TW202020969A - 用於低粒子電漿蝕刻之方法及設備 - Google Patents

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Abstract

一種電漿蝕刻裝置，包含： 用於至少一個板形基板的一真空腔室(2)，該腔室(2)具有繞著一中心軸(A)環繞的側壁(18、18')，該腔室包括： 一基板搬運開口(28)； 用於一還原性氣體及一惰性氣體的至少一個入口(34)； 一基座(11、11')，在該腔室(2)的一蝕刻隔室(31)的一中央下部區域中形成為一基板支撐件，該基座(11)係以一電隔離方式安裝在該腔室(2)中且連接至第一電壓源(8)的第一極，藉此形成第一電極(11、11')，該基座包含第一加熱及冷卻手段(16、16')； 第二電極(12、12')，係電氣接地且圍繞該第一電極(11、11')； 第三電極(13)，係電氣接地且包含至少一個上屏蔽件(13')及一擋板屏蔽件(13'')，該至少一個上屏蔽件(13')及該擋板屏蔽件(13'')係彼此熱連接且電連接，藉此該擋板屏蔽件(13'')繞著該蝕刻隔室(31)環繞； 藉此該上屏蔽件(13')及該擋板屏蔽件(13'')中的至少一者包含至少一個另外的加熱及/或冷卻手段(17、17')， 該裝置(1)更包含一真空泵系統(4)及一感應線圈(9)，該感應線圈(9)係繞著界定該蝕刻隔室(31)之側壁的至少一個側壁(18)環繞，藉此該線圈(9)的第一端(9')係連接至第二電壓源(10)的第一極，且該線圈的第二端(9'')係接地。

Description

用於低粒子電漿蝕刻之方法及設備
本發明係有關根據請求項1之電漿蝕刻裝置及根據請求項20之在此種電漿蝕刻裝置中電漿蝕刻半導體基板之方法。
定義及量測設備 AMOLED  主動矩陣有機發光二極體 CCDs       電荷耦合裝置感測器 CH4 甲烷氣體 CTE         熱膨脹係數 ESC         靜電吸盤 ICP          感應耦合電漿 ITO          銦錫氧化物(Inx Sny Oz ) LCD         液晶顯示器 LED         發光二極體 RIE          反應式離子蝕刻 TCO         透明導電氧化物，例如ITO或氧化鋅(ZnO)
對於蘭牟爾(Langmuir)量測，該蘭牟爾量測將某些電漿參數系統地最佳化，電漿參數如離子及電子密度(Ne 及Ni ，[cm-3 ])、浮動及電漿電位(Vf 及Vp ，[V])、電子溫度(Te ，[eV])、及離子通量(li ，[mA cm-2 ])，來自科學系統(Scientific Systems)的智慧探針TM (Smart ProbeTM )、自動改良的蘭牟爾探針電漿診斷裝置已經使用於CLN300E多腔室系統的圓形蝕刻隔室中，該蝕刻隔室具有480mm之直徑及從基座到頂部的162之高度。具有6mm尖端長度及0.7mm尖端半徑的改良可撓性探針已經以約為20mm的距離平行於基座/晶圓表面移動穿過電漿中的接地屏蔽件。對於測試系列，已經使用約為0.1Pa的低壓及約為0.5Pa的高壓。藉由MF功率已經將1,000W的MF功率(頻率為400kHz)施加至纏繞在蝕刻隔室周圍的15個環線圈。此種基本構造也已經使用於另外的測試，無需使用不同氣體混合物及變動MF及RF功率的蘭牟爾探針量測。量測系統已經藉由具有>100kHz之頻率的外部觸發器來觸發，其中已經施加-50至+50V的鋸齒訊號至探針。
對於在蝕刻製程之後在晶圓表面上的粒子量測，已經使用來自奈米光子學(NanoPhotonics)的Reflex Table Top雷射表面分析儀。藉此定位橢圓形鏡，使得其第一焦點係與晶圓表面上的雷射點重合。它收集從該點散射的所有光，且將其聚焦在置放光闌(diaphragm)的第二焦點處。光闌僅允許來自雷射光點的光通過，因此減少外部照明的影響。兩個平面鏡係使用於改變光的方向，且因此使整個系統在尺寸上更小。由於此種光學系統相對於垂直於晶圓表面的軸線係為對稱的，所收集的散射光的量係與相對於光學裝置的粒子定向無關。此種系統能夠計數粒子且在尺寸上將這些粒子特徵化，以及區分晶圓表面上的刮痕或霧氣效應。它們被使用作為半導體計量學中的標準系統。
「黏貼」方法係為使用與製造方法基本相同的設置以濺鍍能夠從與產品基板相同尺寸的基板中吸收水蒸氣或揮發性有機化合物的材料之方法。基本上可以使用與產品基板相同的製程參數，然而在許多情況下，較長的蝕刻時間及/或不同的濺鍍氣體及/或壓力，應用了輕微的改良。黏貼被視為耗時的屏蔽件變化或沉積在壁上的薄膜的真正(real)背蝕刻的替代性方案，在許多情況下是不可能的或者需要非常侵略性的電漿化學。黏貼通常被視為將腔室「重置」至確定的壁條件，然而在一定時間之後通常需要更換屏蔽件。
諸如顯示器(LCDs、AMOLEDs、微型LED)、感測器(CCDs)、非晶矽太陽能電池等的光電電子裝置，通常包括置放在透光元件或發光元件上的薄膜透明電極。透明電極典型地係由透明導電氧化物(TCO)所組成。TCO的典型例子係為氧化鋅(ZnO)及銦錫氧化物(Inx Sny Oz ；例如90%In2 O3 及10%SnO2 )，通常標記為ITO。在製造期間，電極材料作為TCO薄膜沉積在基板上。之後，選擇性地蝕刻TCO以移除預先選擇部分且藉此界定所欲的導電路徑或導線。例如在具有非常高清晰度及超高解析度之顯示器的新研發中，需要在次微米尺寸內界定具有非常窄的線及空間的導電TCO區域，其中需要更有效的微米/奈米級處理。因此，要求蝕刻線及島狀物的深寬比及臨界尺寸以及非常緊密的粒子規格。此外，TCO製程係朝向整個處理流程的末端，且此種基板或晶圓具有相當可觀的高價值，因此製造產量扮演著重要作用，使得將每cm2 最大0.04粒子>0.2µm的前端粒子規格應用於TCO製程，其指的是在300mm晶圓上允許在至少一個維度上大於0.2µm的尺寸小於30個粒子(>30pcs)。
使用現有技術中用於大批量生產之設備無法容易地滿足此種嚴格的限制。為了允許更容易地滿足此種嚴格的粒子限制，本發明的一個目的係為藉由如以下所揭示的蝕刻裝置及蝕刻製程可以達到之目的。此目的係與參考蝕刻隔室的不同部件之溫度管理提供高靈活度之蝕刻裝置的目的一致。另一個目的在於提供一種裝置及方法，藉此可以將晶圓基板快速加熱到約100℃或更高的高溫且在蝕刻製程期間保持該溫度而不會超過基板材料的臨界最大溫度。換句話說，其意謂著在來自ICP電漿的高能量通量及來自基板偏壓的熱負載下保持基板溫度及穩定化基板溫度。另一個目的在於基本上減少用於維持高製程規格之維修及黏貼步驟的數量。
在本發明的一個實施例中，該電漿蝕刻裝置包含： 用於至少一個板形基板的一真空腔室，該室具有繞著一中心軸A環繞的側壁，該腔室包括： -   一基板搬運開口，如果在開口的兩側之間存在大的壓力差之情況下，該基板搬運開口可以是負載鎖； -   用於一還原性氣體及一惰性氣體的至少一個入口； -   一基座，在該腔室的一蝕刻隔室的一中央下部區域中形成為一基板或工件支撐件，該基座係連接至第一源的第一極，該第一源可以是一RF源，藉此形成第一電極，該基座包含第一加熱及冷卻手段； -   第二電極，係為一反電極(counter electrode)，且該第二電極係RF接地且圍繞該第一電極； 藉此RF連接係意謂著適於將暴露於RF電漿的部件安全地接地的導電連接。在相同受讓人的WO 2017/207144及WO 2017/215806中詳細地說明此種連接的例子，其將在之後顯示；包含至少一個下屏蔽件以保護腔室底部、下腔室部分及基座的圓周中的至少一者的第二電極可以以0.5至5mm或0.8至2mm的暗室距離朝向第一電極定位，而利用反應式離子蝕刻(RIE)施加的典型製程壓力範圍係為0.05Pa至0.7Pa，或0.1Pa至0.5Pa； -   第三電極，也是一反電極，該第三電極係RF接地；該第三電極包含至少一個上屏蔽件及一擋板屏蔽件，該至少一個上屏蔽件及該擋板屏蔽件係彼此熱連接且電連接，藉此該擋板屏蔽件在該第二電極及該上屏蔽件之間的垂直方向上繞著該蝕刻隔室環繞，該上屏蔽件係安裝在真空腔室的頂壁；這些屏蔽件防止由頂壁形成的腔室頂板之內表面及腔室側壁的至少一個上部免受蝕刻殘留，藉此擋板屏蔽件係平行於或至少大約平行於中心軸A開槽； -   藉此該上屏蔽件及該擋板屏蔽件中的至少一者包含至少一個另外的加熱及/或冷卻手段，該至少一個另外的加熱及/或冷卻手段係構造成將這些屏蔽件永久地保持在固定的溫度位準上； 該裝置更包含一真空泵系統及一感應線圈，該感應線圈係繞著界定該蝕刻隔室之真空緊密側壁且圍繞該擋板屏蔽件的一上側壁環繞，藉此該線圈的一個第一端係連接至第二電壓源的第一極，該第二電壓源可以是一MF源，且該線圈的第二端係接地，以在該真空腔室的蝕刻隔室內產生一電感耦合電漿；藉此，至少在真空腔室的頂部或上屏蔽件及基座之間的區域中，至少該真空腔室的上壁係由陶瓷製成，例如由氧化鋁或氮化硼製成，或是由石英製成。
應該提到的是，在本發明的基本形式中，加熱及冷卻手段及另外的加熱及冷卻手段或是如下所述的輔助加熱及/或冷卻手段可以由第一加熱及冷卻裝置根據製程需要提供各自的加熱或冷卻流體。
在另一個實施例中，該腔室可以包含連接至該加熱及冷卻手段的溫度控制手段，以控制該基座的加熱及冷卻且將該基板保持在30°及200℃之間的固定溫度，例如，在60°及180℃之間的溫度，也參見以下的表1。該控制手段可以包含一控制電路，根據由一溫度量測裝置所量測的該基板溫度來設定加熱功率及/或冷卻功率。
另外地，構成該第二電極之表面的一下屏蔽件可以連接至輔助加熱及/或冷卻手段或包含輔助加熱及/或冷卻手段，以將該下屏蔽件保持在固定溫度，例如，-40℃至100℃的溫度。類似於如上所述的加熱及冷卻手段或另外的加熱及/或冷卻手段，這些輔助加熱及/或冷卻手段可以連接至溫度控制手段，以將下屏蔽件保持在固定溫度或將溫度調整到某些製程需要(參見以下的表1)。
藉此，該第一加熱手段、另外的加熱手段、及輔助加熱手段中的至少一者可以包含一電阻加熱裝置、一輻射加熱裝置或包含一加熱流體的至少一個加熱迴路，且該第一冷卻手段、另外的冷卻手段、及輔助冷卻手段中的至少一者可以包含至少一個冷卻迴路，該至少一個冷卻迴路包含一冷卻流體。
另外，該第一加熱手段、另外的加熱手段、及輔助加熱手段中的至少一者可以包含一流體迴路，該流體迴路的入口係連接至不同溫度的兩個流體儲存器及一混合單元，以設定該加熱/冷卻溫度。該至少一個加熱及/或冷卻迴路可以安裝在腔室壁內，以藉由在壁及屏蔽件的各自表面之間的一延伸接觸區域，加熱或冷卻該等屏蔽件中的至少一者。
該至少一個氣體入口可以藉由常規的管道及氣體管線及/或計量裝置連接至該腔室或一還原性氣體及一惰性氣體的儲存器，計量裝置係例如質量流量計控制裝置(MFCs)，以計量各自的氣體比例。經由在晶圓正下方的基座或ESC之表面內的通道或腔體中終止的附加氣體管線連接的附加入口，可以另外連接至冷卻氣體儲存器，該冷卻氣體儲存器通常也是例如：Ar的惰性氣體。當MFCs設置有安全的氣體停止功能時，所揭示的任何閥可以由一個或多個MFCs代替。
該還原性氣體可以包含氫、及在室溫下揮發的一烴類氣體中的至少一者，且該惰性氣體可以包含氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、及氙(Xenon)中的至少一者。在一個已經證明在低粒子排放方面非常有效的實施例中，該還原性氣體包含氫氣(H2 )及甲烷(CH4 )，且該惰性氣體係為氬氣(Ar)。
為了避免擋板內的ICP功率的渦流損失，該擋板屏蔽件可以基本上平行於該基座的中心軸(A)開槽，藉此開槽可以相對於源自中心軸A的徑向方向傾斜，例如傾斜25°至45°，以避免電漿與側壁及/或底壁(其也可以是下側壁的一部分)之間的視線連接(a line of sight connection)。
該上屏蔽件及該擋板屏蔽件可以製成一單件元件，其可以形成為盆狀(pot-like)且倒置安裝在基座上方，藉此確保容易安裝及拆卸以供維修，例如經由將基座及連接系統(根據實際的結構：基座基部、暗室屏蔽件、第一電壓源、下側壁、…)旋轉180°或是可以打開或從該腔室往上舉的維修頂蓋。
在另一個實施例中，基座及晶圓之間的熱接觸可以藉由靜電吸盤(ESC)來改善，可以預見靜電吸盤加上機械挾持，或者如果應該避免由機械挾持的陰影或應力，則可以單獨預見靜電吸盤。
本發明的另一個目的在於提供一種使用如上所述的電漿蝕刻裝置來電漿蝕刻例如晶圓的半導體基板之方法。藉此，作為例子，可以從真空蝕刻腔室中的基板蝕刻具有透光或發光特性的透明導電氧化物(TCO)層，例如銦錫(ITO)氧化物或氧化鋅。此種層可以部分地被光阻掩蔽，以構成基板/晶圓的表面。此種方法包含以下步驟： -   施加一真空至該腔室； -   調節該第二電極屏蔽件及該基座； -   將一基板置放在該基座上； -   藉由引入包含一惰性氣體及至少一種還原性氣體的一氣體混合物來設定一製程壓力； -   將來自該第一電壓源的一電力施加至該基座以產生一蝕刻偏壓； -   將來自該第二電壓源的一電力施加至該線圈以產生一電感耦合電漿(ICP)； -   藉由反應式離子蝕刻(RIE)蝕刻該基板表面；及 -   藉由根據由溫度量測裝置所量測的該基板溫度調整耦接至該基座的加熱及冷卻手段的該加熱或冷卻功率，以控制該基板溫度。
該還原性氣體可以包含在室溫下揮發的烴、及氫中的至少一者，或是由在室溫下揮發的烴、及氫中的至少一者所組成，該烴可以是甲烷。其他烴可以是其他揮發性烷烴，如乙烷、丙烷、環丙烷、丁烷，但具有單個碳鍵的小分子是較佳的，以避免電漿聚合。當使用甲烷時，可以在氣體混合物中調整10至50%的比例。氫可以單獨使用或與烴一起使用，例如，氣體混合物中的甲烷比例為5至30%。在已經證明在低粒子排放方面非常有效的一個實施例中，還原性氣體包含氫氣(H2 )及甲烷(CH4 )，且惰性氣體係為氬(Ar)。
藉由利用加熱及冷卻手段加熱該基座及利用輻射加熱來加熱一基板表面中的至少一者，可以將待蝕刻的基板表面加熱至或接近30°至200℃之間的一蝕刻溫度。藉此，特別是在隨後的表面蝕刻中，控制該基板溫度扮演著重要作用。因此，可以在製程之期間使用控制電路，藉由根據利用一電子溫度量測裝置(37')所量測的一基座或一屏蔽件參考溫度及/或在該基板之背側表面處利用一光學量測裝置(37)所量測的一基板參考溫度中的至少一者，至少將該基座的溫度控制在-40至200℃之間的一溫度範圍，藉此將該蝕刻溫度保持在定值的±10℃內。此控制值可以使用於經由例如中央控制面板來控制第一加熱/冷卻裝置，以調節例如加熱/冷卻流體的流量及溫度或輻射加熱器的功率。應該提到的是，此可能包含饋送至基座或從基座取出的熱的相當大的變化。例如，在製程開始時，必須將熱從基座傳遞到基板，基板可以是ITO塗布及光阻遮罩的晶圓。在已經達到100至120℃的製程溫度之後，開始蝕刻製程，藉此根據所使用的蝕刻能量，表面溫度以及基板本身的溫度可以快速地升高，而沒有來自加熱及冷卻手段的溫度流的受控制變化。藉此，作為例子，冷流體可以混合到加熱流體中，或者甚至可以在開始時或在蝕刻製程期間的任何時間點之期間完全地替換該流體，其中混合可以逐步地執行或以連續方式來執行。
用於控制該基座或該等(電極)屏蔽件中之一者的溫度的溫度量測裝置可以包含例如該基座的一表面中或一屏蔽件中或一遠端的一熱電偶、熱敏電阻、電阻溫度偵測器(RTD)中的至少一者，例如用於暴露於蝕刻的基板表面、基座表面或屏蔽件表面的光學量測裝置。藉此，將預見的是主要係此種控制電路及量測裝置、以及可以與基板本身的遠端背側表面量測相結合的鄰近於基板的基座或基座表面，以致使甚至更嚴格的溫度控制作為兩個溫度或溫度曲線之函數。可以使用諸如紅外量測裝置或高溫計的光學裝置作為遠端量測裝置。
為了改善晶圓及基座之間的熱接觸，可以使用靜電吸盤(ESC)。
調節也可以包含將第三電極屏蔽件(其係為上屏蔽件及擋板屏蔽件)加熱至30°及100℃之間的溫度，以藉由使表面上的此種殘餘物與揮發性化合物反應，大幅地避免從蝕刻殘留物的層形成，例如從蝕刻的ITO表面。為此目的，可以設定例如甲烷(CH4 )或氫及甲烷的至少一種還原性氣體的分壓，以至少在上屏蔽件及擋板屏蔽件的表面上大幅地避免氧化物物質的沉積。特別是當使用厚度為3至6mm的相對厚的屏蔽件時，另外的加熱及/或冷卻手段不需要直接地耦接至第三電極的所有屏蔽件，而是可以限制為頂壁及上屏蔽件之間的緊密熱接觸，藉此可以從上屏蔽件到擋板屏蔽件提供足夠的熱流以供調節，例如在裝載、預熱或維修步驟之期間，如果在蝕刻製程期間需要冷卻的話，則反之亦然。
調節也可以包含將該下屏蔽件加熱或冷卻至-40°至100℃之間的溫度。此可以根據特定製程需要及製程簡單性而變化，藉由將下屏蔽件保持為比腔室中的其他表面更冷以捕獲不能與揮發性化合物反應且被泵抽走的粒子，或者將第二電極的下屏蔽件保持在與其他屏蔽件相同的溫度，此將允許使用用於第二電極的屏蔽件(下屏蔽件)及第三電極的屏蔽件(擋板屏蔽件及上屏蔽件)之相同的另外加熱及冷卻裝置。
根據經驗法則，應該能夠應用於真空腔室的不同部件以滿足如上所述的不同蝕刻製程之需要的溫度範圍，可以在以下的表1中找到。腔室可以滿足最高的靈活度，其中ΔTflex 欄中給出的溫度範圍可以應用於腔室中的基板、基座及不同的屏蔽件，而ΔTopt 欄中給出用於TCO或ITO塗布的晶圓(例如矽晶圓)上的通常RIE製程之最佳結果的溫度範圍，可以在快速蝕刻速率及低粒子排放方面實現。而ΔTmed 提供高製程靈活度及良好結果的良好混合。 表1
Figure 108128912-A0304-0001
 *此溫度範圍將應用於塗布有光阻層的基板，而較高的溫度範圍最適合蝕刻晶圓坯料。
藉此，該第一電壓源係為一RF源，且可以以2MHz至30MHz、或3至27.01MHz、或13.56MHz的頻率來驅動。藉此，應該施加0.3Wcm-2 至1.4Wcm-2 ，或0.6Wcm-2 至0.8Wcm-2 之範圍的電力。
該第二電壓源(其係為ICP源)，係為一MF源，且可以以300到2,100Hz、或350到600Hz的頻率來驅動。藉此，應該藉由該第二電壓源將600至1200W的電力施加至該線圈，得到1e10 cm-3 至5e11 cm-3 或3e10 cm-3 至3e11 cm-3 的電子密度。
藉由將此種本發明方法應用於ITO塗布的晶圓，可以實現0.6至1.2nm/s的ITO蝕刻速率。
另外，揭示如上所述的一系列本發明方法，其特徵在於黏貼參數： P{fPR_cov }=(製造晶圓的數量)/(黏貼晶圓的數量) 例如，用於單個或多個晶圓製程，其中PR_cov係為該TCO層(例如ITO層)以光阻覆蓋的表面覆蓋率，且P{fPR_cov }可以如以下的表2所示至少在從P(PR_Cov)at least 到P(PR_Cov)opt 的以下範圍中之一者內選擇，藉此PR_Cov係指TCO塗布的晶圓的不同表面覆蓋率： 表2
Figure 108128912-A0304-0002
藉此，對於每個單一製程，對於>0.2μm的粒子，可以一致地量測薄膜累加物數量低於30，此意謂著在300mm晶圓的整個表面上存在少於30次微米的缺陷。此再次顯示本發明方法的高潛力，因為現有技術的方法通常需要在P{fPR_cov }1及10之間的黏貼參數以使製程粉塵保持在適當的位準。
另外，揭示如上所述的一系列本發明方法，其特徵在於在一系列製程的第一製程之前、期間及之後，以及在該系列製程之單一製程之間，例如根據黏貼製程的必要性，強烈地根據如上所述25至50、100至200或2,000至10,000個RIE製程的光阻覆蓋率而定，至少該擋板屏蔽件及該上屏蔽件中的屏蔽件溫度係以升高溫度保持固定，直到該屏蔽件被改變成用於維修。藉此，在處理之前以及在閒置時間中應用基本固定的熱調節。
蝕刻晶圓坯料以及蝕刻TCO塗布(例如ITO塗布)的晶圓已經在Evatec AG的Clusterline CLN300E多腔室系統上執行，該系統係配備有根據本發明改良的ICP蝕刻模組1，僅在第1圖中示意性地顯示。在由第二電極12及第三電極13的電極屏蔽件(12、13、13'、13'')界定的蝕刻隔室31中，晶圓27係置放在基座11上，基座11構成連接至通常為13.56MHz的RF源8的第一電極，且將蝕刻隔室31限制在下部中心區域。基座係配備有ESC 14，用於與晶圓27更佳地熱耦合。基座11更具有內部液體迴路35，其經由第一加熱/冷卻管線16'連接至第一加熱/冷卻系統16以調節或冷卻基板。IR溫度量測系統37'的窗口藉由光路徑定位在視線內，參見熱電偶37'及基板27的背側之間的虛線，或者藉由玻璃光纖光學裝置到達晶圓背側的中心區域，以使得能夠根據背側表面溫度來調整冷卻流體的流量及溫度。此溫度量測系統係使用於與連接至基座(或者如果使用於ESC)的熱電偶量測系統37'結合，提供比一個獨立系統更佳的製程控制。
第二電極12及第三電極13係為反電極，它們都連接至接地電位。第二電極的屏蔽件12係繞著基座12環繞，以便觀察暗室距離，以將蝕刻隔室31與泵抽隔室32分開，且具有至少一個各自的開口，如狹縫或網格覆蓋的開口，以使得能夠實現朝向真空泵系統4的高泵抽傳導，真空泵系統4包含泵閥6、高真空泵5及排氣閥7，後者係通向前段泵(未顯示)。暗區屏蔽件55保護基座的圓周及其圓柱形基部，至少在基部也是處於RF電位上。
來自第三電極13的上屏蔽件13'及擋板屏蔽件13''係為盆狀的且由單件製成以獲得最佳導熱性，而中心氣體入口34係連接至第一氣體供應源20及第一氣體儲存器，第一氣體供應源20包含第一氣體入口閥22，第一氣體儲存器包含用於氬或另一惰性氣體的子儲存器21及用於還原性氣體的兩個子儲存器21'，此處係為甲烷及氫。屏蔽件13'係安裝成與頂壁19緊密熱接觸，頂壁19包含另一內部液體迴路36，其經由另外的(第二)加熱/冷卻管線連接至另外的(第二)加熱/冷卻裝置。另外地，第二電極的屏蔽件12可以藉由輔助的(第三)加熱/冷卻管線29'(以虛線顯示)來冷卻，輔助的(第三)加熱/冷卻管線29'可以連接至另外的加熱/冷卻裝置17或連接至單獨的加熱/冷卻裝置29。
真空室2係由底壁30、頂壁19、及側壁18、18'界定且容納蝕刻隔室31及泵抽隔室32。底壁30包含用於基座的基部33之饋通孔46，其中也預見用於基座11的各自的電氣、冷卻液體及氣體饋通孔。頂壁19包含用於如上所述另外的內部液體迴路36的連接件及用於中心氣體入口34的饋通孔。底壁30及下側壁18'可以形成金屬圍繞壁且與下屏蔽件12及基部33的外圓周一起形成泵抽隔室32。在本實施例中的側壁，亦即在蝕刻隔室31下方具有泵抽隔室，係包含圍繞泵抽隔室的下側壁18'、及繞著中心軸A及蝕刻隔室31環繞的上側壁18，下側壁18'係由通常的不銹鋼材料或用於真空設備的鋁來製成，上側壁18係由氧化鋁陶瓷製成，以使得能夠從線圈9到蝕刻隔室31的感應耦合，其中感應耦合電漿(ICP)被點燃。線圈9繞著上側壁環繞且其第一端9'連接至MF供應源10，而其第二端9''接地。真空量計26係附接至下側壁18'，以根據製程參數組來控制泵抽速度。
晶圓27可以經由基板搬運開口28(以虛線顯示)饋送及釋放至「靜態」基座11，靜態基座意謂著在裝載或釋放操作發生之前基座不會在垂直方向上移動。對於裝載及卸載(參見垂直雙箭頭)，可移動的接腳54係使用於接收基板27且允許來自搬運器的指狀物將基板從基座往上舉。在製程期間，接腳54保持縮回到基座11、11'的表面中(未顯示)。作為附加的特徵，可以預見背氣體供應源23，其包含例如Ar或Ne的背氣體儲存器24及背氣體入口閥25，具有至通道結構39的至少一個饋通孔，該通道結構39在基座11或ESC的表面中具有高流動阻力，直到使用ESC來代替機械挾持，以在真空條件下更佳地加熱或冷卻基板27。通道結構39可以是例如蛛網狀或迷宮狀，且藉此從中心饋通孔引出，或者特別是對於具有25mm或更大之直徑的晶圓，從數個饋通孔引出到外圓周及基座或ESC 14的所有區域。參考製程壓力，由於由機械夾具或ESC 14所產生的接觸壓力，可以將較高的背氣體壓力施加至晶圓27的未塗布對向側，而不會干擾到蝕刻隔室31的洩漏。
參考具有靜態吸盤的電漿處理裝置1，例如用於至少一個板形基板的電漿蝕刻裝置，本發明裝置的此種實施例可以包含以下特徵： -   真空腔室2，其具有繞著中心軸A環繞的側壁18、18'且包含泵抽埠； -   在該真空腔室內的擋板13''，其繞著該中心軸A且沿著該側壁18的一部分環繞； -   固定基板支撐件11，其係為基座，暴露於該擋板13''的內部且適於在其二維延伸表面中之一者處且沿著垂直於該中心軸A的支撐平面E，支撐板形基板27，及 -   在該側壁18中的至少一個基板搬運開口28，而開口中心軸係垂直於該中心軸A且與該中心軸A相交； -   在該擋板13''中的至少一個基板搬運切口28'，該基板搬運開口28及該基板搬運切口28'相互對準且調整成允許經由其朝向該基板支撐件11搬運板形基板及從該基板支撐件11搬運板形基板； -   可驅動地移動的擋板快門(未顯示)，驅動地釋放且覆蓋該基板搬運切口28'；該擋板具有導電表面，該擋板快門具有導電快門表面，至少在該切口被該擋板快門覆蓋時，係與該擋板的該導電表面電接觸；該固定基板支撐件11包含用於板形基板的導電支撐表面，其電連接至該腔室的RF偏壓源連接器；其中該擋板13''經由該側壁電連接至該腔室2的系統接地連接器52；且更包含形成第二電極12且繞著該中心軸A環繞且與該擋板互補的下屏蔽件，該下屏蔽件係由金屬製成，該擋板13''在其下邊緣處與該下屏蔽件及該側壁18'電接觸。除了與該系統接地連接器牢固地電連接的部件之外，該下屏蔽件係與該真空腔室的其他部件電隔離。
參考包含利用升降接腳來操作的靜態吸盤之電漿蝕刻裝置的其他實施例及例子，係引用WO 2017/215806，其整體內容藉由引用而整合在此處。
在第2圖中係顯示ICP蝕刻設備1的另一實施例，其包含「動態」吸盤11'，其可以從如均分圖左側上所示之用於晶圓蝕刻的處理位置降低至(向下方向的垂直箭頭)如均分圖右側上所示之裝載位置，且反之亦然(向上方向的垂直箭頭)。藉此，基板搬運開口28及閘門38可以定位在蝕刻隔室31的底部/下部水平面下方，此處閘門38係為可以在向上/向下方向上(垂直雙箭頭)移動的負載鎖，而不需要被閘門28干擾到蝕刻隔室的對稱性，如第1圖所示的實施例，閘門28必須通過上壁18及擋板屏蔽件13''。與第1圖一樣，基板/晶圓可以在水平面中(水平雙箭頭)移動至或移動出該腔室，例如，藉由置放在如CLN300E(未顯示)的多腔室系統之中央腔室中之搬運系統。
另外，在第2圖中係顯示線圈9的電源之變化，以藉由將MF源10與直流(DC)源41組合來影響電漿的密度，直流(DC)源41可以是調製的DC源，例如脈衝DC源。在使用中，直流電流經由轉接器網路43與MF訊號一起被饋送到感應線圈9，轉接器網路43包含兩個電容，其中一個電容在接頭44及MF源之間，第二個電容在接頭44及接地之間。轉接器網路43係用於調適MF源10及阻抗感應線圈9及蝕刻隔室31的原始電阻及/或其中產生的ICP，因此使得可以獲得中頻功率與基座的區域上之均勻離子蝕刻分佈一起的高效率耦合。DC源可以經由低通濾波器42連接至接頭44，低通濾波器42可以例如包含並聯連接的線圈及電容器。較佳地，直流電流可以在高頻電流被阻擋同時到達感應線圈2，使得後者不能進入直流源41。
可以看到使用於電漿診斷量測的蘭牟爾探針40略微地置放在基座11及晶圓的上方，藉此探針尖端可以從基座11的突伸圓周外部的周邊區域向外可撓地定位到繞著軸線A的電漿中心(係由水平雙箭頭顯示)。當然，已經僅用測試循環實行此種量測，以避免由於在量測設備的表面上形成的粉塵而在製造期間對晶圓表面的任何污染。
參考具有動態基座的電漿蝕刻裝置1，該動態基座係為可移動的基座，此種裝置可以包含真空腔室2，且在該真空腔室內： -   蝕刻隔室31，其具有中心軸A且包含包圍該蝕刻隔室31的內部空間IE的圍繞壁18且包含蝕刻裝置的蝕刻設備，例如基座11'； -   泵抽隔室32，其具有金屬圍繞壁，該金屬圍繞壁包含下側壁18'及底壁30，且該泵抽隔室32具有在該底壁30中的饋通孔46； -   第二電極屏蔽件，其形成為橫穿該中心軸A的金屬分隔壁12'，且將該蝕刻隔室31與該泵抽隔室32分開； -   至少一個泵抽狹縫44，在繞著該中心軸A環繞的該金屬分隔壁12'中或是沿著繞著該中心軸A環繞的該金屬分隔壁12'，且在該蝕刻隔室31中形成ICP的內部空間與該泵抽隔室32的內部空間IP之間建立泵抽流體連通； -   泵抽埠45，在該泵抽隔室32的該金屬圍繞壁中； -   基板支撐件11'，也是繞著該中心軸A為中心的基座11'，適於支撐暴露於該蝕刻隔室31的該內部空間IE的基板，且以電隔離方式安裝在該真空腔室2中，該基板支撐件11'沿著該中心軸A在蝕刻位置可驅動地向上F移動且向下遠離該蝕刻位置； -   金屬管狀裝置47，穿過該饋通開口46朝向該基座11'延伸，該金屬管狀裝置包含機械地耦接至該基座11'的第一部分48及機械地耦接至該泵抽隔室32之金屬圍繞壁的該底壁30的第二部分49，該第一及第二部分48、49在該中心軸A的方向上可以相對於彼此移動F，該第二部分49沿著該饋通開口46的邊緣將接頭50導電地連接至該金屬圍繞壁； -   RF饋送線51，穿過且沿著該金屬管狀裝置47且連接至該基座11'； -   系統接地連接器52，用於該電漿蝕刻裝置1，在該金屬管狀裝置47的該第二部分49的一端處，在該泵抽隔室32的該金屬圍繞壁18'、30的外部，或是在與該該金屬分隔壁12'相對的該金屬圍繞壁18'、30處； -   多個分佈式金屬連接器53，至少在該基座處於該蝕刻位置時，從該泵抽隔室32的該金屬圍繞壁18'經由該金屬分隔壁12'穿過該至少一個泵抽狹縫44到該金屬管狀構件47的該第一部分48，建立電接觸。藉此，該金屬管狀構件47的第一部分48在基座周圍形成暗區屏蔽件55。
該等金屬連接器可以包含板形連接器，且可以是剛性及彈性中之一者。
參考包含動態吸盤之電漿蝕刻裝置的其他實施例及例子，係引用WO 2017/207144，其整體內容藉由引用而整合在此處。
應該提到的是，僅結合本發明的一個實施例顯示或討論的且未與其他實施例另外討論的所有特徵，也可以被視為非常適於改善本發明的其他實施例之性能的特徵，只要使用具有靜態基座的可移動金屬管狀裝置，此種組合就不能被立即地認為對於此技藝之人士來說初步認證是不方便的。因此，除了所提及的例外情況，某些實施例之特徵的所有組合可以與其他實施例組合，其中此種特徵未被明確地提及且形成本發明的一部分。
對於CLN300E設備中的製程，一般係使用氬作為在0.1Pa的低壓下或在0.5Pa的高壓下的處理氣體，以蝕刻氧化物或金屬氧化物。因此，已經設定經由中心氣體入口的約5sccm(低壓)的氬氣流。然而，當僅在ITO全面(100%)塗布的半導體上執行使用Ar氣體的現有技術蝕刻製程時，粒子性能非常差，如第3圖所示。可以看出的是，利用在晶圓數325上的第一次預定粒子監控，量測具有大於0.2µm之尺寸的170個累加粒子之數量，遠遠超過該尺寸的30個累加粒子的內部規格。僅在晶圓330少量執行之後，在晶圓表面上有497個累加粒子之情況甚至變得更糟。顯然地，已經發生來自蝕刻隔室的第三電極13的屏蔽件13'、13''的嚴重剝落，主要係由於再沉積的ITO材料。已經執行晶圓序列的蝕刻而沒有在其間黏貼晶圓。
在以下的製程參數中，其中藉由在蝕刻開始之前用具有略高於100℃之溫度的流體對屏蔽件13、13'及基座11作調節來改變，使得在整個製程期間可以借助於IR量測裝置將基板表面溫度調整到100±10℃，IR量測裝置係使用於藉由該裝置的製程控制單元來控制加熱及冷卻手段，在蝕刻製程開始時已經由RF源及MF源引起過多的製程熱量之瞬間，將加熱及冷卻系統從加熱切換到冷卻。另外地，Ar流的10%甲烷部分已經與處理氣體一起使用。藉此，如第4圖所示可以在非常正向的方向上影響粒子情況。再次從經過精心清潔的真空腔室開始，即使在已經蝕刻10,034個晶圓(也就是每個晶圓蝕刻掉25nm的全面ITO層)之後，總共移除250µm的ITO，粒子數量仍然良好地保持在低於30個>0.2µm累加物之規格內。已經執行晶圓序列的蝕刻，而不會在其間黏貼晶圓。此改進可以藉由使用同一個加熱及冷卻裝置16以饋送基座的內部流體迴路35及36以及頂壁19來實現。因此，第一冷卻手段16'、35及第二冷卻手段17'、36可以由第一冷卻裝置16來供應，藉此第一冷卻裝置16也可以替代第二冷卻裝置17。
然而，此處未詳細討論的另外實驗已經用單獨的加熱及冷卻手段16、16'以及用於屏蔽件13'及13''的另外加熱手段來執行。藉此，基板溫度可以甚至升高到更高的位準以加速蝕刻製程，且在裝載及閒置時間之間，屏蔽件溫度在經過一系列蝕刻製程可以保持在更固定的位準上，以使由於屏蔽件材料及再沉積的ITO層或島狀物之間的不同CET引起的剝落最小化。
當施加輔助冷卻手段29、29'以將第二電極的下屏蔽件12運作為具有約-30℃的冷阱時，可以看到另外的積極效果，藉此使蝕刻晶圓的薄膜累加物數量更加最小化。
因此，藉由以下基本步驟可以理解ITO蝕刻及粒子防止的簡化機制： 1)CH4 與-CH3 °及-H°的基團的電漿解離； 2)將ITO表面還原成金屬狀態； 3)藉由Ar離子濺鍍In及Sn； 4)形成揮發性金屬有機產物，如三甲基銦或四甲基錫。後者反應也可以在暴露於電漿的屏蔽件的熱表面處誘發催化加速，以大幅地避免ITO島狀物或層的再沉積。
由於可以容易地看到「離子蝕刻」步驟3)及「反應式蝕刻」步驟4)是對抗的。然而，沒有離子蝕刻，該製程將太慢。再者，僅藉由自由基的蝕刻製程將不會在蝕刻遮罩下提供垂直蝕刻輪廓，在此情況下蝕刻遮罩係為光阻。另一方面，反應式蝕刻尤其是攻擊不太緻密的材料，尤其是易於形成粒子。藉由自由基的反應式蝕刻製程也發生在腔室壁上。為了實現低粒子位準，以某種方式調整製程參數以實現腔室壁上的最低沉積。
在一定數量(晶圓數量)的ITO蝕刻製程(稱為「黏貼」)之後藉由濺鍍諸如鋁或鈦的黏貼材料來調節蝕刻隔室，也可以用於減少粒子累加物。此是常見的做法，特別是對於在表面上包含有聚合物的基板上的蝕刻製程。在已經利用Ar氣體執行蝕刻製程之後立即執行此種測試。藉此，粒子數量可以減少到低於30個累加物(此處未顯示)的指定位準。藉由在ITO蝕刻製程期間使用原位黏貼也可以應用黏貼製程，在可以從此種材料製造或塗布有此種材料的基座之部件蝕刻黏貼材料時，例如，繞著晶圓圓周的鋁或鈦環，且再沉積在屏蔽件上。選擇性地，可以藉由蝕刻黏貼盤或晶圓(從黏貼材料製造或塗布有黏貼材料)在一定數量(晶圓數量)的蝕刻製程之間執行黏貼。對於黏貼製程，作為例子，可以應用與僅利用Ar的先前蝕刻製程相同的參數，藉此可以延長屏蔽件12、13的套件壽命。同時，與現有技術相比，當應用本發明的方法時，黏貼參數P{fPR_cov }=(產生晶圓的數量)/(黏貼晶圓的數量)可以選擇得更高，例如藉由因數25至1,000，總共得到相當高的產率及更低的廢品率。
由於ITO蝕刻速率因溫度而增強，基座應該保持在高於室溫至100℃的溫度下。為此目的，也可以使用ESCs將晶圓溫度保持為接近基座溫度，其可以藉由如上所述的背氣體應用進一步改善。在必須移除較厚的ITO層且使用具有光阻遮罩的基板之情況下，其具有120℃的溫度限制，可能需要對晶圓及基座作強烈的冷卻。另外，屏蔽件溫度可以調整到-40至+150°C的溫度，以避免屏蔽件的熱循環，且藉此防止基於材料CTE與第三電極的調節屏蔽件之間的不匹配而產生粒子，以避免層形成及/或第二電極的冷卻屏蔽件，以捕獲揮發性粒子及粉塵。
另外，在下述中單獨或組合的特徵及製程參數似乎促進與高蝕刻速率組合的低粒子電漿蝕刻製程： a)使用電子密度>3e+10 cm-3 或甚至>1e+11 cm-3 的ICP電漿裝置，如在US 6,814,838中所述。藉此，可以使用低的製程壓力。在基板基座上施加13.56MHz的高頻。替代性地，也可以施加工業用2MHz或27.01MHz等之頻率。對於MF源10及HF源8的較佳範圍，參見以上所述。 b)能夠由In、Sn或Zn形成揮發性反應產物的還原性處理氣體(諸如氫或烴)被引入，作為惰性氣體中的分式。較佳的是Ar中的CH4 ，其中CH4 分式來自： ≥10%，以使得有效反應至揮發性產品 ≤50%，以儘可能良好地防止藉由電漿聚合的CH4 沉積。 c)如US 6,814,838中所述的開槽金屬擋板屏蔽件13''，以避免在ICP罩的上側壁18上形成連續導電膜沉積，但是具有3mm至6mm的基本上較高的屏蔽件厚度已經證明是較佳的解決方案，由於擋板屏蔽件13''接著可以經由來自上屏蔽件13'的熱傳導主動地冷卻，且電極13可以容易地更換以供維護。高表面高粗糙度，例如藉由噴砂屏蔽件產生的0.8µm≤Ra≤12.5μm，或者甚至較高的粗糙度，例如藉由鋁的(TWAS)的雙導線電弧噴塗產生的5µm≤Ra≤50µm，也可以改善蝕刻層的黏著性，而相對於徑向方向傾斜的槽可以進一步改善對陶瓷壁18的屏蔽效果。 d)提供給基座11的溫度控制也允許由於嚴格的溫度控制(埋入式基板或可以使用作為蝕刻遮罩的溫度敏感光阻)以相當大的蝕刻速率來處理敏感性基板。 e)為了在ICP隔室內達到高泵抽速度，典型地將具有1200 l/s泵抽速度的渦輪泵提供給泵抽隔室。由於下屏蔽件12內的最佳化泵抽狹縫44，及/或下屏蔽件12與基座11、11'或管狀裝置47、48之間的另外的各自狹縫，在ICP隔室內可以設置至少為200 l/s或更佳為>300 l/s的有效泵抽速度，以便快速地泵抽揮發性反應產物。泵狹縫係為圓形的且具有10到15mm的寬度，藉此可以避免電漿溢出，且仍然可以達到良好的泵抽導電率。所使用的蝕刻隔室之體積約為30 l(d=480mm、h=160mm)。 f)屏蔽件12、13應該由鋁或鈦或兩種金屬的組合製成。雖然Al提供更佳的導熱性以分配調節應用(加熱及冷卻)，但鈦具有低熱膨脹的優點，其具有TCO或ITO殘留物更佳地黏附至屏蔽件上的效果。由於TCO/ITO完全轉化為揮發性反應產物不太可能總是存在於該腔室中TCO/ITO沉積的剩餘區域，很可能靠近基板。因此，靠近基座11的下屏蔽件12應該由鈦製成，而第二電極13、13'、13''的更遠端屏蔽件應該由鋁製成，以更容易地提供調節表面。 g)在每個RIE步驟之後僅用惰性氣體(Ar)作5至30秒的沖洗步驟有助於清除揮發性反應產物。 h)以5%至30%之範圍將氫添加至CH4 /Ar混合物中，進一步減少粉塵的形成。 i)應用黏貼程序來重置腔室壁強烈地根據基板上的聚合物分式而定，在利用80%光阻的1µm蝕刻TCO或ITO之後，或者在利用50%光阻的5µm蝕刻之後或甚至沒有光阻的250µm蝕刻TCO/ITO之後，可能是必要的。此黏貼程序包含僅使用Ar氣體從由吸氣材料製成或塗布有吸氣材料的基板之濺鍍步驟。由於實際上蝕刻的晶圓表面不僅僅是ITO，上述的黏貼頻率可以從用於高光阻覆蓋表面之每25個產品晶圓1個黏貼，顯著地變化到在它們的表面上具有高分式ITO的每10,000個產品晶圓1個黏貼。 j)替代性地，可以使用類似於US 9,719,177中所述的原位黏貼之實施方式，其中基座本身係塗布可以作為吸氣劑的純金屬(諸如Ti或Al)或是由純金屬製成。在此實施例中，基座可以包括其上表面的周邊區域，該周邊區域從晶圓徑向向外延伸或者圍繞晶圓的保護環延伸，該周邊區域不受任何暗區屏蔽件55的保護，且因此在濺鍍操作期間對電漿濺鍍打開。在此實施例中，每當連接至基座的電漿及RF偏壓係為有效時，藉由從基座本身濺鍍鈦或其他吸氣材料來連續地調節蝕刻腔室；亦即，在晶圓的濺鍍操作期間。
1:電漿蝕刻裝置 2:真空腔室 3:基板搬運開口 4:真空泵系統 5:真空泵 6:泵閥 7:泵排氣閥 8:第一RF源 9:線圈 9',9'':線圈的第一端、第二端 10:第二MF源 11:第一電極、基座、吸盤、基板支撐件(靜態） 11':第一電極、基座、吸盤、基板支撐件(動態） 12:第二電極(屏蔽件)，也是下屏蔽件 13:第三電極 13':第三電極的上(電極)屏蔽件 13'':第三電極的擋板(電極)屏蔽件 14:靜電吸盤(ESC) 16,16',17,17',29,29',35,36:加熱及冷卻手段 16:用於第一電極的第一加熱/冷卻裝置，例如用於液體介質的加熱器及冷卻器的組合 16':第一加熱/冷卻管線 17:用於第三電極的上屏蔽件的另外加熱/冷卻裝置 17':第三(另外)加熱/冷卻管線 18:上側壁(介電質：陶瓷或石英) 18':下側壁 19:頂壁 20:第一氣體供應源 21:第一氣體儲存器 22:第一氣體入口閥 23:背(第二)氣體供應源 24:背(第二)氣體儲存器 25:背(第二)氣體入口(閥) 26:真空量計 27:基板 28:基板搬運開口 28':基板搬運切口 29:用於第二電極的下屏蔽件的第三(輔助)加熱/冷卻裝置 29':第三(輔助)加熱/冷卻管線 30:底壁 31:蝕刻隔室 32:泵抽隔室 33:基座基部 34:中心氣體入口 35:液體迴路 36:另外的液體迴路 37,37':溫度量測系統 38:閘門，例如負載鎖 39:用於背氣體的通道 40:蘭牟爾探針 41:DC源(脈衝或連續) 42:LC網路(濾波器) 43:轉接器網路 44:泵抽狹縫 45:泵抽埠 46:饋通開口 47:金屬管狀裝置 48:第一部分 49:第二部分 50:導電接頭 51:RF饋送線 52:系統接地連接器 53:金屬連接器 54:接腳 55:暗區屏蔽件 A:中心軸 IP:內部空間
現在將借助於示意性及簡化的附圖及例子進一步敘述本發明。對於以下敘述的附圖，相同的元件符號係表示相同的特徵或至少具有相同功能的特徵： 第1圖：根據本發明的ICP蝕刻設備的一個實施例； 第2圖：本發明的ICP蝕刻設備的另一實施例； 第3圖：現有技術的蝕刻製程之粒子性能； 第4圖：本發明的蝕刻製程之粒子性能。
1:電漿蝕刻裝置
2:真空腔室
4:真空泵系統
5:真空泵
6:泵閥
7:泵排氣閥
8:第一RF源
9:線圈
9',9":線圈的第一端、第二端
10:第二MF源
11:第一電極、基座、吸盤、基板支撐件(靜態)
12:第二電極(屏蔽件)，也是下屏蔽件
13':第三電極的上(電極)屏蔽件
13":第三電極的擋板(電極)屏蔽件
14:靜電吸盤(ESC)
16,16',17,17',29,29',35,36:加熱及冷卻手段
16:用於第一電極的第一加熱/冷卻裝置
16':第一加熱/冷卻管線
17:用於第三電極的上屏蔽件的另外加熱/冷卻裝置
17':第三(另外)加熱/冷卻管線
18:上側壁(介電質:陶瓷或石英)
18':下側壁
19:頂壁
20:第一氣體供應源
21:第一氣體儲存器
21':儲存器
22:第一氣體入口閥
23:背(第二)氣體供應源
24:背(第二)氣體儲存器
25:背(第二)氣體入口(閥)
26:真空量計
27:基板
28:基板搬運開口
28':基板搬運切口
29:用於第二電極的下屏蔽件的第三(輔助)加熱/冷卻裝置
29':第三(輔助)加熱/冷卻管線
30:底壁
31:蝕刻隔室
32:泵抽隔室
33:基座基部
34:中心氣體入口
35:液體迴路
36:另外的液體迴路
44:泵抽狹縫
45:泵抽埠
46:饋通開口
53:金屬連接器
55:暗區屏蔽件
A:中心軸
ICP:感應耦合電漿
IP:內部空間

Claims (39)

  1. 一種電漿蝕刻裝置，包含： 用於至少一個板形基板的一真空腔室(2)，該腔室(2)具有繞著一中心軸(A)環繞的側壁(18、18')，該腔室包括： 一基板搬運開口(28)； 用於一還原性氣體及一惰性氣體的至少一個入口(34)； 一基座(11、11')，在該腔室(2)的一蝕刻隔室(31)的一中央下部區域中形成為一基板支撐件，該基座(11)係以一電隔離方式安裝在該腔室(2)中且連接至第一電壓源(8)的第一極，藉此形成第一電極(11、11')，該基座包含第一加熱及冷卻手段(16、16'、35)； 第二電極(12、12')，係電氣接地且圍繞該第一電極(11、11')； 第三電極(13)，係電氣接地且包含至少一個上屏蔽件(13')及一擋板屏蔽件(13'')，該至少一個上屏蔽件(13')及該擋板屏蔽件(13'')係彼此熱連接且電連接，藉此該擋板屏蔽件(13'')繞著該蝕刻隔室(31)環繞； 藉此該上屏蔽件(13')及該擋板屏蔽件(13'')中的至少一者包含至少一個另外的加熱及/或冷卻手段(17、17'、36)， 該裝置(1)更包含一真空泵系統(4)及一感應線圈(9)，該感應線圈(9)係繞著界定該蝕刻隔室(31)之側壁的至少一個側壁(18)環繞，藉此該線圈(9)的第一端(9')係連接至第二電壓源(10)的第一極，且該線圈的第二端(9'')係接地。
  2. 如請求項2之裝置，其中該控制手段包含一控制電路，根據由一溫度量測裝置所量測的該基板溫度來設定加熱功率及/或冷卻功率。
  3. 如請求項1至2中任一項之裝置，其中構成該第二電極之表面的一下屏蔽件(12)係連接至另外的加熱及/或冷卻手段(17、17'、36)或包含輔助加熱及/或冷卻手段(29、29')。
  4. 如請求項1至3中任一項之裝置，其中該第一加熱手段(16、16'、35)、另外的加熱手段(17、17'、36)、及輔助加熱手段(29、29')中的至少一者包含一電阻加熱手段、一輻射加熱手段或包含一加熱流體的至少一個加熱迴路，且該第一冷卻手段、另外的冷卻手段、及輔助冷卻手段中的至少一者包含至少一個冷卻迴路，該至少一個冷卻迴路包含一冷卻流體。
  5. 如請求項1至4中任一項之裝置，其中該第一加熱手段(16、16')、另外的加熱手段(17、17'、36)、及輔助加熱手段(29、29')中的至少一者包含一流體迴路，該流體迴路的入口係連接至不同溫度的兩個流體儲存器及一混合單元，以設定該加熱/冷卻溫度。
  6. 如請求項5或6中任一項之裝置，其中該加熱及冷卻迴路(16'、35)及加熱及/或冷卻迴路(17'、36、29')中的至少一者係直接安裝至該基座(11、11')及該等屏蔽件(12、13、13'、13'')中的至少一者，或是在該基座(11、11')及該等屏蔽件(12、13、13'、13'')中的至少一者中。
  7. 如請求項5至7中任一項之裝置，其中至少一個加熱及/或冷卻迴路(17'、29')係安裝在一腔室壁內，以藉由在各自的壁(18'、19)及各自的屏蔽件(12、13'、13'')之間的一延伸接觸區域，加熱或冷卻該等屏蔽件(12、13'、13'')中的至少一者。
  8. 如請求項1至7中任一項之裝置，其中該至少一個入口(34)係連接至一還原性氣體的至少一個儲存器(21')及一惰性氣體的至少一個儲存器(21)。
  9. 如請求項9之裝置，其中該還原性氣體包含氫、及在室溫下揮發的一烴類氣體中的至少一者，且該惰性氣體包含氬(Ar)、氦(He)、氖(Ne)、及氙(Xe)中的至少一者。
  10. 如請求項1至9中任一項之裝置，其中該擋板屏蔽件(13'')係例如平行於該基座(11、11')的中心軸(A)開槽。
  11. 如請求項1至10中任一項之裝置，其中該上屏蔽件(13')及該擋板屏蔽件(13'')係製成一單件元件(13)。
  12. 如請求項1至11中任一項之裝置，其中至少該上屏蔽件(13')或該上屏蔽件(13')及該擋板屏蔽件(13'')係由3至5mm厚的鋁製成。
  13. 如請求項1至12中任一項之裝置，其中該基座(11、11')包含一靜電吸盤ESC(14)。
  14. 如請求項1至13中任一項之裝置，其中該基座(11、11')的表面包含一開放通道(39)，該開放通道(39)具有至一背氣體入口(25)的一中心饋通孔。
  15. 如請求項1至14中任一項之裝置，其中至少一個基板搬運開口(28)係設置在上側壁(18)或下側壁(18')中，而一開口中心軸係垂直於該中心軸A且與該中心軸A相交。
  16. 如請求項15之裝置，其中該基座(11)係為一靜態基座，且至少一個基板搬運切口(28')係設置在與基板搬運開口(28)相互對準的擋板(13'')中。
  17. 如請求項1至15中任一項之裝置，其中該基座係為一動態基座(11')，該動態基座(11')包含在從用於晶圓蝕刻的一處理位置到一裝載位置的向下方向(F↓)降低該基座的手段(47、48、49)，且反之亦然(F↑)。
  18. 如請求項17之裝置，其中該手段包含一金屬管狀裝置(47、48、49)，該金屬管狀裝置(47、48、49)延伸穿過機械耦接至該基座(11')的一饋通開口(46)。
  19. 如請求項18之裝置，其中在該第二電極(12、12')中或沿著該第二電極(12、12')的至少一個泵抽狹縫44係繞著該中心軸A環繞且在該蝕刻隔室(31)的內部空間IE至該泵抽隔室(32)的內部空間IP之間建立一泵抽流動連通，且多個分佈式金屬連接器(53)係構造成至少在該基座(11')處於蝕刻位置時，從該泵抽隔室(32)的金屬圍繞壁(18')經由該第二電極(12')穿過該至少一個泵抽狹縫(44)到一金屬管狀構件(47)的第一部分(48)，建立一電接觸。
  20. 一種在如請求項1至19中任一項之電漿蝕刻裝置(1)中電漿蝕刻一半導體基板之方法， 藉此該方法包含以下步驟： 施加一真空至該腔室(2)； 調節該第二電極屏蔽件(13、13'、13'')及該基座(11)； 將一基板(27)置放在該基座(11)上； 藉由引入包含一惰性氣體及至少一種還原性氣體的一氣體混合物來設定一製程壓力； 將來自該第一電壓源(8)的一電力施加至該基座(11)以產生一蝕刻偏壓； 將來自該第二電壓源(10)的一電力施加至該線圈(9)以產生一電感耦合電漿(ICP)； 藉由反應式離子蝕刻(RIE)蝕刻該基板表面；及 藉由根據由至少一個溫度量測裝置所量測的該基板溫度調整該基座(11、11')的加熱及冷卻手段(16)的該加熱或冷卻功率，以控制在RIE期間的該基板溫度。
  21. 如請求項20之方法，其中該還原性氣體係為在室溫下揮發的烴、及氫中的至少一者。
  22. 如請求項21之方法，其中該烴係為甲烷。
  23. 如請求項22之方法，其中在該氣體混合物中使用10至50%的甲烷比例。
  24. 如請求項20至23中任一項之方法，其中該還原性氣體包含甲烷及氫的一混合物或者該還原性氣體係為甲烷及氫的一混合物。
  25. 如請求項21及23中任一項之方法，其中在該氣體混合物中使用5至30%的氫比例。
  26. 如請求項20至25中任一項之方法，其中調節包含藉由利用加熱及冷卻手段(16、16'、35)加熱該基座及利用輻射加熱來加熱一基板表面中的至少一者，將待蝕刻的該基板表面加熱至或接近30°至200℃之間的一蝕刻溫度。
  27. 如請求項20至26中任一項之方法，其中控制該基板溫度包含藉由根據利用一電子溫度量測裝置(37')所量測的一基座或一屏蔽件參考溫度及/或在該基板之背側表面處利用一光學量測裝置(37)所量測的一基板參考溫度中的至少一者，至少將該基座的溫度控制在-40℃至200℃之間的一溫度範圍，藉此將該溫度保持在定值的±10℃內。
  28. 如請求項27之方法，其中該溫度量測裝置(37')包含在該基座的一表面中或一屏蔽件中的一熱電偶、熱敏電阻、電阻溫度偵測器(RTD)及/或用於該基板的背側的一紅外線(IR)或高溫計量測裝置。
  29. 如請求項20至28中任一項之方法，其中調節包含將該第三電極屏蔽件(13、13'、13'')加熱至30°至100℃之間的溫度。
  30. 如請求項20至29中任一項之方法，其中調節包含將該下屏蔽件加熱或冷卻至-40°至100°C之間的溫度。
  31. 如請求項20至30中任一項之方法，其中該第一電壓源(8)係為一RF源，且以2MHz至30MHz的頻率來驅動。
  32. 如請求項31之方法，其中該RF源(8)的電力係以0.3Wcm-2 至1.4Wcm-2 之範圍施加至該基座(11)。
  33. 如請求項20至32中任一項之方法，其中該第二電壓源(10)係為一MF源，且以300至2,100Hz的頻率來驅動。
  34. 如請求項33之方法，其中將該MF源(10)的電力施加至該腔室(2)，得到1e10 cm-3 至5e11 cm-3 的電子密度。
  35. 如請求項20至35中任一項之方法，其中使用一靜電吸盤(ESC)來改善晶圓(27)及基座(11)之間的熱接觸。
  36. 如請求項20至36中任一項之方法，其中在0.6至1.2nm/s之範圍內實現一ITO蝕刻速率。
  37. 如請求項20至36中任一項之一系列方法，其中對於晶圓製程的一黏貼參數 P{fPR_cov }=(製造晶圓的數量)/(黏貼晶圓的數量) 其中PR_cov係為該TCO層以光阻覆蓋的表面覆蓋率，可以至少在有關一TCO塗布晶圓的不同表面覆蓋率(PR_cov)的以下範圍中之一者內選擇： 25≤P(80%)≤50 100≤P(50%)≤200 2,000≤P(0%)≤10,000 藉此，對於每個單一製程，對於>0.2μm的粒子，可以量測一薄膜累加物數量低於30。
  38. 如請求項37之一系列方法，其中在該第一製程之前、期間及之後，該屏蔽件溫度在一系列製程下係以升高溫度保持固定，直到該屏蔽件被改變成用於維修。
  39. 一種製造一晶圓或一系列晶圓之方法，包含如請求項20至36中任一項之電漿蝕刻方法或如請求項37至38中任一項之一系列電漿蝕刻方法。
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Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI792349B (zh) * 2020-06-11 2023-02-11 美商應用材料股份有限公司 蝕刻處理室及在蝕刻處理室中處理基板之方法
TWI817056B (zh) * 2019-12-30 2023-10-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 下電極組件、使用其的等離子體處理裝置及其工作方法

Families Citing this family (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US11638776B1 (en) * 2019-10-07 2023-05-02 Smith & Nephew, Inc. Medical devices and methods for forming medical devices having a porous structure
KR102442285B1 (ko) 2022-03-14 2022-09-13 에이피티씨 주식회사 플라즈마 에칭 시스템

Family Cites Families (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP3001891B2 (ja) * 1987-10-01 2000-01-24 グンゼ株式会社 透明導電膜のエッチング方法及びその装置
US20010054601A1 (en) * 1996-05-13 2001-12-27 Jian Ding Low ceiling temperature process for a plasma reactor with heated source of a polymer-hardening precursor material
JP3583289B2 (ja) * 1998-05-28 2004-11-04 株式会社日立製作所 プラズマ処理装置及びプラズマ処理方法
JP5031944B2 (ja) 1998-09-30 2012-09-26 オー・ツェー・エリコン・バルザース・アクチェンゲゼルシャフト 真空処理装置および表面処理方法
KR100675097B1 (ko) * 2000-11-15 2007-01-29 주성엔지니어링(주) 유도결합형 플라즈마 장치
JP2003086569A (ja) * 2001-09-12 2003-03-20 Tokyo Electron Ltd プラズマ処理方法
US7387738B2 (en) * 2003-04-28 2008-06-17 Air Products And Chemicals, Inc. Removal of surface oxides by electron attachment for wafer bumping applications
US7906032B2 (en) * 2006-03-31 2011-03-15 Tokyo Electron Limited Method for conditioning a process chamber
US7723648B2 (en) * 2006-09-25 2010-05-25 Tokyo Electron Limited Temperature controlled substrate holder with non-uniform insulation layer for a substrate processing system
JP2009021584A (ja) * 2007-06-27 2009-01-29 Applied Materials Inc 高ｋ材料ゲート構造の高温エッチング方法
JP5032269B2 (ja) * 2007-11-02 2012-09-26 東京エレクトロン株式会社 被処理基板の温度調節装置及び温度調節方法、並びにこれを備えたプラズマ処理装置
WO2012045187A2 (en) 2010-10-05 2012-04-12 Oc Oerlikon Balzers Ag In-situ conditioning for vacuum processing of polymer substrates
KR102401422B1 (ko) 2016-06-03 2022-05-24 에바텍 아크티엔게젤샤프트 플라즈마 에칭 챔버 및 플라즈마 에칭 방법
CN109314034B (zh) 2016-06-15 2021-11-16 瑞士艾发科技 真空处理室及制造真空处理的板形基底的方法

Cited By (2)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI817056B (zh) * 2019-12-30 2023-10-01 大陸商中微半導體設備（上海）股份有限公司 下電極組件、使用其的等離子體處理裝置及其工作方法
TWI792349B (zh) * 2020-06-11 2023-02-11 美商應用材料股份有限公司 蝕刻處理室及在蝕刻處理室中處理基板之方法

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