TW202028824A - 積層體、積層體的製造方法、在基板上形成光學體的方法以及相機模組搭載裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明提供一種積層體，其在將表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體固著於作為被接著體的物體時能夠容易地進行剝離，並且環境試驗耐性得到提升，起伏的發生得到了抑制。一種積層體，包括薄膜結構體及保持膜，其中在薄膜結構體的其中一個面上積層第一保持膜，並且在另一個面上積層第二保持膜，薄膜結構體在與第一保持膜接觸的面上具有第一微細凹凸結構，並且在與第二保持膜接觸的面上具有第二微細凹凸結構，第一保持膜在與薄膜結構體接觸的面上具有第三微細凹凸結構，第二保持膜在與薄膜結構體接觸的面上具有第四微細凹凸結構，積層體具有半切部，第二保持膜包含UV硬化性樹脂，該UV硬化性樹脂的25℃時的儲存彈性係數為1.1 GPa以下。

Description

積層體、積層體的製造方法、光學體的形成方法以及相機模組搭載裝置
本發明是有關於一種積層體、積層體的製造方法、光學體的形成方法以及相機模組搭載裝置。
在液晶顯示器等顯示裝置或相機等光學裝置中，為了避免因來自外部的光的反射導致的可視性、畫質的惡化（色彩不均、重影（ghost）等的產生），多對顯示板或透鏡等基材的光的入射面實施防反射處理。並且，作為所述防反射處理的方法，先前已知在光的入射面上形成微細凹凸結構來降低反射率的方法。
且說，光的入射面上的微細凹凸結構的形成，例如可藉由將在表面具有微細凹凸結構的膜貼附於該入射面來達成。所述方法就無需對基材自身進行加工的方面、可使膜自身在市場中流通（可搬運）的方面、可在基材表面的期望區域局部地形成微細凹凸結構的方面等觀點而言，是非常有益的。
在使具有防反射功能的膜自身流通時，若對積層有能夠剝離的膜的薄膜（film）進行半切（half cut）處理，則在將具有防反射功能的膜固著於作為被接著體的物體時，容易使需要的部分剝離。
例如，專利文獻1揭示了一種具有基材層與黏著劑層的半切加工用黏著膜。而且，例如，專利文獻2揭示了對積層於導電性金屬層上的功能性光學膜進行半切。專利文獻2中揭示的發明是將功能性光學膜經由接著劑而貼合於導電性金屬層。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-149948號公報 [專利文獻2]日本專利特開2004-151633號公報
[發明所欲解決之課題] 專利文獻1中揭示的薄膜是藉由黏著劑層來貼合，專利文獻2中揭示的薄膜是藉由接著劑來貼合。經由黏著劑層或接著劑等來貼合的薄膜具有環境試驗耐性低及容易發生起伏等課題。
本發明的課題在於解決先前的所述諸問題並達成以下的目的。即，本發明的目的在於提供一種積層體，其在將表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體固著於作為被接著體的物體時能夠容易地進行剝離，並且環境試驗耐性得到提升，起伏的發生得到了抑制。而且，本發明的目的在於提供一種該積層體的製造方法。進而，本發明的目的在於提供一種使用了該積層體的、將防反射性能優異的光學體形成在基板上的方法。進而，本發明的目的在於提供一種可獲得色彩不均或重影等的產生得到抑制的攝影影像的相機模組搭載裝置。 [解決課題之手段]
用以解決所述課題的手段如下所述。即， ＜1＞ 一種積層體，包括薄膜結構體及保持膜，其中 在所述薄膜結構體的其中一個面上積層第一保持膜，並且在所述薄膜結構體的另一個面上積層第二保持膜， 所述薄膜結構體在與所述第一保持膜接觸的面上具有第一微細凹凸結構，並且在與所述第二保持膜接觸的面上具有第二微細凹凸結構， 所述第一保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第三微細凹凸結構， 所述第二保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第四微細凹凸結構， 所述積層體在厚度方向上具有半切部， 所述第二保持膜包含紫外線（ultraviolet，UV）硬化性樹脂，所述UV硬化性樹脂的25℃時的儲存彈性係數為1.1 GPa以下。 ＜2＞ 如＜1＞所述的積層體，其中所述第一保持膜的基底基材的厚度為100 μm以下。 ＜3＞ 如＜1＞或＜2＞所述的積層體，其中在依據日本工業標準（Japanese Industrial Standards，JIS）Z0237：2009的90°剝離試驗中，設所述第一保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設所述第二保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足P1＞P2。 ＜4＞ 如＜1＞至＜3＞中任一項所述的積層體，其中所述半切部在所述積層體的俯視中，為圓形狀或多邊形狀。 ＜5＞ 如＜1＞至＜4＞中任一項所述的積層體，其中所述薄膜結構體的厚度為5 μm以下。 ＜6＞ 如＜1＞至＜5＞中任一項所述的積層體，其中所述第一保持膜包含UV硬化性樹脂。 ＜7＞ 如＜1＞至＜6＞中任一項所述的積層體，其中所述第三微細凹凸結構是所述第一微細凹凸結構的反轉結構，所述第四微細凹凸結構是所述第二微細凹凸結構的反轉結構。 ＜8＞ 如＜1＞至＜7＞中任一項所述的積層體，其中所述第一微細凹凸結構、所述第二微細凹凸結構、所述第三微細凹凸結構及所述第四微細凹凸結構分別包括具有可見光波長以下的間距的凹凸圖案。 ＜9＞ 一種積層體的製造方法，包括在對如＜1＞至＜8＞中任一項所述的積層體形成所述半切部時，在按壓著所述積層體的狀態下形成所述半切部的步驟。 ＜10＞ 一種在基板上形成光學體的方法，其特徵在於，自如＜1＞至＜8＞中任一項所述的積層體剝離所述第一保持膜及所述第二保持膜，將所述薄膜結構體經由接著劑而積層於基板。 ＜11＞ 如＜10＞所述的在基板上形成光學體的方法，包括： 第一剝離步驟，在所述半切部的內側，自所述第二保持膜剝離包括所述薄膜結構體及所述第一保持膜的單面剝離積層體，獲得單面剝離積層體； 塗佈步驟，在基板上塗佈接著劑； 按壓步驟，將所述單面剝離積層體以被剝離了所述第二保持膜的一面朝向所述基板的方式按壓至被塗佈的所述接著劑； 硬化步驟，對被按壓著的所述接著劑照射UV光，將所述接著劑硬化；以及 第二剝離步驟，解除對所述單面剝離積層體的按壓，使所述薄膜結構體自所述單面剝離積層體剝離，而將包括硬化後的接著劑及所述薄膜結構體的光學體形成在所述基板上。 ＜12＞ 一種相機模組搭載裝置，包括： 相機模組及顯示板； 所述顯示板包括積層在其表面的至少一部分上的接著劑層及積層在所述接著劑層上的薄膜結構體， 所述相機模組以與所述薄膜結構體相向的方式設置， 所述薄膜結構體是自如＜1＞至＜8＞中任一項所述的積層體剝離了所述第一保持膜及所述第二保持膜的薄膜結構體。 [發明的效果]
根據本發明，可提供一種積層體，其在將表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體固著於作為被接著體的物體時能夠容易地進行剝離，並且環境試驗耐性得到提升，起伏的發生得到了抑制。而且，根據本發明，可提供一種該積層體的製造方法。進而，根據本發明，可提供一種使用了該積層體的、將防反射性能優異的光學體形成在基板上的方法。進而，根據本發明，可提供一種可獲得色彩不均或重影等的產生得到抑制的攝影影像的相機模組搭載裝置。
以下，基於實施形態對本發明進行詳細的說明。
（積層體） 本發明的積層體包括薄膜結構體及保持膜。薄膜結構體中，在薄膜結構體的其中一個面上積層第一保持膜，並且在薄膜結構體的另一個面上積層第二保持膜。薄膜結構體在與第一保持膜接觸的面上具有第一微細凹凸結構，並且在與第二保持膜接觸的面上具有第二微細凹凸結構。第一保持膜在與薄膜結構體接觸的面上具有第三微細凹凸結構，第二保持膜在與薄膜結構體接觸的面上具有第四微細凹凸結構。積層體在厚度方向上具有半切部。第二保持膜包含UV硬化性樹脂，該UV硬化性樹脂的25℃時的儲存彈性係數為1.1 GPa以下。 另外，本發明的積層體被定位為在基板上形成光學體（後述）時使用的中間產品。
以下，參照圖1等對本發明的一實施形態的積層體（以下，有時稱為「本實施形態的積層體」）進行說明。 如圖1所示，本實施形態的積層體100包括薄膜結構體110、兩枚保持膜即第一保持膜120a及第二保持膜120b。第一保持膜120a積層在薄膜結構體110的其中一個面上，第二保持膜120b積層在薄膜結構體110的另一個面上。即，薄膜結構體110被兩枚保持膜夾持。而且，薄膜結構體110在積層第一保持膜120a的表面上具有第一微細凹凸結構110-1，並且在積層第二保持膜120b的表面上具有第二微細凹凸結構110-2。進而，第一保持膜120a具有第三微細凹凸結構120a-1，第二保持膜120b具有第四微細凹凸結構120b-1。
而且，本實施形態的積層體100在厚度方向上具有半切部130。此處，「厚度方向」是積層有第一保持膜120a、薄膜結構體110及第二保持膜120b的方向。半切部130是為了容易使包括薄膜結構體110及第一保持膜120a的單面剝離積層體自第二保持膜120b剝離而形成的切縫。半切部130如圖1所示，第一保持膜120a及薄膜結構體110被完全切斷，第二保持膜120b被切斷至中途。
圖2中示出俯視觀察積層體100的圖。如圖2所示，半切部130俯視時為圓形狀。另外，半切部130的俯視時的形狀不限定於圓形狀。例如，半切部130俯視時亦可為四邊形狀等般的多邊形狀。
而且，本實施形態的積層體在JISZ0237：2009的90°剝離試驗中，設第一保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設第二保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足P1＞P2。
如上所述，本實施形態的積層體100在厚度方向上具有半切部130，所以在將薄膜結構體110固著於作為被接著體的物體時，可容易地將半切部130的內側的包括薄膜結構體110及第一保持膜120a的單面剝離積層體自第二保持膜120b剝離。
而且，如上所述，本實施形態的積層體100中，薄膜結構體110被兩枚保持膜，以使具有微細凹凸結構（第三微細凹凸結構120a-1及第四微細凹凸結構120b-1）的面接觸的方式夾持，所以，薄膜結構體110可不經由黏著劑層或接著劑等而與兩枚保持膜密接。如此，本實施形態的積層體100中，薄膜結構體110與兩枚保持膜不經由黏著劑層或接著劑等而密接，所以環境試驗耐性高，而且，可抑制起伏的發生。
而且，如上所述，本實施形態的積層體100中，對薄膜結構體110的其中一個面與另一個面中的與積層的保持膜的剝離力設置了差異，所以可一邊維持著剝離力大的保持膜（第一保持膜120a）與薄膜結構體110的積層狀態一邊將剝離力小的保持膜（第二保持膜120b）自薄膜結構體110順利地剝離。並且，在剝離保持膜，尤其是第二保持膜120b時，微細凹凸結構的破損得到了抑制。相對與此，若薄膜結構體110的其中一個面與另一個面與保持膜的剝離力相同，則有在欲剝離兩枚保持膜中的任一者的情況下，薄膜結構體110在中心附近斷開，或微細凹凸結構的大半部分被帶至保持膜側之虞，從而在顧客實際地使用薄膜結構體110時，無法確保充分的品質。 另外，第一保持膜120a的剝離可藉由在剝離第二保持膜120b之後，將薄膜結構體110固著於基板等而順利地進行。
本實施形態的積層體100中第一保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力P1及第二保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力P2均超過0 N/25 mm，較佳為0.05 N/25 mm以上，而且，較佳為0.5 N/25 mm以下。若P1及P2為0.05 N/25 mm以上，則可抑制保持膜因外部因素等而自然脫落。而且，若P1及P2為0.5 N/25 mm以下，則可更充分地抑制剝離保持膜時薄膜結構體110的微細凹凸結構的破損。 另外，在保持膜與薄膜結構體110的界面處的剝離力的測定中，在薄膜結構體110的幾乎整個表面被帶至保持膜側的情況下，認為未能完成測定對象的剝離，並定為甚至於不滿足「剝離力的測定值：超過0 N/25 mm」。
本實施形態的積層體100中第一保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力P1與第二保持膜120b與薄膜結構體的界面處的剝離力P2之差（P1-P2）並無特別限制，但較佳為0.03 N/25 mm以上，而且，較佳為0.3 N/25 mm以下。若P1-P2為0.03 N/25 mm以上，則可在將保持膜尤其是第二保持膜120b自薄膜結構體110順利地剝離的同時更有效果地抑制薄膜結構體110及其表面的微細凹凸結構的破損。而且，若P1-P2為0.3 N/25 mm以下，則可更有效果地抑制將第一保持膜120a自薄膜結構體剝離時薄膜結構體110及其表面的微細凹凸結構的破損。 另外，保持膜與薄膜結構體110的界面處的剝離力的調整例如可藉由以下的操作來適當進行，所述操作為：變更薄膜結構體110的構成材料、變更薄膜結構體110的微細凹凸結構、變更薄膜結構體110的非微細凹凸結構的部分的厚度（後述）、對保持膜的基底基材（後述）的構成材料添加氟系添加劑等添加劑、變更保持膜的厚度、對保持膜設置無機膜、對保持膜設置剝離膜、變更所述無機膜或剝離膜的構成材料或厚度等。因此，P1-P2的調整可藉由任意組合所述操作來適當進行。
＜薄膜結構體＞ 本實施形態所使用的薄膜結構體110在兩個面上具有第一微細凹凸結構110-1及微細凹凸結構110-2。即，在薄膜結構體110的兩個面上形成有微細的凹凸圖案（在積層體的厚度方向上凸出的凸部及在積層體的厚度方向上凹陷的凹部）。凸部及凹部既可週期性（例如，鋸齒格子狀、矩形格子狀）配置，而且亦可無規則地（random）配置。而且，凸部及凹部的形狀並無特別限制，可為炮彈型、錐體型、柱狀、針狀等。另外，所謂凹部的形狀，是指藉由凹部的內壁而形成的形狀。
薄膜結構體110例如可使用UV（紫外線）硬化性樹脂來製作。作為UV硬化性樹脂，並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等。
構成第一微細凹凸結構110-1及第二微細凹凸結構110-2的凹凸圖案的平均週期（間距）分別較佳為可見光波長以下（例如，830 nm以下），更佳為350 nm以下，尤佳為280 nm以下，而且，更佳為100 nm以上，尤佳為150 nm以上。藉由使薄膜結構體110的表面的凹凸圖案的間距為可見光波長以下，即，藉由使薄膜結構體110的表面為所謂的蛾眼結構，可實現防反射性能的進一步提升。
而且，構成第一微細凹凸結構110-1及第二微細凹凸結構110-2的凹凸圖案的凹部的深度（凸部的高度）並無特別限制，但分別較佳為150 nm以上，更佳為190 nm以上，而且，較佳為300 nm以下，更佳為230 nm以下。
另外，薄膜結構體110的第一微細凹凸結構110-1及第二微細凹凸結構110-2的凹部及凸部的配置態樣、凹凸圖案的平均週期、凹部的深度等既可彼此相同，亦可不同。
而且，本實施形態所使用的薄膜結構體110的厚度較佳為10 μm以下，更佳為5 μm以下，尤佳為1 μm以下，而且，較佳為0.1 μm以上。此種薄膜結構體110可較佳地用於被要求兼顧防反射性能的提升及薄型化的用途，例如搭載有攝像元件的筆記型個人電腦（Personal Computer，PC）、平板型PC、智慧型手機、行動電話等。 另外，所謂薄膜結構體110的厚度，是指如圖1中T1 所示，形成在其中一個面上的最高的凸部的頂點與形成在另一個面上的最高的凸部的頂點在積層方向或膜厚方向上的距離。
而且，本實施形態所使用的薄膜結構體110較佳為非微細凹凸結構的部分的厚度為200 nm以下。若為包括此種薄膜結構體110的積層體100，則例如可在藉由後述本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法來形成光學體時，使藉由基板上的接著劑固著的薄膜結構體110更切實地自單面剝離積層體剝離而高精度地形成光學體。另一方面，就現實性的觀點而言，薄膜結構體110中非微細凹凸結構的部分的厚度可為0.01 μm以上。 另外，所謂薄膜結構體110中非微細凹凸結構的部分的厚度，是指如圖1中T2 所示，形成在其中一個面上的最深的凹部的頂點與形成在另一個面上的最深的凹部的頂點在積層方向或膜厚方向上的距離。
薄膜結構體110例如亦可藉由準備基底基材及兩個微細凹凸層作為單獨的構件，並在基底基材的兩個面上分別形成微細凹凸層來製作。然而，就避免光學特性的惡化的觀點而言，薄膜結構體110較佳為包括單一構件。具有此種包括單一構件的薄膜結構體110的積層體100例如可藉由後述積層體100的製造方法來製造。
＜保持膜＞ 在本實施形態的積層體100中，兩枚保持膜即第一保持膜120a及第二保持膜120b夾持著薄膜結構體110。該些兩枚保持膜是為了保護薄膜結構體110及提升操作性等而設。
而且，如圖1所示，第一保持膜120a在與薄膜結構體110接觸的面上具有第三微細凹凸結構120a-1，第二保持膜120b在與薄膜結構體110接觸的面上具有第四微細凹凸結構120b-1。即，在第一保持膜120a及第二保持膜120b的規定的面上，形成有微細的凹凸圖案（在積層體100的厚度方向上凸出的凸部及在積層體100的厚度方向上凹陷的凹部）。由此，可容易地在薄膜結構體110的兩個面上形成微細凹凸結構。
進而，較佳為：如圖1所示，第一保持膜120a所具有的第三微細凹凸結構120a-1是薄膜結構體110所具有的第一微細凹凸結構110-1的反轉結構，第二保持膜120b所具有的第四微細凹凸結構120b-1是薄膜結構體110所具有的第二微細凹凸結構110-2的反轉結構。由此，將薄膜結構體110與保持膜120a、保持膜120b藉由兩者的微細凹凸結構而機械性接合，在進一步強化對形成在薄膜結構體110的兩個面上的微細凹凸結構的保護的同時，可更有效果地抑制剝離保持膜時的薄膜結構體110的破損。就同樣的觀點而言，更佳為第一保持膜120a及第二保持膜120b與薄膜結構體110中兩者所具有的微細凹凸結構無縫咬合。而且，薄膜結構體110與保持膜120a、保持膜120b是藉由兩者的微細凹凸結構而機械性接合，藉此可利用摩擦力進行密接。將此種藉由微細凹凸結構無縫咬合而利用摩擦力密接的效果亦稱為「錨定效應」。藉由具有錨定效應，薄膜結構體110與保持膜120a、保持膜120b即便不經由黏著劑或接著劑等般的物質亦可維持密接狀態。
構成第三微細凹凸結構120a-1及第四微細凹凸結構120b-1的凹凸圖案的平均週期（間距）與第一微細凹凸結構110-1及第二微細凹凸結構110-2同樣地，分別較佳為可見光波長以下（例如，830 nm以下），更佳為350 nm以下，尤佳為280 nm以下，而且，更佳為100 nm以上，尤佳為150 nm以上。
保持膜120a、保持膜120b例如可藉由基底基材來製造。而且，在表面具有微細凹凸結構的保持膜120a、保持膜120b例如可如圖3所示，藉由在基底基材121之上形成微細凹凸層122而製作。
作為構成基底基材121的材料，並無特別限制，但較佳為透明且不易破損斷裂者，可列舉聚對苯二甲酸乙二酯（Polyethylene terephthalate，PET）、三乙醯纖維素（triacetylcellulose，TAC）等。
而且，基底基材121上微細凹凸層122的形成例如可藉由實施如下方法來達成，所述方法包括：在基底基材121的其中一個面上塗佈未硬化的UV硬化性樹脂的步驟、使形成有對應凹凸圖案的輥與所述塗佈的UV硬化性樹脂密接而將凹凸圖案轉印至UV硬化性樹脂的步驟、對所述塗佈的UV硬化性樹脂照射UV光而進行硬化的步驟、以及將硬化後的UV硬化性樹脂自輥剝離的步驟。另外，作為UV硬化性樹脂並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等。而且，亦可視需要在UV硬化性樹脂中添加硬化起始劑等各種添加劑。
＜積層體的製造方法＞ 作為本實施形態的積層體100的製造方法，並無特別限制，可根據目的來適當選擇。以下，參照圖4A及圖4C對用以製造積層體100的具體的一例方法進行說明。
一例的方法包括利用在表面具有微細凹凸結構的兩枚保持膜夾持UV硬化性樹脂，並進行壓接的步驟（夾持壓接步驟）、將被夾持著的UV硬化性樹脂藉由UV光的照射而硬化的步驟（硬化步驟）及形成半切部130的步驟（半切部形成步驟）。
-夾持壓接步驟- 首先，準備在表面具有微細凹凸結構的兩枚保持膜（在表面具有第三微細凹凸結構120a-1的第一保持膜120a及在表面具有第四微細凹凸結構120b-1的第二保持膜120b）。關於第一保持膜120a及第二保持膜120b，如前所述。其次，如圖4A所示，利用所述第一保持膜120a及第二保持膜120b以所述兩枚保持膜彼此的微細凹凸結構相向的方式夾持UV硬化性樹脂151。另外，作為UV硬化性樹脂並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等。而且，亦可視需要在UV硬化性樹脂151中添加硬化起始劑等各種添加劑。進而，就提高剝離性及形狀保持性的觀點而言，亦可在UV硬化性樹脂151中添加環氧乙烷系（EO（ethylene oxide）系）的丙烯酸單體、環氧丙烷系（PO（propylene oxide）系）的丙烯酸單體、芴系單體等單體。
此處，UV硬化性樹脂151的黏度較佳為30 cps以下。若UV硬化性樹脂151的黏度為30 cps以下，則可在形成薄膜結構體110時，更容易地將非微細凹凸結構的部分的厚度降低至200 nm以下。
並且，如圖4A所示，藉由輥積層機（roll laminator）160等壓接裝置將夾持體沿夾持方向壓接。此處，在夾持壓接步驟中，可藉由調節壓接時的壓力，來調整獲得的薄膜結構體110的厚度（圖1的T1 ）及薄膜結構體110中非微細凹凸結構的部分的厚度（圖1的T2 ）。而且，藉由調節輥積層機的進給速度，亦可調整獲得的薄膜結構體110的厚度（圖1的T1 ）及薄膜結構體110中非微細凹凸結構的部分的厚度（圖1的T2 ）。 另外，在圖4A中，相對於輥積層機160而將第二保持膜120b配置在下側，將第一保持膜120a配置在上側，但該些的配置關係並無特別限制。
-硬化步驟- 在硬化步驟中，如圖4B所示，對被夾持著的UV硬化性樹脂151照射UV光，將UV硬化性樹脂151硬化。藉由UV硬化性樹脂151硬化，獲得圖1所示般、在兩個面上具有微細凹凸結構的薄膜結構體110作為單一構件，並且獲得積層體100。另外，硬化步驟亦可與夾持壓接步驟同時進行。 如此獲得的薄膜結構體110在其中一個面上形成有與第一保持膜120a的第三微細凹凸結構120a-1無縫咬合的微細凹凸結構（第一微細凹凸結構110-1），並在另一個面上形成有與第二保持膜120b的第四微細凹凸結構120b-1無縫咬合的微細凹凸結構（第二微細凹凸結構110-2）。
-半切部形成步驟- 在半切部形成步驟中，如圖4C所示，在利用氣缸（air cylinder）132將積層體100向箭頭A的方向按壓著的狀態下，利用刀131對按壓著的部分的周圍進行衝壓，藉此形成半切部130。氣缸132維持按壓著積層體100的狀態直至刀131脫離積層體100。如此，藉由由氣缸132按壓積層體100，可防止在拔出刀131時，在半切部130的內側，第一保持膜120a及薄膜結構體110被刀131帶走，而使薄膜結構體110自第二保持膜120b剝離。 例如，若藉由雷射切割來形成半切部，則會產生大量碎片，但在本申請案發明的半切部形成步驟中，是利用刀131進行衝壓來形成半切部130，因此可抑制形成半切部130時產生碎片。 而且，若藉由雷射切割來形成半切部，則會在切斷部形成膜厚10%左右的隆起，但在本申請案發明的半切部形成步驟中，若將刀131設為單刃，則可減少半切部130的內側的切斷部的隆起。
（在基板上形成光學體的方法） 本發明的在基板上形成光學體的方法的特徵在於：自所述本發明的積層體100剝離第一保持膜120a及第二保持膜120b，將薄膜結構體110經由接著劑而積層於基板。根據所述方法，可將在兩個面上具有微細凹凸結構的薄膜結構體110作為防反射性能優異的光學體無破損地形成在基板上。尤其，根據所述方法，即便在薄膜結構體110的厚度極小（例如5 μm以下）的情況下，形成光學體時的微細凹凸結構的破損亦有意地得到抑制。
以下，參照圖5A～圖5E對本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法（以下，有時稱為「本實施形態的形成方法」）進行說明。 圖5A～圖5E是表示本實施形態的形成方法的概要圖。本實施形態的形成方法包括第一剝離步驟、塗佈步驟、按壓步驟、硬化步驟及第二剝離步驟。
在第一剝離步驟中，在半切部130的內側，自圖1所示的第二保持膜120b剝離包括薄膜結構體110及第一保持膜120a的單面剝離積層體，使之成為圖5A所示的狀態（單面剝離積層體100'）。此處，P2（第二保持膜120b與薄膜結構體110的界面處的剝離力）小於P1（第一保持膜120a與薄膜結構體110的界面處的剝離力），因此可在維持著第一保持膜120a與薄膜結構體110的積層狀態並且第二微細凹凸結構110-2的破損得到抑制的同時，順利地進行單面剝離積層體自第二保持膜120b的剝離。
在第一剝離步驟之後，在圖5B所示的塗佈步驟中，在基板170上塗佈接著劑171。作為接著劑171，並無特別限制，例如可列舉UV硬化性丙烯酸系樹脂、UV硬化性環氧系樹脂等包含UV硬化性樹脂的組成物等。作為構成基板170的材料，並無特別限制，可根據形成光學體的目的來適當選擇，例如可列舉玻璃、利用任意的有機材料例如環氧丙烯酸酯共聚物等對表面進行了塗覆的玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯（Polymethyl methacrylate，PMMA）、環烯烴共聚物（cyclo olefin copolymer，COC）、環烯烴聚合物（cyclo olefin polymer，COP）等。
塗佈步驟之後，在圖5C所示的按壓步驟中，將單面剝離積層體100'以被剝離第二保持膜120b的一面朝向基板170的方式按壓至塗佈在基板170上的接著劑171。經按壓的接著劑171在基板170與薄膜結構體110之間被按壓擴展。
在圖5D所示的硬化步驟中，在維持著按壓的狀態下，對被按壓著的接著劑171照射UV光，將接著劑171硬化。硬化後的接著劑171牢固地接著在基板170及薄膜結構體110上。
在圖5E所示的第二剝離步驟中，藉由解除對單面剝離積層體100'的按壓，使第一保持膜120a自薄膜結構體110剝離。根據所述方法，可將薄膜結構體110（或光學體200）局部性地且高精度地形成在基板表面的期望區域。尤其是，就可對難接著性的基板（例如，包括環烯烴共聚物（COC）、環烯烴聚合物（COP）或環氧丙烯酸酯共聚物等聚合物的基板等）局部性地且高精度地形成薄膜結構體110（或光學體200）的方面而言，所述方法是有利的。
如圖5E所示，形成在基板170上的光學體200中，硬化後的接著劑171'亦可進入至薄膜結構體110的基板170側的面的凹部。即，硬化後的接著劑171'可在薄膜結構體110側的表面上具有微細凹凸結構。此種光學體200防反射性能優異，例如，可使波長400 nm～750 nm的範圍下的平均反射率為1%以下。
（相機模組搭載裝置） 本發明的相機模組搭載裝置包括相機模組及顯示板，顯示板包括積層在其表面的至少一部分上的接著劑層及積層在接著劑層上的薄膜結構體。而且，所述薄膜結構體在兩個面上具有微細凹凸結構。並且，所述相機模組搭載裝置以相機模組與薄膜結構體相向的方式設置。根據所述相機模組搭載裝置，可藉由相機模組的攝像元件經由在兩個面上具有微細凹凸結構的薄膜結構體來拍攝靜止影像或動態影像，所以光的反射得到抑制，從而可抑制獲得的攝像影像中產生色彩不均或重影等。
作為相機模組搭載裝置，具體而言，可列舉筆記型PC、平板型PC、智慧型手機、行動電話等。
以下，參照圖6對本發明的一實施形態的相機模組搭載裝置（以下，有時稱為「本實施形態的裝置」）進行說明。 圖6是表示本實施形態的相機模組搭載裝置的相機模組附近的示意概要圖。如圖6所示，本實施形態的相機模組搭載裝置300包括相機模組310及顯示板311，在顯示板311的其中一個表面形成有遮光區域312及透明區域（非遮光區域）313。而且，在顯示板311的透明區域313中積層有接著劑層314並且在此接著劑層314上積層有薄膜結構體315。
此處，顯示板311因用作液晶顯示器、觸控面板等，所以較佳為透明，例如包括玻璃、利用任意的有機材料對表面進行了塗覆的玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA）等。而且，薄膜結構體315如針對所述本發明的積層體100所具有的薄膜結構體110而敘述者。
而且，接著劑層314及薄膜結構體315可藉由所述本發明的在基板上形成光學體的方法，使用所述本發明的積層體100而形成在作為基板的顯示板311上。此時，接著劑層314及薄膜結構體315分別相當於在本實施形態的形成方法中所說明的硬化後的接著劑171'及薄膜結構體110。
並且，相機模組310如圖6所示，以與薄膜結構體315相向的方式配置。
另外，本實施形態的裝置的詳細的條件，例如相機模組310的具體的構成、相機模組310與薄膜結構體315之間的距離等並無特別限制。 [實施例]
接下來，列舉實施例及比較例來對本發明進行更具體的說明，但本發明並不限制於下述實施例。 另外，關於實施例及比較例中製作的積層體，依據以下的流程進行了衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗。而且，基於衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗的結果進行了對半切處理的評價。
（衝壓時脫落試驗） 如圖7所示，於積層體100形成5列×4行的20處半切部130，在形成半切部130時，確認半切部130的內側的單面剝離積層體是否脫落。
在衝壓時脫落試驗中，積層體100的外徑設為縱50 mm×橫40 mm。而且，半切部130中，將鄰接的半切部130的中心間的間隔設為9 mm。
形成半切部130時，壓製機、氣缸132及刀131設為如下條件。 ·壓製機壓力：35 kN ·氣缸壓力（圓形內每1根中）：19.7 N ·刀：湯姆森（Thomson）刀 單刃規格 ·壓製機型號：米卡多科技（mikado technos）股份有限公司製造的MKP-150H
（振動後脫落試驗） 對衝壓時脫落試驗中半切部130的內側的單面剝離積層體未脫落的積層體100，進行振動後脫落試驗。振動後脫落試驗是藉由對積層體100施加設想到輸送的振動，確認半切部130的內側的單面剝離積層體是否脫落來進行。
在振動後脫落試驗中，針對被瓦楞紙箱等包裹的積層體100，在如下條件下施加振動。 ·功率譜密度（Power Spectral Density）：5 Hz～50 Hz 1.44[s2/m3] ·總有效值：0.83 G ·振動時間：20分鐘/軸
（半切處理評價） 基於衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗的結果，以以下的基準，進行半切處理的評價。 A：在衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗兩者中均未脫落 B：在衝壓時脫落試驗中未脫落，但在振動後脫落試驗中脫落 C：在衝壓時脫落試驗中脫落
關於如上所述，在衝壓時脫落試驗中未脫落，但在振動後脫落試驗中脫落的積層體100，藉由在振動少的輸送條件下進行輸送，能夠不使所述單面剝離積層體脫落地進行輸送，因此設為B判定而非C判定。
（保持膜的材料） 在進行衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗的積層體中，在保持膜的基底基材中使用了下述材料。另外，下述材料具有4種厚度（50 μm、75 μm、100 μm、125 μm），因此使用了其中任一厚度的薄膜。 ·基底基材：東洋紡股份有限公司製造 考斯茂夏（cosmoshine）A4300 PET膜
而且，在保持膜的微細凹凸層即保持膜所包含的UV硬化性樹脂中使用了下述3種樹脂中的任一樹脂。另外，下述的樹脂1～樹脂3分別是25℃時的儲存彈性係數不同的樹脂，樹脂1的25℃時的儲存彈性係數為4.2 GPa，樹脂2的25℃時的儲存彈性係數為1.1 GPa，樹脂3的25℃時的儲存彈性係數為510 MPa。 ·樹脂1（25℃時的儲存彈性係數：4.2 GPa產品） 東亞合成股份有限公司製造 UVX6366 59% 東亞合成股份有限公司製造 M240 39% 巴斯夫（BASF）日本股份有限公司製造 豔佳固（Irgacure）184 2% ·樹脂2（25℃時的儲存彈性係數：1.1 GPa產品） 東亞合成股份有限公司製造 UVX6366 59% 根上工業股份有限公司製造 UN-6200 34% 大阪有機化學工業股份有限公司製造 比斯克（biscoat）#150（THFA） 5% 巴斯夫（BASF）日本股份有限公司製造 豔佳固（Irgacure）184 2% ·樹脂3（25℃時的儲存彈性係數：510 MPa產品） 東亞合成股份有限公司製造 UVX6366 49% 共榮社科學股份有限公司製造 49% 巴斯夫（BASF）日本股份有限公司製造 豔佳固（Irgacure）184 2%
＜對第一保持膜的基底基材厚度的依存＞ 將第一保持膜120a的基底基材121的厚度設為以下4種厚度，進行了衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗。 ·實施例1： 50 μm ·實施例2： 75 μm ·實施例3： 100 μm ·比較例1： 125 μm
此時，關於第二保持膜120b的基底基材121的厚度、第二保持膜120b的微細凹凸層122的儲存彈性係數及第一保持膜120a的微細凹凸層122的儲存彈性係數，如下般設為共通的條件。 ·第二保持膜的基底基材的厚度： 125 μm ·第二保持膜的微細凹凸層122的儲存彈性係數： 1.1 GPa（使用樹脂2） ·第一保持膜的微細凹凸層122的儲存彈性係數： 4.2 GPa（使用樹脂1）
將針對所述實施例1～實施例3及比較例1而進行的對第一保持膜的基底基材厚度的依存的結果示於下述表1。
[表1]
  實施例1 實施例2 實施例3 比較例1
第二保持膜 基底基材厚度 125 μm 125 μm 125 μm 125 μm
第一保持膜 基底基材厚度 50 μm 75 μm 100 μm 125 μm
第二保持膜 儲存彈性係數 1.1 GPa （樹脂2） 1.1 GPa （樹脂2） 1.1 GPa （樹脂2） 1.1 GPa （樹脂2）
第一保持膜 儲存彈性係數 4.2 GPa （樹脂1） 4.2 GPa （樹脂1） 4.2 GPa （樹脂1） 4.2 GPa （樹脂1）
衝壓時脫落 OK OK OK OK
振動後脫落 OK OK OK NG
半切處理評價 A A A B
表1的「衝壓時脫落」或「振動後脫落」中，「OK」表示未發生脫落，「NG」表示發生了脫落。
如表1所示，在實施例1～實施例3中，衝壓時脫落試驗中的脫落及振動後脫落試驗中的脫落中的任一者均未發生。因此，半切處理評價為A評價，結果良好。認為其原因在於，第一保持膜120a的基底基材121的厚度薄，因此柔軟性充分，在衝壓時第一保持膜120a的變形量少。認為：由於第一保持膜120a的變形量少，因此薄膜結構體110與第二保持膜120b之間的基於錨定效應的密接得到維持，因此，即便是在振動後脫落試驗中，亦未發生脫落。
另一方面，在比較例1中，在衝壓時脫落試驗中雖未發生脫落，但在振動後脫落試驗中發生了脫落。因此，半切處理評價為B評價。認為其原因在於，第一保持膜120a的基底基材121的厚度厚，因此柔軟性不足，在衝壓時第一保持膜120a的變形量大。認為：由於第一保持膜120a的變形量大，因此在衝壓時薄膜結構體110以不發生脫落的程度自第二保持膜120b剝離，薄膜結構體110與第二保持膜120b之間的錨定效應消失，因此在振動後脫落試驗中發生脫落。
＜對第二保持膜的儲存彈性係數的依存＞ 將第二保持膜120b的微細凹凸層122的儲存彈性係數設為以下3種值，進行了衝壓時脫落試驗及振動後脫落試驗。 ·實施例4： 510 MPa（使用樹脂3） ·實施例1： 1.1 GPa（使用樹脂2） ·比較例2： 4.2 GPa（使用樹脂1）
此時，關於第二保持膜120b的基底基材121的厚度、第一保持膜120a基底基材121的厚度及第一保持膜120a的微細凹凸層122的儲存彈性係數，如下般設為共通的條件。 ·第二保持膜的基底基材的厚度： 125 μm ·第一保持膜的基底基材的厚度： 50 μm ·第一保持膜的微細凹凸層的儲存彈性係數：4.2 GPa（使用樹脂1）
將針對所述實施例4、實施例1及比較例2而進行的對第二保持膜的微細凹凸層的儲存彈性係數的依存的結果示於下述表2。
[表2]
  實施例4 實施例1 比較例2
第二保持膜 基底基材厚度 125 μm 125 μm 125 μm
第一保持膜 基底基材厚度 50 μm 50 μm 50 μm
第二保持膜 儲存彈性係數 510 MPa （樹脂3） 1.1 GPa （樹脂2） 4.2 GPa （樹脂1）
第一保持膜 儲存彈性係數 4.2 GPa （樹脂1） 4.2 GPa （樹脂1） 4.2 GPa （樹脂1）
衝壓時脫落 OK OK NG
振動後脫落 OK OK N/A
半切處理評價 A A C
而且，在圖8A中示出比較例2的積層體100的衝壓時脫落試驗後的樣子。如圖8A所示，在比較例2的積層體100中，5列×4行的20處半切部130全部發生了脫落。在圖8B中示出了實施例4的積層體100的衝壓時脫落試驗後的樣子。如圖8B所示，在實施例4的積層體100中，5列×4行的20處半切部130全部未發生脫落。
表2的「衝壓時脫落」或「振動後脫落」中，「OK」表示未發生脫落，「NG」表示發生了脫落。而且，「振動後脫落」中的「N/A」表示由於在衝壓時脫落試驗中發生了脫落，因此未進行其後的振動後脫落試驗。
如表2所示，在實施例4及實施例1中，衝壓時脫落試驗中的脫落及振動後脫落試驗中的脫落中的任一者均未發生。因此，半切處理評價為A評價，結果良好。另一方面，在比較例2中，衝壓時脫落試驗中發生了脫落。因此，半切處理評價為C評價。根據表2中所示的結果，認為若第二保持膜120b的微細凹凸層122的儲存彈性係數為1.1 GPa以下，則可獲得良好的半切處理評價。
根據所述「對第一保持膜的基底基材厚度的依存」及「對第二保持膜的儲存彈性係數的依存」的評價，可發現對積層體100形成半切部130時的較佳的條件。即，第一保持膜120a的基底基材121的厚度較佳為100 μm以下。而且，第二保持膜120b的微細凹凸層122的25℃時的儲存彈性係數較佳為1.1 GPa以下。 [產業上之可利用性]
根據本發明，可提供一種積層體，其在將表面具有微細凹凸結構的薄膜結構體固著於作為被接著體的物體時能夠容易地進行剝離，並且環境試驗耐性得到提升，起伏的發生得到了抑制。而且，根據本發明，可提供一種該積層體的製造方法。進而，根據本發明，可提供一種使用了該積層體的、將防反射性能優異的光學體形成在基板上的方法。進而，根據本發明，可提供一種可獲得色彩不均或重影等的產生得到抑制的攝影影像的相機模組搭載裝置。
100:積層體 100':單面剝離積層體 110、315:薄膜結構體 110-1:第一微細凹凸結構 110-2:第二微細凹凸結構 120a:第一保持膜 120a-1:第三微細凹凸結構 120b:第二保持膜 120b-1:第四微細凹凸結構 121:基底基材 122:微細凹凸層 130:半切部 131:刀 132:氣缸 151:UV硬化性樹脂 160:輥積層機 170:基板 171:接著劑 171':硬化後的接著劑 200:光學體 300:相機模組搭載裝置 310:相機模組 311:顯示板 312:遮光區域 313:透明區域(非遮光區域) 314:接著劑層 A:箭頭 T1:厚度 T2:厚度
圖1是表示本發明的一實施形態的積層體的示意剖面圖。 圖2是表示本發明的一實施形態的積層體的俯視圖。 圖3是表示本發明的一實施形態的積層體的保持膜的示意剖面圖。 圖4A是表示用以製造本發明的一實施形態的積層體的一例方法的一步驟的概要圖。 圖4B是表示用以製造本發明的一實施形態的積層體的一例方法的一步驟的概要圖。 圖4C是表示用以製造本發明的一實施形態的積層體的一例方法的一步驟的概要圖。 圖5A是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖5B是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖5C是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖5D是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖5E是表示本發明的一實施形態的在基板上形成光學體的方法的一步驟的概要圖。 圖6是表示本發明的一實施形態的相機模組搭載裝置的相機模組附近的示意概要圖。 圖7是表示使用本發明的一實施形態的積層體來進行衝壓試驗時的積層體的一例的俯視圖。 圖8A是表示比較例2的積層體的衝壓時脫落試驗後的樣子的圖。 圖8B是表示實施例4的積層體的衝壓時脫落試驗後的樣子的圖。
100:積層體
110:薄膜結構體
110-1:第一微細凹凸結構
110-2:第二微細凹凸結構
120a:第一保持膜
120a-1:第三微細凹凸結構
120b:第二保持膜
120b-1:第四微細凹凸結構
130:半切部
T1:厚度
T2:厚度

Claims (12)

  1. 一種積層體，包括薄膜結構體及保持膜，其中 在所述薄膜結構體的其中一個面上積層第一保持膜，並且在所述薄膜結構體的另一個面上積層第二保持膜， 所述薄膜結構體在與所述第一保持膜接觸的面上具有第一微細凹凸結構，並且在與所述第二保持膜接觸的面上具有第二微細凹凸結構， 所述第一保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第三微細凹凸結構， 所述第二保持膜在與所述薄膜結構體接觸的面上具有第四微細凹凸結構， 所述積層體在厚度方向上具有半切部， 所述第二保持膜包含紫外線硬化性樹脂，所述紫外線硬化性樹脂的25℃時的儲存彈性係數為1.1 GPa以下。
  2. 如請求項1所述的積層體，其中所述第一保持膜的基底基材的厚度為100 μm以下。
  3. 如請求項1或請求項2所述的積層體，其中在依據日本工業標準Z0237：2009的90°剝離試驗中，設所述第一保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P1（N/25 mm），並設所述第二保持膜與所述薄膜結構體的界面處的剝離力為P2（N/25 mm）時，滿足P1＞P2。
  4. 如請求項1至請求項3中任一項所述的積層體，其中所述半切部在所述積層體的俯視中，為圓形狀或多邊形狀。
  5. 如請求項1至請求項4中任一項所述的積層體，其中所述薄膜結構體的厚度為5 μm以下。
  6. 如請求項1至請求項5中任一項所述的積層體，其中所述第一保持膜包含紫外線硬化性樹脂。
  7. 如請求項1至請求項6中任一項所述的積層體，其中所述第三微細凹凸結構是所述第一微細凹凸結構的反轉結構，所述第四微細凹凸結構是所述第二微細凹凸結構的反轉結構。
  8. 如請求項1至請求項7中任一項所述的積層體，其中所述第一微細凹凸結構、所述第二微細凹凸結構、所述第三微細凹凸結構及所述第四微細凹凸結構分別包括具有可見光波長以下的間距的凹凸圖案。
  9. 一種積層體的製造方法，包括在對如請求項1至請求項8中任一項所述的積層體形成所述半切部時，在按壓著所述積層體的狀態下形成所述半切部的步驟。
  10. 一種在基板上形成光學體的方法，其特徵在於，自如請求項1至請求項8中任一項所述的積層體剝離所述第一保持膜及所述第二保持膜，將所述薄膜結構體經由接著劑而積層於基板。
  11. 如請求項10所述的在基板上形成光學體的方法，包括： 第一剝離步驟，在所述半切部的內側，自所述第二保持膜剝離包括所述薄膜結構體及所述第一保持膜的單面剝離積層體，獲得單面剝離積層體； 塗佈步驟，在基板上塗佈接著劑； 按壓步驟，將所述單面剝離積層體以被剝離了所述第二保持膜的一面朝向所述基板的方式按壓至被塗佈的所述接著劑； 硬化步驟，對被按壓著的所述接著劑照射紫外線光，將所述接著劑硬化；以及 第二剝離步驟，解除對所述單面剝離積層體的按壓，使所述薄膜結構體自所述單面剝離積層體剝離，而將包括硬化後的接著劑及所述薄膜結構體的光學體形成在所述基板上。
  12. 一種相機模組搭載裝置，包括： 相機模組及顯示板； 所述顯示板包括積層在其表面的至少一部分上的接著劑層及積層在所述接著劑層上的薄膜結構體， 所述相機模組以與所述薄膜結構體相向的方式設置， 所述薄膜結構體是自如請求項1至請求項8中任一項所述的積層體剝離了所述第一保持膜及所述第二保持膜的薄膜結構體。
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