TW202012453A - 感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法、以及鍍覆造形物的製造方法 - Google Patents

感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法、以及鍍覆造形物的製造方法 Download PDF

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Abstract

本發明是一種感光性樹脂組成物，其特徵在於含有聚合性化合物（A）、光自由基聚合起始劑（B）、硫醇化合物（C）、以及聚合抑制劑（D），且所述硫醇化合物（C）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為5質量份～50質量份，所述聚合抑制劑（D）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為1質量份～10質量份。本發明可提供一種於明視場與暗視場兩者中曝光量寬容度（EL）寬的感光性樹脂組成物。可提供一種使用所述感光性樹脂組成物能夠於明視場與暗視場兩者中精度佳地形成微細抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案的形成方法。可提供一種使用藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法所形成的抗蝕劑圖案能夠製造精度佳、微細的鍍覆造形物的鍍覆造形物的製造方法。

Description

感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法、以及鍍覆造形物的製造方法
本發明是有關於一種感光性樹脂組成物、抗蝕劑圖案的形成方法、以及鍍覆造形物的製造方法。
近年來，關於半導體元件、或者液晶顯示器或觸摸面板（touch panel）等顯示元件的配線或凸塊（bump）等連接端子，對於高密度地安裝的要求不斷提高，因此微細化正在推進。
通常，配線或凸塊等是鍍覆造形物，其如專利文獻1所記載般藉由以下方式而製造：於具有銅等金屬箔的基板上塗佈感光性樹脂組成物而形成抗蝕劑塗膜，使用遮罩對該抗蝕劑塗膜進行曝光及顯影，形成抗蝕劑圖案，將該抗蝕劑圖案作為遮罩，於基板上進行鍍覆。
因此，伴隨配線或凸塊等的微細化，其製造所使用的抗蝕劑圖案亦一直需要微細化。 [現有技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2006-285035號公報
[發明所欲解決之課題]
當使用遮罩對負型的抗蝕劑塗膜進行曝光時，於抗蝕劑塗膜中，稠密地形成配線用的抗蝕劑的部分成為曝光量相對變多的明區域（明視場，Bright-Field，BF），稀疏地形成凸塊用的抗蝕劑的部分成為曝光量相對變少的暗區域（暗視場，Dark-Field，DF）。
若抗蝕劑圖案進行微細化，則曝光光的繞射、漏光、來自基板的曝光光的反射的影響變強，於明視場與暗視場中，對抗蝕劑塗膜的實質的曝光量（實行曝光量）不同。起因於此，產生如下不良情況：於明視場與暗視場中，所形成的抗蝕劑圖案的精度產生差異。因此，對抗蝕劑塗膜要求如下性質：即便於明視場與暗視場中實行曝光量於某種程度上不同，亦於明視場與暗視場兩者中高精度地形成抗蝕劑圖案。即，要求一種於暗視場及明視場兩者中能夠形成良好的抗蝕劑圖案的曝光量的範圍重覆的、具有寬的共同的曝光量寬容度（Exposure Latitude，亦簡稱為「EL」）的抗蝕劑組成物。此處，所謂曝光量寬容度（EL），是指抗蝕劑圖案能夠高精度地形成的曝光量的範圍。
本發明的目的在於提供一種於暗視場及明視場中具有寬的共同的曝光量寬容度（EL）的感光性樹脂組成物，提供一種於暗視場及明視場兩者中能夠精度佳地形成微細抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案的形成方法，以及提供一種能夠精度佳地形成微細的鍍覆造形物的鍍覆造形物的製造方法。 [解決課題之手段]
達成所述目的的本發明是有關於例如下述[1]～[8]。 [1] 一種感光性樹脂組成物，其特徵在於含有：聚合性化合物（A）、光自由基聚合起始劑（B）、硫醇化合物（C）、以及聚合抑制劑（D），且所述硫醇化合物（C）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為5質量份～20質量份，所述聚合抑制劑（D）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為1質量份～5質量份。 [2] 如所述[1]所述的感光性樹脂組成物，其中所述硫醇化合物（C）為多官能硫醇化合物（C-1）。 [3] 如所述[1]或[2]所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述硫醇化合物（C）100質量份，所述聚合抑制劑（D）的含量為20質量份～80質量份。 [4] 如所述[1]至[3]中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述聚合抑制劑（D）為酚系聚合抑制劑（D-1）。 [5] 如所述[1]至[4]中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述光自由基聚合起始劑（B）為肟系光自由基聚合起始劑（B1）。 [6] 如所述[1]至[5]中任一項所述的感光性樹脂組成物，其更含有鹼可溶性樹脂（E）。 [7] 一種抗蝕劑圖案的形成方法，其特徵在於具有：步驟（1），將如所述[1]至[6]中任一項所述的感光性樹脂組成物塗佈於基板上而形成樹脂塗膜；步驟（2），對所述樹脂塗膜進行曝光；步驟（3），對曝光後的樹脂塗膜進行顯影。 [8] 一種鍍覆造形物的製造方法，其特徵在於具有：將藉由如所述[7]所述的抗蝕劑圖案的形成方法所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩而對所述基板進行鍍覆處理的步驟。 [發明的效果]
本發明可提供一種於暗視場及明視場中具有寬的共同的曝光量寬容度（EL）的感光性樹脂組成物。可提供一種使用所述感光性樹脂組成物能夠於明視場與暗視場兩者中精度佳地形成微細抗蝕劑圖案的抗蝕劑圖案的形成方法。可提供一種使用藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法所形成的抗蝕劑圖案能夠製造精度佳、微細的鍍覆造形物的鍍覆造形物的製造方法。
[感光性樹脂組成物] 本發明的感光性樹脂組成物含有聚合性化合物（A）、光自由基聚合起始劑（B）、硫醇化合物（C）、以及聚合抑制劑（D），所述硫醇化合物（C）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為5質量份～50質量份，所述聚合抑制劑（D）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為1質量份～10質量份。
本發明的感光性樹脂組成物於暗視場及明視場中具有寬的共同的EL。 如上所述，若感光性樹脂組成物的共同的EL窄，則於明視場與暗視場中，所形成的抗蝕劑圖案的精度容易產生差異。作為感光性樹脂組成物的共同的EL變窄的理由，考慮到若干，其中本發明者著眼於（1）對感光性樹脂組成物進行曝光時產生的自由基的擴散長度過長、以及（2）感光性樹脂組成物對曝光光的感度低。
若自由基的擴散長度長，則除了由感光性樹脂組成物形成的抗蝕劑塗膜中的曝光光所照射的區域（area）以外，藉由曝光而產生的自由基亦大範圍擴散，自由基反應超出所設想的範圍而進行，抗蝕劑圖案的精度降低。因此認為，能夠形成高精度的抗蝕劑圖案的曝光量範圍受到限制，共同的EL變窄。自由基反應進行的範圍及程度依賴於自由基的產生量與擴散長度。自由基的產生量於明視場與暗視場中不同，因此，於明視場與暗視場中抗蝕劑圖案的精度產生差異。
另外，若感光性樹脂組成物對曝光光的感度低，則需要增加曝光量，因此漏光的影響變大。因此認為，感度的低的程度影響共同的EL。
因此，本發明中，為了抑制自由基的擴散長度，於感光性樹脂組成物中添加一定量的聚合抑制劑。另一方面，若加入聚合抑制劑則感度大幅降低，因此，將一定量的能夠提高感度的硫醇化合物、特別是多官能硫醇化合物添加於感光性樹脂組成物中。即，藉由聚合抑制劑來抑制由自由基的長擴散長度引起的弊病，藉由硫醇化合物來抑制由藉由添加聚合抑制劑而產生的感度降低引起的弊病。進而，藉由添加多官能硫醇，基板與抗蝕劑塗膜的接著性增強，抗蝕劑圖案的精度進一步提升。如上所述，本發明藉由聚合抑制劑與硫醇化合物的複合效應，實現了寬的共同的EL。
本發明的感光性樹脂組成物所具有的共同的EL通常為8%以上，較佳為10%以上，更佳為15%以上。因此，當使用本發明的感光性樹脂組成物來形成抗蝕劑圖案時，即便為微細的抗蝕劑圖案，可選擇的曝光量範圍亦廣，且抗蝕劑圖案的形成簡便，能夠於明視場及暗視場兩者中容易地形成符合目的的抗蝕劑圖案。
再者，於本說明書中，將與2 μm尺寸的1比1線與空間（以下，省略為「2 μm的1L/1S」）的抗蝕劑圖案的形成所對應的區域設為明視場，將與2 μm尺寸的1比3線與空間（以下，省略為「2 μm的1L/3S」）的抗蝕劑圖案的形成所對應的區域設為暗視場。共同的EL表示當將最佳地形成2 μm的1L/1S抗蝕劑圖案的曝光量設為最佳曝光量（以下，亦稱為「EOP」）時，於明視場中能夠精度佳地形成微細抗蝕劑圖案的曝光量範圍與於暗視場中能夠精度佳地形成微細抗蝕劑圖案的曝光量範圍重覆的曝光量範圍相對於所述最佳曝光量的比例。
聚合性化合物（A）是利用藉由曝光而由光自由基聚合起始劑產生的活性種進行自由基聚合的成分，較佳為於一分子中具有至少一個乙烯性不飽和雙鍵。
作為聚合性化合物（A），較佳為具有(甲基)丙烯醯基的(甲基)丙烯酸酯化合物、具有乙烯基的化合物。所述(甲基)丙烯酸酯化合物被分類為單官能性(甲基)丙烯酸酯化合物與多官能性(甲基)丙烯酸酯化合物，可為任一種化合物。
作為所述單官能性(甲基)丙烯酸酯化合物，例如可列舉：(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基丁酯、(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸異丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸異丁酯、(甲基)丙烯酸第三丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸異戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸異辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸異癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷基酯、(甲基)丙烯酸十二烷基戊酯、(甲基)丙烯酸月桂酯、(甲基)丙烯酸十八烷基酯、(甲基)丙烯酸硬脂酯、(甲基)丙烯酸四氫糠酯、(甲基)丙烯酸苄酯、(甲基)丙烯酸苯氧基乙酯、(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯、(甲基)丙烯酸丁氧基乙酯、(甲基)丙烯酸甘油酯、乙二醇單甲醚(甲基)丙烯酸酯、乙二醇單乙醚(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇單(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇單(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯、乙氧基二乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、苯氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、三環[5.2.1.02,6 ]癸二烯基(甲基)丙烯酸酯、三環[5.2.1.02,6 ]癸烷基(甲基)丙烯酸酯、三環[5.2.1.02,6 ]癸烯基(甲基)丙烯酸酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、(甲基)丙烯酸冰片酯、(甲基)丙烯酸環己酯、丙烯酸醯胺、甲基丙烯酸醯胺、二丙酮(甲基)丙烯醯胺、異丁氧基甲基(甲基)丙烯醯胺、N,N-二甲基(甲基)丙烯醯胺、第三辛基(甲基)丙烯醯胺、(甲基)丙烯酸二甲基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸二乙基胺基乙酯、(甲基)丙烯酸7-胺基-3,7-二甲基辛酯等。
作為所述多官能性(甲基)丙烯酸酯化合物，例如可列舉：三羥甲基丙烷二(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、三羥甲基丙烷環氧丙烷（propylene oxide，PO）改質三(甲基)丙烯酸酯、四羥甲基丙烷四(甲基)丙烯酸酯、乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、四乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、聚乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,4-丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、1,6-己二醇二(甲基)丙烯酸酯、丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、丁二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯二(甲基)丙烯酸酯、三(2-羥乙基)異氰脲酸酯三(甲基)丙烯酸酯、三環癸烷二甲醇二(甲基)丙烯酸酯、對雙酚A的二縮水甘油醚加成(甲基)丙烯酸而成的環氧(甲基)丙烯酸酯、雙酚A二(甲基)丙烯醯氧基乙醚、雙酚A二(甲基)丙烯醯氧基甲基乙醚、雙酚A二(甲基)丙烯醯氧基乙基氧基乙醚、季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇四(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇五(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、聚酯(甲基)丙烯酸酯（三官能以上）、鄰苯二甲酸與環氧丙烯酸酯的反應物等。
作為聚合性化合物（A），可直接使用市售的化合物。作為市售的化合物，例如可列舉：亞羅尼斯（Aronix）M-210、亞羅尼斯（Aronix）M-309、亞羅尼斯（Aronix）M-310、亞羅尼斯（Aronix）M-320、亞羅尼斯（Aronix）M-400、亞羅尼斯（Aronix）M-7100、亞羅尼斯（Aronix）M-8030、亞羅尼斯（Aronix）M-8060、亞羅尼斯（Aronix）M-8100、亞羅尼斯（Aronix）M-9050、亞羅尼斯（Aronix）M-240、亞羅尼斯（Aronix）M-245、亞羅尼斯（Aronix）M-6100、亞羅尼斯（Aronix）M-6200、亞羅尼斯（Aronix）M-6250、亞羅尼斯（Aronix）M-6300、亞羅尼斯（Aronix）M-6400、亞羅尼斯（Aronix）M-6500（以上為東亞合成（股）製造）、卡亞拉得（KAYARAD）R-551、卡亞拉得（KAYARAD）R-712、卡亞拉得（KAYARAD）TMPTA、卡亞拉得（KAYARAD）HDDA、卡亞拉得（KAYARAD）TPGDA、卡亞拉得（KAYARAD）PEG400DA、卡亞拉得（KAYARAD）MANDA、卡亞拉得（KAYARAD）HX-220、卡亞拉得（KAYARAD）HX-620、卡亞拉得（KAYARAD）R-604、卡亞拉得（KAYARAD）DPCA-20、卡亞拉得（KAYARAD）DPCA-30、卡亞拉得（KAYARAD）DPCA-60、卡亞拉得（KAYARAD）DPCA-120（以上為日本化藥（股）製造）、比斯克特（Viscoat）#295、比斯克特（Viscoat）#300、比斯克特（Viscoat）#260、比斯克特（Viscoat）#312、比斯克特（Viscoat）#335HP、比斯克特（Viscoat）#360、比斯克特（Viscoat）#GPT、比斯克特（Viscoat）#3PA、比斯克特（Viscoat）#400（以上為大阪有機化學工業（股）製造）等。
該些聚合性化合物（A）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 本感光性樹脂組成物中的聚合性化合物（A）的含有比例於固體成分中通常為5質量%～90質量%，較佳為10質量%～70質量%，更佳為15質量%～50質量%。再者，本發明中，所謂「固體成分」，是指感光性樹脂組成物中所含的溶劑以外的全部成分。
光自由基聚合起始劑（B）是藉由曝光光的照射而產生自由基，使聚合性化合物（A）的自由基聚合開始的化合物。 作為光自由基聚合起始劑（B），例如可列舉：肟系化合物、有機鹵化化合物、氧基二唑（oxydiazole）化合物、羰基化合物、縮酮化合物、安息香化合物、吖啶化合物、有機過氧化化合物、偶氮化合物、香豆素化合物、疊氮化合物、茂金屬化合物、六芳基聯咪唑化合物、有機硼酸化合物、二磺酸化合物、鎓鹽化合物、醯基膦(氧化物)化合物。該些中，就感度的方面而言，較佳為肟系光自由基聚合起始劑（B1），特佳為具有肟酯結構的光自由基聚合起始劑。
具有肟酯結構的光自由基聚合起始劑中能夠存在由肟的雙鍵引起的幾何異構物，但該些不加以區別，任一者均包含於光自由基聚合起始劑（B）中。
作為具有肟酯結構的光自由基聚合起始劑，例如可列舉WO2010/146883號公報、日本專利特開2011-132215號公報、日本專利特表2008-506749號公報、日本專利特表2009-519904號公報、以及日本專利特表2009-519991號公報中記載的光自由基聚合起始劑。
作為具有肟酯結構的光自由基聚合起始劑的具體例，可列舉：N-苯甲醯氧基-1-(4-苯基巰基苯基)丁烷-1-酮-2-亞胺、N-乙氧基羰基氧基-1-苯基丙烷-1-酮-2-亞胺、N-苯甲醯氧基-1-(4-苯基巰基苯基)辛烷-1-酮-2-亞胺、N-乙醯氧基-1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]乙烷-1-亞胺、及N-乙醯氧基-1-[9-乙基-6-{2-甲基-4-(3,3-二甲基-2,4-二氧雜環戊烷基甲基氧基)苯甲醯基}-9H-咔唑-3-基]乙烷-1-亞胺、乙酮,1-[9-乙基-6-(2-甲基苯甲醯基)-9H-咔唑-3-基]-,1-(O-乙醯基肟)等。
該些光自由基聚合起始劑（B）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 本感光性樹脂組成物中的光自由基聚合起始劑（B）的含量相對於聚合性化合物（A）100質量份，通常為1質量份～40質量份，較佳為3質量份～35質量份，更佳為5質量份～30質量份。若光自由基聚合起始劑（B）的含量為所述範圍內，則可獲得較佳的自由基量，且可獲得優異的解析度。
如上所述，硫醇化合物（C）是有助於提升感光性樹脂組成物的感度，且藉由與聚合抑制劑（D）的複合效應而實現明視場及暗視場兩者中寬的共同的EL的成分。
硫醇化合物（C）可為單官能硫醇化合物及多官能硫醇化合物中的任一者，就進一步提高感光性樹脂組成物對曝光光的感度的觀點而言，較佳為多官能硫醇化合物（C-1）。 所謂單官能硫醇化合物，為於分子內具有1個硫醇基（巰基）的化合物。作為單官能硫醇化合物，例如可列舉：3-巰基丙酸硬脂酯等。 所謂多官能硫醇化合物（C-1），為於分子內具有2個以上的硫醇基（巰基）的化合物。作為多官能硫醇化合物，較佳為分子量100以上的低分子化合物，具體而言，更佳為分子量100～1,500，進而佳為150～1,000。
作為多官能硫醇化合物（C-1）的官能基數，較佳為2官能～10官能，更佳為2官能～8官能，進而佳為2官能～4官能。若官能基數變大，則膜強度優異，另一方面，若官能基數小，則保存穩定性優異。於所述範圍的情況下，可使該些併存。
作為多官能硫醇化合物（C-1），較佳為脂肪族多官能硫醇化合物。作為脂肪族多官能硫醇化合物的較佳例，可例示包含脂肪族烴基與-O-、-C(=O)-的組合、且脂肪族烴基的氫原子的至少兩個經硫醇基取代而成的化合物。
多官能硫醇化合物（C-1）中的硫醇基可為一級硫醇基，亦可為二級硫醇基，亦可為三級硫醇基，就感度及耐化學品性的觀點而言，較佳為一級硫醇基或二級硫醇基，更佳為二級硫醇基。另外，就保存穩定性的觀點而言，較佳為二級硫醇基或三級硫醇基，更佳為二級硫醇基。
作為脂肪族多官能硫醇化合物，可列舉：季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、1,3,5-三(3-巰基丁醯氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮、三羥甲基丙烷三(3-巰基丁酸酯)、三羥甲基乙烷三(3-巰基丁酸酯)、三羥甲基丙烷三(3-巰基丙酸酯)、三[(3-巰基丙醯氧基)乙基]異氰脲酸酯、季戊四醇四(3-巰基丙酸酯)、四乙二醇雙(3-巰基丙酸酯)、及二季戊四醇六(3-巰基丙酸酯)等，該些中，更佳為季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)、1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷、及1,3,5-三(3-巰基丁醯氧基乙基)-1,3,5-三嗪-2,4,6(1H,3H,5H)-三酮等。
作為脂肪族多官能硫醇化合物（C-1）的市售品，例如可列舉：卡倫茨（Karenz）MT-PE-1、卡倫茨（Karenz）MT-BD-1、卡倫茨（Karenz）MT-NR-1、TPMB、TEMB（以上為昭和電工（股）製造）、TMMP、TEMPIC、PEMP、EGMP-4、及DPMP（以上為堺化學工業（股）製造）等。
該些硫醇化合物（C）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。藉由與聚合抑制劑（D）的複合效應，就實現寬的共同的EL的觀點而言，如上所述，硫醇化合物（C）的含量相對於聚合性化合物（A）100質量份而為5質量份～50質量份，較佳為5質量份～35質量份，更佳為5質量份～25質量份。
如上所述，聚合抑制劑（D）是有助於抑制自由基的擴散長度，且藉由與硫醇化合物（C）的複合效應而實現寬的共同的EL的成分。另外，聚合抑制劑（D）亦能夠有助於提升感光性樹脂組成物的保存穩定性。
作為聚合抑制劑（D），例如可列舉：對苯二酚、對苯二酚的單酯化物、N-亞硝基二苯基胺、苯醌、啡噻嗪、對甲氧基苯酚、對第三丁基兒茶酚、N-苯基萘基胺、2,6-二-第三丁基-對甲基苯酚、氯醌（chloranil）、五倍子酚（pyrogallol）。
作為聚合抑制劑（D），較佳為對苯二酚、對甲氧基苯酚、兒茶酚等酚系聚合抑制劑（D-1）。 作為聚合抑制劑（D）的市售品，例如可列舉：易璐諾斯（Irganox）1010（巴斯夫（BASF）公司製造）、奎諾帕瓦（QuinoPower）QS20（川崎化成工業（股）製造）等。 該些聚合抑制劑（D）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
藉由與硫醇化合物（C）的複合效應，就實現寬的共同的EL的觀點而言，如上所述，聚合抑制劑（D）的含量相對於聚合性化合物（A）100質量份而為1質量份～10質量份，較佳為3質量份～8質量份，更佳為4質量份～6質量份。
本發明的感光性樹脂組成物較佳為含有鹼可溶性樹脂（E）。若感光性樹脂組成物含有鹼可溶性樹脂（E），則可對抗蝕劑賦予相對於鍍液的耐性，且可利用鹼性顯影液進行顯影。
鹼可溶性樹脂（E）是具有以能夠進行目標顯影處理的程度溶解於鹼性的顯影液中的性質的樹脂。作為鹼可溶性樹脂（E），例如可列舉：日本專利特開2008-276194號公報、日本專利特開2003-241372號公報、日本專利特表2009-531730號公報、WO2010/001691號公報、日本專利特開2011-123225號公報、日本專利特開2009-222923號公報、及日本專利特開2006-243161號公報等中記載的公知的鹼可溶性樹脂。更具體而言，作為鹼可溶性樹脂（E），例如可列舉具有源於(甲基)丙烯酸、馬來酸、對羥基苯乙烯、異丙烯基苯酚、及(甲基)丙烯酸羥基苯酯等具有酸性官能基的單體的結構單元、以及源於苯乙烯、N-苯基馬來醯亞胺、(甲基)丙烯酸正丁酯、(甲基)丙烯酸異冰片酯、及異冰片基乙烯基醚等其他單體的結構單元的樹脂。
鹼可溶性樹脂（E）的藉由凝膠滲透層析法（Gel Permeation Chromatography，GPC）測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量（Mw）通常處於1,000～1,000,000、較佳為2,000～50,000、更佳為3,000～20,000的範圍。
於抗蝕劑的耐鍍液性提升的方面，鹼可溶性樹脂（E）較佳為具有酚性羥基。 鹼可溶性樹脂（E）可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。
鹼可溶性樹脂（E）的含量相對於聚合性化合物（A）100質量份，通常為50質量份～300質量份，較佳為100質量份～250質量份。若鹼可溶性樹脂的含量處於所述範圍，則能夠形成耐鍍液性優異的抗蝕劑。
本發明的感光性樹脂組成物亦可於無損本發明的目的及特性的範圍內含有溶劑、界面活性劑、接著助劑、增感劑、無機填料等作為其他成分。 本發明的感光性樹脂組成物藉由含有溶劑而操作性提升，或黏度的調節變得容易，或保存穩定性提升。
作為溶劑，可列舉： 甲醇、乙醇、丙二醇等醇類； 四氫呋喃、二噁烷等環狀醚類； 乙二醇、丙二醇等二醇類； 乙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚等烷二醇單烷基醚類； 乙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單甲醚乙酸酯、丙二醇單乙醚乙酸酯等烷二醇單烷基醚乙酸酯類； 甲苯、二甲苯等芳香族烴類； 丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、4-羥基-4-甲基-2-戊酮等酮類； 乙酸乙酯、乙酸丁酯、乙氧基乙酸乙酯、羥基乙酸乙酯、2-羥基丙酸乙酯、2-羥基-2-甲基丙酸乙酯、2-羥基-3-甲基丁酸甲酯、3-甲氧基丙酸甲酯、3-甲氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸乙酯、3-乙氧基丙酸甲酯、乳酸乙酯等酯類； N-甲基甲醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、N-甲基甲醯苯胺、N-甲基乙醯胺、N,N-二甲基乙醯胺、N-甲基吡咯啶酮、二甲基亞碸、苄基乙醚、二己醚、丙酮基丙酮、異佛爾酮、己酸、辛酸、1-辛醇、1-壬醇、苄醇、乙酸苄酯、苯甲酸乙酯、草酸二乙酯、γ-丁內酯、碳酸伸乙酯、碳酸伸丙酯、苯基賽珞蘇乙酸酯等。
溶劑可單獨使用一種，亦可併用兩種以上。 於形成膜厚0.1 μm～100 μm的抗蝕劑圖案的情況下，溶劑的含量可設為使本感光性樹脂組成物的固體成分成為5質量%～80質量%的量。 本發明的感光性樹脂組成物可藉由將所述成分均勻混合而製造。
[抗蝕劑圖案的形成方法] 本發明的抗蝕劑圖案的形成方法的特徵在於具有：步驟（1），將所述感光性樹脂組成物塗佈於基板上而形成樹脂塗膜；步驟（2），對所述樹脂塗膜進行曝光；步驟（3），對曝光後的樹脂塗膜進行顯影。
步驟（1）中，將所述感光性樹脂組成物塗佈於基板上而形成樹脂塗膜。 作為基板，若為可形成所述樹脂塗膜的基板，則無特別限制，例如可列舉：半導體基板、玻璃基板、矽基板、以及於半導體板、玻璃板、矽板的表面設置各種金屬膜等而形成的基板等。基板的形狀並無特別限制。可為平板狀，亦可為如矽晶圓般於平板上設置凹部（孔）而成的形狀。於為具備凹部、進而於表面上具有銅膜的基板的情況下，亦可如矽通孔（Through-Silicon-Via，TSV）結構般，於所述凹部的底部設置有銅膜。
作為感光性樹脂組成物的塗佈方法，並無特別限定，例如可採用噴霧法、輥塗法、旋塗法、狹縫模塗佈法、棒塗佈法、噴墨法，特佳為旋塗法。於為旋塗法的情況下，旋轉速度通常為800 rpm～3000 rpm，較佳為800 rpm～2000 rpm，旋轉時間通常為1秒～300秒，較佳為5秒～200秒。旋塗感光性樹脂組成物後，例如於50℃～250℃下對所獲得的塗膜加熱乾燥1分鐘～30分鐘左右。
樹脂塗膜的膜厚通常為0.1 μm～300 μm，較佳為1 μm～100 μm，於鍍覆造形物為配線的情況下，通常為0.1 μm~50 μm，於鍍覆造形物為凸塊電極的情況下，通常為1 μm～300 μm。樹脂塗膜的膜厚越為薄膜，氧阻礙的影響表現得越顯著，因此，於製造鍍覆造形物的情況下，膜厚較佳為設為所述範圍。
步驟（2）中，對所述樹脂塗膜進行曝光。即，以於步驟（3）中獲得抗蝕劑圖案的方式對所述樹脂塗膜進行選擇性曝光。 關於選擇性曝光，通常介隔所需的光罩，使用例如接觸式對準儀（contact aligner）、步進機（stepper）或掃描儀（scanner），對所述塗膜進行曝光。作為曝光光，通常使用波長200 nm～500 nm的光（例如：i射線（365 nm））。曝光量視塗膜中的成分的種類、調配量、塗膜的厚度等而不同，於曝光光使用i射線的情況下，通常為1 mJ/cm2 ～10,000 mJ/cm2 。
如上所述，樹脂塗膜的形成中所使用的感光性樹脂組成物於暗視場及明視場兩者中具有寬的共同的EL，因此，即便於形成在步驟（2）中具有明視場及暗視場的微細抗蝕劑圖案的情況下，亦能夠良好地形成符合目的的抗蝕劑圖案。
另外，亦能夠於曝光後進行加熱處理。曝光後的加熱處理的條件可根據樹脂塗膜中的成分的種類、調配量、塗膜的厚度等適當決定，通常為70℃～180℃、1分鐘～60分鐘。
步驟（3）中，對曝光後的樹脂塗膜進行顯影。藉此，形成抗蝕劑圖案。 作為顯影液，例如可使用：氫氧化鈉、氫氧化鉀、碳酸鈉、矽酸鈉、偏矽酸鈉、氨水、乙胺、正丙胺、二乙胺、二正丙胺、三乙胺、甲基二乙胺、二甲基乙醇胺、三乙醇胺、氫氧化四甲基銨、氫氧化四乙基銨、吡咯、哌啶、1,8-二氮雜雙環[5.4.0]-7-十一烯、1,5-二氮雜雙環[4.3.0]-5-壬烯的水溶液。另外，亦能夠使用向所述鹼類的水溶液中添加適量甲醇、乙醇等水溶性有機溶劑或界面活性劑而成的水溶液作為顯影液。
顯影時間視組成物中的各成分的種類、調配比例、塗膜的厚度等而不同，通常為30秒～600秒。顯影的方法可為覆液法、浸漬（dipping）法、水坑（puddle）法、噴霧法、噴淋顯影法等中的任一種。
針對如所述般製作的抗蝕劑圖案，根據用途進而進行追加的曝光（以下稱為「後曝光」）或加熱，藉此可使抗蝕劑圖案進一步硬化。
後曝光可利用與所述曝光同樣的方法進行。曝光量並無特別限定，於使用高壓水銀燈的情況下，較佳為100 mJ/cm2 ～10,000 mJ/cm2 。關於加熱，使用加熱板、烘箱等加熱裝置，於規定的溫度、例如60℃～200℃下進行規定的時間即可，例如，若於加熱板上，則進行5分鐘～30分鐘的加熱處理，若於烘箱中，則進行5分鐘～60分鐘的加熱處理。藉由所述後處理，可進一步獲得具有良好特性的圖案的硬化膜。 抗蝕劑圖案亦可藉由流水等進行清洗。其後，亦可使用氣槍等進行風乾，或者於加熱板或烘箱等的加熱下加以乾燥。
[鍍覆造形物的製造方法] 本發明的鍍覆造形物的製造方法的特徵在於具有：將藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩而對所述基板進行鍍覆處理的步驟。
作為所述鍍覆造形物，可列舉凸塊、配線等。 按照所述抗蝕劑圖案的形成方法來進行抗蝕劑圖案的形成。 作為鍍覆處理，可列舉：電鍍處理、無電鍍處理及熔融鍍覆處理等濕式鍍覆處理；化學氣相沈積、及濺鍍等乾式鍍覆處理。於形成晶圓級（wafer level）的加工中的配線或連接端子的情況下，鍍覆處理通常藉由電鍍處理來進行。
於進行電鍍處理之前，為了提高抗蝕劑圖案的內壁表面與鍍液的親和性，可對抗蝕劑圖案的內壁表面進行灰化（ashing）處理、助焊劑（flux）處理、及去鑽污（desmear）處理等前處理。
於電鍍處理的情況下，能夠將藉由濺鍍或無電鍍處理而形成於抗蝕劑圖案內壁的層用作籽晶層，另外，於將表面具有金屬膜的基板用作基板的情況下，亦能夠將所述金屬膜用作籽晶層。
亦可於形成籽晶層之前形成阻擋層，亦能夠將籽晶層用作阻擋層。 作為用於電鍍處理的鍍液，例如可列舉：包含硫酸銅、或焦磷酸銅等的銅鍍液；包含氰化金鉀的金鍍液；以及包含硫酸鎳或碳酸鎳的鎳鍍液。
電鍍處理的條件可根據鍍液的種類等而適當選擇，例如，於為包含硫酸銅的電鍍處理的情況下，通常為溫度10℃～90℃，且電流密度0.1 A/dm2 ～100 A/dm2 。
關於鍍覆處理，可依次進行不同的鍍覆處理。例如，首先進行鍍銅處理，繼而進行鍍鎳處理，繼而進行熔融焊料鍍覆處理，藉此可形成焊料銅柱凸塊。
鍍覆造形物的厚度視其用途而不同，例如，於凸塊電極的情況下，通常為1 μm～300 μm，於配線的情況下，通常為0.1 μm～50 μm。 由於所述抗蝕劑圖案的形成方法是使用所述感光性樹脂組成物來形成抗蝕劑圖案，因此，即便為微細的抗蝕劑圖案，亦能夠容易地形成符合目的的抗蝕劑圖案。因此，於使用藉由所述抗蝕劑圖案的形成方法所形成的抗蝕劑圖案的本發明的鍍覆造形物的製造方法中，可精度佳、簡便地製造微細的鍍覆造形物。 [實施例]
以下，基於實施例進而對本發明進行具體說明，但本發明並不限定於該些實施例。於以下的實施例等的記載中，「份」是以「質量份」的含義而使用。 鹼可溶性樹脂的重量平均分子量（Mw）為於下述條件下藉由凝膠滲透層析法的聚苯乙烯換算而算出的值。
·管柱：將東曹（Tosoh）股份有限公司製造的管柱TSK-M及TSK2500串列連接。 ·溶媒：四氫呋喃 ·管柱溫度：40℃ ·檢測方法：折射率法 ·標準物質：聚苯乙烯 ·GPC裝置：東曹（Tosoh）股份有限公司製造，裝置名「HLC-8220-GPC」
＜感光性樹脂組成物的製造＞ [實施例1A～實施例8A、及比較例1A～比較例7A] 使用丙二醇單甲醚乙酸酯作為溶劑，將下述表1所示的量的各成分以使固體成分濃度成為55質量%的方式加入至所述溶劑中並加以混合，利用膠囊過濾器（孔徑3 μm）進行過濾，製造實施例1A～實施例8A、及比較例1A～比較例7A的感光性樹脂組成物。再者，表1中示出的各成分的詳細情況如以下所述。 聚合性化合物（A1）：聚酯丙烯酸酯（製品名「亞羅尼斯（Aronix）M-8060」、東亞合成（股）製造） 光自由基聚合起始劑（B1）：下述式（B1）所示的化合物
[化1]
Figure 02_image001
光自由基聚合起始劑（B2）：2,4,6-三甲基苯甲醯基二苯基膦氧化物 硫醇化合物（C1）：季戊四醇四(3-巰基丁酸酯)（製品名「卡倫茨（Karenz）MT PE1」、昭和電工（股）製造） 硫醇化合物（C2）：3-巰基丙酸硬脂酯（製品名「STMP」、堺化學工業（股）製造） 硫醇化合物（C3）：1,4-雙(3-巰基丁醯氧基)丁烷（製品名「卡倫茨（Karenz）MT-BD-1」、昭和電工（股）製造） 硫醇化合物（C4）：1,3,5-三(2-(3-巰基丁醯氧基)乙基)-1,3,5-三氮雜環己烷-2,4,6-三酮（製品名「卡倫茨（Karenz）MT-NR-1」、昭和電工（股）製造） 聚合抑制劑（D1）：受阻酚系聚合抑制劑（製品名「易璐諾斯（Irganox）1010」、巴斯夫（BASF）公司製造） 聚合抑制劑（D2）：酚系聚合抑制劑（製品名「奎諾帕瓦（QuinoPower）QS20」、川崎化成工業（股）製造） 聚合抑制劑（D3）：對苯醌 聚合抑制劑（D4）：啡噻嗪 鹼可溶性樹脂（E1）：下述式（E1）所示的具有附加了記號a～記號c的結構單元的丙烯酸系樹脂（Mw：8000、結構單元a～結構單元c的含有比例：a/b/c=50/30/20（質量%））
[化2]
Figure 02_image003
界面活性劑（F1）：二甘油環氧乙烷（平均加成莫耳數：18）加成物全氟壬烯基醚（製品名「福傑特（Ftergent）FTX-218」、尼歐斯（NEOS）（股）製造）
[表1]
Figure 108134500-A0304-0001
＜抗蝕劑圖案的形成＞ [實施例1B] 利用旋塗法將實施例1A的感光性樹脂組成物塗佈於在6英寸矽晶圓上具備銅濺鍍膜的基板上，利用加熱板於110℃下加熱180秒，形成具有12 μm的膜厚的樹脂塗膜。
使用i射線曝光用步進機（裝置名「NSR-i12D」、尼康（Nikon）（股）製造），介隔具有與2 μm的1L/1S抗蝕劑圖案形成所對應的區域（以下，稱為「BF對應區域」）以及與2 μm的1L/3S抗蝕劑圖案形成所對應的區域（以下，稱為「DF對應區域」）的光罩，對所述樹脂塗膜進行曝光。關於曝光，自20 mJ/cm2 起進行每次增加10 mJ/cm2 的射擊（shot）25擊，直至260 mJ/cm2 為止。
使用2.38質量%氫氧化四甲基銨水作為顯影液，利用覆液法對曝光後的樹脂塗膜進行顯影，並進行流水清洗、乾燥，形成抗蝕劑圖案。
藉由對所述抗蝕劑圖案進行電子顯微鏡觀察，求出於BF對應區域中最佳地形成2 μm的1L/1S抗蝕劑圖案的曝光量即最佳曝光量（EOP）、於BF中可精度佳地形成微細的抗蝕劑圖案的曝光量範圍、及於DF中可精度佳地形成微細的抗蝕劑圖案的曝光量範圍、以及所述BF中的曝光量範圍與所述DF中的曝光量範圍重覆的曝光量範圍（重覆曝光量範圍）。
另外，根據所述重覆曝光量範圍相對於所述EOP的比例來算出BF與DF的共同的EL。 將評價結果示於表2中。將實施例1B的電子顯微鏡的照片示於圖1中。
[表2]
Figure 108134500-A0304-0002
[實施例2B～實施例8B、比較例1B～比較例7B] 於實施例1B中，使用表2中示出的感光性樹脂組成物，除此以外，以與實施例1B同樣的操作形成抗蝕劑圖案，測定BF對應區域及DF對應區域中的曝光量範圍、及重覆曝光量範圍、以及共同的EL。將評價結果示於表2中。 將實施例2B及比較例3B的電子顯微鏡的照片示於圖1中。
＜鍍覆造形物的製造＞ [實施例1C] 對具有實施例1B中所形成的抗蝕劑圖案的基板進行灰化處理。將灰化處理後的基板於1升銅鍍液（製品名「米克隆法博（MICROFAB）Cu300」、EEJA公司製造）中於25℃下浸漬15分鐘，進行電鍍反應。繼而，使用抗蝕劑剝離液（製品名「艾爾派克（ELPAC）THB-S17」、JSR（股）製造）剝離抗蝕劑圖案，製造鍍覆造形物。
圖2是將EOP下的2 μm的1L/1S抗蝕劑圖案作為遮罩的鍍覆造形物的電子顯微鏡的照片。
無
圖1是實施例1B、實施例2B及比較例3B的抗蝕劑圖案的電子顯微鏡的照片。 圖2是將最佳曝光量（optimum exposure，EOP）下的2 μm的1L/1S抗蝕劑圖案作為遮罩的鍍覆造形物的電子顯微鏡的照片。

Claims (8)

  1. 一種感光性樹脂組成物，其特徵在於含有：聚合性化合物（A）、光自由基聚合起始劑（B）、硫醇化合物（C）、以及聚合抑制劑（D），且所述硫醇化合物（C）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為5質量份～50質量份，所述聚合抑制劑（D）的含量相對於所述聚合性化合物（A）100質量份而為1質量份～10質量份。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的感光性樹脂組成物，其中所述硫醇化合物（C）為多官能硫醇化合物（C-1）。
  3. 如申請專利範圍第1項或第2項所述的感光性樹脂組成物，其中相對於所述硫醇化合物（C）100質量份，所述聚合抑制劑（D）的含量為20質量份～80質量份。
  4. 如申請專利範圍第1項至第3項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述聚合抑制劑（D）為酚系聚合抑制劑（D-1）。
  5. 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其中所述光自由基聚合起始劑（B）為肟系光自由基聚合起始劑（B1）。
  6. 如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的感光性樹脂組成物，其更含有鹼可溶性樹脂（E）。
  7. 一種抗蝕劑圖案的形成方法，其特徵在於具有： 步驟（1），將如申請專利範圍第1項至第6項中任一項所述的感光性樹脂組成物塗佈於基板上而形成樹脂塗膜； 步驟（2），對所述樹脂塗膜進行曝光； 步驟（3），對曝光後的樹脂塗膜進行顯影。
  8. 一種鍍覆造形物的製造方法，其特徵在於具有：將藉由如申請專利範圍第7項所述的抗蝕劑圖案的形成方法所形成的抗蝕劑圖案作為遮罩而對所述基板進行鍍覆處理的步驟。
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JP4090307B2 (ja) * 2002-08-22 2008-05-28 富士フイルム株式会社 平版印刷版の作製方法
JP2006267745A (ja) * 2005-03-24 2006-10-05 Fuji Photo Film Co Ltd 画像形成材料
JP4655726B2 (ja) 2005-04-01 2011-03-23 Ｊｓｒ株式会社 ネガ型感放射線性樹脂組成物
JP5537864B2 (ja) * 2009-08-19 2014-07-02 太陽ホールディングス株式会社 光硬化性樹脂組成物
JP5439256B2 (ja) * 2010-03-31 2014-03-12 太陽ホールディングス株式会社 光硬化性熱硬化性樹脂組成物
KR102208741B1 (ko) * 2016-05-27 2021-01-28 후지필름 가부시키가이샤 경화성 조성물, 경화막, 컬러 필터, 차광막, 고체 촬상 소자, 화상 표시 장치, 및 경화막의 제조 방법
KR102197805B1 (ko) * 2016-08-25 2021-01-05 후지필름 가부시키가이샤 막의 제조 방법, 적층체의 제조 방법 및 전자 디바이스의 제조 방법

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