CN210181578U - 触控面板 - Google Patents
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Abstract
一种触控面板,包括:第一轴向电极;设置于第一轴向电极上之感光层与金属纳米线层;及设置于周边区上之感光导电层,其中感光导电层与该光层经曝光后定义出第一去除区与第二去除区,位于第一去除区之感光层与金属纳米线层被显影液移除而定义出第二轴向电极;位于第二去除区之感光导电层、感光层与金属纳米线层被显影液移除而定义出周边线路,第一轴向电极与第二轴向电极相互绝缘,第一轴向电极与第二轴向电极电性连接于周边线路,其中第一轴向电极与第二轴向电极至少包括金属纳米线。
Description
技术领域
本实用新型是关于一种触控面板。
背景技术
由于透明导体可同时具有光穿透性与适当的导电性,因而常应用于许多显示或触控相关的装置中。传统技术中,透明导体可以由金属氧化物的薄膜所制成,例如氧化铟锡(Indium Tin Oxide,ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide,IZO)、氧化镉锡(Cadmium TinOxide,CTO)或掺铝氧化锌(Aluminum-doped Zinc Oxide,AZO)。在部份情况下,经图案化的金属氧化物薄膜有容易被观察到的问题;此外,金属氧化物薄膜不具有可挠性。因此,现今发展出了多种透明导体,例如利用纳米线等材料所制作的透明导体。
然而利用纳米线制作触控电极,纳米线与周边区的金属引线在工艺上及结构上都有许多待解决的问题,例如传统工艺将纳米线涂布在显示区及周边区,并覆盖周边区的金属引线,之后利用蚀刻液将纳米线进行图案化,以在显示区制作出触控感应电极。上述工艺所采用的蚀刻液大多为强酸性,故会导致金属引线受到蚀刻液的作用,使产品可靠度下降;另外,蚀刻液的残留问题也需要额外的清洁过程方能克服。此外,由于纳米线层与金属引线需要两道的黄光微影、蚀刻工艺才能进行图案化,故整体工艺复杂,且触控感应电极与金属引线需要对位,对位工艺需考虑到印刷设备的对位公差及基板的尺寸胀缩,故需预留对位误差空间,使得触控面板的边框无法缩减,因此无法满足窄边框的需求。
再一方面,纳米线层与金属引线之间的接触阻抗过高也会影响触控面板的性能。
实用新型内容
本实用新型之部分实施方式,可提高触控面板的工艺效率/良率,且触控面板具有低阻抗的特性。
本实用新型之部分实施方式提出一种触控面板的制作方法,包括:提供基板,基板具有显示区与周边区;制作感光导电层于周边区;制作由金属纳米线所组成之金属纳米线层于显示区与周边区,其中金属纳米线层的一部分覆盖于感光导电层;制作感光层于金属纳米线层上;进行图案化步骤,包括:将感光层与感光导电层进行曝光以定义出第一去除区与第二去除区;以及使用显影液将位于第一去除区之感光层与金属纳米线层去除,以制作出设置于显示区上之触控感应电极;同时使用显影液将位于第二去除区之感光导电层、感光层与金属纳米线层去除,以制作出设置于周边区上之周边线路,触控感应电极电性连接于周边线路,其中触控感应电极至少包括金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,感光导电层包含负感光性的银浆。
于本实用新型之部分实施方式中,更包含预固化/固化银浆的步骤。
于本实用新型之部分实施方式中,感光层与该感光导电层为具有相同光波段吸收特性的材料,将该感光层与该感光导电层进行曝光包括利用一曝光源同时对该感光层与该感光导电层进行曝光。
于本实用新型之部分实施方式中,更包括在图案化步骤后采用黏胶法完全移除位于第一去除区或第二去除区的金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,感光层的厚度至少能包覆金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,设置由金属纳米线所组成之金属纳米线层于显示区与周边区以及所述设置感光层于金属纳米线层上包括:将至少具有感光层与金属纳米线层的复合膜材贴附于该基板。
本实用新型之部分实施方式提出一种触控面板的制作方法,包含:提供基板,其具有显示区与周边区,其中第一轴向电极设置于该显示区;制作感光层、由金属纳米线所组成之金属纳米线层与感光导电层于基板上;进行图案化步骤,包括:将感光层与感光导电层进行曝光以定义出第一去除区与第二去除区;以及使用显影液将位于第一去除区的感光层与金属纳米线层去除,以制作出设置于显示区上之第二轴向电极;同时使用显影液将位于第二去除区的感光导电层、感光层与金属纳米线层去除,以制作出设置于周边区上之周边线路,第一轴向电极与第二轴向电极相互绝缘,第一轴向电极与第二轴向电极相互绝缘,第一轴向电极与第二轴向电极电性连接于周边线路,其中第一轴向电极与第二轴向电极至少包括金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,所述制作感光层、金属纳米线层与感光导电层于基板上包括:制作感光层于基板上;制作金属纳米线层于感光层上,其中金属纳米线层的第一部分位于显示区,金属纳米线层的第二部分位于周边区;制作感光导电层于周边区,其中感光导电层覆盖于第二部分。
于本实用新型之部分实施方式中,感光导电层包含负感光性的银浆。
于本实用新型之部分实施方式中,更包含预固化/固化银浆的步骤。
于本实用新型之部分实施方式中,感光层与感光导电层为具有相同光波段吸收特性的材料。将感光层与感光导电层进行曝光包括利用一曝光源同时对感光层与感光导电层进行曝光。
根据本实用新型之部分实施方式,更包括在图案化步骤之后采用黏胶法移除位于第一去除区或第二去除区的金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,感光层的厚度至少能包覆该金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,周边线路与另一周边线路之间具有非导电区,非导电区中的金属纳米线之浓度为零。
于本实用新型之部分实施方式中,所述制作感光层、金属纳米线层与感光导电层于基板上包括:将至少具有感光层与金属纳米线层的复合膜材贴附于基板;以及制作该感光导电层于该周边区。
本实用新型之部分实施方式提出一种触控面板,包含:基板,其中基板具有显示区与周边区;第一轴向电极,其设置于显示区;设置于第一轴向电极上之感光层与金属纳米线层;及设置于周边区上之感光导电层,其中感光导电层与感光层经曝光后定义出第一去除区与第二去除区,其中,位于第一去除区之感光层与金属纳米线层被显影液移除而定义出一位于显示区的第二轴向电极;位于第二去除区之感光导电层、感光层与金属纳米线层被显影液移除而定义出一位于周边区的周边线路,第一轴向电极与第二轴向电极电性连接于周边线路,其中第一轴向电极与第二轴向电极至少包括金属纳米线。
本实用新型之部分实施方式提出一种触控面板,包含:基板,其中基板具有显示区与周边区;设置于基板上之感光层与金属纳米线层;及设置于周边区上之感光导电层,其中感光导电层与感光层经曝光后定义出第一去除区与第二去除区,其中,位于第一去除区之感光层与金属纳米线层被显影液移除而定义出一位于显示区的触控感应电极;位于第二去除区之感光导电层、感光层与金属纳米线层被显影液移除而定义出一位于周边区的周边线路,触控感应电极电性连接于周边线路,其中触控感应电极至少包括金属纳米线。
于本实用新型之部分实施方式中,金属纳米线层包括金属纳米线,金属纳米线系嵌设于感光层中形成导电网络,而位于显示区的感光层与金属纳米线共同形成该第二轴向电极。
于本实用新型之部分实施方式中,第一轴向电极具有连接电极,第二轴向电极具有桥接电极,感光层形成位于连接电极与桥接电极之间的绝缘层。
于本实用新型之部分实施方式中,感光导电层包含负感光性的银浆。
于本实用新型之部分实施方式中,周边线路与另一周边线路之间具有非导电区,非导电区中的金属纳米线之浓度小于渗透临限值,使非导电区中的金属纳米线形成非导电网络。第一去除区及/或第二去除区中的金属纳米线的浓度为零。该第一去除区及/或该第二去除区中的中的该金属纳米线的浓度小于一渗透临限值,以形成一非导电网络。
于本实用新型之部分实施方式中,第二轴向电极具有一曝光侧面。
于本实用新型之部分实施方式中,周边线路设置在感光层与金属纳米线层所组成的复合结构上,周边线路具有一第一曝光侧面,复合结构具有第二曝光侧面,第一曝光侧面与第二曝光侧面相对齐以形成一共平面。
附图说明
图1为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程图。
图2为根据本实用新型之部分实施方式之基板的上视示意图。
图2A为沿图2的线2A-2A之剖面示意图。
图3为图1的制作方法中的步骤S1之示意图。
图4为图1的制作方法中的步骤S2之示意图。
图5为图1的制作方法中的步骤S3之示意图。
图6为本实用新型之部分实施方式之触控面板。
图6’为本实用新型之部分实施方式之触控面板。
图7为本实用新型之部分实施方式之触控面板的上视图。
图7A为沿图7的线A-A之剖面示意图。
图7B为沿图7的线B-B之剖面示意图。
图8为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程图。
图9为根据图8的制作方法所制作的触控面板示意图。
图10为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程示意图。
图11为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程图。
图12为根据图11的制作方法所制作的触控面板示意图。
图13(A)-13(C)为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程示意图。
图14显示图13(C)的A-A剖面示意图。
图15显示另一实施例的图13(C)中A-A剖面示意图。
其中附图标记为:
110:基板 TE、TE1、TE2:触控感应电极
120:周边线路 D1:第一方向
122:第一曝光侧面 D2:第二方向
130:感光层 140A:金属纳米线层
136:非导电区域 140A’:第一金属纳米线层
140:金属纳米线 140A”:第二金属纳米线层
142:第二曝光侧面 130A:保留区
S1~S4:步骤 130B:去除区
VA:显示区 CS:复合结构
PA:周边区 132:第三曝光侧面
20:复合膜材 160:保护层
BR:桥接电极 CE:连接电极
具体实施方式
以下将以图式揭示本实用新型的多个实施方式,为明确说明起见,许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而,应了解到,这些实务上的细节不应用以限制本实用新型。也就是说,在本实用新型部分实施方式中,这些实务上的细节是非必要的。此外,为简化图式起见,一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式为之。
关于本文中所使用的「约」、「大约」或「大致」,一般是指数值的误差或范围于百分之二十以内,较好地是于百分之十以内,更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明,所提及的数值皆视为近似值,即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。另外,本文所使用的「图案」、「图样」、「图形」所指的均为相同或相似的概念,为了方便说明,下文中可能会交互使用;同样的,「金属纳米线」与「金属纳米线层」也为相同或相似的组件,下文中也会交互使用,特此说明。
图1为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程图。本实施方式的制作方法之具体工艺为:首先,参考图2与图2A,提供一基板110,于本实用新型之部分实施方式中,基板110理想上为透明基板,详细而言,可以为一硬式透明基板或一可挠式透明基板,其材料可以选自玻璃、压克力 (polymethylmethacrylate;PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride;PVC)、聚丙烯(polypropylene;PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate;PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylene naphthalate;PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate; PC)、聚苯乙烯(polystyrene;PS)等透明材料。
接着,参考图3,如步骤S1,在基板110上制作一金属纳米线层140A,金属纳米线层140A可至少由金属纳米线140所组成;在本实施例的具体作法为:将具有金属纳米线140之分散液或浆料(ink)以涂布方法成型于基板110上,并加以干燥使金属纳米线140覆着于基板110的表面;换言之,金属纳米线140会因上述的干燥固化步骤而成型为一设置于基板110上的金属纳米线层140A。而基板110 上可定义有显示区VA与周边区PA,周边区PA设置于显示区VA的侧边,例如图3 所示,周边区PA设置于显示区VA之左侧及右侧的区域,但在其他实施例中,周边区PA则可为设置于显示区VA之四周(即涵盖右侧、左侧、上侧及下侧)的框型区域,或者为设置于显示区VA之相邻两侧的L型区域;而所述的金属纳米线层 140A可包括成型于显示区VA的第一部分与成型于周边区PA的第二部分,更详细的说,在显示区VA中,金属纳米线层140A的第一部分可直接成形于基板110 的表面上;相似的,在周边区PA中,金属纳米线层140A的第二部分可成形于基板110的表面上。
在本实用新型之实施例中,上述分散液可为水、醇、酮、醚、烃或芳族溶剂(苯、甲苯、二甲苯等等);上述分散液亦可包含添加剂、接口活性剂或黏合剂,例如羧甲基纤维素(carboxymethyl cellulose;CMC)、2-羟乙基纤维素 (hydroxyethyl Cellulose;HEC)、羟基丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose;HPMC)、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸盐、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性剂等等。而所述的金属纳米线(metal nanowires)层,例如可为纳米银线(silver nanowires)层、纳米金线(gold nanowires)层或纳米铜线(copper nanowires)层所构成;更详细的说,本文所用之「金属纳米线(metal nanowires)」系为一集合名词,其指包含多个元素金属、金属合金或金属化合物(包括金属氧化物)之金属线的集合,其中所含金属纳米线之数量,并不影响本实用新型所主张的保护范围;且单一金属纳米线之至少一个截面尺寸(即截面的直径)小于500 nm,较佳小于100nm,且更佳小于50nm;而本实用新型所称之为”线(wire)”的金属纳米结构,主要具有高的纵横比,例如介于10至100,000之间,更详细的说,金属纳米线之纵横比(长度:截面之直径)可大于10,较佳大于50,且更佳大于100;金属纳米线可以为任何金属,包括(但不限于)银、金、铜、镍及镀金之银。而其他用语,诸如丝(silk)、纤维(fiber)、管(tube)等若同样具有上述的尺寸及高纵横比,亦为本实用新型所涵盖之范畴。
而所述的含有金属纳米线140之分散液或浆料可以用任何方式成型于基板 110之表面,例如但不限于:网版印刷、喷头涂布、滚轮涂布等工艺;在一种实施例中,可采用卷对卷(roll to roll)工艺将含有金属纳米线140之分散液或浆料涂布于连续供应的基板110之表面。
于本实用新型之部分实施方式中,金属纳米线140可以是纳米银线(Silvernanowires)或纳米银纤维(Silver nanofibers),其可以具有平均约20至100纳米的直径,平均约20至100微米的长度,较佳为平均约20至70纳米的直径,平均约20 至70微米的长度(即纵横比为1000)。于部分实施方式中,金属纳米线140的直径可介于70纳米至80纳米,而长度约8微米。
接着,参考图4,如步骤S2,制作感光层130于金属纳米线层140A上。具体做法可为但不限于:将合适的聚合物或其混和物以涂布方法成型于基板110上,并施以固化步骤(或称干燥步骤)以形成感光层130于金属纳米线层140A上,更详细的说,感光层130包括在显示区VA中的第一部分与在周边区PA中的第二部分,感光层130的第一部分可对应并成形于金属纳米线层140A的第一部分上,而感光层130的第二部分可对应并成形于金属纳米线层140A的第二部分上。在另一实施例中,可将合适的聚合物或其混和物以涂布方法成型于基板110上,所述的聚合物会渗入金属纳米线140之间而形成填充物,并施以固化步骤以形成感光层 130,换言之,金属纳米线140可视为嵌入感光层130之中。在一具体实施例中,前固化步骤可为:利用加热烘烤的方式(温度在约60℃到约150℃)将上述聚合物或其混和物形成感光层130于金属纳米线层140A上。本实用新型并不限定感光层130与金属纳米线层140A之间的实体结构,例如感光层130与金属纳米线层 140A可为两层结构的堆栈,或者感光层130与金属纳米线层140A可相互组合而形成一复合层。优选的,金属纳米线140为嵌入感光层130之中而在后续的工艺中形成复合型态的电极层(即后文所述的复合结构);但为了方便说明,图4并未绘制出感光层130渗入金属纳米线140之间隙的复合结构。
在一实施例中,感光层130是由感光树脂所形成,其可以曝光显影的方式将感光层130进行图案化;具体而言,感光层130为负感光性的光阻材料;在另一实施例中,感光层130可为正感光性的光阻材料。
在一实施例中,上述构成感光层130的聚合物实例可包括,但不限于:聚丙烯酸系树脂,诸如聚甲基丙烯酸酯(例如,聚(甲基丙烯酸甲酯))、聚丙烯酸酯及聚丙烯腈;聚乙烯醇;聚酯(例如,聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚酯萘二甲酸酯及聚碳酸酯);具有高芳香度之聚合物,诸如酚醛树脂或甲酚-甲醛、聚苯乙烯、聚乙烯基甲苯、聚乙烯基二甲苯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酰胺酰亚胺、聚醚酰亚胺、聚硫化物、聚砜、聚伸苯基及聚苯基醚;聚胺基甲酸酯(polyurethane; PU);环氧树脂;聚烯烃(例如聚丙烯、聚甲基戊烯及环烯烃);纤维素;聚硅氧及其他含硅聚合物(例如聚倍半氧硅烷及聚硅烷);聚氯乙烯(PVC);聚乙酸酯;聚降冰片烯;合成橡胶(例如,乙丙橡胶(ethylene-propylene rubber;EPR)、丁苯橡胶(styrene-Butadiene Rubber;SBR)、三元乙丙橡胶(ethylene-Propylene-Diene Monomer;EPDM);及含氟聚合物(例如,聚偏氟乙烯、聚四氟乙烯(TFE)或聚六氟丙烯);氟-烯烃与烃烯烃之共聚物等非导电聚合物,上述聚合物可另行添加感光材料,以满足以曝光显影工艺图案化感光层130之需求。在其他实施例中,亦可使用以二氧化硅、富铝红柱石、氧化铝、SiC、碳纤维、MgO-Al2O3-SiO2、Al2O3-SiO2或MgO-Al2O3-SiO2-Li2O等无机材料混于感光材料中用以作为感光层130。
此外,上述的聚合物较佳的可赋予感光层130与金属纳米线140所组成之复合结构某些特定的化学、机械及光学特性,例如提供复合结构与基板110之黏着性,或是较佳的实体机械强度,故感光层130又可被称作基质(matrix)。又一方面,使用某些特定的聚合物制作感光层130,使复合结构具有额外的抗刮擦及磨损之表面保护,在此情形下,感光层130又可被称作外涂层(overcoat,OC),采用诸如聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚胺基甲酸酯、聚硅烷、聚硅氧、聚(硅-丙烯酸)等可使复合结构具有较高的表面强度以提高耐刮能力。再者,感光层130或聚合物中可添加交联剂、聚合抑制剂、稳定剂(例如但不限于抗氧化剂、紫外光稳定剂(UV stabilizers))、界面活性剂或上述之类似物或混合物以提高复合结构的抗紫外线能力或达成较长保存期限。在其他实施例中,感光层130可进一步包含腐蚀抑制剂。然而,上述仅是说明感光层130的添加物组成、附加功能/名称的可能性,并非用于限制本实用新型。值得说明的是,由于上述具感光性的聚合物中可能添加紫外光稳定剂,此一添加物有可能影响感光层130在进行曝光、显影等工艺的精度,而本实用新型则藉由调整曝光的参数,例如曝光强度,以降低紫外光稳定剂对曝光精度的影响。本实用新型并不限定感光层130与金属纳米线层140A之间的实体结构,例如感光层130与金属纳米线层140A可为两层结构的堆栈,或者感光层130与金属纳米线层140A可相互组合而形成一复合层(亦即可形成一种复合型态的导电结构层)。而为了清楚说明,本实用新型将感光层 130与金属纳米线层140A绘制为两层结构的堆栈。
接着,参考图5,如步骤S3,制作感光导电层150于周边区PA。如图所示,感光导电层150设置于感光层130与金属纳米线140所组成之复合结构上,感光导电层150大致位于周边区PA,但也可视需求突出周边区PA而延伸至显示区VA。
在一实施例中,感光导电层150是由感光性的导电材料所形成,其可应用光固化工艺以曝光显影的方式将感光导电层150进行图案化;具体而言,感光导电层150为负型感光性的银浆(Ag paste)材料或感光性银/铜复合金属浆料,但不以此为限。
在一实施例中,设置感光导电层150于周边区PA的具体方式可为但不限于:将银浆材料涂布于周边区PA,接着将银浆材料预固化/固化形成感光导电层150。在一具体实施例中,银浆材料预固化/固化步骤之温度为约90℃~110℃,固化时间为约10~20分钟。
在一实施例中,前述感光层130之光阻材料与感光导电层150之银浆材料可在同一步骤中进行预固化。或者,感光层130之光阻材料可先进行预固化,例如在步骤S2之后进行软烤步骤,以使感光层130之光阻材料形成预固化状态;而在上述的固化步骤中使银浆材料与预固化之感光层130同时一并进行完全固化。
接着,如步骤S4,进行图案化步骤。在一实施例中,可利用黄光微影进行图案化步骤,本实用新型即是利用感光层130与感光导电层150的感光性,将感光层130与感光导电层150进行曝光、显影等工艺(或概称为黄光微影工艺),以进行感光导电层150以及感光层130与金属纳米线140所组成之复合结构的图案化,图6即显示图案化步骤之后的结构。具体可包括以下步骤:将感光层130与感光导电层150进行曝光定义出保留区130A与去除区130B(可配合参考图7A、图 7B);接着,将位于去除区130B之材料(包含金属纳米线140、光阻材料或银浆材料)移除,以形成复合结构与感光导电层150的图案化。
在一具体实施例中,使用光罩覆盖于感光层130与感光导电层150,并利用曝光能量为约200mj/cm2至约1500mj/cm2的曝光源(如UV光)将光罩之图样转移至感光层130与感光导电层150上;较佳为600mj/cm2至约800mj/cm2的UV光定义出所述的去除区130B与保留区130A,并形成上述去除区130B与保留区130A之间的接口;接着使用显影液(或称脱膜剂)将位于显示区VA上的去除区130B(即第一去除区)的感光层130与金属纳米线层140A去除,以制作出设置于触控感应电极TE;同时,显影液将位于周边区PA上的去除区130B(即第二去除区)的感光导电层150、感光层130与金属纳米线层140A去除,以制作出设置于周边区PA的周边线路120。另外,位于显示区VA而保留下来的感光层130或复合结构具有曝光侧面(exposed sidewall),且位于周边区PA而保留下来的感光导电层150、感光层 130、金属纳米线层140A或感光层130与金属纳米线层140A所组成的复合结构同样具有曝光侧面(exposed sidewall)。本实用新型所指的周边线路120主要对应在周边区PA进行讯号传输的电极,故可为感光导电层150图案化后的单层结构,亦可为感光导电层150、感光层130、金属纳米线层140A的多层结构;为了方便说明,本文内容会交替使用。
更具体的说,在此实施例中,感光层130与感光导电层150可为具有相同光波段吸收特性的材料,例如均为对G-line或均为对I-line的UV光源感光的光阻,故可利用一曝光源对两者进行同时曝光;感光层130与感光导电层150可具有相同的感光特性,例如均为负感光性,但不以此为限。在负感光性的实施例中,前述的去除区130B为未曝光区域,保留区130A则为曝光区域。因此在显示区VA 中,显影液可将位于去除区130B之感光层130去除(即显影),而因此裸露在外之金属纳米线层140A也会连带被显影液所浸泡去除,以制作出触控感应电极TE;相似的,在周边区PA中,显影液可将位于去除区130B之感光层130与感光导电层150进行显影,并在此步骤中同时移除位于去除区130B之金属纳米线层140A,藉以制作周边线路120。本文所称显影的步骤,乃为本领域所熟知的技术,简言之,感光层130或感光导电层150中的感光物质,接收到光源的部份产生化学反应,使得化学键结变强而使结构体难以被显影液去除,反之,未照光的部份即可被上述的显影液所去除(上述以负型感光性为例)。
具体可采用氢氧化四甲基铵(tetramethylammonium hydroxide,TMAH)、氢氧化钾(KOH)、二甲苯(xylene,C6H4(CH3)2)、乙酸丁酯、Na2CO3(浓度: 0.1%~1%)或芳族烃溶剂等等去除上述位于去除区130B之感光层130或/及感光导电层150。在其他实施例中,也可使用显影液搭配其他溶剂进行将位于去除区 130B之感光导电层150、感光层130与金属纳米线层140A去除之步骤。在一实施例中,感光导电层150经过前述的曝光显影步骤,其线宽可缩减至10um,相较于传统工艺约可缩减1/3的线宽,故更利于满足窄边宽的需求。
藉此,即可留下位于保留区130A之感光层130与金属纳米线层140A以制作出触控感应电极TE,即触控感应电极TE由位于显示区VA的复合结构经上述图案化过程所制成(可配合参考图7A、图7B);并同时留下位于保留区130A之感光导电层150以制作出周边线路120,即周边线路120由位于周边区PA的感光导电层150经图案化过程所制成,且感光导电层150之下的感光层130与金属纳米线层 140A同样被图案化,而周边线路120藉由其下的金属纳米线层140A与触控感应电极TE形成电性连接以传输讯号。
在一实施例中,前述感光层130之光阻材料与感光导电层150之银浆材料可在同一步骤中进行固化。例如在步骤S4之后进行硬烤步骤,使银浆材料与预固化之感光层130同时一并进行完全固化。硬烤步骤可使图案化后的感光层130、金属纳米线层140A与感光导电层150具有较佳的结构强度。在一实施例中,可形成保护层160(如图6’)覆盖前述图案化的结构。
请参阅图7,其显示本实用新型之实施例所完成之触控面板,图7A、图7B 分别为图7中的A-A、B-B剖面的态样,A-A剖面可看出位于周边区PA之保留区 130A与去除区130B的态样,而B-B剖面则可看出位于周边区PA与显示区VA之保留区130A与去除区130B的态样。如图7A、图7B所示,位于周边区PA的感光层130与感光导电层150经过曝光、显影之后可定义出(第二)去除区130B与保留区130A,位于去除区130B之感光导电层150、感光层130与金属纳米线层140A 会被移除而形成空隙(即下文所述的非导电区域136),位于保留区130A之感光导电层150则被图样化而形成周边线路120,周边线路120下具有同样被图案化的复合结构,相邻周边线路120具有非导电区域136;再者,周边线路120的第一曝光侧面122、金属纳米线层140A的第二曝光侧面142与感光层130的第三曝光侧面 132可相互对齐。由于周边区PA的结构层是在同一步骤中进行图案化,故可省略传统的对位步骤,进而达到减少或避免在工艺中设置对位误差区域的需求,藉以降低周边区PA的宽度,进而达到触控面板/触控显示器的窄边框需求。
而如图7B所示,在位于显示区VA中,保留区130A中之感光层130与金属纳米线层140A会共同形成透明导电层,并且在上述显影工艺中被图案化而形成触控感应电极TE。在本实施例中,位于(第一)去除区130B之感光层130与金属纳米线层140A会被移除而形成空隙,以形成相邻触控感应电极TE之间的非导电区域136。再者,触控感应电极TE可透过延伸至周边区PA的金属纳米线层140A与周边线路120形成电性连接。
在一实施例中,以显示区VA为例,位于保留区130A之复合结构(即触控感应电极TE)会具有一曝光侧面(exposed sidewall),其可视为光化学反应在去除区 130B与保留区130A之间的接口;相较之下,传统的蚀刻工艺,强酸性蚀刻液仅能将金属纳米线予以移除,但无法移除外涂层(overcoat),因此本实用新型将不需要的感光层130与金属纳米线层140A一并去除,以解决残留的外涂层 (overcoat)对后续工艺的影响。在一实施例中,金属纳米线层140A的金属纳米线会突出于曝光侧面。
本实施例之步骤可整合为一个显影步骤而使用显影液同时去除显示区VA 中位于(第一)去除区130B之感光层130与金属纳米线层140A,以制作出触控感应电极TE,并同时去除周边区PA中位于(第二)去除区130B之感光导电层150、感光层130与金属纳米线层140A,以制作出周边线路120。值得说明的是,本实用新型不以上述为限,只要是不需使用蚀刻液,而仅以显影技术剥除感光层130/ 感光导电层150的同时达到图案化金属纳米线层140A的工艺,就属本实用新型所涵盖的范围。
在一实施例中,如图7A所示,相邻周边线路120之间的金属纳米线140(可包含金属纳米线层140A所涵括的其他材料)及感光层130会被完全去除,换言之,相邻周边线路120之间的金属纳米线140及感光层130均被上述的曝光、显影步骤完全去除而不复存在,因此可形成绝缘区(即下文所述的非导电区域136),非导电区域136并不存在有金属纳米线140及感光层130;换言之,本实施例的非导电区域136为空隙结构,且金属纳米线140分布于空隙结构的浓度为零,故相邻周边线路120之间形成电性隔绝,进而达到触控面板的电路配置。在一实施例中,可利用一辅助移除步骤将非导电区域136中的金属纳米线140完全移除,例如在上述显影步骤之后采用黏胶法完全移除位于第一去除区或第一去除区中的金属纳米线140。
相似的,如图7B所示,位于显示区VA之去除区130B的位置会对应相邻触控感应电极TE之间的绝缘区(即非导电区域136),以定义出用于感测不同触控位置的触控感应电极TE,换言之,相邻触控感应电极TE之间的非导电区域136并不存在有金属纳米线140及感光层130;换言之,本实施例的相邻触控感应电极 TE之间的非导电区域136为空隙结构,且金属纳米线140分布于空隙结构的浓度为零。
较佳地,金属纳米线140在感光层130中形成导电网络(conductive network),也就形成所谓的透明导电层,而此透明导电层在上述图案化之后可在显示区VA 中做为触控感应电极TE,为达较佳的显示效果,金属纳米线140与感光层130所形成的复合结构的光穿透率(Transmission)可大于约80%,且表面电阻率(surface resistance)在约10至1000奥姆/平方(ohm/square)之间;较佳地,金属纳米线140 与感光层130所形成的复合结构的光穿透率(Transmission)大于约85%,且表面电阻率(surface resistance)在约50至500奥姆/平方(ohm/square)之间。
在一实施例中,可控制感光层130的厚度薄到足以使金属纳米线140能够外露突出于感光层130,例如小于90纳米,故金属纳米线140能够突出于感光层130 的上表面,而在周边区PA中,周边线路120可与外露的金属纳米线140形成较佳的接触,使触控感应电极TE与周边线路120所形成的讯号传递路径具有较低的阻抗。在一实施例中,感光层130的厚度介于约10nm至约2um之间。
较佳地,所形成之金属纳米线140可进一步进行后处理以提高其导电度,此后处理可为包括如加热、电浆、电晕放电、UV臭氧或压力之过程步骤。例如,在固化形成金属纳米线层140A之步骤后,可利用滚轮施加压力于其上,在一实施例中,可藉由一或多个滚轮向金属纳米线层140A施加50至3400psi之压力,较佳为可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi之压力。于部分实施方式中,可同时进行加热与压力之后处理;详言之,所形成之金属纳米线140 可经由如上文所述的一或多个滚轮施加压力,并同时加热,例如由滚轮施加之压力为10至500psi,较佳为40至100psi;同时将滚轮加热至约70℃与200℃之间,较佳至约100℃与175℃之间,其可提高金属纳米线层140A之导电度。于部分实施方式中,金属纳米线140较佳可暴露于还原剂中进行后处理,例如由纳米银线组成之金属纳米线140较佳可暴露于银还原剂中进行后处理,银还原剂包括硼氢化物,如硼氢化钠;硼氮化合物,如二甲基胺基硼烷(DMAB);或气体还原剂,诸如氢气(H2)。而所述的暴露时间约10秒至约30分钟,较佳约1分钟至约10分钟。而上述施加压力之步骤可依实际的需求实施在涂布感光层130的步骤之前或之后。
综合上述,本实用新型实施例之可用于感应触控的触控面板,其可包括在基板110之显示区VA所形成的触控感应电极TE(即感光层130与金属纳米线140 所形成的复合结构)及在基板110的周边区PA所形成的周边线路120,触控感应电极TE与周边线路120会彼此电性连接以传递讯号,周边线路120是由感光导电层 150经过图样化所制成。在本实施例中,感光层130与金属纳米线140所形成的复合结构会延伸至周边区PA,并与感光导电层150在同一个显影步骤中被图样化。详细的说,在周边区PA中,周边线路120会形成在上述复合结构上,且两者具有相对应的图样;更具体的说,位于周边区PA周边线路120与上述复合结构在经过上述的黄光微影工艺后具有相同或相似的图样,且周边区PA中的周边线路 120与复合结构均具有曝光侧面(exposed sidewall),而周边线路120的第一曝光侧面122会与复合结构的第二、第三曝光侧面132、142相对齐以形成一共平面。
如图7所示,本实施例之触控面板为一种单面非跨接式(non-cross)的触控面板,触控感应电极TE的数量可为一个或多个。更详细的说,显示区VA中具有多个朝同一方向(如第一方向D1)延伸的触控感应电极TE,而相邻触控感应电极 TE之间为上述工艺中的(第一)去除区130B所定义出的非导电区域136;同样的,周边区PA中也具有(第二)去除区130B所定义出的非导电区域136,以电性阻绝相邻的周边线路120。本实施例之触控面板可不经由蚀刻液就直接进行感光层 130与金属纳米线140的图案化,以及感光导电层150的图案化。其中,位于显示区VA之触控感应电极TE可用于感测用户的触碰位置或手势,位于周边区PA的周边线路120则电性连接于触控感应电极TE,以将触控感应电极TE测得的感测讯号传送至一外部控制器(图未示)。
在另一实施例中,上述黄光微影工艺并不会完全移除非导电区域136的金属纳米线140,换言之,去除区130B中残留有金属纳米线140,但所残留之金属纳米线140的浓度低于一渗透临限值(percolation threshold),而去除区130B中的感光层130会被上述的曝光、显影步骤完全去除。感光层130与金属纳米线140之复合结构的导电度主要由以下因素控制:a)单一金属纳米线140之导电度、b)金属纳米线140之数目、及c)该等金属纳米线140之间的连通性(又称接触性);若金属纳米线140之浓度低于渗透临限值(percolationthreshold),由于金属纳米线140之间的间隔太远,因此去除区130B整体导电度甚低,或是为零(或者具有高电阻),意即金属纳米线140在去除区130B中并未提供连续电流路径,而无法形成一导电网络(conductive network),也就是说金属纳米线140在非导电区域136中所形成的是非导电网络(non-conductive network)。在一实施例中,一个区域或一个结构的片电阻在以下范围中即可被认定为非导电:片电阻高于108奥姆/平方 (ohm/square),或高于104奥姆/平方(ohm/square),或高于3000奥姆/平方 (ohm/square),或高于1000奥姆/平方(ohm/square),或高于350奥姆/平方 (ohm/square),或高于100奥姆/平方(ohm/square)。换言之,本实施例中相邻周边线路120间的空隙填有浓度低于渗透临限值的金属纳米线140,其形成非导电网络,以达成相邻周边线路120之间的绝缘;相似的,相邻触控感应电极TE间的空隙填有浓度低于渗透临限值的金属纳米线140,其形成非导电网络,以达成相邻触控感应电极TE之间的绝缘。
图8为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程图。相较于图1,本实施例与前述实施例的差异至少在于感光层130与感光导电层150 的制作顺序不同,亦即先制作金属纳米线层140A,接着制作感光导电层150于周边区PA,再制作感光层130覆盖金属纳米线层140A;而感光层130可成型于周边区PA与显示区VA以覆盖于金属纳米线层140A与感光导电层150,亦可仅成型于显示区VA以覆盖于金属纳米线层140A。在图案化步骤中,位于显示区VA上的金属纳米线层140A可藉由感光层130的曝光显影而达成图案化;位于周边区 PA上的感光导电层150与金属纳米线层140A可藉由感光导电层150或/及感光层130的曝光显影而达成图案化。图9为根据图8的制作方法所制作的触控面板示意图。本实施例的具体内容可参考前文,在此不再赘述。在一实施例中,由于前述银浆材料具流动性,故会渗入金属纳米线层140A中,换言之,当银浆材料固化后,感光导电层150会与金属纳米线层140A形成复合形式的导电层,其可作为前述的周边线路120。
在另一实施例中,金属纳米线层140A可先制作成为复合膜材20,例如先将金属纳米线140涂布于载板(图未示)上,再将复合膜材20贴附于前述的基板110,例如使用额外的黏贴层或复合膜材20本身可具有适当的黏着性。较佳的,复合膜材20可具有前述的感光性,例如可利用感光性树脂材材料制成所述载板,或者在具有金属纳米线140的分散液或浆料(ink)中添加感光性添加物,感光性添加物可包括自由基型不饱和寡聚物,例如聚酯压克力树脂、环氧压克力树脂等。在一实施例中,复合膜材20可以由金属纳米线层140A与感光层130所整合形成。具体作法如图10所示,如图10中的(A)所示,先将复合膜材20贴附于基板110,再根据前述的方法制作感光导电层150(如图10中的(B)),借着利用前述曝光显影方法制作图案化(如图10中的(C)),即可制作本实施例的触控面板。在一实施例中,可进一步包含移除载板的步骤,例如利用整面曝光将载板移除,又例如采用具可离型特性的载板,即可利用离型或脱膜步骤移除载板;另外复合膜材20 与感光导电层150可分次进行曝光,并于同一个显影步骤中移除复合膜材20与感光导电层150的曝光区域(以负型光阻为例)。
图11为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的流程图。相较于图1,本实施例与前述实施例的差异至少在于制作顺序不同:在本实施例中,先制作感光导电层150,再依序制作金属纳米线层140A与感光层130,而后再根据前述的方法进行图案化步骤。具体做法可举例如下:先制作感光导电层 150于周边区PA,再制作金属纳米线层140A于周边区PA与显示区VA,金属纳米线层140A的第一部分覆盖于感光导电层150;接着再制作感光层130覆盖金属纳米线层140A。而在图案化步骤中,位于显示区VA上的金属纳米线层140A可藉由感光层130的曝光显影而达成图案化;位于周边区PA上的感光导电层150与金属纳米线层140A可藉由感光导电层150或/及感光层130的曝光显影而达成图案化。本实施例的具体内容可参考前文,在此不再赘述。
图12即为根据图11的制作方法所制作的触控面板示意图。如图12所示,位于周边区PA的感光层130并不设置于金属纳米线层140A与感光导电层150之间,故位于周边区PA的金属纳米线层140A直接与感光导电层150接触,也就是说由金属纳米线140所制成的触控感应电极TE与周边线路120是直接接触的,因此两者之间具有较低的接触阻抗,进而可以提高传递触控讯号的损耗及失真。另外,由于感光层130位于结构的最外层,故其可以提供保护金属纳米线层140A与感光导电层150的作用,例如感光层130的厚度至少能包覆金属纳米线140,而不让金属纳米线140突出或曝露于外。在一实施例中,感光导电层150的厚度约在1um至2um。
图13(A)-13(C)为根据本实用新型之部分实施方式之触控面板的制作方法的示意图。本实施例与前述实施例的差异至少在于本实施例利用两层纳米线层在基板110上制作双轴向的电极结构。在此实施例中,两层纳米线层的至少其中之一会与感光导电层150在同一曝光显影工艺中被图案化,进而形成触控感应电极与周边线路120。
首先,如图13(A)所示,在基板110上制作图案化后的第一金属纳米线层 140A’。具体作法例如但不限于:制作第一金属纳米线层140A’于基板110上;接着利用黄光工艺配合蚀刻工艺即可进行第一金属纳米线层140A’的图案化。在此实施例中,图案化后的第一金属纳米线层140A’可形成具有沿第一方向D1间隔排列的第一触控感应电极TE1,相邻的第一触控感应电极TE1之间具有连接电极 CE。第一触控感应电极TE1与连接电极CE可组成第一轴向电极,其大致位于显示区VA;但考虑第一轴向电极与后续工艺所使用的银浆材料的接触,第一轴向电极可由显示区VA延伸至周边区PA。
或者,根据前述实施方式仅以曝光显影的工艺进行第一金属纳米线层140A’的图案化,具体做法为先制作第一金属纳米线层140A’,再制作第一感光层(图未示)于第一金属纳米线层140A’上,接着采用前述的曝光显影工艺进行图案化以制作第一触控感应电极TE1与连接电极CE,换言之,第一触控感应电极TE1 与连接电极CE均具有第一金属纳米线层140A’与第一感光层的迭层结构。在另一实施例中,可先制作第一感光层(图未示),再制作第一金属纳米线层140A’于第一感光层(图未示)上,接着采用前述的曝光显影工艺进行图案化以制作第一触控感应电极TE1与连接电极CE。
又或者,利用第一金属纳米线层140A’与第一感光层的复合膜材20配合曝光显影的工艺进行第一金属纳米线层140A’的图案化,具体做法为先将复合膜材20 贴附于基板110上,接着采用前述的曝光显影工艺进行图案化以制作第一触控感应电极TE1与连接电极CE,换言之,第一触控感应电极TE1与连接电极CE均由第一金属纳米线层140A’与第一感光层的复合膜材20所制成。
接着,在基板110上制作感光层130(或称第二感光层)、第二金属纳米线层 140A”与感光导电层150;借着进行感光层130、第二金属纳米线层140A”与感光导电层150的图案化。在上述步骤中,感光层130、第二金属纳米线层140A”与感光导电层150的制作顺序与工艺均可参考前文,以下仅简单说明。
具体而言,先在基板110上制作感光层130,再于感光层130上制作第二金属纳米线层140A”。感光层130与第二金属纳米线层140A”主要设置于图案化后的第一金属纳米线层140A’上,以形成与第一触控感应电极TE1相对应的电极结构。接着,在周边区PA上形成感光导电层150。图13(B)显示前述感光层130、第二金属纳米线层140A”与感光导电层150的结构示意图,其中感光导电层150 可形成于显示区VA左方与下方的周边区PA,以制作对应不同轴向感应电极的讯号传输的周边线路120,例如第一与第二轴向周边线路;而由于感光层130与第二金属纳米线层140A”的涂布区域大致相同,故以同层结构绘示。另外,值得说明的是,感光导电层150与图案化后的第一金属纳米线层140A’(即第一触控感应电极TE1及/或连接电极CE)具有搭接或重迭结构,以使后续制作的周边线路 120与第一触控感应电极TE1及/或连接电极CE形成电性连接而传递讯号;同理,感光导电层150与第二金属纳米线层140A”也具有搭接或重迭结构,也就是说第二金属纳米线层140A”具有第一部分与第二部分,第一部分位于显示区VA,其主要用于被图案化而形成第二轴向电极,而第二部分位于周边区PA,其被感光导电层150所覆盖,以在图案化之后形成相互导通的结构。
接着,进行感光层130、第二金属纳米线层140A”与感光导电层150的图案化,此步骤可参考前述的曝光显影工艺,于此不再赘述。图13(C)显示图案化之后的感光层130、第二金属纳米线层140A”与感光导电层150,其中感光层130与第二金属纳米线层140A”图案化之后可在显示区VA中形成第二触控感应电极 TE2及桥接电极BR,桥接电极BR可跨设于对应的连接电极CE上并连接相邻的第二触控感应电极TE2以形成第二轴向电极。另外,感光导电层150可形成周边线路120,例如位于显示区VA下方与左方的第一、第二周边线路,其分别电性连接第一轴向电极与第二轴向电极,而第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2在结构上相互交错,两者可组成触控感应电极TE,以用感应触碰或控制手势等。
在一实施例中,不同轴向的周边线路120(如第一、第二周边线路)可与第二轴向电极在同一图案化工艺中制作。或者,可先制作第一感光导电层,使其在第一金属纳米线层140A’的曝光显影步骤中同时图案化,进而制作上述的第一轴向电极与第一周边线路;再于后续的工艺中制作第二感光导电层,使其在第二金属纳米线层140A”的曝光显影步骤中同时图案化,而制作上述的第二轴向电极与第二周边线路。
在一实施例中,为避免前述的第一、第二感光层在曝光工艺的相互影响,第一、第二感光层可具有不同感光性,换言之,第一、第二感光层为对不同波长光源具有感光性的材质所制成。而如前文实施例所述,在同一曝光显影工艺中被图样化的材料会选用对相同波长光源具有感光性的材质所制成。
图14显示图13(C)的A-A剖面示意图。桥接电极BR为感光层130与第二金属纳米线层140A”的迭层结构,且由于感光层130的绝缘特性而形成绝缘层,使第一金属纳米线层140A’与第二金属纳米线层140A”可形成电性隔绝,故此结构中以第一金属纳米线层140A’与第二金属纳米线层140A”制作的双轴向电极的讯号可以不相互影响,例如沿第一方向D1排列的第一触控感应电极TE1可用于传递外部控制讯号,沿第二方向D2排列的第二触控感应电极TE2可用于传递触控感应讯号。在另一实施例中,连接电极CE也可为另一感光层130(例如前述的第一感光层)与第一金属纳米线层140A’的迭层结构,因此上述的绝缘层会由两层感光层130所构成。在上述实施例中,感光层130在厚度方向上会有一部分材料是没有金属纳米线140掺入其中,使感光层130在厚度方向提供绝缘性,以使第一金属纳米线层140A’与第二金属纳米线层140A”可形成电性隔绝。
在另一实施例中,如图15所示,可以将第二金属纳米线层140A”与感光层 130所整合形成的复合膜材20贴附于基板110,再根据前述的方法制作感光导电层150,并利用前述曝光显影方法制作图案化,即可形成第二触控感应电极TE2、桥接电极BR及周边线路120,具体做法可参考前文所述内容。
为了保护第一触控感应电极TE1不被后续的工艺所影响,可在第一金属纳米线层140A’中添加底涂层(图未示)或外涂层(overcoat,图未示),例如将聚合物材料涂布于第一金属纳米线层140A’,固化后使第一金属纳米线层140A’具有较佳的机械特性。
除了上述单面式的触控面板,本实用新型之工艺亦可适用于双面式的触控面板,例如,先分别在基板110的相对两面上制作金属纳米线层140A与感光层 130,再依照上述的做法在基板110的相对两面上形成感光导电层150;接着配合双面曝光、显影等工艺,以在基板110的相对两面上形成具图案化的触控感应电极TE与周边线路120。同于前述实施例,本实施例之步骤可整合为一个显影步骤而使用显影液同时去除在基板110双面的显示区VA中位于去除区130B之感光层130与金属纳米线层140A,以制作出触控感应电极TE,并同时去除周边区PA 中位于去除区130B之感光导电层150、感光层130与金属纳米线层140A,以制作出周边线路120。在一实施例中,基板110的上下表面分别成形第一触控感应电极TE1及第二触控感应电极TE2,两者在结构上相互交错,故可组成触控感应电极TE,以用感应触碰或控制手势等。
在一实施例中,为避免基板110的相对两面上的感光层130与感光导电层150 在进行曝光时的相互干扰,可采用不同时序的光源进行曝光工艺。
上述实施例可视实际情况相互参照引用。
本实用新型之部分实施方式中,不须使用蚀刻液而利用感光层130或感光导电层150进行图案化(即曝光显影)工艺的同时,一并将金属纳米线层140A与感光层130组成的透明导电层图案化以形成位于显示区之触控感应电极TE,可省去传统需要蚀刻液进行金属纳米线层140A之蚀刻步骤,因此可以解决蚀刻液的残留所造成的问题,并达到提高生产良率之效果。
本实用新型之部分实施方式中,不须使用蚀刻液来蚀刻金属纳米线层 140A,故可排除蚀刻液对组件(例如金属材料所制成的周边线路120)造成的影响。
本实用新型之部分实施方式中,利用感光层130及/或感光导电层150的感光性,进行光化学反应之后以显影液去除的方式进行金属纳米线层140A的图案化,故可省略传统的蚀刻金属纳米线层140A之步骤,故可简化整体工艺,以达到降低成本的效果。
本实用新型之部分实施方式中,透过将感光导电层150直接与金属纳米线层 140A中的金属纳米线140接触,故可形成一低阻抗之导电线路,进而减少传递触控讯号的损耗及失真。
本实用新型之部分实施方式中,感光层130可提供金属纳米线层140A所需保护作用,使产品得以通过较严格的耐环测试。
本实用新型之部分实施方式,藉由感光层130所提供的保护层之作用,可提高显示区之触控感应电极的耐用性。
本实用新型的部分实施方式中,透过设计周边引线与其下的金属纳米线层在同一步骤中进行图案化,可以省去对位步骤,以避免对位的过程中所预留的误差空间,故可有效降低周边区的宽度。
本实用新型之部分实施方式中,所述的工艺可同时大量批次进行单面或双面的触控面板之制作。
虽然本实用新型已以多种实施方式揭露如上,然其并非用以限定本实用新型,任何熟习此技艺者,在不脱离本实用新型之精神和范围内,当可作各种之更动与润饰,因此本实用新型之保护范围当视后附之申请专利范围所界定者为准。
Claims (9)
1.一种触控面板,其特征在于,包含:
一基板,其中该基板具有一显示区与一周边区;
一第一轴向电极,其设置于该显示区;
设置于该第一轴向电极上之一感光层与一金属纳米线层;及
一设置于该周边区上之感光导电层,其中该感光导电层与该感光层经曝光后定义出一第一去除区与一第二去除区,其中,位于该第一去除区之该感光层与该金属纳米线层被显影液移除而定义出一位于该显示区的第二轴向电极;位于该第二去除区之该感光导电层、该感光层与该金属纳米线层被显影液移除而定义出一位于该周边区的周边线路,该第一轴向电极与该第二轴向电极相互绝缘,该第一轴向电极与该第二轴向电极电性连接于该周边线路,其中该第一轴向电极与该第二轴向电极至少包括金属纳米线。
2.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该金属纳米线层包括金属纳米线,该金属纳米线系嵌设于该感光层中形成导电网络,而位于该显示区的该感光层与该金属纳米线共同形成该第二轴向电极。
3.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第一轴向电极具有一连接电极,该第二轴向电极具有一桥接电极,该感光层形成一位于该连接电极与该桥接电极之间的绝缘层。
4.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该感光导电层包含负感光性的银浆。
5.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该感光层与该感光导电层为具有相同光波段吸收特性的材料。
6.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第一去除区及/或该第二去除区中的该金属纳米线的浓度为零。
7.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第一去除区及/或该第二去除区中的中的该金属纳米线的浓度小于一渗透临限值,以形成一非导电网络。
8.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该第二轴向电极具有一曝光侧面。
9.如权利要求1所述的触控面板,其特征在于,该周边线路设置在该感光层与该金属纳米线层所组成的一复合结构上,该周边线路具有一第一曝光侧面,该复合结构具有一第二曝光侧面,该第一曝光侧面与该第二曝光侧面相对齐以形成一共平面。
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