TW202009573A - 液晶光電裝置及液晶光電裝置的製造方法 - Google Patents

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Abstract

一種液晶光電裝置，包括上、下基板、多個配向層及液晶材料。這些配向層包括上、下配向層及至少一中間配向層。上、下配向層分別設於上、下基板上。至少一中間配向層設於上、下配向層之間。上配向層具有第一配向方向。下配向層具有第二配向方向。中間配向層具有中間配向方向。中間配向方向在第一配向方向與第二配向方向之間。液晶材料包括多個液晶材料部分。每一液晶材料部分設置於任二相鄰的配向層之間。另，一種製造液晶光電裝置的製造方法亦被提供。

Description

液晶光電裝置及液晶光電裝置的製造方法
本發明是有關於一種液晶光電裝置及液晶光電裝置的製造方法，且特別是有關於一種用於兆赫波的液晶光電裝置及用於兆赫波的液晶光電裝置的製造方法。
近年來，兆赫波在相關技術領域中有越來越多的研究，由於應用的層面越來越廣泛，因此對於適用兆赫波的各種光電元件需求也不斷增加，例如是應用在成像裝置、調製器或者是相位延遲器等兆赫波光電元件(Terahertz Optoelectronics Devices)，特別是用於相位延遲器的相關應用與研究是目前重要的發展方向。
兆赫波液晶盒(Liquid Crystal Cell)主要的作用為相位延遲。決定液晶盒的相位延遲能力主要取決於設置於其內部的液晶層(Liquid Crystal Layer)的厚度。若要達到較大的相位延遲則液晶層需要較大的厚度。但較厚的液晶層其中的液晶分子排列較為混亂。液晶分子排列凌亂會導致液晶盒的響應時間(Response Time)較高，同時也需要較高的驅動電壓以驅動液晶盒。因此，現有技術中的液晶盒因上述問題而不利於產業上的應用。
本發明提供一種液晶光電裝置，其兼具良好的光電特性以及較薄的厚度，且適用於兆赫波頻段的光束。
本發明提供一種用以製造上述液晶光電裝置的製造方法。
本發明的一實施例提供一種液晶光電裝置，包括上基板、下基板、多個配向層以及液晶材料。這些配向層包括上配向層、至少一中間配向層以及下配向層。液晶材料包括多個液晶材料部分。上配向層設置於上基板與至少一中間配向層之間。下配向層設置於下基板與至少一中間配向層之間。至少一中間配向層設置於上配向層與下配向層之間。上配向層具有第一配向方向。下配向層具有第二配向方向，且中間配向層具有中間配向方向。中間配向方向在第一配向方向與第二配向方向之間。每一液晶材料部分設置於任二相鄰的配向層之間。
本發明的一實施例提供一種製造液晶光電裝置的製造方法，其包括：準備上基板及下基板。形成多個配向層，其中這些配向層包括上配向層、至少一中間配向層及下配向層，上配向層與下配向層分別形成於上基板與下基板上，且至少一中間配向層設置於上配向層與下配向層之間。上配向層具有第一配向方向，下配向層具有第二配向方向，且中間配向層具有中間配向方向。中間配向方向在第一配向方向與第二配向方向之間。提供液晶材料，液晶材料包括多個液晶材料部分，並將每一液晶材料部分設置於任二相鄰的配向層之間。
基於上述，在本發明的相關實施例中，藉由中間配向層以及上、下配向層與中間配向層所對應的配向方向的設計，可使得液晶材料的液晶分子的排列方式較為規則有序，因此液晶光電裝置兼具良好的光電特性以及較薄的厚度，並適用於不同兆赫茲波段光束。
為讓本發明的上述特徵和優點能更明顯易懂，下文特舉實施例，並配合所附圖式作詳細說明如下。
圖1A為本發明的一實施例的一種液晶光電裝置的剖面示意圖。圖1B為圖1A實施例的斜視分解示意圖。為求清楚，圖1B省略繪示液晶材料、間隙物、局部的上、下基板以及局部的透明導電層。此外，為求簡要，圖2E、圖2F、圖2H有示出具體的中間配向層134的結構，於他處圖式以簡要的方式示出。
請參照圖1A及圖1B，於本例中，液晶光電裝置100具體化為液晶盒，其具有相位延遲功能，因而亦可被視為液晶相位延遲器(Liquid crystal phase retarder)。液晶光電裝置100包括上基板110、下基板120、多個配向層130、液晶材料140、間隙物150以及透明導電層160、170。於本例中，液晶光電裝置100適於用於波長範圍在兆赫波段(Terahertz band)的光束(以下簡稱兆赫波)，且例如是用於使兆赫波相位延遲或者是調整其他光場參數。於以下的段落中會詳細地說明上述各元件。
上基板110與下基板120係用以當作液晶光電裝置100內部各元件的支撐。於本例中，上、下基板110、120例如是可使兆赫波穿透的透光基板。透光基板較佳地例如是石英玻璃基板，但不以此為限。上、下基板110、120的厚度例如是1毫米(mm)厚，但不以此為限。
配向層130的主要功能用以控制液晶材料140中的液晶分子的排列方式或角度。這些配向層130包括上配向層132、至少一中間配向層134以及下配向層136。「中間」一詞的意思是代表在上配向層132與下配向層134之間。於本例中，至少一中間配向層134的數量例如為一，但不以此為限。詳言之，上配向層132與下配向層136的材料例如是聚合物材料，且例如是聚亞醯胺(Polyimide, PI，以下簡稱PI)。另外，於圖1A及圖1B中係簡要地示出中間配向層134，中間配向層134的具體架構示於圖2H，請對照圖2H，中間配向層134的材料例如是包括液晶材料1342及液體聚合物1344。液晶材料1342例如是向列型液晶(Nematic liquid crystal, NLC，例如是Merck公司的產品，其型號為MLC 2070)。液體聚合物1344例如為感光液體聚合物，例如是光敏劑(例Photoinitiator,例如是Merck公司產品，其型號為IRG-184)與反應型液晶(reactive mesogen, 例如是Merck公司的產品，其型號為RM 257)所形成。
液晶材料140例如亦為向列型液晶。
間隙物150(spacer)係用以保持上、下基板110、120之間的間隙(cell gap)固定，因而可保持設置於上、下基板110、120間的液晶材料140厚度均一性。於本例中，整體間隙物150的厚度例如是500微米，間隙物150的任一間隙部分152、154的厚度例如是250微米，但不以此為限。
透明導電層160、170的材料可以是透明導電高分子材料，其可以是聚(3,4-乙烯基二氧＝吩)-聚苯乙烯磺酸鹽(Poly(3,4-ethylenedioxythiophene)-polystyrene sulfonate, PEDOT:PSS，以下簡稱PEDOT:PSS)但本發明並不以此為限制。於一例中，透明導電層160、170的材料可以是透明導電無機物，例如是氧化銦鋅(indium tin oxide, ITO)，且其可選擇性地具有奈米結構，本發明並不以此為限制。於另一例中，透明導電層160、170的材料可以是石墨烯(graphene)，本發明並不以此為限制。液晶光電裝置100可藉由將透明導電層160、170與外接電源(未示出)耦接，以在透明導電層160、170之間形成電場，以控制液晶材料140的液晶分子的排列方式。
圖2A至圖2K為製造圖1A及圖1B的液晶光電裝置100的製造方法。
請參照圖2A，提供上基板110、下基板120，並對此兩基板110、120進行清洗、乾燥步驟，以去除附著於其上的金屬離子、有機分子、自然氧化層或灰塵，而完成準備上、下基板110、120的步驟。
請參照圖2B，分別於上基板110的表面112以及下基板120的表面122以形成透明導電層160、170。詳細來說，先將液體型態的透明導電高分子材料(例如是PEDOT:PSS)以適當的量滴於表面112、122，並透過溶液法(solution method,其可為旋轉塗佈法(Spin coating method)或浸塗法(Dip coating method))並以適當溫度加熱烘乾後於表面112、122形成透明導電層160、170，其中液態透明導電高分子的量或旋轉速度可決定透明導電層160、170的厚度。於他例中，亦可採用蒸鍍法(Evaporating Method)形成透明導電層160、170，但不以此為限。
依序形成多個配向層130中的上配向層132、下配向層136以及至少一中間配向層134。形成上配向層132與下配向層136的方式相同，但不同於形成中間配向層134的方式。於以下段落中會分別描述。
首先是關於形成上、下配向層132、136的方式。
請參照圖2C，分別形成二聚合物薄膜於上、下基板110、120上。詳細來說，先將液體型態的聚合物材料(例如是PI)以適當的量滴於透明導電層160、170上，再以前述段落中提到的溶液法來形成聚合物薄膜。接著，使用滾輪絨布(未示出)於二聚合物薄膜的表面分別以磨刷方向RD1(Rubbing Direction,以⊙標示)與磨刷方向RD2(以à標示)進行磨刷(Rubbing)，此二磨刷方向例如是彼此互為垂直，本領域的技術人員可依照其需求來調整，不以此為限。至此，上、下配向層132、136完成其製造步驟。
搭配圖3做為對照說明，以上配向層132為例，經過磨刷製程後的聚合物薄膜的表面會形成具有延伸方向E(同磨刷方向RD1)的多道溝槽T。上配向層132與液晶分子M之間的力量(即錨定能, Anchoring Energy)使靠近溝槽T的液晶分子M的長軸會沿著溝槽T的延伸方向E設置，而這些液晶分子M以方向D’進行排列，藉此以控制液晶分子M的排列方式或預傾角度(Pretilt angle)。此溝槽T的延伸方向E例如是被稱為上配向層132的配向方向OD1(Orientation Direction)。簡言之，施加磨刷製程的磨刷方向決定了對應配向層的配向方向。
接著，是關於形成中間配向層134的方式。
請參照圖2D，準備設有配向層M1的轉移基板CS1及設有配向層M2的轉移基板CS2。配向層M1的配向方向OD1’與配向層M2的配向方向OD2’彼此互為反平行(anti-parallel)。轉移基板CS1、CS2與配向層M1、M2的材料以及製作方式大體上類似於上、下基板110、120與上、下配向層132、136的製作方式，其差異僅在於配向層M1、M2的配向方向的關係，於此不再贅述。
請參照圖2E，提供液晶材料1342及液體聚合物1344，並將此液晶材料1342及液體聚合物1344混合於配向層M1、M2之間以形成混合物Mix。
請參照圖2F，對混合物Mix實施固化處理，以於配向層M1、M2之間形成中間配向層134。於本例中，固化處理例如是紫外光照射處理，照射的時間可為40分鐘至60分鐘，較佳地為1小時。紫外光的強度可為1mW/cm2 至5mW/cm2 ，較佳地為3mW/cm2 ，本領域的技術人員可依照其需求對照射強度與時間做適當調整。紫外光照射處理可將液體聚合物1344的分子斷鏈而可使液晶材料1342與液體聚合物1344之間進行固化反應。
請再參照圖2F，依據液晶材料1342位置的不同，液晶材料1342包括較靠近混合物Mix表面的液晶分子MS以及位於混合物Mix中間的液晶分子MM。為了避免位於混合物Mix中間的液晶分子MM影響後續光束的偏折方式，較佳地，在對混合物Mix實施固化處理的過程中的同時也可同時外接電源V來對混合物Mix施加電壓，因此液晶分子MM會受到電場影響而以平行電場的方向來進行排列，且液晶分子MM的排列方式會因為固化作用而固定。但是靠近混合物Mix表面的液晶分子MS的排列方式則會受到配向層M1、M2的配向方向OD1’、OD2’而決定而較不會被電場所影響。因此，透過在固化處理中同時施加電壓來製造中間配向層134的方式，可以使得光束較不會被位於中間的液晶分子MM影響。於本例中，電壓的大小可為300Vrms 至500Vrms ，較佳地為350Vrms ，電壓的頻率大小為1kHz，本領域的技術人員可依照其需求對電壓大小與頻率做適當調整。Vrms 代表的意思為施加的交流電壓的均方根(root-mean-square)值。
請參照圖2G，提供間隙物150的間隙部分152設置下配向層136上。並將液晶材料140的液晶材料部分142設置於間隙部分152與下配向層136之間。
請參照圖2H，藉由加熱製程剝離配向層M2及轉移基板CS2。
請參照圖2I，將轉移基板CS1倒置於液晶材料部分142上以使中間配向層134設置於液晶材料部分142上。同時，並藉由加熱製程剝離配向層M1跟轉移基板CS1。
請參照圖2J，再提供間隙物150的間隙部分154設置於中間配向層134上，且將液晶材料140的液晶材料部分144設置於間隙部分154與中間配向層134間。
請參照圖2K，將形成有上配向層132的上基板110轉置於液晶材料部分144上，以使中間配向層134設置於上配向層132與下配向層136之間。液晶材料140的每一液晶材料部分142、144設置於任二相鄰的配向層130之間。至此，液晶光電裝置100大體上已經製作完成。
於以下的段落中會詳細地說明上述元件的配置方式。
請參照圖1A，於本實施例的液晶光電裝置100中，上基板110與下基板120彼此對向配置。上配向層132設置於上基板110與中間配向層134之間。中間配向層134設置於上配向層132與下配向層136之間。下配向層136設置於中間配向層134與下配向層136之間。液晶材料140設置於這些配向層130中任二相鄰的配向層130之間。也就是說，上配向層132與中間配向層134之間設有液晶材料140，且中間配向層134與下配向層136之間設有液晶材料140。間隙物150設置於上基板110與下基板120之間以界定出容置空間S。上述中間配向層134與液晶材料140設置於容置空間S中。透明導電層160設置於上基板110與上配向層132之間。透明導電層170設置於下基板120與下配向層136之間。
請參照圖1B，於本例中，上配向層132、中間配向層134以及下配向層136分別具有對應的配向方向OD1、OD3、OD2。配向方向OD1與OD2彼此互為垂直。配向方向OD3在配向方向OD1與配向方向OD2之間，且例如是配向方向OD1與配向方向OD2的和向量方向，但不以此為限。
以另一種觀點觀之，若以下配向層132的配向方向OD2為基準且設為0度，則上配向層132的配向方向OD1則設為90度，中間配向層134的配向方向OD3則在0度至90度之間的角度，例如是設為45度。
圖4是圖1A及圖1B中的液晶光電裝置與一比較實施例的液晶光電裝置的施加電壓與相位差之間的關係圖。圖5是圖1A及圖1B中的液晶光電裝置與一比較實施例的液晶光電裝置的在不同的頻率的光束下所對應測得的透光度。比較實施例的液晶光電裝置大體上類似於圖1A的液晶光電裝置100，其主要差異在於：比較實施例的液晶光電裝置不設有中間配向層134，其液晶材料是連續地分佈於液晶光電裝置內。
請參照圖4，橫軸為施加交流電的方均根(root mean square)大小，縱軸為通過液晶光電裝置後的光束與尚未通過對應的液晶光電裝置前的光束之間的相位差。實線與虛線分別代表為本例的液晶光電裝置100與比較實施例的液晶光電裝置。由圖4中可看出：若對液晶光電裝置100與比較實施例的液晶光電裝置施加固定方均根值大小的交流電壓並以不同頻率(0.3兆赫茲(THz)、0.6兆赫茲(THz)、0.9兆赫茲(THz)、1.19兆赫茲(THz))的光束分別穿透液晶光電裝置100與比較實施例的液晶光電裝置時，相較於比較實施例，本例的液晶光電裝置100的所產生的相位差更大。同時，在較小的施加電壓區間中(以0~75V為例)，本例的液晶光電裝置100的相位差與電壓之間的敏感度(相位差變化/電壓變化)為高。也就是說，只要施加少許的電壓，本例的液晶光電裝置100相較於比較實施例可以產生較大的相位差。
請參照圖5，橫軸為光束的頻率，縱軸為透光度。實線與虛線分別代表為本例的液晶光電裝置100與比較實施例的液晶光電裝置。由圖5中可看出：在施加同一方均根大小的交流電壓(以300Vrms 跟0Vrms 為範例)的情況下，本例的液晶光電裝置100在0.2至0.6兆赫茲波段的光束下所測得的透光度大小較為一致(即單一條實線的縱軸透光度大小的變化度不大)，相對而言，比較實施例的透光度則在頻率大於0.4兆赫茲波段急遽的下降(即單一條虛線在橫軸大於0.4兆赫茲波段的情況下，縱軸透光度大小急遽下降)。
接著，若對本例的液晶光電裝置100施加不同的方均根大小的交流電壓時，可看出在0.2至0.6兆赫茲波段的光束下所測得的透光度變化較為一致(即兩條實線之間的透光度的變化量大小較為一致)。相對而言，比較實施例則在較低兆赫茲波段的透光度變化相較於在較高兆赫茲波段的透光度變化為大(即兩條虛線之間的透光度的變化量大小在較低兆赫茲波段較大，而在較高兆赫茲波段較小)，因此比較實施例不適用於較高兆赫茲波段的光束。換言之，本例的液晶光電裝置100的光學性質在不同的兆赫茲波段下的光學性質較為穩定，可適用於不同兆赫茲波段光束。
請參照下方的表一，表一為本例的液晶光電裝置100與比較實施例的相關數據。上升時間(Rising time)被定義為液晶光電裝置100所提供給入射光束的相位改變從最大值的10%至最大值的90%所需的時間。下降時間(Falling time)則被定義為液晶光電裝置100所提供給入射光束的相位改變從最大值的90%至最大值的10%所需的時間。。
Figure 107130024-A0304-0001
 表一 由表一可看出：相較於比較實施例，本例的液晶光電裝置100的上升時間、下降時間、閾值電壓(threshold voltage)及驅動電壓(driving voltage)皆有顯著的下降，而具有優良的光電特性。
在本實施例的液晶光電裝置100中，由於液晶材料140的每一液晶材料部分142、144皆設置於任兩相鄰的配向層130之間。換言之，配向層130將液晶材料140區分為多個液晶材料部分142、144並將這些液晶材料部分142、144隔開。因此，靠近這些配向層130的液晶分子的排列方向會被對應的配向層130的配向方向所決定，而使得液晶分子會以較有順序的排列方式配置。液晶光電裝置100不需要藉由過大的電場(電壓)以使液晶分子排列有序。本實施例的液晶光電裝置100避免了習知技術中液晶分子排列順序混亂的問題，且具有快速的響應時間(上升、下降時間)、較薄的厚度並且在兆赫波頻譜下具有良好的光電特性。
在此必須說明的是，下述實施例沿用前述實施例的部分內容，省略了相同技術內容的說明，關於相同的元件名稱可以參考前述實施例的部分內容，下述實施例不再重複贅述。
圖6A為本發明的另一實施例的一種液晶光電裝置的剖面示意圖。圖6B為圖6A實施例的斜視分解示意圖。為求清楚，圖6B省略繪示間隙物、局部的上、下基板以及局部的透明導電層。
請參照圖6A及圖6B，液晶光電裝置100a大致上類似於液晶光電裝置100，其主要差異在於：液晶光電裝置100a的至少一中間配向層134的數量為多個，且例如是三個中間配向層134a、134b、134c。中間配向層134a位於上配向層132與中間配向層134b之間。中間配向層134b位於中間配向層134a與中間配向層134c之間。中間配向層134c位於中間配向層134a下配向層136之間。這三個中間配向層134a~134c的中間配向方向分別為OD4’、OD3’、OD5’。
若以下配向層136的配向方向OD2為基準且設為0度，則上配向層132的配向方向OD1則設為90度，中間配向層134a的配向方向OD4’例如是67.5度。中間配向層134b的配向方向OD3’例如是45度，中間配向層134b的配向方向OD5’例如是22.5度。以上的中間配向層的數量以及配向方向角度關係皆為示例，本領域的技術人員可以依據不同的需求來進行調整。
圖7A至圖7H為製造圖6A及圖6B的液晶光電裝置100a的部分製造方法流程圖。
製造圖6A的液晶光電裝置100a與製造液晶光電裝置100的製造方法大體上相同，其主要差異在於製作多個中間配向層134a~134c。延續圖2C，首先，進行如圖2D至圖2F的步驟多次，以分別形成多個中間配向層134a~134c。
請參照圖7A，提供間隙物150的間隙部分152設置於下配向層136上，且將液晶材料140的液晶材料部分142設置間隙部分152與下配向層136間。
請參照圖7B，以加熱製程剝離配向層M2c及轉移基板CS2c、配向層M2b及轉移基板CS2b以及配向層M2a及轉移基板CS2a。
請參照圖7C，將轉移基板CS1c倒置於液晶材料部分142上以使中間配向層134c設置於液晶材料部分142上。同時，並藉由加熱製程剝離配向層M1c跟轉移基板CS1c。
接著，請參照圖7D至圖7G，執行類似於圖7A及圖7C的步驟，依序設置間隙部分154、設置液晶材料部分144、轉置中間配向層134b、剝離配向層M1b跟轉移基板CS1b、設置間隙部分156、設置液晶材料部分146、轉置中間配向層134a、剝離配向層M1a跟轉移基板CS1a、設置間隙部分158以及設置液晶材料部分148。
請參照圖7H，將形成有上配向層132的上基板110轉置於液晶材料部分148上，以使中間配向層134a~134c設置於上配向層132與下配向層136之間。液晶材料140的每一液晶材料部分142、144、146、148設置於任二相鄰的配向層130之間。至此，液晶光電裝置100a大體上已經製作完成。
於本例中，中間配向層134的數量以三個為例，於他例中亦可以為兩個或多於三個，不以此為限制。
在本發明的相關實施例中，液晶光電裝置100、100a可適用於用於兆赫波的相位延遲器(phase shifter)、空間光調製器(spatial light modulator)、帶阻濾波器(notch filter)或者是其他類似裝置，本發明並不以液晶光電裝置100、100a的適用領域為限制。
綜上所述，在本發明的實施例液晶光電裝置及其製造方法中，由於中間配向層的設置以及上、下配向層與中間配向層所對應的配向方向的設計，可使得位於在任兩配向層間的液晶材料的液晶分子的排列方式較為規則有序，因此液晶光電裝置在較薄的厚度下具有良好的光電特性，並適用於不同兆赫茲波段光束。
雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明的精神和範圍內，當可作些許的更動與潤飾，故本發明的保護範圍當視後附的申請專利範圍所界定者為準。
100、100a‧‧‧液晶光電裝置110‧‧‧上基板112、122‧‧‧表面120‧‧‧下基板130、M1、M2‧‧‧配向層132‧‧‧上配向層134、134a~134c‧‧‧中間配向層1342、140‧‧‧液晶材料1344‧‧‧液體聚合物136‧‧‧下配向層142、144、146、148‧‧‧液晶材料部分150‧‧‧間隙物152、154、156、158‧‧‧間隙部分160、170‧‧‧透明導電層CS1、CS2‧‧‧轉移基板D’、D1、D2、D3‧‧‧方向E‧‧‧延伸方向M、MS、MM‧‧‧液晶分子Mix‧‧‧混合物RD1、RD2‧‧‧磨刷方向S‧‧‧容置空間T‧‧‧溝槽OD1~OD3、OD1’~OD5’‧‧‧配向方向
圖1A為本發明的一實施例的一種液晶光電裝置的剖面示意圖。 圖1B為圖1A實施例的斜視分解示意圖。 圖2A至圖2K為製造圖1A及圖1B的液晶光電裝置的製造方法。 圖3為鄰近配向層的液晶分子在配向層上的排列方式示意圖。 圖4是圖1A及圖1B中的液晶光電裝置與比較實施例的液晶光電裝置的施加電壓與相位差之間的關係圖。 圖5是圖1A及圖1B中的液晶光電裝置與比較實施例的液晶光電裝置的在不同的頻率的光束下所對應測得的透光度。 圖6A為本發明的另一實施例的一種液晶光電裝置的剖面示意圖。 圖6B為圖6A實施例的斜視分解示意圖。 圖7A至圖7H為製造圖6A及圖6B的液晶光電裝置的部分製造方法流程圖。
100‧‧‧液晶光電裝置
110‧‧‧上基板
120‧‧‧下基板
130‧‧‧配向層
132‧‧‧上配向層
134‧‧‧中間配向層
136‧‧‧下配向層
140‧‧‧液晶材料
142、144‧‧‧液晶材料部分
150‧‧‧間隙物
152、154‧‧‧間隙部分
160、170‧‧‧透明導電層

Claims (16)

  1. 一種液晶光電裝置，包括： 一上基板； 一下基板； 多個配向層，包括一上配向層、至少一中間配向層以及一下配向層，該上配向層設置於該上基板與該至少一中間配向層之間，該下配向層設置於該下基板與該至少一中間配向層之間，該至少一中間配向層設置於該上配向層與該下配向層之間， 其中，該上配向層具有一第一配向方向，該下配向層具有一第二配向方向，且該中間配向層具有一中間配向方向，該中間配向方向在該第一配向方向與該第二配向方向之間；以及 一液晶材料，包括多個液晶材料部分，每一該液晶材料部分設置於任二相鄰的配向層之間。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的液晶光電裝置，該至少一中間配向層的數量為一。
  3. 如申請專利範圍第1項所述的液晶光電裝置，該至少一中間配向層的數量為多個。
  4. 如申請專利範圍第1項所述的液晶光電裝置，更包括一間隙物，設置於該上基板與該下基板之間以界定出一容置空間，且該至少一中間配向層以及該液晶材料設置於該容置空間中。
  5. 如申請專利範圍第1項所述的液晶光電裝置，更包括：一第一透明導電層與一第二透明導電層，該第一透明導電層設置於該上基板與該上配向層之間，且該第二透明導電層設置於該下基板與該下配向層之間。
  6. 如申請專利範圍第1項所述的液晶光電裝置，其中該第一配向方向與該第二配向方向彼此互為垂直。
  7. 如申請專利範圍第1項所述的液晶光電裝置，其中該液晶光電裝置為液晶盒。
  8. 一種製造液晶光電裝置的製造方法，包括： 準備一上基板及一下基板； 形成多個配向層，該些配向層包括一上配向層、至少一中間配向層及一下配向層，其中該上配向層與該下配向層分別形成於該上基板與該下基板上，且該至少一中間配向層設置於該上配向層與該下配向層之間， 其中，該上配向層具有一第一配向方向，該至少一中間配向層具有一中間配向方向，該下配向層具有一第二配向方向，該中間配向方向在該第一配向方向與該第二配向方向之間；以及 提供一液晶材料，該液晶材料包括多個液晶材料部分，並將每一該液晶材料部分設置於任二相鄰的配向層之間。
  9. 如申請專利範圍第8項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中在形成該些配向層的步驟中，形成該上配向層及該下配向層的方法包括： 分別形成二聚合物薄膜該上基板與該下基板上；以及 對該二聚合物薄膜分別以一第一磨刷方向與不同於該第一磨刷方向的一第二磨刷方向進行磨刷製程，以分別形成該上配向層以及該下配向層， 其中該第一磨刷方向決定該第一配向方向，且該第二磨刷方向決定該第二配向方向。
  10. 如申請專利範圍第9項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中形成至少一中間配向層的方法包括： 準備分別設有一第一配向層的一第一轉移基板以及設有一第二配向層的一第二轉移基板，該第一配向層的配向方向與該第二配向層的配向方向彼此互為反平行； 提供另一液晶材料以及一液體聚合物，並將該另一液晶材料與該液體聚合物混合於該第一配向層與該第二配向層之間以形成一混合物； 對該混合物實施一固化處理，以於該第一配向層與該第二配向層之間形成該中間配向層，其中該中間配向層的中間配向方向被該第一配向層的配向方向與該第二配向層的配向方向所決定；以及 依序剝離該第一配向層及該第一轉移基板、該第二配向層及該第二轉移基板。
  11. 如申請專利範圍第10項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中該固化處理為紫外光照射處理。
  12. 如申請專利範圍第10項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中對該混合物實施該固化處理的同時並對該混合物施加電壓。
  13. 如申請專利範圍第10項所述的液晶光電裝置的製造方法，更包括： 提供一間隙物的一第一間隙部分，設置於該下配向層上，且將該液晶材料的一第一液晶材料部分設置該第一間隙部分與該下配向層間； 轉移該中間配向層，以使該中間配向層設置於該第一液晶材料部分上； 提供該間隙物的一第二間隙部分，設置於該中間配向層上，且將該液晶材料的一第二液晶材料部分設置於該第二間隙部分與該中間配向層間；以及 將形成有該上配向層的該上基板轉置於該第二液晶材料部分上，以使該中間配向層設置於該上配向層與該下配向層之間。
  14. 如申請專利範圍第10項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中形成至少一中間配向層的數量為多個，且該些中間配向層包括一第一中間配向層、一第二中間配向層及一第三中間配向層，該第 中間配向層、該第二中間配向層及該第三中間配向層所分別具有的中間配向方向彼此不同，其中該製造方法更包括： 提供一間隙物的一第一間隙部分，設置於該下配向層上，且將該液晶材料的一第一液晶材料部分設置該第一間隙部分與該下配向層間； 轉移該第一中間配向層，以使該第一中間配向層設置於該第一液晶材料部分上； 提供該間隙物的一第二間隙部分，設置於該第一中間配向層上，且將該液晶材料的一第二液晶材料部分設置於該第二間隙部分與該第一中間配向層間； 轉移該第二中間配向層，以使該第二中間配向層設置於該第二液晶材料部分上； 提供該間隙物的一第三間隙部分，設置於該第二中間配向層上，且將該液晶材料的一第三液晶材料部分設置於該第三間隙部分與該第二中間配向層間； 轉移該第三中間配向層，以使該第三中間配向層設置於該第三液晶材料部分上； 提供該間隙物的一第四間隙部分，設置於該第三中間配向層上，且將該液晶材料的一第四液晶材料部分設置於該第四間隙部分與該第三中間配向層間；以及 將形成有該上配向層的該上基板轉置於該第四液晶材料部分上，以使該第一中間配向層、該第二中間配向層及該第三中間配向層設置於該上配向層與該下配向層之間。
  15. 如申請專利範圍第8項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中在形成該些配向層的步驟之前，更包括： 分別形成一第一透明導電層與一第二透明導電層於該上基板與該下基板上。
  16. 如申請專利範圍第8項所述的液晶光電裝置的製造方法，其中該第一配向方向與該第二配向方向彼此互為垂直。
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