TW202001526A - 觸控面板及其製作方法 - Google Patents

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Abstract

一種觸控面板，包括：基板，其具有顯示區與周邊區；觸控感應電極，設置於基板的顯示區；腐蝕抑制單元，至少設置於顯示區；周邊線路，設置於基板的周邊區，觸控感應電極電性連接周邊線路；其中，觸控感應電極包括圖案化後的金屬奈米線層的第一部分，周邊線路包括導電層及金屬奈米線層的第二部分，導電層直接接觸金屬奈米線層的第二部分，導電層及金屬奈米線層的第二部分具有共同蝕刻面。

Description

觸控面板及其製作方法
本發明是關於一種觸控面板及其製作方法。
由於透明導體可同時具有光穿透性與適當的導電性，因而可應用於顯示面板或觸控面板相關的裝置中。一般而言，透明導體可以是各種金屬氧化物，例如氧化銦錫（Indium Tin Oxide，ITO）、氧化銦鋅（Indium Zinc Oxide，IZO）、氧化鎘錫（Cadmium Tin Oxide，CTO）或摻鋁氧化鋅（Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO）。然而，這些金屬氧化物薄膜的某些特性已經受到挑戰，例如可撓性不足。在部份情況下，經圖案化的金屬氧化物薄膜也可能有容易被使用者觀察到的問題。因此，現今發展出了多種透明導體，例如利用奈米線等材料所製作的透明導體。
然而利用奈米線製作觸控電極，奈米線與周邊區的金屬引線在製程上及結構上都有許多待解決的問題，例如傳統製程採用的蝕刻液大多為強酸性，故會導致奈米線受到蝕刻液的作用，使產品的光學特性或電特性下降，例如奈米線受到蝕刻液作用造成電阻上升的問題；另外，蝕刻液對於不同材料的蝕刻速率及蝕刻選擇性的問題也需要額外的進行研究方能克服。
再一方面，利用奈米線製作觸控感應電極的製程中，奈米線與周邊區的金屬引線會有接觸阻抗過高的問題。
因此在利用奈米線製作觸控感應電極的製程上、電極結構上必須依照材料特性重新設計，使產品達到較佳的表現。
本發明之部分實施方式，提出了解決前述問題的觸控面板製作方法，其具有高製作效率、線路阻抗低、顯示區之光學及電性特性良好的優勢。
本發明之部分實施方式提出一種觸控面板，包括：基板，其具有顯示區與周邊區；觸控感應電極，設置於基板的顯示區；腐蝕抑制單元，至少設置於顯示區；周邊線路，設置於基板的周邊區，觸控感應電極電性連接周邊線路；其中，觸控感應電極包括圖案化後的金屬奈米線層的第一部分，周邊線路包括導電層及金屬奈米線層的第二部分，導電層直接接觸金屬奈米線層的第二部分，導電層及金屬奈米線層的第二部分具有共同蝕刻面。
於本發明之部分實施方式中，腐蝕抑制單元包括添加於金屬奈米線層的腐蝕抑制劑，觸控感應電極中具有腐蝕抑制劑，周邊線路中具有腐蝕抑制劑。
於本發明之部分實施方式中，金屬奈米線層添加有1%~10%的腐蝕抑制劑。
於本發明之部分實施方式中，更包括一設置於金屬奈米線層上的底塗層，其中腐蝕抑制單元包括添加於底塗層的腐蝕抑制劑。
於本發明之部分實施方式中，腐蝕抑制單元包括一設置於金屬奈米線層上的抗蝕層，觸控感應電極與抗蝕層具有相同圖案。
於本發明之部分實施方式中，抗蝕層為具有圖案的光阻材料，光阻材料成形於顯示區而不成形於周邊區。
於本發明之部分實施方式中，觸控感應電極包括設置於基板的上表面的第一觸控感應電極及設置於基板的下表面的第二觸控感應電極；腐蝕抑制單元包括設置於第一觸控感應電極上的第一抗蝕層及設置於第二觸控感應電極上的第二抗蝕層，第一觸控感應電極與第一抗蝕層具有相同圖案，第二觸控感應電極與第二抗蝕層具有相同圖案。
於本發明之部分實施方式中，第一抗蝕層及第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，第一抗蝕層吸收大於第一曝光源之光線總能量的80%，第二抗蝕層吸收大於第二曝光源之光線總能量的80%。
於本發明之部分實施方式中，第一抗蝕層及第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，第一抗蝕層及第二抗蝕層添加有0.1%~10%的光吸收添加物。
於本發明之部分實施方式中，第一抗蝕層及第二抗蝕層為具有不同光波段吸收特性的光阻。
本發明之部分實施方式提出一種觸控面板的製作方法，包含：提供一基板，該基板具有一顯示區與一周邊區；設置由金屬奈米線所組成之一金屬奈米線層於該基板上；設置一腐蝕抑制單元，其中該腐蝕抑制單元至少位於該顯示區；設置一導電層於該金屬奈米線層上；移除位於該顯示區的該導電層；進行圖案化步驟，包括：圖案化位於該顯示區的該金屬奈米線層以形成一觸控感應電極，並同時圖案化位於該周邊區的該導電層與該金屬奈米線層以形成一周邊線路。
於本發明之部分實施方式中，設置腐蝕抑制單元包括添加腐蝕抑制劑於金屬奈米線層中。
於本發明之部分實施方式中，金屬奈米線層添加有1%~10%的腐蝕抑制劑。
於本發明之部分實施方式中，移除位於顯示區的導電層包括利用一第一蝕刻液將位於顯示區的導電層去除；在移除位於該顯示區的導電層之後，該金屬奈米線層的電阻值變化在10%以下。
根據本發明之部分實施方式，進行一圖案化步驟包括利用一第二蝕刻液蝕刻導電層與金屬奈米線層。
根據本發明之部分實施方式，設置腐蝕抑制單元包括設置具有圖案的抗蝕層於金屬奈米線層上。
根據本發明之部分實施方式，移除位於顯示區的導電層及進行圖案化步驟為利用一蝕刻液同時進行。
於本發明之部分實施方式中，設置由金屬奈米線所組成之金屬奈米線層於基板上包括：在基板的上表面上設置第一金屬奈米線層及在基板的下表面上設置第二金屬奈米線層。
於本發明之部分實施方式中，設置腐蝕抑制單元包括：設置於一具有圖案的第一抗蝕層於該第一金屬奈米線層上及設置一具有圖案的第二抗蝕層於該第二金屬奈米線層上；設置一導電層於該金屬奈米線層上包括：將該導電層分別設置於該第一金屬奈米線層上與該第二金屬奈米線層上。
於本發明之部分實施方式中，移除位於該顯示區的導電層及進行圖案化步驟為利用一蝕刻液同時進行，並利用蝕刻液圖案化位於顯示區的第一金屬奈米線層以形成一第一觸控感應電極，及圖案化位於顯示區的第二金屬奈米線層以形成一第二觸控感應電極，並同時圖案化位於周邊區的導電層、第一金屬奈米線層與第二金屬奈米線層以形成一周邊線路。
於本發明之部分實施方式中，第一抗蝕層及第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，第一抗蝕層吸收大於一第一曝光源之光線總能量的80%，第二抗蝕層吸收大於一第二曝光源之光線總能量的80%。
於本發明之部分實施方式中，第一抗蝕層及第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，第一抗蝕層及第二抗蝕層添加有0.1%~10%的光吸收添加物。
於本發明之部分實施方式中，第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有不同光波段吸收特性的光阻。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
關於本文中所使用之「約」、「大約」或「大致」，一般是指數值之誤差或範圍於百分之二十以內，較好地是於百分之十以內，更佳地是於百分之五以內。文中若無明確說明，所提及的數值皆視為近似值，即具有如「約」、「大約」或「大致」所表示的誤差或範圍。另外，本文所使用的「圖案（pattern）」、「圖形」、「圖樣」所指的均為相同或相似的涵義，而為了方便說明，下文中可能會交互使用，特此說明。
本發明實施例提供一種觸控面板100，其包含基板110、由導電層120A與金屬奈米線層140A所組成的周邊線路120、由金屬奈米線層140A所組成的觸控感應電極TE以及設置在顯示區VA的腐蝕抑制單元。圖1為根據本發明的部分實施方式的觸控面板100的上視示意圖。觸控面板100包含基板110、周邊線路120、觸控感應電極TE以及設置在顯示區VA的腐蝕抑制單元，腐蝕抑制單元包括添加於金屬奈米線層140A中的腐蝕抑制劑；上述的周邊線路120以及觸控感應電極TE的數量可為一或多個，而以下各具體實施例及圖式中所繪製的數量僅為解說之用，並未限制本發明。
請參閱圖1，基板110可具有顯示區VA與周邊區PA，周邊區PA設置於顯示區VA的側邊，例如周邊區PA則可為設置於顯示區VA的四周（即涵蓋右側、左側、上側及下側）的框型區域，但在其他實施例中，周邊區PA可為一設置于顯示區VA的左側及下側的L型區域。又如圖1所示，本實施例共有八組周邊線路120設置於基板110的周邊區PA；觸控感應電極TE設置於基板110的顯示區VA。本實施例藉由一次的蝕刻步驟將周邊區PA的金屬奈米線層140A與導電層120A同時圖案化以形成周邊線路120，並將金屬奈米線層140A設置於導電層120A與基板110之間，使上下兩層材料不須對位就可在預定的位置進行圖案化，故可以達到減少或避免在製程中設置對位誤差區域的需求，藉以降低周邊區PA的寬度，進而達到顯示器的窄邊框需求；也可避免多次對位造成圖案化的錯誤所衍生的製程良率下降的問題。
本實施方式的觸控面板的製作方法包括：提供基板110；設置由金屬奈米線140所組成之金屬奈米線層140A於基板110上；設置腐蝕抑制單元至少位於顯示區VA；設置導電層120A於金屬奈米線層140A上；進行圖案化步驟以形成觸控感應電極TE，並同時形成周邊線路120。本實施方式的觸控面板的製作方法之具體製程為：首先，參考圖2，提供一基板110，於本發明之部分實施方式中，基板110理想上為透明基板，詳細而言，可以為一硬式透明基板或一可撓式透明基板，其材料可以選自玻璃、聚甲基丙烯酸甲酯（polymethylmethacrylate；PMMA）、聚氯乙烯（polyvinyl Chloride；PVC）、聚丙烯（polypropylene；PP）、聚對苯二甲酸乙二醇酯（polyethylene terephthalate；PET）、聚萘二甲酸乙二醇酯（polyethylene naphthalate；PEN）、聚碳酸酯（polycarbonate；PC）、聚苯乙烯（polystyrene；PS）等透明材料。
接著，同樣參考圖2，在基板110上製作一金屬奈米線層140A與導電層120A，金屬奈米線層140A可至少由金屬奈米線140所組成。在本實施例的金屬奈米線層140A之具體作法為：將具有金屬奈米線140之分散液或漿料（ink）以塗佈方法成型於基板110上，並加以乾燥使金屬奈米線140覆著於基板110的表面；換言之，金屬奈米線140會因上述的乾燥固化步驟而成型為一設置於基板110上的金屬奈米線層140A。而基板110上可定義有顯示區VA與周邊區PA（如圖1），周邊區PA設置於顯示區VA的側邊，例如，周邊區PA設置於顯示區VA之左側及右側的區域，但在其他實施例中，周邊區PA則可為設置於顯示區VA之四周（即涵蓋右側、左側、上側及下側）的框型區域，或者為設置於顯示區VA之相鄰兩側的L型區域；而所述的金屬奈米線層140A可包括成型於顯示區VA的第一部分與成型於周邊區PA的第二部分，更詳細的說，在顯示區VA中，金屬奈米線層140A的第一部分可直接成形於基板110的表面上；而在周邊區PA中，金屬奈米線層140A的第二部分可直接成形於基板110的表面上。
在本發明之實施例中，上述具有金屬奈米線140之分散液可為溶劑，如水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑（苯、甲苯、二甲苯等等）；上述分散液亦可包含添加劑、介面活性劑或黏合劑，例如羧甲基纖維素（carboxymethyl cellulose；CMC）、2-羥乙基纖維素（hydroxyethyl Cellulose；HEC）、羥基丙基甲基纖維素（hydroxypropyl methylcellulose；HPMC）、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸鹽、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性劑等等。而所述的金屬奈米線（metal nano-wires）層，例如可為奈米銀線（silver nano-wires）層、奈米金線（gold nano-wires）層或奈米銅線（copper nano-wires）層所構成；更詳細的說，本文所用之「金屬奈米線（metal nano-wires）」係為一集合名詞，其指包含多個元素金屬、金屬合金或金屬化合物（包括金屬氧化物）之金屬線的集合，其中所含金屬奈米線之數量，並不影響本發明所主張的保護範圍；且單一金屬奈米線之至少一個截面尺寸（即截面的直徑）小於500 nm，較佳小於100 nm，且更佳小於50 nm；而本發明所稱之為“線（wire）”的金屬奈米結構，主要具有高的縱橫比，例如介於10至100,000之間，更詳細的說，金屬奈米線之縱橫比（長度：截面之直徑）可大於10，較佳大於50，且更佳大於100；金屬奈米線可以為任何金屬，包括（但不限於）銀、金、銅、鎳及鍍金之銀。而其他用語，諸如絲（silk）、纖維（fiber）、管（tube）等若同樣具有上述的尺寸及高縱橫比，亦為本發明所涵蓋之範疇。
而所述的含有金屬奈米線140之分散液或漿料可以用任何方式成型於基板110之表面，例如但不限於：網版印刷、噴頭塗佈、滾輪塗佈等製程；在一種實施例中，可採用捲對捲（roll to roll）製程將含有金屬奈米線140之分散液或漿料塗佈於連續供應的基板110之表面。而在上述的固化/乾燥步驟之後，溶劑等物質被揮發，而金屬奈米線140以隨機的方式分布於基板110的表面；較佳的，金屬奈米線140會固著於基板110之表面上而不至脫落而形成所述的金屬奈米線層140A，且金屬奈米線140可彼此接觸以提供連續電流路徑，進而形成一導電網路（conductive network）。
於本發明之部分實施方式中，金屬奈米線140可以是奈米銀線（Silver nanowires）或奈米銀纖維（Silver nanofibers），其可以具有平均約20至100奈米的直徑，平均約20至100微米的長度，較佳為平均約20至70奈米的直徑，平均約20至70微米的長度（即縱橫比為1000）。於部分實施方式中，金屬奈米線140的直徑可介於70奈米至80奈米，而長度約8微米。
在本實施例的導電層120A之具體作法為：將金屬材料以適當的製程成型於金屬奈米線層140A上。例如但不限於，將導電性良好的金屬（例如單層的銀、銅、或多層材料，如鉬/鋁/鉬、銅/鎳、鈦/鋁/鈦、鉬/鉻）成型於金屬奈米線層140A上。相似於金屬奈米線層140A，導電層120A可包括成型於顯示區VA的第一部分與成型於周邊區PA的第二部分，而導電層120A的第一部分在後續的製程中被移除，導電層120A的第二部分與金屬奈米線層140A的第二部分在後續的製程中被圖案化而形成周邊線路120。
接著進行第一次圖案化步驟，其主要針對位於顯示區VA的導電層120A進行圖案化，如圖3。本實施例具體可包括以下步驟：先將感光材料（例如光阻）進行曝光/顯影（即熟知的微影製程）定義出圖案以裸露出位於顯示區VA的導電層120A之第一部分；接著，進行蝕刻，將位於顯示區VA的導電層120A之第一部分移除，以使顯示區VA上露出金屬奈米線層140A。
在上述的蝕刻步驟中，為避免用於移除導電層120A的蝕刻液（即第一蝕刻液）對金屬奈米線層140A產生蝕刻造成金屬奈米線層140A電阻上升的問題，本實施例的金屬奈米線層140A中添加有腐蝕抑制劑，腐蝕抑制劑即用以形成腐蝕抑制單元，其分布於顯示區VA及周邊區PA。舉例來說，在金屬奈米線層140A為奈米銀層，導電層120A為銅層的情況下，蝕刻液可用於蝕刻銅，而奈米銀層中添加比例約為1~10%的腐蝕抑制劑，以避免奈米銀層受到銅蝕刻液的影響。在一具體實施例中，銅蝕刻液的主成分為CH3 COOH及NH4 OH，而添加腐蝕抑制劑（主成分為Lithium Salt（20%~50%），其餘為溶劑）於奈米銀層中，可延長奈米銀層被上述銅蝕刻液完全蝕刻的時間。表1顯示不同組成比例的腐蝕抑制劑對奈米銀層被上述銅蝕刻液完全蝕刻的時間。
Figure 107142807-A0304-0001
圖5則顯示添加3%腐蝕抑制劑與未添加的情況下相比，在上述的銅蝕刻步驟之後，奈米銀層的電阻值變化被控制在約10%以下，顯示添加腐蝕抑制劑可降低奈米銀層被銅蝕刻液的影響。若從奈米銀層的電阻值變化來看，未添加腐蝕抑制劑的奈米銀層在蝕刻步驟之後的阻值變化約為添加腐蝕抑制劑的奈米銀層在蝕刻步驟之後的阻值變化的兩倍。在本實施例中，腐蝕抑制劑的濃度為約1%~5%，較佳為約5%，或約3%，或約1%。
在一實施例中，腐蝕抑制劑可混入前述的含有金屬奈米線140之分散液或漿料，故乾燥/固化後的金屬奈米線層140A即包含腐蝕抑制劑。
在一實施例中，可設置一底塗層（overcoat，圖未示）於金屬奈米線層140A上，而腐蝕抑制劑可混入前述的底塗層之聚合物材料中（添加比例可參考前文），再經過固化，使底塗層與金屬奈米線層140A所構成的複合結構層具有上述的抗腐蝕特性。在一實施例中，可將含有腐蝕抑制劑的聚合物或其混和物以塗佈方法成型於金屬奈米線層140A上，所述之聚合物會滲入金屬奈米線140之間而形成填充物，並施以固化步驟以形成底塗層，換言之，金屬奈米線140可視為嵌入底塗層之中。在一具體實施例，固化步驟可為：利用加熱烘烤的方式（溫度在約60℃到約150℃）將上述聚合物或其混和物形成底塗層於金屬奈米線層140A上。本發明並不限定底塗層與金屬奈米線層140A之間的實體結構，例如底塗層與金屬奈米線層140A可為兩層結構的堆疊，或者底塗層與金屬奈米線層140A可相互組合而形成一複合層。優選的，金屬奈米線140為嵌入底塗層之中而形成複合型態，並在後續的製程中被圖案化。
在移除位於顯示區VA的導電層120A步驟之後，接著進行第二次圖案化步驟，其主要針對位於顯示區VA的金屬奈米線層140A進行圖案化以形成觸控感應電極TE，並同時針對位於周邊區PA的導電層120A與金屬奈米線層140A進行圖案化以形成周邊線路120；至此，即可完成本發明實施例的觸控面板100（如圖1）。本實施例具體可包括以下步驟：先將感光材料（例如光阻）進行曝光/顯影（即熟知的微影製程）定義出位於顯示區VA的觸控感應電極TE的圖案以及位於周邊區PA的周邊線路120的圖案；接著，進行蝕刻，以在顯示區VA上製作出由金屬奈米線層140A（即金屬奈米線層140A的第一部分）所構成的觸控感應電極TE（請參考圖1及圖4B），並在周邊區PA上製作出由金屬奈米線層140A（即金屬奈米線層140A的第二部分）與導電層120A（即導電層120A的第二部分）所構成的周邊線路120（請參考圖1、圖4A及圖4B）。
在一實施例中，採用可同時蝕刻金屬奈米線層140A與導電層120A的蝕刻液（即第二蝕刻液），以在同一工序中製作觸控感應電極TE與周邊線路120，因此可以最少的對位次數（例如一次）完成顯示區VA之觸控感應電極TE與周邊區PA的周邊線路120的連接，故可避免傳統多次對位造成的良率不高，也可節省對位製程所需預留的對位公差，使周邊線路120的寬度盡可能的縮減，以滿足顯示器的窄邊框需求。
根據一具體實施例，在金屬奈米線層140A為奈米銀層，導電層120A為銅層的情況下，蝕刻液可用於蝕刻銅與銀，例如蝕刻液的主成分為H3 PO4 （比例為5%~15%）及HNO3 （比例55%~70%），以在同一製程中移除銅材料與銀材料。在另一具體實施例中，可在蝕刻液的主成分之外加入添加物，例如蝕刻選擇比調整劑，以調整蝕刻銅與蝕刻銀的速率；舉例而言，可在主成分為H3 PO4 （比例為5%~15%）及HNO3 （比例55%~70%）中添加5%~10%的Benzotriazole（BTA），以解決銅的過蝕刻問題。
請參考圖1，並配合圖4A及圖4B，本發明實施例的觸控面板100（如圖1），其包含基板110、由導電層120A與金屬奈米線層140A所組成的周邊線路120以及由金屬奈米線層140A所組成觸控感應電極TE，觸控感應電極TE可電性連接周邊線路120，金屬奈米線層140A包括金屬奈米線140及腐蝕抑制劑。換言之，觸控感應電極TE中具有腐蝕抑制劑，周邊線路120亦具有腐蝕抑制劑。
詳細而言，如圖4A及圖4B，本發明的部分實施方式中周邊線路120是由圖案化後的兩層導電結構所組成複合結構層，其包括導電層120A及位於導電層120A與基板110之間的金屬奈米線層140A，金屬奈米線層140A中添加有具有腐蝕抑制劑，構成周邊線路120的導電層120A及金屬奈米線層140A（即金屬奈米線層140A的第二部分）具有共同蝕刻面（co-planar etch-surface）。而觸控感應電極TE為金屬奈米線層140A圖樣化之後所形成，也就是說，金屬奈米線層140A在顯示區VA形成觸控感應電極TE，而在周邊區PA形成周邊線路120的下層結構，故藉由金屬奈米線層140A的導電性，觸控感應電極TE可與周邊線路120達成電性連接以進行訊號的傳輸。
如圖4A及圖4B所示，在周邊區PA中，相鄰周邊線路120之間具有非導電區域136，以電性阻絕相鄰周邊線路120進而避免短路。也就是說，相鄰導電層120A的第一側壁122之間及相鄰金屬奈米線層140A的第二側壁142之間具有非導電區域136，而在本實施例中，非導電區域136為一間隙，以隔絕相鄰周邊線路120。而在一實施例中，可採用前述的蝕刻法製作上述的間隙，故第一側壁122與第二側壁142為一共同蝕刻面，也就是說第一側壁122與第二側壁142是在同一個蝕刻步驟中利用同一蝕刻液所成型；或者也可先蝕刻出第一側壁122，再蝕刻出第二側壁142。在一實施例中，金屬奈米線層140A的第二側壁142會因上述的蝕刻步驟而不會有所述的金屬奈米線存在於其上；再者，導電層120A及金屬奈米線層140A會具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為長直狀等的圖樣，且寬度相同或近似。
如圖4B所示，在顯示區VA中，相鄰觸控感應電極TE之間具有非導電區域136，以電性阻絕相鄰觸控感應電極TE進而避免短路。也就是說，相鄰觸控感應電極TE的側壁之間具有非導電區域136，而在本實施例中，非導電區域136為一間隙，以隔絕相鄰觸控感應電極TE；在一實施例中，可採用上述的蝕刻法製作相鄰觸控感應電極TE之間的間隙。本實施方式中，觸控感應電極TE以非交錯式的排列設置。舉例而言，觸控感應電極TE為沿第一方向D1延伸的長條型電極，彼此並不產生交錯，但於其他實施方式中，觸控感應電極TE可以具有適當的形狀，而不應以此限制本發明的範圍。本實施方式中，觸控感應電極TE採用單層的配置，其中可以透過偵測各個觸控感應電極TE的自身的電容值變化，而得到觸控位置。
在本實施方式中，顯示區VA的觸控感應電極TE較佳地具有導電性與透光性，因此，用來製作觸控感應電極TE的金屬奈米線層140A較佳地具有以下特性：可見光（例如波長介於約400nm-700nm）之光穿透率（Transmission）可大於約80%，且表面電阻率（surface resistance）在約10至1000歐姆/平方（ohm/square）之間；較佳地，金屬奈米線層140A的可見光（例如波長介於約400nm-700nm）之光穿透率（Transmission）大於約85%，且表面電阻率（surface resistance）在約50至500歐姆/平方（ohm/square）之間。
在一實施例中，更具有標記150設置於基板110的周邊區PA，請參考圖1及圖4A。同於周邊線路120，標記150也是藉由金屬奈米線層140A與導電層120A的一次性蝕刻所製作，故標記150包括導電層120A及位於導電層120A與基板110之間的金屬奈米線層140A，金屬奈米線層140A中添加有具有腐蝕抑制劑。此外，構成標記150的金屬奈米線層140A與導電層120A具有相同或近似的圖樣與尺寸，如均為半徑相同或近似的圓形、邊長相同或近似的四邊形等，或其他相同或近似的十字形、L形、T形等的圖樣。標記150可以廣泛的被解讀為不具有電性功能的圖樣，例如標記150可以是任何在製程中所需的檢查記號、圖樣或標號，均為本發明保護之範疇；且標記150可以具有任何可能的形狀，如圓形、四邊形、十字形、L形、T形等等，但不以此為限。在一實施例中，構成標記150的上下兩層結構具有共同蝕刻面。
本發明實施方式提出另一種觸控面板的製作方法，其與前述第一製作方法的差異主要至少在於將腐蝕抑制劑結構化為一實體結構，以保護顯示區VA的觸控感應電極TE不受蝕刻液的影響。具體製程為：首先，參考圖6，在基板110上製作一金屬奈米線層140A，金屬奈米線層140A可至少由金屬奈米線140所組成。金屬奈米線層140A的具體作法可參照前文，在此不予贅述。
接著，在金屬奈米線層140A上製作抗蝕層130作為腐蝕抑制單元，其僅實質地設置於顯示區VA。具體而言，可採用光阻材料作為抗蝕層130，以保護金屬奈米線層140A不受到後續蝕刻製程的影響。在一實施例中，抗蝕層130成形於顯示區VA，以保護顯示區VA的觸控感應電極TE不受蝕刻液的影響。
在一實施例中，可製作具有圖樣的抗蝕層130（或稱腐蝕抑制層），其可保護金屬奈米線層140A不受到後續蝕刻製程的影響，又可達到將圖樣轉移至金屬奈米線層140A的功能。具體步驟如下，請參考圖7及圖7A，將光阻材料塗佈於金屬奈米線層140A上，並利用曝光顯影步驟將光阻材料圖案化形成具有圖樣的抗蝕層130，以覆蓋於金屬奈米線層140A。較佳地，抗蝕層130僅覆蓋於顯示區VA的金屬奈米線層140A，而周邊區PA的抗蝕層130會被黃光製程所移除，而裸露出周邊區PA的金屬奈米線層140A。
接著，製作導電層120A於抗蝕層130與金屬奈米線層140A上，如圖8。導電層120A的具體作法可參照前文，在此不予贅述。在此步驟中，由於周邊區PA的金屬奈米線層140A上並無抗蝕層130，故導電層120A是直接成型並接觸金屬奈米線層140A，故後續所製作的周邊線路120就由直接接觸的金屬奈米線層140A與導電層120A所組成，藉此可形成低阻抗的訊號傳輸線路。
接著，進行圖案化步驟，請參考圖9及圖9A，其主要針對位於顯示區VA的金屬奈米線層140A與導電層120A進行圖案化以形成觸控感應電極TE，並同時針對位於周邊區PA的導電層120A與金屬奈米線層140A進行圖案化以形成周邊線路120。本實施例具體可包括以下步驟：先將感光材料（例如光阻）進行曝光/顯影（即熟知的微影製程）定義出位於周邊區PA的周邊線路120的圖案；接著，進行蝕刻，以在顯示區VA上製作出由金屬奈米線層140A所構成的觸控感應電極TE，而觸控感應電極TE上會具有抗蝕層130；並在周邊區PA上製作出由金屬奈米線層140A與導電層120A所構成的周邊線路120。換言之，由於抗蝕層130可同時扮演抗蝕刻及圖案轉移的效果，本實施例可將前一實施例之兩階段蝕刻利用可同時蝕刻兩種材料之蝕刻液在同一步驟中同時完成。
在一實施例中，圖案化步驟採用可同時蝕刻金屬奈米線層140A與導電層120A的蝕刻液，以在同一工序中製作觸控感應電極TE與周邊線路120，因此可以最少的對位次數（例如一次）完成顯示區VA之觸控感應電極TE與周邊區PA的周邊線路120的連接，故可避免傳統多次對位造成的良率不高，也可節省對位製程所需預留的對位公差，使周邊線路120的寬度盡可能的縮減，以滿足顯示器的窄邊框需求。
根據一具體實施例，在金屬奈米線層140A為奈米銀層，導電層120A為銅層的情況下，蝕刻液可用於蝕刻銅與銀，例如蝕刻液的主成分為H3 PO4 （比例為5%~15%）及HNO3 （比例55%~70%）。在另一具體實施例中，可在蝕刻液的主成分之外加入添加物，例如蝕刻選擇比調整劑，以調整蝕刻銅與蝕刻銀的速率；舉例而言，可在主成分為H3 PO4 （比例為5%~15%）及HNO3 （比例55%~70%）中添加5%~10%的Benzotriazole（BTA），以解決銅的過蝕刻問題。
至此，即可完成本發明實施例的觸控面板100（如圖9），其包含基板110、由導電層120A與金屬奈米線層140A所組成的周邊線路120以及由金屬奈米線層140A所組成觸控感應電極TE，觸控感應電極TE可電性連接周邊線路120，腐蝕抑制單元包括觸控感應電極TE上成形的抗蝕層130，請參考圖9A。換言之，本實施例與前述實施例的差異主要至少在於觸控感應電極TE中的腐蝕抑制劑被結構化而形成抗蝕層130，以保護觸控感應電極TE不受蝕刻液的影響。
在一實施例中，抗蝕層130與觸控感應電極TE具有相同或近似的圖樣與尺寸。
本發明實施方式另提出一種雙面觸控電極的製作方法，其具體製程為：如圖10，在基板110的第一表面（如上表面）及第二表面（如下表面）上分別製作金屬奈米線層140A及抗蝕層130，此步驟可參考前文，在此不予贅述。為了方便說明，在基板110上表面的抗蝕層130命名為第一抗蝕層130A，而在基板110下表面的抗蝕層130命名為第二抗蝕層130B。
接著，製作具有圖樣的第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B，其可保護金屬奈米線層140A不受到後續蝕刻製程的影響，又可達到將圖樣轉移至金屬奈米線層140A的功能。具體步驟如下，將光阻材料塗佈於基板110上表面及下表面的金屬奈米線層140A上，並利用曝光顯影步驟將光阻材料圖案化形成具有圖樣的抗蝕層130，以覆蓋於金屬奈米線層140A（請參考圖11）。較佳地，第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B僅覆蓋於顯示區VA的金屬奈米線層140A，而周邊區PA的第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B會被黃光製程所移除，而裸露出周邊區PA的金屬奈米線層140A。
本實施例採用雙面（double-sided）黃光微影製程進行第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B的圖案化。本實施例具體可包括以下步驟：進行雙面曝光（double-sided exposure），將第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B進行曝光定義出保留區與去除區；接著，進行雙面顯影，將位於去除區之第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B移除，以形成第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B的圖案化。
第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B可先、後進行曝光或同時進行曝光。上述的雙面曝光步驟，具體可採用兩個光源針對第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B進行曝光，使用曝光源（如UV光）將光罩之圖樣轉移至第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B上，以定義出所述的去除區與保留區。為了避免兩個光源相互影響，可採用但不限於以下的做法。
在基板110上下分別設置曝光源（如第一曝光源與第二曝光源），且兩者為相同波段的光源，例如均為G-line或均為I-line的UV光源，第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B亦選用具有相同光波段吸收特性的光阻，例如兩者均為對G-line或均為對I-line的UV光源感光的光阻，且光阻中另外加入光吸收成分，添加濃度為約0.1%~10%，例如針對UV光源加入UV光吸收添加物於第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B中，藉此，上方曝光源針對第一抗蝕層130A進行曝光時，上方曝光源所提供的光能量被第一抗蝕層130A大幅吸收（例如大於約80%），故不會有足夠的能量影響到第二抗蝕層130B；相似的，下方曝光源針對第二抗蝕層130B進行曝光時，下方曝光源所提供的光能量被第二抗蝕層130B大幅吸收（例如大於約80%），故不會有足夠的能量影響到第一抗蝕層130A。因此，第一抗蝕層130A與第二抗蝕層130B可同時進行曝光步驟，且不會相互影響彼此的圖案化。舉例而言，曝光源可採用I-line的UV光源進行上述的雙面曝光製程，並於第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B加入主要成分為：Octyl-3-[3-tert-butyl-4-hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazole-2-yl)phenyl]propionate、2-Ethylhexyl-3-[3-tert-butyl-4-hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazole-2-yl)phenyl]propionate；結構式為：
Figure 02_image001
的UV光吸收添加物，以使I-line的UV光對抗蝕層的穿透率（light transmission）在約30%以下，較佳為約20%以下，或約10%以下，或約5%以下。在本實施例中，UV光吸收添加物的濃度為約1%~3%，較佳為約3%，或約2%，或約1%。
在一變化實施例中，同樣在基板110上方與下方分別設置相同波段的曝光源，而在第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B的材料選擇上選用對UV光有較高吸收率（例如大於約80%光線總能量被吸收）的光阻，以避免第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B的曝光相互影響。在又一變化實施例中，可調整上下曝光源的參數，如功率、曝光能量等，以達到避免第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B的曝光相互影響的效果。
在一變化實施例中，雙面曝光步驟可在基板110上下分別設置不同波段的曝光源，例如一曝光源為G-line的UV光源而另一曝光源為I-line的UV光源，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B則分別選用具有對應上述光源的光波段吸收特性之光阻，例如兩者之一為對G-line的UV光源感光的光阻，兩者另一為對I-line的UV光源感光的光阻；藉此，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B可各自對特定波長的光源產生光化學反應，並達到避免第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B的曝光相互影響的效果。本實施例亦可搭配上述的光吸收添加物，在此不再贅述。
在上述的雙面曝光步驟之後，進行雙面顯影步驟，利用第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B被顯影液浸泡而使兩者具有圖案化。在一實施例中，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B為具負感光性的光阻，故去除區為未曝光區域；保留區為曝光區域；可使用適當的顯影液去除上述位於去除區之第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B，具體可採用氫氧化四甲基銨（Tetramethylammonium hydroxide，TMAH）、二甲苯（xylene，C6 H4 (CH3 )2 ）、乙酸丁酯或芳族烴溶劑等等去除上述位於去除區之第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B以達到上述顯影的製程。在一實施例中，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B為具正感光性的光阻，故去除區為曝光區域；保留區為未曝光區域；可使用適當的顯影液去除上述位於去除區之第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B，具體可採用鹼性溶液（如KOH、Na2 CO3 等）等等去除上述位於去除區之第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B以達到上述顯影的製程。
由於第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B具有相同的感光性，因此上述的顯影製程可雙面同時進行。
在一實施例中，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B可選用不同感光性的光阻，例如一者為負型光阻，另一為正型光阻。
接著，如圖12，在基板110的雙面分別製作導電層120A。
接著，進行圖案化步驟。本實施例的圖案化步驟具體可包括以下步驟：先將感光材料（例如光阻）進行曝光/顯影（例如上述的雙面黃光製程）定義出位於周邊區PA的周邊線路120的圖案；接著，利用可同時蝕刻金屬奈米線層140A與導電層120A的蝕刻液進行蝕刻（可參考前文蝕刻液組成及相關說明），以在顯示區VA上製作出由金屬奈米線層140A所構成的第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2，而第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2上分別會具有第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B；並在周邊區PA上製作出由金屬奈米線層140A與導電層120A所構成的周邊線路120。以上步驟均可參考前文，在此不再贅述。
請參考圖13至圖13B。請配合圖13A所顯示的剖視圖，從基板110的上表面觀之，蝕刻反應可詳述如下：在顯示區VA中，首先導電層120A被蝕刻液移除，接著金屬奈米線層140A則依照第一抗蝕層130A的圖樣進行蝕刻以達圖案化，進而形成第一觸控感應電極TE1；同時在周邊區PA中，使用另一圖案化的光阻（圖未示）將位於周邊區PA的導電層120A與金屬奈米線層140A進行蝕刻以達圖案化，進而形成周邊線路120，且周邊線路120連接第一觸控感應電極TE1。在一實施例中，第一觸控感應電極TE1大致位於顯示區VA，其可包含多個沿同一方向（如第一方向D1）延伸的長直條狀的感應電極，而蝕刻去除區則可被定義為非導電區域136，以電性阻絕相鄰的感應電極。而每一感應電極上均具有第一抗蝕層130A以阻絕蝕刻液對金屬奈米線層140A的影響。第一觸控感應電極TE1與第一抗蝕層130A具有對應的圖樣；在一實施例中，第一觸控感應電極TE1與第一抗蝕層130A具有實質相同的圖樣，如上述的長直條狀，而第一觸控感應電極TE1與第一抗蝕層130A具有相互對齊的側邊或側面（即共同蝕刻面）。
相似的，請配合圖13B所顯示之圖13的剖視圖，從基板110的下表面觀之，蝕刻反應可詳述如下：在顯示區VA中，首先導電層120A被蝕刻液移除，接著金屬奈米線層140A則依照第二抗蝕層130B的圖樣進行蝕刻以達圖案化，進而形成第二觸控感應電極TE2；同時在周邊區PA中，使用另一圖案化的光阻（圖未示）將位於周邊區PA的導電層120A與金屬奈米線層140A進行蝕刻以達圖案化，進而形成周邊線路120，且周邊線路120連接第二觸控感應電極TE2。在一實施例中，第二觸控感應電極TE2大致位於顯示區VA，其可包含多個沿同一方向（如第二方向D2）延伸的長直條狀的感應電極，而去除區則可被定義為非導電區域136，以電性阻絕相鄰的感應電極。每一感應電極上均具有第二抗蝕層130B以阻絕蝕刻液對金屬奈米線層140A的影響。第二觸控感應電極TE2與第二抗蝕層130B具有對應的圖樣，在一實施例中，第二觸控感應電極TE2與第二抗蝕層130B具有實質相同的圖樣，如上述的長直條狀，第二觸控感應電極TE2與第二抗蝕層130B具有相互對齊的側邊（即共同蝕刻面）。
第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2在結構上相互交錯，兩者可組成觸控感應電極TE，以用感應觸碰或控制手勢等。
至此，即可完成本發明實施例的觸控面板100（如圖13），其包含基板110、可包括在基板110之上下表面所形成的觸控感應電極TE（即金屬奈米線140所形成的第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2）及在基板110之上下表面所形成的周邊線路120；以基板110之上表面觀之，顯示區VA的第一觸控感應電極TE1與周邊區PA之周邊線路120會彼此電性連接以傳遞訊號；類似的，以基板110之下表面觀之，顯示區VA的第二觸控感應電極TE2與周邊區PA之周邊線路120會彼此電性連接以傳遞訊號。周邊線路120由導電層120A與金屬奈米線層140A所組成，而第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2上分別會具有第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B。換言之，本實施例與前述實施例的差異主要至少在於將腐蝕抑制劑被結構化而在基板110之上下表面形成第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B，以在製作雙面觸控電極的製程中保護觸控感應電極TE（即第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2）不受蝕刻液的影響；再者，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B具有圖樣，可用於進行基板110之上下表面的金屬奈米線層140A的圖樣化步驟。
在一實施例中，如圖13B所示，周邊線路120大致位於周邊區PA，而周邊線路120的導電層120A的一部分會搭接於觸控感應電極TE（如第一觸控感應電極TE1）上。
在一實施例中，第一抗蝕層130A及第二抗蝕層130B為具有圖樣的光阻材料，其實質成形於顯示區VA而不成形於周邊區PA，以裸露出周邊區PA的金屬奈米線層140A，使周邊區PA的金屬奈米線層140A可與導電層120A形成直接接觸的態樣，故可達到低阻抗之訊號傳輸途徑。
較佳地，所形成之金屬奈米線140可進一步進行後處理以提高其導電度，此後處理可為包括如加熱、電漿、電暈放電、UV臭氧或壓力之過程步驟。例如，在固化形成金屬奈米線層140A之步驟後，可利用滾輪施加壓力於其上，在一實施例中，可藉由一或多個滾輪向金屬奈米線層140A施加50至3400 psi之壓力，較佳為可施加100至1000 psi、200至800 psi或300至500 psi之壓力。於部分實施方式中，可同時進行加熱與壓力之後處理；詳言之，所形成之金屬奈米線140可經由如上文所述之一或多個滾輪施加壓力，並同時加熱，例如由滾輪施加之壓力為10至500 psi，較佳為40至100 psi；同時將滾輪加熱至約70℃與200℃之間，較佳至約100℃與175℃之間，其可提高金屬奈米線層140A之導電度。於部分實施方式中，金屬奈米線140較佳可暴露於還原劑中進行後處理，例如由奈米銀線組成之金屬奈米線140較佳可暴露於銀還原劑中進行後處理，銀還原劑包括硼氫化物，如硼氫化鈉；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷（DMAB）；或氣體還原劑，諸如氫氣（H2）。而所述的暴露時間約10秒至約30分鐘，較佳約1分鐘至約10分鐘。而上述施加壓力之步驟可依實際的需求實施在適當的步驟中。
本發明的不同實施例的結構、材料、製程可相互引用，並不為上述各具體實施方式的限制。
本發明之部分實施方式中，在周邊區的導電層可直接與金屬奈米線層直接接觸而形成周邊線路，因此，整體來說，由於金屬奈米線層中的金屬奈米線與周邊線路會形成一種直接接觸且低阻抗的訊號傳遞路徑，其用於傳輸觸控感應電極與外部控制器之間的控制訊號及觸控感應訊號，而由於其低阻抗之特性，實有助於降低訊號傳輸的耗損，從而解決傳統結構中接觸阻抗過高的問題。
本發明之部分實施方式中，可形成一低阻抗之周邊導電線路，以提升觸控訊號之傳輸能力，進而減少傳遞觸控訊號的損耗及失真。
本發明之部分實施方式中，周邊線路之複合結構層能在單一次的蝕刻製程中形成，故應用於觸控面板之製造，可簡化周邊線路之圖案化製程，進而具備製程簡單、快速、低製造成本之效。
本發明之部分實施方式中，周邊線路之複合結構層能在單一次的蝕刻製程中形成，故可降低製程中所需的對位次數，進而避免對位步驟中產生的錯誤，以提升製程良率。
本發明之部分實施方式中，周邊線路之複合結構層能在單一次的蝕刻製程中形成，故可節省製程中所預留的對位誤差空間，故可有效降低周邊區的寬度。
本發明之部分實施方式中，透過添加腐蝕抑制劑（inhibitor）方式可在圖案化的同時保護顯示區的觸控電極，故可降低蝕刻液對觸控電極在光學表現、電性上的影響。
本發明之部分實施方式中，透過將具有抗腐蝕功能的結構層直接成型在金屬奈米線層上，可在圖案化的同時保護顯示區的觸控電極，故可降低蝕刻液對觸控電極在光學表現、電性上的影響。
本發明之部分實施方式中，所述的製程可結合卷對卷生產技術，進行連續式、大量批次進行單面/雙面電極結構的觸控面板之製作。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
100‧‧‧觸控面板110‧‧‧基板120‧‧‧周邊線路120A‧‧‧導電層122‧‧‧第一側壁130‧‧‧抗蝕層130A‧‧‧第一抗蝕層130B‧‧‧第二抗蝕層136‧‧‧非導電區域140‧‧‧金屬奈米線140A‧‧‧金屬奈米線層142‧‧‧第二側壁150‧‧‧標記D1‧‧‧第一方向D2‧‧‧第二方向PA‧‧‧周邊區TE‧‧‧觸控感應電極TE1‧‧‧第一觸控感應電極TE2‧‧‧第二觸控感應電極VA‧‧‧顯示區
圖1為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的示意圖。 圖2為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第一步驟示意圖。 圖3為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第二步驟示意圖。 圖4A為沿圖1的線4A-4A之剖面示意圖。 圖4B為沿圖1的線4B-4B之剖面示意圖。 圖5為根據本發明之部分實施方式中添加腐蝕抑制劑與未添加的情況下，奈米銀層的電阻值變化趨勢圖。 圖6為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第一步驟示意圖。 圖7為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第二步驟示意圖。 圖7A為沿圖7的線7A-7A之剖面示意圖。 圖8為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第三步驟示意圖。 圖9為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的示意圖。 圖9A為沿圖9的線9A-9A之剖面示意圖。 圖10為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第一步驟示意圖。 圖11為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第二步驟示意圖。 圖12為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的第三步驟示意圖。 圖13為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的示意圖。 圖13A為沿圖13的線13A-13A之剖面示意圖。 圖13B為沿圖13的線13B-13B之剖面示意圖。
100‧‧‧觸控面板
110‧‧‧基板
120‧‧‧周邊線路
136‧‧‧非導電區域
140A‧‧‧金屬奈米線層
150‧‧‧標記
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
PA‧‧‧周邊區
TE‧‧‧觸控感應電極
VA‧‧‧顯示區

Claims (23)

  1. 一種觸控面板，包含： 一基板，其中該基板具有一顯示區與一周邊區； 一觸控感應電極，設置於該基板的該顯示區； 一腐蝕抑制單元，該腐蝕抑制單元至少設置於該顯示區；以及 一周邊線路，設置於該基板的該周邊區，該觸控感應電極電性連接該周邊線路； 其中，該觸控感應電極包括圖案化後的一金屬奈米線層的一第一部分，該周邊線路包括一導電層及該金屬奈米線層的一第二部分，該導電層直接接觸該金屬奈米線層的該第二部分，該導電層及該金屬奈米線層的該第二部分具有共同蝕刻面。
  2. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該腐蝕抑制單元包括添加於該金屬奈米線層的腐蝕抑制劑，該觸控感應電極中具有該腐蝕抑制劑，該周邊線路中具有該腐蝕抑制劑。
  3. 如申請專利範圍第2項所述之觸控面板，其中該金屬奈米線層添加有1%~10%的該腐蝕抑制劑。
  4. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，更包括一設置於該金屬奈米線層上的底塗層，其中該腐蝕抑制單元包括添加於該底塗層的腐蝕抑制劑。
  5. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該腐蝕抑制單元包括一設置於該金屬奈米線層上的抗蝕層，該觸控感應電極與該抗蝕層具有相同圖案。
  6. 如申請專利範圍第5項所述之觸控面板，其中該抗蝕層為一具有圖案的光阻材料，該光阻材料成形於該顯示區而不成形於該周邊區。
  7. 如申請專利範圍第1項所述之觸控面板，其中該觸控感應電極包括一設置於該基板的上表面的第一觸控感應電極及一設置於該基板的下表面的第二觸控感應電極；該腐蝕抑制單元包括一設置於該第一觸控感應電極上的第一抗蝕層及一設置於該第二觸控感應電極上的第二抗蝕層，該第一觸控感應電極與該第一抗蝕層具有相同圖案，該第二觸控感應電極與該第二抗蝕層具有相同圖案。
  8. 如申請專利範圍第7項所述之觸控面板，其中該第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，該第一抗蝕層吸收大於一第一曝光源之光線總能量的80%，該第二抗蝕層吸收大於一第二曝光源之光線總能量的80%。
  9. 如申請專利範圍第7項所述之觸控面板，其中該第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，該第一抗蝕層及該第二抗蝕層添加有0.1%~10%的光吸收添加物。
  10. 如申請專利範圍第7項所述之觸控面板，其中該第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有不同光波段吸收特性的光阻。
  11. 一種觸控面板的製作方法，包括： 提供一基板，該基板具有一顯示區與一周邊區； 設置由金屬奈米線所組成之一金屬奈米線層於該基板上； 設置一腐蝕抑制單元，其中該腐蝕抑制單元至少位於該顯示區； 設置一導電層於該金屬奈米線層上； 移除位於該顯示區的該導電層；以及 進行圖案化步驟，包括：圖案化位於該顯示區的該金屬奈米線層以形成一觸控感應電極，並同時圖案化位於該周邊區的該導電層與該金屬奈米線層以形成一周邊線路。
  12. 如申請專利範圍第11項所述之觸控面板的製作方法，其中該設置腐蝕抑制單元包括添加腐蝕抑制劑於該金屬奈米線層中。
  13. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板的製作方法，其中該金屬奈米線層添加有1%~10%的該腐蝕抑制劑。
  14. 如申請專利範圍第12項所述之觸控面板的製作方法，其中該移除位於該顯示區的該導電層包括利用一第一蝕刻液將位於該顯示區的該導電層去除；在該移除位於該顯示區的該導電層之後，該金屬奈米線層的電阻值變化在10%以下。
  15. 如申請專利範圍第14項所述之觸控面板的製作方法，其中該進行一圖案化步驟包括利用一第二蝕刻液蝕刻該導電層與該金屬奈米線層。
  16. 如申請專利範圍第11項所述之觸控面板的製作方法，其中該設置腐蝕抑制單元包括設置一具有圖案的抗蝕層於該金屬奈米線層上。
  17. 如申請專利範圍第16項所述之觸控面板的製作方法，其中該移除位於該顯示區的該導電層及該進行圖案化步驟為利用一蝕刻液同時進行。
  18. 如申請專利範圍第11項所述之觸控面板的製作方法，其中該設置由金屬奈米線所組成之金屬奈米線層於該基板上包括： 在該基板的上表面上設置一第一金屬奈米線層及在該基板的下表面上設置一第二金屬奈米線層。
  19. 如申請專利範圍第18項所述之觸控面板的製作方法，其中該設置一腐蝕抑制單元包括： 設置於一具有圖案的第一抗蝕層於該第一金屬奈米線層上及設置一具有圖案的第二抗蝕層於該第二金屬奈米線層上； 設置一導電層於該金屬奈米線層上包括：將該導電層分別設置於該第一金屬奈米線層上與該第二金屬奈米線層上。
  20. 如申請專利範圍第19項所述之觸控面板的製作方法，其中該移除位於該顯示區的該導電層及該進行圖案化步驟為利用一蝕刻液同時進行，並利用該蝕刻液圖案化位於該顯示區的該第一金屬奈米線層以形成一第一觸控感應電極，及圖案化位於該顯示區的該第二金屬奈米線層以形成一第二觸控感應電極，並同時圖案化位於該周邊區的該導電層、該第一金屬奈米線層與該第二金屬奈米線層以形成一周邊線路。
  21. 如申請專利範圍第20項所述之觸控面板的製作方法，其中該第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，該第一抗蝕層吸收大於一第一曝光源之光線總能量的80%，該第二抗蝕層吸收大於一第二曝光源之光線總能量的80%。
  22. 如申請專利範圍第20項所述之觸控面板的製作方法，其中該第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有相同光波段吸收特性的光阻，該第一抗蝕層及該第二抗蝕層添加有0.1%~10%的光吸收添加物。
  23. 如申請專利範圍第20項所述之觸控面板的製作方法，其中該第一抗蝕層及該第二抗蝕層為具有不同光波段吸收特性的光阻。
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