CN113325964A - 触控面板、触控面板的制作方法及其装置 - Google Patents

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Abstract

一种触控面板及其制作方法，触控面板中的周边引线包含导电纳米结构及一外加于所述导电纳米结构的膜层，所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有披覆结构。

Description

触控面板、触控面板的制作方法及其装置
技术领域
本发明涉及触控面板、触控面板的制作方法及包含触控面板的装置。
背景技术
近年来，透明导体可同时让光穿过并提供适当的导电性，因而常应用于许多显示或触控相关的装置中。一般而言，透明导体可以是各种金属氧化物，例如氧化铟锡(IndiumTin Oxide，ITO)、氧化铟锌(Indium Zinc Oxide，IZO)、氧化镉锡(Cadmium Tin Oxide，CTO)或掺铝氧化锌(Aluminum-doped Zinc Oxide，AZO)。然而，这些金属氧化物薄膜并不能满足显示设备的可挠性需求。因此，现今发展出了多种可挠性的透明导体，例如利用纳米等级的材料所制作的透明导体。
然而，所述的纳米等级的材料的制程技术尚有许多需要解决的问题，例如传统上是利用减法制程，例如利用蚀刻等步骤移除不需要的材料达成图案化，诸如此类的制程会造成材料的浪费及制程上的复杂性。又例如利用纳米线制作触控电极，纳米线与周边区的引线须进行搭接，所述搭接区域造成周边区的尺寸无法缩减，进而导致周边区的宽度较大，无法满足显示器的窄边框需求。
发明内容
本发明的部分实施方式中，形成披覆结构于导电纳米结构(如金属纳米线)的特定表面，两者形成并联特性，以达到提升电特性的目的，以满足低电阻与可挠性的应用。
本发明的部分实施方式中，形成披覆结构于导电纳米结构(如金属纳米线)上是一种直接成型的加法制程，制程较为简单且可降低材料成本。
本发明的部分实施方式中，透过设计周边引线直接由改质后的导电纳米结构(如金属纳米线)成型，藉以达到不需搭接的结构，以形成宽度较小的周边区，进而满足窄边框的需求。
根据本发明的部分实施方式，一种触控面板，其特征在于，包含：基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；周边引线，设置于该基板的该周边区；以及触控感应电极，设置于该基板的该显示区，该触控感应电极电性连接该周边引线，其中该周边引线与该触控感应电极包括多个导电纳米结构及一外加于所述导电纳米结构的膜层，该周边引线中的所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有披覆结构。
根据本发明的部分实施方式，一种电极，其特征在于，包含：导电纳米结构及一外加于所述导电纳米结构的膜层，所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有披覆结构。
于本发明的部分实施方式中，披覆结构包括镀层，所述镀层完全包覆导电纳米结构与膜层的界面。披覆结构包括化学镀层、电镀层或其组合。
于本发明的部分实施方式中，膜层具有一未完全固化状态，该披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
于本发明的部分实施方式中，膜层具有一第一层区域与一第二层区域，该第二层区域的固化状态高于该第一层区域的固化状态；在第一层区域中，披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。在第二层区域中，至少部分的导电纳米结构的表面具有披覆结构，或者导电纳米结构的表面具有披覆结构均无披覆结构。两层区域相比，固化程度较小的区域，较大比例的导电纳米结构的表面被披覆结构所覆盖。
于本发明的部分实施方式中，相邻的所述导电纳米结构之间填充有该膜层，该膜层中没有单独存在的所述披覆结构。
于本发明的部分实施方式中，导电纳米结构包含金属纳米线，该披覆结构完全包覆所述金属纳米线与所述膜层的界面，并在所述界面形成均匀的披覆层。所述均匀的披覆层可为厚度均匀的披覆层。
于本发明的部分实施方式中，披覆结构为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合。
于本发明的部分实施方式中，导电材料为银、金、铂、铱、铑、钯、锇或包含前述材料的合金。
于本发明的部分实施方式中，披覆结构为单一金属材料或合金材料所制成的单层结构；或者该披覆结构为两种以上的金属材料或合金材料所制成的两层或多层结构。
于本发明的部分实施方式中，披覆结构为化学镀铜层、电镀铜、化学镀铜镍层、化学镀银层或其组合。披覆结构为化学镀层，所述化学镀层完全包覆所述导电纳米结构与所述膜层的界面。也就是说，导电纳米结构的表面与所述膜层之间隔着化学镀层。
根据本发明的部分实施方式，包括：将一膜层外加于一含有导电纳米结构的导电层上，并使该膜层达到预固化或未完全固化状态；以及进行一改质步骤，使一披覆结构成型于至少一部分的所述导电纳米结构的表面，使所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有该披覆结构。
于本发明的部分实施方式中，该改质步骤包括:将该膜层与该导电纳米结构浸入化学镀溶液，所述化学镀溶液渗入该膜层中并与所述导电纳米结构接触，使金属析出于所述导电纳米结构的表面。化学镀层完全包覆所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
于本发明的部分实施方式中，披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
于本发明的部分实施方式中，将一膜层外加于一含有导电纳米结构的导电层上包括:涂布聚合物于该导电层上；控制固化条件使聚合物达到预固化或未完全固化状态。聚合物为光固化型、热固化型或其他固化型态。
于本发明的部分实施方式中，将一膜层外加于一含有导电纳米结构的导电层上包括:涂布聚合物于该导电层上；控制固化条件使聚合物形成该膜层，该膜层具有一第一层区域与一第二层区域，该第二层区域的固化状态高于该第一层区域的固化状态。
于本发明的部分实施方式中，控制固化条件包括引入氧气，并控制氧气在该第一层区域与该第二层区域的浓度。
于本发明的部分实施方式中，改质步骤包括:化学镀步骤、电镀步骤或其组合。
于本发明的部分实施方式中，改质步骤仅在该周边区实施。
于本发明的部分实施方式中，在该改质步骤之前更包括遮蔽该显示区的步骤。
根据本发明的部分实施方式，一种触控面板的制作方法，其特征在于，包含：提供基板，具有显示区与周边区；设置金属纳米线于该显示区与该周边区以形成一金属纳米线层；外加一膜层于该金属纳米线层上，并使该膜层达到预固化或未完全固化状态；进行图案化步骤，包括：图案化位于该显示区的该金属纳米线层与该膜层以形成一触控感应电极及图案化位于该周边区的该金属纳米线层与该膜层以形成一周边引线，该触控感应电极电性连接该周边引线；进行改质步骤，使一披覆结构成型于该周边引线的所述金属纳米线的表面，使所述金属纳米线与所述膜层的界面实质具有该披覆结构。
于本发明的部分实施方式中，改质步骤包括:将该周边引线的该膜层与该金属纳米线层接触化学镀溶液，所述化学镀溶液渗入该膜层中并与所述金属纳米线接触，使金属析出于所述金属纳米线的表面。
于本发明的部分实施方式中，该改质步骤包含化学镀步骤、电镀步骤或其组合。
根据本发明的部分实施方式，一种装置，其包含一种触控面板，其包含：基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；周边引线，设置于该基板的该周边区；以及触控感应电极，设置于该基板的该显示区，该触控感应电极电性连接该周边引线，其中该周边引线与该触控感应电极包括多个导电纳米结构及一外加于所述导电纳米结构的膜层，该周边引线中的所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有披覆结构。
于本发明的部分实施方式中，装置包括显示器、可携式电话、平板计算机、穿戴装置、车用装置、笔记本电脑或偏光片。
附图说明
图1A为根据本发明部分实施方式的第一步骤示意图。
图1B为根据本发明部分实施方式的第二步骤示意图。
图1C为根据本发明部分实施方式的第三步骤示意图。
图2为根据本发明的部分实施方式的触控面板的上视示意图。
图2A为图2的线A-A的剖面示意图。
图2B为图2的线B-B的剖面示意图。
图3A至图3D为根据本发明的部分实施方式的触控面板的制作方法示意图。
图4为根据本发明的另一实施方式的触控面板的剖面示意图。
图5为根据本发明的另一实施方式的触控面板的示意图。
图5A为图5的线A-A的剖面示意图。
图6为根据本发明的另一实施方式的触控面板的示意图。
图7为根据本发明的另一实施方式的触控面板的示意图。
图8为膜层通入20％氧气、固化不同能量条件下的第一区域与第二区域的总厚度以及经碱液蚀刻后的第二区域的厚度。
图9显示金属纳米线在没有膜层下进行上化学镀的SEM图。
图10为随着化镀时间金属纳米线演变为具有披覆结构的纳米银线的SEM图。
附图标记说明：
100：触控面板
110：基板
120：周边引线
140：标记
130：膜层
136：非导电区域
190：金属纳米线
150：保护层
160：屏蔽导线
180：披覆结构
VA：显示区
PA：周边区
BA：接合区
TE1：第一触控电极
TE2：第二触控电极
TE：触控感应电极
NWL：金属纳米线层
D1：第一方向
D2：第二方向
具体实施方式
以下将以图式揭露本发明的多个实施方式，为明确说明起见，许多实务上的细节将在以下叙述中一并说明。然而，应了解到，这些实务上的细节不应用以限制本发明。也就是说，在本发明部分实施方式中，这些实务上的细节是非必要的。此外，为简化图式起见，一些习知惯用的结构与组件在图式中将以简单示意的方式为之。
关于本文中所使用的「约」、「大约」或「大致」，一般是指数值的误差或范围于百分之二十以内，较好地是于百分之十以内，更佳地是于百分之五以内。文中若无明确说明，所提及的数值皆视为近似值，即具有如「约」、「大约」或「大致」所表示的误差或范围。
本文中所使用的「导电纳米结构」，一般是指纳米结构所组成的层(layer)/膜(film)的片电阻小于500奥姆/平方，较好地是小于200奥姆/平方，更佳地是小于100奥姆/平方；而纳米结构一般是指纳米尺寸的结构，例如但不限于至少具有一个方向尺寸(例如线径、长度、宽度、厚度等等)为10-9公尺等级的线状结构、柱状结构、片状结构、网格状结构、管状结构等等。
本发明的部分实施方式提供一种将导电纳米结构(以纳米线为例)改质的方法，其可包括以下步骤:
如图1A，首先将金属纳米线190布于基板110上以形成金属纳米线层NWL，例如奈米银线层、奈米金线层或奈米铜线层涂。本实施例的具体作法为：将具有金属纳米线190的分散液或浆料(ink)以涂布方法成型于基板110上，并加以干燥使金属纳米线190覆着于基板110的表面，进而成型为设置于基板110上的金属纳米线层NWL。而在上述的固化/干燥步骤之后，溶剂等物质被挥发，而金属纳米线190以随机的方式分布于基板110的表面；较佳的，金属纳米线190会固着于基板110之表面上而不至脱落而形成所述的金属纳米线层NWL，且金属纳米线190可彼此接触以提供连续电流路径，进而形成一导电网络(conductivenetwork)，换言之，金属纳米线190彼此在交叉位置处形成相互接触以构成传递电子的路径。以银纳米线为例，一根银纳米线与另一银纳米线在交叉位置处会形成直接接触的态样，故形成低电阻的传递电子路径。在一实施例中，当一区域或一结构的片电阻高于108奥姆/平方(ohm/square)即可被认定为电绝缘,较佳地是高于104奥姆/平方(ohm/square),3000奥姆/平方(ohm/square),1000奥姆/平方(ohm/square)，350奥姆/平方(ohm/square),或100奥姆/平方(ohm/square)的情况。在一实施例中，由银纳米线所构成的银纳米线层的片电阻小于100奥姆/平方。
接着如图1B，设置膜层130，使膜层130覆盖于金属纳米线190上，并控制膜层130的固化程度。在具体实施例中，将适当的聚合物涂布于金属纳米线190上，具有流动状态/性质的聚合物可以渗入金属纳米线190之间而形成填充物，金属纳米线190会嵌入膜层130之中形成复合结构CS；并控制聚合物涂布、固化的条件，例如控制温度、光固化参数等等，使聚合物呈现预固化或未完全固化；或是膜层130具有不同的固化程度，例如下层区域(即接近基板110的区域)的固化程度大于上层区域(即远离基板110的区域)，而上层区域即为前述的预固化或未完全固化状态。也就是说，在此步骤中，涂布聚合物以外加膜层130于金属纳米线190，而金属纳米线190会内嵌于预固化或未完全固化的膜层130而形成复合结构CS。于本发明的部分实施方式中，膜层130由绝缘材料所形成。举例而言，膜层130的材料可以是非导电的树脂或其他有机材料，诸如聚丙烯酸酯、环氧树脂、聚胺基甲酸酯、聚硅烷、聚硅氧、聚(硅-丙烯酸)、聚乙烯(polyethylene；PE)、聚丙烯(Polypropylene；PP)、聚乙烯醇缩丁醛(Polyvinyl butyral；PVB)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物(Acrylonitrile butadiene styrene；ABS)、聚(3,4－伸乙二氧基噻吩)(PEDOT)、聚(苯乙烯磺酸)(PSS)或陶瓷材料等等等。于本发明的部分实施方式中，可以藉由旋涂、喷涂、印刷等方式形成膜层130。于部分实施方式中，膜层130的厚度大约为20纳米至10微米、或50纳米至200纳米、或30至100纳米，举例而言，膜层130的厚度大约可为90纳米或100纳米。为图示简洁，在图1B中，将金属纳米线190与膜层130绘制成一整体的结构层，但本发明不以此为限，金属纳米线190与膜层130可能构成其他类型的结构层，例如上下相迭的结构等等。
在一实施例中，控制膜层130的固化状态的方法为采用不同能量之固化条件进行膜层固化,使膜层达到非完全固化程度。其中,膜层的固化行为为利用膜层于固化时之键结变化,故某一膜层的固化程度可定义为该膜层键结强度对比于完全固化膜层的键结强度的比例(本实施例以百分比表示)。例如针对一市售商品的膜层材料，原本须采用500mJ光能量于低氧气氛下照射4分钟才能达到完全固化，本实施例采用500mJ光能量于低氧气氛下照射2分钟使其达到95％总体固化量的固化状态，也就是说该固化条件下以红外线光谱法所量测的键结强度为完全固化层的95％,因此定义该条件下所获得的固化膜层为95％总体固化量的固化状态。
在一实施例中，可控制膜层130在不同深度(即厚度)有不同的固化状态，可在膜层进行固化时通入气体,使膜层表面与底部之气体浓度不同,进而促使膜层表面之固化反应产生气体阻绝固化之现象,造成膜层具有不同固化程度的第一层区域与第二层区域，例如第二层区域的固化状态属于膜层底部,为固化程度较高的区域,相较之下,该第一层区域的固化状态则属于膜层表面,为固化程度较低的区域。其具体方法为控制固化条件下之气体(如氧气)浓度及/或固化能量,气体浓度可以为20％氧气、10％氧气、3％氧气或<1％氧气等,固化能量则将依据膜层的材质进行选择，例如250mJ至1000mJ不等的UV光能量。于实施方式中,氧气浓度越高将促使膜层表面氧气阻绝固化之现象越为显着,亦使其第一区域之固化程度较低区域之厚度越厚,而第二区域之固化程度较高区域之厚度较薄,故若以第一区域之厚度由厚至薄之依序为20％氧气、10％氧气、3％氧气或<1％氧气。在一具体实施例中，通入20％氧气、固化能量500mJ的条件下，第一区域的固化程度约为60％，第一区域的厚度约为23.4nm(或占总膜层厚度的比例12％)；而第二区域的固化程度约为99～100％(接近完全固化)，第二区域的厚度约为168.1nm(或占总膜层厚度的比例88％)。图8为膜层通入20％氧气的条件下，分别以固化能量250mJ、500mJ与1000mJ所照射形成的第一区域(未固化)与第二区域(接近完全固化或完全固化)的总厚度，以及上述膜层经碱液蚀刻后所残留的第二区域的厚度。可以观察到,随着固化能量的增强时,第一区域的厚度将随之减薄(即蚀刻后所减少的厚度)。于固化能量为1000mJ时,第一区域的厚度约为8.8nm(或占总膜层厚度的比例5％)；而第二区域的厚度约为195.9nm(或占总膜层厚度的比例95％)。
值得说明的是，本发明偏重于讨论外加于金属纳米线190的膜层130，利用控制外加于膜层130的固化程度或固化深度使披覆结构180可以沿着金属纳米线190的表面生长而形成于金属纳米线190与膜层130的界面的改质结构。在金属纳米线190分散液或浆料(ink)的涂布步骤中，分散液或浆料中也可能含有聚合物等类似组成，但其并非本发明的重点。膜层130的固化程度可控制在0％、、30％、60％、75％、95％、98％、0％～95％、0％～98％、95％～98％、60％～98％、60％～75％等条件。如同前述，本发明实施例所指的未完全固化或仅达预固化可定义为该膜层键结强度不同于完全固化膜层的键结强度，亦即两者的比例非100％就可以属于本发明实施例的范畴。
接着如图1C，接着进行改质步骤，以形成由多个改质后的金属纳米线190所组成的金属纳米线层NWL。也就是说，经过改质之后，初始金属纳米线190至少一部份被改质而在其表面形成披覆结构180以形成改质后的金属纳米线190。在图1B、1C中分别以符号”v”、”o”代表改质前后的金属纳米线190。在一具体实施例中，可利用化学镀/电解方法形成披覆结构180，而披覆结构180可为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合，披覆率约占总表面积的比率80％以上，90-95％,90-99％,或90-100％(披覆率100％表示没有初始金属纳米线190的表面被裸露)；前述的导电材料可为银、金、铂、镍、铜、铱、铑、钯、锇或包含前述材料的合金、或不包含前述材料的合金等。在一具体实施例，披覆结构180为单一导电材料所制成的单层结构，例如形成化学镀铜层、电镀铜层或化学镀铜镍合金层；或者披覆结构180为两种以上的导电材料所制成的两层或多层结构，例如先形成化学镀铜层，然后再形成化学镀银层。
在一具体实施例中，可备制以下化学镀铜溶液(含铜离子溶液、螯合剂、碱剂、还原剂、缓冲剂及稳定剂等)；将金属纳米线190与膜层130浸入化学镀铜溶液，化学镀铜溶液可渗入预固化或未完全固化的膜层130中并利用毛细现象等作用与金属纳米线190的表面接触，利用金属纳米线190作为催化点或成核点，以利铜的析出，进而将化学镀铜层沉积在金属纳米线190上形成披覆结构180。披覆结构180大致上会依照金属纳米线190的初始型态进行生长，并随着改质时间而形成包覆金属纳米线190的结构；相对的，在原本复合结构CS中没有金属纳米线190的位置则不会有铜的析出，换言之，经过良好的控制，披覆结构180均形成在金属纳米线190与膜层130的界面上，而膜层130中没有不接触金属纳米线190的表面而单独存在的披覆结构180。因此，在改质步骤之后，导电网络中的金属纳米线190会被披覆结构180所包覆，披覆结构180会位于金属纳米线190与膜层130形成的界面之间；披覆结构180与其所包覆的金属纳米线190可视为一整体，而在纳米线与纳米线之间的空隙仍是由膜层130的材料所占据。
在一具体实施例中，膜层130与化学镀溶液/电解溶液可为相互搭配的材质，例如可选用不耐碱性的聚合物制作膜层130，而化学镀溶液可选用碱性溶液，因此在此步骤中，除了利用前述膜层的未完全固化状态，更可利用化学镀溶液攻击(类似蚀刻)未完全固化的膜层130，以利于进行上述的改质反应。
以下进行原理的说明，但不以此为限。在金属纳米线190与膜层130浸入化学镀溶液/电解溶液的初期，溶液会先攻击未完全固化的膜层130，当溶液接触到金属纳米线190时，金属离子(例如铜离子)就以金属纳米线190(例如纳米银线)作为晶种开始发展，随浸泡时间而在金属纳米线190的表面成长上述的批覆结构180。另一方面，膜层130在上述反应过程中做为控制层或限位层，其将批覆结构180的生长反应限制在金属纳米线190与膜层130的界面处，使批覆结构180得以受控而均匀生长。图9显示金属纳米线190在没有膜层130保护下进行上述的化学镀，可以发现铜层是随机不受控的生长，有些金属纳米线190上成长出厚大的铜层，却有些金属纳米线190上并未出现铜层；也就是说，膜层130可以达到将铜析出的位置限制在金属纳米线190与膜层130界面的效果，故本发明应用在感测/传递讯号时具有较佳的一致性。
最后可包括固化步骤，以将膜层130完全固化。可利用光、热或其他方式进行膜层130的完全固化。
下表为本发明的具体实施例，可发现膜层130的固化程度在0％、95％、98％、0％～95％、0％～98％、95％～98％等条件下进行镀铜，可有效降低膜层的面电阻(或称片电阻)。固化程度的量测可采用多种方式，除了上述键结强度的计算，又例如对聚合物薄膜进行溶剂抽提，测量溶解在溶剂中的未固化聚合物的重量，且与固化的和未固化的聚合物的总重进行比较，计算出溶解度百分比(％Sol)；又例如针对热固性聚合物材料，也可以采用热分析技术进行固化度的测定。
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在前述方法中，披覆结构180会在每一个金属纳米线190的表面成型且包覆金属纳米线190的整体表面，并向外成长。在一实施例中，可选用高导电材料制作披覆结构180，例如将铜做为披覆结构180覆盖于纳米银线的表面并位于纳米银线与膜层之间的界面。值得说明的是，虽然银材料的导电率高于铜材料，但由于纳米银线的尺寸及相互接触态样的因素，使得银纳米线层的整体导电度较低(但电阻仍低并足以传递电讯号)，而在改质之后，具有披覆结构180的纳米银线190的导电度高于未改质的纳米银线190，也就是说，改质后的金属纳米线层NWL可形成低阻值的导电层(相较于未改质的金属纳米线层NWL，面电阻可降低约100～10000倍)；而该导电层即可用于制作各种用途的电极结构，例如应用于可挠领域的导电基板或无线充电线圈、天线结构等等。具体而言，电极结构可至少包括金属纳米线及额外披覆于金属纳米线的膜层，至少一部分或全部的金属纳米线的表面(即金属纳米线190与膜层130对应的界面)具有披覆层，引入批覆层可提高金属纳米线层NWL的导电度。图10为随着化镀时间金属纳米线190演变为具有披覆结构180的纳米银线的SEM演进图。由于铜层是沿着金属纳米线的表面(即金属纳米线190与膜层130对应的界面)，故经过施镀之后，所观察到的铜的型态会相当类似于金属纳米线的初始型态(例如均为线状结构)，且铜会均匀的生长而形成尺寸(如厚度)相近的外层结构。
本发明利用前述方法可以应用于制作触控面板(如图2)，例如但不限于与显示器搭配使用的触控面板，部分实施方式中的触控面板100包含基板110、周边引线120以及触控感应电极TE，其中触控感应电极TE包括多个未改质的初始导电纳米结构，周边引线120包括多个改质后的导电纳米结构，改质后的导电纳米结构上具有披覆结构180(可参照图1C)，导电纳米结构可为金属纳米线190。图2为根据本发明的部分实施方式的触控面板100的上视示意图。参阅图2，触控面板100可包含基板110、周边引线120、标记140以及触控感应电极TE，而触控感应电极TE大致位于显示区VA，其由多个未改质的初始金属纳米线190所构成的金属纳米线层NWL所图案化；改质后的金属纳米线190上具有披覆结构180，改质后的金属纳米线190被图案化而形成周边引线120或/及标记140。藉由将披覆结构180成型在金属纳米线190与膜层130之间的界面，故可以达到提高导电度，藉以制作周边引线120；另外，在显示区VA，金属纳米线190与外加的膜层130是直接接触(亦即显示区VA中的金属纳米线190是未改质的)，换言之，披覆结构180不会成型于显示区VA中的金属纳米线190的表面，因此可维持显示区VA中金属纳米线190所形成的导电网络的良好光学特性。
上述的周边引线120、标记140以及触控感应电极TE的数量可为一或多个，而以下各具体实施例及图式中所绘制的数量仅为解说之用，并未限制本发明。参阅图2，基板110具有显示区VA与周边区PA，周边区PA设置于显示区VA的侧边，例如周边区PA则可为设置于显示区VA的四周(即涵盖右侧、左侧、上侧及下侧)的框型区域，但在其他实施例中，周边区PA可为一设置于显示区VA的左侧及下侧的L型区域。又如图2所示，本实施例共有八组周边引线120，均设置于基板110的周边区PA；触控感应电极TE设置于基板110的显示区VA且电性连接周边引线120。本实施例更有两组标记140，均设置于基板110的周边区PA。
请参阅图3A至图3D，其显示前述触控面板100的制作方式：首先提供基板110，其上具有事先定义的周边区PA与显示区VA。接着，设置未改质的金属纳米线190于该基板110上，以形成金属纳米线层NWL于周边区PA与显示区VA(如图3A)；接着设置膜层130于该些未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190之上，且膜层130为预固化或未完全固化状态(如图3B)；接着进行图案化，以形成具有图样金属纳米线层NWL(如图3C)，其中位于显示区VA的金属纳米线层NWL被图案化形成触控感应电极TE(可配合图2)，而周边区PA的金属纳米线层NWL被图案化形成周边引线120(请配合图2)；接着进行改质步骤，将前述金属纳米线190上成型有披覆结构180(如图3D)，其中位于显示区VA的金属纳米线层NWL未被改质，位于周边区PA的金属纳米线层NWL会被改质，也就是说由于前述的改质步骤，使得周边引线120由改质后的金属纳米线190所构成。
以下就上述步骤进行更详细的说明。
请参阅图3A，首先将至少包括金属纳米线190之金属纳米线层NWL，例如奈米银线层、奈米金线层或奈米铜线层涂布于基板110上的周边区PA与显示区VA；金属纳米线层NWL的第一部分主要是位在显示区VA，而第二部分主要成形于周边区PA。在本实施例的具体作法为：将具有金属纳米线190的分散液或浆料(ink)以涂布方法成型于基板110上，并加以干燥使金属纳米线190覆着于基板110的表面，进而成型为设置于基板110上的金属纳米线层NWL。而在上述的固化/干燥步骤之后，溶剂等物质被挥发，而金属纳米线190以随机的方式分布于基板110的表面；较佳的，金属纳米线190会固着于基板110之表面上而不至脱落而形成金属纳米线层NWL，且金属纳米线190可彼此接触以提供连续电流路径，进而形成一导电网络(conductive network)，换言之，金属纳米线190彼此在交叉位置相互接触以构成传递电子的路径。以银纳米线为例，一根银纳米线与另一银纳米线在交叉位置处会形成直接接触的态样(即为银-银的接触界面)，故形成低电阻的传递电子路径，而后续的改质作业并不会影响或改变”银-银接触”的低电阻结构，更在金属纳米线190表面包覆高导电度的披覆结构180，故会对于终端产品的电特性产生提升的效果。
在本发明的实施例中，上述分散液可为水、醇、酮、醚、烃或芳族溶剂(苯、甲苯、二甲苯等等)；上述分散液亦可包含添加剂、接口活性剂或粘合剂，例如羧甲基纤维素(carboxymethyl cellulose；CMC)、2-羟乙基纤维素(hydroxyethyl Cellulose；HEC)、羟基丙基甲基纤维素(hydroxypropyl methylcellulose；HPMC)、磺酸酯、硫酸酯、二磺酸盐、磺基琥珀酸酯、磷酸酯或含氟界面活性剂等等。而所述的含有金属纳米线190的分散液或浆料可以用任何方式成型于基板110及前述金属层ML的表面，例如但不限于：网版印刷、喷头涂布、滚轮涂布等工艺；在一种实施例中，可采用卷对卷(roll to roll；RTR)工艺将含有金属纳米线190的分散液或浆料涂布于连续供应的基板110及前述金属层ML的表面。
本文所用的「金属纳米线(metal nanowires)」为一集合名词，其指包含多个元素金属、金属合金或金属化合物(包括金属氧化物)的金属线的集合，其中所含金属纳米线的数量，并不影响本发明所主张的保护范围；且单一金属纳米线的至少一个截面尺寸(即截面的直径)小于约500nm，较佳小于约100nm，且更佳小于约50nm；而本发明所称的为”线(wire)”的金属纳米结构，主要具有高的纵横比，例如介于约10至100,000之间，更详细的说，金属纳米线的纵横比(长度：截面的直径)可大于约10，较佳大于约50，且更佳大于约100；金属纳米线可以为任何金属，包括(但不限于)银、金、铜、镍及镀金的银。而其他用语，诸如丝(silk)、纤维(fiber)、管(tube)等若同样具有上述的尺寸及高纵横比，亦为本发明所涵盖的范畴。
请参阅图3B，进行涂布膜层130的步骤。在一实施例中，设置膜层130于未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190之上，再依序进行图案化步骤与改质步骤。在具体实施例中，涂布之后的膜层130的聚合物可以渗入金属纳米线190之间而形成填充物，金属纳米线190会嵌入膜层130之中形成复合结构CS。也就是说，未改质的金属纳米线190会内嵌于膜层130而形成复合结构CS。于本发明的部分实施方式中，膜层130由绝缘材料所形成。举例而言，膜层130的材料可以是非导电的树脂或其他有机材料。于本发明的部分实施方式中，可以藉由旋涂、喷涂、印刷等方式形成膜层130。于部分实施方式中，膜层130的厚度大约为20纳米至10微米、或50纳米至200纳米、或30至100纳米，举例而言，膜层130的厚度大约可为90纳米或100纳米。而为了有效的进行改质步骤，聚合物(即膜层130)会形成未完全固化或预固化的状态，具体可参照前文的说明。
接着进行图案化，如图3C所示。在图案化步骤之后，显示区VA中由未改质的的金属纳米线190所形成的金属纳米线层NWL与膜层130就被定义出图案而形成电极结构；同样的，周边区PA中未改质的金属纳米线190所形成的金属纳米线层NWL与膜层130也被定义出图案而形成电极结构，而这两区域的电极结构就构成可应用于触控感应的电极组。
在一实施例中，可同时蚀刻显示区VA与周边区PA中含未改质的金属纳米线190的金属纳米线层NWL，配合蚀刻屏蔽(如光阻)以在同一工序中一次性的在显示区VA与周边区PA中制作具有图样金属纳米线层NWL。根据一具体实施例，金属纳米线层NWL为银奈米线所组成的情况下，蚀刻液可用于可蚀刻银的组分，例如蚀刻液的主成分为H3PO4(比例为约55％至70％)及HNO3(比例约5％至15％)，以在同一制程中移除银材料。在另一具体实施例中，蚀刻液的主成分为氯化铁/硝酸或为磷酸/双氧水等组成。
如图3C所示，在周边区PA上所制作出的具有图样的金属纳米线层NWL即为周边引线120。在另一实施例中，在周边区PA上可制作出由金属纳米线层NWL的第二部分所构成的周边引线120与标记140(可配合参考图2)。本实施例中，标记140可以广泛的被解读为非电性功能的图样，但不以此为限。在本发明的部分实施例中，周边引线120与标记140可为同层的金属纳米线层NWL所制作。
同样的，在图案化的步骤中，显示区VA的金属纳米线层NWL被图案化。换言之，可配合蚀刻屏蔽(如光阻)，利用前述的蚀刻液将显示区VA的金属纳米线层NWL的第一部分进行图案化以制作本实施例之触控感应电极TE于显示区VA(如图3C所示)，触控感应电极TE可电性连接周边引线120。具体而言，触控感应电极TE可为至少包括未改质金属纳米线190之金属纳米线层NWL。整体来说，图案化之后的金属纳米线层NWL在显示区VA形成触控感应电极TE，而在周边区PA形成周边引线120，故两区的电极是同一层材料制作而达到电性连接以进行显示区VA与周边区PA讯号的传输。而在另一实施例中，金属纳米线层NWL与膜层130在周边区PA也可形成标记140，标记140可以广泛的被解读为非电性功能的图样，但不以此为限。在本发明的部分实施例中，周边引线120与标记140可为同层的金属纳米线层NWL所制作。
请参阅图3D，接着进行改质步骤，以形成由多个改质后的金属纳米线190所组成的金属纳米线层NWL。也就是说，经过改质之后，金属纳米线层NWL中的初始金属纳米线190至少一部份被改质而在其表面形成披覆结构180以形成改质后的金属纳米线190。在一具体实施例中，可利用化镀方法形成披覆结构180，利用化学镀液渗入未完全固化的膜层130中，使化学镀液中的反应性金属离子在金属纳米线190表面析出而形成披覆结构180，其可为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合；披覆结构180亦可为单一材料或合金态材料所制成的单层或多层结构，或是多种材料或合金态材料所制成的单层或多层结构。
值得说明的是，改质步骤是沿着金属纳米线190的表面进行，因此披覆结构180的型态会大致依照金属纳米线190的型态生长。在改质步骤中，可控制披覆结构180的生长条件(如化学镀时间、化学镀液组成浓度等等)，使披覆结构180不会过度成长，而仅披覆于金属纳米线190的表面；另外，如前所述，未完全固化的膜层130也同样起到限位及控制的作用。据此，改质步骤所形成的披覆结构180就不会单独析出/成长于膜层130而不与金属纳米线190接触，金属纳米线190的表面与膜层130之间会成形有披覆结构180；在一实施例中，相邻的金属纳米线190之间仍填有前述的膜层130。另一方面，化学镀/电解镀所形成的披覆结构180具有高致密度，相较于周边引线120的尺寸(例如10um线宽)，披覆结构180的缺陷尺寸是周边引线120尺寸的0.01～0.001倍，故即使披覆结构180出现缺陷，也不会造成周边引线120断线等问题。
请参阅图3D，本发明的部分实施方式中改质步骤仅在周边区PA进行，图3D所示的触控感应电极TE中绘制”v”符号，以代表触控感应电极TE包含未改质的初始金属纳米线190；而图3D所示的周边引线120中绘制”o”符号，以代表周边引线120是由改质后的金属纳米线190所组成，而为了图示简洁，图3D中并未绘制出披覆结构180。详细而言，可在上述图案化步骤之后，将光阻或类似材料覆盖于显示区VA，以遮挡触控感应电极TE，而使化学镀液渗入在周边区PA的未完全固化的膜层130中，藉由氧化还原反应使反应性金属离子在周边区PA的金属纳米线190表面析出而形成披覆结构180，以形成改质后的金属纳米线190。由于触控感应电极TE仍是改质前的金属纳米线190所构成，故其具有良好的透光性，例如可见光(如波长介于400nm-700nm)的光穿透率(Transmission)大于约90％、91％、92％、93％或以上。
更可包括固化步骤，以将预固化或未完全固化的膜层130达到完全固化的状态。
藉由上述步骤即可制作如图2所示的触控面板100，举例来说，显示区VA中图案化的金属纳米线层NWL即构成触控面板100的触控感应电极TE；而周边区PA中图案化的金属纳米线层NWL即构成触控面板100的周边引线120，且周边引线120中的金属纳米线190上具有披覆结构180(图示中以”o”符号代表改质后的金属纳米线190)，周边引线120可以与外部控制器进行连接进行触控或其他讯号的传递。同于前述说明，披覆结构180可与金属纳米线190有相同或相近的结构外貌，在相邻金属纳米线190之间会填充有膜层130。
在一变化实施例中，可采用不同的工艺顺序制作本发明的触控面板100，例如首先提供基板110，其上具有事先定义的周边区PA与显示区VA。接着，设置未改质的金属纳米线190于该基板110上，以形成金属纳米线层NWL于周边区PA与显示区VA；接着设置膜层130于该些未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190之上，且膜层130为预固化或未完全固化状态；接着进行改质步骤，将前述金属纳米线190上成型有披覆结构180，其中位于显示区VA的金属纳米线190未被改质，位于周边区PA的金属纳米线190会被改质；接着进行图案化，以形成具有图样金属纳米线层NWL，其中位于显示区VA的改质前金属纳米线层NWL被图案化形成触控感应电极TE，而周边区PA的改质后金属纳米线层NWL被图案化形成周边引线120，也就是说由于前述的改质步骤，使得周边引线120由改质后的金属纳米线190所构成。
以下仅针对调整后的步骤进行说明，其余省略部分可以参照前述实施例的说明。
本实施例的改质步骤可以采用光阻或类似材料覆盖于显示区VA，以遮挡显示区VA的金属纳米线层NWL的第一部份，而仅针对周边区PA的金属纳米线层NWL的第二部份进行改质，使化学镀液中的反应性金属离子在周边区PA的金属纳米线190表面析出而形成披覆结构180，以形成改质后金属纳米线190。
本实施例的图案化步骤可以采用可同时蚀刻改质前金属纳米线190与改质后金属纳米线190的蚀刻液，配合蚀刻屏蔽(如光阻)以在同一工序中一次性的在显示区VA与周边区PA制作具有图样的金属纳米线层NWL。在一实施例中，可同时蚀刻改质前金属纳米线190与改质后金属纳米线190指的是蚀刻介质对改质前金属纳米线190与改质后金属纳米线190的蚀刻速率比值介于约0.1-10或0.01-100。
根据一具体实施例，金属纳米线层NWL为银奈米线所组成，且其表面上有铜的披覆结构180的情况下，蚀刻液可用于可蚀刻铜与银的组分，例如蚀刻液的主成分为H3PO4(比例为约55％至70％)及HNO3(比例约5％至15％)，以在同一制程中移除铜材料与银材料。在另一具体实施例中，蚀刻液的主成分为氯化铁/硝酸或为磷酸/双氧水等组成。
在图案化的步骤中，可配合蚀刻屏蔽(如光阻)，利用前述的蚀刻液将显示区VA的金属纳米线层NWL的第一部分进行图案化以制作本实施例之触控感应电极TE于显示区VA，触控感应电极TE可电性连接周边引线120。具体而言，触控感应电极TE可为至少包括改质前金属纳米线190之金属纳米线层NWL。而在周边区PA，改质后金属纳米线190形成周边引线120，进而达到触控感应电极TE与周边引线120形成电性连接，以进行讯号的传输。而在本实施例中，金属纳米线层NWL在周边区PA也可形成标记140，标记140可以广泛的被解读为非电性功能的图样，但不以此为限。在本发明的部分实施例中，周边引线120与标记140可为同层的改质后金属纳米线190所制作。
在一变化实施例中，位于显示区VA与周边区PA的金属纳米线层NWL可藉由不同的蚀刻步骤(亦即使用不同的蚀刻液)进行图案化，例如在金属纳米线层NWL为奈米银层，披覆结构180为铜层的情况下，显示区VA所使用的蚀刻液可选用仅对银有蚀刻能力的蚀刻液，周边区PA所使用的蚀刻液可选用对银/铜有蚀刻能力的蚀刻液。
藉由上述步骤同样可制作本发明的触控面板100，具体结构如前所述，于此不再赘述。
请再回到图2、图2A、图2B，为了方便说明，本文的周边引线120与标记140的剖面是为一四边形(例如图2A所绘制的长方形)，但周边引线120与标记的结构型态或数量皆可依实际应用而变化，并非以本文的文字与图式所限制。
在本实施例中，标记140是设置在周边区PA之接合区BA(请参照图2及图2A)，其可为对接对位标记，也就是在将一外部电路板，如在软性电路板连接于触控面板100的步骤(即bonding步骤)用于将软性电路板(图未示)与触控面板100进行对位的记号。然而，本发明并不限制标记140的置放位置或功能，例如标记140可以是任何在制程中所需的检查记号、图样或标号，均为本发明保护之范畴。标记140可以具有任何可能的形状，如圆形、四边形、十字形、L形、T形等等。
如图2A所示，在周边区PA中，相邻周边引线120之间具有非导电区域136，以电性阻绝相邻周边引线120进而避免短路。在本实施例中，非导电区域136为一间隙，以隔绝相邻周边引线120。
如图2B所示，在显示区VA中，相邻触控感应电极TE之间具有非导电区域136，以电性阻绝相邻触控感应电极TE进而避免短路。也就是说，相邻触控感应电极TE的侧面之间具有非导电区域136，而在本实施例中，非导电区域136为一间隙，以隔绝相邻触控感应电极TE；在一实施例中，可采用上述的蚀刻法制作相邻触控感应电极TE之间的间隙。在本实施例中，触控感应电极TE与第一中间层M1可利用同层的金属纳米线层NWL(如纳米银线层)所制作，故金属纳米线层会在显示区VA中形成触控感应电极TE，且在周边区PA中形成周边引线120，触控感应电极TE与周边引线120在显示区VA与周边区PA的交界处形成连接结构，以利触控感应电极TE与周边引线120形成导通的电路。
本发明的部分实施方式中，触控面板100的周边引线120可直接通过黄光、蚀刻制程成型，其为高精度的制程，且不须对位，故不须在周边区预留对位误差空间，藉以降低周边区PA的宽度，进而达到显示器的窄边框需求。具体而言，本发明部分实施方式的触控面板100的周边引线120的宽度为约5um至30um,相邻周边引线120之间的距离为约5um至30um，或者触控面板100的周边引线120的宽度为约3um至20um,相邻周边引线120之间的距离为约3um至20um，而周边区PA的宽度也可以达到约小于2mm的尺寸，较传统的触控面板产品缩减约20％或更多的边框尺寸。
如图2，触控感应电极TE以非交错式的排列设置。举例而言，触控感应电极TE为沿第一方向D1延伸且在第二方向D2上具有宽度变化的长条型电极，彼此并不产生交错，但于其他实施方式中，触控感应电极TE可以具有适当的形状，而不应以此限制本发明的范围。本实施方式中，触控感应电极TE采用单层的配置，其中可以透过侦测各个触控感应电极TE的自身的电容值变化，而得到触控位置。
在本实施方式中，显示区VA的复合结构CS(即未改质的金属纳米线190与膜层130的组合结构)可具有导电性与透光性，例如，触控感应电极TE的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)之光穿透率(Transmission)可大于约80％，且表面电阻率(surfaceresistance)在约10至1000奥姆/平方(ohm/square)之间；或者，触控感应电极TE的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)之光穿透率(Transmission)大于约85％，且表面电阻率(surface resistance)在约50至500奥姆/平方(ohm/square)之间。在一实施例中，触控感应电极TE的可见光(例如波长介于约400nm-700nm)之光穿透率(Transmission)大于约88％或大于约90％。在一实施例中，触控感应电极TE的雾度小于3.0、2.5、2.0、或1.5。
于部分实施方式中，所形成的金属纳米线190可进一步进行后处理以提高金属纳米线190在交叉点上的接触特性，例如提高接触面积，进而提升其导电度，此后处理可为包括如加热、电浆、电晕放电、UV臭氧、压力或上述制程组合的过程步骤。例如，在固化形成金属纳米线层的步骤后，可利用滚轮施加压力于其上，在一实施例中，可藉由一或多个滚轮向金属纳米线层施加50至3400psi的压力，较佳为可施加100至1000psi、200至800psi或300至500psi的压力；而上述施加压力的步骤较佳地实施在涂布膜层130的步骤之前。于部分实施方式中，可同时进行加热与压力之后处理；详言之，所形成的金属纳米线190可经由如上文所述的一或多个滚轮施加压力，并同时加热，例如由滚轮施加的压力为10至500psi，较佳为40至100psi；同时将滚轮加热至约70℃与200℃之间，较佳至约100℃与175℃之间，其可提高金属纳米线190的导电度。于部分实施方式中，金属纳米线190较佳可暴露于还原剂中进行后处理，例如由纳米银线组成的金属纳米线190较佳可暴露于银还原剂中进行后处理，银还原剂包括硼氢化物，如硼氢化钠；硼氮化合物，如二甲基胺基硼烷(DMAB)；或气体还原剂，诸如氢气(H2)；而所述的暴露时间约10秒至约30分钟，较佳约1分钟至约10分钟。而经过上述后处理步骤，可加强金属纳米线190在交叉点上的接触强度或面积，更能确保金属纳米线190在交叉点上的接触面(即第一表面191)不受改质处理的影响。
在一实施例中，触控面板100更可包括保护层150，其可应用于各种不同的实施例，仅以图2B的实施例作为范例说明。图4显示保护层150成型于图2B的实施例之剖面示意图。值得说明的是，保护层150的材料可参照前文所述的膜层130的示例材料。在一实施例中，保护层150是全面性的覆盖触控面板100，也就是说保护层150覆盖于触控感应电极TE、周边引线120以及标记140之上。保护层150可填入相邻周边引线120之间的非导电区域136，藉以隔绝相邻周边引线120，或者保护层150可填入相邻触控感应电极TE之间的非导电区域136，藉以隔绝相邻触控感应电极TE。
图5为根据本发明的部分实施方式的触控面板100的上视示意图，本实施方式的触控感应电极TE采用双层的配置；图5A为图5之A-A线之剖面图。
为方便说明起见，以第一触控电极TE1与第二触控电极TE2来说明本实施方式采用的配置。第一触控电极TE1形成于基板110的一面(如上表面)，第二触控电极TE2则形成于基板110的另一面(如下表面)，使第一触控电极TE1、第二触控电极TE2彼此电性绝缘；而第一触控电极TE1电性连接于其所对应的周边引线120；同理，第二触控电极TE2连接于其所对应的的周边引线120。第一触控电极TE1为多个沿第一方向D1排列的长条状电极，第二触控电极TE2为多个沿第二方向D2排列的长条状电极。如图所示，长条状触控感应电极TE1与长条状触控感应电极TE2的延伸方向不同，而互相交错。第一触控感应电极TE1与第二触控感应电极TE2可分别用以传送控制讯号与接收触控感应讯号。自此，可以经由侦测第一触控感应电极TE1与第二触控感应电极TE2之间的讯号变化(例如电容变化)，得到触控位置。藉由此设置，使用者可于基板110上的各点进行触控感应。如同前述实施例，第一触控感应电极TE1及/或第二触控感应电极TE2可至少为未改质的金属纳米线190与膜层130所制成，而位于基板110两面的周边引线120及/或标记140(图5与图5A并未绘制标记140，但不影响本实施例的说明)则可为改质后的金属纳米线190与膜层130所制成，也就是说位于基板110两面的周边引线120及/或标记140可依照前述方法将披覆结构180成型于金属纳米线190的表面。
本发明的实施方式中所制作的双面型态的触控面板可依以下方式制作：首先提供基板110，其上具有事先定义的周边区PA与显示区VA。接着，于基板110的相对的第一与第二表面(如上表面与下表面)分别形成金属纳米线层NWL于第一与第二表面的周边区PA与显示区VA；接着形成未完全固化的膜层130于金属纳米线层NWL上；接着进行双面图案化步骤，例如双面黄光、蚀刻等，以在基板110的第一与第二表面制作具有图样的金属纳米线层NWL；接着进行双面改质步骤，使基板110上下表面的金属纳米线190上成型有披覆结构180，例如在基板110上下表面的周边区PA进行改质步骤，而改质后的金属纳米线190即构成周边引线120。
在一实施例中，可将图案化后的产品浸入镀液中，同时针对基板110的上下表面进行改质。
同于前述实施例，基板110的任一面(如上表面或下表面)更可包括标记140，其同样由改质后的金属纳米线190所构成。
值得说明的是，上述应用于双面型态的触控面板的具体作法可参照前文对于单面型态的说明，而前段内容所举例的实施方法也仅为示例之用，并不用于限制本发明。
本发明的实施方式中的双面型态的触控面板的制作方法可为将两组单面式的触控面板以同方向或反方向迭合所形成。以反方向迭合为例说明，可将第一组单面式的触控面板的触控电极朝上设置(例如最接近使用者，但不以此为限)，第二组单面式的触控面板的触控电极则朝下设置(例如最远离使用者，但不以此为限)，而以光学胶或其他类似黏合剂将两组触控面板的基板组装固定，藉借以组成双面型态的触控面板。
图6为根据本发明的部分实施方式的触控面板100的上视示意图，在本实施方式的触控面板100更包含设置于周边区PA之屏蔽导线160。屏蔽导线160主要包围触控感应电极TE与周边引线120，且屏蔽导线160会延伸至接合区而电性连接于软性电路板之接地端，故屏蔽导线160可以屏蔽或消除讯号干扰或是静电放电(Electrostatic Discharge，ESD)防护，特别是人手碰到触控装置周围的连接导线而导致的微小电流变化。
屏蔽导线160可由改质后的金属纳米线190制成，可参照周边引线120或标记140的说明。在本发明的部分实施例中，屏蔽导线160、周边引线120与标记140可为同层的改质后的金属纳米线190与膜层130所制作，且金属纳米线190(如纳米银线层)可依据前述制程被改质而具有披覆结构180，具体作法可参照前文实施方法；触控感应电极TE则为未改质的金属纳米线层NWL所制作。
图7则显示本发明单面式的触控面板100的另一实施例，其为一种单面架桥式(bridge)的触控面板。此实施例与上述实施例的差异至少在于，成形于基板110上之透明导电层(即金属奈米线层NWL)在上述图案化的步骤后形成的触控感应电极TE可包括：沿第一方向D1排列的第一触控感应电极TE1、沿第二方向D2排列的第二触控感应电极TE2及电性连接两相邻之第一触控感应电极TE1的连接电极CE，也就是说第一触控感应电极TE1、第二触控感应电极TE2及连接电极CE为未改质的金属纳米线190与膜层130所制成；另外，绝缘块164可设置于连接电极CE上，例如以二氧化硅形成绝缘块164；而桥接导线162再设置于绝缘块164上，例如以铜/ITO/金属奈米线等材料形成桥接导线162，并使桥接导线162连接于第二方向D2上相邻的两个第二触控感应电极TE2，绝缘块164位于连接电极CE与桥接导线162之间，以将连接电极CE以及桥接导线162电性隔绝，以使第一方向D1与第二方向D2上的触控电极彼此电性隔绝。
另外，周边区PA的金属奈米线层NWL通过前述的图案化、改质步骤之后，即可利用改质后的金属纳米线190与膜层130制作周边引线120，其电性连接于第一触控感应电极TE1、第二触控感应电极TE2，进而传递讯号。
具体做法可参考前文，于此不再赘述。
本发明的金属纳米线改质方法可应用制作不需考虑透光度的感应电极，例如笔记本电脑的触摸板(但不以此为限)、天线结构、无线充电的线圈等等。具体而言，制作感应电极的方法包括:设置未改质的金属纳米线190于该基板110上，以形成金属纳米线层NWL于基板110上；接着设置膜层130于未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190之上，且膜层130为预固化或未完全固化状态；接着进行图案化，以形成具有图样的金属纳米线层NWL，以制作出用于感测触控位置/触控手势的感应电极；接着进行改质步骤，将前述金属纳米线190上成型有披覆结构180，使具有图样的金属纳米线层NWL被改质，也就是说由于前述的改质步骤，使得用于感测触控位置/触控手势的感应电极由改质后的金属纳米线190所构成。同于前述实施例，披覆结构180可与金属纳米线190有相同或相近的结构外貌，在相邻金属纳米线190之间会填充有膜层130。由于笔记本电脑的触摸板、天线结构、无线充电的线圈等对象不须透光，故可使用上述改质后的金属纳米线190制作感应电极。
本实施例的感应电极可连接走线，以与外部线路相连以传递讯号。本实施例的走线可相当于前述的周边引线120，而同样由改质后的金属纳米线190所构成；在另一实施例中，走线可由其他导电材料制成，如银走线、铜走线等等。
在另一实施例中，改质步骤与图案化步骤可以相互调整其顺序。
上述各个步骤的具体实施方法可参照前文。
本发明的金属纳米线改质方法可应用制作不需图样的电极板，例如电池的阴极板/阳极板(但不以此为限)。具体而言，制作电极板的方法包括:设置未改质的金属纳米线190于该基板110上，以形成金属纳米线层NWL于基板110上；接着设置膜层130于未改质的金属纳米线190上，使膜层130覆盖于未改质的金属纳米线190之上，且膜层130为预固化或未完全固化状态；接着进行改质步骤，将前述金属纳米线190上成型有披覆结构180，使金属纳米线层NWL被改质，也就是说由于前述的改质步骤，使得基板上整面的电极板由改质后的金属纳米线190所构成。同于前述实施例，披覆结构180可与金属纳米线190有相同或相近的结构外貌，在相邻金属纳米线190之间会填充有膜层130。
本实施例的电极板可连接走线，以与外部线路相连以传递讯号。本实施例的走线可相当于前述的周边引线120，而同样由改质后的金属纳米线190所构成；在另一实施例中，走线可由其他导电材料制成，如银走线、铜走线等等。
上述各个步骤的具体实施方法可参照前文。
在一部分实施方式中，本文所述的触控面板100/感应电极/电极板可藉由卷对卷(Roll to Roll)制程来制作，卷对卷(Roll to Roll)涂覆制程使用习知设备且可完全自动化，可显着降低制造触控面板的成本。卷对卷涂覆的具体制程如下:首先选用具可挠性的基板110，并使卷带状之基板110安装于两滚轮之间，利用马达驱动滚轮，以使基板110可沿两滚轮之间的动作路径进行连续性的制程。例如，利用储存槽、喷雾装置、刷涂装置及其类似物将含金属纳米线190的浆料则沈积于基板110的表面上以形成金属纳米线190；利用喷涂头将聚合物沈积于基板110的表面上，并将聚合物固化成为膜层130、图案化及改质等步骤。随后，所完成的触控面板100藉由产线最后端的滚轮加以卷出形成触控传感器卷带。
本实施例之触控传感器卷带更可以包含上述的保护层150，其是全面性的覆盖触控传感器卷上未裁切的触控面板100，也就是说保护层150可覆盖于触控传感器卷上未裁切的多个触控面板100上，再被切割分离为个别的触控面板100。
于本发明的部分实施方式中，基板110较佳为透明基板，详细而言，可以为一硬式透明基板或一可挠式透明基板，其材料可以选自玻璃、压克力(polymethylmethacrylate；PMMA)、聚氯乙烯(polyvinyl Chloride；PVC)、聚丙烯(polypropylene；PP)、聚对苯二甲酸乙二醇酯(polyethylene terephthalate；PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(polyethylenenaphthalate；PEN)、聚碳酸酯(polycarbonate；PC)、聚苯乙烯(polystyrene；PS)、环烯烃聚合物(Cyclo Olefin Polymers；COP)、无色聚酰亚胺(Colorless Polyimide；CPI)、环烯烃共聚物(cycloolefin copolymer；COC)等透明材料。为了提高基板110与金属纳米线190之间的附着力，基板110上可较佳的进行前处理步骤，例如进行表面改质工艺，或是在基板110的表面上额外涂布黏着层或树脂层。
于本发明的部分实施方式中，金属纳米线190可以是纳米银线或纳米银纤维(silver nanofibers)，其可以具有平均约20至100纳米的直径，平均约20至100微米的长度，较佳为平均约20至70纳米的直径，平均约20至70微米的长度(即纵横比为1000)。于部分实施方式中，金属纳米线190的直径可介于70纳米至80纳米，而长度约8微米。
卷对卷产线可沿基板的动作路径依需求调整多个涂覆步骤的顺序或是可按需求并入任何数目的额外站台。举例而言，为了达到适当的后处理制程，即可将压力滚轮或电浆设备安装于产线中。
本发明实施例的触控面板可与其他电子装置组装，例如具触控功能的显示器，如可将基板110贴合于显示组件，例如液晶显示组件或有机发光二极管(OLED)显示组件，两者之间可用光学胶或其他类似黏合剂进行贴合；而触控感应电极TE上同样可利用光学胶与外盖层(如保护玻璃)进行贴合。本发明实施例的触控面板、天线等可应用于可携式电话、平板计算机、笔记本电脑等等电子设备，也可应用可挠性的产品。本发明实施例的触控面板亦可制作于偏光片上。本发明实施例的电极亦可制作于穿戴装置(如手表、眼镜、智慧衣服、智慧鞋等)、车用装置(如仪表板、行车纪录器、车用后视镜、车窗等)上。
本实施方式的其他细节大致上如上述实施方式所述，在此不再赘言。
本发明的不同实施例的结构可相互引用，并不为上述各具体实施方式的限制。
本发明的部分实施方式中，透过将金属纳米线190进行改质，而使经过改质的金属纳米线190可以具有较未改质之前更佳的导电特性。
本发明的部分实施方式中，通过直接将改质后的金属纳米线190制作成周边引线及/或标记，故可以取消对位的过程中所预留的误差空间，故可有效降低周边区的宽度。
本发明的部分实施方式中，可针对基板单面或双面的导电纳米结构进行改质。
本发明的部分实施方式中，利用加法(即直接在导电纳米结构上进行制程)作业，而非减法式的制程，故可提高制程效率，降低材料成本。
本发明的部分实施方式可应用于可挠性的导电基板。
本发明的部分实施方式中，金属纳米线190的裸露表面被披覆结构全面性的包覆，也就是说，金属纳米线与膜层之间会间隔有披覆结构。
本发明的部分实施方式中，披覆结构并不是以层状或块状的方式层迭于金属纳米线层之上，而是受到金属纳米线的初始型态所影响，利用金属纳米线作为晶种，并受到膜层的局限，而均匀得沿着金属纳米线与膜层的界面生长。
本发明的部分实施方式中，膜层作为限位层，可限制/控制披覆结构沿着金属纳米线190的裸露表面生长。由于有限位层，披覆结构可均匀得成长于金属纳米线190的裸露表面。
本发明的部分实施方式中，披覆结构的生长是可控而均匀的。
虽然本发明已以多种实施方式揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何熟习此技艺者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰，因此本发明的保护范围当视后附的申请专利范围所界定者为准。

Claims (22)

1.一种触控面板，其特征在于，包含：
一基板，其中该基板具有一显示区与一周边区；
一周边引线，设置于该基板的该周边区；以及
一触控感应电极，设置于该基板的该显示区，该触控感应电极电性连接该周边引线，其中该周边引线与该触控感应电极包括多个导电纳米结构及一外加于所述导电纳米结构的膜层，该周边引线中的所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有披覆结构。
2.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该披覆结构包括镀层，所述镀层完全包覆所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
3.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述膜层具有一未完全固化状态，该披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
4.根据权利要求3所述的触控面板，其特征在于，在所述未完全固化状态下，所述膜层具有一第一层区域与一第二层区域，该第二层区域的固化状态高于该第一层区域的固化状态；在该第一层区域中，该披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
5.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，相邻的所述导电纳米结构之间填充有该膜层，该膜层中没有单独存在的所述披覆结构。
6.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，所述导电纳米结构包含金属纳米线，该披覆结构完全包覆所述金属纳米线与所述膜层的界面，并在所述界面形成均匀的披覆层。
7.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该披覆结构为导电材料所制成的层状结构、岛状突起结构、点状突起结构或其组合。
8.根据权利要求7所述的触控面板，其中该导电材料为银、金、铜、镍、铂、铱、铑、钯、锇或包含前述材料的合金。
9.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该披覆结构为单一金属材料或合金材料所制成的单层结构；或者该披覆结构为两种以上的金属材料或合金材料所制成的两层或多层结构。
10.根据权利要求1所述的触控面板，其特征在于，该披覆结构为化学镀铜层、电镀铜、化学镀铜镍层、化学镀银层或其组合。
11.一种触控面板的制作方法，其特征在于，包含：
提供一基板，具有显示区与周边区；
设置导电纳米结构于该显示区与该周边区以形成一导电层；
外加一膜层于该导电层上，并使该膜层达到预固化或未完全固化状态；
进行图案化步骤，包括：图案化位于该显示区的该导电纳米结构与该膜层以形成一触控感应电极及图案化位于该周边区的该导电纳米结构与该膜层以形成一周边引线，该触控感应电极电性连接该周边引线；以及
进行改质步骤，使一披覆结构成型于该周边引线的所述导电纳米结构的表面，使所述导电纳米结构与所述膜层的界面实质具有该披覆结构。
12.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该改质步骤包括:将该膜层与该导电纳米结构浸入化学镀溶液，所述化学镀溶液渗入该膜层中并与所述导电纳米结构接触，使金属析出于所述导电纳米结构的表面。
13.根据权利要求12所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
14.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，外加一膜层于该导电层上包括:
涂布一聚合物于该导电层上；
控制固化条件使该聚合物达到预固化或未完全固化状态。
15.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，外加一膜层于该导电层上包括:
涂布一聚合物于该导电层上；
控制固化条件使该聚合物达到预固化或未完全固化状态，所述预固化或未完全固化的膜层具有一第一层区域与一第二层区域，该第二层区域的固化状态高于该第一层区域的固化状态。
16.根据权利要求15所述的触控面板的制作方法，其特征在于，在该第一层区域中，该披覆结构系沿着所述导电纳米结构的表面所形成并位于所述导电纳米结构与所述膜层的界面。
17.根据权利要求15所述的触控面板的制作方法，其特征在于，控制固化条件包括引入气体，并控制所述气体在该第一层区域与该第二层区域的浓度。
18.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该改质步骤包括:化学镀步骤、电镀步骤或其组合。
19.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，该改质步骤仅在该周边区实施。
20.根据权利要求11所述的触控面板的制作方法，其特征在于，在该改质步骤之前更包括遮蔽该显示区的步骤。
21.一种包含根据权利要求1所述的触控面板的装置。
22.根据权利要求21所述的装置，其特征在于，该装置包括显示器、可携式电话、平板计算机、穿戴装置、车用装置、笔记本电脑或偏光片。
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