TW201940671A - 液晶介質 - Google Patents
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Abstract
本發明係關於如請求項1中所定義之包含一或多種式T化合物之液晶介質
且係關於包含此等介質之高頻組件,尤其係用於高頻裝置,諸如用於使微波相位移的裝置、可調諧濾波器、可調諧超穎材料結構及電子式波束操控天線(例如相控陣列天線)的微波組件。
且係關於包含此等介質之高頻組件,尤其係用於高頻裝置,諸如用於使微波相位移的裝置、可調諧濾波器、可調諧超穎材料結構及電子式波束操控天線(例如相控陣列天線)的微波組件。
Description
本發明係關於液晶介質並且係關於包含此等介質之高頻組件,尤其係用於高頻裝置,諸如用於使微波相位移之裝置、可調諧濾波器、可調諧超穎材料結構及電子式波束操控天線(例如相控陣列天線)的微波組件。
液晶介質已在電光顯示器(液晶顯示器:LCD)中使用多年以顯示資訊。然而,最近,亦已提出液晶介質用於微波技術之組件中,諸如在DE 10 2004 029 429.1 A及JP 2005-120208 (A)中。
作為典型微波應用,如由K.C. Gupta、R. Garg、I. Bahl及P. Bhartia: Microstrip Lines and Slotlines,第二版,Artech House,Boston,1996所描述之倒置微帶線的概念係用於例如D. Dolfi、M. Labeyrie、P. Joffre及J.P. Huignard: Liquid Crystal Microwave Phase Shifter. Electronics Letters,第29卷,第10期,第926-928頁,1993年5文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。月,N. Martin、N. Tentillier、P. Laurent、B. Splingart、F. Huert、Ph. Gelin、C. Legrand: Electrically Microwave Tunable Components Using Liquid Crystals. 第32屆European Microwave Conference,第393-396頁,Milan 2002中,或用於Weil,C.: Passiv steuerbare Mikrowellenphasenschieber auf der Basis nichtlinearer Dielektrika [Passively Controllable Microwave Phase Shifters based on Nonlinear Dielectrics],Darmstädter Dissertationen D17,2002,C. Weil、G. Lüssem及R. Jakoby: Tunable Invert-Microstrip Phase Shifter Device Using Nematic Liquid Crystals,IEEE MTT-S Int. Microw. Symp.,Seattle,Washington,2002年6文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。月,第367-370頁,其與來自Merck KGaA之商業液晶K15一起在其控制電壓約40 V文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。的情況下達成在10 GHz下的12°/dB的移相器品質。在Weil,C.: Passiv steuerbare Mikrowellenphasenschieber auf der Basis nichtlinearer Dielektrika [Passively Controllable Microwave Phase Shifters based on Nonlinear Dielectrics],Darmstädter Dissertationen D17,2002中,LC之插入損耗,亦即僅由液晶中之極化損耗引起之損耗在10 GHz下給定為大約1至2 dB。另外,已判定,移相器損耗主要藉由介電質LC損耗及波導接面處之損耗來測定。T. Kuki、H. Fujikake、H. Kamoda及T. Nomoto: Microwave Variable Delay Line Using a Membrane Impregnated with Liquid Crystal.IEEE MTT-S Int. Microwave Symp. Dig.
2002,第363-366頁,2002年6月,及T. Kuki、H. Fujikake、T. Nomoto: Microwave Variable Delay Line Using Dual-Frequency Switching-Mode Liquid Crystal.IEEE Trans. Microwave Theory Tech.
,第50卷,第11期,第2604-2609頁,2002年11月亦論述結合平面移相器佈置使用經聚合LC薄膜及雙頻開關型液晶。
A. Penirschke、S. Müller、P. Scheele、C. Weil、M. Wittek、C. Hock及R. Jakoby: 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35GHz」,第34屆歐洲微波會議(European Microwave Conference) - Amsterdam,第545-548頁尤其描述9 GHz之頻率下之已知單液晶物質K15 (Merck KGaA,Germany)之特性。
A. Gaebler、F. Goelden、S. Müller、A. Penirschke及R. Jakoby,「Direct Simulation of Material Permittivites using an Eigen-Susceptibility Formulation of the Vector Variational Approach」,12MTC 2009 - 國際儀器及量測技術會議(International Instrumentation and Measurement Technology Conference),Singapore,2009 (IEEE),第463-467頁描述已知液晶混合物E7 (同樣,Merck KGaA,Germany)之對應特性。
DE 10 2004 029 429 A描述液晶介質在微波技術中,尤其在移相器中之用途。已研究液晶介質在對應頻率範圍中的特性。其描述基於大部分芳族腈與異硫氰酸酯之混合物的液晶介質。在EP 2 982 730 A1中,描述完全由異硫氰酸鹽化合物組成之混合物。然而,此等組合物仍受若干缺點困擾,如(例如)高介電耗損或不足相移或不足材料品質,導致在微波體系下操作之裝置的效能受限。此外,需要改良此等介質之一般物理特性,諸如澄清點、相位範圍,尤其係其在低溫下之儲存穩定性及其黏度,詳言之,其旋轉黏度。
包含此等介質之用於高頻技術之已知裝置仍缺乏足夠的穩定性且尤其缺乏快速反應。
對於此等應用,需要具有特定的、迄今仍不尋常及不常見的特性或特性的組合的液晶介質。
詳言之,微波區域中之介電耗損必須降低且材料品質(η,亦被稱作「優值」(FoM),亦即,高可調諧性及低介電耗損)必須改良。除此等要求以外,必須更加關注尤其用於使用平面結構(諸如移相器及漏天線)之彼等裝置的經改良回應時間。
另外,對於改良組件之低溫特性有穩定的需求。此處需要低溫下之操作特性以及存放期之改良。尤其在冷卻時,層列相或結晶的形成係非所期望的且甚至可引起顯示裝置的損壞。在低溫下且在足夠用於操作裝置的時間段內向列相存在而不形成層列相或結晶稱為低溫穩定性(LTS)。
因此,對具有對應實際應用之適合特性之液晶介質有相當大的需求。
出人意料地,已發現,有可能藉由使用以下式T化合物達成具有高介電各向異性、適當快速切換時間、合適的向列相範圍、高可調諧性及低介電耗損之液晶介質,其並不具有先前技術材料之缺點或至少僅在顯著降低之程度上具有該等缺點。液晶介質進一步係以極好LTS為特徵的。
本發明係關於液晶介質,其包含:一或多種式T化合物
其中
RT 表示鹵素、CN、NCS、RF 、RF -O-或RF -S-,其中RF 表示具有至多12個C原子之氟化烷基或氟化烯基,
t 為0、1或2,較佳地1,
及
一或多種選自式I、II及III之化合物之群的化合物,
其中
R1 表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子的未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子的未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2 -基團可經 置換,較佳為經氟化之烷基或未經氟化之烯基,
n文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。為0、1或2,
較佳地,
更佳地
R2
表示H、具有1至17個,較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個,較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2
-基團可經 置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳為未經氟化之烷基或未經氟化之烯基,
Z21 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-,較佳為-C≡C-或反-CH=CH-,及
較佳地
R3
表示H、具有1至17個,較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個,較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2
-基團可經 置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳為未經氟化之烷基或未經氟化之烯基,
Z31 及Z32 之一者,較佳Z32 ;表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-,且其另一者獨立地表示-C≡C-、反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,較佳地其中之一者,較佳Z32 ;表示-C≡C-或反-CH=CH-,且另一者表示單鍵,及
較佳地
更佳地
其中
RT 表示鹵素、CN、NCS、RF 、RF -O-或RF -S-,其中RF 表示具有至多12個C原子之氟化烷基或氟化烯基,
及
一或多種選自式I、II及III之化合物之群的化合物,
其中
R1 表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子的未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子的未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2 -基團可經 置換,較佳為經氟化之烷基或未經氟化之烯基,
n文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。為0、1或2,
較佳為未經氟化之烷基或未經氟化之烯基,
Z21 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-,較佳為-C≡C-或反-CH=CH-,及
較佳為未經氟化之烷基或未經氟化之烯基,
Z31 及Z32 之一者,較佳Z32 ;表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-,且其另一者獨立地表示-C≡C-、反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,較佳地其中之一者,較佳Z32 ;表示-C≡C-或反-CH=CH-,且另一者表示單鍵,及
在式I、II及III之化合物中,RL
較佳表示H。
在另一個較佳實施例中,在式I、II及III之化合物中,一或兩個基團RL
,較佳一個基團RL
,不同於H。
根據本發明之介質係以高澄清溫度、廣向列相範圍及極佳LTS為特徵。因此,含有介質之裝置可在極端溫度條件下操作。
介質進一步係以高介電各向異性值及低旋轉黏度為特徵。因此,臨限電壓,亦即,裝置可在其下切換之最小電壓,極低。需要低操作電壓及低臨限電壓以便使裝置能夠具有經改良切換特徵及高能效。低旋轉黏度使根據本發明之裝置能夠快速切換。
此等特性整體上使介質特別適合在用於高頻技術之組件及裝置中使用及在微波範圍中應用,該等裝置尤其係用於使微波相位移的裝置、可調諧濾波器、可調諧超穎材料結構及電子式波束操控天線(例如相控陣列天線)。
本發明之又一目標係在電磁波譜之微波區中可操作的組件及包含該等組件之裝置。
較佳組件為移相器、可變電抗器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路、可調適濾波器及其他組件。
鹵素為F、Cl、Br或I,較佳F或Cl,尤佳F。
若RF
表示鹵化烷基-、烷氧基-、烯基或烯氧基,則其可為分支鏈或未分支的。較佳地,其為未分支的、單氟化、多氟化或全氟化,較佳全氟化,且具有1、2、3、4、5、6或7個C原子,在烯基之情況下,具有2、3、4、5、6或7個C原子。
RT
較佳表示CN、NCS、Cl、F、-(CH2
)n
-CH=CF2
、-(CH2
)n
-CH=CHF、-(CH2
)n
-CH=Cl2
、-Cn
F2n+1
、-(CF2
)n
-CF2
H、-(CH2
)n
-CF3
、-(CH2
)n
-CHF2
、-(CH2
)n
CH2
F、-CH=CF2
、-O(CH2
)n
-CH=CF2
、-O(CH2
)n
CHCl2
、-OCn
F2n+1
、-O(CF2
)n
-CF2
H、-O(CH2
)n
CF3
、-O(CH2
)n
-CHF2
、-O(CF)n
CH2
F、-OCF=CF2
、-SCn
F2n+1
、-S(CF)n
-CF3
,其中n為0至7之整數。
在一較佳實施例中,根據本發明之液晶介質包含一或多種選自式T-1及T-2之化合物之群的化合物,
其中
具有上文針對式T所給出之含義,及
n 為1、2、3、4、5、6或7,較佳為1、2、3或4,尤佳為1。
其中
具有上文針對式T所給出之含義,及
n 為1、2、3、4、5、6或7,較佳為1、2、3或4,尤佳為1。
在本發明之尤佳實施例中,該介質包含一或多種式T-1化合物。
較佳的式T-1之化合物係選自以下子式之化合物之群:
其中n為1、2、3或4,較佳為1。
其中n為1、2、3或4,較佳為1。
極佳地,根據本發明之介質包含一或多種式T-1e之化合物。
在本發明之另一尤佳實施例中,該介質包含一或多種式T-2之化合物。
較佳的式T-2之化合物係選自以下子式之化合物之群:
其中n為1、2、3或4,較佳為1。
其中n為1、2、3或4,較佳為1。
在本發明之一較佳實施例中,式I化合物係選自式I-1至I-5之化合物之群:
其中
L1 、L2 及L3 在每次出現時相同或不同地表示H或F,
且其他基團具有上文針對式I所指示之相應含義,且較佳地,
R1 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
其中
L1 、L2 及L3 在每次出現時相同或不同地表示H或F,
且其他基團具有上文針對式I所指示之相應含義,且較佳地,
R1 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
該介質較佳包含一或多種式I-1之化合物,其較佳選自式I-1a至I-1d、較佳式I-1b之化合物之群:
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
該介質較佳包含一或多種式I-2之化合物,其較佳選自式I-2a至I-2e、較佳式I-2c之化合物之群:
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
該介質較佳包含一或多種式I-3之化合物,其較佳選自式I-3a至I-3d、尤佳式I-3b之化合物之群:
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
該介質較佳包含一或多種式I-4之化合物,其較佳選自式I-4a至I-4d、尤佳式I-4b之化合物之群:
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
該介質較佳包含一或多種式I-5之化合物,其較佳選自式I-5a至I-5d、尤佳式I-5b之化合物之群:
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
其中R1 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。
該介質較佳包含一或多種式II化合物,其較佳選自式II-1至II-3之化合物之群,較佳選自式II-1及II-2之化合物之群:
其中所存在之基團具有以上在式II下所給出之含義,且較佳地
R2 表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
及
且較佳地
R2 表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中所存在之基團具有以上在式II下所給出之含義,且較佳地
R2 表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
及
R2 表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式II-1之化合物較佳選自式II-1a至II-1e之化合物之群:
其中
R2 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
n 彼此獨立地表示在0至15範圍內,較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R2 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
n 彼此獨立地表示在0至15範圍內,較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式II-2之化合物較佳選自式II-2a至II-2b之化合物之群:
其中
R2 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R2 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式II-3之化合物較佳選自式II-3a至II-3d之化合物之群:
其中
R2 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R2 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式III化合物較佳選自式III-1至III-6之化合物之群,更佳地選自式III-1、III-2、III-3及III-4、文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。尤佳式III-1之化合物之群:
其中
Z31 及Z32 彼此獨立地表示反-CH=CH-或反- CF=CF-,較佳反- CH=CH-,且在式III-6中,可替代地,Z31 及Z32 中之一者可表示-C≡C-且其他基團具有以上在式III下給出之含義,
且較佳地
R3 表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
及
且較佳地,
R3 表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
Z31 及Z32 彼此獨立地表示反-CH=CH-或反- CF=CF-,較佳反- CH=CH-,且在式III-6中,可替代地,Z31 及Z32 中之一者可表示-C≡C-且其他基團具有以上在式III下給出之含義,
且較佳地
R3 表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
及
R3 表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式III-1之化合物較佳選自式III-1a至III-1f之化合物之群,更佳選自式III-1a及III-1b之化合物之群,尤佳為式III-1b之化合物:
其中
R3 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R3 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式III-2之化合物較佳為式III-2a至式III-2h之化合物:
其中
R3 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R3 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式III-5之化合物較佳選自式III-5a之化合物:
R3 具有上文針對式III-5所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數。
R3 具有上文針對式III-5所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質包含一或多種選自式II-1A-1至II-1A-12、極佳II-1A-1或II-1A-2之化合物之群的化合物:
其中
R1 表示具有至多7個C原子之烷基或烯基,較佳乙基、正丙基、正丁基或正戊基、正己基,
RL 在每次出現時相同或不同地表示具有1至5個C原子之烷基或烯基,或各自具有3至6個C原子之環烷基或環烯基, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳甲基、乙基、正丙基、正丁基、異丙基、環丙基、環丁基、環戊基或環戊-1-烯基,極佳乙基。
其中
R1 表示具有至多7個C原子之烷基或烯基,較佳乙基、正丙基、正丁基或正戊基、正己基,
RL 在每次出現時相同或不同地表示具有1至5個C原子之烷基或烯基,或各自具有3至6個C原子之環烷基或環烯基, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳甲基、乙基、正丙基、正丁基、異丙基、環丙基、環丁基、環戊基或環戊-1-烯基,極佳乙基。
此外,在特定實施例中,可與先前較佳實施例相同或不同的根據本發明之液晶介質較佳包含一或多種式IV化合物,
其中
s 為0或1,較佳為1,及
較佳地
尤佳為
,
L4 表示H或具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基,較佳為CH3 、C2 H5 、n -C3 H7 、i -C3 H7 、環丙基、環丁基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基,且尤佳為CH3 、C2 H5 、環丙基或環丁基,
X4 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素,較佳為H、F或Cl,更佳為H或F且極尤佳為F,
R41 至R44 , 彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、各自具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,或各自具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基,且替代地R43 及R44 中之一者或兩者亦表示H,
較佳地
R41 及R42 ,彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,
尤佳地
R41 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基、或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,且
尤佳地
R42 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,及
較佳地
R43 及R44 表示H、具有1至5個C原子之未經氟化之烷基、具有3至7個C原子之未經氟化之環烷基或環烯基、各自具有4至12個C原子之未經氟化之烷基環己基或未經氟化之環己基烷基,或具有5至15個C原子之未經氟化之烷基環己基烷基,尤佳為環丙基、環丁基或環己基,且極尤佳地,R43 及R44 中之至少一者表示正烷基,尤佳甲基、乙基或正丙基,且另一者表示H或正烷基,尤佳H、甲基、乙基或正丙基。
其中
較佳地
,
L4 表示H或具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基,較佳為CH3 、C2 H5 、n -C3 H7 、i -C3 H7 、環丙基、環丁基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基,且尤佳為CH3 、C2 H5 、環丙基或環丁基,
X4 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素,較佳為H、F或Cl,更佳為H或F且極尤佳為F,
R41 至R44 , 彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、各自具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,或各自具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基,且替代地R43 及R44 中之一者或兩者亦表示H,
較佳地
R41 及R42 ,彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,
尤佳地
R41 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基、或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,且
尤佳地
R42 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,及
較佳地
R43 及R44 表示H、具有1至5個C原子之未經氟化之烷基、具有3至7個C原子之未經氟化之環烷基或環烯基、各自具有4至12個C原子之未經氟化之烷基環己基或未經氟化之環己基烷基,或具有5至15個C原子之未經氟化之烷基環己基烷基,尤佳為環丙基、環丁基或環己基,且極尤佳地,R43 及R44 中之至少一者表示正烷基,尤佳甲基、乙基或正丙基,且另一者表示H或正烷基,尤佳H、甲基、乙基或正丙基。
在本申請案之較佳實施例中,液晶介質另外包含一或多種選自式V、VI、VII、VIII及IX之化合物之群的化合物:
其中
L51 表示R51 或X51 ,
L52 表示R52 或X52 ,
R51 及R52 , 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或未經氟化之烯基,
X51 及X52 , 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基,較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl,及
L61
表示R61
,且在Z61
及/或Z62
表示反-CH=CH-或反-CF=CF-的情況下,亦可替代地表示X61
,
L62 表示R62 ,且在Z61 及/或Z62 表示反-CH=CH-或反-CF=CF-的情況下,亦可替代地表示X62 ,
R61 及R62 , 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或未經氟化之烯基,
X61 及X62 , 彼此獨立地表示F或Cl、-CN、SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基,
Z61 及Z62 中之一者 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-且其另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,較佳地,其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵,及
及
x 表示0或1;
L71 表示R71 或X71 ,
L72 表示R72 或X72 ,
R71 及R72 , 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或未經氟化之烯基,
X71 及X72 , 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化之烯氧基或未經氟化或氟化之烷氧基烷基,較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl,且
Z71 至Z73 , 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵,較佳地,其中之一或多者表示單鍵,尤佳地,全部表示單鍵,且
R81
及R82
, 彼此獨立地表示H、具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、烯氧基或烷氧基烷基,較佳為未經氟化之烷基或烯基,
Z81 及Z82 中之一者 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-且其另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,較佳地,其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵,及
L91
表示R91
或X91
,
L92 表示R92 或X92 ,
R91 及R92 , 彼此獨立地表示H、具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、烯氧基或烷氧基烷基,較佳為未經氟化之烷基或烯基,
X91 及X92 , 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化之烯氧基或未經氟化或氟化之烷氧基烷基,較佳地氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl,且
Z91 至Z93 , 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵,較佳地,其中之一或多者表示單鍵,且尤佳地,全部表示單鍵,
其中
L51 表示R51 或X51 ,
L52 表示R52 或X52 ,
R51 及R52 , 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或未經氟化之烯基,
X51 及X52 , 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基,較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl,及
L62 表示R62 ,且在Z61 及/或Z62 表示反-CH=CH-或反-CF=CF-的情況下,亦可替代地表示X62 ,
R61 及R62 , 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或未經氟化之烯基,
X61 及X62 , 彼此獨立地表示F或Cl、-CN、SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基,
Z61 及Z62 中之一者 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-且其另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,較佳地,其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵,及
x 表示0或1;
L71 表示R71 或X71 ,
L72 表示R72 或X72 ,
R71 及R72 , 彼此獨立地表示H、具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或未經氟化之烯基,
X71 及X72 , 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化之烯氧基或未經氟化或氟化之烷氧基烷基,較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl,且
Z71 至Z73 , 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵,較佳地,其中之一或多者表示單鍵,尤佳地,全部表示單鍵,且
Z81 及Z82 中之一者 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-且其另一者獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,較佳地,其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵,及
L92 表示R92 或X92 ,
R91 及R92 , 彼此獨立地表示H、具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基、或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、烯氧基或烷氧基烷基,較佳為未經氟化之烷基或烯基,
X91 及X92 , 彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF5 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化之烯氧基或未經氟化或氟化之烷氧基烷基,較佳地氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl,且
Z91 至Z93 , 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵,較佳地,其中之一或多者表示單鍵,且尤佳地,全部表示單鍵,
在本發明之一較佳實施例中,液晶介質包含一或多種式V化合物,其較佳選自式V-1至V-3、較佳式V-1及/或V-2及/或V-3、較佳式V-1及V-2之化合物之群:
其中參數具有上文針對式V所指示之各別含義,且較佳地
R51 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
R52 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基或具有1至7個C原子之未經氟化之烷氧基,
X51 及X52 , 彼此獨立地表示F、Cl、-OCF3 、-CF3 、-CN或-SF5 ,較佳為F、Cl、-OCF3 或-CN。
其中參數具有上文針對式V所指示之各別含義,且較佳地
R51 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
R52 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基或具有1至7個C原子之未經氟化之烷氧基,
X51 及X52 , 彼此獨立地表示F、Cl、-OCF3 、-CF3 、-CN或-SF5 ,較佳為F、Cl、-OCF3 或-CN。
式V-1之化合物較佳係選自式V-1a至V-1d、較佳V-1c及V-1d之化合物之群:
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義,且其中
Y51 及Y52 , 在各情況下彼此獨立地表示H或F,且較佳地
R51 表示烷基或烯基,及
X51 表示F、Cl或OCF3 。
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義,且其中
Y51 及Y52 , 在各情況下彼此獨立地表示H或F,且較佳地
R51 表示烷基或烯基,及
X51 表示F、Cl或OCF3 。
式V-2之化合物較佳選自式V-2a至V-2e之化合物之群及/或選自式V-2f及V-2g之化合物之群:
其中在各情況下,式V-2a之化合物不包括在式V-2b及V-2c之化合物內,式V-2b之化合物不包括在式V-2c之化合物內且式V-2e之化合物不包括在式V-2f化合物內,且
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義,且其中
Y51 及Y52 , 在各情況下彼此獨立地表示H或F,且較佳地
Y51 及Y52 表示H,且另一者表示H或F,較佳同樣表示H。
其中在各情況下,式V-2a之化合物不包括在式V-2b及V-2c之化合物內,式V-2b之化合物不包括在式V-2c之化合物內且式V-2e之化合物不包括在式V-2f化合物內,且
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義,且其中
Y51 及Y52 , 在各情況下彼此獨立地表示H或F,且較佳地
Y51 及Y52 表示H,且另一者表示H或F,較佳同樣表示H。
式V-3之化合物較佳為式V-3a之化合物:
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義,且其中較佳地
X51 表示F、Cl,較佳F,
X52 表示F、Cl或OCF3 ,較佳-OCF3 。
其中參數具有上文針對式V-1所指示之各別含義,且其中較佳地
X51 表示F、Cl,較佳F,
X52 表示F、Cl或OCF3 ,較佳-OCF3 。
式V-1a之化合物較佳選自式V-1a-1及V-1a-2之化合物之群,此等式V化合物更佳地主要由其組成、甚至更佳基本上由其組成且極尤佳完全由其組成:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳在1至5範圍內之整數且尤佳為3或7。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳在1至5範圍內之整數且尤佳為3或7。
式V-1b之化合物較佳為式V-1b-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數。
式V-1c之化合物較佳選自式V-1c-1至V-1c-4之化合物之群,尤佳選自式V-1c-1及V-1c-2之化合物之群:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數。
式V-1d之化合物較佳選自式V-1d-1及V-1d-2之化合物之群,尤佳為式V-1d-2之化合物:
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5之範圍內之整數。
式V-2a之化合物較佳選自式V-2a-1及V-2a-2之化合物之群,尤佳為式V-2a-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內,較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內,較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之在式V-2a-1之情況下,
(R51 及R52 )之較佳組合為(Cn H2n+1 及Cm H2m+1 )、(Cn H2n+1 及O-Cm H2m+1 )、(CH2 =CH-(CH2 )Z 及Cm H2m+1 )、(CH2 =CH-(CH2 )Z 及O-Cm H2m+1 )及(Cn H2n+1 及(CH2 )Z -CH=CH2 )。
(R51 及R52 )之較佳組合為(Cn H2n+1 及Cm H2m+1 )、(Cn H2n+1 及O-Cm H2m+1 )、(CH2 =CH-(CH2 )Z 及Cm H2m+1 )、(CH2 =CH-(CH2 )Z 及O-Cm H2m+1 )及(Cn H2n+1 及(CH2 )Z -CH=CH2 )。
較佳的式V-2b之化合物為式V-2b-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
較佳的式V-2c之化合物為式V-2c-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
較佳的式V-2d之化合物為式V-2d-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
較佳的式V-2e之化合物為式V-2e-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)。
較佳的式V-2f之化合物為式V-2f-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
較佳的式V-2g之化合物為式V-2g-1之化合物:
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R51 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R52 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R51
及R52
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)。
式VI化合物較佳選自式VI-1至VI-5之化合物之群:
其中
Z61 及Z62 表示-C≡C-、反-CH=CH-或反-CF=CF-,較佳
-C≡C-、反-CH=CH-,且其他存在之基團及參數具有以上在式VI下所給出之含義,
且較佳地
R61 及R62 , 彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基、或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
X62 表示F、Cl、-OCF3 或-CN。 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
Z61 及Z62 表示-C≡C-、反-CH=CH-或反-CF=CF-,較佳
-C≡C-、反-CH=CH-,且其他存在之基團及參數具有以上在式VI下所給出之含義,
且較佳地
R61 及R62 , 彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基、或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
X62 表示F、Cl、-OCF3 或-CN。 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
式VI-1之化合物較佳選自式VI-1a及VI-1b之化合物之群,更佳選自式VI-1a之化合物:
其中
R61 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R62 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R61 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R62 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R61
及R62
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),在式VI-1a之情況下,尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
),且在式VI-1b之情況下,尤佳為(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)。
式VI-3之化合物較佳選自式VI-3a至VI-3e之化合物:
其中參數具有上文在式VI-3下所給出之含義,且較佳地
R61 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數,且
X62 表示-F、-Cl、-OCF3 或-CN。
其中參數具有上文在式VI-3下所給出之含義,且較佳地
R61 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數,且
X62 表示-F、-Cl、-OCF3 或-CN。
式VI-4之化合物較佳選自式VI-4a至VI-4e之化合物:
其中參數具有上文在式VI-4下所給出之含義,且較佳地
R61 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數,且
X62 表示F、Cl、OCF3 或-CN。
其中參數具有上文在式VI-4下所給出之含義,且較佳地
R61 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數,且
X62 表示F、Cl、OCF3 或-CN。
式VI-5之化合物較佳選自式VI-5a至VI-5d、較佳VI-5b之化合物:
其中參數具有上文在式VI-5下所給出之含義,且較佳地
R61 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數,且
X62 表示-F、-Cl、-OCF3 或-CN,尤佳-OCF3 。
其中參數具有上文在式VI-5下所給出之含義,且較佳地
R61 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示在0至7範圍內,較佳地在1至5範圍內之整數,且
X62 表示-F、-Cl、-OCF3 或-CN,尤佳-OCF3 。
式VII之化合物較佳選自式VII-1至VII-6之化合物之群:
其中式VII-5之化合物不包括在式VII-6之化合物內,及
其中參數具有上文針對式VII所指示之各別含義, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
Y71 、Y72 、Y73 彼此獨立地表示H或F,
且較佳地
R71 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基,或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
R72 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基,或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
X72 表示F、Cl、NCS或-OCF3 ,較佳F或NCS,及
尤佳地
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中式VII-5之化合物不包括在式VII-6之化合物內,及
其中參數具有上文針對式VII所指示之各別含義, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
Y71 、Y72 、Y73 彼此獨立地表示H或F,
且較佳地
R71 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基,或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
R72 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基,或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基,
X72 表示F、Cl、NCS或-OCF3 ,較佳F或NCS,及
尤佳地
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式VII-1之化合物較佳選自式VII-1a至VII-1d之化合物之群:
其中X72 具有上文針對式VII-2所給出之含義,且
R71 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示1至7,較佳2至6,尤佳2、3或5,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2,及
X72 較佳表示F。
其中X72 具有上文針對式VII-2所給出之含義,且
R71 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,其中
n 表示1至7,較佳2至6,尤佳2、3或5,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2,及
X72 較佳表示F。
式VII-2之化合物較佳選自式VII-2a及VII-2b之化合物之群,尤佳為式VII-2a之化合物:
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VII-3之化合物較佳為式VII-3a之化合物:
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VII-4之化合物較佳地為式VII-4a之化合物:
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VII-5之化合物較佳選自式VII-5a及VII-5b之化合物之群,更佳為式VII-5a之化合物:
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VII-6之化合物較佳選自式VII-6a及VII-6b之化合物之群:
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R72 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R71
及R72
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VII-7之化合物較佳選自式VII-7a至VII-7d之化合物之群:
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
X72 表示F、-OCF3 或-NCS,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
R71 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,
X72 表示F、-OCF3 或-NCS,
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
式VIII化合物較佳地選自式VIII-1至VIII-3之化合物之群,更佳地,此等式VIII化合物主要由其組成,甚至更佳地基本上由其組成且極尤佳地完全由其組成:
其中
Y81 及Y82 中之一者 表示H且另一者表示H或F,且 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
Y81 及Y82 中之一者 表示H且另一者表示H或F,且 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VIII-1之化合物較佳選自式VIII-1a至VIII-1c之化合物之群:
其中
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VIII-2之化合物較佳為式VIII-2a之化合物:
其中
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)、(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)及(CH2
=CH-(CH2
)Z
及Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式VIII-3之化合物較佳為式VIII-3a之化合物:
其中
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R81 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R82 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R81
及R82
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)。
式IX之化合物較佳選自式IX-1至IX-3之化合物之群:
其中參數具有上文在式IX下所指示之各別含義,且較佳地
及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
R91 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R92 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中參數具有上文在式IX下所指示之各別含義,且較佳地
其中
R91 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R92 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處,(R91
及R92
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)。
式IX-1之化合物較佳選自式IX-1a至IX-1e之化合物之群:
其中參數具有上文所給出之含義且較佳地
R91 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
X92 較佳表示F或Cl。
其中參數具有上文所給出之含義且較佳地
R91 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cn H2n+1 ,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n 表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
X92 較佳表示F或Cl。
式IX-2之化合物較佳選自式IX-2a至IX-2b之化合物之群:
其中
R91 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R92 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R91 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R92 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處(R91
及R92
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)。
式IX-3之化合物較佳為式IX-3a及IX-3b之化合物:
其中
R91 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R92 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
其中
R91 具有上文所指示之含義且較佳表示Cn H2n+1 或CH2 =CH-(CH2 )Z ,及
R92 具有上文所指示之含義且較佳地表示Cm H2m+1 或O-Cm H2m+1 或(CH2 )Z -CH=CH2 ,且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n及m, 彼此獨立地表示在0至15範圍內、較佳在1至7且尤佳1至5範圍內之整數,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
z 表示0、1、2、3或4,較佳0或2。
詳言之,此處(R91
及R92
)之較佳組合為(Cn
H2n+1
及Cm
H2m+1
)及(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
),尤佳為(Cn
H2n+1
及O-Cm
H2m+1
)。
在本發明之較佳實施例中,介質包含一或多種式X化合物
其中
R101 表示H、具有1至15個,較佳3至10個C原子之烷基或烷氧基、具有2至15個,較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或烯基,
X101 表示H、F、Cl、-CN、SF5 、NCS、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基,較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F、Cl或NCS,尤佳為NCS,
Y101 表示甲基、乙基或Cl,
Y102 表示H、甲基、乙基、F或Cl,較佳為H或F,
Z101 、Z102 相同或不同地表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-,
n 為0或1。
其中
R101 表示H、具有1至15個,較佳3至10個C原子之烷基或烷氧基、具有2至15個,較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,較佳為烷基或烯基,
X101 表示H、F、Cl、-CN、SF5 、NCS、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基、或具有2至7個C原子之氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基,較佳為氟化烷氧基、氟化烯氧基、F、Cl或NCS,尤佳為NCS,
Y101 表示甲基、乙基或Cl,
Y102 表示H、甲基、乙基、F或Cl,較佳為H或F,
Z101 、Z102 相同或不同地表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-,
較佳地,式X化合物選自子式X-1及X-2
其中所存在之基團及參數具有以上針對式X給出之含義。
尤佳地,根據本發明之介質包含一或多種選自式X-1-1至X-1-9之化合物之群
根據本發明之介質包含一或多種對掌性摻雜劑。較佳地,該等對掌性摻雜劑之螺旋狀扭轉力(HTP)絕對值在1 μm-1
至150 μm-1
之範圍內,較佳地在10 μm-1
至100 μm-1
之範圍內。在介質包含兩種或更多種對掌性摻雜劑之情況下,其HTP值可具有相反符號。此條件對於一些特定實施例為較佳的,因為其允許以某一程度補償各別化合物之對掌性,且因此可用於補償裝置中所得介質之各種溫度依賴性特性。然而,一般而言,較佳的係根據本發明之介質中存在之大部分、較佳所有地對掌性化合物之HTP值具有相同符號。
較佳地,根據本申請案之介質中存在之對掌性摻雜劑為液晶原基化合物,且最佳地,其獨立地展現中間相。
在本發明之較佳實施例中,該介質包含兩種或更多種皆具有相同HTP代數符號之對掌性化合物。
個別化合物之HTP之溫度依賴性可為高或低。可藉由以相應比率混合具有不同HTP溫度依賴性之化合物來補償介質之間距之溫度依賴性。
對於光學活性組分,熟習此項技術者可使用大量對掌性摻雜劑,其中一些為可商購的,諸如壬酸膽固醇酯、R-811及S-811、R-1011及S-1011、R-2011及S-2011、R-3011及S-3011、R-4011及S-4011、或CB15 (皆來自Merck KGaA,Darmstadt)。
尤其合適的摻雜劑為含有一或多個對掌性基團及一或多個液晶原基基團,或一或多個與對掌性基團形成液晶原基基團之芳族或脂環族基團的化合物。
合適對掌性基團為例如對掌性分支鏈烴基、對掌性乙二醇、聯萘酚或二氧雜環戊烷,以及選自由以下組成之群的單價或多價對掌性基團:糖衍生物、糖醇、糖酸、乳酸、對掌性取代二醇、類固醇衍生物、萜類衍生物、胺基酸或具有幾個、較佳1至5個胺基酸之序列。
較佳對掌性基團為糖衍生物,諸如葡萄糖、甘露糖、半乳糖、果糖、阿拉伯糖及右旋糖;糖醇,諸如山梨醇、甘露醇、艾杜糖醇(iditol)、半乳糖醇或其脫水衍生物,尤其係二脫水己糖醇,諸如二脫水山梨醇(1,4:3,6-二脫水-D-山梨糖醇酐、異山梨糖醇)、二脫水甘露醇(異山梨醇)或二脫水艾杜糖醇(異艾杜糖醇);糖酸,諸如葡萄糖酸、古洛糖酸(gulonic acid)及酮古洛糖酸;經對掌性取代之二醇基團,諸如單乙二醇或寡乙二醇或丙二醇,其中一或多個CH2
基團經烷基或烷氧基取代;胺基酸,諸如丙胺酸、纈胺酸、苯基甘胺酸或苯丙胺酸,或1至5個此等胺基酸之序列;類固醇衍生物,諸如膽固醇基或膽酸基團;萜類衍生物,諸如䓝基(menthyl)、新䓝基(neomenthyl)、莰基(campheyl)、蒎基(pineyl)、孟烯基(terpineyl)、異長葉基(isolongifolyl)、小茴香基(fenchyl)、卡瑞基(carreyl)、桃金娘烯基(myrthenyl)、諾蔔醇基(nopyl)、香葉草基(geraniyl)、芳樟醇基(linaloyl)、苨肉基(neryl)、香茅基(citronellyl)或二脫水香茅基(dihydrocitronellyl)。
根據本發明之介質較佳包含選自已知對掌性摻雜劑之群的對掌性摻雜劑。合適對掌性基團及液晶原基對掌性化合物描述於例如DE 34 25 503、DE 35 34 777、DE 35 34 778、DE 35 34 779及DE 35 34 780、DE 43 42 280、EP 01 038 941及DE 195 41 820中。實例亦為下表F中所列之化合物。
較佳根據本發明使用之對掌性化合物係選自由下文展示之式組成之群。
尤佳為選自由下式A-I至A-III及Ch之化合物組成之群的對掌性摻雜劑:
其中
Ra11 、Ra12 及Rb12 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基,其中,另外,一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可各自經F、Cl、Br、I或CN置換,較佳為烷基,更佳為正烷基,其限制條件為Ra12 與Rb12 不同,
Ra21 及Ra22 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基,其中,另外,一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳地均為烷基,更佳地為正烷基,
Ra31 、Ra31 及Rb32 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之直鏈或分支鏈烷基,其中,另外,一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳為烷基,更佳為正烷基,其限制條件為Ra32 與Rb32 不同;
Rz 表示H、CH3 、F、Cl或CN,較佳為H或F,
R8 具有上文給出之Ra11 的含義中之一者,較佳為烷基,更佳為具有1至15個C原子之正烷基,
Z8 表示-C(O)O-、CH2 O、CF2 O或單鍵,較佳為-C(O)O-,
n2 在每次出現時相同或不同地為0、1或2,且
n3 為1、2或3。
其中
Ra11 、Ra12 及Rb12 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基,其中,另外,一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可各自經F、Cl、Br、I或CN置換,較佳為烷基,更佳為正烷基,其限制條件為Ra12 與Rb12 不同,
Ra21 及Ra22 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基,其中,另外,一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳地均為烷基,更佳地為正烷基,
Ra31 、Ra31 及Rb32 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之直鏈或分支鏈烷基,其中,另外,一或多個不相鄰CH2 基團可各自彼此獨立地經-C(Rz )=C(Rz )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
較佳為烷基,更佳為正烷基,其限制條件為Ra32 與Rb32 不同;
Rz 表示H、CH3 、F、Cl或CN,較佳為H或F,
R8 具有上文給出之Ra11 的含義中之一者,較佳為烷基,更佳為具有1至15個C原子之正烷基,
Z8 表示-C(O)O-、CH2 O、CF2 O或單鍵,較佳為-C(O)O-,
n3 為1、2或3。
尤佳為選自由下式之化合物組成之群的摻雜劑:
其中
m 在每次出現時相同或不同地為1至9之整數,且
n 在每次出現時相同或不同地為2至9之整數。
其中
m 在每次出現時相同或不同地為1至9之整數,且
n 在每次出現時相同或不同地為2至9之整數。
尤佳之式A化合物為式A-III之化合物。
更佳摻雜劑為下式A-IV之異山梨糖醇、異甘露糖醇或異艾杜糖醇之衍生物:
較佳為二去水山梨醇,
及對掌性乙二醇,諸如二苯基乙二醇(氫化安息香),尤其下式A-V之液晶原基氫化安息香衍生物:
包括未展示之(S,S )對映異構體,
其中
L 為H、F、Cl、CN或視情況選用之具有1至7個碳原子之鹵化烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧基羰氧基,
c 為0或1,
X 為CH2 或-C(O)-,
Z0 為-COO-、-OCO-、-CH2 CH2 -或單鍵,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
R0 為具有1至12個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷基羰氧基。
及對掌性乙二醇,諸如二苯基乙二醇(氫化安息香),尤其下式A-V之液晶原基氫化安息香衍生物:
包括未展示之(S,S )對映異構體,
其中
c 為0或1,
X 為CH2 或-C(O)-,
Z0 為-COO-、-OCO-、-CH2 CH2 -或單鍵,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
R0 為具有1至12個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷基羰氧基。
式IV化合物之實例為:
式A-IV之化合物描述於WO 98/00428中。式A-V化合物描述於GB-A-2,328,207中。
極尤佳摻雜劑為:對掌性聯萘衍生物,如WO 02/94805中所描述;對掌性聯萘酚縮醛衍生物,如WO 02/34739中所描述;對掌性TADDOL衍生物,如WO 02/06265中所描述;及具有至少一個氟化橋聯基團及末端或中心對掌性基團之對掌性摻雜劑,如WO 02/06196及WO 02/06195中所描述。
尤佳為式A-VI之對掌性化合物
其中
X1 、X2 、Y1 及Y2 各自彼此獨立地為F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、具有1至25個碳原子之直鏈或分支鏈烷基,其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中另外一或多個不相鄰CH2基團可各自彼此獨立地經 -O-、-S-、-NH-、NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接鍵合;具有至多20個碳原子之可聚合基團或環烷基或芳基,其可視情況經鹵素,較佳F或經可聚合基團單取代或多取代,
x1 及x2 各自彼此獨立地為0、1或2,
y1 及y2 各自彼此獨立地為0、1、2、3或4,
B1 及B2 各自彼此獨立地為芳族或部分或完全飽和脂族六員環,其中一或多個CH基團可各自經N置換且一或多個不相鄰CH2基團可各自經O或S置換,
W1 及W2 各自彼此獨立地為-Z1 -A1 -(Z2 -A2 )m -R,且兩者中之一者可替代地為R1 或A3 ,但兩者不同時為H,或
U1
及U2
各自彼此獨立地為CH2
、O、S、CO或CS,
V1 及V2 各自彼此獨立地為(CH2 )n ,其中一至四個不相鄰CH2基團可各自經O或S置換,且V1 及V2 中之一者,且在 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
n 為1、2或3
Z1 及Z2 各自彼此獨立地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0 -、-NR0 -CO-、-O-CH2 -、-CH2 -O-、-S-CH2 -、-CH2 -S-、-CF2 -O-、-O-CF2 -、-CF2 -S-、-S-CF2 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CF2 -CF2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-、此等基團中之兩者的組合,其中不存在兩個O及/或S及/或N原子彼此直接鍵合,較佳為-CH=CH-COO-或-COO-CH=CH-或單鍵,
A1 、A2 及A3 各自彼此獨立地為:1,4-伸苯基,其中一或兩個不相鄰CH基團可各自經N置換;1,4-伸環己基,其中一或兩個不相鄰CH2基團可各自經O或S置換;1,3-二氧戊環-4,5-二基;1,4-伸環己烯基;1,4-雙環[2.2.2]伸辛基;哌啶-1,4-二基;萘-2,6-二基;十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基,其中此等基團中之各者可經L單取代或多取代,且另外A1 可為單鍵,
L 為鹵素原子,較佳F、CN、NO2 、具有1至7個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧基羰氧基,其中一或多個H原子可各自經F或Cl置換,
m 在各情況下獨立地為0、1、2或3,及
R及R1 各自彼此獨立地為H、F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、分別具有1或3個至25個碳原子之直鏈或分支鏈烷基,其可視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中一或多個不相鄰CH2基團可各自經-O-、-S-、-NH-、-NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換,其中不存在兩個O及/或S原子彼此直接鍵合;或可聚合基團。
其中
X1 、X2 、Y1 及Y2 各自彼此獨立地為F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、具有1至25個碳原子之直鏈或分支鏈烷基,其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中另外一或多個不相鄰CH2基團可各自彼此獨立地經 -O-、-S-、-NH-、NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換,其方式為使得O及/或S原子彼此不直接鍵合;具有至多20個碳原子之可聚合基團或環烷基或芳基,其可視情況經鹵素,較佳F或經可聚合基團單取代或多取代,
x1 及x2 各自彼此獨立地為0、1或2,
y1 及y2 各自彼此獨立地為0、1、2、3或4,
B1 及B2 各自彼此獨立地為芳族或部分或完全飽和脂族六員環,其中一或多個CH基團可各自經N置換且一或多個不相鄰CH2基團可各自經O或S置換,
W1 及W2 各自彼此獨立地為-Z1 -A1 -(Z2 -A2 )m -R,且兩者中之一者可替代地為R1 或A3 ,但兩者不同時為H,或
V1 及V2 各自彼此獨立地為(CH2 )n ,其中一至四個不相鄰CH2基團可各自經O或S置換,且V1 及V2 中之一者,且在 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
Z1 及Z2 各自彼此獨立地為-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR0 -、-NR0 -CO-、-O-CH2 -、-CH2 -O-、-S-CH2 -、-CH2 -S-、-CF2 -O-、-O-CF2 -、-CF2 -S-、-S-CF2 -、-CH2 -CH2 -、-CF2 -CH2 -、-CH2 -CF2 -、-CF2 -CF2 -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-、此等基團中之兩者的組合,其中不存在兩個O及/或S及/或N原子彼此直接鍵合,較佳為-CH=CH-COO-或-COO-CH=CH-或單鍵,
A1 、A2 及A3 各自彼此獨立地為:1,4-伸苯基,其中一或兩個不相鄰CH基團可各自經N置換;1,4-伸環己基,其中一或兩個不相鄰CH2基團可各自經O或S置換;1,3-二氧戊環-4,5-二基;1,4-伸環己烯基;1,4-雙環[2.2.2]伸辛基;哌啶-1,4-二基;萘-2,6-二基;十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫化萘-2,6-二基,其中此等基團中之各者可經L單取代或多取代,且另外A1 可為單鍵,
L 為鹵素原子,較佳F、CN、NO2 、具有1至7個碳原子之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧羰基或烷氧基羰氧基,其中一或多個H原子可各自經F或Cl置換,
m 在各情況下獨立地為0、1、2或3,及
R及R1 各自彼此獨立地為H、F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF5 、分別具有1或3個至25個碳原子之直鏈或分支鏈烷基,其可視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代,且其中一或多個不相鄰CH2基團可各自經-O-、-S-、-NH-、-NR0 -、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換,其中不存在兩個O及/或S原子彼此直接鍵合;或可聚合基團。
尤佳為式A-VI-1之對掌性聯萘衍生物
其中環B、R0 及Z0 係針對式A-IV及A-V所定義,且b為0、1或2,
尤其選自下式A-VI-1a至A-VI-1c之彼等者:
其中環B、R0 及Z0 係針對式A-VI-1所定義,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
R0 如針對式A-IV所定義或H或具有1至4個碳原子之烷基,及
b 為0、1或2,
且Z0 尤其為-OC(O)-或單鍵。
其中環B、R0 及Z0 係針對式A-IV及A-V所定義,且b為0、1或2,
尤其選自下式A-VI-1a至A-VI-1c之彼等者:
其中環B、R0 及Z0 係針對式A-VI-1所定義,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
R0 如針對式A-IV所定義或H或具有1至4個碳原子之烷基,及
b 為0、1或2,
且Z0 尤其為-OC(O)-或單鍵。
LC介質中之一或多種對掌性摻雜劑之濃度較佳在0.001%至20%、較佳0.05%至5%、更佳0.1%至2%及最佳0.5%至1.5%範圍內。該等較佳濃度範圍尤其適用於對掌性摻雜劑S-4011或R-4011 (均來自Merck KGaA)且適用於具有相同或類似HTP之對掌性摻雜劑。對於具有相較於S-4011較高或較低HTP絕對值之對掌性摻雜劑,此等較佳濃度必須降低,分別根據其HTP值相對於S-4011之HTP值之比率按比例增加。
根據本發明之LC介質或主體混合物的間距p較佳地在5至50 μm、更佳8至30 μm及尤佳10至20 μm之範圍內。
較佳地,根據本發明之介質包含選自式ST-1至ST-18之化合物之群的穩定劑。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
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其中
RST 表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,其中另外,此等基團中之一或多個CH2 基團可各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換,其方式為使得O原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可經鹵素置換,
表示文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
ZST 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-CH2 -、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-CH2 O-、-C2 F4 -、-CH2 CF2 -、-CF2 CH2 -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵,
L1 及L2 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ,
p表示1或2,
q表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
其中
RST 表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基,其中另外,此等基團中之一或多個CH2 基團可各自彼此獨立地經-C≡C-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH=CH-、、、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換,其方式為使得O原子彼此不直接連接,且其中另外,一或多個H原子可經鹵素置換,
表示文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
ZST 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF2 O-、-OCF2 -、-CH2 O-、-OCH2 -、-CH2 -、-CH2 CH2 -、-(CH2 )4 -、-CH=CH-CH2 O-、-C2 F4 -、-CH2 CF2 -、-CF2 CH2 -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵,
L1 及L2 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF3 或CHF2 ,
p表示1或2,
q表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。
在式ST化合物中,特別較佳的係以下各式之化合物
在式ST-3a及ST-3b之化合物中,n較佳表示3。在式ST-2a之化合物中,n較佳表示7。
根據本發明之極尤佳混合物包含一或多種來自式ST-2a-1、ST-3a-1、ST-3b-1、ST-8-1、ST-9-1及ST-12之化合物之群的穩定劑:
式ST-1至ST-18之化合物較佳地各自以按混合物計0.005至0.5%之量存在於根據本發明之液晶混合物中。
若根據本發明之混合物包含兩種或更多種來自式ST-1至ST-18之化合物之群的化合物,則就兩種化合物而言,按混合物計,濃度相對應地增加至0.01-1%。
然而,按根據本發明之混合物計,式ST-1至ST-18之化合物之總比例不應超過2%。
根據本發明之化合物可在已知且適於該等反應之反應條件下藉由或類似於描述於文獻(例如描述於標準著作中,諸如Houben-Weyl,Methoden der Organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry],Georg-Thieme-Verlag,Stuttgart)中之已知方法來合成。亦可在本文中使用本身已知但未在本文中提及之變化形式。詳言之,其可如以下反應流程中所描述或類似於以下反應流程而製備。製備本發明化合物之其他方法可獲自實例。
上文未明確提及之其他液晶原基化合物亦可視情況且有利地用於根據本發明之介質中。該等化合物為熟習此項技術者已知。
在本發明之較佳實施例中,液晶介質中之式T化合物之總濃度為5%或更大,較佳10%或更大且尤佳12%或更大。
在本發明之較佳實施例中,液晶介質較佳包含總計5%至30%、較佳8%至20%且尤佳10%至18%的式T化合物。
在本發明之另一較佳實施例中,液晶介質較佳包含總計3%至25%、較佳7%至22%且尤佳12%至18%的式T化合物。
在本發明之一較佳實施例中,液晶介質包含總計30%或更大,較佳40%或更大且尤佳50%或更大之式I化合物。
在本發明之較佳實施例中,液晶介質包含總計30%或更大、較佳40%或更大且尤佳50%或更大的式I化合物,較佳選自式I-1、I-2及I-3之化合物之群,尤佳選自式I-2及I-3之化合物。
在較佳實施例中,該介質包含一或多種式I-2化合物,其總濃度在5%至30%、更佳10%至25%且尤佳15%至20%之範圍內。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質中之式I-3化合物的總濃度在10%至70%、更佳20%至60%且尤佳25%至55%之範圍內。
在一較佳實施例中,根據本發明之介質中之式I-3化合物的總濃度為20%或更大,更佳為25%或更大,且尤佳為30%或更大。
在本發明之較佳實施例中,該介質包含一或多種式II化合物,其總濃度為5%至35%、更佳10%至30%、尤佳15%至25%。
在本發明之較佳實施例中,該介質包含一或多種式II-1化合物,其總濃度為5%至25%、更佳7%至20%、尤佳10%至15%。
在本發明之較佳實施例中,該介質包含一或多種式II-1化合物,其總濃度為25%或更低,更佳20%或更低,尤佳15%或更低,極尤佳10%或更低。
在本發明之較佳實施例中,該介質包含一或多種式III、較佳III-1之化合物,其總濃度為2%至25%,更佳5%至20%,尤佳8%至16%。
本發明之更佳實施例單獨地或彼此結合地如下,其中一些化合物係使用表C中給出之縮寫字縮寫:
- 該介質包含一或多種式T-1之化合物;
- 該介質包含一或多種式T-2之化合物;
- 該介質包含一或多種式T-1及T-2之化合物;
- 該介質包含一或多種式T-1及/或T-2之化合物及一或多種式I及/或II及/或III之化合物;
- 該介質包含一或多種式III-1之化合物;
- 該介質包含化合物CP-V2-T;
- 該介質包含化合物PTU-V2-OT,其濃度較佳在2%至10%之範圍內
- 該介質包含兩種或更多種式T-1之化合物;
- 該介質包含兩種或更多種式T-2之化合物;
- 該介質包含化合物PPU-TO-S;
- 該介質包含一或多種式T化合物及一或多種式II-1化合物,其總濃度較佳在20至60%、更佳25至50%、尤佳30至45%之範圍內;
- 該介質包含一或多種式I-3b之化合物,較佳地化合物CPU-2-S及/或CPU-4-S;
- 該介質包含一或多種式I-3b及式II-1b之化合物,較佳地化合物CPU-2-S及/或CPU-4-S,及PTU-3-S及/或PTU-4-S及/或PTU-5-S;
- 該介質包含一或多種總濃度在10至20%範圍內之式PPTU-n-S之化合物;
- 該介質包含一或多種總濃度在15至25%範圍內之式PPTU-n-S及PGTU-n-S之化合物;
- 該介質包含一或多種式ST-3、較佳ST-3a及/或ST-3b、尤佳ST-3b-1之化合物,其總濃度在0.01至1%、較佳0.05至0.5%、尤其0.10至0.15%之範圍內。
- 該介質包含一或多種式T-1之化合物;
- 該介質包含一或多種式T-2之化合物;
- 該介質包含一或多種式T-1及T-2之化合物;
- 該介質包含一或多種式T-1及/或T-2之化合物及一或多種式I及/或II及/或III之化合物;
- 該介質包含一或多種式III-1之化合物;
- 該介質包含化合物CP-V2-T;
- 該介質包含化合物PTU-V2-OT,其濃度較佳在2%至10%之範圍內
- 該介質包含兩種或更多種式T-1之化合物;
- 該介質包含兩種或更多種式T-2之化合物;
- 該介質包含化合物PPU-TO-S;
- 該介質包含一或多種式T化合物及一或多種式II-1化合物,其總濃度較佳在20至60%、更佳25至50%、尤佳30至45%之範圍內;
- 該介質包含一或多種式I-3b之化合物,較佳地化合物CPU-2-S及/或CPU-4-S;
- 該介質包含一或多種式I-3b及式II-1b之化合物,較佳地化合物CPU-2-S及/或CPU-4-S,及PTU-3-S及/或PTU-4-S及/或PTU-5-S;
- 該介質包含一或多種總濃度在10至20%範圍內之式PPTU-n-S之化合物;
- 該介質包含一或多種總濃度在15至25%範圍內之式PPTU-n-S及PGTU-n-S之化合物;
- 該介質包含一或多種式ST-3、較佳ST-3a及/或ST-3b、尤佳ST-3b-1之化合物,其總濃度在0.01至1%、較佳0.05至0.5%、尤其0.10至0.15%之範圍內。
根據本發明之液晶介質之澄清點較佳為90℃或更大,更佳100℃或更大,更佳110℃或更大,更佳120℃或更大,更佳130℃或更大,尤佳140℃或更大,且極尤佳150℃或更大。
根據本發明之液晶介質之澄清點較佳為160℃或更低,更佳140℃或更低,尤佳120℃或更低,且極尤佳100℃或更低。
根據本發明之介質之向列相較佳至少自0℃或更低延伸至90℃或更大。展現甚至更廣向列相範圍對根據本發明之介質有利,該等範圍較佳至少自-10℃或更低至120℃或更大、極佳至少自-20℃或更低至140℃或更大且尤其至少自-30℃或更低至150℃或更大、極尤佳至少自-40℃或更低至170℃或更大。
在1 kHz及20℃下,根據本發明之液晶介質之Δε較佳為1或更大、更佳為2或更大且極佳為3或更大。
在589 nm (NaD
)及20℃下,根據本發明之液晶介質的Δn較佳在0.200或更大至0.90或更低之範圍內,更佳在0.250或更大至0.90或更低之範圍內,甚至更佳在0.300或更大至0.85或更低之範圍內且極尤佳在0.350或更大至0.800或更低之範圍內。
在本申請案之較佳實施例中,根據本發明之液晶介質之Δn較佳為0.50或更大,更佳為0.55或更大。
式I至III之化合物在各情況下包括具有大於3之介電各向異性的介電陽性化合物、具有小於3且大於-1.5之介電各向異性的介電中性化合物及具有-1.5或更低之介電各向異性的介電陰性化合物。
式I、II及III化合物較佳為介電正性。
在本申請案中,表述介電陽性描述其中Δε>3.0之化合物或組分,介電中性描述其中-1.5≤文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。Δε≤文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。3.0之化合物或組分且介電陰性描述其中Δε<-1.5之化合物或組分。在1 kHz之頻率及20℃下測定Δε。各別化合物之介電各向異性由各別單一化合物於向列型主體混合物中之10%溶液之結果判定。若主體混合物中之各別化合物之溶解度小於10%,則濃度降低至5%。測試混合物之電容在具有垂直配向之電池及具有均質配向之電池兩者中測定。兩種類型之電池的電池厚度為約20 µm。施加之電壓為具有1 kHz頻率及有效值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波,但始終將其選擇為低於各別測試混合物之電容臨限值。
Δε經定義為(ε||
- ε⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
),而εave
為(ε||
+ 2 ε⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
) / 3。
用於介電正性化合物之主體混合物為混合物ZLI-4792,且用於介電中性及介電負性化合物之主體混合物為混合物ZLI-3086,均來自Merck KGaA,Germany. 化合物之介電常數之絕對值由在添加所關注化合物時主體混合物之各別值的變化測定。將該等值外推至100%之所關注化合物之濃度。
如此在20℃之量測溫度下量測具有向列相之組分,所有其他組分像化合物一樣處理。
在兩種情況下,除非另外明確說明,否則在本申請案中之表述臨限電壓係指光學臨限值,且係針對10%相對對比度(V10
)引述,且表述飽和電壓係指光學飽和度,且係針對90%相對對比度(V90
)引述。若明確提及,則僅使用電容臨限電壓(V0
),亦稱為弗雷德里克臨限值(VFr
)。
除非另外明確說明,否則在本申請案中所指示之參數範圍均包括極限值。
所指示之用於各種特性範圍之不同上限值及下限值彼此組合產生其他較佳範圍。
除非另外明確說明,否則以下條件及定義在本申請案通篇適用。所有濃度均以按重量計之百分比引述且係關於作為整體之各別混合物,所有溫度均以攝氏度引述且所有溫度差均以差異度數引述。除非另外明確說明,否則根據「Merck Liquid Crystals,Physical Properties of Liquid Crystals」,Status 1997年11月,Merck KGaA,Germany來測定所有物理特性,且針對20℃之溫度引述。在589.3 nm之波長下測定光學各向異性(Δn)。在1 kHz頻率下測定介電各向異性(Δε)。使用Merck KGaA,Germany生產之測試單元測定臨限電壓以及所有其他電光特性。用於測定Δε之測試單元具有約20 µm之單元厚度。電極為具有1.13 cm2
面積及保護環之圓形ITO電極。定向層為用於垂直定向(ε||
)之來自Nissan Chemicals,Japan之SE-1211,且用於均質定向(ε⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
)之來自Japan Synthetic Rubber,Japan之聚醯亞胺AL-1054。使用Solatron 1260頻率回應分析儀,使用正弦波以0.3 Vrms
之電壓來測定電容。電光學量測中所使用之光為白光。本文中使用利用可購自Autronic-Melchers,Germany之DMS儀器之裝備。已在垂直觀測下測定特徵電壓。已分別針對10%、50%及90%相對對比度測定臨限電壓(V10
)、中灰電壓(V50
)及飽和電壓(V90
)。
如在A. Penirschke等人「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35 GHz」,第34屆European Microwave Conference - Amsterdam,第545頁-第548頁中所描述研究液晶介質在微波頻率範圍中之特性。就此而言亦比較A. Gaebler等人「Direct Simulation of Material Permittivities…」,12MTC 2009 - International Instrumentation and Measurement Technology Conference,Singapore,2009 (IEEE),第463頁-第467頁及DE 10 2004 029 429 A,其中亦詳細描述量測方法。
液晶經引入聚四氟乙烯(PTFE)或石英毛細管中。毛細管具有0.5mm之內徑及0.78mm之外徑。有效長度為2.0 cm。在19 GHz之共振頻率下,將經填充毛細管引入至圓柱形空腔之中心中。此空腔長度為11.5 mm且半徑為6 mm。接著應用輸入信號(來源),且使用商業向量網路分析儀(N5227A PNA Microwave Network Analyzer,Keysight Technologies Inc. USA)記錄空腔之取決於頻率之回應。對於其他頻率,相應地調適空腔尺寸。
藉助於上文所提及之公開案A之等式10及11,共振頻率之改變及利用經液晶填充之毛細管之量測與不利用經液晶填充之毛細管之量測之間的Q因素用於判定在對應目標頻率下的介電常數及損耗角。Penirschke等人,第34屆European Microwave Conference - Amsterdam,第545-548頁,如本文中所描述。
藉由液晶在磁場中之配向,獲得垂直且平行於液晶之引向器之組分特性值。為此目的,使用永久磁體磁場。磁場強度為0.35特斯拉。
較佳組件為移相器、可變電抗器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路可調適濾波器及其他組件。
在本申請案中,除非另外明確說明,否則術語化合物意謂一種化合物及複數種化合物。
根據本發明之液晶介質較佳具有在上文給定之較佳範圍內之向列相。表述具有向列相在此意謂:一方面,在對應溫度下在低溫下未觀測到近晶相及結晶,且另一方面,在加熱時向列相不發生澄清。在高溫下,藉由習知方法在毛細管中量測澄清點。在流量式黏度計中於對應溫度下進行低溫研究及藉由儲存塊體樣品檢查。根據本發明之介質在塊體中之儲存穩定性(LTS)在給定溫度T下藉由目視檢驗來判定。將2 g所關注之介質填充至適當尺寸之閉合玻璃容器(瓶)中,置於在預定溫度下之冷凍機中。以規定的時間間隔針對層列相或結晶之出現檢查該等瓶。對於每一材料且在各溫度下儲存兩個瓶。若在兩個對應的瓶中之至少一者中觀測到結晶或層列相之形態,則測試終止且在其中觀測到更有序之相出現者之前最後一次檢驗的時間記錄為各別儲存穩定性。測試最後在1000 h後終止,亦即,1000 h之LTS值意謂混合物在給定溫度下穩定至少1000 h。
所使用之液晶較佳具有正介電各向異性。此較佳為2或更大,較佳4或更大,尤佳6或更大且極尤佳10或更大。
此外,根據本發明之液晶介質的特徵在於微波範圍內之高各向異性值。在約19 GHz下之雙折射率為例如較佳0.14或更大,尤佳0.15或更大,尤佳0.20或更大,尤佳0.25或更大且極尤佳0.30或更大。另外,雙折射率較佳為0.80或更低。
微波範圍中之介電各向異性定義為
Δεr ≡ (εr,|| - εr, ⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 )。
Δεr ≡ (εr,|| - εr, ⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 )。
可調諧性(τ)定義為
τ ≡ (Δεr / εr,|| )。
τ ≡ (Δεr / εr,|| )。
材料品質(η)定義為
η ≡ (τ / tan δε r,max. ),其中
最大介電耗損為
tan δε r,max. ≡ max. { tan δε r, ⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 , ; tan δε r,|| }。
η ≡ (τ / tan δε r,max. ),其中
最大介電耗損為
tan δε r,max. ≡ max. { tan δε r, ⊥文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 , ; tan δε r,|| }。
較佳液晶材料之材料品質(η)為6或更大,較佳8或更大,較佳10或更大,較佳15或更大,較佳17或更大,較佳20或更大,尤佳25或更大且極尤佳30或更大。
在對應組件中,較佳液晶材料之移相器品質為15°/dB或更大,較佳為20°/dB或更大,較佳為30°/dB或更大,較佳為40°/dB或更大,較佳為50°/dB或更大,尤佳為80°/dB或更大,且極尤佳為100°/dB或更大。
然而,在一些實施例中,亦可有利地使用介電各向異性為負值之液晶。
所使用之液晶為個別物質或混合物。其較佳具有向列相。
術語「烷基」較佳涵蓋具有1至15個碳原子之直鏈及分支鏈烷基,詳言之,直鏈基團甲基、乙基、丙基、丁基、戊基、己基及庚基。具有2至10個碳原子之基團大體為較佳的。
術語「烯基」較佳涵蓋具有2至15個碳原子之直鏈及分支鏈烯基,詳言之,直鏈基團。尤佳烯基為C2
至C7
-1E-烯基、C4
至C7
-3E-烯基、C5
至C7
-4-烯基、C6
至C7
-5-烯基及C7
-6-烯基,詳言之,C2
至C7
-1E-烯基、C4
至C7
-3E-烯基及C5
至C7
-4-烯基。其他較佳烯基之實例為乙烯基、1E-丙烯基、1E-丁烯基、1E-戊烯基、1E-己烯基、1E-庚烯基、3-丁烯基、3E-戊烯基、3E-己烯基、3E-庚烯基、4-戊烯基、4Z-己烯基、4E-己烯基、4Z-庚烯基、5-己烯基、6-庚烯基及其類似者。具有至多5個碳原子之基團大體為較佳的。
術語「氟烷基」較佳涵蓋具有端氟之直鏈基團,亦即氟甲基、2-氟乙基、3-氟丙基、4-氟丁基、5-氟戊基、6-氟己基及7-氟庚基。然而,不包括在氟之其他位置。
術語「氧雜烷基」或「烷氧基烷基」較佳涵蓋式Cn
H2n+1
-O-(CH2
)m
之直鏈基團,其中n及m各自彼此獨立地表示1至10。較佳地,n為1且m為1至6。
含有乙烯基端基之化合物及含有甲基端基之化合物具有低旋轉黏度。
在本申請案中,高頻技術意謂具有在1 MHz至1 THz,較佳1 GHz至500 GHz,更佳2 GHz至300 GHz,尤佳約5 GHz至150 GHz範圍內之頻率之電磁輻射的應用。
根據本發明之液晶介質可包含呈常用濃度之其他添加劑及對掌性摻雜劑。按整體混合物計,此等其他成分之總濃度在0%至10%、較佳在0.1%至6%範圍內。所用之個別化合物之濃度各自較佳在0.1%至3%範圍內。當引述本申請案中液晶介質之液晶組分及液晶化合物之值及濃度範圍時,不考慮此等及類似添加劑之濃度。
根據本發明之介質較佳包含一或多種對掌性化合物作為對掌性摻雜劑以調節其膽固醇間距。其在根據本發明之介質中之總濃度較佳在0.05%至15%、更佳1%至10%且最佳2%至6%範圍內。
視情況,根據本發明之介質可包含其他液晶化合物以調節物理特性。此類化合物為專家已知。其在根據本發明之介質中之濃度較佳為0%至30%,更佳為0.1%至20%,且最佳為1%至15%。
回應時間分別經給定為分別為電光回應之相對對比度的相對調諧的自0%至90%之變化時間(t90
-t0
)的上升時間(τon
),亦即,包括延遲時間(t10
-t0
),經給定為分別為電光回應之相對對比度之相對調諧的自100%返回至10%的變化時間(t100
-t10
)的衰減時間(τoff
),及經給定為總回應時間(τtotal
= τon
+ τoff
)。
根據本發明之液晶介質由複數種化合物,較佳3至30種,更佳4至20種且極佳4至16種化合物組成。以習知方式混合此等化合物。一般而言,將以較小量使用之所需量之化合物溶解於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物之澄清點,則尤其易於觀測溶解過程之完成。然而,亦可能以其他習知方式製備介質,例如使用所謂的預混合物,其可為例如化合物之同源或共晶混合物,或使用所謂的「多瓶」系統,其本身成分為備用混合物。
所有溫度,諸如熔點T(C,N)或T(C,S)、自近晶(S)相至向列(N)相之轉變T(S,N)及液晶之澄清點T(N,I),係以攝氏度引述。所有溫度差異以不同度數引述。
在本發明中且尤其在以下實例中,液晶原基化合物之結構藉助於縮寫(亦稱為縮寫字)來指示。在此等縮寫字中,化學式如下使用以下表A至表D進行縮寫。所有基團Cn
H2n+1
、Cm
H2m+1
及Cl
H2l+1
或Cn
H2n-1
、Cm
H2m-1
及Cl
H2l-1
分別表示直鏈烷基或烯基,較佳1-E
-烯基,其在各情況下具有n、m或l個C原子。表A列舉用於化合物之核心結構之環要素之代碼,而表B展示鍵連基團。表C給出左側或右側端基代碼之含義。表D展示化合物之說明性結構以及其各別縮寫。
表 A :環要素
表 B :鍵聯基團
表 B : 端基
其中n及m各自表示整數,且三點「...」為用於來自此表之其他縮寫之占位符。
表 A :環要素
表 B :鍵聯基團
下表展示說明性結構以及其各別縮寫。顯示此等內容以說明縮寫規則之含義。此外,其表示較佳使用之化合物。
表 C :說明性結構
表 C :說明性結構
以下說明性結構為較佳額外用於介質之化合物:
下表(表E)展示可用作根據本發明之液晶原基介質中之穩定劑的說明性化合物。介質中之此等及類似化合物之總濃度較佳地為5%或更低。
表 E 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
表 E 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
在本發明之一較佳實施例中,液晶原基介質包含一或多種選自表E之化合物之群的化合物。
下表(表F)展示可較佳用作根據本發明之液晶原基介質中之對掌性摻雜劑的說明性化合物。
表 F 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
表 F 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。
在本發明之一較佳實施例中,液晶原基介質包含一或多種選自表F之化合物之群的化合物。
根據本申請案之液晶原基介質較佳包含兩種或更多種,較佳四種或更多種選自由上表之化合物組成之群的化合物。
根據本發明之液晶介質較佳包含
- 七種或更多種,較佳地八種或更多種化合物,較佳地選自表D之化合物之群的具有三個或更多個,較佳地四個或更多個不同式的化合物。
實例
- 七種或更多種,較佳地八種或更多種化合物,較佳地選自表D之化合物之群的具有三個或更多個,較佳地四個或更多個不同式的化合物。
實例
以下實例說明本發明而不以任何方式限制本發明。
然而,熟習此項技術者由物理特性明確可達成之特性及其可修改之範圍。詳言之,因此熟習此項技術者充分界定可較佳實現之各種特性之組合。
混合物實例
混合物實例
製備具有如下表中所指示之組成及特性的液晶混合物N1至N14且關於其一般物理特性及其在19 GHz及20℃下於微波組件中之適用性來表徵。此等資料在個別混合物實例之組成表下方之表中給出。
混合物 N1
混合物 N2
混合物 N3
混合物 N4
混合物 N5
混合物 N6
混合物 N7
混合物 N8
混合物 N9
混合物 N10
混合物 N11
混合物 N12
混合物 N13
混合物 N14
混合物 N1
根據本發明之液晶介質展現高澄清溫度與極好LTS及極佳微波應用相關特性的組合。
下表1展示實例混合物N8、N9及N10之特性之比較:
可見,介質中之化合物PPU-TO-S之比例的增加導致介質之澄清溫度的增加。出乎意料地,儘管有此增加,所有混合物仍在-30℃下展示至少1000 h之LTS值。同時,歸因於較高可調諧性τ及較低介電耗損tanδε r , || ,介質之優值隨著PPU-TO-S之比例增加而變得更好。
值得注意的係,化合物PPU-TO-S具有相對較低的介電各向異性Δε = 3.8,而例如化合物PPU-3-S具有高介電各向異性Δε = 20.7 (兩個值均自10%於ZLI-4792中之溶液外推)。
儘管如此,相較於來自目前先進技術之液晶介質,根據本發明之極性液晶介質中之PPU-TO-S的存在對可調諧性並無負面影響。
表1.
可見,介質中之化合物PPU-TO-S之比例的增加導致介質之澄清溫度的增加。出乎意料地,儘管有此增加,所有混合物仍在-30℃下展示至少1000 h之LTS值。同時,歸因於較高可調諧性τ及較低介電耗損tanδε r , || ,介質之優值隨著PPU-TO-S之比例增加而變得更好。
值得注意的係,化合物PPU-TO-S具有相對較低的介電各向異性Δε = 3.8,而例如化合物PPU-3-S具有高介電各向異性Δε = 20.7 (兩個值均自10%於ZLI-4792中之溶液外推)。
儘管如此,相較於來自目前先進技術之液晶介質,根據本發明之極性液晶介質中之PPU-TO-S的存在對可調諧性並無負面影響。
表1.
如上文所提及,在較佳實施例中,根據本發明之介質包含穩定劑。
以下混合物N15至N28係以表2中所給出之量使用穩定劑ST-3b-1而自混合物N1至N14獲得。
表2.
表2.
以下混合物N29至N42係以表3中所給出之量使用穩定劑ST-3a-1而自混合物N1至N14獲得。
表3.
表3.
根據本發明之其他實例為混合物N43至N55:
混合物 N43
混合物 N44
混合物 N45
混合物 N46
混合物 N47
混合物 N48
混合物 N49
混合物 N50
混合物 N51
混合物 N52
混合物 N53
混合物 N54
混合物 N55
混合物 N43
Claims (17)
- 一種液晶介質,其特徵在於其包含:一或多種式T化合物 其中 RT 表示鹵素、CN、NCS、RF 、RF -O-或RF -S-,其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 RF 表示具有至多12個C原子之氟化烷基或氟化烯基,、 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。, 在每次出現時彼此獨立地表示 L1 及L2 相同或不同地表示F、Cl或甲基,及 t 為0、1或2, 及 一或多種選自式I、II及III之化合物之群的化合物, 其中 R1 表示H、具有1至17個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,或具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2 -基團可經 置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 n 為0、1或2,至 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。, 在每次出現時彼此獨立地表示 , 其中RL 在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 且其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 可替代地表示 , R2 表示H、具有1至17個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,或具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2 -基團可經 置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 Z21 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-,及及, 彼此獨立地表示 , 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 其中RL 在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基; 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 R3 表示H、具有1至17個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基,或具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基,其中一或多個CH2 -基團可經 置換, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 Z31 及Z32 中之一者 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-,且其另一者獨立地表示-C≡C-、反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。至, 彼此獨立地表示 , 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 其中RL 在每次出現時相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基, 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 且其中可替代地表示。
- 如請求項1之液晶介質,其中該介質包含一或多種選自式T-1及T-2之化合物之群的化合物 其中 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。具有請求項1中針對式T所給出之含義,及 n為1、2、3、4、5、6或7。
- 如請求項2之液晶介質,其中該介質包含一或多種如請求項2之該式T-1之化合物,其中n為1。
- 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包含一或多種選自式I-1至I-5之化合物之群的化合物 其中 L1 、L2 及L3 在每次出現時相同或不同地表示H或F,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 R1 、具有請求項1中針對式I所給出之含義。
- 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包含一或多種選自式II-1至II-3之化合物之群的化合物 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 其中 R2 、具有請求項1中針對式II所給出之含義。
- 如請求項5之液晶介質,其中該介質包含一或多種式II-1之化合物,其總濃度為25%或更低。
- 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包含一或多種選自式III-1至III-6之化合物之群的化合物 其中 R3 、具有請求項1中針對式III所給出之含義,及 文件中有使用其他字體,請調整字體(中文字請設定為新細明體、英文字請設定為Times New Roman)。 Z31 及Z32 彼此獨立地表示反-CH=CH-或反-CF=CF-,且在式III-6中,可替代地,Z31 及Z32 中之一者可表示-C≡C-。
- 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質包含一或多種如請求項1中所指示之式T化合物,其總濃度在5%至30%範圍內。
- 如請求項2或3之液晶介質,其中該介質包含一或多種如請求項2或3之式T-1之化合物,其總濃度在5%至30%範圍內。
- 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質另外包含一或多種對掌性化合物。
- 如請求項1至3中任一項之液晶介質,其中該介質之澄清溫度為90℃或更大。
- 一種用於高頻技術之組件,其特徵在於其包含如請求項1至11中任一項之液晶介質。
- 如請求項12之組件,其中該組件適合於在微波範圍內操作。
- 如請求項12或13之組件,其中該組件為基於液晶之天線元件、移相器、可調諧濾波器、可調諧超穎材料結構、匹配網路或可變電抗器。
- 一種微波天線陣列,其特徵在於其包含一或多種如請求項12至14中任一項之組件。
- 一種如請求項1至11中任一項之液晶介質之用途,其係在用於高頻技術之組件中使用。
- 一種用於製備如請求項1至11中任一項之液晶介質的方法,其特徵在於將一或多種式T化合物與一或多種式I化合物或另外的液晶原基化合物混合,且視情況添加對掌性化合物。
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