互連件,使得焊點互連件可與不同晶粒一起使用。
各種特徵係關於包括晶粒及封裝基板之裝置,但更特定言之,係關於包括晶粒、封裝基板、以第一方向對齊之複數個第一焊點互連件及以第二方向對齊之複數個第二焊點互連件之裝置。
一個實例提供一種包括一第一晶粒及一封裝基板之裝置。該封裝基板包括:一介電層;複數個通孔,其形成在該介電層中;一第一複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第一金屬層上;及一第二複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第二金屬層上。該裝置包括:複數個第一焊點互連件,其耦接至該第一複數個互連件;及複數個第二焊點互連件,其耦接至該第二複數個互連件。該複數個第一焊點互連件包括:一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接;及一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接。該複數個第二焊點互連件包括:一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接;及一第二系列第二焊點互連件,其以該第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供該第二電連接。
另一實例提供一種包括一第一晶粒及一封裝基板之裝置。該封裝基板包括:一介電層;複數個通孔,其形成在該介電層中;一第一複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第一金屬層上;及一第二複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第二金屬層上。該第二複數個互連件包括一第一條帶。該裝置包括:複數個第一焊點互連件,其耦接至該第一複數個互連件;及複數個第二焊點互連件,其耦接至該第二複數個互連件。該複數個第一焊點互連件包括:一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接,其中來自該第一系列第一焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接。該複數個第二焊點互連件包括:一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接,其中來自該第一系列第二焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及一第二系列第二焊點互連件,其以該第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供該第二電連接。
另一實例提供一種用於製造一裝置之方法。該方法提供一封裝基板,其中提供該封裝基板包括:提供一介電層;在該介電層中形成複數個通孔;在該封裝基板之一第一金屬層上形成一第一複數個互連件;以及在該封裝基板之一第二金屬層上形成一第二複數個互連件,其中該第二複數個互連件包括一第一條帶。該方法將複數個第一焊點互連件耦接至該第一複數個互連件,其中該複數個第一焊點互連件包括:一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接,其中來自該第一系列第一焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接。該方法經由該複數個焊點互連件將一第一晶粒耦接至該封裝基板。該方法將複數個第二焊點互連件耦接至該第二複數個互連件,其中該複數個第二焊點互連件包括:一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接,其中來自該第一系列第二焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及一第二系列第二焊點互連件,其以該第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供該第二電連接。
相關申請案之交叉參考
本申請案主張2019年6月26日在美國專利及商標局申請之非臨時申請案第16/453,803號及2019年1月2日在美國專利及商標局申請之臨時申請案第62/787,580號之優先權及權益。
在以下描述中,給出特定細節以提供對本發明之各種態樣的透徹理解。然而,一般熟習此項技術者應理解,該等態樣可在無需此等特定細節之情況下實踐。舉例而言,為避免不必要的細節混淆態樣,可以方塊圖展示電路。在其他情況下,為了不混淆本發明之態樣,可不詳細展示熟知電路、結構及技術。
本發明描述一種包括第一晶粒及封裝基板之裝置。該封裝基板包括:介電層;複數個通孔,其形成在介電層中;第一複數個互連件,其形成在封裝基板之第一金屬層上;及第二複數個互連件,其形成在封裝基板之第二金屬層上。裝置包括:複數個第一焊點互連件,其耦接至形成在第一金屬層上之第一複數個互連件;及複數個第二焊點互連件,其耦接至形成在第二金屬層上之第二複數個互連件。複數個第一焊點互連件包括:第一系列第一焊點互連件,其以第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供第一電連接;及第二系列第一焊點互連件,其以第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供第二電連接。複數個第二焊點互連件包括:第一系列第二焊點互連件,其以第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供第一電連接;及第二系列第二焊點互連件,其以第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供第二電連接。在一些實施方案中,第二複數個互連件可包括一或多個條帶(例如,第一條帶、第二條帶)。包含焊點互連件之配置之例示性裝置
圖2說明包括基板202 (例如,封裝基板)、晶粒204 (例如,第一晶粒)、複數個第一焊點互連件214及複數個第二焊點互連件216之裝置200的剖面圖。裝置200可為整合裝置封裝。裝置200經由複數個第二焊點互連件216耦接至印刷電路板(printed circuit board;PCB) 206。晶粒204經由複數個第一焊點互連件214耦接至基板202。
基板202包括介電層220。介電層220可由一或多個介電層形成。介電層220可為核心層。核心層可包括諸如矽、玻璃、石英、環氧樹脂或組合之不同介電材料。然而,不同實施方案可將不同材料用於介電層220。
複數個通孔222可形成在介電層220中。第一複數個互連件224可形成在封裝基板之第一金屬層(M1) (例如,介電層220之第一金屬層)上。第一金屬層(M1)可為面向晶粒204之頂部金屬層。第二複數個互連件226可形成在封裝基板之第二金屬層(M2) (例如,介電層220之第二金屬層)上。第二金屬層(M2)可為面向PCB 206及/或背離晶粒204之底部金屬層(M2)。互連件可包括通孔、襯墊及/或跡線。如下文將進一步描述,互連件可包括一或多個條帶。圖2說明包括僅兩個金屬層(例如,由M1及M2組成)之基板202。在一些實施方案中,基板202可包括多於兩個金屬層。
如下文將進一步描述,複數個第一焊點互連件214可包括以特定方向(例如,第一方向)配置之若干系列第一焊點互連件。第一系列第一焊點互連件可經組態以提供第一電連接,第二系列第一焊點互連件可經組態以提供第二電連接,第三系列第一焊點互連件可經組態以提供第三電連接,且第四系列第一焊點互連件可經組態以提供第四電連接。以上僅為第一焊點互連件之系列可如何經組態以提供一或多個電連接之實例。第一焊點互連件之系列的不同實施方案可經組態以提供一或多個不同電連接。
類似地,複數個第二焊點互連件216可包括以特定方向(例如,第二方向)配置之若干系列第二焊點互連件。第一系列第二焊點互連件可經組態以提供第一電連接,第二系列第二焊點互連件可經組態以提供第二電連接,第三系列第二焊點互連件可經組態以提供第三電連接,且第四系列第二焊點互連件可經組態以提供第四電連接。以上僅為第二焊點互連件之系列可如何經組態以提供一或多個電連接之實例。第二焊點互連件之系列的不同實施方案可經組態以提供一或多個不同電連接。
複數個通孔222可包括經組態以提供第一電連接之第一複數個通孔,其中來自第一複數個通孔之各通孔豎直地定位在與來自第一系列第二焊點互連件之各別第二焊點互連件豎直地重疊的來自第一系列第一焊點互連件之各別第一焊點互連件之間。複數個通孔222可包括經組態以提供第二電連接之第二複數個通孔,其中來自第二複數個通孔之各通孔豎直地定位在與來自第二系列第二焊點互連件之各別第二焊點互連件豎直地重疊的來自第二系列第一焊點互連件之各別第一焊點互連件之間。
複數個通孔222可包括經組態以提供第三電連接之第三複數個通孔,其中來自第三複數個通孔之各通孔豎直地定位在與來自第三系列第二焊點互連件之各別第二焊點互連件豎直地重疊的來自第三系列第一焊點互連件之各別第一焊點互連件之間。複數個通孔222可包括經組態以提供第四電連接之第四複數個通孔,其中來自第四複數個通孔之各通孔豎直地定位在與來自第四系列第二焊點互連件之各別第二焊點互連件豎直地重疊的來自第四系列第一焊點互連件之各別第一焊點互連件之間。
圖3說明圖2之A-A橫截面之例示性平面圖。A-A橫截面可表示圖2之複數個第一焊點互連件214之例示性平面圖。應注意,A-A橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第一焊點互連件214包括第一系列第一焊點互連件302、第二系列第一焊點互連件304及第三系列第一焊點互連件306。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第一方向、Y方向、沿Y軸)配置第一系列第一焊點互連件302、第二系列第一焊點互連件304及第三系列第一焊點互連件306。
第一系列第一焊點互連件302可經組態以提供第一電連接。第二系列第一焊點互連件304可經組態以提供第二電連接。第三系列第一焊點互連件306可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。可將第一系列第一焊點互連件302、第二系列第一焊點互連件304及/或第三系列第一焊點互連件306視為裝置之核心凸塊區域之一部分。
圖4說明圖2之B-B橫截面之例示性平面圖。B-B橫截面可表示圖2之複數個第二焊點互連件216之例示性平面圖。應注意,B-B橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第二焊點互連件216包括第一系列第二焊點互連件402、第二系列第二焊點互連件404及第三系列第二焊點互連件406。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第二方向、X方向、沿X軸)配置第一系列第二焊點互連件402、第二系列第二焊點互連件404及第三系列第二焊點互連件406。第二方向可正交或垂直於第一方向。
第一系列第二焊點互連件402可經組態以提供第一電連接。第二系列第二焊點互連件404可經組態以提供第二電連接。第三系列第二焊點互連件406可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。可將第一系列第二焊點互連件402、第二系列第二焊點互連件404及/或第三系列第二焊點互連件406視為裝置之核心凸塊區域之一部分。
複數個第二焊點互連件216可包括複數個第二焊點互連件410。複數個第二焊點互連件410可以各種方式及組態配置。複數個第二焊點互連件410可經組態以提供一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地)。可將複數個第二焊點互連件410視為裝置之周邊區域(例如,I/O凸塊區域)之一部分。
複數個第一焊點互連件214及複數個第二焊點互連件216可具有各種大小。舉例而言,複數個第一焊點互連件214 (例如,上部焊點互連件、頂部焊點互連件)可具有約40至100微米(µm)之範圍內之高度及約50至150微米(µm)之範圍內之直徑。複數個第二焊點互連件216 (例如,下部焊點互連件、底部焊點互連件)可具有約75至400微米(µm)之範圍內之高度,及約150至300微米(µm)之範圍內之直徑。以上尺寸可適用於本發明中所描述之其他複數個第一焊點互連件(例如,上部焊點互連件、頂部焊點互連件)及其他複數個第二互連件(例如,下部焊點互連件、底部焊點互連件)。
圖5說明圖2之A-A橫截面及B-B橫截面之重疊之例示性平面圖。圖5說明與來自複數個第二焊點互連件216之焊點互連件重疊之來自複數個第一焊點互連件214之焊點互連件。特定言之,圖5說明:(i)來自第一系列第一焊點互連件302之焊點互連件可如何與來自第一系列第二焊點互連件402之焊點互連件豎直地(例如,部分地、完全地)重疊;(ii)來自第二系列第一焊點互連件304之焊點互連件可與來自第二系列第二焊點互連件404之焊點互連件豎直地重疊;以及(iii)來自第三系列第一焊點互連件306之焊點互連件可與來自第三系列第二焊點互連件406之焊點互連件豎直地重疊。
當在經組態用於同一電連接之焊點互連件之間存在豎直重疊時,通孔(例如,來自複數個通孔222)可豎直地定位在頂部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件214之焊點互連件)與底部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件216之焊點互連件)之間。通孔可耦接至襯墊,該襯墊耦接至焊點互連件。
如圖5中所展示,存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件302之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件402之底部焊點互連件之間的通孔502。亦存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件304之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件404之底部焊點互連件之間的通孔504。進一步存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件306之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件406之底部焊點互連件之間的通孔506。圖5說明其中存在與適當的頂部及底部焊點互連件重疊之其他通孔。圖5說明此等通孔以對角線方向對齊。
應注意,與頂部及底部焊點互連件重疊之通孔之大小可不同於本發明中所說明之通孔之大小。在一些實施方案中,與頂部及底部焊點互連件豎直地重疊之通孔可具有小於、等於或大於頂部及底部焊點互連件之大小的大小(例如,寬度、直徑)。因此,圖5中所展示之通孔(以及本發明中所展示之其他通孔)之大小僅為例示性的。應注意,在基板202中可存在其他通孔。
圖6至圖8說明焊點互連件及/或通孔之其他組態。圖6說明圖2之A-A橫截面之例示性平面圖。A-A橫截面可表示圖2之複數個第一焊點互連件214之例示性平面圖。應注意,A-A橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第一焊點互連件214包括第一系列第一焊點互連件602、第二系列第一焊點互連件604及第三系列第一焊點互連件606。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第一方向、X方向、沿X軸)配置第一系列第一焊點互連件602、第二系列第一焊點互連件604及第三系列第一焊點互連件606。
第一系列第一焊點互連件602可經組態以提供第一電連接。第二系列第一焊點互連件604可經組態以提供第二電連接。第三系列第一焊點互連件606可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。
圖7說明圖2之B-B橫截面之例示性平面圖。B-B橫截面可表示圖2之複數個第二焊點互連件216之例示性平面圖。應注意,B-B橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第二焊點互連件216包括第一系列第二焊點互連件702、第二系列第二焊點互連件704及第三系列第二焊點互連件706。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第二方向、Y方向、沿Y軸)配置第一系列第二焊點互連件702、第二系列第二焊點互連件704及第三系列第二焊點互連件706。第二方向可正交或垂直於第一方向。
第一系列第二焊點互連件702可經組態以提供第一電連接。第二系列第二焊點互連件704可經組態以提供第二電連接。第三系列第二焊點互連件706可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。
複數個第二焊點互連件216可包括複數個第二焊點互連件410。複數個第二焊點互連件410可以各種方式及組態配置。複數個第二焊點互連件410可經組態以提供一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地)。
圖8說明圖2之A-A橫截面及B-B橫截面之重疊之例示性平面圖。圖8說明與來自複數個第二焊點互連件216之焊點互連件重疊之來自複數個第一焊點互連件214之焊點互連件。特定言之,圖8說明:(i)來自第一系列第一焊點互連件602之焊點互連件可如何與來自第一系列第二焊點互連件702之焊點互連件豎直地(例如,部分地、完全地)重疊;(ii)來自第二系列第一焊點互連件604之焊點互連件可與來自第二系列第二焊點互連件704之焊點互連件豎直地重疊;以及(iii)來自第三系列第一焊點互連件606之焊點互連件可與來自第三系列第二焊點互連件706之焊點互連件豎直地重疊。
當在經組態用於同一電連接之焊點互連件之間存在豎直重疊時,通孔(例如,來自複數個通孔222)可豎直地定位在頂部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件214之焊點互連件)與底部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件216之焊點互連件)之間。通孔可耦接至襯墊,該襯墊耦接至焊點互連件。
如圖8中所展示,存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件602之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件702之底部焊點互連件之間的通孔802。亦存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件604之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件704之底部焊點互連件之間的通孔804。進一步存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件606之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件706之底部焊點互連件之間的通孔806。圖8說明其中存在與適當的頂部及底部焊點互連件重疊之其他通孔。圖8說明此等通孔以對角線方向對齊。
應注意,與頂部及底部焊點互連件重疊之通孔之大小可不同於本發明中所說明之通孔之大小。在一些實施方案中,與頂部及底部焊點互連件豎直地重疊之通孔可具有小於、等於或大於頂部及底部焊點互連件之大小的大小(例如,寬度、直徑)。因此,圖8中所展示之通孔(以及本發明中所展示之其他通孔)之大小僅為例示性的。應注意,在基板202中可存在其他通孔。
圖9至圖11說明焊點互連件及/或通孔之其他組態。圖9說明圖2之A-A橫截面之例示性平面圖。A-A橫截面可表示圖2之複數個第一焊點互連件214之例示性平面圖。應注意,A-A橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第一焊點互連件214包括第一系列第一焊點互連件902、第二系列第一焊點互連件904及第三系列第一焊點互連件906。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第一方向、對角線方向、45度)配置第一系列第一焊點互連件902、第二系列第一焊點互連件904及第三系列第一焊點互連件906。
第一系列第一焊點互連件902可經組態以提供第一電連接。第二系列第一焊點互連件904可經組態以提供第二電連接。第三系列第一焊點互連件906可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。
圖10說明圖2之B-B橫截面之例示性平面圖。B-B橫截面可表示圖2之複數個第二焊點互連件216之例示性平面圖。應注意,B-B橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第二焊點互連件216包括第一系列第二焊點互連件1002、第二系列第二焊點互連件1004及第三系列第二焊點互連件1006。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第二方向、對角線方向、135度、-45度)配置第一系列第二焊點互連件1002、第二系列第二焊點互連件1004及第三系列第二焊點互連件1006。第二方向可正交或垂直於第一方向。
第一系列第二焊點互連件1002可經組態以提供第一電連接。第二系列第二焊點互連件1004可經組態以提供第二電連接。第三系列第二焊點互連件1006可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。
複數個第二焊點互連件216可包括複數個第二焊點互連件410。複數個第二焊點互連件410可以各種方式及組態配置。複數個第二焊點互連件410可經組態以提供一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地)。
圖11說明圖2之A-A橫截面及B-B橫截面之重疊之例示性平面圖。圖11說明與來自複數個第二焊點互連件216之焊點互連件重疊之來自複數個第一焊點互連件214之焊點互連件。特定言之,圖11說明:(i)來自第一系列第一焊點互連件902之焊點互連件可如何與來自第一系列第二焊點互連件1002之焊點互連件豎直地(例如,部分地、完全地)重疊;(ii)來自第二系列第一焊點互連件904之焊點互連件可與來自第二系列第二焊點互連件1004之焊點互連件豎直地重疊;以及(iii)來自第三系列第一焊點互連件906之焊點互連件可與來自第三系列第二焊點互連件1006之焊點互連件豎直地重疊。
當在經組態用於同一電連接之焊點互連件之間存在豎直重疊時,通孔(例如,來自複數個通孔222)可豎直地定位在頂部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件214之焊點互連件)與底部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件216之焊點互連件)之間。通孔可耦接至襯墊,該襯墊耦接至焊點互連件。
如圖11中所展示,存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件902之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件1002之底部焊點互連件之間的通孔1102。亦存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件904之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件1004之底部焊點互連件之間的通孔1104。進一步存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件906之頂部焊點互連件與來自複數個第二焊點互連件1006之底部焊點互連件之間的通孔1106。圖8說明其中存在與適當的頂部及底部焊點互連件重疊之其他通孔。圖8說明此等通孔以X方向對齊。應注意,在基板202中可存在其他通孔。在一些實施方案中,通孔可以不同方向(例如,Y方向、對角)對齊。
應注意,當來自第一複數個焊點互連件214之頂部焊點互連件與來自第二複數個焊點互連件216之底部焊點互連件豎直地(例如,部分地、完全地)重疊且頂部焊點互連件經組態以提供與底部焊點互連件之電連接不同的電連接時,可不存在豎直地定位在頂部焊點互連件與底部焊點互連件之間的通孔。在此等情況下,頂部焊點互連件可耦接至定位在其他地方之襯墊、跡線及通孔,但通孔不必豎直地定位在頂部焊點互連件下方。類似地,在此等情況下,底部焊點互連件可耦接至定位在其他地方之襯墊、跡線及通孔,但通孔不必豎直地定位在底部焊點互連件上方。
應注意,與頂部及底部焊點互連件重疊之通孔之大小可不同於本發明中所說明之通孔之大小。在一些實施方案中,與頂部及底部焊點互連件豎直地重疊之通孔可具有小於、等於或大於頂部及底部焊點互連件之大小的大小(例如,寬度、直徑)。因此,圖11中所展示之通孔(以及本發明中所展示之其他通孔)之大小僅為例示性的。用於製造包含焊點互連件之配置之裝置之例示性順序
圖12 (其包括圖12A至圖12B)說明用於提供或製造裝置之例示性順序。在一些實施方案中,圖12之順序可用以提供或製造圖2之裝置200。然而,圖12之順序可用以製造包括本發明中所描述之焊點互連件之配置之裝置中之任一者。
應注意,圖12之順序可組合一或多個階段,以便簡化及/或澄清用於提供或製造裝置之順序。在一些實施方案中,可改變或修改程序之順序。在一些實施方案中,可在不脫離本發明之精神的情況下替換或替代程序中之一或多者。
如圖12A中所展示,階段1說明經提供之介電層220。介電層220可為核心層。介電層220可包括諸如矽、玻璃、石英、環氧樹脂或其組合之不同介電材料。
階段2說明在經由介電層220形成複數個凹穴1200之後的狀態。在一些實施方案中,使用鑽孔程序(例如,機械鑽孔)形成凹穴1200。可形成凹穴1200,使得凹穴具有與介電層220之第一表面及/或第二表面近似豎直之側壁。
階段3說明在介電層220之第一表面及第二表面以及凹穴1200之表面上方形成金屬(例如,銅)層且對其圖案化之後的狀態。鍍覆程序可用以形成金屬層。金屬層可包括晶種層及/或金屬層。因此,金屬層可包括超過一個金屬層。金屬層可限定複數個通孔222、第一複數個互連件224及第二複數個互連件226。
階段4說明複數個第一焊點互連件214設置在第一複數個互連件224上方。
如圖12B中所展示,階段5說明晶粒204經由複數個第一焊點互連件214耦接至基板202之狀態。在一些實施方案中,若干晶粒可耦接至基板202。
階段6說明在複數個第二焊點互連件216設置在第二複數個互連件226上方之後的狀態。在一些實施方案中,包括晶粒204及基板202之裝置200可經由複數個第二焊點互連件216耦接至板(例如,PCB 206)。用於製造包含焊點互連件之配置之裝置之方法的例示性流程圖
在一些實施方案中,製造包含焊點互連件之配置之裝置包括若干程序。圖13說明用於提供或製造包含焊點互連件之配置之裝置之方法1300的例示性流程圖。在一些實施方案中,圖13之方法1300可用以提供或製造圖2之裝置200,或本發明中所描述之任一裝置。
應注意,圖13之順序可組合一或多個程序,以便簡化及/或澄清用於提供或製造包含焊點互連件之配置之裝置之方法。在一些實施方案中,可改變或修改程序之順序。
方法1300 (在1305處)提供介電層220。介電層可為核心層。介電層220可包括諸如矽、玻璃、石英、環氧樹脂或其組合之不同介電材料。
方法1300可視情況(在1310處)移除核心層上方之金屬層。在一些實施方案中,核心層可具有形成在核心層之第一及/或第二表面上方之一或多個金屬層。在此等情況下,可(例如,藉由使用蝕刻程序)移除金屬層。
方法(在1315處)經由介電層220形成複數個凹穴。可使用如圖12A至圖12B中所描述之雷射程序或鑽孔程序形成複數個凹穴(例如,1200)。
方法(在1320處)在介電層220之第一表面及第二表面以及凹穴(例如,1200)之表面上方形成金屬層(例如,500)。鍍覆程序可用以形成金屬層。金屬層可包括晶種層及/或金屬層。
方法(在1325處)選擇性地移除金屬層之部分。圖12A之階段3說明在金屬層已經圖案化以形成及/或限定基板之互連件(例如,通孔、跡線、襯墊)之後的狀態。舉例而言,可形成複數個通孔222、第一複數個互連件224及第二複數個互連件226。
方法(在1330處)在第一複數個互連件224上方提供複數個第一焊點互連件214。
方法(在1335處)經由複數個焊點互連件214將晶粒(例如,204)耦接至基板。
方法(在1340處)在第二複數個互連件226上方提供複數個第二焊點互連件216。包含焊點互連件之配置之例示性裝置
圖14說明包括基板202 (例如,封裝基板)、晶粒204 (例如,第一晶粒)、複數個第一焊點互連件214及複數個第二焊點互連件216之裝置1400的剖面圖。裝置1400可為整合裝置封裝。裝置1400經由複數個第二焊點互連件216耦接至印刷電路板(PCB)。晶粒204經由複數個第一焊點互連件214耦接至基板202。複數個通孔1422可形成在介電層220中。
裝置1400可類似於如圖2中所描述之裝置200。複數個通孔1422類似於複數個通孔222。如圖14中所展示,複數個通孔1422具有與複數個通孔222不同的形狀。特定言之,複數個通孔1422具有對角或非豎直壁。包含焊點互連件及條帶之配置之例示性裝置
圖15說明包括基板202 (例如,封裝基板)、晶粒204 (例如,第一晶粒)、複數個第一焊點互連件214及複數個第二焊點互連件216之裝置1500的剖面圖。裝置1500可為整合裝置封裝。裝置1500經由複數個第二焊點互連件216耦接至印刷電路板(PCB) 206。裝置1500可包括PCB 206。晶粒204經由複數個第一焊點互連件214耦接至基板202。複數個通孔222可形成在介電層220中。
裝置1500可類似於如圖2中所描述之裝置200。如圖15中所展示,第一複數個互連件224可形成在封裝基板之第一金屬層(M1) (例如,介電層220之第一金屬層)上。第一金屬層(M1)可為面向晶粒204之頂部金屬層。第二複數個互連件226可形成在封裝基板之第二金屬層(M2) (例如,介電層220之第二金屬層)上。第二金屬層(M2)可為面向PCB 206及/或背離晶粒204之底部金屬層(M2)。互連件可包括通孔、襯墊及/或跡線。
第二複數個互連件226包括形成在基板202之第二金屬層(M2)上之至少一個條帶1526。條帶可為具有比襯墊及/或跡線更大尺寸之互連件。舉例而言,多個通孔及/或多個焊點互連件可耦接至單個條帶。在一些實施方案中,條帶之長度可至少為跡線或通孔之寬度的兩倍,以容納若干待耦接至條帶之通孔及/或焊點互連件。
圖16說明與圖15之M2層上之條帶重疊之A-A橫截面之例示性平面圖。A-A橫截面可表示圖15之複數個第一焊點互連件214之例示性平面圖。如圖16中所展示,基板202之M2層包括條帶1526、條帶1622、條帶1624及條帶1626。條帶1526、條帶1622、條帶1624及條帶1626以特定方向(例如,第一方向、Y軸、Y方向)對齊。條帶可具有不同寬度及/或長度。
複數個第一焊點互連件214包括第一系列第一焊點互連件1602、第二系列第一焊點互連件1604及第三系列第一焊點互連件1606。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第一方向、X方向、沿X軸)配置第一系列第一焊點互連件1602、第二系列第一焊點互連件1604及第三系列第一焊點互連件1606。
如圖16中所展示,焊點互連件中的一些可與條帶中之一者豎直地重疊。第一系列第一焊點互連件1602及條帶1526可經組態以提供第一電連接。第二系列第一焊點互連件1604、條帶1622及條帶1624可經組態以提供第二電連接。第三系列第一焊點互連件1606及條帶1626可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。可將第一系列第一焊點互連件1602、條帶1526、第二系列第一焊點互連件1604、條帶1622、條帶1624、第三系列第一焊點互連件1606及/或條帶1626視為裝置之核心凸塊區域之一部分。
圖17說明與圖15之M2層上之條帶重疊之B-B橫截面之例示性平面圖。B-B橫截面可表示圖15之複數個第二焊點互連件216之例示性平面圖。應注意,B-B橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第二焊點互連件216包括第一系列第二焊點互連件1702、第二系列第二焊點互連件1704及第三系列第二焊點互連件1706。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第二方向、Y方向、沿Y軸)配置第一系列第二焊點互連件1702、第二系列第二焊點互連件1704及第三系列第二焊點互連件1706。第二方向可正交或垂直於第一方向。
如圖17中所展示,焊點互連件中的一些可與條帶中之一者豎直地重疊。第一系列第二焊點互連件1702可經組態以提供第一電連接。第二焊點互連件1702中之一或多者可耦接至條帶1526。第二系列第二焊點互連件1704可經組態以提供第二電連接。第二焊點互連件1704中之一或多者可耦接至條帶1622及/或條帶1624。第三系列第二焊點互連件1706可經組態以提供第三電連接。第二焊點互連件1706中之一或多者可耦接至條帶1626。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。可將第一系列第二焊點互連件1702、條帶1526、第二系列第二焊點互連件1704、條帶1622、第三系列第二焊點互連件1706及/或條帶1626視為裝置之核心凸塊區域之一部分。
圖17說明一或多個第二焊點互連件216已移除及/或在條帶可與多個第二焊點互連件216重疊之區域中缺失,使得來自第二焊點互連件216之至少一個第二焊點互連件與特定條帶重疊。
複數個第二焊點互連件216可包括複數個第二焊點互連件1710。複數個第二焊點互連件1710可以各種方式及組態配置。複數個第二焊點互連件1710可經組態以提供一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地、雜項)。可將複數個第二焊點互連件1710視為裝置之周邊區域(例如,I/O凸塊區域)之一部分。
當在經組態用於同一電連接之焊點互連件之間存在豎直重疊時,通孔(例如,來自複數個通孔222)可豎直地定位在頂部焊點互連件(例如,來自複數個焊點互連件214之焊點互連件)與條帶(例如,1526、1622、1624、1626)之間。通孔可耦接至條帶,該條帶耦接至焊點互連件。
如圖17中所展示,存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件1602之頂部焊點互連件與條帶1526之間的通孔。亦存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件304之頂部焊點互連件與條帶1624之間的通孔。進一步存在豎直地定位在來自複數個第一焊點互連件1606之頂部焊點互連件與條帶1626之間的通孔。圖17說明其中存在與適當的頂部焊點互連件及條帶重疊之其他通孔。
應注意,條帶可具有不同形狀及大小,且可沿不同方向或不同方向之組合(例如,第一方向、第二方向、對角、X方向、Y方向)對齊。舉例而言,一或多個條帶可具有約200至700微米(µm)範圍內之間距。在一些實施方案中,複數個第二焊點互連件216之間距可具有約200至350微米(µm)範圍內之間距。在一些實施方案中,一或多個條帶可具有相當於複數個第二焊點互連件216之1至2個間距的間距。一或多個條帶可定位在區域中之一或多個第二焊點互連件216已移除及/或缺失(例如圖17中所展示)處。在一些實施方案中,條帶之間的最小間隔可在約30至50微米(µm)之範圍內。
在一些實施方案中,一系列焊點互連件可並非完全以特定方向對齊。在一些實施方案中,一系列焊點互連件可包括自其他焊點互連件偏移之焊點互連件。
圖18說明包括偏移焊點互連件之第一系列第一焊點互連件1802、包括偏移焊點互連件之第二系列第一焊點互連件1804及包括偏移焊點互連件之第三系列第一焊點互連件1806。第一系列、第二系列及第三系列沿特定方向(例如,Y軸、Y方向)對齊。
圖19說明包括偏移焊點互連件之第一系列第二焊點互連件1902、包括偏移焊點互連件之第二系列第二焊點互連件1904及包括偏移焊點互連件之第三系列第二焊點互連件1906。第一系列、第二系列及第三系列沿特定方向(例如,X軸、X方向)對齊。偏移焊點互連件可用以提供焊點互連件之間的足夠間隔。
複數個第二焊點互連件216可包括複數個第二焊點互連件1910。複數個第二焊點互連件1910可以各種方式及組態配置。複數個第二焊點互連件1910可經組態以提供一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地、雜項)。
如上文所提及,裝置可包括超過一個耦接至基板之晶粒。圖20說明包括耦接至基板202之第一晶粒2004及第二晶粒2006之裝置2000。裝置2000可類似於圖2之裝置200。第一晶粒2004及第二晶粒2006可經由第一複數個焊點互連件214耦接至基板202。
圖21說明圖20之A-A橫截面之例示性平面圖。A-A橫截面可表示圖20之複數個第一焊點互連件214之例示性平面圖。應注意,A-A橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。圖21說明裝置2000包括第一晶粒2004、第二晶粒2006、第三晶粒2104及第四晶粒2106。
複數個第一焊點互連件214包括第一系列第一焊點互連件302、第二系列第一焊點互連件304及第三系列第一焊點互連件306。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第一方向、Y方向、沿Y軸)配置第一系列第一焊點互連件302、第二系列第一焊點互連件304及第三系列第一焊點互連件306。
第一系列第一焊點互連件302可經組態以提供第一電連接。第二系列第一焊點互連件304可經組態以提供第二電連接。第三系列第一焊點互連件306可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。
圖22說明圖20之B-B橫截面之例示性平面圖。B-B橫截面可表示圖20之複數個第二焊點互連件216之例示性平面圖。應注意,B-B橫截面可適用於本發明中所描述之其他裝置。
複數個第二焊點互連件216包括第一系列第二焊點互連件402、第二系列第二焊點互連件404及第三系列第二焊點互連件406。一系列焊點互連件可包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件之配置。以特定方向(例如,第二方向、X方向、沿X軸)配置第一系列第二焊點互連件402、第二系列第二焊點互連件404及第三系列第二焊點互連件406。第二方向可正交或垂直於第一方向。
第一系列第二焊點互連件402可經組態以提供第一電連接。第二系列第二焊點互連件404可經組態以提供第二電連接。第三系列第二焊點互連件406可經組態以提供第三電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),且第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源)。
複數個第二焊點互連件216可包括複數個第二焊點互連件410。複數個第二焊點互連件410可以各種方式及組態配置。複數個第二焊點互連件410可經組態以提供一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地、雜項)。在一些實施方案中,圖21及圖22之A-A橫截面及B-B橫截面之重疊可由圖5描述且表示。
圖23說明裝置2300之例示性平面圖。裝置2300可實施為圖2之裝置200。在一些實施方案中,裝置2300可為裝置200之更具體的實施方案。圖23之平面圖可為圖2之基板202之A-A橫截面、B-B橫截面及M2層之重疊。
圖23說明以沿第一方向(例如,Y軸、Y方向)對齊之複數個條帶2310。條帶2310可形成在基板202之M2層上。圖23亦說明包括第二複數個焊點互連件2320 (例如,底部焊點互連件)之區段。第二複數個焊點互連件2320包括第一系列第二焊點互連件2322及第四系列第二焊點互連件2324。第二複數個焊點互連件2320以第二方向(例如,沿X軸、X方向)對齊。
圖23進一步說明第一系列第二複數個焊點互連件2302、第二系列第二複數個焊點互連件2304、第三系列第二複數個焊點互連件2306及第三系列第二複數個焊點互連件2308。焊點互連件之系列可以不同方向(例如,第一方向、第二方向、對角、X方向、Y方向)對齊。
第一系列第二焊點互連件2302可經組態以提供第一電連接。第二系列第二焊點互連件2304可經組態以提供第二電連接。第三系列第二焊點互連件2306可經組態以提供第三電連接。第四系列第二焊點互連件2308可經組態以提供第四電連接。在一些實施方案中,第一電連接可為接地,第二電連接可為電源(例如,第一電源、記憶體電源),第三電連接可為電源(例如,第二電源、處理器電源、邏輯電源),且第四電連接可為一或多個不同電連接(例如,電源、訊號、輸入/輸出、接地、雜項)。應注意,圖23不必說明裝置2300之所有互連件(例如,跡線、通孔、襯墊、條帶、焊點)。
本發明描述焊點互連件及/或條帶之許多組態、配置及對齊。應注意,所描述之各種組態可與焊點互連件及/或條帶之其他組態組合或修改。例示性電子裝置
圖24說明可與前述裝置、整合裝置、積體電路(IC)封裝、積體電路(IC)裝置、半導體裝置、積體電路、晶粒、插入件、封裝件、疊層封裝(PoP)、系統級封裝(SiP)或系統單晶片(SoC)中之任一者整合之各種電子裝置。舉例而言,行動電話裝置2402、膝上型電腦裝置2404、固定位置終端裝置2406、可穿戴式裝置2408或機動車輛2410可包括如本文中所描述之裝置2400。裝置2400可為例如本文中所描述之裝置及/或積體電路(IC)封裝中之任一者。圖24中所說明之裝置2402、2404、2406及2408以及車輛2410僅為例示性的。其他電子裝置亦可以包括(但不限於)如下裝置(例如,電子裝置)之群之裝置2400為特徵,該群包括:行動裝置、手持式個人通信系統(PCS)單元、便攜式資料單元(諸如個人數位助理)、全球定位系統(GPS)允用裝置、導航裝置、機上盒、音樂播放器、視訊播放器、娛樂單元、固定位置資料單元(諸如儀錶讀取設備)、通信裝置、智慧型電話、平板電腦、電腦、穿戴式裝置(例如,手錶、眼鏡)、物聯網(IoT)裝置、伺服器、路由器、在機動車輛(例如,自主車輛)中實施之電子裝置,或儲存或檢索資料或電腦指令之任何其他裝置或其任何組合。
圖2至圖11、圖12A至圖12B及/或圖13至圖24中所說明之組件、程序、特徵及/或功能中之一或多者可經重新佈置及/或組合為單個組件、程序、特徵或功能,或以若干組件、程序或功能實施。在不脫離本發明的情況下,亦可添加額外的元件、組件、程序及/或功能。亦應注意,本發明中之圖2至圖11、圖12A至圖12B及/或圖13至圖24及其對應描述不限於晶粒及/或IC。在一些實施方案中,圖2至圖11、圖12A至圖12B及/或圖13至圖24及其對應描述可用於製造、產生、提供及/或生產裝置及/或整合裝置。在一些實施方案中,裝置可包括晶粒、整合裝置、整合式被動裝置(IPD)、晶粒封裝、積體電路(IC)裝置、裝置封裝、積體電路(IC)封裝、晶圓、半導體裝置、疊層封裝(PoP)裝置、熱耗散裝置及/或插入件。
本文中所使用之字語「例示性」意謂「充當實例、例子或說明」。在本文中描述為「例示性」之任何實施方案或態樣未必解釋為比本發明之其他態樣較佳或有利。同樣,術語「態樣」不要求本發明之所有態樣皆包括所論述之特徵、優勢或操作模式。術語「耦接」在本文中用以指代在兩個物件之間的直接耦接或間接耦接。舉例而言,若物件A實體接觸物件B,且物件B接觸物件C,則可將物件A及C視為彼此耦接(即使其沒有直接實體地彼此接觸)。應進一步注意,如本申請案中在一個組件定位在另一組件上方之上下文中所使用之術語「上方」可用於意謂一組件在另一組件上及/或在另一組件中(例如,在一組件之表面上或經嵌入在一組件中)。因此,舉例而言,在第二組件上方之第一組件可意謂:(1)第一組件在第二組件上方,但不直接接觸第二組件;(2)第一組件在第二組件上(例如,在第二組件之表面上);及/或(3)第一組件在第二組件中(例如,嵌入在第二組件中)。本發明中所使用之術語術語「約「值X」」或「近似值X」意謂在「值X」的10%之內。舉例而言,約1或近似1之值將意謂在0.9至1.1之範圍內之值。
在一些實施方案中,互連件為裝置或封裝件之元件或組件,其允許或有助於兩個點、元件及/或組件之間的電連接。在一些實施方案中,互連件可包括跡線、通道、襯墊、導柱、重佈金屬層及/或下凸塊金屬(UBM)層。在一些實施方案中,互連件為可經組態以向訊號(例如,資料訊號、接地或電源)提供電路徑之導電材料。互連件可為電路之一部分。互連件可包括超過一個互連件、元件及/或組件。
本發明中提及且圖式中說明之X方向、Y方向、正交方向及對角方向為例示性的。然而,不同實施方案可不同地限定X方向、Y方向、正交方向及/或對角方向。舉例而言,X方向及/或Y方向可限定為基本上並行或垂直於封裝基板或晶粒之側表面或側壁之方向。
此外,應注意,本文中所含有之各種發明可經描述為程序,該程序經描繪為流程圖、流程框圖、結構圖或方塊圖。儘管流程圖可能將操作描述為順序程序,但許多操作可並行地或同時加以執行。另外,操作之次序可重新佈置。當程序之操作完成時,該程序終止。
本文中所描述之本發明之各種特徵可在不脫離本發明之情況下實施於不同系統中。應注意,本發明之前述態樣僅為實例且將不解釋為限制本發明。本發明之態樣之描述意欲為說明性的,且將不限制申請專利範圍之範疇。因而,本發明之教示可容易應用於其他類型之設備,且許多替代例、修改及變化對於熟習此項技術者而言將顯而易見。
100:整合裝置
102:基板
104:晶粒
120:介電層
122:互連件
123:表面互連件
124:第一阻焊層
126:第二阻焊層
130:焊點互連件
140:焊點互連件
200:裝置
202:基板
204:晶粒
206:印刷電路板
214:第一焊點互連件
216:第二焊點互連件
220:介電層
222:通孔
224:互連件
226:互連件
302:第一系列第一焊點互連件
304:第二系列第一焊點互連件
306:第三系列第一焊點互連件
402:第一系列第二焊點互連件
404:第二系列第二焊點互連件
406:第三系列第二焊點互連件
410:第二焊點互連件
500:金屬層
502:通孔
504:通孔
506:通孔
602:第一系列第一焊點互連件
604:第二系列第一焊點互連件
606:第三系列第一焊點互連件
702:第一系列第二焊點互連件
704:第二系列第二焊點互連件
706:第三系列第二焊點互連件
802:通孔
804:通孔
806:通孔
902:第一系列第一焊點互連件
904:第二系列第一焊點互連件
906:第三系列第一焊點互連件
1002:第一系列第二焊點互連件
1004:第二系列第二焊點互連件
1006:第三系列第二焊點互連件
1102:通孔
1104:通孔
1106:通孔
1200:凹穴
1300:方法
1305:步驟
1310:步驟
1315:步驟
1320:步驟
1325:步驟
1330:步驟
1335:步驟
1340:步驟
1400:裝置
1422:通孔
1500:裝置
1526:條帶
1602:第一系列第一焊點互連件
1604:第二系列第一焊點互連件
1606:第三系列第一焊點互連件
1622:條帶
1624:條帶
1626:條帶
1702:第一系列第二焊點互連件
1704:第二系列第二焊點互連件
1706:第三系列第二焊點互連件
1710:第二焊點互連件
1802:第一系列第一焊點互連件
1804:第二系列第一焊點互連件
1806:第三系列第一焊點互連件
1902:第一系列第二焊點互連件
1904:第二系列第二焊點互連件
1906:第三系列第二焊點互連件
1910:第二焊點互連件
2000:裝置
2004:第一晶粒
2006:第二晶粒
2104:第三晶粒
2106:第四晶粒
2300:裝置
2302:第一系列第二複數個焊點互連件
2304:第二系列第二複數個焊點互連件
2306:第三系列第二複數個焊點互連件
2308:第三系列第二複數個焊點互連件
2310:條帶
2320:第二複數個焊點互連件
2322:第一系列第二焊點互連件
2324:第四系列第二焊點互連件
2400:裝置
2402:行動電話裝置
2404:膝上型電腦裝置
2406:固定位置終端裝置
2408:可穿戴式裝置
2410:機動車輛
各種特徵、性質及優勢將自結合圖式在下文闡述之詳細描述變得顯而易見,在圖式中,相同參考字元貫穿全文對應地進行識別。
圖1說明包括晶粒、基板之整合裝置的剖面圖。
圖2說明包括晶粒、基板及焊點互連件之配置之裝置的剖面圖。
圖3說明跨頂部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖4說明跨底部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖5說明頂部及底部焊點互連件之配置之重疊的平面圖。
圖6說明跨頂部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖7說明跨底部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖8說明頂部及底部焊點互連件之配置之重疊的平面圖。
圖9說明跨頂部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖10說明跨底部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖11說明頂部及底部焊點互連件之配置之重疊的平面圖。
圖12 (包含圖12A至圖12B)說明用於製造包括晶粒、基板及焊點互連件之配置之裝置的例示性順序。
圖13說明用於製造包括晶粒、基板及焊點互連件之配置之裝置之方法的例示性流程圖。
圖14說明包括晶粒、基板及焊點互連件之配置之裝置的剖面圖。
圖15說明包括晶粒、基板、條帶及焊點互連件之配置之裝置的剖面圖。
圖16說明跨基板之金屬層上之頂部焊點互連件及條帶之配置之裝置的平面圖。
圖17說明跨基板之金屬層上之底部焊點互連件及條帶之配置之裝置的平面圖。
圖18說明跨頂部偏移焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖19說明跨底部偏移焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖20說明包括若干晶粒、基板及焊點互連件之配置之裝置的剖面圖。
圖21說明跨頂部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖22說明跨底部焊點互連件之配置之裝置的平面圖。
圖23說明跨頂部及底部焊點互連件及條帶之配置之裝置的平面圖。
圖24說明可整合本文中所描述之晶粒、整合裝置、整合式被動裝置(IPD)、被動組件、封裝件及/或裝置封裝之各種電子裝置。
216:第二焊點互連件
402:第一系列第二焊點互連件
404:第二系列第二焊點互連件
406:第三系列第二焊點互連件
410:第二焊點互連件
Claims (25)
- 一種裝置,其包含: 一第一晶粒;及 一封裝基板,其包括: 一介電層; 複數個通孔,其形成在該介電層中; 一第一複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第一金屬層上;及 一第二複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第二金屬層上; 複數個第一焊點互連件,其耦接至該第一複數個互連件,其中該複數個第一焊點互連件包括: 一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接;及 一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接;及 複數個第二焊點互連件,其耦接至該第二複數個互連件,其中該複數個第二焊點互連件包括: 一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接;及 一第二系列第二焊點互連件,其以該第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供該第二電連接。
- 如請求項1之裝置,其中該第一方向沿著一X軸,且該第二方向沿著一Y方向。
- 如請求項1之裝置,其中該第一方向沿著一第一對角線方向,且該第二方向沿著一第二對角線方向。
- 如請求項1之裝置,其中該第一方向沿著一X軸,且該第二方向沿著一對角線方向。
- 如請求項1之裝置,其中一系列焊點互連件包括兩個或多於兩個鄰近焊點互連件。
- 如請求項1之裝置,其中該複數個通孔包括: 一第一複數個通孔,其經組態以提供該第一電連接,其中來自該第一複數個通孔之各通孔豎直地定位在與來自該第一系列第二焊點互連件之一各別第二焊點互連件豎直地重疊的來自該第一系列第一焊點互連件之一各別第一焊點互連件之間;及 一第二複數個通孔,其經組態以提供該第二電連接,其中來自該第二複數個通孔之各通孔豎直地定位在與來自該第二系列第二焊點互連件之一各別第二焊點互連件豎直地重疊的來自該第二系列第一焊點互連件之一各別第一焊點互連件之間。
- 如請求項1之裝置,其中該第一複數個通孔以一第三方向配置。
- 如請求項1之裝置,其進一步包含一第二晶粒, 其中該複數個第一焊點互連件進一步包括以該第一方向配置之一第三系列第一焊點互連件,該第三系列第一焊點互連件經組態以提供一第三電連接,且 其中該複數個第二焊點互連件進一步包括以該第二方向配置之一第三系列第二焊點互連件,該第三系列第二焊點互連件經組態以提供該第三電連接。
- 如請求項8之裝置,其中該第一電連接包含用於該第一晶粒之一第一電源,該第二電連接包含用於該第二晶粒之一第二電源,且該第三電連接為接地。
- 如請求項1之裝置,其中該第一系列第一焊點互連件包括偏移焊點互連件。
- 如請求項1之裝置,其中該裝置併入至選自由以下組成之群之一裝置中:一音樂播放器、一視訊播放器、一娛樂單元、一導航裝置、一通信裝置、一行動裝置、一行動電話、一智慧型電話、一個人數位助理、一固定位置終端、一平板電腦、一電腦、一可穿戴式裝置、一膝上型電腦、一伺服器及一機動車輛中之一裝置。
- 一種裝置,其包含: 一第一晶粒;及 一封裝基板,其包括: 一介電層; 複數個通孔,其形成在該介電層中; 一第一複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第一金屬層上;及 一第二複數個互連件,其形成在該封裝基板之一第二金屬層上,其中該第二複數個互連件包括一第一條帶; 複數個第一焊點互連件,其耦接至該第一複數個互連件,其中該複數個第一焊點互連件包括: 一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接,其中來自該第一系列第一焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及 一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接;及 複數個第二焊點互連件,其耦接至該第二複數個互連件,其中該複數個第二焊點互連件包括: 一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接,其中來自該第一系列第二焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及 一第二系列第二焊點互連件,其以該第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供該第二電連接。
- 如請求項12之裝置,其中該第一條帶沿該第一方向對齊。
- 如請求項12之裝置, 其中該第二複數個互連件包括一第二條帶, 其中來自該第二系列第一焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第二條帶豎直地重疊,且 其中來自該第二系列第二焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第二條帶豎直地重疊。
- 如請求項14之裝置,其中該複數個通孔包括豎直地定位在與該第一條帶豎直地重疊的來自該第一系列第一焊點互連件之一各別第一焊點互連件之間的一第一通孔。
- 如請求項15之裝置,其中該複數個通孔包括豎直地定位在與該第二條帶豎直地重疊的來自該第二系列第一焊點互連件之一各別第一焊點互連件之間的一第二通孔。
- 如請求項14之裝置,其中該第一條帶沿該第一方向對齊,且該第二條帶沿一第二方向對齊。
- 如請求項12之裝置,其進一步包含一第二晶粒, 其中該複數個第一焊點互連件進一步包括以該第一方向配置之一第三系列第一焊點互連件,該第三系列第一焊點互連件經組態以提供一第三電連接,且 其中該複數個第二焊點互連件進一步包括以該第二方向配置之一第三系列第二焊點互連件,該第三系列第二焊點互連件經組態以提供該第三電連接。
- 如請求項18之裝置, 其進一步包含一第三晶粒, 其中該複數個第一焊點互連件進一步包括以該第一方向配置之一第四系列第一焊點互連件,該第四系列第一焊點互連件經組態以提供一第四電連接,且 其中該複數個第二焊點互連件進一步包括以該第二方向配置之一第四系列第二焊點互連件,該第四系列第二焊點互連件經組態以提供該第四電連接。
- 如請求項12之裝置,其中該第一晶粒包含一處理器,該第二晶粒包含一記憶體,且該第三晶粒包含一數據機。
- 一種用於製造一裝置之方法,其包含: 提供一封裝基板,其中提供該封裝基板包括: 提供一介電層; 在該介電層中形成複數個通孔; 在該封裝基板之一第一金屬層上形成一第一複數個互連件;以及 在該封裝基板之一第二金屬層上形成一第二複數個互連件,其中該第二複數個互連件包括一第一條帶; 將複數個第一焊點互連件耦接至該第一複數個互連件,其中該複數個第一焊點互連件包括: 一第一系列第一焊點互連件,其以一第一方向配置,該第一系列第一焊點互連件經組態以提供一第一電連接,其中來自該第一系列第一焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及 一第二系列第一焊點互連件,其以該第一方向配置,該第二系列第一焊點互連件經組態以提供一第二電連接; 經由該複數個焊點互連件將一第一晶粒耦接至該封裝基板;以及 將複數個第二焊點互連件耦接至該第二複數個互連件,其中該複數個第二焊點互連件包括: 一第一系列第二焊點互連件,其以一第二方向配置,該第一系列第二焊點互連件經組態以提供該第一電連接,其中來自該第一系列第二焊點互連件之至少一個焊點互連件與該第一條帶豎直地重疊;及 一第二系列第二焊點互連件,其以該第二方向配置,該第二系列第二焊點互連件經組態以提供該第二電連接。
- 如請求項21之方法,其中該第一方向沿著一X軸,且該第二方向沿著一Y方向。
- 如請求項21之方法,其中該第一方向沿著一第一對角線方向,且該第二方向沿著一第二對角線方向。
- 如請求項21之方法,其中該第一方向沿著一X軸,且該第二方向沿著一對角線方向。
- 如請求項21之方法,其中形成該第二複數個互連件包括在該封裝基板之該第二金屬層上形成一第一條帶。
Applications Claiming Priority (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US201962787580P | 2019-01-02 | 2019-01-02 | |
US62/787,580 | 2019-01-02 | ||
US16/453,803 | 2019-06-26 | ||
US16/453,803 US10916494B2 (en) | 2019-01-02 | 2019-06-26 | Device comprising first solder interconnects aligned in a first direction and second solder interconnects aligned in a second direction |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW202042362A true TW202042362A (zh) | 2020-11-16 |
TWI850290B TWI850290B (zh) | 2024-08-01 |
Family
ID=
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
US11437307B2 (en) | 2022-09-06 |
CN113287196B (zh) | 2023-07-25 |
US10916494B2 (en) | 2021-02-09 |
EP3906580A1 (en) | 2021-11-10 |
CN113287196A (zh) | 2021-08-20 |
WO2020142152A1 (en) | 2020-07-09 |
US20210066177A1 (en) | 2021-03-04 |
US20200211943A1 (en) | 2020-07-02 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
CN107078101B (zh) | 在封装层中包括硅桥接的集成器件封装 | |
KR102541861B1 (ko) | 리소-에칭가능 층에 브리지를 포함하는 통합 디바이스 패키지 | |
US20210066189A1 (en) | Package substrate and method of fabricating the same | |
TWI723436B (zh) | 包括核心層的嵌入式跡線襯底(ets)中的高密度互連 | |
US10321575B2 (en) | Integrated circuit (IC) module comprising an integrated circuit (IC) package and an interposer with embedded passive components | |
US7378726B2 (en) | Stacked packages with interconnecting pins | |
US9633977B1 (en) | Integrated device comprising flexible connector between integrated circuit (IC) packages | |
KR102428876B1 (ko) | 패키지 기판을 제조하기 위한 방법 및 패키지. | |
TWI620269B (zh) | 包括具有多個管腳且至少一個管腳橫越電容器極板的電容器的積體裝置 | |
US9679873B2 (en) | Low profile integrated circuit (IC) package comprising a plurality of dies | |
US11437307B2 (en) | Device comprising first solder interconnects aligned in a first direction and second solder interconnects aligned in a second direction | |
CN107112310B (zh) | 包括高性能封装间连接的层叠封装(pop)器件 | |
KR20220162126A (ko) | 하이브리드 패키지 장치 및 제조 방법 | |
KR20180111840A (ko) | 집적 회로(ic) 패키지들 사이의 플렉시블 커넥터를 포함하는 통합 디바이스 | |
TW201921590A (zh) | 具有保留互連部分之精細節距及間隔互連 | |
US9337146B1 (en) | Three-dimensional integrated circuit stack | |
TW202123408A (zh) | 雙邊嵌入式跡線基板 |