TWI706302B - 觸控面板的製作方法及其觸控面板 - Google Patents

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Abstract

一種觸控面板，包括：基板，其具有顯示區與周邊區；設置於基板上之感光層與金屬奈米線層；以及設置於周邊區上之感光導電層，其中感光導電層與感光層經曝光後定義出去除區與保留區，其中，在顯示區中，位於去除區之感光層與金屬奈米線層被顯影液移除而定義出一位於顯示區的觸控感應電極；在周邊區中，位於去除區之感光導電層、感光層與金屬奈米線層被顯影液移除而定義出一位於周邊區的周邊線路，觸控感應電極電性連接於周邊線路。

Description

觸控面板的製作方法及其觸控面板
本發明是關於一種觸控面板的製作方法及其觸控面板。
由於透明導體可同時具有光穿透性與適當的導電性，因而常應用於許多顯示或觸控相關的裝置中。傳統技術中，透明導體可以由金屬氧化物的薄膜所製成，例如氧化銦錫(Indium Tin Oxide，ITO)、氧化銦鋅(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化鎘錫(Cadmium Tin Oxide，CTO)或摻鋁氧化鋅(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)。在部份情況下，經圖案化的金屬氧化物薄膜有容易被觀察到的問題；此外，金屬氧化物薄膜不具有可撓性。因此，現今發展出了多種透明導體，例如利用奈米線等材料所製作的透明導體。
然而利用奈米線製作觸控電極，奈米線與周邊區的金屬引線在製程上及結構上都有許多待解決的問題，例如傳統製程將奈米線塗佈在顯示區及周邊區，並覆蓋周邊區的金屬引線，之後利用蝕刻液將奈米線進行圖案化，以在顯示區製作出觸控感應電極。上述製程所採用的蝕刻液大多為強酸性，故 會導致金屬引線受到蝕刻液的作用，使產品可靠度下降；另外，蝕刻液的殘留問題也需要額外的清潔過程方能克服。此外，由於奈米線層與金屬引線需要兩道的黃光微影、蝕刻製程才能進行圖案化，故整體製程複雜，且觸控感應電極與金屬引線需要對位，故需預留對位誤差空間，使得觸控面板的邊框無法縮減，因此無法滿足窄邊框的需求。
再一方面，奈米線層與金屬引線之間的接觸阻抗過高也會影響觸控面板的性能。
因此在利用奈米線製作觸控感應電極的製程上、電極結構上必須依照材料特性重新設計，使產品達到較佳的表現。
本發明之部分實施方式，可提高觸控面板的製程效率，且觸控面板具有低阻抗的特性。
本發明之部分實施方式提出一種觸控面板的製作方法，包括：提供一基板，該基板具有顯示區與周邊區；設置由金屬奈米線所組成之金屬奈米線層於顯示區與周邊區；設置感光層於金屬奈米線層上；設置感光導電層於周邊區，感光導電層設置於金屬奈米線層上；進行一黃光微影步驟。所述的黃光微影步驟包括：將感光層與感光導電層進行曝光以定義出去除區與保留區；以及使用顯影液將位於去除區之感光層與金屬奈米線層去除，以製作出設置於顯示區上之觸控感應電極；同時使用顯影液將位於去除區之感光導電 層、感光層與金屬奈米線層去除，以製作出設置於周邊區上之周邊線路，觸控感應電極電性連接於周邊線路，其中觸控感應電極是由感光層與金屬奈米線層所組成。
於本發明之部分實施方式中，感光導電層包含負感光性的銀漿。
於本發明之部分實施方式中，更包含一固化該銀漿的步驟。
於本發明之部分實施方式中，感光層與該感光導電層為具有相同光波段吸收特性的材料，將該感光層與該感光導電層進行曝光包括利用一曝光源同時對該感光層與該感光導電層進行曝光。
於本發明之部分實施方式中，更包括採用黏膠法移除位於該去除區的該金屬奈米線。
於本發明之部分實施方式中，金屬奈米線外露於該感光層。
本發明之部分實施方式提出一種觸控面板，包含：基板，其中該基板具有顯示區與周邊區；設置於基板上之感光層與金屬奈米線層；以及設置於周邊區上之感光導電層，其中感光導電層與感光層經曝光後定義出去除區與保留區，其中，在顯示區中，位於去除區之感光層與金屬奈米線層被顯影液移除而定義出一位於顯示區的觸控感應電極；在周邊區中，位於去除區之感光導電層、感光層與金屬奈米線層被顯影液移除而定義出一位於周邊區的周邊線路，觸控感應電極電性連接於周邊線路。
於本發明之部分實施方式中，金屬奈米線層包括金屬奈米線，金屬奈米線係嵌設於位於保留區之感光層中形成導電網路，而位於顯示區的感光層與金屬奈米線共同形成觸控感應電極。
於本發明之部分實施方式中，感光導電層包含負感光性的銀漿。
於本發明之部分實施方式中，感光層與感光導電層為具有相同光波段吸收特性的材料。
根據本發明之部分實施方式，金屬奈米線外露於感光層。
於本發明之部分實施方式中，觸控感應電極與另一觸控感應電極之間具有非導電區，非導電區中的金屬奈米線之濃度為零。
於本發明之部分實施方式中，周邊線路與另一周邊線路之間具有非導電區，非導電區中的金屬奈米線之濃度為零。
於本發明之部分實施方式中，觸控感應電極與另一觸控感應電極之間具有非導電區，非導電區中的金屬奈米線之濃度小於滲透臨限值，使非導電區中的金屬奈米線形成一非導電網路。
於本發明之部分實施方式中，周邊線路與另一周邊線路之間具有非導電區，非導電區中的金屬奈米線之濃度小於滲透臨限值，使非導電區中的金屬奈米線形成非導電網路。
於本發明之部分實施方式中，觸控感應電極具有一曝光側面。
於本發明之部分實施方式中，周邊線路設置在感光層與金屬奈米線層所組成的複合結構上，周邊線路具有一第一曝光側面，複合結構具有第二曝光側面，第一曝光側面與第二曝光側面相對齊以形成一共平面。
110‧‧‧基板
120‧‧‧周邊線路
122‧‧‧第一曝光側面
130‧‧‧感光層
136‧‧‧非導電區域
140‧‧‧金屬奈米線
142‧‧‧第二曝光側面
S1~S4‧‧‧步驟
VA‧‧‧顯示區
PA‧‧‧周邊區
TE、TE1、TE2‧‧‧觸控感應電極
D1‧‧‧第一方向
D2‧‧‧第二方向
140A‧‧‧金屬奈米線層
130A‧‧‧保留區
130B‧‧‧去除區
CS‧‧‧複合結構
圖1為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的流程圖。
圖2為根據本發明之部分實施方式之基板的上視示意圖。
圖2A為沿圖2的線2A-2A之剖面示意圖。
圖3為圖1的製作方法中的步驟S1之示意圖。
圖4為圖1的製作方法中的步驟S2之示意圖。
圖5為圖1的製作方法中的步驟S3之示意圖。
圖6為本發明之部分實施方式之觸控面板。
圖6A為沿圖6的線6A-6A之剖面示意圖。
圖6B為沿圖6的線6B-6B之剖面示意圖。
第7圖為本發明之另一實施方式之觸控面板。
圖7A為沿圖7的線7A-7A之剖面示意圖。
圖7B為沿圖7的線7B-7B之剖面示意圖。
以下將以圖式揭露本發明之多個實施方式，為明確說明起見，許多實務上的細節將在以下敘述中一併說明。然而，應瞭解到，這些實務上的細節不應用以限制本發明。也就是說，在本發明部分實施方式中，這些實務上的細節是非必要的。此外，為簡化圖式起見，一些習知慣用的結構與元件在圖式中將以簡單示意的方式為之。
關於本文中所使用之「約」、「大約」或「大致」，一般是指數值之誤差或範圍於百分之二十以內，較好地是於百分之十以內，更佳地是於百分之五以內。文中若無明確說明，所提及的數值皆視為近似值，即具有如「約」、「大約」或「大致」所表示的誤差或範圍。另外，本文所使用的「圖案」、「圖樣」、「圖形」所指的均為相同或相似的概念，為了方便說明，下文中可能會交互使用；同樣的，「金屬奈米線」與「金屬奈米線層」也為相同或相似的元件，下文中也會交互使用，特此說明。
圖1為根據本發明之部分實施方式之觸控面板的製作方法的流程圖。本實施方式的製作方法之具體製程為：首先，參考圖2與圖2A，提供一基板110，於本發明之部分實施方式中，基板110理想上為透明基板，詳細而言，可以為一硬式透明基板或一可撓式透明基板，其材料可以選自玻璃、壓克力(polymethylmethacrylate；PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride；PVC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、聚對苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸 乙二醇酯(polyethylene naphthalate；PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚苯乙烯(polystyrene；PS)等透明材料。
接著，參考圖3，如步驟S1，在基板110上製作一金屬奈米線層140A，金屬奈米線層140A可至少由金屬奈米線140所組成；在本實施例的具體作法為：將具有金屬奈米線140之分散液或漿料(ink)以塗佈方法成型於基板110上，並加以乾燥使金屬奈米線140覆著於基板110的表面；換言之，金屬奈米線140會因上述的乾燥固化步驟而成型為一設置於基板110上的金屬奈米線層140A。而基板110上可定義有顯示區VA與周邊區PA，周邊區PA設置於顯示區VA的側邊，例如圖3所示，周邊區PA設置於顯示區VA之左側及右側的區域，但在其他實施例中，周邊區PA則可為設置於顯示區VA之四周(即涵蓋右側、左側、上側及下側)的框型區域，或者為設置於顯示區VA之相鄰兩側的L型區域；而所述的金屬奈米線層140A可包括成型於顯示區VA的第一部分與成型於周邊區PA的第二部分，更詳細的說，在顯示區VA中，金屬奈米線層140A的第一部分可直接成形於基板110的表面上；相似的，在周邊區PA中，金屬奈米線層140A的第二部分可成形於基板110的表面上。
在本發明之實施例中，上述分散液可為水、醇、酮、醚、烴或芳族溶劑(苯、甲苯、二甲苯等等)；上述分散液亦可包含添加劑、介面活性劑或黏合劑，例如羧甲基纖維素(carboxymethyl cellulose；CMC)、2-羥乙基纖維素(hydroxyethyl Cellulose；HEC)、羥基丙基甲基纖維素 (hydroxypropyl methylcellulose；HPMC)、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸鹽、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性劑等等。而所述的金屬奈米線(metal nano-wires)層，例如可為奈米銀線(silver nano-wires)層、奈米金線(gold nano-wires)層或奈米銅線(copper nano-wires)層所構成；更詳細的說，本文所用之「金屬奈米線(metal nano-wires)」係為一集合名詞，其指包含多個元素金屬、金屬合金或金屬化合物(包括金屬氧化物)之金屬線的集合，其中所含金屬奈米線之數量，並不影響本發明所主張的保護範圍；且單一金屬奈米線之至少一個截面尺寸(即截面的直徑)小於500nm，較佳小於100nm，且更佳小於50nm；而本發明所稱之為”線(wire)”的金屬奈米結構，主要具有高的縱橫比，例如介於10至100,000之間，更詳細的說，金屬奈米線之縱橫比(長度：截面之直徑)可大於10，較佳大於50，且更佳大於100；金屬奈米線可以為任何金屬，包括(但不限於)銀、金、銅、鎳及鍍金之銀。而其他用語，諸如絲(silk)、纖維(fiber)、管(tube)等若同樣具有上述的尺寸及高縱橫比，亦為本發明所涵蓋之範疇。
而所述的含有金屬奈米線140之分散液或漿料可以用任何方式成型於基板110之表面，例如但不限於：網版印刷、噴頭塗佈、滾輪塗佈等製程；在一種實施例中，可採用捲對捲(roll to roll)製程將含有金屬奈米線140之分散液或漿料塗佈於連續供應的基板110之表面。
於本發明之部分實施方式中，金屬奈米線140可以是奈米銀線(Silver nano-wires)或奈米銀纖維(Silver nano-fibers)，其可以具有平均約20至100奈米的直徑，平均約20至100微米的長度，較佳為平均約20至70奈米的直徑，平均約20至70微米的長度(即縱橫比為1000)。於部分實施方式中，金屬奈米線140的直徑可介於70奈米至80奈米，而長度約8微米。
接著，參考圖4，如步驟S2，設置感光層130於金屬奈米線層140A上。具體做法可為但不限於：將合適的聚合物或其混和物以塗佈方法成型於基板110上，並施以固化步驟(或稱乾燥步驟)以形成感光層130於金屬奈米線層140A上，更詳細的說，感光層130包括在顯示區VA中的第一部分與在周邊區PA中的第二部分，感光層130的第一部分可對應並成形於金屬奈米線層140A的第一部分上，而感光層130的第二部分可對應並成形於金屬奈米線層140A的第二部分上。在另一實施例中，可將合適的聚合物或其混和物以塗佈方法成型於基板110上，所述之聚合物會滲入金屬奈米線140之間而形成填充物，並施以固化步驟以形成感光層130，換言之，金屬奈米線140可視為嵌入感光層130之中。在一具體實施例中，前固化步驟可為：利用加熱烘烤的方式(溫度在約60℃到約150℃)將上述聚合物或其混和物形成感光層130於金屬奈米線層140A上。本發明並不限定感光層130與金屬奈米線層140A之間的實體結構，例如感光層130與金屬奈米線層140A可為兩層結構的堆疊，或者感光層130與金屬奈米線層140A可相互組合而形成一複合層。優選的，金屬奈米線140為嵌入感光層130之中而在後續的製程中形成複合型態的電極層(即後文所述的複合結構 CS)；而圖4是顯示出感光層130滲入金屬奈米線140之間隙的複合結構。
在一實施例中，感光層130是由感光樹脂所形成，其可以曝光顯影的方式將感光層130進行圖案化；具體而言，感光層130為負感光性的光阻材料；在另一實施例中，感光層130可為正感光性的光阻材料。
在一實施例中，上述構成感光層130的聚合物實例可包括，但不限於：聚丙烯酸系樹脂，諸如聚甲基丙烯酸酯(例如，聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈；聚乙烯醇；聚酯(例如，聚對苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯)；具有高芳香度之聚合物，諸如酚醛樹脂或甲酚-甲醛、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚醯亞胺、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚醚醯亞胺、聚硫化物、聚碸、聚伸苯基及聚苯基醚；聚胺基甲酸酯(polyurethane；PU)；環氧樹脂；聚烯烴(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及環烯烴)；纖維素；聚矽氧及其他含矽聚合物(例如聚倍半氧矽烷及聚矽烷)；聚氯乙烯(PVC)；聚乙酸酯；聚降冰片烯；合成橡膠(例如，乙丙橡膠(ethylene-propylene rubber；EPR)、丁苯橡膠(styrene-Butadiene Rubber；SBR)、三元乙丙橡膠(ethylene-Propylene-Diene Monomer；EPDM)；及含氟聚合物(例如，聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯)；氟-烯烴與烴烯烴之共聚物等非導電聚合物，上述聚合物可另行添加感光材料，以滿足以曝光顯影製程圖案化感光層130之需求。在其他實施例中，亦可使用以二氧化矽、富鋁紅柱石、 氧化鋁、SiC、碳纖維、MgO-Al2O3-SiO2、Al2O3-SiO2或MgO-Al2O3-SiO2-Li2O等無機材料混於感光材料中用以作為感光層130。
此外，上述的聚合物較佳的可賦予感光層130與金屬奈米線140所組成之複合結構CS某些特定的化學、機械及光學特性，例如提供複合結構CS與基板110之黏著性，或是較佳的實體機械強度，故感光層130又可被稱作基質(matrix)。又一方面，使用某些特定的聚合物製作感光層130，使複合結構CS具有額外的抗刮擦及磨損之表面保護，在此情形下，感光層130又可被稱作外塗層(overcoat，OC)，採用諸如聚丙烯酸酯、環氧樹脂、聚胺基甲酸酯、聚矽烷、聚矽氧、聚(矽-丙烯酸)等可使複合結構CS具有較高的表面強度以提高耐刮能力。再者，感光層130或聚合物中可添加交聯劑、聚合抑制劑、穩定劑(例如但不限於抗氧化劑、紫外光穩定劑(UV stabilizers))、界面活性劑或上述之類似物或混合物以提高複合結構CS的抗紫外線能力或達成較長保存期限。在其他實施例中，感光層130可進一步包含腐蝕抑制劑。然而，上述僅是說明感光層130的添加物組成、附加功能/名稱的可能性，並非用於限制本發明。值得說明的是，由於上述具感光性的聚合物中可能添加紫外光穩定劑，此一添加物有可能影響感光層130在進行曝光、顯影等製程的精度，而本發明則藉由調整曝光的參數，例如曝光強度，以降低紫外光穩定劑對曝光精度的影響。
接著，參考圖5，如步驟S3，設置感光導電層150於周邊區PA。如圖所示，感光導電層150設置於感光層130與 金屬奈米線140所組成之複合結構CS上，感光導電層150大致位於周邊區PA，但也可視需求突出周邊區PA而延伸至顯示區VA。
在一實施例中，感光導電層150是由感光性的導電材料所形成，其可應用光固化製程以曝光顯影的方式將感光導電層150進行圖案化；具體而言，感光導電層150為負感光性的銀漿(Ag paste)材料，但不以此為限。
在一實施例中，設置感光導電層150於周邊區PA的具體方式可為但不限於：將銀漿材料塗佈於周邊區PA，接著將銀漿材料固化形成感光導電層150。在一具體實施例中，銀漿材料固化步驟之溫度為約90℃~110℃，固化時間為約10~20分鐘。
在一實施例中，前述感光層130之光阻材料與感光導電層150之銀漿材料可在同一步驟中進行固化。也就是說，感光層130之光阻材料可先進行預固化，在銀漿材料進行固化同時才一併進行完全固化。
接著，如步驟S4，進行圖案化步驟。在一實施例中，可利用黃光微影進行圖案化步驟，本發明即是利用感光層130與感光導電層150的感光性，將感光層130與感光導電層150進行曝光、顯影等製程(或概稱為黃光微影製程)，以進行感光導電層150以及感光層130與金屬奈米線140所組成之複合結構CS的圖案化。具體可包括以下步驟：將感光層130與感光導電層150進行曝光定義出保留區130A與去除區130B(請配合參考圖6A、圖6B)；接著，將位於去除區130B之材料(包 含金屬奈米線140、光阻材料或銀漿材料)移除，以形成複合結構CS與感光導電層150的圖案化。
在一具體實施例中，使用光罩覆蓋於感光層130與感光導電層150，並利用曝光能量為約200mj/cm2至約1500mj/cm2的曝光源(如UV光)將光罩之圖樣轉移至感光層130與感光導電層150上；較佳為600mj/cm2至約800mj/cm2的UV光定義出所述的去除區130B與保留區130A，並形成上述去除區130B與保留區130A之間的介面；接著使用顯影液(或稱脫膜劑)將位於顯示區VA上的去除區130B之感光層130與金屬奈米線層140A去除，以製作出觸控感應電極TE；同時，顯影液將位於周邊區PA上的去除區130B之感光導電層150、感光層130與金屬奈米線層140A去除，以製作出設置於周邊區PA的周邊線路120。另外，位於顯示區VA而保留下來的感光層130或複合結構CS具有曝光側面(exposed sidewall)，且位於周邊區PA而保留下來的感光導電層150、感光層130或複合結構CS同樣具有曝光側面(exposed sidewall)。
更具體的說，在此實施例中，感光層130與感光導電層150可為具有相同光波段吸收特性的材料，例如均為對G-line或均為對I-line的UV光源感光的光阻，故可利用一曝光源對兩者進行同時曝光；感光層130與感光導電層150可具有相同的感光特性，例如均為負感光性，但不以此為限，故去除區130B為未曝光區域；保留區130A為曝光區域。因此在顯示區VA中，顯影液可將位於去除區130B之感光層130去除(即顯 影)，而因此裸露在外之金屬奈米線層140A也會連帶被顯影液所浸泡去除，以製作出觸控感應電極TE；相似的，在周邊區PA中，顯影液可將位於去除區130B之感光層130與感光導電層150進行顯影，並在此步驟中同時移除位於去除區130B之金屬奈米線層140A，藉以製作周邊線路120。本文所稱顯影之步驟，乃為本領域所熟知的技術，簡言之，感光層130或感光導電層150中的感光物質，接收到光源的部份產生化學反應，使得化學鍵結變堅固，而未照光即可被上述的顯影液所去除(上述以負型感光性為例)。
具體可採用二甲苯(xylene，C6H4(CH3)2)、乙酸丁酯、Na2CO3(濃度：0.1%~1%)或芳族烴溶劑等等去除上述位於去除區130B之感光層130或感光導電層150。在其他實施例中，也可使用顯影液搭配其他溶劑進行將位於去除區130B之感光導電層150、感光層130與金屬奈米線層140A去除之步驟。
藉此，即可留下位於保留區130A之感光層130與金屬奈米線層140A以製作出觸控感應電極TE(即觸控感應電極TE由位於顯示區VA的複合結構CS經圖案化過程所製成)，並留下位於保留區130A之感光導電層150以製作出周邊線路120(即周邊線路120由位於周邊區PA的感光導電層150經圖案化過程所製成)，且周邊線路120藉由其下的金屬奈米線層140A與觸控感應電極TE形成電性連接以傳輸訊號。
請參閱圖6，其顯示本發明之實施例所完成之觸控面板，圖6A、圖6B分別為圖6中的A-A、B-B剖面的態樣， A-A剖面可看出位於周邊區PA之保留區130A與去除區130B的態樣，而B-B剖面則可看出位於周邊區PA與顯示區VA之保留區130A與去除區130B的態樣。如圖6A、圖6B所示，位於周邊區PA的感光層130與感光導電層150經過曝光、顯影之後可定義出去除區130B與保留區130A，位於去除區130B之感光導電層150、感光層130與金屬奈米線層140A(即為複合結構CS)會被移除而形成空隙(即下文所述之非導電區域136)，位於保留區130A之感光導電層150則被圖樣化而形成周邊線路120，周邊線路120下具有同樣被圖案化的複合結構CS，相鄰周邊線路120具有非導電區域136；再者，周邊線路120的第一曝光側面122與複合結構CS的第二曝光側面142較佳的相互對齊。由於周邊區PA的結構層是在同一步驟中進行圖案化，故可省略傳統的對位步驟，進而達到減少或避免在製程中設置對位誤差區域的需求，藉以降低周邊區PA的寬度，進而達到觸控面板/觸控顯示器的窄邊框需求。
而如圖6B所示，在位於顯示區VA中，保留區130A中之感光層130與金屬奈米線層140A會共同形成透明導電層(即複合結構CS)，並且在上述顯影製程中被圖案化而形成觸控感應電極TE。在本實施例中，位於去除區130B之感光層130與金屬奈米線層140A(即複合結構CS)會被移除而形成空隙，以形成相鄰觸控感應電極TE之間的非導電區域136。再者，觸控感應電極TE可透過周邊區PA的複合結構CS與周邊線路120形成電性連接。
在一實施例中，以顯示區VA為例，位於保留區 130A之複合結構CS(即觸控感應電極TE)會具有一曝光側面(exposed sidewall)，其可視為光化學反應在去除區130B與保留區130A之間的介面；相較之下，傳統的蝕刻製程，強酸性蝕刻液僅能將金屬奈米線予以移除，但無法移除外塗層(overcoat)，因此本發明將不需要的感光層130與金屬奈米線層140A一併去除，以解決殘留的外塗層(overcoat)對後續製程的影響。在一實施例中，金屬奈米線層140A的金屬奈米線會突出於曝光側面。
本實施例之步驟可整合為一個顯影步驟而使用顯影液同時去除顯示區VA中位於去除區130B之感光層130與金屬奈米線層140A，以製作出觸控感應電極TE，並同時去除周邊區PA中位於去除區130B之感光導電層150、感光層130與金屬奈米線層140A，以製作出周邊線路120。值得說明的是，本發明不以上述為限，只要是不需使用蝕刻液，而僅以顯影技術剝除感光層130/感光導電層150的同時達到圖案化金屬奈米線層140A的製程，就屬本發明所涵蓋的範圍。
在一實施例中，如圖6A所示，相鄰周邊線路120之間的金屬奈米線140(即金屬奈米線層140A)及感光層130會被完全去除，換言之，相鄰周邊線路120之間的金屬奈米線140及感光層130均被上述的曝光、顯影步驟完全去除而不復存在，因此可形成絕緣區(即下文所述之非導電區域136)，非導電區域136並不存在有金屬奈米線140及感光層130(換言之，本實施例的非導電區域136為空隙結構，且金屬奈米線140分布於空隙結構的濃度為零)，故相鄰周邊線路120之間形成電性 隔絕，進而達到觸控面板的電路配置。在一實施例中，可利用一輔助移除步驟將非導電區域136中的金屬奈米線140完全移除，例如在上述顯影步驟之後採用黏膠法移除位於去除區130B中的金屬奈米線140。
相似的，如圖6B所示，位於顯示區VA之去除區130B的位置會對應相鄰觸控感應電極TE之間的絕緣區(即非導電區域136)，以定義出用於感測不同觸控位置的觸控感應電極TE，換言之，相鄰觸控感應電極TE之間的非導電區域136並不存在有金屬奈米線140及感光層130(換言之，本實施例的相鄰觸控感應電極TE之間的非導電區域136為空隙結構，且金屬奈米線140分布於空隙結構的濃度為零)。
較佳地，金屬奈米線140在感光層130中形成導電網路(conductive network)，也就形成所謂的透明導電層，而此透明導電層在上述圖案化之後可在顯示區VA中做為觸控感應電極TE，為達較佳的顯示效果，金屬奈米線140與感光層130所形成的複合結構CS的光穿透率(Transmission)可大於約80%，且表面電阻率(surface resistance)在約10至1000歐姆/平方(ohm/square)之間；較佳地，金屬奈米線140與感光層130所形成的複合結構CS的光穿透率(Transmission)大於約85%，且表面電阻率(surface resistance)在約50至500歐姆/平方(ohm/square)之間。
在一實施例中，可控制感光層130的厚度薄到足以使金屬奈米線140能夠外露突出於感光層130，例如小於90奈米，故金屬奈米線140能夠突出於感光層130的上表面，而 在周邊區PA中，周邊線路120可與外露的金屬奈米線140形成較佳的接觸，使觸控感應電極TE與周邊線路120所形成的訊號傳遞路徑具有較低的阻抗。
較佳地，所形成之金屬奈米線140可進一步進行後處理以提高其導電度，此後處理可為包括如加熱、電漿、電暈放電、UV臭氧或壓力之過程步驟。例如，在固化形成金屬奈米線層140A之步驟後，可利用滾輪施加壓力於其上，在一實施例中，可藉由一或多個滾輪向金屬奈米線層140A施加50至3400psi之壓力，較佳為可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi之壓力。於部分實施方式中，可同時進行加熱與壓力之後處理；詳言之，所形成之金屬奈米線140可經由如上文所述之一或多個滾輪施加壓力，並同時加熱，例如由滾輪施加之壓力為10至500psi，較佳為40至100psi；同時將滾輪加熱至約70℃與200℃之間，較佳至約100℃與175℃之間，其可提高金屬奈米線層140A之導電度。於部分實施方式中，金屬奈米線140較佳可暴露於還原劑中進行後處理，例如由奈米銀線組成之金屬奈米線140較佳可暴露於銀還原劑中進行後處理，銀還原劑包括硼氫化物，如硼氫化鈉；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷(DMAB)；或氣體還原劑，諸如氫氣(H2)。而所述的暴露時間約10秒至約30分鐘，較佳約1分鐘至約10分鐘。而上述施加壓力之步驟可依實際的需求實施在塗佈感光層130的步驟之前或之後。
綜合上述，本發明實施例之可用於感應觸控的觸控面板，其可包括在基板110之顯示區VA所形成的觸控感應電 極TE(即感光層130與金屬奈米線140所形成的複合結構CS)及在基板110的周邊區PA所形成的周邊線路120，觸控感應電極TE與周邊線路120會彼此電性連接以傳遞訊號，周邊線路120是由感光導電層150經過圖樣化所製成，在本實施例中，感光層130與金屬奈米線140所形成的複合結構CS會延伸至周邊區PA，並與感光導電層150在同一個顯影步驟中被圖樣化，詳細的說，在周邊區PA中，周邊線路120會形成在複合結構CS上，且兩者具有相對應的圖樣；更具體的說，位於周邊區PA周邊線路120與複合結構CS在經過上述的黃光微影製程後具有相同或相似的圖樣，且周邊區PA中的周邊線路120與複合結構CS均具有曝光側面(exposed sidewall)，較佳地，周邊線路120的曝光側面122會與複合結構CS的曝光側面142相對齊以形成一共平面。
如圖6所示，本實施例之觸控面板為一種單面非跨接式(non-cross)的觸控面板，觸控感應電極TE的數量可為一個或多個。更詳細的說，顯示區VA中具有多個朝同一方向(如第一方向D1)延伸的觸控感應電極TE，而相鄰觸控感應電極TE之間為上述製程中的去除區130B所定義出的非導電區域136；同樣的，周邊區PA中也具有去除區130B所定義出的非導電區域136，以電性阻絕相鄰的周邊線路120。本實施例之觸控面板可不經由蝕刻液就直接進行感光層130與金屬奈米線140所形成的複合結構CS的圖案化，以及感光導電層150的圖案化。其中，位於顯示區VA之觸控感應電極TE可用於感測使用者的觸碰位置或手勢，位於周邊區PA的周邊線路120則電性 連接於觸控感應電極TE，以將觸控感應電極TE測得的感測訊號傳送至一外部控制器(圖未示)。
本發明提供第二種製作方法，與上述方法的差異主要至少在於本方法的黃光微影製程並不會完全移除非導電區域136的金屬奈米線140，換言之，去除區130B中殘留有金屬奈米線140，但所殘留之金屬奈米線140的濃度低於一滲透臨限值(percolation threshold)，而去除區130B中的感光層130會被上述的曝光、顯影步驟完全去除。感光層130與金屬奈米線140之複合結構的導電度主要由以下因素控制：a)單一金屬奈米線140之導電度、b)金屬奈米線140之數目、及c)該等金屬奈米線140之間的連通性(又稱接觸性)；若金屬奈米線140之濃度低於滲透臨限值(percolation threshold)，由於金屬奈米線140之間的間隔太遠，因此去除區130B整體導電度甚低，或是為零(或者具有高電阻)，意即金屬奈米線140在去除區130B中並未提供連續電流路徑，而無法形成一導電網路(conductive network)，也就是說金屬奈米線140在非導電區域136中所形成的是非導電網路(non-conductive network)。在一實施例中，一個區域或一個結構的片電阻在以下範圍中即可被認定為非導電：片電阻高於108歐姆/平方(ohm/square)，或高於104歐姆/平方(ohm/square)，或高於3000歐姆/平方(ohm/square)，或高於1000歐姆/平方(ohm/square)，或高於350歐姆/平方(ohm/square)，或高於100歐姆/平方(ohm/square)。換言之，本實施例中相鄰周邊線路120間的空隙填有濃度低於滲透臨限值的金屬奈米線140，其形成非導電 網路，以達成相鄰周邊線路120之間的絕緣；相似的，相鄰觸控感應電極TE間的空隙填有濃度低於滲透臨限值的金屬奈米線140，其形成非導電網路，以達成相鄰觸控感應電極TE之間的絕緣。
本發明提供第三種製作方法，與上述方法的差異主要至少在於本方法的金屬奈米線層140A中具有感光性添加物，故感光層130則可在本方法中予以省略。本製作方法的具體內容為：先將具有金屬奈米線140與感光性添加物之分散液或漿料(ink)以塗佈方法成型於基板110上，並加以乾燥使金屬奈米線140覆著於基板110的表面；換言之，金屬奈米線140會因上述的乾燥固化步驟而成型為一設置於基板110上的金屬奈米線層140A，且金屬奈米線層140A中會具有感光性添加物。具體而言，感光性添加物可包括自由基型不飽和寡聚物，例如聚酯壓克力樹脂、環氧壓克力樹脂等。再將感光導電層150設置周邊區PA而位於金屬奈米線層140A上，此步驟可參考前文，在此不予贅述。接著，進行圖案化步驟：利用金屬奈米線層140A中的感光性添加物，使用前述的曝光顯影步驟將顯示區VA上的金屬奈米線層140A圖形化而形成觸控感應電極TE；同時，曝光顯影步驟也將位於周邊區PA上的感光導電層150與金屬奈米線層140A進行圖案化，以製作出設置於周邊區PA的周邊線路120。本實施例的圖案化步驟可參閱前文，故不予贅述。綜合來說，本實施例之方法是將感光性添加物整合於金屬奈米線層140A之中，使金屬奈米線層140A具有感光性，而可在曝光顯影步驟中產生圖樣化的效果。在一實施例中，具 感光性的金屬奈米線層140A亦可與前述的感光層130搭配，以加強金屬奈米線層140A的整體特性，例如強度、耐酸鹼、抗刮等。
除了上述單面式的觸控面板，本發明之製程亦可適用於雙面式的觸控面板，例如，先分別在基板110的相對兩面上製作金屬奈米線層140A與感光層130，再依照上述的做法在基板110的相對兩面上形成感光導電層150；接著配合雙面曝光、顯影等製程，以在基板110的相對兩面上形成具圖案化的觸控感應電極TE與周邊線路120。同於前述實施例，本實施例之步驟可整合為一個顯影步驟而使用顯影液同時去除在基板110雙面的顯示區VA中位於去除區130B之感光層130與金屬奈米線層140A，以製作出觸控感應電極TE，並同時去除周邊區PA中位於去除區130B之感光導電層150、感光層130與金屬奈米線層140A，以製作出周邊線路120。
在一實施例中，為避免基板110的相對兩面上的感光層130與感光導電層150在進行曝光時的相互干擾，可採用不同時序的光源進行曝光製程。在另一實施例中，可使用不同波長的光源進行曝光製程，換言之，基板110的相對兩面上的感光層130為對不同波長光源具有感光性的材質，感光導電層150也對不同波長光源具有感光性的材質。在另一實施例中，可先在基板110的相對兩面先成型光束阻擋層(圖未示)，再成型上述的金屬奈米線層140A、感光層130與感光導電層150。具體而言，光束阻擋層為UV阻擋層，基板110的相對兩面上的感光層130與感光導電層150可為對相同波長光源具有 感光性，故可利用同樣的UV光源進行曝光製程來加以圖案化，UV阻擋層能夠吸收特定波長的部分UV光(例如總能量的至少10%、20%、25%或20%-50%)，而實質上可讓可見光波長(例如400-700nm)的光線透射，例如大於總能量的85%的可見光透射。在一實施例中，UV阻擋層為選自Teijin DuPont Films之產品名稱為「HB3-50」的50μm厚之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜；另一例示性的UV阻擋層為選自Teijin DuPont Films之名稱為「XST6758」的125μm厚之聚對苯二甲酸乙二酯(PET)膜。
請參考圖7，其顯示本發明實施例之雙面式的觸控面板。請配合圖7A所顯示的剖視圖，從基板110的上表面觀之，圖案化步驟可詳述如下：在顯示區VA中，複合結構CS進行黃光微影以達圖案化，進而形成第一觸控感應電極TE1；同時在周邊區PA中，使用黃光微影將位於周邊區PA的感光導電層150與複合結構CS進行達圖案化，進而形成周邊線路120，且周邊線路120連接第一觸控感應電極TE1。在一實施例中，第一觸控感應電極TE1大致位於顯示區VA，其可包含多個沿同一方向(如第一方向D1)延伸的長直條狀的感應電極，而蝕刻去除區則可被定義為非導電區136，以電性阻絕相鄰的感應電極。在一實施例中，周邊線路120與其下的複合結構CS具有實質相同的圖樣，而兩者具有相互對齊的側邊或側面(即曝光側面)。
相似的，請配合圖7與圖7B的剖視圖，從基板110的下表面觀之，圖案化可詳述如下：在顯示區VA中，複合結 構CS進行黃光微影以達圖案化，進而形成第二觸控感應電極TE2；同時在周邊區PA中，使用黃光微影將位於周邊區PA的感光導電層150與複合結構CS進行達圖案化，進而形成周邊線路120，且周邊線路120連接第二觸控感應電極TE2。在一實施例中，第二觸控感應電極TE2大致位於顯示區VA，其可包含多個沿同一方向(如第二方向D2)延伸的長直條狀的感應電極，而去除區則可被定義為非導電區136，以電性阻絕相鄰的感應電極。在一實施例中，周邊線路120與其下的複合結構CS具有實質相同的圖樣，而兩者具有相互對齊的側邊或側面(即曝光側面)。
第一觸控感應電極TE1及第二觸控感應電極TE2在結構上相互交錯，兩者可組成觸控感應電極TE，以用感應觸碰或控制手勢等。
本發明之部分實施方式中，不須使用蝕刻液而利用感光層130或感光導電層150進行圖案化(即曝光顯影)製程的同時，一併將金屬奈米線層140A與感光層130組成的透明導電層圖案化以形成位於顯示區之觸控感應電極TE，可省去傳統需要蝕刻液進行金屬奈米線層140A之蝕刻步驟，因此可以解決蝕刻液的殘留所造成的問題，並達到提高生產良率之效果。
本發明之部分實施方式中，不須使用蝕刻液來蝕刻金屬奈米線層140A，故可排除蝕刻液對元件(例如金屬材料所製成的周邊線路120)造成的影響。
本發明之部分實施方式中，利用感光層130及/或 感光導電層150的感光性，進行光化學反應之後以顯影液去除的方式進行金屬奈米線層140A的圖案化，故可省略傳統的蝕刻金屬奈米線層140A之步驟，故可簡化整體製程，以達到降低成本的效果。
本發明之部分實施方式中，透過將感光導電層150直接與金屬奈米線層140A中的金屬奈米線140接觸，故可形成一低阻抗之導電線路，進而減少傳遞觸控訊號的損耗及失直。
本發明之部分實施方式中，感光層130可提供金屬奈米線層140A所需保護作用，使產品得以通過較嚴格的耐環測試。
本發明之部分實施方式，藉由感光層130所提供的保護層之作用，可提高顯示區之觸控感應電極的耐用性。
本發明的部分實施方式中，透過設計周邊引線與其下的金屬納米線層在同一步驟中進行圖案化，可以省去對位步驟，以避免對位的過程中所預留的誤差空間，故可有效降低周邊區的寬度。
本發明之部分實施方式中，所述的製程可同時大量批次進行單面或雙面的觸控面板之製作。
雖然本發明已以多種實施方式揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習此技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾，因此本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。
S1~S4‧‧‧步驟

Claims (17)

  1. 一種觸控面板的製作方法，包括：提供一基板，該基板具有一顯示區與一周邊區；設置由金屬奈米線所組成之一金屬奈米線層於該顯示區與該周邊區；設置一感光層於該金屬奈米線層上；設置一感光導電層於該周邊區，該感光導電層設置於該感光層上；以及進行一黃光微影步驟，包括：將該感光層與該感光導電層進行曝光以定義出一去除區與一保留區；以及使用一顯影液將位於該去除區之該感光層與該金屬奈米線層去除，以製作出設置於該顯示區上之一觸控感應電極；同時使用該顯影液將位於該去除區之該感光導電層、該感光層與該金屬奈米線層去除，以製作出設置於該周邊區上之一周邊線路，該觸控感應電極電性連接於該周邊線路，其中該觸控感應電極是由該感光層與該金屬奈米線層所組成。
  2. 如請求項1所述之觸控面板的製作方法，其中該感光導電層包含負感光性的銀漿。
  3. 如請求項2所述之觸控面板的製作方法，更包含一固化該銀漿的步驟。
  4. 如請求項1所述之觸控面板的製作方法，其中該感光層與該感光導電層為具有相同光波段吸收特性的材料，將該感光層與該感光導電層進行曝光包括利用一曝光源同時對該感光層與該感光導電層進行曝光。
  5. 如請求項1所述之觸控面板的製作方法，更包括採用黏膠法移除位於該去除區的該金屬奈米線。
  6. 如請求項1所述之觸控面板的製作方法，其中該金屬奈米線外露於該感光層。
  7. 一種觸控面板，包含：一基板，其中該基板具有一顯示區與一周邊區；一設置於該基板上之一感光層與一金屬奈米線層；及一設置於該周邊區上之感光導電層，其中該感光導電層與該感光層經曝光後定義出一去除區與一保留區，其中，在該顯示區中，位於該去除區之該感光層與該金屬奈米線層被顯影液移除而定義出位於該顯示區的一觸控感應電極；在該周邊區中，位於該去除區之該感光導電層、該感光層與該金屬奈米線層被顯影液移除而定義出位於該周邊區的一周邊線路，該觸控感應電極電性連接於該周邊線路。
  8. 如請求項7所述之觸控面板，其中該金屬奈米線層包括金屬奈米線，該金屬奈米線係嵌設於位於該保留區之該感光層中形成導電網路，而位於該顯示區的該感光層 與該金屬奈米線共同形成該觸控感應電極。
  9. 如請求項7所述之觸控面板，其中該感光導電層包含負感光性的銀漿。
  10. 如請求項7所述之觸控面板，其中該感光層與該感光導電層為具有相同光波段吸收特性的材料。
  11. 如請求項7所述之觸控面板，其中該金屬奈米線層包括金屬奈米線，該金屬奈米線外露於該感光層。
  12. 如請求項7所述之觸控面板，其中該觸控感應電極與另一觸控感應電極之間具有一非導電區，該非導電區中的金屬奈米線之濃度為零。
  13. 如請求項7所述之觸控面板，其中該周邊線路與另一周邊線路之間具有一非導電區，該非導電區中的金屬奈米線之濃度為零。
  14. 如請求項7所述之觸控面板，其中該觸控感應電極與另一觸控感應電極之間具有一非導電區，該非導電區中的金屬奈米線之濃度小於一滲透臨限值，使該非導電區中的該金屬奈米線形成一非導電網路。
  15. 如請求項7所述之觸控面板，其中該周邊線 路與另一周邊線路之間具有一非導電區，該非導電區中的金屬奈米線之濃度小於一滲透臨限值，使該非導電區中的該金屬奈米線形成一非導電網路。
  16. 如請求項7所述之觸控面板，其中該觸控感應電極具有一曝光側面。
  17. 如請求項7所述之觸控面板，其中該周邊線路設置在該感光層與該金屬奈米線層所組成的一複合結構上，該周邊線路具有一第一曝光側面，該複合結構具有一第二曝光側面，該第一曝光側面與該第二曝光側面相對齊以形成一共平面。
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Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN111831156A (zh) * 2018-01-24 2020-10-27 祥达光学（厦门）有限公司 触控面板与触控传感器卷带
CN110688023A (zh) * 2018-07-04 2020-01-14 祥达光学（厦门）有限公司 触控面板的制作方法及其触控面板
CN112860130A (zh) * 2019-11-26 2021-05-28 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 触控面板及其制作方法
CN112860091A (zh) * 2019-11-26 2021-05-28 英属维尔京群岛商天材创新材料科技股份有限公司 触控面板及其制作方法
TWI767296B (zh) * 2020-08-13 2022-06-11 大陸商天材創新材料科技（廈門）有限公司 透明導電薄膜及其製備方法
US20220071004A1 (en) * 2020-08-27 2022-03-03 Cambrios Film Solutions Corporation Transparent conductive film and manufacturing method thereof
US11474649B2 (en) * 2021-03-05 2022-10-18 Tpk Advanced Solutions Inc. Touch sensor and manufacturing method thereof
US11435863B1 (en) * 2021-04-15 2022-09-06 Tpk Advanced Solutions Inc. Touch sensor and manufacturing method thereof
US11829539B1 (en) * 2022-05-16 2023-11-28 Tpk Advanced Solutions Inc. Touch sensor and manufacturing method thereof

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWM469543U (zh) * 2013-07-31 2014-01-01 Chih-Chung Lin 觸控基板
TWI510991B (zh) * 2013-07-25 2015-12-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板、導電薄膜及其製作方法
CN106484160A (zh) * 2015-08-26 2017-03-08 启耀光电股份有限公司 显示装置、触控面板及其制造方法
TWM582621U (zh) * 2018-07-04 2019-08-21 大陸商祥達光學（廈門）有限公司 觸控面板

Family Cites Families (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US20050153107A1 (en) * 2004-01-12 2005-07-14 Tdk Corporation Substrate having functional layer pattern formed thereon and method of forming functional layer pattern
KR102204110B1 (ko) * 2014-02-05 2021-01-18 삼성디스플레이 주식회사 터치 스크린 패널 및 그 제조 방법
KR102277379B1 (ko) * 2015-02-25 2021-07-14 삼성디스플레이 주식회사 터치 패널 및 그 제조 방법
US10642391B2 (en) * 2015-06-19 2020-05-05 Lg Electronics Inc. Touch panel and display device

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TWI510991B (zh) * 2013-07-25 2015-12-01 Henghao Technology Co Ltd 觸控面板、導電薄膜及其製作方法
TWM469543U (zh) * 2013-07-31 2014-01-01 Chih-Chung Lin 觸控基板
CN106484160A (zh) * 2015-08-26 2017-03-08 启耀光电股份有限公司 显示装置、触控面板及其制造方法
TW201712510A (zh) * 2015-08-26 2017-04-01 啟耀光電股份有限公司 顯示裝置、觸控面板及其製造方法
TWM582621U (zh) * 2018-07-04 2019-08-21 大陸商祥達光學（廈門）有限公司 觸控面板

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