TW202018816A - 基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

[課題] 提供一種抑制原料氣體的副產物相對於爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法。 [解決手段] 基板處理裝置，具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出氣體；前述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口；前述蓋具有：保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體；前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。

Description

基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法
本發明涉及對基板進行薄膜生成等處理的基板處理裝置、以及使用了基板處理裝置的半導體裝置的製造方法。
作為半導體裝置的製造工序中的進行基板處理的基板處理裝置，而具有縱型基板處理裝置。對於縱型基板處理裝置，在使多片基板層疊為多層來保持的狀態下，裝入至處理室內，將多片基板批量處理。
近年來，使用難以分解的原料氣體的高溫工藝的需要變得高漲。在執行高溫工藝的情況下，處理室下部的爐口部也會成為高溫，由此有可能會超出設於爐口部的O型環等密封構件的耐熱溫度。為此，透過在爐口部設置冷卻流路，並在冷卻流路內流通冷卻水，來將密封構件維持於耐熱溫度範圍內。
另一方面，在爐口部的溫度降低了的情況下，擴散的原料氣體的反應副產物會附著於爐口部，成為微粒產生的原因。在以往，作為用於抑制反應副產物相對於爐口部附著的措施，而在爐口部設置加熱器。但是，無法避免冷卻流路附近的溫度降低，難以避免反應副產物附著在冷卻流路附近。
另外，在以往還具有一種方法，其在對爐口部開閉的蓋部上設置與爐口部的內表面平行的引導部。在該方法的情況下，向引導部供給清洗氣體，使清洗氣體在爐口部的內表面流通，由此抑制反應副產物相對於爐口部附著。但是，在該方法中，為了防止基於與爐口部的接觸所發生的引導部的破損，而需要在引導部與爐口部的內表面之間設置規定大小、例如4mm左右的間隙，從而無法獲得充分的效果。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] 日本特開2016-9724號專利公報 [專利文獻2] 美國專利第6902624號公報 [專利文獻3] 日本專利第6146886號專利公報
[發明欲解決之課題]
本發明提供一種抑制原料氣體的副產物相對於爐口部附著的基板處理裝置以及半導體裝置的製造方法。 [解決課題之手段]
本發明的一個方式為一種基板處理裝置，具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出氣體；前述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口；前述蓋具有：保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體；前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。 [發明效果]
根據本發明的一個方式，可發揮能夠大幅抑制反應副產物相對於歧管內壁附著、和微粒產生，並謀求生產性提高的優異效果。
以下，參閱附圖來說明本發明的實施例。此外，在以下附圖中，對相同或者對應的構成標註相同或者對應的元件符號，並省略其說明。
在第1實施例中，基板處理裝置構成為對熱處理等的基板處理工序進行實施的縱型基板處理裝置(以下稱為處理裝置)1，該熱處理作為半導體裝置(設備)的製造方法中的製造工序之一。
如圖1所示，處理裝置1具有圓筒狀的反應管2、和在反應管2的外周設置的作為加熱設備(加熱機構)的加熱器3。反應管2是例如由石英(SiO)或碳化矽(SiC)等形成的。在反應管2內設置有溫度檢測器4。溫度檢測器4沿著反應管2的內壁豎立設置。
在反應管2的下端開口部，經由O型環等的密封構件6而連結有圓形的歧管5，該歧管支承反應管2的下端。歧管5是例如利用不銹鋼等的金屬形成的。透過反應管2和歧管5形成了處理容器7。在處理容器7的內部形成有對作為基板的晶圓W進行處理的處理室8。
而且，反應管2以向外周方向(半徑方向)突出的方式分別相對地形成有供給緩衝室2A和排氣緩衝室2B。供給緩衝室2A藉由沿上下延伸的隔壁劃分為多個空間。在供給緩衝室2A的各區間內分別設置有噴頭23a、噴頭23b、噴頭23c(後述)。供給緩衝室2A的橫寬(反應管2的半徑方向)被設定為，在能夠將這些噴頭23安全設置的範圍內盡可能地小。另一方面，為了提高排氣速度，排氣緩衝室2B的橫寬被設定為，與供給緩衝室2A相同或者比其大。具有最大橫寬的排氣緩衝室2B透過使其兩側與供給緩衝室2A的兩側相連而呈雙重圓筒管的樣式。供給緩衝室2A以及排氣緩衝室2B與處理室8之間的邊界壁形成為與未設有供給緩衝室2A等的部位中的反應管2的內徑相同的內徑，由此，基板的周圍通過與基板同心的壁所包圍。在邊界壁上設有使其兩側連通的多個狹縫2C、2D。在供給緩衝室2A的下方形成有用於插拔噴頭23a、噴頭23b、噴頭23c的開口部2E。開口部2E形成為與供給緩衝室2A大致相同的寬度。此外，不論開口部2E設為哪種形狀，也難以消除開口部2E與噴頭23a、噴頭23b、噴頭23c的基部之間的間隙，由此氣體能夠從該間隙通過在供給緩衝室2A的內外流通。
在歧管5的上端形成有向外周方向突出的外凸緣5a、和向內周方向突出的內凸緣5b。外凸緣5a支承作為外管的反應管2(包括供給緩衝室2A以及排氣緩衝室2B的外壁)。內凸緣5b支承作為內管(的一部分)的供給緩衝室2A以及排氣緩衝室2B的內壁，並且使與開口部2E對應的部位切缺。為了提高後續的熱傳導，內凸緣5b能夠與歧管5熔接。
而且，歧管5的下端開口部(處理容器7的下端開口部)通過圓盤狀的蓋(門)部9開閉。蓋部9是例如利用金屬形成的。在蓋部9的上表面設置有O型環等的密封構件11，透過密封構件11而使反應管2與外氣被氣密地密封。在蓋部9的上表面，設置有後述的作為蓋部罩的圓盤狀的保護板12。在蓋部9的中央形成有孔，供後述的旋轉軸13穿插。為了保護密封構件6和密封構件11，希望其保持在規定的耐熱溫度(例如200℃)以下，在外凸緣5a形成有用於將密封構件6和密封構件11維持於耐熱溫度以下的冷卻流路25(參閱圖3)。
處理室8在內部收納作為基板保持件的晶舟14，該晶舟14將多片、例如25～150片晶圓W垂直地以擱架狀支承。晶舟14例如由石英或SiC等形成，晶舟14支承於隔熱構造體(隔熱CAP)15的上方。透過晶舟14和隔熱構造體15構成了基板保持體。
隔熱構造體15的外形成為圓柱狀，由貫穿蓋部9的旋轉軸13所支承。旋轉軸13與設置於蓋部9的下方的旋轉機構16連接。在旋轉軸13的將蓋部9貫穿的部分上設有例如磁流體密封，旋轉軸13構成為，在將反應管2的內部氣密地密封的狀態下能夠旋轉。透過旋轉軸13旋轉，隔熱構造體15和晶舟14一體地旋轉。蓋部9利用作為升降機的晶舟升降機17而在上下方向上驅動。透過晶舟升降機17，基板保持體以及蓋部9一體地升降，使晶舟14相對於反應管2被搬入搬出。
處理裝置1具有向處理室8內供給原料氣體、反應氣體和非活性氣體來作為基板處理所使用的處理氣體的氣體供給機構18。氣體供給機構18所供給的處理氣體根據成膜的膜的類型來選擇。在第1實施例中，氣體供給機構18包括原料氣體供給部、反應氣體供給部、非活性氣體供給部、第1清洗氣體供給部、和第2清洗氣體供給部。
原料氣體供給部具備氣體供給管19a。在氣體供給管19a上，從上游方向依次設有作為流量控制器(流量控制部)的品質流量控制器(MFC)21a以及作為開閉閥的閥22a。氣體供給管19a的下游端連接於將歧管5的側壁貫穿的噴頭23a。噴頭23a在反應管2內沿著反應管2的內壁沿上下方向豎立設置，並形成有朝著保持於晶舟14的晶圓W開口的多個供給孔。經由噴頭23a的供給孔，相對於晶圓W供給原料氣體。
以下，透過相同的構成，從反應氣體供給部，經由氣體供給管19b、MFC21b、閥22b、噴頭23b相對於晶圓W供給反應氣體。從非活性氣體供給部，經由氣體供給管19c、19d、19e、MFC21c、21d、21e、閥22c、22d、22e、噴頭23a、23b、23c相對於晶圓W供給非活性氣體。
第1清洗氣體供給部具備氣體供給管19f。在氣體供給管19f上，從上游方向依次設有MFC21f以及閥22f。氣體供給管19f的下游端與形成在旋轉軸13的周圍的中空部24連接。中空部24通過磁流體密封而在軸承的近側被密封，在上端、即反應管2的內部開放。而且，形成了從中空部24到保護板12的上表面連通的空間，該空間與形成於隔熱構造體15與保護板12之間的間隙41(參閱圖2)連續，形成了第1清洗氣體流路。這樣，從第1清洗氣體供給部供給的第1清洗氣體28一邊清洗間隙41，一邊相對於作為爐口部的處理容器7下方被供給。亦即，第1清洗氣體28在上游清洗旋轉軸13的周圍，在下游清洗爐口部的噴頭23a～23c附近，然後最終通過形成在反應管2的下端的排氣口26而被排出。此外，作為清洗氣體，只要是不與原料氣體和反應氣體反應的氣體即可。
第2清洗氣體供給部具備氣體供給管19g。在氣體供給管19g上，從上游方向依次設有MFC21g以及閥22g。氣體供給管19g的下游端將蓋部9貫穿，在蓋部9的上表面形成有第2清洗氣體供給口。因此，第2清洗氣體供給口形成於蓋部9的上表面，向第2清洗氣體流路27開口。第2清洗氣體供給口的開口位置處於噴頭23a、23b，23c的附近。對於從閥22g到第2清洗氣體供給口之間的氣體供給管19a使用了如波紋管那樣的柔性配管。第2清洗氣體流路27為環狀或者大致環狀(loop狀)，同心地形成於保護板12的下表面。
在形成於排氣緩衝室2B的外壁上的排氣口26，安裝有排氣管32。在排氣管32上，經由檢測處理室8內壓力的作為壓力檢測器(壓力檢測部)的壓力感測器33、以及作為壓力調整器(壓力調整部)的APC(Auto Pressure Controller)閥34而連接有作為真空排氣裝置的真空泵35。透過這種構成，能夠將處理室8內的壓力設為與處理匹配的處理壓力。排氣管32設置於與噴頭23a、23b、23c相對的位置。
在旋轉機構16、晶舟升降機17、氣體供給機構18的MFC21a～21g、閥22a～22g以及APC閥34上，連接有控制它們的控制器36。控制器36例如由具有CPU的微處理器(電腦)構成，以控制處理裝置1的動作的方式構成。在控制器36，係連接著構成例如作為觸控面板等之輸出入裝置37。
在控制器36上連接有作為記憶媒體的記憶部38。在記憶部38能夠讀取地儲存有控制處理裝置1的動作的控制程式、和根據處理條件在處理裝置1的各構成部執行處理的程式(也稱為配方；recipe)。
記憶部38還可以為內置於控制器36的記憶裝置(硬碟或快閃記憶體)，也可以為便攜性的外部記憶裝置(磁帶、軟碟或硬碟等磁片、CD和DVD等光碟、MO等的光磁片、USB記憶體和記憶卡等的半導體記憶體)。而且，向電腦提供程式可以使用互聯網或專用回路等的通信方式來進行。根據需要透過來自輸入輸出裝置37的指示等從記憶部38讀取程式，控制器36執行依照所讀取的配方的處理，由此，處理裝置1在控制器36的控制下執行所希望的處理。
設於蓋部9的上表面的保護板12為例如石英等的耐熱耐腐蝕材料制(耐食材料制)。保護板12將金屬製的蓋部9覆蓋，由此抑制了處理氣體對蓋部9的接觸，抑制了基於處理氣體導致的蓋部9的腐蝕和劣化。
圖2表示爐口部以及隔熱構造體15的內部構造。隔熱構造體15具有圓柱狀的筒體39、和由旋轉軸13支承的金屬製的圓盤狀的底板40。筒體39例如由石英等的耐熱材料形成，成為下端開放的中空構造，載置於底板40。而且，在筒體39內，中空筒狀的隔熱板支承柱42設在底板40之上。此外，在圖2中，將噴頭23a～23c總稱為噴頭23。
隔熱板支承柱42將例如由石英等的耐熱材料形成的圓板狀的隔熱板43層疊為多層地保持。在隔熱板支承柱42內穿插有副加熱器44。副加熱器44在隔熱板支承柱42的上方成為環狀，利用副加熱器44對筒體39的上表面、以及處理室8的下部進行加熱。為了供副加熱器44穿插，旋轉軸13也具有中空構造，從第1清洗氣體28分流的第3清洗氣體29從設在旋轉軸13的下端附近的側部處的貫穿孔13c導入至旋轉軸13內。
從第1清洗氣體供給部供給的第1清洗氣體28在旋轉軸13的外周上升之後，將前進路徑改變為水平，對底板40與保護板12之間狹窄的間隙41進行清洗，通過對作為爐口部的處理容器7下方進行供給。亦即，第1清洗氣體28在上游將旋轉軸13的周圍清洗，在下游將保護板12的露出面和噴頭23a～23c的基部清洗，然後，最終從形成於反應管2的下端的排氣口26排出。
除了配設有噴頭23a、23b、23c的部位之外，保護板12擴展至歧管5的附近。保護板12由與第2清洗氣體流路27相比位於中心側的中心部12a、和與第2清洗氣體流路27相比位於外周側的外周部12b構成。中心部12a的下表面與蓋部9的上表面接觸，在外周部12b的下表面與蓋部9的上表面之間，形成有具有規定間隔的作為第1間隙的間隙46。而且，外周部12b的外周端與歧管5的內壁之間的距離為例如5～8mm左右。
而且，在歧管5上，設有沿著歧管5的內壁垂直地延伸的引導板47。引導板47例如為由石英等的耐熱耐腐蝕材料製，具有1.5～3mm左右的厚度。在引導板47與歧管5的內壁之間，形成有具有規定間隔、例如1mm～2mm間隔的作為第2間隙的間隙48。此外，通過保護板12(外周部12b)和引導板47構成第2清洗氣體49(參閱圖3)的引導部。
向第2清洗氣體流路27供給的第2清洗氣體49通過間隙46從第2清洗氣體流路27向半徑方向外側流出，對蓋部9的上表面清洗。而且，通過了間隙46的第2清洗氣體49沿著蓋部9的上表面直線前進，然後通過歧管5的內壁向垂直方向偏轉，並在間隙48流通而對歧管5的內壁清洗。通過了間隙48的第2清洗氣體49與第1清洗氣體28合流，並從形成於內凸緣5b的通氣孔5d通過，從排氣口26排出。此外，也可以將第2清洗氣體流路27、間隙46、間隙48總稱為第2清洗氣體流路。而且，希望第1清洗氣體28和第2清洗氣體49的流量的合計為不對晶圓W的成膜產生影響的流量。
於中空部24，從第1清洗氣體28分流的第3清洗氣體29，係從旋轉軸13與副加熱器44之間的間隙以及隔熱板支承柱42與副加熱器44之間的間隙通過而導入至隔熱構造體15內。這些間隙構成第3清洗氣體流路30。此外，在底板40上，例如以等角度間距形成有多個開口40A來作為第3清洗氣體的排出孔。
第3清洗氣體29從第3清洗氣體流路30通過，並從隔熱板支承柱42的上端供給至筒體39內。筒體39內的第3清洗氣體29沿著筒體39的內周面下降，從開口40A排出而與第1清洗氣體28合流，並向爐口部內排出。在第3清洗氣體29向爐口部內排出的過程中，筒體39內被清洗。以使第3清洗氣體29的流量比第1清洗氣體28大的方式設計各個流路的傳導性(conductance)。此外，作為清洗氣體，只要是不與原料氣體和反應氣體反應的氣體即可。
接著，在圖3～圖5中具體說明引導部以及其周邊部。此外，圖4表示從爐口部拆除了引導板47的狀態。
在除了配設有噴頭23a、23b、23c的部位之外，引導板47形成為大致圓筒狀。即，引導板47形成為剖面C字狀開放的圓筒狀。
在引導板47的上端，在規定部位上形成有規定數量的缺口51。缺口51設在與溫度檢測器4和噴頭23等、將歧管5的側壁貫穿的構件對應的位置上。通過缺口51，在向爐口部安裝引導板47時，防止了各構件與引導板47之間的接觸。而且，在引導板47的下端，在至少3個部位，圖4中為4個部位上形成有卡合凹部52。
內凸緣5b在與歧管5的內壁之間的連接部位具有比較小的厚度。內凸緣5b吸取爐內的熱量容易成為300℃以上的高溫，因此通過該厚度薄的部分恰當地抑制了導熱。而且，在內凸緣5b，在與溫度檢測器4等、沿著歧管5以及反應管2的內壁延伸的構件對應的部位上形成有缺口部5c，各構件與內凸緣5b不接觸地構成。而且，在內凸緣5b，形成有用於將第2清洗氣體49向排氣口26排氣的通氣孔5d。在排氣緩衝室2B具有充分大的寬度的情況下，經由排氣緩衝室2B排氣的追加的通氣孔5d能夠以規定角度間距形成有多個。在內凸緣5b的下表面，與卡合凹部52對應地在至少3個部位設有引導板固定件54。
在外凸緣5a的上表面設有密封構件6。夾具50將反應管2的凸緣向著外凸緣5a的上表面按壓。冷卻流路25形成於外凸緣5a，抑制密封構件6的溫度上升，維持於耐熱溫度(例如280℃)以下。此外，希望冷卻流路25設置在如下位置，在該位置處其能夠將密封構件6維持於不足耐熱溫度的規定溫度以下、且歧管5的內壁的溫度為能夠抑制反應副產物附著的規定溫度(例如330℃)以上。本實施例的情況下，在冷卻流路25的附近(與冷卻流路25相比溫度低的部位)的歧管5的內壁的靠上處，連接有內凸緣5b。在該連接點中，來自內凸緣5b的熱量分導至外凸緣5a、和比外凸緣5a厚的(即熱阻小的)歧管5的內壁而傳導。傳遞至外凸緣5a的熱量的大部分在向密封構件6傳遞之前向冷卻流路25釋放，同時向內壁傳遞的熱量為提高內壁的內表面的溫度做出貢獻。作為一例，冷卻流路25從連接點來看設在離密封構件6近的位置。若能夠將密封構件6充分地冷卻，冷卻流路25也可以設在夾具50上。
如圖5所示，噴頭23的基部56形成為金屬製的箱型的彎頭，安裝在歧管的噴頭埠。歧管的高度為能夠收納基部56的最小限度的高度者為佳，作為一例，設定得比彎頭部分的高度大，比其兩倍小。在內凸緣5b的與開口部2E對應的缺口的兩側，設有鎳合金制的棒狀的噴頭輔助固定件53。噴頭輔助固定件53的上端透過螺絲固定等所需要的機構固定於內凸緣5b的下表面。並且，能夠通過擴展至噴頭輔助固定件53的下端的平板(未圖示)，承受基部56的垂直荷載，並防止傾倒。
引導板固定件54由與內凸緣5b的下表面平行的固定部54a、從固定部54a的外周端沿著歧管5的內壁向下方延伸的延伸部54b、和從延伸部54b的下端向外周方向突出的卡合部54c構成。而且，引導板固定件54由彈性材料、例如厚度為0.5mm以下的不銹鋼形成，以使固定部54a以及卡合部54c在半徑方向上延伸的方式固定部54a通過螺絲55而固定於內凸緣5b的下表面。卡合部54c能夠與卡合凹部52卡合，通過卡合部54c與卡合凹部52的卡合而能夠使引導板47支承於引導板固定件54。此外，當卡合部54c與卡合凹部52卡合時，延伸部54b與引導板47接觸，能夠將引導板47向半徑方向外側彈壓。
引導板固定件54為彈性材料，因此通過使引導板固定件54折曲，而使卡合部54c在半徑方向上進退。當安裝引導板47時，在使卡合部54c向半徑方向內側移動的狀態下，以覆蓋引導板固定件54的周圍的方式將引導板47插入至爐口部內。在該狀態下若返回卡合部54c的位置，則卡合部54c會與引導板47的內徑相比向半徑方向外側突出，卡合部54c和卡合凹部52卡合。
在使卡合部54c與卡合凹部52卡合時，通過引導板固定件54的復原力，使引導板47向半徑方向外側被彈壓。引導板固定件54設在至少3個部位上，因此通過復原力的均衡，決定了引導板47的半徑方向上的位置。由此，引導板47以與歧管5大致同心地被保持，間隙48的寬度在全周的範圍內能夠設為1～2mm左右。此外也可以為，以不使引導板47和歧管5的內壁面接觸的方式，在各個卡合凹部52的附近中的引導板47的外周面設置微小突起。
第2清洗氣體供給部的氣體供給管19g與位於噴頭附近的第2清洗氣體供給口連通，從第2清洗氣體供給口向第2清洗氣體流路27內供給第2清洗氣體49。供給至第2清洗氣體流路27內的第2清洗氣體49在全周範圍內在第2清洗氣體流路27內流通。此時，在第2清洗氣體流路27的外周側，在保護板12與蓋部9之間形成有間隙46。因此，第2清洗氣體49在第2清洗氣體流路27流通的過程裡，一邊清洗蓋部9的上表面一邊從間隙46在水平方向上流出。
從間隙46流出的第2清洗氣體49根據康達效應而沿著蓋部9的上表面流動，當到達至歧管5的內壁時，沿著歧管5的內壁向上方偏轉。在此，若流動與歧管5的內壁碰撞而偏轉時的運動量的損失充分小的話，希望間隙46以及間隙48的流路剖面積是連續的，或間隙48非常窄。但在因上述損失等而預見到運動量流束會降低的情況下，也可以為，間隙48具有寬的流路剖面積。即，在產生上述損失的折曲流路中，上游側的壓力上升，但在流路剖面積擴大部的上游側，壓力會下降。由此，即使在間隙46與間隙48之間開放有間隙，也能夠抑制清洗氣體從此處過度地流散，並能夠抑制其他氣體流入。偏轉的第2清洗氣體49流入至間隙48，一邊清洗歧管5的內壁一邊向爐口部排出。向爐口部排出的第2清洗氣體49從通氣孔5d通過而由排氣口26排氣。
接著，說明使用上述的處理裝置1而在基板上形成膜的處理(成膜處理)。在此，說明相對於晶圓W，作為原料氣體而供給DCS(SiH2 Cl2 ：二氯矽烷)氣體，作為反應氣體而供給O2 (氧氣)氣體，由此在晶圓W上形成氧化矽(SiO2 )膜的例子。此外，在以下的說明中，構成處理裝置1的各部分的動作由控制器36來控制。
(晶圓裝填以及晶舟裝載) 當在晶舟14上裝填(晶圓裝填)有多片晶圓W時，晶舟14通過晶舟升降機17搬入至處理室8內(晶舟裝載)，成為反應管2的下部以下由蓋部9氣密地封閉(密封)的狀態。爐口部由蓋部9封閉，由此保護板12向引導板47接近，形成引導部。此時，引導板47的下端與保護板12的上表面相比位於下方(蓋部9側)，保護板12的外周端與引導板47的下端之間的最短距離為2～3mm左右。另外此時，從第1清洗氣體供給部經由間隙41向噴頭23a～23c的基部供給N2 氣體來作為第1清洗氣體28。而且，從第2清洗氣體供給部經由第2清洗氣體流路27向引導板47與歧管5之間供給N2 氣體來作為第2清洗氣體49。而且，從第1清洗氣體28分流的第3清洗氣體29供給至筒體39的內周面內。第1清洗氣體28、第2清洗氣體49的供給持續進行直到至少成膜處理完成。
(壓力調整及溫度調整) 以使處理室8內成為規定的壓力(真空度)的方式通過真空泵35進行真空排氣(減壓排氣)。處理室8內的壓力由壓力感測器33測定，APC閥34基於所測定的壓力資訊被回饋控制。而且，以使處理室8內的晶圓W成為規定的溫度的方式通過加熱器3來加熱。此時，以使處理室8成為規定的溫度分佈的方式，基於溫度檢測器4檢測到的溫度資訊來回饋控制向加熱器3的通電情況。而且，開始基於旋轉機構16進行的晶舟14以及晶圓W的旋轉。
(成膜處理) [原料氣體供給工序] 當處理室8內的溫度穩定在預先設定的處理溫度時，相對於處理室8內的晶圓W供給DCS氣體。DCS氣體通過MFC21a控制為所希望的流量，並經由氣體供給管19a以及噴頭23a向處理室8內供給。此時，從第1清洗氣體供給部、第2清洗氣體供給部相對於爐口部供給了N2 氣體。由此，能夠由第1清洗氣體28集中地清洗噴頭23a～23c的基部和周邊部，並且能夠由第2清洗氣體49清洗除此之外的部分，並稀釋爐口部的原料氣體濃度。此外，在該工序中，也可以臨時增加基於第1清洗氣體供給部、第2清洗氣體供給部進行的N2 氣體的供給。
[原料氣體排氣工序] 接著，停止DCS氣體的供給，通過真空泵35將處理室8內真空排氣。此時，也可以為，從非活性氣體供給部向處理室8內供給N2 氣體而作為非活性氣體(非活性氣體清洗)。
[反應氣體供給工序] 接著，相對於處理室8內的晶圓W供給O2 氣體。O2 氣體通過MFC21b控制為所希望的流量，並經由氣體供給管19b以及噴頭23b向處理室8內供給。此時，從第1清洗氣體供給部、第2清洗氣體供給部相對於爐口部供給了N2 氣體。由此，能夠集中地清洗噴頭23a～23c的基部和周邊區域，並且也能夠清洗其他的部分，並將爐口部中的反應氣體濃度稀釋。
[反應氣體排氣工序] 接著，停止O2 氣體的供給，通過真空泵35將處理室8內真空排氣。此時也可以從非活性氣體供給部向處理室8內供給N2 氣體(非活性氣體清洗)。
通過將進行上述4個工序的迴圈執行規定次數(一次以上)，而能夠在晶圓W上形成規定組成以及規定膜厚的SiO2 膜。
(晶舟卸載以及晶圓取出) 在形成了規定膜厚的膜之後，從非活性氣體供給部供給N2 氣體，處理室8內被置換為N2 氣體，並且處理室8的壓力恢復為常壓。然後，通過晶舟升降機17使蓋部9下降，晶舟14從反應管2搬出(晶舟卸載)。然後，已處理晶圓W從晶舟14取出(晶圓取出)。
作為在晶圓W上形成SiO2 膜時的處理條件，例如例舉為如下。 處理溫度(晶圓溫度)：300℃～700℃， 處理壓力(處理室內壓力)：1Pa～4000Pa， DCS氣體：100sccm～10000sccm， O2 氣體：100sccm～10000sccm， N2 氣體：100sccm～10000sccm， 通過將各個處理條件設定為各自範圍內的值，由此能夠恰當進行成膜處理。
如上所述，在第1實施例中，將引導部設為由保護板12(外周部12b)和引導板47構成的分體構造，將引導板47固定地設在歧管5的內凸緣5b。
因此，在蓋部9的開閉時，不會擔心歧管5與引導板47接觸，因此能夠防止基於歧管5與引導板47的接觸所導致的微粒的產生、和引導板47的破損。
此外，即使保護板12與引導板47接觸了，引導板47也會被推起，不會直接破損，因此具有保護板12與引導板47之間的縫隙比以往的4mm小也可以的情況。
通過分體構造，能夠將間隙48的大小設為1 mm～2mm，另外使引導板47的下端與保護板12的上表面相比位於蓋部9側，由此能夠充分地確保在間隙48流通的第2清洗氣體49的流量以及流速，並能夠有效地清洗歧管5的內壁。由此能夠大幅抑制反應副產物相對於歧管5的內壁附著、微粒的產生，並謀求生產性的提高。
而且，能夠抑制第2清洗氣體49的供給量，因此不需要不必要地增加清洗氣體的總流量。因此，能夠抑制基於清洗氣體對晶圓處理的不良影響，能夠提高成膜品質。
而且，在第1實施例中，在位於冷卻流路25附近的歧管5的內壁部分上形成有內凸緣5b。內凸緣5b離爐內的中心部近，因此成為高溫，位於內凸緣5b附近的歧管5的內壁也成為高溫。即，在內凸緣5b與冷卻流路25之間產生了較大的溫度梯度，但歧管5的內壁部分以與冷卻流路25相比易於與內凸緣5b進行熱傳導的方式例如接近內凸緣5b地構成。由此，內凸緣5b被充分地加熱，另外從內凸緣5b傳遞的熱量使歧管5的內壁溫度上升，能夠抑制反應副產物相對於歧管5的內壁附著。
而且，在與溫度檢測器4等、將引導板47的歧管5的側壁貫穿而設的構件對應的位置上設有缺口51，在引導板47的與卡合部54c對應的位置上設有卡合凹部52。因此，容易進行引導板47的周向上的定位，能夠高效設置引導板47。
而且，將由彈性材料形成的引導板固定件54設在至少3個部位，當安裝引導板47時，引導板固定件54將引導板47向半徑方向外側彈壓。因此，通過引導板固定件54的彈壓力的均衡來決定引導板47的半徑方向上的位置，因此不需要精細的對位元，能夠高效地設置引導板47。
以上具體說明了本發明的實施例。但是，本發明並不限定於上述的實施例，能夠在不脫離其要旨的範圍進行各種變更。
圖6表示引導部的第1變形例。在第1變形例中，引導板47由垂直引導部47a和水平引導部47b構成。
垂直引導部47a以在歧管5的內壁之間形成有1mm～2mm左右的寬度的方式，與歧管5的內壁相對而設。而且，水平引導部47b從垂直引導部47a的下端向半徑方向內側延伸。當將爐口部由蓋部9封閉時，水平引導部47b與保護板12的外周面相對，水平引導部47b的下端與保護板12的上表面相比位於下方。
在第1變形例中構成為，從間隙46流出的第2清洗氣體49流入至水平引導部47b與蓋部9之間的間隙之後，沿著歧管5的內壁向上方偏轉，流入至間隙48內。
因此，當向上方偏轉時，滯留的第2清洗氣體49不會向爐口部內漏出，能夠高效地清洗歧管5的內壁。
圖7表示引導部的第2變形例。在第2變形例中，保護板12由中心部12a、外周部12b和引導部12c構成。
引導部12c從外周部12b的外周端向垂直上方延伸。而且，在引導部12c的外周面，在全周範圍內形成有切缺部12d。當將爐口部由蓋部9封閉時，引導板47的下部收納於切缺部12d內。另外此時，引導板47的下端與引導部12c的上端相比位於下方。
在第2變形例中構成為，在間隙46內流通的第2清洗氣體49在引導部12c的外周面與歧管5的內壁之間變更至上方之後，向間隙48流入。
因此，當向上方偏轉時，滯留的第2清洗氣體49不會向爐口部內漏出，能夠高效地清洗歧管5的內壁。
接著，在圖8、圖9中說明本發明的第3變形例。此外，對於與圖6、圖7中、圖1、圖3中同等的構件標註相同的元件符號，並省略其說明。
在第3變形例中，將歧管5的側壁在半徑方向上貫穿，還設有向間隙48開口的輔助第2清洗氣體供給管57。輔助第2清洗氣體供給管57向間隙48內噴出N2 氣體來作為輔助第2清洗氣體58。
向間隙48內供給的輔助第2清洗氣體58沿著引導板47的外周面在圓周方向上擴散，從引導板47的上端流出。或者，從引導板47切缺了的部位向著噴頭23a、23b、23c噴出。
在第3變形例中構成為，相對於間隙48另外供給輔助第2清洗氣體58。因此，能夠增大在間隙48內流動的清洗氣體流量，由此能夠更有效地清洗歧管5的內壁，更加能夠抑制反應副產物相對於歧管5的內壁附著、微粒的產生。
而且，輔助第2清洗氣體58從引導板47的缺口部位向噴頭23a～23c的基部和周邊部供給，因此能夠降低噴頭23a～23c的基部和其周邊部的處理氣體濃度，抑制反應副產物附著。由此，能夠抑制微粒的產生，謀求生產性的提高。
此外，第3變形例的構成當然能夠對圖6、圖7所示的第1實施例的變形例進行適用。
此外，第1實施例以及其變形例構成為，反應管2具有外管(反應管2)和內管(供給緩衝室2A以及排氣緩衝室2B的內壁)，在外凸緣5a上支承有外管，在內凸緣5b支承有內管。另一方面，對於不具有內管或者(通過石英製的內凸緣)內管與外管一體構成的處理裝置，也能夠適用本發明的構成。在該情況下，為了使歧管5的內壁的溫度上升，能夠形成與歧管5結合的金屬製的內凸緣5b。
而且，在第1實施例以及第3變形例中，引導板47構成為將設有噴頭23a～23c的部分切除了的剖面C字狀。另一方面，也可以將引導板47設為圓筒形狀。在該情況下，以不使引導板47與噴頭23a～23c接觸的方式，在與噴頭23a～23c對應的部位上形成有缺口51。或者也可以為，引導板47在與噴頭23a～23c的至少1個對應的位置上形成缺口51，設為將與其他的噴頭對應的部位切除了的C字狀。
而且，在第1實施例以及第3變形例中，引導板47由一個構件形成，但也可以為將引導板47由兩個以上的構件構成的分體構造。在該情況下，引導板47的各構件分別通過引導板固定件54在3點以上被固定。
此外，在上述的第1實施例、第3變形例中，說明了作為原料氣體使用了DCS氣體的例子，但本發明並不限定於這種方式。例如，作為原料氣體，在DCS氣體的基礎上還能夠使用HCDS(Si2 Cl6 ：六氯乙矽烷)氣體、MCS (SiH3 Cl：氯矽烷)氣體、TCS(SiHCl3 ：三氯氫矽)氣體等的無機鹵代矽烷原料氣體、和3DMAS(Si[N(CH3 )2 ]3 H：三(二甲氨基)矽烷)氣體、BTBAS(SiH2 [NH(C4 H9 )]2 ：雙(叔丁基氨基)矽烷)氣體等的不含有鹵素的氨基類(氨類)矽烷原料氣體、和MS(SiH4 ：單矽烷)氣體、DS(Si2 H6 ：乙矽烷)氣體等的不含有鹵素的無機類矽烷原料氣體。
而且，在上述的實施例中，說明了形成SiO2 膜的例子。但是，本發明並不限定於這種方式。例如，除此之外或在其基礎上，能夠使用氨(NH3 )氣等的含氮(N)氣體(氮化氣體)、丙烯(C3 H6 )氣體等的含炭(C)氣體、三氯化硼(BCl3 )氣體等的含硼(B)氣體等來形成SiN膜、SiON膜、SiOCN膜、SiOC膜、SiCN膜、SiBN膜、SiBCN膜等。
而且，本發明能夠優選適用於在晶圓W上形成包含鈦(Ti)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、鉭(Ta)、鈮(Nb)、鋁(Al)、鉬(Mo)、鎢(W)等金屬元素的膜、即金屬類膜的情況。
而且，在上述的實施例中，說明了在晶圓W上堆積有膜的例子，但本發明並不限定於這種方式。例如，在相對於晶圓W和晶圓W上所形成的膜等，進行氧化處理、擴散處理、退火處理、蝕刻處理等處理的情況下，當然也能夠優選適用。
(附記) 而且，本發明包括以下的實施方式。
(附記1) 一種基板處理裝置，具有：處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出氣體；前述處理室具有：筒狀的反應管，其一端是開放的；筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將前述氣體供給管向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口；前述蓋具有：保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體；前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。
(附記2) 根據附記1前述的基板處理裝置，在前述引導板的上端形成為用於將前述多個噴頭的至少1個避開的缺口。
(附記3) 根據附記1或2前述的基板處理裝置，前述引導板由多個構件構成，各構件通過具有彈性的固定件在3點以上固定。
1:處理裝置 2:反應管 5:分歧裝置 8:處理室 9:蓋部 12:保護板 18:氣體供給機構 25:冷卻流路 27:第2清洗氣體流路 46:間隙 47:引導板 48:間隙 49:第2清洗氣體 51:缺口 52:卡合凹部 54:引導板固定件
[圖1] 是表示本發明的第1實施例的基板處理裝置的縱剖視圖。 [圖2] 是表示該基板處理裝置的爐口部的縱剖視圖。 [圖3] 是表示該爐口部的引導部以及周邊部的縱剖視圖。 [圖4] 是表示該爐口部的立體圖。 [圖5] 是表示該爐口部的引導部以及周邊部的剖面立體圖。 [圖6] 是表示第1實施例的第1變形例的引導部以及周邊部的縱剖視圖。 [圖7] 是表示第1實施例的第2變形例的引導部以及周邊部的縱剖視圖。 [圖8] 表示第1實施例的第3變形例的引導部以及周邊部的縱剖視圖。 [圖9] 是表示第3變形例的爐口部的俯視剖視圖。
2:反應管
2B:排氣緩衝室
2C、2D:狹縫
5:分歧裝置
5a:外凸緣
5b:內凸緣
5d:通氣孔
9:蓋部
12:保護板
12a:中心部
12b:外周部
13:旋轉軸
13c:貫穿孔
15:隔熱構造體
23:噴頭
26:排氣口
27:第2清洗氣體流路
28:第1清洗氣體
29:第3清洗氣體
30:第3清洗氣體流路
32:排氣管
39:筒體
40:底板
40A:開口
41:間隙
42:隔熱板支承柱
43:隔熱板
44:副加熱器
46:間隙
47:引導板
48:間隙
W:晶圓

Claims (10)

  1. 一種基板處理裝置，具有： 處理室，其具有將多個基板在沿著規定的軸以規定的間隔排列的狀態下收容的筒狀的空間；以及 多個噴頭，其與氣體供給管分別連通，並在前述處理室內排出處理氣體； 前述處理室具有： 筒狀的反應管，其一端是開放的； 筒狀的歧管，其與前述反應管的開放端連接，並且在側面具有將來自前述氣體供給管的處理氣體向前述處理室內導入的多個氣體供給孔；以及 蓋，其能夠開閉地封閉前述歧管之與連接於前述反應管的一端為相反端的開口； 前述蓋具有： 保護板，其以在與前述蓋之間形成有第1間隙的方式設於前述蓋的內表面；以及 導入口，其從前述蓋的外側向前述第1間隙導入清洗氣體； 前述歧管構成為，以在與前述歧管之間形成有第2間隙的方式在前述歧管的內壁具有引導板，在前述第1間隙向著前述歧管流動的前述清洗氣體通過前述歧管的內壁偏轉而向前述第2間隙流入。
  2. 如請求項1的基板處理裝置，其中， 前述引導板形成為筒狀或者大致筒狀； 前述保護板形成為直徑比前述引導板的內徑小的圓盤狀； 在前述蓋關閉的狀態下，前述引導板的靠近前述蓋的一端與前述保護板之與前述蓋為相反側的面相比接近於前述蓋。
  3. 如請求項1或2的基板處理裝置，其中， 前述引導板構成為，透過彈性材料的固定件至少在3點上固定。
  4. 如請求項1的基板處理裝置，其中， 前述處理室具有將前述反應管和前述歧管的連接部密封的密封構件、以及在前述反應管的內側大致同心地配置的內管； 前述歧管具有：經由前述密封構件與前述反應管抵接的外凸緣、支承前述內管的內凸緣、以及形成於前述外凸緣的冷卻流路； 前述冷卻流路以使前述密封構件成為規定的溫度以下，且從前述內凸緣傳遞的熱量使前述歧管的內壁的溫度上升的方式設定位置。
  5. 如請求項4的基板處理裝置，其中， 前述內凸緣在與前述歧管的內壁的連接部位具有比較小的厚度。
  6. 如請求項4的基板處理裝置，其中， 前述外凸緣具有比前述歧管的側面薄的厚度或者比其大的熱阻。
  7. 如請求項1的基板處理裝置，其中， 在前述第1間隙與前述第2間隙的轉移部，各自的流路剖面積大致連續。
  8. 如請求項4的基板處理裝置，其中， 前述歧管為金屬製，前述保護板以及前述引導板為石英製。
  9. 如請求項4的基板處理裝置，其中， 前述反應管具有在前述開放端側形成的排氣口，從前述排氣口排出前述處理氣體以及前述清洗氣體。
  10. 一種半導體裝置的製造方法，具有：準備請求項1的基板處理裝置的工序、基板搬入工序、基板處理工序、以及基板搬出工序； 在前述基板處理工序中，從第1清洗氣體供給機構和第2清洗氣體供給機構始終供給不會影響成膜的規定量的清洗氣體。
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Families Citing this family (6)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
SG11201913857YA (en) * 2017-08-30 2020-01-30 Kokusai Electric Corp Protective plate, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP6916766B2 (ja) * 2018-08-27 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
US11703229B2 (en) * 2018-12-05 2023-07-18 Yi-Ming Hung Temperature adjustment apparatus for high temperature oven
US20210317574A1 (en) * 2020-04-14 2021-10-14 Wonik Ips Co., Ltd. Substrate processing apparatus
KR20230039429A (ko) * 2021-09-14 2023-03-21 (주)테크윙 픽커핸드모듈
KR102466019B1 (ko) * 2022-06-17 2022-11-10 주식회사 기남테크 반도체 제조 장비의 진공 챔버 매니폴드

Family Cites Families (25)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5562504A (en) 1978-10-31 1980-05-12 Sharp Corp Electronic apparatus
US5484484A (en) 1993-07-03 1996-01-16 Tokyo Electron Kabushiki Thermal processing method and apparatus therefor
JP3093716B2 (ja) 1998-02-27 2000-10-03 日本電気ファクトリエンジニアリング株式会社 縦型減圧気相成長装置
JP2001345276A (ja) * 2000-06-02 2001-12-14 Matsushita Electric Ind Co Ltd 減圧処理装置の回転機構
JP4361668B2 (ja) * 2000-06-22 2009-11-11 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置及びその方法
WO2003038145A2 (en) 2001-10-29 2003-05-08 Genus, Inc. Chemical vapor deposition system
JPWO2004075272A1 (ja) 2003-02-21 2006-06-01 株式会社日立国際電気 基板処理装置及び半導体デバイスの製造方法
JP5202372B2 (ja) * 2008-03-14 2013-06-05 東京エレクトロン株式会社 成膜装置のメタル汚染低減方法、半導体装置の製造方法、記憶媒体及び成膜装置
KR101842675B1 (ko) * 2009-07-08 2018-03-27 플라즈마시, 인크. 플라즈마 처리를 위한 장치 및 방법
JP2012191191A (ja) * 2011-02-24 2012-10-04 Hitachi Kokusai Electric Inc 基板処理装置
JP5933399B2 (ja) * 2012-09-07 2016-06-08 東京エレクトロン株式会社 熱処理装置
US20150227602A1 (en) 2014-02-13 2015-08-13 Actifio, Inc. Virtual data backup
US20170088948A1 (en) 2014-03-26 2017-03-30 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus and furnace opening cover
JP6363408B2 (ja) 2014-06-23 2018-07-25 東京エレクトロン株式会社 成膜装置および成膜方法
JP6257000B2 (ja) 2014-09-30 2018-01-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置、半導体装置の製造方法および反応管
JP6257008B2 (ja) 2015-02-04 2018-01-10 株式会社日立国際電気 基板処理装置および反応管
JP6460874B2 (ja) * 2015-03-26 2019-01-30 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 半導体装置の製造方法、基板処理装置およびプログラム
TWI642137B (zh) * 2015-08-04 2018-11-21 日商日立國際電氣股份有限公司 Substrate processing apparatus, reaction container, and manufacturing method of semiconductor device
TWI611043B (zh) * 2015-08-04 2018-01-11 Hitachi Int Electric Inc 基板處理裝置、半導體裝置之製造方法及記錄媒體
JP6605398B2 (ja) * 2015-08-04 2019-11-13 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、半導体の製造方法およびプログラム
WO2017037937A1 (ja) * 2015-09-04 2017-03-09 株式会社日立国際電気 反応管、基板処理装置および半導体装置の製造方法
JP6616258B2 (ja) * 2016-07-26 2019-12-04 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置、蓋部カバーおよび半導体装置の製造方法
CN109314053B (zh) * 2016-09-21 2024-01-09 株式会社国际电气 衬底处理装置、半导体器件的制造方法及电极固定单元
SG11201913857YA (en) 2017-08-30 2020-01-30 Kokusai Electric Corp Protective plate, substrate processing apparatus, and method of manufacturing semiconductor device
JP6916766B2 (ja) * 2018-08-27 2021-08-11 株式会社Ｋｏｋｕｓａｉ Ｅｌｅｃｔｒｉｃ 基板処理装置及び半導体装置の製造方法

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