TW202011112A - 用以製造一多層壓印模之方法、多層壓印模、及一多層壓印模之使用 - Google Patents

Abstract

一種用以製造一多層壓印模之方法係說明。此方法包括提供一基板(10)，基板具有一主表面(10A)，主表面提供一第一高度(11)；及產生一第一組特徵(21)於基板(10)中。第一組特徵(21)提供低於第一高度(11)的一第二高度(12)。再者，此方法包括產生一第二組特徵(22)於基板(10)上。第二組特徵(22)提供高於第一高度(11)之一第三高度(13)。

Description

用以製造一多層壓印模之方法、多層壓印模、及一多層壓印模之使用

本揭露之數個實施例是有關於數種製造三維圖案之方法，特別是用以製造主模板(master templates)之製造三維圖案的方法，此主模板舉例為使用於壓印模仁(imprint stamps)之製造的主模板。特別是，本揭露之數個實施例係有關於數種製造數個多層三維圖案之方法來用以提供一多層壓印模(multilevel imprint master)。此多層壓印模可使用於製造舉例為用於壓印微影技術之一壓印模仁。

薄膜之圖案化係數種應用的需要，舉例為製造微電子裝置、光電裝置、或光學裝置的需求。光學微影技術可使用於圖案化裝置中的薄膜。然而，光學微影技術可能為昂貴及/或可能面臨限制，特別是針對具有大尺寸之基板。

特別是針對卷對卷處理來說，利用傳統技術而沒有使用昂貴之微影技術來製造小特徵尺寸係有限制。印刷技術係舉例為受限於特徵尺寸，舉例為> 10 μm，而可能不夠小。印刷技術例如是網版印刷(screen print)、凹版(gravure)、柔版(flexographic)、噴墨(inkjet)等。此外，板對板(sheet-to-sheet)製程可受益於壓印微影製程。壓印微影技術可提供較便宜之製程來圖案化薄膜，以提供裝置中的圖案化結構。

為了在壓印製程中製造出圖案化結構，一般係使用具有將壓印之結構的模仁。針對製造壓印模仁來說，主模板係使用而提供將壓印之結構之負型。舉例來說，為了轉移主模板之結構至壓印模仁，主模板可塗佈有聚合物層。在從主模板分離聚合物層之後，聚合物層之表面包括負型主模板之結構的相反結構。結構化之聚合物層可接著使用來提供壓印模仁之壓印結構。

製造壓印模係有數個技術挑戰。特別是，製造多層模且在多層模中可確保在許多深度之模結構特徵的側壁角(sidewall angle)及深度均勻性係仍具有挑戰性。再者，製造具有三維結構之模係為製造舉例為用於壓印微影技術之高準確性模仁的關鍵。此三維結構之模係具有高深寬比(aspect ratios)及/或大範圍之深度的特徵，而提供高結構準確性。

因此，有鑑於上述，對於用以製造數個壓印模之數個改善的方法係有持續的需求，以提供用於製造數個壓印模仁之數個改善的壓印模。

有鑑於上述，提出根據獨立申請專利範圍之一種用以製造多層壓印模之方法，一種多層壓印模，及用於製造一壓印模仁之多層壓印模的使用。其他方面、優點、及特徵係藉由附屬申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。

根據本揭露之一方面，提出一種用以製造一多層壓印模之方法。此方法包括提供一基板，此基板具有一主表面，此主表面提供一第一高度；及產生一第一組特徵於基板中。此第一組特徵提供低於第一高度的一第二高度。再者，此方法包括產生一第二組特徵於基板上。此第二組特徵提供高於第一高度之一第三高度。

根據本揭露之其他方面，提出一種用以製造一多層壓印模之方法。此方法包括提供一基板；以及塗佈基板而具有一第一光阻材料之一第一層。第一層具有一主表面，主表面提供一第一高度。此外，此方法包括產生一第一組特徵於第一層中。此第一組特徵提供低於第一高度之一第二高度。再者，此方法包括產生一第二組特徵於第一層之主表面上。第二組特徵提供高於第一高度之一第三高度。

根據本揭露之另一方面，提出一種多層壓印模。此多層壓印模係藉由根據此處所述之任何實施例所述之一方法製造。

根據本揭露之其他方面，提出一種根據此處所述之任何實施例所述之一多層壓印模之一使用，用於製造一壓印模仁。

數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備，且包括用以執行各所述之方法方面的設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

詳細的參照將以本揭露之數種實施例來達成，本揭露之數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在下方圖式之說明中，相同的參考編號係意指相同的元件。僅有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供，且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得再其他實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。

範例性參照第1A至1C及4A圖，根據本揭露之用以製造多層壓印模之方法的數個實施例係進行說明。根據可與此處所述任何其他實施例結合之數個實施例，此方法包括提供基板10，基板10具有主表面10A，主表面10A係提供第一高度11，如第1A圖中範例性所示。提供具有提供第一高度11之主表面10A的基板10之程序係藉由第4A圖中之方塊210範例性所表示。第4A圖係繪示根據此處所述之數個實施例之用以製造多層壓印模的方法200之流程圖。

如第1A圖中所範例性繪示，第一高度11對應於主表面10A之高度。特別是，主表面10A係基板10之上表面。一般來說，此處所述之基板係為平面基板，舉例為板材或碟片。再者，此處所述之基板可包括一材料，或由一材料所組成。此材料係選自由半導體、矽、石英或玻璃所組成之群組。

此外，如第1B圖中範例性所示，此方法包括產生第一組特徵21於基板10中。在本揭露中，名稱「產生(creating)」可理解為「製造(fabricating、manufacturing或producing)」。產生第一組特徵21於基板10中的程序係由第4A圖中之方塊220所範例性表示。

第一組特徵21係提供第二高度12，第二高度12低於第一高度11。一般來說，第二高度12係實質上平行於第一高度11。於本揭露中，名稱「實質上平行」可理解為具有某些程度之公差的平行，舉例為自平行之±2°之偏差，特別是±1°之偏差，更特別是±0.5°之偏差。

特別是，如第1B圖中範例性所示，第一組特徵21係從第一高度11延伸至第二高度12。更特別是，第一組特徵21一般具有深度D。深度D可視為第一高度11與第二高度12之距離。特別是，第一組特徵之深度D可為5 µm ≤ D ≤ 20 µm，特別是 7 µm ≤ D ≤ 15 µm，舉例為D = 10 µm ± 2 µm。

舉例來說，第一組特徵21可包括一或多個特徵，選自由凹槽、模穴(cavity)、槽或孔所成之群組。再者，如第1B圖中範例性所示，第一組特徵21一般包括側壁21S及底部牆21B。側壁21S係從基板10之主表面10A延伸至底部牆21B。一般來說，側壁21S係實質上垂直於基板10之主表面10A。在本揭露中，名稱「實質上垂直」可理解為具有某些程度之公差的垂直，舉例為自垂直之±2°之偏差，特別是±1°之偏差，更特別是±0.5°之偏差。底部牆21B一般係實質上平行於基板10之主表面10A。如第1B圖中範例性所示，第一組特徵21之側壁21S的長度一般對應於深度D。如從第1B圖可見，第一組特徵21之底部牆21B一般對應於第二高度12。

因此，將理解的是，產生第一組特徵21於基板10中一般係包括移除基板之材料。

再者，如第1C圖中範例性所示，此方法包括產生第二組特徵22於基板10上。產生第二組特徵22於基板10上的程序係以第4A圖中之方塊230範例性表示。

第二組特徵22提供第三高度13，第三高度13高於第一高度11。一般來說，第三高度13係實質上平行於第一高度11。特別是，第二組特徵22係從第一高度11延伸至第三高度13。更特別是，第二組特徵22一般係具有高度H。高度H可視為從第一高度11與第三高度13之距離。特別是，第二組特徵之高度H可為5 µm ≤ H ≤ 20 µm，特別是7 µm ≤ H ≤ 15 µm，舉例為H = 10 µm ± 2 µm。

舉例來說，第二組特徵22可包括一或多個特徵，選自由突出物、棒、柱、或從基板10之主表面10A延伸至第三高度13之其他幾何形狀所組成的群組。再者，如第1B圖中範例性所示，第一組特徵21一般包括側壁22S及頂牆22T。側壁22S從基板10之主表面10A延伸至頂牆22T。一般來說，側壁22S實質上垂直於基板10之主表面10A。頂牆22T一般係實質上平行於基板10之主表面10A。如第1B圖中所範例性繪示，第二組特徵22之側壁22S之長度一般對應於高度H。如第1B圖可見，第二組特徵22之頂牆22T一般對應於第三高度13。

因此，將理解的是，產生第二組特徵22於基板10上一般包括增加材料於基板上。

因此，相較於傳統的方法，此處所述之用以製造多層壓印模的方法之數個實施例係有所改善。特別是，本揭露之數個實施例有利地提供混合方法，也就是包括材料移除程序及材料增加程序之方法。此處所述之混合製造方法具有優點，多層壓印模之結構可以較高之準確性製造。也就是說，相較於藉由傳統方法所取得之特徵，結合材料移除程序及接續之材料增加程序係有利地提供產生具有較高之解析度、較佳之均勻性及較佳的準確性之壓印模之特徵的可能性。

特別是，此處所述之方法的數個實施例特別是非常適合用於製造具有三個(或多個)高度之壓印模，其中提供於第一高度上之第一組特徵係比在其他高度上之其他組特徵較密集地分佈，在其他高度上之其他組特徵舉例為如此處所述之在第三高度上的第二組特徵。更特別是，藉由使用減成程序(subtractive process)來產生第一組特徵及藉由使用加成製程(additive process)來產生第二組特徵係具有優點，第二組特徵可獨立於第一組特徵之高度及特徵尺寸來產生。減成程序也就是材料移除程序。加成製程也就是材料增加程序。因此，相較於傳統之壓印模製造方法，本揭露之數個方法係有利地提供製造出具有較高特徵密度及增加特徵高度的整體範圍的壓印模之可能性。特別是，本揭露之數個實施例係有利地提供，而特別是在數個深度產生具有改善之特徵側壁角均勻性及深度均勻性的特徵。因此，高品質之多層壓印模可有利地製造。

範例性參照第2A至2F圖，根據本揭露之用以製造多層壓印模之方法的其他範例細節係進行說明。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，產生第一組特徵21係包括提供具有圖案之第一遮罩31於基板10上，如第2A圖中所範例性繪示。特別是，第一遮罩31可提供而直接接觸基板之主表面10A。一般來說，第一遮罩31包括將轉移至基板10中之圖案。也就是說，第一遮罩31一般係作為模板，用以產生第一組特徵21於基板10中。

因此，範例性參照第2B圖，舉例為應用蝕刻製程，產生第一組特徵21可包括轉移第一遮罩之圖案於基板10中。舉例來說，蝕刻製程可為濕蝕刻製程。特別是，藉由使用液態(「濕」)蝕刻劑，濕蝕刻製程可理解為材料移除之製程，舉例為材料之遮蔽圖案。

或者，蝕刻製程可為乾蝕刻製程。特別是，乾蝕刻製程可理解為藉由曝露材料於離子的轟擊之材料移除的製程，舉例為材料之遮蔽圖案。舉例來說，離子之轟擊可藉由反應氣體(舉例為氟碳化合物(fluorocarbons)、氧、氯、或三氯化硼(boron trichloride)，較佳地添加氮、氬、氦及其他氣體)之電漿提供，從曝露之表面逐出(dislodging)材料的數個部份。

一般來說，在已經產生第一組特徵21之後，第一遮罩31係從基板移除，使得基板10的主表面10A係曝露，如第2C圖中所範例性繪示。

如第2D圖中所範例性繪示，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，產生第二組特徵22包括塗佈基板10而具有光阻層40。舉例來說，塗佈基板而具有光阻層可包括利用旋塗製程(spin coating process)。一般來說，光阻層40係提供於基板10之上方。特別是，光阻層40填充提供於基板10中之第一組特徵21，及覆蓋基板10之主表面10A。再者，光阻層40之上表面40A一般提供第三高度13。

再者，如第2E及2F圖中所範例性繪示，產生第二組特徵22一般包括圖案化光阻層40。舉例來說，圖案化光阻層40可包括通過第二遮罩32曝露光阻層於光，如第2E圖中範例性繪示。再者，產生第二組特徵22一般包括應用光阻顯影劑於光阻層40，特別是光阻層40之表面。

舉例來說，光阻劑可為正光阻劑。正光阻劑可理解為一種形式之光阻劑。在此種形式之光阻劑中，曝露於光之光阻劑的部份係變成可溶解於光阻顯影劑。正光阻劑之未曝露部份係仍舊不可溶解於光阻顯影劑。或者，光阻劑可為負光阻劑。負光阻劑可理解為一種形式之光阻劑。在此種形式之光阻劑中，曝露於光之光阻劑的部份係變成不可溶解於光阻顯影劑。負光阻劑之未曝露之部份係仍舊溶解於光阻顯影劑。

因此，將理解的是，在第2E及2F圖中所示之範例實施例中係使用負光阻劑，也就是說，光阻層40包括負光阻劑或由負光阻劑所組成。根據未明確繪示之其他實施例，可使用正光阻劑，也就是光阻層40可包括正光阻劑或由正光阻劑所組成。因此，在正光阻劑係應用的情況中，第二遮罩32可相應地適用。特別是，為了藉由正光阻劑產生如第2F圖中範例性所示之第二組特徵22，第二遮罩32會為第2E圖中所示之遮罩的相反遮罩。

因此，如第2F圖中範例性所示之多層壓印模100可有利地藉由此處所述之方法的數個實施例製造。

範例性參照第3A至3E及4B圖，根據其他實施例之用以製造多層壓印模之方法係進行說明。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此方法包括提供基板10，如第3A圖中所範例性所示。提供基板10之程序係由第4B圖中之方塊310所範例性表示。第4B圖繪示根據此處所述之數個實施例之用以製造多層壓印模的其他之方法300的流程圖。

因此，此方法包括塗佈基板10而具有第一光阻材料之第一層51，如第3B圖中所範例性繪示。塗佈基板10而具有第一光阻材料之第一層51的程序係由第4B圖中之方塊320所範例性表示。

特別是，第一光阻材料之第一層51一般係提供，以直接接觸基板10之主表面10A。舉例來說，塗佈基板10而具有第一光阻材料之第一層51可包括利用旋塗製程。如第3B圖中所範例性繪示，第一光阻材料之第一層一般具有第ㄧ主表面51A，第ㄧ主表面51A係提供第一高度11。一般來說，第一光阻材料之第一層51的第一主表面51A係實質上平行於基板10之主表面10A。第一光阻材料之第一層51之第一主表面51A也就是第一光阻材料之第一層51的上表面。

此外，如第3B及3C圖中所範例性繪示，此方法包括產生第一組特徵21於第一光阻材料之第一層51中。產生第一組特徵21於第一光阻材料之第一層51中的程序係由第4B圖中之方塊330範例性所示。

如第3B圖中所範例性繪示，第一組特徵21係提供第二高度12，第二高度12係低於第一高度11。特別是，於第一光阻材料之第一層51中的第一組特徵21係從第一高度11延伸至第二高度12。一般來說，第二高度12對應於基板10之主表面10A的高度。

更特別是，在第一光阻材料之第一層51中的第一組特徵21一般具有深度D。深度D可視為第一高度11與第二高度12的距離。特別是，第一組特徵之深度D可為5 µm ≤ D ≤ 20 µm，特別是7 µm ≤ D ≤ 15 µm，舉例為D = 10 µm ± 2 µm。

舉例來說，第一光阻材料之第一層51的第一組特徵21可包括一或多個特徵，選自由凹槽、模穴、槽或孔所成之群組 。再者，如第3B圖中所範例性繪示，第一光阻材料之第一層51中的第一組特徵21一般包括側壁21S及底部牆21B。側壁21S從第一光阻材料之第一層51之第一主表面51A延伸至底部牆21B。底部牆21B一般對應於基板10之主表面10A。側壁21S一般係實質上垂直於第一光阻材料之第一層51的第一主表面51A。

第一組特徵21之底部牆21B一般實質上平行於第一光阻材料之第一層51之第一主表面51A。如第3B圖中所範例性繪示，第一組特徵21之側壁21S的長度一般對應於深度D。如第3B圖可見，第一光阻材料之第一層51中的第一組特徵21的底部牆21B一般對應於第二高度12。

因此，將理解的是，產生第一光阻材料之第一層51中的第一組特徵21一般包括移除第一層51之材料。

特別是，範例性參照第3B圖，根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，產生第一光阻材料之第一層51中的第一組特徵21包括提供第一遮罩31於第一光阻材料之第一層51的上方。如第3B圖中所示，第一遮罩31可為第一光罩。

因此，如第3B圖中範例性所示，產生第一組特徵21於第一光阻材料之第一層51中包括圖案化第一層51。特別是，圖案化第一層51可包括經由第一遮罩31曝露第一光阻材料之第一層51於光，如第3B圖中所範例性繪示。舉例來說，如可從第3B及3C圖理解，第一光阻材料可為正光阻劑。因此，產生第一組特徵21於第一光阻材料之第一層51中一般包括供應光阻顯影劑於第一光阻材料，特別是第一層51之第一主表面51A。因此，在使用用於第一層之正光阻劑的情況中，第一層之光曝露部份係可溶解於光阻顯影劑。基於應用光阻顯影劑，第一層之光曝露部份係溶解，也就是洗去(washed away)，及第一層之未曝露部份係維持，如第3C圖中範例性所示。

再者，範例性參照第3D及3E圖，此方法包括產生第二組特徵22於第一光阻材料之第一層51之第一主表面51A上。第二組特徵22提供第三高度13，第三高度13高於第一高度11。產生第二組特徵22於第一層51之第一主表面51A上的程序係以第4B圖中之方塊340所範例性表示。

如第3E圖中所範例性繪示，第三高度13一般係實質上平行於第一高度11。特別是，提供於第一光阻材料之第一層51的第一主表面51A上的第二組特徵22係從第一高度11延伸至第三高度13。更特別是，第二組特徵22一般具有高度H。高度H可視為第一高度11與第三高度13之距離。特別是，第二組特徵之高度H可為5 µm ≤ H ≤ 20 µm，特別是7 µm ≤ H ≤ 15 µm，舉例為H = 10 µm ± 2 µm。

特別是，如第3D圖中所範例性繪示，產生第二組特徵22包括塗佈第一層51而具有第二光阻材料之第二層52。一般來說，第二光阻材料具有相反於第一光阻材料之光敏度(light sensitivity)。因此，在如參照第3A至3E圖說明的範例實施例中，第二光阻材料係為負光阻劑。舉例來說，塗佈第一層51而具有第二光阻材料之第二層52可包括利用旋塗製程。如第3D圖中所範例性所示，第二光阻材料之第二層52一般具有第二主表面52A，第二主表面52A提供第三高度13。第三高度13係高於第一高度11。一般來說，第二光阻材料之第二層52的第二主表面52A係實質上平行於基板10之主表面10A。第二光阻材料之第二層52的第二主表面52A也就是第二光阻材料之第二層52的上表面。

再者，範例性參照第3D及3E圖，產生第二組特徵22一般包括圖案化第二光阻材料之第二層52。特別是，圖案化第二層52可包括通過第二遮罩32曝露第二層52於光，如第3D圖中所範例性繪示。第二遮罩32特別是第二光罩。再者，產生第二組特徵22一般包括供應光阻顯影劑於第二光阻材料，特別是第二層52之第二主表面52A。

因此，在使用用於第二層之負光阻劑的情況中，第一層之光曝露部份變成不可溶於光阻顯影劑。基於應用光阻顯影劑，第二層之未曝露部份係溶解，也就是洗去，及第二層之光曝露部份係維持，如第3E圖中所範例性繪示。

因此，將理解的是，產生第二組特徵22於第一光阻材料之第一層51上係包括增加材料於第一層51之第一主表面51A上。

因此，從第3B至3E圖看來，將理解的是，根據範例實施例，第一光阻材料可為正光阻劑及第二光阻材料可為負光阻劑。或者，第一光阻材料可為負光阻劑及第二光阻材料可為正光阻劑。

因此，如第3E圖中所範例性繪示之多層壓印模100可藉由此處所述之方法的數個實施例製造。

雖然未明確地繪示於圖式中，將理解的是，如此處所述之用以製造多層壓印模之方法的原則係不限於三層壓印模。特別是，藉由重複如此處所述之產生第一組特徵的程序及/或重複如此處所述之產生第二組特徵的程序，可製造出具有多於三層的壓印模。舉例來說，在其他材料移除程序中，可製造出提供第四高度之第四組特徵。因此，在其他材料增加程序中，可製造出提供第五高度之第五組特徵。也就是說，藉由重複此處所述之方法，可提供N層的壓印模，其中N係選自3 ≤ N ≤ 50的範圍。

根據本揭露之其他方面，提出根據此處所述之任何實施例之多層壓印模的使用，用於壓印模仁的製造。特別是，多層壓印模係提供將轉移至壓印模仁之結構的負模板。舉例來說，針對製造壓印模仁來說，多層壓印模一般係塗佈有聚合物材料，特別是可固化聚合物材料，以形成正模板。可固化聚合物可理解為一聚合物，此聚合物可藉由應用熱及/或輻射及/或添加化學物來固化。也就是說，可固化聚合物材料可理解為一聚合物材料，此聚合物材料可藉由交聯(cross-linking)聚合物鍵來韌化(toughened)或硬化(hardened)。交聯聚合物鍵舉例為藉由熱、輻射或化學添加物來引發。

因此，在塗佈多層壓印模而具有可固化聚合物材料之後，固化製程一般係執行，以穩定聚合物材料。在穩定之後，正模板係從多層壓印模分離。正模板可貼附於模仁支撐結構。一般來說，模仁支撐結構係為機械結構，舉例為板材或滾軸，裝配以用於支撐正模板。正模板包括將壓印之壓印結構。

有鑑於此處所述之實施例，將理解的是，相較於最先近之技術，可提出用以製造多層壓印模之方法的改善之實施例及改善之多層壓印模。特別是，本揭露之數個實施例係有利地提供混合方法，也就是包括材料移除程序及材料增加程序。因此，多層壓印模之結構可有利地製造而具有較高準確性。特別是，相較於傳統方法所取得之特徵，如此處所述之混合製造方法有利地提供產生具有較高解析度、較佳均勻性及較佳準確性之壓印模的特徵之可能性。更特別是，特別是在數個深度，可提供具有改善之特徵側壁角均勻性及深度均勻性的特徵之多層壓印模。因此，改善之多層模仁可藉由使用根據此處所述之方法所製造的多層壓印模製造，特別是用於壓印微影技術壓印之改善的多層模仁。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

10:基板 10A:主表面 11:第一高度 12:第二高度 13:第三高度 21:第一組特徵 21B:底部牆 21S、22S:側壁 22:第二組特徵 22T:頂牆 31:第一遮罩 32:第二遮罩 40:光阻層 40A:上表面 51:第一層 51A:第ㄧ主表面 52:第二層 52A:第二主表面 100:多層壓印模 200、300:方法 210-230、310-340:方塊 D:深度 H:高度

為了使本揭露的上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露之更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方： 第1A至1C圖繪示根據此處所述實施例之用以製造多層壓印模之方法的範例方法階段的示意圖； 第2A至2F圖繪示根據此處所述其他實施例之用以製造多層壓印模之方法的範例方法階段的示意圖； 第3A至3E圖繪示根據此處所述再其他實施例之用以製造多層壓印模之方法的範例方法階段的示意圖；以及 第4A及4B圖繪示根據此處所述實施例之用以製造多層壓印模之方法的實施例之流程圖。

10:基板

10A:主表面

11:第一高度

12:第二高度

13:第三高度

21:第一組特徵

22:第二組特徵

22S:側壁

22T:頂牆

D:深度

H:高度

Claims (20)

1. 一種用以製造一多層壓印模之方法，該方法包括： 提供一基板(10)，該基板具有一主表面(10A)，該主表面提供一第一高度(11)； 產生一第一組特徵(21)於該基板(10)中，該第一組特徵(21)提供低於該第一高度(11)的一第二高度(12)，其中產生該第一組特徵(21)於該基板(10)中包括移除該基板之材料；以及 產生一第二組特徵(22)於該基板(10)上，該第二組特徵(22)提供高於該第一高度(11)之一第三高度(13)，其中產生該第二組特徵(22)於該基板(10)上包括增加材料於該基板(10)上。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中產生該第一組特徵(21)更包括提供具有一圖案之一第一遮罩(31)於該基板(10)上，及藉由應用一蝕刻製程轉移該圖案至該基板(10)中。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中產生該第二組特徵(22)更包括塗佈該基板(10)而具有一光阻層(40)，及圖案化該光阻層(40)。
4. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中圖案化該光阻層(40)包括經由一第二遮罩(32)曝露該光阻層於光。
5. 如申請專利範圍第4項所述之方法，更包括供應一光阻顯影劑於該光阻層(40)之一表面。
6. 一種用以製造一多層壓印模之方法，該方法包括： 提供一基板(10)； 塗佈該基板(10)而具有一第一光阻材料之一第一層(51)，該第一層具有一第一主表面(51A)，該第一主表面提供一第一高度(11)； 產生一第一組特徵(21)於一第一光阻材料之該第一層(51)中，該第一組特徵(21)提供低於該第一高度(11)之一第二高度(12)，其中產生該第一組特徵(21)於該第一光阻材料之該第一層(51)中包括移除該第一層(51)之材料；以及 產生一第二組特徵(22)於該第一層之該主表面上，該第二組特徵(22)提供高於該第一高度(11)之一第三高度(13)，其中產生該第二組特徵(22)於該第一光阻材料之該第一層(51)上包括增加材料於該第一層(51)之該第一主表面(51A)上。
7. 如申請專利範圍第6項所述之方法，其中產生該第一組特徵(21)更包括提供一第一遮罩於該第一層之上方，及圖案化該第一層。
8. 如申請專利範圍第7項所述之方法，其中圖案化該第一層包括通過該第一遮罩曝露該第一層於光。
9. 如申請專利範圍第6至8項之任一項所述之方法，其中產生該第二組特徵(22)更包括塗佈該第一層(51)而具有一第二光阻材料之一第二層(52)，及圖案化該第二層，該第二光阻材料具有相反於該第一光阻材料之光敏度。
10. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中圖案化該第二層包括經由一第二遮罩(32)曝露該第二層(52)於光。
11. 如申請專利範圍第10項所述之方法，更包括供應一光阻顯影劑於該第二層之一表面。
12. 如申請專利範圍第6至8項之任一項所述之方法，其中該第一光阻材料係為一正光阻劑。
13. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第一光阻材料係為一正光阻劑。
14. 如申請專利範圍第10項所述之方法，其中該第一光阻材料係為一正光阻劑。
15. 如申請專利範圍第7或8項所述之方法，其中該第二光阻材料係為一負光阻劑。
16. 如申請專利範圍第7或8項所述之方法，其中該第二光阻材料係為一負光阻劑。
17. 如申請專利範圍第9項所述之方法，其中該第二光阻材料係為一負光阻劑。
18. 如申請專利範圍第12項所述之方法，其中該第二光阻材料係為一負光阻劑。
19. 一種藉由如申請專利範圍第1至18項之任一項所述之一方法製造之一多層壓印模(100)。
20. 如申請專利範圍第19項之一多層壓印模之使用，用於製造一壓印模仁。

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