TW201934663A - 液晶配向劑、液晶配向膜、液晶元件及其製造方法 - Google Patents
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Abstract
本發明設為一種液晶配向劑,其含有:聚合體成分;以及化合物[A],為選自由下述式(1)所表示的化合物及下述式(2)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。R1
為碳數1~4的烷基、-CO-CH3
、或-R4
-OH。R2
為氫原子或碳數1~4的烷基。n為1或2。於n為2的情況下,R2
為氫原子。R3
為碳數1~3的烷二基。
Description
[相關申請的交叉參考]
本申請案基於2018年2月13號提出申請的日本專利申請編號2018-23423號,將其記載內容引用於此。
本申請案基於2018年2月13號提出申請的日本專利申請編號2018-23423號,將其記載內容引用於此。
本揭示是有關於一種液晶配向劑、液晶配向膜及液晶元件。
液晶元件用於以電視或個人電腦、智慧型手機等顯示裝置為代表的各種用途中。該些液晶元件具備具有使液晶分子於一定方向上配向的功能的液晶配向膜。通常,液晶配向膜是藉由將使聚合體成分溶解於有機溶媒中而成的液晶配向劑塗佈於基板上,較佳為進行加熱而形成於基板上。作為液晶配向劑的聚合體成分,就機械強度或液晶配向性、與液晶的親和性優異而言,廣泛使用聚醯胺酸或可溶性聚醯亞胺。另外,作為液晶配向劑的溶劑成分,通常使用對聚醯胺酸或可溶性聚醯亞胺等聚合體的溶解性高的溶媒(例如N-甲基-2-吡咯啶酮或γ-丁內酯等良溶媒)、與對基板的潤濕擴展性高的溶媒(例如丁基溶纖劑(cellosolve)等貧溶媒)的混合溶媒(例如參照專利文獻1、專利文獻2)。
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[現有技術文獻]
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2017-198975號公報
[專利文獻2]日本專利特開2016-206645號公報
[專利文獻2]日本專利特開2016-206645號公報
[發明所欲解決之課題]
作為液晶電視,近年來為了獲得由顯示品質的進一步提升帶來的臨場感,已製作出4K(例如3840畫素×2160畫素)或8K(例如7680畫素×4320畫素)等增加了畫素數的顯示裝置的規格。若顯示裝置的畫素數增加而畫素尺寸變小,則畫素電極成為更微細的結構,畫素電極的形成面中每單位面積的凹凸密度變得更高。該情況下,於將液晶配向劑塗佈於畫素電極的形成面來形成配向膜時,液晶配向劑不易向畫素電極的微細凹凸結構潤濕擴展,擔心無法充分確保對基板的塗佈性。為了於將液晶配向劑塗佈於微細凹凸結構的情況下亦獲得良好的塗佈性,需要製成對基板的潤濕擴展性高的液晶配向劑。
作為液晶電視,近年來為了獲得由顯示品質的進一步提升帶來的臨場感,已製作出4K(例如3840畫素×2160畫素)或8K(例如7680畫素×4320畫素)等增加了畫素數的顯示裝置的規格。若顯示裝置的畫素數增加而畫素尺寸變小,則畫素電極成為更微細的結構,畫素電極的形成面中每單位面積的凹凸密度變得更高。該情況下,於將液晶配向劑塗佈於畫素電極的形成面來形成配向膜時,液晶配向劑不易向畫素電極的微細凹凸結構潤濕擴展,擔心無法充分確保對基板的塗佈性。為了於將液晶配向劑塗佈於微細凹凸結構的情況下亦獲得良好的塗佈性,需要製成對基板的潤濕擴展性高的液晶配向劑。
進而,近年來推進大畫面的液晶面板的普及,且使較先前更大型的生產線運轉而推進基板的大型化。作為使基板大型化的優點,可列舉因能夠自一片基板獲取多片面板而可實現步驟時間及成本的減少的方面、或能夠應對液晶面板自身的大型化的方面等。另一方面,於大型基板上形成液晶配向膜的情況下,與先前相比,後烘烤時容易產生溫度不均,擔心因該溫度不均而使液晶配向膜的預傾角產生偏差,導致顯示品質的降低。
另外,作為液晶面板,亦正在推進以智慧型手機或平板個人電腦(tablet personal computer,tablet PC)為代表的觸控面板式的小型顯示面板的開發。此處,於觸控面板式的顯示面板中,為了進一步擴大觸控面板的可動面積、且兼顧液晶面板的小型化,正嘗試實現窄邊框化。另外,伴隨液晶面板的窄邊框化,經過長年等,有時於密封劑周邊視覺識別到由液晶配向膜引起的顯示不均。為了實現液晶面板的高精細化、高壽命化,謀求一種長時間不易視覺識別到此種密封劑周邊的顯示不均的(耐邊框(bezel)不均性高的)液晶元件。
另外,進而於液晶顯示裝置中,若液晶配向膜中的殘留電荷(殘留直流電(direct current,DC))大,則會導致產生所謂的殘像(亦將其稱為DC殘像),即切換圖像後殘留之前所顯示的圖像的影響。另外,於使液晶顯示裝置長時間動作的情況下,若初始配向的方向偏離液晶顯示裝置製造時最初的方向,則有時會產生被稱為交流電(alternating current,AC)殘像的燒印。為了確保顯示品質,謀求一種盡可能減少此種DC殘像或AC殘像的液晶顯示裝置。
本揭示是鑒於所述課題而形成,目的之一在於提供一種對微細凹凸結構的塗佈性良好,於膜形成時的加熱時不易受到溫度不均的影響,可獲得密封劑周邊的顯示不均少、且殘像特性良好的液晶元件的液晶配向劑。
[解決課題之手段]
[解決課題之手段]
為了解決所述課題而進行了努力研究,發現:藉由使液晶配向劑中含有具有於苯環上鍵結有特定基團(部分結構)的結構的化合物,可解決所述課題。具體而言採用了以下手段。
<1> 一種液晶配向劑,其含有:聚合體成分;以及化合物[A],為選自由下述式(1)所表示的化合物及下述式(2)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種。
[化1]
(式(1)中,R1 為碳數1~4的烷基、-CO-CH3 、或-R4 -OH(其中,R4 為碳數1~4的烷二基)。R2 為氫原子或碳數1~4的烷基。n為1或2。其中,於n為2的情況下,R2 為氫原子。於n為2的情況下,式(1)中的多個R1 可彼此相同亦可不同。式(2)中,R3 為碳數1~3的烷二基)
<2> 一種液晶元件的製造方法,其為包括液晶配向膜的液晶元件的製造方法,且使用所述<1>的液晶配向劑而形成液晶配向膜。
<3> 一種液晶配向膜,其是使用所述<1>的液晶配向劑而形成。
<4> 一種液晶元件,其包括所述<3>的液晶配向膜。
[發明的效果]
[化1]
(式(1)中,R1 為碳數1~4的烷基、-CO-CH3 、或-R4 -OH(其中,R4 為碳數1~4的烷二基)。R2 為氫原子或碳數1~4的烷基。n為1或2。其中,於n為2的情況下,R2 為氫原子。於n為2的情況下,式(1)中的多個R1 可彼此相同亦可不同。式(2)中,R3 為碳數1~3的烷二基)
<2> 一種液晶元件的製造方法,其為包括液晶配向膜的液晶元件的製造方法,且使用所述<1>的液晶配向劑而形成液晶配向膜。
<3> 一種液晶配向膜,其是使用所述<1>的液晶配向劑而形成。
<4> 一種液晶元件,其包括所述<3>的液晶配向膜。
[發明的效果]
本揭示的液晶配向劑於塗佈於具有微細凹凸結構的基板面的情況下潤濕擴展性亦良好,且對於基板面可均勻地形成液晶配向膜。另外,本揭示的液晶配向劑於膜形成時的加熱時不易受到溫度不均的影響,因而可獲得由溫度不均引起的特性偏差得到了抑制的液晶配向膜。進而,根據本揭示的液晶配向劑,可獲得密封劑周邊的顯示不均少(耐邊框不均性良好)、且殘像特性優異的液晶元件。
以下,對本揭示的液晶配向劑中所含的各成分、以及視需要而任意調配的其他成分進行說明。液晶配向劑為含有聚合體成分與溶劑成分,且使聚合體成分溶解於溶劑成分中而成的液狀的聚合體組成物。
<<聚合體成分>>
關於液晶配向劑中所含有的聚合體成分,其主骨架並無特別限定,例如可列舉:聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、聚酯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并噁唑前驅物、聚苯并噁唑、纖維素衍生物、聚縮醛、具有源自具有聚合性不飽和鍵的單體的結構單元的聚合體(以下,亦稱作「聚合體(Q)」)等主骨架。就充分確保液晶元件的性能等觀點而言,聚合體成分較佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺及聚合體(Q)所組成的群組中的至少一種聚合體,尤佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
關於液晶配向劑中所含有的聚合體成分,其主骨架並無特別限定,例如可列舉:聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚有機矽氧烷、聚酯、聚醯胺、聚醯胺醯亞胺、聚苯并噁唑前驅物、聚苯并噁唑、纖維素衍生物、聚縮醛、具有源自具有聚合性不飽和鍵的單體的結構單元的聚合體(以下,亦稱作「聚合體(Q)」)等主骨架。就充分確保液晶元件的性能等觀點而言,聚合體成分較佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺及聚合體(Q)所組成的群組中的至少一種聚合體,尤佳為選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺所組成的群組中的至少一種。
<聚醯胺酸>
聚醯胺酸可藉由使四羧酸二酐與二胺化合物反應而獲得。
(四羧酸二酐)
作為聚醯胺酸的合成中使用的四羧酸二酐,例如可列舉:脂肪族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐等。作為該些的具體例,脂肪族四羧酸二酐例如可列舉:1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐等;
脂環式四羧酸二酐例如可列舉:1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-3a,4,5,9b-四氫萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-8-甲基-3a,4,5,9b-四氫萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、3-氧雜雙環[3.2.1]辛烷-2,4-二酮-6-螺環-3'-(四氫呋喃-2',5'-二酮)、2,4,6,8-四羧基雙環[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐、4,9-二氧雜三環[5.3.1.02,6 ]十一烷-3,5,8,10-四酮、環戊烷四羧酸二酐、環己烷四羧酸二酐等;芳香族四羧酸二酐例如可列舉:均苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、乙二醇雙偏苯三甲酸酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、4,4'-羰基二鄰苯二甲酸酐等,除此以外,亦可使用日本專利特開2010-97188號公報中記載的四羧酸二酐。再者,所述四羧酸二酐可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
聚醯胺酸可藉由使四羧酸二酐與二胺化合物反應而獲得。
(四羧酸二酐)
作為聚醯胺酸的合成中使用的四羧酸二酐,例如可列舉:脂肪族四羧酸二酐、脂環式四羧酸二酐、芳香族四羧酸二酐等。作為該些的具體例,脂肪族四羧酸二酐例如可列舉:1,2,3,4-丁烷四羧酸二酐等;
脂環式四羧酸二酐例如可列舉:1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐、2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-3a,4,5,9b-四氫萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、5-(2,5-二氧代四氫呋喃-3-基)-8-甲基-3a,4,5,9b-四氫萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮、3-氧雜雙環[3.2.1]辛烷-2,4-二酮-6-螺環-3'-(四氫呋喃-2',5'-二酮)、2,4,6,8-四羧基雙環[3.3.0]辛烷-2:4,6:8-二酐、4,9-二氧雜三環[5.3.1.02,6 ]十一烷-3,5,8,10-四酮、環戊烷四羧酸二酐、環己烷四羧酸二酐等;芳香族四羧酸二酐例如可列舉:均苯四甲酸二酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、乙二醇雙偏苯三甲酸酐、4,4'-(六氟亞異丙基)二鄰苯二甲酸酐、4,4'-羰基二鄰苯二甲酸酐等,除此以外,亦可使用日本專利特開2010-97188號公報中記載的四羧酸二酐。再者,所述四羧酸二酐可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
(二胺化合物)
作為聚醯胺酸的合成中使用的二胺化合物,例如可列舉:脂肪族二胺、脂環式二胺、芳香族二胺、二胺基有機矽氧烷等。作為該些二胺的具體例,脂肪族二胺例如可列舉:間苯二甲胺、1,3-丙二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺等;脂環式二胺例如可列舉:1,4-二胺基環己烷、4,4'-亞甲基雙(環己胺)等;
芳香族二胺例如可列舉:十二烷氧基-2,4-二胺基苯、十五烷氧基-2,4-二胺基苯、十六烷氧基-2,4-二胺基苯、十八烷氧基-2,4-二胺基苯、十五烷氧基-2,5-二胺基苯、十八烷氧基-2,5-二胺基苯、膽甾烷氧基-3,5-二胺基苯、膽甾烯氧基-3,5-二胺基苯、膽甾烷氧基-2,4-二胺基苯、膽甾烯氧基-2,4-二胺基苯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷基酯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烯基酯、3,5-二胺基苯甲酸羊毛甾烷基酯、3,6-雙(4-胺基苯甲醯基氧基)膽甾烷、3,6-雙(4-胺基苯氧基)膽甾烷、2,4-二胺基-N,N-二烯丙基苯胺、4-(4'-三氟甲氧基苯甲醯氧基)環己基-3,5-二胺基苯甲酸酯、1,1-雙(4-((胺基苯基)甲基)苯基)-4-丁基環己烷、3,5-二胺基苯甲酸=5ξ-膽甾烷-3-基、下述式(E-1)
[化2]
(式(E-1)中,XI 及XII 分別獨立地為單鍵、-O-、*-COO-或*-OCO-(其中,「*」表示與XI 的結合鍵),RI 為碳數1~3的烷二基,RII 為單鍵或碳數1~3的烷二基,a為0或1,b為0~2的整數,c為1~20的整數,d為0或1。其中,a及b不會同時成為0)
所表示的化合物、側鏈具有肉桂酸結構的二胺等側鏈型二胺:
作為聚醯胺酸的合成中使用的二胺化合物,例如可列舉:脂肪族二胺、脂環式二胺、芳香族二胺、二胺基有機矽氧烷等。作為該些二胺的具體例,脂肪族二胺例如可列舉:間苯二甲胺、1,3-丙二胺、四亞甲基二胺、五亞甲基二胺、六亞甲基二胺等;脂環式二胺例如可列舉:1,4-二胺基環己烷、4,4'-亞甲基雙(環己胺)等;
芳香族二胺例如可列舉:十二烷氧基-2,4-二胺基苯、十五烷氧基-2,4-二胺基苯、十六烷氧基-2,4-二胺基苯、十八烷氧基-2,4-二胺基苯、十五烷氧基-2,5-二胺基苯、十八烷氧基-2,5-二胺基苯、膽甾烷氧基-3,5-二胺基苯、膽甾烯氧基-3,5-二胺基苯、膽甾烷氧基-2,4-二胺基苯、膽甾烯氧基-2,4-二胺基苯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷基酯、3,5-二胺基苯甲酸膽甾烯基酯、3,5-二胺基苯甲酸羊毛甾烷基酯、3,6-雙(4-胺基苯甲醯基氧基)膽甾烷、3,6-雙(4-胺基苯氧基)膽甾烷、2,4-二胺基-N,N-二烯丙基苯胺、4-(4'-三氟甲氧基苯甲醯氧基)環己基-3,5-二胺基苯甲酸酯、1,1-雙(4-((胺基苯基)甲基)苯基)-4-丁基環己烷、3,5-二胺基苯甲酸=5ξ-膽甾烷-3-基、下述式(E-1)
[化2]
(式(E-1)中,XI 及XII 分別獨立地為單鍵、-O-、*-COO-或*-OCO-(其中,「*」表示與XI 的結合鍵),RI 為碳數1~3的烷二基,RII 為單鍵或碳數1~3的烷二基,a為0或1,b為0~2的整數,c為1~20的整數,d為0或1。其中,a及b不會同時成為0)
所表示的化合物、側鏈具有肉桂酸結構的二胺等側鏈型二胺:
對苯二胺、4,4'-二胺基二苯基甲烷、4,4'-二胺基二苯基硫醚、4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯、4,4'-二胺基偶氮苯、3,5-二胺基苯甲酸、1,5-雙(4-胺基苯氧基)戊烷、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷、1,3-雙(4-胺基苯氧基)丙烷、1,4-雙(4-胺基苯氧基)丁烷、1,6-雙(4-胺基苯氧基)己烷、1,7-雙(4-胺基苯氧基)庚烷、1,10-雙(4-胺基苯氧基)癸烷、1,2-雙(4-胺基苯基)乙烷、1,5-雙(4-胺基苯基)戊烷、1,6-雙(4-胺基苯基)己烷、1,4-雙(4-胺基苯基磺醯基)丁烷、雙[2-(4-胺基苯基)乙基]己二酸、N,N-雙(4-胺基苯基)甲基胺、2,6-二胺基吡啶、1,4-雙(4-胺基苯基)-哌嗪、N,N'-雙(4-胺基苯基)-聯苯胺、2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯、2,2'-雙(三氟甲基)-4,4'-二胺基聯苯、4,4'-二胺基二苯基醚、2,2-雙[4-(4-胺基苯氧基)苯基]丙烷、2,2-雙(4-胺基苯基)六氟丙烷、4,4'-(伸苯基二亞異丙基)雙苯胺、1,4-雙(4-胺基苯氧基)苯、4,4'-雙(4-胺基苯氧基)聯苯、4,4'-[4,4'-丙烷-1,3-二基雙(哌啶-1,4-二基)]二苯胺、4,4'-二胺基苯甲醯苯胺、4,4'-二胺基二苯乙烯、4,4'-二胺基二苯基胺、1,3-雙(4-胺基苯乙基)脲、1,3-雙(4-胺基苄基)脲、1,4-雙(4-胺基苯基)-哌嗪、N-(4-胺基苯基乙基)-N-甲基胺、N,N'-雙(4-胺基苯基)-N,N'-二甲基聯苯胺等主鏈型二胺等;二胺基有機矽氧烷例如可列舉1,3-雙(3-胺基丙基)-四甲基二矽氧烷等,除此以外,亦可使用日本專利特開2010-97188號公報中記載的二胺。
(聚醯胺酸的合成)
聚醯胺酸可藉由使如所述般的四羧酸二酐與二胺化合物視需要與分子量調整劑一併進行反應而獲得。被供於聚醯胺酸的合成反應的四羧酸二酐與二胺化合物的使用比例較佳為相對於二胺化合物的胺基1當量而四羧酸二酐的酸酐基成為0.2當量~2當量的比例。作為分子量調整劑,例如可列舉:馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸單酐;苯胺、環己胺、正丁基胺等單胺化合物;異氰酸苯酯、異氰酸萘酯等單異氰酸酯化合物等。分子量調整劑的使用比例相對於所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的合計100質量份,較佳為設為20質量份以下。
聚醯胺酸可藉由使如所述般的四羧酸二酐與二胺化合物視需要與分子量調整劑一併進行反應而獲得。被供於聚醯胺酸的合成反應的四羧酸二酐與二胺化合物的使用比例較佳為相對於二胺化合物的胺基1當量而四羧酸二酐的酸酐基成為0.2當量~2當量的比例。作為分子量調整劑,例如可列舉:馬來酸酐、鄰苯二甲酸酐、衣康酸酐等酸單酐;苯胺、環己胺、正丁基胺等單胺化合物;異氰酸苯酯、異氰酸萘酯等單異氰酸酯化合物等。分子量調整劑的使用比例相對於所使用的四羧酸二酐及二胺化合物的合計100質量份,較佳為設為20質量份以下。
聚醯胺酸的合成反應較佳為於有機溶媒中進行。此時的反應溫度較佳為-20℃~150℃,反應時間較佳為0.1小時~24小時。
作為反應中使用的有機溶媒,例如可列舉:非質子性極性溶媒、酚系溶媒、醇、酮、酯、醚、鹵化烴、烴等。尤佳的有機溶媒較佳為使用選自由N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、四甲基脲、六甲基磷醯三胺、間甲酚、二甲酚及鹵化酚所組成的群組中的一種以上作為溶媒,或者使用該些中的一種以上與其他有機溶媒(例如,丁基溶纖劑、二乙二醇二乙醚等)的混合物。有機溶媒的使用量(a)較佳為設為使四羧酸二酐及二胺的合計量(b)相對於反應溶液的總量(a+b)而成為0.1質量%~50質量%的量。將聚醯胺酸溶解而成的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將反應溶液中所含的聚醯胺酸分離之後供於液晶配向劑的製備。
作為反應中使用的有機溶媒,例如可列舉:非質子性極性溶媒、酚系溶媒、醇、酮、酯、醚、鹵化烴、烴等。尤佳的有機溶媒較佳為使用選自由N-甲基-2-吡咯啶酮、N,N-二甲基乙醯胺、N,N-二甲基甲醯胺、二甲基亞碸、γ-丁內酯、四甲基脲、六甲基磷醯三胺、間甲酚、二甲酚及鹵化酚所組成的群組中的一種以上作為溶媒,或者使用該些中的一種以上與其他有機溶媒(例如,丁基溶纖劑、二乙二醇二乙醚等)的混合物。有機溶媒的使用量(a)較佳為設為使四羧酸二酐及二胺的合計量(b)相對於反應溶液的總量(a+b)而成為0.1質量%~50質量%的量。將聚醯胺酸溶解而成的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將反應溶液中所含的聚醯胺酸分離之後供於液晶配向劑的製備。
<聚醯胺酸酯>
聚醯胺酸酯例如可藉由如下方法而獲得:[I]使藉由所述合成反應而獲得的聚醯胺酸與酯化劑進行反應的方法;[II]使四羧酸二酯與二胺化合物進行反應的方法;[III]使四羧酸二酯二鹵化物與二胺化合物進行反應的方法等。液晶配向劑中含有的聚醯胺酸酯可僅具有醯胺酸酯結構,亦可為醯胺酸結構與醯胺酸酯結構併存的部分酯化物。再者,將聚醯胺酸酯溶解而成的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將反應溶液中所含的聚醯胺酸酯分離之後供於液晶配向劑的製備。
聚醯胺酸酯例如可藉由如下方法而獲得:[I]使藉由所述合成反應而獲得的聚醯胺酸與酯化劑進行反應的方法;[II]使四羧酸二酯與二胺化合物進行反應的方法;[III]使四羧酸二酯二鹵化物與二胺化合物進行反應的方法等。液晶配向劑中含有的聚醯胺酸酯可僅具有醯胺酸酯結構,亦可為醯胺酸結構與醯胺酸酯結構併存的部分酯化物。再者,將聚醯胺酸酯溶解而成的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將反應溶液中所含的聚醯胺酸酯分離之後供於液晶配向劑的製備。
<聚醯亞胺>
聚醯亞胺例如可藉由將如所述般合成的聚醯胺酸脫水閉環並加以醯亞胺化而獲得。聚醯亞胺可為將作為其前驅物的聚醯胺酸所具有的醯胺酸結構的全部進行脫水閉環而成的完全醯亞胺化物,亦可為將僅醯胺酸結構的一部分脫水閉環且醯胺酸結構與醯亞胺環結構併存的部分醯亞胺化物。聚醯亞胺較佳為其醯亞胺化率為20%~99%,更佳為30%~90%。該醯亞胺化率以百分率表示相對於聚醯亞胺的醯胺酸結構的數量與醯亞胺環結構的數量的合計而言醯亞胺環結構的數量所佔的比例。此處,醯亞胺環的一部分亦可為異醯亞胺環。
聚醯亞胺例如可藉由將如所述般合成的聚醯胺酸脫水閉環並加以醯亞胺化而獲得。聚醯亞胺可為將作為其前驅物的聚醯胺酸所具有的醯胺酸結構的全部進行脫水閉環而成的完全醯亞胺化物,亦可為將僅醯胺酸結構的一部分脫水閉環且醯胺酸結構與醯亞胺環結構併存的部分醯亞胺化物。聚醯亞胺較佳為其醯亞胺化率為20%~99%,更佳為30%~90%。該醯亞胺化率以百分率表示相對於聚醯亞胺的醯胺酸結構的數量與醯亞胺環結構的數量的合計而言醯亞胺環結構的數量所佔的比例。此處,醯亞胺環的一部分亦可為異醯亞胺環。
聚醯胺酸的脫水閉環較佳為藉由如下方法進行:將聚醯胺酸溶解於有機溶媒中,於該溶液中添加脫水劑及脫水閉環觸媒並視需要進行加熱。該方法中,作為脫水劑,例如可使用乙酸酐、丙酸酐、三氟乙酸酐等酸酐。脫水劑的使用量較佳為相對於聚醯胺酸的醯胺酸結構的1莫耳而設為0.01莫耳~20莫耳。作為脫水閉環觸媒,例如可使用吡啶、三甲吡啶、二甲吡啶、三乙胺等三級胺。脫水閉環觸媒的使用量較佳為相對於所使用的脫水劑1莫耳而設為0.01莫耳~10莫耳。作為脫水閉環反應中所使用的有機溶媒,可列舉作為於聚醯胺酸的合成中所使用者而例示的有機溶媒。脫水閉環反應的反應溫度較佳為0℃~180℃。反應時間較佳為1.0小時~120小時。含有聚醯亞胺的反應溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將聚醯亞胺分離之後供於液晶配向劑的製備。聚醯亞胺亦可藉由聚醯胺酸酯的醯亞胺化而獲得。
<聚醯胺>
聚醯胺可藉由使二羧酸與二胺化合物進行反應的方法等而獲得。二羧酸較佳為使用亞硫醯氯等適當的氯化劑進行醯氯化後,供於與二胺化合物的反應。
聚醯胺可藉由使二羧酸與二胺化合物進行反應的方法等而獲得。二羧酸較佳為使用亞硫醯氯等適當的氯化劑進行醯氯化後,供於與二胺化合物的反應。
聚醯胺的合成中所使用的二羧酸並無特別限制,例如可列舉:草酸、丙二酸、二甲基丙二酸、琥珀酸、戊二酸、己二酸、2-甲基己二酸、富馬酸等脂肪族二羧酸;環丁烷二羧酸、1-環丁烯二羧酸、環己烷二羧酸等脂環式二羧酸;鄰苯二甲酸、間苯二甲酸、對苯二甲酸、5-甲基間苯二甲酸、2,5-二甲基對苯二甲酸、4-羧基肉桂酸、3,3'-[4,4'-(亞甲基二-對伸苯基)]二丙酸、4,4'-[4,4'-(氧基二-對伸苯基)]二丁酸等芳香族二羧酸;等。作為合成中所使用的二胺化合物,例如可列舉聚醯胺酸的說明中所例示的二胺化合物等。二羧酸及二胺化合物分別可單獨使用一種,亦可將兩種以上組合使用。
二羧酸與二胺化合物的反應較佳為於鹼的存在下,於有機溶媒中進行。此時,二羧酸與二胺化合物的使用比例較佳為相對於二胺化合物的胺基1當量,二羧酸的羧基成為0.2當量~2當量的比例。反應溫度較佳為設為0℃~200℃,反應時間較佳為設為0.5小時~48小時。有機溶媒例如可較佳地使用四氫呋喃、二噁烷、甲苯、氯仿、二甲基甲醯胺、二甲基乙醯胺、二甲基亞碸、N-甲基-2-吡咯啶酮等。鹼例如可較佳地使用吡啶、三乙胺、N-乙基-N,N-二異丙基胺等三級胺。相對於二胺化合物1莫耳,鹼的使用比例較佳為設為2莫耳~4莫耳。藉由所述反應而獲得的溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將反應溶液中所含的聚醯胺分離之後供於液晶配向劑的製備。
<具有源自具有聚合性不飽和鍵的單體的結構單元的聚合體(聚合體(Q))>
作為具有聚合性不飽和鍵的單體,例如可列舉具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基、馬來醯亞胺基等的化合物。作為此種化合物的具體例,可列舉:(甲基)丙烯酸、α-乙基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、乙烯基苯甲酸等不飽和羧酸:(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基矽烷基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、丙烯酸4-羥基丁基縮水甘油醚等不飽和羧酸酯:馬來酸酐等不飽和多元羧酸酐:等(甲基)丙烯酸系化合物;苯乙烯、甲基苯乙烯、二乙烯基苯等芳香族乙烯基化合物;1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯等共軛二烯化合物;N-甲基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等含馬來醯亞胺基的化合物;等。再者,具有聚合性不飽和鍵的單體可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。本說明書中,「(甲基)丙烯酸基」是指包含「丙烯酸基」及「甲基丙烯酸基」。
作為具有聚合性不飽和鍵的單體,例如可列舉具有(甲基)丙烯醯基、乙烯基、苯乙烯基、馬來醯亞胺基等的化合物。作為此種化合物的具體例,可列舉:(甲基)丙烯酸、α-乙基丙烯酸、馬來酸、富馬酸、乙烯基苯甲酸等不飽和羧酸:(甲基)丙烯酸烷基酯、(甲基)丙烯酸環烷基酯、(甲基)丙烯酸苄基酯、(甲基)丙烯酸-2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸三甲氧基矽烷基丙酯、(甲基)丙烯酸2-羥基乙酯、(甲基)丙烯酸縮水甘油酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧環己基甲酯、(甲基)丙烯酸3,4-環氧基丁酯、丙烯酸4-羥基丁基縮水甘油醚等不飽和羧酸酯:馬來酸酐等不飽和多元羧酸酐:等(甲基)丙烯酸系化合物;苯乙烯、甲基苯乙烯、二乙烯基苯等芳香族乙烯基化合物;1,3-丁二烯、2-甲基-1,3-丁二烯等共軛二烯化合物;N-甲基馬來醯亞胺、N-環己基馬來醯亞胺、N-苯基馬來醯亞胺等含馬來醯亞胺基的化合物;等。再者,具有聚合性不飽和鍵的單體可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。本說明書中,「(甲基)丙烯酸基」是指包含「丙烯酸基」及「甲基丙烯酸基」。
聚合體(Q)可藉由在聚合起始劑的存在下使具有聚合性不飽和鍵的單體聚合而獲得。作為所使用的聚合起始劑,例如較佳為2,2'-偶氮雙(異丁腈)、2,2'-偶氮雙(2,4-二甲基戊腈)、2,2'-偶氮雙(4-甲氧基-2,4-二甲基戊腈)等偶氮化合物。相對於反應中所使用的所有單體100質量份,聚合起始劑的使用比例較佳為設為0.01質量份~30質量份。所述聚合反應較佳為於有機溶媒中進行。作為反應中所使用的有機溶媒,例如可列舉:醇、醚、酮、醯胺、酯、烴化合物等,較佳為二乙二醇乙基甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯等。反應溫度較佳為設為30℃~120℃,反應時間較佳為設為1小時~36小時。有機溶媒的使用量(a)較佳為設為反應中所使用的單體的合計量(b)相對於反應溶液的總體量(a+b)而成為0.1質量%~60質量%的量。藉由所述反應而獲得的聚合體溶液可直接供於液晶配向劑的製備,亦可將反應溶液中所含的聚合體(Q)分離之後供於液晶配向劑的製備。
液晶配向劑的製備中所使用的聚合體於後述條件下製備及測定的溶液黏度較佳為10 mPa·s~800 mPa·s,更佳為15 mPa·s~500 mPa·s。再者,所述溶液黏度(mPa·s)為對於使用聚合體的良溶媒(於聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺的情況下,為γ-丁內酯、N-甲基-2-吡咯啶酮等)所製備的濃度10質量%的聚合體溶液,使用E型旋轉黏度計於25℃下測定的值。
聚合體的藉由凝膠滲透層析法(Gel Permeation Chromatography,GPC)測定的聚苯乙烯換算的重量平均分子量(Mw)可根據聚合體的種類而適宜設定。例如,於聚醯胺酸、聚醯胺酸酯及聚醯亞胺的情況下,較佳為1,000~500,000,更佳為2,000~300,000。另外,由Mw與藉由GPC測定的聚苯乙烯換算的數量平均分子量(Mn)之比表示的分子量分佈(Mw/Mn)較佳為7以下,更佳為5以下。再者,液晶配向劑的製備中所使用的聚合體可僅為一種,或者亦可組合兩種以上。
<<化合物[A]>>
本揭示的液晶配向劑含有:聚合體成分、以及選自由所述式(1)所表示的化合物及所述式(2)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種化合物[A]。化合物[A]可使聚合體成分相對於溶劑的溶解性變良好,而且具有表面張力適度低的性質。藉由將此種化合物[A]用於液晶配向劑的成分中,可平衡性佳地獲得具有微細凹凸結構的良好的塗佈性、或對由膜形成時的加熱時的溫度不均引起的特性偏差的抑制、密封劑周邊的顯示不均的減少(耐邊框不均性的提升)、殘像的減少等效果。
本揭示的液晶配向劑含有:聚合體成分、以及選自由所述式(1)所表示的化合物及所述式(2)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種化合物[A]。化合物[A]可使聚合體成分相對於溶劑的溶解性變良好,而且具有表面張力適度低的性質。藉由將此種化合物[A]用於液晶配向劑的成分中,可平衡性佳地獲得具有微細凹凸結構的良好的塗佈性、或對由膜形成時的加熱時的溫度不均引起的特性偏差的抑制、密封劑周邊的顯示不均的減少(耐邊框不均性的提升)、殘像的減少等效果。
所述式(1)中,R1
、R2
的碳數1~4的烷基可為直鏈狀,亦可為分支狀,例如可列舉:甲基、乙基、正丙基、異丙基、正丁基、異丁基、第二丁基、第三丁基等。該些中,R1
、R2
的碳數1~4的烷基較佳為直鏈狀,更佳為甲基或乙基。R4
的碳數1~4的烷二基可為直鏈狀,亦可為分支狀,例如可列舉:亞甲基、伸乙基、丙烷-1,3-二基、丙烷-1,2-二基、丁烷-1,4-二基、丁烷-1,2-二基等。R4
較佳為亞甲基或伸乙基。就可使耐邊框不均性變得更良好的方面而言,R1
較佳為甲基、乙基或-CO-CH3
。
就可使耐邊框不均性變得更良好的方面而言,所述式(1)所表示的化合物較佳為n=2、或n=1且R2
為碳數1~4的烷基。該情況下,鍵結於苯環的2個基團更佳為,相對於其中一個基團,另一個基團處於鄰位或間位。該些中,所述式(1)所表示的化合物較佳為n=2,更佳為n=2且R1
為甲基、乙基或-CO-CH3
,尤佳為鍵結於苯環的2個「-O-R1
」中的一個基團相對於另一個基團而為鄰位或間位。
所述式(2)中,R3 較佳為亞甲基或伸乙基。根據所述式(2)所表示的化合物,可提高對微細凹凸結構的塗佈性的改善效果,從而較佳。
所述式(2)中,R3 較佳為亞甲基或伸乙基。根據所述式(2)所表示的化合物,可提高對微細凹凸結構的塗佈性的改善效果,從而較佳。
就可適宜地獲得對具有微細凹凸結構的基板的塗佈性、或耐邊框不均性的改善效果的方面而言,化合物[A]較佳為1氣壓下的熔點為25℃以下且沸點為150℃以上。化合物[A]的1氣壓下的沸點較佳為160℃以上,更佳為165℃以上,進而佳為170℃以上。另外,沸點更佳為250℃以下,進而佳為245℃以下。化合物[A]的1氣壓下的熔點較佳為20℃以下,更佳為15℃以下,進而佳為10℃以下。再者,於化合物[A]是常溫下為固體的化合物的情況下,於聚合體的聚合時,亦可於聚合溶媒的至少一部分中使用化合物[A],並將所獲得的聚合體溶液直接供於液晶配向劑的製備。
作為化合物[A]的具體例,所述式(1)所表示的化合物例如可列舉下述式(1-1)~式(1-23)分別所表示的化合物等;所述式(2)所表示的化合物例如可列舉下述式(2-1)及式(2-2)分別所表示的化合物等。該些中,更佳為選自由下述式(1-1)~式(1-5)、式(1-7)~式(1-11)、式(1-13)、式(1-15)、式(1-17)~式(1-20)、式(1-22)、式(2-1)及式(2-2)所組成的群組中的至少一種。再者,化合物[A]可單獨使用一種,亦可將兩種以上組合使用。
[化3]
[化3]
化合物[A]的含有比例相對於液晶配向劑中所含有的聚合體成分的合計量100質量份而言,較佳為100質量份以上,更佳為300質量份以上,進而佳為600質量份以上。另外,關於化合物[A]的含有比例的上限,較佳為5000質量份以下,更佳為4000質量份以下。
<<其他成分>>
液晶配向劑含有聚合體成分及化合物[A],視需要亦可含有與聚合體成分及化合物[A]不同的成分(以下,亦稱作「其他成分」)。
液晶配向劑含有聚合體成分及化合物[A],視需要亦可含有與聚合體成分及化合物[A]不同的成分(以下,亦稱作「其他成分」)。
<溶劑[B]>
出於使液晶元件的殘像特性變得更良好的目的,液晶配向劑除聚合體成分及化合物[A]以外,亦可進而包含選自由醇系溶劑、鏈狀酯系溶劑、醚系溶劑及酮系溶劑所組成的群組中的至少一種溶劑(以下,亦稱作「溶劑[B]」)。
出於使液晶元件的殘像特性變得更良好的目的,液晶配向劑除聚合體成分及化合物[A]以外,亦可進而包含選自由醇系溶劑、鏈狀酯系溶劑、醚系溶劑及酮系溶劑所組成的群組中的至少一種溶劑(以下,亦稱作「溶劑[B]」)。
作為溶劑[B]的具體例,醇系溶劑例如可列舉:甲醇、乙醇、異丙醇、環己醇、乙二醇、丙二醇、1,4-丁二醇、三乙二醇、二丙酮醇、3-甲氧基-3-甲基丁醇、苄醇等;鏈狀酯系溶劑例如可列舉:乳酸乙酯、乳酸丁酯、乙酸甲酯、乙酸乙酯、乙酸丁酯、甲氧基丙酸甲酯、乙氧基丙酸乙酯、草酸二乙酯、丙二酸二乙酯、丙酸異戊酯、異丁酸異戊酯等;
醚系溶劑例如可列舉:二乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇異丙醚、乙二醇單丁醚(丁基溶纖劑)、乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚(propylene glycol monomethyl ether,PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol methyl ether acetate,PGMEA)、3-甲氧基-1-丁醇、四氫呋喃、二異戊醚等;酮系溶劑例如可列舉:丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、環庚酮、環戊酮、3-甲基環己酮、4-甲基環己酮、二異丁基酮等。
醚系溶劑例如可列舉:二乙醚、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、乙二醇異丙醚、乙二醇單丁醚(丁基溶纖劑)、乙二醇二甲醚、乙二醇乙醚乙酸酯、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇單甲醚、二乙二醇單乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、二乙二醇單甲醚乙酸酯、二乙二醇單乙醚乙酸酯、丙二醇單甲醚(propylene glycol monomethyl ether,PGME)、丙二醇單甲醚乙酸酯(propylene glycol methyl ether acetate,PGMEA)、3-甲氧基-1-丁醇、四氫呋喃、二異戊醚等;酮系溶劑例如可列舉:丙酮、甲基乙基酮、甲基異丁基酮、環己酮、環庚酮、環戊酮、3-甲基環己酮、4-甲基環己酮、二異丁基酮等。
作為溶劑[B],就可進一步提高塗佈性的改善效果的方面而言,所述之中,較佳為選自由醚系溶劑及酮系溶劑所組成的群組中的至少一種,更佳為選自由碳數8以下的醚系溶劑及環狀的酮系溶劑所組成的群組中的至少一種。具體而言,溶劑[B]尤佳為選自由乙二醇單丁醚(丁基溶纖劑)、乙二醇單甲醚、乙二醇單乙醚、乙二醇單丙醚、二丙酮醇、二乙二醇二甲醚、二乙二醇二乙醚、二乙二醇甲基乙基醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單甲醚乙酸酯、3-甲氧基-1-丁醇及環戊酮所組成的群組中的一種。再者,作為溶劑[B],可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
液晶配向劑亦可進而包含與溶劑[B]不同的溶劑(以下,亦稱作「其他溶劑」)作為其他成分。其他溶劑例如可列舉:非質子性極性溶媒、酚類、鹵化烴系溶劑、烴系溶劑等。作為其他溶劑的具體例,非質子性極性溶媒例如可列舉:N-甲基-2-吡咯啶酮、N-乙基-2-吡咯啶酮、1,3-二甲基-2-咪唑啶酮、γ-丁內酯、碳酸伸丙酯、3-丁氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-甲氧基-N,N-二甲基丙醯胺、3-己氧基-N,N-二甲基丙醯胺、異丙氧基-N-異丙基-丙醯胺、正丁氧基-N-異丙基-丙醯胺等;酚類例如可列舉:苯酚、間甲酚、二甲酚等;鹵化烴系溶劑例如可列舉:二氯甲烷、1,2-二氯乙烷、1,4-二氯丁烷、三氯乙烷、氯苯等;烴系溶劑例如可列舉:己烷、庚烷、辛烷、苯、甲苯、二甲苯等。其他溶劑可單獨使用一種或將兩種以上組合使用。
化合物[A]的含有比例相對於液晶配向劑中所含有的化合物[A]與溶劑[B]的總量,較佳為設為10質量%以上。於設為10質量%以上的情況下,可充分獲得液晶配向劑的塗佈性、耐邊框不均性、對由膜形成時的溫度不均引起的特性偏差的抑制、以及殘像的減少等效果,就該方面而言較佳。就可使液晶配向劑的潤濕擴展性及耐邊框不均性變得更良好的方面而言,化合物[A]的含有比例相對於化合物[A]與溶劑[B]的總量,更佳為15質量%以上,進而佳為20質量%以上。另外,化合物[A]的含有比例相對於化合物[A]與溶劑[B]的總量,較佳為95質量%以下,更佳為90質量%以下,進而佳為80質量%以下。
於液晶配向劑含有溶劑[B]的情況下,溶劑[B]的含有比例相對於液晶配向劑中所含有的化合物[A]與溶劑[B]的總量,較佳為5質量%以上,更佳為20質量%以上。另外,溶劑[B]的含有比例相對於化合物[A]與溶劑[B]的總量,較佳為90質量%以下,更佳為85質量%以下,進而佳為80質量%以下。
相對於液晶配向劑中所含有的化合物[A]與溶劑[B]的總量,其他溶劑的含有比例較佳為設為5質量%以下,更佳為設為3質量%以下,進而佳為設為1質量%以下,尤佳為設為0.05質量%以下。
於液晶配向劑含有溶劑[B]的情況下,溶劑[B]的含有比例相對於液晶配向劑中所含有的化合物[A]與溶劑[B]的總量,較佳為5質量%以上,更佳為20質量%以上。另外,溶劑[B]的含有比例相對於化合物[A]與溶劑[B]的總量,較佳為90質量%以下,更佳為85質量%以下,進而佳為80質量%以下。
相對於液晶配向劑中所含有的化合物[A]與溶劑[B]的總量,其他溶劑的含有比例較佳為設為5質量%以下,更佳為設為3質量%以下,進而佳為設為1質量%以下,尤佳為設為0.05質量%以下。
作為液晶配向劑中可含有的其他成分,除所述以外,例如可列舉:含環氧基的化合物(例如N,N,N',N'-四縮水甘油基-間二甲苯二胺、N,N,N',N'-四縮水甘油基-4,4'-二胺基二苯基甲烷等)、官能性矽烷化合物(例如3-胺基丙基三乙氧基矽烷、N-(2-胺基乙基)-3-胺基丙基甲基二甲氧基矽烷等)、抗氧化劑、金屬螫合化合物、硬化觸媒、硬化促進劑、界面活性劑、填充劑、分散劑、光增感劑等各種添加劑。該些添加劑的調配比例可於無損本揭示的效果的範圍內根據各化合物而適宜選擇。
液晶配向劑中的成分中,化合物(A)及溶劑以外的合計質量於液晶配向劑的總質量中所佔的比例D考慮黏性、揮發性等而適宜選擇,較佳為1質量%~10質量%的範圍。於比例D未滿1質量%的情況下,塗膜的膜厚過小而難以獲得良好的液晶配向膜。另一方面,於比例D超過10質量%的情況下,塗膜的膜厚過大而難以獲得良好的液晶配向膜,另外,液晶配向劑的黏性增大而有塗佈性降低的傾向。
<<液晶配向膜及液晶元件>>
本揭示的液晶元件具備使用所述說明的液晶配向劑而形成的液晶配向膜。液晶元件可有效地應用於各種用途,例如可用作鐘錶、可攜式遊戲、文字處理器、筆記型個人電腦、汽車導航系統、攝錄像機、個人數位助理(Personal Digital Assistant,PDA)、數位相機、行動電話、智慧型手機、各種監視器、液晶電視、資訊顯示器等各種顯示裝置、或調光膜、相位差膜等。於用作液晶顯示裝置的情況下,液晶的動作模式並無特別限定,例如可應用於扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型、垂直配向型(包含垂直配向-多域垂直配向(Vertical Alignment-Multi-domain Vertical Alignment,VA-MVA)型、垂直配向-圖案垂直配向(Vertical Alignment-Patterned Vertical Alignment,VA-PVA)型等)、共面切換(In-Plane Switching,IPS)型、邊緣場切換(Fringe Field Switching,FFS)型、光學補償彎曲(Optically Compensated Bend,OCB)型等各種動作模式中。
本揭示的液晶元件具備使用所述說明的液晶配向劑而形成的液晶配向膜。液晶元件可有效地應用於各種用途,例如可用作鐘錶、可攜式遊戲、文字處理器、筆記型個人電腦、汽車導航系統、攝錄像機、個人數位助理(Personal Digital Assistant,PDA)、數位相機、行動電話、智慧型手機、各種監視器、液晶電視、資訊顯示器等各種顯示裝置、或調光膜、相位差膜等。於用作液晶顯示裝置的情況下,液晶的動作模式並無特別限定,例如可應用於扭轉向列(Twisted Nematic,TN)型、超扭轉向列(Super Twisted Nematic,STN)型、垂直配向型(包含垂直配向-多域垂直配向(Vertical Alignment-Multi-domain Vertical Alignment,VA-MVA)型、垂直配向-圖案垂直配向(Vertical Alignment-Patterned Vertical Alignment,VA-PVA)型等)、共面切換(In-Plane Switching,IPS)型、邊緣場切換(Fringe Field Switching,FFS)型、光學補償彎曲(Optically Compensated Bend,OCB)型等各種動作模式中。
列舉液晶顯示元件為一例來對液晶元件的製造方法進行說明。液晶顯示元件例如可藉由包括以下的步驟1~步驟3的方法來製造。步驟1中,使用基板視所需的動作模式而不同。步驟2及步驟3中,各動作模式通用。
(步驟1:塗膜的形成)
首先,將液晶配向劑塗佈於基板上,較佳為對塗佈面進行加熱,藉此於基板上形成塗膜。作為基板,例如可使用:浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃;包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚(脂環式烯烴)等塑膠的透明基板。作為設置於基板的其中一面上的透明導電膜,可使用包含氧化錫(SnO2 )的奈塞(NESA)膜(美國PPG公司註冊商標)、包含氧化銦-氧化錫(In2 O3 -SnO2 )的ITO膜等。於製造TN型、STN型或VA型的液晶元件的情況下,使用兩片設置有經圖案化的透明導電膜的基板。另一方面,於製造IPS型或FFS型的液晶元件的情況下,使用設置有包含經圖案化為梳齒型的透明導電膜或金屬膜的電極的基板、與並未設置電極的相向基板。作為金屬膜,例如可使用包含鉻等金屬的膜。對基板塗佈液晶配向劑是於電極形成面上較佳為藉由平板印刷(offset printing)法、旋塗法、輥塗佈機法、柔版印刷法或噴墨印刷法進行。
首先,將液晶配向劑塗佈於基板上,較佳為對塗佈面進行加熱,藉此於基板上形成塗膜。作為基板,例如可使用:浮法玻璃、鈉玻璃等玻璃;包含聚對苯二甲酸乙二酯、聚對苯二甲酸丁二酯、聚醚碸、聚碳酸酯、聚(脂環式烯烴)等塑膠的透明基板。作為設置於基板的其中一面上的透明導電膜,可使用包含氧化錫(SnO2 )的奈塞(NESA)膜(美國PPG公司註冊商標)、包含氧化銦-氧化錫(In2 O3 -SnO2 )的ITO膜等。於製造TN型、STN型或VA型的液晶元件的情況下,使用兩片設置有經圖案化的透明導電膜的基板。另一方面,於製造IPS型或FFS型的液晶元件的情況下,使用設置有包含經圖案化為梳齒型的透明導電膜或金屬膜的電極的基板、與並未設置電極的相向基板。作為金屬膜,例如可使用包含鉻等金屬的膜。對基板塗佈液晶配向劑是於電極形成面上較佳為藉由平板印刷(offset printing)法、旋塗法、輥塗佈機法、柔版印刷法或噴墨印刷法進行。
塗佈液晶配向劑後,出於防止所塗佈的液晶配向劑的滴液等目的,較佳為實施預加熱(預烘烤)。預烘烤溫度較佳為30℃~200℃,預烘烤時間較佳為0.25分鐘~10分鐘。其後,出於將溶劑完全除去、視需要將聚合體所具有的醯胺酸結構加以熱醯亞胺化的目的而實施煆燒(後烘烤)步驟。煆燒溫度(後烘烤溫度)較佳為80℃~300℃,後烘烤時間較佳為5分鐘~200分鐘。如此形成的膜的膜厚較佳為0.001 μm~1 μm。將液晶配向劑塗佈於基板上之後,將有機溶媒去除,藉此形成液晶配向膜或者成為液晶配向膜的塗膜。
(步驟2:配向處理)
於製造TN型、STN型、IPS型或FFS型的液晶顯示元件的情況下,實施對所述步驟1中形成的塗膜賦予液晶配向能力的處理(配向處理)。藉此,對塗膜賦予液晶分子的配向能力而成為液晶配向膜。作為配向處理,可列舉:利用捲繞有包含例如尼龍(nylon)、嫘縈(rayon)、棉(cotton)等纖維的布的輥對塗膜朝一定方向進行摩擦的摩擦處理;或對使用液晶配向劑形成於基板上的塗膜進行光照射而對塗膜賦予液晶配向能力的光配向處理等。另一方面,於製造垂直配向型的液晶元件的情況下,可將所述步驟1中形成的塗膜直接用作液晶配向膜,但亦可對該塗膜實施配向處理(摩擦處理、光配向處理等)。適合於垂直配向型液晶顯示元件的液晶配向劑亦可適宜地用於聚合物穩定配向(Polymer sustained alignment,PSA)型液晶顯示元件。
於製造TN型、STN型、IPS型或FFS型的液晶顯示元件的情況下,實施對所述步驟1中形成的塗膜賦予液晶配向能力的處理(配向處理)。藉此,對塗膜賦予液晶分子的配向能力而成為液晶配向膜。作為配向處理,可列舉:利用捲繞有包含例如尼龍(nylon)、嫘縈(rayon)、棉(cotton)等纖維的布的輥對塗膜朝一定方向進行摩擦的摩擦處理;或對使用液晶配向劑形成於基板上的塗膜進行光照射而對塗膜賦予液晶配向能力的光配向處理等。另一方面,於製造垂直配向型的液晶元件的情況下,可將所述步驟1中形成的塗膜直接用作液晶配向膜,但亦可對該塗膜實施配向處理(摩擦處理、光配向處理等)。適合於垂直配向型液晶顯示元件的液晶配向劑亦可適宜地用於聚合物穩定配向(Polymer sustained alignment,PSA)型液晶顯示元件。
(步驟3:液晶單元的構建)
準備2片以所述方式形成有液晶配向膜的基板,並將液晶配置於相向配置的2片基板之間,藉此製造液晶單元。製造液晶單元例如可列舉:(1)以使液晶配向膜相向的方式隔著間隙(間隔物(spacer))將2片基板相向配置,並使用密封劑將2片基板的周邊部貼合,將液晶注入填充於藉由基板表面及密封劑所劃分的單元間隙內,然後將注入孔密封的方法、(2)將密封劑塗佈於形成有液晶配向膜的其中一個基板上的規定位置,進而於液晶配向膜面上的規定幾個部位滴加液晶後,以使液晶配向膜相向的方式貼合另一個基板,並且將液晶按壓擴散至基板的整個面的方法(液晶滴注(one drop filling,ODF)方式)等。理想的是對於所製造的液晶單元,進而進行加熱直至所使用的液晶成為各向同性相的溫度,然後緩緩冷卻至室溫,藉此將液晶填充時的流動配向去除。
準備2片以所述方式形成有液晶配向膜的基板,並將液晶配置於相向配置的2片基板之間,藉此製造液晶單元。製造液晶單元例如可列舉:(1)以使液晶配向膜相向的方式隔著間隙(間隔物(spacer))將2片基板相向配置,並使用密封劑將2片基板的周邊部貼合,將液晶注入填充於藉由基板表面及密封劑所劃分的單元間隙內,然後將注入孔密封的方法、(2)將密封劑塗佈於形成有液晶配向膜的其中一個基板上的規定位置,進而於液晶配向膜面上的規定幾個部位滴加液晶後,以使液晶配向膜相向的方式貼合另一個基板,並且將液晶按壓擴散至基板的整個面的方法(液晶滴注(one drop filling,ODF)方式)等。理想的是對於所製造的液晶單元,進而進行加熱直至所使用的液晶成為各向同性相的溫度,然後緩緩冷卻至室溫,藉此將液晶填充時的流動配向去除。
作為密封劑,例如可使用含有硬化劑及作為間隔物的氧化鋁球的環氧樹脂等。作為間隔物,可使用光間隔物(photo spacer)、珠間隔物(beads spacer)等。作為液晶,可列舉向列液晶及層列液晶,其中較佳為向列液晶。另外,亦可於向列液晶或層列液晶中例如添加膽甾醇液晶(cholesteric liquid crystal)、手性試劑、鐵電性液晶(ferroelectric liquid crystal)等來使用。
接下來,視需要於液晶單元的外側表面貼合偏光板。作為偏光板,可列舉:以乙酸纖維素保護膜將一面使聚乙烯醇延伸配向一面使其吸收碘而成的被稱為「H膜」的偏光膜夾持所得的偏光板、或包含H膜本身的偏光板。如此,獲得液晶顯示元件。
[實施例]
[實施例]
以下,基於實施例,對實施形態進行更詳細的說明,但並不藉由以下的實施例來限定性地解釋本發明。
以下的例子中,藉由以下方法測定聚合體的重量平均分子量Mw、聚合體溶液中的聚醯亞胺的醯亞胺化率、聚合體溶液的溶液黏度、及環氧當量。以下的實施例中所使用的原料化合物及聚合體的必要量藉由視需要重覆進行下述合成例中所示的合成規模下的合成來確保。
[聚合體的重量平均分子量Mw]
重量平均分子量Mw是藉由以下條件下的GPC而測定的聚苯乙烯換算值。
管柱:東曹(股)製造的TSKgelGRCXLII
溶劑:四氫呋喃、或含溴化鋰及磷酸的N,N-二甲基甲醯胺溶液
溫度:40℃
壓力:68 kgf/cm2
[聚醯亞胺的醯亞胺化率]
將聚醯亞胺的溶液投入至純水中,將所獲得的沈澱於室溫下進行充分減壓乾燥後,溶解於氘化二甲基亞碸中,以四甲基矽烷為基準物質,於室溫下測定1 H-核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)。根據所得的1 H-NMR光譜,藉由下述數式(1)求出醯亞胺化率[%]。
醯亞胺化率[%]=(1-(A1 /(A2 ×α)))×100 ···(1)
(數式(1)中,A1 為於化學位移10 ppm附近出現的源自NH基的質子的波峰面積,A2 為源自其他質子的波峰面積,α為聚合體的前驅物(聚醯胺酸)中的相對於NH基的一個質子而言的其他質子的個數比例)
[聚合體溶液的溶液黏度]
聚合體溶液的溶液黏度(mPa·s)是使用E型旋轉黏度計於25℃下進行測定。
[環氧當量]
環氧當量是藉由日本工業標準(Japanese Industrial Standards,JIS)C 2105中記載的鹽酸-甲基乙基酮法進行測定。
重量平均分子量Mw是藉由以下條件下的GPC而測定的聚苯乙烯換算值。
管柱:東曹(股)製造的TSKgelGRCXLII
溶劑:四氫呋喃、或含溴化鋰及磷酸的N,N-二甲基甲醯胺溶液
溫度:40℃
壓力:68 kgf/cm2
[聚醯亞胺的醯亞胺化率]
將聚醯亞胺的溶液投入至純水中,將所獲得的沈澱於室溫下進行充分減壓乾燥後,溶解於氘化二甲基亞碸中,以四甲基矽烷為基準物質,於室溫下測定1 H-核磁共振(Nuclear Magnetic Resonance,NMR)。根據所得的1 H-NMR光譜,藉由下述數式(1)求出醯亞胺化率[%]。
醯亞胺化率[%]=(1-(A1 /(A2 ×α)))×100 ···(1)
(數式(1)中,A1 為於化學位移10 ppm附近出現的源自NH基的質子的波峰面積,A2 為源自其他質子的波峰面積,α為聚合體的前驅物(聚醯胺酸)中的相對於NH基的一個質子而言的其他質子的個數比例)
[聚合體溶液的溶液黏度]
聚合體溶液的溶液黏度(mPa·s)是使用E型旋轉黏度計於25℃下進行測定。
[環氧當量]
環氧當量是藉由日本工業標準(Japanese Industrial Standards,JIS)C 2105中記載的鹽酸-甲基乙基酮法進行測定。
化合物的略號如以下所述。再者,以下有時將式(DA-X)所表示的化合物(其中X為1~8的整數)簡單表示為「化合物(DA-X)」。
[化4]
[化5]
[化4]
[化5]
<聚合體的合成>
[合成例1:聚醯亞胺(PI-1)的合成]
將作為四羧酸二酐的2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐(TCA)22.4 g(0.1莫耳)、作為二胺的對苯二胺(PDA)8.6 g(0.08莫耳)、及3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷基酯10.5 g(0.02莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)166 g中,於60℃下進行6小時反應,獲得含有20質量%的聚醯胺酸的溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為90 mPa·s。
繼而,於所獲得的聚醯胺酸溶液中追加NMP而製成聚醯胺酸濃度為7質量%的溶液,並添加吡啶11.9 g及乙酸酐15.3 g,於110℃下進行4小時脫水閉環反應。於脫水閉環反應後,利用新的NMP對系統內的溶媒進行溶媒置換(藉由本操作而將脫水閉環反應中所使用的吡啶及乙酸酐去除至系統外。下同),藉此獲得含有醯亞胺化率約為68%的聚醯亞胺(PI-1)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為45 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-1)。
[合成例1:聚醯亞胺(PI-1)的合成]
將作為四羧酸二酐的2,3,5-三羧基環戊基乙酸二酐(TCA)22.4 g(0.1莫耳)、作為二胺的對苯二胺(PDA)8.6 g(0.08莫耳)、及3,5-二胺基苯甲酸膽甾烷基酯10.5 g(0.02莫耳)溶解於N-甲基-2-吡咯啶酮(NMP)166 g中,於60℃下進行6小時反應,獲得含有20質量%的聚醯胺酸的溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為90 mPa·s。
繼而,於所獲得的聚醯胺酸溶液中追加NMP而製成聚醯胺酸濃度為7質量%的溶液,並添加吡啶11.9 g及乙酸酐15.3 g,於110℃下進行4小時脫水閉環反應。於脫水閉環反應後,利用新的NMP對系統內的溶媒進行溶媒置換(藉由本操作而將脫水閉環反應中所使用的吡啶及乙酸酐去除至系統外。下同),藉此獲得含有醯亞胺化率約為68%的聚醯亞胺(PI-1)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為45 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-1)。
[合成例2:聚醯亞胺(PI-2)的合成]
將作為四羧酸二酐的TCA 110 g(0.50莫耳)及1,3,3a,4,5,9b-六氫-8-甲基-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮160 g(0.50莫耳),作為二胺的PDA 91 g(0.85莫耳)、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷25 g(0.10莫耳)、及3,6-雙(4-胺基苯甲醯基氧基)膽甾烷25 g(0.040莫耳)、以及作為單胺的苯胺1.4 g(0.015莫耳)溶解於NMP 960 g中,於60℃下進行6小時反應,藉此獲得含有聚醯胺酸的溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為60 mPa·s。
繼而,於所獲得的聚醯胺酸溶液中追加NMP 2,700 g,添加吡啶390 g及乙酸酐410 g,於110℃下進行4小時脫水閉環反應。於脫水閉環反應後,利用新的γ-丁內酯(GBL)對系統內的溶媒進行溶媒置換,藉此獲得含有醯亞胺化率約為95%的聚醯亞胺(PI-2)15質量%的溶液約2,500 g。分取少量該溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為70 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-2)。
將作為四羧酸二酐的TCA 110 g(0.50莫耳)及1,3,3a,4,5,9b-六氫-8-甲基-5-(四氫-2,5-二氧代-3-呋喃基)萘并[1,2-c]呋喃-1,3-二酮160 g(0.50莫耳),作為二胺的PDA 91 g(0.85莫耳)、1,3-雙(3-胺基丙基)四甲基二矽氧烷25 g(0.10莫耳)、及3,6-雙(4-胺基苯甲醯基氧基)膽甾烷25 g(0.040莫耳)、以及作為單胺的苯胺1.4 g(0.015莫耳)溶解於NMP 960 g中,於60℃下進行6小時反應,藉此獲得含有聚醯胺酸的溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為60 mPa·s。
繼而,於所獲得的聚醯胺酸溶液中追加NMP 2,700 g,添加吡啶390 g及乙酸酐410 g,於110℃下進行4小時脫水閉環反應。於脫水閉環反應後,利用新的γ-丁內酯(GBL)對系統內的溶媒進行溶媒置換,藉此獲得含有醯亞胺化率約為95%的聚醯亞胺(PI-2)15質量%的溶液約2,500 g。分取少量該溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為70 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-2)。
[合成例3:聚醯亞胺(PI-3)的合成]
將所使用的二胺變更為3,5-二胺基苯甲酸0.08莫耳及膽甾烷氧基-2,4-二胺基苯0.02莫耳,除此以外,藉由與所述合成例1相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為80 mPa·s。繼而,藉由與所述合成例1相同的方法進行醯亞胺化,獲得含有醯亞胺化率約為65%的聚醯亞胺(PI-3)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為40 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-3)。
將所使用的二胺變更為3,5-二胺基苯甲酸0.08莫耳及膽甾烷氧基-2,4-二胺基苯0.02莫耳,除此以外,藉由與所述合成例1相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為80 mPa·s。繼而,藉由與所述合成例1相同的方法進行醯亞胺化,獲得含有醯亞胺化率約為65%的聚醯亞胺(PI-3)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為40 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-3)。
[合成例4:聚醯亞胺(PI-4)的合成]
將所使用的二胺變更為4,4'-二胺基二苯基甲烷0.06莫耳、化合物(DA-1)0.02莫耳、及化合物(DA-2)0.02莫耳,除此以外,藉由與所述合成例1相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為60 mPa·s。繼而,藉由與所述合成例1相同的方法進行醯亞胺化,獲得含有醯亞胺化率約為65%的聚醯亞胺(PI-4)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為33 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-4)。
將所使用的二胺變更為4,4'-二胺基二苯基甲烷0.06莫耳、化合物(DA-1)0.02莫耳、及化合物(DA-2)0.02莫耳,除此以外,藉由與所述合成例1相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為60 mPa·s。繼而,藉由與所述合成例1相同的方法進行醯亞胺化,獲得含有醯亞胺化率約為65%的聚醯亞胺(PI-4)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為33 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-4)。
[合成例5:聚醯亞胺(PI-5)的合成]
將所使用的四羧酸二酐變更為1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐0.08莫耳及均苯四甲酸二酐0.02莫耳,並且將所使用的二胺變更為4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯(化合物(DA-3))0.098莫耳、及化合物(DA-4)0.002莫耳,除此以外,藉由與所述合成例1相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為80 mPa·s。繼而,藉由與所述合成例1相同的方法進行醯亞胺化,獲得含有醯亞胺化率約為65%的聚醯亞胺(PI-5)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為50 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-5)。
將所使用的四羧酸二酐變更為1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐0.08莫耳及均苯四甲酸二酐0.02莫耳,並且將所使用的二胺變更為4-胺基苯基-4-胺基苯甲酸酯(化合物(DA-3))0.098莫耳、及化合物(DA-4)0.002莫耳,除此以外,藉由與所述合成例1相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為80 mPa·s。繼而,藉由與所述合成例1相同的方法進行醯亞胺化,獲得含有醯亞胺化率約為65%的聚醯亞胺(PI-5)26質量%的溶液。分取少量所獲得的聚醯亞胺溶液,添加NMP而製成聚醯亞胺濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為50 mPa·s。繼而,將反應溶液注入至大量過剩的甲醇中,使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯亞胺(PI-5)。
[合成例6:聚醯胺酸(PA-1)的合成]
將作為四羧酸二酐的1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(CB)200 g(1.0莫耳)、作為二胺的2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯210 g(1.0莫耳)溶解於NMP 370 g及γ-丁內酯(GBL)3,300 g的混合溶媒中,於40℃下進行3小時反應,獲得固體成分濃度為10質量%、溶液黏度為160 mPa·s的聚醯胺酸溶液。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-1)。
將作為四羧酸二酐的1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐(CB)200 g(1.0莫耳)、作為二胺的2,2'-二甲基-4,4'-二胺基聯苯210 g(1.0莫耳)溶解於NMP 370 g及γ-丁內酯(GBL)3,300 g的混合溶媒中,於40℃下進行3小時反應,獲得固體成分濃度為10質量%、溶液黏度為160 mPa·s的聚醯胺酸溶液。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-1)。
[合成例7:聚醯胺酸(PA-2)的合成]
將作為四羧酸二酐的TCA 7.0 g(0.031莫耳)、作為二胺的化合物(DA-5)13 g(相對於TCA 1莫耳而相當於1莫耳)溶解於NMP 80 g中,於60℃下進行4小時反應,藉此獲得含有20質量%的聚醯胺酸(PA-2)的溶液。該聚醯胺酸溶液的溶液黏度為2,000 mPa·s。再者,依照日本專利特開2011-100099號公報的記載而合成化合物(DA-5)。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-2)。
將作為四羧酸二酐的TCA 7.0 g(0.031莫耳)、作為二胺的化合物(DA-5)13 g(相對於TCA 1莫耳而相當於1莫耳)溶解於NMP 80 g中,於60℃下進行4小時反應,藉此獲得含有20質量%的聚醯胺酸(PA-2)的溶液。該聚醯胺酸溶液的溶液黏度為2,000 mPa·s。再者,依照日本專利特開2011-100099號公報的記載而合成化合物(DA-5)。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-2)。
[合成例8:聚醯胺酸(PA-3)的合成]
將所使用的二胺變更為1,3-雙(4-胺基苯乙基)脲(化合物(DA-6))0.7莫耳、及化合物(DA-7)0.3莫耳,除此以外,藉由與所述合成例6相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為100 mPa·s。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-3)。
將所使用的二胺變更為1,3-雙(4-胺基苯乙基)脲(化合物(DA-6))0.7莫耳、及化合物(DA-7)0.3莫耳,除此以外,藉由與所述合成例6相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為100 mPa·s。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-3)。
[合成例9:聚醯胺酸(PA-4)的合成]
將所使用的四羧酸二酐變更為1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐1.0莫耳,並且將所使用的二胺變更為對苯二胺0.3莫耳、化合物(DA-7)0.2莫耳、及1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷0.5莫耳,除此以外,藉由與所述合成例6相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為90 mPa·s。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-4)。
將所使用的四羧酸二酐變更為1,3-二甲基-1,2,3,4-環丁烷四羧酸二酐1.0莫耳,並且將所使用的二胺變更為對苯二胺0.3莫耳、化合物(DA-7)0.2莫耳、及1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷0.5莫耳,除此以外,藉由與所述合成例6相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為90 mPa·s。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-4)。
[合成例10:聚醯胺酸(PA-5)的合成]
將所使用的二胺變更為2,4-二胺基-N,N-二烯丙基苯胺0.2莫耳、4,4'-二胺基二苯基胺0.2莫耳、及4,4'-二胺基二苯基甲烷0.6莫耳,除此以外,藉由與所述合成例6相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為95 mPa·s。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-5)。
將所使用的二胺變更為2,4-二胺基-N,N-二烯丙基苯胺0.2莫耳、4,4'-二胺基二苯基胺0.2莫耳、及4,4'-二胺基二苯基甲烷0.6莫耳,除此以外,藉由與所述合成例6相同的方法而獲得聚醯胺酸溶液。分取少量所獲得的聚醯胺酸溶液,添加NMP而製成聚醯胺酸濃度為10質量%的溶液,測定出的溶液黏度為95 mPa·s。繼而,將該聚醯胺酸溶液注入至大量過剩的甲醇中並使反應產物沈澱。利用甲醇對該沈澱物進行清洗,並於減壓下以40℃乾燥15小時,藉此獲得聚醯胺酸(PA-5)。
[合成例11:聚醯胺酸酯(PAE-1)的合成]
將2,4-雙(甲氧基羰基)-1,3-二甲基環丁烷-1,3-二羧酸0.035莫耳添加於亞硫醯氯20 ml中,添加觸媒量的N,N-二甲基甲醯胺,然後於80℃下攪拌1小時。然後,將反應液濃縮,將殘留物溶解於γ-丁內酯(GBL)113 g中(將該溶液設為反應液A)。另行將對苯二胺0.01莫耳、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷0.01莫耳、及化合物(DA-8)0.014莫耳添加於吡啶6.9 g、NMP 44.5 g及GBL 33.5 g中使其溶解,並將其冷卻至0℃。繼而,花1小時向該溶液中緩緩滴加反應液A,滴加結束後,於室溫下攪拌4小時。一面攪拌一面將所獲得的聚醯胺酸酯的溶液滴加至800 ml的純水中,過濾所析出的沈澱物。接下來,利用400 ml的異丙醇(IPA)清洗5次,並加以乾燥,藉此獲得聚合物粉末15.5 g。所獲得的聚醯胺酸酯(PAE-1)的重量平均分子量Mw為34,000。
將2,4-雙(甲氧基羰基)-1,3-二甲基環丁烷-1,3-二羧酸0.035莫耳添加於亞硫醯氯20 ml中,添加觸媒量的N,N-二甲基甲醯胺,然後於80℃下攪拌1小時。然後,將反應液濃縮,將殘留物溶解於γ-丁內酯(GBL)113 g中(將該溶液設為反應液A)。另行將對苯二胺0.01莫耳、1,2-雙(4-胺基苯氧基)乙烷0.01莫耳、及化合物(DA-8)0.014莫耳添加於吡啶6.9 g、NMP 44.5 g及GBL 33.5 g中使其溶解,並將其冷卻至0℃。繼而,花1小時向該溶液中緩緩滴加反應液A,滴加結束後,於室溫下攪拌4小時。一面攪拌一面將所獲得的聚醯胺酸酯的溶液滴加至800 ml的純水中,過濾所析出的沈澱物。接下來,利用400 ml的異丙醇(IPA)清洗5次,並加以乾燥,藉此獲得聚合物粉末15.5 g。所獲得的聚醯胺酸酯(PAE-1)的重量平均分子量Mw為34,000。
[合成例12:聚有機矽氧烷(APS-1)的合成]
於具備攪拌機、溫度計、滴加漏斗及回流冷卻管的反應容器中添加2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷100.0 g、甲基異丁基酮500 g及三乙胺10.0 g,於室溫下混合。繼而,花30分鐘自滴加漏斗滴加去離子水100 g後,一面於回流下進行攪拌,一面於80℃下進行6小時反應。反應結束後,取出有機層,藉由0.2質量%的硝酸銨水溶液清洗至清洗後的水成為中性為止,然後於減壓下蒸餾去除溶媒及水,藉此,以黏稠的透明液體形式獲得反應性聚有機矽氧烷(EPS-1)。對該反應性聚有機矽氧烷(EPS-1)進行1 H-NMR分析,結果,於化學位移(δ)=3.2 ppm附近獲得了與理論強度一致的基於環氧基的峰值,從而確認到於反應中未發生環氧基的副反應。所獲得的反應性聚有機矽氧烷的重量平均分子量Mw為3,500,環氧當量為180 g/莫耳。
繼而,於200 mL的三口燒瓶中添加反應性聚有機矽氧烷(EPS-1)10.0 g、作為溶媒的甲基異丁基酮30.28 g、作為反應性化合物的4-(十二烷氧基)苯甲酸3.98 g、及作為觸媒的UCAT 18X(商品名,三亞普羅(San-Apro)(股)製造)0.10 g,於100℃下48小時攪拌下進行反應。反應結束後,於反應混合物中添加乙酸乙酯,將所獲得的溶液水洗3次,使用硫酸鎂將有機層乾燥後,蒸餾去除溶劑,藉此獲得液晶配向性聚有機矽氧烷(APS-1)9.0 g。所獲得的聚合體的重量平均分子量Mw為9,900。
於具備攪拌機、溫度計、滴加漏斗及回流冷卻管的反應容器中添加2-(3,4-環氧環己基)乙基三甲氧基矽烷100.0 g、甲基異丁基酮500 g及三乙胺10.0 g,於室溫下混合。繼而,花30分鐘自滴加漏斗滴加去離子水100 g後,一面於回流下進行攪拌,一面於80℃下進行6小時反應。反應結束後,取出有機層,藉由0.2質量%的硝酸銨水溶液清洗至清洗後的水成為中性為止,然後於減壓下蒸餾去除溶媒及水,藉此,以黏稠的透明液體形式獲得反應性聚有機矽氧烷(EPS-1)。對該反應性聚有機矽氧烷(EPS-1)進行1 H-NMR分析,結果,於化學位移(δ)=3.2 ppm附近獲得了與理論強度一致的基於環氧基的峰值,從而確認到於反應中未發生環氧基的副反應。所獲得的反應性聚有機矽氧烷的重量平均分子量Mw為3,500,環氧當量為180 g/莫耳。
繼而,於200 mL的三口燒瓶中添加反應性聚有機矽氧烷(EPS-1)10.0 g、作為溶媒的甲基異丁基酮30.28 g、作為反應性化合物的4-(十二烷氧基)苯甲酸3.98 g、及作為觸媒的UCAT 18X(商品名,三亞普羅(San-Apro)(股)製造)0.10 g,於100℃下48小時攪拌下進行反應。反應結束後,於反應混合物中添加乙酸乙酯,將所獲得的溶液水洗3次,使用硫酸鎂將有機層乾燥後,蒸餾去除溶劑,藉此獲得液晶配向性聚有機矽氧烷(APS-1)9.0 g。所獲得的聚合體的重量平均分子量Mw為9,900。
[實施例1]
1. 液晶配向劑的製備
向所述合成例1中所獲得的聚醯亞胺(PI-1)中添加苯甲醚(化合物a)及丁基溶纖劑(BC),製成聚合體濃度為3.5質量%、溶劑的混合比為化合物a:BC=70:30(質量比)的溶液。將該溶液充分攪拌後,利用孔徑為0.2 μm的過濾器進行過濾,藉此製備液晶配向劑(S-1)。再者,液晶配向劑(S-1)主要用於製造垂直配向型的液晶顯示元件。
1. 液晶配向劑的製備
向所述合成例1中所獲得的聚醯亞胺(PI-1)中添加苯甲醚(化合物a)及丁基溶纖劑(BC),製成聚合體濃度為3.5質量%、溶劑的混合比為化合物a:BC=70:30(質量比)的溶液。將該溶液充分攪拌後,利用孔徑為0.2 μm的過濾器進行過濾,藉此製備液晶配向劑(S-1)。再者,液晶配向劑(S-1)主要用於製造垂直配向型的液晶顯示元件。
2. 塗佈均勻性的評價
使用旋轉器將所述1.中製備的液晶配向劑(S-1)塗佈於玻璃基板上,利用80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤後,於對腔內進行了氮氣置換的200℃的烘箱中加熱(後烘烤)1小時,藉此形成平均膜厚為0.1 μm的塗膜。利用原子力顯微鏡(atomic force microscope,AFM)對所獲得的塗膜的表面進行觀察,測定中心平均粗糙度(Ra),並評價塗膜表面的均勻性。將Ra為5 nm以下的情況評價為塗佈均勻性「良好(○)」,將大於5 nm且未滿10 nm的情況評價為「可(△)」,將10 nm以上的情況評價為「不良(×)」。結果,本實施例中為「良好」的評價。
使用旋轉器將所述1.中製備的液晶配向劑(S-1)塗佈於玻璃基板上,利用80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤後,於對腔內進行了氮氣置換的200℃的烘箱中加熱(後烘烤)1小時,藉此形成平均膜厚為0.1 μm的塗膜。利用原子力顯微鏡(atomic force microscope,AFM)對所獲得的塗膜的表面進行觀察,測定中心平均粗糙度(Ra),並評價塗膜表面的均勻性。將Ra為5 nm以下的情況評價為塗佈均勻性「良好(○)」,將大於5 nm且未滿10 nm的情況評價為「可(△)」,將10 nm以上的情況評價為「不良(×)」。結果,本實施例中為「良好」的評價。
3. 對微細凹凸表面的塗佈性評價
使用圖1(a)及圖1(b)所示的評價用ITO電極基板10,評價液晶配向劑對微細凹凸表面的塗佈性。作為評價用ITO電極基板10,使用於玻璃基板11的其中一個表面,空開規定間隔而配置有多個條紋形狀的ITO電極12者(參照圖1(a)及圖1(b))。再者,電極寬度A設為50 μm,電極間距離B設為2 μm,電極高度C設為0.2 μm。使用潤濕性評價裝置LSE-A100T(尼克(NIC)公司製造),於該評價用ITO電極基板10的電極形成面上滴加液晶配向劑(S-1),評價對基板的凹凸表面的融合容易度。此時,可以說,相對於液量而言的液滴的潤濕擴展面積S(mm2 /μL)越大,則液滴的潤濕擴展越大,液晶配向劑對微細凹凸表面的塗佈性越良好。
評價時,將面積S為15 mm2 /μL以上的情況評價為「非常良好(○○)」,將面積S為10 mm2 /μL以上且未滿15 mm2 /μL的情況評價為「良好(○)」,將面積S大於5 mm2 /μL且未滿10 mm2 /μL的情況評價為「可(△)」,將面積S為5 mm2 /μL以下的情況評價為「不良(×)」。結果,本實施例中面積S為10 mm2 /μL,對微細凹凸表面的塗佈性判斷為「良好」。
使用圖1(a)及圖1(b)所示的評價用ITO電極基板10,評價液晶配向劑對微細凹凸表面的塗佈性。作為評價用ITO電極基板10,使用於玻璃基板11的其中一個表面,空開規定間隔而配置有多個條紋形狀的ITO電極12者(參照圖1(a)及圖1(b))。再者,電極寬度A設為50 μm,電極間距離B設為2 μm,電極高度C設為0.2 μm。使用潤濕性評價裝置LSE-A100T(尼克(NIC)公司製造),於該評價用ITO電極基板10的電極形成面上滴加液晶配向劑(S-1),評價對基板的凹凸表面的融合容易度。此時,可以說,相對於液量而言的液滴的潤濕擴展面積S(mm2 /μL)越大,則液滴的潤濕擴展越大,液晶配向劑對微細凹凸表面的塗佈性越良好。
評價時,將面積S為15 mm2 /μL以上的情況評價為「非常良好(○○)」,將面積S為10 mm2 /μL以上且未滿15 mm2 /μL的情況評價為「良好(○)」,將面積S大於5 mm2 /μL且未滿10 mm2 /μL的情況評價為「可(△)」,將面積S為5 mm2 /μL以下的情況評價為「不良(×)」。結果,本實施例中面積S為10 mm2 /μL,對微細凹凸表面的塗佈性判斷為「良好」。
4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造
於一對(2片)帶包含ITO膜的透明電極的玻璃基板上使用旋轉器塗佈液晶配向劑(S-1),利用80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤。其後,於置換為氮氣的烘箱中,以200℃加熱(後烘烤)1小時而將溶媒去除,形成膜厚0.08 μm的塗膜(液晶配向膜)。對於該塗膜,利用具有捲繞有嫘縈布的輥的摩擦機器,以輥轉速400 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.1 mm來進行摩擦處理。然後,於超純水中進行1分鐘超音波清洗,繼而,於100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘,藉此獲得具有液晶配向膜的基板。重覆進行該操作,獲得一對(2片)具有液晶配向膜的基板。再者,所述摩擦處理是出於控制液晶的倒塌,並以簡易的方法來進行配向分割的目的而進行的弱的摩擦處理。
藉由網版印刷將加入有直徑3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑塗佈於所述基板中的1片基板的具有液晶配向膜的面的外周,然後使一對基板的液晶配向膜面相向,將其重疊並進行壓接,於150℃下加熱1小時而使接著劑熱硬化。繼而,自液晶注入口於基板的間隙中填充負型液晶(默克(Merck)製造的MLC-6608)後,利用環氧系接著劑將液晶注入口密封,進而,為了去除液晶注入時的流動配向,將其以150℃加熱10分鐘後緩緩冷卻至室溫。進而,以2片偏光板的偏光方向彼此正交的方式將偏光板貼合於基板的外側兩面,藉此製造液晶顯示元件。
於一對(2片)帶包含ITO膜的透明電極的玻璃基板上使用旋轉器塗佈液晶配向劑(S-1),利用80℃的加熱板進行1分鐘預烘烤。其後,於置換為氮氣的烘箱中,以200℃加熱(後烘烤)1小時而將溶媒去除,形成膜厚0.08 μm的塗膜(液晶配向膜)。對於該塗膜,利用具有捲繞有嫘縈布的輥的摩擦機器,以輥轉速400 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.1 mm來進行摩擦處理。然後,於超純水中進行1分鐘超音波清洗,繼而,於100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘,藉此獲得具有液晶配向膜的基板。重覆進行該操作,獲得一對(2片)具有液晶配向膜的基板。再者,所述摩擦處理是出於控制液晶的倒塌,並以簡易的方法來進行配向分割的目的而進行的弱的摩擦處理。
藉由網版印刷將加入有直徑3.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑塗佈於所述基板中的1片基板的具有液晶配向膜的面的外周,然後使一對基板的液晶配向膜面相向,將其重疊並進行壓接,於150℃下加熱1小時而使接著劑熱硬化。繼而,自液晶注入口於基板的間隙中填充負型液晶(默克(Merck)製造的MLC-6608)後,利用環氧系接著劑將液晶注入口密封,進而,為了去除液晶注入時的流動配向,將其以150℃加熱10分鐘後緩緩冷卻至室溫。進而,以2片偏光板的偏光方向彼此正交的方式將偏光板貼合於基板的外側兩面,藉此製造液晶顯示元件。
5. 相對於後烘烤的溫度不均而言的預傾角的偏差特性(後烘烤裕度)的評價
按照所述4.的方法,分別測定於不同的後烘烤溫度(120℃、180℃及230℃)下製作液晶配向膜而獲得的液晶顯示元件的預傾角。將230℃的測定值設為基準預傾角θp,根據基準預傾角θp與測定值θa的差Δθ(=|θp-θa|)來評價相對於後烘烤的溫度不均而言的預傾角的偏差特性。再者,可以說,Δθ越小則相對於溫度不均而言的預傾角的偏差越小而越優異。預傾角的測定中,將依據非專利文獻(T.J.謝弗等人(T.J. Scheffer et. al.)應用物理雜誌(J. Appl. Phys.)第19卷第2013頁(vo. 19, p. 2013)(1980))中記載的方法,藉由使用He-Ne雷射光的結晶旋轉法測定出的液晶分子相對於基板面的傾斜角的值設為預傾角[°]。評價時,將Δθ為0.2°以下的情況設為「良好(○)」,將大於0.2°且小於0.5°的情況設為「可(△)」,將0.5°以上的情況設為「不良(×)」。結果,該實施例中,於將後烘烤溫度設為180℃的情況下為後烘烤裕度「良好」的評價,於設為120℃的情況下為「可」的評價。
按照所述4.的方法,分別測定於不同的後烘烤溫度(120℃、180℃及230℃)下製作液晶配向膜而獲得的液晶顯示元件的預傾角。將230℃的測定值設為基準預傾角θp,根據基準預傾角θp與測定值θa的差Δθ(=|θp-θa|)來評價相對於後烘烤的溫度不均而言的預傾角的偏差特性。再者,可以說,Δθ越小則相對於溫度不均而言的預傾角的偏差越小而越優異。預傾角的測定中,將依據非專利文獻(T.J.謝弗等人(T.J. Scheffer et. al.)應用物理雜誌(J. Appl. Phys.)第19卷第2013頁(vo. 19, p. 2013)(1980))中記載的方法,藉由使用He-Ne雷射光的結晶旋轉法測定出的液晶分子相對於基板面的傾斜角的值設為預傾角[°]。評價時,將Δθ為0.2°以下的情況設為「良好(○)」,將大於0.2°且小於0.5°的情況設為「可(△)」,將0.5°以上的情況設為「不良(×)」。結果,該實施例中,於將後烘烤溫度設為180℃的情況下為後烘烤裕度「良好」的評價,於設為120℃的情況下為「可」的評價。
6. 耐邊框不均性的評價
按照所述4.的方法,使用液晶配向劑(S-1)來製造垂直配向型液晶顯示元件。將所獲得的垂直配向型液晶顯示元件於25℃、50%RH的條件下保管30天,然後以交流電壓5 V進行驅動,觀察點亮狀態。評價時,若於密封劑周邊未視覺識別到亮度差(更黑或更白),則設為「非常良好(○○)」,若視覺識別到亮度差(更黑或更白)但點亮後10分鐘以內亮度差消失,則設為「良好(○)」,若點亮後10分鐘以內亮度差未消失但點亮後20分鐘以內亮度差消失,則設為「可(△)」,將經過20分鐘後仍視覺識別到亮度差的情況設為「不良(×)」。結果,該液晶顯示元件判斷為「可」。
按照所述4.的方法,使用液晶配向劑(S-1)來製造垂直配向型液晶顯示元件。將所獲得的垂直配向型液晶顯示元件於25℃、50%RH的條件下保管30天,然後以交流電壓5 V進行驅動,觀察點亮狀態。評價時,若於密封劑周邊未視覺識別到亮度差(更黑或更白),則設為「非常良好(○○)」,若視覺識別到亮度差(更黑或更白)但點亮後10分鐘以內亮度差消失,則設為「良好(○)」,若點亮後10分鐘以內亮度差未消失但點亮後20分鐘以內亮度差消失,則設為「可(△)」,將經過20分鐘後仍視覺識別到亮度差的情況設為「不良(×)」。結果,該液晶顯示元件判斷為「可」。
7. AC殘像特性的評價
除了將電極結構設為能夠將電壓的施加/不施加切換為另一個的兩系統的ITO電極(電極1及電極2)的方面、以及未貼合偏光板的方面以外,利用與所述4.相同的方法製作評價用液晶單元。於60℃的條件下放置該評價用液晶單元,不對電極2施加電壓,對電極1施加10 V的交流電壓300小時。於經過300小時後,立即對電極1及電極2兩者施加交流3 V的電壓,測定兩電極間的透光率的差ΔT[%]。此時,將ΔT未滿2%的情況評價為AC殘像特性「良好(○)」,將2%以上且未滿3%的情況評價為「可(△)」,將3%以上的情況評價為「不良(×)」。結果,該實施例中為「良好」的評價。
除了將電極結構設為能夠將電壓的施加/不施加切換為另一個的兩系統的ITO電極(電極1及電極2)的方面、以及未貼合偏光板的方面以外,利用與所述4.相同的方法製作評價用液晶單元。於60℃的條件下放置該評價用液晶單元,不對電極2施加電壓,對電極1施加10 V的交流電壓300小時。於經過300小時後,立即對電極1及電極2兩者施加交流3 V的電壓,測定兩電極間的透光率的差ΔT[%]。此時,將ΔT未滿2%的情況評價為AC殘像特性「良好(○)」,將2%以上且未滿3%的情況評價為「可(△)」,將3%以上的情況評價為「不良(×)」。結果,該實施例中為「良好」的評價。
8. DC殘像特性的評價
於60℃的條件下放置所述7.中製作的評價用液晶單元,對電極1施加直流0.5 V的電壓24小時,藉由閃爍消除法求出剛剛切斷直流電壓後電極1中殘留的電壓(殘留DC電壓)。此時,將殘留DC電壓未滿100 mV的情況評價為DC殘像特性「良好(○)」,將100 mV以上且未滿300 mV的情況評價為「可(△)」,將300 mV以上的情況評價為「不良(×)」。結果,該實施例中為「良好」的評價。
於60℃的條件下放置所述7.中製作的評價用液晶單元,對電極1施加直流0.5 V的電壓24小時,藉由閃爍消除法求出剛剛切斷直流電壓後電極1中殘留的電壓(殘留DC電壓)。此時,將殘留DC電壓未滿100 mV的情況評價為DC殘像特性「良好(○)」,將100 mV以上且未滿300 mV的情況評價為「可(△)」,將300 mV以上的情況評價為「不良(×)」。結果,該實施例中為「良好」的評價。
[實施例2~實施例4及比較例1~比較例5]
將配方組成分別設為如下述表1所記載般,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑。另外,使用所製備的液晶配向劑,與實施例1同樣地進行各種評價。評價結果示於下述表2。
將配方組成分別設為如下述表1所記載般,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑。另外,使用所製備的液晶配向劑,與實施例1同樣地進行各種評價。評價結果示於下述表2。
[實施例5]
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-5)。再者,液晶配向劑(S-5)主要用於製造水平配向型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-5)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-5)。再者,液晶配向劑(S-5)主要用於製造水平配向型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-5)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
3. 摩擦FFS型液晶顯示元件的製造
使用旋轉器將液晶配向劑(S-5)塗佈於在單面依次積層有平板電極(底電極)、絕緣層及梳齒狀電極(頂電極)的玻璃基板、與並未設置電極的相向玻璃基板的各自的面上,並利用80℃的加熱板加熱(預烘烤)1分鐘。然後,於對腔內進行了氮氣置換的200℃的烘箱中進行1小時乾燥(後烘烤),形成平均膜厚為0.08 μm的塗膜。繼而,對於塗膜表面,利用具有捲繞有嫘縈布的輥的摩擦機器,以輥轉速500 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.4 mm來進行摩擦處理。然後,於超純水中進行1分鐘超音波清洗,繼而於100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘,藉此獲得具有液晶配向膜的基板。
繼而,對於具有液晶配向膜的一對基板,於形成有液晶配向膜的面的緣部留出液晶注入口,將加入有直徑5.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑網版印刷塗佈。然後,將基板重疊並進行壓接,於150℃下花1小時使接著劑熱硬化。繼而,於一對基板之間自液晶注入口填充向列液晶(默克(Merck)公司製造的MLC-6221)後,利用環氧系接著劑將液晶注入口密封。進而,為了去除液晶注入時的流動配向,將其以120℃加熱後緩緩冷卻至室溫,從而製造液晶單元。再者,將一對基板重疊時,使各個基板的摩擦方向成為反平行。另外,以2片偏光板的偏光方向分別成為與摩擦方向平行的方向及正交的方向的方式將偏光板貼合。再者,關於頂電極,將電極的線寬設為4 μm,將電極間的距離設為6 μm。另外,頂電極是使用電極A、電極B、電極C及電極D的四系統的驅動電極。該情況下,底電極作為作用於四系統的驅動電極全部的共用電極而發揮作用,四系統的驅動電極的區域分別成為畫素區域。
4. 摩擦FFS型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.的方法製作的摩擦FFS型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-5),按照所述3.記載的方法製造摩擦FFS型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
使用旋轉器將液晶配向劑(S-5)塗佈於在單面依次積層有平板電極(底電極)、絕緣層及梳齒狀電極(頂電極)的玻璃基板、與並未設置電極的相向玻璃基板的各自的面上,並利用80℃的加熱板加熱(預烘烤)1分鐘。然後,於對腔內進行了氮氣置換的200℃的烘箱中進行1小時乾燥(後烘烤),形成平均膜厚為0.08 μm的塗膜。繼而,對於塗膜表面,利用具有捲繞有嫘縈布的輥的摩擦機器,以輥轉速500 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.4 mm來進行摩擦處理。然後,於超純水中進行1分鐘超音波清洗,繼而於100℃潔淨烘箱中乾燥10分鐘,藉此獲得具有液晶配向膜的基板。
繼而,對於具有液晶配向膜的一對基板,於形成有液晶配向膜的面的緣部留出液晶注入口,將加入有直徑5.5 μm的氧化鋁球的環氧樹脂接著劑網版印刷塗佈。然後,將基板重疊並進行壓接,於150℃下花1小時使接著劑熱硬化。繼而,於一對基板之間自液晶注入口填充向列液晶(默克(Merck)公司製造的MLC-6221)後,利用環氧系接著劑將液晶注入口密封。進而,為了去除液晶注入時的流動配向,將其以120℃加熱後緩緩冷卻至室溫,從而製造液晶單元。再者,將一對基板重疊時,使各個基板的摩擦方向成為反平行。另外,以2片偏光板的偏光方向分別成為與摩擦方向平行的方向及正交的方向的方式將偏光板貼合。再者,關於頂電極,將電極的線寬設為4 μm,將電極間的距離設為6 μm。另外,頂電極是使用電極A、電極B、電極C及電極D的四系統的驅動電極。該情況下,底電極作為作用於四系統的驅動電極全部的共用電極而發揮作用,四系統的驅動電極的區域分別成為畫素區域。
4. 摩擦FFS型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.的方法製作的摩擦FFS型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-5),按照所述3.記載的方法製造摩擦FFS型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
[實施例6、實施例7]
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑(S-6)、液晶配向劑(S-7)。另外,除了分別使用液晶配向劑(S-6)、液晶配向劑(S-7)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例5同樣地製造摩擦FFS型的液晶顯示元件或液晶單元,並進行各種評價。將該些結果示於下述表2。
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑(S-6)、液晶配向劑(S-7)。另外,除了分別使用液晶配向劑(S-6)、液晶配向劑(S-7)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例5同樣地製造摩擦FFS型的液晶顯示元件或液晶單元,並進行各種評價。將該些結果示於下述表2。
[實施例8]
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-8)。再者,液晶配向劑(S-8)主要用於製造PSA型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-8)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-8)。再者,液晶配向劑(S-8)主要用於製造PSA型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-8)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
3. 液晶組成物的製備
對10 g的向列液晶(默克(Merck)公司製造的MLC-6608)添加5質量%的下述式(L1-1)所表示的液晶性化合物、及0.3質量%的下述式(L2-1)所表示的光聚合性化合物並進行混合,藉此獲得液晶組成物LC1。
[化6]
對10 g的向列液晶(默克(Merck)公司製造的MLC-6608)添加5質量%的下述式(L1-1)所表示的液晶性化合物、及0.3質量%的下述式(L2-1)所表示的光聚合性化合物並進行混合,藉此獲得液晶組成物LC1。
[化6]
4. PSA型液晶顯示元件的製造
除了使用液晶配向劑(S-8)以外,以與實施例1的「4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法獲得一對(2片)具有液晶配向膜的基板。繼而,除了代替MLC-6608而使用所述製備的液晶組成物LC1的方面、以及未貼合偏光板的方面以外,與實施例1同樣地製造液晶單元。繼而,對於所述獲得的液晶單元,於電極間施加頻率60 Hz的交流10 V並於液晶驅動的狀態下,使用將金屬鹵化物燈用作光源的紫外線照射裝置以50,000 J/m2 的照射量照射紫外線。再者,所述照射量是使用以波長365 nm為基準進行測量的光量計測定的值。進而,以2片偏光板的偏光方向彼此正交的方式將偏光板貼合於基板的外側兩面,藉此製造液晶顯示元件。
5. PSA型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述4.記載的方法製作的PSA型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-8),按照所述4.記載的方法製造PSA型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
除了使用液晶配向劑(S-8)以外,以與實施例1的「4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法獲得一對(2片)具有液晶配向膜的基板。繼而,除了代替MLC-6608而使用所述製備的液晶組成物LC1的方面、以及未貼合偏光板的方面以外,與實施例1同樣地製造液晶單元。繼而,對於所述獲得的液晶單元,於電極間施加頻率60 Hz的交流10 V並於液晶驅動的狀態下,使用將金屬鹵化物燈用作光源的紫外線照射裝置以50,000 J/m2 的照射量照射紫外線。再者,所述照射量是使用以波長365 nm為基準進行測量的光量計測定的值。進而,以2片偏光板的偏光方向彼此正交的方式將偏光板貼合於基板的外側兩面,藉此製造液晶顯示元件。
5. PSA型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述4.記載的方法製作的PSA型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-8),按照所述4.記載的方法製造PSA型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
[實施例9~實施例11、實施例21、實施例22及比較例6]
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑。另外,除了使用各液晶配向劑以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例8同樣地製造PSA型的液晶顯示元件或液晶單元,並進行各種評價。將該些結果示於下述表2。
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑。另外,除了使用各液晶配向劑以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例8同樣地製造PSA型的液晶顯示元件或液晶單元,並進行各種評價。將該些結果示於下述表2。
[實施例12]
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-12)。再者,液晶配向劑(S-12)主要用於製造光垂直配向型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-12)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-12)。再者,液晶配向劑(S-12)主要用於製造光垂直配向型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-12)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
3. 光垂直配向型液晶顯示元件的製造
使用液晶配向劑(S-12),代替摩擦處理而進行使用Hg-Xe燈及格蘭-泰勒稜鏡(glan-taylor prism)對膜照射偏光紫外線的處理,除此以外,以與實施例1的「4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法製造光垂直配向型液晶顯示元件。再者,從自基板法線傾斜40°的方向進行偏光紫外線的照射,照射量設為200 J/m2 ,偏光方向設為p-偏光。所述照射量是使用以波長313 nm為基準進行測量的光量計測定的值。
4. 光垂直配向型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.記載的方法製作的光垂直配向型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-12),按照所述3.記載的方法製造光垂直型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
使用液晶配向劑(S-12),代替摩擦處理而進行使用Hg-Xe燈及格蘭-泰勒稜鏡(glan-taylor prism)對膜照射偏光紫外線的處理,除此以外,以與實施例1的「4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法製造光垂直配向型液晶顯示元件。再者,從自基板法線傾斜40°的方向進行偏光紫外線的照射,照射量設為200 J/m2 ,偏光方向設為p-偏光。所述照射量是使用以波長313 nm為基準進行測量的光量計測定的值。
4. 光垂直配向型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.記載的方法製作的光垂直配向型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-12),按照所述3.記載的方法製造光垂直型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
[實施例13及實施例14]
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑。另外,除了使用各液晶配向劑以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例12同樣地製造光垂直配向型的液晶顯示元件或液晶單元,評價後烘烤裕度、耐邊框不均性、AC殘像特性及DC殘像特性。將該些結果示於下述表2。
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑。另外,除了使用各液晶配向劑以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例12同樣地製造光垂直配向型的液晶顯示元件或液晶單元,評價後烘烤裕度、耐邊框不均性、AC殘像特性及DC殘像特性。將該些結果示於下述表2。
[實施例15]
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-15)。再者,液晶配向劑(S-15)主要用於製造光水平型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-15)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-15)。再者,液晶配向劑(S-15)主要用於製造光水平型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-15)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
3. 光FFS型液晶顯示元件的製造
使用液晶配向劑(S-15),代替摩擦處理而進行使用Hg-Xe燈及格蘭-泰勒稜鏡對膜照射偏光紫外線的處理,除此以外,以與實施例5的「3. 摩擦FFS型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法製造光FFS型液晶顯示元件。再者,從與基板垂直的方向進行偏光紫外線的照射,照射量設為10,000 J/m2 ,偏光方向設為與實施例5中的摩擦處理的方向正交的方向。所述照射量是使用以波長254 nm為基準進行測量的光量計測定的值。
4. 光FFS型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.記載的方法製作的光FFS型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-15),按照所述3.記載的方法製造光FFS型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
使用液晶配向劑(S-15),代替摩擦處理而進行使用Hg-Xe燈及格蘭-泰勒稜鏡對膜照射偏光紫外線的處理,除此以外,以與實施例5的「3. 摩擦FFS型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法製造光FFS型液晶顯示元件。再者,從與基板垂直的方向進行偏光紫外線的照射,照射量設為10,000 J/m2 ,偏光方向設為與實施例5中的摩擦處理的方向正交的方向。所述照射量是使用以波長254 nm為基準進行測量的光量計測定的值。
4. 光FFS型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.記載的方法製作的光FFS型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-15),按照所述3.記載的方法製造光FFS型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
[實施例16~實施例20]
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑。另外,除了使用各液晶配向劑以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例15同樣地製造光FFS型的液晶顯示元件或液晶單元,並進行各種評價。將該些結果示於下述表2。
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地分別製備液晶配向劑。另外,除了使用各液晶配向劑以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性,並且與實施例15同樣地製造光FFS型的液晶顯示元件或液晶單元,並進行各種評價。將該些結果示於下述表2。
[實施例23]
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-23)。再者,液晶配向劑(S-23)主要用於製造TN模式型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-23)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
1. 液晶配向劑的製備
如下述表1所記載般變更配方組成,除此以外,與實施例1同樣地製備液晶配向劑(S-23)。再者,液晶配向劑(S-23)主要用於製造TN模式型的液晶顯示元件。
2. 液晶配向劑的評價
除了使用液晶配向劑(S-23)以外,與實施例1同樣地評價塗佈均勻性以及對微細凹凸表面的塗佈性。將該些結果示於下述表2。
3. TN型液晶顯示元件的製造
使用液晶配向劑(S-23),利用具有捲繞有嫘縈布的輥的摩擦機器,於輥轉速500 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.4 mm的條件下進行摩擦處理,除此以外,以與實施例1的「4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法獲得一對(2片)具有液晶配向膜的基板。繼而,代替MLC-6608而使用正型液晶(默克(Merck)製造的MLC-6221),將一對基板重疊時,使各個基板的摩擦方向正交,並使2片偏光板的偏光方向成為與各個基板的摩擦方向平行的方向,除此以外,與實施例1同樣地製造TN型液晶顯示元件。
4. TN型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.記載的方法製作的TN型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-23),按照所述3.記載的方法製造TN型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
使用液晶配向劑(S-23),利用具有捲繞有嫘縈布的輥的摩擦機器,於輥轉速500 rpm、平台移動速度3 cm/秒、毛壓入長度0.4 mm的條件下進行摩擦處理,除此以外,以與實施例1的「4. 垂直配向型液晶顯示元件的製造」中記載的方法相同的方法獲得一對(2片)具有液晶配向膜的基板。繼而,代替MLC-6608而使用正型液晶(默克(Merck)製造的MLC-6221),將一對基板重疊時,使各個基板的摩擦方向正交,並使2片偏光板的偏光方向成為與各個基板的摩擦方向平行的方向,除此以外,與實施例1同樣地製造TN型液晶顯示元件。
4. TN型液晶顯示元件的評價
除了使用按照所述3.記載的方法製作的TN型的液晶顯示元件或液晶單元以外,與實施例1同樣地評價後烘烤裕度、AC殘像特性及DC殘像特性。另外,使用液晶配向劑(S-23),按照所述3.記載的方法製造TN型液晶顯示元件,與實施例1同樣地評價耐邊框不均性。將該些結果示於下述表2。
[表1]
表1中,聚合體成分的數值表示各聚合體相對於液晶配向劑的製備中所使用的聚合體成分的合計100質量份的調配比例(質量份)。化合物[A]、「溶劑[B]及其他溶劑」的比率欄的數值表示各化合物相對於液晶配向劑的製備中所使用的化合物[A]、溶劑[B]及其他溶劑的合計100質量份的調配比例(質量份)。「-」表示未使用該化合物。化合物的略號如以下所述。
(化合物[A])
a:苯甲醚(沸點(boiling point,bp):154℃、熔點(melting Point,mp):-38℃)
b:2-甲氧基甲苯(bp:177℃、mp:-47℃)
c:鄰乙氧基苯甲醚(bp:217℃、mp:-1℃)
d:1,3-二乙氧基苯(bp:235℃、mp:10℃)
e:乙酸間甲苯基酯(bp:212℃、mp:12℃)
f:1,2-亞甲基二氧基苯(bp:172℃、mp:-10℃)
(溶劑[B]及其他溶劑)
g:N-甲基-2-吡咯啶酮
h:鄰二甲苯
i:間甲酚
j:2-乙氧基苯酚
k:丁基溶纖劑
m:3-甲氧基-1-丁醇
n:環戊酮
(化合物[A])
a:苯甲醚(沸點(boiling point,bp):154℃、熔點(melting Point,mp):-38℃)
b:2-甲氧基甲苯(bp:177℃、mp:-47℃)
c:鄰乙氧基苯甲醚(bp:217℃、mp:-1℃)
d:1,3-二乙氧基苯(bp:235℃、mp:10℃)
e:乙酸間甲苯基酯(bp:212℃、mp:12℃)
f:1,2-亞甲基二氧基苯(bp:172℃、mp:-10℃)
(溶劑[B]及其他溶劑)
g:N-甲基-2-吡咯啶酮
h:鄰二甲苯
i:間甲酚
j:2-乙氧基苯酚
k:丁基溶纖劑
m:3-甲氧基-1-丁醇
n:環戊酮
[表2]
由表2可知,包含化合物[A]的實施例1~實施例23中,塗佈均勻性、凹凸塗佈性、後烘烤裕度、耐邊框不均性及殘像特性均為「非常良好」、「良好」或「可」的評價,各種特性平衡性佳地得到了改善。尤其是於使用苯環上具有2個取代基的化合物b~化合物e的實施例中,耐邊框不均性的改善效果高,於使用化合物d、化合物e的實施例中,進而,對微細凹凸表面的塗佈性的改善效果亦高。另外,於使用具有縮合環的化合物f的實施例中,對微細凹凸表面的塗佈性的改善效果高。相對於此,不包含化合物[A]的比較例1~比較例6的對微細凹凸表面的塗佈性較實施例差。另外,比較例1、比較例3~比較例6的塗膜表面的均勻性較實施例差,比較例4、比較例5的耐邊框不均性較實施例差。
10‧‧‧評價用ITO電極基板
11‧‧‧玻璃基板
12‧‧‧ITO電極
A‧‧‧電極寬度
B‧‧‧電極間距離
C‧‧‧電極高度
圖1(a)及圖1(b)是表示評價用氧化銦錫(Indium Tin Oxide,ITO)電極基板的概略構成的圖。圖1(a)是平面圖,圖1(b)是將一部分放大的剖面圖。
Claims (8)
- 一種液晶配向劑,其含有:聚合體成分以及化合物A,所述化合物A為選自由下述式(1)所表示的化合物以及下述式(2)所表示的化合物所組成的群組中的至少一種, 式(1)中,R1 為碳數1~4的烷基、-CO-CH3 、或-R4 -OH,其中,R4 為碳數1~4的烷二基;R2 為氫原子或碳數1~4的烷基;n為1或2;其中,於n為2的情況下,R2 為氫原子;於n為2的情況下,式(1)中的多個R1 可彼此相同亦可不同;式(2)中,R3 為碳數1~3的烷二基。
- 如申請專利範圍第1項所述的液晶配向劑,其中,所述化合物A的1個大氣壓下的熔點為25℃以下,且沸點為150℃以上。
- 如申請專利範圍第1項或第2項所述的液晶配向劑,其進而含有:溶劑B,為選自由醇系溶劑、鏈狀酯系溶劑、醚系溶劑及酮系溶劑所組成的群組中的至少一種。
- 如申請專利範圍第3項所述的液晶配向劑,其中,所述化合物A的含有比例相對於所述化合物A與所述溶劑B的合計量而為10質量%以上。
- 如申請專利範圍第1項至第4項中任一項所述的液晶配向劑,其包含選自由聚醯胺酸、聚醯胺酸酯、聚醯亞胺、聚醯胺、及具有源自具有聚合性不飽和鍵的單體的結構單元的聚合體所組成的群組中的至少一種作為所述聚合體成分。
- 一種液晶元件的製造方法,其為包括液晶配向膜的液晶元件的製造方法,且 使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的液晶配向劑而形成所述液晶配向膜。
- 一種液晶配向膜,其是使用如申請專利範圍第1項至第5項中任一項所述的液晶配向劑而形成。
- 一種液晶元件,其包括如申請專利範圍第7項所述的液晶配向膜。
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