TW202009611A

TW202009611A - 極紫外微影系統

Info

Publication number: TW202009611A
Application number: TW108129155A
Authority: TW
Inventors: 林聖達; 鄭博中; 陳立銳; 簡上傑
Original assignee: 台灣積體電路製造股份有限公司
Priority date: 2018-08-17
Filing date: 2019-08-15
Publication date: 2020-03-01
Also published as: US10871719B2; US20200057389A1; CN110837207A

Abstract

本揭露提供一種液滴捕捉器，該液滴捕捉器包括管主體及沿著該管主體之長度方向佈置之擋板。

Description

極紫外微影系統

本揭露係有關於一種極紫外微影系統。

隨著元件尺寸縮小，有必要產生更精細的圖案。極紫外(Extreme ultraviolet；EUV)光微影可形成比紫外光微影更精細的圖案。極紫外光微影依賴於用以發射極紫外光線之電漿形成。在極紫外光微影中，雷射束撞擊第一靶材(亦即，金屬液滴流)以形成發射極紫外光線之電漿，該極紫外光線進而經反射出收集器反射鏡且導向第二靶材-感光塗層塗佈之基板。因為產生自電漿之極紫外光線在所有方向上行進，所以若在與朝向目標基板之路徑相反的方向上行進的極紫外光線未經收集且重新導向預期目標，則該等極紫外光線將被浪費。因此需要收集器反射鏡收集極紫外光線並且將其重新導向目標基板，並且將經收集之光線聚焦至中間焦點(intermediate focus；IF)，用於將圖案化之遮罩或主光罩反射出至目標基板。金屬液滴係藉由產生器產生。在由用於電漿形成之雷射撞擊之後，或在被雷射漏失之後，金屬液滴若未經收集用於再循環，則金屬液滴將被浪費。金屬捕捉器經安裝以收集金屬液滴。由金屬捕捉器之開放容器收集之金屬液滴將得以蒸發，或在與金屬液滴進入金屬捕捉器之方向相反之方向上向後飛濺。如此，極紫外系統之腔室將會被金屬液滴污染，並且若金屬液滴之回濺發生，則將不易於控制電漿形成。因此，存在對可在電漿形成之後有效地收集金屬液滴之金屬捕捉器之需要。

本揭露之一實施方式提供一種極紫外微影系統，其包含極紫外源、遮罩平台、晶圓平台以及光學系統。極紫外源用於產生極紫外輻射，其中極紫外源包括雷射及靶材液滴產生器。遮罩平台經配置以固定極紫外遮罩。晶圓平台經配置以固定半導體晶圓。光學系統經設計以從極紫外源引導極紫外輻射以將界定於極紫外遮罩上之圖案成像至半導體晶圓。極紫外源進一步包括金屬液滴捕捉器，以接收從靶材液滴產生器產生之金屬液滴。金屬液滴捕捉器包括沿著金屬液滴捕捉器的長度方向佈置之擋板。

10‧‧‧射出系統

11、14‧‧‧容器

12‧‧‧外殼

13、15、19‧‧‧錫

16‧‧‧閥門

17‧‧‧氣缸

18‧‧‧注入系統

20、200‧‧‧液滴

21‧‧‧極紫外光線

22‧‧‧碎片

23‧‧‧碎片液滴

30‧‧‧雷射產生系統

31‧‧‧雷射束

35‧‧‧聚焦透鏡

40‧‧‧反射鏡

50‧‧‧孔

60‧‧‧電漿

70、80‧‧‧極紫外光線

90、110‧‧‧區域

100‧‧‧液滴捕捉器

102‧‧‧通氣孔

120‧‧‧遮罩或主光罩

120’‧‧‧遮罩

125‧‧‧遮罩平台

130‧‧‧目標基板

130’‧‧‧目標基板

135‧‧‧基板平台

140‧‧‧擋板系統

145、145’、146、147、147’、148、149、149’、150、151、151’、152、153、153’、154、155、155’‧‧‧下擋板

300‧‧‧管

400‧‧‧加熱器

L1‧‧‧長度

L2‧‧‧深度

L3‧‧‧直徑

L4、L8、L8’、L8”、L8'''、L8''''、L8'''''、L9、L9’、L9”、L9'''、L9''''‧‧‧長度

L5‧‧‧距離

L6‧‧‧內徑

L7‧‧‧外徑

TW‧‧‧壁

本揭露內容當與附圖一起閱讀時將從以下實施方式中最佳地理解。強調地是，根據行業中的標準實踐，各個特徵並未按比例繪製並且係僅用於說明目的。實際上，為了論述清晰起見，各個特徵之尺寸可以任意地增加或減小。

第1(a)圖繪示根據本揭露之實施例的透射性極紫外微影系統之示意頂部橫截面圖，該透射性極紫外微影系統具有極紫外光源、金屬液滴產生器，及金屬液滴捕捉器。

第1(b)圖繪示根據本揭露之另一實施例的反射性極紫外微影系統之示意頂部橫截面圖，該反射性極紫外微影系統具有極紫外光源、金屬液滴產生器，及金屬液滴捕捉器。

第2圖繪示根據本揭露之實施例的金屬液滴產生器之示意圖。

第3圖繪示根據本揭露之實施例的在金屬液滴產生器與金屬液滴捕捉器之間的區域中之電漿形成的示意圖。

第4(a)圖繪示根據本揭露之實施例的金屬液滴捕捉器之橫截面圖。

第4(b)圖繪示根據本揭露之另一實施例的金屬液滴捕捉器之橫截面圖。

第5(a)圖繪示根據本揭露之另一實施例的擋板系統之橫截面圖。

第5(b)圖繪示第5(a)圖之擋板系統之正視圖。

第6(a)圖繪示根據本揭露之實施例的擋板系統之橫截面圖。

第6(b)圖繪示第6(a)圖之擋板系統之正視圖。

第7(a)圖繪示根據本揭露之另一實施例的擋板系統之橫截面圖。

第7(b)圖繪示第7(a)圖之擋板系統之正視圖。

第8(a)圖繪示根據本揭露之另一實施例的擋板系統之橫截面圖。

第8(b)圖繪示第8(a)圖之擋板系統之正視圖。

第9(a)圖繪示根據本揭露之另一實施例的擋板系統之橫截面圖。

第9(b)圖繪示第9(a)圖之擋板系統之正視圖。

第10(a)圖繪示根據本揭露之另一實施例的擋板系統之橫截面圖。

第10(b)圖繪示第10(a)圖之擋板系統之正視圖。

第11(a)圖繪示根據本揭露之另一實施例的擋板系統之橫截面圖。

第11(b)圖繪示第11(a)圖之擋板系統之正視圖。

應理解，以下揭示內容提供了用於實施本揭露之不同特徵的許多不同實施例，或實例。下文描述了元件和佈置之特定實施例或實例以簡化本揭露。當然，該等實例僅為實例且並不意欲作為限制。例如，元件之尺寸不限於所揭示之範圍或值，但是可取決於裝置之製程條件及/或所要性質。此外，在以下描述中之第一特徵在第二特徵之上或上方之形式可包括其中第一特徵與第二特徵直接接觸形成之實施例，且亦可包括其中可介於第一特徵與第二特徵之間形成額外特徵，以使得第一特徵與第二特徵可不直接接觸之實施例。為了簡化及清晰起見，各種特徵可以不同比例任意繪製。

此外，諸如「在……下方」、「在……之下」、「下部」、「在……之上」、「上部」等等空間相對術語可在本文中為了便於描述之目的而使用，以描述如附圖中所示之一個元件或特徵與另一元件或特徵之關係。空間相對術語意欲涵蓋除了附圖中所示之定向之外的在使用或操作中之裝置的不同定向。裝置可經其他方式定向(旋轉90度或以其他定向)並且本文所使用之空間相對描述詞可同樣相應地解釋。此外，術語「由……製成」可意謂「包含」或「由……組成」中之任一者。在本揭露中，用語「A、B及C中之一者」意謂「A、B及/或C」(A、B、C、A及B、A及C、B及C，或A及B及C)，且不意謂來自A的一個元素，來自B的一個元素及來自C的一個元素，除非另有說明。

隨著對於減小晶片元件之尺寸的莫耳定律及對諸如具有電腦功能之智慧型電話的行動電子裝置之更高計算功率晶片的需求之增加的趨勢，對用以達成晶片圖案之尺寸縮小要求的光源之搜尋已產生極紫外(extreme ultraviolet；EUV)光微影技術，該技術使用極紫外輻射源以發射具有13.5nm之波長的極紫外光。因為該波長與X射線輻射波長區域相鄰，所以極紫外輻射源亦稱為軟性X射線輻射源。自歸因於脈衝雷射金屬交互作用之電漿形成產生的極紫外光具有約100ns之脈衝持續時間，並且每脈衝之極紫外能通量可於中間焦點處在自100W至1kW之範圍中。

極紫外光線可自諸如雷射產生之電漿源、放電電漿源，或同步加速器輻射之來源產生。在本揭露之實施例中，提供雷射產生之電漿源。雷射產生之電漿係藉由雷射與液體金屬之間的交互作用形成。在本揭露之一些實施例中，金屬包括錫(Sn)及鋰(Li)。

第1(a)圖繪示在理想操作情況下的具有極紫外光源之極紫外微影系統之示意橫截面圖。極紫外光微影系統包括雷射產生系統30、雷射聚焦透鏡35、極紫外收集器反射鏡40、靶材遞送系統或錫液滴射出系統10、用於未反應錫液滴20之排出或金屬液滴捕捉器100、葉片狀區域90、錐形區域110、由遮罩平台125保持之圖案化遮罩或主光罩120，及由基板平台135保持之目標基板130。在本揭露之一些實施例中，極紫外收集器反射鏡40係由多層反射鏡組成，該多層反射鏡包括Mo/Si、La/B、La/B₄C、Ru/B₄C、Mo/B₄C、Al₂O₃/B₄C、W/C、Cr/C，及Cr/Sc，具有包括SiO₂、Ru、TiO₂及ZrO₂之覆蓋層。取決於極紫外微影系統之腔室大小，極紫外光收集器反射鏡40之直徑可為約330mm至約750mm，等。在本揭露之一些實施例中，收集器反射鏡40之橫截面形狀為橢圓形或拋物線形。

靶材遞送系統或錫液滴射出系統10朝向金屬液滴捕捉器100射出錫液滴20，形成錫液滴20之靶材流。在極紫外微影系統之理想操作情況下，從雷射束30發射高功率及高脈衝重複率雷射束，該雷射源諸如氣體放電雷射或固態雷射。發射之雷射束經聚焦通過聚焦透鏡35而形成經聚焦之雷射束31，該雷射束通過形成於極紫外收集器反射鏡40中之孔50。聚焦之雷射束31經聚焦在引燃位置以經由雷射束31與發射自射出系統10之金屬液滴20之間的相互作用形成電漿60。極紫外光線70形成且自電漿60在所有方向上發射。引導向極紫外收集器反射鏡40之經發射之極紫外光線70係作用極紫外光線80反射並且通過區域90(葉片狀區域)及區域110(錐形區域) 至另一焦點(稱為‘中間焦點’)，經圖案化透射性遮罩或主光罩120位於在該焦點處。包括具有開口之圖案的透射性遮罩或主光罩120經定位用於使反射的雷射束通過開口並且到達由基板平台135保持之目標基板130上的感光塗層，促進用於形成半導體基板上的電子裝置元件或電路的半導體基板的透射性極紫外光微影處理。在工業中，反射性極紫外光微影(第1(b)圖)更為普遍。在反射性極紫外光微影(第1(b)圖)中，具有反射性圖案之反射性圖案化遮罩120’或主光罩(由遮罩平台125保持)位於第二焦點或中間焦點處，以朝向由基板平台135保持之目標基板130’按逐圖案方式將極紫外光線80反射離開反射性遮罩120’或反射通過一系列光學元件(未示出)以到達由基板平台135保持之目標基板130’。在第1(a)圖及第1(b)圖中所示之透射性及反射性實施例中，諸如錫液滴之金屬液滴20係藉由錫捕捉器或排放或金屬液滴捕捉器100收集。

第2圖繪示用以形成用於發射極紫外射線之雷射產生之電漿源的雷射與液滴之間的交互作用的液體金屬液滴之裝置或靶材遞送系統。如第2圖中所示，裝置包括包含固體錫13之容器11。在本揭露之一些實施例中，容器11係由不與錫13反應之適當導熱材料製成。在本揭露之一些實施例中，容器11經封閉於外殼12中，用於在內部保持具有特定氣體壓力之所需大氣。在本揭露之其他實施例中，外殼12在容器11內部保持所要位準之真空。此外，外殼12包括加熱器(未示出)以向錫13提供用於相變至液相之熱能。在本揭露之一些實施例中，加熱器可為任何加熱器，諸如電阻線圈加熱器、氣體加熱器、輻射加熱器，或磁性加熱器。相轉變(液體)錫15通過輸送管至收集液體錫15之容器14。在靶材遞送系統中包括閥門以控制自輸送管輸送以進入注入系統18之液體錫15的量。在本揭露之一些實施例中，閥門16可為具有高精度控制之任何閥門，諸如電磁閥、機械閥，或甚至手動閥。在本揭露之一些實施例中，閥門16經連接至控制器(未示出)以在極紫外線產生製程期間控制閥門16。注入系統18係經由氣體管與氣缸17連接。在本揭露之一些實施例中，氣缸17儲存諸如He或氮氣N2之惰性氣體。在本揭露之一些實施例中，進入注入系統18之氣體經加壓以發射液體錫19，以形成液滴形狀之經發射錫液滴20，用於藉由雷射金屬交互作用形成電漿60(第3圖)。在一些實施例中，錫液滴20亦包括在液滴內部之固體顆粒。在本揭露之一些實施例中，錫液滴20之發射頻率係藉由控制注入系統18之控制器或藉由另一控制器控制，以便與由脈衝雷射源產生之雷射脈衝同步。在本揭露之一些實施例中，發射之錫液滴20之速度為約2ms-1。

第3圖繪示一示意圖，該示意圖展示經由高功率及高脈衝重複率雷射束與金屬液滴之間的雷射金屬交互作用的電漿形成製程。在第3圖中，來自射出系統10之經發射錫液滴20傳遞至其中該錫液滴與雷射交互作用以形成電漿之所需位點(亦稱為‘引燃位置’、‘起始位置’、或‘火球位置’)。引燃位置係在高功率及高脈衝重複率脈衝雷射束31之焦點處。雷射束31可由以下雷射器產生：氣體雷射器，包括準分子放電雷射器、CO₂雷射器、氦氖雷射器、氮氣雷射器、橫向激發大氣 (transversely excited atmospheric；TEA)雷射器、氬離子雷射器、銅蒸汽雷射器、KrF雷射器或ArF雷射器；或固態雷射器，包括Nd：YAG雷射器、Nd：玻璃雷射器、鐿摻雜玻璃或陶瓷雷射器，或紅寶石雷射器。雷射束31於極紫外微影系統之腔室空間中之引燃位置處與經發射的錫液滴20交互作用，以形成在所有方向上發射極紫外光線21之電漿60。在此雷射金屬交互作用中，錫液滴20可能會漏失或者未與雷射束31充分地交互作用，從而傳遞至在第3圖中之引燃位置之下的位置，形成錫碎片液滴23。此外，自電漿形成製程殘留之一些錫可能由發射之光子推動並且成為碎片22。碎片液滴23及碎片22可積聚在極紫外收集器反射鏡40(第1(a)圖及第1(b)圖)之表面上，從而劣化極紫外收集器反射鏡40之反射性品質。碎片及液滴污染之收集器反射鏡需要更加頻繁地清潔及/或更換，從而增加了更換昂貴的極紫外收集器反射鏡40之製造成本，且更重要地是，增加了製造時間及用於更換之成本。更換極紫外收集器反射鏡可能需要長達一周時間。因此，存在清潔由碎片液滴23及碎片22污染之極紫外收集器之改良的方法之需要。根據本揭露之一些實施例，金屬液滴捕捉器100可收集碎片液滴23。進入金屬液滴捕捉器100之金屬液滴20具有例如2ms-1之高速，並且將引起儲存於金屬液滴捕捉器100中之熔融金屬液滴200(第4(a)圖)之飛濺問題。飛濺之熔融金屬液滴200將跳出金屬液滴捕捉器100並且撞擊且污染極紫外腔室或其他重要元件(諸如收集器反射鏡40)以反射極紫外光，產生用於極紫外光微影之低品質極紫外光或者停止整個極紫外製程。因此，需要可防止熔融金屬液滴200之飛濺問題的金屬液滴捕捉器。

第4(a)圖繪示根據本揭露之實施例的具有用於捕捉金屬液滴20或未撞擊金屬碎片液滴23，並且儲存為熔融金屬液滴200的封閉底端的金屬液滴捕捉器100之橫截面圖。在第4(a)圖中，根據本揭露之實施例，金屬液滴捕捉器100包括定位在金屬液滴捕捉器100之開口處的擋板系統140，該擋板系統面向且捕捉金屬液滴20之入射流。根據本揭露之一些實施例，擋板系統140覆蓋金屬液滴捕捉器100之內壁。此外，在一些實施例中，擋板系統140覆蓋金屬液滴捕捉器100之開口的前表面之部分區域。由擋板系統140對金屬液滴捕捉器100之覆蓋取決於飛濺之金屬液滴200之阻抗的所要效率，及在具有金屬液滴捕捉器100之極紫外微影系統之腔室內部的儀器條件。

金屬液滴捕捉器100在一些實施例中具有管狀。金屬液滴捕捉器100具有長度L1的前管頂部長度之尺寸及用於收集且儲存金屬液滴200之端部。端部具有頂部深度L2。直徑L3為包括擋板系統140之金屬液滴捕捉器100之前管部分的尺寸。在本揭露之一些實施例中，L1、L2與L3之間的關係可分別為2x、0.75x及0.25x，其中x為取決於極紫外腔室之尺寸的數目。L1、L2與L3之間的關係可經設計以促進來自經收集之金屬液滴200的飛濺金屬的阻抗之所要效率。第4(a)圖繪示在進入金屬液滴捕捉器100之前首先面向擋板系統140之入射金屬液滴20。第4(a)圖繪示通過擋板系統140之擋板的每一者之間的空間的金屬液滴20。隨後，金屬液滴20進入金屬液滴捕捉器100之後部，且成為儲存於金屬液滴捕捉器100中之熔融金屬液滴200。第4(a)圖繪示金屬液滴捕捉器100不具有開放底端，且收集的金屬液滴200將藉由從極紫外微影系統移除金屬液滴捕捉器100而從極紫外微影系統取走。根據本揭露的一些實施例，第4(a)圖中之金屬液滴捕捉器100的封閉端設計具有以下優點：歸因於元件部件增加的污染可得以降低，且在極紫外微影系統之腔室中產生的極紫外光之品質對於圖案化半導體基板相對較高。在此通過期間，擋板系統140之擋板可施加一效應以阻礙飛濺之金屬自金屬液滴捕捉器100之封閉底部之流動，並且同時允許金屬液滴20流動至金屬液滴捕捉器100中。

此外，在第4(a)圖中，金屬液滴捕捉器100具有包括兩個部分之彎曲形狀，亦即，用於包括擋板系統140之開口部分及用於收集金屬液滴20之後部。根據本揭露之一些實施例，彎曲形狀進一步阻礙飛濺金屬液滴200之向外流動。在其他實施例中，具有L1及L2之部分可為無彎曲之筆直連續物體(未示出)。在其他實施例中，包括具有L1及L2之部分的金屬液滴捕捉器100可具有用於阻礙經收集金屬液滴200之向外流動的扭轉結構。在一些實施例中，於液滴捕捉器100提供通氣孔102以促進液滴收集。在一些實施例中，泵送系統經耦接至通氣孔102以使氣體流動至液滴捕捉器100之外。

第4(b)圖繪示根據本揭露之一實施例的具有開放底端之金屬液滴捕捉器100之橫截面視圖，該開放底端允許經收集之金屬液滴200流經管300至極紫外微影系統之其他部件，例如流至用於金屬液滴之再循環使用的容器11，而無需打開極紫外微影系統之腔室。在第4(b)圖中，根據本揭露之一些實施例，金屬液滴捕捉器100包括定位在金屬液滴捕捉器100之開口處的擋板系統140，該擋板系統面向且捕捉金屬液滴20之入射流。根據本揭露之一些實施例，擋板系統140覆蓋金屬液滴捕捉器100之內壁。此外，在一些實施例中，擋板系統140覆蓋金屬液滴捕捉器100之開口的前表面之部分區域。由擋板系統140對金屬液滴捕捉器100之覆蓋取決於飛濺之金屬液滴200之阻抗的所要效率，及在具有金屬液滴捕捉器100之極紫外微影系統之腔室內部的儀器條件。

金屬液滴捕捉器100具有L1的前管頂部長度之尺寸及用於收集且包含金屬液滴200且具有L2的頂部長度的部分。直徑L3為包括擋板系統140之金屬液滴捕捉器之前管部分的尺寸。在本揭露之一些實施例中，L1、L2與L3之間的關係可分別為2x、0.75x及0.25x，其中x為取決於極紫外腔室之尺寸的數目。L1、L2與L3之間的關係可經設計以促進飛濺金屬液滴200的阻抗之所要效率。第4(b)圖繪示在進入金屬液滴捕捉器100之前首先面向擋板系統140之入射金屬液滴20。第4(b)圖繪示通過擋板系統140之擋板的每一者之間的空間的金屬液滴20。隨後，金屬液滴20進入金屬液滴收集容器並且成為經收集的金屬液滴200。第4(b)圖繪示金屬液滴捕捉器100具有開放底端，且收集的金屬液滴200將經由管300從極紫外微影系統取走，而無需打開極紫外微影系統之腔室。根據本揭露的一些實施例，第4(b)圖中之金屬液滴捕捉器100之開放端設計具有以下優點：花費在從極紫外微影系統移除金屬液滴捕捉器100上的時間可得以減少或消除，並且極紫外微影系統之生產效率可增加。此外，根據本揭露之一些實施例，因為經收集之金屬液滴200並非恆定地包含於金屬液滴捕捉器100中，所以經收集之金屬液滴200的飛濺機會得以降低並且擋板系統140可經設計以增強金屬液滴20之入射流。在此通過期間，擋板系統140之擋板可施加一效應以阻礙飛濺之金屬液滴200自金屬液滴捕捉器100之開放底部之流動，並且同時促進金屬液滴20流動至金屬液滴捕捉器100中。

此外，在第4(b)圖中，金屬液滴捕捉器100具有包括兩個部分之彎曲形狀，亦即，用於包括擋板系統140之開口部分及用於在將金屬液滴200導入管300之前臨時收集金屬液滴300之後部。根據本揭露之一些實施例，此彎曲形狀進一步阻礙飛濺金屬液滴200之向外流動。在其他實施例中，具有L1及L2之部分可為無彎曲之筆直連續物體(未示出)。在其他實施例中，包括具有L1及L2之部分的金屬液滴捕捉器100可具有用於阻礙經收集金屬液滴200之向外流動的扭轉結構。

第5(a)圖繪示具有下擋板145、147、149、151及153與上擋板146、148、150、152及154之擋板系統140。擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153及154係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。擋板系統140具有管長度L4及在最長上擋板154與最長下擋板153之尖端之間的距離L5。在一些實施例中，L4及L5分別為x及0.125x，其中x為正數且與上述x相同。在本揭露之一些實施例中，擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153及154中之每一者朝向金屬液滴捕捉器100(未示出)之更深區域以傾斜方向延伸，從而與擋板系統140之管壁TW之延伸方向形成銳角θ(在5度至85度之範圍中)。擋板145、147、149、151及153分別具有長度L8、L8’、L8”、L8'''及L8''''；且擋板146、148、150、152及154分別具有長度L9、L9’、L9”、L9'''，及L9''''。在第5(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，上擋板146、148、150、152及154具有逐漸增加之長度，其中擋板154為最長之擋板，亦即L9<L9’<L9”<L9'''<L9''''。此外，在第5(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下擋板145、147、149、151及153具有逐漸增加之長度，其中擋板153為最長之擋板，亦即L8<L8’<L8”<L8'''<L8''''。以此方式，面向且捕捉液滴20之第一擋板145具有最小長度且不施加最大面積來阻礙液滴20之流動。此外，最大擋板154及153為最接近金屬液滴捕捉器100之較深區域的擋板，提供了用於阻礙經收集之液滴200的飛濺或逆流之有效方式。在一些實施例中，下擋板之數目可為5個，亦即擋板145、147、149、151及153；且下擋板之數目可為任何數目，只要下擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第5(a)圖之配置。在一些實施例中，上擋板之數目可為5個，亦即擋板146、148、150、152及154；且上擋板之數目可為任何數目，只要上擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第5(a)圖之配置。在一些實施例中，下擋板之數目不同於上擋板之數目。在一些實施例中，下擋板之數目大於上擋板之數目。

第5(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第5(b)圖繪示擋板系統140之管的外徑L7及在擋板系統140之管與擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153及154之間的接觸表面之圓形的內徑L6。在一些實施例中，L6及L7分別為0.25x及0.5x，並且x為正數。第5(a)圖繪示如自擋板系統140之正視圖中所見的最大下擋板153之尖端及最大上擋板154之尖端，然而，該等尖端並非首次捕捉入射液滴20之尖端並且將不會施加強阻抗至液滴20之入射流。在第5(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板(例如154及153)繪示具有從左端至右端之相同厚度的形狀。在其他實施例中，在擋板系統140之正視圖中，擋板可具有新月形形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小厚度，且在中間區域具有最大厚度。在其他實施例中，在擋板系統140之正視圖中，擋板可具有半圓形形狀，而不會完全阻擋液滴20之進入。在第5(a)圖及第5(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之擋板表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之擋板表面具有某些粗糙度以便捕捉金屬液滴200之逆流。在一些實施例中，平滑的表面具有小於10μm之粗糙度Ra；並且在其他實施例中，平滑的表面具有小於1μm的粗糙度Ra。

第6(b)圖繪示不具有上擋板且僅具有下擋板145、147、149、151及153之擋板系統140。擋板145、147、 149、151及153係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。擋板系統140具有與第5(a)圖中之管長度相同的管長度L4，並且L5的對應距離目前係在最長下擋板153之尖端與上管內壁TW之間界定。在本揭露之一些實施例中，擋板145、147、149、151及153中之每一者朝向金屬液滴捕捉器100(未示出)之更深區域以傾斜方向延伸，從而與擋板系統140之管壁TW之延伸方向形成與第5(a)圖圖中的角度相同的角度θ(在5度至85度之範圍中)。擋板145、147、149、151及153分別具有長度L8、L8’、L8”、L8'''及L8''''。在第6(a)圖中，上內管壁TW可經平滑化以允許液滴20流動至管及金屬液滴捕捉器100之更深區域中，以便成為經收集的液滴200。在第5(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下擋板145、147、149、151及153具有逐漸增加之長度，例如增加達10%至30%，其中擋板153為最長之擋板，亦即L8<L8’<L8”<L8'''<L8''''。以此方式，面向且捕捉液滴20之第一擋板145具有最小長度且不施加最大面積來阻礙液滴20之流動。此外，最大擋板153為最接近金屬液滴捕捉器100之較深區域的一擋板，提供了對於首次遇到液滴200用於阻礙經收集之液滴200的飛濺或逆流之有效方式。在一些實施例中，下擋板之數目可為5個，亦即擋板145、147、149、151及153；且擋板之數目可為任何數目，只要擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第6(a)圖之配置。

第6(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第6(b)圖繪示擋板系統140之管的對應外徑L7及在擋板系統140之管與擋板145、147、149、151及153之間的接觸表面之圓形的內徑L6。在一些實施例中，L6及L7分別為0.25x及0.5x，並且x為正數。第6(a)圖繪示如自擋板系統140之正視圖中所見的最大下擋板153之尖端，然而，該等尖端並非首次捕捉入射液滴20之尖端並且將不會施加強阻抗至液滴20之入射流。在第6(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板(例如153)繪示具有從左端至右端之相同厚度的形狀。在其他實施例中，在擋板系統140之正視圖中，擋板可具有新月形形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小厚度，且在中間區域具有最大厚度。在其他實施例中，在擋板系統140之正視圖中，擋板可具有半圓形形狀，而不會完全阻擋液滴20之進入。在第6(a)圖及第6(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之擋板表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之擋板表面具有含有增加的表面積之某些粗糙度以便捕捉金屬液滴200之逆流。

第7(a)圖繪示具有擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153、154及155之擋板系統140。擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153、154及155係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。在一些實施例中，所有擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153、154及155具有相同長度。在氣體其他實施例中，較接近入口定位的擋板具有較小長度。擋板系統140具有與第5(a)圖中之管長度相同的管長度L4，及在最長上擋板154與最長下擋板153之尖端之間的距離L5。在一些實施例中，L4及L5分別為x及0.125x，其中x為正數且與上述x相同。在本揭露之一些實施例中，擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153及154中之每一者朝向金屬液滴捕捉器100(未示出)之更深區域以傾斜方向延伸，從而與擋板系統140之管壁TW之延伸方向形成角度θ(在5度至85度之範圍中)。擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153及154分別具有長度L8、L9、L8’、L9’、L8”、L9”、L8'''、L9'''、L8''''及L9''''。在第7(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，上擋板146、148、150、152及154具有相同長度，而無為最長之擋板之擋板，亦即L9=L9’=L9”=L9'''=L9''''。在其他實施例中，L9

L9’

L9”

L9'''

L9''''；且在某些實施例中，L9<L9’<L9”<L9'''<L9''''。此外，在第7(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下擋板145、147、149、151及153具有相同長度，而無為最長之擋板之擋板，亦即L8=L8’=L8”=L8'''=L8''''。在其他實施例中，L8

L8’

L8”

L8'''

L8''''；且在某些實施例中，L8<L8’<L8”<L8'''<L8''''。以此方式，捕捉液滴20之第一擋板145不是最大擋板且不施加最大面積來阻礙液滴20之流動。在此系統中，沒有擋板為最大擋板並且如此有效地允許液滴20之入射流動。在一些實施例中，下擋板之數目可為5個，亦即擋板145、147、149、151及153；且下擋板之數目可為任何數目，只要擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第7(a)圖之配置。在一些實施例中，上擋板之數目可為5個，亦即擋板146、148、150、152及154；且上擋板之數目可為任何數目，只要上擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺且允許液滴20之有效入射流，並且不限於第7(a)圖之配置。在一些實施例中，下擋板之數目不同於上擋板之數目。在一些實施例中，下擋板之數目大於上擋板之數目。

第7(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第7(b)圖繪示擋板系統140之管的外徑L7及在擋板系統140之管與擋板145、146、147、148、149、150、151、152、153及154之間的接觸表面之圓形的內徑L6。在一些實施例中，L6及L7分別為0.25x及0.5x，並且x為正數。第7(b)圖繪示如自擋板系統140之正視圖可見的第一下擋板145之尖端及第一上擋板146之尖端，然而，該等尖端並非面向且捕捉入射液滴20之最大尖端並且將不會施加強阻抗至液滴20之入射流。在第7(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板(例如145及146)繪示具有從左端至右端之相同厚度的形狀。在其他實施例中，在擋板系統140之正視圖中，擋板可具有新月形形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小厚度，且在中間區域具有最大厚度。在其他實施例中，在擋板系統140之正視圖中，擋板可具有半圓形形狀，而不會完全阻擋液滴20之進入。在第7(a)圖及第7(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之擋板表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之擋板表面具有某些粗糙度以便提供捕捉金屬液滴200之逆流的增加的表面積。

第8(a)圖、第8(b)圖、第9(a)圖、第9(b)圖、第10(a)圖、第10(b)圖、第11(a)圖及第11(b)圖繪示具有擋板145’之擋板系統，該擋板145’具有凹槽形狀而不是類似於第5(a)圖、第5(b)圖、第6(a)圖、第6(b)圖、第7(a)圖及第7(b)圖中之凸起形狀。此外，在第8(a)圖、第8(b)圖、第9(a)圖、第9(b)圖、第10(a)圖、第10(b)圖、第11(a)圖及第11(b)圖中，凹槽形擋板(例如，擋板145’、147’等)係形成於擋板系統140之下部，而擋板系統之上部內表面不具有凹槽形擋板或凸起形擋板。

第8(a)圖繪示不具有上擋板且僅具有下凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之擋板系統140。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。擋板系統140具有與第5(a)圖中之管長度相同的管長度L4，並且L5的對應距離目前係在凹槽形擋板155’之深度的底部與上管內壁TW之間界定。第8(a)圖之擋板系統140為具有凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之系統，該等凹槽形擋板具有相同深度。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’中之每一者以傾斜方向延伸，從而與擋板系統140之管壁TW之延伸方向形成與第5(a)圖中的角度相同的角度θ(在5度至85度之範圍中)。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’分別具有深度L8、L8’、L8”、L8'''、L8''''及L8'''''。在第8(a)圖中，上內管壁TW可經平滑化以允許液滴20流動至管及金屬液滴捕捉器100之更深區域中，以便成為經收集的液滴200。在第8(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’具有相同深度，而無為最深之擋板之凹槽形擋板，亦即L8=L8’=L8”=L8'''=L8''''=L8'''''=d。在一些實施例中，下凹槽形擋板之數目可為6個，亦即擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’；且擋板之數目可為任何數目，只要凹槽形擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第8(a)圖之配置。

第8(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第8(b)圖繪示從正視圖中不可見凹槽形擋板，並且凹槽形擋板之效應產生用以促進飛濺的經收集液滴200的逆流之黏附的粗糙度。高能液滴200將衝擊或接觸凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’並且凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之內部結構及表面阻礙經收集液滴200之逆流流動，而不阻礙液滴20至金屬液滴捕捉器100中之入射流動。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’可在正視圖中具有從左端至右端的相同深度的形狀(未示出)。在其他實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’可具有新月形凹槽形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小深度，且在中間區域具有最大深度。在第8(a)圖及第8(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之凹槽形擋板145’、 147’、149’、151’、153’及155’之內表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之表面具有含有增加的表面積之某些粗糙度以便捕捉金屬液滴200之逆流。

第9(b)圖繪示不具有上擋板且僅具有下擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之擋板系統140。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。擋板系統140具有與第5(a)圖中之管長度相同的管長度L4，並且L5的對應距離目前係在凹槽形擋板155’之深度的底部與上管內壁TW之間界定。第9(a)圖之擋板系統140為具有凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之系統，該等凹槽形擋板具有不同深度。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’中之每一者以傾斜方向延伸，從而與擋板系統140之管壁TW之延伸方向形成與第5(a)圖中的角度相同的角度θ(在5度至85度之範圍中)。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’分別具有深度L8、L8’、L8”、L8'''、L8''''及L8'''''。在第9(a)圖中，上內管壁TW可經平滑化以允許液滴20流動至管及金屬液滴捕捉器100之更深區域中，以便成為經收集的液滴200。在第9(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’具有逐漸增加之深度，其中最接近於金屬液滴捕捉器100之更深區域的凹槽形擋板 155’為最深擋板，亦即，L8<L8’<L8”<L8'''<L8''''<L8'''''=d。在一些實施例中，下凹槽形擋板之數目可為6個，亦即擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’；且凹槽形擋板之數目可為任何數目，只要凹槽形擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第9(a)圖之配置。

第9(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第9(b)圖繪示從正視圖中不可見凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’並且凹槽形擋板之效應產生用以促進飛濺的經收集液滴200的逆流之黏附的粗糙度。高能液滴200將衝擊或接觸凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’並且凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之內部結構及表面阻礙經收集液滴200之逆流流動，而不阻礙液滴20至金屬液滴捕捉器100中之入射流動。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’可在正視圖中具有從左端至右端的相同深度的形狀(未示出)。在其他實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’可具有新月形凹槽形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小深度，且在中間區域具有最大深度。在第9(a)圖及第9(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之內表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之表面具有含有增加的表面積之某些粗糙度以便捕捉金屬液滴200之逆流。

第10(b)圖繪示不具有上擋板且僅具有下凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之擋板系統140。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。擋板系統140具有與第5(a)圖中之管長度相同的管長度L4，並且L5的對應距離目前係在凹槽形擋板155’之深度的底部與上管內壁TW之間界定。第10(a)圖之擋板系統140為具有凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之系統，該等凹槽形擋板具有相同深度。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’中之每一者相對於擋板系統140之管壁TW之延伸方向以直角延伸。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’分別具有深度L8、L8’、L8”、L8'''、L8''''及L8'''''。在第10(a)圖中，上內管壁TW可經平滑化以允許液滴20流動至管及金屬液滴捕捉器100之更深區域中，以便成為經收集的液滴200。在第10(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’具有相同深度，而無為最深之擋板之凹槽形擋板，亦即L8=L8’=L8”=L8'''=L8''''=L8'''''=d。在一些實施例中，下凹槽形擋板之數目可為6個，亦即擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’；且擋板之數目可為任何數目，只要凹槽形擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第10(a)圖之配置。

第10(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第10(b)圖繪示從正視圖中不可見凹槽形擋板，並且凹槽形擋板之效應產生用以促進飛濺的經收集液滴200的逆流之黏附的粗糙度。高能液滴200將衝擊或接觸凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’並且凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之內部結構及表面阻礙經收集液滴200之逆流流動，而不阻礙液滴20至金屬液滴捕捉器100中之入射流動。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’可在正視圖中具有從左端至右端的相同深度的形狀(未示出)。在其他實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’可具有新月形凹槽形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小深度，且在中間區域具有最大深度。在第10(a)圖及第10(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之內表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’之表面具有含有增加的表面積之某些粗糙度以便捕捉金屬液滴200之逆流。

第11(a)圖繪示不具有上擋板且僅具有高數目(大於20個凹槽形擋板)之下擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’等等之擋板系統140。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’等等係沿著金屬液滴捕捉器100之長度方向(第4(a)圖及第4(b)圖中之Y方向)佈置。擋板系統140具有與第5(a)圖中之管長度相同的管長度L4，並且L5的對應距離目前係在最接近於金屬液滴捕捉器100之較深區域的凹槽形擋板之深度的底部與上管內壁TW之間界定。第11(a)圖之擋板系統140為具有凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等之系統，該等凹槽形擋板具有不同深度。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等中之每一者以傾斜方向延伸，從而與擋板系統140之管壁TW之延伸方向形成與第5(a)圖中的角度相同的角度θ(在5度至85度之範圍中)。凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等分別具有深度L8、L8’、L8”、L8'''、L8''''、L8'''''等等。在第11(a)圖中，上內管壁TW可經平滑化以允許液滴20流動至管及金屬液滴捕捉器100之更深區域中，以便成為經收集的液滴200。在第11(a)圖中，在本揭露之一些實施例中，下凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’及155’具有逐漸增加之深度，其中最接近於金屬液滴捕捉器100之更深區域的凹槽形擋板155’為最深擋板，亦即，L8<L8’<L8”<L8'''<L8''''<L8'''''<……<最接近於金屬液滴捕捉器100之更深區域的凹槽形擋板之深度(=d)。在一些實施例中，下凹形擋板之數目可為25個，亦即擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’……及193’；且凹槽形擋板之數目可為任何數目，只要凹槽形擋板之數目促進阻礙液滴200之逆流及飛濺，並且不限於第11(a)圖之配置。

第11(b)圖繪示當從X方向觀察時的擋板系統140之正視圖。第11(b)圖繪示從正視圖中不可見凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等，並且凹槽形擋板之效應產生用以促進飛濺的經收集液滴200的逆流之黏附的粗糙度。高能液滴200將衝擊或接觸凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等並且凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等之內部結構及表面阻礙經收集液滴200之逆流流動，而不阻礙液滴20至金屬液滴捕捉器100中之入射流動。在本揭露之一些實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等可在正視圖中具有從左端至右端的相同深度的形狀(未示出)。在其他實施例中，凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等可具有新月形凹槽形狀(未示出)，該形狀在左端及右端處具有最小深度，且在中間區域具有最大深度。在第11(a)圖及第11(b)圖中，在本揭露之一些實施例中，擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等之內表面是平滑的，以便金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之底部。在其他實施例中，使擋板系統140之凹槽形擋板145’、147’、149’、151’、153’、155’等等之表面具有含有增加的表面積之某些粗糙度以便捕捉金屬液滴200之逆流。

一般技術者應理解，上述實施例可以水平、垂直或傾斜方向來定向。此外，在一些實施例中，金屬液滴捕捉器100包括加熱器400(見第4(a)圖及第4(b)圖)以施加熱能至金屬液滴捕捉器100，以便幫助收集於內表面上之金屬液滴200流回至金屬液滴捕捉器100之後部。

應將理解，在本文中並非必須論述所有優點，沒有特定優點對於所有實施例或實例是需要的，並且其他實施例或實例可以提供不同的優點。

根據本揭露之一些實施例，揭示一種極紫外(extreme ultraviolet；EUV)微影系統。該系統包括用於產生極紫外輻射之極紫外源。極紫外源包括以下各項。雷射及靶材液滴產生器。遮罩平台，經配置以固定極紫外遮罩。晶圓平台，經配置以固定半導體晶圓。光學系統，經設計以從極紫外源引導極紫外輻射以將界定於極紫外遮罩上之圖案成像至半導體晶圓。極紫外源進一步包括金屬液滴捕捉器以接收從靶材液滴產生器產生之金屬液滴。金屬液滴捕捉器包括沿著金屬液滴捕捉器的長度方向佈置之擋板。擋板與金屬液滴捕捉器之內表面形成銳角。在一實施例中，金屬液滴捕捉器在金屬液滴捕捉器之內表面上不包括擋板。在另一實施例中，金屬液滴捕捉器在與沿著金屬液滴捕捉器之長度方向的經佈置擋板相對的金屬液滴捕捉器之表面上包括至少一個擋板。在一實施例中，金屬液滴捕捉器具有封閉底部。在另一實施例中，金屬液滴捕捉器具有開放底部。開放底部通向與靶材液滴產生器連接之管。金屬液滴包括錫液滴。金屬液滴捕捉器包括用於加熱金屬液滴捕捉器之加熱器。在金屬液滴捕捉器之開口的正視圖中，擋板具有從左至右的相同厚度。

根據本揭露之一些實施例，揭示一種液滴捕捉器，該液滴捕捉器包括管主體及沿著管主體之長度方向佈置之擋板。擋板與管主體之內管表面形成銳角。擋板經佈置於管主體之內管表面之一部分上，並且內管表面之其餘部分不具有擋板。在另一實施例中，擋板經佈置於管主體之內管表面之相對部分上。在一實施例中，擋板具有不同長度。擋板具有逐漸增加之長度。在另一實施例中，擋板具有相同長度。在一實施例中，當從面向管主體之開口的正面方向觀察時，擋板具有從左至右的相同厚度。擋板具有平滑的表面。

根據本揭露之一些方法實施例，揭示一種極紫外(extreme ultraviolet；EUV)微影系統。該系統包括用於產生極紫外輻射之極紫外源。極紫外源包括雷射及靶材液滴產生器。遮罩平台，經配置以固定極紫外遮罩。系統亦包括晶圓平台，該晶圓平台經配置以固定半導體晶圓。系統亦包括光學系統，該光學系統經設計以從極紫外源引導極紫外輻射以將界定於極紫外遮罩上之圖案成像至半導體晶圓。極紫外源進一步包括金屬液滴捕捉器以接收從靶材液滴產生器產生之金屬液滴。金屬液滴捕捉器包括擋板系統，該擋板系統包括形成於擋板系統之內壁上的凹槽形擋板。

前述內容概括了若干實施例或實例之特徵，以便熟習該項技術者可較佳地理解本揭露之態樣。熟習該項技術者應理解，其可輕易地使用本揭露內容作為用於設計或修改其他製程及結構之基礎，該等其他製程及結構用於實現本文介紹之實施例或實例的相同目的及/或達成相同優點。熟習該項技術者亦應瞭解，該等同等構造不背離本揭露之精神及範疇，且在不背離本揭露之精神及範疇之情況下，熟習該項技術者可以進行各種改變、替代及更改。