JP2001345276A - 減圧処理装置の回転機構 - Google Patents

減圧処理装置の回転機構

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JP2001345276A JP2000165246A JP2000165246A JP2001345276A JP 2001345276 A JP2001345276 A JP 2001345276A JP 2000165246 A JP2000165246 A JP 2000165246A JP 2000165246 A JP2000165246 A JP 2000165246A JP 2001345276 A JP2001345276 A JP 2001345276A
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Abstract

(57)【要約】 【課題】 多数の導入管、排気配管やそれらに関わる複
雑な制御機構を付加せずに、磁気シール部からの金属汚
染物の基板処理室への混入防止及び反応生成物などによ
る磁気シール部の破損防止が可能な減圧処理装置の回転
機構を提供する。 【解決手段】 回転軸12に不活性ガス導入通路16を
設け、不活性ガス導入通路16からのガス吹き出し口1
9を回転軸12におけるボート設置テーブル6とシール
キャップ3との間に形成し、基板処理室1内部において
ボート設置テーブル6とシールキャップ3との間のガス
吹き出し口19が臨む空間を仕切る仕切壁20を設け
る。このようにすれば磁気シール部15からの金属汚染
物が基板処理室1に入ったり、基板処理室1からの反応
生成物が磁気シール部15に拡散したりすることがなく
なり、回転機構部7の交換頻度が減る。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【発明の属する技術分野】本発明は減圧CVD装置など
の減圧処理装置における半導体基板などを設置するボー
トの回転機構、特にシール部の構造に関するものであ
る。
【0002】
【従来の技術】近年、薄膜形成に用いられる減圧CVD
装置などの減圧処理装置は、従来の横型反応炉を有する
ものに代わって縦型反応炉を有する装置が主流となって
きている。縦型減圧CVD装置では、処理膜厚均一性を
向上する目的で、成膜処理時に、減圧下にある半導体基
板を保持するボートを外部から回転させる構造とされて
おり、回転機構は、炉口を密閉するシールキャップ部に
備えられていることが多い。シールキャップ部とボート
を外部から回転させるための回転軸とは非接触である
が、回転機構には基板処理室を真空保持するために回転
軸と回転機構筐体との間に気密手段として磁性流体を含
む磁気シールを備えているのが常である。
【0003】以下、従来の一般的な縦型減圧CVD装置
のシールキャップ部および回転機構部の構造を図2を参
照しながら説明する。図2は一般的な縦型減圧CVD装
置のシールキャップ部および回転機構部の断面概略図で
ある。図2において、21は基板を成膜処理する基板処
理室、22は減圧用チューブに接続されて基板処理室2
1を構成するフランジ、23は縦型減圧CVD装置の炉
口部をシールして、内部を減圧下に保持するためのシー
ルキャップ、24はフランジ22とシールキャップ23
とを緩衝的に接続シールするシールOリングである。
【0004】25は基板を保持するボートで、通常石英
製である。26はボート25を保持するボートテーブ
ル、27はボートテーブル26を回転させるモーター、
28はモーター27から回転運動を伝達するモーター
軸、29はモーター軸28に固定接続され、かつ回転運
動を伝達するモーター側歯車、30はモーター側歯車2
9からの回転運動伝達を受ける回転軸側歯車、31は回
転軸側歯車30と固定接続し、かつ回転軸側歯車30か
らの回転運動をボートテーブル26に伝達するための回
転軸で、この回転軸31にボートテーブル26が固定さ
れて接続されている。33は回転軸31を保持する軸受
け、34は磁気シール部、32は回転機構部であるモー
ター27、モーター側歯車29、回転軸側歯車30、回
転軸31、軸受け33および磁気シール部34を囲み、
かつシールキャップ23に上記の回転機構部を固定する
回転機構部筐体である。
【0005】以下、上記シールキャップ部のボートを回
転させる回転機構部の動作について説明する。基板が載
せられたボート25はボートテーブル26上に載置さ
れ、このボート25が回転機構と一体的に上昇すること
で、フランジ22とシールキャップ23がシールOリン
グ24を介して密着し、基板処理室21内が密閉され
る。その後、モーター27が動作開始し、モーター軸2
8を介してモーター側歯車29が回転する。モーター側
歯車29は回転軸側歯車30と連結されており、モータ
ー側歯車29の回転と同時に回転軸側歯車30が回転し
始める。回転軸31は回転軸側歯車30と接続されてい
るので、回転軸側歯車30の回転開始と同時に回転軸3
1は回転を始める。回転軸31の上端部はボートテーブ
ル26と接続固定されており、回転軸31の回転開始と
同時にボートテーブル26は回転を始める。ボートテー
ブル26上にはボート25が設置されており、以上の回
転伝達経路でボート25は回転する。
【0006】ボート25の回転が始まると、図に示して
いないが、真空ポンプを使用して基板処理室21内の真
空引きを行い、所定の圧力に達したら成膜処理を行う。
基板処理室21を真空引きする際に、回転軸31と回転
機構筐体32との隙間より、大気及び軸受け33からの
発塵物が基板処理室21内へ混入しようとするが、この
混入を磁気シール32が防止するようになっている。
【0007】成膜処理終了後はモーター27を停止し
て、上記動作伝達経路でボート回転を停止させること
で、所定の基板処理シーケンスが終了する。
【0008】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、上記従
来の回転機構の構成では、磁気シール部34自身からの
金属汚染物、例えばマグネタイト(Fe34)やマンガ
ン亜鉛フェライト(MnO・ZnO・Fe23)などが
シールキャップ23と回転軸31との隙間を通って基板
処理室21側へ混入して基板を汚染し、製品の歩留を低
下させる可能性があった。それと共に、逆に成膜時の反
応生成物がシールキャップ23と回転軸31との間の隙
間を通って磁気シール部34に付着し、シール性能を劣
化させたり、さらには磁気シール部34を破損させたり
するという問題があった。
【0009】これらの欠点を解決するために、回転機
構、特に磁気シール部の近傍に不活性ガス導入管あるい
は排気配管を設置する方法等が提案されている(例えば
特開平10−321532号公報,特開平10−340
859号公報)。しかし前者の公報に述べる、磁気シー
ル部近傍へ不活性ガスを単純に導入する構造を採用する
と、磁気シール部周辺の雰囲気を基板処理室へ強制的に
運んでしまう。この方法は前記のように反応生成物のシ
ール部への付着は防止できるが、基板処理室の磁気シー
ル部周辺の雰囲気からの汚染に関しては何ら防止策には
ならず、却ってこれを助長することとなる。
【0010】一方、後者の公報に述べる、不活性ガスの
導入に加えて排気配管より磁気シール部の周辺雰囲気を
強制排気させる方法は、その排気によって磁気シール部
周辺の雰囲気を除去し、前者の欠点を補うものである
が、基板処理室内の圧力制御に影響を与える可能性があ
り、不活性ガスの導入と排気を制御するための新たな配
管あるいは制御機構を必要とするため、装置機構の複雑
化が問題となる。
【0011】本発明は、上記課題を解決するもので、多
数の導入管、排気配管またそれらに関わる複雑な制御機
構を付加すること無く、磁気シール部からの金属汚染物
の基板処理室への混入防止及び反応生成物などによる磁
気シール部の破損防止が可能な減圧処理装置の回転機構
を提供することを目的とする。
【0012】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
に本発明の請求項1記載の減圧処理装置の回転機構は、
減圧下で基板を処理する基板処理室と、前記基板処理室
を閉鎖するシールキャップと、前記基板処理室内部にお
いて基板を設置するボートと、前記ボートを設置するボ
ート設置テーブルと、外部から前記シールキャップを貫
通して前記基板処理室内部へ導入されて前記ボート設置
テーブルに固定された回転軸と、減圧下にある前記基板
処理室と外部雰囲気とを遮断し、気密を保つにために前
記回転軸と前記囲む回転機構部筐体の内壁との間に設け
られた磁気シール部と、前記回転軸および磁気シール部
を囲む回転機構部筐体とを備え、基板を設置するボート
およびボート設置テーブルを回転軸を介して回転させな
がら減圧下で基板を処理する減圧処理装置において、回
転軸に不活性ガス導入通路を設け、不活性ガス導入通路
からのガス吹き出し口を回転軸における前記ボート設置
テーブルと前記シールキャップとの間に形成し、前記基
板処理室内部において前記ボート設置テーブルと前記シ
ールキャップとの間の前記ガス吹き出し口が臨む空間を
仕切る仕切壁を設けたことを特徴とする。
【0013】この構成によれば、ガス吹き出し口がシー
ルキャップとボート設置テーブルとの間にあるので、こ
の空間に導入された不活性ガスにより、磁気シール部か
らシールキャップを通って基板処理室内に汚染物質が入
るのを防止でき、また逆に基板処理室の反応生成物が磁
気シール部に到達するのを防止できる。また、基板処理
室内部において、ボート設置テーブルとシールキャップ
との間のガス吹き出し口が臨む空間が仕切壁にて仕切ら
れるので、ガス吹き出し口が臨む空間から不活性ガス
が、基板処理室内部の基板設置空間に向けて多量に流れ
込むことを防止でき、汚染物質や反応生成物が磁気シー
ル部と基板処理室とをお互いに汚染するのを防止できる
だけでなく、基板処理室内の圧力制御に影響を与えるこ
とを最小限に抑えることができる。
【0014】請求項2記載の発明は、請求項1記載の減
圧処理装置の回転機構において、仕切壁は、ボート設置
テーブルに固定され、その先端がシールキャップに近接
するように配設されていることを特徴とする。
【0015】請求項3記載の発明は、請求項2記載の減
圧処理装置の回転機構において、仕切壁の先端が対向す
るシールキャップの表面領域に溝が形成され、仕切壁の
先端が溝に接近状態で挿入されていることを特徴とす
る。
【0016】請求項4記載の発明は、請求項1記載の減
圧処理装置の回転機構において、仕切壁は、シールキャ
ップに固定され、その先端がボート設置テーブルに近接
するように配設されていることを特徴とする。
【0017】請求項5記載の発明は、請求項4記載の減
圧処理装置の回転機構において、仕切壁の先端が対向す
るボート設置テーブルの表面領域に溝が形成され、仕切
壁の先端が溝に接近状態で挿入されていることを特徴と
する。
【0018】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て、図面を参照しながら説明する。図1は、本発明の実
施の形態にかかる縦型減圧CVD装置のシールキャップ
部および回転機構部の概略的な断面図である。
【0019】図1に示すように、縦型減圧CVD装置に
は、減圧が可能であり基板に成膜処理する基板処理室1
と、減圧用チューブに接続されて基板処理室1を構成す
るフランジ2と、縦型減圧CVD装置の炉口部をシール
し、内部を減圧下に保つためのシールキャップ3と、フ
ランジ2とシールキャップ3とを緩衝的に接続シールす
るシールOリング4と、基板を保持するボート5と、ボ
ート5を設置して保持するボート設置テーブル6と、基
板が載せられたボート5およびボート設置テーブル6を
回転させるための回転機構部7とが備えられている。
【0020】回転機構部7には、回転運動を発生させる
モーター8と、モーター8からの回転運動を伝達するモ
ーター軸9と、モーター軸9に固定接続され、かつ回転
運動を伝達するモーター側歯車10と、モーター側歯車
10からの回転運動伝達を受ける回転軸側歯車11と、
回転軸側歯車11ならびボート設置テーブル6に固定接
続され、かつ回転軸側歯車11からの回転動作をボート
設置テーブル6に伝達するための回転軸12と、回転機
構部7を囲み、かつシールキャップ3に回転機構部7を
固定する回転機構部筐体13と、回転軸12を保持する
軸受け14と、回転軸12と回転機構部筐体13の内壁
との間に配置された、磁性流体を含む磁気シール部15
とが設けられている。
【0021】上記構成に加えて、回転軸12にはその軸
心箇所に不活性ガスを導入する不活性ガス通路16が設
けられ、この不活性ガス通路16は、ロータリージョイ
ント17を介して不活性ガス導入管18に接続されてい
る。そして、不活性ガス導入通路16からのガス吹き出
し口19を、回転軸12におけるボート設置テーブル6
とシールキャップ3との間に形成している。
【0022】また、基板処理室1内には、基板処理室1
内の基板が配設される空間から、ボート設置テーブル6
とシールキャップ3との間のガス吹き出し口19が臨む
空間を仕切る円筒状の仕切壁20が設けられている。こ
の仕切壁20は、磁気シール部15から発生する金属汚
染物および成膜処理時に発生する副生成物の拡散を防止
するためのもので、この実施の形態においては、ボート
設置テーブル6に基部側が固定され、その先端がシール
キャップ3に近接するように配設されている。また、仕
切壁の先端が対向するシールキャップ3の表面領域には
細い溝3aが形成されており、仕切壁20の先端が溝3
aに接近した状態で挿入されている。なお、この溝3a
の隙間からはガスは充分に通り抜けることができる。
【0023】上記シールキャップ部の動作は基本的には
従来の縦型減圧CVD装置と同様で、回転機構部7とシ
ールキャップ3、ボート設置テーブル6、ボート5が一
体となって上昇してシールOリング4を介してフランジ
2に密着し、基板処理室1内部を密閉する。しかしなが
ら、真空ポンプを使用して基板処理室1内の真空引きを
行う場合に、従来の縦型減圧CVD装置とは異なり、本
装置では不活性ガス吹き出し口19より200cc/m
inのN2ガスを常時導入している。そして、不活性ガ
スを磁気シール部15の近傍ではなく、シールキャップ
部内の基板処理室1内に導入している。導入されたガス
は、仕切壁20とシールキャップ3の溝3aとの間の狭
い隙間を通って基板処理室1内部へと入るようになって
いる。
【0024】図1に示す本発明の実施の形態にかかる減
圧CVD装置の回転機構の構成では、不活性ガスのガス
吹き出し口19が基板処理室1内部のシールキャップ3
に近い部分に設けられている。そして、このガス吹き出
し口19から一定の割合で不活性ガスを吹き出している
のであるが、吹き出したガスの一部はシールキャップ3
と回転軸12との間の隙間の方へ流れてゆくことによっ
て、磁気シール部15からの不純物物質が、基板処理室
1内部に拡散することを防止している。また、基板処理
室1内部において、ガス吹き出し口19が臨む空間が仕
切壁20にて仕切られるので、ガス吹き出し口19が臨
む空間から不活性ガスが、基板処理室1内部の基板設置
空間に向けて多量に流れ込むことを防止でき、汚染物質
や反応生成物が磁気シール部15と基板処理室1とをお
互いに汚染するのを防止できるだけでなく、基板処理室
1内の圧力制御に影響を与えることを最小限に抑えるこ
とができる。
【0025】また、一方、吹き出した不活性ガスの一部
は仕切壁20とシールキャップ3の溝3aとの間の隙間
を通って基板処理室1内に流れ込むが、この基板処理室
1へのガス流が、基板処理室1内で生成された反応生成
物が逆に拡散して磁気シール部15へ付着することも同
時に防止している。
【0026】さらに、ガス吹き出し口19に臨むガス導
入部を囲む円筒状の仕切壁20は、ボート設置テーブル
6とシールキャップ3との間に隘路を形成しており、こ
の結果、仕切壁20のない従来の構造においてシールキ
ャップ3から基板処理室1へのガス流が、基板処理室1
内部で乱流となり、内部に付着した反応生成物を巻き上
げて基板にパーティクルとして付着することを防ぐ役目
も果たしている。また、仕切壁20の先端がシールキャ
ップ3の細い溝3aに挿入されているため、反応生成物
が磁気シール部15へ拡散することや、磁気シール部1
5からの金属汚染物が基板処理室1内部へ拡散すること
を最小限に抑えている。
【0027】なお、図1では、拡散防止用の仕切壁20
をボート設置テーブル6に固定させた場合を示している
が、この代わりに仕切壁20の固定側を反対にして、シ
ールキャップ3側に固定し、仕切壁20の先端部が対向
するボート設置テーブル6上における部分に溝を形成す
るようにしても良く、これによっても同様の作用効果を
得ることができる。
【0028】また、図1に示すように、拡散防止用の仕
切壁20の先端部が対向するシールキャップ3の部分に
は溝3aを形成しているが、狭いギャップが形成されて
いれば良く、溝3aを形成しないことも可能である。し
かしながら、溝3aを形成すると、基板処理室1および
磁気シール部15へのパーティクルの拡散を有効に阻止
することができて望ましいものである。また、拡散防止
用の仕切壁20はボートテーブル6の周辺に沿って円筒
状に設けられているが、必ずしも周辺でなくても良く、
ガス吹き出し口19よりも基板処理室1寄り側、例えば
ボートテーブル6の周辺部より内側に円筒状に設けられ
ていても良い。
【0029】従来の縦型減圧CVD装置では、1年に1
回、回転機構部を金属汚染やパーティクルのために交換
する必要があったが、本実施の形態による回転機構部7
においては回転機構部7自体の耐摩耗年数である4年ま
で使用可能となった。
【0030】
【発明の効果】以上のように、本発明によれば、回転軸
に不活性ガス導入通路を設け、不活性ガス導入通路から
のガス吹き出し口を回転軸におけるボート設置テーブル
とシールキャップとの間に形成し、基板処理室内部にお
いてボート設置テーブルとシールキャップとの間のガス
吹き出し口が臨む空間を仕切る仕切壁を設けたことによ
り、金属汚染物及び成膜処理副生成物の拡散を防止で
き、処理製品の歩留向上及び回転機構部の長寿命化が可
能となる。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の実施の形態にかかる減圧CVD装置に
おけるシールキャップ部および回転機構部の断面図
【図2】従来の減圧CVD装置におけるシールキャップ
部および回転機構部の断面図
【符号の説明】
1 基板処理室 2 フランジ 3 シールキャップ 3a 溝 4 シールOリング 5 ボート 6 ボート設置テーブル 7 回転機構部 12 回転軸 13 回転機構部筐体 15 磁気シール部 16 不活性ガス通路 19 ガス吹き出し口 20 仕切壁

Claims (5)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】 減圧下で基板を処理する基板処理室と、
    前記基板処理室を閉鎖するシールキャップと、前記基板
    処理室内部において基板を設置するボートと、前記ボー
    トを設置するボート設置テーブルと、外部から前記シー
    ルキャップを貫通して前記基板処理室内部へ導入されて
    前記ボート設置テーブルに固定された回転軸と、減圧下
    にある前記基板処理室と外部雰囲気とを遮断し、気密を
    保つにために前記回転軸と前記囲む回転機構部筐体の内
    壁との間に設けられた磁気シール部と、前記回転軸およ
    び磁気シール部を囲む回転機構部筐体とを備え、基板を
    設置するボートおよびボート設置テーブルを回転軸を介
    して回転させながら減圧下で基板を処理する減圧処理装
    置において、回転軸に不活性ガス導入通路を設け、不活
    性ガス導入通路からのガス吹き出し口を回転軸における
    前記ボート設置テーブルと前記シールキャップとの間に
    形成し、前記基板処理室内部において前記ボート設置テ
    ーブルと前記シールキャップとの間の前記ガス吹き出し
    口が臨む空間を仕切る仕切壁を設けたことを特徴とする
    減圧処理装置の回転機構。
  2. 【請求項2】 仕切壁は、ボート設置テーブルに固定さ
    れ、その先端がシールキャップに近接するように配設さ
    れていることを特徴とする請求項1記載の減圧処理装置
    の回転機構。
  3. 【請求項3】 仕切壁の先端が対向するシールキャップ
    の表面領域に溝が形成され、仕切壁の先端が溝に接近状
    態で挿入されていることを特徴とする請求項2記載の減
    圧処理装置の回転機構。
  4. 【請求項4】 仕切壁は、シールキャップに固定され、
    その先端がボート設置テーブルに近接するように配設さ
    れていることを特徴とする請求項1記載の減圧処理装置
    の回転機構。
  5. 【請求項5】 仕切壁の先端が対向するボート設置テー
    ブルの表面領域に溝が形成され、仕切壁の先端が溝に接
    近状態で挿入されていることを特徴とする請求項4記載
    の減圧処理装置の回転機構。
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Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US9394607B2 (en) 2014-03-24 2016-07-19 Hitachi Kokusai Electric Inc. Substrate processing apparatus
JP2020035779A (ja) * 2018-08-27 2020-03-05 株式会社Kokusai Electric 基板処理装置及び半導体装置の製造方法
CN111101110A (zh) * 2018-10-29 2020-05-05 北京北方华创微电子装备有限公司 进气集成结构、工艺腔室和半导体处理设备

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