TW202024804A - 微影方法 - Google Patents

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Abstract

一種預測將在一薄膜在一微影裝置中之移動期間出現的該薄膜之偏轉的方法，該方法包含接收有關該薄膜之性質的參數及接收有關該薄膜之預期移動的參數。將該等參數應用於預測依據該等參數而變化之該薄膜之偏轉的一模型。該模型包含與該薄膜之偏轉之不同分量有關的複數個子模型。該模型之一輸出可用以預測及減小與所預測之該薄膜之偏轉相關聯的一微影誤差。

Description

微影方法
本發明係關於一種預測將在薄膜在微影裝置中之移動期間出現的薄膜之偏轉的方法。所預測之薄膜之偏轉可隨後用以校正例如疊對誤差的微影誤差，否則該等微影誤差將在微影曝光期間由薄膜之偏轉造成。
微影裝置為經建構以將所要圖案施加至基板上之機器。微影裝置可用於例如積體電路(IC)之製造中。微影裝置可例如將圖案化元件(例如，光罩或倍縮光罩)之圖案(通常亦稱作「設計佈局」或「設計」)投影至設置於基板(例如晶圓)上的輻射敏感材料(抗蝕劑)層上。
隨著半導體製造製程繼續進步，幾十年來，電路元件之尺寸已不斷地減小，而每元件的諸如電晶體之功能元件之量已在穩定地增加，此遵循通常稱作「莫耳定律(Moore's law)」之趨勢。為跟得上莫耳定律，半導體業正追逐能夠產生愈來愈小特徵的技術。為了將圖案投影至基板上，微影裝置可使用電磁輻射。此輻射之波長判定圖案化於基板上之特徵的最小大小。當前在使用中之典型波長為365 nm、248 nm、193 nm及13.5 nm。相比於使用例如具有193 nm波長之輻射的微影裝置，使用具有在4 nm至20 nm (例如6.7 nm或13.5 nm)範圍內之波長之極紫外(EUV)輻射的微影裝置可用以在基板上形成更小特徵。
在深紫外(DUV)微影裝置中習知將薄膜附著至倍縮光罩以用於防止該倍縮光罩受到污染。薄膜為與倍縮光罩上之經圖案化區域間隔開幾mm (例如約5 mm)之透射性膜。在薄膜上接收之污染顆粒在相對於光罩之圖案的遠場中，且因此對由微影裝置投影至基板上之影像之品質沒有顯著影響。若薄膜不存在，則污染顆粒將位於倍縮光罩之圖案上且將使圖案的一部分模糊。因而，阻礙圖案正確地投影至基板上。因此，薄膜在防止污染顆粒不利地影響由微影裝置將圖案投影至基板上的方面發揮重要作用。
儘管薄膜提供有用及有價值的功能，但薄膜造成不良副作用，此係因為其自身將對由微影裝置投影至基板上之影像有影響。此係因為薄膜具有有限厚度及大於其環境氣體(例如，空氣)之折射率，且因此將導致未垂直地入射於薄膜上的任何輻射的一些偏轉。舉例而言，需要提供一種消除或減輕先前技術中之一或多個問題的方法(無論在本文中抑或在別處所鑑定)。
根據本發明之第一態樣，提供一種預測將在薄膜在微影裝置中之移動期間出現之薄膜之偏轉的方法，該方法包含：接收有關薄膜之性質的第一參數且接收有關薄膜之預期移動的第二參數；及將第一及第二參數應用於模型，該模型預測依據第一及第二參數而變化的薄膜的偏轉，其中模型包含與薄膜之偏轉之不同分量有關的複數個子模型。
預測薄膜之偏轉能夠判定及搶先校正與薄膜偏轉相關聯之微影誤差。預測偏轉之方法因減少量測微影誤差所需的時間而有利地提高微影裝置之可用性。預測偏轉之方法有利地避免在每當使用微影裝置執行不同曝光時執行量測的需要。與所預測薄膜偏轉相關聯之微影誤差可用以減少與使用不同微影裝置(例如DUV及EUV微影裝置)曝光單個基板相關聯的匹配誤差。充當子模型之輸入的參數可按薄膜類型校準而非按微影曝光類型校準，藉此實現與已知方法相比的更大靈活性。
來自複數個子模型之輸出可由模型合併。模型可包括複數個子模型彼此獨立之假設。
複數個子模型中之至少一者可與由薄膜之移動之以下第一組態樣中之至少一者引起之薄膜之偏轉的分量有關：薄膜之加速度的改變速率為非零的時間；薄膜之加速度的改變速率；及薄膜之加速度。
第一子模型可經配置以使用第一組態樣中之至少一者來將薄膜之偏轉模型化為由薄膜之振動引起的阻尼波。
第二子模型可經配置以使用第一組態樣中之至少一者來將薄膜之偏轉模型化為由與薄膜連通之氣體之惰性引起的指數衰減。
複數個子模型中之至少一者可與薄膜之偏轉之分量有關，該分量由薄膜之移動之以下第二組態樣中之至少一者引起：薄膜之速度；及薄膜之位置。
第三子模型可經配置以使用第二組態樣中之至少一者來將薄膜之偏轉模型化為由在薄膜之移動期間的與薄膜連通之氣體之壓力變化引起的變形。
第二子模型可經配置以使用第一組態樣中之至少一者來將薄膜之偏轉模型化為由與薄膜連通之氣體之惰性引起的指數衰減，且其中複數個子模型中之至少一者與薄膜之偏轉之分量有關，該分量由薄膜之移動之以下第二組態樣中之至少一者引起：薄膜之速度及薄膜之位置。第三子模型可經配置以使用第二組態樣中之至少一者來將薄膜之偏轉模型化為由在薄膜之移動期間的與薄膜連通之氣體之壓力變化引起的變形。第三子模型可進一步經配置以將未由第一及第二子模型容納之薄膜的偏轉模型化。
根據本發明之第二態樣，提供一種使用微影裝置來執行基板之目標部分之掃描曝光的方法，該方法包含：將倍縮光罩及薄膜裝載至微影裝置中；在倍縮光罩及薄膜之掃描移動期間及在基板之掃描移動期間使輻射光束穿過倍縮光罩且穿過薄膜；使用微影裝置之投影系統來將輻射光束投影至基板之目標部分上；及在掃描曝光期間調整投影系統之透鏡、基板之掃描移動及倍縮光罩及薄膜之掃描移動中之至少一者以補償由薄膜之偏轉所致的微影誤差，已使用根據本發明之第一態樣的方法來預測薄膜之偏轉。
在掃描曝光期間調整投影系統之透鏡、基板之掃描移動及倍縮光罩及薄膜之掃描移動中之至少一者以補償微影誤差為曝光條件之預期及非預期變化兩者提供穩健性且不要求每次曝光之額外校正時間。
根據本發明之第三態樣，提供一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等指令經配置以控制電腦以實行根據本發明之第一態樣及/或本發明之第二態樣的方法。
根據本發明之第四態樣，提供一種電腦可讀媒體，其攜載根據本發明之第三態樣的電腦程式。
根據本發明之第五態樣，提供一種用於預測將在薄膜在微影裝置中之移動期間出現之薄膜之偏轉的電腦裝置，其包含：記憶體，其儲存處理器可讀指令；及處理器，其經配置以讀取及執行儲存於該記憶體中的指令，其中該處理器可讀指令包含經配置以控制電腦以實行根據本發明之第一態樣及/或本發明之第二態樣的方法的指令。
根據本發明之第六態樣，提供一種微影裝置，其經配置以將圖案自圖案化元件投影至基板上，該微影裝置包含根據本發明之第五態樣的電腦裝置。
根據本發明之第七態樣，提供一種度量衡元件，其包含根據本發明之第五態樣的電腦裝置。
根據本發明之第八態樣，提供一種產生用於預測將在薄膜在微影裝置中之移動期間出現之薄膜之偏轉的模型的方法，該方法包含：判定由薄膜之偏轉造成的微影誤差；將經判定微影誤差轉換成對應經偏轉薄膜形狀；形成與薄膜之偏轉之不同分量有關的複數個子模型；及藉由將複數個子模型擬合至經偏轉薄膜形狀來校準各子模型。
在本發明文件中，術語「輻射」及「光束」用以涵蓋所有類型之電磁輻射，包括紫外輻射(例如具有365、248、193、157或126 nm波長)及EUV (極紫外輻射，例如具有在約5至100 nm範圍內之波長)。
如本文中所採用之術語「倍縮光罩」、「光罩」或「圖案化元件」可經廣泛地解譯為係指可用以向入射輻射光束賦予經圖案化橫截面之通用圖案化元件，該經圖案化橫截面對應於待在基板之目標部分中產生之圖案。在此內容背景中亦可使用術語「光閥」。除經典光罩(透射性或反射性、二元、相移、混合式等等)以外，其他此類圖案化元件之實例包括可程式化鏡面陣列及可程式化LCD陣列。
圖1示意性地描繪根據本發明之一特定實施例的微影裝置。微影裝置包含：照明系統(「照明器」) IL，其經組態以調節輻射光束PB (例如UV輻射或DUV輻射)；支撐結構MT，其支撐光罩MA，支撐結構MT連接至定位裝置(未描繪)以相對於投影系統PS準確地定位光罩MA；基板台(例如晶圓台) WT，其用於固持基板(例如抗蝕劑塗佈晶圓) W且連接至用於相對於項目投影系統PS準確地定位基板的定位裝置PW；及投影系統(例如折射投影透鏡) PS，其經組態以藉由光罩MA將賦予輻射光束PB之圖案成像至基板W的目標部分C (例如包含一或多個晶粒)上。
如此處所描繪，微影裝置屬於透射性類型(例如採用透射性光罩)。或者，微影裝置可屬於反射性類型(例如採用可程式化鏡面陣列)。
薄膜P附著至框架F，該框架繼而附著至光罩MA。薄膜P為與光罩MA上之圖案間隔開的透射性膜。薄膜P防止污染顆粒入射於光罩MA之圖案上，且保持此類污染顆粒遠離光罩圖案。薄膜P可例如與光罩圖案分隔開幾mm (例如大約5 mm)。光罩MA、框架F及薄膜P皆位於由外殼20界定之環境內。
照明器IL自輻射源(未展示)接收輻射光束。舉例而言，當輻射源為準分子雷射器時，該源及微影裝置可為獨立的實體。在此類狀況下，不認為該源形成微影裝置之部分，且輻射光束藉助於包含(例如)合適之導向鏡及/或光束擴展器之光束遞送系統BD而自該源傳遞至照明器IL。在其他狀況下，例如當該源為水銀燈時，該源可為微影裝置之整體部分。該源及照明器IL連同光束遞送系統BD (在需要時)可稱作輻射系統。
照明器IL可包含用於調整光束之角強度分佈之調整構件AM。一般而言，可調整照明器之光瞳平面中之強度分佈之至少外及/或內徑向範圍(通常分別稱作外σ及內σ)。另外，照明器IL一般包含各種其他組件，諸如積光器IN及聚光器CO。照明器IL提供在其橫截面中具有所要均一性及強度分佈的經調節輻射光束PB。
輻射光束PB入射於由支撐結構MT固持的光罩MA上。在已橫穿光罩MA的情況下，輻射光束PB穿過薄膜P且接著傳送至投影系統PS中。投影系統PS將光束PB聚焦至基板W之目標部分C上。藉助於定位裝置PW及位置感測器IF (例如，干涉量測元件)，可準確地移動基板台WT例如以便將不同目標部分C定位於光束PB之路徑中。類似地，支撐結構MT可用以(例如)在掃描曝光期間相對於光束PB之路徑而準確地定位光罩MA。可使用光罩對準標記Ml、M2及基板對準標記PI、P2來對準光罩MA及基板W。
微影裝置可用以執行掃描曝光。在掃描曝光中，在將經賦予至光束PB之圖案投影至目標部分C上時同步地掃描支撐結構MT及基板台WT，亦即，單次動態曝光。藉由投影系統PS之縮小率及影像反轉特性來判定基板台WT相對於支撐結構MT之速度及方向。
微影裝置進一步包含控制器CT。控制器CT經組態以輸出待在掃描曝光期間應用於微影裝置之調整。調整可包含在掃描曝光期間調整投影系統PS之透鏡、基板W之掃描移動及倍縮光罩MA及薄膜P的掃描移動中之至少一者。藉由控制器CT執行之調整可至少部分地補償由薄膜P之偏轉導致的微影誤差。薄膜P之偏轉可使用根據本發明之實施例之方法(例如，如下文所描述之方法)來預測。
薄膜P將對穿過其之經圖案化輻射光束PB產生影響。薄膜P在掃描曝光期間動態地偏轉。此動態偏轉將不合需要之像差引入至藉由微影裝置投影至基板W上之影像中，此繼而導致微影誤差(諸如疊對誤差)。本發明之實施例處理此問題且允許減小微影誤差。
圖2示意性地描繪當薄膜P (或薄膜之部分)相對於微影裝置之光軸成一角度時將由薄膜P導致之輻射光束PB的偏移。為了輔助解釋偏移，在圖2中包括笛卡爾(Cartesian)座標。亦用於其他圖式中之笛卡爾座標係根據掃描微影裝置的慣例。y方向為掃描方向，亦即，在掃描曝光期間之移動方向，x方向在非掃描方向上之光罩的平面中，且z方向為微影裝置之光軸。
薄膜P具有大於薄膜P之任一側上之氣體(例如空氣)之折射率n1 、n2 的折射率np 。薄膜P具有厚度d。由薄膜P引入之偏移係根據司乃耳定律(Snell's Law)且由薄膜P之厚度d及薄膜P之折射率np 部分地判定。另外，因為薄膜P相對於XY平面成一角度θn ，故XY偏移係由薄膜P相對於XY平面之該角度進一步判定。系統之主射線Rp 展示為點線及虛線，且亦展示相對於主射線Rp 成角度θa 之射線R。虛線R1 展示在不存在薄膜P的情況下射線R將如何傳播。實線R2 展示當存在薄膜P時射線R如何傳播。如可見，相比於在不存在薄膜P的情況下將看到的射線R1 ，在射線R2 之y方向上存在顯著移位Δy。如亦可自圖2所理解，射線R之位移部分地取決於薄膜P相對於XY平面之角度θn 。主射線Rp 將比射線R移位更小的量。垂直於薄膜P之射線(未展示)將不移位。
圖3示意性地更詳細描繪圖1之微影裝置的部分。如在圖1中，薄膜P固定至薄膜框架F，該薄膜框架繼而附著至光罩MA。光罩MA附著至支撐結構MT。薄膜P、薄膜框架F及光罩MA可稱作光罩總成MS。光罩總成MS及支撐結構MT位於由外殼20界定之環境18中。由外殼20界定之環境18可稱作光罩總成環境18。
外殼20在與光罩MA相對之上部末端21處開放以接收輻射光束PB (參見圖1)，且在與薄膜P相對之下部末端22處開放以允許經圖案化輻射光束行進至微影裝置之投影系統PS (參見圖1)。下部開口22可稱作曝光隙縫22。圖3中示意性地描繪投影系統PS (參見圖1)之最上部透鏡24。
例如空氣之氣體可存在於光罩總成環境18中。可在高於投影系統PS中之壓力的壓力下提供氣體，以便抑制污染顆粒自投影系統PS行進至光罩總成環境18中。
容積26由薄膜P、光罩MA及框架F封閉。氣體可含於容積26中。容積26係藉由洩漏路徑(未描繪)連接至光罩總成環境18，該洩漏路徑允許氣體(例如，空氣)在該容積與該光罩總成環境之間流動。洩漏路徑經限制以使得氣體可在容積26與光罩總成環境18之間行進的速率受限。氣體之流動速率足夠低，使得在掃描曝光期間可認為容積26中之氣體量係固定的。
在掃描曝光期間，支撐結構MT及光罩總成MS在y方向上(如由圖3中之箭頭所指示)自外殼20之一側迅速移動至另一側。掃描曝光可(例如)在大約100毫秒內執行。
如圖3中所示意性地描繪，在光罩總成MS自左至右之掃描移動期間，光罩總成MS及支撐結構MT之右手側處之氣體壓力將增大，此係因為含有彼氣體之容積正減小。同時，光罩總成MS及支撐結構MT之左手側上之壓力減小，此係因為含有彼氣體之容積增大。結果，氣體圍繞光罩總成MS及支撐結構MT流動直至光罩總成環境18中之氣體壓力已均衡為止。此氣體流動為導致薄膜P之偏轉的一個實例。偏轉可在薄膜P之掃描移動期間改變。偏轉由薄膜表面之彎曲組成，且此將像差引入至由微影裝置投影至基板W上之影像中。如上文結合圖2所解釋，當薄膜P相對於光罩MA成一非零角度時，此將偏移引入至經投影影像中。因為薄膜P彎曲且因此具有相對於光罩MA之一角度範圍，故薄膜並不引入單純的偏移，而是將像差引入至經投影影像中。此外，由薄膜P引入之像差在掃描曝光期間變化。此係因為經圖案化輻射光束在光罩總成MS之掃描移動期間沿著薄膜P掃描，且薄膜P之不同部分將以不同方式彎曲。
圖4展示由薄膜P在掃描曝光期間之移動造成之薄膜偏轉導致之曝光場內的疊對誤差。圖4A展示與掃描曝光之一部分相關聯之疊對誤差，其中薄膜P在正y方向上移動，亦即，掃描曝光之「向上掃描」部分。圖4B展示與掃描曝光之一部分相關聯之疊對誤差，其中薄膜P在負y方向上移動，亦即，掃描曝光之「向下掃描」部分。在圖4之實例中，疊對誤差表示為黑色箭頭之變形柵格，其中箭頭之大小指示在基板W之目標部分C上的給定方位處之疊對誤差的量值。給定箭頭之尾部指示經投影影像之部分的預定方位，且箭頭之頭部指示在像差已由偏轉的薄膜P引入至經投影影像之後該經投影影像之部分的實際方位。
圖4中所展示之疊對誤差係由支撐結構MT (或倍縮光罩台)在基板W之曝光期間沿著掃描方向(例如，y方向)往返移動時薄膜P之偏轉觸發的。如藉由圖4A與圖4B之間的比較可見，由向上掃描及向下掃描移動導致之疊對誤差彼此不同。薄膜P之偏轉在向上掃描及向下掃描移動兩者中可為實質上相同的，只是當自向上掃描切換至向下掃描時薄膜P相對於目標部分之定向改變。即，掃描曝光之向上掃描部分中薄膜P之偏轉(圖4A)可實質上為掃描曝光之向下掃描部分中薄膜P之偏轉(圖4B)的鏡像。或者，向上掃描移動期間之薄膜P之偏轉可與向下掃描移動期間之薄膜P的偏轉不同。可能造成向上掃描移動與向下掃描移動期間由薄膜所經歷之偏轉之間的差異之因素可例如包括待投影穿過薄膜之影像、薄膜P及/或倍縮光罩MA之局部環境18的性質(例如，倍縮光罩台環境18之幾何及/或局部壓力變化)等。
由於與倍縮光罩台MT之運動相關，故並非基板W之所有目標部分均將經歷相同的疊對誤差。此尤其適用於經受部分曝光之基板W的目標部分C。此亦尤其適用於在經曝光之目標部分C之列及/或行改變之後經受曝光的第一目標部分C。舉例而言，當目標部分之第一行已曝光於輻射時，基板台WT可在曝光再次開始之前移動至目標部分C的相鄰行。與基板台WT自一行之一個目標部分C移動至相同行之另一目標部分C相比，此移動需要額外時間。與經曝光之目標部分C之列/行未在曝光之間改變時相比，此額外時間可能在該列及/或行在曝光之間改變之後導致薄膜P的行為的不同。
薄膜之環境18內之壓力變化並非薄膜偏轉之唯一原因。薄膜P之移動之不同態樣造成曝光掃描期間由薄膜P所經歷的總偏轉。圖5展示典型曝光掃描循環中所涉及之不同時間段。曝光掃描可分解成倍縮光罩台MT及薄膜P之移動的不同時段。在圖5之實例中，倍縮光罩台MT及薄膜P之第一移動時段T1為基板W的目標部分C之先前曝光的結束。即，影像在基板W之先前目標部分C上的投影已剛好結束。在先前曝光結束期間倍縮光罩及薄膜以恆定速度移動。倍縮光罩MA及薄膜P可沿著掃描方向以大於約0.5 ms-1 之速度移動。倍縮光罩MA及薄膜P可沿著掃描方向以小於約10 ms-1 之速度移動。圖5之曝光掃描循環中之下一時間段為第一加速度變化率時段T2，在此期間薄膜P之加速度的改變速率為非零。第一加速度變化率時段T2可例如具有大於約0.001 s之持續時間。第一加速度變化率時段T2可例如具有小於約0.03 s之持續時間。第一加速度變化率時段T2可後接減速度時段T3，在此期間倍縮光罩台MT及薄膜P經歷恆定減速度。倍縮光罩MA及薄膜P可例如在減速度時段T3期間經歷大於約50 ms-2 之絕對加速度。倍縮光罩MA及薄膜P可例如在減速度時段T3期間經歷小於約200 ms-2 之絕對加速度。減速度時段T3可例如具有大於約1 ms之持續時間。減速度時段T3可例如具有小於約50 ms之持續時間。減速度時段T3可後接第二加速度變化率時段T4，在此期間薄膜之加速度的改變速率為非零。第二加速度變化率時段T4可例如具有大於約0.001 s之持續時間。第二加速度變化率時段T4可例如具有小於約0.03 s之持續時間。可合併第一加速度變化率時段T2、減速度階段T3及第二加速度變化率時段T4以形成倍縮光罩及薄膜之第一加速度分佈(profile)。倍縮光罩MA及薄膜P之第一加速度分佈可能在基板W之曝光期間對由薄膜P所經歷之偏轉具有相對較大的影響。因此當將薄膜P之偏轉模型化時，第一加速度分佈可包含一或多個待考慮之重要參數。第一加速度分佈可例如具有大於約1 ms之持續時間。第一加速度分佈可例如具有小於約10 ms之持續時間。
第二加速度變化率時段T4可後接倍縮光罩台MT及薄膜P在掃描方向上之行進的結束T5。即，倍縮光罩台MT沿著掃描方向到達其最大距離且變成靜止。在行進結束時段T5結束時，薄膜P開始在相反之掃描方向上移動。下一時段可為第三加速度變化率時段T6，在此期間薄膜P之加速度的改變速率為非零。第三加速度變化率時段T6可例如具有大於約1 ms之持續時間。第三加速度變化率時段T6可例如具有小於約30 ms之持續時間。第三加速度變化率時段T6可後接加速度時段T7，在此期間薄膜經歷恆定加速度。倍縮光罩MA及薄膜P可例如在加速度時段T7期間經歷大於約50 ms-2 之絕對加速度。倍縮光罩MA及薄膜P可例如在加速度時段T7期間經歷小於約200 ms-2 之絕對加速度。加速度時段T7可例如具有大於約1 ms之持續時間。加速度時段T7可例如具有小於約50 ms之持續時間。薄膜P在整個加速度時段T7及加速度時段中經歷恆定量值之加速度，在此等時段之間只有薄膜移動之方向改變。加速度時段T7可後接第四加速度變化率時段T8，在此期間薄膜P之加速度的改變速率為非零。第四加速度變化率時段T8可例如具有大於約1 ms之持續時間。第四加速度變化率時段T8可例如具有小於約30 ms之持續時間。可合併第三加速度變化率時段T6、加速度時段T7及第四加速度變化率時段T8以形成倍縮光罩MA及薄膜P之第二加速度分佈。倍縮光罩MA及薄膜P之第二加速度分佈可能在基板W之曝光期間對由薄膜P所經歷之偏轉具有相對較大的影響。因此，當將薄膜P之偏轉模型化時，第二加速度分佈可包含一或多個待考慮之重要參數。第二加速度分佈可例如具有大於約1 ms之持續時間。第二加速度分佈可例如具有小於約10 ms之持續時間。
第四加速度變化率時段T8可後接穩定時段，在此期間薄膜P經歷恆定速度。倍縮光罩MA及薄膜P可沿著掃描方向以大於約0.5 ms-1 之速度移動。倍縮光罩MA及薄膜P可沿著掃描方向以小於約10 ms-1 之速度移動。基板W之目標部分C在穩定時段T9期間並不曝光於輻射。穩定時段T9可允許薄膜P之偏轉在基板W之下一目標部分C之曝光發生之前部分地穩定一定時間。穩定時段T9可後接曝光時段T10，在此期間倍縮光罩台MT (及薄膜P)以恆定速度移動，同時影像投影穿過薄膜P且投影至基板W之目標部分C上。倍縮光罩MA及薄膜P可沿著掃描方向以大於約0.5 ms-1 之速度移動。倍縮光罩MA及薄膜P可沿著掃描方向以小於約10 ms-1 之速度移動。一旦影像已投影至基板W之目標部分C上，則曝光時段結束且曝光掃描循環可隨著先前曝光之結束再次開始以準備曝光基板W之不同目標部分C。穩定時段T9、曝光時段T10及先前曝光之結束可例如具有大於約10 ms之總持續時間。穩定時段T9、曝光時段T10及先前曝光之結束可例如具有小於約100 ms之總持續時間。曝光掃描循環之總持續時間可至少部分地取決於基板W之目標部分C之大小及/或倍縮光罩台MT之掃描速度。
再次參看圖4，可認為曝光時段包含三個子時段：初始掃描子時段41、中間掃描子時段42及最終掃描子時段43。此等三個子時段41至43指示於圖4A (向上掃描)及圖4B (向下掃描)上。初始掃描子時段41可對應於上文參考圖5所論述之第二加速度分佈。中間掃描子時段42可對應於上文參考圖5所論述之穩定時段T9、曝光時段T10及先前曝光之結束。最終掃描時段43可對應於上文參考圖5所論述之第一加速度分佈。如自圖4可見，曝光時段T10之不同子時段41至43與不同疊對誤差相關聯。與薄膜P之偏轉相關聯之疊對誤差可為例如大於約0.1 nm。與薄膜P之偏轉相關聯之疊對誤差可例如小於約6 nm。
薄膜P之淨偏轉可理解為由不同原因(例如薄膜P之環境的壓力變化)導致之偏轉與由薄膜P之運動的改變導致的偏轉的組合。可能難以將薄膜偏轉整體地模型化，此係因為整體模型化可涉及大量相互相依之變量，其要求大量資料及處理能力以準確地模型化。發明者已意識到可將由薄膜P所經歷之總偏轉理解為回應於薄膜P之移動之不同態樣的薄膜P之偏轉之不同分量的組合。亦即，發明者已意識到可根據薄膜P之偏轉回應的原因(亦即造成薄膜之偏轉的薄膜的移動之態樣)來將其分開，且藉由模型單獨地處理。薄膜之偏轉中之每一分量可藉由其自有子模型來經模型化。每一子模型可經組態以預測薄膜之偏轉之給定分量對總薄膜偏轉之貢獻值。對每一子模型之預測可隨後經合併以預測薄膜P之總偏轉，例如藉由合併每一子模型之輸出同時假設子模型彼此獨立來進行預測。可根據每一子模型來校準造成薄膜P之偏轉之參數，且可根據每一子模型來計算對總薄膜偏轉的貢獻值。
圖6展示根據本發明之實施例之預測在薄膜P在微影裝置中之移動期間將出現之薄膜P的偏轉的方法。在圖6之實例中，已經產生模型。對如何產生模型之論述可在下文參考圖8找到。該方法之第一步驟S1包括接收有關薄膜P之性質的參數及接收有關薄膜P之預期移動的參數。
有關薄膜P之性質的第一參數可包括例如：薄膜類型、在薄膜P固持於薄膜框架F中之情況下的張力或張應力、薄膜之厚度d、當薄膜P由薄膜框架F固持時薄膜P的諧振頻率等。有關薄膜P之性質的第一參數可經量測及/或模型化。舉例而言，可在實驗室中量測當薄膜P由薄膜框架F固持時薄膜P的諧振頻率。在薄膜P固持於薄膜框架F中之情況下的張力可為例如大於約1 MPa。在薄膜P固持於薄膜框架F中之情況下的張力可為例如小於約15 MPa。薄膜P之厚度d可為例如大於約100 nm。薄膜P之厚度d可為例如小於約1000 nm。當薄膜P由薄膜框架F固持時薄膜P的諧振頻率可為例如大於約5 Hz。當薄膜P由薄膜框架F固持時薄膜P的諧振頻率可為例如小於約50 Hz。
有關薄膜P之預期移動的第二參數可包括例如：薄膜之加速度的改變速率為非零之時間、薄膜P之加速度的改變速率(亦即加速度變化率)、薄膜P之加速度、薄膜P之速度、薄膜P之位置等。有關薄膜P之預期移動的第二參數可經量測及/或模型化。薄膜P之加速度變化率可為例如大於約10000 ms-3 。薄膜P之加速度變化率可為例如小於約20000 ms-3 。薄膜P之加速度可為例如大於約50 ms-2 。薄膜P之加速度可為例如小於約200 ms-2 。薄膜P之速度可為例如大於約0.5 ms-1 。薄膜P之速度可為例如小於約10 ms-1 。
該方法之第二步驟S2包括將第一及第二參數應用於模型，該模型預測依據第一及第二參數而變化的薄膜P之偏轉。模型包含與薄膜P之偏轉之不同分量有關的複數個子模型。在圖6之實例中，模型由三個子模型組成，其中每一子模型由一曲線圖表示，該曲線圖展示由子模型表示之薄膜P之偏轉的分量導致薄膜如何偏轉。
第一子模型51將薄膜P之偏轉模型化為由薄膜P之偏轉之振動分量引起的阻尼波。第一子模型51可稱作振動子模型。薄膜P之運動時段(在此期間薄膜P之加速度的改變速率為非零)可以薄膜P之諧振頻率(亦即，在振動之邊界係由與薄膜框架F接觸的區域界定之情況下薄膜P之固有頻率或諧振頻率)激發薄膜的振動。舉例而言，與典型曝光掃描循環相關的上文所論述之第一T2、第二T4及第三T6加速度變化率時段中之每一者均可誘發薄膜P的振動。在目標部分C在曝光時段T10期間曝光於輻射之前所誘發的振動可能沒有減弱。因此，所誘發的振動可導致將像差引入至投影至基板W之目標部分C上的影像。
薄膜P之不同移動可促成藉由第一子模型51模型化之薄膜P之偏轉的振動分量。舉例而言，藉由加速度變化率時段誘發之薄膜P之振動的量值可至少部分地取決於薄膜P之加速度及/或薄膜P之加速度的改變速率。在薄膜P之移動中之不同時間處所誘發的薄膜P之振動可能彼此干擾且從而影響由薄膜P所經歷之總偏轉。舉例而言，給定振動之相位可至少部分地取決於非零加速度變化率誘發給定振動的時間。振動之相位可至少部分地取決於加速度變化率時段結束的時間。舉例而言，圖5之曝光掃描循環包括四個加速度變化率時段。第一子模型51可至少部分地用以將此等四個振動加在一起且從而判定薄膜P之振動的總激發。四個振動之相對相位可至少部分地取決於每一加速度變化率時段結束的時間。每一振動之時間段可至少部分地取決於當薄膜P由薄膜框架F固持時薄膜P的諧振頻率。藉由第一子模型51來模型化之薄膜P的偏轉可例如至少部分地藉由薄膜P之振動之總激發與薄膜框架系統F中之薄膜P的諧波(例如第二諧波)之組合(例如卷積)來判定。因此，第一子模型51可接收有關薄膜P之預期移動之以下參數集合中之至少一者：薄膜之加速度的改變速率為非零的時間，亦即曝光掃描中之非零加速度變化率的一或多個時間段，諸如參考圖5所論述之第一T2及/或第二T4加速度變化率時段；薄膜P之加速度的改變速率；及薄膜P之加速度。此等參數中之每一者均可造成薄膜P之所誘發振動及薄膜P之相關聯偏轉。
在加速度變化率時段期間誘發之後，歸因於損耗(諸如由與薄膜P連通之氣體引起之對薄膜移動的阻力)，薄膜P之振動隨時間流逝而減小或減弱。可使用第一子模型51來校準的與薄膜P之偏轉有關的參數包括所誘發的薄膜P之振動的頻率、作用於所誘發的振動之阻尼的強度、在已知加速度及/或已知加速度的改變速率下之振動的振幅等。在將此等參數用於圖6之方法中之前，可使用例如運算流體動力學來將此等參數模型化。
第二子模型52將薄膜P之偏轉模型化為由與薄膜P連通之氣體(亦即，藉由如參考圖3所論述之薄膜P、光罩MA及框架F封閉之氣體)的惰性引起的指數衰減分量。第二子模型52可稱作惰性子模型。在薄膜P之掃描運動開始處誘發沿著薄膜P之壓力梯度。壓力梯度之量值可至少部分地取決於薄膜P之加速度及/或薄膜P之加速度的改變速率。由壓力梯度導致之薄膜P的偏轉與薄膜P之其他偏轉之間的干擾可至少部分地取決於壓力梯度經誘發之時間，例如薄膜經歷非零加速度變化率的時間。第二子模型52至少部分地用以將指數衰減分量與與薄膜P之一或多個加速度分佈(例如，參考圖5所論述之第一及第二加速度分佈)相關聯的參數合併。藉由第二子模型52模型化之薄膜的偏轉可例如至少部分地由指數衰減分量與薄膜框架系統F中之薄膜P的諧波(例如二階諧波)的組合(例如卷積)來判定。因此，第二子模型51可接收有關薄膜P之預期移動之以下參數集合中之至少一者：1)薄膜之加速度的改變速率為非零之時間，亦即曝光掃描中之非零加速度變化率的一或多個時間段，諸如參考圖5所論述之第一及/或第二加速度變化率時段；2)薄膜P之加速度的改變速率；及3)薄膜P之加速度。
所誘發的壓力梯度按指數律地鬆弛。壓力梯度之指數衰減之時間常數可例如在約5 ms與約50 ms之間，例如約20 ms。可使用第二子模型52來校準的參數包括壓力梯度之衰減速率、在已知加速度下及/或在由壓力梯度引起之加速度的已知變化下之疊對誤差的振幅等。在將此等參數用於圖6之方法中之前，可使用例如運算流體動力學來將此等參數模型化。
第三子模型53將薄膜P之偏轉模型化為由在薄膜P之移動期間的與薄膜P連通之氣體之壓力變化引起的變形分量。第三子模型53可稱作壓力變化模型。如上文參考圖3所論述，氣體圍繞光罩總成MS及支撐結構MT流動，導致薄膜P之偏轉。在圖6之實例中，將與第三子模型53相關聯之薄膜偏轉模型化為三次函數的形式。與第三子模型53相關聯之薄膜偏轉可採用其他形式，例如二次函數。薄膜P之偏轉之此分量的量值隨著薄膜P之速度增大而增大。薄膜偏轉之量值可與薄膜P之速度成比例，該速度提高至大於或等於約一點五的能值。薄膜偏轉之量值可與薄膜P之速度成比例，該速度提高至小於或等於約二點五的能值。舉例而言，薄膜偏轉之量值可與薄膜P之速度的平方成比例。可調整薄膜P之速度提高至的值以便微調及改良模型之準確度。因此，第三子模型53可接收有關薄膜P之預期移動的以下參數中之至少一者：薄膜P之速度；及薄膜P之位置。可使用第三子模型53來校準之參數為由歸因於壓力變化的在已知速度(在曝光掃描期間薄膜P的最大速度)下之薄膜P之偏轉誘發的疊對誤差。
第三子模型53可進一步經組態以將未由第一及第二子模型51、52容納之薄膜P的偏轉模型化。舉例而言，可將與由第一及第二子模型51、52描述之薄膜偏轉相關聯之微影誤差自與所有薄膜偏轉相關聯的總微影誤差(例如圖4中所展示之疊對誤差)中扣除，且可將任何剩餘微影誤差擬合至第三子模型53。作為另一實例，可將由第一子模型51預測之薄膜偏轉與由第二子模型52預測之薄膜偏轉的合併振幅自薄膜P之總偏轉中扣除，以將薄膜的剩餘偏轉模型化。
有關薄膜P之性質的第一參數亦可造成由三個子模型51至53所描述之薄膜偏轉。舉例而言，將薄膜P固持於薄膜框架F中之張力可至少部分地判定由第一子模型51所描述之所誘發振動的頻率、由第二子模型52所描述之壓力梯度之指數衰減的時間常數及/或由第三子模型53所描述之偏轉程度。因此該模型接收此等參數以便準確地預測薄膜P之偏轉及所得微影誤差。
在圖6之實例中，該方法包括合併來自子模型51至53之輸出的視情況選用的第三步驟S3。子模型51至53之輸出可在假設子模型彼此獨立之情況下合併。即，可將由每一子模型51至53所預測之對薄膜偏轉的貢獻值一起相加(假設其貢獻值足夠獨立)。熟習此項技術者將瞭解，實際上來自子模型中之每一者的對薄膜P之偏轉的貢獻值事實上係相互相依的。舉例而言，由第二52及第三53子模型所描述之薄膜P的偏轉影響由薄膜P所經歷之張力，其繼而影響如由第一子模型51所描述之由薄膜P所經歷之振動。然而，發明者已意識到，由子模型51至53之相互相依性引起之薄膜偏轉係不明顯的，且可在未明顯不利地影響薄膜偏轉模型之準確度的情況下忽略。此假設有利地幫助將薄膜偏轉之原本複雜的模型簡化，如先前所提及。
本方法可用以在向上掃描移動期間及/或在向下掃描移動期間預測薄膜偏轉。即，若例如有關薄膜P之預期移動之第二參數在向上掃描移動與向下掃描移動之間不同，則可使用兩次該方法。該方法之首次使用可包括使用與向上掃描移動相關聯之第一第二參數集合來預測在向上掃描移動期間薄膜P的偏轉。該方法之二次使用可包括使用與向下掃描移動相關聯之不同第二參數集合來預測在向下掃描移動期間薄膜P的偏轉。
圖7展示根據本發明之實施例之使用微影裝置來執行基板W之目標部分C的掃描曝光的方法。該方法之第一步驟S11包括將倍縮光罩MA及薄膜P裝載至微影裝置中。該方法之第二步驟S12包括在倍縮光罩MA及薄膜P之掃描移動期間及在基板W之掃描移動期間使輻射光束PB穿過倍縮光罩MA且穿過薄膜P。如先前所論述，薄膜P之移動將誘發薄膜P之偏轉。該方法之第三步驟S13包括使用微影裝置之投影系統PS來將輻射光束PB投影至基板W的目標部分C上。如先前所論述，薄膜P之偏轉將把像差引入至由經投影輻射光束PB所攜載的影像。該方法之第四步驟S14包括接收有關薄膜P之性質的第一參數及接收有關薄膜P之預期移動的第二參數。如先前所論述，可針對向上掃描移動及向下掃描移動接收不同的第一及第二參數。該方法之第五步驟S15包括將第一及第二參數應用於預測依據第一及第二參數而變化的薄膜P之偏轉的模型。如先前所論述，可應用與向上掃描移動相關聯之第二參數以預測向上掃描移動期間之薄膜偏轉，且可應用與向下掃描移動相關聯的第二參數以預測向下掃描移動期間的薄膜偏轉。圖7之方法之第四及第五步驟S14、S15對應於圖6之方法的第一及第二步驟S1、S2。可使用物理學(例如經由光學像差模型)來將所預測之薄膜偏轉轉換成微影誤差。可在將薄膜偏轉轉換成微影誤差時使用之參數可例如包括薄膜P與倍縮光罩MA之間的距離、薄膜P之折射率等。薄膜P與倍縮光罩MA之間的距離可為例如大於約1 mm。薄膜P與倍縮光罩MA之間的距離可為例如小於約20 mm。薄膜P之折射率可為例如大於約0.5。薄膜P之折射率可為例如小於約2。
該方法之第六步驟S16包括調整投影系統PS之透鏡、基板W之移動及倍縮光罩MA及薄膜P之移動中之至少一者以補償微影誤差。調整類型及/或調整程度可在掃描期間變化。舉例而言，可相對於倍縮光罩MA來調整投影系統PS中之透鏡的位置，可將壓力施加於投影系統PS之一或多個透鏡，可加熱或冷卻投影系統PS的一或多個透鏡等。
一些微影製程涉及使用包含薄膜P之微影裝置(例如，DUV微影裝置)來執行基板W之第一組曝光，且使用不包含薄膜P之微影裝置來執行基板W的另一組曝光。薄膜偏轉之影響對一組曝光而言存在，但對另一組曝光而言不存在。此差異可導致可稱作匹配誤差之物。匹配誤差可導致顯著的微影誤差，例如疊對誤差，尤其在單個基板W上使用薄膜P曝光之圖案與未使用薄膜P曝光的圖案之間。藉由預測薄膜偏轉及在存在薄膜P之曝光期間使用圖7之方法來補償相關聯的微影誤差，可顯著地減小匹配誤差。
圖8展示根據本發明之實施例之產生用於預測薄膜P之偏轉的模型的方法。該方法之第一步驟S21包括判定由薄膜P之偏轉造成的微影誤差。第一步驟S21可包括在掃描方向上移動薄膜P以誘發薄膜P之偏轉，同時將影像投影穿過薄膜P且量測經投影影像以判定由薄膜P之偏轉造成的微影誤差。微影誤差可藉助於感測器來量測，例如藉由使用干涉計，其在經投影影像已穿過薄膜P之後接收該經投影影像，及/或藉由用經投影影像曝光抗蝕劑且將形成於抗蝕劑上之影像與預期影像進行比較。當判定所得微影誤差時，可考量微影裝置之投影系統PS的縮小率及/或影像反轉特性。可判定複數個微影誤差。舉例而言，可判定與不同加速度分佈相關聯之不同疊對誤差。薄膜P之運動可變化以便改變薄膜P之偏轉及所得微影誤差兩者。舉例而言，薄膜P之移動可變化以使得薄膜P在整個曝光掃描中在不同時間及/或位置處經歷不同的加速度之改變速率、不同的加速度及不同的速度。一般而言，增大薄膜P移動之變化量且判定所得微影誤差改良模型之準確度，此係因為模型將具有更大量的相關資訊用以進行預測。
該方法之第二步驟S22包括將微影誤差轉換成對應的經偏轉薄膜形狀。第二步驟S22可涉及使用物理學等式來將經判定之微影誤差轉換成薄膜之對應經偏轉形狀，例如使用如參考圖2所論述之司乃耳定律。舉例而言，可判定薄膜P沿著倍縮光罩台MT之掃描方向的z位置(或薄膜之「高度」)的變化。另外或或者，可判定薄膜P之表面法線與微影裝置之光軸(亦即沿著倍縮光罩台MT之掃描軸的z軸)之間的角度的變化。可使用獨立的元件及/或微影裝置來判定影響薄膜P之偏轉的相關物理參數。
該方法之第三步驟S23包括形成與薄膜P之移動之不同態樣有關的複數個子模型。複數個子模型可例如對應於參考圖6所論述之三個子模型，例如振動子模型51、惰性子模型52及壓力變化模型53。
該方法之第四步驟S24包括藉由將子模型擬合至經偏轉薄膜形狀來校準每一子模型。第四步驟S24可例如包含執行非線性卡方擬合以減小(或最小化)藉由子模型所預測之薄膜P的偏轉與使用在第一步驟S21中所論述之微影誤差來判定之薄膜P的偏轉之間的差異。擬合結果可提供用於預測例如依據薄膜P及倍縮光罩台MT之掃描方向而變化的薄膜偏轉的準確模型。
一旦第四步驟S24完成，則可使用所產生模型來藉由接收有關薄膜P之性質的參數及有關薄膜P之預期移動的參數的任何給定組合作為模型輸入(亦即圖6中所展示之方法的第一步驟S1)來預測薄膜P之偏轉。可多次執行圖8之方法以產生不同模型。舉例而言，圖8之方法可使用與向上掃描移動相關聯之參數來執行，以便產生用於預測在向上掃描移動期間薄膜P之偏轉的模型。作為另一實例，圖8之方法可使用與向下掃描移動相關聯之參數來執行，以便產生用於預測在向下掃描移動期間薄膜P之偏轉的模型。藉由圖8之方法產生之模型可隨後用以預測各種各樣掃描移動之薄膜偏轉，且模型之結果可用以至少部分地預測與彼等不同掃描移動相關聯的微影誤差。所預測之微影誤差可隨後例如藉由調整投影系統PS之透鏡、基板W之移動及倍縮光罩MA及薄膜P之移動中之至少一者來至少部分地補足。藉此，可減小實際微影誤差。
儘管可在本文中特定地參考在IC製造中的微影裝置之使用，但應理解，本文中所描述之微影裝置可具有其他應用。可能之其他應用包括製造積體光學系統、用於磁域記憶體之導引及偵測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCD)、薄膜磁頭等。
儘管可在本文中特定地參考在微影裝置之內容背景中之本發明之實施例，但本發明之實施例可用於其他裝置中。本發明之實施例可形成光罩檢測裝置、度量衡裝置或量測或處理諸如晶圓(或其他基板)或光罩(或其他圖案化元件)之物件之任何裝置的部分。此等裝置可一般稱作微影工具。此類微影工具可使用真空條件或環境(非真空)條件。
在內容背景允許之情況下，可在硬體、韌體、軟體或其任何組合中實施本發明之實施例。本發明之實施例亦可實施為儲存於機器可讀媒體上之指令，該等指令可由一或多個處理器讀取及執行。機器可讀媒體可包括用於儲存或傳輸呈可由機器(例如，運算元件)讀取之形式之資訊的任何機構。舉例而言，機器可讀媒體可包括：唯讀記憶體(ROM)；隨機存取記憶體(RAM)；磁性儲存媒體；光學儲存媒體；快閃記憶體元件；電學、光學、聲學或其他形式之傳播信號(例如，載波、紅外信號、數位信號等)；及其他者。另外，韌體、軟體、常式、指令可在本文中描述為執行特定動作。然而，應瞭解，此類描述僅出於方便起見，且此類動作實際上由運算元件、處理器、控制器或執行韌體、軟體、常式、指令等的其他元件引起，且在執行時可使得致動器或其他元件與實體世界互動。
儘管上文已描述本發明之特定實施例，但將瞭解，可以與所描述不同之其他方式來實踐本發明。以上描述意欲為說明性，而非限制性的。因此，對於熟習此項技術者將顯而易見的係，可在不脫離下文所闡明之申請專利範圍之範疇的情況下對如所描述之本發明進行修改。
18:環境 20:外殼 21:上部末端 22:下部末端 24:最上部透鏡 26:容積 41:初始掃描子時段 42:中間掃描子時段 43:最終掃描子時段 51:第一子模型 52:第二子模型 53:第三子模型 d:厚度 n1:折射率 n2:折射率 np:折射率 AM:調整構件 BD:光束遞送系統 C:目標部分 CO:聚光器 CT:控制器 F:框架 IF:位置感測器 IL:照明器 IN:積光器 M1:光罩對準標記 M2:光罩對準標記 MA:光罩 MS:光罩總成 MT:支撐結構 P:薄膜 P1:基板對準標記 P2:基板對準標記 PB:輻射光束 PS:投影系統 PW:定位裝置 R:射線 R1:虛線/射線 R2:實線/射線 Rp:主射線 S1:第一步驟 S2:第二步驟 S3:第三步驟 S11:第一步驟 S12:第二步驟 S13:第三步驟 S14:第四步驟 S15:第五步驟 S16:第六步驟 S21:第一步驟 S22:第二步驟 S23:第三步驟 S24:第四步驟 T1:第一移動時段 T2:第一加速度變化率時段 T3:減速度時段 T4:第二加速度變化率時段 T5:行進結束時段 T6:第三加速度變化率時段 T7:加速度時段 T8:第四加速度變化率時段 T9:穩定時段 T10:曝光時段 W:基板 WT:基板台 X:方向 Y:方向 Z:方向 θa:角度 θn:角度 Δy:移位
現在將參看隨附示意性圖式而僅由實例來描述本發明，在該等圖式中： -  圖1描繪微影裝置之示意性綜述； -  圖2示意性地描繪由薄膜之偏轉導致的輻射光束之偏移； -  圖3更詳細地示意性地描繪包含薄膜之圖1之微影裝置的部件； -  由圖4A及4B組成的圖4展示在掃描曝光期間由薄膜之移動造成之薄膜偏轉導致的疊對誤差； -  圖5展示典型曝光掃描循環中所涉及之不同時間段； -  圖6展示根據本發明之實施例的預測將在薄膜在微影裝置中之移動期間出現之薄膜之偏轉的方法； -  圖7展示根據本發明之實施例的使用微影裝置來執行基板之目標部分之掃描曝光的方法；及， -  圖8展示根據本發明之實施例的產生用於預測薄膜之偏轉的模型的方法。
51:第一子模型
52:第二子模型
53:第三子模型
S1:第一步驟
S2:第二步驟
S3:第三步驟

Claims (15)

  1. 一種預測由一薄膜在一微影裝置中之一移動造成的該薄膜之一偏轉的方法，該方法包含： 接收包含該薄膜之性質的第一參數； 接收包含該薄膜之預期移動之性質的第二參數；及 將該第一及第二參數應用於一模型，該模型經配置以預測依據該等第一及第二參數而變化的該薄膜之該偏轉， 其中該模型包含複數個子模型，各子模型與該薄膜之該偏轉的一不同分量有關，且各子模型提供一輸出。
  2. 如請求項1之方法，其中該模型經配置以合併該複數個子模型之該等輸出，且其中該模型包括該複數個子模型彼此獨立的一假設。
  3. 如請求項2之方法，其中該複數個子模型中之至少一者與該薄膜之該偏轉的一分量有關，該分量依賴於該薄膜之該移動的以下第一組態樣中之至少一者： 該薄膜之一加速度的一改變速率為非零的一時間； 該薄膜之一加速度的一改變速率；及， 該薄膜之一加速度。
  4. 如請求項3之方法，其中一第一子模型經配置以使用該第一組態樣中之至少一者來將該薄膜之該偏轉模型化為依賴於該薄膜之一振動的一阻尼波。
  5. 如請求項3或請求項4之方法，其中一第二子模型經配置以使用該第一組態樣中之至少一者來將該薄膜之該偏轉模型化為依賴於與該薄膜連通之一氣體之一惰性的一指數衰減。
  6. 如請求項2至4之方法，其中該複數個子模型中之至少一者與該薄膜之該偏轉的一分量有關，該薄膜之該偏轉依賴於該薄膜之該移動的以下第二組態樣中之至少一者： 該薄膜之一速度；及， 該薄膜之一位置。
  7. 如請求項6之方法，其中一第三子模型經配置以使用該第二組態樣中之至少一者來將該薄膜之該偏轉模型化為依賴於在該薄膜之移動期間的與該薄膜連通之一氣體的壓力變化的一變形。
  8. 如請求項4之方法，其中一第二子模型經配置以使用該第一組態樣中之至少一者來將該薄膜之該偏轉模型化為依賴於與該薄膜連通之一氣體之一惰性的指數衰減，且其中該複數個子模型中之至少一者與該薄膜之該偏轉的一分量有關，該分量依賴於該薄膜之該移動的以下第二組態樣中之至少一者： 該薄膜之一速度；及， 該薄膜之一位置， 其中一第三子模型使用該第二組態樣中之至少一者來將該薄膜之該偏轉模型化為依賴於在該薄膜之移動期間與該薄膜連通之一氣體的壓力變化的一變形，該第三子模型進一步模型化未由該第一子模型及該第二子模型容納之該薄膜的偏轉。
  9. 一種在一微影裝置內執行一基板之一目標部分之一掃描曝光的方法，該方法包含： 將一倍縮光罩及一薄膜裝載至該微影裝置中； 在該倍縮光罩及該薄膜之掃描移動期間及在該基板之掃描移動期間使一輻射光束傳送穿過該倍縮光罩且穿過該薄膜； 使用該微影裝置之一投影系統來將該輻射光束投影至該基板之該目標部分上；及 在該掃描曝光期間調整該投影系統之一透鏡、該基板之該掃描移動及該倍縮光罩及該薄膜的一掃描移動中之至少一者以補償由該薄膜之該偏轉所致的微影誤差，其中藉由如請求項1至8中任一項之方法預測該薄膜之該偏轉。
  10. 一種包含電腦可讀指令之電腦程式，該等指令經組態以控制一電腦以實行如請求項1至9中任一項之方法。
  11. 一種電腦可讀媒體，其攜載如請求項10之電腦程式。
  12. 一種用於預測由薄膜在一微影裝置中之移動造成之該薄膜的偏轉的電腦裝置，其包含：一記憶體，其儲存處理器可讀指令；及一處理器，其經配置以讀取及執行儲存於該記憶體中的指令，其中該處理器可讀指令包含經配置以控制該電腦以實行如請求項1至9中任一項之方法的指令。
  13. 一種微影裝置，其經配置以將一圖案自一圖案化元件投影至一基板上，該微影裝置包含如請求項12之電腦裝置。
  14. 一種度量衡元件，其包含如請求項12之電腦裝置。
  15. 一種產生用於預測由一薄膜在一微影裝置中之移動造成的該薄膜之一偏轉的一模型的方法，該方法包含： 判定由該薄膜之該偏轉造成的一微影誤差； 將經判定微影誤差轉換成一對應經偏轉薄膜形狀； 形成與該薄膜之該偏轉之不同分量有關的複數個子模型；及， 藉由將該複數個子模型擬合至該經偏轉薄膜形狀來校準各子模型。
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