TW202034373A - 針對加熱器陣列中的故障之辨識及補償 - Google Patents

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Abstract

描述用於加熱器陣列中單個故障之辨識及針對故障之補償的系統及和方法。該方法包括辨識具有一故障位置之加熱器陣列的兩個X匯流排及兩個Y匯流排。辨識出該兩個X及兩個Y匯流排後，對加熱器陣列內之單個故障進行確認。一旦確認該單個故障，即辨識出故障的位置。本方法包括：藉由調整故障位置處之加熱器的工作週期來補償該單個故障，調整沿著與故障加熱器相同之X匯流排及與故障加熱器相同之Y匯流排之加熱器的額外工作週期，並保持提供至加熱器陣列之其餘加熱器之功率的其餘工作週期。

Description

針對加熱器陣列中的故障之辨識及補償
本發明係關於加熱器陣列中故障之辨識及針對故障之補償的系統及方法。
電漿工具包括射頻(RF)產生器及電漿腔室。RF產生器透過匹配器耦接至電漿腔室。RF產生器產生RF信號，並透過匹配器將RF信號提供至電漿腔室。
基板係於電漿腔室內使用電漿而進行處理，而電漿係在除了一或更多氣體外還供應RF信號至電漿腔室時所產生。在基板處理期間，電漿腔室內之溫度被控制著。為了控制該溫度，對電漿腔室內之一或更多加熱器進行控制。
將於本文中提出描述於本發明中之實施例。
本文所提供的先前技術描述係為了概述本揭示內容上下文之目的。本案發明人的成果(在此先前技術段落中所述之範圍內)、以及在申請時可能未以其他方式認定為先前技術之描述態樣，並未明示或默示地被承認為是相對於本發明的先前技術。
本發明之實施例提供用於加熱器陣列中故障之辨識及針對故障之補償的系統、設備、方法及電腦程式。應瞭解的是，本實施例可以許多方法實施，例如製程、設備、系統、裝置或電腦可讀媒體上之方法。數個實施例描述於下。
電漿腔室之構件(例如靜電卡盤或噴淋頭)具有加熱器矩陣，在該加熱器矩陣上的每一節點(即加熱器)具有二極體及電阻器加熱元件。該加熱器矩陣有時在本文中稱為加熱器陣列。當二極體故障時，加熱器矩陣之多個未定址的加熱器會得到不想要的多餘電流，因而對正被處理之晶圓造成加熱曲線失控。二極體故障便未被檢測。因此，當二極體發生故障時，便不會進行恢復。在檢測到二極體故障之後，該構件便被丟棄，並停止具有電漿腔室之電漿工具的操作，並訂購替換構件。又，使用故障二極體處理過之任何晶圓也被丟棄。晶圓的損失是非常昂貴。替換構件很昂貴。又，在替換構件到貨並安裝至電漿工具內之前，電漿工具無法操作，因而導致系統停機時間。本文所述之系統及方法提供二極體故障檢測，其可防止晶圓的丟棄。又，本文所述之系統及方法提供額外的時間來訂購替換構件，而不用停止電漿工具運作，且不會危害處理晶圓之品質。
本文所述之系統及方法提供單個二極體故障確認、位置辨識及恢復。具有單個二極體故障之構件在單個二極體故障後仍可暫時使用，因而延長構件壽命。又，透過在使用具有單個二極體故障之該構件的同時訂購替換構件，來降低電漿工具的停機時間。當該構件有額外的二極體故障時，則替換構件已準備好供使用。
在一實施例中，描述用於辨識加熱器陣列中之故障及對於該故障之補償的方法。該方法包括確認故障僅限於加熱器陣列內之單個加熱器(例如二極體短路)的第一操作。於加熱器陣列內有多於一個加熱器故障之情況下，將更換加熱器陣列所在之電漿工具的構件或部件。該方法更包括辨識加熱器陣列內故障位置的第二操作。該方法包括執行故障恢復程序以補償該位置處之故障的第三操作。
在一實施例中，以連續順序執行第一、第二及第三操作。例如，第二操作係在第一操作之後執行。
在一實施例中，本文所述之加熱器陣列係用於電漿腔室內的精細溫度控制。有用於過程溫度控制之較大加熱器，而較大加熱器稱為區域加熱器。
在一實施例中，描述用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法。該方法包括存取辨識出該故障加熱器位置之緩解數據。該故障加熱器係位於一X匯流排及一Y匯流排上。該方法更包括調整待施加至該故障加熱器之功率的工作週期以輸出調整後工作週期，以及施加該調整後之工作週期至該故障加熱器。該調整後之工作週期降低施加至該故障加熱器之功率。該方法包括施加額外調整後之工作週期至該X匯流排及該Y匯流排上之一組加熱器，且未調整施加至該加熱器陣列之其餘加熱器的其餘工作週期。該等額外調整後之工作週期降低施加至該組加熱器之功率。
在一實施例中，描述一系統。該系統包括具有複數X匯流排、複數Y匯流排及分佈在電漿腔室內之複數加熱器的加熱器陣列。該系統更包括一功率傳輸電路，用於設定施加至每一該複數加熱器之功率的工作週期。該功率傳輸電路調整該複數加熱器之故障加熱器的工作週期，並調整提供至來自該複數加熱器之第一及第二組加熱器之功率的工作週期。該複數X匯流排包括與該故障加熱器相關之X匯流排，且該複數Y匯流排包括與該故障加熱器相關之Y匯流排。該第一組加熱器位於與該故障加熱器相關之該X匯流排上，且該第二組加熱器位於與該故障加熱器相關之該Y匯流排上。
在一實施例中，描述一電漿系統。該電漿系統包括：一射頻產生器，其配置成產生射頻信號；以及一阻抗匹配電路，其耦接至射頻產生器，以接收射頻信號。該阻抗匹配電路修改射頻信號，以輸出修改後之射頻信號。該電漿系統更包括一電漿腔室，其耦接至阻抗匹配電路，以接收修改後之射頻信號。該電漿腔室包括一加熱器陣列，該加熱器陣列包括複數X匯流排、複數Y匯流排及複數加熱器。該電漿系統包括如上所述之功率傳輸電路，其耦接至該複數加熱器，用於設定施加至每一該複數加熱器之功率的工作週期。
本文描述之用於加熱器陣列中故障之辨識及針對故障之補償的系統及方法之一些優點包括，有單個加熱器故障之構件不需要立即丟棄。可延長構件的壽命，直到加熱器陣列內有兩個或更多加熱器故障。又，無需立即負擔新替換卡盤的費用。本文描述之系統及方法的額外優點包括，可在工具上原位完成對加熱器陣列內單個加熱器故障的確認以及對單個加熱器之位置的辨識。若確認單個加熱器故障，接著可透過恢復模式來補償因故障而對基板之處理所造成的任何影響，且該構件仍可操作，使得電漿工具得以繼續操作用於晶圓處理。處理晶圓之生產率受到最小程度的影響。本文描述之系統及方法的進一步優點包括，可在構件因多於一個加熱器故障而有無法恢復之故障之前先訂購替換構件，如替換卡盤。當用替換構件更換該構件時，此可將工具停機時間降至最低。
其他態樣將透過以下詳細敘述結合隨附圖式而變得清楚。
以下實施例描述用於電漿腔室中溫度之即時控制的系統及方法。顯然地，本實施例可在缺乏此些具體細節之部分或所有者的情況下實施。在其他情況下，眾所周知的製程操作便不詳加敘述，以免不必要地使本實施例失焦。
圖1是用以說明透過控制多個加熱器以即時控制電漿腔室內溫度之系統100的實施例圖。該系統100包括電壓源Vs、加熱器陣列102、多工器(multiplexer)108、非揮發性記憶體110、及使用者介面系統(UIS)112。如本文中所使用，多工器被製造為印刷電路板組件(PCBA)。例如，術語多工器及PCBA在本文中可互換使用。如本文所使用之非揮發性記憶體的示例包括快閃記憶體及鐵電隨機存取記憶體(RAM)。電壓源Vs的示例包括電源供應器。為了說明，電壓源Vs提供一電壓量。加熱器陣列102位於基板支撐件、卡盤、噴淋頭或上電極組件內。上電極組件包括上電極及其他構件，例如環繞上電極之介電材及環繞介電材之上電極延伸部。使用者介面系統112的示例包括主電腦(host computer)、桌上型電腦、膝上型電腦、智慧型手機及伺服器。使用者介面系統112、多工器108和及非揮發性記憶體110是功率傳輸電路104之部件或構件。
加熱器陣列102包括多個開關SX1、SX2、SX3、SX4、SX5、SX6、SY1、SY2、SY3、SY4、SY5及SY6。另外，加熱器陣列102包括多個X匯流排X1、X2、X3、X4、X5、X6及多個Y匯流排Y1、Y2、Y3、Y4、Y5及Y6。加熱器陣列102包括多個位置，且每一位置包括一加熱器。加熱器陣列102的加熱器分佈形成加熱器矩陣。加熱器陣列102的位置XjYi包括一加熱器，該加熱器更包括二極體DXjYi及電阻器RXjYi，其中j範圍為1至6，而i範圍為1至6。例如，加熱器陣列102的位置X1Y1包括一加熱器，該加熱器包括二極體DX1Y1及電阻器RX1Y1，加熱器陣列102的另一位置X2Y2包括二極體DX2Y2及電阻器RX2Y2。一位置處之加熱器的二極體串聯耦接至該加熱器的電阻器。如本文所使用，匯流排的示例為導體，例如電線。如本文所使用，開關的示例為繼電器。作為另一示例，本文所使用的開關包括相互耦接之一或更多電晶體。
多工器108透過線路LY1耦接至開關SY1、透過線路LY2耦接至開關SY2、透過線路LY3耦接至開關SY3、透過線路LY4耦接至開關SY4、透過線路LY5耦接至開關SY5、透過線路LY6耦接至開關SY6、透過線路LX1耦接至開關SX1、透過線路LX2耦接至開關SX2、透過線路LX3耦接至開關SX3、透過線路LX4耦接至開關SX4、透過線路LX5耦接至開關SX5、透過線路LX6耦接至開關SX6。如本文所使用，線路的示例是導體，例如電線。
使用者介面系統112包括處理器106、記憶體裝置114及顯示裝置116。如本文所使用，處理器是特殊應用積體電路(ASIC)或場效可程式化閘陣列(FPGA)、可程式邏輯裝置(PLD)或中央處理單元(CPU)、或微處理器或數位訊號處理器、或微控制器。如本文所使用之記憶體裝置的示例包括隨機存取記憶體(RAM)及唯讀記憶體(ROM)。為了說明，記憶體裝置為快閃記憶體、硬碟或儲存裝置等。記憶體裝置是電腦可讀媒體的示例。顯示裝置116的示例包括液晶顯示裝置、發光二極體顯示裝置及電漿顯示裝置。
非揮發性記憶體110包括電漿腔室內待達成之溫度值、加熱器陣列102之加熱器的操作工作週期(duty cycle)、及由電壓源Vs產生之電壓的標稱值之間的一或更多對映(例如一對一關係、或對應、或鏈接、或唯一關係等)。例如，為了在包括加熱器陣列102之電漿腔室內達到溫度值Temp1，電壓源Vs將被操作至產生標稱電壓量Vnominal1，位置X1Y1處的加熱器將以工作週期DCX1Y1進行操作，位置X1Y2處的加熱器將以工作週期DCX1Y2進行操作，依此類推，直到位置X6Y6處的加熱器將以工作週期DCX6Y6進行操作。加熱器陣列102之加熱器的操作工作週期是將功率從電壓源Vs提供至加熱器之工作週期或時脈週期(clock cycle)內的時間量。
還應注意，加熱器陣列102在交給使用者時，非揮發性記憶體110即預先載有特定於加熱器陣列102的對映。作為另一示例，加熱器陣列102之加熱器的工作週期係於工廠中預先校準，加熱器陣列102在工廠中是以電壓源Vs將以恆定值(例如標稱值Vnominal1)產生並供應電壓之假設下製造。在交給使用者之前，關於加熱器陣列102之加熱器工作週期的關閉及開啟時間段的資訊係於工廠中計算並儲存於非揮發性記憶體110中。
處理器106從非揮發性記憶體110接收或存取一或更多對映(mapping)，並從該一或更多對映中辨識工作週期，電漿腔室內加熱器陣列102之加熱元件將以該工作週期進行操作，以達到電漿腔室內的溫度值Temp1。電壓源Vs能夠產生用於達到該溫度值之標稱電壓值。該溫度值Temp1將被達成以作為在具有加熱器陣列102之電漿腔室內處理基板之配方的一部分。如本文所使用，基板的示例包括半導體晶圓，其可為測試晶圓或待處理的晶圓。例如，該基板包括覆蓋在例如矽之基板層上的多個堆疊層。該配方包括其他值，例如射頻(RF)產生器之操作頻率、RF產生器之操作功率位準、電漿腔室內上電極與下電極之間的間隙、電漿腔室內之壓力量、以及電漿腔室內待供應之製程氣體的化學物質。處理器106存取存於記憶體裝置114中的配方，並相應地控制RF產生器及具有加熱器陣列102之電漿腔室以執行該配方。
在具有加熱器陣列102之電漿腔室內處理基板期間，電壓源Vs產生標稱電壓值，以供應至加熱器陣列102之一或更多加熱器。再者，在基板的處理期間，處理器106從配方中辨識出溫度值Temp1將於加熱器陣列102所在之電漿腔室內達成。當基板正被處理時，處理器106將工作週期控制信號發送至多工器108，用於對加熱器陣列之一或更多X匯流排及一或更多Y匯流排進行尋址，以控制加熱器陣列102的加熱器，俾以設定或達成其各自的工作週期。該工作週期控制信號包括用於斷開(opening)及閉合(closing)開關SX1至SX6及SY1至SY6的頻率，以達成加熱器陣列102之加熱器元件的工作週期。
接收到該工作週期控制信號後，多工器108即相應地管理開關SX1至SX6及SY1至SY6的閉合及斷開，以達成加熱器陣列102之加熱器之操作工作週期。例如，在接收到工作週期控制信號以閉合開關SY1及SX1並斷開其餘開關SY2至SY6及SX2至SX6後，多工器108即透過LY1發送信號至開關SY1以閉合開關SY1，透過線路LX1發送另一信號至開關SX1以閉合開關SX1，停止透過線路LX2至LX6發送信號至開關SX2至SX6以斷開開關SX2至SX6，並停止透過線路LY2至LY6發送信號至開關SY2至SY6以斷開開關SY2至SY6。在開關SY1及SX1閉合且其餘開關SX2至SX6及SY2至SY6斷開之時間段期間，由電壓源Vs輸出的標稱電壓所產生的電流經由開關SY1、匯流排Y1、二極體DX1Y1、電阻器RX1Y1、匯流排X1及開關SX1傳輸至接地電位。流過位置X1Y1處之加熱器的電流亦流過耦接至開關SX1之端子的電流表202X1。因此，當多工器108控制位置X1Y1處之加熱器的工作週期時，流經位置X1Y1處之加熱器的電流被計量或監測。計量電流係自電流表202X1發送至處理器106。一或更多之額外電流表202X2、202X3、202X4、202X5和202X6描述於下文。
繼續該示例，接收到另一工作週期控制信號以斷開開關SY1及SX1並保持其餘開關SY2至SY6及SX2至SX6斷開後，多工器108即停止透過LY1發送信號至開關SY1以斷開開關SY1，並停止透過線路LX1發送信號至開關SX1以斷開開關SX1。當開關SY1和SX1斷開時，由電壓源Vs輸出的標稱電壓所產生的電流不會通過開關SY1、匯流排Y1、二極體DX1Y1、電阻器RX1Y1、匯流排X1及開關SX1傳輸至接地電位。位置X1Y1處之加熱器的工作週期係在​開關SX1及SY1閉合而其餘開關SX2至SX6及SY2至SY6斷開之時脈​訊號之一週期時間段內達成或設定。依類似方式，處理器106透過多工器108控制加熱器陣列102內其餘位置處之其餘加熱器的工作週期及計量電流。
由於加熱器陣列102之應用及構造或製造，沿著中心線或中心x軸CLX，或中心y軸或中心線CLY呈鏡像之加熱器具有相似電阻，並且因此具有大致相同的電流量。例如，位置X1Y1與X6Y1處之加熱器沿中心x軸CLX呈鏡像，並具有大致相同的電流量，X2Y2與X5Y2處之加熱器沿中心x軸CLX呈鏡像，並具有大致相同的電流量，X1Y1與X1Y6處之加熱器沿中心y軸CLY呈鏡像，並具有大致相同的電流量，而位置X2Y2與X2Y5處之加熱器沿中心y軸CLY呈鏡像，並具有大致相同的電流量。
在一些實施例中，加熱器陣列102包括任意數量的加熱器、任意數量的開關、及任意數量的匯流排。例如，加熱器陣列102包括144個加熱器。作為另一示例，加熱器陣列102包括100個加熱器。
在諸多實施例中，取代接地電位而使用參考電位，例如正電位量或負電位量。正電位量及負電位量小於電壓源Vs的電位。
在一實施例中，功率傳輸電路104包括使用者介面系統112、多工器108、記憶體110、開關SX1至SX6、開關SY1至SY6、匯流排X1至X6、及匯流排Y1至Y6。
圖2A-1是位置X2Y3處具有故障加熱器二極體之加熱器陣列102的實施例圖，以說明從位於或沿著X1匯流排之位置與X6匯流排之位置處加熱器所計量得的電流之間的對稱性。應當注意，匯流排X2與位置X2Y3處之故障加熱器有關。例如，位置X2Y3處之故障加熱器係位於匯流排X2上。類似地，匯流排Y3與位置X2Y3處之故障加熱器有關。例如，位置X2Y3處之故障加熱器係位於匯流排Y3上。匯流排之位置或位於或沿著匯流排之位置示例包括具有與匯流排耦接之端子之加熱器的位置。為了說明，位置X1Y1、X1Y2、X1Y3、X1Y4、X1Y5、及X1Y6係沿著匯流排X1，而位置X1Y1、X2Y1、X3Y1、X4Y1、X5Y1、及X6Y1係沿著匯流排Y1。X1Y1位置處之加熱器的端子連接至X1匯流排，X1Y2位置處之加熱器的端子連接至X1匯流排， X1Y3位置處之加熱器的端子連接至X1匯流排，位置X1Y4處之加熱器的端子連接至X1匯流排，位置X1Y5處之加熱器的端子連接至X1匯流排，而位置X1Y6處之加熱器的端子連接至X1匯流排。
圖1之處理器106發送控制信號(例如工作週期控制信號)至多工器108(圖1)，以閉合開關SY1及SX1，並斷開其餘開關SY2至SY6及SX2至SX6 。接收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY1及SX1，以閉合開關SY1及SX1，且不發送信號至開關SY2至SY6及SX2至SX6，以斷開開關SY2至SY6及SX2至SX6。
當開關SY1及SX1閉合時，正常電流IN1 從電壓源Vs通過路徑N1 流到接地電位。作為示例，如本文所使用之正常電流流過未故障的加熱器。路徑N1 始於電壓源Vs處，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X1Y1處之加熱器、匯流排X1及開關SX1延伸至接地電位。另外，由於位置X2Y3處之加熱器有故障，因此當開關SY1及SX1閉合時，外來電流IUW1從電壓源Vs經由路徑UW1流至接地電位。應當注意，術語外來電流、附加電流、不需要(UW)電流及漏電流在本文中可互換使用。此外，加熱器位置處的故障是該位置處之二極體短路所導致的結果。
路徑UW1始於電壓源Vs，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X2Y1處之加熱器、匯流排X2、位置X2Y3處之加熱器、Y3匯流排、位置X1Y3處之加熱器、匯流排X1及開關SX1延伸至接地電位。電流表202X1在開關SX1之端子處測得正常電流IN1 與外來電流IUW1之總和 I(N1 + UW1)。電流表202X1耦接至開關SX1之端子，而該端子耦接至接地電位。如本文中所使用之電流計的示例包括測量通過匯流排之電流量的電流感測器或電流測量裝置。
類似地，當開關SY1及SX6閉合時，正常電流IN2 從電壓源Vs通過路徑N2 流至接地電位。路徑N2 始於電壓源Vs處，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X6Y1處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。另外，由於位置X2Y3處的之加熱器有故障，因此當閉合開關SY1及SX6時，外來電流IUW2從電壓源Vs經由路徑UW2流至接地電位。路徑UW2始於電壓源Vs，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X2Y1處之加熱器、匯流排X2、位置X2Y3處之加熱器、Y3匯流排、位置X6Y3處之加熱器、匯流排X6、及開關SX6延伸至接地電位。電流表202X6在開關SX6之端子處測得正常電流IN2 與外來電流IUW2之總和I(N2 + UW2)。電流表202X6耦接至開關SX6的端子，且該端子耦接至接地電位。 如圖2A-1所示，不在具有故障加熱器(於位置X2Y3處)之同一匯流排上的任一加熱器(例如位置X1Y1及X6Y1處之加熱器)將透過故障加熱器而從電壓源Vs接收到外來電流。具有故障加熱器(於位置X2Y3處)之匯流排為匯流排X2或匯流排Y3。
本文所述之每一電流表係耦接至處理器106。該處理器106接收總和I(N1 + UW1)及I(N2 + UW2)之測量值，並確定總和I(N1 + UW1)是否相對於總和I(N2 + UW2)呈對稱。例如，處理器106從總和I(N2 + UW2)來確定總和I(N1 + UW1)是否落於預定範圍內。預定範圍內之電流測值的示例包括具有小於0.2安培或小於0.3安培差值之測值。從總和I(N2 + UW2)之測值確定總和I(N1 + UW1)之測值落於預定範圍內後，處理器106即確定該等測值相對於彼此對稱或位置X1Y1與X6Y1處之加熱器相對於彼此對稱。另一方面，響應於從總和I(N2 + UW2)之測值確定總和I(N1 + UW1)之測值不在預定範圍內或於預定範圍外，處理器106即確定該等測值不對稱，或者位置X1Y1與X6Y1處之加熱器相對於彼此不對稱。於預定範圍外或不在預定範圍內之電流測值的示例為差值大於預定極限之測值，例如大於1安培或大於0.5安培。
類似地，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY2及SX1閉合，同時斷開其餘開關SX2至SX6、SY1及SY3至SY6。當開關SY2及SX1閉合且其餘開關SX2至SX6、SY1及SY3至SY6斷開時，處理器106從電流表202X1接收電流的測值。又，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY2及SX6閉合，同時斷開其餘開關SX1至SX5、SY1、及SY3至SY6。當開關SY2及SX6閉合且其餘開關SX1至SX5、SY1、及SY3至SY6斷開時，處理器106從電流表202X6接收電流之測值。處理器106比較從電流表202X1與202X6接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X1Y2與X6Y2處之加熱器相對於彼此對稱。
此外，處理器106控制開關SY4及SX1閉合及其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流的測值。處理器106進一步控制開關SY4及SX6閉合及其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、及SX1至SX5斷開，以從電流表202X6獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X1與202X6接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X1Y4與X6Y4處之加熱器相對於彼此對稱。
另外，處理器106控制開關SY5及SX1閉合及其餘開關SY1至SY4、SY6、及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流的測值。處理器106控制開關SY5及SX6閉合及其餘開關SY1至SY4、SY6、及SX1至SX5斷開，以從電流表202X6獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X1與202X6接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X1Y5與X6Y5處之加熱器相對於彼此對稱。
再者，處理器106控制開關SY6及SX1閉合及其餘開關SY1至SY5及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流的測值。處理器106控制開關SY6及SX6閉合及其餘開關SY1至SY5及SX1至SX5斷開，以從電流表202X6獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X1與202X6接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X1Y6與X6Y6處之加熱器相對於彼此對稱。當控制加熱器陣列102的開關以使電流通過位置X1Y1及X6Y1、位置X1Y2及X6Y2、位置X1Y4及X6Y4、位置X1Y5及X6Y5和位置X1Y6及X6Y6時，處理器106確定位置X1Y1與X6Y1、位置X1Y2與X6Y2、位置X1Y4與X6Y4、位置X1Y5與X6Y5以及位置X1Y6與X6Y6之間的電流呈對稱。如圖2A-1所示，不在與故障加熱器(於位置X2Y3處)同一Y3匯流排上之加熱器陣列102的任一加熱器(例如位置X1Y1及X6Y1處之加熱器)將具有來自外來電流(自電壓源Vs流經位置X2Y3處之加熱器)之外來電流測值，但保持對稱。
應當注意，匯流排X1與X6相對於中心x軸CLX呈對稱，例如對稱地設置。例如，匯流排X1透過兩匯流排X2和X3與中心x軸CLX隔開，而匯流排X6透過相同數量的匯流排(X4及X5)與中心x軸CLX隔開。X匯流排X1至X6之每一者示為平行於中心x軸延伸。
圖2A-2是用以說明電流於X1匯流排之位置與X6匯流排之位置處呈對稱之實施例圖。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY3及SX1並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX2至SX6。在接收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY3及SX1，以閉合開關SY3及SX1，且不發送信號至開關SY1、SY2、SY4至SY6及SX2至SX6，以斷開開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX2至SX6。
當開關SY3及SX1閉合時，正常電流IN1 '從電壓源Vs通過路徑N1 '流至接地電位。路徑N1 '始於電壓源Vs處，並透過開關SY3、匯流排Y3、位置X1Y3處之加熱器、匯流排X1及開關SX1延伸至接地電位。電流表202X1在開關SX1之端子處測得正常電流IN1 '。當開關SY3及SX1閉合且開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX2至SX6斷開時，由於位置X2Y3處之加熱器故障，故外來電流不會通過匯流排X1。
類似地，處理器106發送控制信號至多工器108，以閉合開關SY3及SX6並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX1至SX5。在接收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY3及SX6，以閉合開關SY3及SX6，且不發送信號至開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX1至SX5，以斷開開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX1至SX5。
當開關SY3及SX6閉合時，正常電流IN2 '從電壓源Vs通過路徑N2 '流至接地電位。路徑N2 '始於電壓源Vs處，並透過開關SY3、匯流排Y3、位置X6Y3處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。電流表202X6在開關SX6之端子處測量正常電流IN2 '。當開關SY3及SX6閉合且開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX1至SX5斷開時，由於位置X2Y3處之加熱器故障，故外來電流不會通過匯流排X6。
處理器106接收並比較電流IN1 '與IN2 '之測值，並確定該等測值相對於彼此對稱，或位置X1Y3與X6Y3處之加熱器相對於彼此對稱。例如，處理器106從電流IN2 '測值確定電流IN1 '測值落於預定範圍內。如圖2A-2所示，與故障加熱器(於位置X2Y3處)在同一Y3匯流排上之任一加熱器(例如位置X1Y3處之加熱器及位置X6Y3處之加熱器)將不具有透過位置X2Y3處之加熱器之源自於電壓源Vs之外來電流，但保持對稱。參考圖2A-1及2A-2，處理器106確定沿X1及X6匯流排之加熱器所有位置之間的電流呈對稱。
再者，以處理器106確定X1及X6匯流排之全部位置或沿X1及X6匯流排之全部位置呈對稱之類似方式，而藉由處理器106確定X3及X4匯流排之全部位置或沿X3及X4匯流排之全部位置呈對稱。例如，處理器106確定位置X3Y1與X4Y1之間的電流呈對稱，位置X3Y2與X4Y2之間的電流呈對稱，位置X3Y3與X4Y3之間的電流呈對稱，位置X3Y4與X4Y4之間的電流呈對稱，位置X3Y5與X4Y5之間的電流呈對稱，位置X3Y6與X4Y6之間的電流呈對稱。
圖2B-1是加熱器陣列102的實施例圖，用以說明沿X2匯流排之所有位置處(除了沿X2匯流排之一位置外)及沿X5匯流排之所有位置處(除了沿X5匯流排之一位置外)之加熱器所計量之電流間的不對稱性。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY1及SX2並斷開其餘開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6。在接收到控制信號後，多工器108發送信號至開關SY1及SX2，以閉合開關SY1及SX2，且不發送信號至開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6，以斷開開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6。
當開關SY1及SX2閉合且其餘開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時，正常電流IN3 從電壓源Vs通過路徑N3 流至接地電位。路徑N3 始於電壓源Vs處，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X2Y1處之加熱器、匯流排X2及開關SX2延伸至接地電位。電流表202X2在開關SX2之端子處測量電流IN3 。電流表202X2耦接至開關SX2之端子，開關SX2耦接至接地電位。
類似地，當開關SY1及SX5閉合且其餘開關SY2至SY6、SX1至SX4、及SX6斷開時，正常電流IN4 從電壓源Vs通過路徑N4 流至接地電位。路徑N4 始於電壓源Vs處，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X5Y1處之加熱器、匯流排X5及開關SX5延伸至接地電位。另外，由於位置X2Y3處之加熱器有故障，因此當閉合開關SY1及SX5時，外來電流IUW4從電壓源Vs經由路徑UW4流至接地電位。路徑UW4始於電壓源Vs處，並透過開關SY1、匯流排Y1、位置X2Y1處之加熱器、匯流排X2、位置X2Y3處之加熱器、Y3匯流排、位置X5Y3處之加熱器、匯流排X5及開關SX5延伸至接地電位。電流表202X5在開關SX5之端子處測得正常電流IN4 與外來電流IUW4之總和I(N4 + UW4)。電流表202X5耦接至開關SX5之端子，而該端子耦接至接地電位。
應當注意，因加熱器陣列102之製造或設計，電流IN3 及IN4 幾乎相同。處理器106接收電流IN3 及I(N4 + UW4)之測值，並確定測值不對稱或位置X2Y1與X5Y1處之加熱器相對於彼此不對稱。例如，處理器106從電流I(N4 + UW4)之測值確定電流IN3 之測值超出預定範圍。
類似地，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY2及SX2於斷開開關SX1、SX3至SX6、SY1、及SY3至SY6時閉合。當開關SY2及SX2閉合且其餘開關SX1、SX3至SX6、SY1、及SY3至SY6斷開時，處理器106從電流表202X2接收電流的測值。又，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY2及SX5於斷開其餘開關SX1至SX4、SX6、SY1、及SY3至SY6時閉合。當開關SY2及SX5閉合且其餘開關SX1至SX4、SX6、SY1、及SY3至SY6斷開時，處理器106從電流表202X5接收電流之測值。處理器106比較從電流表202X2及202X5接收到的測值，以上述相同的方式確定電流之該等測值或位置X2Y2與X5Y2處之加熱器相對於彼此不對稱。
此外，處理器106控制開關SY4及SX2閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1、及SX3至SX6斷開，以從電流表202X2獲得電流之測值。處理器106進一步控制開關SY4及SX5閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1至SX4、及SX6斷開，以從電流表202X5獲得電流之測值。處理器106比較從電流表202X2與202X5接收到的測值，以上述相同的方式確定電流之該等測值或位置X2Y4與X5Y4處之加熱器相對於彼此不對稱。
此外，處理器106控制開關SY5及SX2閉合，且其餘開關SY1至SY4、SY6、SX1、及SX3至SX6斷開，以從電流表202X2獲得電流之測值。處理器106控制開關SY5及SX5閉合，且其餘開關SY1至SY4、SY6、SX1至SX4、及SX6斷開，以從電流表202X5獲得電流之測值。處理器106比較從電流表202X2及202X5接收到的測值，以上述相同的方式確定電流之該等測值或位置X2Y5與X5Y5處之加熱器相對於彼此不對稱。
再者，處理器106控制開關SY6及SX2閉合，且其餘開關SY1至SY5、SX1、及SX3至SX6斷開，以從電流表202X2獲得電流之測值。處理器106控制開關SY6及SX5閉合，且其餘開關SY1至SY5、SX1至SX4、及SX6斷開，以從電流表202X5獲得電流之測值。處理器106比較從電流表202X2及202X5接收到的測值，以上述相同的方式確定位置X2Y6與X5Y6處之測值或加熱器相對於彼此不對稱。以此方式，當控制加熱器陣列102之開關使得電流以連續方式通過位置X2Y1及X5Y1、位置X2Y2及X5Y2、位置X2Y4及X5Y4、位置X2Y5及X5Y5與位置X2Y6及X5Y6時，處理器106確定位置X2Y1與X5Y1、位置X2Y2與X5Y2、位置X2Y4與X5Y4、位置X2Y5與X5Y5及位置X2Y6與X5Y6之間的電流呈不對稱。
應當注意，匯流排X2與X5相對於中心x軸CLX呈對稱，例如對稱地設置及對稱地製造。例如，匯流排X2透過一匯流排X3與中心x軸CLX隔開，匯流排X5透過一匯流排X4與中心x軸CLX隔開。
圖2B-2是用以說明電流於位置X2Y3與X5Y3處呈對稱之實施例圖。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY3及SX2，並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6。收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY3及SX2，以閉合開關SY3及SX2，且不發送信號至開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6，以斷開開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6。
當開關SY3及SX2閉合時，正常電流IN3 '從電壓源Vs通過路徑N3 '流至接地電位。路徑N3 '始於電壓源Vs處，並透過開關SY3、匯流排Y3、位置X2Y3處之加熱器、匯流排X2及開關SX2延伸至接地電位。電流表202X2在開關SX2之端子處測得正常電流IN3 '。
類似地，處理器106發送控制信號至多工器108，以閉合開關SY3及SX5，並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1至SX4、及SX6。收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY3及SX5，以閉合開關SY3及SX5，且不發送信號至開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1至SX4、及SX6，以斷開開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1至SX4、及SX6。
當開關SY3及SX5閉合時，正常電流IN4 '從電壓源Vs通過路徑N4 '流至接地電位。路徑N4 '始於電壓源Vs處，並透過開關SY3、匯流排Y3、位置X5Y3處之加熱器、匯流排X5及開關SX5延伸至接地電位。電流表202X5在開關SX5之端子處測得正常電流IN4 '。
處理器106接收電流IN3 '及IN4 '之測值，並確定電流IN3 '之測值相對於電流IN4 '之測值呈對稱，或位置X2Y3與X5Y3處之加熱器相對於彼此對稱。例如，處理器106從電流IN4 '測值確定電流IN3 '測值落於預定範圍內。
如圖2B-2所示，處理器106確定電流於位置X2Y3與X5Y3之間呈對稱。又，如圖2B-1所示，處理器106確定沿X2及X5匯流排之加熱器位置中的至少一者之間的電流呈不對稱，以從加熱器陣列102之所有匯流排X2至X6中辨識出X2及X5匯流排。電流沿X2及X5匯流排呈不對稱之位置包括位置X2Y1與X5Y1、X2Y2與X5Y2、X2Y4與X5Y4、X2Y5與X5Y5及X2Y6與X5Y6。從位置X2Y3與X5Y3接收的電流呈對稱。
圖3A-1是加熱器陣列102的實施例圖，用以說明在Y1匯流排之位置處與Y6匯流排之位置處的加熱器所計量到的電流之間的對稱性。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY1及SX6，並斷開其餘開關SY2至SY6及SX1至SX5。收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY1及SX6，以閉合開關SY1及SX6，且不發送信號至開關SY2至SY6及SX1至SX5，以斷開開關SY2至SY6及SX1至SX5。
當開關SY1及SX6閉合時，正常電流IN5 自電壓源Vs通過路徑N5 流至接地電位。路徑N5 始於電壓源Vs處，並經由開關SY1、匯流排Y1、位置X6Y1處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。此外，由於位置X2Y3處之加熱器有故障，因此當開關SY1及SX6閉合時，外來電流IUW5自電壓源Vs經由路徑UW5 流至接地電位。路徑UW5始自電壓源Vs，並通過開關SY1、匯流排Y1、位置X1Y1處之加熱器、匯流排X2、位置X2Y3處之加熱器、Y3匯流排、位置X6Y3處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。電流表202X6在開關SX6之端子處測得正常電流IN5 與外來電流IUW5之總和I(N5 + UW5)。電流表202X6耦接至開關SX6之端子，且該端子耦接至接地電位。
類似地，當開關SY6及SX6閉合時，正常電流IN6 自電壓源Vs通過路徑N6 流至接地電位。路徑N6 始自電壓源Vs，並經由開關SY6、匯流排Y6、位置X6Y6處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。另外，由於位置X2Y3處之加熱器有故障，因此當開關SY6及SX6閉合時，外來電流IUW6自電壓源Vs經由路徑UW6流至接地電位。路徑UW6始自電壓源Vs，並通過開關SY6、匯流排Y6、位置X1Y6處之加熱器、匯流排X2、位置X2Y3處之加熱器、Y3匯流排、位置X6Y3處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。電流表202X6於開關SX6之端子處測得正常電流IN6 與外來電流IUW6之總和I(N6 + UW6)。
應當注意，因加熱器陣列102之製造，電流I(N5 )與I(N6 ) 幾乎相同，而電流I(UW5 )與I(UW6 )亦是如此。處理器106接收總和I(N5 + UW5)與I(N6 + UW6)之測值，並確定總和I(N6 + UW6)之測值相對於總和I(N5 + UW5)之測值呈對稱，以進一步確定位置X6Y1與X6Y6處之加熱器相對於彼此呈對稱。例如，處理器106從總和I(N6 + UW6)之測值確定總和I(N5 + UW5)之測值落於預設範圍內。
類似地，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY1及SX5於斷開其餘開關SX1至SX4、SX6、及SY2至SY6時閉合。當開關SY1及SX5閉合且其餘開關SX1至SX4、SX6、及SY2至SY6斷開時，處理器106從電流表202X5接收電流的測值。又，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY6及SX5於斷開其餘開關SX1至SX4、SX6、及SY1至SY5時閉合。當開關SY6及SX5閉合且其餘開關SX1至SX4、SX6、及SY1至SY5斷開時，處理器106從電流表202X5接收電流的測值。處理器106比較從電流表202X5接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X5Y1與X5Y6處之加熱器相對於彼此對稱。
此外，處理器106控制開關SY1及SX4閉合，且其餘開關SY2至SY6、SX1至SX3、SX5及SX6斷開，以從電流表202X4獲得電流的測值。處理器106進一步控制開關SY6及SX4閉合，且其餘開關SY1至SY5、SX1至SX3、SX5及SX6斷開，以從電流表202X4獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X4接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X4Y1與X4Y6處之加熱器相對於彼此對稱。
此外，處理器106控制開關SY1及SX3閉合，且其餘開關SY2至SY6、SX1、SX2、及SX4至SX6斷開，以從電流表202X3獲得電流的測值。處理器106控制開關SY6及SX3閉合，且其餘開關SY1至SY5、SX1、SX2、及SX4至SX6斷開，以從電流表202X3獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X3接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X3Y1與X3Y6處之加熱器相對於彼此對稱。
再者，處理器106控制開關SY1及SX1閉合，且其餘開關SY2至SY6及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流的測值。處理器106控制開關SY6及SX1閉合，且其餘開關SY1至SY5及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X1接收到的測值，以上述相同方式確定該等測值或位置X1Y1與X1Y6處之加熱器相對於彼此對稱。當控制加熱器陣列102的開關使得電流通過位置X1Y1與X1Y6、位置X3Y1與X3Y6、位置X4Y1與X4Y6、位置X5Y1與X5Y6及位置X6Y1與X6Y6時，處理器106確定位置X1Y1與X1Y6、位置X3Y1與X3Y6、位置X4Y1與X4Y6、位置X5Y1與X5Y6及位置X6Y1與X6Y6之間的電流呈對稱。
應當注意，匯流排Y1與Y6相對於中心y軸CLY呈對稱，例如對稱地設置及對稱地製造。例如，匯流排Y1透過兩匯流排Y2及Y3與中心y軸CLY隔開，而匯流排Y6透過相同數量的兩匯流排(Y4和Y5) 與中心y軸CLY隔開。Y匯流排Y1至Y6示為平行於中心y軸延伸。
圖3A-2是用以說明位置X2Y1與X2Y6處之電流呈對稱的實施例圖。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY1及SX2，並斷開其餘開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6。接收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY1及SX2，以閉合開關SY1及SX2，且不發送信號至開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6，以斷開開關SY2至SY6、 SX1、及SX3至SX6。
當開關SY1及SX2閉合時，正常電流IN5 '從電壓源Vs通過路徑N5 '流至接地電位。路徑N5 '始於電壓源Vs處，並經由開關SY1、匯流排Y1、位置X2Y1處之加熱器、匯流排X2及開關SX2延伸至接地電位。電流表202X2在開關SX2之端子處測得正常電流IN5 '。當開關SY1及SX2閉合且開關SY2至SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時，外來電流因位置X2Y3處之加熱器故障而不會通過匯流排X2。
類似地，處理器106發送控制信號至多工器108，以閉合開關SY6及SX2，並斷開其餘開關SY1至SY5、SX1、及SX3至SX6。接收到控制信號之後，多工器108即發送信號至開關SY6及SX2，以閉合開關SY6及SX2，且不發送信號至開關SY1至SY5、SX1、及SX3至SX6，以斷開開關SY1至SY5、 SX1、及SX3至SX6。
當開關SY6及SX2閉合時，正常電流IN6 '從電壓源Vs通過路徑N6 '流至接地電位。路徑N6 '始自電壓源Vs處，並經由開關SY6、匯流排Y6、位置X2Y6處之加熱器、匯流排X2及開關SX2延伸至接地電位。電流表202X2於開關SX2之端子處測得正常電流IN6 '。當開關SY6及SX2閉合且開關SY1至SY5、SX1、及SX3至SX6斷開時，外來電流因位置X2Y3處之加熱器故障而不會通過匯流排X2。
應當注意，由於加熱器陣列102之製造，IN5 '與IN6 '幾乎相等或幾乎相同。處理器106接收電流IN5 '及IN6 '之測值，並確定電流於位置X2Y1與X2Y6之間呈對稱。例如，處理器106從電流IN6 '測值確定電流IN5 '測值落於預設範圍內。參考圖3A-1及3A-2，處理器106確定沿Y1及Y6軸之加熱器之所有位置之間的電流呈對稱。
再者，以處理器106確定沿Y1及Y6匯流排之所有位置呈對稱之類似方式，而藉由處理器106確定沿Y2及Y5匯流排之所有位置呈對稱。例如，處理器106確定位置X1Y2與X1Y5之間的電流呈對稱、位置X2Y2與X2Y5之間的電流呈對稱、位置X3Y2與X3Y5之間的電流呈對稱、位置X4Y2與X4Y5之間的電流呈對稱、位置X5Y2與X5Y5之間的電流呈對稱、以及位置X6Y2與X6Y5之間的電流呈對稱。
圖3B-1是加熱器陣列102的實施例圖，用以說明從Y3匯流排之所有位置處(沿Y3匯流排之一位置除外)及Y4匯流排之所有位置(沿Y4匯流排之一位置除外)處之加熱器所計量得之電流間的不對稱性。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY3及SX6，並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX1至SX5。接收到控制信號後，多工器108即發送信號至開關SY3及SX6，以閉合開關SY3及SX6，且不發送信號至其餘開關SY1、SY2、及SY4至SY6、及SX1至SX5，以斷開其餘開關SY1、SY2、及 SY4至SY6、及SX1至SX5。
當開關SY3及SX6閉合，且其餘開關SY1、SY2、及SY4至SY6、及SX1至SX5斷開時，正常電流IN7 從電壓源Vs通過路徑N7 流至接地電位。路徑N7 始於電壓源Vs處，並經由開關SY3、匯流排Y3、位置X6Y3處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。電流表202X6於開關SX6之端子處測得正常電流IN7 。應當注意，如電流表202X6所測，沒有不希望的電流流過開關SX6。
類似地，當開關SY4及SX6閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、及SX1至SX5斷開時，正常電流IN8 從電壓源Vs通過路徑N8 流至接地電位。路徑N8 始於電壓源Vs處，並經由開關SY4、匯流排Y4、位置X6Y4處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。另外，由於位置X2Y3處之加熱器有故障，因此當開關SY4及SX6閉合時，外來電流IUW8從電壓源Vs經由路徑UW8流至接地電位。路徑UW8始自電壓源Vs處，並通過開關SY4、匯流排Y4、位置X2Y4處之加熱器、匯流排X2、位置X2Y3處之加熱器、Y3匯流排、位置X6Y3處之加熱器、匯流排X6及開關SX6延伸至接地電位。電流表202X6於開關SX6之端子處測得正常電流IN8 與外來電流IUW8之總和I(N8 + UW8)。
應當注意，由於加熱器陣列102之製造，電流IN7 與IN8 幾乎相等。處理器106接收電流IN7 及I(N8 + UW8)之測值，並確定該等測值呈不對稱，或位置X6Y3與X6Y4處之加熱器相對於彼此呈不對稱。例如，處理器106從電流I(N8 + UW8 )之測值確定電流IN7 之測值未落於預設範圍內或是落於預設範圍外。
類似地，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY3及SX5於斷開其餘開關SX1至SX4、SX6、SY1、SY2、及SY4至SY6時閉合。當開關SY3及SX5閉合，且其餘開關SX1至SX4、SX6、SY1、SY2、及SY4至SY6斷開時，處理器106從電流表202X5接收電流之測值。又，處理器106控制多工器108，以進一步控制開關SY4及SX5於斷開其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1至SX4、及SX6時閉合。當開關SY4及SX5閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1至SX4、及SX6斷開時，處理器106從電流表202X5接收電流的測值。處理器106比較從電流表202X5接收到的測值，以上述相同方式確定電流的測值或位置X5Y3與X5Y4處之加熱器相對於彼此呈不對稱。
此外，處理器106控制開關SY3及SX4閉合，且其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1至SX3、SX5及SX6斷開，以從電流表202X4獲得電流的測值。處理器106進一步控制開關SY4及SX4閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1至SX3、SX5及SX6斷開，以從電流表202X4獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X4接收到的測值，以上述相同方式確定電流之測值或位置X4Y3與X4Y4處之加熱器相對於彼此呈不對稱。
另外，處理器106控制開關SY3及SX3閉合，且其餘開關SY1、SY2、及SY4至SY6、SX1、SX2、及SX4至SX6斷開，以從電流表202X3獲得電流之測值。處理器106控制開關SY4及SX3閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1、SX2、及SX4至SX6斷開，以從電流表202X3獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X3接收到的測值，以上述相同方式確定來自位置X3Y3與X3Y4處之加熱器的電流測值相對於彼此呈不對稱。
再者，處理器106控制開關SY3及SX1閉合，且其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流之測值。處理器106控制開關SY4及SX1閉合，且其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、及SX2至SX6斷開，以從電流表202X1獲得電流的測值。處理器106比較從電流表202X1接收到的測值，以上述相同方式確定測值或位置X1Y3與X1Y4處之加熱器相對於彼此呈不對稱。當控制加熱器陣列102的開關使得電流通過位置X6Y3與X6Y4、位置X5Y3與X5Y4、位置X4Y3與X4Y4、位置X3Y3與X3Y4、及位置X1Y3與X1Y4時，處理器106確定位置X6Y3與X6Y4、位置X5Y3與X5Y4、位置X4Y3與X4Y4、位置X3Y3與X3Y4、及位置X1Y3與X1Y4之間的電流呈不對稱。
應當注意，匯流排Y3與Y4相對於中心y軸CLY呈對稱，例如對稱地設置。例如，匯流排Y3是從中心y軸CLY開始的第一匯流排，匯流排Y4是從中心y軸CLY開始的第一匯流排。沒有匯流排將匯流排Y3與中心y軸CLY隔開，且沒有匯流排將匯流排Y4與中心y軸CLY隔開。
圖3B-2是用以說明電流於位置X2Y3及X2Y4處呈對稱之實施例圖。圖1之處理器106發送控制信號至多工器108(圖1)，以閉合開關SY3及SX2，並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6。當開關SY3及SX2閉合，且其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時，正常電流IN7 '從電壓源Vs通過路徑N7 '流至接地電位。路徑N7 '始於電壓源Vs處，並經由開關SY3、匯流排Y3、位置X2Y3處之加熱器、匯流排X2及開關SX2延伸至接地電位。電流表202X2於開關SX2之端子處測得正常電流IN7 '。
類似地，處理器106發送控制信號至多工器108，以閉合開關SY4及SX2，並斷開其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1、及SX3至SX6。在接收到控制信號之後，多工器108即發送信號至開關SY4及SX2，以閉合開關SY4及SX2，且不發送信號至其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1、及SX3至SX6，以斷開其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1、及SX3至SX6。
當開關SY4及SX2閉合時，正常電流IN8 '從電壓源Vs通過路徑N8 '流至接地電位。路徑N8 '始自電壓源Vs處，並經由開關SY4、匯流排Y4、位置X2Y4處之加熱器、匯流排X2及開關SX2延伸至接地電位。電流表202X2於開關SX2之端子處測得正常電流IN8 '。
應該注意，由於加熱器陣列102之製造，電流IN7 '與IN8 '幾乎相同或相等。處理器106接收電流IN7 '與IN8 '之測值，並確定該等測值呈對稱，或位置X2Y3與X2Y4處之加熱器相對於彼此呈對稱。例如，處理器106從電流IN8 '之測值確定電流IN7 '之測值於預設範圍內。處理器106確定沿Y3及Y4匯流排之加熱器的至少一位置之間的電流呈不對稱，以從加熱器陣列102之所有匯流排Y1至Y6中辨識出Y3及Y4匯流排。電流沿Y3及Y4匯流排呈不對稱之位置包括位置X1Y3與X1Y4、X3Y3與X3Y4、X4Y3與X4Y4、X5Y3與X5Y4、及X6Y3與X6Y4。從位置X2Y3與X2Y4接收的電流呈對稱。
在確定並非沿X2及X5匯流排之所有位置皆呈對稱，且並非沿Y3及Y4匯流排之所有位置皆呈對稱後，處理器106確定X2、X5、Y3及Y4為沿其有一或更多加熱器已故障之匯流排。例如，處理器106確定位置X2Y1與X5Y1(圖2B-1)之間的電流測值呈不對稱，且位置X6Y3與X6Y4(圖3B-1)之間的電流測值呈不對稱，因而確定並非沿X2及X5匯流排之所有位置皆呈對稱，且並非沿Y3及Y4匯流排之所有位置皆呈對稱。
在辨識出沿其有一或更多加熱器已故障之四個匯流排X2、X5、Y3及Y4之後，處理器106執行程序以確認加熱器陣列106中有單個故障。例如，處理器106執行程序以確認加熱器陣列102中僅有一個加熱器已故障或是故障的。
圖4A是用以確認加熱器陣列102內有單個故障之曲線圖402實施例。單個故障之確認係確認加熱器陣列102內沒有另一故障的加熱器，並於辨識出四個匯流排X2、X5、Y3及Y4之後執行。曲線圖402繪出沿加熱器陣列102之兩個X匯流排之兩位置間的Δ電流或電流差。該曲線圖包括圖404，其顯示位置X3Y1與X4Y1、X3Y2與X4Y2、X3Y3與X4Y3、X3Y4與X4Y4、X3Y5與X4Y5、及X3Y6與X4Y6(沿X3及X4匯流排設置)之間電流的測值差。為了說明，圖404具有示出位置X3Y1與X4Y1間之電流測值差的點404A，並具有示出位置X3Y2與X4Y2間之電流測值差的另一點404B。
再者，曲線圖402包括圖406，其顯示位置X1Y1與X6Y1、X1Y2與X6Y2、X1Y3與X6Y3、X1Y4與X6Y4、X1Y5與X6Y5、及X1Y6與X6Y6(沿X1及X6匯流排設置)之間的電流測值差。又，曲線圖402包括圖408，其顯示位置X2Y1與X5Y1、X2Y2與X5Y2、X2Y3與X5Y3、X2Y4與X5Y4、X2Y5與X5Y5、及X2Y6與X5Y6(沿X2和X5匯流排設置)之間的電流測值差。
圖1之處理器106確定沿X3及X4匯流排之所有位置與沿X3及X4匯流排之所有位置之間的電流測值呈對稱。例如，處理器106從X3Y1及X4Y1相互確定位置X3Y1與X4Y1之間的電流測值於預定範圍內，並從X3Y2及X4Y2相互確定位置X3Y2與X4Y2之間的電流測值於預定範圍內。此外，如參考圖2A-1及2A-2所示，處理器106確定沿X1及X6匯流排之所有位置之間的電流測值呈對稱。例如，處理器106從X1Y1及X6Y1相互確定位置X1Y1與X6Y1之間的電流測值於預定範圍內，並從X1Y2及X6Y2相互確定位置X1Y2與X6Y2之間的電流測值於預定範圍內。又，如參考圖2B-1及2B-2所示，處理器106確定沿X2及X5匯流排除了位置X2Y3與X5Y3之間的電流測值以外之所有位置之間的電流測值呈不對稱。處理器106確定位置X2Y3與X5Y3之間的電流測值呈對稱。位置X2Y3與X5Y3之間的對稱性係由圖408上之點408C表示。
圖4B是用以確認加熱器陣列102內有單個故障之曲線圖410實施例。曲線圖410繪出沿加熱器陣列102之兩個Y匯流排之兩位置間的Δ電流。該曲線圖包括圖412，其顯示位置X1Y2與X1Y5、X2Y2與X2Y5、X3Y2與X3Y5、X4Y2與X4Y5、X5Y2與X5Y5、及X6Y2與X6Y5(沿Y2及Y5匯流排設置)之間的電流測值差。為了說明，圖412具有示出位置X1Y2與X1Y5間之電流測值差的點412A，並具有示出位置X2Y2與X2Y5間之電流測值差的另一點412B。
再者，曲線圖410包括圖414，其顯示位置X1Y1與X1Y6、X2Y1與X2Y6、X3Y1與X3Y6、X4Y1與X4Y6、X5Y1與X5Y6、及X6Y1與X6Y6(沿Y1及Y6匯流排設置)之間的電流測值差。又，曲線圖410包括圖416，其顯示位置X1Y3與X1Y4、X2Y3與X2Y4、X3Y3與X3Y4、X4Y3與X4Y4、X5Y3與X5Y4、及X6Y3與X6Y4(沿Y3及Y4匯流排設置)之間的電流測值差。
圖1之處理器106確定沿Y2及Y5匯流排之所有位置與沿Y1及Y6匯流排之所有位置間的電流測值呈對稱。例如，處理器106從X1Y2及X1Y5相互確定位置X1Y2與X1Y5之間的電流測值於預設範圍內，並從X2Y2及X2Y5相互確定位置X2Y2與X2Y5之間的電流測值於預設範圍內。此外，如參考圖3A-1及3A-2所示，處理器106確定沿Y1及Y6匯流排之所有位置之間的電流測值呈對稱。例如，處理器106從X1Y1及X1Y6相互確定位置X1Y1與X1Y6之間的電流測值於預設範圍內，並從X2Y1及X2Y6相互確定位置X2Y1與X2Y6之間的電流測值於預設範圍內。又，如參考圖3B-1及3B-2所示，處理器106確定沿Y3及Y4匯流排除了位置X2Y3與X2Y4之間的電流測值以外之所有位置之間的電流測值呈不對稱。處理器106確定位置X2Y3與X2Y4之間的電流測值呈對稱。位置X2Y3與X2Y4之間的對稱性係由圖416上之點416C表示。
響應於確定沿X3匯流排之所有位置與沿X4匯流排之相應位置呈對稱，沿X1匯流排之所有位置與沿X6匯流排之相應位置呈對稱，沿X2匯流排之所有位置與沿X5匯流排之相應位置(除了沿X2匯流排之一位置及沿X5匯流排之一相應位置外)呈非對稱，沿Y2匯流排之所有位置與沿Y5匯流排之相應位置呈對稱的，沿Y1匯流排之所有位置與沿Y6匯流排之相應位置呈對稱，且沿Y3匯流排之所有位置與沿Y4匯流排之相應位置(除了沿Y3匯流排之一位置及沿Y4匯流排之一相應位置外)呈非對稱，處理器106確定並確認有單個故障存在於加熱器陣列102中。沿X2匯流排之位置與沿X5匯流排之對應位置的示例包括在同一Y匯流排上的位置。為了說明，沿X2匯流排之一位置與沿X5匯流排之對應位置包括位置X2Y1與X5Y1、X2Y2與X5Y2、X2Y3與X5Y3、X2Y4與X5Y4、X2Y5與X5Y5、或X2Y6與X5Y6。沿Y3匯流排之位置與沿Y4匯流排之對應位置的示例包括沿同一X匯流排的位置。為了說明，沿Y3匯流排之位置與沿Y4匯流排之對應位置包括位置X1Y3與X1Y4、X2Y3與X2Y4、X3Y3與X3Y4、X4Y3與X4Y4、X5Y3與X5Y4、或X6Y3與X6Y4。處理器106確認沿X2與X5以及Y3與Y4匯流排之單個位置處存有單個故障。如此一來，為了單個故障確認，如圖4A所示，處理器106確定，除了示於圖408上之x匯流排上僅有一個位置及另一對稱設置x匯流排之對應單個位置呈對稱之外，僅有曲線圖402之圖408上存在不對稱。又，為了單個故障確認，如圖4B所示，處理器106進一步確定，除了示於圖416上之x匯流排上僅有一個位置及另一對稱設置x匯流排之對應單個位置呈對稱之外，僅有曲線圖410之圖416上存在不對稱。
圖4C是用以說明加熱器陣列102內發生多於單個故障之曲線圖420實施例。例如，曲線圖420係用以確定加熱器陣列在多個位置有故障。曲線圖420繪出沿加熱器陣列102之兩個X匯流排之兩位置間的Δ電流。曲線圖420包括圖422，其顯示位置X3Y1與X4Y1、X3Y2與X4Y2、X3Y3與X4Y3、X3Y4與X4Y4、X3Y5與X4Y5、及X3Y6與X4Y6(沿X3及X4匯流排設置)之間的電流測值差。為了說明，圖422具有示出位置X3Y1與X4Y1間之電流測值差的點422A，並且具有示出位置X3Y2與X4Y2間之電流測值差的另一點422B。
再者，曲線圖420包括圖424，其顯示位置X1Y1與X6Y1、X1Y2與X6Y2、X1Y3與X6Y3、X1Y4與X6Y4、X1Y5與X6Y5、及X1Y6與X6Y6(沿X1及X6匯流排設置)之間的電流測值差。又，曲線圖420包括圖426，其顯示位置X2Y1與X5Y1、X2Y2與X5Y2、X2Y3與X5Y3、X2Y4與X5Y4、X2Y5與X5Y5、及X2Y6與X5Y6(沿X2及X5匯流排設置)之間的電流測值差。由於曲線圖420內有多於一個圖存在著不對稱，例如圖424及426，故圖1之處理器106確定加熱器陣列102內有多於一個故障。
圖4D是用以說明加熱器陣列102內有多於單個故障之若干故障之曲線圖430實施例。曲線圖430繪出沿加熱器陣列102之兩個Y匯流排之兩位置間的Δ電流。曲線圖430包括圖432，其顯示位置X1Y2與X1Y5、X2Y2與X2Y5、X3Y2與X3Y5、X4Y2與X4Y5、X5Y2與X5Y5、及X6Y2與X6Y5(沿Y2及Y5匯流排設置)之間的電流測值差。為了說明，圖432具有示出位置X1Y2與X1Y5間之電流測值差的點432A，並具有示出位置X2Y2與X2Y5間之電流測值差異的另一點432B。
再者，曲線圖430包括圖434，其顯示位置X1Y1與X1Y6、X2Y1與X2Y6、X3Y1與X3Y6、X4Y1與X4Y6、X5Y1與X5Y6、X6Y1與X6Y6(沿Y1及Y6匯流排設置)之間的電流測值差。又，曲線圖430包括圖436，其顯示位置X1Y3與X1Y4、X2Y3與X2Y4、X3Y3與X3Y4、X4Y3與X4Y4、X5Y3與X5Y4、及X6Y3與X6Y4(沿Y3及Y4匯流排設置)之間的電流測值差。由於曲線圖430中有多於一個圖存在著不對稱，例如圖434及436，故圖1之處理器106確定加熱器陣列102中有多於一個故障。
圖4E是用以說明加熱器陣列102內發生多於一個之若干故障之曲線圖440實施例。例如，曲線圖440係用以確定加熱器陣列102在多個位置具有故障。曲線圖440繪出沿著加熱器陣列102之兩個X匯流排之兩位置間的Δ電流。曲線圖440包括圖442，其顯示位置X3Y1與X4Y1、X3Y2與X4Y2、X3Y3與X4Y3、X3Y4與X4Y4、X3Y5與X4Y5、及X3Y6與X4Y6(沿X3及X4匯流排設置)之間的電流測值差。
再者，曲線圖440包括圖444，其顯示位置X1Y1與X6Y1、X1Y2與X6Y2、X1Y3與X6Y3、X1Y4與X6Y4、X1Y5與X6Y5、X1Y6與X6Y6之間(沿X1及X6匯流排設置)的電流測值差。又，曲線圖440包括圖446，其顯示位置X2Y1與X5Y1、X2Y2與X5Y2、X2Y3與X5Y3、X2Y4與X5Y4、X2Y5與X5Y5、及X2Y6與X5Y6(沿X2及X5匯流排設置)之間的電流測值差。由於僅有一個圖446中有兩位置間存在單個不對稱，故處理器106確定並非是圖446上除一個位置以外的所有位置都呈非對稱，以進一步確定有多於一個故障或加熱器陣列102中有多個加熱器已故障。
圖4F是用以說明加熱器陣列102內有多於單個故障之若干故障之曲線圖450實施例。曲線圖450繪出沿加熱器陣列102之兩個Y匯流排之兩位置間的Δ電流。曲線圖450包括圖452，其顯示位置X1Y2與X1Y5、X2Y2與X2Y5、X3Y2與X3Y5、X4Y2與X4Y5、X5Y2與X5Y5、及X6Y2與X6Y5(沿Y2及Y5匯流排設置)之間的電流測值差。
再者，曲線圖450包括圖454，其顯示位置X1Y1與X1Y6、X2Y1與X2Y6、X3Y1與X3Y6、X4Y1與X4Y6、X5Y1與X5Y6、及X6Y1與X6Y6(沿Y1及Y6匯流排設置)之間的電流測值差。又，曲線圖450包括圖456，其顯示位置X1Y3與X1Y4、X2Y3與X2Y4、X3Y3與X3Y4、X4Y3與X4Y4、X5Y3與X5Y4、及X6Y3與X6Y4(沿Y3及Y4匯流排設置)之間的電流測值差。
由於僅有一個圖456中存在單個不對稱，故處理器106確定並非是圖456上除一位置外之所有位置都呈非對稱，以進一步確定有多於一個故障或加熱器陣列102中有多個加熱器已故障。
圖5是用以說明確定加熱器陣列102內有單個故障位置之加熱器陣列102的實施例圖。單個故障位置之確定是由圖1之處理器106在確認加熱器陣列102內有單個故障之後作出。單個故障之確認如上參考圖4A-4F之說明。在圖4A中，離群圖(outlier plot)408係由處理器106辨識出，因此X2及X5匯流排被處理器106辨識為可疑處。又，在圖4B中，離群圖416係由處理器106辨識出，因此Y3及Y4匯流排被處理器106辨識為可疑處。參見圖2B-1，沿X2匯流排之位置並未接收到外來電流，此是由於位置X2Y3處的加熱器故障，而沿X5匯流排之位置則接收到外來電流。參見圖3B-1，在電流表202X6所測量之相關電流表測值中，沿Y3匯流排之位置因X2Y3位置處之加熱器故障而未接收到外來電流，而於電流表202X6所測量之相關電流表測值中，沿Y4匯流排之位置則接收到外來電流。電流表202X6所測得之外來電流的示例為IUW8。因此，匯流排X2與X5中具有較小電流者以及匯流排Y3與Y4中具有較小電流者被處理器106所懷疑。
應注意，如本文所述，當加熱器被主動定址時，加熱器的電流包括與加熱器相接之電流表對電流之測值。例如，當加熱器被主動定址時，通過位置X6Y4處之加熱器的電流是與加熱器相接之電流表202X6對電流之測值。位置X6Y4處之加熱器係被處理器106主動定址。處理器106控制多工器108以閉合開關SY4及SX6。當開關SY4及SX6閉合時，電流表202X6計量到電流I(N8 + UW8)，如參考圖3B-1所示。
處理器106比較故障確認期間所獲得之四個電流IA至ID，其對應於位置X2Y3、X2Y4、X5Y3及X5Y4。例如，處理器106應用第一程序以確定是否電流IA小於電流IC或電流IB小於電流ID。確定電流IA小於電流IC或電流IB小於電流ID後，處理器106即排除匯流排Y4為故障加熱器所在的匯流排。在此示例中，處理器106應用第二程序以確定是否電流IA小於電流IB或電流IC小於電流ID。確定電流IA小於電流IB或電流IC小於電流ID後，處理器106即排除匯流排X5為故障加熱器所在的匯流排。處理器106確定電流IA小於電流IC且小於電流IB，以確定故障位置於X2Y3處。處理器106將故障加熱器的故障位置X2Y3儲存於圖1之記憶體裝置114中，以作為緩解數據(mitigation data)。
應該注意的是，在故障確認期間，電流IA是在處理器106控制圖1之多工器108以進一步控制開關SY3及開關SX2閉合並控制其餘開關SY1、 SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時測量。當開關SY3及SX2閉合且其餘開關SY1、 SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時，電流表202X2測量從電壓源VS經過開關SY3、匯流排Y3、位置X2Y3處之加熱器、匯流排X2及開關SX2流至接地電位之電流量IA。
類似地，在故障確認期間，電流IC是在處理器106控制多工器108以進一步控制開關SY4及開關SX2閉合並控制其餘開關SY1至SY3、SY5及SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時測量。當開關SY4及SX2閉合且其餘開關SY1至SY3、SY5及SY6、SX1、及SX3至SX6斷開時，電流表202X2測量從電壓源VS經過開關SY4、匯流排Y4、位置X2Y4處之加熱器、匯流排X2及開關SX2流至接地電位之電流量IC。
再者，在故障確認期間，電流IB是在處理器106控制多工器108以進一步控制開關SY3及開關SX5閉合並控制其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1至SX4、及SX6斷開時測量。當開關SY3及SX5閉合且其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1至SX4、及SX6斷開時，電流表202X5測量從電壓源VS經過開關SY3、匯流排Y3、位置X5Y3處之加熱器、匯流排X5及開關SX5流至接地電位之電流量IB。
又，在故障確認期間，電流ID是在處理器106控制多工器108以進一步控制開關SY4及開關SX5閉合並控制其餘開關SY1至SY3、SY5及SY6、SX1至SX4、及 SX6斷開時測量。當開關SY4及SX5閉合且其餘開關SY1至SY3、SY5及SY6、SX1至SX4、及 SX6斷開時，電流表202X5測量從電壓源VS通過開關SY4、匯流排Y4、位置X5Y4處之加熱器、匯流排X5及開關SX5流至接地電位之電流量ID。
圖6是用以說明調整加熱器陣列102內若干加熱器之操作工作週期以補償加熱器陣列102內故障加熱器位置X2Y3處之單個故障的加熱器陣列102實施例圖。位置X2Y3在圖6中用點表示。再者，在具有位置X2Y3之同一Y匯流排上或沿同一Y匯流排之位置示為X，並標記為組2。又，在具有位置X2Y3之同一X匯流排上或沿同一X匯流排的位置示為圓圈，並標記為組3。加熱器陣列之其餘位置(不在具有位置X2Y3之同一X匯流排或同一Y匯流排上，或沿同一X匯流排或同一Y匯流排)示為三角形，並標記為組1。
在確定加熱器陣列102內之位置X2Y3處存有單個故障之後，處理器106存取(例如讀取)來自圖1之記憶體裝置114的緩解數據，以辨識加熱器陣列102中故障加熱器的位置X2Y3，並控制加熱器陣列102之若干加熱器的操作工作週期，以達到電漿腔室內之溫度值Temp1，用以處理電漿腔室內之基板。例如，在確定位置X2Y3處存有單個故障之後，處理器106維持組1加熱器(不在位置X2Y3之同一X匯流排或同一Y匯流排上)之工作週期，且不修改工作週期。組1加熱器(不在位置X2Y3之同一X匯流排或同一Y匯流排上)之工作週期在辨識出單個故障位置之前及之後為相同。再者，於此示例中，處理器106改變或調整組2加熱器(在位置X2Y3之同一Y匯流排上)之原始工作週期DCX，以輸出調整後工作週期DCXA。為了說明，處理器106以原始工作週期DCXa與外來功率值(從電壓源Vs提供至位置X3Y3)之乘積，來降低或減小位置X3Y3處之加熱器的原始工作週期DCXa，以對位置X3Y3處之加熱器輸出調整後工作週期DCXAa。外來功率值因位置X2Y3處之加熱器有單個故障而提供至位置X3Y3處之加熱器。外來功率值是由電壓源Vs供應的功率百分比。處理器106產生位置X3Y3處之加熱器原始工作週期DCXa與加熱器原始工作週期DCXa和外來功率值(提供至位置X3Y3)之乘積之間的差，以輸出調整後工作週期DCXAa。處理器106透過多工器108及開關SX3和SY3控制位置X3Y3處之加熱器，使得位置X3Y3處之加熱器以調整後工作週期DCXAa進行操作。
繼續該示例，處理器106改變或調整組3加熱器(在位置X2Y3之同一X匯流排上)之原始工作週期DCO，以輸出調整後工作週期DCOA。為了說明，處理器106以加熱器之原始工作週期DCOa與外來功率值(從電壓源Vs提供至位置X2Y4)之乘積，來降低位置X2Y4處加熱器之原始工作週期DCOa，以對位置X2Y4處之加熱器輸出調整後工作週期DCOAa。外來功率值因位置X2Y3處之加熱器有單個故障而提供至位置X2Y4處之加熱器。外來功率值是由電壓源Vs供應的功率百分比。處理器106產生位置X2Y4處之加熱器原始工作週期DCOa與加熱器原始工作週期DCOa和外來功率值(提供至位置X2Y4)之乘積之間的差，以輸出調整後工作週期DCOAa。處理器106透過多工器108及開關SX2和SY4控制位置X2Y4處之加熱器，使得位置X2Y4處之加熱器以調整後工作週期DCOAa進行操作。
再者，於該示例中，處理器106改變或調整位置X2Y3處故障加熱器之原始工作週期DC，以輸出加熱器之調整後工作週期DCA。為了說明，處理器106以加熱器之原始工作週期DC與外來功率值(從電壓源Vs提供至位置X2Y3)之乘積，來降低位置X2Y3處加熱器之原始工作週期DC，以對位置X2Y3處之加熱器輸出調整後工作週期DCA。外來功率值因位置X2Y3處之加熱器有單個故障而提供至位置X2Y3處之加熱器。位置X2Y3處之單個故障在加熱器陣列102內其餘位置處造成外來電流，且其餘位置處之一些外來電流洩漏回到位置X2Y3處之加熱器中。處理器106產生位置X2Y3處之加熱器原始工作週期DC與加熱器原始工作週期DC和外來功率值(提供至位置X2Y3)之乘積之間的差，以產生調整後工作週期DCA。處理器106透過多工器108及開關SX2和SY3控制位置X2Y3處之加熱器，使得位置X2Y3處之加熱器以調整後工作週期DCA進行操作。
處理器106將調整後工作週期DCA應用至位置X2Y3處之加熱器，將調整後工作週期DCXA應用至沿著或在具有位置X2Y3之Y匯流排上之位置處的加熱器，以及將調整後工作週期DCOA應用至沿著或在具有位置X2Y3之X匯流排上之位置處的加熱器，以補償位置X2Y3處加熱器的故障。例如，處理器106控制多工器108閉合開關SY3及SX2並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、SX1、及SX3至SX6達一時間量，以將來自電壓源Vs之功率應用至加熱器陣列102內位置X2Y3處之加熱器，以實現調整後工作週期DCA。作為另一示例，處理器106控制多工器108閉合開關SY3及SX1並斷開其餘開關SY1、SY2、SY4至SY6、及SX2至SX6達一定時間量，以將來自電壓源Vs的功率應用至位置X1Y3處之加熱器，以對位置X1Y3處加熱器實現調整後工作週期。又，作為另一示例，處理器106控制多工器108以閉合開關SY4及SX2並斷開其餘開關SY1至SY3、SY5、SY6、SX1、及SX3至SX6達一時間量，以將來自電壓源Vs之功率應用至位置X2Y4處之加熱器，以對X2Y4位置處加熱器實現調整後工作週期。應當注意，加熱器陣列102之加熱器工作週期的減小係透過減少功率供應之時間量，來減少從電壓源Vs供應至加熱器之功率。
處理器106維持位置X1Y1、X1Y2、X1Y4、X1Y5、X1Y6、X3Y1、 X3Y2、X3Y4、X3Y5、X3Y6、X4Y1、X4Y2、X4Y4、X4Y5、X4Y6、X5Y1、X5Y2、X5Y4、X5Y5、X5Y6、X6Y1、X6Y2、X6Y4、X6Y5及X6Y6處之其餘加熱器的工作週期，以與辨識出位置X2Y3處故障之前的相同。處理器106不調整或改變其餘加熱器的工作週期。使用點、圓圈及X標出之位置處的加熱器工作週期被調整(例如減小) ，以延長加熱器陣列102及電漿腔室(有加熱器陣列102嵌於其中)之一部件的壽命。該部件的示例包括基板支撐件、卡盤、噴淋頭及上電極組件。
應該注意的是，具有單個故障之加熱器陣列102之調整後工作週期的熱曲線與沒有單個故障之加熱器陣列102之原始工作週期的熱曲線相同。因此，晶圓處理配方在調整原始工作週期後並不會改變。
在一實施例中，處理器106將調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA儲存於非揮發性記憶體110內，其中存有工作週期DC、DCO及DCX。調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA係用以達成電漿腔室內的溫度值Temp1。上文參考圖1-6所述之方法係於處理電漿腔室內基板之前或期間執行，該方法用於辨識加熱器陣列102之具有故障加熱器位置的匯流排、確認加熱器陣列102中僅有一個故障、辨識故障的位置、並確定調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA。當在處理基板之前執行上文參考圖1-6所述之方法時，處理期間就不會有額外的計算需求。調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA係應用於處理期間，其無需於處理期間確定調整後工作週期。
圖7是用以說明在電容耦合式電漿(CCP)腔室702內使用加熱器陣列102之電漿系統700的實施例圖。電漿系統700包括電漿腔室702、射頻產生器(RFG)704、阻抗匹配電路(IMC)706、使用者介面系統112及多工器108。本文所使用之阻抗匹配電路有時稱為阻抗匹配網路或阻抗匹配。阻抗匹配電路706之輸入係透過RF電纜耦接至RF產生器704，且阻抗匹配電路706之輸出係透過RF傳輸線耦接至電漿腔室702之下電極712。
如本文所述之的阻抗匹配電路為一或更多構件之網路，例如一或更多電阻器、一或更多電容器、一或更多電感器或其組合，其使耦接至阻抗匹配電路之輸出的負載阻抗與耦接至阻抗匹配電路之一或更多輸入的源阻抗匹配。耦接至阻抗匹配電路706之輸出的負載示例包括電漿腔室702及RF傳輸線。再者，耦接至阻抗匹配電路706之輸入的源示例包括RF電纜及RF產生器704。
電漿腔室702包括上電極708及基板支撐件710，例如卡盤。基板支撐件710包括加熱器陣列102及下電極712。在基板支撐件710的頂表面上放置例如半導體晶圓的基板S，以處理基板S。處理基板S之示例包括在基板S上沉積材料、蝕刻基板S、清潔基板S及濺射基板S。基板支撐件710面對上電極708。上電極708耦接至接地電位。下電極712及上電極708之每一者係由金屬製成，例如鋁或鋁的合金。下電極712位於加熱器陣列102上方。
使用者介面系統112透過傳輸電纜耦接至RF產生器704。使用者介面系統112的處理器106提供一或更多功率位準及/或一或更多頻率位準至RF產生器704。一或更多功率位準及一或更多頻率位準為儲存於使用者介面系統112之記憶體裝置114中的配方一部分。RF產生器704產生具有一或更多功率位準及/或一或更多頻率位準之RF信號，並透由RF電纜將RF信號供應至阻抗匹配電路706。該阻抗匹配電路706使耦接至阻抗匹配電路706之輸出的負載阻抗與耦接至阻抗匹配電路706之輸入的源阻抗匹配，以從透過RF電纜接收到的RF信號產生修改後RF信號。阻抗匹配電路706透過RF傳輸線將修改後RF信號提供至電漿腔室702之下電極712。
當除了供應修改後RF信號外還將該一或更多製程氣體供應至電漿腔室702時，電漿被觸發或保持於電漿腔室702內，以處理基板S。該一或更多製程氣體之示例包括含氧氣體、例如O2 。該一或更多製程氣體之其他示例包括含氟氣體，例如四氟甲烷(CF4 )、六氟化硫(SF6 )、六氟乙烷(C2 F6 )等。
在基板S處理之前或期間，使用者介面系統112之處理器106應用上文參考圖1-5所述的方法，以辨識基板支撐件710之加熱器陣列102內加熱器單個故障位置。一旦辨識出單個故障位置，處理器106即將原始工作週期DC、DCO及DCX調整為相應的調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA，以達成電漿腔室702內的溫度值Temp1。工作週期DC、DCO及DCX係於基板S的處理期間調整。
在一實施例中，取代於嵌在基板支撐件710內，加熱器陣列102被嵌於包括上電極708之上電極組件內，且下電極712耦接至接地電位。
在一實施例中，取代於嵌在基板支撐件710內，加熱器陣列102被嵌於包括上電極708之上電極組件內，且下電極712耦接至一或更多RF產生器。
在一實施例中，取代於耦接至接地電位，上電極708耦接至一或更多RF產生器。
圖8是用以說明在電漿腔室804之噴淋頭802中使用加熱器陣列102之系統800的實施例圖。該系統800包括電壓源Vs、多工器108、使用者介面系統112、射頻產生器704、阻抗匹配電路706及電漿腔室804。
阻抗匹配電路706之輸出透過RF傳輸線耦接至噴淋頭802內的上電極708。電漿腔室804包括面對噴淋頭802之基板支撐件806，以在噴淋頭802與基板支撐件806之間形成處理間隙。在基板支撐件806內，嵌入下電極712。再者，加熱器陣列102被嵌於噴淋頭802內。加熱器陣列102位於上電極708上方。下電極712耦接至接地電位。基板S係放置於基板支撐件806上，用於基板S的處理。
自RF產生器704接收到RF信號後，阻抗匹配電路706修改接收到的RF信號，以使耦接至阻抗匹配電路706之輸出的負載阻抗與耦接至阻抗匹配電路706之輸入的源阻抗匹配，以輸出修改後RF信號。耦接至阻抗匹配電路706之輸出的負載示例包括電漿腔室804以及將阻抗匹配電路706耦接至噴淋頭802之RF傳輸線。
噴淋頭802包括多個孔，其用以將該一或更多製程氣體或一或更多液態金屬轉移至噴淋頭802與基板支撐件806之間的處理間隙。當除了將修改後RF信號從阻抗匹配電路706供應至上電極708之外還將該一或更多製程氣體或一或更多液態金屬供應至噴淋頭802與基板支撐件806之間的間隙時，電漿被觸發或保持於處理間隙內，以處理基板S。例如，噴淋頭802係用以在基板S上執行電漿增強原子層沉積(PEALD)或電漿增強化學氣相沉積(PECVD)。
在基板S處理之前或期間，使用者介面系統112之處理器106應用上文參考圖1-5所述之方法，以辨識嵌於噴淋頭802內之加熱器陣列102中的加熱器單個故障位置。一旦辨識出單個故障位置，處理器106即將原始工作週期DC、DCO及DCX調整為相應的調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA，以達成電漿腔室804內的溫度值Temp1。
在一實施例中，取代下電極712之耦接至接地電位，由上電極708耦接至接地電位，且下電極712透過RF傳輸線(未示出)、阻抗匹配電路(未示出)及RF電纜(未示出)耦接至RF產生器704。
在一實施例中，上電極708耦接至RF產生器704，且下電極712透過阻抗匹配電路(未示出)耦接至另一RF產生器(未示出)。
圖9是用以說明在感應耦合式電漿(ICP)腔室902內使用加熱器陣列102之系統900的實施例圖。該系統900包括使用者介面系統112、多工器108、RF產生器704、阻抗匹配電路706、RF線圈904及電漿腔室902。該電漿腔室902包括介電窗906。該RF線圈904位於該介電窗906上方。
阻抗匹配電路706之輸出透過RF傳輸線耦接至RF線圈904。電漿腔室902包括其內嵌有下電極712之基板支撐件710。加熱器陣列102位於基板支撐件710內。下電極712耦接至接地電位。加熱器陣列102位於下電極712下方。基板S覆蓋在基板支撐件710上以進行處理。
從RF產生器704接收到RF信號後，阻抗匹配電路706使耦接至阻抗匹配電路706之輸出的負載阻抗與耦接至阻抗匹配電路706之輸入的源阻抗匹配，以在阻抗匹配電路之輸出處輸出修改後RF信號。耦接至阻抗匹配電路之輸出的負載示例包括耦接至阻抗匹配電路706之輸出和及RF線圈904的RF傳輸線。RF線圈904透過RF傳輸線從阻抗匹配電路706之輸出接收修改後RF信號。當該一或更多製程氣體供應至電漿腔室902，且提供至RF線圈904之修改後RF信號的RF功率與電漿腔室902感應耦合時，電漿被觸發或保持於電漿腔室902內，以處理基板S。
在基板S處理之前或期間，使用者介面系統112之處理器106應用上文參考圖1-5所述之方法，以辨識嵌於基板支撐件710內之加熱器陣列102內的加熱器單個故障位置。一旦辨識出單個故障位置，處理器106即將原始工作週期DC、DCO及DCX調整為相應的調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA，以達成電漿腔室902內的溫度值Temp1。
在一些實施例中，代替RF線圈904，多個RF線圈位於介電窗906上方。在諸多實施例中，代替RF線圈904或除了RF線圈904外，有一或更多RF線圈位於鄰近電漿腔室902之側壁處。在數個實施例中，法拉第屏蔽係置於介電窗906下方並與介電窗906相鄰，以清潔介電窗906，使介電窗906免去沉積在介電窗906上的材料。
在諸多實施例中，下電極712係透過阻抗匹配電路耦接至另一RF產生器(未示出)，以代替耦接至接地電位。
圖10A是系統1000的實施例圖，用以說明當確認圖1之加熱器陣列102中有單個故障時，或當處理器106(圖1)辨識出加熱器陣列102中之加熱器單個故障位置時而在顯示裝置116上顯示通知1002。系統1000包括顯示裝置116、中央處理單元(CPU)1004及滑鼠1006。CPU 1004具有包圍處理器106之殼體。滑鼠1006是使用者用以提供指令至處理器106之輸入裝置的示例。
在確認加熱器陣列102內之單個故障後，處理器106控制顯示裝置116，以顯示通知1002。該通知1002向使用者指示，加熱器陣列102(其為加熱器系統之示例)中有故障。再者，通知1002向使用者指示，使用者應訂購有加熱器陣列102設於其中之另一卡盤。
在一實施例中，當處理器106辨識出加熱器陣列內之單個位置，例如位置X2Y3時，處理器106控制顯示裝置116以顯示通知1002。
圖10B是顯示裝置116的實施例圖，用以說明當確認圖1之加熱器陣列102中有單個故障時，或當處理器106(圖1)辨識出加熱器陣列102中之加熱器單個故障位置時而在顯示裝置116上顯示另一通知1010。該通知1010向使用者指示，加熱器陣列102中有故障，並指示無需因該故障而停止基板S之處理。該通知1010更指示用戶應訂購另一卡盤。
在一實施例中，於處理器106調整工作週期DC、DCO及DCX之前、期間或之後，在顯示裝置116上顯示通知，如圖10A之通知1002或通知1010。
在一實施例中，取代顯示的通知，處理器106控制音頻裝置，以輸出聲音，其指示加熱器陣列102中有故障並指示使用者應訂購有加熱器陣列102嵌於其中之基板支撐件或噴淋頭的替換部件。
向使用者提供通知節省了基板的處理時間。當使用者收到替換部件時，處理器106繼續控制電漿系統，例如圖7之系統700、圖8之系統800或圖9之系統900，以處理基板S及其他基板。由於在使用者收到替換部件時處理器102是應用調整後工作週期DCA、DCOA及DCXA，因此沒有因加熱器陣列102內之位置X2Y3處有單個故障而於處理基板S及其他基板出現停機時間或只有最少的停機時間。
應當注意，位置X2Y3是用於示例性目的。在一實施例中，取代位置X2Y3處之加熱器，可在加熱器陣列102內之另一位置處的另一加熱器有故障。
可用諸多電腦系統配置來實施本文所述之實施例，包括：手持式硬體單元、微處理器系統、基於微處理器或可編程之消費性電子產品、小型電腦、主機電腦及類似者。亦可在分散式計算環境中實施本文所述之實施例，其中藉由透過電腦網路所連結之遠端處理硬體單元來執行工作。
在某些實施例中，本文所述之控制器為系統之一部分，其可為上述示例之一部分。此等系統可包括半導體處理設備，而半導體處理設備包含一處理工具或複數工具、一腔室或複數腔室、一處理平台或複數平台、及/或特定處理構件(晶圓座、氣流系統等)。此等系統可與電子設備結合，以控制半導體晶圓或基板處理前、處理期間及處理後之操作。該等電子設備可指「控制器」，且可控制該系統或複數系統之諸多構件或次部件。決定於處理需求及/或系統類型之控制器可程式化，以控制本文所揭示之任何製程，包括處理氣體之傳送、溫度設定(如加熱及/或冷卻)、壓力設定、真空設定、功率設定、射頻(RF)產生器設定、射頻匹配電路設定、頻率設定、流速設定、流體傳送設定、位置及操作設定、晶圓轉移（進出與特定系統相連接或相接合之工具及其他轉移工具、及/或裝載室）。
廣泛地講，於各種實施例中，控制器可定義為具有用以接收指令、發佈指令、控制操作、啟動清洗操作、啟動終點量測以及類似者之諸多積體電路、邏輯、記憶體、及/或軟體的電子設備。積體電路可包含：儲存程式指令之韌體形式的晶片、數位訊號處理器(DSP，digital signal processor)、定義為特殊應用積體電路(ASIC，application specific integrated circuit)的晶片、及/或一或更多微處理器、或執行程式指令(例如，軟體)的微控制器。程式指令可為以諸多各別設定(或程式檔案)之形式而傳送至控制器的指令，該各別設定(或程式檔案)為實行(半導體晶圓上，或針對半導體晶圓，或對系統之)特定的製程而定義參數、因子、變數等。在一些實施例中，程式指令可為由製程工程師為了在一或更多以下者的製造期間實現一或更多處理步驟而定義之配方的一部分：層、材料、金屬、氧化物、矽、二氧化矽、表面、電路、及/或晶圓的晶粒。
在一些實施例中，控制器可為電腦的一部分，或耦接至電腦，該電腦係與系統整合、耦接至系統、以其他網路的方式接至系統、或其組合。舉例而言，控制器可在能容許遠程存取晶圓處理之「雲端」或廠房主機電腦系統的全部、或部分中。電腦可使系統能夠遠程存取，以監控製造操作的目前進度、檢查過去製造操作的歷史、自複數的製造操作而檢查其趨勢或效能度量，以改變目前處理的參數、設定目前處理之後的處理步驟、或開始新的製程。
在一些實施例中，遠程電腦(例如，伺服器)可通過網路而提供製程配方至系統，該網路可包含局域網路或網際網路。遠程電腦可包含能夠進行參數及/或設定輸入或程式設計之使用者介面，接著該參數及/或設定可自遠程電腦傳送至系統。在一些示例中，控制器接收數據形式指令，該指令為即將於一或更多操作期間進行之每一處理步驟指定參數、因子、及/或變數。應當理解，參數、因子、及/或變數可特定針對待執行之製程類型、及控制器與之接合或加以控制之工具類型。因此，如上所述，控制器可為分散式，例如藉由包含以網路方式接在一起、且朝向共同目的(例如，本文所描述之製程及控制)運作之一或更多分離的控制器。用於此目的之分散式控制器的示例包括，腔室上與位於遠程的一或更多積體電路(例如，於平臺水平處、或作為遠程電腦的一部分)進行通訊的一或更多積體電路，兩者相結合以控制腔室上的製程。
不作限定用，於諸多實施例中，該等方法所應用的示例系統包括電漿蝕刻腔室或模組、沉積腔室或模組、旋轉清洗腔室或模組、金屬電鍍腔室或模組、清洗腔室或模組、斜角緣部蝕刻腔室或模組、物理氣相沉積(PVD)腔室或模組、化學氣相沉積(CVD)腔室或模組、原子層沉積(ALD)腔室或模組、原子層蝕刻(ALE)腔室或模組、離子植入腔室或模組、軌道腔室或模組、及半導體晶圓製作及/或製造中相關或使用之任何其他半導體處理系統。
更應注意，在一些實施例中，上述操作適用於數種類型的電漿腔室，例如，包括感應耦合式電漿(ICP)反應器之電漿腔室、變壓耦合式電漿腔室、導體工具、介電工具、包括電子迴旋共振(ECR)反應器之電漿腔室等。例如，一或更多RF產生器耦合至ICP反應器內的電感器。電感器的形狀示例包括螺線管、圓頂形線圈、扁平形線圈等。
如上所述，取決於工具所欲進行的製程步驟或複數步驟，主機電腦可與下列的一或更多者通訊交流：其他工具電路或模組、其他工具構件、叢集工具、其他工具介面、相鄰工具、鄰近工具、位於工廠內的工具、主電腦、另一控制器、或半導體製造工廠中用以將晶圓容器載入與載出工具位置及/或裝載埠的材料運輸用設備工具。
考慮到上述實施例，應瞭解，一些實施例可進行涉及儲存在電腦系統中之數據的諸多電腦施行操作。此等操作為物理性地操控物理數量者。形成實施例之本文所述操作的任一者為有用的機械操作。
一些實施例亦關於用以執行此等操作之硬體單元或設備。可針對專門用途的電腦專門建構設備。當被定義為專門用途之電腦時，該電腦可進行非屬特別用途部分的其他處理、程式執行或子程式，且依舊能夠針對專門用途進行操作。
在一些實施例中，操作可由選擇性活化的電腦執行或者可由儲存在電腦記憶體、快取記憶體、或自電腦網路所獲得的一或更多電腦程式所配置。當數據係自電腦網路獲得時，該數據可由電腦網路上的其他電腦如雲端計算資源所處理。
亦可將一或更多實施例製作成非暫態電腦可讀媒體上的電腦可讀碼。非暫態電腦可讀媒體為可儲存數據且後續可被電腦系統讀取的任何數據儲存硬體單元如記憶體裝置等。非暫態電腦可讀媒體的示例包含硬碟、網路附加儲存(NAS)、ROM、RAM、光碟-ROM(CD-ROM)、可錄CD(CD-R)、可重覆寫入之CD(CD-RW)、磁帶及其他光學式及非光學式數據儲存硬體單元。在一些實施例中，非暫態電腦可讀媒體可包含分散於網路耦合電腦系統的電腦可讀實質媒體，因此電腦可讀碼係以分散方式儲存及執行。
雖然上述某些方法操作係以特定順序說明，但應瞭解，在諸多實施例中，在操作之間進行其他閒雜步驟，或是調整該等方法操作，使其於略不同的時間發生，或者將其分配至允許方法操作以諸多間隔進行的系統中，或者以不同於上述之順序來執行。
更應注意，在一實施例中，將來自任何上述實施例之一或更多特徵與任何其他實施例的一或更多特徵結合，而不脫離本發明所述之諸多實施例中描述的範圍。
雖然前述實施例已為了透徹理解之目的而描述一些細節，但顯然地，仍可實施落於隨附申請專利範圍之範疇內的某些變化或變更修飾。據此，本實施例應被視為說明性而非限制性，且實施例並非侷限於本文所提出之細節。
1000:系統 1002:通知 1004:中央處理單元 1006:滑鼠 1010:通知 100:系統 102:加熱器陣列 104:功率傳輸電路 106:處理器 108:多工器 110:非揮發性記憶體 112:使用者介面系統 114:記憶體裝置 116:顯示裝置 402:曲線圖 404:圖 404A:點 404B:點 406:圖 408:離群圖 408C:點 410:曲線圖 412:圖 412A:點 412B:點 414:圖 416:離群圖 416:點 420:曲線圖 422:圖 422A:點 422B:點 424:圖 426:圖 430:曲線圖 432:圖 432A:點 432B:點 434:圖 436:圖 440:曲線圖 442:圖 444:圖 446:圖 450:曲線圖 452:圖 454:圖 456:圖 700:電漿系統 702:電漿腔室 704:射頻產生器 706:阻抗匹配電路 708:上電極 710:基板支撐件 712:下電極 800:系統 802:噴淋頭 804:電漿腔室 806:基板支撐件 900:系統 902:感應耦合式電漿腔室 904:RF線圈 906:介電窗 202X1:電流表 202X2:電流表 202X3:電流表 202X4:電流表 202X5:電流表 202X6:電流表 S:基板 Vs:電壓源 IA:電流 IB:電流 IC:電流 SX1:開關 SX2:開關 SX3:開關 SX4:開關 SX5:開關 SX6:開關 SY1:開關 SY2:開關 SY3:開關 SY4:開關 SY5:開關 SY6:開關 IN1:電流 IN2:電流 IN3:電流 IN4:電流 IN5:電流 IN6:電流 IN7:電流 IN8:電流 IN1':電流 IN2':電流 IN3':電流 IN4':電流 IN5':電流 IN6':電流 IN7':電流 IN8':電流 IUW1:電流 IUW2:電流 IUW3:電流 IUW4:電流 IUW5:電流 IUW6:電流 IUW7:電流 IUW8:電流 N1:路徑 N2:路徑 N3:路徑 N4:路徑 N5:路徑 N6:路徑 N7:路徑 N8:路徑 N1':路徑 N2':路徑 N3':路徑 N4':路徑 N5':路徑 N6':路徑 N7':路徑 N8':路徑 UW1:路徑 UW2:路徑 UW3:路徑 UW4:路徑 UW5:路徑 UW6:路徑 UW7:路徑 UW8:路徑 X1:匯流排 X2:匯流排 X3:匯流排 X4:匯流排 X5:匯流排 X6:匯流排 Y1:匯流排 Y2:匯流排 Y3:匯流排 Y4:匯流排 Y5:匯流排 Y6:匯流排 LY1:線路 LY2:線路 LY3:線路 LY4:線路 LY5:線路 LY6:線路 LX1:線路 LX2:線路 LX3:線路 LX4:線路 LX5:線路 LX6:線路 CLX:中心x軸 CLY:中心y軸 DX1Y1:二極體 DX2Y1:二極體 DX3Y1:二極體 DX4Y1:二極體 DX5Y1:二極體 DX6Y1:二極體 DX1Y2:二極體 DX2Y2:二極體 DX3Y2:二極體 DX4Y2:二極體 DX5Y2:二極體 DX6Y2:二極體 DX1Y3:二極體 DX2Y3:二極體 DX3Y3:二極體 DX4Y3:二極體 DX5Y3:二極體 DX6Y3:二極體 DX1Y4:二極體 DX2Y4:二極體 DX3Y4:二極體 DX4Y4:二極體 DX5Y4:二極體 DX6Y4:二極體 DX1Y5:二極體 DX2Y5:二極體 DX3Y5:二極體 DX4Y5:二極體 DX5Y5:二極體 DX6Y5:二極體 DX1Y6:二極體 DX2Y6:二極體 DX3Y6:二極體 DX4Y6:二極體 DX5Y6:二極體 DX6Y6:二極體 RX1Y1:電阻器 RX2Y1:電阻器 RX3Y1:電阻器 RX4Y1:電阻器 RX5Y1:電阻器 RX6Y1:電阻器 RX1Y2:電阻器 RX2Y2:電阻器 RX3Y2:電阻器 RX4Y2:電阻器 RX5Y2:電阻器 RX6Y2:電阻器 RX1Y3:電阻器 RX2Y3:電阻器 RX3Y3:電阻器 RX4Y3:電阻器 RX5Y3:電阻器 RX6Y3:電阻器 RX1Y4:電阻器 RX2Y4:電阻器 RX3Y4:電阻器 RX4Y4:電阻器 RX5Y4:電阻器 RX6Y4:電阻器 RX1Y5:電阻器 RX2Y5:電阻器 RX3Y5:電阻器 RX4Y5:電阻器 RX5Y5:電阻器 RX6Y5:電阻器 RX1Y6:電阻器 RX2Y6:電阻器 RX3Y6:電阻器 RX4Y6:電阻器 RX5Y6:電阻器 RX6Y6:電阻器
透過參考以下敘述結合隨附圖式可更加理解實施例。
圖1是系統之實施例圖，以說明透過控制多個加熱器以即時控制電漿腔室內溫度。
圖2A-1是位置X2Y3處具有故障加熱器二極體之加熱器陣列的實施例圖，以說明電流之間的對稱性，該等電流是從位於或沿著X1匯流排之多個位置與X6匯流排之多個位置處的加熱器計量。
圖2A-2是位置X2Y3處具有故障加熱器二極體之加熱器陣列的實施例圖，以說明加熱器陣列之位置X1Y3與X6Y3處的電流呈對稱。
圖2B-1是位置X2Y3處具有故障加熱器二極體之加熱器陣列的實施例圖，以說明電流之間的不對稱性，該等電流是從X2匯流排之所有位置處(除了沿X2匯流排之一位置外)及X5匯流排之所有位置處(除了沿X5匯流排之一位置外)之加熱器計量。
圖2B-2是位置X2Y3處具有故障加熱器二極體之加熱器陣列的實施例圖，以說明加熱器陣列內之位置X2Y3與X5Y3處的電流呈對稱。
圖3A-1是加熱器陣列的實施例圖，以說明電流之間的對稱性，該等電流是從加熱器陣列之Y1匯流排之多個位置處與Y6匯流排之多個位置處的加熱器計量。
圖3A-2是實施例圖，以說明加熱器陣列之位置Y1X2與Y6X2處的電流呈對稱。
圖3B-1是加熱器陣列的實施例圖，以說明電流之間的不對稱性，該等電流是從加熱陣列之Y3匯流排之所有位置處(沿Y3匯流排之一位置除外)及Y4匯流排之所有位置(沿Y4匯流排之一位置除外)處之加熱器計量。
圖3B-2是實施例圖，以說明加熱器陣列之位置X2Y3與X2Y4處的電流呈對稱。
圖4A是曲線圖之實施例，以確認加熱器陣列內有單個故障。
圖4B是曲線圖之實施例，以確認加熱器陣列內有單個故障。
圖4C是曲線圖之實施例，以說明加熱器陣列內有多於單個故障之故障數。
圖4D是曲線圖之實施例，以說明加熱器陣列內有多於單個故障之故障數。
圖4E是曲線圖之實施例，以說明加熱器陣列內有多於單個故障之故障數。
圖4F是曲線圖之實施例，以說明加熱器陣列內有多於單個故障之故障數。
圖5是加熱器陣列之實施例圖，以說明確定加熱器陣列內之故障位置。
圖6是加熱器陣列之實施例圖，以說明調整加熱器陣列內若干加熱器之操作工作週期以補償加熱器陣列內故障加熱器位置X2Y3處之單個故障。
圖7是電容耦合式電漿(CCP)系統的實施例圖，以說明在CCP系統內使用加熱器陣列。
圖8是電漿增強原子層沉積(PEALD)工具或電漿增強化學氣相沉積(PECVD)工具的實施例圖，以說明在PEALD或PECVD系統內使用加熱器陣列。
圖9是感應耦合式電漿(ICP)系統的實施例圖，以說明在ICP系統內使用加熱器陣列。
圖10A是系統之實施例圖，以說明當確認加熱器陣列中有單個故障時，或當處理器辨識出加熱器陣列中之加熱器故障位置時在顯示裝置上顯示通知。
圖10B是顯示裝置之實施例圖，以說明當確認加熱器陣列中有單個故障時，或當辨識出加熱器陣列中之加熱器故障位置時在顯示裝置上顯示另一通知。
410:曲線圖
412:圖
412A:點
412B:點
414:圖
416:圖
416C:點

Claims (16)

  1. 一種用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，包括： 存取辨識出該故障加熱器位置之緩解數據，其中該故障加熱器係位於一X匯流排及一Y匯流排上； 調整待施加至該故障加熱器之功率的工作週期，以輸出一調整後工作週期；以及 施加該調整後工作週期至該故障加熱器，其中該調整後工作週期降低施加至該故障加熱器之功率；以及 施加額外調整後工作週期至該X匯流排及該Y匯流排上之一組加熱器，且未調整施加至該加熱器陣列之其餘加熱器的其餘工作週期，其中該等額外調整後工作週期降低施加至該組加熱器之功率。
  2. 如請求項1所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，其中該X匯流排為該加熱器陣列之複數X匯流排之一者，且該Y匯流排為該加熱器陣列之複數Y匯流排之一者，該方法更包括： 接收自該加熱器陣列之該複數X匯流排輸出之複數電流測值； 接收自該加熱器陣列之該複數Y匯流排輸出之複數電流測值； 自該複數X匯流排接收到之該複數測值之其中兩者間的第一差值落於一預定範圍外而從該複數X匯流排辨識出兩個X匯流排，其中該兩個X匯流排相對於該加熱器陣列之中心X軸設置為對稱； 自該複數Y匯流排接收到之該複數測值之其中兩者間的第二差值係落於一預設範圍外而從該複數Y匯流排辨識出兩個Y匯流排，其中該兩個Y匯流排相對於該加熱器陣列之中心Y軸設置為對稱。
  3. 如請求項2所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，更包括確認該加熱器陣列內沒有另一故障加熱器之故障。
  4. 如請求項3所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，更包括： 接收自該兩個X匯流排及該兩個Y匯流排輸出之複數電流測值； 從該兩個X匯流排及該兩個Y匯流排所輸出之該複數電流測值辨識出該故障加熱器之該位置。
  5. 如請求項1所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，其中該緩解數據包括該故障加熱器之該位置，其中該故障加熱器之該位置係藉由該X匯流排及該Y匯流排辨識出。
  6. 如請求項1所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，其中調整該工作週期的該步驟包括降低該故障加熱器之操作的該工作週期。
  7. 如請求項1所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，其中施加該等額外調整後工作週期至該X匯流排及該Y匯流排上之該組加熱器的該步驟包括降低該X匯流排及該Y匯流排上之該組加熱器之複數工作週期。
  8. 如請求項1所述之用於調整功率以供應至具有故障加熱器之加熱器陣列的方法，其中在辨識出該故障加熱器之該位置之前與之後，施加至該加熱器陣列之該等其餘加熱器的該等其餘工作週期為相同。
  9. 一種系統，包括： 一加熱器陣列，具有複數X匯流排、複數Y匯流排、及分佈於一電漿腔室內之複數加熱器；以及 一功率傳輸電路，用於設定施加至每一該複數加熱器之功率的工作週期， 其中該功率傳輸電路係配置成用以調整該複數加熱器之一故障加熱器之該工作週期並調整提供至來自該複數加熱器之第一及第二組加熱器之功率的該等工作週期，其中該複數X匯流排包括與該故障加熱器相關之一X匯流排，其中該複數Y匯流排包括與該故障加熱器相關之一Y匯流排，其中該第一組加熱器位於與該故障加熱器相關之該X匯流排上，且該第二組加熱器位於與該故障加熱器相關之該Y匯流排上。
  10. 如請求項9所述之系統，其中該功率傳輸電路包括一處理器，其配置成： 接收自該加熱器陣列之該複數X匯流排輸出之複數電流測值； 接收自該加熱器陣列之該複數Y匯流排輸出之複數電流測值； 自該複數X匯流排接收到之該複數測值之其中兩者間的第一差值係落於一預定範圍外而從該複數X匯流排辨識出兩個X匯流排，其中該兩個X匯流排相對於該加熱器陣列之中心X軸設置為對稱； 自該複數Y匯流排接收到之該複數測值之其中兩者間的第二差值係落於一預設範圍外而從該複數Y匯流排辨識出兩個Y匯流排，其中該兩個Y匯流排相對於該加熱器陣列之中心Y軸設置為對稱。
  11. 如請求項10所述之系統，其中該處理器係配置成用以確認該加熱器陣列內沒有另一故障加熱器之故障。
  12. 如請求項11所述之系統，其中該處理器係配置成： 接收自該兩個X匯流排及該兩個Y匯流排輸出之複數電流測值； 從該兩個X匯流排及該兩個Y匯流排所輸出之該複數電流測值辨識出該故障加熱器之位置。
  13. 如請求項12所述之系統，其中該功率傳輸電路係配置成用以在辨識出該故障加熱器之該位置之前與之後，保持施加相同的其餘工作週期至該加熱器陣列之其餘加熱器。
  14. 如請求項9所述之系統，其中該功率傳輸電路包括一處理器，其中該處理器係配置成用以辨識該故障加熱器之位置，其中該故障加熱器之該位置係藉由與該故障加熱器相關之該X匯流排及與該故障加熱器相關之該Y匯流排辨識出。
  15. 如請求項9所述之系統，其中該功率傳輸電路係配置成用以降低該故障加熱器之操作的該工作週期，以調整該故障加熱器之該工作週期。
  16. 如請求項9所述之系統，其中該功率傳輸電路係配置成用以降低提供至第一及第二組加熱器之功率的該工作週期，以調整該第一及第二組加熱器之功率的該工作週期。
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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821770B (zh) * 2020-11-11 2023-11-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 加熱元件、基片承載元件及其等離子體處理裝置

Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN112437533A (zh) * 2020-12-07 2021-03-02 大连理工大学 一种提高等离子体均匀性的电源系统及方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4812180B2 (ja) 2001-03-15 2011-11-09 株式会社リコー 画像形成装置
US7327275B2 (en) * 2004-02-02 2008-02-05 Gecko Alliance Group Inc. Bathing system controller having abnormal operational condition identification capabilities
KR100659187B1 (ko) 2006-01-26 2006-12-20 길종진 안전기능 무자계 온도조절기
WO2008147903A1 (en) * 2007-05-22 2008-12-04 Marvell World Trade Ltd. Control of delivery of current through one or more discharge lamps
US8482546B2 (en) * 2010-06-30 2013-07-09 Cypress Semiconductor Corporation Self shielding capacitance sensing panel
US8791392B2 (en) 2010-10-22 2014-07-29 Lam Research Corporation Methods of fault detection for multiplexed heater array
CN102130666B (zh) * 2011-05-03 2014-04-16 四川和芯微电子股份有限公司 占空比调节电路及方法
US9306547B2 (en) * 2013-12-12 2016-04-05 International Business Machines Corporation Duty cycle adjustment with error resiliency
US9543171B2 (en) * 2014-06-17 2017-01-10 Lam Research Corporation Auto-correction of malfunctioning thermal control element in a temperature control plate of a semiconductor substrate support assembly that includes deactivating the malfunctioning thermal control element and modifying a power level of at least one functioning thermal control element
WO2016044469A1 (en) * 2014-09-16 2016-03-24 Schweitzer Engineering Laboratories, Inc. Fault detection in electric power delivery systems using underreach, directional, and traveling wave elements
JP6524435B2 (ja) 2014-12-24 2019-06-05 コニカミノルタ株式会社 画像形成装置
EP3418549B1 (en) 2017-06-21 2020-07-08 Phillips and Temro Industries Inc. Intake air heating system for a vehicle
US11972078B2 (en) * 2017-12-13 2024-04-30 Cypress Semiconductor Corporation Hover sensing with multi-phase self-capacitance method

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI821770B (zh) * 2020-11-11 2023-11-11 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 加熱元件、基片承載元件及其等離子體處理裝置

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