TW202040811A

TW202040811A - 發光裝置

Info

Publication number: TW202040811A
Application number: TW108113472A
Authority: TW
Inventors: 顏宏修; 陳璽安; 宋怡樺
Original assignee: 友達光電股份有限公司
Priority date: 2019-04-17
Filing date: 2019-04-17
Publication date: 2020-11-01
Also published as: TWI677980B; CN111200072A; CN111200072B

Abstract

一種發光裝置包括第一電極、第二電極、有機層與阻隔層。有機層位於第一電極與第二電極之間，阻隔層位於有機層之中、第二電極與有機層之間或第一電極與有機層之間。其中發光裝置區分為顯示區與非顯示區，且阻隔層位於非顯示區。

Description

發光裝置

本發明是關於一種發光裝置，且特別是關於一種用於顯示面板的顯示區邊緣的發光裝置。

現有一種顯示面板，此顯示面板具有顯示區與非顯示區，顯示區包括多個發光裝置，每個發光裝置包括發光層與對應的主動元件，每個發光層可形成一個像素，且這些發光層會排列而形成像素陣列，而此像素陣列可用以顯示影像。在一些應用中，顯示面板或其顯示區可為圓弧形或具有圓弧形的邊緣。此種顯示面板例如是應用在智慧型手錶上，此種智慧型手錶上的顯示面板的顯示區可配合錶身的形狀而呈圓形，而非顯示區則圍繞顯示區呈環形。

根據現有技術的顯示面板，由於現有發光裝置的發光層是矩形的，因此排列於顯示區邊緣的發光裝置會造成顯示區所呈現的影像邊緣呈現鋸齒狀。使用者會看到影像的鋸齒狀邊緣而造成使用體驗不佳。

本發明的至少一實施例提出一種發光裝置，以避免顯示面板的顯示區所呈現的影像邊緣呈現鋸齒狀。

本發明的至少一實施例提出一種發光裝置，其包括第一電極、第二電極、有機層與阻隔層。有機層位於第一電極與第二電極之間，阻隔層位於有機層之中、第二電極與有機層之間或第一電極與有機層之間。其中發光裝置區分為顯示區與非顯示區，且阻隔層位於非顯示區。

本發明的至少一實施例提出一種發光裝置，其包括第一電極、第二電極與有機層，有機層位於第一電極與第二電極之間。其中發光裝置區分為顯示區與非顯示區，且有機層於非顯示區的厚度小於有機層於顯示區的厚度。

綜上所述，根據本發明各實施例的發光裝置，其可設置於顯示面板的顯示區邊緣，藉由位於非顯示區的阻隔層或藉由有機層於非顯示區的厚度小於有機層於顯示區的厚度的設計，使排列於顯示區邊緣的發光裝置可局部發光且局部不發光，而發光裝置的發光與不發光的交界處可對應於顯示區邊緣的形狀，從而避免顯示區所呈現的影像邊緣呈現鋸齒狀，並改善使用者的使用體驗。

以下在實施方式中詳細敘述本發明之詳細特徵以及優點，其內容足以使任何熟悉相關技術者暸解本發明之技術內容並據以實施，且根據本說明書所揭露之內容、申請專利範圍及圖式，任何熟習相關技術者可輕易地理解本發明相關之目的及優點。

請參照圖1與圖2，圖1為本發明一實施例的顯示面板10的頂視示意圖，圖2為圖1的圈起處的局部放大示意圖。如圖1與圖2所示，在本實施例中，顯示面板10區分為顯示區11與非顯示區12，且顯示面板10包括多個發光裝置100、100a，發光裝置100、100a排列為陣列。顯示區11呈圓形，且非顯示區12環繞顯示區11，但不限於此。發光裝置100a是位於顯示區11中，而發光裝置100是位於顯示區11的邊緣，即顯示區11與非顯示區12的交界處，且顯示區11的邊緣會呈圓弧形。

請參照圖3，圖3所示為圖1的3-3線段處的剖面示意圖，其示出本發明第一實施例的發光裝置100、100a。如圖3所示，在本實施例中，發光裝置100、100a是設置於基板110上，且每一個發光裝置100、100a分別連接至對應的主動元件120。各發光裝置100、100a分別包括第一電極131、第二電極132與有機層140，有機層140位於第一電極131與第二電極132之間，且各發光裝置100、100a之間設置有像素定義層150，像素定義層150使各發光裝置100、100a的第一電極131、第二電極132與有機層140被區隔開來而形成多個像素。

如圖3所示，在本實施例中，各發光裝置100、100a的第一電極131連接至對應的主動元件120，主動元件120可施加特定電壓至對應的發光裝置100、100a，使發光裝置100、100a的有機層140發光。發光裝置100與發光裝置100a的差異在於：發光裝置100是位於顯示區11與非顯示區12的交界處，因此發光裝置100本身亦對應區分為顯示區11與非顯示區12，此外，發光裝置100還包括阻隔層160，阻隔層160是位於非顯示區12。

在本實施例中，所述位於顯示區11可定義為，在基板110的法線方向ND上與顯示區11重疊且與非顯示區12不重疊；所述位於非顯示區12可定義為，在基板110的法線方向ND上與非顯示區12重疊且與顯示區11不重疊。換言之，如圖3所示，發光裝置100的阻隔層160在基板110的法線方向ND上與非顯示區12重疊且與顯示區11不重疊。

如圖3所示，在本實施例中，發光裝置100的阻隔層160是位於第二電極132與有機層140之間。在一些實施例中，發光裝置100的阻隔層160可位於有機層140之中。在一些實施例中，發光裝置100的阻隔層160可位於第一電極131與有機層140之間。

如圖2與圖3所示，當主動元件120施加特定電壓至發光裝置100a的第一電極131、有機層140與第二電極132，電流會通過發光裝置100a的第一電極131、有機層140與第二電極132以使有機層140受到激發而發光。不過，由於發光裝置100位於非顯示區12處會被阻隔層160阻隔，因此當主動元件120施加同樣的特定電壓至發光裝置100的第一電極131、有機層140與第二電極132，電流僅會通過發光裝置100的第一電極131、有機層140與第二電極132位於顯示區11的部分，而不會通過發光裝置100的第一電極131、有機層140與第二電極132位於非顯示區12的部分。藉此，以如圖1與圖2的頂視角度來看，發光裝置100的有機層140只有位於顯示區11的部分會發光，而位於非顯示區12的部分則不會發光。如圖2所示，位於顯示區11與非顯示區12交界處的發光裝置100會對應於顯示區11邊緣的形狀而局部（位於非顯示區12的部分）不會發光，因而當顯示區11顯示影像時，影像邊緣不會呈現鋸齒狀。

在本實施例中，阻隔層160為絕緣材料製成。舉例來說，阻隔層160可包括氧化矽（SiOx），且阻隔層160的厚度可介於一奈米至一千奈米之間，但不限於此。由於阻隔層160的關係，覆蓋在阻隔層160上的第二電極132會因為阻隔層160的存在而產生隆起。不過在實際應用上，由於第一電極131、有機層140、第二電極132與阻隔層160的厚度相對薄，因此若以肉眼來看，顯示面板10整體而言仍是呈現平整的表面。

如圖3所示，在本實施例中，有機層140包括發光層（emissive layer，EML）141與輔助層142，發光層141可被激發而發光，且輔助層142是用以輔助導通第一電極131與第二電極132，使主動元件120可施加相對較低的電壓至發光裝置100、100a的第一電極131、有機層140與第二電極132，使發光層141發光。換句話說，輔助層142可用以降低第一電極131/第二電極132至發光層141之間的能階差，使電洞/電子更容易由第一電極131/第二電極132注入發光層141，使發光層141發光。

在本實施例中，發光裝置100的阻隔層160是位於第二電極132與輔助層142之間，以阻止電洞/電子由第一電極131/第二電極132注入發光層141。在一些實施例中，發光裝置100的阻隔層160可位於輔助層142之中。在一些實施例中，發光裝置100的阻隔層160可位於第一電極131與輔助層142之間。在一些實施例中，發光裝置100的阻隔層160可位於發光層141與輔助層142之間。

如圖3所示，在本實施例中，輔助層142包括第一傳輸層1421與第二傳輸層1422，且發光層141位於第一傳輸層1421與第二傳輸層1422之間。舉例來說，第一傳輸層1421可為電洞傳輸層（hole transport layer，HTL），而第二傳輸層1422可為電子傳輸層（electron transport layer，ETL），並且第一電極131為陽極，而第二電極132為陰極，但不限於此。第一傳輸層1421可降低第一電極131至發光層141之間的能階差，使電洞更容易由第一電極131注入發光層141；而第二傳輸層1422可降低第二電極132至發光層141之間的能階差，使電子更容易由第二電極132注入發光層141。

如圖3所示，在本實施例中，主動元件120包括第一導體層121、第一絕緣層122、通道層123、第二導體層124與第二絕緣層125。第一導體層121形成於基板110上且被圖案化而形成閘極G，且第一絕緣層122形成於基板110與第一導體層121上。通道層123形成於第一絕緣層122上，且通道層123例如是以半導體材料製成。第二導體層124形成於通道層123上且被圖案化而形成源極S與汲極D，而第二絕緣層125形成於第一絕緣層122與第二導體層124上。第一電極131會穿過第二絕緣層125而連接對應的汲極D。

在本實施例中，各發光裝置100、100a的發光層141可分別為紅色發光層（REML）、綠色發光層（GEML）與藍色發光層（BEML）。具有紅色發光層的發光裝置100、100a可發出紅光，具有綠色發光層的發光裝置100、100a可發出綠光，而具有藍色發光層的發光裝置100、100a可發出藍光。

請參照圖4與圖5，圖4為本發明第二實施例的發光裝置100、100a的剖面示意圖，圖5為本發明第三實施例的發光裝置100、100a的剖面示意圖。圖4與圖3的發光裝置100、100a的差異在於，圖4的發光裝置100的阻隔層160是位於第二傳輸層1422與發光層141之間。圖5與圖3的發光裝置100、100a的差異在於，圖5的發光裝置100的阻隔層160是位於第一傳輸層1421與第一電極131之間。圖4與圖5的發光裝置100同樣可藉由阻隔層160而使其有機層140位於非顯示區12的部分不發光。

請參照圖6，圖6所示為本發明第四實施例的發光裝置100、100a的剖面示意圖。圖6與圖3的發光裝置100、100a的差異在於，圖6的各發光裝置100、100a的第一傳輸層1421包括電洞注入層（hole injection layer，HIL）HIL與電洞傳輸層HTL，且第二傳輸層1422包括電子注入層（electron injection layer，EIL）EIL與電子傳輸層ETL。如圖6所示，在本實施例中，發光層141位於電洞傳輸層HTL與電子傳輸層ETL之間，電洞注入層HIL位於第一電極131與電洞傳輸層HTL之間，且電子注入層EIL位於第二電極132與電子傳輸層ETL之間。電洞注入層HIL與電洞傳輸層HTL可降低第一電極131至發光層141之間的能階差，使電洞更容易由第一電極131注入發光層141；而電子注入層EIL與電子傳輸層ETL可降低第二電極132至發光層141之間的能階差，使電子更容易由第二電極132注入發光層141。

請參照圖7，圖7為本發明第五實施例的發光裝置100、100a的剖面示意圖。圖7與圖3的發光裝置100a是相同的，而圖7與圖3的發光裝置100的差異在於，圖7的發光裝置100不具有阻隔層160，相反的，圖7的發光裝置100是藉由抽離有機層140位於非顯示區12的部分或減少有機層140位於非顯示區12的部分的厚度，以提高發光裝置100的有機層140位於非顯示區12的部分的能階差，藉此使發光裝置100的有機層140位於顯示區11的部分與非顯示區12的部分具有不同的能階差。在此情況下，當主動元件120施加特定電壓至發光裝置100的有機層140，發光裝置100的有機層140位於顯示區11的部分會發光，但位於非顯示區12的部分不發光。其結構與原理詳述如下。

如圖7所示，在本實施例中，各發光裝置100、100a包括第一電極131、第二電極132與有機層140，有機層140位於第一電極131與第二電極132之間。發光裝置100是位於顯示區11與非顯示區12的交界處，因此發光裝置100亦可對應區分為顯示區11與非顯示區12。並且，發光裝置100的有機層140於非顯示區12的厚度D1小於有機層140於顯示區11的厚度D2。由於厚度不同，因此有機層140位於顯示區11的部分與非顯示區12的部分的能階差不同，而相應地，有機層140位於顯示區11的部分與非顯示區12的部分受到激發而發光所需要的電壓閾值也不相同。舉例來說，若一特定電壓是大於發光裝置100位於顯示區11的有機層140受到激發而發光所需要的電壓閾值，但是小於發光裝置100位於非顯示區12的有機層140受到激發而發光所需要的電壓閾值，在此情況下，當主動元件120施加所述特定電壓至發光裝置100的有機層140，可僅使發光裝置100的有機層140位於顯示區11的部分發光，但不會使有機層140位於非顯示區12的部分發光。因此，當圖7的發光裝置100是排列於顯示區11的邊緣，即顯示區11與非顯示區12交界處，發光裝置100同樣可對應於顯示區11邊緣的形狀而局部不會發光。當顯示區11顯示影像時，影像邊緣不會呈現鋸齒狀。

如圖7所示，在本實施例中，各發光裝置100、100a的有機層140包括發光層141與輔助層142，且發光裝置100的輔助層142於非顯示區12的厚度小於輔助層142於顯示區11的厚度，相應地，發光裝置100的有機層140於非顯示區12的厚度D1亦會小於有機層140於顯示區11的厚度D2。如前所述，由於輔助層142可用以降低第一電極131/第二電極132至發光層141之間的能階差，讓電洞/電子可在相對較低的電壓下更容易由第一電極131/第二電極132注入發光層141，使發光層141發光。因而在輔助層142的厚度愈小的情況下，第一電極131/第二電極132至發光層141之間的能階差會愈大，相應地，電洞/電子需要在相對較高的電壓下才能由第一電極131/第二電極132注入發光層141。藉由輔助層142的厚度差異，當主動元件120施加特定電壓至發光裝置100的有機層140，可僅使發光裝置100的發光層141位於顯示區11的部分發光，但不會使發光層141位於非顯示區12的部分發光。

如圖7所示，在本實施例中，輔助層142包括第一傳輸層1421與第二傳輸層1422，且發光層141位於第一傳輸層1421與第二傳輸層1422之間。舉例來說，第一傳輸層1421可為電洞傳輸層HTL，而第二傳輸層1422可為電子傳輸層ETL，並且第一電極131為陽極，而第二電極132為陰極，但不限於此。第一傳輸層1421可降低第一電極131至發光層141之間的能階差，使電洞更容易由第一電極131注入發光層141；而第二傳輸層1422可降低第二電極132至發光層141之間的能階差，使電子更容易由第二電極132注入發光層141。在一些實施例中，發光裝置100的第一傳輸層1421與第二傳輸層1422的至少其中之一沒有位於非顯示區12，以提高發光裝置100的有機層140位於非顯示區12的部分的能階差。

如圖7所示，在本實施例中，發光裝置100的第一傳輸層1421位於顯示區11與非顯示區12，但發光裝置100的第二傳輸層1422僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12。在此狀況下，相對於顯示區11，電子需要較大的電壓才能由第二電極132注入發光裝置100位於非顯示區12的發光層141。藉由發光裝置100的第二傳輸層1422只位於顯示區11而沒有位於非顯示區12，當主動元件120施加特定電壓至發光裝置100的有機層140，可僅使發光裝置100的發光層141位於顯示區11的部分發光，但不會使發光層141位於非顯示區12的部分發光。

請參照圖8，圖8為本發明第六實施例的發光裝置100、100a的剖面示意圖。圖8與圖7的發光裝置100、100a的差異在於，圖8的發光裝置100的第二傳輸層1422位於顯示區11與非顯示區12，但發光裝置100的第一傳輸層1421僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12。圖8的發光裝置100同樣可藉發光裝置100的第一傳輸層1421只位於顯示區11而沒有位於非顯示區12而使其發光層141位於非顯示區12的部分不發光。在一些實施例中，發光裝置100的第一傳輸層1421與第二傳輸層1422可皆僅位於顯示區11而皆沒有位於非顯示區12。

請參照圖9，圖9所示為本發明第七實施例的發光裝置100、100a的剖面示意圖。圖9與圖7的發光裝置100、100a的差異在於，圖9的各發光裝置100、100a的第一傳輸層1421包括電洞注入層HIL與電洞傳輸層HTL，且第二傳輸層1422包括電子注入層EIL與電子傳輸層ETL。如圖9所示，在本實施例中，發光層141位於電洞傳輸層HTL與電子傳輸層ETL之間，電洞注入層HIL位於第一電極131與電洞傳輸層HTL之間，且電子注入層EIL位於第二電極132與電子傳輸層ETL之間。電洞注入層HIL與電洞傳輸層HTL可降低第一電極131至發光層141之間的能階差，使電洞更容易由第一電極131注入發光層141；而電子注入層EIL與電子傳輸層ETL可降低第二電極132至發光層141之間的能階差，使電子更容易由第二電極132注入發光層141。

如圖9所示，在本實施例中，發光裝置100的第一傳輸層1421於顯示區11與非顯示區12的厚度相同，但發光裝置100的第二傳輸層1422於非顯示區12的厚度D1小於第二傳輸層1422於顯示區11的厚度D2。藉此，當主動元件120施加特定電壓至發光裝置100的有機層140，可僅使發光裝置100的發光層141位於顯示區11的部分發光，但不會使發光層141位於非顯示區12的部分發光。在一些實施例中，發光裝置100的第二傳輸層1422於顯示區11與非顯示區12的厚度相同，但發光裝置100的第一傳輸層1421於非顯示區12的厚度小於第一傳輸層1421於顯示區11的厚度。在一些實施例中，發光裝置100的第一傳輸層1421與第二傳輸層1422於非顯示區12的厚度皆小於第一傳輸層1421與第二傳輸層1422於顯示區11的厚度。在一些實施例中，發光裝置100的電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子注入層EIL與電子傳輸層ETL的至少其中之一沒有位於非顯示區12。

如圖9所示，在本實施例中，發光裝置100的電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL與電子傳輸層ETL位於顯示區11與非顯示區12，而發光裝置100的電子注入層EIL僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12，相應地，發光裝置100的第二傳輸層1422於非顯示區12的厚度D1會小於第二傳輸層1422於顯示區11的厚度D2。在一些實施例中，發光裝置100的電子傳輸層ETL可僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12。在一些實施例中，發光裝置100的電洞傳輸層HTL可僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12。在一些實施例中，發光裝置100的電洞注入層HIL可僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12。在一些實施例中，發光裝置100的電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子注入層EIL與電子傳輸層ETL等四層中僅有其中一層是同時位於顯示區11與非顯示區12，而其他三層皆僅位於顯示區11且沒有位於非顯示區12。在一些實施例中，發光裝置100的電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子注入層EIL與電子傳輸層ETL等四層皆僅位於顯示區11且沒有位於非顯示區12。

請參照圖10至圖12，圖10為本發明一實施例的顯示面板10蒸鍍製程的頂視示意圖，圖11為圖10的顯示面板10的局部剖面示意圖一，圖12為圖10的顯示面板10的局部剖面示意圖二。圖10至圖12是用以說明圖3的阻隔層160的形成方式。在顯示面板10完成第二傳輸層1422的製備之後與進行第二電極132的製備之前，會進行阻隔層160的蒸鍍製程。如圖10與圖11所示，在此製程中，會以遮罩MA覆蓋顯示區11，而非顯示區12則暴露在遮罩MA之外。接著，如圖12所示，以蒸鍍方式（參照圖中箭號）將絕緣材料蒸鍍至顯示面板10，使阻隔層160、160a形成在遮罩MA上與非顯示區12的第二傳輸層1422上。並且將遮罩MA連同其上的阻隔層160a移除後，只會留下位於非顯示區12的第二傳輸層1422上的阻隔層160。接著再進行第二電極132的製備，即可形成如圖3所示的顯示面板10。

在一些實施例中，若阻隔層160是位於發光層141與第二傳輸層1422之間（如圖4所示），則可在顯示面板10完成發光層141的製備之後與進行第二傳輸層1422的製備之前，進行上述阻隔層160的蒸鍍製程。在一些實施例中，若阻隔層160是位於第一電極131與第一傳輸層1421之間（如圖5所示），則可在顯示面板10完成第一電極131的製備之後與進行第一傳輸層1421的製備之前，進行上述阻隔層160的蒸鍍製程。

請參照圖13至圖15，圖13為本發明另一實施例的顯示面板10蒸鍍製程的頂視示意圖，圖14為圖13的顯示面板10的局部剖面示意圖一，圖15為圖13的顯示面板10的局部剖面示意圖二。圖13至圖15是用以說明圖7的第二傳輸層1422的形成方式。如圖13與圖14所示，在顯示面板10完成發光層141的製備之後，會以遮罩MA覆蓋非顯示區12，而顯示區11則暴露在遮罩MA之外。接著，如圖15所示，以蒸鍍方式（參照圖中箭號）將第二傳輸層1422蒸鍍至顯示面板10，使第二傳輸層1422、1422a形成在遮罩MA上與顯示區11的發光層141上。並且將遮罩MA與其上的第二傳輸層1422a移除後，只會留下位於顯示區11的發光層141上的第二傳輸層1422上。此外，透過曝光、蝕刻與沈積等現有製程，可在第一傳輸層1421、發光層141與第二傳輸層1422之間形成像素定義層150，以定義各像素，於此不再贅述。接著再進行第二電極132的製備，即可形成如圖7所示的顯示面板10。

在一些實施例中，若第一傳輸層1421是僅位於顯示區11而沒有位於非顯示區12（如圖8所示），則可在顯示面板10完成第一電極131的製備之後，以遮罩MA覆蓋非顯示區12，並進行上述蒸鍍製程來形成第一傳輸層1421。

雖然本發明的技術內容已經以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技術者，在不脫離本發明之精神所作些許之更動與潤飾，皆應涵蓋於本發明的範疇內，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

. 10:顯示面板 11:顯示區 12:非顯示區 100、100a:發光裝置 110:基板 120:主動元件 121:第一導體層 122:第一絕緣層 123:通道層 124:第二導體層 125:第二絕緣層 131:第一電極 132:第二電極 140:有機層 141:發光層 142:輔助層 1421:第一傳輸層 1422、1422a:第二傳輸層 150:像素定義層 160、160a:阻隔層 D:汲極 D1、D2:厚度 EIL:電子注入層 ETL:電子傳輸層 G:閘極 HIL:電洞注入層 HTL:電洞傳輸層 MA:遮罩 ND:法線方向 S:源極

圖1所示為本發明一實施例的顯示面板的頂視示意圖；圖2所示為圖1的圈起處的局部放大示意圖；圖3所示為圖1的3-3線段處的剖面示意圖，其示出本發明第一實施例的發光裝置；圖4所示為本發明第二實施例的發光裝置的剖面示意圖；圖5所示為本發明第三實施例的發光裝置的剖面示意圖；圖6所示為本發明第四實施例的發光裝置的剖面示意圖；圖7所示為本發明第五實施例的發光裝置的剖面示意圖；圖8所示為本發明第六實施例的發光裝置的剖面示意圖；圖9所示為本發明第七實施例的發光裝置的剖面示意圖；圖10所示為本發明一實施例的顯示面板蒸鍍製程的頂視示意圖；圖11所示為圖10的顯示面板的局部剖面示意圖一；圖12所示為圖10的顯示面板的局部剖面示意圖二；圖13所示為本發明另一實施例的顯示面板蒸鍍製程的頂視示意圖；圖14所示為圖13的顯示面板的局部剖面示意圖一；以及圖15所示為圖13的顯示面板的局部剖面示意圖二。

10:顯示面板

11:顯示區

12:非顯示區

100、100a:發光裝置

110:基板

120:主動元件

121:第一導體層

122:第一絕緣層

123:通道層

124:第二導體層

125:第二絕緣層

131:第一電極

132:第二電極

140:有機層

141:發光層

142:輔助層

1421:第一傳輸層

1422:第二傳輸層

150:像素定義層

160:阻隔層

D:汲極

G:閘極

ND:法線方向

S:源極

Claims

一種發光裝置，包括：一第一電極與一第二電極；一有機層，位於該第一電極與該第二電極之間；以及一阻隔層，位於該有機層之中、該第二電極與該有機層之間或該第一電極與該有機層之間，其中該發光裝置區分為一顯示區與一非顯示區，且該阻隔層位於該非顯示區。
如請求項1所述的發光裝置，其中該有機層包括一發光層與一輔助層，且該阻隔層位於該輔助層之中、該第二電極與該輔助層之間、該第一電極與該輔助層之間或該發光層與該輔助層之間。
如請求項2所述的發光裝置，其中該輔助層包括一第一傳輸層與一第二傳輸層，且該發光層位於該第一傳輸層與該第二傳輸層之間。
如請求項3所述的發光裝置，其中該第一傳輸層包括一電洞注入層與一電洞傳輸層，該第二傳輸層包括一電子注入層與一電子傳輸層，該發光層位於該電洞傳輸層與該電子傳輸層之間，該電洞注入層位於該第一電極與該電洞傳輸層之間，且該電子注入層位於該第二電極與該電子傳輸層之間。
如請求項1所述的發光裝置，其中該阻隔層包括氧化矽。
如請求項1所述的發光裝置，其中該阻隔層的厚度介於一奈米至一千奈米之間。
一種發光裝置，包括：一第一電極與一第二電極；以及一有機層，位於該第一電極與該第二電極之間，其中該發光裝置區分為一顯示區與一非顯示區，且該有機層於該非顯示區的厚度小於該有機層於該顯示區的厚度。
如請求項7所述的發光裝置，其中該有機層包括一發光層與一輔助層，且該輔助層於該非顯示區的厚度小於該輔助層於該顯示區的厚度。
如請求項8所述的發光裝置，其中該輔助層包括一第一傳輸層與一第二傳輸層，該發光層位於該第一傳輸層與該第二傳輸層之間，且該第一傳輸層於該非顯示區的厚度小於該第一傳輸層於該顯示區的厚度或該第二傳輸層於該非顯示區的厚度小於該第二傳輸層於該顯示區的厚度。
如請求項9所述的發光裝置，其中該第一傳輸層包括一電洞注入層與一電洞傳輸層，該第二傳輸層包括一電子注入層與一電子傳輸層，該發光層位於該電洞傳輸層與該電子傳輸層之間，該電洞注入層位於該第一電極與該電洞傳輸層之間，且該電子注入層位於該第二電極與該電子傳輸層之間，其中該電洞注入層、該電洞傳輸層、該電子注入層與該電子傳輸層的至少其中之一沒有位於該非顯示區。
如請求項8所述的發光裝置，其中該輔助層包括一第一傳輸層與一第二傳輸層，且該發光層位於該第一傳輸層與該第二傳輸層之間，其中該第一傳輸層與該第二傳輸層的至少其中之一沒有位於該非顯示區。