TW202036503A - 顯示面板及其製作方法 - Google Patents
顯示面板及其製作方法 Download PDFInfo
- Publication number
- TW202036503A TW202036503A TW108110345A TW108110345A TW202036503A TW 202036503 A TW202036503 A TW 202036503A TW 108110345 A TW108110345 A TW 108110345A TW 108110345 A TW108110345 A TW 108110345A TW 202036503 A TW202036503 A TW 202036503A
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- light
- substrate
- emitting surface
- emitting
- conductive layer
- Prior art date
Links
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 118
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 13
- 239000004020 conductor Substances 0.000 claims description 10
- 229920002120 photoresistant polymer Polymers 0.000 claims description 7
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims 1
- 239000011159 matrix material Substances 0.000 description 18
- 238000000034 method Methods 0.000 description 17
- 230000000007 visual effect Effects 0.000 description 10
- 238000005516 engineering process Methods 0.000 description 6
- 239000013078 crystal Substances 0.000 description 5
- 238000004020 luminiscence type Methods 0.000 description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 description 4
- 235000012431 wafers Nutrition 0.000 description 4
- 238000005401 electroluminescence Methods 0.000 description 3
- 239000004973 liquid crystal related substance Substances 0.000 description 3
- 239000000463 material Substances 0.000 description 3
- 230000002093 peripheral effect Effects 0.000 description 3
- 229920000915 polyvinyl chloride Polymers 0.000 description 3
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 description 3
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000000395 magnesium oxide Substances 0.000 description 2
- AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N magnesium;oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[Mg+2] AXZKOIWUVFPNLO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 239000004800 polyvinyl chloride Substances 0.000 description 2
- 229910052594 sapphire Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010980 sapphire Substances 0.000 description 2
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 description 2
- 239000010703 silicon Substances 0.000 description 2
- PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N Aluminum nitride Chemical compound [Al]#N PIGFYZPCRLYGLF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N Copper Chemical compound [Cu] RYGMFSIKBFXOCR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N Gallium nitride Chemical compound [Ga]#N JMASRVWKEDWRBT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N Silver Chemical compound [Ag] BQCADISMDOOEFD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000956 alloy Substances 0.000 description 1
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 1
- XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N aluminium Chemical compound [Al] XAGFODPZIPBFFR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000000919 ceramic Substances 0.000 description 1
- 229910052802 copper Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010949 copper Substances 0.000 description 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 1
- 238000005553 drilling Methods 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 239000003292 glue Substances 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 239000000087 laser glass Substances 0.000 description 1
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 description 1
- 238000010422 painting Methods 0.000 description 1
- 239000002245 particle Substances 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
- 230000001568 sexual effect Effects 0.000 description 1
- HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N silicon carbide Chemical compound [Si+]#[C-] HBMJWWWQQXIZIP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000004332 silver Substances 0.000 description 1
- WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N tungsten Chemical compound [W] WFKWXMTUELFFGS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052721 tungsten Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010937 tungsten Substances 0.000 description 1
- 125000000391 vinyl group Chemical group [H]C([*])=C([H])[H] 0.000 description 1
- 229920002554 vinyl polymer Polymers 0.000 description 1
Images
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/04—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers
- H01L25/075—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
- H01L25/0753—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices not having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00 the devices being arranged next to each other
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L25/00—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof
- H01L25/03—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes
- H01L25/10—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers
- H01L25/13—Assemblies consisting of a plurality of individual semiconductor or other solid state devices ; Multistep manufacturing processes thereof all the devices being of a type provided for in the same subgroup of groups H01L27/00 - H01L33/00, or in a single subclass of H10K, H10N, e.g. assemblies of rectifier diodes the devices having separate containers the devices being of a type provided for in group H01L33/00
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L23/00—Details of semiconductor or other solid state devices
- H01L23/48—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor
- H01L23/488—Arrangements for conducting electric current to or from the solid state body in operation, e.g. leads, terminal arrangements ; Selection of materials therefor consisting of soldered or bonded constructions
- H01L23/498—Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
- H01L23/49838—Geometry or layout
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/62—Arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body, e.g. lead-frames, wire-bonds or solder balls
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L2933/00—Details relating to devices covered by the group H01L33/00 but not provided for in its subgroups
- H01L2933/0008—Processes
- H01L2933/0033—Processes relating to semiconductor body packages
- H01L2933/0066—Processes relating to semiconductor body packages relating to arrangements for conducting electric current to or from the semiconductor body
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Geometry (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Electroluminescent Light Sources (AREA)
- Devices For Indicating Variable Information By Combining Individual Elements (AREA)
Abstract
一種顯示面板，包括：用來與至少一個其他基板拼接的第一基板、複數個第一發光單元以及第一圖案化導電層。第一基板具有一個第一出光表面以及一個第一側壁；第一側壁與第一出光表面連接，且夾一個非180°角。複數個第一發光單元設置於第一出光表面上。第一圖案化導電層設於第一側壁上。
Description
本揭露書是有關於一種顯示裝置，特別是一種顯示面板。
隨著科技的進步，顯示器產業正朝向更舒適、大尺寸、高解析度、多頻、數位畫等高品質之方向進步。為了提供較大尺寸的顯示螢幕，目前已有將多台液晶顯示器 (Liquid Crystal Display，LCD)加以拼接，組合形成單一顯示面板。然而，囿於技術的局限性，液晶顯示器的拼接技術並無法實現實質上無縫拼接的視覺效果。
相較於液晶顯示器，自發光顯示器(self-light-emitting display)，以微發光二極體(micro Light-Emitting Diode，micro-LED)顯示器為例，具有畫素自發光、小尺寸、低功率消耗、高色彩飽和度和高反應速度等優點，已成為下一代顯示器產品的熱門技術之一。然而，微發光二極體技術涉及微發光二極體晶片的巨量轉移(mass transfer)，需要將眾多微發光二極體晶片批量地轉移到預先製好的電路基板上。隨著微發光二極體晶片的微型化趨勢，若一次轉移大量微發光二極體晶片，則對於轉移設備的精度要求極高，製程良率難以提昇；若一次僅轉移少量微發光二極體晶片，轉移時間將會顯著增加，則產能難以提昇。
為了解決此一問題，目前已有技術，透過拼接處理的方式，將較小尺寸的微發光二極體顯示面板組合成尺寸更大的顯示面板。但是，無論何種型式的拼接顯示面板，都無可避免地會面臨拼接縫影響影像視覺效果的問題。
因此，有需要提供一種先進的顯示面板，來解決習知技術所面臨的問題。
本說明書的一實施例係提供一種顯示面板，包括：用來與至少一個其他基板拼接的第一基板、複數個第一發光單元以及第一圖案化導電層。第一基板具有一個第一出光表面以及一個第一側壁；第一側壁與第一出光表面連接，且夾一個非180°角。複數個第一發光單元設置於第一出光表面上。第一圖案化導電層設於第一側壁上。
本說明書的另一實施例係提供一種顯示面板的製作方法，包括下述步驟：首先提供一個第一基板，使第一基板具有一個第一出光表面以及一個第一側壁；其中第一側壁與第一出光表面連接，且夾一個非180°角。接著，於第一出光表面上形成複數個第一發光單元；並於第一側壁上形成一個第一圖案化導電層。
根據上述實施例，本說明書的實施例係提供一種顯示面板，其係在第一基板的第一出光表面上建置複數個第一發光單元，並在連接第一出光表面，並且與其夾一個非180°角的一個第一側壁上，建置一個第一圖案化導電層。在一個實施例中，第一基板可以與另一個具有類似結構的第二基板拼接，並且藉由第一圖案化導電層的連接，可使位於第一基板上的至少一個第一發光單元，與位於第二基板上的至少一個第二發光單元電性連接，並響應位於第一基板上之驅動電路所提供的影像訊號來顯示影像，進而達到擴大顯示面板尺寸的目的。
在另一個實施例中，可以在第一基板和第二基板的拼接縫上形成至少一個第三發光單元，並藉由第一圖案化導電層(及/或位於第二基板的第二圖案化導電層)連接至位於第一基板或第二基板上的驅動電路，用以與第一發光單元和第二發光單元共同顯示影像。藉由第三發光單元所發出的光線，可以改善第一基板和第二基板拼接時，拼接縫及位於拼接縫中的第一圖案化導電層(及/或第二圖案化導電層) 影響影像視覺效果的問題。同時，第三發光單元的設置，更可以在不影響視覺效果的前提下，加寬第一基板的第一側壁(及/或第二基板的第二側壁)與第一發光單元(第二發光單元)之間的距離，從而提供較大製程裕度(process window)，達到增加製程良率的目的。
為了對本說明書之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：
本說明書是提供一種顯示面板，可達到減少拼接縫影響影像視覺效果的目的，同時在不影響視覺效果的前提下，提升製程良率。為了對本說明書之上述實施例及其他目的、特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉複數個較佳實施例，並配合所附圖式作詳細說明。
但必須注意的是，這些特定的實施案例與方法，並非用以限定本發明。本發明仍可採用其他特徵、元件、方法及參數來加以實施。較佳實施例的提出，僅係用以例示本發明的技術特徵，並非用以限定本發明的申請專利範圍。該技術領域中具有通常知識者，將可根據以下說明書的描述，在不脫離本發明的精神範圍內，作均等的修飾與變化。在不同實施例與圖式之中，相同的元件，將以相同的元件符號加以表示。
請參照第1A圖至第1F圖，第1A圖至第1F圖係根據本說明書的一實施例所繪示，用於製作顯示面板100的一系列製程結構透視圖。顯示面板100的製作包括下述步驟：首先提供一個第一基板101，使第一基板101具有一個第一出光表面101a以及一個第一側壁101b，第一側壁101b與第一出光表面101a連接，且夾一個非180°角Θ1(如第1A圖所繪示)。
在本說明書的一些實施例中，第一基板101可以是一種可透光的半導體基板(例如矽基板)、玻璃基板、陶瓷基板、可撓性的塑化基板(例如聚氯乙烯(Poly Vinyl Chloride，PVC)薄膜)或是其他合適材質的基材。在本實施例之中，第一基板101可以是一種玻璃基板。
接著，於第一出光表面101a上形成複數個第一發光單元102(如第1B圖所繪示)。在本說明書的一些實施例中，第一發光單元102的製作，可以包括下述步驟：首先藉由磊晶製程在一個磊晶基板(未繪示)上形成複數個包含至少一個微發光二極體的電致發光(Electroluminescence，EL)單元(未繪示)，然後對磊晶基板進行晶圓切割(wafer dicing)，分割這些電致發光單元以形成複數個微發光二極體晶粒102a，並採用機械製具(未繪示)將微發光二極體晶粒102a由磊晶基板(未繪示)轉移到另外一個暫時基板(未繪示)上，再由暫時基板轉移到第一基板101上。其中，構成磊晶基板的材料可以是藍寶石(sapphire)、碳化矽(SiC)、矽(Si)、氧化鋅(ZnO)、氧化鎂(MgO)、氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN) 或上述之任意組合所組成之材質。
在本說明書的一些實施例之中，將複數個微發光二極體晶粒轉移至第一基板101上之前或之後，會在第一基板101的第一出光表面101a或第一出光表面101a之相反一側101c上形成一個第一電路103，以電性連接至位於第一基板101周邊區域的驅動電路104。每一個被轉移至第一基板101上的微發光二極體晶粒102a，可以與第一電路103電性連接，進而形成第一發光單元102。其中，複數個第一發光單元102可於第一出光表面101a排列形成一個畫素矩陣(matrix)K1；且每一個第一發光單元102可分別響應驅動電路104所提供的影像訊號進行啟閉，藉以顯示影像。
在本實施例之中，第一電路103係形成於第一出光表面101a之相反一側101c上。形成第一電路103的步驟，還包括在第一出光表面101a形成複數個貫穿孔105(例如採用雷射玻璃鑽孔(Through Glass Via，TGV)技術對玻璃基材進行鑽孔)。再於每一個貫穿孔105的側壁上濺鍍導電材料(例如，銅、鎢、鋁、金、銀或是上述任一合金、金屬氧化物或其他導電材質)，形成複數個導電插塞106，並在第一出光表面101a上形成複數個銲墊107，使複數個導電插塞106分別與第一電路103電性連接，複數個銲墊107分別通過對應的導電插塞106與第一電路103電性連接。
每一個被轉移至第一基板101上的微發光二極體晶粒，都落著於複數個銲墊107其中一者上，並通過對應的銲墊107和導電插塞106與第一電路103電性連接，以實現與驅動電路104電性連接。所形成的每一個第一發光單元101皆可視為一個畫素，而相鄰二畫素之間都具有一個畫素間距(pixel pitch)P。
接著，於第一側壁101b上形成一個第一圖案化導電層108，使第一圖案化導電層108與第一電路103電性連接。在本說明書的一些實施例中，形成第一圖案化導電層109的步驟，包括：該第一側壁101b上形成一個導電材質層108A (如第1C圖所繪示)。之後，再以，例如蝕刻或雷射109，移除一部分的導電材質層108A，形成與第一電路103電性連接的第一圖案化導電層108(如第1D圖所繪示)。
在本說明書的另一些實施例中，形成第一圖案化導電層108的步驟，包括：於第一側壁101b上形成一個圖案化光阻層201。再以圖案化光阻層201為罩幕，將導電材質202沉積於第一側壁101b上(如第2A圖所繪示)。之後，剝除圖案化光阻層201，形成與第一電路103電性連接的第一圖案化導電層108(如第2B圖所繪示)。
接著，以相同的方式，提供第二基板121，並在第二基板121上形成複數個第二發光單元122。其中，第二基板121具有一個第二出光表面121a以及一個與第二出光表面121a連接的第二側壁121b，且第二出光表面121a與第二側壁121b夾一個非180°角Θ2 。並在第二基板121的第二出光表面121a或第二出光表面121a之相反一側121上形成一個第二電路123，使其與每一個第二發光單元122電性接觸。且採用與第1B圖至第1D圖或第2A圖至第2B圖所述的方法，在第二側壁121b上形成一個第二圖案化導電層128，使其與第二電路123電性連接(如圖1E所繪示)。
例如，在本實施例之中，第二電路123係形成於第二出光表面121a之相反一側121c上。第二出光表面121a還包括複數個貫穿孔125；且每一個貫穿孔125的側壁上包括形成一個導電插塞126。另外，每一個第二發光單元122還具有一個銲墊127以及一個微發光二極體晶粒122a。銲墊127位於第二出光表面121a上，且分別通過對應的導電插塞126與第二電路123電性連接。微發光二極體晶粒122a落著於銲墊127上，並通過對應的焊墊127和導電插塞126與第二電路123電性連接。且複數個第二發光單元122可於第二出光表面121a排列形成一個畫素矩陣K2；相鄰的二個第二發光單元122之間，都具有一個間距P(如1E圖所繪示)。
後續，將第一基板101與第二基板121進行拼接，再經過一系列後段製程(未繪示)，形成如第1F圖所繪示的顯示面板100。在本實施例中，第一基板101的第一側壁101b與第二基板121的第二側壁121b接觸；且使第二出光表面121a與第一出光表面101a共面。位於第一基板101之第一側壁101b上的第一圖案化導電層108與位於第二基板121之第二側壁121b上的第二圖案化導電層128可以相互匹配，且彼此接觸。通過第一電路103和第二電路123，第二發光單元122可以與驅動電路元件104電性連接，且每一個第二發光單元122可分別響應驅動電路104所提供的影像訊號進行啟閉，藉以顯示影像。
然而，第一發光單元102和第二發光單元122的影像顯示方式，並不以此為限。例如，在本說明書的另外一些實施例中，顯示面板100還可以包括另一個驅動電路124，設於第二基板121的周邊區域，並藉由第二電路123與複數個第二發光單元122電性連接；通過第一電路103、第二電路123、第一圖案化導電層108和第二圖案化導電層128，第一發光單元102也可以與位於第二基板121周邊區域上的驅動電路元件124電性連接；且每一個第一發光單元102和第二發光單元122可分別響應驅動電路124所提供的影像訊號進行啟閉，藉以顯示影像。在本說明書的又一些實施例中，每一個第一發光單元102可分別響應位於第一基板101上的驅動電路104所提供的影像訊號來顯示影像；同時每一個第二發光單元122可分別響應位於第二基板121上的驅動電路124所提供的影像訊號來顯示影像。
為了減少第一基板101與第二基板121拼接時所產生的視覺差異，在形成第一圖案化導電層108和第二圖案化導電層128之前，可以先對第一基板101和第二基板121進行裁切，使畫素矩陣K1中最靠近第一側壁101b的一行第一發光單元102，與第一側壁101b之間的距離為P/2；且使畫素矩陣K2中最靠近第二側壁121b的一行第二發光單元122，與第二側壁121b之間的距離為P/2。藉以使畫素矩陣K1和畫素矩陣K2最接近拼接縫S1的二行第一發光單元102和第二發光單元122之間的間距，在第一基板101和第二基板121拼接之後，仍維持為P。
在本實施例中，第二出光表面121a與第二側壁121b的連接線沿第一方向延伸，任意一行第二發光單元122的延伸方向與該第一方向平行或者大致平行，第一出光表面101a與第一側壁101b的連接線沿第二方向延伸，任意一行第一發光單元102的延伸方向與該第二方向平行或者大致平行，將第一基板101與第二基板121進行拼接後，該第一方向與該第二方向平行。
由於，顯示面板100中相鄰二行發光單元(包括，畫素矩陣K1中相鄰的二行第一發光單元102、畫素矩陣K2中相鄰的第二行發光單元122以及緊鄰拼接縫S1的一行第一發光單元102和一行第二發光單元122)之間的間距皆為P，可以使顯示面板100影像的亮度與解析度，不會因第一基板101和第二基板121的拼接而受到負面影響。
此外，由於第一基板101和第二基板121在拼接之後，二者的拼接縫S1仍是可視狀態。在本說明書的另一些實施例中，可以採用條狀的黑膠130來覆蓋拼接縫S1，以遮掩被拼接縫S1及位於拼接縫S1中的第一圖案化導電層108和第二圖案化導電層128所反射或散射的光線。需要說明的是，本說明書中第二基板121的第二側壁121b上也可不設置第二圖案化導電層128，只要與其相拼接的第一基板的第一側壁上具有第二圖案化導電層也能達到本發明的技術目的。
請參照第3圖，第3圖係根據本說明書的又一實施例所繪示的一種顯示面板300的簡化結構透視圖。顯示面板300的結構大至與第1D圖所繪示的顯示面板100類似。差別僅在於，顯示面板300更包括複數個第三發光單元301，設於第一出光表面101a與第二出光表面121a的拼接縫S2上，並通過第一圖案化導電層108(及/或第二圖案化導電層128)與至少一個第一發光單元102(及/或第二發光單元122)電性接觸。
其中，第三發光單元301的製作方式，可以與前述的第一發光單元102和第二發光單元122相同或不同。在本實施例中，第三發光單元301的製作方式，與前述的第一發光單元102和第二發光單元122相同。且第三發光單元301的製作方法，更包括在第一基板101和第二基板121在拼接之後，利用機械製具(未繪示)將微發光二極體晶粒轉移至形成於第二出光表面121a與第一出光表面101a二者之拼接縫S2上的複數個銲墊302上。
在本說明書的一些實施例中，形成於第一基板101之第一側壁101b的第一圖案化導電層108，可以向上延伸至拼接縫S2，而與分別對應的銲墊302電性連接，並藉由第一圖案化導電層108，使第三發光單元301與第一電路103電性連接。進而，使每一個第三發光單元301可以分別與畫素矩陣K1中對應的一個第一發光單元102電性連接(例如，串聯)；同時通過第一電路103耦接至位於第一基板101上的驅動電路元件104，可分別響應驅動電路124所提供的影像訊號進行啟閉，藉以顯示影像。
同理，在本說明書的另一些實施例中，形成於第二基板121之第二側壁121b的第二圖案化導電層128，亦可以向上延伸至拼接縫S2，而分別與對應的銲墊302電性連接。進而，使每一個第三發光單元301可以分別與畫素矩陣K2中對應的一個第二發光單元122電性連接(例如，串聯)；同時通過第二電路123耦接至位於第二基板121上的驅動電路元件124，可分別響應驅動電路124所提供的影像訊號進行啟閉，藉以顯示影像。
由於，第三發光單元301係設於第一出光表面101a與第二出光表面121a的拼接縫S2上，並且排列成行。因此只要將畫素矩陣K1中最接近第一側壁101b的一行第一發光單元102，與第三發光單元301之間的間距維持為P；同時將畫素矩陣K2中最接近第二側壁121b的一行第二發光單元122，與第三發光單元301之間的間距維持為P，即可有效減少第一基板101與第二基板121拼接時所產生的視覺差異。
又由於，顯示面板300加寬了畫素矩陣K1與第一側壁101b之間的距離，同時加寬了畫素矩陣K2與第二側壁121b之間的距離。因此，可以在對第一基板101和第二基板121進行裁切的步驟中，提供較大的製程裕度。尤其是在畫素矩陣K1和K2的畫素密度越來越大，畫素間距越來越微縮的情況下，可以更進一步地提高顯示面板300的製程良率。
根據上述實施例，本說明書的實施例係提供一種顯示面板，其係在第一基板的第一出光表面上建置複數個第一發光單元，並在連接第一出光表面，並且與其夾一個非180°角的一個第一側壁上，建置一個第一圖案化導電層。在一個實施例中，第一基板可以與另一個具有類似結構的第二基板拼接，並且藉由第一圖案化導電層的連接，可使位於第一基板上的至少一個第一發光單元，與位於第二基板上的至少一個第二發光單元電性連接，並響應位於第一基板上之驅動電路所提供的影像訊號來顯示影像，進而達到擴大顯示面板尺寸的目的。
在另一個實施例中，可以在第一基板和第二基板的拼接縫上形成至少一個第三發光單元，並藉由第一圖案化導電層(及/或位於第二基板的第二圖案化導電層)連接至位於第一基板或第二基板上的驅動電路，用以與第一發光單元和第二發光單元共同顯示影像。藉由第三發光單元所發出的光線，可以改善第一基板和第二基板拼接時，拼接縫及位於拼接縫中的第一圖案化導電層(及/或第二圖案化導電層) 影響影像視覺效果的問題。同時，第三發光單元的設置，更可以在不影響視覺效果的前提下，加寬第一基板的第一側壁(及/或第二基板的第二側壁)與第一發光單元(第二發光單元)之間的距離，從而大幅提升邊緣畫素的鐳射玻璃鑽孔(TGV)良率和巨量轉移良率，提供較大製程裕度，達到增加整體製程良率的目的。
雖然本發明已以較佳實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何該技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100:顯示面板
101:第一基板
101a:第一出光表面
101b:第一側壁
101c:第一出光表面之相反一側
102:第一發光單元
102a:微發光二極體晶粒
103:第一電路
104:驅動電路
105:貫穿孔
106:導電插塞
107:銲墊
108:第一圖案化導電層
108A:導電材質層
109:雷射
201:圖案化光阻層
202:導電材質
121:第二基板
121a:第二出光表面
121b:第二側壁
121c:第二出光表面之相反一側
122:第二發光單元
122a:微發光二極體晶粒
123:第二電路
124:驅動電路
125:貫穿孔
126:導電插塞
127:銲墊
128:第二圖案化導電層
130:黑膠
300:顯示面板
301:第三發光單元
302:銲墊
P:間距
Θ2:非180°角
Θ1:非180°角
K1:畫素矩陣
K2:畫素矩陣
S1:拼接縫
S2:拼接縫
第1A圖至第1F圖係根據本說明書的一實施例所繪示，用於製作顯示面板的一系列製程結構透視圖。
第2A圖至第2B圖係根據本說明書的另一實施例所繪示，用於形成第一圖案化導電層的一系列製程結構透視圖。
第3圖係根據本說明書的又一實施例所繪示的一種顯示面板的簡化結構透視圖。
無。
300:顯示面板
101:第一基板
101a:第一出光表面
101c:第一出光表面之相反一側
102:第一發光單元
102a:微發光二極體晶粒
103:第一電路
104:驅動電路
105:貫穿孔
106:導電插塞
107:銲墊
121:第二基板
121c:第二出光表面之相反一側
122:第二發光單元
122a:微發光二極體晶粒
123:第二電路
124:驅動電路
125:貫穿孔
126:導電插塞
127:銲墊
301:第三發光單元
302:銲墊
K1:畫素矩陣
K2:畫素矩陣
P:間距
S2:拼接縫
Claims (11)
- 一種顯示面板，包括： 一第一基板，用來與至少一其他基板拼接，該第一基板具有一第一出光表面以及一第一側壁，與該第一出光表面連接，且夾一非180°角； 複數個第一發光單元，設置於該第一出光表面上； 以及 一第一圖案化導電層，設於該第一側壁上。
- 如申請專利範圍第1項所述之顯示面板，該至少一其他基板包括： 一第二基板，具有一第二出光表面以及一第二側壁；其中，該第二側壁與該第二出光表面連接，且與該第一側壁接觸；該第二出光表面與該第一出光表面共面；以及 複數個第二發光單元，設置於該第二出光表面上。
- 如申請專利範圍第2項所述之顯示面板，更包括一第二圖案化導電層，設於該第二側壁上。
- 如申請專利範圍2所述之顯示面板，更包括 一第一電路，設於該第一基板的該第一出光表面或該第一出光表面之相反一側，並與該第一圖案化導電層電性接觸；以及 一第二電路，設於該第二基板的該第二出光表面或該第二出光表面之相反一側，並與該第一圖案化導電層電性接觸。
- 如申請專利範圍2所述之顯示面板，更包括複數個第三發光單元，設於該第一出光表面與該第二出光表面的一拼接縫上，並通過該第一圖案化導電層與該些第一發光單元之至少一者電性接觸。
- 如申請專利範圍5所述之顯示面板，其中二相鄰的該些第一發光單元之間具有一間距；二相鄰的該些第二發光單元之間具有該間距；每一該些第三發光單元與該些第一發光單元和該些第二發光單元的相鄰之一者之間具有該間距。
- 一種顯示面板的製作方法，包括： 提供一第一基板，該第一基板具有一第一出光表面以及一第一側壁，與該第一出光表面連接，且夾一非180°角； 於該第一出光表面上形成複數個第一發光單元；以及 於該第一側壁上形成一第一圖案化導電層。
- 如申請專利範圍7所述之顯示面板的製作方法，其中形成該第一圖案化導電層的步驟，包括： 於該第一側壁上形成一導電材質層；以及 移除一部分該導電材質層。
- 如申請專利範圍7所述之顯示面板的製作方法，其中形成該第一圖案化導電層的步驟，包括： 於該第一側壁上形成一圖案化光阻層； 以該圖案化光阻層為一罩幕，沉積一導電材質於該第一側壁上；以及 剝除該圖案化光阻層。
- 如申請專利範圍7所述之顯示面板的製作方法，更包括： 提供一第二基板，該第二基板具有一第二出光表面以及一第二側壁，與該第二出光表面連接，且夾一非180°角； 於該第二出光表面上形成複數個第二發光單元；以及 拼接該第一基板和該第二基板，使該第二側壁與該第一側並接觸；該第二出光表面與該第一出光表面共面。
- 如申請專利範圍10所述之顯示面板的製作方法，更包括於該第二側壁與該第二出光表面的一拼接縫上形成複數個第三發光單元，使每一該些第三發光單元通過該第一圖案化導電層與該些第一發光單元之至少一者電性接觸。
Priority Applications (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108110345A TWI720446B (zh) | 2019-03-25 | 2019-03-25 | 顯示面板及其製作方法 |
| US16/826,325 US11211367B2 (en) | 2019-03-25 | 2020-03-23 | Display panel and method for fabricating the same |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW108110345A TWI720446B (zh) | 2019-03-25 | 2019-03-25 | 顯示面板及其製作方法 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| TW202036503A true TW202036503A (zh) | 2020-10-01 |
| TWI720446B TWI720446B (zh) | 2021-03-01 |
Family
ID=72604799
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| TW108110345A TWI720446B (zh) | 2019-03-25 | 2019-03-25 | 顯示面板及其製作方法 |
Country Status (2)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US11211367B2 (zh) |
| TW (1) | TWI720446B (zh) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US11444120B2 (en) * | 2020-01-14 | 2022-09-13 | Au Optronics Corporation | Display apparatus and method of fabricating the same |
| CN117525104A (zh) * | 2023-02-28 | 2024-02-06 | 武汉华星光电技术有限公司 | 显示面板及其制作方法与拼接式显示屏 |
Family Cites Families (22)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP4882439B2 (ja) * | 2006-01-13 | 2012-02-22 | 日亜化学工業株式会社 | 発光装置およびその製造方法 |
| WO2010042216A2 (en) * | 2008-10-10 | 2010-04-15 | Digital Optics International, Llc | Distributed illumination system |
| TW201319679A (zh) * | 2011-11-07 | 2013-05-16 | Ind Tech Res Inst | 裸視多維顯示組件及其顯示器 |
| CN104769691A (zh) * | 2012-11-02 | 2015-07-08 | 罗姆股份有限公司 | 片状电容器、电路组件以及电子设备 |
| US9123266B2 (en) * | 2013-11-19 | 2015-09-01 | Google Inc. | Seamless tileable display with peripheral magnification |
| EP3074812B1 (en) * | 2013-11-28 | 2019-03-27 | GIO Optoelectronics Corp. | Matrix circuit substrate, display apparatus, and manufacturing method of matrix circuit substrate |
| CN105044964A (zh) * | 2014-04-01 | 2015-11-11 | 台湾巴可科技股份有限公司 | 拼接式显示装置 |
| JP6602585B2 (ja) * | 2014-08-08 | 2019-11-06 | 株式会社半導体エネルギー研究所 | 表示装置および電子機器 |
| KR102275228B1 (ko) * | 2014-11-27 | 2021-07-09 | 삼성디스플레이 주식회사 | 타일형 표시 장치 |
| JP6462479B2 (ja) * | 2015-04-27 | 2019-01-30 | 日本放送協会 | 多分割駆動ディスプレイ及び表示装置 |
| KR102345612B1 (ko) * | 2015-07-08 | 2022-01-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시장치 |
| KR20170059523A (ko) * | 2015-11-20 | 2017-05-31 | 삼성디스플레이 주식회사 | 표시 장치, 타일형 표시 장치 및 이의 제조 방법 |
| KR102465796B1 (ko) * | 2016-05-27 | 2022-11-10 | 삼성전자주식회사 | 다중 슬롯 안테나를 가지는 전자 장치 |
| CN206115896U (zh) | 2016-10-27 | 2017-04-19 | 京东方科技集团股份有限公司 | 拼接显示面板及拼接显示装置 |
| US10546913B2 (en) | 2017-08-01 | 2020-01-28 | Innolux Corporation | Tile display devices and display devices |
| CN107742480A (zh) * | 2017-10-30 | 2018-02-27 | 武汉华星光电技术有限公司 | 拼接显示装置 |
| US10950685B2 (en) * | 2018-03-29 | 2021-03-16 | Innolux Corporation | Tiled electronic device |
| CN108563067A (zh) * | 2018-04-10 | 2018-09-21 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 背光模组、液晶显示器以及拼接显示装置 |
| CN115951521A (zh) * | 2018-04-19 | 2023-04-11 | 群创光电股份有限公司 | 发光模块及显示设备 |
| CN108597382A (zh) | 2018-04-24 | 2018-09-28 | 惠州市华星光电技术有限公司 | 显示装置 |
| US11164934B2 (en) * | 2019-03-12 | 2021-11-02 | X Display Company Technology Limited | Tiled displays with black-matrix support screens |
| TWI722405B (zh) * | 2019-03-28 | 2021-03-21 | 佳世達科技股份有限公司 | 顯示面板 |
-
2019
- 2019-03-25 TW TW108110345A patent/TWI720446B/zh not_active IP Right Cessation
-
2020
- 2020-03-23 US US16/826,325 patent/US11211367B2/en active Active
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| US20200312825A1 (en) | 2020-10-01 |
| US11211367B2 (en) | 2021-12-28 |
| TWI720446B (zh) | 2021-03-01 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| TWI722405B (zh) | 顯示面板 | |
| KR102597018B1 (ko) | 표시 장치 및 표시 장치의 제조 방법 | |
| US20200203319A1 (en) | Mass transfer method for micro light emitting diode and light emitting panel module using thereof | |
| WO2003054838A1 (fr) | Afficheur d'images et son procede de fabrication | |
| CN110034105A (zh) | 显示面板及其制作方法 | |
| CN110993756B (zh) | Led芯片及其制作方法 | |
| KR102566090B1 (ko) | 유기 발광 표시 장치 및 유기 발광 표시 장치 제조 방법 | |
| TWI821312B (zh) | 包括發光二極體的光電裝置 | |
| WO2016202071A1 (zh) | 触控面板及其制备方法、显示装置 | |
| TWI720446B (zh) | 顯示面板及其製作方法 | |
| US20200350298A1 (en) | Micro semiconductor stacked structure and electronic apparatus having the same | |
| WO2020108017A1 (zh) | 显示面板、显示装置及制作用于显示面板的基板的方法 | |
| JP2023529031A (ja) | 駆動基板及びその製作方法並びに表示装置 | |
| JP2006310262A (ja) | 平板表示装置 | |
| US10930202B2 (en) | Display apparatus | |
| CN110010016B (zh) | 显示面板 | |
| WO2020187177A1 (zh) | 一种mini LED显示屏及制作方法 | |
| TW202123453A (zh) | 圖像顯示裝置之製造方法及圖像顯示裝置 | |
| JP2003216072A (ja) | 画像表示装置及びその製造方法 | |
| TWI650852B (zh) | 主動式驅動發光二極體陣列的製造方法 | |
| TW202240880A (zh) | 圖像顯示裝置之製造方法及圖像顯示裝置 | |
| JP2003005674A (ja) | 表示素子及び画像表示装置 | |
| WO2021035529A1 (zh) | 电子装置基板及其制作方法、电子装置 | |
| CN114582934A (zh) | 显示装置 | |
| KR20210022308A (ko) | 디스플레이 모듈 및 이를 포함하는 디스플레이 장치 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |