TW202040826A - 堆疊型電容器組件結構 - Google Patents

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Abstract

本發明公開一種堆疊型電容器組件結構，其包括一電容單元以及一電極單元。電容單元包括多個堆疊型電容器。每個堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部。電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構。每個堆疊型電容器包括一金屬箔片，金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，多孔性腐蝕層至少被區分成屬於正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於負極部的一第二多孔性腐蝕區。電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的第一多孔性腐蝕區，以阻擋水氣經過第一多孔性腐蝕區。藉此，以有效阻擋水氣經過第一多孔性腐蝕區。

Description

堆疊型電容器組件結構
本發明涉及一種電容器組件結構，特別是涉及一種堆疊型電容器組件結構。
電容器已廣泛地被使用於消費性家電用品、電腦主機板及其周邊、電源供應器、通訊產品、及汽車等的基本元件，其主要的作用包括：濾波、旁路、整流、耦合、去耦、轉相等。是電子產品中不可缺少的元件之一。電容器依照不同的材質及用途，有不同的型態。包括鋁質電解電容、鉭質電解電容、積層陶瓷電容、薄膜電容等。先行技術中，固態電解電容器具有小尺寸、大電容量、頻率特性優越等優點，而可使用於中央處理器的電源電路的解耦合作用上。一般而言，可利用多個電容單元的堆疊，而形成高電容量的固態電解電容器，現在技術的堆疊式固態電解電容器包括多個電容單元與導線架，其中每一電容單元包括陽極部、陰極部與絕緣部，此絕緣部使陽極部與陰極部彼此電性絕緣。特別是，電容單元的陰極部彼此堆疊，且藉由在相鄰的電容單元之間設置導電體層，以使多個電容單元之間彼此電性連接。然而，現有技術中的堆疊式電容器仍然具有可改善空間。
本發明所要解決的技術問題在於，針對現有技術的不足提供一種堆疊型電容器組件結構。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的其中一技術方案是，提供一種堆疊型電容器組件結構，其包括：一電容單元、一 封裝單元以及一電極單元。所述電容單元包括多個堆疊型電容器，每個所述堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部。所述封裝單元包括一部分地包覆所述電容單元的絕緣封裝體，所述電容單元具有從所述封裝單元裸露而出的一第一部分以及一第二部分。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構。其中，每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區。其中，所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區，以阻擋水氣經過所述第一多孔性腐蝕區。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外一技術方案是，提供一種堆疊型電容器組件結構，其包括：一電容單元、一封裝單元以及一電極單元。所述電容單元包括多個堆疊型電容器，每個所述堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部。所述封裝單元包括一部分地包覆所述電容單元的絕緣封裝體。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構。其中，每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區。其中，所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區。
為了解決上述的技術問題，本發明所採用的另外再一技術方案是，提供一種堆疊型電容器組件結構，其包括：一電容單元以及一電極單元。所述電容單元包括多個堆疊型電容器，每個所述堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部。所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構。其中，每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層， 所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區。其中，所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區。
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的堆疊型電容器組件結構，其能通過“每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區”以及“所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區，以阻擋水氣經過所述第一多孔性腐蝕區”的技術方案，以有效阻擋水氣經過第一多孔性腐蝕區。
為使能更進一步瞭解本發明的特徵及技術內容，請參閱以下有關本發明的詳細說明與圖式，然而所提供的圖式僅用於提供參考與說明，並非用來對本發明加以限制。
Z‧‧‧電容器組件結構
1‧‧‧電容單元
101‧‧‧第一部分
102‧‧‧第二部分
11‧‧‧堆疊型電容器
11A‧‧‧第一堆疊型電容器
11B‧‧‧第二堆疊型電容器
110‧‧‧金屬箔片
1100‧‧‧多孔性腐蝕層
1100a‧‧‧第一多孔性腐蝕區
1100b‧‧‧第二多孔性腐蝕區
1110‧‧‧圍繞區域
111‧‧‧氧化層
112‧‧‧導電高分子複合材料層
1120‧‧‧末端
113‧‧‧碳膠層
1130‧‧‧末端
114‧‧‧銀膠層
1140‧‧‧末端
115‧‧‧圍繞狀絕緣層
12‧‧‧圍繞狀絕緣填充物
P‧‧‧正極部
N‧‧‧負極部
2‧‧‧封裝單元
20‧‧‧絕緣封裝體
3‧‧‧電極單元
31‧‧‧第一電極結構
310‧‧‧導電阻水層
311‧‧‧第一內部導電層
312‧‧‧第一中間導電層
313‧‧‧第一外部導電層
32、34‧‧‧第二電極結構
321‧‧‧第二內部導電層
322‧‧‧第二中間導電層
323‧‧‧第二外部導電層
4‧‧‧支撐單元
41‧‧‧第一支撐件
42‧‧‧第二支撐件
5‧‧‧絕緣基板
G‧‧‧導電膠
圖1為本發明第一實施例的堆疊型電容器組件結構的堆疊型電容器的第一剖視示意圖。
圖2為本發明第一實施例的堆疊型電容器組件結構的堆疊型電容器的第二剖視示意圖。
圖3為圖1中III部分的第一放大示意圖。
圖4為圖1中III部分的第二放大示意圖。
圖5為本發明第一實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖6為本發明第二實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖7為本發明第三實施例的堆疊型電容器組件結構的部分側視示意圖。
圖8為本發明第四實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖9為本發明第五實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖10為本發明第六實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖11為本發明第七實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖12為本發明第八實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖13為本發明第九實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖14為本發明第十實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖15為本發明第十一實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖16為本發明第十二實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖17為本發明第十三實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
圖18為本發明第十四實施例的堆疊型電容器組件結構的側視示意圖。
以下是通過特定的具體實施例來說明本發明所公開有關“堆疊型電容器組件結構”的實施方式，本領域技術人員可由本說明書所公開的內容瞭解本發明的優點與效果。本發明可通過其他不同的具體實施例加以施行或應用，本說明書中的各項細節也可基於不同觀點與應用，在不悖離本發明的構思下進行各種修改與變 更。另外，本發明的附圖僅為簡單示意說明，並非依實際尺寸的描繪。以下的實施方式將進一步詳細說明本發明的相關技術內容，但所公開的內容並非用以限制本發明的保護範圍。
[第一實施例]
參閱圖1至圖5所示，本發明第一實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。舉例來說，堆疊型電容器組件結構Z可為一種堆疊型電容器封裝結構或者是一種屬於構件型態的堆疊型電容器構件，亦或者是一種以使用類型來定義的堆疊式固態電解電容器。
首先，電容單元1包括多個堆疊型電容器11，並且每個堆疊型電容器11具有一正極部P以及一負極部N。更進一步來說，多個堆疊型電容器11會依序堆疊，每兩個堆疊的堆疊型電容器11能通過導電膠G而彼此電性相連，並且多個堆疊型電容器11的多個正極部P會彼此分離而不接觸。舉例來說，如圖7所示，每一個堆疊型電容器11包括一閥金屬箔片110、一完全包覆閥金屬箔片110的氧化層111、一包覆氧化層111的一部分的導電高分子複合材料層112、一完全包覆導電高分子複合材料層112的碳膠層113、及一完全包覆碳膠層113的銀膠層114。氧化層111形成在金屬箔片110的外表面上，以完全包覆金屬箔片110。依據不同的使用需求，金屬箔片110可以是鋁、銅或者任何的金屬材料，並且金屬箔片110的表面具有一多孔性腐蝕層1100，所以金屬箔片110可以是一具有多孔性腐蝕層1100的腐蝕箔片。當金屬箔片110被氧化後，金屬箔片110的表面就會形成一氧化層111，而表面形成有氧化層111的金屬箔片110可以稱為一種閥金屬箔片(valve metal foil)。多孔性腐蝕層1100至少被區分成屬於堆疊型電容器11的正極部P的一第一多孔性腐蝕區1100a以及屬於堆疊型電容器11的負極部N的一第二多孔性腐蝕區1100b。
更進一步來說，如圖1及圖2所示，每一個堆疊型電容器11還包括一設置在氧化層111的外表面上且圍繞氧化層111的圍繞狀絕緣層115，並且堆疊型電容器11的導電高分子複合材料層112的長度、碳膠層113的長度及銀膠層114的長度都被圍繞狀絕緣層115所限制。第二多孔性腐蝕區1100b涵蓋負極部N與圍繞狀絕緣層115的區域。更進一步來說，氧化層111的外表面上具有一圍繞區域1110，並且堆疊型電容器11的圍繞狀絕緣層115圍繞地設置在氧化層111的圍繞區域1110上且同時接觸導電高分子複合材料層112的末端1120、碳膠層113的末端1130及銀膠層114的末端1140。然而，本發明所使用的堆疊型電容器11不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，電容單元1還進一步包括多個圍繞狀絕緣填充物12，每個圍繞狀絕緣填充物12圍繞地填充於相對應的第一多孔性腐蝕區1100a。舉例來說，圍繞狀絕緣填充物12圍繞地形成在第一多孔性腐蝕區1100a的氧化層111的一外表面上，並位於堆疊型電容器11的第一部分101與負極部N之間，以阻擋水氣經過第一多孔性腐蝕區1100a。其中，圍繞狀絕緣填充物12能包覆在堆疊型電容器11的第一部分101與負極部N之間(如圖1所示)，也可以是僅圍繞部分的第一多孔性腐蝕區1100a(如圖2所示)。並且，圍繞狀絕緣填充物12可以是具有一定的厚度且圍繞第一多孔性腐蝕區1100a(如圖3所示)的型態，也可以只是填充於第一多孔性腐蝕區1100a的孔隙的型態(如圖4所示)。此外，圍繞狀絕緣填充物12是一種可由任何的絕緣材料(例如環氧樹脂(epoxy)、酚醛樹脂或者矽氧樹脂(silicon))所製成的絕緣層。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
另外，堆疊型電容器11也可以包括一金屬箔片、一氧化層、一導電高分子層、一碳膠層以及一銀膠層。舉例來說，氧化層形成在金屬箔片的外表面上，以完全包覆金屬箔片。導電高分子層 形成在氧化層上，以部分地包覆氧化層。碳膠層形成在導電高分子層上，以包覆導電高分子層。銀膠層形成在碳膠層上，以包覆導電高分子層。依據不同的使用需求，金屬箔片可以是鋁、銅或者任何的金屬材料，並且金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所以金屬箔片可以是一具有多孔性腐蝕層的腐蝕箔片。當金屬箔片被氧化後，金屬箔片的表面就會形成一氧化層，而表面形成有氧化層的金屬箔片可以稱為一種閥金屬箔片(valve metal foil)。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
更進一步來說，堆疊型電容器11也還可以進一步包括一圍繞狀阻隔層，圍繞狀阻隔層圍繞地形成在氧化層的一外表面上。舉例來說，圍繞狀阻隔層的一外周圍表面相對於氧化層的距離會大於、小於或者等於銀膠層的一外周圍表面相對於氧化層的距離。另外，導電高分子層的一末端、碳膠層的一末端以及銀膠層的一末端都會接觸或者分離圍繞狀阻隔層，以使得導電高分子層的長度、碳膠層的長度以及銀膠層的長度都會受到圍繞狀阻隔層的限制。另外，依據不同的使用需求，圍繞狀阻隔層可以是一種可由任何的絕緣材料(例如epoxy或者silicon)所製成的絕緣層。值得注意的是，依據不同的使用需求，堆疊型電容器11也可以不使用圍繞狀阻隔層。然而，本發明不以上述所舉的例子為限。
再者，封裝單元2包括一部分地包覆電容單元1的絕緣封裝體20，並且電容單元1具有從封裝單元2裸露而出的一第一部分101以及一第二部分102。也就是說，每個堆疊型電容器11的第一部分101與第二部分102都會被絕緣封裝體20所裸露而不會被包覆。舉例來說，絕緣封裝體20可由任何的絕緣材料所製成，例如epoxy或者silicon。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
此外，電極單元3包括一第一電極結構31以及一第二電極結構32。更進一步來說，第一電極結構31能作為“第一外側端電極”，以包覆電容單元1的第一部分101且電性接觸堆疊型電容 器11的正極部P。另外，第二電極結構32能作為“第二外側端電極”，以包覆電容單元1的第二部分102且電性接觸堆疊型電容器11的負極部N。換句話說，第一電極結構31能作為一外側端電極，以包覆電容單元1的一側端部並電性接觸堆疊型電容器11的正極部P與負極部N兩者中的其中一個，並且第二電極結構32能作為另一個外側端電極，以包覆電容單元1的另一個側端部並電性接觸堆疊型電容器11的正極部P與負極部N兩者中的另外一個。
藉此，當作第一外側端電極的第一電極結構31與當作第二外側端電極的第二電極結構32能分別用來包覆堆疊型電容器11的第一部分101與第二部分102(也就是說，第一電極結構31與第二電極結構32不會像導線架的電極引腳一樣需要插入絕緣封裝體20的內部)，所以電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32能夠被快速的形成在絕緣封裝體20的兩相反側端部上而不用進行任何的彎折步驟(彎折導線架的電極引腳的步驟)，藉此以有效提升堆疊型電容器組件結構Z的生產效率。
[第二實施例]
參閱圖6所示，本發明第二實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖6與圖5的比較可知，本發明第二實施例與第一實施例的最大差異在於：在第二實施例中，第一電極結構31包括一包覆第一部分101且電性接觸正極部P的第一內部導電層311、一包覆第一內部導電層311的第一中間導電層312以及一包覆第一中間導電層312的第一外部導電層313。另外，第二電極結構32包括一包覆第二部分102且電性接觸負極部N的第二內部導電層321、一包覆第二內部導電層321的第二中間導電層322以及一包覆第二中間導電層322的第二外部導電層323。
舉例來說，第一內部導電層311與第二內部導電層321可以都包括Ag層(或者其它與Ag相似的導電材料)或者包括Ag層與導電擴散阻礙層的複合層，第一中間導電層312與第二中間導電層322可以都是Ni層或者其它與Ni相似的導電材料，第一外部導電層313與第二外部導電層323可以都是Sn層或者其它與Sn相似的導電材料。另外，所述導電擴散阻礙層選自於由碳(C)、碳化合物、奈米碳管、石墨烯、銀(Ag)、金(Au)、鉑(Pt)、鈀(Pb)、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)以及其它抗氧化材料所組成的群組，然而本發明不以上述所舉的例子為限。因此，通過導電擴散阻礙層的使用，外界的水氣不會穿過電極單元3而進入電容單元1，藉此以提升堆疊型電容器組件結構Z的氣密性與耐候性。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
[第三實施例]
參閱圖7所示，本發明第三實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖7與圖6的比較可知，本發明第三實施例與第二實施例的最大差異在於：在第三實施例中，第一電極結構31包括一連接於多個正極部P與多個圍繞狀絕緣填充物12的導電阻水層310，導電阻水層310由金屬材料或者金屬化合物所製成，金屬材料為金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、鋅(Zn)或者黃銅(Ms)，所述金屬化合物為Ni-Cr、TiW、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)或者氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)。
舉例來說，第一電極結構31還進一步可包括一導電阻水層310，其形成在第一電極結構31與多個正極部P以及多個圍繞狀絕緣填充物12的接觸面上。更進一步來說，通過濺鍍方式形成一導電阻水層310覆蓋、遮蔽於多個正極部P以及多個圍繞狀絕緣 填充物12。由於導電阻水層310通過濺鍍的方式所形成，因此，導電阻水層310覆蓋多個正極部P以及多個圍繞狀絕緣填充物12的覆蓋率可達100%，覆蓋面積能夠沒有任何孔隙，而有效的防止外界的水氣、氧氣穿過電極單元3而進入電容單元1，進而達到阻水、阻氧的功效。藉此，可提升堆疊型電容器組件結構Z的氣密性與耐候性。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
[第四實施例]
參閱圖8所示，本發明第四實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖8與圖5的比較可知，本發明第十實施例與第一實施例的最大差異在於：在第四實施例中，堆疊型電容器組件結構Z還可進一步包括一絕緣基板5，其可設置於第一電極結構31與第二電極結構32之間，絕緣基板5上部分表面塗佈有導電膠G。並且，多個堆疊型電容器11能依序堆疊在第一支撐件41上，其中一堆疊型電容器11的負極部N通過導電膠G能電性連接於第二電極結構32。換句話說，第四實施例的多個堆疊型電容器11能夠預先通過絕緣基板5的使用而得到支撐，以利於後續的加工。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第九實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第五實施例]
參閱圖9所示，本發明第五實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖9與圖5的比較可知，本發明第五實施例與第一實施例的最大差異在於：在第五實施例中，多個堆疊型電容器11的多個正 極部P會依序堆疊。舉例來說，多個正極部P可以通過雷射焊接、阻抗焊接或者其它種類的焊接方式依序堆疊，然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第五實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第六實施例]
參閱圖10所示，本發明第六實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖10與圖9的比較可知，本發明第六實施例與第5實施例的最大差異在於：第六實施例的堆疊型電容器組件結構Z還進一步包括一支撐單元4，並且支撐單元4包括一第一支撐件41以及一第二支撐件42。另外，多個堆疊型電容器11能依序堆疊在第一支撐件41與第二支撐件42上，並且堆疊型電容器11的正極部P與負極部N能分別電性連接於第一支撐件41與第二支撐件42。換句話說，第六實施例的多個堆疊型電容器11能夠預先通過第一支撐件41與第二支撐件42的使用而得到支撐，此作法有利於後續的加工。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第六實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第七實施例]
參閱圖11所示，本發明第七實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖11與圖20的比較可知，本發明第七實施例與第六實施例的最大差異在於：在第七實施例中，多個堆疊型電容器能被區分 成多個第一堆疊型電容器11A以及多個第二堆疊型電容器11B。更進一步來說，多個第一堆疊型電容器11A能依序堆疊在第一支撐件41的頂端與第二支撐件42的頂端上，並且多個第二堆疊型電容器11B能依序堆疊在第一支撐件41的底端與第二支撐件42的底端上。換句話說，第七實施例的多個第一堆疊型電容器11A與多個第二堆疊型電容器11B能夠預先通過第一支撐件41與第二支撐件42的使用而得到支撐，此作法有利於後續的加工。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第七實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第八實施例]
參閱圖12所示，本發明第八實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖12與圖10的比較可知，本發明第八實施例與第六實施例的最大差異在於：在第八實施例中，多個堆疊型電容器11能依序堆疊在第一支撐件41上，並且其中一堆疊型電容器11的負極部N能電性連接於第一支撐件41。換句話說，第八實施例的多個堆疊型電容器11能夠預先通過第一支撐件41得到支撐，此作法有利於後續的加工。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第八實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第九實施例]
參閱圖13所示，本發明第九實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元 3。由圖13與圖12的比較可知，本發明第九實施例與第八實施例的最大差異在於：在第九實施例中，第一支撐件41可作為“導線架電極接腳”，並可設置於多個堆疊型電容器11的負極部N與第二電極結構32之間。並且，第一支撐件41電性連接於多個堆疊型電容器11的負極部N以及第二電極結構32。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第九實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第十實施例]
參閱圖14所示，本發明第十實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖14與圖13的比較可知，本發明第十實施例與第九實施例的最大差異在於：在第十實施例中，第一支撐件41的一端可彎曲且朝堆疊型電容器11的正極部P方向延伸。因此，多個堆疊型電容器11也能夠預先通過第一支撐件41而得到支撐。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第十實施例的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31與第二電極結構32。
[第十一實施例]
參閱圖15所示，本發明第十一實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。電容單元1包括多個堆疊型電容器11，並且每個堆疊型電容器11具有一正極部P以及一負極部N。封裝單元2包括一部分地包覆電容單元1的絕緣封裝體20，並且電極單元3包括一第一 電極結構31以及一第二電極結構34。
由圖15與圖11的比較可知，本發明第十一實施例與第七實施例的最大差異在於：在第十一實施例中，第一電極結構31能作為“外側端電極”，以包覆電容單元1的一裸露部(也就是第一部分101)並電性接觸堆疊型電容器11的正極部P。另外，第二電極結構34能作為“導線架電極接腳”，以支撐電容單元1並電性接觸堆疊型電容器11的負極部N。換句話說，第一電極結構31能作為一外側端電極，以包覆電容單元1的一側端部並電性接觸堆疊型電容器11的正極部P，並且第二電極結構34電性連接堆疊型電容器11的負極部N。更進一步來說，多個堆疊型電容器11的多個正極部P會依序堆疊在導線架電極接腳(也就是第二電極結構34)上。
藉此，當作外側端電極的第一電極結構31能用來包覆堆疊型電容器11的第一部分101(也就是說，第一電極結構31不會像導線架的電極引腳一樣需要插入絕緣封裝體20的內部)，所以電極單元3的第一電極結構31能夠被快速的形成在絕緣封裝體20的側端部上而不用進行任何的彎折步驟(彎折導線架的電極引腳的步驟)，藉此以有效提升堆疊型電容器組件結構Z的生產效率。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第十一實施例的電極單元3的第一電極結構31可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31。
[第十二實施例]
參閱圖16所示，本發明第十二實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖16與圖15的比較可知，本發明第十二實施例與第十一實施例的最大差異在於：在第十二實施例中，多個堆疊型電容器 能被區分成多個第一堆疊型電容器11A以及多個第二堆疊型電容器11B。另外，多個第一堆疊型電容器11A的多個正極部P會依序堆疊在導線架電極接腳的頂端上(也就是第二電極結構34的內埋部分的頂端上)，並且多個第二堆疊型電容器11B的多個正極部P會依序堆疊在導線架電極接腳的底端上(也就是第二電極結構34的內埋部分的底端上)。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第十二實施例的電極單元3的第一電極結構31可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31。
[第十三實施例]
參閱圖17所示，本發明第十三實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖17與圖15的比較可知，本發明第十三實施例與第十一實施例的最大差異在於：在第十三實施例中，第一電極結構31能作為“外側端電極”，以包覆電容單元1的一裸露部(也就是第二部分102)並電性接觸堆疊型電容器11的負極部N。另外，第二電極結構34能作為“導線架電極接腳”，以支撐電容單元1並電性接觸堆疊型電容器11的正極部P。換句話說，第一電極結構31能作為一外側端電極，以包覆電容單元1的一側端部並電性接觸堆疊型電容器11的負極部N，並且第二電極結構34電性連接堆疊型電容器11的正極部P。
藉此，當作外側端電極的第一電極結構31能用來包覆堆疊型電容器11的第二部分102(也就是說，第一電極結構31不會像導線架的電極引腳一樣需要插入絕緣封裝體20的內部)，所以電極單元3的第一電極結構31能夠被快速的形成在絕緣封裝體20的側端部上而不用進行任何的彎折步驟(彎折導線架的電極引腳的步驟)，藉此以有效提升堆疊型電容器組件結構Z的生產效率。然 而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第十三實施例的電極單元3的第一電極結構31可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31。
[第十四實施例]
參閱圖18所示，本發明第十四實施例提供一種堆疊型電容器組件結構Z，其包括：一電容單元1、一封裝單元2以及一電極單元3。由圖18與圖17的比較可知，本發明第十四實施例與第十三實施例的最大差異在於：在第十四實施例中，多個堆疊型電容器能被區分成多個第一堆疊型電容器11A以及多個第二堆疊型電容器11B。另外，多個第一堆疊型電容器11A的多個正極部P會依序堆疊在導線架電極接腳的頂端上(也就是第二電極結構34的內埋部分的頂端上)，並且多個第二堆疊型電容器11B的多個正極部P會依序堆疊在導線架電極接腳的底端上(也就是第二電極結構34的內埋部分的底端上)。然而本發明不以上述所舉的例子為限。
值得注意的是，第十四實施例的電極單元3的第一電極結構31可以替換成與第二實施例相同的電極單元3的第一電極結構31。
[實施例的有益效果]
本發明的其中一有益效果在於，本發明所提供的堆疊型電容器組件結構Z，其能通過“第一電極結構31作為一外側端電極，以包覆電容單元1的一側端部並電性接觸堆疊型電容器11的正極部P與負極部N兩者中的其中一個”的技術方案，以有效提升堆疊型電容器組件結構Z的生產效率。
藉此，當作外側端電極的第一電極結構31能用來包覆堆疊型電容器11的第一部分101或者第二部分102(也就是說，第一電 極結構31不會像導線架的電極引腳一樣需要插入絕緣封裝體20的內部)，所以電極單元3的第一電極結構31能夠被快速的形成在絕緣封裝體20的側端部上而不用進行任何的彎折步驟(彎折導線架的電極引腳的步驟)，藉此以有效提升堆疊型電容器組件結構Z的生產效率。
值得注意的是，圖5至圖18所顯示的絕緣封裝體20只是本發明的其中一舉例說明，在其它可行實施例中，本發明也可以省略絕緣封裝體20的使用，而直接採用電容單元1與電極單元3即可。
以上所公開的內容僅為本發明的優選可行實施例，並非因此侷限本發明的申請專利範圍，所以凡是運用本發明說明書及圖式內容所做的等效技術變化，均包含於本發明的申請專利範圍內。
Z‧‧‧電容器組件結構
1‧‧‧電容單元
101‧‧‧第一部分
102‧‧‧第二部分
11‧‧‧堆疊型電容器
12‧‧‧圍繞狀絕緣填充物
P‧‧‧正極部
N‧‧‧負極部
2‧‧‧封裝單元
20‧‧‧絕緣封裝體
3‧‧‧電極單元
31‧‧‧第一電極結構
32‧‧‧第二電極結構
G‧‧‧導電膠

Claims (10)

  1. 一種堆疊型電容器組件結構，其包括：一電容單元，所述電容單元包括多個堆疊型電容器，每個所述堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部；一封裝單元，所述封裝單元包括一部分地包覆所述電容單元的絕緣封裝體，所述電容單元具有從所述封裝單元裸露而出的一第一部分以及一第二部分；以及一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構；其中，每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區；其中，所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區，以阻擋水氣經過所述第一多孔性腐蝕區。
  2. 如請求項1所述的堆疊型電容器組件結構，其中，多個所述堆疊型電容器依序堆疊，每兩個所述堆疊的堆疊型電容器通過導電膠而彼此電性相連，多個所述堆疊型電容器的多個正極部依序堆疊或者彼此分離；其中，所述第一電極結構作為一第一外側端電極，以包覆所述電容單元的所述第一部分且電性接觸所述堆疊型電容器的所述正極部；其中，所述第二電極結構作為一第二外側端電極，以包覆所述電容單元的所述第二部分且電性接觸所述堆疊型電容器的所述負極部；其中，所述圍繞狀絕緣填充物為環氧樹脂、酚醛樹脂或矽氧樹脂。
  3. 如請求項1所述的堆疊型電容器組件結構，還進一步包括：一支撐單元，所述支撐單元包括一第一支撐件以及一第二支撐 件，多個所述堆疊型電容器依序堆疊在所述第一支撐件與所述第二支撐件上，所述堆疊型電容器的所述正極部與所述負極部分別電性連接於所述第一支撐件與所述第二支撐件。
  4. 如請求項1所述的堆疊型電容器組件結構，還進一步包括：一支撐單元，所述支撐單元包括一第一支撐件，多個所述堆疊型電容器依序堆疊在所述第一支撐件上，所述堆疊型電容器的所述正極部或所述負極部電性連接於所述第一支撐件。
  5. 如請求項1所述的堆疊型電容器組件結構，其中，所述第一電極結構包括一包覆所述第一部分且電性接觸所述正極部的第一內部導電層、一包覆所述第一內部導電層的第一中間導電層以及一包覆所述第一中間導電層的第一外部導電層。
  6. 如請求項5所述的堆疊型電容器組件結構，其中，所述第二電極結構包括一包覆所述第二部分且電性接觸所述負極部的第二內部導電層、一包覆所述第二內部導電層的第二中間導電層以及一包覆所述第二中間導電層的第二外部導電層；其中，所述第一電極結構包括一連接於多個所述正極部與多個所述圍繞狀絕緣填充物的導電阻水層，所述導電阻水層由金屬材料或者金屬化合物所製成，所述金屬材料為金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、黃銅或者鋅(Zn)，所述金屬化合物為鎳鉻合金(NiCr)、鎢化鈦(TiW)、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)或者氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)。
  7. 一種堆疊型電容器組件結構，其包括：一電容單元，所述電容單元包括多個堆疊型電容器，每個所述堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部；一封裝單元，所述封裝單元包括一部分地包覆所述電容單元的絕緣封裝體；以及一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電 極結構；其中，每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區；其中，所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區。
  8. 如請求項7所述的堆疊型電容器組件結構，其中，所述第一電極結構包括一連接於多個所述正極部與多個所述圍繞狀絕緣填充物的導電阻水層，所述導電阻水層由金屬材料或者金屬化合物所製成，所述金屬材料為金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、黃銅或者鋅(Zn)，所述金屬化合物為鎳鉻合金(NiCr)、鎢化鈦(TiW)、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)或者氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)。
  9. 一種堆疊型電容器組件結構，其包括：一電容單元，所述電容單元包括多個堆疊型電容器，每個所述堆疊型電容器具有一正極部以及一負極部；以及一電極單元，所述電極單元包括一第一電極結構以及一第二電極結構；其中，每個所述堆疊型電容器包括一金屬箔片，所述金屬箔片的表面具有一多孔性腐蝕層，所述多孔性腐蝕層至少被區分成屬於所述正極部的一第一多孔性腐蝕區以及屬於所述負極部的一第二多孔性腐蝕區；其中，所述電容單元包括多個圍繞狀絕緣填充物，每個所述圍繞狀絕緣填充物圍繞地填充於相對應的所述第一多孔性腐蝕區。
  10. 如請求項9所述的堆疊型電容器組件結構，還進一步包括：一支撐單元，所述支撐單元包括一第一支撐件，多個所述堆疊型電容器依序堆疊在所述第一支撐件上，所述堆疊型電容器的所述正極部或所述負極部分別電性連接於所述第一支撐件；其中，所述第一電極結構作為一外側端電極，以包覆所述電容單元的一側端部並電性接觸所述堆疊型電容器的所述正極部與所述負極部兩者中的其中一個；其中，所述第二電極結構電性連接所述堆疊型電容器的所述正極部與所述負極部兩者中的另外一個；其中，所述第一電極結構包括一連接於多個所述正極部與多個所述圍繞狀絕緣填充物的導電阻水層，所述導電阻水層由金屬材料或者金屬化合物所製成，所述金屬材料為金(Au)、銀(Ag)、鉑(Pt)、鈀(Pd)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、鉻(Cr)、黃銅或者鋅(Zn)，所述金屬化合物為鎳鉻合金(NiCr)、鎢化鈦(TiW)、氮化鈦(TiNx)、碳化鈦(TiC)、氧化鈦(TiOx)、氮氧化鈦(Ti(O,N)x)、碳氧化鈦(Ti(O,C)x)、氮碳化鈦(Ti(C,N)x)或者氮氧碳化鈦(Ti(O,N,C)x)。
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