CN110609631A - 触控面板及其制作方法 - Google Patents

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Abstract

本发明公开一种触控面板及其制作方法，触控面板包括：基板，其具有显示区与周边区；触控感应电极，设置于基板的显示区；腐蚀抑制单元，至少设置于显示区；周边线路，设置于基板的周边区，触控感应电极电性连接周边线路；其中，触控感应电极包括图案化后的金属纳米线层的第一部分，周边线路包括导电层及金属纳米线层的第二部分，导电层直接接触金属纳米线层的第二部分，导电层及金属纳米线层的第二部分具有共同蚀刻面。本发明具有高制作效率、线路阻抗低、显示区的光学及电性特性良好的优势。

Description

触控面板及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种触控面板及其制作方法。
背景技术
由于透明导体可同时具有光穿透性与适当的导电性，因而可应用于显示面板或触控面板相关的装置中。一般而言，透明导体可以是各种金属氧化物，例如氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化镉锡(Cadmium Tin Oxide，CTO)或掺铝氧化锌(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)。然而，这些金属氧化物薄膜的某些特性已经受到挑战，例如可挠性不足。在部分情况下，经图案化的金属氧化物薄膜也可能有容易被使用者观察到的问题。因此，现今发展出了多种透明导体，例如利用纳米线等材料所制作的透明导体。
然而利用纳米线制作触控电极，纳米线与周边区的金属引线在工艺上及结构上都有许多待解决的问题，例如传统工艺采用的蚀刻液大多为强酸性，故会导致纳米线受到蚀刻液的作用，使产品的光学特性或电特性下降，例如纳米线受到蚀刻液作用造成电阻上升的问题；另外，蚀刻液对于不同材料的蚀刻速率及蚀刻选择性的问题也需要额外的进行研究方能克服。
再一方面，利用纳米线制作触控感应电极的工艺中，纳米线与周边区的金属引线会有接触阻抗过高的问题。
因此在利用纳米线制作触控感应电极的工艺上、电极结构上必须依照材料特性重新设计，使产品达到较佳的表现。
发明内容
本发明的部分实施方式，提出了解决前述问题的触控面板制作方法，其具有高制作效率、线路阻抗低、显示区的光学及电性特性良好的优势。
本发明的部分实施方式提出一种触控面板，包括：基板，其具有显示区与周边区；触控感应电极，设置于基板的显示区；腐蚀抑制单元，至少设置于显示区；周边线路，设置于基板的周边区，触控感应电极电性连接周边线路；其中，触控感应电极包括图案化后的金属纳米线层的第一部分，周边线路包括导电层及金属纳米线层的第二部分，导电层直接接触金属纳米线层的第二部分，导电层及金属纳米线层的第二部分具有共同蚀刻面。
于本发明的部分实施方式中，腐蚀抑制单元包括添加于金属纳米线层的腐蚀抑制剂，触控感应电极中具有腐蚀抑制剂，周边线路中具有腐蚀抑制剂。
于本发明的部分实施方式中，金属纳米线层添加有1％～10％的腐蚀抑制剂。
于本发明的部分实施方式中，更包括一设置于金属纳米线层上的底涂层，其中腐蚀抑制单元包括添加于底涂层的腐蚀抑制剂。
于本发明的部分实施方式中，腐蚀抑制单元包括一设置于金属纳米线层上的抗蚀层，触控感应电极与抗蚀层具有相同图案。
于本发明的部分实施方式中，抗蚀层为具有图案的光刻胶材料，光刻胶材料成形于显示区而不成形于周边区。
于本发明的部分实施方式中，触控感应电极包括设置于基板的上表面的第一触控感应电极及设置于基板的下表面的第二触控感应电极；腐蚀抑制单元包括设置于第一触控感应电极上的第一抗蚀层及设置于第二触控感应电极上的第二抗蚀层，第一触控感应电极与第一抗蚀层具有相同图案，第二触控感应电极与第二抗蚀层具有相同图案。
于本发明的部分实施方式中，第一抗蚀层及第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，第一抗蚀层吸收大于第一曝光源的光线总能量的80％，第二抗蚀层吸收大于第二曝光源的光线总能量的80％。
于本发明的部分实施方式中，第一抗蚀层及第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，第一感光层及第二感光层添加有0.1％～10％的光吸收添加物。
于本发明的部分实施方式中，第一抗蚀层及第二抗蚀层为具有不同光波段吸收特性的光刻胶。
本发明的部分实施方式提出一种触控面板的制作方法，包含：提供一基板，该基板具有一显示区与一周边区；设置由金属纳米线所组成的一金属纳米线层于该基板上；设置一腐蚀抑制单元，其中该腐蚀抑制单元至少位于该显示区；设置一导电层于该金属纳米线层上；移除位于该显示区的该导电层；进行图案化步骤，包括：图案化位于该显示区的该金属纳米线层以形成一触控感应电极，并同时图案化位于该周边区的该导电层与该金属纳米线层以形成一周边线路。
于本发明的部分实施方式中，设置腐蚀抑制单元包括添加腐蚀抑制剂于金属纳米线层中。
于本发明的部分实施方式中，金属纳米线层添加有1％～10％的该腐蚀抑制剂。
于本发明的部分实施方式中，移除位于显示区的导电层包括利用一第一蚀刻液将位于显示区的导电层去除；在移除位于该显示区的导电层之后，该金属纳米线层的电阻值变化在10％以下。
根据本发明的部分实施方式，进行一图案化步骤包括利用一第二蚀刻液蚀刻导电层与金属纳米线层。
根据本发明的部分实施方式，设置腐蚀抑制单元包括设置具有图案的抗蚀层于金属纳米线层上。
根据本发明的部分实施方式，移除位于显示区的该导电层及进行图案化步骤为利用一蚀刻液同时进行。
于本发明的部分实施方式中，设置由金属纳米线所组成的金属纳米线层于基板上包括：在基板的上表面上设置第一金属纳米线层及在基板的下表面上设置第二金属纳米线层。
于本发明的部分实施方式中，设置腐蚀抑制单元包括：设置于一第一抗蚀层于该第一触控感应电极上及设置一第二抗蚀层于该第二触控感应电极上。
于本发明的部分实施方式中，设置腐蚀抑制单元包括：设置于一具有图案的第一抗蚀层于该第一金属纳米线层上及设置一具有图案的第二抗蚀层于该第二金属纳米线层上；设置一导电层于该金属纳米线层上包括：将该导电层分别设置于该第一金属纳米线层上与该第二金属纳米线层上。
于本发明的部分实施方式中，该移除位于该显示区的该导电层及该进行图案化步骤为利用一蚀刻液同时进行，并利用该蚀刻液图案化位于该显示区的该第一金属纳米线层以形成一第一触控感应电极，及图案化位于该显示区的该第二金属纳米线层以形成一第二触控感应电极，并同时图案化位于该周边区的该导电层、该第一金属纳米线层与该第二金属纳米线层以形成一周边线路。
于本发明的部分实施方式中，第一抗蚀层及第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，第一抗蚀层吸收大于一第一曝光源的光线总能量的80％，第二抗蚀层吸收大于一第二曝光源的光线总能量的80％。
于本发明的部分实施方式中，第一抗蚀层及第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，第一感光层及第二感光层添加有0.1％～10％的光吸收添加物。
于本发明的部分实施方式中，第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有不同光波段吸收特性的光刻胶。
以下结合附图和具体实施例对本发明进行详细描述，但不作为对本发明的限定。
附图说明
图1为根据本发明的部分实施方式的触控面板的示意图。
图2为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第一步骤示意图。
图3为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第二步骤示意图。
图4A为沿图1的线4A-4A的剖面示意图。
图4B为沿图1的线4B-4B的剖面示意图。
图5为根据本发明的部分实施方式中添加腐蚀抑制剂与未添加的情况下，纳米银层的电阻值变化趋势图。
图6为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第一步骤示意图。
图7为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第二步骤示意图。
图7A为沿图7的线7A-7A的剖面示意图。
图8为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第三步骤示意图。
图9为根据本发明的部分实施方式的触控面板的示意图。
图9A为沿图9的线9A-9A的剖面示意图。
图10为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第一步骤示意图。
图11为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第二步骤示意图。
图12为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法的第三步骤示意图。
图13为根据本发明的部分实施方式的触控面板的示意图。
图13A为沿图13的线13A-13A的剖面示意图。
图13B为沿图13的线13B-13B的剖面示意图。
其中，附图标记：
110：基板 TE 1：第一触控感应电极
120A：导电层 TE2：第二触控感应电极
120：周边线路 D1：第一方向
130：抗蚀层 D2：第二方向
130A：第一抗蚀层 150：标记
130B：第二抗蚀层 140A：金属纳米线层
136：非导电区域 140：金属纳米线
VA：显示区 100：触控面板
PA：周边区
TE：触控感应电极
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些现有惯用的结构与元件在图式中将以简单示意的方式为之。
关于本文中所使用的「约」、「大约」或「大致」，一般是指数值的误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明，所提及的数值皆视为近似值，即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。另外，本文所使用的「图案(pattern)」、「图形」、「图样」所指的均为相同或相似的涵义，而为了方便说明，下文中可能会交互使用，特此说明。
本发明实施例提供一种触控面板100，其包含基板110、由导电层120A与金属纳米线层140A所组成的周边线路120、由金属纳米线层140A所组成的触控感应电极TE以及设置在显示区VA的腐蚀抑制单元。图1为根据本发明的部分实施方式的触控面板100的上视示意图。触控面板100包含基板110、周边线路120、触控感应电极TE以及设置在显示区VA的腐蚀抑制单元，腐蚀抑制单元包括添加于金属纳米线层140A中的腐蚀抑制剂；上述的周边线路120以及触控感应电极TE的数量可为一或多个，而以下各具体实施例及图式中所绘制的数量仅为解说之用，并未限制本发明。
请参阅图1，基板110可具有显示区VA与周边区PA，周边区PA设置于显示区VA的侧边，例如周边区PA则可为设置于显示区VA的四周(即涵盖右侧、左侧、上侧及下侧)的框型区域，但在其他实施例中，周边区PA可为一设置于显示区VA的左侧及下侧的L型区域。又如图1所示，本实施例共有八组周边线路120设置于基板110的周边区PA；触控感应电极TE设置于基板110的显示区VA。本实施例借由一次的蚀刻步骤将周边区PA的金属纳米线层140A与导电层120A同时图案化以形成周边线路120，并将金属纳米线层140A设置于导电层120A与基板110之间，使上下两层材料不须对位就可在预定的位置进行图案化，故可以达到减少或避免在工艺中设置对位误差区域的需求，借以降低周边区PA的宽度，进而达到显示器的窄边框需求；也可避免多次对位造成图案化的错误所衍生的工艺良率下降的问题。
本实施方式的触控面板的制作方法包括：提供基板110；设置由金属纳米线140所组成的金属纳米线层140A于基板110上；设置腐蚀抑制单元至少位于显示区VA；设置导电层120A于金属纳米线层140A上；进行图案化步骤以形成触控感应电极TE，并同时形成周边线路120。本实施方式的触控面板的制作方法的具体工艺为：首先，参考图2，提供一基板110，于本发明的部分实施方式中，基板110理想上为透明基板，详细而言，可以为一硬式透明基板或一可挠式透明基板，其材料可以选自玻璃、压克力(polymethylmethacrylate；PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride；PVC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate；PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚苯乙烯(polystyrene；PS)等透明材料。
接着，同样参考图2，在基板110上制作一金属纳米线层140A与导电层120A，金属纳米线层140A可至少由金属纳米线140所组成。在本实施例的金属纳米线层140A的具体作法为：将具有金属纳米线140的分散液或浆料(ink)以涂布方法成型于基板110上，并加以干燥使金属纳米线140覆着于基板110的表面；换言之，金属纳米线140会因上述的干燥固化步骤而成型为一设置于基板110上的金属纳米线层140A。而基板110上可定义有显示区VA与周边区PA(如图1)，周边区PA设置于显示区VA的侧边，例如，周边区PA设置于显示区VA的左侧及右侧的区域，但在其他实施例中，周边区PA则可为设置于显示区VA的四周(即涵盖右侧、左侧、上侧及下侧)的框型区域，或者为设置于显示区VA的相邻两侧的L型区域；而所述的金属纳米线层140A可包括成型于显示区VA的第一部分与成型于周边区PA的第二部分，更详细的说，在显示区VA中，金属纳米线层140A的第一部分可直接成形于基板110的表面上；而在周边区PA中，金属纳米线层140A的第二部分可直接成形于基板110的表面上。
在本发明的实施例中，上述具有金属纳米线140的分散液可为溶剂，如水、醇、酮、醚、烃或芳族溶剂(苯、甲苯、二甲苯等等)；上述分散液亦可包含添加剂、介面活性剂或粘合剂，例如羧甲基纤维素(carboxymethyl cellulose；CMC)、2-羟乙基纤维素(hydroxyethylCellulose；HEC)、羟基丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose；HPMC)、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸盐、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性剂等等。而所述的金属纳米线(metal nano-wires)层，例如可为纳米银线(silver nano-wires)层、纳米金线(goldnano-wires)层或纳米铜线(copper nano-wires)层所构成；更详细的说，本文所用的「金属纳米线(metal nano-wires)」为一集合名词，其指包含多个元素金属、金属合金或金属化合物(包括金属氧化物)的金属线的集合，其中所含金属纳米线的数量，并不影响本发明所主张的保护范围；且单一金属纳米线的至少一个截面尺寸(即截面的直径)小于500nm，较佳小于100nm，且更佳小于50nm；而本发明所称的为“线(wire)”的金属纳米结构，主要具有高的纵横比，例如介于10至100,000之间，更详细的说，金属纳米线的纵横比(长度：截面的直径)可大于10，较佳大于50，且更佳大于100；金属纳米线可以为任何金属，包括(但不限于)银、金、铜、镍及镀金的银。而其他用语，诸如丝(silk)、纤维(fiber)、管(tube)等若同样具有上述的尺寸及高纵横比，亦为本发明所涵盖的范畴。
而所述的含有金属纳米线140的分散液或浆料可以用任何方式成型于基板110的表面，例如但不限于：网版印刷、喷头涂布、滚轮涂布等工艺；在一种实施例中，可采用卷对卷(roll to roll)工艺将含有金属纳米线140的分散液或浆料涂布于连续供应的基板110的表面。而在上述的固化/干燥步骤之后，溶剂等物质被挥发，而金属纳米线140以随机的方式分布于基板110的表面；较佳的，金属纳米线140会固着于基板110的表面上而不至脱落而形成所述的金属纳米线层140A，且金属纳米线140可彼此接触以提供连续电流路径，进而形成一导电网路(conductive network)。
于本发明的部分实施方式中，金属纳米线140可以是纳米银线(Silvernanowires)或纳米银纤维(Silver nanofibers)，其可以具有平均约20至100纳米的直径，平均约20至100微米的长度，较佳为平均约20至70纳米的直径，平均约20至70微米的长度(即纵横比为1000)。于部分实施方式中，金属纳米线140的直径可介于70纳米至80纳米，而长度约8微米。
在本实施例的导电层120A的具体作法为：将金属材料以适当的工艺成型于金属纳米线层140A上。例如但不限于，将导电性良好的金属(例如单层的银、铜、或多层材料，如钼/铝/钼、铜/镍、钛/铝/钛、钼/铬)成型于金属纳米线层140A上。相似于金属纳米线层140A，导电层120A可包括成型于显示区VA的第一部分与成型于周边区PA的第二部分，而导电层120A的第一部分在后续的工艺中被移除，导电层120A的第二部分与金属纳米线层140A的第二部分在后续的工艺中被图案化而形成周边线路120。
接着进行第一次图案化步骤，其主要针对位于显示区VA的导电层120A进行图案化，如图3。本实施例具体可包括以下步骤：先将感光材料(例如光刻胶)进行曝光/显影(即熟知的微影工艺)定义出图案以裸露出位于显示区VA的导电层120A的第一部分；接着，进行蚀刻，将位于显示区VA的导电层120A的第一部分移除，以使显示区VA上露出金属纳米线层140A。
在上述的蚀刻步骤中，为避免用于移除导电层120A的蚀刻液(即第一蚀刻液)对金属纳米线层140A产生蚀刻造成金属纳米线层140A电阻上升的问题，本实施例的金属纳米线层140A中添加有腐蚀抑制剂，腐蚀抑制剂即用以形成腐蚀抑制单元，其分布于显示区VA及周边区PA。举例来说，在金属纳米线层140A为纳米银层，导电层120A为铜层的情况下，蚀刻液可用于蚀刻铜，而纳米银层中添加比例约为1～10％的腐蚀抑制剂，以避免纳米银层受到铜蚀刻液的影响。在一具体实施例中，铜蚀刻液的主成分为CH3COOH及NH4OH，而添加腐蚀抑制剂(主成分为Lithium Salt(20％～50％)，其余为溶剂)于纳米银层中，可延长纳米银层被上述铜蚀刻液完全蚀刻的时间。表1显示不同组成比例的腐蚀抑制剂对纳米银层被上述铜蚀刻液完全蚀刻的时间。
图5则显示添加3％腐蚀抑制剂与未添加的情况下相比，在上述的铜蚀刻步骤之后，纳米银层的电阻值变化被控制在约10％以下，显示添加腐蚀抑制剂可降低纳米银层被铜蚀刻液的影响。若从纳米银层的电阻值变化来看，未添加腐蚀抑制剂的纳米银层在蚀刻步骤之后的阻值变化约为添加腐蚀抑制剂的纳米银层在蚀刻步骤之后的阻值变化的两倍。在本实施例中，腐蚀抑制剂的浓度为约1％～5％，较佳为约5％，或约3％，或约1％。
在一实施例中，腐蚀抑制剂可混入前述的含有金属纳米线140的分散液或浆料，故干燥/固化后的金属纳米线层140A即包含腐蚀抑制剂。
在一实施例中，可设置一底涂层(overcoat，图未示)于金属纳米线层140A上，而腐蚀抑制剂可混入前述的底涂层的聚合物材料中(添加比例可参考前文)，再经过固化，使底涂层与金属纳米线层140A所构成的复合结构层具有上述的抗腐蚀特性。在一实施例中，可将含有腐蚀抑制剂的聚合物或其混和物以涂布方法成型于金属纳米线层140A上，所述的聚合物会渗入金属纳米线140之间而形成填充物，并施以固化步骤以形成底涂层，换言之，金属纳米线140可视为嵌入底涂层之中。在一具体实施例，固化步骤可为：利用加热烘烤的方式(温度在约60℃到约150℃)将上述聚合物或其混和物形成底涂层于金属纳米线层140A上。本发明并不限定底涂层与金属纳米线层140A之间的实体结构，例如底涂层与金属纳米线层140A可为两层结构的堆迭，或者底涂层与金属纳米线层140A可相互组合而形成一复合层。优选的，金属纳米线140为嵌入底涂层之中而形成复合型态，并在后续的工艺中被图案化。
在移除位于显示区VA的导电层120A步骤之后，接着进行第二次图案化步骤，其主要针对位于显示区VA的金属纳米线层140A进行图案化以形成触控感应电极TE，并同时针对位于周边区PA的导电层120A与金属纳米线层140A进行图案化以形成周边线路120；至此，即可完成本发明实施例的触控面板100(如图1)。本实施例具体可包括以下步骤：先将感光材料(例如光刻胶)进行曝光/显影(即熟知的微影工艺)定义出位于显示区VA的触控感应电极TE的图案以及位于周边区PA的周边线路120的图案；接着，进行蚀刻，以在显示区VA上制作出由金属纳米线层140A(即金属纳米线层140A的第一部分)所构成的触控感应电极TE(请参考图1及图4B)，并在周边区PA上制作出由金属纳米线层140A(即金属纳米线层140A的第二部分)与导电层120A((即导电层120A的第二部分))所构成的周边线路120(请参考图1、图4A及图4B)。
在一实施例中，采用可同时蚀刻金属纳米线层140A与导电层120A的蚀刻液(即第二蚀刻液)，以在同一工序中制作触控感应电极TE与周边线路120，因此可以最少的对位次数(例如一次)完成显示区VA的触控感应电极TE与周边区PA的周边线路120的连接，故可避免传统多次对位造成的良率不高，也可节省对位工艺所需预留的对位公差，使周边线路120的宽度尽可能的缩减，以满足显示器的窄边框需求。
根据一具体实施例，在金属纳米线层140A为纳米银层，导电层120A为铜层的情况下，蚀刻液可用于蚀刻铜与银，例如蚀刻液的主成分为H3PO4(比例为5％～15％)及HNO3(比例55％～70％)，以在同一工艺中移除铜材料与银材料。在另一具体实施例中，可在蚀刻液的主成分之外加入添加物，例如蚀刻选择比调整剂，以调整蚀刻铜与蚀刻银的速率；举例而言，可在主成分为H3PO4(比例为5％～15％)及HNO3(比例55％～70％)中添加5％～10％的Benzotriazole(BTA)，以解决铜的过蚀刻问题。
请参考图1，并配合图4A及图4B，本发明实施例的触控面板100(如图1)，其包含基板110、由导电层120A与金属纳米线层140A所组成的周边线路120以及由金属纳米线层140A所组成触控感应电极TE，触控感应电极TE可电性连接周边线路120，金属纳米线层140A包括金属纳米线140及腐蚀抑制剂。换言之，触控感应电极TE中具有腐蚀抑制剂，周边线路120亦具有腐蚀抑制剂。
详细而言，如图4A及图4B，本发明的部分实施方式中周边线路120是由图案化后的两层导电结构所组成复合结构层，其包括导电层120A及位于导电层120A与基板110之间的金属纳米线层140A，金属纳米线层140A中添加有具有腐蚀抑制剂，构成周边线路120的导电层120A及金属纳米线层140A(即金属纳米线层140A的第二部分)具有共同蚀刻面(co-planar etch-surface)。而触控感应电极TE为金属纳米线层140A图样化之后所形成，也就是说，金属纳米线层140A在显示区VA形成触控感应电极TE，而在周边区PA形成周边线路120的下层结构，故借由金属纳米线层140A的导电性，触控感应电极TE可与周边线路120达成电性连接以进行讯号的传输。
如图4A及图4B所示，在周边区PA中，相邻周边线路120之间具有非导电区域136，以电性阻绝相邻周边线路120进而避免短路。也就是说，相邻导电层120A的第一侧壁122之间及相邻金属纳米线层140A的第二侧壁142之间具有非导电区域136，而在本实施例中，非导电区域136为一间隙，以隔绝相邻周边线路120。而在一实施例中，可采用前述的蚀刻法制作上述的间隙，故第一侧壁122与第二侧壁142为一共同蚀刻面，也就是说第一侧壁122与第二侧壁142是在同一个蚀刻步骤中利用同一蚀刻液所成型；或者也可先蚀刻出第一侧壁122，再蚀刻出第二侧壁142。在一实施例中，金属纳米线层140A的第二侧壁142会因上述的蚀刻步骤而不会有所述的金属纳米线存在于其上；再者，导电层120A及金属纳米线层140A会具有相同或近似的图样与尺寸，如均为长直状等的图样，且宽度相同或近似。
如图4B所示，在显示区VA中，相邻触控感应电极TE之间具有非导电区域136，以电性阻绝相邻触控感应电极TE进而避免短路。也就是说，相邻触控感应电极TE的侧壁之间具有非导电区域136，而在本实施例中，非导电区域136为一间隙，以隔绝相邻触控感应电极TE；在一实施例中，可采用上述的蚀刻法制作相邻触控感应电极TE之间的间隙。本实施方式中，触控感应电极TE以非交错式的排列设置。举例而言，触控感应电极TE为沿第一方向D1延伸的长条型电极，彼此并不产生交错，但于其他实施方式中，触控感应电极TE可以具有适当的形状，而不应以此限制本发明的范围。本实施方式中，触控感应电极TE采用单层的配置，其中可以通过检测各个触控感应电极TE的自身的电容值变化，而得到触控位置。
在本实施方式中，显示区VA的触控感应电极TE较佳地具有导电性与透光性，因此，用来制作触控感应电极TE的金属纳米线层140A较佳地具有以下特性：可见光(例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)可大于约80％，且表面电阻率(surfaceresistance)在约10至1000欧姆/平方(ohm/square)之间；较佳地，金属纳米线层140A的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)大于约85％，且表面电阻率(surface resistance)在约50至500欧姆/平方(ohm/square)之间。
在一实施例中，更具有标记150设置于基板110的周边区PA，请参考图1及图4A。同于周边线路120，标记150也是借由金属纳米线层140A与导电层120A的一次性蚀刻所制作，故标记150包括导电层120A及位于导电层120A与基板110之间的金属纳米线层140A，金属纳米线层140A中添加有具有腐蚀抑制剂。此外，构成标记150的金属纳米线层140A与导电层120A具有相同或近似的图样与尺寸，如均为半径相同或近似的圆形、边长相同或近似的四边形等，或其他相同或近似的十字形、L形、T形等的图样。标记150可以广泛的被解读为不具有电性功能的图样，例如标记150可以是任何在工艺中所需的检查记号、图样或标号，均为本发明保护的范畴；且标记150可以具有任何可能的形状，如圆形、四边形、十字形、L形、T形等等，但不以此为限。在一实施例中，构成标记150的上下两层结构具有共同蚀刻面。
本发明实施方式提出另一种触控面板的制作方法，其与前述第一制作方法的差异主要至少在于将腐蚀抑制剂结构化为一实体结构，以保护显示区VA的触控感应电极TE不受蚀刻液的影响。具体工艺为：首先，参考图6，在基板110上制作一金属纳米线层140A，金属纳米线层140A可至少由金属纳米线140所组成。金属纳米线层140A的具体作法可参照前文，在此不予赘述。
接着，在金属纳米线层140A上制作抗蚀层130作为腐蚀抑制单元，其仅实质地设置于显示区VA。具体而言，可采用光刻胶材料作为抗蚀层130，以保护金属纳米线层140A不受到后续蚀刻工艺的影响。在一实施例中，抗蚀层130成形于显示区VA，以保护显示区VA的触控感应电极TE不受蚀刻液的影响。
在一实施例中，可制作具有图样的抗蚀层130(或称腐蚀抑制层)，其可保护金属纳米线层140A不受到后续蚀刻工艺的影响，又可达到将图样转移至金属纳米线层140A的功能。具体步骤如下，请参考图7及图7A，将光刻胶材料涂布于金属纳米线层140A上，并利用曝光显影步骤将光刻胶材料图案化形成具有图样的抗蚀层130，以覆盖于金属纳米线层140A。较佳地，抗蚀层130仅覆盖于显示区VA的金属纳米线层140A，而周边区PA的抗蚀层130会被黄光工艺所移除，而裸露出周边区PA的金属纳米线层140A。
接着，制作导电层120A于抗蚀层130与金属纳米线层140A上，如图8。导电层120A的具体作法可参照前文，在此不予赘述。在此步骤中，由于周边区PA的金属纳米线层140A上并无抗蚀层130，故导电层120A是直接成型并接触金属纳米线层140A，故后续所制作的周边线路120就由直接接触的金属纳米线层140A与导电层120A所组成，借此可形成低阻抗的讯号传输线路。
接着，进行图案化步骤，请参考图9及图9A，其主要针对位于显示区VA的金属纳米线层140A与导电层120A进行图案化以形成触控感应电极TE，并同时针对位于周边区PA的导电层120A与金属纳米线层140A进行图案化以形成周边线路120。本实施例具体可包括以下步骤：先将感光材料(例如光刻胶)进行曝光/显影(即熟知的微影工艺)定义出位于周边区PA的周边线路120的图案；接着，进行蚀刻，以在显示区VA上制作出由金属纳米线层140A所构成的触控感应电极TE，而触控感应电极TE上会具有抗蚀层130；并在周边区PA上制作出由金属纳米线层140A与导电层120A所构成的周边线路120。换言之，由于抗蚀层130可同时扮演抗蚀刻及图案转移的效果，本实施例可将前一实施例的两阶段蚀刻利用可同时蚀刻两种材料的蚀刻液在同一步骤中同时完成。
在一实施例中，图案化步骤采用可同时蚀刻金属纳米线层140A与导电层120A的蚀刻液，以在同一工序中制作触控感应电极TE与周边线路120，因此可以最少的对位次数(例如一次)完成显示区VA的触控感应电极TE与周边区PA的周边线路120的连接，故可避免传统多次对位造成的良率不高，也可节省对位工艺所需预留的对位公差，使周边线路120的宽度尽可能的缩减，以满足显示器的窄边框需求。
根据一具体实施例，在金属纳米线层140A为纳米银层，导电层120A为铜层的情况下，蚀刻液可用于蚀刻铜与银，例如蚀刻液的主成分为H3PO4(比例为5％～15％)及HNO3(比例55％～70％)。在另一具体实施例中，可在蚀刻液的主成分之外加入添加物，例如蚀刻选择比调整剂，以调整蚀刻铜与蚀刻银的速率；举例而言，可在主成分为H3PO4(比例为5％～15％)及HNO3(比例55％～70％)中添加5％～10％的Benzotriazole(BTA)，以解决铜的过蚀刻问题。
至此，即可完成本发明实施例的触控面板100(如图9)，其包含基板110、由导电层120A与金属纳米线层140A所组成的周边线路120以及由金属纳米线层140A所组成触控感应电极TE，触控感应电极TE可电性连接周边线路120，腐蚀抑制单元包括触控感应电极TE上成形的抗蚀层130，请参考图9A。换言之，本实施例与前述实施例的差异主要至少在于触控感应电极TE中的腐蚀抑制剂被结构化而形成抗蚀层130，以保护触控感应电极TE不受蚀刻液的影响。
在一实施例中，抗蚀层130与触控感应电极TE具有相同或近似的图样与尺寸。
本发明实施方式另提出一种双面触控电极的制作方法，其具体工艺为：如图10，在基板110的第一表面(如上表面)及第二表面(如下表面)上分别制作金属纳米线层140A及抗蚀层130，此步骤可参考前文，在此不予赘述。为了方便说明，在基板110上表面的抗蚀层130命名为第一抗蚀层130A，而在基板110下表面的抗蚀层130命名为第二抗蚀层130B。
接着，制作具有图样的第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B，其可保护金属纳米线层140A不受到后续蚀刻工艺的影响，又可达到将图样转移至金属纳米线层140A的功能。具体步骤如下，将光刻胶材料涂布于基板110上表面及下表面的金属纳米线层140A上，并利用曝光显影步骤将光刻胶材料图案化形成具有图样的抗蚀层130，以覆盖于金属纳米线层140A(请参考图11)。较佳地，第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B仅覆盖于显示区VA的金属纳米线层140A，而周边区PA的第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B会被黄光工艺所移除，而裸露出周边区PA的金属纳米线层140A。
本实施例采用双面(double-sided)黄光微影工艺的工艺进行第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B的图案化。本实施例具体可包括以下步骤：进行双面曝光(double-sidedexposure)，将第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B进行曝光定义出保留区与去除区；接着，进行双面显影，将位于去除区的第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B移除，以形成第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B的图案化。
第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B可先、后进行曝光或同时进行曝光。上述的双面曝光步骤，具体可采用两个光源针对第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B进行曝光，使用曝光源(如UV光)将光罩的图样转移至第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B上，以定义出所述的去除区与保留区。为了避免两个光源相互影响，可采用但不限于以下的做法。
在基板110上下分别设置曝光源(如第一曝光源与第二曝光源)，且两者为相同波段的光源，例如均为G-line或均为I-line的UV光源，第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B亦选用具有相同光波段吸收特性的光刻胶，例如两者均为对G-line或均为对I-line的UV光源感光的光刻胶，且光刻胶中另外加入光吸收成分，添加浓度为约0.1％～10％，例如针对UV光源加入UV光吸收添加物于第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B中，借此，上方曝光源针对第一抗蚀层130A进行曝光时，上方曝光源所提供的光能量被第一抗蚀层130A大幅吸收(例如大于约80％)，故不会有足够的能量影响到第二抗蚀层130B；相似的，下方曝光源针对第二抗蚀层130B进行曝光时，下方曝光源所提供的光能量被第二抗蚀层130B大幅吸收(例如大于约80％)，故不会有足够的能量影响到第一抗蚀层130A。因此，第一抗蚀层130A与第二抗蚀层130B可同时进行曝光步骤，且不会相互影响彼此的图案化。举例而言，曝光源可采用I-line的UV光源进行上述的双面曝光工艺，并于第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B加入主要成分为：Octyl-3-[3-tert-butyl-4-hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazole-2-yl)phenyl]propionate、2-Ethylhexyl-3-[3-tert-butyl-4-hydroxy-5-(5-chloro-2H-benzotriazole-2-yl)phenyl]propionate；结构式为：
的UV光吸收添加物，以使I-line的UV光对感光层的穿透率(light transmission)在约30％以下，较佳为约20％以下，或约10％以下，或约5％以下。在本实施例中，UV光吸收添加物的浓度为约1％～3％，较佳为约3％，或约2％，或约1％。
在一变化实施例中，同样在基板110上方与下方分别设置相同波段的曝光源，而在第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B的材料选择上选用对UV光有较高吸收率(例如大于约80％光线总能量被吸收)的光刻胶，以避免第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B的曝光相互影响。在又一变化实施例中，可调整上下曝光源的参数，如功率、曝光能量等，以达到避免第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B的曝光相互影响的效果。
在一变化实施例中，双面曝光步骤可在基板110上下分别设置不同波段的曝光源，例如一曝光源为G-line的UV光源而另一曝光源为I-line的UV光源，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B则分别选用具有对应上述光源的光波段吸收特性的光刻胶，例如两者之一为对G-line的UV光源感光的光刻胶，两者另一为对I-line的UV光源感光的光刻胶；借此，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B可各自对特定波长的光源产生光化学反应，并达到避免第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B的曝光相互影响的效果。本实施例亦可搭配上述的光吸收添加物，在此不再赘述。
在上述的双面曝光步骤之后，进行双面显影步骤，利用第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B被显影液浸泡而使两者具有图案化。在一实施例中，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B为具负感光性的光刻胶，故去除区为未曝光区域；保留区为曝光区域；可使用适当的显影液去除上述位于去除区的第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B，具体可采用氢氧化四甲基铵(Tetramethylammonium hydroxide，TMAH)、二甲苯(xylene，C6H4(CH3)2)、乙酸丁酯或芳族烃溶剂等等去除上述位于去除区的第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B以达到上述显影的工艺。在一实施例中，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B为具正感光性的光刻胶，故去除区为曝光区域；保留区为未曝光区域；可使用适当的显影液去除上述位于去除区的第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B，具体可采用碱性溶液(如KOH、Na2CO3等)等等去除上述位于去除区的第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B以达到上述显影的工艺。
由于第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B具有相同的感光性，因此上述的显影工艺可双面同时进行。
在一实施例中，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B可选用不同感光性的光刻胶，例如一者为负型光刻胶，另一为正型光刻胶。
接着，如图12，在基板110的双面分别制作导电层120A。
接着，进行图案化步骤。本实施例的图案化步骤具体可包括以下步骤：先将感光材料(例如光刻胶)进行曝光/显影(例如上述的双面黄光工艺)定义出位于周边区PA的周边线路120的图案；接着，利用可同时蚀刻金属纳米线层140A与导电层120A的蚀刻液进行蚀刻(可参考前文蚀刻液组成及相关说明)，以在显示区VA上制作出由金属纳米线层140A所构成的第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2，而第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2上分别会具有第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B；并在周边区PA上制作出由金属纳米线层140A与导电层120A所构成的周边线路120。以上步骤均可参考前文，在此不再赘述。
请参考图13至图13B。请配合图13A所显示的剖视图，从基板110的上表面观之，蚀刻反应可详述如下：在显示区VA中，首先导电层120A被蚀刻液移除，接着金属纳米线层140A则依照第一抗蚀层130A的图样进行蚀刻以达图案化，进而形成第一触控感应电极TE1；同时在周边区PA中，使用另一图案化的光刻胶(图未示)将位于周边区PA的导电层120A与金属纳米线层140A进行蚀刻以达图案化，进而形成周边线路120，且周边线路120连接第一触控感应电极TE1。在一实施例中，第一触控感应电极TE1大致位于显示区VA，其可包含多个沿同一方向(如第一方向D1)延伸的长直条状的感应电极，而蚀刻去除区则可被定义为非导电区136，以电性阻绝相邻的感应电极。而每一感应电极上均具有第一抗蚀层130A以阻绝蚀刻液对金属纳米线层140A的影响。第一触控感应电极TE1与第一抗蚀层130A具有对应的图样；在一实施例中，第一触控感应电极TE1与第一抗蚀层130A具有实质相同的图样，如上述的长直条状，而第一触控感应电极TE1与第一抗蚀层130A具有相互对齐的侧边或侧面(即共同蚀刻面)。
相似的，请配合图13B所显示的图13的剖视图，从基板110的下表面观之，蚀刻反应可详述如下：在显示区VA中，首先导电层120A被蚀刻液移除，接着金属纳米线层140A则依照第二抗蚀层130B的图样进行蚀刻以达图案化，进而形成第二触控感应电极TE2；同时在周边区PA中，使用另一图案化的光刻胶(图未示)将位于周边区PA的导电层120A与金属纳米线层140A进行蚀刻以达图案化，进而形成周边线路120，且周边线路120连接第二触控感应电极TE2。在一实施例中，第二触控感应电极TE2大致位于显示区VA，其可包含多个沿同一方向(如第二方向D2)延伸的长直条状的感应电极，而去除区则可被定义为非导电区136，以电性阻绝相邻的感应电极。每一感应电极上均具有第二抗蚀层130B以阻绝蚀刻液对金属纳米线层140A的影响。第二触控感应电极TE2与第二抗蚀层130B具有对应的图样，在一实施例中，第二触控感应电极TE2与第二抗蚀层130B具有实质相同的图样，如上述的长直条状，第二触控感应电极TE2与第二抗蚀层130B具有相互对齐的侧边(即共同蚀刻面)。
第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2在结构上相互交错，两者可组成触控感应电极TE，以用感应触碰或控制手势等。
至此，即可完成本发明实施例的触控面板100(如图13)，其包含基板110、可包括在基板110的上下表面所形成的触控感应电极TE(即金属纳米线140所形成的第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2)及在基板110的上下表面所形成的周边线路120；以基板110的上表面观之，显示区VA的第一触控感应电极TE1与周边区PA的周边线路120会彼此电性连接以传递讯号；类似的，以基板110的下表面观之，显示区VA的第二触控感应电极TE2与周边区PA的周边线路120会彼此电性连接以传递讯号。周边线路120由导电层120A与金属纳米线层140A所组成，而第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2上分别会具有第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B。换言之，本实施例与前述实施例的差异主要至少在于将腐蚀抑制剂被结构化而在基板110的上下表面形成第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B，以在制作双面触控电极的工艺中保护触控感应电极TE(即第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2)不受蚀刻液的影响；再者，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B具有图样，可用于进行基板110的上下表面的金属纳米线层140A的图样化步骤。
在一实施例中，如图13B所示，周边线路120大致位于周边区PA，而周边线路120的导电层120A的一部分会搭接于触控感应电极TE(如第一触控感应电极TE1)上。
在一实施例中，第一抗蚀层130A及第二抗蚀层130B为具有图样的光刻胶材料，其实质成形于显示区VA而不成形于周边区PA，以裸露出周边区PA的金属纳米线层140A，使周边区PA的金属纳米线层140A可与导电层120A形成直接接触的态样，故可达到低阻抗的信号传输途径。
较佳地，所形成的金属纳米线140可进一步进行后处理以提高其导电度，此后处理可为包括如加热、电浆、电晕放电、UV臭氧或压力的过程步骤。例如，在固化形成金属纳米线层140A的步骤后，可利用滚轮施加压力于其上，在一实施例中，可借由一或多个滚轮向金属纳米线层140A施加50至3400psi的压力，较佳为可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi的压力。于部分实施方式中，可同时进行加热与压力的后处理；详言之，所形成的金属纳米线140可经由如上文所述的一或多个滚轮施加压力，并同时加热，例如由滚轮施加的压力为10至500psi，较佳为40至100psi；同时将滚轮加热至约70℃与200℃之间，较佳至约100℃与175℃之间，其可提高金属纳米线层140A的导电度。于部分实施方式中，金属纳米线140较佳可暴露于还原剂中进行后处理，例如由纳米银线组成的金属纳米线140较佳可暴露于银还原剂中进行后处理，银还原剂包括硼氢化物，如硼氢化钠；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷(DMAB)；或气体还原剂，诸如氢气(H2)。而所述的暴露时间约10秒至约30分钟，较佳约1分钟至约10分钟。而上述施加压力的步骤可依实际的需求实施在适当的步骤中。
本发明的不同实施例的结构、材料、工艺可相互引用，并不为上述各具体实施方式的限制。
本发明的部分实施方式中，在周边区的导电层可直接与金属纳米线层直接接触而形成周边线路，因此，整体来说，由于金属纳米线层中的金属纳米线与周边线路会形成一种直接接触且低阻抗的信号传递路径，其用于传输触控感应电极与外部控制器之间的控制信号及触控感应信号，而由于其低阻抗的特性，实有助于降低信号传输的耗损，从而解决传统结构中接触阻抗过高的问题。
本发明的部分实施方式中，可形成一低阻抗的周边导电线路，以提升触控信号的传输能力，进而减少传递触控信号的损耗及失真。
本发明的部分实施方式中，周边线路的复合结构层能在单一次的蚀刻工艺中形成，故应用于触控面板的制造，可简化周边线路的图案化工艺，进而具备工艺简单、快速、低制造成本之效。
本发明的部分实施方式中，周边线路的复合结构层能在单一次的蚀刻工艺中形成，故可降低工艺中所需的对位次数，进而避免对位步骤中产生的错误，以提升工艺良率。
本发明的部分实施方式中，周边线路的复合结构层能在单一次的蚀刻工艺中形成，故可节省工艺中所预留的对位误差空间，故可有效降低周边区的宽度。
本发明的部分实施方式中，通过添加腐蚀抑制剂(inhibitor)方式可在图案化的同时保护显示区的触控电极，故可降低蚀刻液对触控电极在光学表现、电性上的影响。
本发明的部分实施方式中，通过将具有抗腐蚀功能的结构层直接成型在金属纳米线层上，可在图案化的同时保护显示区的触控电极，故可降低蚀刻液对触控电极在光学表现、电性上的影响。
本发明的部分实施方式中，所述的工艺可结合卷对卷生产技术，进行连续式、大量批次进行单面/双面电极结构的触控面板的制作。
当然，本发明还可有其它多种实施例，在不背离本发明精神及其实质的情况下，熟悉本领域的技术人员可根据本发明作出各种相应的改变和变形，但这些相应的改变和变形都应属于本发明权利要求的保护范围。

Claims (23)

1.一种触控面板，其特征在于，包含：
一基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；
一触控感应电极，设置于该基板的该显示区；
一腐蚀抑制单元，该腐蚀抑制单元至少设置于该显示区；以及
一周边线路，设置于该基板的该周边区，该触控感应电极电性连接该周边线路；
其中，该触控感应电极包括图案化后的一金属纳米线层的一第一部分，该周边线路包括一导电层及该金属纳米线层的一第二部分，该导电层直接接触该金属纳米线层的该第二部分，该导电层及该金属纳米线层的该第二部分具有共同蚀刻面。
2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该腐蚀抑制单元包括添加于该金属纳米线层的腐蚀抑制剂，该触控感应电极中具有该腐蚀抑制剂，该周边线路中具有该腐蚀抑制剂。
3.根据权利要求2所述的触控面板，其特征在于，该金属纳米线层添加有1％～10％的该腐蚀抑制剂。
4.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，更包括一设置于该金属纳米线层上的底涂层，其中该腐蚀抑制单元包括添加于该底涂层的腐蚀抑制剂。
5.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该腐蚀抑制单元包括一设置于该金属纳米线层上的抗蚀层，该触控感应电极与该抗蚀层具有相同图案。
6.根据权利要求5所述的触控面板，其特征在于，该抗蚀层为一具有图案的光刻胶材料，该光刻胶材料成形于该显示区而不成形于该周边区。
7.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该触控感应电极包括一设置于该基板的上表面的第一触控感应电极及一设置于该基板的下表面的第二触控感应电极；该腐蚀抑制单元包括一设置于该第一触控感应电极上的第一抗蚀层及一设置于该第二触控感应电极上的第二抗蚀层，该第一触控感应电极与该第一抗蚀层具有相同图案，该第二触控感应电极与该第二抗蚀层具有相同图案。
8.根据权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，该第一抗蚀层吸收大于一第一曝光源的光线总能量的80％，该第二抗蚀层吸收大于一第二曝光源的光线总能量的80％。
9.根据权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，该第一感光层及该第二感光层添加有0.1％～10％的光吸收添加物。
10.根据权利要求7所述的触控面板，其特征在于，该第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有不同光波段吸收特性的光刻胶。
11.一种触控面板的制作方法，其特征在于，包括：
提供一基板，该基板具有一显示区与一周边区；
设置由金属纳米线所组成的一金属纳米线层于该基板上；
设置一腐蚀抑制单元，其中该腐蚀抑制单元至少位于该显示区；
设置一导电层于该金属纳米线层上；
移除位于该显示区的该导电层；以及
进行图案化步骤，包括：图案化位于该显示区的该金属纳米线层以形成一触控感应电极，并同时图案化位于该周边区的该导电层与该金属纳米线层以形成一周边线路。
12.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该设置腐蚀抑制单元包括添加腐蚀抑制剂于该金属纳米线层中。
13.根据权利要求12所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该金属纳米线层添加有1％～10％的该腐蚀抑制剂。
14.根据权利要求12所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该移除位于该显示区的该导电层包括利用一第一蚀刻液将位于该显示区的该导电层去除；在该移除位于该显示区的该导电层之后，该金属纳米线层的电阻值变化在10％以下。
15.根据权利要求14所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该进行图案化步骤包括利用一第二蚀刻液蚀刻该导电层与该金属纳米线层。
16.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该设置腐蚀抑制单元包括设置一具有图案的抗蚀层于该金属纳米线层上。
17.根据权利要求16所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该移除位于该显示区的该导电层及该进行图案化步骤为利用一蚀刻液同时进行。
18.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该设置由金属纳米线所组成的金属纳米线层于该基板上包括：
在该基板的上表面上设置一第一金属纳米线层及在该基板的下表面上设置一第二金属纳米线层。
19.根据权利要求18所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该设置一腐蚀抑制单元包括：
设置于一具有图案的第一抗蚀层于该第一金属纳米线层上及设置一具有图案的第二抗蚀层于该第二金属纳米线层上；
设置一导电层于该金属纳米线层上包括：将该导电层分别设置于该第一金属纳米线层上与该第二金属纳米线层上。
20.根据权利要求19所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该移除位于该显示区的该导电层及该进行图案化步骤为利用一蚀刻液同时进行，并利用该蚀刻液图案化位于该显示区的该第一金属纳米线层以形成一第一触控感应电极，及图案化位于该显示区的该第二金属纳米线层以形成一第二触控感应电极，并同时图案化位于该周边区的该导电层、该第一金属纳米线层与该第二金属纳米线层以形成一周边线路。
21.根据权利要求20所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，该第一抗蚀层吸收大于一第一曝光源的光线总能量的80％，该第二抗蚀层吸收大于一第二曝光源的光线总能量的80％。
22.根据权利要求20所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有相同光波段吸收特性的光刻胶，该第一感光层及该第二感光层添加有0.1％～10％的光吸收添加物。
23.根据权利要求20所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该第一抗蚀层及该第二抗蚀层为具有不同光波段吸收特性的光刻胶。
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