TW202130787A

TW202130787A - 芳香性異硫氰酸酯

Info

Publication number: TW202130787A
Application number: TW109143371A
Authority: TW
Inventors: 康斯坦斯布洛克; 迪米崔烏沙科輔; 道格馬克拉斯; 卡斯登弗里茲需
Original assignee: 德商馬克專利公司
Priority date: 2019-12-10
Filing date: 2020-12-09
Publication date: 2021-08-16
Also published as: CN114829543A; US11834599B2; CN114829543B; WO2021116080A1; US20230104326A1; EP4073205B1; EP4073205A1

Abstract

本發明係關於如請求項1中所定義之式C芳香性異硫氰酸酯

Description

芳香性異硫氰酸酯

本發明係關於芳香性異硫氰酸酯；包含芳香性異硫氰酸酯之液晶介質；及包含此等介質之高頻組件，尤其是用於高頻裝置之微波組件，該等高頻裝置諸如用於使微波相位移之裝置、可調濾波器、可調超材料結構及電子式波束操控天線(例如，相控陣列天線)；及包含該等組件之裝置。

液晶介質已在電光顯示器(液晶顯示器：LCD)中使用多年以顯示資訊。然而近來，例如DE 10 2004 029 429.1 A及JP 2005-120208 (A)中亦已提出液晶介質在用於微波科技之組件中的使用。

A. Gaebler, F. Goelden, S. Müller, A. Penirschke及R. Jakoby 「Direct Simulation of Material Permittivites using an Eigen-Susceptibility Formulation of the Vector Variational Approach」, 12MTC 2009 - 國際儀錶與量測技術會議(International Instrumentation and Measurement Technology Conference), 新加坡, 2009 (IEEE), 第463-467頁描述已知液晶混合物E7 (Merck KGaA, 德國)之對應特性。

DE 10 2004 029 429 A描述液晶介質在微波科技中之用途，尤其在移相器中之用途。其中，已論述液晶介質在對應頻率範圍中的特性且已展示基於大部分芳族腈與異硫氰酸酯之混合物的液晶介質。

氟原子常用於液晶原基化合物中以引入極性。尤其在與末端NCS基團組合時可獲得高介電各向異性值。

在EP 2 982 730 A1中，混合物經描述完全由異硫氰酸酯化合物組成。

然而，可用於微波應用之組合物仍伴有若干缺點。需要關於此等介質之一般物理特性、儲存壽命及其在裝置中之操作穩定性對其進行改良。鑒於必須考慮且針對用於微波應用之液晶介質的發展而改良的眾多不同參數，需要針對該液晶介質之發展具有更廣範圍之潛在混合物組分。

本發明之目標係提供一種用於液晶介質之化合物，其關於在電磁光譜之微波範圍內的應用具有經改良之特性。

為了解決該問題，提供下文所示之式C化合物及包含該化合物之液晶介質。

本發明係關於一種式C化合物

其中 R^C 表示H、具有1至12個C原子之烷基或烷氧基或具有2至12個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換，或表示基團R^P ， R^P 表示鹵素、CN、NCS、R^F 、R^F -O-或R^F -S-，其中 R^F 表示具有至多9個C原子之氟化烷基或氟化烯基， Z^C1 、Z^C2 相同或不同地表示-CH=CH-、-CF=CF-、‑CH=CF-、‑CF=CH-、-C≡C-或單鍵，較佳表示-C≡C-或單鍵， X 表示Cl或F，較佳表示F， Y 表示H、Cl、F、各自具有1至6個C原子之烷基或烷氧基，較佳表示H、F、CH₃ 或C₂ H₅ ，極佳表示H， t 係0、1或2，較佳係0或1，且

表示選自下群之基團： a) 由以下組成之群：1,4-伸苯基、1,4-伸萘基及2,6-伸萘基，其中一或兩個CH基團可經N置換，且其中一或多個H原子可經L置換， b) 由以下組成之群：反-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、4,4´-伸雙環己基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基、螺[3.3]庚烷-2,6-二基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團可經-O-及/或-S-置換，且其中一或多個H原子可經F置換， c) 由以下組成之群：噻吩-2,5-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基、硒吩-2,5-二基，其各自亦可經L單取代或多取代，其中 L 在每次出現時，相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF₅ 或具有1至12個C原子之直鏈或支鏈(在各情況下，視情況經氟化)烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基。

本發明進一步關於一種式N化合物

其中出現之基團及參數具有上文針對式C給出之含義。

根據本發明之另一態樣，提供一種用於自式N化合物合成式C化合物之製程。

本發明進一步關於一種包含式C化合物之液晶介質，且關於包含式C化合物之液晶介質在用於高頻技術之組件中的用途。

根據本發明之又另一態樣，提供一種組件及一種包含該組件之裝置，二者均可在電磁光譜之微波區中操作。較佳組件係移相器、變容器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路及可調濾波器。

本發明之較佳實施例係所附申請專利範圍之標的物或亦可摘自描述內容。

已驚人地發現可能藉由在液晶介質中使用式C化合物而獲得具有極佳穩定性且同時具有高介電各向異性、適當快速之切換時間、合適向列相範圍、高可調性及低介電損耗之液晶介質。

本發明之介質的特點係高澄清溫度、廣向列相範圍及極佳低溫穩定性(LTS)。因此，含有介質之裝置可在極端溫度條件下操作。

介質之進一步特點係高介電各向異性值及低旋轉黏度。因此，臨界電壓極低，亦即，可切換裝置時的最小電壓極低。需要低操作電壓及低臨界電壓以使裝置能夠具有經改良之切換特徵及高能效。低旋轉黏度使本發明之裝置能夠快速切換。

此等特性從整體上使介質尤其適用於高頻技術之組件及裝置及微波範圍內的應用，尤其係用於改變微波之相的裝置、可調濾波器、可調超材料結構及電子式波束操控天線(例如，相控陣列天線)。

在本文中，「高頻技術」意謂具有1 MHz至1 THz、較佳1 GHz至500 GHz、更佳2 GHz至300 GHz、尤佳約5 GHz至150 GHz範圍內之頻率的電磁輻射之應用。

如本文所用，鹵素係F、Cl、Br或I，較佳係F或Cl，尤佳係F。

在本文中，烷基係直鏈或支鏈且具有1至15個C原子；較佳係直鏈，且除非另外指定，否則具有1、2、3、4、5、6或7個C原子；且相應地較佳係甲基、乙基、正丙基、正丁基、正戊基、正己基或正庚基。

在本文中，支鏈烷基較佳係異丙基、第二丁基、異丁基、異戊基、2-甲基丁基、2-甲基己基或2-乙基己基。

在本文中，烷氧基係直鏈或支鏈且含有1至15個C原子。其較佳係直鏈，且除非另外指定，否則具有1、2、3、4、5、6或7個C原子，且相應地較佳係甲氧基、乙氧基、正丙氧基、正丁氧基、正戊氧基、正己氧基或正庚氧基。

在本文中，烯基較佳係具有2至15個C原子之烯基，其係直鏈或支鏈且含有至少一個C-C雙鍵。其較佳係直鏈且具有2至7個C原子。相應地，其較佳係乙烯基；丙-1-或-2-烯基；丁-1-、-2-或-3-烯基；戊-1-、-2-、-3-或-4-烯基；己-1-、-2-、-3-、-4-或-5-烯基；庚-1-、-2-、-3-、-4-、-5-或-6-烯基。若C-C雙鍵之兩個C原子經取代，則烯基可呈E及/或Z異構物(反式/順式)之形式。一般而言，各別E異構物係較佳的。對於烯基，丙-2-烯基、丁-2-及-3-烯基及戊-3-及-4-烯基係尤佳的。

在本文中，炔基意謂具有2至15個C原子之炔基，其係直鏈或支鏈且含有至少一個C-C三鍵。1-及2-丙炔基及1-、2-及3-丁炔基係較佳的。

若R^F 表示鹵化烷基-、烷氧基-、烯基或烯氧基，則其可為分支或未分支的。較佳地，其係未分支的、單聚合的或全氟化的，更佳係全氟化的且具有1、2、3、4、5、6或7個C原子，在烯基之情況下，具有2、3、4、5、6或7個C原子。

R^P 較佳表示CN、NCS、Cl、F、-(CH₂ )_n -CH=CF₂ 、-(CH₂ )_n -CH=CHF、-(CH₂ )_n -CH=Cl₂ 、-C_n F_2n+1 、-(CF₂ )_n -CF₂ H、-(CH₂ )_n -CF₃ 、-(CH₂ )_n -CHF₂ 、-(CH₂ )_n CH₂ F、-CH=CF₂ 、-O(CH₂ )_n -CH=CF₂ 、-O(CH₂ )_n CHCl₂ 、-OC_n F_2n+1 、-O(CF₂ )_n -CF₂ H、-O(CH₂ )_n CF₃ 、-O(CH₂ )_n -CHF₂ 、-O(CF)_n CH₂ F、-OCF=CF₂ 、-SC_n F_2n+1 、-S(CF)_n -CF₃ ，其中n係0至7之整數。

如文獻(例如在標準著作中所述，諸如Houben-Weyl, Methoden der organischen Chemie [Methods of Organic Chemistry], Georg-Thieme-Verlag, Stuttgart)中所述，藉由本身已知之方法，確切而言在已知且適用於該等反應之反應條件下製備通式C之化合物。可使用本身已知但未在此處更詳細地提及之變體。

若需要，亦可藉由不自反應混合物中分離起始材料，但將其立即進一步轉化為通式C之化合物而原位形成起始材料。

合成本發明之化合物之較佳合成路徑係詳述於下文流程中且係藉助於工作實例進一步闡釋。合適合成過程亦公開於例如Juanli Li、Jian Li、Minggang Hu、Zhaoyi Che、Lingchao Mo、Xiaozhe Yang、Zhongwei An & Lu Zhang (2017) The effect of locations of triple bond at terphenyl skeleton on the properties of isothiocyanate liquid crystals, Liquid Crystals, 44:9, 1374-1383中，且可藉由選擇合適起始材料而使其適應特定所需之通式C之化合物。

較佳中間物係4-溴-2,6-二氯苯胺及4-溴-2-氯-6-氟苯胺，二者均描述於文獻中，可使其反應以生成式N化合物，例如藉由通常稱為鈴木反應(Suzuki reaction)、施蒂勒反應(Stille reaction)、薗頭反應(Sonogashira reaction)及類似反應之交叉偶合反應生成。較佳路徑詳述於流程1及2中，其中基團及參數具有請求項1中所定義之含義。

流程1

流程2

用於將式N化合物轉化為式C化合物(流程3)之本發明之製程的較佳試劑係二硫化碳、硫光氣、硫羰基二咪唑、硫碳酸二-2-吡啶酯、二硫化雙(二甲基硫胺甲醯基)、氯化二甲基硫胺甲醯基及氯硫甲酸苯酯，極佳係硫光氣。

流程3

所描述之反應應僅視為說明性的。熟習此項技術者可進行所述合成之對應變體且亦遵循其他合適合成途徑以獲得式C化合物。

根據本發明之第一態樣，提供式C化合物，其中R^C 表示H、具有1至12個C原子之烷基或烷氧基或具有2至12個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換，較佳表示具有1至12個C原子之烷基。

根據本發明之第二態樣，提供式C化合物，其中基團R^C 表示R^P ，其中R^P 表示鹵素、CN、NCS、R^F 、R^F -O-或R^F -S-，且其中R^F 表示具有至多9個C原子之經氟化之烷基或經氟化之烯基，較佳表示CF₃ 或OCF₃ 。

式C化合物較佳選自以下化合物，其中基團


	表示，
	其中替代地表示

L¹ 及L² 相同或不同地表示F、Cl或各自具有至多12個C原子之直鏈或支鏈或環狀烷基或烯基，且其中其他基團及參數具有上文所給出之含義。

在本發明之一較佳實施例中，式C化合物係選自式C-1至C-11化合物：

其中 L¹ 、L² 及L³ 相同或不同地表示H、F、Cl、甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、環丁基、環戊基或環戊烯基，且 R^C 及X 具有上文所給出之含義，且較佳地 R^C 表示具有1至7個C原子之烷基或基團R^P ，其中R^P 較佳表示具有1至7個C原子之全氟化烷氧基，且 X 表示F。

較佳地，式C之基團Z^C1 及Z^C2 中之一者表示單鍵，且Z^C1 及Z^C2 中之另一者表示-C≡C-。

極佳式C化合物係選自以下子式之化合物：

其中R^C 具有上文所給出之含義且較佳表示具有1至7個C原子之烷基或CF₃ O。

極尤佳化合物係式C-7-1、C-9-1、C-9-4、C-10-1、C-10-2、C-10-3、C-10-4、C-10-5、C-10-6及C-10-7化合物。

在本發明之一較佳實施例中，介質包含一或多種選自式I、II及III化合物之群的化合物，

其中 R¹ 表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基；其中一或多個CH₂ -基團可經

置換，較佳表示未經氟化之烷基或未經氟化之烯基， n 係0、1或2，

	至	，
	在每次出現時，彼此獨立地表示
		，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基，較佳表示H、甲基或乙基，尤佳表示H，且其中

		替代地表示
		，
	較佳表示，
	且在n = 2之情況下，中之一者較佳表示，且另一者較佳表示；

較佳地，

	至	彼此獨立地表示

		，

更佳地

	表示，

	表示，

	表示；

R² 表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基；其中一或多個CH₂ -基團可經

置換，較佳係未經氟化之烷基或未經氟化之烯基， Z²¹ 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，較佳表示-C≡C-或反-CH=CH-，且

彼此獨立地表示


		，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基，較佳表示H、甲基或乙基，尤佳表示H，且其中

較佳地

彼此獨立地表示


		，

	較佳表示

	較佳表示
		，
	更佳表示
		；

R³ 表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基；其中一或多個CH₂ -基團可經

置換，較佳表示未經氟化之烷基或未經氟化之烯基， Z³¹ 及Z³² 中之一者較佳Z³² 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且其另一者獨立地表示-C≡C-、反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，較佳其中之一者、較佳Z³² 表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，且

	至	彼此獨立地表示

		，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基，較佳表示H、甲基或乙基，尤佳表示H，
		且其中

	替代地表示
		，

較佳地

	至	彼此獨立地表示

		，

更佳地

	表示
		，

	表示

	尤其表示，

	表示，

	尤其表示。

在式I、II及III化合物中，R^L 較佳表示H。

在另一個較佳實施例中，在式I、II及III化合物中，一或兩個基團R^L 、較佳一個基團R^L 不同於H。

在本發明之一較佳實施例中，式I化合物係選自式I-1至I-5化合物之群：

其中 L¹ 、L² 及L³ 在每次出現時，相同或不同地表示H或F，且其他基團具有上文針對式I所指示之相應含義，且較佳地 R¹ 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。

介質較佳包含一或多種式I-1化合物，其較佳選自式I-1a至I-1d化合物之群，較佳係式I-1b：

其中R¹ 具有上文針對式I所指示之含義且較佳表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基。

介質較佳包含一或多種式I-2化合物，其較佳選自式I-2a至I-2e化合物之群，較佳係式I-2c：

介質較佳包含一或多種式I-3化合物，其較佳選自式I-3a至I-3d化合物之群，尤佳係式I-3b：

介質較佳包含一或多種式I-4化合物，其較佳選自式I-4a至I-4e化合物之群，尤佳係式I-4b：

介質較佳包含一或多種式I-5化合物，其較佳選自式I-5a至I-5d化合物之群，尤佳係式I-5b：

介質較佳包含一或多種式II化合物，其較佳選自式II-1至II-3化合物之群，較佳選自式II-1及II-2化合物之群：

其中出現之基團具有上文針對式II所給出之含義，且較佳地 R² 表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基，且

中之一者表示
		，
	且另一者獨立地表示
		，較佳表示


		，
		最佳表示
		，

且較佳地 R² 表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 n 表示0至15範圍內、較佳1至7範圍內且尤佳1至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式II-1化合物較佳選自式II-1a至II-1e化合物之群：

其中 R² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 n 彼此獨立地表示0至15範圍內、較佳1至7範圍內且尤佳1至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式II-2化合物較佳選自式II-2a及II-2b化合物之群：

其中 R² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ， n 表示0至15範圍內、較佳1至7範圍內且尤佳1至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式II-3化合物較佳選自式II-3a至II-3d化合物之群：

式III化合物較佳選自式III-1至III-6化合物之群，更佳選自式III-1、III-2、III-3及III-4化合物之群且尤佳係式III-1化合物：

其中 Z³¹ 及Z³² 彼此獨立地表示反-CH=CH-或反-CF=CF-，較佳表示反-CH=CH-，且在式III-6中，Z³¹ 及Z³² 中之一者可另外表示-C≡C-且其他基團具有上文針對式III所給出之含義，且較佳地 R³ 表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基，且

	至	中之一者、較佳表示
		，較佳表示

		，
	且其他彼此獨立地表示

		，較佳表示


		，更佳表示
		，
其中
	替代地表示

且較佳地 R³ 表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ， n 表示0至15範圍內、較佳1至7範圍內且尤佳1至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式III-1化合物較佳選自式III-1a至III-1k化合物之群，更佳選自式III-1a、III-1b、III-1g及III-1h化合物之群，尤佳係式III-1b及/或III-1h：

其中 R³ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ， n 表示0至15範圍內、較佳1至7範圍內且尤佳1至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式III-2化合物較佳係式III-2a至III-2l化合物，極佳係III-2b及/或III-2j化合物：

式III-5化合物較佳選自式III-5a化合物：

R³ 具有上文針對式III-5所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 ，其中 n 表示0至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數。

在一較佳實施例中，本發明之介質包含一或多種選自式IIA-1-1至IIA-1-12化合物、極佳IIA-1-1或IIA-1-2之群的化合物：

其中 R¹ 表示具有至多7個C原子之烷基或烯基，較佳係乙基、正丙基、正丁基或正戊基、正己基， R^L 在每次出現時，相同或不同地表示具有1至5個C原子之烷基或烯基，或各自具有3至6個C原子之環烷基或環烯基，較佳係甲基、乙基、正丙基、正丁基、異丙基、環丙基、環丁基、環戊基或環戊-1-烯基，極佳係乙基，且自其中排除式II-1化合物。

此外，在可能與先前較佳實施例相同或不同之特定實施例中，本發明之液晶介質較佳包含一或多種式IV化合物，

其中

	表示
	，

s 係0或1，較佳係1，且較佳地

表示

，

尤佳表示


	，

L⁴ 表示H或具有1至6個C原子之烷基、具有3至6個C原子之環烷基或具有4至6個C原子之環烯基，較佳係CH₃ 、C₂ H₅ 、n ‑C₃ H₇ 、i ‑C₃ H₇ 、環丙基、環丁基、環己基、環戊-1-烯基或環己-1-烯基，且尤佳係CH₃ 、C₂ H₅ 、環丙基或環丁基， X⁴ 表示H、具有1至3個C原子之烷基或鹵素，較佳係H、F或Cl，更佳係H或F，且極尤佳係F， R⁴¹ 至R⁴⁴ ，彼此獨立地表示各自具有1至15個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基、各自具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基或各自具有至多15個C原子之環烷基、烷基環烷基、環烯基、烷基環烯基、烷基環烷基烷基或烷基環烯基烷基，且R⁴³ 及R⁴⁴ 中之一者或二者亦另外表示H，較佳地 R⁴¹ 及R⁴² 彼此獨立地表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，尤佳地 R⁴¹ 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或各自具有2至7個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，且尤佳地 R⁴² 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基，且較佳地 R⁴³ 及R⁴⁴ 表示H、具有1至5個C原子之未經氟化之烷基、具有3至7個C原子之未經氟化之環烷基或環烯基、各自具有4至12個C原子之未經氟化之烷基環己基或未經氟化之環己基烷基或具有5至15個C原子之未經氟化之烷基環己基烷基，尤佳表示環丙基、環丁基或環己基，且極尤佳地，R⁴³ 及R⁴⁴ 中之至少一者表示正烷基，尤佳表示甲基、乙基或正丙基，且另一者表示H或正烷基，尤佳表示H、甲基、乙基或正丙基。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質額外包含一或多種選自式V、VI、VII、VIII及IX化合物之群的化合物：

其中 L⁵¹ 表示R⁵¹ 或X⁵¹ ， L⁵² 表示R⁵² 或X⁵² ， R⁵¹ 及R⁵² ，彼此獨立地表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，較佳係烷基或未經氟化之烯基， X⁵¹ 及X⁵² ，彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、SF₅ 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基，較佳表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且

	至	彼此獨立地表示


		，較佳表示
		，

L⁶¹ 表示R⁶¹ ，且在Z⁶¹ 及/或Z⁶² 表示反-CH=CH-或反- CF=CF-之情況下亦另外表示X⁶¹ ， L⁶² 表示R⁶² ，且在Z⁶¹ 及/或Z⁶² 表示反-CH=CH-或反- CF=CF-之情況下亦另外表示X⁶² ， R⁶¹ 及R⁶² ，彼此獨立地表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，較佳係烷基或未經氟化之烯基， X⁶¹ 及X⁶² 彼此獨立地表示F或Cl、-CN、SF₅ 、具有1至7個C原子之氟化烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、烯氧基或烷氧基烷基， Z⁶¹ 及Z⁶² 中之一者表示反- CH=CH-、反- CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立於前者表示反- CH=CH-、反- CF=CF-或單鍵，較佳地，其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，且

	至	彼此獨立地表示


		，較佳表示
		；

且 x 表示0或1； L⁷¹ 表示R⁷¹ 或X⁷¹ ， L⁷² 表示R⁷² 或X⁷² ， R⁷¹ 及R⁷² ，彼此獨立地表示H；具有1至17個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，較佳係烷基或未經氟化之烯基， X⁷¹ 及X⁷² ，彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF₅ 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化烯氧基或未經氟化或氟化烷氧基烷基，較佳表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且 Z⁷¹ 至Z⁷³ 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵，較佳地其中之一或多者表示單鍵，尤佳地全部表示單鍵，且

	至	彼此獨立地表示


		，較佳表示

，

R⁸¹ 及R⁸² , 彼此獨立地表示H；具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳係未經氟化之烷基或烯基， Z⁸¹ 及Z⁸² 中之一者表示反- CH=CH-、反- CF=CF-或-C≡C-，且另一者獨立於前者表示反- CH=CH-、反- CF=CF-或單鍵，較佳地其中之一者表示-C≡C-或反-CH=CH-且另一者表示單鍵，且

表示

，

彼此獨立地表示

		，

L⁹¹ 表示R⁹¹ 或X⁹¹ ， L⁹² 表示R⁹² 或X⁹² ， R⁹¹ 及R⁹² , 彼此獨立地表示H；具有1至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，較佳係未經氟化之烷基或烯基， X⁹¹ 及X⁹² ，彼此獨立地表示H、F、Cl、-CN、-NCS、-SF₅ 、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、未經氟化或氟化烯氧基或未經氟化或氟化烷氧基烷基，較佳表示氟化烷氧基、氟化烯氧基、F或Cl，且 Z⁹¹ 至Z⁹³ 彼此獨立地表示反-CH=CH-、反-CF=CF-、-C≡C-或單鍵，較佳地其中之一或多者表示單鍵，且尤佳地全部表示單鍵，

	表示

	至	彼此獨立地表示

		。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含一或多種式V化合物，其較佳選自式V-1至V-3、較佳式V-1及/或V-2及/或V-3、較佳式V-1及V-2化合物之群：

其中出現之基團具有上文針對式V所指示之相應含義，且較佳地 R⁵¹ 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基， R⁵² 表示具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基或具有1至7個C原子之未經氟化之烷氧基， X⁵¹ 及X⁵² ，彼此獨立地表示F、Cl、-OCF₃ 、-CF₃ 、-CN或-SF₅ ，較佳表示F、Cl、-OCF₃ 或-CN。

式V-1化合物較佳選自式V-1a至V-1d、較佳V-1c及V-1d化合物之群：

其中參數具有上文針對式V-1所指示之相應含義，且其中 Y⁵¹ 及Y⁵² 在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地 R⁵¹ 表示烷基或烯基，且 X⁵¹ 表示F、Cl或-OCF₃ 。

式V-2化合物較佳選自式V-2a至V-2e化合物之群且/或選自式V-2f及V-2g化合物之群：

其中在各情況下，式V-2a化合物係自式V-2b及V-2c化合物中排除，式V-2b化合物係自式V-2c化合物中排除且式V-2f化合物係自式V-2g化合物中排除，且其中參數具有上文針對式V-1所指示之相應含義，且其中 Y⁵¹ 及Y⁵² 在各情況下彼此獨立地表示H或F，且較佳地 Y⁵¹ 及Y⁵² 表示H，且另一者表示H或F，較佳同樣表示H。

式V-3化合物較佳係式V-3a化合物：

其中參數具有上文針對式V-1所指示之相應含義，且其中較佳地 X⁵¹ 表示F、Cl，較佳表示F， X⁵² 表示F、Cl或-OCF₃ ，較佳表示-OCF₃ 。

式V-1a化合物較佳選自式V-1a-1及V-1a-2化合物之群：

其中 R⁵¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 ,其中 n 表示1至7範圍內、較佳1至6範圍內且尤佳3或5之整數。

式V-1b化合物較佳係式V-1b-1化合物：

其中 R⁵¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 ，其中 n 表示1至7範圍內、較佳1至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數。

式V-1c化合物較佳選自式V-1c-1至V-1c-4化合物之群，尤佳選自式V-1c-1及V-1c-2化合物之群：

式V-1d化合物較佳選自式V-1d-1及V-1d-2化合物、尤佳式V-1d-2化合物之群：

式V-2a化合物較佳選自式V-2a-1及V-2a-2化合物、尤佳式V-2a-1化合物之群：

其中 R⁵¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁵² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳1至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳係0或2。

特定而言，在式V-2a-1之情況下，R⁵¹ 與R⁵² 之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )、(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )、(CH₂ =CH-(CH₂ )_Z 與C_m H_2m+1 )、(CH₂ =CH-(CH₂ )_Z 與O-C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與(CH₂ )_Z -CH=CH₂ )。

較佳式V-2b化合物係式V-2b-1化合物：

其中 R⁵¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H2_n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁵² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳1至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳係0或2。

特定而言，此處R⁵¹ 與R⁵² 之較佳組合係C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 。

較佳式V-2c化合物係式V-2c-1化合物：

其中 R⁵¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁵² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳1至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁵¹ 與R⁵² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )。

較佳式V-2d化合物係式V-2d-1化合物：

較佳式V-2e化合物係式V-2e-1化合物：

其中 R⁵¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁵² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁵¹ 與R⁵² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )。

較佳式V-2f化合物係式V-2f-1化合物：

特定而言，此處(R⁵¹ 與R⁵² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )，尤佳係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )。

較佳式V-2g化合物係式V-2g-1化合物：

式VI化合物較佳選自式VI-1至VI-5化合物之群：

其中 Z⁶¹ 及Z⁶² 表示-C≡C-、反- CH=CH-或反- CF=CF-，較佳表示-C≡C-或反- CH=CH-，且其他出現之基團及參數具有上文針對式VI所給出之含義，且較佳地 R⁶¹ 及R⁶² ，彼此獨立地表示H、具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基， X⁶² 表示F、Cl、-OCF₃ 或-CN。

式VI-1化合物較佳選自式VI-1a及VI-1b化合物之群，更佳選自式VI-1a化合物：

其中 R⁶¹ 具有上文所指示之含義且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁶² 具有上文所指示之含義且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁶¹ 與R⁶² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )，在式VI-1a之情況下，尤佳係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )，且在式VI-1b之情況下，尤佳係(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )。

式VI-3化合物較佳選自式VI-3a至VI-3e化合物：

其中參數具有上文針對式VI-3所給出之含義，且較佳地 R⁶¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 ，其中 n 表示1至7範圍內、較佳1至5範圍之整數，且 X⁶² 表示-F、-Cl、-OCF₃ 或-CN。

式VI-4化合物較佳選自式VI-4a至VI-4e化合物：

其中參數具有上文針對式VI-4所給出之含義，且較佳地 R⁶¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 ，其中 n 表示1至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且 X⁶² 表示-F、Cl、OCF₃ 或-CN。

式VI-5化合物較佳選自式VI-5a至VI-5d、較佳VI-5b化合物：

其中參數具有上文針對式VI-5所給出之含義，且較佳地 R⁶¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 ，其中 n 表示1至7範圍內、較佳1至5範圍內之整數，且 X⁶² 表示-F、-Cl、-OCF₃ 或-CN，尤佳表示-OCF₃ 。

式VII化合物較佳選自式VII-1至VII-6化合物之群：

其中式VII-5化合物係自式VII-6化合物中排除，且其中參數具有上文針對式VII所指示之相應含義， Y⁷¹ 、Y⁷² 、Y⁷³ 彼此獨立地表示H或F，且較佳地 R⁷¹ 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基， R⁷² 表示各自具有1至7個C原子之未經氟化之烷基或烷氧基或具有2至7個C原子之未經氟化之烯基， X⁷² 表示F、Cl、NCS或-OCF₃ ，較佳表示F或NCS，且尤佳地 R⁷¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁷² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式VII-1化合物較佳選自式VII-1a至VII-1d化合物之群：

其中X⁷² 具有上文針對式VII-2所給出之含義，且 R⁷¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 ，其中 n 表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2，且 X⁷² 較佳表示F。

式VII-2化合物較佳選自式VII-2a及VII-2b、尤佳式VII-2a化合物之群：

其中 R⁷¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁷² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁷¹ 與R⁷² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )，尤佳係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )。

式VII-3化合物較佳係式VII-3a化合物：

式VII-4化合物較佳係式VII-4a化合物：

式VII-5化合物較佳選自式VII-5a及VII-5b、更佳式VII-5a化合物之群：

式VII-6化合物較佳選自式VII-6a及VII-6b化合物之群：

式VII-7化合物較佳選自式VII-7a至VII-7d化合物之群：

其中 R⁷¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ， X⁷² 表示F，-OCF₃ 或-NCS， n 表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式VIII化合物較佳選自式VIII-1至VIII-3化合物之群，此等式VIII化合物更佳主要由以下組成，甚至更佳基本由以下組成，且極尤佳完全由其組成：

其中 Y⁸¹ 及Y⁸² 中之一者表示H，且另一者表示H或F，且 R⁸¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁸² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁸¹ 與R⁸² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )，尤佳係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )。

式VIII-1化合物較佳選自式VIII-1a至VIII-1c化合物之群：

其中 R⁸¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁸² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

式VIII-2化合物較佳係式VIII-2a化合物：

特定而言，此處(R⁸¹ 與R⁸² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )、(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )及(CH₂ =CH-(CH₂ )_Z 與C_m H_2m+1 )，尤佳係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )。

式VIII-3化合物較佳係式VIII-3a化合物：

其中 R⁸¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁸² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O‑C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁸¹ 與R⁸² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )。

式IX化合物較佳選自式IX-1至IX-3化合物之群：

其中參數具有上文針對式IX所指示之相應含義，且較佳地

	至	中之一者
		表示，

且其中 R⁹¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁹² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁹¹ 與R⁹² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )。

式IX-1化合物較佳選自式IX-1a至IX-1e化合物之群：

其中參數具有上文所給出之含義，且較佳地 R⁹¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 ，且 n 表示0至15範圍內、較佳1至7範圍內且尤佳1至5範圍內之整數，且 X⁹² 較佳表示F或Cl。

式IX-2化合物較佳選自式IX-2a至IX-2b化合物之群：

其中 R⁹¹ 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_n H_2n+1 或CH₂ =CH-(CH₂ )_Z ，且 R⁹² 具有上文所指示之含義，且較佳表示C_m H_2m+1 或O-C_m H_2m+1 或(CH₂ )_Z -CH=CH₂ ，且其中 n及m，彼此獨立地表示1至7範圍內、較佳2至6範圍內且尤佳3至5範圍內之整數，且 z 表示0、1、2、3或4，較佳表示0或2。

特定而言，此處(R⁹¹ 與R⁹² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )。

式IX-3化合物較佳係式IX-3a及IX-3b化合物：

特定而言，此處(R⁹¹ 與R⁹² )之較佳組合係(C_n H_2n+1 與C_m H_2m+1 )及(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )，尤佳係(C_n H_2n+1 與O-C_m H_2m+1 )。

在本發明之較佳實施例中，介質包含一或多種式X化合物

其中 R¹⁰¹ 表示H；具有1至15個、較佳3至10個C原子之烷基或烷氧基；或具有2至15個、較佳3至10個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，較佳係烷基或烯基， X¹⁰¹ 表示H、F、Cl、-CN、SF₅ 、NCS、具有1至7個C原子之氟化烷基或氟化烷氧基或具有2至7個C原子之氟化烯基、氟化烯氧基或氟化烷氧基烷基，較佳係氟化烷氧基、氟化烯氧基、F、Cl或NCS，尤佳係NCS， Y¹⁰¹ 表示甲基、乙基或Cl， Y¹⁰² 表示H、甲基、乙基、F或Cl，較佳表示H或F， Z¹⁰¹ 、Z¹⁰² 相同或不同地表示單鍵、-CH=CH-、-CF=CF-或-C≡C-，

	彼此獨立地表示

	，較佳表示
	，
且其中	替代地表示，且

n 係0或1。

較佳地，式X化合物係選自子式X-1及X-2

其中出現之基團及參數具有以上針對式X給出之含義。

尤佳地，本發明之介質包含一或多種選自式X-1-1至X-1-9化合物之群的化合物：

。

在一較佳實施例中，本發明之介質包含一或多種式XI化合物

其中 R^S 表示H、具有1至12個C原子之烷基或烷氧基或具有2至12個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換，且其中一或多個H原子可經F置換，

	在每次出現時，彼此獨立地表示
	，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H、Cl或具有1至6個C原子之直鏈、支鏈或環狀烷基，

L^S1 、L^S2 相同或不同地表示H、Cl或F， R^S1 、R^S2 ，相同或不同地表示H；具有至多6個C原子之烷基或烯基；或環丙基、環丁基、環戊烯基或環戊基， R^Th1 、R^Th2 相同或不同地表示H；具有至多6個C原子之烷基或烯基或烷氧基；或環丙基、環丁基、環戊烯基或環戊基， Z^S1 、Z^S2 、Z^S3 相同或不同地表示-CH=CH-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CF=CF-、-C≡C-或單鍵， a、b 相同或不同地係0或1。

較佳地，式XI化合物係選自式XI-1至XI-24化合物之群：

其中出現之基團具有上文針對式XI所給出之含義，且較佳地 R^S 表示具有2至6個C原子之烷基或烯基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換， R^S1 及R^S2 相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基，較佳表示H， R^S3 表示H、F或具有至多6個碳原子之烷基或環丙基，較佳表示H、F或乙基，極佳表示H， L^S1 及L^S2 相同或不同地表示H或F，較佳表示F。

較佳地，本發明之介質包含一或多種式T化合物

其中 R^T 表示鹵素、CN、NCS、R^F 、R^F -O-或R^F -S-，其中 R^F 表示具有至多12個C原子之氟化烷基或氟化烯基，

及在每次出現時，彼此獨立地表示
	；

L⁴ 及L⁵ 相同或不同地表示F、Cl或各自具有至多12個C原子之直鏈或支鏈或環狀烷基或烯基； Z^T3 、Z^T4 相同或不同地表示-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-或單鍵，且 t 係0或1。

在一較佳實施例中，本發明之液晶介質包含一或多種選自下文式T-1a至T-3b化合物之群的化合物：

其中

具有上文所給出之含義，且 n 係1、2、3、4、5、6或7，較佳係1、2、3、或4，尤佳係1。

在本發明之一尤佳實施例中，該介質包含一或多種選自式T-1a及T-2a化合物之化合物。

較佳式T-1a化合物係選自以下子式化合物之群：

其中n係1、2、3或4，較佳係1。

較佳式T-2a化合物係選自以下子式化合物之群：

其中n係1、2、3或4，較佳係1。

極佳地，本發明之介質包含一或多種式T-1a-5化合物。

本發明之介質包含一或多種對掌性摻雜劑。較佳地，此等對掌性摻雜劑具有1 μm^-1 至150 μm^-1 範圍內、較佳10 μm^-1 至100 μm^-1 範圍內之螺旋扭轉力(HTP)絕對值。在介質包含兩種或更多種對掌性摻雜劑之情況下，此等可能具有其HTP值的異號。此條件對於一些特定實施例係較佳的，因為其允許以某一程度補償各別化合物之對掌性，且因此可用於補償裝置中所得介質之各種溫度依賴性特性。然而，一般而言，較佳的是本發明之介質中存在之所有對掌性化合物之HTP值較佳具有相同符號。較佳地，根據本申請案之介質中存在之對掌性摻雜劑係液晶原基化合物，且最佳地，其獨立地展現中間相。

在本發明之一較佳實施例中，介質包含兩種或更多種皆具有相同HTP代數符號之對掌性化合物。

個別化合物之HTP之溫度依賴性可或高或低。可藉由以對應比率混合具有不同HTP溫度依賴性之化合物來補償介質之間距的溫度依賴性。

對於光學活性組分，熟習此項技術者可使用大量對掌性摻雜劑，其中一些為可商購的，諸如壬酸膽固醇酯、R-811及S-811、R-1011及S-1011、R-2011及S-2011、R-3011及S-3011、R-4011及S-4011或CB15 (皆來自Merck KGaA, Darmstadt)。

尤其合適的摻雜劑係含有一或多個對掌性基團及一或多個液晶原基基團或一或多個與對掌性基團形成液晶原基基團之芳族或脂環族基團的化合物。

合適對掌性基團係例如對掌性支鏈烴基、對掌性乙二醇、聯萘酚或二氧雜環戊烷，以及選自由以下組成之群的單價或多價對掌性基團：糖衍生物、糖醇、糖酸、乳酸、對掌性取代二醇、類固醇衍生物、萜類衍生物、胺基酸或具有幾個、較佳1至5個胺基酸之序列。

較佳對掌性基團係糖衍生物，諸如葡萄糖、甘露糖、半乳糖、果糖、阿拉伯糖及右旋糖；糖醇，諸如山梨醇、甘露醇、伊地醇(iditol)、半乳糖醇或其脫水衍生物，特定而言係二脫水己糖醇，諸如二脫水山梨酯(1,4:3,6-二脫水-D-山梨酯，異山梨酯)、二脫水甘露醇(異山梨醇)或二脫水伊地醇(異伊地醇)；糖酸，諸如葡萄糖酸、古洛糖酸及酮古洛糖酸；對掌性經取代之乙二醇基團，諸如單乙二醇或寡聚乙二醇或丙二醇，其中一或多個CH₂ 基團係經烷基或烷氧基取代；胺基酸，諸如丙胺酸、纈胺酸、苯甘胺酸或苯丙胺酸或具有1至5個此等胺基酸之序列；類固醇衍生物，諸如膽固醇基或膽酸基團；萜類衍生物，諸如薄荷腦基、新薄荷腦基、冰片基、蒎腦基、第三蒎腦基、異長葉醇基、葑基、卡爾基、桃金娘烯基、諾蔔基、香葉基、芳樟醇基、橙花基、香茅基或二氫香茅基。

本發明之介質較佳包含選自已知對掌性摻雜劑之群的對掌性摻雜劑。合適對掌性基團及液晶原基對掌性化合物係描述於例如DE 34 25 503、DE 35 34 777、DE 35 34 778、DE 35 34 779 及DE 35 34 780、DE 43 42 280、EP 01 038 941及DE 195 41 820中。實例亦係下文表F中所列舉之化合物。

較佳根據本發明使用之對掌性化合物係選自由下文展示之化學式組成之群。

尤佳係選自由下式A-I至A-III及A-Ch化合物組成之群的對掌性摻雜劑：

其中 R^a11 、R^a12 及R^b12 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基，其中此外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-C(R^z )=C(R^z )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，且其中此外，一或多個H原子可各自經F、Cl、Br、I或CN置換，較佳表示烷基，更佳表示正烷基，條件係R^a12 不同於R^b12 ， R^a21 及R^a22 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之烷基，其中此外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-C(R^z )=C(R^z )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，且其中此外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換，較佳兩者均係烷基，更佳係正烷基， R^a31 、R^a32 及R^b32 彼此獨立地表示具有1至15個C原子之直鏈或支鏈烷基，其中此外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可以O及/或S原子彼此不直接連接之方式各自彼此獨立地經-C(R^z )=C(R^z )-、-C≡C-、-O-、-S-、-CO-、-CO-O-、-O-CO-或-O-CO-O-置換，且其中此外，一或多個H原子可經F、Cl、Br、I或CN置換，較佳表示烷基，更佳表示正烷基，條件係R^a32 不同於R^b32 ； R^z 表示H、CH₃ 、F、Cl或CN，較佳表示H或F， R⁸ 具有上文所給出之R^a11 之含義中之一者，較佳表示烷基，更佳表示具有1至15個C原子之正烷基， Z⁸ 表示-C(O)O-、CH₂ O、CF₂ O或單鍵，較佳表示‑C(O)O-，

A¹¹	在下文定義為A¹² ，或替代地表示

A¹²	表示，較佳表示，其中 L¹² 在每次出現時，彼此獨立地表示鹵素、CN或具有至多12個C原子之烷基、烯基、烷氧基或烯氧基，且其中一或多個H原子係視情況經鹵素置換，較佳表示甲基、乙基、Cl或F，尤佳表示F，

A²¹	表示

A²²	具有針對A¹² 所給出之含義

A³¹	具有針對A¹¹ 所給出之含義，或替代地表示

A³²	具有針對A¹² 所給出之含義，

n2 在每次出現時，相同或不同地係0、1或2，且 n3 係1、2或3，且 r 係0、1、2、3或4。

尤佳係選自由下式化合物組成之群的摻雜劑：

其中 m 在每次出現時，相同或不同地係1至9之整數，且 n 在每次出現時，相同或不同地係2至9之整數。

尤佳之式A化合物係式A-III化合物。

其他較佳摻雜劑係以下式A-IV之異山梨酯、異甘露醇或異伊地醇之衍生物：

其中基團

係

(二脫水山梨醇)，

(二脫水甘露醇)，或

(二脫水伊地醇)，較佳係二脫水山梨醇，及對掌性乙二醇，諸如二苯基乙二醇(氫化安息香)，尤其下式A-V之液晶原基氫化安息香衍生物：

包括未顯示之(S,S )鏡像異構物，其中


	各自彼此獨立地係1,4-伸苯基，其亦可經L單取代、二取代或三取代，或係1,4-伸環己基，

L 係H、F、Cl、CN或具有1至7個碳原子之視情況經鹵化之烷基、烷氧基、烷羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰氧基， c 係0或1， X 係CH₂ 或-C(O)-， Z⁰ 係-COO-、-OCO-、-CH₂ CH₂ -或單鍵，且 R⁰ 係具有1至12個碳原子之烷基、烷氧基、烷羰基、烷氧基羰基或烷基羰氧基。

式IV化合物之實例係：

式A-IV化合物係描述於WO 98/00428中。式A-V化合物係描述於GB-A-2,328,207中。

極尤佳摻雜劑係如WO 02/94805中所描述之對掌性聯萘衍生物、如WO 02/34739中所描述之對掌性聯萘酚縮醛衍生物、如WO 02/06265中所描述之對掌性TADDOL衍生物及如WO 02/06196及WO 02/06195中所描述之具有至少一個氟化橋基及末端或中間對掌性基團之對掌性摻雜劑。

尤佳係式A-VI對掌性化合物

其中 X¹ 、X² 、Y¹ 及Y² 各自彼此獨立地係F；Cl；Br；I；CN；SCN；SF₅ ；具有1至25個碳原子之直鏈或支鏈烷基，其未經取代或經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中此外，一或多個不相鄰CH₂ 基團可各自以O及/或S原子彼此不直接連接之方式彼此獨立地經-O-、-S-、-NH-、NR^x -、-CO-、-COO-、-OCO-、-OCOO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換；具有至多20個碳原子之可聚合基團或環烷基或芳基，其可視情況經鹵素、較佳F或經可聚合基團單取代或多取代， x¹ 及x² 各自彼此獨立地係0、1或2， y¹ 及y² 各自彼此獨立地係0、1、2、3或4， B¹ 及B² 各自彼此獨立地係芳族或部分或完全飽和脂族六員環，其中一或多個CH基團可各自經N置換，且一或多個不相鄰CH₂ 基團可各自經O或S置換， W¹ 及W² 各自彼此獨立地係-Z¹ -A¹ -(Z² -A² )_m -R，且兩者中之一者另外係R¹ 或A³ ，但兩者不同時係H，或

	係或
	,

U¹ 及U² 各自彼此獨立地係CH₂ 、O、S、CO或CS， V¹ 及V² 各自彼此獨立地係(CH₂ )_n ，其中一至四個不相鄰CH₂ 基團可各自經O或S置換，且V¹ 及V² 中之一者在

係

之情況下均係單鍵，

n 係1、2或3 Z¹ 及Z² 各自彼此獨立地係-O-、-S-、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-CO-NR^x -、-NR^x -CO-、-O-CH₂ -、-CH₂ -O-、-S-CH₂ -、-CH₂ -S-、-CF₂ -O-、-O-CF₂ -、-CF₂ -S-、-S-CF₂ -、-CH₂ -CH₂ -、-CF₂ -CH₂ -、-CH₂ -CF₂ -、-CF₂ -CF₂ -、-CH=N-、-N=CH-、-N=N-、-CH=CH-、-CF=CH-、-CH=CF-、-CF=CF-、-C≡C-、此等基團中之二者的組合，其中兩個O及/或S及/或N原子彼此不直接連接，較佳係-CH=CH-COO-或-COO-CH=CH-或單鍵， R^x 表示具有1至6個C原子之烷基， A¹ 、A² 及A³ 各自彼此獨立地係1,4-伸苯基，其中一或兩個不相鄰CH基團可各自經N置換；1,4-伸環己基，其中一或兩個不相鄰CH₂ 基團可各自經O或S置換；1,3-二氧戊環-4,5-二基、1,4-伸環己烯基、1,4-雙環[2.2.2]辛烯、哌啶-1,4-二基、萘-2,6-二基、十氫萘-2,6-二基或1,2,3,4-四氫萘-2,6-二基，其中此等基團中之各者均可經L單取代或多取代，且此外，A¹ 可為單鍵， L 係鹵原子，較佳係F、CN、NO₂ 、具有1至7碳原子之烷基、烷氧基、烷羰基、烷氧基羰基或烷氧基羰氧基，其中一或多個H原子各自可經F或Cl置換， m 在各情況下獨立地係0、1、2或3，且 R及R¹ 各自彼此獨立地係H、F、Cl、Br、I、CN、SCN、SF₅ 、分別具有1或3至25個碳原子之直鏈或支鏈烷基，其可視情況經F、Cl、Br、I或CN單取代或多取代，且其中一或多個不相鄰CH₂ 基團可各自經-O-、-S-、-NH-、-NR⁰ -、-CO-、-COO-、-OCO-、-O-COO-、-S-CO-、-CO-S-、-CH=CH-或-C≡C-置換，其中兩個O及/或S原子彼此不直接連接，或係可聚合基團。

尤佳係式A-VI-1之對掌性聯萘衍生物

其中環B、R⁰ 及Z⁰ 係針對式A-IV及A-V所定義，且b係0、1或2，尤其選自下式A-VI-1a至A-VI-1c之彼等：

其中環B、R⁰ 及Z⁰ 係針對式A-VI-1所定義，且 b 係0、1或2，且Z⁰ 尤其係-OC(O)-或單鍵。

LC介質中一或多種對掌性摻雜劑之濃度較佳在0.001%至20%、較佳0.05%至5%、更佳0.1%至2%且最佳0.5%至1.5%範圍內。此等較佳濃度範圍尤其適用於對掌性摻雜劑S-4011或R-4011 (均來自Merck KGaA)且適用於具有相同或類似HTP之對掌性摻雜劑。對於具有相較於S-4011較高或較低HTP絕對值之對掌性摻雜劑，此等較佳濃度必須降低，分別根據其HTP值相對於S-4011之HTP值之比率按比例增加。

本發明之LC介質或宿主化合物的間距p較佳在5至50 μm、更佳8至30 μm且尤佳10至20 μm範圍內。

較佳地，本發明之介質包含選自式ST-1至ST-18化合物之群的穩定劑。

其中 R^ST 表示H、具有1至15個C原子之烷基或烷氧基，其中此外，此等基團中一或多個CH₂ 基團可各自以O原子彼此不直接連接之方式彼此獨立地經-C≡C-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH=CH-、

、-O-、-CO-O-、-O-CO-置換，且其中此外，一或多個H原子可經鹵素置換，

	表示

Z^ST 各自彼此獨立地表示-CO-O-、-O-CO-、-CF₂ O-、-OCF₂ -、-CH₂ O-、-OCH₂ -、-CH₂ -、-CH₂ CH₂ -、-(CH₂ )₄ -、-CH=CH-CH₂ O-、-C₂ F₄ -、-CH₂ CF₂ -、-CF₂ CH₂ -、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-CH=CH-、-C≡C-或單鍵， L¹ 及L² 各自彼此獨立地表示F、Cl、CF₃ 或CHF₂ ， p 表示1或2，且 q 表示1、2、3、4、5、6、7、8、9或10。

在式ST化合物中，特別較佳係下式化合物

其中n = 1、2、3、4、5、6或7，較佳地n = 1或7

其中n = 1、2、3、4、5、6或7，較佳地n = 3

其中n = 1、2、3、4、5、6或7，較佳地n = 3

在式ST-3a及ST-3b化合物中，n較佳表示3。在式ST-2a化合物中，n較佳表示7。

本發明之極尤佳混合物包含一或多種來自式ST-2a-1、ST-3a-1、ST-3b-1、ST-8-1、ST-9-1及ST-12化合物之群的穩定劑：

以混合物計，式ST-1至ST-18化合物較佳各自以0.005% - 0.5%之量存在於本發明之液晶混合物中。

若本發明之混合物包含兩種或更多種來自式ST-1至ST-18化合物之群的化合物，以混合物計，在兩種化合物之情況下，濃度相應地增加至0.01 - 1%。

然而，以本發明之混合物計，式ST-1至ST-18化合物之總比例不應超過2%。

上文未明確提及之其他液晶原基化合物亦可視情況且有利地用於本發明之介質中。此類化合物為熟習此項技術者已知。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質中之式C化合物的總濃度係5%或更多、較佳8%或更多、更佳10%或更多且尤佳12%或更多。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質較佳包含總計2%至40%、較佳5%至30%且尤佳8%至25%之式C化合物。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含總計5%至45%、較佳10%至40%且尤佳15%至35%之一或多種式T化合物，式T化合物較佳選自式T-1a及T-2a，極佳選自T-1a-5及T-2a-4。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含總計5%至35%、較佳10%至30%且尤佳15%至25%之一或多種式T-1a化合物。

在本發明之一較佳實施例中，液晶介質包含總計5%至35%、較佳10%至30%且尤佳15%至25%之一或多種式T-1a化合物，及額外5至15%之一或多種式T-2a-4化合物。

在一較佳實施例中，介質以1%至25%、更佳2%至20%且尤佳5%至15%範圍內之總濃度包含一或多種式I化合物、較佳式I-2或I-3化合物。

在本發明之一較佳實施例中，介質以5%至35%、更佳10%至30%、尤佳15%至25%之總濃度包含一或多種式II、較佳式II-1化合物。

在本發明之一較佳實施例中，介質以5%至25%、更佳8%至20%、尤佳12%至17%之總濃度包含一或多種式IIA-1化合物。

在本發明之一較佳實施例中，介質以30%或更少、更佳25%或更少、尤佳20%或更少之總濃度包含一或多種式II-1化合物。

在本發明之一較佳實施例中，介質以15%至70%、更佳25%至60%、尤佳35%至50%之總濃度包含一或多種式III化合物、較佳式III-1及/或III-2化合物、更佳III-1h及/或III-1b化合物。

在一較佳實施例中，介質較佳以90%或更大、更佳95%、96%或97%或更大、極佳98%或更大且尤其99%或更大之總濃度包含一或多種式C及式I及式II及/或式IIA及式III及式T化合物。

在一較佳實施例中，介質較佳以90%或更大、更佳95%、96%或97%或更大、極佳98%或更大且尤其99%或更大之總濃度包含一或多種式C及式II及式III及式T化合物。

在一較佳實施例中，介質較佳以90%或更大、更佳95%、96%或97%或更大、極佳98%或更大且尤其99%或更大之總濃度包含一或多種式C及式I及式III及式T化合物。

本發明之其他較佳實施例單獨或彼此組合如下，其中一些化合物使用下文表C中所給出之縮寫詞縮寫： - 介質包含一種、兩種、三種、四種或更多種較佳選自式III-1b、III-1f及III-1h化合物之式III-1化合物；更佳係III-1b及III-1h； - 介質較佳以5%至35%、更佳10%至30%、尤其15%至25%範圍內之總濃度包含式III-1b化合物； - 介質較佳以10%至40%、更佳15%至35%、尤其18%至30%範圍內之總濃度包含式III-1h化合物； - 介質包含化合物PPU-TO-S及/或PPTU-TO-S及/或PTPU-TO-S及/或PP(1)TO-n-S； - 介質包含一或多種式I-2d化合物、較佳PGU-2-S及/或PGU-3-S及/或PGU-4-S及/或CPU-2-S及/或CPU-3-S及/或CPU-4-S化合物； - 介質包含一或多種式I-2d及式II-1b化合物，較佳係化合物PGU-3-S及/或PGU-4-S及PTU-3-S及/或PTU-4-S及/或PTU-5-S； - 介質包含一或多種式PPTU-n-S及/或PTPU-n-S化合物，其總濃度在15至25%範圍內； - 介質包含一或多種式PPTU-n-S及/或PTPU-n-S及/或PGTU-n-S化合物，其總濃度在15至30%範圍內，其中n係2、3、4、5或6； - 介質包含一或多種式ST-3、較佳ST-3a及/或ST-3b、尤佳ST-3b-1化合物，其總濃度在0.01至1%、較佳0.05至0.5%、尤其0.10至0.15%範圍內。

本發明之液晶介質較佳具有90℃或更大、更佳100℃或更大、更佳110℃或更大、更佳120℃或更大、更佳130℃或更大、尤佳140℃或更大且極尤佳150℃或更大之澄清點。

本發明之液晶介質較佳具有160℃或更小、更佳140℃或更小、尤佳120℃或更小且極尤佳100℃或更小之澄清點。

本發明之介質之向列相較佳至少自0℃或更小延伸至90℃或更大。有利的是，本發明之介質呈現甚至更廣之向列相範圍，較佳至少-10℃或更小至120℃或更大、極佳至少-20℃或更小至140℃或更大且尤其至少-30℃或更小至150℃或更大、極尤佳至少-40℃或更小至170℃或更大。

在1 kHz及20℃下，本發明之液晶介質的∆ε較佳係5或更大、更佳7或更大且極佳10或更大。

在589 nm (NaD)及20℃下，本發明之液晶介質的雙折射率(∆n)較佳係0.280或更大、更佳0.300或更大、甚至更佳0.320或更大、極佳0.330或更大且尤其0.350或更大。

在589 nm (NaD)及20℃下，本發明之液晶介質的∆n較佳在0.200至0.900範圍內，更佳在0.250至0.800範圍內，甚至更佳在0.300至0.700範圍內且極尤佳在0.350至0.600範圍內。

在本申請案之一較佳實施例中，本發明之液晶介質的∆n較佳係0.50或更大、更佳0.55或更大。

式I至III化合物在各種情況下包括具有大於3之介電各向異性的介電正性化合物、具有小於3且大於-1.5之介電各向異性的介電中性化合物及具有-1.5或更小之介電各向異性的介電負性化合物。

式C、I、II及III化合物較佳係介電正性。

在本申請案中，表述介電正性描述∆ε ＞ 3.0之化合物或組分，介電中性描述‑1.5 ≤ ∆ε ≤ 3.0之彼等物且介電負性描述∆ε ＜ ‑1.5之彼等物。在1 kHz之頻率下且在20℃下測定∆ε。自向列主體混合物中之各別單獨化合物的10%溶液的結果確定各別化合物之介電各向異性。若主體混合物中之各別化合物的可溶性小於10%，則濃度減小至5%。在具有直列配向之單元及具有均勻配向之單元中測定測試混合物之電容。兩種類型之單元厚度係大約20 μm。施加之電壓為具有1 kHz頻率且有效值通常為0.5 V至1.0 V之矩形波，但始終將其選擇為低於各別測試混合物之電容臨界值。

∆ε係定義為(εǀǀ ‑ ε⊥)，而ε_ave. 係(εǀǀ + 2 ε⊥) / 3。

用於藉由外推法測定純淨化合物之物理常數的主體混合物係來自德國Merck KGaA之ZLI‑4792。自添加化合物時主體混合物之各別值中的變化測定化合物之介電常數的絕對值、雙折射率(∆n)及旋轉黏度(γ₁ )。在5%之不足可溶性情況下，主體中之濃度係10%。該值經外推至所添加之化合物的100%濃度。

在實例中，使用以下縮寫給出純淨化合物之相序： K：結晶，N：相列的，SmA：近晶A，SmB：近晶B，I：等向的。

在20℃之量測溫度下具有向列相之組分均如此量測，所有其他組分均如化合物進行處理。

在兩種情況下，除非另外明確陳述，否則本申請案中之表述臨界電壓係指光學臨界值且針對10%相對差(V₁₀ )引述，且表述飽和電壓係指光學飽和且針對90%相對差(V₉₀ )引述。若明確提及，則僅使用亦稱為弗雷德里克臨界電壓(Freedericks threshold voltage) (V_Fr )之電容性臨界電壓(V₀ )。

除非另外明確說明，否則在本申請案中所指示之參數範圍均包括極限值。

所指示之用於各種特性範圍之不同上限值及下限值彼此組合產生額外較佳範圍。

在此申請案中，除非另外明確陳述，否則以下條件及定義適用。所有濃度均以重量百分比引述且係關於作為整體之各別混合物引述，所有溫度均以攝氏度引述且所有溫度差均以不同度數引述。除非另外明確陳述，否則根據「Merck Liquid Crystals, Physical Properties of Liquid Crystals」Status 1997年11月, Merck KGaA, 德國確定所有物理特性，且針對20℃之溫度引述。在589.3 nm之微波處確定光學各向異性(∆n)。在1 kHz之頻率處確定介電各向異性(∆ε)。使用德國Merck KGaA生產之測試單元測定臨界電壓以及所有其他電光特性。用於測定∆ε之測試單元具有大約20 µm之單元厚度。電極係具有1.13 cm² 面積及保護環之圓形ITO電極。定向層係來自日本Nissan Chemicals之用於直列式定向(ε_ǀǀ )之SE-1211及來自日本Synthetic Rubber之用於均勻定向(ε_⊥ )之聚醯亞胺AL-1054。使用Solatron 1260頻率反應分析器使用具有0.3 V_rms 之電壓的正弦波測定電容。電光量測中所使用之光係白光。本文中使用可購自德國Autronic-Melchers之DMS儀器之裝備。已在垂直觀測下確定特徵電壓。已分別針對10%、50%及90%相對反差測定臨界電壓(V₁₀ )、中灰電壓(V₅₀ )及飽和電壓(V₉₀ )。

如A. Penirschke等人. 「Cavity Perturbation Method for Characterization of Liquid Crystals up to 35 GHz」, 第34屆歐洲微波會議- 阿姆斯特丹(34th European Microwave Conference - Amsterdam), 第545-548頁中所描述關於介質在微波頻率範圍內之特性研究液晶介質。在此方面，亦比較A. Gaebler等人. 「Direct Simulation of Material Permittivities」, 12MTC 2009 - 國際儀錶與量測技術會議, 新加坡, 2009 (IEEE), 第463-467頁與DE 10 2004 029 429 A，其中同樣詳細描述量測方法。

將液晶引入至聚四氟乙烯(PTFE)或石英毛細管中。毛細管具有0.5 mm之內徑及0.78 mm之外徑。有效長度係2.0 cm。將經填充之毛細管引入至具有19 GHz共振頻率之圓柱形空腔之中心。此空腔具有11.5 mm之長度及6 mm之半徑。隨後應用輸入信號(源)，且使用商用矢量網路分析器(N5227A PNA微波網路分析器, Keysight Technologies Inc. USA)記錄空腔之頻率依賴性反應。對於其他頻率，相應地調整空腔之尺寸。

使用填充有液晶之毛細管之量測與不使用填充有液晶之毛細管之量測之間的共振頻率及Q因子中的變化係用於借助於上文所提及之申請案A. Penirschke等人, 第34屆歐洲微波會議- 阿姆斯特丹, 第545-548頁中之方程10及11 (如其中所描述)確定介電常數及在相應目標頻率下的損失角。

藉由液晶在磁場中之配向，獲得垂直且平行於液晶之引向器之組分特性值。為此目的，使用永久磁鐵之磁場。磁場強度係0.35特斯拉。

較佳組件係移相器、變容器、無線及無線電波天線陣列、匹配電路可調適性濾波器及其他組件。

在本申請案中，除非另外明確陳述，否則術語化合物意謂一種化合物及複數種化合物。

本發明之所有混合物均係向列的。本發明之液晶介質較佳具有上文所給之較佳範圍內的向列相。此處具有向列相之表述意謂一方面在相應溫度下於低溫下未觀測到近晶相及結晶，且另一方面在加熱時未自向列相出現澄清現象。在高溫下，藉由習知方法於毛細管中量測澄清點。低溫下之研究在對應溫度下於流量式黏度計中進行且藉由散裝樣品之儲存進行檢查：給定溫度T下本發明之介質的散裝(LTS)中之儲存穩定性係藉由目視檢查來判定。將2 g所關注之介質填充至適當尺寸之閉合玻璃容器(瓶)中，在預定溫度下置於冷凍機中。在給定時間間隔下檢查瓶中是否出現近晶相或結晶。針對每種材料且在各溫度下儲存兩個瓶。若在兩個對應瓶之至少一者中觀測到結晶或近晶相之出現，則測試結束，且將觀測到出現較高有序相之時間之前的最後一次檢查的時間記錄為各別儲存穩定性。最終在1000小時後結束測試，亦即，1000小時之LTS值意謂混合物在所給溫度下穩定持續至少1000小時。

所用之液晶較佳具有正介電各向異性。此較佳係2或更大、較佳4或更大、尤佳6或更大且極尤佳10或更大。

此外，本發明之液晶介質之特徵係微波範圍內之高各向異性值。約19 GHz處之雙折射率係例如較佳0.14或更大、尤佳0.15或更大、尤佳0.20或更大、尤佳0.25或更大且極尤佳0.30或更大。另外，雙折射率較佳係0.80或更小。

微波範圍中之介電各向異性定義為 ∆ε_r ≡ (ε_r,ǀǀ - ε_r, _⊥ ) .

可調節性(τ)定義為 τ ≡ (∆ε_r / ε_r,ǀǀ ) .

材料品質(η)定義為 η ≡ (τ / tan δε r,max.)，其中最大介電耗損係 tan δ_ε _r,max. ≡ max. { tan δ_ε _r, _⊥ _, _； tan δ_ε _r, _ǀǀ }。

在20℃及19 GHz下量測之本發明之介質的可調性τ係0.250或更大、較佳0.300或更大、0.310或更大、0.320或更大、0.330或更大或0.340或更大、極佳0.345或更大且尤其0.350或更大。

較佳液晶材料之材料質量(η)係6或更大、較佳8或更大、較佳10或更大、較佳15或更大、較佳17或更大、較佳20或更大、尤佳25或更大且極尤佳30或更大。

在相應組件中，較佳液晶材料之移相器品質係15°/dB或更高，較佳係20°/dB或更高，較佳係30°/dB或更高，較佳係40°/dB或更高，較佳係50°/dB或更高，尤佳係80°/dB或更高且極尤佳係100°/dB或更高。

然而，在一些實施例中，亦宜可使用介電各向異性為負值之液晶。

所使用之液晶係個別物質或混合物。其較佳具有向列相。

本發明之液晶介質可以常用濃度包含其他添加劑及對掌性摻雜劑。以整體混合物計，此等其他成分之總濃度係在0%至10%、較佳0.1%至6%範圍內。所用個別化合物之濃度較佳各自係在0.1%至3%範圍內。當在此申請案中引述液晶組分及液晶介質之液晶化合物的值及濃度範圍時，不考慮此等及類似添加劑之濃度。

本發明之介質較佳包含一或多種對掌性化合物作為對掌性摻雜劑以便調節其膽固醇間距。其在本發明之介質中的總濃度較佳在0.05%至15%、更佳1%至10%及最佳2%至6%之範圍內。

視情況，本發明之介質可包含其他液晶化合物以調節物理特性。此類化合物為專家已知。其在本發明之介質中的濃度較佳係0%至30%、更佳0.1%至20%及最佳1%至15%。

反應時間給定為用於改變相對調整之時間的增長時間(τ_on )，分別係0%至90%之電光反應之相對差異(t₉₀ - t₀ )，亦即，包括延遲時間(t₁₀ - t₀ )，給定為用於改變相對調整之時間的衰減時間(τ_off )，分別係100%返回至10%之電光反應之相對差異(t₁₀₀ - t₁₀ )，且分別給定為總反應時間(τ_total = τ_on + τ_off )。

本發明之液晶介質係由複數種化合物、較佳3至30種、更佳4至20種且極佳4至16種化合物組成。以習知方式混合此等化合物。一般而言，將以較小量使用之所需量之化合物溶解於以較大量使用之化合物中。若溫度高於以較高濃度使用之化合物之澄清點，則尤其易於觀測溶解過程之完成。然而，亦可能以其他習知方式製備介質，例如使用所謂的預混合物，其可為例如化合物之同源或共晶混合物，或使用所謂的「多瓶」系統，其本身成分係即用型混合物。

諸如液晶之熔點T(C,N)或T(C,S)、自近晶(S)相轉移至向列(N)相之T(S,N)及澄清點T(N,I)的所有溫度均以攝氏度引述。所有溫度差異均以不同度數引述。

在本發明中且尤其在以下實例中，液晶原基化合物之結構藉助於縮寫(亦稱為縮寫字)來指示。在此等縮寫字中，化學式如下使用下表A至D來進行縮寫。所有基團C_n H_2n+1 、C_m H_2m+1 及C_l H_2l+1 及C_n H_2n 、C_m H_2m 及C_l H_2l 表示在各情況下分別具有n、m或l個C原子之直鏈烷基或烯基，其中n及m獨立地係1、2、3、4、5、6或7，且l係1、2或3。表A列舉用於化合物之核心結構之環要素的代碼，而表B展示鍵聯基團。表C提供左側或右側端基之代碼之含義。表D顯示具有其各別縮寫之化合物的說明性結構。表 A ：環要素

表 B ：鍵聯基團

E	-CH₂ CH₂ -	Z	-CO-O-
V	-CH=CH-	ZI	-O-CO-
X	-CF=CH-	O	-CH₂ -O-
XI	-CH=CF-	OI	-O-CH₂ -
B	-CF=CF-	Q	-CF₂ -O-
T	-C≡C-	QI	-O-CF₂ -
W	-CF₂ CF₂ -

表 B ：端基

左側	右側
單獨使用
-n-	C_n H_2n+1 -	-n	-C_n H_2n+1
-nO-	C_n H_2n+1 -O-	-On	-O-C_n H_2n+1
-V-	CH₂ =CH-	-V	-CH=CH₂
-nV-	C_n H_2n+1 -CH=CH-	-nV	-C_n H_2n -CH=CH₂
-Vn-	CH₂ =CH- C_n H_2n+1 -	-Vn	-CH=CH-C_n H_2n+1
-nVm-	C_n H_2n+1 -CH=CH-C_m H_2m -	-nVm	-C_n H_2n -CH=CH-C_m H_2m+1
-N-	N≡C-	-N	-C≡N
-S-	S=C=N-	-S	-N=C=S
-F-	F-	-F	-F
-CL-	Cl-	-CL	-Cl
-M-	CFH₂ -	-M	-CFH₂
-D-	CF₂ H-	-D	-CF₂ H
-T-	CF₃ -	-T	-CF₃
-MO-	CFH₂ O-	-OM	-OCFH₂
-DO-	CF₂ HO-	-OD	-OCF₂ H
-TO-	CF₃ O-	-OT	-OCF₃
-FXO-	CF₂ =CH-O-	-OXF	-O-CH=CF₂
-A-	H-C≡C-	-A	-C≡C-H
-nA-	C_n H_2n+1 -C≡C-	-An	-C≡C-C_n H_2n+1
-NA-	N≡C-C≡C-	-AN	-C≡C-C≡N

與其他組合使用
-…A…-	-C≡C-	-…A…	-C≡C-
-…V…-	-CH=CH-	-…V…	-CH=CH-
-…Z…-	-CO-O-	-…Z…	-CO-O-
-…ZI…-	-O-CO-	-…ZI…	-O-CO-
-…K…-	-CO-	-…K…	-CO-
-…W…-	-CF=CF-	-…W…	-CF=CF-

其中n及m各自表示整數，且三點「…」係來自此表之其他縮寫的占位符。

下表顯示說明性結構以及其各別縮寫。顯示此等內容以說明縮寫規則之含義。此外，其表示較佳使用之化合物。表 C ：說明性結構

以下說明性結構係較佳額外用於介質之化合物：

其中m及n相同或不同地係1、2、3、4、5、6或7。

較佳地，本發明之介質包含一或多種選自表C化合物之化合物。

下表表D顯示可在本發明之液晶原基介質中用作替代性穩定劑之說明性化合物。介質中此等及類似化合物之總濃度較佳係5%或更少。表 D

在本發明之較佳實施例中，液晶原基介質包含一或多種選自表D化合物之群的化合物。

下表表E顯示可較佳在本發明之液晶原基介質中用作對掌性摻雜劑之說明性化合物。表 E

在本發明之一較佳實施例中，液晶原基介質包含一或多種選自表E化合物之群的化合物。

本申請案之液晶原基介質較佳包含兩種或更多種、較佳四種或更多種選自由上表之化合物組成之群的化合物。

實例以下實例說明本發明而不以任何方式限制本發明。

熟習此項技術者自物理特性明白可獲得何種特性及其可在何種範圍內修改。特定而言，因此熟習此項技術者充分界定可較佳實現之各種特性之組合。

合成實例 縮寫： RT 室溫(通常20℃ ± 1℃) THF 四氫呋喃 MTB醚甲基-第三丁醚 DCM 二氯甲烷 dist. 蒸餾 XPhos 2-二環己基膦-2',4',6'-三異丙基二苯基 XPhos Pd G2 氯(2‐二環己基膦‐2',4',6'‐三異丙基‐1,1'‐二苯基)[2‐(2'‐胺基‐1,1'‐二苯基)鈀(II)

實例 1 ： 5-[4-(4-丁基苯基)苯基]乙炔基]-1-氯-3-氟-2-異硫氰基-苯步驟1：[4-(4-丁基苯基)苯基]乙炔基-三甲基-矽烷

將1-溴-4-(4-丁基苯基)苯(CAS 63619-54-5，33.5 g，116 mmol)、三乙胺(135 ml)、氯化雙(三苯基膦)-鈀(II) (3.2 g，4.6 mmol)、碘化銅(I) (530 mg, 2.8 mmol)及三甲基矽基乙炔(33.6 ml，237 mmol)之混合物在回流溫度下加熱隔夜。隨後將水及MTB醚添加至反應混合物中。分離各相且用MTB醚萃取水層。將合併之有機相用蒸餾水洗滌，乾燥(硫酸鈉)且在真空中濃縮。藉由急驟層析(庚烷)純化殘餘物以得到呈橙色固體狀之[4-(4-丁基苯基)苯基]乙炔基-三甲基-矽烷。

步驟2：1-丁基-4-(4-乙炔基苯基)苯

在10℃下將氟化四正丁基銨(113 ml，1 M於THF中)緩慢添加至[4-(4-丁基苯基)苯基]乙炔基-三甲基-矽烷(34.6 g，113 mmol)於THF (650 ml)中之溶液中。在RT下攪拌反應混合物隔夜。隨後，添加水、鹽酸(1 M)及MTB醚。分離各相，且用MTB醚萃取水相。將合併之有機相用鹽水洗滌，乾燥(硫酸鈉)且在真空中濃縮。藉由急驟層析(庚烷)純化殘餘物以得到呈淺黃色固體狀之1-丁基-4-(4-乙炔基苯基)苯。

步驟3：4-[4-(4-丁基苯基)苯基乙炔基]-2-氯-6-氟-苯胺

在氮氣氛圍下將1-丁基-4-(4-乙炔基苯基)苯(4.0 g，17 mmol)與4-溴-2-氯-6-氟-苯胺(3.9 g，17 mmol)於二異丙胺(40 ml)及THF (40 ml)中之混合物加熱至70℃。隨後添加XPhos PD G2 (27 mg，0.03 mmol)、XPhos (16 mg，0.03 mmol)及碘化銅(I) (3.3 mg，0.02 mmol)，且將反應混合物在70℃下攪拌隔夜。隨後將其過濾，且在真空中濃縮。藉由急驟層析(庚烷及庚烷/MTB醚)純化殘餘物以得到呈淺棕色固體狀之4-[4-(4-丁基苯基)苯基乙炔基]-2-氯-6-氟-苯胺。

步驟4：5-[4-(4-丁基苯基)苯基]乙炔基]-1-氯-3-氟-2-異硫氰基-苯

在0℃下將硫光氣(1.5 ml，19 mmol)逐滴添加至4-[4-(4-丁基苯基)苯基乙炔基]-2-氯-6-氟-苯胺(6.6 g, 18 mmol)與1,4-二氮雜雙環[2.2.2]辛烷(4.9 g，44 mmol)於二氯甲烷(70 ml)中之混合物中，且將反應混合物在室溫下攪拌1小時。用鹽水使反應物水解，且分離各相。用二氯甲烷萃取水相，且將合併之有機相乾燥(硫酸鈉)且在真空中濃縮。藉由急驟層析(庚烷)純化殘餘物且用庚烷及丙酮結晶以得到呈淡黃色粉末狀之5-[4-(4-丁基苯基)苯基]乙炔基]-1-氯-3-氟-2-異硫氰基-苯。相序K 51 N 171 I。 ∆ε = 17.2 ∆n = 0.4564 γ₁ = 911 mPas

類似於合成實例1，獲得以下化合物：

混合物實例 製備液晶混合物N1至N5，其具有如下表中所表示之組成及特性，且根據其在19 GHz及20℃下的一般物理特性及其在微波組件中之適用性描述其特徵。

實例 N1

PPTU-4-S	6.0	T(N,I) [℃]:	154.5
PPTU-5-S	13.0	τ [20℃, 19 GHz]:	0.329
PPU-TO-S	22.0	ε_r,\|\| [20℃, 19 GHz]:	3.67
PGU-3-S	12.0	ε_r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	2.47
CPTU-5-S	24.0	tan δ_{ε r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	0.0052
P(2)TU-5-S	15.0	tan δ_ε _r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	0.0090
PPTG(Cl)-4-S	8.0	η [20℃, 19 GHz]:	36.6
Σ	100.0

實例 N2

PPTU-4-S	6.0	T(N,I) [℃]:	155.5
PPTU-5-S	12.0	∆ε [1 kHz, 20℃]:	18.1
PPU-TO-S	17.0	ε_\|\| [1 kHz, 20℃]:	22.0
CPTU-5-S	20.0	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	3.9
PTU-3-S	10.0	₁ [mPa s, 20℃]:	595
PTU-5-S	10.0	K₁ [pN, 20℃]:	18.2
PPTG(Cl)-4-S	25.0	K₃ [pN, 20℃]:	23.1
Σ	100.0	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.27
		V₀ [V, 20℃]:	1.05
		τ [20℃, 19 GHz]:	0.341
		ε_{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	3.74
		ε_r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	2.46
		tan δ_ε _{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	0.0051
		tan δ_ε _r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	0.0087
		η[20℃, 19 GHz]:	39.4

實例 N3

PPTU-4-S	6.0	T(N,I) [℃]:	163
PPTU-5-S	12.0	∆ε [1 kHz, 20℃]:	15.5
PPU-TO-S	23.0	ε_\|\| [1 kHz, 20℃]:	19.3
PGU-3-S	10.0	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	3.8
CPTU-5-S	25.0	₁ [mPa s, 20℃]:	671
PP(1)TU-TO-S	10.0	K₁ [pN, 20℃]:	16.2
PTG(Cl)-4-S	14.0	K₃ [pN, 20℃]:	27.7
Σ	100.0	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.70
		V₀ [V, 20℃]:	1.08
		τ [20℃, 19 GHz]:	0.341
		ε_{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	3.68
		ε_r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	2.42
		tan δ_ε _{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	0.0054
		tan δ_ε _r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	0.0093
		η[20℃, 19 GHz]:	36.7

實例 N4

PPTU-4-S	6.0	∆ε [1 kHz, 20℃]:	14.4
PPTU-5-S	12.0	ε_\|\| [1 kHz, 20℃]:	18.1
PPU-TO-S	23.0	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	3.7
CPTU-5-S	25.0	₁ [mPa s, 20℃]:	630
PTG(Cl)-4-S	14.0	K₁ [pN, 20℃]:	15.5
PP(1)TU-TO-S	10.0	K₃ [pN, 20℃]:	27.0
CPU-2-S	10.0	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.74
Σ	100.0	V₀ [V, 20℃]:	1.10
		τ [20℃, 19 GHz]:	0.334
		ε_{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	3.65
		ε_r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	2.43
		tan δ_ε _{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	0.0053
		tan δ_ε _r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	0.0088
		η[20℃, 19 GHz]:	37.9

實例 N5

PTU-3-S	16.0	T(N,I) [℃]:	169.5
PPTU-4-S	10.0	∆ε [1 kHz, 20℃]:	24.8
PPTU-5-S	20.0	ε_\|\| [1 kHz, 20℃]:	28.9
CPTU-5-S	24.0	ε_⊥ [1 kHz, 20℃]:	4.1
PGTU-4-S	10.0	₁ [mPa s, 20℃]:	536
PGU-3-S	10.0	K₁ [pN, 20℃]:	21.7
PTPG(Cl)-4-S	10.0	K₃ [pN, 20℃]:	25.3
Σ	100.0	K₃ /K₁ [pN, 20℃]:	1.17
		V₀ [V, 20℃]:	0.98
		LTS bulk [h, -20℃]:	1000
		LTS bulk [h, -30℃]:	408
		τ [20℃, 19 GHz]:	0.348
		ε_{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	3.77
		ε_r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	2.46
		tan δ_ε _{r, \|\|} [20℃, 19 GHz]:	0.0049
		tan δ_ε _r, _⊥ [20℃, 19 GHz]:	0.0094
		η[20℃, 19 GHz]:	37.2

Claims

一種式C化合物，
其中 R^C 表示H、具有1至12個C原子之烷基或烷氧基或具有2至12個C原子之烯基、烯氧基或烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經
、
置換，或表示基團R^P ， R^P 表示鹵素、CN、NCS、R^F 、R^F -O-或R^F -S-，其中 R^F 表示具有至多9個C原子之氟化烷基或氟化烯基， Z^C1 、Z^C2 相同或不同地表示-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-或單鍵， X 表示Cl或F， Y 表示H、Cl、F、各自具有1至6個C原子之烷基或烷氧基， t 係0、1或2，且
表示選自以下群之基團： a)由以下組成之群：1,4-伸苯基、1,4-伸萘基及2,6-伸萘基，其中一或兩個CH基團可經N置換，且其中一或多個H原子可經L置換， b)由以下組成之群：反-1,4-伸環己基、1,4-伸環己烯基、雙環[1.1.1]戊烷-1,3-二基、4,4´-伸雙環己基、雙環[2.2.2]辛烷-1,4-二基或螺[3.3]庚烷-2,6-二基，其中一或多個不相鄰CH₂ 基團可經-O-及/或-S-置換，且其中一或多個H原子可經F置換， c)由以下組成之群：噻吩-2,5-二基、噻吩并[3,2-b]噻吩-2,5-二基或硒吩-2,5-二基，其各者亦可經L單取代或多取代， L 在每次出現時，相同或不同地表示F、Cl、CN、SCN、SF₅ 或具有1至12個C原子之直鏈或支鏈、在各情況下視情況經氟化之烷基、烷氧基、烷基羰基、烷氧基羰基、烷基羰氧基或烷氧基羰氧基。
如請求項1之化合物，其中
彼此獨立地表示

，其中
替代地表示

L¹ 及L² 相同或不同地表示F、Cl或各自具有至多12個C原子之直鏈或支鏈或環狀烷基或烯基。
如請求項1或2之化合物，其中Z^C1 及Z^C2 相同或不同地表示-C≡C-或單鍵。
如請求項1或2之化合物，其中該化合物係選自式C-1至C-11化合物

其中 L¹ 、L² 及L³ 相同或不同地表示H、F、Cl、甲基、乙基、正丙基、異丙基、環丙基、環丁基、環戊基或環戊烯基，且 R^C 及X具有請求項1中所給出之該等含義。
如請求項1或2之化合物，其中X表示F。
如請求項1或2之化合物，其中R^C 表示具有1至12個C原子之烷基。
如請求項1或2之化合物，其中該基團R^C 表示如請求項1中所定義之R^P 。
一種液晶介質，其包含一或多種如請求項1至7中任一項之化合物。
如請求項8之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式I、II及III化合物之群的化合物
其中 R¹ 表示H、具有1至17個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基或具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換， n 係0、1或2，
   至
，在每次出現時彼此獨立地表示

，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基，且其中

替代地表示

，

R² 表示H、具有1至17個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基或具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換， Z²¹ 表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且
，    彼此獨立地表示

，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基；

R³ 表示H、具有1至17個C原子之未經氟化之烷基或未經氟化之烷氧基或具有2至15個C原子之未經氟化之烯基、未經氟化之烯氧基或未經氟化之烷氧基烷基，其中一或多個CH₂ -基團可經

置換， Z³¹ 及Z³² 中之一者   表示反-CH=CH-、反-CF=CF-或-C≡C-，且其中之另一者獨立地表示-C≡C-、反-CH=CH-、反-CF=CF-或單鍵，且
   至
，    彼此獨立地表示

，其中R^L 在每次出現時，相同或不同地表示H或具有1至6個C原子之烷基，且其中

替代地表示

。
如請求項8或9之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式I-1至I-5化合物之群的化合物

其中 L¹ 、L² 及L³ 在每次出現時，相同或不同地表示H或F，且 R¹ 、
具有請求項9中針對式I所給出之該等含義。
如請求項8或9之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式II-1至II-3化合物之群的化合物
其中 R² 、
具有請求項9中針對式II所給出之該等含義。
如請求項8或9之液晶介質，其中該介質包含一或多種選自式III-1至III-6化合物之群的化合物
其中 R³ 、
具有如請求項9中針對式III所給出之該等含義，且 Z³¹ 及Z³² 彼此獨立地表示反- CH=CH-或反- CF=CF-，且在式III-6中，Z³¹ 及Z³² 中之一者替代地表示-C≡C-。
如請求項8或9之液晶介質，其中該介質包含一或多種式T化合物
其中 R^T 表示鹵素、CN、NCS、R^F 、R^F -O-或R^F -S-，其中 R^F 表示具有至多12個C原子之氟化烷基或氟化烯基，
在每次出現時，彼此獨立地表示
；

L⁴ 及L⁵ 相同或不同地表示F、Cl或各自具有至多12個C原子之直鏈或支鏈或環狀烷基或烯基； Z^T3 、Z^T4 相同或不同地表示-CH=CH-、-CF=CF-、-CH=CF-、-CF=CH-、-C≡C-或單鍵，且 t 係0或1。
一種用於高頻技術之組件，其特徵在於其包含如請求項8至13中任一項之液晶介質。
如請求項14之組件，其中該組件係基於液晶之天線元件、移相器、可調濾波器、可調超材料結構、匹配網路或變容器。
一種微波天線陣列，其特徵在於其包含一或多種如請求項14或15之組件。