TW202030713A - 顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種顯示裝置包括第一基板、第一主動元件層、第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件、第一畫素定義層、第四發光元件、第五發光元件及第六發光元件。第一主動元件層位於第一基板上。第一、第二及第三發光元件與第一主動元件層電性連接。第一、第二及第三發光元件分別包括第一、第二及第三發光層。第一畫素定義層位於第一主動元件層上且具第一、第二及第三開口。第一、第二及第三發光層分別配置於第一、第二及第三開口。第四、第五及第六發光元件位於第一畫素定義層上。第一與第四發光元件之間的垂直距離大於0微米且小於等於5微米。

Description

顯示裝置
本發明是有關於一種顯示裝置，且特別是有關於一種畫素定義層上配置有發光元件的顯示裝置。
目前，擴增實境與虛擬實境主要以頭帶式顯示裝置（Head-mounted Display）來實現。為了增進使用者於擴增實境或虛擬實境中沈浸感，顯示裝置所顯示出來之畫面必須要足夠真實，且畫面不能有明顯的顆粒感。
在現有的顯示裝置中，由於製程技術的限制，發光元件之間的間距難以縮小，導致顯示裝置所顯示出來的畫面在近距離觀看時容易出現明顯的顆粒感。因此，目前亟需一種能解決前述問題的方法。
本發明提供一種顯示裝置，可以改善畫面出現顆粒感的問題。
本發明的至少一實施方式提供一種顯示裝置。顯示裝置包括第一基板、第一主動元件層、第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件、第一畫素定義層、第四發光元件、第五發光元件以及第六發光元件。第一主動元件層配置於第一基板上。第一、第二及第三發光元件與第一主動元件層電性連接。第一、第二及第三發光元件分別包括第一、第二及第三發光層。第一畫素定義層配置於第一主動元件層上，且具有第一、第二及第三開口。第一、第二及第三發光層分別配置於第一、第二及第三開口。第四、第五及第六發光元件配置於第一畫素定義層上。第四、第五及第六發光元件分別包括第四、第五及第六發光層。第二發光元件位於第四發光元件與第五發光元件之間，且第三發光元件位於第五發光元件與第六發光元件之間。第一發光元件與第四發光元件之間的垂直距離大於0微米且小於等於5微米。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施方式，並配合所附圖式作詳細說明如下。
在本文中，由「一數值至另一數值」表示的範圍，是一種避免在說明書中一一列舉該範圍中的所有數值的概要性表示方式。因此，某一特定數值範圍的記載，涵蓋該數值範圍內的任意數值以及由該數值範圍內的任意數值界定出的較小數值範圍，如同在說明書中明文寫出該任意數值和該較小數值範圍一樣。
本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」包括所述值和在本領域普通技術人員確定的特定值的可接受的偏差範圍內的平均值，考慮到所討論的測量和與測量相關的誤差的特定數量（即，測量系統的限制）。例如，「約」可以表示在所述值的一個或多個標準偏差內，或例如±30%、±20%、±15%、±10%、±5%內。再者，本文使用的「約」、「近似」、「本質上」、或「實質上」可依量測性質、切割性質或其它性質，來選擇較可接受的偏差範圍或標準偏差，而可不用一個標準偏差適用全部性質。
在附圖中，為了清楚起見，放大了層、膜、面板、區域等的厚度。在整個說明書中，相同的元件符號表示相同的元件。應當理解，當諸如層、膜、區域或基板的元件被稱為在另一元件「上」或「連接到」另一元件時，其可以直接在另一元件上或與另一元件連接，或者中間元件可以也存在。相反，當元件被稱為「直接在另一元件上」或「直接連接到」另一元件時，不存在中間元件。如本文所使用的，「連接」可以指物理及/或電性連接。再者，「電性連接」或「耦合」係可為二元件間存在其它元件。
除非另有定義，本文使用的所有術語（包括技術和科學術語）具有與任何所屬技術領域中具有通常知識者通常理解的相同的含義。將進一步理解的是，諸如在通常使用的字典中定義的那些術語應當被解釋為具有與它們在相關技術和本發明的上下文中的含義一致的含義，並且將不被解釋為理想化的或過度正式的意義，除非本文中明確地這樣定義。
圖1A是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。圖1B是依照本發明的一實施方式的一種頂電極的上視示意圖。
請參照圖1A，顯示裝置1包括第一基板100、第一主動元件層AL1、第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第一畫素定義層150、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6。在本實施方式中，顯示裝置1還包括第二基板200以及第二主動元件層AL2。舉例來說，顯示裝置1包括第一發光基板10以及第二發光基板20。第一發光基板10包括第一基板100、第一主動元件層AL1、第一畫素定義層150、第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3，第二發光基板20包括第二基板200、第二主動元件層AL2、第二畫素定義層250、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6。
第一基板100之材質例如為玻璃、石英、有機聚合物、或是不透光/反射材料（例如：導電材料、金屬、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料）或是其它可適用的材料。若使用導電材料或金屬時，則在第一基板100上覆蓋一層絕緣層（未繪示），以避免短路問題。
第一主動元件層AL1配置於第一基板100上。第一主動元件層AL1包括第一緩衝層110、第一絕緣層120、第二絕緣層130、第三絕緣層140、第一閘絕緣層GI1以及多個第一主動元件TFT1。
第一主動元件TFT1配置於第一基板100上。第一緩衝層110配置於主動元件TFT與第一基板100之間。第一主動元件TFT1包括通道層CH1、閘極G1、源極S1與汲極D1。閘極G1電性連接至掃描線（未繪出）。閘極G1重疊於通道層CH1，且閘極G1與通道層CH1之間夾有第一閘絕緣層GI1。第一絕緣層120覆蓋閘極G1。源極S1與汲極D1配置於第一絕緣層120上，且分別透過開口H1、H2而電性連接至通道層CH1。開口H1、H2至少貫穿第一絕緣層120，在本實施方式中，開口H1、H2貫穿第一閘絕緣層GI1與第一絕緣層120。源極S1電性連接至資料線（未繪出）。在一些實施方式中，閘極G1、源極S1與汲極D1的材質包括（但不限於）：金屬材料或其他導電材料，其中所述金屬材料例如包括鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅或上述材料之合金。
在本實施方式中，第一主動元件TFT1是以頂部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第一主動元件TFT1也可以是底部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。
第二絕緣層130覆蓋第一絕緣層120。另外，第二絕緣層130覆蓋第一主動元件TFT1。第三絕緣層140覆蓋第二絕緣層130。第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3配置於第一主動元件層AL1上。第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3與第一主動元件層AL1電性連接。第一發光元件L1與第一主動元件TFT1之間、第二發光元件L2與第一主動元件TFT1之間以及第三發光元件L3與第一主動元件TFT1之間的絕緣層的數量依據實際需求而可以調整。在本實施方式中，第一發光元件L1與第一主動元件TFT1之間、第二發光元件L2與第一主動元件TFT1之間以及第三發光元件L3與第一主動元件TFT1之間夾有第二絕緣層130與第三絕緣層140，且第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3分別透過開口C1、開口C2以及開口C3而電性連接對應的第一主動元件TFT1的汲極D1，開口C1、開口C2以及開口C3貫穿第二絕緣層130與第三絕緣層140。
第一發光元件L1包括依序堆疊的第一電極B1、第一發光層E1以及第二電極T1，也可以說第一電極B1、第一發光層E1以及第二電極T1三者重疊在一起的部分組成第一發光元件L1。第二發光元件L2包括依序堆疊的第一電極B2、第二發光層E2以及第二電極T2，也可以說第一電極B2、第二發光層E2以及第二電極T2三者重疊在一起的部分組成第二發光元件L2。第三發光元件L3包括依序堆疊的第一電極B3、第三發光層E3以及第二電極T3，也可以說第一電極B3、第三發光層E3以及第二電極T3三者重疊在一起的部分組成第三發光元件L3。第一發光層E1、第二發光層E2以及第三發光層E3顏色彼此不同。舉例來說，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3例如包括紅色發光元件、藍色發光元件、綠色發光元件、白色發光元件以及其他顏色發光元件中的三者。在一實施方式中，第一發光元件L1為紅色發光元件、第二發光元件L2為綠色發光元件以及第三發光元件L3為藍色發光元件。在本實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3為有機發光二極體，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3為無機發光二極體。
第一電極B1、第一電極B2以及第一電極B3配置於第一主動元件層AL1上。第一畫素定義層150配置於第一主動元件層AL1上，且具有第一開口O1、第二開口O2以及第三開口O3。第一開口O1、第二開口O2以及第三開口O3分別對應第一電極B1、第一電極B2以及第一電極B3設置。在一些實施方式中，第一畫素定義層150的材質包括光阻材料。
第一發光層E1、第二發光層E2以及第三發光層E3分別配置於第一開口O1、第二開口O2以及第三開口O3。
第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3分別配置於第一發光層E1、第二發光層E2以及第三發光層E3上。請同時參考圖1A與圖1B，第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3可彼此連接而形成一網狀頂電極T，其中頂電極T較寬的部分可以對應第一發光層E1、第二發光層E2以及第三發光層E3設置，亦即頂電極T較寬的部分可做為第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3。在其他實施方式中，第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3也可以彼此連接成位於第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3以及第一畫素定義層150上的整面結構。
在一些實施方式中，第一電極B1、第一電極B2以及第一電極B3可以具有較高的反射率，第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3則具有較高的穿透率，藉此，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3的光線利用率較高。第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3例如為上發光型發光元件，換句話說，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3所發出的光線大致上會自第二基板200離開顯示裝置1。在一些實施方式中，第一電極B1、第一電極B2以及第一電極B3的材質包括（但不限於）：金屬材料或其他導電材料，其中所述金屬材料例如包括鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅或上述材料之合金。在一些實施方式中，第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3的材質可為透明材料，包括（但不限於）：金屬氧化物材料或薄金屬材料，其中所述金屬氧化物材料例如包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物，所述薄金屬材料例如包括鋁、銀或鎂銀合金。
第二基板200相對於第一基板100設置。第一主動元件層AL1、第一畫素定義層150、第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第二主動元件層AL2、第二畫素定義層250、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6位於第一基板100與第二基板200之間。第二基板200例如為透明基板。第二基板200之材質例如為玻璃、石英、有機聚合物或是其它可適用的材料。
第二主動元件層AL2配置於第二基板200上。第二主動元件層AL2包括第二緩衝層210、第四絕緣層220、第五絕緣層230、第六絕緣層240、第二閘絕緣層GI2以及多個第二主動元件TFT2。
第二主動元件TFT2配置於第二基板200上。第二緩衝層210配置於第二主動元件TFT2與第二基板200之間。第二主動元件TFT2包括通道層CH2、閘極G2、源極S2與汲極D2。閘極G2電性連接至掃描線（未繪出）。閘極G2重疊於通道層CH2，且閘極G2與通道層CH2之間夾有第二閘絕緣層GI2。第四絕緣層220覆蓋閘極G2。源極S2與汲極D2配置於第四絕緣層220上，且分別透過開口H3、H4而電性連接至通道層CH2。開口H3、H4至少貫穿第四絕緣層220，在本實施方式中，開口H3、H4貫穿第二閘絕緣層GI2與第四絕緣層220。源極S2電性連接至資料線（未繪出）。在一些實施方式中，為了提升第二發光基板20的透光度，閘極G2、源極S2與汲極D2的材質可為透明材料，包括（但不限於）：金屬氧化物材料或薄金屬材料，其中所述金屬氧化物材料例如包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物，所述薄金屬材料例如包括鋁、銀或鎂銀合金。
在本實施方式中，第二主動元件TFT2是以頂部閘極型的薄膜電晶體為例，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第二主動元件TFT2也可以是底部閘極型或其他類型的薄膜電晶體。
第五絕緣層230覆蓋第四絕緣層220。第六絕緣層240覆蓋第五絕緣層230。第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6配置於第二主動元件層AL2上。第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6與第二主動元件層AL2電性連接。第四發光元件L4與第二主動元件TFT2之間、第五發光元件L5與第二主動元件TFT2之間以及第六發光元件L6與第二主動元件TFT2之間的絕緣層的數量依據實際需求而可以調整。在本實施方式中，第四發光元件L4與第二主動元件TFT2之間、第五發光元件L5與第二主動元件TFT2之間以及第六發光元件L6與第二主動元件TF2之間夾有第五絕緣層230與第六絕緣層240，且第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6分別透過開口C4、開口C5以及開口C6而電性連接對應的第二主動元件TFT2的汲極D2，開口C4、開口C5以及開口C6貫穿第四絕緣層230與第五絕緣層240。
第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6配置於第一畫素定義層150上。第四發光元件L4包括依序堆疊的第一電極B4、第四發光層E4以及第二電極T4，也可以說第一電極B4、第四發光層E4以及第二電極T4三者重疊在一起的部分組成第四發光元件L4。第五發光元件L4包括依序堆疊的第一電極B5、第五發光層E5以及第二電極T5，也可以說第一電極B5、第五發光層E5以及第二電極T5三者重疊在一起的部分組成第五發光元件L5。第六發光元件L6包括依序堆疊的第一電極B6、第六發光層E6以及第二電極T6，也可以說第一電極B6、第六發光層E6以及第二電極T6三者重疊在一起的部分組成第六發光元件L6。第四發光層E4、第五發光層E5以及第六發光層E6顏色彼此不同。換句話說，第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6例如包括紅色發光元件、藍色發光元件、綠色發光元件、白色發光元件以及其他顏色發光元件中的三者。在一實施方式中，第四發光元件L4為紅色發光元件、第五發光元件L5為綠色發光元件以及第六發光元件L6為藍色發光元件。在本實施方式中，第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6為有機發光二極體，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6為無機發光二極體。
在本實施方式中，第一發光層E1與第四發光層E4顏色相同，第二發光層E2與第五發光層E5顏色相同，且第三發光層E3與第六發光層E6顏色相同，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第二發光層E2、第四發光層E4以及第五發光層E5顏色彼此不同，且第三發光層E3、第五發光層E5以及第六發光層E6顏色彼此不同。
第一電極B4、第一電極B5以及第一電極B6配置於第二主動元件層AL2上。第二畫素定義層250配置於第二主動元件層AL2上，且具有第四開口O4、第五開口O5以及第六開口O6。第四開口O4、第五開口O5以及第六開口O6分別對應第一電極B4、第一電極B5以及第一電極B6配置。在一些實施方式中，第二畫素定義層250的材質包括光阻材料。
第四發光層E4、第五發光層E5以及第六發光層E6分別配置於第四開口O4、第五開口O5以及第六開口O6。
第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6分別配置於第四發光層E4、第五發光層E5以及第六發光層E6上。第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6可以彼此連接而形成一網狀頂電極（類似於圖1B的頂電極T），藉此第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6可彼此電性導通，並使得第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3所發出之光線可穿透過第二發光基板20，從而提高第二發光基板20的透光度。然而，所述網狀頂電極並不以圖1B中所繪者為限，只要能使第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6可彼此電性導通，並第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3所發出之光線可穿透過第二發光基板20的構型皆落入本發明範疇。
在本實施方式中，第一電極B1、第一電極B2、第一電極B3、第一電極B4、第一電極B5以及第一電極B6例如作為陽極，且第二電極T1、第二電極T2、第二電極T3、第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6例如作為陰極。但必需說明的，就以設計上的需求來說，在其他實施方式中，第一電極B1、第一電極B2、第一電極B3、第一電極B4、第一電極B5以及第一電極B6也可能作為陰極，而第二電極T1、第二電極T2、第二電極T3、第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6則作為陽極。在本實施方式中，第二電極T1與第二電極T4位於第一發光層E1與第四發光層E4之間，第二電極T2與第二電極T5位於第二發光層E2與第五發光層E5之間，且第二電極T3與第二電極T6位於第三發光層E1與第六發光層E6之間。也就是說，在本實施方式中，第一發光元件L1與第四發光元件L4中相同極性的電極係位於第一發光層E1與第四發光層E4之間，第二發光元件L2與第五發光元件L5中相同極性的電極係位於第二發光層E2與第五發光層E5之間，第三發光元件L3與第六發光元件L6中相同極性的電極係位於第三發光層E1與第六發光層E6之間。
在一些實施方式中，第一電極B4、第一電極B5以及第一電極B6可以具有較高的穿透率，第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6則具有較高的反射率，藉此，第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6的光線利用率較高。在一些實施方式中，第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6的材質包括（但不限於）：金屬材料或其他導電材料，其中所述金屬材料例如包括鉻、金、銀、銅、錫、鉛、鉿、鎢、鉬、釹、鈦、鉭、鋁、鋅或上述材料之合金。在一些實施方式中，第一電極B4、第一電極B5以及第一電極B6的材質可為透明材料，包括（但不限於）：金屬氧化物材料，例如包括銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物或銦鎵鋅氧化物。
第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6例如為下發光型發光元件，換句話說，第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6所發出的光線大致上會自第二基板200離開顯示裝置1。雖然在圖1A中，第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3重疊於第一主動元件TFT1，且第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6重疊於第二主動元件TFT2，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3不重疊於第一主動元件TFT1，且第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6不重疊於第二主動元件TFT2。
在本實施方式中，第二發光基板20具有多個透光區TR，透光區TR位於第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6中相鄰的兩者之間。在本實施方式中，第四發光元件L4與第五發光元件L5之間以及第五發光元件L5與第六發光元件L6之間具有透光區TR。值得注意的是，第四發光元件L4與其他發光元件（未繪出）之間也可以具有透光區TR，且第六發光元件L6與其他發光元件（未繪出）之間也可以具有透光區TR，使第四發光元件L4的至少兩側、第五發光元件L5的至少兩側以及第六發光元件L6的至少兩側皆具有透光區TR。
第二發光元件L2位於第四發光元件L4與第五發光元件L5之間。第三發光元件L3位於第五發光元件L5與第六發光元件L6之間。也就是說，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3重疊於透光區TR，而第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6與透光區TR交錯設置。因此，可以有效的利用第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3所發出的光線。在一些實施方式中，第二發光基板20中各個透光區TR的尺寸大於或等於對應之第一發光元件L1、第二發光元件L2或第三發光元件L3的尺寸。
在一些實施方式中，第一發光基板10對應於第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6的部分可設置導線（未繪出）、其他主動元件（未繪出）及/或其他被動元件（未繪出），且這些導線用會反射光線的材料製作（例如金屬材料），使第一發光基板10重疊於第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6的部分透光度僅有3%~8%。在一些實施方式中，第二發光基板20對應於第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3的部分（即透光區TR）可設置導線（未繪出）、其他主動元件（未繪出）及/或其他被動元件（未繪出），然而由於這些導線是用透明度較高的材料製作（例如透明導電材料），因此第二發光基板20重疊於第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3的部分（即透光區TR）透光度為30%~80%。
第一發光元件L1與第四發光元件L4之間、第二發光元件L2與第五發光元件L5之間以及第三發光元件L3與第六發光元件L6之間具有間隙GP。另外，第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離V大於0微米且小於等於5微米。在本實施方式中，第二電極T1不重疊於第一電極B1及第一發光層E1的部分不視為第一發光元件L1，且第二電極T4不重疊於第一電極B4及第四發光層E4的部分不視為第四發光元件L4。換句話說，垂直距離V為第二電極T2重疊於第一電極B1及第一發光層E1的部分與第二電極T4重疊於第一電極B4及第四發光層E4的部分之間的距離。在一些實施方式中，第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離V為3微米至5微米。在本實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3位於同一平面上，且第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6位於另一個平面上，且兩個平面實質上平行。因此，第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離、第二發光元件L2與第五發光元件L5之間的垂直距離以及第三發光元件L3與第六發光元件L6之間的垂直距離實質上相等。值得一提的是，雖然圖式未繪示，但任何所屬技術領域中具有通常知識者可以知道顯示裝置1是透過封裝製程來固定第一發光基板10與第二發光基板20，藉此顯示裝置1具有間隙GP且垂直距離V的大小可被控制。
基於上述，藉由使第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3設置的平面不同於第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6設置的平面，第二發光元件L2位於第四發光元件L4與第五發光元件L5之間，第三發光元件L3位於第五發光元件L5與第六發光元件L6之間，且第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離V大於0微米且小於等於5微米，不需要增加蒸鍍製程（例如形成發光層時的蒸鍍製程）所用之精密金屬遮罩的解析度即可調整顯示裝置1的解析度，藉此能使顯示裝置1比起習知的顯示裝置在相同單位面積中具有較大的發光面積。如此一來，顯示裝置1可以改善畫面出現顆粒感的問題，並顯示裝置1的使用壽命能提升。
圖2A是依照本發明的一實施方式的第一基板、第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件的配置關係的上視示意圖。圖2B是依照本發明的一實施方式的第二基板、第四發光元件、第五發光元件以及第六發光元件的配置關係的上視示意圖。圖2C是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的上視示意圖。為了方便說明，圖2C繪出第一基板100、第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6，並省略其他構件。
以下，將參照圖2A~圖2C進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
請參照圖2A~圖2C，多個第一發光元件L1、多個第二發光元件L2以及多個第三發光元件L3設置於第一基板100上，多個第四發光元件L4、多個第五發光元件L5以及多個第六發光元件L6設置於第二基板200上。在顯示裝置2中，第二發光元件L2位於第四發光元件L4與第五發光元件L5之間，第三發光元件L3位於第五發光元件L5與第六發光元件L6之間，第四發光元件L4位於第一發光元件L1與第二發光元件L2之間，且第五發光元件L5位於第二發光元件L2與第三發光元件L3之間。藉此，顯示裝置2比起習知的顯示裝置在相同單位面積中具有較大的發光面積，可以改善畫面出現顆粒感的問題。
雖然在本實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6分別排列成一行，亦即相同顏色的多個發光元件排成一行，但本發明不以為限。在其他實施方式中，同一行中的多個發光元件可以包括兩種以上不同顏色的發光元件。
圖3是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。
以下，將參照圖3進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
圖3的顯示裝置3與圖1A的顯示裝置1之間的主要差異在於：顯示裝置3更包括位於第一基板100與第二基板200之間的多個間隔物PS。舉例來說，顯示裝置3包括第一發光基板10、第二發光基板20以及多個間隔物PS。
在本實施方式中，間隔物PS分離於第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，當第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3彼此連接成位於第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3以及第一畫素定義層150上的整面結構時，第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3會覆蓋間隔物PS，且第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3電性連接第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6。
在本實施方式中，間隔物PS位於第四發光元件L4與第一畫素定義層150之間、第五發光元件L5與第一畫素定義層150之間以及第六發光元件L6與第一畫素定義層150之間。由於第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6是下發光型發光元件，間隔物PS對第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6之發光效率的影響不大。另外，在本實施方式中，間隔物PS直接連接到第四發光元件L4、第五發光元件L5、第六發光元件L6與第一畫素定義層150。
藉由設置間隔物PS，可以較佳地控制第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離V，其中垂直距離V為第二電極T2重疊於第一電極B1及第一發光層E1的部分與第二電極T4重疊於第一電極B4及第四發光層E4的部分之間的距離。
圖4是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。
以下，將參照圖4進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
圖4的顯示裝置4與圖1A的顯示裝置1之間的主要差異在於：顯示裝置4的第二發光層E2、第四發光層E4以及第五發光層E5顏色彼此不同，且第三發光層E3、第五發光層E5以及第六發光層E6顏色彼此不同。換句話說，在顯示裝置4中，第二發光元件L2、第四發光元件L4以及第五發光元件L5例如包括紅色發光元件、藍色發光元件、綠色發光元件、白色發光元件以及其他顏色發光元件中的三者，且第三發光元件L3、第五發光元件L5以及第六發光元件L6例如包括紅色發光元件、藍色發光元件、綠色發光元件、白色發光元件以及其他顏色發光元件中的三者。在一實施方式中，第一發光元件L1為紅色發光元件、第二發光元件L2為綠色發光元件、第三發光元件L3為藍色發光元件、第四發光元件L4為藍色發光元件、第五發光元件L5為紅色發光元件以及第六發光元件L6為綠色發光元件。
基於上述，藉由使第一發光元件L1、第二發光元件L2及第三發光元件L3設置的平面不同於第四發光元件L4、第五發光元件L5及第六發光元件L6設置的平面，第二發光元件L2位於第四發光元件L4與第五發光元件L5之間，第三發光元件L3位於第五發光元件L5與第六發光元件L6之間，且第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離V大於0微米且小於等於5微米，不需要增加蒸鍍製程（例如形成發光層時的蒸鍍製程）所用之精密金屬遮罩的解析度就能使顯示裝置4具有較高的解析度。如前文所述，在一實施方式中，第一發光元件L1(紅色發光元件)、第二發光元件L2(綠色發光元件)以及第四發光元件L4(藍色發光元件)可視為對應地配置在一個畫素中，且第三發光元件L3(藍色發光元件)、第五發光元件L5(紅色發光元件)以及第六發光元件L6(綠色發光元件)可視為對應地配置在另一個畫素中，故相較於多個發光元件都設置於同一平面上的習知顯示裝置，顯示裝置4的畫素尺寸較小，藉此顯示裝置4具有較高的解析度。
圖5A是依照本發明的一實施方式的第一基板、第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件的配置關係的上視示意圖。圖5B是依照本發明的一實施方式的第二基板、第四發光元件、第五發光元件以及第六發光元件的配置關係的上視示意圖。圖5C是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的上視示意圖。為了方便說明，圖5C繪出第一基板、第一發光元件、第二發光元件、第三發光元件、第四發光元件、第五發光元件以及第六發光元件，並省略其他構件。
以下，將參照圖5A~圖5C進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
請參照圖5A~圖5C，多個第一發光元件L1、多個第二發光元件L2以及多個第三發光元件L3設置於第一基板100上，多個第四發光元件L4、多個第五發光元件L5以及多個第六發光元件L6設置於第二基板200上。在顯示裝置5中，第二發光元件L2位於第四發光元件L4與第五發光元件L5之間，第三發光元件L3位於第五發光元件L5與第六發光元件L6之間，第四發光元件L4位於第一發光元件L1與第二發光元件L2之間，且第五發光元件L5位於第二發光元件L2與第三發光元件L3之間，其中第二發光元件L2、第四發光元件L4以及第五發光元件L5顏色不同的發光元件，且第三發光元件L3、第五發光元件L5以及第六發光元件L6為顏色不同的發光元件。藉此，顯示裝置5具有較高的解析度。
雖然在本實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6分別排列成一行，亦即相同顏色的多個發光元件排成一行，但本發明不以為限。在其他實施方式中，同一行中的多個發光元件可以包括兩種以上不同顏色的發光元件。
圖6是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。
以下，將參照圖6進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
圖6的顯示裝置6與圖4的顯示裝置4之間的主要差異在於：顯示裝置6更包括位於第一基板100與第二基板200之間的多個間隔物PS。舉例來說，顯示裝置6包括第一發光基板10、第二發光基板20以及多個間隔物PS。
在本實施方式中，間隔物PS分離於第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，當第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3彼此連接成位於第一發光層E1、第二發光層E2、第三發光層E3以及第一畫素定義層150上的整面結構時，第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3會覆蓋間隔物PS，且第二電極T1、第二電極T2以及第二電極T3電性連接第二電極T4、第二電極T5以及第二電極T6。
在本實施方式中，間隔物PS位於第四發光元件L4與第一畫素定義層150之間、第五發光元件L5與第一畫素定義層150之間以及第六發光元件L6與第一畫素定義層150之間。由於第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6是下發光型發光元件，間隔物PS對第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6之發光效率的影響不大。另外，在本實施方式中，間隔物PS直接連接到第四發光元件L4、第五發光元件L5、第六發光元件L6與第一畫素定義層150。
藉由設置間隔物PS，可以較佳的控制第一發光元件L1與第四發光元件L4之間的垂直距離V，其中垂直距離V為第二電極T2重疊於第一電極B1及第一發光層E1的部分與第二電極T4重疊於第一電極B4及第四發光層E4的部分之間的距離。
圖7是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。
以下，將參照圖7進行詳細說明。在此必須說明的是，下述實施方式沿用了前述實施方式的元件符號與部分內容，其中採用相同或相似的符號來表示相同或相似的元件，並且省略了相同技術內容的說明。關於省略部分的說明可參考前述實施方式，下述實施方式不再重複贅述。
圖7的顯示裝置7與圖1A的顯示裝置1之間的主要差異在於：顯示裝置7的第一~第六發光元件L1~L6皆設置於第一基板100上。
請參照圖7，第一基板100包括第一區102、第二區106以及連接第一區102與第二區106的彎折部104。第一區102與第二區106相對設置。彎折部104包括軟性材料。在本實施方式中，第一基板100的材質為軟性材料，例如是聚乙烯對苯二甲酸酯（polyethylene terephthalate，PET）、聚二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate，PEN)、聚酯(polyester，PES)、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate，PMMA）、聚碳酸酯（polycarbonate, PC）、聚醯亞胺(polyimide，PI）或金屬軟板（Metal Foil）。然而，本發明並不限於此。在其他實施方式中，第一區102與第二區106的材質可包括剛性材料，而彎折部104的材質可包括軟性材料。
在本實施方式中，第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6皆設置於第一基板100上。第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3設置於第一基板100的第一區102上，且第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6設置於第一基板100的第二區106上。另一方面，第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6位於第一基板100的內表面SW1。
第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3例如為上發光型發光元件，第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6例如為下發光型發光元件。換句話說，第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L4以及第六發光元件L6皆大致上朝向第一基板100的第二區106發光。
在本實施方式中，第一主動元件層AL1例如與第二主動元件層AL2於同個製程中形成。第一發光元件L1、第二發光元件L2以及第三發光元件L3例如與第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6於同個製程中形成。第一緩衝層110例如與第二緩衝層210於同個製程中形成。第一絕緣層120例如與第四絕緣層220於同個製程中形成。第二絕緣層130例如與第五絕緣層230於同個製程中形成。第三絕緣層140例如與第六絕緣層240於同個製程中形成。第一閘絕緣層GI1例如與第二閘絕緣層GI2於同個製程中形成。
在形成第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6之後，於第一發光元件L1、第二發光元件L2、第三發光元件L3、第四發光元件L4、第五發光元件L5以及第六發光元件L6上形成封裝層TFE，封裝層TFE包括無機層I1、無機層I3以及位於無機層I1和無機層I3之間的有機層I2。封裝層TFE中無機層與有機層的數量可以依照實際需求而進行調整。
雖然在本實施方式中，第一基板100的彎折部104上未設置其他絕緣層，但本發明不以此為限。在其他實施方式中，第一基板100的彎折部104上可設置控制電路及/或IC元件。在其他實施方式中，第一基板100的彎折部104上可設置第一緩衝層110、第二緩衝層210、第一絕緣層120、第二絕緣層130、第三絕緣層140、第四絕緣層220、第五絕緣層230、第六絕緣層240、第一閘絕緣層GI1及/或第二閘絕緣層GI2。
基於上述，顯示裝置7中的第一~第六發光元件L1~L6可以形成於同個第一基板100上，藉此能減少顯示裝置7的生產成本。
綜上所述，在上述至少一實施方式的顯示裝置中，第一、第二以及第三發光元件與第一主動元件層電性連接，第一、第二及第三發光元件設置的平面不同於第四、第五及第六發光元件設置的平面，第二發光元件位於第四與第五發光元件之間，第三發光元件位於第五與第六發光元件之間，且第一第四發光元件與第四發光元件之間的垂直距離大於0微米且小於等於5微米，藉此，不需要增加蒸鍍製程（例如形成發光層時的蒸鍍製程）所用之精密金屬遮罩的解析度來調整顯示裝置的解析度，就能使顯示裝置比起習知的顯示裝置在相同單位面積中具有較大的發光面積。如此一來，本發明的顯示裝置可以改善畫面出現顆粒感的問題，並使用壽命能提升。在一些實施方式中，藉由調整第一~第六發光元件的顏色，還可以進一步提升顯示裝置的解析度。
雖然本發明已以實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
1、2、3、4、5、6、7:顯示裝置 10:第一發光基板 20:第二發光基板 100:第一基板 102:第一區 104:彎折部 106:第二區 110:第一緩衝層 120:第一絕緣層 130:第二絕緣層 140:第三絕緣層 150:第一畫素定義層 200:第二基板 210:第二緩衝層 220:第四絕緣層 230:第五絕緣層 240:第六絕緣層 250:第二畫素定義層 AL1:第一主動元件層 AL2:第二主動元件層 B1~B6:第一電極 C1~C6、H1~H4、O1~O6:開口 CH1、CH2:通道層 D1、D2:汲極 E1:第一發光層 E2:第二發光層 E3:第三發光層 E4:第四發光層 E5:第五發光層 E6:第六發光層 G1、G2:閘極 GI1:第一閘極絕緣層 GI2:第二閘極絕緣層 GP:間隙 I1、I3:無機層 I2:有機層 L1:第一發光元件 L2:第二發光元件 L3:第三發光元件 L4:第四發光元件 L5:第五發光元件 L6:第六發光元件 PS:間隔物 S1、S2:源極 SW1:內表面 T1~T6:第二電極 TFE:封裝層 TFT1:第一主動元件 TFT2:第二主動元件 TR:透光區 V:垂直距離
圖1A是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖1B是依照本發明的一實施方式的一種頂電極的上視示意圖。 圖2A是依照本發明的一實施方式的第一基板、第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件的配置關係的上視示意圖。 圖2B是依照本發明的一實施方式的第二基板、第四發光元件、第五發光元件以及第六發光元件的配置關係的上視示意圖。 圖2C是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的上視示意圖。 圖3是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖4是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖5A是依照本發明的一實施方式的第一基板、第一發光元件、第二發光元件以及第三發光元件的配置關係的上視示意圖。 圖5B是依照本發明的一實施方式的第二基板、第四發光元件、第五發光元件以及第六發光元件的配置關係的上視示意圖。 圖5C是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的上視示意圖。 圖6是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。 圖7是依照本發明的一實施方式的一種顯示裝置的剖面示意圖。
1:顯示裝置
10:第一發光基板
20:第二發光基板
100:第一基板
110:第一緩衝層
120:第一絕緣層
130:第二絕緣層
140:第三絕緣層
150:第一畫素定義層
200:第二基板
210:第二緩衝層
220:第四絕緣層
230:第五絕緣層
240:第六絕緣層
250:第二畫素定義層
AL1:第一主動元件層
AL2:第二主動元件層
B1~B6:第一電極
C1~C6、H1~H4、O1~O6:開口
CH1、CH2:通道層
D1、D2:汲極
E1:第一發光層
E2:第二發光層
E3:第三發光層
E4:第四發光層
E5:第五發光層
E6:第六發光層
G1、G2:閘極
GI1:第一閘極絕緣層
GI2:第二閘極絕緣層
GP:間隙
L1:第一發光元件
L2:第二發光元件
L3:第三發光元件
L4:第四發光元件
L5:第五發光元件
L6:第六發光元件
S1、S2:源極
T1~T6:第二電極
TFT1:第一主動元件
TFT2:第二主動元件
TR:透光區
V:垂直距離

Claims (15)

  1. 一種顯示裝置，包括： 一第一基板； 一第一主動元件層，配置於該第一基板上； 一第一發光元件、一第二發光元件以及一第三發光元件，與該第一主動元件層電性連接，其中該第一發光元件、該第二發光元件以及該第三發光元件分別包括一第一發光層、一第二發光層以及一第三發光層； 一第一畫素定義層，配置於該第一主動元件層上，且具有一第一開口、一第二開口以及一第三開口，其中該第一發光層、該第二發光層以及該第三發光層分別配置於該第一開口、該第二開口以及該第三開口；以及 一第四發光元件、一第五發光元件以及一第六發光元件，配置於該第一畫素定義層上，其中該第四發光元件、該第五發光元件以及該第六發光元件分別包括一第四發光層、一第五發光層以及一第六發光層，該第二發光元件位於該第四發光元件與該第五發光元件之間，且該第三發光元件位於該第五發光元件與該第六發光元件之間，其中該第一發光元件與該第四發光元件之間的垂直距離大於0微米且小於等於5微米。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，更包括： 一第二基板，相對於該第一基板設置，其中該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件、該第四發光元件、該第五發光元件以及該第六發光元件位於該第一基板與該第二基板之間。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，更包括： 一第二主動元件層，配置於該第二基板上，其中該第四發光元件、該第五發光元件以及該第六發光元件電性連接該第二主動元件層； 一第二畫素定義層，配置於該第二主動元件層上，且具有一第四開口、一第五開口以及一第六開口，其中該第四發光層、該第五發光層以及該第六發光層分別配置於該第四開口、該第五開口以及該第六開口。
  4. 如申請專利範圍第2項所述的顯示裝置，更包括： 多個間隔物，位於該第一基板與該第二基板之間。
  5. 如申請專利範圍第4項所述的顯示裝置，其中該些間隔物位於該第四發光元件與該第一畫素定義層之間、該第五發光元件與該第一畫素定義層之間以及該第六發光元件與該第一畫素定義層之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一發光層、該第二發光層以及該第三發光層顏色彼此不同，且該第四發光層、該第五發光層以及該第六發光層顏色彼此不同。
  7. 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中該第二發光層、該第四發光層以及該第五發光層顏色彼此不同，且該第三發光層、該第五發光層以及該第六發光層顏色彼此不同。
  8. 如申請專利範圍第6項所述的顯示裝置，其中該第一發光層與該第四發光層顏色相同，該第二發光層與該第五發光層顏色相同，且該第三發光層與該第六發光層顏色相同。
  9. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一基板包括一彎折部，且該第一發光元件、該第二發光元件、該第三發光元件、該第四發光元件、該第五發光元件以及該第六發光元件位於該第一基板的內表面。
  10. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一發光元件與該第四發光元件之間的垂直距離為3微米至5微米。
  11. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一畫素定義層的材質包括光阻材料。
  12. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一發光元件、該第二發光元件以及該第三發光元件為上發光型發光元件，且該第四發光元件、該第五發光元件以及該第六發光元件為下發光型發光元件。
  13. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一發光元件與該第四發光元件之間、該第二發光元件與該第五發光元件之間、以及該第三發光元件與該第六發光元件之間具有間隙。
  14. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第四發光元件、該第五發光元件以及該第六發光元件與一第二主動元件層電性連接，其中 該第一主動元件層包括多個第一主動元件，且該些第一主動元件的閘極、汲極與源極包括金屬材料， 該第二主動元件層包括多個第二主動元件，且該些第二主動元件的閘極、汲極與源極包括透明材料。
  15. 如申請專利範圍第1項所述的顯示裝置，其中該第一發光元件與該第四發光元件中相同極性的電極位在該第一發光層與該第四發光層之間，該第二發光元件與該第五發光元件中相同極性的電極位在該第二發光層與該第五發光層之間，該第三發光元件與該第六發光元件中相同極性的電極位在該第三發光層與該第六發光層之間。
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Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPWO2018212035A1 (ja) * 2017-05-15 2020-03-19 パイオニア株式会社 発光装置
CN113299708B (zh) * 2021-05-12 2022-09-09 武汉华星光电技术有限公司 双面显示面板及其制备方法

Family Cites Families (13)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
KR100579549B1 (ko) * 2003-12-31 2006-05-12 엘지.필립스 엘시디 주식회사 듀얼 플레이트 타입 유기전계 발광소자 및 그 제조방법
JP4619186B2 (ja) * 2005-04-19 2011-01-26 株式会社半導体エネルギー研究所 発光装置
CN103293774B (zh) * 2012-12-28 2016-12-07 上海中航光电子有限公司 Tft阵列基板、tft液晶显示面板及制作方法
GB2511549B (en) 2013-03-07 2020-04-22 Plastic Logic Ltd Tiled Displays
KR102144993B1 (ko) * 2013-10-02 2020-08-14 삼성전자주식회사 디스플레이 장치
CN103715231B (zh) * 2013-12-31 2016-11-23 京东方科技集团股份有限公司 有机发光显示面板、显示装置
KR102303241B1 (ko) * 2014-07-24 2021-09-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치
KR102337671B1 (ko) * 2015-01-15 2021-12-09 삼성디스플레이 주식회사 유기 발광 표시 장치
CN105140265B (zh) * 2015-09-15 2018-01-30 京东方科技集团股份有限公司 显示面板及其驱动方法以及显示装置
KR101747268B1 (ko) * 2015-11-30 2017-06-14 엘지디스플레이 주식회사 유기발광 표시장치와 그를 포함한 헤드 장착형 디스플레이
CN105428389B (zh) * 2015-11-30 2018-12-18 上海天马有机发光显示技术有限公司 一种有机发光显示装置及制造方法
CN108400155B (zh) * 2018-04-23 2020-06-05 京东方科技集团股份有限公司 Oled双面显示面板及其制备方法
CN109148545B (zh) * 2018-08-31 2021-03-30 上海天马微电子有限公司 一种显示面板和显示装置

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