TW202025279A - 濕蝕刻之光子調整的蝕刻劑反應性 - Google Patents

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Abstract

一種用於半導體基板之蝕刻、且尤其是晶圓之濕蝕刻的方法及系統。施加於晶圓上之液體溶液的蝕刻速率係藉由以空間變化光強度照射液體溶液而加以調整。將光反應劑添加至液體溶液，該等藥劑包含光酸、光鹼及光氧化劑。光反應劑的照射致使液體溶液之pH值及氧化電位值的增加/減少。

Description

濕蝕刻之光子調整的蝕刻劑反應性
本申請案關於半導體基板的蝕刻，且尤其關於晶圓的濕蝕刻。更尤其是，本申請案關於藉由利用空間變化光強度照射施加於晶圓上之液體溶液來調整該液體溶液之蝕刻速率的方法及系統。 [相關申請案的交互參照]
本申請案係基於2018年9月4日提出申請且題為「PHOTONICALLY TUNED ETCHANT REACTIVITY FOR WET ETCHING」之美國臨時專利申請案第62/726,603號、及2019年8月22日提出申請且題為「PHOTONICALLY TUNED ETCHANT REACTIVITY FOR WET ETCHING」之美國非臨時專利申請案第16/548,481號，並主張該等申請案的權利，該等申請案係整體併入於此做為參考。
半導體製造涉及晶圓之許多不同的沉積、生長、圖案化、移除、及清潔步驟。諸多不同材料被新增及移除或部分移除，而其他材料留存。一移除技術為濕蝕刻技術。濕蝕刻通常涉及將晶圓浸沒於具有蝕刻劑的溶液中、或將如此溶液分配於晶圓表面上。當與基板接觸時，液體溶液與目標材料化學性地反應，以將該材料從基板釋放。受蝕刻材料通常溶解於蝕刻溶液中或由蝕刻溶液物理性地帶走。
習知的濕蝕刻溶液具有經設定的溶液氧化電位及pH值。此將蝕刻溶液置於波貝克斯(Pourbaix)(電位/pH值)圖上的單一點。溶液參數係由溶液組成所設定。此獨特地設定當將溶液設置成接觸待蝕刻表面時將存在的熱力學平衡物種。此亦控制蝕刻產物的可溶性。一旦決定特定蝕刻組成，對應系統的蝕刻行為便主要基於溶液的溫度。
溶液組成及溫度係用以同時達成若干目標。對於給定材料的蝕刻速率較佳地落於期望範圍內。較佳地，總蝕刻時間與大量生產相容，而蝕刻速率仍足夠低到容許精確控制從基板蝕刻的量。與目標材料一起和蝕刻溶液接觸之其他材料的反應速率應使之最小化。並且亦期望給定溶液的穩定性最大化而成本最小化。此多變數最佳化可能需要這些方面其中一或更多者中的效能取捨，以達到其他方面中的指定或期望效能。理想的蝕刻溶液在不加以取捨的情況下同時達到以上列出的所有目標。此處所揭示的技術提供諸多溶液變數上的額外控制，利用該等控制來控制蝕刻行為，且因此減少蝕刻製程發展中的取捨數。
此外，晶圓表面上之蝕刻劑組成及溫度中的不均勻性可能導致蝕刻速率上的不均勻性。此造成蝕刻停止位置上的必要取捨，其中在晶圓上有蝕刻不足或過度蝕刻區域。如此之不均勻蝕刻可能造成產能損失或裝置效能上的劣化。習知濕化學蝕刻劑的蝕刻行為係由組成及溫度所決定。在許多製程中，達到期望蝕刻行為所需的組成及溫度導致蝕刻劑變得不安定。為了控制這些製程，可在使用的前夕調配蝕刻劑，此增加成本。在分配期間有其他的挑戰。在高溫下，蒸發性冷卻可能在濕蝕刻溶液於旋塗腔室中從晶圓中央流向邊緣時顯著地改變濕蝕刻溶液中之蝕刻劑的溫度。當蝕刻速率具有強溫度相依性時，則蝕刻速率將朝向晶圓的邊緣而降低，導致不均勻的蝕刻。
此處的技術提供使用晶圓上之空間解析度調整液體溶液之蝕刻速率的方法及系統，以修正蝕刻劑組成物及晶圓表面上溫度方面的不均勻性。該等技術包括添加光活性成分至蝕刻溶液。如此光活性成分可包含光酸或光鹼以在光照下調整pH值，且亦包含光氧化劑以在光照下改變溶液氧化電位。分配如此蝕刻溶液實現取用波貝克斯圖上的一區域，該區域可藉由改變晶圓上溶液之照射條件而取用。此技術大幅延展可由單一溶液達成的蝕刻行為範圍。如此溶液可配製成在黑暗中呈惰性且安定，並在光照下變成活性蝕刻劑。
因此，如此溶液解決關於儲存及不安定蝕刻溶液的問題。再者，由於光照可加以空間性解析，所以蝕刻劑反應性可在晶圓表面的範圍逐點調整。如此晶圓表面範圍的空間性控制可用以補償晶圓範圍的溫度變異。另一優點為可儲存單一安定溶液，在光照於位置與強度兩者上改變的情況下用於許多不同類型的蝕刻操作，以基於需要被蝕刻之材料的特性即時產生所需的蝕刻速率。此外，光強度上的空間性變異可用以利用前饋控制修正晶圓範圍的厚度變異。因此，此處之技術對於濕蝕刻製程提供顯著的改善及控制。
此處揭示的方法容許晶圓上蝕刻速率的時間性及空間性控制。前饋控制可用以補償晶圓範圍的不均層厚度。此外，該方法容許以較不具反應性之狀態儲存蝕刻劑，使其更加安定，較不易與儲存槽、分配管路、過濾器、或閥之潤濕材料發生反應，且在廢物流中較不具有反應性。蝕刻劑在具有特定波長之光照下變得更具有反應性。
在此處呈現的其他技術中，舉例而言，單一光活性蝕刻溶液在照射狀態與黑暗狀態之間變換的時變性光照用以執行循環式蝕刻製程，而不需使用一蝕刻溶液化學性地改質材料表面且使用另一蝕刻溶液溶解改質層。
此處所述的不同步驟之順序係為了清楚起見而呈現。總體而言，這些步驟可以任何合適的順序執行。此外，雖然此處的不同特徵、技術、配置等的各者可在本揭示內容的不同處討論，但欲使該等概念的各者可彼此獨立或互相結合而執行。因此，本申請案的特徵可以許多不同方式加以體現及審視。
此發明內容章節並未指出本申請案的每一實施例及/或新穎態樣。反之，此發明內容僅提供不同實施例及相對習知技術之對應新穎點的初步討論。所揭示實施例的額外細節及/或可能觀點係敘述於實施方式章節及本揭示內容的對應圖式中，如以下進一步所討論。
此說明書各處所指的「一實施例」或「實施例」意指與實施例相關聯而加以敘述的特定特徵、結構、材料、或特性係包含在本申請案的至少一實施例中，但不表示其存在於每一實施例中。因此，語句「在一實施例中」或「在實施例中」在此說明書多處的出現未必指示本申請案的相同實施例。再者，該等特定特徵、結構、材料、或特性可以任何合適方式在一或更多實施例中加以組合。
習知的濕蝕刻溶液典型地基於溶液的組成及溫度而具有針對給定材料而設定的反應性及蝕刻速率。然而，此處的技術提供方法及系統來即時調整給定溫度下給定組成之溶液的蝕刻速率。此外，如此方法容許隨著基板上之位置調整蝕刻速率，其可基於前饋控制，而致使晶圓範圍的更佳均勻性。
習知蝕刻溶液具有經設定的溶液電位及pH值。此組成將溶液置於波貝克斯圖上的單一點上。圖參數係由溶液組成本身所設定。因此，將在溶液被設置成接觸待蝕刻表面時存在的熱力學平衡物種、以及蝕刻產物的溶解度已經過設定。因此初始組成決定對應製程或系統的蝕刻行為。
此處的技術添加一或更多光活性成分至液體蝕刻溶液。添加光酸及/或光鹼以選擇性地調整光照下的pH值。並且，可將光氧化劑添加至液體蝕刻溶液以選擇性地改變光照下的溶液氧化電位。給定光源或複數給定光源可選定成提供可由光活性成分吸收的光波長，此藉由提高/降低液體蝕刻溶液之pH值、或提高/降低液體蝕刻溶液之電壓位勢而導致對應分子中的改變。此二屬性移動溶液在波貝克斯圖上的位置，且基礎性地改變溶液基於光之波長及強度的蝕刻行為。將光酸/光鹼及光氧化劑選定為對不同光波長具有反應性造成可獨立加以控制的光活性劑。取代佔據波貝克斯圖上之單一點，此處的溶液取用參數空間的大區域，且對應的蝕刻行為依據給定的光引發溶液參數而受調整。
針對包含在液體蝕刻溶液中，有許多可供選擇的光酸及光氧化劑。利用如此選項，光反應劑可選擇成具有不重疊的吸收光譜。因此，不同光源或波長可選擇性地取用任何內含的光反應劑。照射的波長或複數波長及強度可即時或利用空間解析度加以調整，俾利用時間解析度、空間解析度、或兩者來調整蝕刻行為。注意可將任何數目的光反應劑添加至給定溶液。因此，可包含有光酸產生劑及光破壞性鹼產生劑兩者與光氧化劑產生劑。一些實施例可具有複數光酸產生劑，其各對不同光波長起反應。
相對蝕刻速率之時間控制使蝕刻速率得以在給定蝕刻製程接近蝕刻終點時減緩。如此技術可使蝕刻時間減至最少，並使總蝕刻深度的準確性最大化。相對蝕刻速率之時間控制容許例如藉由增加材料最厚之位置中的蝕刻速率來校正晶圓表面範圍的不均勻膜厚。
現參照圖式，圖1顯示鈷的例示波貝克斯圖。其他待蝕刻材料將在數值上與鈷不同，但具有類似的蝕刻窗。此鈷波貝克斯圖上的點代表蝕刻劑的位置。方格代表由光子可調整蝕刻劑可取用的參數空間。在低pH值下，鈷將溶解於溶液中成為Co2+ 或Co3+ 離子。在高pH值下，鈷表面將被鈍化為鈷氫氧化物或鈷氧化物。藉由使用光酸，pH值可光子性降低以增加鈷的溶解。任何個別的光酸可將溶液的pH值調整~1pH單位，且因此給定光酸係針對所關注之pH值範圍而選定。所選定的光酸影響蝕刻劑參數空間沿著圖1之x軸的寬度。
蝕刻溶液的氧化電位可在恆定pH值下使用光氧化劑增加。此氧化電位上的改變導致沿著圖1所示波貝克斯圖之y軸的移動。pH值及氧化電位的獨立控制一起容許波貝克斯圖上的二維移動。此容許對於蝕刻行為的即時控制，以更佳地控制基板處理。
圖2顯示鈷的蝕刻速率可藉由照射溶液以改變液體蝕刻溶液之pH值及氧化電位而增加7倍。在此實例中，水性蝕刻劑含有作為光氧化劑的溶解氧及染料光敏劑。當受到照射時，染料將溶解氧激發成激發態，且使溶液的氧化電位從~1.23V增加至~2.2V。此導致蝕刻速率上大約7x的增加。
圖3為顯示此處技術之益處的圖像。在此實例中，選定H2 O2 作為光氧化劑。鈷蝕刻正是由氧化/溶解機制所驅動的實例，其中氧化劑使Co氧化成CoOx (以Kox 之速率常數)。然後CoOx 透過與蝕刻劑分子之錯合作用以Kd 之速率常數溶解於溶液中。在黑暗的處理中，Kd >>Kox ，其導致晶粒邊界處的不均勻蝕刻，而造成表面的點蝕(pitting)及粗糙化。當在此處以UV光加以照射時，H2 O2 分裂而形成兩OH*自由基。此使溶液的氧化電位從~1.8V增加至~2.8V。反應性OH*自由基使氧化反應加快至Kox >>Kd 的程度。更快的氧化作用使表面上的蝕刻速率平衡，致使鈷的均勻蝕刻。換言之，UV照射使H2 O2 -檸檬酸混合物之溶液中的蝕刻劑反應性平衡，而導致多晶鈷的平滑蝕刻。
在其中經選定光酸/光鹼及光氧化劑具有短半衰期的液體蝕刻組成中，可將對應的蝕刻速率空間性地解析。每一物種的半衰期係較佳地足夠短到對流性或擴散性運動對比於空間解析度之長度而言為短的。在空間變化強度下受照射的晶圓接著將有效地具有空間變化蝕刻速率。此可匹配至晶圓範圍需要移除之材料厚度，且可基於前饋控制資料。
當在旋轉器上實施時，照射光源可選擇性地與基板的動作同步，使晶圓的個別區域能以非時變性(time-invariant)強度受照射。舉例而言，空間解析照射係以LED陣列執行。LED陣列適用於低空間解析度為可接受時。該陣列可與旋轉腔室中之基板同步旋轉，或該陣列的空間強度可與晶圓的動作同步。當期望較高空間解析度時，照射係使用雷射源及掃描器執行。雷射可採取對需要較高蝕刻速率之晶圓區域提供較高光強度的動作，移動/掃掠於晶圓表面的範圍。這些例示實施例皆可用以利用單一波長或複數波長照射晶圓，以活化蝕刻溶液中的一或若干光活性物種。可使用其他光源。再者，舉例而言，可組合複數給定光源，因而容許利用精準雷射掃描增強的區域泛光暴露。
圖4顯示例示系統配置。在例示系統A中，LED陣列可藉由在陣列內佈設不同發射體而發出單一波長或複數波長。個別發射體的功率可即時調整以控制晶圓表面範圍的照射強度。LED陣列可與晶圓的動作機械式同步，或該陣列可維持靜止而個別發射體之強度與晶圓的動作同步。在例示系統B中，分配於旋塗腔室中之基板上的蝕刻劑之照射係由雷射源所提供。可使用複數雷射以複數波長照射晶圓。轉折光學元件係用以在晶圓表面上使雷射光束掃掠。雷射點在晶圓上之個別點上的停留時間控制該點處的蝕刻增強。雷射光束的動作可與基板的動作同步。
此處的光子可調整蝕刻溶液可藉由將光活性成分及其他蝕刻物種溶解於可相容之溶劑中而製成。此光子可調整蝕刻溶液可分配於單一晶圓蝕刻器、或用於多晶圓蝕刻浴中，只要每一晶圓的表面定位成獨立受照射即可。
光氧化劑包括但不限於由過氧化物物種之光分解所產生的羥基自由基、由Cl2 之光分解所產生的氯自由基、次氯酸、及氯乙烯物種。單線態氧可化學性、熱性、或利用光敏劑染料光子性產生。
光酸包括但不限於基於螺吡喃(spyropyran)、介穩碳陰離子、羥基芘等等的化學品。光鹼包括但不限於基於孔雀石綠甲醇鹼、吖啶醇、羥查酮等等的化學品。
一實施例包括蝕刻基板的方法。接收具有待從基板之工作表面蝕刻之材料的基板。舉例而言，特定金屬在基板上且需要被移除。可在處理腔室中接收基板，該處理腔室可包含用於在液體分配至基板表面上時使基板旋轉的旋轉腔室。
液體蝕刻溶液係沉積於基板的工作表面上。液體時刻溶液具有初始pH值及初始氧化電位值。液體溶液包括對第一光波長反應的第一光反應劑及對第二光波長反應的第二光反應劑。
基板之工作表面上的液體蝕刻溶液係利用第一光波長的輻射加以照射，致使第一光反應劑將液體蝕刻溶液的pH值從初始pH值改變成第二pH值。此第二pH值增加從基板之工作表面蝕刻材料的速率。
基板之工作表面上的液體蝕刻溶液係利用第二光波長的輻射加以照射，致使第二光反應劑將液體蝕刻溶液的氧化電位值從初始氧化電位值改變成第二氧化電位值。此第二氧化電位值增加從基板之工作表面蝕刻材料的速率。然後從基板之工作表面移除液體蝕刻溶液。當使用旋塗分配系統時，此可藉由停止分配且繼續旋轉基板直到所有溶液被移除為止而發生。
在此實施例的情況下，第一光反應劑為光酸或光鹼，而第二光反應劑為光氧化劑。第一光波長可選地與第二光波長不同。照射可包括空間性修改光之強度，造成基板之工作表面的不同區域接收不同的光強度。舉例而言，工作表面之周邊部分接收比工作表面之中央部分更大量的光照射，以抵銷蒸發冷卻效應。
在其他實施例中，空間性照射係基於來自先前蝕刻製程的蝕刻資料。舉例而言，在檢驗經處理的晶圓之後，可辨識較多或較少蝕刻的位置，並可執行藉由後續濕蝕刻製程中之空間座標光投射的修正。此基於區域或像素之投射亦可基於即時量測值、使用前饋控制的先前計量量測值、或來自類似晶圓的量測值。舉例而言，溫度感測器或熱攝影機可監測晶圓之工作表面範圍的溫度，且基板溫度特徵可用以對特定區域增加更多光或熱，以抵銷蒸發冷卻效應或其他溫差。照射亦可在給定材料的蝕刻接近終點時遞減或降低。
在其他實施例中，光照可用以降低整體蝕刻速率及/或增加整體蝕刻速率。降低蝕刻速率可改善表面形貌或蝕刻後表面鈍化層。因此，可將溶液配置成使得光強度之增加造成蝕刻速率的降低。舉例而言，考量高pH值下更容易受蝕刻的金屬，當蝕刻溶液含有光酸時，此pH值可在光照下降低。因此，光照可用作致使蝕刻減慢的機制。此蝕刻化學的去諧(de-tuning)在蝕刻上可能有所用處，其中當金屬首先被氧化且接著該氧化物溶解時，需要複數表面反應來例如形成可溶物種。當氧化步驟為自限制性時，降低氧化物溶解的速率常數可改善蝕刻後表面形貌。
在一些實施例中，液體溶液可配置成使得蝕刻製程在照射時開始並在關閉照射時停止。亦即，在光照不存在的情況下，特定溶液之pH值的反應性不足以驅動蝕刻製程。因此，在沒有光照的情況下，沒有(或僅有不顯著之)工作表面的蝕刻，直到液體溶液受照射。蝕刻速率可藉由照射強度而進一步控制。舉例而言，當光強度增加時，溶液的蝕刻速率增加。
在此處呈現之技術的其他實施例中，光照可用以驅動循環式蝕刻製程。在傳統循環式蝕刻製程中，利用一蝕刻溶液使材料表面化學性改質，且利用第二溶液使經改質層溶解。經改質層應為自限制性，且溶解應為選擇性，使得未改質材料不被移除。這些數位蝕刻(digital etch)具有優勢，因為總蝕刻量僅相依於循環數。反應的自限制性本質提供優異的晶圓內均勻性。循環式製程因在蝕刻溶液之間切換所需的時間、及每循環中所移除之少量材料而傾向為緩慢的。
相同類型的循環式蝕刻製程可利用單一光活性蝕刻溶液的時變性光照而完成。經改質表面層可形成於波貝克斯圖上由第一pH值及第一氧化電位所定義的一位置。然後可藉由變換溶液中之物種的光活性而將溶液調整至第二pH值及第二氧化電位。變換溶液中之物種的光活性意指若物種目前受光照則停止光照、或若物種目前不受光照則開始光照。第二pH值及氧化電位係適於使經改質表面層溶解。循環式蝕刻係藉由將單一蝕刻溶液分配於晶圓上及交替光照及黑暗狀態而完成。改變光照條件比切換蝕刻溶液快得多，所以可更快速地循環且因此可有更快的整體蝕刻速率。
提出鈷的非限制性實例。鈍化層在高氧化電位及高pH值下形成於鈷表面上。此條件係藉由以活化溶液中之光氧化劑的波長λ1照射蝕刻溶液而產生。此鈍化層由鈷氧化物構成。然後藉由降低溶液的氧化電位及pH值使鈷氧化物溶解。此係藉由停止以波長λ1照射以停止光氧化及開始以波長λ2照射以活化溶液中之光酸來完成。pH值在光酸受照射時下降，且然後氧化物層溶解。例如配體的額外添加物(光活性或惰性)可添加至蝕刻溶液，以提升鈍化層的溶解。
在另一變化中，經改質層的溶解可使用在光照時變得具有反應性的光活性錯合劑加以提升。在鈷蝕刻的實例中，在利用具有波長λ1之光照的光氧化之後，溶液(含有光活性錯合劑)以波長λ2加以照射，波長λ2使錯合作用開始，且因此使經改質層的蝕刻開始。在一些情形中，取決於材料，第一步驟(改質步驟)可能不是必要的。
光活性錯合劑的實例包括分子光開關(molecular photo switches)，例如螺吡喃及萘並吡喃(naphthopyran)衍生物及化合物。
因此，此處的技術實現晶圓上之蝕刻速率的時間性及空間性控制。濕蝕刻劑的活性或反應性可由坐標位置加以光子調整，以補償晶圓範圍的溫度變異。在此使用的蝕刻劑及組成物可以較不具反應性之狀態加以儲存，使得組成物更為安定，較不易與儲存槽、分配管路、過濾器、或閥之潤濕材料發生反應，且在廢物流中較不具有反應性。蝕刻劑在具有特定波長之光照下變得更具有反應性，且單一安定儲存組成物可藉由在處於基板表面上時調整其中之光反應劑而用於複數不同蝕刻製程及欲移除材料。
在先前的敘述中，已提出具體細節，例如處理系統的特定幾何結構與其中使用的諸多部件及製程之敘述。然而應理解，此處之技術可在偏離這些具體細節的其他實施例中實施，且如此細節係針對說明而非限制之目的。在此揭示的實施例已參照隨附圖式加以敘述。類似地，針對說明之目的，為了提供透徹理解，已提出具體數字、材料、及配置。然而，實施例可在不具有如此具體細節的情況下實施。具有實質上相同功能配置的部件係由類似的參考文字所標示，且因此可省略任何冗餘的敘述。
諸多技術已敘述為複數個別的操作，以幫助理解諸多實施例。敘述的順序不應解讀為暗示這些操作必然順序相依。確實，這些操作不需要以呈現的順序執行。所述操作可以與所述實施例不同的順序執行。在額外的實施例中，可執行諸多額外操作且/或可省略所述操作。
如此處使用的「基板」或「目標基板」整體意指依劇本申請案受處理的物件。基板可包括元件(尤其是半導體或其他電子元件)的任何材料部分或結構，且可例如為基底基板結構(例如半導體晶圓)、光罩(reticle)、或基底基板結構上或上方的一層(例如薄膜)。因此，基板不限於任何特定基底結構、下方層或上方層、圖案化或未圖案化，反之，將基板考量為包括任何如此之層或基底結構、及層及/或基底結構的任何組合。敘述可參照特定類型的機板，但此僅針對說明之目的。
熟悉所屬領域者亦將理解，可能有對以上說明之技術的操作做出的許多變化，而仍然達成相同的目標。如此變化係欲由本揭示內容之範疇所涵蓋。就此，先前實施例之敘述並不欲為限制性。反之，對於實施例之任何限制係於以下申請專利範圍中呈現。
本申請案將鑒於以非限制性方式偕同隨附圖式提出的敘述內容而獲得更佳理解，其中：
圖1為鈷的例示波貝克斯圖。
圖2為蝕刻溶液受照射時，鈷的正規化膜厚相對時間之圖示。
圖3顯示在黑暗中及UV照射下的經蝕刻之鈷。
圖4為例示蝕刻系統的示意圖，其中旋塗腔室中分配於晶圓上的蝕刻劑係分別由LED陣列及雷射源所照射。

Claims (15)

  1. 一種蝕刻基板的方法，包含： 將一液體蝕刻溶液沉積在一基板的一工作表面上，該基板具有待從該基板之該工作表面蝕刻的材料，該液體蝕刻溶液具有一初始pH值及一初始氧化電位值，該液體蝕刻溶液包含對一第一光波長反應的一第一光反應劑及對一第二光波長反應的一第二光反應劑； 使用該第一光波長照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液，致使該第一光反應劑將該液體蝕刻溶液的pH值從該初始pH值改變成一第二pH值，該第二pH值增加或減少從該基板之該工作表面蝕刻該材料的速率；及 從該基板之該工作表面移除該液體蝕刻溶液。
  2. 如請求項第1項之蝕刻基板的方法，更包含：使用該第二光波長照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液，致使該第二光反應劑將該液體蝕刻溶液的氧化電位值從該初始氧化電位值改變成一第二氧化電位值，該第二氧化電位值增加或減少從該基板之該工作表面蝕刻該材料的速率。
  3. 如請求項第1項之蝕刻基板的方法，其中該第一光反應劑為光酸或光鹼，且該第二光反應劑為光氧化劑。
  4. 如請求項第2項之蝕刻基板的方法，其中該第一光波長係與該第二光波長不同。
  5. 如請求項第2項之蝕刻基板的方法，其中照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液包括空間性修改照射該液體蝕刻溶液的光之強度，致使該基板之該工作表面的不同區域接收不同的光之強度。
  6. 如請求項第5項之蝕刻基板的方法，其中空間性的照射係基於來自先前蝕刻製程的蝕刻資料。
  7. 如請求項第5項之蝕刻基板的方法，其中空間性的照射係基於該基板之該工作表面的即時溫度量測值。
  8. 如請求項第5項之蝕刻基板的方法，其中空間性的照射係基於在將該液體蝕刻溶液沉積於該基板之該工作表面上之前所量測的該基板之計量資料。
  9. 如請求項第1項之蝕刻基板的方法，更包含在將該液體蝕刻溶液沉積於該工作表面上時旋轉該基板。
  10. 如請求項第2項之蝕刻基板的方法，更包含當一給定蝕刻處理接近一蝕刻終點時，減少對該液體蝕刻溶液的照射。
  11. 如請求項第1項之蝕刻基板的方法，其中待蝕刻的該材料係選自包含金屬、半導體、及介電質的群組。
  12. 一種在基板上執行循環式蝕刻製程的方法，該方法包含： 將一液體蝕刻溶液沉積在一基板的一工作表面上，該基板具有待從該基板之該工作表面蝕刻的材料，該液體蝕刻溶液具有一初始pH值及一初始氧化電位值，該液體蝕刻溶液包含對一第一光波長反應的一第一光反應劑及對一第二光波長反應的一第二光反應劑； 使用該第一光波長照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液，致使該第一光反應劑將該液體蝕刻溶液的pH值從該初始pH值改變成一第二pH值，導致一改質層形成在該基板之該工作表面上； 停止使用該第一光波長照射該液體蝕刻溶液，並使用該第二光波長照射該液體蝕刻溶液，致使該第二光反應劑將該液體蝕刻溶液的pH值從該第二pH值改變成一第三pH值，導致該改質層從該基板之該工作表面溶解； 重複將該液體蝕刻溶液沉積在基板的工作表面上、使用該第一光波長照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液、停止使用該第一光波長照射該液體蝕刻溶液、及使用該第二光波長照射該基板之該工作表面上之該液體蝕刻溶液的序列，直到達成所需的蝕刻量；及 從該基板之該工作表面移除該液體蝕刻溶液。
  13. 如請求項第12項之在基板上執行循環式蝕刻製程的方法，其中該第一及第二光反應劑為光酸或光鹼。
  14. 一種在基板上執行循環式蝕刻製程的方法，該方法包含： 將一液體蝕刻溶液沉積在一基板的一工作表面上，該基板具有待從該基板之該工作表面蝕刻的材料，該液體蝕刻溶液具有一初始pH值及一初始氧化電位值，該液體蝕刻溶液包含對一第一光波長反應的一第一光氧化劑及對一第二光波長反應的一第二光氧化劑； 使用該第一光波長照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液，致使該第一光氧化劑將該液體蝕刻溶液的氧化電位值從該初始氧化電位值改變成一第二氧化電位值，導致一改質層形成在該基板之該工作表面上； 停止使用該第一光波長照射該液體蝕刻溶液，並使用該第二光波長照射該液體蝕刻溶液，致使該第二光氧化劑將該液體蝕刻溶液的氧化電位值從該第二氧化電位值改變成一第三氧化電位值，導致該改質層從該基板之該工作表面溶解； 重複將該液體蝕刻溶液沉積在基板的工作表面上、使用該第一光波長照射該基板之該工作表面上的該液體蝕刻溶液、停止使用該第一光波長照射該液體蝕刻溶液、及使用該第二光波長照射該液體蝕刻溶液的序列，直到達成所需的蝕刻量；及 從該基板之該工作表面移除該液體蝕刻溶液。
  15. 如請求項第14項之在基板上執行循環式蝕刻製程的方法，其中停止使用該第二光波長照射該液體蝕刻溶液致使該液體蝕刻溶液的氧化電位值從該第二氧化電位值改變成該初始氧化電位值，導致該改質層從該基板之該工作表面溶解。
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