TW202027134A - 在極紫外線微影應用中從光掩模去除附著特徵 - Google Patents

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Abstract

本揭示的實施例通常提供了用於從光掩模去除用於固持皮層的附著特徵的設備和方法。在一個實施例中，一種用於處理光掩模的附著特徵去除設備包括附著特徵拉拔器和線圈組件，附著特徵拉拔器包括致動器和與致動器耦合的夾具，夾具適於夾持附著特徵，線圈組件設置鄰接於附著特徵。

Description

在極紫外線微影應用中從光掩模去除附著特徵
本揭示的實施例大體係關於用於從光掩模去除附著特徵的製程的方法和設備。特定言之，本揭示的實施例提供了用於微影應用的藉由局部感應加熱從光掩模上的附著特徵去除皮層螺柱的方法和設備。
在積體電路（IC）或晶片的製造中，由晶片設計者產生代表晶片的不同層的圖案。一系列可重複使用的掩模（或光掩模）從該等圖案產生，以便在製造製程期間將每個晶片層的設計轉移到半導體基板上。掩模圖案產生系統使用精密雷射或電子束，將晶片的每個層的設計成像到相應的掩模上。然後，使用掩模與照相底片一樣，將用於每個層的電路圖案轉印到半導體基板上。該等層是使用一系列製程構建的，並且轉化為包括每個完成晶片的微小電晶體和電路。因此，掩模中的任何缺陷可能會轉移到晶片，潛在對效能產生不利影響。足夠嚴重的缺陷可能使得掩模完全無用。典型地，一組15到30個掩模被使用來構建晶片，並且可被重複使用。
隨著關鍵尺寸（CD）的縮小，目前的光學微影在45奈米（nm）技術節點處已接近技術極限。下一代微影（NGL）有望（例如）在32 nm技術節點中及以後取代傳統的光學微影方法。有數個NGL候選者，諸如極紫外線（EUV）微影（EUVL）、電子投影微影（EPL）、離子投影微影（IPL）、奈米壓印和X射線微影。其中，EUVL是最有可能的繼承者，因為EUVL具有光學微影的大部分特性，與其他NGL方法相比，其為較成熟的技術。
典型地，可重複使用一個光掩模（例如，網線），來可再現地印刷數千個基板。典型地，光掩模（例如，網線）典型為玻璃或石英基板，給予具有多個層的膜堆疊，包括設置在其上的光吸收層和不透明層。當執行微影製程時，使用皮層來保護網線免於顆粒污染。皮層是薄透明膜，其允許光和輻射穿過其到網線。皮層是相對便宜、薄、透明、柔性的片，其在掩模的表面上方拉伸並且不接觸掩模的表面。皮層藉由將顆粒從掩模表面機械地分離，來對顆粒污染提供功能性和經濟性的解決方案。在已使用光掩模數個週期並且皮層已變成損壞的或太髒而無法使用後，去除光掩模並替換皮層。
皮層典型地由附著特徵支撐並且固持在網線上。當使用時，附著特徵被用於將皮層固定在光掩模上。然而，當從光掩模替換皮層和附著特徵時，通常會由用於拉下附著特徵的機械力對光掩模造成損壞。此外，在一些情況下，當替換皮層和去除附著特徵時，會使用熱能來軟化附著特徵。然而，此類熱能可能無法避免地損壞光掩模的膜堆疊及/或結構。
因此，在定期使用後，會需要用於替換網線上的皮層和附著特徵的設備和方法。
本揭示的實施例通常提供用於從光掩模去除用於固持皮層的附著特徵的設備和方法。在一個實施例中，用於處理光掩模的附著特徵去除設備包括附著特徵拉拔器和線圈組件，附著特徵拉拔器包括致動器、與致動器耦合的夾具，夾具適於夾持附著特徵，線圈組件設置鄰接於附著特徵。
在另一實施例中，從光掩模去除附著特徵的方法包括以下步驟：定位附著特徵拉拔器以包圍設置在光掩模上的附著特徵；藉由感應加熱來加熱附著特徵；移動附著特徵拉拔器以夾持附著特徵；對附著特徵拉拔器施加機械力；以及從光掩模去除附著特徵。
在又一實施例中，用於處理光掩模的附著特徵去除設備包括與設置在附著特徵去除設備中的致動器耦合的夾具，其中夾具由絕緣材料製成；以及圍繞在夾具中接納的附著特徵設置的線圈組件。
本揭示的實施例通常提供用於從光掩模去除用於固持皮層的附著特徵的設備和方法。附著特徵用於對光掩模固持及/或支撐皮層。附著特徵包括固持皮層的皮層螺柱和附著在皮層螺柱與光掩模之間的粘合層。使用附著特徵去除設備來從光掩模去除附著特徵。在一個實例中，附著特徵去除設備包括具有皮層螺柱夾持器的附著特徵拉拔器，其可經由圍繞皮層螺柱夾持器設置的感應線圈組件提供感應加熱能量。在具有來自皮層螺柱夾持器的感應加熱的情況下，界面處的粘合層可以軟化，從而促進從光掩模有效拉拔皮層螺柱。可將粘合層與皮層螺柱一起從光掩模拉拔，或者根據需要執行額外的粘合層去除製程，以從光掩模去除粘合層。
圖1示意性地圖示了根據本揭示的一個實施例的微影系統100。微影系統100通常包括輻射系統101，輻射系統101配置為產生在微影製程期間使用的輻射束108。微影系統100進一步包括經由波列109與輻射系統101連接的微影設備102。
輻射系統101通常包括輻射源106和投影系統107。在一個實施例中，輻射源106可包括雷射產生的電漿106a和收集鏡106b。在一個實施例中，輻射系統101可配置為產生具有波長在5 nm至20 nm範圍內的極紫外線（EUV）輻射。輻射系統101配置為向微影設備102投射輻射束108以進行微影製程。
微影設備102包括限定內部容積104的主體103。在處理期間，由於在真空狀態下進行處理減少了顆粒污染的可能性，因此可使用泵系統105將內部容積104保持在真空下。微影設備102進一步包括設置在內部容積104中的掩模站110、投影系統119、基板台116和顆粒去除站120。
掩模站110配置為定位光掩模113（例如，網線），其配置為接收和反射輻射束108到投影系統119。光掩模113具有形成在其上的圖案，並且圖案由光掩模113反射在輻射束108中。投影系統119配置為投射輻射束108，並且將圖案傳送到定位在基板台116上的基板118上，基板台116配置為精確定位基板118。本文使用的基板118可以是由晶體矽、摻雜矽或複合矽基板製成的半導體基板，基板包括一種或多種不導電材料、介電材料或取決於應用而設置在其上的導電層。基板118不限於任何特定尺寸或形狀。基板118可以是具有200 mm直徑、300 mm或450 mm直徑的圓形晶圓。基板亦可以是任何多邊形、方形、矩形、彎曲的或其他非圓形的工件，諸如根據需要的玻璃基板。
顆粒去除站120設置在輻射束108的路徑中，並且配置為去除沿著輻射束108行進的碎片和顆粒。在一個實施例中，顆粒去除站120位於掩模站110附近，與去向和來自光掩模113的輻射束108的輸入和輸出路徑相交。
掩模站110包括腔室主體111，腔室主體111具有配置為在處理期間發射輻射束108的快門開口114。光掩模113位於掩模台112上，掩模台112配置為定位光掩模113，以與輻射束108和投影系統119對準。掩模台112可在X-Y方向上移動或相對於輻射束108移動，以便確保光掩模113上的特徵/結構在微影製程期間根據需要暴露於輻射束108。在EUV微影的情況下，因為所有材料對於EUV波長都是不透明的，所以光掩模113直接暴露於輻射束108和內部容積104的周圍而沒有任何保護。然而，可選的快門可以設置在快門開口114中，並且當未進行處理時可以是關閉的。
導電板192設置在掩模站110中，以與光掩模113平行的佈置與光掩模113的前表面193間隔開。導電板192可以是金屬板、金屬環或任何合適的導電結構的形式，具有允許輻射束108穿過其中到光掩模113的前表面193的開口195。導電板192可與腔室主體111的側壁耦合，並且可從掩模站110上去除，以供定期清潔。在一個實施例中，導電板192位於距掩模台約10 mm至約30 mm之間的距離處。藉由電路佈置194將電源190耦合到導電板192。由於光掩模113可在操作期間具有設置在其上的導電材料，因此導電板192和設置在光掩模113上的導電材料可各自充當電極，該等電極可在施加電力時在其間產生電場。電壓V可施加於導電板192，建立產生電位的電場，其可排斥（例如，推）帶電粒子遠離光掩模113的表面193。藉由如此做，可保持光掩模113的前表面193的清潔度。在一個實施例中，電壓V可施加於導電板192，電壓為約50伏特至約500伏特之間。光掩模113可根據需要接地。
掩模站110可以進一步包括掩模轉移機構125，掩模轉移機構125配置為將光掩模113轉移到掩模存放器126和從掩模存放器126轉移光掩模113，掩模存放器126中可以密封狀態存放不同的掩模。
投影系統119包括複數個鏡115，複數個鏡115配置為向基板118反射輻射束108。投影系統119可包括多達10個鏡。投影系統119可包括投影柱（未圖示），投影柱配置為以期望的比率和期望的位置將輻射束108從複數個鏡115投射到基板118。
基板台116通常包括基板支撐件117，基板支撐件117配置為支撐、輸送和旋轉基板118，使得輻射束108能夠投射到複數個晶粒上。
顆粒去除站120配置為去除在輻射束108內行進的任何碎屑顆粒，以保護掩模113、鏡115和基板118。顆粒去除站120可位於輻射束108的路徑中的任何地方。
系統控制器155與計算裝置類似，通常包括中央處理單元（CPU）、記憶體和支援電路。CPU可以是可在工業環境中使用的任何形式的通用電腦處理器之一者。系統控制器155控制微影系統100的操作。支援電路常規地與CPU 138耦合，並且可包括快閃記憶體、時脈電路、輸入/輸出子系統、電源等。軟體常式將CPU轉換為專用電腦（控制器）。軟體常式亦可由遠離微影系統100定位的第二控制器（未圖示）來儲存及/或執行。
圖2描繪了設置在光掩模202（諸如，網線）上的膜堆疊204的細節。光掩模202可類似於可在圖1所描繪的微影系統100處處理的光掩模113。光掩模202包括設置在光掩模202上的膜堆疊204，該膜堆疊204具有所需特徵207形成在其中。在圖2所描繪的示範性實施例中，光掩模202可以是石英基板（亦即，低熱膨脹二氧化矽（SiO2 ））。光掩模202具有矩形形狀，具有側邊長度在約5吋至約9吋之間。光掩模202厚度可為約0.15吋至約0.25吋之間。在一個實施例中，光掩模202厚度為約0.25吋。可根據需要將可選的導電層（未圖示）（例如，含鉻層（諸如，氮化鉻（CrN）層））設置到光掩模202的背表面。
膜堆疊204包括形成在其中的特徵207。要注意的是，圖2至圖7所描繪的特徵207和膜堆疊204僅用於說明目的，因此特徵207和膜堆疊204根據需要可以是任何形式。膜堆疊204包括EUV反射多材料層208和設置在EUV反射多材料層208上的吸收層206。EUV反射多材料層208可包括至少一個鉬層208a和矽層208b。儘管圖2所描繪的實施例圖示了四對的鉬層208a和矽層208b（交替的鉬層208a和矽層208b在光掩模202上重複形成），但要應注意的是，鉬層208a和矽層208b的數量可基於不同的製程需要而變化。在一個特定實施例中，可沉積四十對的鉬層208a和矽層208b，以形成反射多材料層208。在一個實施例中，每個單一鉬層208a的厚度可控制在約1 nm至約10 nm之間（諸如，約2.7 nm），並且每個單一矽層208b的厚度可控制在約1 nm至約10 nm之間（諸如，約4.1 nm）。反射多材料層208總厚度可為約10 nm至約500 nm之間。反射多材料層208在13.5 nm波長下可具有高達70%的EUV光反射率。反射多材料層208的總厚度可為約70 nm至約500 nm之間。
然後，可在反射多材料層208上設置吸收層206。吸收層206是一種不透明且遮光的層，其配置為吸收微影製程期間產生的光的一部分。吸收層206可為單層或多層結構的形式。吸收層206亦可進一步包括設置在體吸收層上的自掩模層。在一個實施例中，吸收層206的總膜厚度為約50 nm至約200 nm之間。吸收層206的總厚度有利地促進滿足低於32 nm技術節點應用中的EUV掩模的嚴格的總蝕刻輪廓公差。
在吸收層206包括設置在體吸收層上的自掩模層的一個實施例中，體吸收層可包括基本上無氧的基於鉭的材料，例如，基於矽化鉭的材料（諸如，TaSi）、基於氮化硼化鉭的材料（諸如，TaBN）和基於氮化鉭的材料（諸如，TaN）。自掩模層可由基於鉭和氧的材料製成。自掩模層的組成與體吸收層的組成相對應，並且當體吸收層包括TaSi或TaSiN時，可包括氧化和氮化的基於鉭和矽的材料（諸如，TaSiON）；當體吸收層包括TaBN時，可包括基於鉭氧化硼的材料（諸如，TaBO）；並且當體吸收層包括TaN時，可包括基於氧化和氮化的鉭的材料（諸如，TaON）。特徵207（亦即，開口）形成在暴露光掩模的膜堆疊204中。
此外，可選地在反射多材料層208與吸收層206之間設置封蓋層（未圖示）。封蓋層可由金屬材料製成，諸如釕（Ru）材料、鋯（Zr）材料或任何其他合適的材料。在圖2所描繪的實施例中，封蓋層為釕（Ru）層。封蓋層厚度為約1 nm至約10 nm之間。
如圖2所示，在光掩模202的預定位置217上形成附著固定件216以支撐皮層214。附著固定件216包括用於固持皮層214的皮層螺柱212和用於協助將皮層螺柱212附著到光掩模202的粘合層210。皮層螺柱212可由任何合適的材料製成，諸如含金屬材料、導電材料、塑膠材料、介電材料或其他適合固持皮層214的材料。在一個實例中，皮層螺柱212是選自由鈦、鋁、不銹鋼、其組合和其合金組成的群組的導電材料。粘合層210可以是任何合適的膠層，諸如環氧樹脂。皮層螺柱212和皮層214之間的界面可包括機械夾持機構，以根據需要將皮層214牢固地附著在皮層螺柱212上。
在圖4所描繪的附著特徵去除製程之前，可藉由任何合適的方式或機構從附著固定件216去除皮層214，如圖3A所示。圖3B描繪了光掩模202的頂視圖。圖3A描繪了沿著圖3B所示的切割線A-A'的截面圖。附著固定件216位於光掩模202的預定位置217（例如，角落）處。儘管圖3B所描繪的實施例圖示了用於設置在其上的附著固定件216的四個位置，但要注意的是，可根據需要使用任何數量的附著固定件216。
圖4描繪了可用於從光掩模202去除附著固定件216的附著特徵去除製程400。圖5A至圖5B描繪了在圖4的附著特徵去除製程400的不同階段的附著特徵去除設備550中的光掩模202的截面圖。要注意的是，為了便於說明，將圖5A至圖5B所描繪的光掩模202和設置在其上的膜堆疊204上下顛倒。
藉由在附著特徵去除設備中提供光掩模202（諸如圖5A所描繪的附著特徵去除設備550），附著特徵去除製程400在操作402處開始。附著特徵去除設備550可提供外殼，外殼具有多於一個附著特徵拉拔器500設置在其中。附著特徵拉拔器500配置為從光掩模202去除皮層螺柱212。可選擇附著特徵拉拔器500的編號，以與要從光掩模202去除的附著固定件216的編號唯一配對。在本文所描繪的實施例中，可使用四個附著特徵拉拔器500（圖5A至圖5B中僅圖示一個），以去除設置在光掩模202的角落的四個附著固定件216（如圖3B所示）。
附著特徵拉拔器500包括致動器502，致動器502與皮層螺柱夾持器504耦合。致動器502可操作為在垂直方向上（或在z方向上）移動皮層螺柱夾持器504。皮層螺柱夾持器504的移動可由致動器502控制在x、y和z方向上。致動器502可協助定位皮層螺柱夾持器504，以將皮層螺柱212容納在適當的座標以供夾持。皮層螺柱夾持器504包括一對側壁510，一對側壁510由底部504連接，形成開口531，開口531適於當操作時接收或容納皮層螺柱212。一對側壁510可在垂直方向上向上延伸，以建立具有寬度518的開口531，寬度518大於皮層螺柱212的寬度，以便將皮層螺柱212可適當地定位在其中，而不會損壞。可在開口531中設置一對夾具506，一對夾具506可分別抵靠一對側壁510（例如，開口531中的側壁510的內壁）致動，以夾持及/或夾住設置在其中的皮層螺柱212。由於皮層螺柱212的大小和尺寸可以不同，因此設置在開口531中的夾具506促進牢固地夾持皮層螺柱212，而同時適應不同的皮層螺柱大小和幾何形狀。
在一個實例中，皮層螺柱夾持器504可由絕緣材料、塑料材料、介電材料或合適的材料製成。在一個實例中，皮層螺柱夾持器504由諸如耐火材料的絕緣體材料製成。夾具506可由任何合適的材料製成，諸如絕緣材料、塑料材料、介電材料或合適的材料。在一個實例中，夾具506由選自由陶瓷、耐火材料和高溫纖維組成的組的絕緣體材料製成。
線圈組件508可圍繞皮層螺柱夾持器504的側壁510（例如，側壁510的外壁）設置。線圈組件508包括具有一個或多個螺旋繞組的圓柱形感應線圈。要注意的是，線圈的繞組以串聯方式電性連接。或者，線圈組件508可定位在靠近皮層螺柱212的任何地方，以便當操作時對皮層螺柱212提供熱能。
當向線圈組件508供電（例如，經由電源對其施加電壓）時，線圈內部的電流可藉由皮層螺柱212中的感應電流在皮層螺柱212內部產生熱量。感應加熱通常不會將熱量傳送到絕緣體部件，諸如皮層螺柱夾持器504和夾具506。線圈主要在設置在皮層螺柱夾持器504的開口531中的皮層螺柱212中產生感應熱（例如，未與皮層螺柱212實體接觸）。從線圈組件508產生的感應加熱通常加熱導電物體，諸如來自皮層螺柱212的導電材料。藉由利用由在線圈組件508中流動的電流產生的電磁場，藉由感應在皮層螺柱212內部產生熱量，而不是直接熱接觸皮層螺柱212。藉由如此做，與皮層螺柱212耦合的粘合層210可在皮層螺柱212附近的區域中被快速加熱並且在相對高的溫度條件下快速熔化，從而在粘合層210與光掩模202之間產生鬆開或軟化的界面，或者在粘合層210與皮層螺柱212之間的界面。當粘合層210的界面軟化或鬆開時，然後可從致動器502施加相對低的機械力，從而致動皮層螺柱夾持器504，以從光掩模202拉拔皮層螺柱212（如圖5B所描繪的箭號602所示）。致動器502將皮層螺柱夾持器504向上移動至圖5A所示的位置。隨後，致動器502向下移動皮層螺柱夾持器504，將皮層螺柱夾持器504與皮層螺柱212一起垂直向下拉拔到遠離光掩模202的位置（如圖5B所示）。藉由感應將熱量傳送到皮層螺柱212，以使粘合層210處於允許將皮層螺柱212容易地從光掩模202去除的情況（亦即，軟化或熔化）。一旦粘合層210在皮層螺柱212和粘合層210的界面附近熔化，產生軟化或鬆動的界面，皮層螺柱212就變得與光掩模202分離。然後，當由皮層螺柱夾持器504向下拉拔皮層螺柱212時，皮層螺柱212被輕易地去除，而沒有損壞。因此，線圈組件508可定位成靠近皮層螺柱夾持器504或靠近皮層螺柱212的任何合適的位置，以便當操作時經由感應加熱對皮層螺柱212提供熱能。
系統控制器556與計算裝置類似，通常包括中央處理單元（CPU）、記憶體和支援電路。系統控制器556用於控制附著特徵去除設備550的操作。CPU可以是可在工業環境中使用的任何形式的通用電腦處理器之一者。支援電路常規地與CPU耦合，並且可包括快閃記憶體、時脈電路、輸入/輸出子系統、電源等。軟體常式將CPU轉換為特定用途的電腦（控制器）。軟體常式亦可由遠離附著特徵去除設備550定位的第二控制器（未圖示）來儲存及/或執行。
在可選操作404中，光掩模202可保持在高溫下，諸如高於攝氏50度但低於攝氏150度，諸如攝氏80度與攝氏120度之間。可根據需要將光掩模202定位在加熱裝置555上，諸如設置在附著特徵去除設備550中的固化板、加熱板或任何合適的加熱裝置。或者，附著特徵去除設備550可用作加熱裝置，諸如能夠提供熱能的烘箱或外殼，其可對光掩模202提供溫和的熱能。與需要在高溫環境中加熱光掩模202（諸如將光掩模加熱到溫度範圍大於攝氏300度）的傳統做法不同，附著特徵去除設備550中對光掩模202的溫和的溫度升高可在不損壞設置在光掩模202上的特徵218、207和膜堆疊204的情況下平緩地協助軟化或熔化粘合層210。因此，在附著特徵去除製程400期間將光掩模202保持在相對低的溫度範圍內（諸如，小於250度）可大大減少或甚至消除由皮層螺柱拉拔製程引起的損壞的可能性。
如上所述，在操作406，將功率施加到圍繞皮層螺柱夾持器504設置的線圈組件508。施加到線圈組件508的功率可在線圈組件508中產生電流，從而在皮層螺柱212內部產生感應加熱。此種熱量可將熱通量傳送到粘合層210，以局部加熱粘合層210，以便藉由從加熱的皮層螺柱212提供的熱量軟化在皮層螺柱212與粘合層210之間的界面。
在操作408，一旦在皮層螺柱212與粘合層210之間的界面處的粘合層210被來自加熱的皮層螺柱212的快速熱能以及（若有）來自附著特徵去除設備550的熱能軟化，然後就將皮層螺柱夾持器504對準到夾持皮層螺柱212的位置，並且可對致動器502施加機械力，以使用皮層螺柱夾持器504從光掩模202拉拔皮層螺柱212。
在圖6所描繪的實例中，僅從光掩模202去除了皮層螺柱212，而粘合層210保留在光掩模202上。因此，如圖7所示，可能需要額外的清潔製程或粘合去除製程，來從光掩模202去除粘合層210。在一些實例中，如圖7所示，當來自致動器的機械力足夠強而能夠從光掩模202拉拔皮層螺柱212和粘合層210時，可根據需要消除額外的粘合去除製程。
儘管根據本揭示只描述了微影製程，但本揭示的實施例可應用於任何合適的製程和需要從物體上去除附著特徵的任何適當的處理工具中。
因此，本揭示的實施例通常提供從光掩模去除附著特徵的設備和方法。該等方法和設備藉由經由圍繞皮層螺柱夾持器設置的感應線圈來供給的感應加熱能量，有利地從光掩模去除附著特徵，以便軟化在附著特徵與光掩模之間的界面，從而協助從光掩模拉拔附著特徵。因此，本文提供的方法和設備有利地促進適合在EUV技術中使用的光掩模的製造。
儘管前述內容針對本揭示的實施例，但是在不脫離本揭示的基本範疇的情況下，可設計本揭示的其他和進一步的實施例，並且本揭示的範疇由所附申請專利範圍確定。
100:微影系統 101:輻射系統 102:微影設備 103:主體 104:內部容積 105:泵系統 106:輻射源 106a:電漿 106b:收集鏡 107:投影系統 108:輻射束 109:波列 110:掩模站 111:腔室主體 112:掩模台 113:光掩模 114:快門開口 115:鏡 116:基板台 117:基板支撐件 118:基板 119:投影系統 120:顆粒去除站 125:掩模轉移機構 126:掩模存放器 138:CPU 155:系統控制器 190:電源 192:導電板 193:表面 194:電路佈置 195:開口 202:光掩模 204:膜堆疊 206:吸收層 207:特徵 208:反射多材料層 208a:鉬層 208b:矽層 210:粘合層 212:皮層螺柱 214:皮層 216:附著固定件 217:預定位置 218:特徵 400:附著特徵去除製程 402:操作 404:操作 406:操作 408:操作 500:附著特徵拉拔器 502:致動器 504:皮層螺柱夾持器 506:夾具 508:線圈組件 510:側壁 512 514 516 518:寬度 531:開口 550:附著特徵去除設備 555:加熱裝置 556:系統控制器 602:箭號
因此，可以詳細地理解本揭示的實施例中的上述特徵的方式，可以藉由參考實施例，對上文簡述的本揭示進行更特定的描述，其中一些實施例在附圖中圖示。然而，應注意的是，附圖僅圖示本揭示的典型實施例，而因此不被視為限制其範疇，因為本揭示可以承認其他等效的實施例。
圖1示意性地圖示了根據本揭示的一個實施例的微影系統；
圖2示意性地圖示了可以在圖1的微影系統中使用的光掩模的截面圖；
圖3A示意性地圖示了圖2的光掩模在從光掩模去除皮層後的截面圖；
圖3B圖示了圖2的光掩模在從光掩模去除皮層後的俯視圖；
圖4描繪了用於從網線去除附著固定件的附著特徵去除製程的流程圖；
圖5A至圖5B圖示了在圖4的去除製程的不同階段期間的光掩模的截面圖；
圖6圖示了光掩模在從光掩模去除皮層螺柱後的截面圖；以及
圖7圖示了光掩模在從光掩模去除粘合層後的截面圖。
為了便於理解，已在可能的地方使用了相同的元件符號來表示圖中共有的相同元件。可以預期的是，一個實施例中揭示的元件可以在沒有特定記載的情況下有益地用於其他實施例。
國內寄存資訊(請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無 國外寄存資訊(請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無
202:光掩模
204:膜堆疊
206:吸收層
208:反射多材料層
210:粘合層
212:皮層螺柱
216:附著固定件
218:特徵
500:附著特徵拉拔器
502:致動器
504:皮層螺柱夾持器
506:夾具
508:線圈組件
510:側壁
512
514
516
518:寬度
531:開口
550:附著特徵去除設備
555:加熱裝置
556:系統控制器

Claims (20)

  1. 一種用於處理一光掩模的附著特徵去除設備，包括： 一附著特徵拉拔器，該附著特徵拉拔器進一步包括： 一致動器； 一夾具，該夾具與該致動器耦合，該夾具適於夾持一附著特徵；及 一線圈組件，該線圈組件設置鄰接於該附著特徵。
  2. 如請求項1所述之附著特徵去除設備，其中該附著特徵拉拔器進一步包括： 一皮層螺柱夾持器，其中該夾具耦合於該皮層螺柱夾持器中界定的一開口中。
  3. 如請求項2所述之附著特徵去除設備，其中該皮層螺柱夾持器進一步包括： 一對側壁，該對側壁由一底部連接，其中該開口界定在該對側壁之間。
  4. 如請求項1所述之附著特徵去除設備，其中該皮層螺柱夾持器由一絕緣材料製成。
  5. 如請求項4所述之附著特徵去除設備，其中該導電材料由耐火材料製成。
  6. 如請求項3所述之附著特徵去除設備，其中該夾具設置抵靠該皮層螺柱夾持器的該等側壁。
  7. 如請求項1所述之附著特徵去除設備，該夾具由一耐火材料製成。
  8. 如請求項1所述之附著特徵去除設備，其中該附著特徵拉拔器設置在包括一加熱裝置的一附著特徵去除設備中。
  9. 如請求項8所述之附著特徵去除設備，其中該附著特徵去除設備包括一加熱板。
  10. 如請求項8所述之附著特徵去除設備，其中該附著特徵去除設備包括一個或多個附著特徵拉拔器。
  11. 一種用於從一光掩模去除一附著特徵的方法，包括以下步驟： 定位一附著特徵拉拔器以包圍設置在一光掩模上的一附著特徵； 藉由感應加熱來加熱該附著特徵； 移動該附著特徵拉拔器以夾持附著特徵； 對該附著特徵拉拔器施加一機械力；及 從該光掩模去除該附著特徵。
  12. 如請求項11所述之方法，其中該附著特徵進一步包括設置在一粘合層上的一皮層螺柱，該粘合層設置在該光掩模上。
  13. 如請求項11所述之方法，其中加熱該附著特徵的步驟進一步包括以下步驟： 將功率施加到設置在該附著特徵拉拔器附近的一線圈組件。
  14. 如請求項13所述之方法，其中該線圈組件圍繞該附著特徵設置。
  15. 如請求項13所述之方法，進一步包括以下步驟： 軟化在該附著特徵中的一粘合層。
  16. 如請求項11所述之方法，其中定位該附著特徵拉拔器的步驟進一步包括以下步驟： 對該光掩模提供一加熱能量。
  17. 如請求項16所述之方法，進一步包括以下步驟： 保持一光掩模溫度小於攝氏150度。
  18. 如請求項11所述之方法，其中對該附著特徵拉拔器施加該機械力的步驟進一步包括以下步驟： 致動設置在該附著特徵拉拔器中的一致動器。
  19. 如請求項11所述之方法，其中定位該附著特徵拉拔器的步驟進一步包括以下步驟： 藉由設置在該附著特徵拉拔器中的一皮層螺柱夾持器來夾持該附著特徵。
  20. 一種用於處理一光掩模的附著特徵去除設備，包括： 一夾具，該夾具與設置在一附著特徵去除設備中的一致動器耦合，其中該夾具由一絕緣材料製成；及 一線圈組件，該線圈組件圍繞在該夾具中接納的一附著特徵設置。
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