TW202028825A - 發光機構及背光模組 - Google Patents

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Abstract

一種發光機構，包含至少一發光二極體、一位於所述發光二極體上的光學單元，及至少一設置於該光學單元且與該發光二極體對應的調光單元。該調光單元包括一位於相對應的所述發光二極體正上方的遮光元件，該遮光元件的尺寸是大於或等於其正下方之發光二極體的尺寸，且相鄰的遮光元件不互相接觸。本發明亦提供一種包含前述發光機構的背光模組。

Description

發光機構及背光模組
本發明是關於一種光學設備，特別是指一種發光機構及背光模組。
傳統之液晶顯示器之背光模組係配置於液晶面板背面，以提供液晶面板所需之顯示光源。背光模組依光源位置可分為「側光式」及「直下式」設計，其中「直下式」設計之背光模組漸漸地採用多個發光二極體作為光源，以取代傳統的白熱燈管或螢光燈管。當發光二極體作為光源時，通常是在上方預留一段展光距離後設置擴散板或導光板，再設置於液晶面板的下方，以提供液晶面板均勻的出光源。
但實作上，發光二極體的光線的強度在正視角方向(也就是發光二極體發光面之法線方向)上會最強，所以在發光二極體直接貼合導光板位置的正投影區域，仍然會形成一個亮點，造成面光源表面亮度不均勻。
因此，本發明之一目的，即在提供一種能提升勻度的發光機構。
本發明發光機構，包含至少一發光二極體、一位於所述發光二極體上的光學單元，及至少一設置於該光學單元且與該發光二極體對應的調光單元。該調光單元包括一位於相對應的所述發光二極體正上方的遮光元件，該遮光元件的尺寸是大於或等於其正下方之發光二極體的尺寸，且相鄰的遮光元件不互相接觸。
本發明的另一技術手段，是在於該遮光元件的尺寸是大於其正下方之發光二極體的尺寸，且符合以下公式：2 × H × tanθ ≦ A，其中，H為該光學單元與該發光二極體之間的距離，θ為該發光二極體之放射角度，A為該遮光元件的尺寸。
本發明的另一技術手段，是在於該調光單元設置在該光學單元之面向該發光二極體的一側。
本發明的另一技術手段，是在於該調光單元設置在該光學單元之背向該發光二極體的一側，該遮光元件的尺寸是大於其正下方之發光二極體的尺寸，且符合以下公式：2 × (H+T1) × tanθ≦ A，其中，T1為該光學單元位於該發光二極體正上方的厚度，H為該光學單元與該發光二極體之間的距離，θ為該發光二極體之放射角度，A為該遮光元件的尺寸。
本發明的另一技術手段，是在於該光學單元具有一上表面及一下表面，該下表面具有至少一凹槽，該光學單元是以該凹槽覆蓋於所述發光二極體上且不與所述發光二極體接觸，該發光二極體的底面是低於該光學單元的底面，該調光單元設置在該光學單元之該上表面，H為該光學單元之凹槽表面與該發光二極體之表面之間的距離。
本發明的另一技術手段，是在於該光學單元是覆蓋於所述發光二極體上，且該發光二極體的底面是齊平於該光學單元的底面，該調光單元設置在該光學單元之背向該發光二極體的一側，該遮光元件的尺寸符合以下公式：2 × (T1-T2) × tanθ ≦ A，其中，T1 為該光學單元的厚度，T2 為該發光二極體的厚度，θ1 為該發光二極體之之放射角度，A為該遮光元件的尺寸。
本發明的另一技術手段，是在於該光學單元是直接貼覆且接觸於所述發光二極體上。
本發明的另一技術手段，是在於定義A為該遮光元件的尺寸，P為相鄰發光二極體之間距，W為該發光二極體之寬度，滿足下列關係式：0.45×P×W×10-3 ≦A＜5×P×W×10-3 。
本發明的另一技術手段，是在於定義A為該遮光元件的尺寸，P為相鄰發光二極體之間距，W為該發光二極體之寬度，更進一步滿足下列關係式：1×P×W×10-3 ≦A≦2.7×P×W×10-3 。
本發明的另一技術手段，是在於該光學單元具有一上表面及一下表面，該下表面具有至少一凹槽，該光學單元是以該凹槽覆蓋於所述發光二極體上且不與所述發光二極體接觸。
本發明的另一技術手段，是在於該遮光元件具有至少一貫穿孔，以使下方的發光二極體的光線能由該貫穿孔向上出光。
本發明的另一技術手段，是在於該遮光元件具有一位於相對應的所述發光二極體正上方的中心，及複數環繞該中心間隔排列的貫穿孔。
本發明的另一技術手段，是在於該遮光元件具有一位於相對應的所述發光二極體正上方的中心，所述貫穿孔是位於該中心位置。
本發明的另一技術手段，是在於該調光單元還包括至少一設置於相對應之所述遮光元件上方且覆蓋該貫穿孔的透光元件，且該透光元件的光線穿透效率是大於該遮光元件的光線穿透效率。
本發明的另一技術手段，是在於該光學單元的上表面及下表面形成有微結構。
本發明的另一技術手段，是在於所述微結構是以所述發光二極體為中心呈同心圓排列，且所述微結構是以所述發光二極體為中心呈同心圓排列，且所述微結構於鄰近所述發光二極體的分布較疏，而遠離所述發光二極體的分布較密。
本發明的另一目的，是在提供一種包含前述發光機構的背光模組。
本發明背光模組，包括前述多數個發光機構，及一擴散板，該擴散板位於所述發光機構的光學單元的上方。
本發明的另一技術手段，是在於該背光模組還包含一電路板，及一設置於該電路板上的反射片，該反射片具有間隔的貫穿槽，所述發光二極體是經由所述貫穿槽而呈矩陣式排列於該電路板上，所述光學單元是呈矩陣式排列於該反射片上。
本發明的另一技術手段，是在於所述發光機構的各別光學單元為連續連接而呈一體式。
本發明的另一技術手段，是在於所述發光機構的各別光學單元，彼此不接觸。
本發明之功效在於，藉由上述結構設計，可以有效改善面光源亮度不均勻的問題。
有關本發明之相關申請專利特色與技術內容，在以下配合參考圖式之較佳實施例的詳細說明中，將可清楚的呈現。在進行詳細說明前應注意的是，類似的元件是以相同的編號來作表示。
參閱圖1及圖2，為本發明背光模組的第一較佳實施例，包含一電路板2、一設置於該電路板2上的反射片3、複數呈矩陣式排列的發光二極體4、複數呈矩陣式排列且彼此不接觸的光學單元5、一設置於所述光學單元5上方的擴散板6，及複數分別設置於所述光學單元5與該擴散板6之間的調光單元7。該反射片3具有複數間隔的貫穿槽31，所述發光二極體4是經由所述貫穿槽31而呈矩陣式排列於該電路板2上，所述光學單元5是呈矩陣式排列於該反射片3上。在其他實施例中，所述發光二極體4也可以不採用矩陣式排列，而是以燈條方式條狀排列，所述光學單元5也可以因應而同樣以條狀排列。
於本實施例中，所述光學單元5為導光板，且每一光學單元5具有一上表面51及一下表面52，該下表面52具有一凹槽521，所述光學單元5是以該凹槽521覆蓋於相對應的發光二極體4上，且該發光二極體4不與該光學單元5接觸。每一光學單元5的上表面51及下表面52皆形成有微結構53，且所述微結構53是以該發光二極體4為中心C呈同心圓排列，且所述微結構53於鄰近該發光二極體4的分布較疏，而遠離該發光二極體4的分布較密。要說明的是，位於該下表面52的微結構53是用以破壞全反射，位於該上表面51的微結構53是用以控制出光效果，兩者互相配合能使出光效果更為均勻。另外，所述微結構53於鄰近該發光二極體4的分布較疏，而遠離該發光二極體4的分布較密，是因為在鄰近該發光二極體4的位置光線較強，而遠離該發光二極體4的位置光線相對較弱，前述設計將有助調整出光強度，進而達成整面出光強度均勻的目的。
參閱圖1，所述調光單元7分別對應位於所述發光二極體4之正上方，其中，每一調光單元7包括一片遮光元件71，及一設置於該遮光元件71上方的透光元件72，且該透光元件72的光線穿透效率是大於該遮光元件71的光線穿透效率。該遮光元件71具有至少一貫穿孔711，以使下方之發光二極體4的光線能由該貫穿孔711向上發散，再穿過該透光元件72進行出光。
其中，該遮光元件71可以是如圖3所示，具有一位於該發光二極體4正上方的中心C，而所述貫穿孔711位於該中心C。該遮光元件71也可以是如圖4至圖6所示，具有一位於該發光二極體4正上方的中心C，及複數間隔排列的貫穿孔711，而所述貫穿孔711圍繞於該中心C呈環狀排列。透過改變所述貫穿孔711的孔徑大小、數量，及排列方式，能進行光線的調節。
參閱圖7，於該背光模組上設置一顯示面板8，即成為一顯示裝置。由於本發明為直下式背光模組的型態，而在整體結構薄型化的趨勢下，該顯示面板與發光二極體4之間的距離會縮小，因此在發光二極體4的正上方會有很高的能量密度，容易於該顯示面板上產生亮點問題。本發明之發光二極體4為五面發光的發光二極體4，因此，在本較佳實施例中，是將該調光單元7設置於每一個發光二極體4之上方出光面的正上方，每一發光二極體4之側邊四個發光面所發散的光線，會直接經由該光學單元5出光，或者是經由下方之反射片3進行反射之後再經由該光學單元5出光。而經由每一個發光二極體4之上方出光面發散的光線，利用該遮光元件71上的貫穿孔711形成幾何圖案的排列，使部分光線可以從圖3的中心C位置的一個貫穿孔711出光，或是從圖4圍繞該中心C位置的多個貫穿孔711出光，且圖3、4的貫穿孔711是相同大小，藉此讓所述發光二極體4的正上方仍有較高輝度，以搭配能量較低的發光二極體4。另外也可以使部分光線可以從圖5、6圍繞該中心C位置的多個貫穿孔711出光，且圖5、6的貫穿孔711是小於圖3、4的貫穿孔711，藉此讓所述發光二極體4的正上方降低輝度，以搭配能量較高的發光二極體4。
因此，該遮光元件71的不同區域可以分別具有反射或吸光功能，再配合該透光元件72的設置，藉以調整所述發光二極體4上方的能量分布，以達到出光均勻，改善外觀之功效。另外，所述光學單元5之間存在有間距而彼此不接觸，因此相鄰光學單元5之間的光線不會互相干擾，且可以直接針對特定區域的光線進行調節。
參閱圖8及圖9，為本發明背光模組的第二較佳實施例，包含一電路板2a、一設置於該電路板2a上的反射片3a、複數呈矩陣式排列的發光二極體4a、複數呈矩陣式排列且彼此不接觸的光學單元5a、一設置於所述光學單元5a上方的擴散板6a，及複數分別設置於所述光學單元5a與該擴散板6a之間的調光單元7a。該反射片3a具有複數間隔的貫穿槽31a，所述發光二極體4a是經由所述貫穿槽31a而呈矩陣式排列於該電路板2a上，所述光學單元5a是呈矩陣式排列於該反射片3a上。
其中，所述光學單元5a為導光板，且每一光學單元5a具有一上表面51a及一下表面52a，該下表面52a具有一凹槽521a，所述光學單元5a是以該凹槽521a覆蓋於相對應的發光二極體4a上，且該發光二極體4a不與該光學單元5a接觸。每一光學單元5a的上表面51a及下表面52a皆形成有微結構53a，且所述微結構53a是以該發光二極體4a為中心C呈同心圓排列，且所述微結構53a於鄰近該發光二極體4a的分布較疏，而遠離該發光二極體4a的分布較密。
參閱圖10，於本實施例中，該調光單元7a設置在該光學單元5a之背向該發光二極體4a的一側，且位於該發光二極體4a的正上方，並包括一遮光元件71a，該遮光元件71a的尺寸是大於其正下方之發光二極體4a的尺寸，且符合以下公式：2 × (H+T1) × tanθ ≦ A。於本實施例中，由於該光學單元5a形成有所述凹槽521a，因此T1係指該光學單元5a位於該發光二極體4a正上方的厚度，更詳細地說，是該光學單元5a的厚度D1扣除所述凹槽521a深度D2後的厚度(所述微結構53a的厚度極小可以忽略不計)，H為該光學單元5a之凹槽521a表面與該發光二極體4a之表面之間的距離，θ為該發光二極體4a之放射角度(Radiation angle)，A為該遮光元件71a的尺寸。要特別說明的是，在其他實施例之中，若是該光學單元5a為不具有凹槽521a的形態，則T1為該光學單元5a的厚度，也就是該光學單元5a位於該發光二極體4a正上方的厚度，H為該光學單元5a的下表面52a與該發光二極體4a之間的距離。要進一步說明的是，依據發光二極體4a的規格，一般的指向性角度(Directivity)為120度，放射角度(Radiation angle)則是指向性角度的一半，為60度。
另外，該遮光元件71a的尺寸，除了滿足以上公式之外，在其他實施例之中，也可以設計為該遮光元件71a的尺寸是大於或等於其正下方之發光二極體4a的尺寸，且相鄰的遮光元件71a不互相接觸。或者也可以滿足下列關係式：0.45×P×W×10-3 ≦A＜5×P×W×10-3 ，其中，P為相鄰發光二極體4a之間距，W為該發光二極體4a之寬度。亦即，0.45×P×W×10-3 可以代表所述發光二極體4a的尺寸，5×P×W×10-3 則代表相鄰的遮光元件71a不互相接觸。
要進一步說明的是，由於本發明為直下式背光模組的型態，在整體結構薄型化的趨勢下，顯示面板(圖未示)與發光二極體4a之間的距離會縮小，因此在發光二極體4a的正上方會有很高的能量密度，容易於顯示面板上產生亮度不均的問題。也就是說，在所述發光二極體4a的正上方的輝度較高，相鄰發光二極體4a之間的輝度較低，造成亮度不均而形成暗區(Dark area)。因此，本實施例主要是該遮光元件71a採用具有高反射係數的白色油墨，或是其他種類具有高反射性的材料。如此一來，可以將指向性高的發光二極體4a正上方的區域遮蔽並將光線反射至發光二極體4a的周圍區域。由於相鄰的所述遮光元件71a是不互相接觸而留有空隙，前述被反射的光線可以經由空隙處穿出透過，能同時將發光二極體4a之間的暗區補亮，降低GMI (Grid mura index)數值。
在本實施例中，定義當一區域的亮度小於最大亮度的35%即為暗區，並透過前述配置方式，測試是否能將暗區佔總面積的比例減少，也就是暗區百分比是否下降。因此，如果依據暗區百分比是否能夠明顯下降來判斷上述該遮光元件71a的尺寸的較佳範圍，該遮光元件71a的尺寸便是滿足下列關係式：1×P×W×10-3 ≦A≦2.7×P×W×10-3 。其數值1與2.7的決定，則如下詳述。
參閱圖11，於本實施例中，設定暗區百分比在12%以下為合格值，由該曲線圖的結果可知，當該遮光元件的尺寸是滿足下列關係式：1×P×W×10-3 ≦A≦2.7×P×W×10-3 ，在數值1與2.7的常數範圍內，都可以將暗區百分比控制在12%以下，此效果是優於未設置該遮光元件71a的情況(也就是數值為0×P×W×10-3 )下的暗區百分比13.66%。
另外要說明的是，除了前述的配置方式之外，參閱圖12，在某些實施例中，所述發光機構的各別光學單元5b為連續連接而呈一體式，而所述發光二極體4b及相對應的調光單元7b仍然呈矩陣式排列，其中，所述發光二極體4b為矩形，而由於所述發光二極體4b的發光形態為指向性角度(Directivity)120度的圓形放射範圍，所以所述調光單元7b是隨之設計為圓形。
參閱圖13，在另一些實施例中，該調光單元7c之該遮光元件71c是設置在該光學單元5c之面向該發光二極體4c的一側，且該遮光元件71c的尺寸是大於其正下方之發光二極體4c的尺寸，且符合以下公式：2 × H × tanθ ≦ A，其中，H為該光學單元5c與該發光二極體4c之間的距離，θ為該發光二極體4c之放射角度，A為該遮光元件71c的尺寸。
參閱圖14，在另一些實施例中，該光學單元5d是類似膠體的型態，並直接塗佈覆蓋於所述發光二極體4d上，因此，該發光二極體4d的底面是齊平於該光學單元5d的底面。另外，該調光單元7d設置在該光學單元5d之背向該發光二極體4d的一側，該遮光元件71d的尺寸符合以下公式：2 × (T1-T2) × tanθ ≦ A，其中，T1為該光學單元5d的厚度，T2為該發光二極體4d的厚度，θ為該發光二極體4d之放射角度，A為該遮光元件71d的尺寸。
依據圖10、13、14所揭露的各種形態，無論該遮光元件71a、71c、71d是設計在該光學單元5a、5c、5d的上表面、下表面、凹槽底面，都可以利用該光學單元5a位於該發光二極體4a正上方的厚度T1、該光學單元5a的下表面52a與該發光二極體4a之間的距離H(或是該光學單元5a之凹槽521a表面與該發光二極體4a之表面之間的距離H)、該發光二極體4d的厚度T2、該發光二極體4a之放射角度θ (Radiation angle)等參數，來最佳化設計該遮光元件71a、71c、71d的尺寸大小，將發光二極體4a之間的暗區補亮，降低GMI (Grid mura index)數值。
除此之外，也能夠依據暗區百分比是否能夠明顯下降來判斷上述該遮光元件71a的尺寸，利用P為相鄰發光二極體4a之間距，W為該發光二極體4a之寬度，P×W×10-3 的常數最大值、最小值的決定，來最佳化設計該遮光元件71a的尺寸大小，將發光二極體4a之間的暗區補亮，降低GMI (Grid mura index)數值。此亦為本發明所提供的另一種設計方式。
綜上所述，本發明透過所述於每一發光二極體之上方出光面的正上方設置有該調光單元，並配合將該調光單元設置在不同位置，以及調整其與相對應的發光二極體之間的距離，以多種手段同時進行以達成最佳之出光調整效果，有效改善面光源亮度不均勻的問題，而且也能最佳化設計該遮光元件的尺寸大小，將發光二極體之間的暗區補亮，降低GMI (Grid mura index)數值，故確實可以達成本發明之目的。
惟以上所述者，僅為本發明之較佳實施例而已，當不能以此限定本發明實施之範圍，即大凡依本發明申請專利範圍及發明說明內容所作之簡單的等效變化與修飾，皆仍屬本發明專利涵蓋之範圍內。
2、2a:電路板 3、3a:反射片 31、31a:貫穿槽 4、4a、4b、4c、4d:發光二極體 5、5a、5b、5c、5d:導光板 51、51a:上表面 52、52a:下表面 521、521a:凹槽 53、53a:微結構 6、6a:擴散板 7、7a、7b、7c、7d:調光單元 71、71a、71b、71c、71d:遮光元件 711:貫穿孔 72:透光元件 8:顯示面板 A:尺寸 C:中心 H:距離 T1、T2、T3、D1:厚度 D2:深度
圖1是一側視示意圖，說明本發明背光模組的一第一較佳實施例； 圖2是一立體圖，輔助說明圖1，為了便於說明，於圖中省略一擴散板未繪出； 圖3至圖6皆是示意圖，說明該較佳實施例中，一調光單元之一遮光元件的各種態樣； 圖7是一側視示意圖，說明本發明顯示裝置的一較佳實施例； 圖8是一側視示意圖，說明本發明背光模組的一第二較佳實施例； 圖9是一立體圖，輔助說明圖8，為了便於說明，於圖中省略一擴散板未繪出； 圖10是一側視示意圖，為圖8中框示處的放大態樣； 圖11是一曲線圖，說明該第二較佳實施例降低暗區百分比的結構； 圖12至14皆是側視示意圖，說明該調光單元不同的配置情形。
2:電路板
3:反射片
31:貫穿槽
4:發光二極體
5:導光板
51:上表面
52:下表面
521:凹槽
53:微結構
6:擴散板
7:調光單元
71:遮光元件
711:貫穿孔
72:透光元件

Claims (20)

  1. 一種發光機構，包含： 至少一發光二極體； 一光學單元，位於所述發光二極體上；及 至少一調光單元，設置於該光學單元上且與該發光二極體對應設置，該調光單元包括一位於相對應的所述發光二極體正上方的遮光元件，該遮光元件的尺寸是大於或等於其正下方之發光二極體的尺寸，且相鄰的遮光元件不互相接觸。
  2. 依據申請專利範圍第1項所述之發光機構，其中，該遮光元件的尺寸是大於其正下方之發光二極體的尺寸，且符合以下公式：2 × H × tanθ ≦ A，其中，H為該光學單元與該發光二極體之間的距離，θ為該發光二極體之放射角度，A為該遮光元件的尺寸。
  3. 依據申請專利範圍第2項所述之發光機構，其中，該調光單元設置在該光學單元之面向該發光二極體的一側。
  4. 依據申請專利範圍第1項所述之發光機構，其中，該調光單元設置在該光學單元之背向該發光二極體的一側，該遮光元件的尺寸是大於其正下方之發光二極體的尺寸，且符合以下公式：2 × (H+T1) × tanθ ≦ A，其中，T1為該光學單元位於該發光二極體正上方的厚度，H為該光學單元與該發光二極體之間的距離，θ為該發光二極體之放射角度，A為該遮光元件的尺寸。
  5. 依據申請專利範圍第4項所述之發光機構，其中，該光學單元具有一上表面及一下表面，該下表面具有至少一凹槽， 該光學單元是以該凹槽覆蓋於所述發光二極體上且不與所述發光二極體接觸，該發光二極體的底面是低於該光學單元的底面，該調光單元設置在該光學單元之該上表面，H為該光學單元之凹槽表面與該發光二極體之表面之間的距離。
  6. 依據申請專利範圍第1項所述之發光機構，其中，該光學單元是覆蓋於所述發光二極體上，且該發光二極體的底面是齊平於該光學單元的底面，該調光單元設置在該光學單元之背向該發光二極體的一側，該遮光元件的尺寸符合以下公式：2 × (T1-T2) × tanθ ≦ A，其中，T1為該光學單元的厚度，T2為該發光二極體的厚度，θ為該發光二極體之放射角度，A為該遮光元件的尺寸。
  7. 請專利範圍第6項所述之發光機構，其中，該光學單元是直接貼覆且接觸於所述發光二極體上。
  8. 依據申請專利範圍第1項所述之發光機構，其中，定義A為該遮光元件的尺寸，P為相鄰發光二極體之間距，W為該發光二極體之寬度，滿足下列關係式：0.45×P×W×10-3 ≦A＜5×P×W×10-3 。
  9. 依據申請專利範圍第8項所述之發光機構，其中，定義A為該遮光元件的尺寸，P為相鄰發光二極體之間距，W為該發光二極體之寬度，更進一步滿足下列關係式：1×P×W×10-3 ≦A≦2.7×P×W×10-3 。
  10. 依據申請專利範圍第1項所述之發光機構，其中，該光學單元具有一上表面及一下表面，該下表面具有至少一凹槽，該光學單元是以該凹槽覆蓋於所述發光二極體上且不與所述發光二極體接觸。
  11. 依據申請專利範圍第10項所述之發光機構，其中，該遮光元件具有至少一貫穿孔，以使下方的發光二極體的光線能由該貫穿孔向上出光。
  12. 依據申請專利範圍第11項所述之發光機構，其中，該遮光元件具有一位於相對應的所述發光二極體正上方的中心，及複數環繞該中心間隔排列的貫穿孔。
  13. 依據申請專利範圍第11項所述之發光機構，其中，該遮光元件具有一位於相對應的所述發光二極體正上方的中心，所述貫穿孔是位於該中心位置。
  14. 依據申請專利範圍第11項所述之發光機構，其中，該調光單元還包括至少一設置於相對應之所述遮光元件上方且覆蓋該貫穿孔的透光元件，且該透光元件的光線穿透效率是大於該遮光元件的光線穿透效率。
  15. 依據申請專利範圍第11項所述之發光機構，其中，該光學單元的上表面及下表面形成有微結構。
  16. 依據申請專利範圍第15項所述之發光機構，其中，所述微結構是以所述發光二極體為中心呈同心圓排列，且所述微結構是以所述發光二極體為中心呈同心圓排列，且所述微結構於鄰近所述發光二極體的分布較疏，而遠離所述發光二極體的分布較密。
  17. 一種背光模組，包含依據申請專利範圍第1至16項中任一項所載的多數個發光機構，及一擴散板，該擴散板位於所述發光機構的光學單元的上方。
  18. 依據申請專利範圍第17項所述之背光模組，還包含一電路板，及一設置於該電路板上的反射片，該反射片具有間隔的貫穿槽，所述發光二極體是經由所述貫穿槽而呈矩陣式排列於該電路板上，所述光學單元是呈矩陣式排列於該反射片上。
  19. 依據申請專利範圍第17項所述之背光模組，其中，所述發光機構的各別光學單元為連續連接而呈一體式。
  20. 依據申請專利範圍第17項所述之背光模組，其中，所述發光機構的各別光學單元，彼此不接觸。
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