JP2022517511A - 極端紫外線リソグラフィ用途におけるフォトマスクからの取付具取り外し - Google Patents

極端紫外線リソグラフィ用途におけるフォトマスクからの取付具取り外し Download PDF

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Abstract

本開示の実施形態は、概して、ペリクルを保持するために利用される取付具をフォトマスクから取り外すための装置および方法を提供する。一実施形態では、フォトマスクを処理するための取付具取り外し装置は、アクチュエータ、アクチュエータに連結されたクランプであって、取付具を把持するように適合されたクランプ、および取付具に隣接して配置されたコイルアセンブリ、を備える取付具プーラーを含む。【選択図】図５Ａ

Description

［０００１］本開示の実施形態は、一般に、フォトマスクからの取付具取り外しプロセスのための方法および装置に関する。詳細には、本開示の実施形態は、リソグラフィ用途のための局所誘導加熱によるフォトマスク上の取付具からのペリクルスタッド取り外しのための方法および装置を提供する。
［０００２］集積回路（ＩＣ）またはチップの製造では、チップの様々な層を表すパターンが、チップ設計者によって作製される。一組の再使用可能なマスク、すなわちフォトマスクが、製造プロセス中に各チップ層のデザインを半導体基板上に転写するために、これらのパターンから作製される。マスクパターン生成システムが、精密レーザーまたは電子ビームを使用して、チップの各層のデザインをそれぞれのマスク上に画像化する。次に、マスクが、写真のネガのように使用され、各層の回路パターンを半導体基板上に転写する。これらの層が、一連のプロセスを使用して積み重ねられ、完成した各チップを構成する小さなトランジスタと電気回路に変換される。したがって、マスクの欠陥が、チップに転写され、性能に悪影響を与える可能性がある。十分なほどに深刻な欠陥があると、マスクが完全に役に立たなくなる可能性がある。通常、チップを構築するために１５～３０個のマスクのセットが使用され、これらは繰り返し使用することができる。
［０００３］限界寸法（ＣＤ）の縮小に伴い、現在の光リソグラフィは、４５ナノメートル（ｎｍ）の技術ノードで技術的限界に近づいている。次世代リソグラフィ（ＮＧＬ）が、例えば３２ｎｍ技術ノード以降で、従来の光リソグラフィ法に取って代わることが期待されている。極端紫外線（ＥＵＶ）リソグラフィ（ＥＵＶＬ）、電子投影リソグラフィ（ＥＰＬ）、イオン投影リソグラフィ（ＩＰＬ）、ナノインプリント、Ｘ線リソグラフィなどの、いくつかのＮＧＬ候補がある。これらの中で、ＥＵＶＬは、光リソグラフィの特性のほとんどを持っており、他のＮＧＬ法と比較してより成熟した技術であるという事実のために、最も可能性の高い後継技術である。
［０００４］通常、１つのフォトマスク、例えばレチクルは、何千もの基板を再現性をもってプリントするために繰り返し使用され得る。通常、フォトマスク、例えばレチクルは、その上に配置された光吸収層および不透明層を含む複数の層を有する膜スタックを与えるガラスまたは石英基板である。フォトリソグラフィプロセスを実行している間、粒子汚染からレチクルを保護するためにペリクルが使用される。ペリクルは、薄い透明な膜であり、光と放射線が通過してレチクルに達することができる。ペリクルは、比較的安価で、薄く、透明で、柔軟性のあるシートであり、マスクの表面より上に張られており、マスクの表面に接触していない。ペリクルは、マスク表面から粒子を機械的に隔てることにより、粒子汚染に対する機能的かつ経済的な解決策を提供する。フォトマスクを何サイクルも使用して、ペリクルが損傷したり汚れすぎて使用できなくなった後に、フォトマスクを取り外してペリクルを交換する。
［０００５］ペリクルは通常、取付具によってレチクル上に支持および保持される。取付具は、使用時にフォトマスクにペリクルを固定するために使用される。しかしながら、フォトマスクからペリクルと取付具を交換するときに、取付具を引っ張って取り外すために利用される機械的な力によってフォトマスクに損傷が生じることがよくある。さらに、場合によっては、ペリクルを交換し、取付具を取り外すときに、取付具を軟化させるために、熱エネルギーが使用される。しかしながら、そのような熱エネルギーは、必然的に、膜スタックおよび／またはフォトマスクの構造を損傷する可能性がある。
［０００６］したがって、定期的な使用後にレチクル上のペリクルおよび取付具を交換するための装置および方法が必要である。
［０００７］本開示の実施形態は、概して、ペリクルを保持するために利用される取付具をフォトマスクから取り外すための装置および方法を提供する。一実施形態では、フォトマスクを処理するための取付具取り外し装置は、アクチュエータ、アクチュエータに連結されたクランプであって、取付具を把持するように適合されたクランプ、および取付具に隣接して配置されたコイルアセンブリを含む取付具プーラーを含む。
［０００８］別の実施形態では、フォトマスクから取付具を取り外す方法は、フォトマスク上に配置された取付具を囲むように取付具プーラーを位置決めすることと、誘導加熱によって取付具を加熱することと、取付具を把持するように取付具プーラーを移動させることと、取付具プーラーへ機械的な力を加えることと、フォトマスクから取付具を取り外すことと、を含む。
［０００９］さらに別の実施形態では、フォトマスクを処理するための取付具取り外し装置は、取付具取り外し装置に配置されたアクチュエータに連結されたクランプであって、絶縁材料から製造されたクランプと、クランプに受け取られた取付具の周りに配置されたコイルアセンブリと、を含む。
［００１０］本開示の実施形態の上記の特徴が、詳細に理解されるように、上記で簡単に要約された本開示のより具体的な説明が、実施形態を参照することによって得られ、そのいくつかが、添付の図面に示されている。しかしながら、添付の図面は、本開示の典型的な実施形態のみを示し、したがって、その範囲を限定すると見なされるべきではなく、本開示は、他の同等に有効な実施形態を認めることができることに留意されたい。
本開示の一実施形態によるリソグラフィシステムを概略的に示す。 図１のリソグラフィシステムで使用され得るフォトマスクの断面図を概略的に示す。 ペリクルがフォトマスクから取り外された後の図２のフォトマスクの断面図を概略的に示す。 ペリクルがフォトマスクから取り外された後の図２のフォトマスクの上面図を示す。 レチクルから取付具を取り外すための取付具取り外しプロセスのフローチャートを示す。 図４の取り外しプロセスの異なる段階中のフォトマスクの断面図を示す。 図４の取り外しプロセスの異なる段階中のフォトマスクの断面図を示す。 ペリクルスタッドがフォトマスクから取り外された後のフォトマスクの断面図を示す。 接着層がフォトマスクから除去された後のフォトマスクの断面図を示す。
［００１９］理解を容易にするために、可能な場合は、図に共通する同一の要素を示すために、同一の参照番号が使用されている。一実施形態で開示された要素は、特定の列挙なしに他の実施形態で有益に利用され得ることが企図される。
［００２０］本開示の実施形態は、概して、ペリクルを保持するために利用される取付具をフォトマスクから取り外すための装置および方法を提供する。取付具は、ペリクルをフォトマスクに保持および／または支持するために利用される。取付具は、ペリクルを保持するペリクルスタッドと、ペリクルスタッドとフォトマスクとの間に取り付けられた接着層とを含む。取付具取り外し装置が、フォトマスクから取付具を取り外すために利用される。一例では、取付具取り外し装置は、ペリクルスタッドグリッパの周りに配置された誘導コイルアセンブリを介して誘導加熱エネルギーを提供することができるペリクルスタッドグリッパを有する取付具プーラーを含む。ペリクルスタッドグリッパからの誘導加熱により、接合部の接着層を軟化させることができ、したがって、フォトマスクからペリクルスタッドを効率的に引っ張ることが容易になる。接着層は、ペリクルスタッドとともにフォトマスクから引っ張り取られてもよいし、または必要に応じて、追加の接着層除去プロセスを実行して、フォトマスクから接着層を除去してもよい。
［００２１］図１は、本開示の一実施形態によるリソグラフィシステム１００を概略的に示している。リソグラフィシステム１００は、一般に、リソグラフィプロセス中に使用される放射線ビーム１０８を生成するように構成された放射線システム１０１を備える。リソグラフィシステム１００は、波トレーン１０９を介して放射線システム１０１に関連するリソグラフィ装置１０２をさらに備える。
［００２２］放射線システム１０１は、一般に、放射線源１０６および投影システム１０７を備える。一実施形態では、放射線源１０６は、レーザー生成プラズマ１０６ａおよび収集ミラー１０６ｂを備え得る。一実施形態では、放射線システム１０１は、５ｎｍから２０ｎｍの範囲の波長を有する極端紫外線（ＥＵＶ）放射を生成するように構成され得る。放射線システム１０１は、リソグラフィプロセスのために、放射線ビーム１０８をリソグラフィ装置１０２に向けて投射するように構成される。
［００２３］リソグラフィ装置１０２は、内部空間１０４を画定する本体１０３を備える。真空状態での処理は粒子汚染の可能性を低減するので、処理中、内部空間１０４は、ポンプシステム１０５を使用して真空に維持され得る。リソグラフィ装置１０２は、マスクステーション１１０、投影システム１１９、基板ステージ１１６、および粒子除去ステーション１２０をさらに備え、これらは、内部空間１０４に配置されている。
［００２４］マスクステーション１１０は、放射線ビーム１０８を受けて投影システム１１９に反射するようにフォトマスク１１３（例えば、レチクル）を位置決めするように構成される。フォトマスク１１３は、その上に形成されたパターンを有し、パターンは、フォトマスク１１３によって放射線ビーム１０８に反映される。投影システム１１９は、放射線ビーム１０８を投射し、基板１１８を正確に位置決めするように構成された基板ステージ１１６上に位置決めされた基板１１８にパターンを伝達するように構成される。本明細書で利用される基板１１８は、用途に応じて、結晶シリコン、ドープトシリコン、または複合シリコン基板であって、その上に配置された１つ以上の非導電性材料、誘電体材料もしくは導電層を含む複合シリコン基板から製造された半導体基板であり得る。基板１１８は、特定のサイズまたは形状に限定されない。基板１１８は、２００ｍｍの直径、３００ｍｍ、または４５０ｍｍの直径を有する丸いウェハであり得る。基板はまた、必要に応じてガラス基板などの、任意の多角形の、正方形の、長方形の、湾曲した、またはその他の非円形のワークピースであり得る。
［００２５］粒子除去ステーション１２０が、放射線ビーム１０８の経路に配置され、放射線ビーム１０８に沿って移動するデブリおよび粒子を除去するように構成される。一実施形態では、粒子除去ステーション１２０は、マスクステーション１１０の近くに配置され、フォトマスク１１３への放射線ビーム１０８の入力経路およびフォトマスク１１３からの放射線ビーム１０８の出力経路と交差する。
［００２６］マスクステーション１１０は、処理中に放射線ビーム１０８を通すように構成されたシャッター開口部１１４を有するチャンバ本体１１１を備える。フォトマスク１１３は、放射線ビーム１０８および投影システム１１９と位置合わせされるようにフォトマスク１１３を位置決めするように構成されたマスクステージ１１２上に位置決めされる。マスクステージ１１２は、リソグラフィプロセス中に必要に応じてフォトマスク１１３上のフィーチャ／構造が放射線ビーム１０８に確実に曝露されるように、Ｘ－Ｙ方向に移動するか、または放射線ビーム１０８に対して移動することができる。ＥＵＶリソグラフィの場合、全ての材料がＥＵＶ波長に対して不透明であるので、フォトマスク１１３は、保護なしに、放射線ビーム１０８および内部空間１０４の雰囲気に直接曝露される。しかしながら、任意選択のシャッターが、シャッター開口部１１４に配置されて、処理中でない間は閉じられてもよい。
［００２７］導電性プレート１９２が、フォトマスク１１３と平行な配置で、フォトマスク１１３の前面１９３から離間してマスクステーション１１０内に配置されている。導電性プレート１９２は、放射線ビーム１０８が通過してフォトマスク１１３の前面１９３に到ることを可能にする開口部１９５を有する金属プレート、金属リング、または任意の適切な導電性構造の形態であり得る。導電性プレート１９２は、チャンバ本体１１１の側壁に連結させることができ、定期的な洗浄のためにマスクステーション１１０から取り外し可能である。一実施形態では、導電性プレート１９２は、マスクステージへ約１０ｍｍから約３０ｍｍの間の距離１１０に配置される。電源１９０が、回路装置１９４によって導電性プレート１９２に連結されている。フォトマスク１１３は、その上に配置された導電性材料を、動作中に有し得るので、導電性プレート１９２およびフォトマスク１１３上に配置された導電性材料はそれぞれ、電力を印加するとそれらの間に電場を生成し得る電極として機能し得る。電圧Ｖが、導電性プレート１９２に印加されて、電位を生成する電場を確立することができ、フォトマスク１１３の表面１９３から帯電粒子をはじく（例えば、押しのける）ことができる。そうすることにより、フォトマスク１１３の前面１９３の清浄度を維持することができる。一実施形態では、電圧Ｖは、約５０ボルトから約５００ボルトの間で導電性プレート１９２に印加され得る。フォトマスク１１３は、必要に応じて接地することができる。
［００２８］マスクステーション１１０は、密封された状態で種々のマスクが格納され得るマスク保管装置１２６との間でフォトマスク１１３を移送するように構成されたマスク移送機構１２５をさらに備え得る。
［００２９］投影システム１１９は、放射線ビーム１０８を基板１１８に向けて反射するように構成された複数のミラー１１５を備える。投影システム１１９は、最大１０個のミラーを備え得る。投影システム１１９は、放射線ビーム１０８を複数のミラー１１５から基板１１８に所望の比率および所望の位置で投射するように構成された投射カラム（図示せず）を備え得る。
［００３０］基板ステージ１１６は、一般に、基板１１８を支持、平行移動、および回転させて、放射線ビーム１０８が複数のダイに投射されることを可能にするように構成された基板支持体１１７を備える。
［００３１］粒子除去ステーション１２０は、マスク１１３、ミラー１１５、および基板１１８を保護するために、放射線ビーム１０８内を移動するデブリ粒子を除去するように構成される。粒子除去ステーション１２０は、放射線ビーム１０８の経路のどこに配置されてもよい。
［００３２］システムコントローラ１５５は、コンピューティングデバイスのように、一般に、中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、およびサポート回路を含む。ＣＰＵは、産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであり得る。システムコントローラ１５５は、リソグラフィシステム１００の動作を制御する。サポート回路は、従来通り、ＣＰＵ１３８に連結されており、キャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源などを含み得る。ソフトウェアルーチンが、ＣＰＵを特定の目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。ソフトウェアルーチンはまた、リソグラフィシステム１００から離れて配置された第２のコントローラ（図示せず）によって格納および／または実行されてもよい。
［００３３］図２は、レチクルなどのフォトマスク２０２上に配置された膜スタック２０４の詳細を示している。フォトマスク２０２は、図１に示されたリソグラフィシステム１００で処理され得るフォトマスク１１３と同様であり得る。フォトマスク２０２は、膜スタック２０４であって、その中に形成された所望のフィーチャ２０７を有する、フォトマスク２０２上に配置された膜スタック２０４を含む。図２に示される例示的な実施形態では、フォトマスク２０２は、石英基板（すなわち、低熱膨張二酸化ケイ素（ＳｉＯ２））であり得る。フォトマスク２０２は、長さが約５インチから約９インチの間の辺を有する長方形の形状を有する。フォトマスク２０２は、約０．１５インチから約０．２５インチの間の厚さであり得る。一実施形態では、フォトマスク２０２は、約０．２５インチの厚さである。任意選択の導電層（図示せず）、例えば、窒化クロム（ＣｒＮ）層などのクロム含有層が、必要に応じてフォトマスク２０２の裏面に配置されてもよい。
［００３４］膜スタック２０４は、その中に形成されたフィーチャ２０７を含む。図２～図７に示されるフィーチャ２０７および膜スタック２０４は、例示のみを目的としており、フィーチャ２０７および膜スタック２０４は、必要に応じて任意の形態であり得ることに留意されたい。膜スタック２０４は、ＥＵＶ反射複数材料層２０８と、ＥＵＶ反射複数材料層２０８上に配置された吸収体層２０６とを含む。ＥＵＶ反射複数材料層２０８は、少なくとも１つのモリブデン層２０８ａおよびシリコン層２０８ｂを含み得る。図２に示す実施形態は、４対のモリブデン層２０８ａとシリコン層２０８ｂ（交互のモリブデン層２０８ａとシリコン層２０８ｂが、フォトマスク２０２上に繰り返し形成されている）を示しているが、モリブデン層２０８ａとシリコン層２０８ｂの数は、異なるプロセス要求に基づいて変えることができることに留意されたい。１つの特定の実施形態では、４０対のモリブデン層２０８ａとシリコン層２０８ｂを堆積させて、反射複数材料層２０８を形成することができる。一実施形態では、各単一のモリブデン層２０８ａの厚さは、約１ｎｍから約１０ｎｍの間、例えば、約２．７ｎｍに制御され得、各単一のシリコン層２０８ｂの厚さは、約１ｎｍから約１０ｎｍの間、例えば、約４．１ｎｍに制御され得る。反射複数材料層２０８は、約１０ｎｍから約５００ｎｍの間の総厚さを有し得る。反射複数材料層２０８は、１３．５ｎｍの波長で最大７０％のＥＵＶ光反射率を有し得る。反射複数材料層２０８は、約７０ｎｍから約５００ｎｍの間の総厚さを有し得る。
［００３５］次に、吸収体層２０６を反射複数材料層２０８上に配置することができる。吸収体層２０６は、リソグラフィプロセス中に生成された光の一部を吸収するように構成された不透明な遮光層である。吸収体層２０６は、単層または多層構造の形態であり得る。吸収体層２０６はまた、バルク吸収体層上に配置された自己マスク層をさらに含み得る。一実施形態では、吸収体層２０６は、約５０ｎｍから約２００ｎｍの間の総膜厚を有する。吸収体層２０６の総厚さは、サブ３２ｎｍ技術ノード用途におけるＥＵＶマスクの厳しい全体的なエッチングプロファイル公差を満たすことを有利に容易にする。
［００３６］バルク吸収体層上に配置された自己マスク層を吸収体層２０６が含む一実施形態では、バルク吸収体層は、本質的に酸素を含まないタンタル系材料、例えば、ＴａＳｉなどのケイ化タンタル系材料、ＴａＢＮなどの窒素化ホウ化タンタル系材料、およびＴａＮなどの窒化タンタル系材料を含み得る。自己マスク層は、タンタルおよび酸素系材料から製造することができる。自己マスク層の組成は、バルク吸収体層の組成に対応し、バルク吸収体層がＴａＳｉまたはＴａＳｉＮを含む場合、ＴａＳｉＯＮなどの酸化および窒素化タンタルおよびケイ素系材料を、バルク吸収体層がＴａＢＮを含む場合、ＴａＢＯなどのタンタル酸化ホウ素系材料を、バルク吸収体層がＴａＮを含む場合、ＴａＯＮなどの酸化および窒素化タンタル系材料を含み得る。フィーチャ２０７（すなわち、開口部）が、膜スタック２０４に形成されて、フォトマスクを露出させる。
［００３７］さらに、キャッピング層（図示せず）が、任意選択で、反射複数材料層２０８と吸収体層２０６との間に配置され得る。キャッピング層は、ルテニウム（Ｒｕ）材料、ジルコニウム（Ｚｒ）材料などの金属材料、または他の任意の適切な材料から製造することができる。図２に示される実施形態では、キャッピング層は、ルテニウム（Ｒｕ）層である。キャッピング層は、約１ｎｍから約１０ｎｍの間の厚さを有する。
［００３８］図２に示すように、フォトマスク２０２の所定の位置２１７において、取付具２１６が、その上に形成されて、ペリクル２１４を支持する。取付具２１６は、ペリクル２１４を保持するために利用されるペリクルスタッド２１２と、ペリクルスタッド２１２をフォトマスク２０２に取り付けるのを支援するために利用される接着層２１０とを含む。ペリクルスタッド２１２は、金属含有材料、導電性材料、プラスチック材料、誘電体材料、またはペリクル２１４を保持するのに適した他の材料などの任意の適切な材料で作ることができる。一例では、ペリクルスタッド２１２は、チタン、アルミニウム、ステンレス鋼、それらの組み合わせ、およびそれらの合金からなる群から選択された導電性材料である。接着層２１０は、エポキシなどの任意の適切な接着剤層であり得る。ペリクルスタッド２１２とペリクル２１４との間の接合部は、必要に応じて、ペリクル２１４をペリクルスタッド２１２にしっかりと取り付けるのを支援するための機械的クランプ機構を含み得る。
［００３９］図４に示される取付具取り外しプロセスの前に、ペリクル２１４は、任意の適切な方法または機構によって、図３Ａに示されるように、取付具２１６から取り外されてもよい。図３Ｂは、フォトマスク２０２の上面図を示している。図３Ａは、図３Ｂに示される切断線Ａ－Ａ’に沿った断面図を示している。取付具２１６は、フォトマスク２０２の所定の位置２１７（例えば、コーナー）に配置されている。図３Ｂに示される実施形態は、取付具２１６が配置された４つの位置を示しているが、必要に応じて、任意の数の取付具２１６を利用できることに留意されたい。
［００４０］図４は、フォトマスク２０２から取付具２１６を取り外すために利用され得る取付具取り外しプロセス４００を示している。図５Ａ～図５Ｂは、図４の取付具取り外しプロセス４００の異なる段階における、取付具取り外し装置５５０内のフォトマスク２０２の断面図を示す。図５Ａ～図５Ｂに示されるフォトマスク２０２およびその上に配置された膜スタック２０４は、説明を容易にするために、逆さまの位置にひっくり返されていることに留意されたい。
［００４１］取付具取り外しプロセス４００は、図５Ａに示される取付具取り外し装置５５０などの取付具取り外し装置内にフォトマスク２０２を用意することによって、工程４０２で開始する。取付具取り外し装置５５０は、１つより多い取付具プーラー５００が中に配置された筐体を提供することができる。取付具プーラー５００は、フォトマスク２０２からペリクルスタッド２１２を取り外すように構成される。取付具プーラー５００の数は、フォトマスク２０２から取り外されるべき取付具２１６の数と一意に対になるように選択することができる。本明細書に示す実施形態では、４つの取付具プーラー５００（１つだけが、図５Ａ～図５Ｂに示されている）を使用して、フォトマスク２０２のコーナーに配置された４つの取付具２１６（図３Ｂに示されている）を取り外すことができる。
［００４２］取付具プーラー５００は、ペリクルスタッドグリッパ５０４に連結されたアクチュエータ５０２を含む。アクチュエータ５０２は、ペリクルスタッドグリッパ５０４を垂直方向（またはｚ方向）に移動させるように動作可能である。ペリクルスタッドグリッパ５０４の移動は、アクチュエータ５０２によってｘ、ｙ、およびｚ方向に制御され得る。アクチュエータ５０２は、把持のための適切な座標にペリクルスタッド２１２を収容するように、ペリクルスタッドグリッパ５０４を位置決めするのを支援することができる。ペリクルスタッドグリッパ５０４は、底部５０４によって接続された一対の側壁５１０を含み、動作中にペリクルスタッド２１２を受容または収容するように適合された開口部５３１を形成する。一対の側壁５１０は、垂直方向に上方に延在して、ペリクルスタッド２１２の幅よりも広い幅５１８を有する開口部５３１を確立し、その結果、ペリクルスタッド２１２は、損傷することなくその中に適切に位置決めされ得る。一対のクランプ５０６が、開口部５３１内に配置され、その中に配置されたペリクルスタッド２１２を把持および／または固定するために、それぞれ、一対の側壁５１０（例えば、開口部５３１内の側壁５１０の内壁）に当接して作動可能であってもよい。ペリクルスタッド２１２は、種々のサイズおよび寸法において多様であり得るので、開口部５３１内に配置されたクランプ５０６は、異なるペリクルスタッドサイズおよび形状に対応しながら、ペリクルスタッド２１２を確実に把持することを容易にする。
［００４３］一例では、ペリクルスタッドグリッパ５０４は、絶縁材料、プラスチック材料、誘電体材料、または適切な材料から製造することができる。一例では、ペリクルスタッドグリッパ５０４は、耐熱材料などの絶縁体材料から製造される。クランプ５０６は、絶縁材料、プラスチック材料、誘電体材料、または適切な材料などの任意の適切な材料で作ることができる。一例では、クランプ５０６は、セラミック、耐熱材料、および耐熱繊維からなる群から選択された絶縁体材料から製造される。
［００４４］コイルアセンブリ５０８が、ペリクルスタッドグリッパ５０４の側壁５１０（例えば、側壁５１０の外壁）の周りに配置され得る。コイルアセンブリ５０８は、１つ以上のらせん巻線を有する円筒形誘導コイルを含む。コイルの巻線は電気的に直列に接続されていることに留意されたい。あるいは、コイルアセンブリ５０８は、動作中にペリクルスタッド２１２に熱エネルギーを与えるように、ペリクルスタッド２１２の近くの任意の場所に位置決めされ得る。
［００４５］コイルアセンブリ５０８に電力が供給されると（例えば、電源によってそれに電圧を印加する）、コイル内の電流は、ペリクルスタッド２１２内の誘導電流によってペリクルスタッド２１２の内部に熱を発生させることができる。誘導加熱は、一般に、ペリクルスタッドグリッパ５０４およびクランプ５０６などの絶縁体部品に熱を伝達しない。コイルは、主に、ペリクルスタッドグリッパ５０４の開口部５３１に配置されたペリクルスタッド２１２内に（例えば、ペリクルスタッド２１２と物理的に接触することなく）誘導熱を生成する。コイルアセンブリ５０８から生成された誘導加熱は、一般に、ペリクルスタッド２１２の導電性材料などの導電性物体を加熱する。コイルアセンブリ５０８内を流れる電流によって生成された電磁場を利用することにより、熱は、ペリクルスタッド２１２への直接の熱接触ではなく、誘導によってペリクルスタッド２１２の内部に生成される。そうすることにより、ペリクルスタッド２１２に連結された接着層２１０が、ペリクルスタッド２１２の近くの領域で急速に加熱され、比較的高温条件で急速に溶融し、接着層２１０とフォトマスク２０２との間、または接着層２１０とペリクルスタッド２１２との間に緩いまたは軟化した界面を作り出すことができる。接着層２１０との界面が軟化または緩められると、次に、比較的小さい機械的な力が、アクチュエータ５０２から加えられ、ペリクルスタッドグリッパ５０４を作動させて、図５Ｂに描かれた矢印６０２で示されるように、ペリクルスタッド２１２をフォトマスク２０２から引っ張ることができる。アクチュエータ５０２は、ペリクルスタッドグリッパ５０４を図５Ａに示される位置まで上方へ移動させる。続いて、アクチュエータ５０２は、ペリクルスタッドグリッパ５０４を下方へ移動させ、図５Ｂに示されるように、ペリクルスタッドグリッパ５０４をペリクルスタッド２１２とともに垂直下方にフォトマスク２０２から離れた位置まで引っ張る。ペリクルスタッド２１２がフォトマスク２０２から容易に取り外されることを可能にする状態（すなわち、軟化または溶融した状態）に接着層２１０をするために、熱が、誘導によってペリクルスタッド２１２に送られる。接着層２１０が、ペリクルスタッド２１２と接着層２１０との界面近くで溶融し、軟化したまたは緩い界面が作り出されると、ペリクルスタッド２１２は、フォトマスク２０２から分離されるようになる。次に、ペリクルスタッド２１２は、ペリクルスタッドグリッパ５０４によって下方に引っ張られると、損傷することなく容易に取り外される。したがって、コイルアセンブリ５０８は、動作中に誘導加熱を通じてペリクルスタッド２１２に熱エネルギーを与えるように、ペリクルスタッドグリッパ５０４の近く、またはペリクルスタッド２１２の近くの任意の適切な位置に位置決めされ得る。
［００４６］システムコントローラ５５６は、コンピューティングデバイスのように、一般に、中央処理装置（ＣＰＵ）、メモリ、およびサポート回路を含む。システムコントローラ５５６は、取付具取り外し装置５５０の動作を制御するために利用される。ＣＰＵは、産業環境で使用することができる任意の形態の汎用コンピュータプロセッサの１つであり得る。サポート回路は、従来通り、ＣＰＵに連結されており、キャッシュ、クロック回路、入力／出力サブシステム、電源などを含み得る。ソフトウェアルーチンが、ＣＰＵを特定の目的のコンピュータ（コントローラ）に変換する。ソフトウェアルーチンはまた、取付具取り外し装置５５０から離れて配置された第２のコントローラ（図示せず）によって格納および／または実行されてもよい。
［００４７］任意選択の工程４０４において、フォトマスク２０２は、摂氏５０度を超えるが摂氏１５０度未満、例えば摂氏８０度から摂氏１２０度の間などの上昇した温度に維持されてもよい。フォトマスク２０２は、必要に応じて、硬化プレート、加熱プレート、または取付具取り外し装置５５０内に配置された任意の適切な加熱デバイスなどの加熱デバイス５５５上に位置決めされてもよい。あるいは、取付具取り外し装置５５０は、フォトマスク２０２に穏やかな熱エネルギーを与えることができるオーブンまたは熱エネルギーを供給することができる筐体などの加熱デバイスとして機能することができる。フォトマスク２０２を摂氏３００度を超える温度範囲に加熱するなど、高温環境で加熱することを必要とする従来の慣行とは異なり、取付具取り外し装置５５０内のフォトマスク２０２への穏やかな温度上昇は、フォトマスク２０２上に配置されたフィーチャ２１８、２７０および膜スタック２０４を損傷することなく、接着層２１０を軟化または溶融するのを、穏やかに支援することができる。したがって、取付具取り外しプロセス４００の間、フォトマスク２０２を２５０度未満などの比較的低い温度範囲に維持することにより、ペリクルスタッド引っ張りプロセスに起因する損傷の可能性が、大幅に減少するか、または排除さえされ得る。
［００４８］工程４０６において、上記のように、電力が、ペリクルスタッドグリッパ５０４の周りに配置されたコイルアセンブリ５０８に印加される。コイルアセンブリ５０８に印加された電力は、コイルアセンブリ５０８内に電流を生成することができ、したがって、ペリクルスタッド２１２の内部に誘導加熱を生成することができる。そのような熱は、ペリクルスタッド２１２と接着層２１０との間の界面が、加熱されたペリクルスタッド２１２から提供される熱によって軟化されるように、熱流束を接着層２１０に伝達して、接着層２１０を局所的に加熱することができる。
［００４９］工程４０８で、ペリクルスタッド２１２と接着層２１０との間の界面の接着層２１０が、加熱されたペリクルスタッド２１２からの高速熱エネルギーと、もしあれば、取付具取り外し装置５５０からの熱エネルギーとによって軟化されると、次に、ペリクルスタッドグリッパ５０４が、ペリクルスタッド２１２を把持する位置に位置合わせされ、機械的な力が、アクチュエータ５０２に加えられて、ペリクルスタッドグリッパ５０４を使用してフォトマスク２０２からペリクルスタッド２１２を引っ張り取ることができる。
［００５０］図６に示される例では、ペリクルスタッド２１２のみが、フォトマスク２０２から取り外され、接着層２１０は、フォトマスク２０２上に残っている。したがって、図７に示すように、フォトマスク２０２から接着層２１０を除去するために、追加の洗浄プロセスまたは接着剤除去プロセスが必要となる場合がある。いくつかの例では、図７に示すように、アクチュエータからの機械的な力が、ペリクルスタッド２１２および接着層２１０の両方をフォトマスク２０２から引っ張り取るのに十分に強い場合、追加の接着剤除去プロセスを、必要に応じて省略することができる。
［００５１］リソグラフィプロセスのみが、本開示に従って説明されているが、本開示の実施形態は、物体からの取付具の取り外しを必要とする任意の適切なプロセスおよび任意の適切な処理ツールに適用することができる。
［００５２］したがって、本開示の実施形態は、概して、取付具をフォトマスクから取り外すための装置および方法を提供する。この方法および装置は、取付具とフォトマスクとの間の接合部を軟化させて、取付具をフォトマスクから引っ張り取るのを支援するように、ペリクルスタッドグリッパの周りに配置された誘導コイルを通して供給された誘導加熱エネルギーによって、フォトマスクから取付具を有利に取り外す。したがって、本明細書で提供される方法および装置は、ＥＵＶ技術での利用に適したフォトマスクの製造を有利に容易にする。
［００５３］上記は、本開示の実施形態に向けられているが、本開示の他のおよびさらなる実施形態を、その基本的な範囲から逸脱することなく考案することができ、その範囲は、以下の特許請求の範囲によって決定される。

Claims (15)

  1. フォトマスクを処理するための取付具取り外し装置であって、
    取付具プーラーを備え、前記取付具プーラーが、
    アクチュエータ、
    前記アクチュエータに連結されたクランプであって、取付具を把持するように適合されたクランプ、および
    前記取付具に隣接して配置されたコイルアセンブリ、
    をさらに備える、取付具取り外し装置。
  2. 前記取付具プーラーが、ペリクルスタッドグリッパをさらに備え、前記クランプが、前記ペリクルスタッドグリッパ内に画定された開口部内に連結されている、請求項１に記載の取付具取り外し装置。
  3. 前記ペリクルスタッドグリッパが、底部によって接続された一対の側壁をさらに備え、前記開口部が、前記一対の側壁の間に画定されている、請求項２に記載の取付具取り外し装置。
  4. ペリクルスタッドグリッパが、絶縁材料から製造されている、請求項１に記載の取付具取り外し装置。
  5. 導電性材料が、耐熱材料から製造されている、請求項４に記載の取付具取り外し装置。
  6. 前記クランプが、前記ペリクルスタッドグリッパの前記側壁に当接して配置されている、請求項３に記載の取付具取り外し装置。
  7. 前記クランプが、耐熱材料から製造されている、請求項１に記載の取付具取り外し装置。
  8. 前記取付具プーラーが、加熱デバイスを備える取付具取り外し装置内に配置されている、請求項１に記載の取付具取り外し装置。
  9. 前記取付具取り外し装置が、加熱プレートを備える、請求項８に記載の取付具取り外し装置。
  10. 前記取付具取り外し装置が、１つ以上の取付具プーラーを備える、請求項８に記載の取付具取り外し装置。
  11. フォトマスクから取付具を取り外す方法であって、
    前記フォトマスク上に配置された取付具を囲むように取付具プーラーを位置決めすることと、
    誘導加熱によって前記取付具を加熱することと、
    前記取付具を把持するように前記取付具プーラーを移動させることと、
    前記取付具プーラーへ機械的な力を加えることと、
    前記フォトマスクから前記取付具を取り外すことと、
    を含む方法。
  12. 前記取付具が、前記フォトマスク上に配置された接着層上に配置されたペリクルスタッドをさらに備える、請求項１１に記載の方法。
  13. 前記取付具を加熱することが、
    前記取付具プーラーの近くに配置されたコイルアセンブリに電力を印加することを、さらに含み、前記コイルアセンブリが、前記取付具の周りに配置されている、請求項１１に記載の方法。
  14. 前記取付具内の接着層を軟化させることを、さらに含む、請求項１３に記載の方法。
  15. 前記取付具プーラーを位置決めすることが、
    前記取付具プーラー内に配置されたペリクルスタッドグリッパによって前記取付具を把持することを、さらに含む、請求項１１に記載の方法。

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