TW201931592A

TW201931592A - 電致發光顯示器

Info

Publication number: TW201931592A
Application number: TW107147693A
Authority: TW
Inventors: 朴恩智; 韓成晩; 李基炯
Original assignee: 南韓商樂金顯示科技股份有限公司
Priority date: 2017-12-28
Filing date: 2018-12-28
Publication date: 2019-08-01
Also published as: US20190206949A1; KR20190079948A; CN110021636B; US11101330B2; EP3531455A3; TWI685965B; EP3531455A2; US20200328258A1; US10734451B2; CN110021636A; EP3531455B1; KR102546293B1

Abstract

揭露一種電致發光顯示器，包含一基板、一電路裝置層、一訊號線、一堤部、一第一發射層以及一第二發射層。電路裝置層包含於基板上之訊號線。堤部定義出於電路裝置層上之一第一發射區以及一第二發射區。第一發射層位於第一發射區。第二發射層位於第二發射區。第一發射區重疊於訊號線。第一發射區之寬度小於等於訊號線之寬度。

Description

電致發光顯示器

本發明係關於一種電致發光顯示器，特別是一種具有以溶液製程製造之發射層的電致發光顯示器。

電致發光顯示器的發射層是介於兩個電極之間並藉由通過兩電極之間的電場發射光線，進而在電致發光顯示器上形成影像。

發射層的材料可為有機材料。當電子與空穴結合而產生激子時，有機材料發光而激子從激發態回到基態。除此之外，發射層的材料亦可為無機材料，例如為量子點。

以下將參考附圖描述先前技術的電致發光顯示器。

圖1係為根據先前技術所繪示的之電致發光顯示器的剖面示意圖。

如圖1所示，先前技術的電致發光顯示器可包含一基板10、一電路裝置層20、一第一電極30、一堤部40以及一發射層50。

電路裝置層20形成於基板10上，且在電路裝置層20內形成有各種訊號線、一薄膜電晶體以及一電容器。

第一電極30形成於電路裝置層20上。第一電極30圖案化於每個像素上，其中，第一電極30做為電致發光顯示器的陽極電極。

堤部40形成一矩陣配置，以定義出多個發射區E。

發射層50設置於由堤部40所定義之各發射區E上。特別地，發射層50是形成於第一電極30上，其中第一電極30利用噴墨設備，以溶液製程(solution process)暴露於發射區E中。

接著請參考圖1中箭頭所指並以虛線圈出的放大部份，由於電路裝置層20內有各種訊號線以及薄膜電晶體，使得電路裝置層20在許多位置上都存有段差。當發射區E位於電路裝置層20之一或多個段差上時，暴露於發射區E中的第一電極30的表面也會呈現段差。這樣的段差的其中一例顯示於放大部分中，但在電路裝置層20的其他位置可能存有其他段差或不同段差高度。

在利用溶液製程而在第一電極30上形成具有段差之發射層50的這些位置中，在單一發射區E內的發射層50厚度不均勻，進而會導致發射區E內的發光不均勻。

本發明在於提供一種電致發光顯示器，能夠在發射區內透過減少段差以使得發射層的厚度均勻，進而在發射區中實現均勻發光。

本發明之一實施例所揭露之電致發光顯示器包含一基板、一電路裝置層、一堤部、一第一發射層以及一第二發射層。電路裝置層設置於基板上並用以包含一訊號線。堤部設置於電路裝置層上並用以定義出一第一發射區以及一第二發射區。第一發射層位於第一發射區。第二發射層位於第二發射區。第一發射區重疊於訊號線。第一發射區之寬度小於等於訊號線之寬度。

本發明之另一實施例所揭露之電致發光顯示器包含一基板、一高壓電力線、一低壓電力線、多個電路裝置列(circuit device column)、一堤部以及多個發射層。高壓電力線與低壓電力線以一第一方向佈置於基板上。多個電路裝置列設置於基板上之高壓電力線與低壓電力線之間並用以包含用以控制發光的多個薄膜電晶體。堤部設置於高壓電力線、低壓電力線以及多個電路裝置列上，且用以定義出多個發射區。各發射區中設置有一發射層。這些發射區包含一第一發射區。第一發射區重疊於高壓電力線或低壓電力線。第一發射區的寬度小於等於高壓電力線的寬度或低壓電力線的寬度。

本發明之再一實施例所揭露之電致發光顯示器包含一基板、一電路裝置層、一堤部以及一第一電極。電路裝置層設置於基板上並且用以包含一第一電路裝置列、一第二電路裝置列以及一第三電路裝置列。堤部設置於電路裝置層上並用以定義出一第一發射區、一第二發射區以及一第三發射區。第一電極個別重疊於第一發射區、第二發射區以及第三發射區。第一電路裝置列、第二電路裝置列以及第三電路裝置列各包含一轉換薄膜電晶體以及一驅動薄膜電晶體以控制發光。重疊於第一發射區之第一電極與設置於第一電路裝置列或第三電路裝置列中的驅動薄膜電晶體的一端子相連接。第一發射區不重疊於第一電路裝置列與第三電路裝置列。

以上關於本發明內容的說明及以下實施方式的說明係用以示範與解釋本發明的原理，並且提供本發明的專利申請範圍更進一步的解釋。

透過以下詳細描述並且配合參照本發明實施例之圖式，將可清楚地理解本發明之優點、特徵以及實施辦法。雖然本發明係以不同之實施例進行說明，但本發明的技術精神不受限於該些實施例。相反地，提供這些實施例是為了將本發明的範圍完整地傳達給本領域中具通常知識者。此外，本發明僅由申請專利範圍限定。

在圖式中之形狀、尺寸、比例、角度以及數量僅為示例說明本發明之實施例，而本發明之實施辦法不以圖式為限。相同的附圖標記始終表示相同的元件。此外，在以下說明中將會省略說明已知的相關功能或配置。

在本說明書中使用「包含」、「包括」與「具有」的情況下，除非使用「僅」，否則應當被理解為表示指定的部份，但不排除存在另一部份。除非在說明書中有明確地說明，否則單數形式的用語可包含複數形式之含義。

除非在說明書中有明確地說明，否則在闡釋元件時，應包含誤差區域。

在描述位置關係時，例如在描述位置順序所使用之「上」、「上方」、「下方」與「旁邊」用語，除非使用「僅」或「直接」用語，否則可以包括其間無接觸之情況。此外，物體的上部與下部可根據物體的方向而對應地改變。若是提及第一元件位於第二元件之「上」，在圖式或是在實際配置中並非意味著第一元件位於第二元件的「上方」，第一元件亦有可能位於第二元件的「下方」。

在描述時間關係時，例如在描述時間順序所使用之「之後」、「後續」、「其次」與「之前」用語，除非使用「僅」或「直接」用語，否則可以包括不連續之情況。

在本說明書中，可理解「第一」與「第二」用語僅用於區分一元件與另一元件，並且本發明並不受限於該些元件。第一元件可命名為第二元件，第二元件亦可命名為第一元件，而不會脫離本發明之本意。

在本說明書中，不應將「第一水平軸方向」、「第二水平軸方向」與「垂直軸方向」用語侷限為各個方向彼此垂直的幾何關係，還意味著本發明之元件在維持功能的情況下可具有更寬的方向範圍。

在本說明書，可理解「至少一」與「其一」用語包括與任何一個組合之情形。例如，「第一元件、第二元件以及第三元件之其一」包括從第一元件、第二元件以及第三元件中任選可重複之兩個或以上的組合情形。

本發明之各實施例的特徵可以部份地或完整地彼此耦合或組合，並且使本領域中具通常知識者可相互操作或驅動這些耦合或組合後的特徵。本發明之實施例可以彼此獨立執行，亦可相互耦合或組合地執行。

以下將參照附圖詳細說明有關本發明之一實施例的電致發光顯示器。

圖2係為根據本發明之一實施例所繪示之電致發光顯示器的平面示意圖。

如圖2所示，本實施例之電致發光顯示器可包含一基板100、一高壓電力線(high level power line) VDD、一低壓電力線(low level power line) VSS、一堤部(bank) 400以及多個發射層510, 520, 530。

基板100可為玻璃或塑膠材料所構成，但不以此材料為限。基板100也可由透明材料或不透明材料所構成。當本實施例之電致發光顯示器為頂部發光型時，電致發光顯示器朝向上側發光，基板100的材料可為不透明材料與透明材料。

高壓電力線VDD以一第一方向形成於基板100上，例如為在基板100上的垂直方向。高壓電力線VDD可提供高壓電於一驅動薄膜電晶體(driving thin film transistor)的一端子，以驅動一有機發光裝置。

低壓電力線VSS以第一方向形成於基板100上，意即低壓電力線VSS平行於高壓電力線VDD。低壓電力線VSS可提供低壓電予有機發光裝置的一陰極。

有機發光裝置可包含多個發射層510, 520, 530。此外，有機發光裝置可包含一陽極以及一陰極，分別設置於發射層510, 520, 530之上與之下。在此情況下，陽極連接於驅動薄膜電晶體的源極，陰極連接於低壓電力線VSS。此外，驅動薄膜電晶體的汲極可連接於高壓電力線VDD。低壓電力線VSS對應於提供相對低壓電的電線，高壓電力線VDD對應於提供相對高壓電的電線。

除了高壓電力線VDD與低壓電力線VSS，基板100上還可設有如閘極線(gate line)、資料線(data line)、參考線(reference line)以及感測控制線(sensing control line)等訊號線。這些訊號線的詳細結構將以後述之圖5的實施例詳細說明。

堤部400形成一個於基板100上的矩陣配置，以定義出多個發射區E1, E2, E3，而未形成有堤部400的開口部份則成為發射區。發射區可包含一第一發射區E1、一第二發射區E2以及一第三發射區E3，且第一發射區E1、第二發射區E2以及第三發射區E3可分別發射不同顏色的光。

第一發射區E1重疊於高壓電力線VDD或低壓電力線VSS。特別地，第一發射區E1完全重疊於高壓電力線VDD或低壓電力線VSS。因此，第一發射區E1的寬度W1可小於等於高壓電力線VDD的寬度Wvdd以及低壓電力線VSS的寬度Wvss。在本發明中，第一發射區E1的寬度W1、後述之第二發射區E2的寬度W2以及後述之第三發射區E3的寬度W3意指一長度方向的寬度以及高壓電力線VDD或低壓電力線VSS的一垂直方向。

高壓電力線VDD與低壓電力線VSS可週期性地形成，且每個週期對應多個像素而不是對應單一像素。當高壓電力線VDD與低壓電力線VSS以對應多個像素的週期的方式而週期性地形成時，高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss之每一個皆較佳地大於以每個像素形成的資料線的寬度。

因此，根據本發明之一實施例，高壓電力線VDD與低壓電力線VSS以對應多個像素之週期的方式而週期性地形成，高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss各大於等於第一發射區E1的寬度W1。第一發射區E1重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS，以避免第一發射區E1因高壓電力線VDD與低壓電力線VSS而生成的段差。如此一來，當第一發射層510以溶液製程(solution process)形成於第一發射區E1時，第一發射層510可在第一發射區E1中具有均勻的輪廓，進而在第一發射區E1中均勻發光。

如圖所示，第一發射區E1重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS之每一個，而第二發射區E2與第三發射區E3不重疊於於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS，但不以此結構為限。第一發射區E1、第二發射區E2與第三發射區E3之至少其中一者可重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS之至少其中一者。

發射層510, 520, 530分別形成於由堤部400所定義出的發射區E1, E2, E3。發射層510, 520, 530可包含第一發射層510、第二發射層520以及第三發射層530。第一發射層510設置於第一發射區E1並形成紅色(R)發光層，第二發射層520設置於第二發射區E2並形成綠色(G)發光層，以及第三發射層530設置於第三發射區E3並形成藍色(B)發光層。意即，發射層510, 520, 530可形成發射不同顏色的發光層。

一般來說，藍色(B)發光層的效率低於紅色(R)發光層的效率與綠色(G)發光層的效率，因此藍色(B)發光層的面積可相對大於紅色(R)發光層的面積與綠色(G)發光層的面積。此外，綠色(G)發光層的效率低於紅色(R)發光層的效率。在此情況下，綠色(G)發光層的面積可大於紅色(R)發光層的面積。最後，紅色(R)發光層的面積可小於藍色(B)發光層的面積與綠色(G)發光層的面積。

考量到基板100的預置尺寸，當高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss過大，其他訊號線的寬度就必需要減少。但是，從穩定供應訊號電源與其他訊號線之製程的角度來看，減少其他訊號線的寬度並非適宜。如此一來，為了適當的電路操作，難以將高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss減少至一定的量以上。

在本發明的一實施例中，具有最小面積的紅色(R)發光層之第一發射層510可重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS，使得高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss以小於一特定值形成以避免形成其他訊號線時發生問題。但是，綠色(G)發光層的面積可等於紅色(R)發光層的面積。在此情況下，具有綠色(G)發光層之第二發射層520可重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS。此外，在部份情況中，紅色(R)發光層、綠色(G)發光層以及藍色(B)發光層可具有相同的面積。在此情況下，具有藍色(B)發光層之第三發射層530可重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS。

圖3係為圖2之電致發光顯示器沿I-I的局部放大剖面示意圖。

如圖3所示，在基板100上圖案化一高壓電力線VDD。接著在高壓電力線VDD下方形成一下絕緣層201，並且在高壓電力線VDD的上方形成一上絕緣層202。下絕緣層201可由後述之緩衝層(buffer layer)、閘極絕緣層(gate insulating layer)以及絕緣夾層(insulating interlayer)之至少其中一者所形成，且上絕緣層202可由後述之鈍化層(passivation layer)以及平坦化層(planarization layer)之至少其中一者所形成。

接著，在上絕緣層202上方形成有一第一電極310。第一電極310的面積大於第一發射區E1。第一電極310可做為電致發光顯示器的一陽極。當本實施例之電致發光顯示器為頂部發光型時，第一電極310可包含一反射材料，以將第一發射層510所發射的光線向上反射。在此情況下，第一電極310可為透明的導電材料與反射材料所堆疊而成的結構。

在第一電極310上方形成有一堤部400。堤部400覆蓋於第一電極310之兩端，並定義出第一發射區E1。第一電極310未被堤部400覆蓋而暴露的部份對應到第一發射區E1。

堤部400可為由具有親水性的有機絕緣材料所構成。在此情況下，發射層510可平順地擴散到堤部400的側面，使得第一發射層510均勻地形成於第一發射區E1。同時，當堤部400的整個區域皆具有親水性，形成於第一發射區E1內的第一發射層510越過堤部400的上表面並且滿溢到相鄰的發射區E2或E3，因此形成於第一發射區E1內的第一發射層510與形成於相鄰發射區E2或E3內的發射層520或530可相混合。因此，堤部400的上表面較佳地具有疏水性以避免相鄰的發射層510, 520, 530互相混合。為此，可塗覆具有親水性的有機絕緣材料與如氟(fluorine)之疏水(hydrophobic)材料的混合溶液，並透過光刻製程(photolithography process)圖案化塗覆的混合溶液以獲得堤部400。藉由光刻製程所照射的光，如氟之疏水材料可移動到堤部400的上部，因此堤部400的上部可具有疏水性，而堤部400的其他部份則可具有親水性。在此情況下，堤部400的上表面具有疏水性，使得可在一定程度上減少相鄰的發射層510, 520, 530擴散至堤部400的上表面，進而減少因相鄰發射層510, 520, 530相互混合而衍生的相關問題。

具有紅色(R)發光層的第一發射層510形成於由堤部400所定義出的第一發射區E1。第一發射層510形成於第一電極310的暴露的部份上。第一發射層510可包含空穴注入層(HIL, hole injecting layer)、空穴傳輸層(HTL, hole transporting layer)、發光材料層(EML, emitting material layer)以及電子傳輸層(ETL, electron transporting layer)中的至少一有機層。其他發光層520, 530可具有如上述相同的結構。

第一發射層510以噴墨製程(inkjet process)形成於第一發射區E1而不必使用遮罩。在此情況下，在用於形成第一發射層510的溶液乾燥製程完畢之後，在第一發射區E1之中心部份的第一發射層510之上表面的高度h1會低於在第一發射區E1之側邊部份的第一發射層510之上表面的高度h2，特別是第一發射區E1之接觸堤部400的側邊部份。特別地，如圖所示，第一發射層510的高度逐漸從第一發射區E1之接觸堤部400的側邊部份下降至第一發射區E1之中心部份，而可實現一逐漸降低的輪廓。如此一來，在第一發射層510上形成的一第二電極600便可有部份相同輪廓對應到第一發射層510的輪廓。

第二電極600形成於第一發射層510上。第二電極600可做為電致發光顯示器的一陰極。根據第二電極600形成於堤部400與第一發射層510之上，第二電極600形成於多個像素之上並形成於多個像素之間的邊界區域之上。因此，第二電極600可做為一共用電極(common electrode)，以提供共用電壓(common voltage)給多個像素。

當本實施例之電致發光顯示器為頂部發光型時，第二電極600可由透明的導電材料所製成並可將第一發射層510所發射的光線向上傳遞，或亦可以具有薄的厚度之方式形成以便提升透光率。

雖然圖未詳細繪示，在第二電極600上還可形成一封裝層。封裝層避免外部濕氣滲入第一發射層510。封裝層可由無機絕緣材料所構成，或可為無機絕緣材料與有機絕緣材料交互沉積所形成的沉積結構，但不以此結構為限。

根據本發明之一實施例，在具有高壓電力線VDD之區域與其他未形成有高壓電力線VDD之其他區域之間具有段差，因此覆蓋於高壓電力線VDD之上絕緣層202亦會有段差顯現。當上絕緣層202包含具有相對大的厚度的平坦化層時，可在一定程度上隱藏該段差，但該段差仍無法完全被消除或隱藏。因此，該段差仍可能會再次顯現在形成於上絕緣層202之上的第一電極310。

然而，第一發射區E1的寬度W1小於等於高壓電力線VDD的寬度Wvdd，且第一發射區E1的完全重疊於高壓電力線VDD。因此，由高壓電力線VDD在第一電極310之表面所顯現的段差並不會暴露於第一發射區E1。如此一來，當第一發射層510以溶液製程形成於第一發射區E1時，第一發射層510可在第一發射區E1具有均勻的輪廓，進而在第一發射區E1中實現均勻發光。

在此情況下，第一發射層510的一寬度We可小於等於高壓電力線VDD的寬度Wvdd，但不以此結構為限。當第一發射層510滿溢至堤部400的上表面時，第一發射層510的寬度We可大於高壓電力線VDD的寬度Wvdd。

在部份實施例中，第一發射層的寬度We大致相同於第一發射區的寬度W1。如果堤部400具有垂直或幾近垂直的側壁以做為發射區的開口，發射區底部所量測到的寬度W1大致上相同於發射層在堤部的頂部所量測到的寬度We。在其他實施例中，堤部可具有傾斜的側壁，在部份實例中，大傾斜角導致頂部的寬度We大於底部的寬度W1。在部份實施例中，側壁的傾斜角度可夠大，頂部的寬度We大於各個訊號線的寬度，其中如實施例所示，高壓電力線Vdd具有寬度Wvdd。

圖4係為根據本發明之另一實施例所繪示之電致發光顯示器沿如圖2 I-I的局部放大剖面示意圖。由於圖4之實施例中的電致發光顯示器的堤部400在結構上類似於圖3之實施例的電致發光顯示器的堤部400，因此圖4將採用與圖3相同的標號來標記相同的部件。以下僅詳細描述圖4之實施例的不同之處。

如圖4所示，堤部400包含一第一堤部410以及一第二堤部420。

第一堤部410覆蓋第一電極310之一端，並形成於上絕緣層202之上。第一堤部410較第二堤部420相對小（或薄），且第一堤部410較於第二堤部420相對大（或寬）。利用上述結構，第一堤部410可具有如第一發射層510相同的親水性。第一堤部410的料材可為無機絕緣材料，例如為氧化矽。因此，當第一發射層510以溶液製程形成時，形成第一發射層510的溶液可容易地在第一堤部410上擴散。

第二堤部420形成於第一堤部410上。第二堤部420較第一堤部410相對寬。為了獲取第二堤部420，可塗覆具有親水性的有機絕緣材料與如氟之疏水材料的混合溶液，並透過光刻製程圖案化該塗覆的混合溶液。藉由光刻製程所照射的光，如氟之疏水材料可移動到第二堤部420的上部，因此第二堤部420的上部具有疏水性，而第二堤部420的其他部份則且有親水性。意即，第二堤部420中與第一堤部410接觸的下部具有親水性，而第二堤部420的上部具有疏水性，但不以此結構為限。舉例來說，第二堤部420的整體可具有疏水性。

於此，由於第一堤部410與第二堤部420的下部皆具有親水性，可改善形成第一發射層510之溶液的擴散性(spreadability)。特別是當第一堤部410相較於第二堤部420較薄且較寬時，可透過結合第一堤部410與第二堤部420來形成具有兩段差的親水性結構，因此形成第一發射層510的溶液可容易地擴散到第一發射區E1的圓周邊。

此外，具有疏水性的第二堤部420之上部可避免形成第一發射層510之溶液擴散或滿溢至其他相鄰的發射區E2或E3，進而避免第一發射層510與相鄰發射區E2或E3內的發射層520或530混合。

圖5係為根據本發明之一實施例所繪示之電致發光顯示器的電路圖。圖6係為圖5之電致發光顯示器的多個發射區佈置在電路結構中的平面示意圖。圖7係為根據本發明之另一實施例所繪示之電致發光顯示器的多個發射區佈置在如圖5的電路結構中的平面示意圖。

如圖5所示，根據本發明之一實施例之電致發光顯示器包含一閘極線GL、一感測控制線SCL、一高壓電力線VDD、一低壓電力線VSS、多個資料線DL1, DL2, DL3, DL4, DL5, DL6、多個參考線Ref1, Ref2、一轉換薄膜電晶體(switching thin film transistor)T1、一驅動薄膜電晶體T2、一感測薄膜電晶體(sensing thin film transistor)T3、一電容器C以及一有機發光二極體OLED。

閘極線GL以一水平方向佈置。閘極線GL將閘極訊號提供給設置於各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的轉換薄膜電晶體T1之閘極。

感測控制線SCL，以水平方向佈置並平行於閘極線GL，且與閘極線GL相隔一預定間距。感測控制線SCL將感測控制訊號提供給設置於各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的感測薄膜電晶體T3之閘極。

高壓電力線VDD以一垂直方向佈置並垂直於閘極線GL與感測控制線SCL。高壓電力線VDD將高壓電力提供給設置於各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的驅動薄膜電晶體T2之汲極。

根據本發明之一實施例，一條高壓電力線VDD用以在同時間內將高壓電力提供給設置於各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的驅動薄膜電晶體T2之汲極。因此，設置一第一連接線CL1以將一高壓電力線VDD連接至每個驅動薄膜電晶體T2的汲極。第一連接線CL1以一水平方向自一高壓電力線VDD延伸至第六電路裝置列C6，依序途經第一電路裝置列C1、第二電路裝置列C2、第三電路裝置列C3、低壓電力線VSS、第四電路裝置列C4以及第五電路裝置列C5。第一連接線CL1連接於高壓電力線VDD並亦連接於設置在各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的薄膜電晶體T2之汲極。

低壓電力線以一垂直方向佈置並平行於高壓電力線VDD。低壓電力線VSS將低壓電力提供給有機發光二極體OLED之陰極。由於陰極形成於基板的整個表面上，所以不需要如前述之第一連接線CL1以便連接低壓電力線VSS與每個有機發光二極體OLED之陰極。詳細來說，形成於基板整個表面上的陰極透過特定的接觸孔(contact hole)來連接低壓電力線VSS。因此，如圖中所示，自各個有機發光二極體OLED延伸至低壓電力線VSS的連接線僅用來表示有機發光二極體OLED之陰極與低壓電力線VSS之間的電路連接關係。實際上並不需要自各個有機發光二極體OLED延伸至低壓電力線VSS的連接線。

高壓電力線VDD與低壓電力線VSS比資料線DL1, DL2, DL3, DL4, DL5, DL6以及參考線Ref1, Ref2寬。

資料線DL1, DL2, DL3, DL4, DL5, DL6以一垂直方向佈置。資料線DL1, DL2, DL3, DL4, DL5, DL6形成於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS之間。

資料線DL1, DL2, DL3, DL4, DL5, DL6可包含一第一資料線DL1、一第二資料線DL2、一第三資料線DL3、一第四資料線DL4、一第五資料線DL5以及一第六資料線DL6。

第一資料線DL1的左側面向高壓電力線VDD，而其右側面向第二資料線DL2。在此情況下，第一資料線DL1與高壓電力線VDD相隔一預定間距。然而第一資料線DL1與第二資料線DL2彼此相鄰。詳細來說，具有如轉換薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2、感測薄膜電晶體T3以及電容器C之電路裝置的第一電路裝置列C1形成於第一資料線DL1與高壓電力線VDD之間，但在第一資料線DL1與第二資料線DL2之間不會形成任何具有上述電路裝置的電路裝置列。在本發明中，當任何一條線相鄰設置於另一條線，則可意指此二相鄰的線之間不存在有電路裝置。

第二資料線DL2的左側相鄰於第一資料線DL1，而其右側與第一參考線Ref1相距一預定間距，使得第二電路裝置列C2位於第二資料線DL2與第一參考線Ref1之間。第三資料線DL3的左側為與第一參考線Ref1相距一預定間距，使得第三電路裝置列C3位於第三資料線DL3與第一參考線Ref1之間，而其右側相鄰於低壓電力線VSS。第四資料線DL4的左側與低壓電力線VSS相距一預定間距，使得第四電路裝置列C4位於第四資料線DL4與低壓電力線VSS之間，而其右側相鄰於第五資料線DL5。第五資料線DL5的左側相鄰於第四資料線DL4，而其右側與第二參考線Ref2相距一預定間距，使得第五電路裝置列C5位於第五資料線DL5與第二參考線Ref2之間。第六資料線DL6的左側與第二參考線Ref2相距一預定間距，使得第六電路裝置列C6位於第六資料線DL6與第二參考線Ref2之間，而其右側與另一高壓電力線VDD相距一預定間距。

資料線DL1, DL2, DL3, DL4, DL5, DL6將數據電壓(data voltage)提供給設置於各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的轉換薄膜電晶體T1之源極。

參考線Ref1, Ref2以一垂直方向佈置於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS之間。參考線Ref1, Ref2可包含一第一參考線Ref1以及一第二參考線Ref2。

第一參考線Ref1的左側與第二資料線DL2相距一預定間距，使得第二電路裝置列C2位於第一參考線Ref1與第二資料線DL2之間，而其右側與第三資料線DL3相距一預定間距，使得第三電路裝置列C3位於第一參考線Ref1與第三資料線DL3之間。

第二參考線Ref2的左側與第五資料線DL5相距一預定間距，使得第五電路裝置列C5位於第二參考線Ref2與第五資料線DL5之間，而其右側與第六資料線DL6相距一預定間距，使得第六電路裝置列C6位於第二參考線Ref2與第六資料線DL6之間。

參考線Ref1, Ref2連接於設置在各電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6的感測薄膜電晶體T3之汲極。

根據本發明之一實施例，第一參考線Ref1連接於設置在各電路裝置列C1, C2, C3的感測薄膜電晶體T3之汲極。因此，形成一第二連接線CL2，以將第一參考線Ref1連接至每個感測薄膜電晶體T3的汲極。第二連接線CL2自第一參考線Ref1向左延伸，途經第二電路裝置列C2直至第一電路裝置列C1，並且亦向右延伸至第三電路裝置列C3。因此，第二連接線CL2連接於第一參考線Ref1並亦連接於設置在各電路裝置列C1, C2, C3的感測薄膜電晶體T3之汲極。

同樣地，第二參考線Ref2連接於設置在各電路裝置列C4, C5, C6的感測薄膜電晶體T3之汲極。因此，形成一第三連接線CL3以將第二參考線Ref2連接至每個感測薄膜電晶體T3的汲極。第三連接線CL3自第二參考線Ref2向左延伸，途經第五電路裝置列C5直至第四電路裝置列C4，並且亦向右延伸至第六電路裝置列C6。因此，第三連接線CL3連接於第二參考線Ref2並亦連接於設置在各電路裝置列C4, C5, C6的感測薄膜電晶體T3之汲極。

轉換薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2、感測薄膜電晶體T3以及電容器C設置於每個電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6之中。

根據提供給閘極線GL的一閘極訊號切換轉換薄膜電晶體T1，而得以將資料線D1, D2, D3, D4, D5, D6所提供的一數據電壓提供給驅動薄膜電晶體T2。

根據由轉換薄膜電晶體T1所提供的數據電壓切換驅動薄膜電晶體T2，透過由高壓電力線VDD提供的電力產生一資料電流，並將此資料電流提供給有機發光二極體OLED。

感測薄膜電晶體T3可感測驅動薄膜電晶體T2的一閾值電壓偏差(threshold voltage deviation)。此閾值電壓偏差會導致圖像品質的劣化。此閾值電壓偏差可由一感測模式被感測到。感測薄膜電晶體T3提供驅動薄膜電晶體T2的一電壓給參考線Ref1或Ref2以響應由感測控制線SCL所提供的一感測控制訊號。

電容器C將提供給驅動薄膜電晶體T2的數據電壓維持在一框週期。電容器C連接於每一個驅動薄膜電晶體T2的閘極與源極。

有機發光二極體OLED根據驅動薄膜電晶體T2所提供的資料電流來發射一定量的光。有機發光二極體OLED包含一陽極、一陰極以及設置在陽極與陰極之間的一發光層。有機發光二極體OLED的陽極連接於驅動薄膜電晶體T2的源極，而有機發光二極體OLED的陰極連接於低壓電力線VSS。

在附圖中為了方便說明，在每個電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6都示有機發光二極體OLED。然而部份有機發光二極體OLED可能被高壓電力線VDD或低壓電力線VSS所遮蔽。此外，部份有機發光二極體OLED有可能同時被相鄰的電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6所遮蔽。這些將以後述之圖6與圖7詳細說明。

第一電路裝置列C1的結構可與第四電路裝置列C4的結構相同。意即，第一電路裝置列C1中薄膜電晶體T1, T2, T3與電容器C的佈置結構可相同於第四電路裝置列C4中薄膜電晶體T1, T2, T3與電容器C的佈置結構。此外，第二電路裝置列C2的結構亦可與第五電路裝置列C5的結構相同。並且，第三電路裝置列C3的結構亦可與第六電路裝置列C6的結構相同。

根據如圖5所示之一實施例，圖中所示的結構可為一個單元，並且重複地設置於基板上。意即，可以透過使用一高壓電力線VDD與一低壓電力線VSS來形成總共六個電路裝置列C1, C2, C3, C4, C5, C6。在此情況下，高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss可大於等於具有相對小尺寸之紅色發光區的寬度，但不以此為限。可透過使用一高壓電力線VDD與一低壓電力線VSS來形成大於六個或小於六個的電路裝置列。

如上所述，考量到第一電路裝置列C1的結構相同於第四電路裝置列C4的結構，相鄰於第一電路裝置列C1左側之高壓電力線VDD的寬度Wvdd較佳地是相同於相鄰於第四電路裝置列C4左側之低壓電力線VSS的寬度Wvss。當高壓電力線VDD的寬度Wvdd不同於低壓電力線VSS的寬度Wvss，在高壓電力線VDD與第一電路裝置列C1中之電路裝置之間的電容則會不同於低壓電力線VSS與第四電路裝置列C4中之電路裝置之間的電容，因此第一電路裝置列C1中之電路裝置的特性可能與第四電路裝置列中之電路裝置不一致。

如圖6所示之一實施例，用於發射紅光之第一發射區E1、用於發射綠光之第二發射區E2以及用於發射藍光之第三發射區E3設置於如圖5所示之電路結構上。

第一發射區E1分別在不同的相對位置重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS。第一發射區E1之寬度W1小於等於高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss。在部份實施例中，可容許低壓電力線VSS的寬度Wvss稍微大於高壓電力線VDD的寬度Wvdd。即使在那些情況下，特定的電力線，高壓電力線VDD或低壓電力線VSS大於等於與其重疊之發射區的寬度。

第二發射區E2相鄰於第一發射區E1。第二發射區E2的寬度W2大於第一發射區E1的寬度W1。第二發射區E2重疊於第一電路裝置列C1，並且可部份重疊於第二電路裝置列C2。特別地，第二發射區E2重疊於設置在第一電路裝置列C1中的薄膜電晶體T1, T2, T3，並且可重疊於設置在第一電路裝置列C1與第二電路裝置列C2之間的第一資料線DL1與第二資料線DL2。在部份情況中，第二發射區E2可重疊於設置在第二電路裝置列C2中的薄膜電晶體T1, T2, T3之其中部份。如此一來，第二發射區E2的寬度W2則大於第一資料線DL1的寬度與第二資料線DL2的寬度。

此外，第二發射區E2重疊於第四電路裝置列C4，並且可部份重疊於第五電路裝置列C5。特別地，第二發射區E2重疊於設置在第四電路裝置列C4中的薄膜電晶體T1, T2, T3，並且可重疊於設置在第四電路裝置列C4與第五電路裝置列C5之間的第四資料線DL4與第五資料線DL5。在部份情況中，第二發射區E2可重疊於設置在第五電路裝置列C5中的薄膜電晶體T1, T2, T3之其中部份。如此一來，第二發射區E2的寬度則大於第四資料線DL4的寬度與第五資料線DL5的寬度。

第三發射區E3相鄰於第二發射區E2。第三發射區E3的寬度W3可大於第二發射區E2的寬度W2。第三發射區E3部份重疊於第二電路裝置列C2，並且可重疊於第三電路裝置列C3。特別地，第三發射區E3重疊於設置在第三電路裝置列C3中的薄膜電晶體T1, T2, T3，並且重疊於設置在第二電路裝置列C2與第三電路裝置列C3之間的第一參考線Ref1，亦可重疊於設置在第二電路裝置列C2中的薄膜電晶體T1, T2, T3之其中部份。如此一來，第三發射區E3的寬度W3大於第一參考線Ref1的寬度。在此情況下，第三發射區E3的寬度W3大於第二發射區E2的寬度W2，因此第二電路裝置列C2與第三發射區E3所重疊的區域可大於第二電路裝置列C2與第二發射區E2所重疊的區域。同時，第三發射區E3可重疊於第三資料線DL3。

此外，第三發射區E3亦可部份重疊於第五電路裝置列C5，並且可重疊於第六電路裝置列C6。特別地，第三發射區E3重疊於設置在第六電路裝置列C6中部分的薄膜電晶體T1, T2, T3，並重疊於設置在第五電路裝置列C5與第六電路裝置列C6之間的第二參考線Ref2，且可重疊於設置在第五電路裝置列C5中部分的薄膜電晶體T1, T2, T3。如此一來，第三發射區E3的寬度W3大於第二參考線Ref2的寬度。在此情況下，第三發射區E3的寬度W3大於第二發射區E2的寬度W2，因此第五電路裝置列C5與第三發射區E3所重疊的區域可大於第五電路裝置列C5與第二發射區E2所重疊的區域。同時，第三發射區E3可重疊於第六資料線DL6。

如圖7所示之另一實施例，用於發射紅光(R)之第一發射區E1、用於發射綠光(G)之第二發射區E2、以及用於發射藍光(B)之第三發射區E3設置於如圖5所示之電路結構上。

與上述圖6相同的方式，第一發射區E1重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS。第一發射區E1之寬度W1小於等於高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss。

第二發射區E2相鄰於第一發射區E1。第二發射區E2的寬度W2等於第一發射區E1的寬度W1。第二發射區E2可重疊於第一電路裝置列C1。因此，第二發射區E2重疊於設置在第一電路裝置列C1的薄膜電晶體T1, T2, T3。在部份情況中，第二發射區E2可重疊於設置在第一電路裝置列C1與第二電路裝置列C2之間的第一資料線DL1與第二資料線DL2之至少其中一者。

此外，第二發射區E2亦可重疊於第四電路裝置列C4。因此，第二發射區E2重疊於設置在第四電路裝置列C4中的薄膜電晶體T1, T2, T3。在部份情況中，第二發射區E2可重疊於設置在第四電路裝置列C4與第五電路裝置列C5之間的第四資料線DL4與第五資料線DL5之至少其中一者。

第三發射區E3相鄰於第二發射區E2。第三發射區E3的寬度W3大於第一發射區E1之寬度W1與第二發射區E2之寬度W2。第三發射區E3可重疊於第二電路裝置列C2與第三電路裝置列C3。因此，第三發射區E3重疊於設置在第二電路裝置列C2中的薄膜電晶體T1, T2, T3，並且重疊於設置在第二電路裝置列C2與第三電路裝置列C3之間的第一參考線Ref1，並且可重疊於設置在第三電路裝置列C3中的薄膜電晶體T1, T2, T3。在部份情況中，第三發射區E3可重疊於設置在第一電路裝置列C1與第二電路裝置列C2之間的第一資料線DL1與第二資料線DL2之至少其中一者。此外，第三發射區E3可重疊於第三資料線DL3。

此外，第三發射區E3可重疊於第五電路裝置列C5與第六電路裝置列C6。因此，第三發射區E3重疊於設置在第五電路裝置列C5中的薄膜電晶體T1, T2, T3，並且重疊於設置在第五電路裝置列C5與第六電路裝置列C6之間的第二參考線Ref2，亦可重疊於設置在第六電路裝置列C6中的薄膜電晶體T1, T2, T3。在部份情況中，第三發射區E3可重疊於設置在第四電路裝置列C4與第五電路裝置列C5之間的第四資料線DL4與第五資料線DL5之至少其中一者。此外，第三發射區E3可重疊於第六資料線DL6。

圖8係為根據本發明之一實施例所繪示之具有如圖5的電路結構之電致發光顯示器的平面示意圖。在圖8中，如圖5所示之第四電路裝置列C4、第五電路裝置列C5以及第六電路裝置列C6將被省略。

如圖8所示，閘極線GL與感測控制線SCL以一水平方向佈置，而高壓電力線VDD、低壓電力線VSS、資料線DL1, DL2, DL3以及第一參考線Ref1以一垂直方向佈置。

閘極線GL與感測控制線SCL位於同一層中，並全部皆由相同材料所形成。高壓電力線VDD、低壓電力線VSS、資料線DL1, DL2, DL3以及第一參考線Ref1位於同一層中，並全部皆由相同材料所形成。各線路的詳細結構相同於圖5，因此相同的部份將不再贅述。

第一電路裝置列C1設置於高壓電力線VDD與第一資料線DL1之間。在第一電路裝置列C1中有轉換薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2以及感測薄膜電晶體T3。

設置於第一電路裝置列C1之轉換薄膜電晶體T1可包含一第一閘極G1、一第一源極S1、一第一汲極D1以及一第一活化層(first active layer)A1。

第一閘極G1可形成為閘極線GL之一部份，但不以此結構為限。舉例來說，第一閘極G1可形成為與閘極線GL分離之結構。

第一源極S1可形成為與第一資料線DL1分離之結構。

彼此相對的第一汲極D1與第一源極S1位於同一層中。第一汲極D1透過連接電極(connection electrode) CE1, CE2連接於驅動薄膜電晶體T2之第二閘極G2。

連接電極CE1, CE2可包含第一連接電極CE1與第二連接電極CE2。第一連接電極CE1透過一接觸孔連接於第一汲極D1，並且透過另一接觸孔連接於第二連接電極CE2。第一連接電極CE1具有相對大的尺寸，可以改善電容器C之電容。第二連接電極CE2透過個別的接觸孔連接於驅動薄膜電晶體T2的第一連接電極CE1與第二閘極G2。第一連接電極CE1形成於與第一活化層A1相同之層，而第二連接電極CE2形成於與第一源極S1以及第一汲極D1相同之層。

第一活化層A1透過個別的接觸孔連接於第一源極S1與第一汲極D1之每一個，因此第一活化層A1做為一電子移位通道(electron shift channel)。

設置於第一電路裝置列C1之驅動薄膜電晶體T2可包含一第二閘極G2、一第二源極S2、一第二汲極D2以及一第二活化層A2。

如上所述，第二閘極G2可透過連接電極CE1, CE2連接於轉換薄膜電晶體T1之第一汲極D1。第二閘極G2與第一閘極G1可位於同一層。

第二源極S2相對第二汲極D2，且第二源極S2沿一垂直方向延伸。第二源極S2具有相對大的尺寸，可以確保電容器C之電容足夠。第二源極S2之上部經由一第一接觸孔CH1連接於一第一像素中的一有機發光二極體之一陽極電極。第二源極S2之下部連接於感測薄膜電晶體T3之一第三源極S3。第二源極S2與第三源極S3可為一體成形。

第二汲極D2透過第一連接線CL1連接於高壓電力線VDD。第一連接線CL1透過個別的接觸孔連接於高壓電力線VDD與第二汲極D2。第一連接線CL1可形成於電路裝置層之最下層，意即可形成於基板之上表面上。第二源極S2以及第二汲極D2可與第一源極S1以及第一汲極D1位於同一層，並與第一源極S1以及第一汲極D1皆由相同材料所形成。

第二活化層A2透過個別的接觸孔連接於第二源極S2與第二汲極D2之每一個，因此第二活化層A2做為一電子移位通道。第二活化層A2與第一活化層A1位於同一層，並全部皆由相同材料所形成。

設置於第一電路裝置列C1之感測薄膜電晶體T3可包含一第三閘極G3、一第三源極S3、一第三汲極D3以及一第三活化層A3。

第三閘極G3可形成為感測控制線SCL之一部份，但不以此結構為限。舉例來說，第三閘極G3可形成與感測控制線SCL分離之結構。

如上所述，第三源極S3可與驅動薄膜電晶體T2之第二源極S2為一體成形。

彼此相對的第三汲極D3與第三源極S3形成於同一層中。第三汲極D3透過第二連接線CL2連接於第一參考線Ref1。第二連接線CL2透過個別的接觸孔連接於第三汲極D3與第一參考線Ref1。第二連接線CL2可與第一連接線CL1位於同一層，並與第一連接線CL1皆由相同材料所形成。

第三活化層A3透過個別的接觸孔連接於第三源極S3與第三汲極D3，因此第三活化層A3做為一電子移位通道。第三活化層A3可與第一活化層A1位於同一層，並與第一活化層A1皆由相同材料所形成。

此外，在第一電路裝置列C1中形成有一光屏蔽層LS。光屏蔽層LS避免光射入驅動薄膜電晶體T2之第二活化層A2中。如此一來，光屏蔽層LS的面積相對大於第二活化層A2的面積，並且光屏蔽層LS重疊於第二活化層A2。光屏蔽層LS延伸至第二源極S2之下方區域，並且光屏蔽層LS重疊於連接電極CE1, CE2，進而確保電容器C之電容足夠。在此情況下，光屏蔽層LS由導電材料所形成，並且可透過接觸孔連接於第二源極S2。光屏蔽層LS可與第一連接線CL1以及第二連接線CL2位於同一層，並與第一連接線CL1以及第二連接線CL2皆由相同材料所形成。

第二電路裝置列C2設置於第二資料線DL2與第一參考線Ref1之間。在第二電路裝置列C2中有轉換薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2以及感測薄膜電晶體T3。

除了第一源極S1自第二資料線DL2分支之外，設置於第二電路裝置列C2中的轉換薄膜電晶體T1在電連接結構中與設置在第一電路裝置列C1中的轉換薄膜電晶體T1相同。

除了第二源極S2透過一第二接觸孔CH2連接於一第二像素中的一有機發光二極體之一陽極電極之外，設置於第二電路裝置列C2中的驅動薄膜電晶體T2在電連接結構中與設置在第一電路裝置列C1中的驅動薄膜電晶體T2相同。

設置在第二電路裝置列C2中的感測薄膜電晶體T3之電連接結構相同於設置在第一電路裝置列C1中的感測薄膜電晶體T3。

此外，在第二電路裝置列C2中形成有一光屏蔽層LS，第二電路裝置列C2之光屏蔽層LS相同於第一電路裝置列C1之光屏蔽層LS。

第三電路裝置列C3設置於第一參考線Ref1與第三資料線DL3之間。在第三電路裝置列C3中有轉換薄膜電晶體T1、驅動薄膜電晶體T2以及感測薄膜電晶體T3。

除了第一源極S1自第三資料線DL3分支之外，設置於第三電路裝置列C3中的轉換薄膜電晶體T1在電連接結構中與設置在第一電路裝置列C1中的轉換薄膜電晶體T1相同。

除了第二源極S2透過一第三接觸孔CH3連接於一第三像素中的一有機發光二極體之一陽極電極之外，設置於第三電路裝置列C3中的驅動薄膜電晶體T2在電連接結構中與設置在第一電路裝置列C1中的驅動薄膜電晶體T2相同。

設置在第三電路裝置列C3中的感測薄膜電晶體T3在電連接結構中與設置在第一電路裝置列C1中的感測薄膜電晶體T3相同。

此外，在第三電路裝置列C3中形成有一光屏蔽層LS，第三電路裝置列C3之光屏蔽層LS相同於第一電路裝置列C1之光屏蔽層LS。

同時，高壓電力線VDD與低壓電力線VSS可分別重疊於一第一輔助電極AE1與一第二輔助電極AE2。第一輔助電極AE1透過接觸孔連接於高壓電力線VDD，而第二輔助電極AE2透過接觸孔連接於低壓電力線VSS。第一輔助電極AE1在高壓電力線VDD下方沿高壓電力線VDD之一長度方向延伸，並且第一輔助電極AE1可重疊於高壓電力線VDD。第二輔助電極AE2在低壓電力線VSS下方沿低壓電力線VSS之一長度方向延伸，並且第二輔助電極AE2可重疊於低壓電力線VSS。第一輔助電極AE1與第二輔助電極AE2可與第一連接線CL1、第二連接線CL2以及光屏蔽層LS位於同一層，並與第一連接線CL1、第二連接線CL2以及光屏蔽層LS皆由相同材料所形成。第一輔助電極AE1與第二輔助電極AE2皆與第一連接線CL1以相隔一定距離設置，以避免短路。

此外，低壓電力線VSS可另外重疊於一第三輔助電極AE3。第三輔助電極AE3形成於低壓電力線VSS與一有機發光二極體之一陰極之間，使得低壓電力線VSS與有機發光二極體之陰極透過第三輔助電極AE3彼此連接。第三輔助電極AE3透過一第四接觸孔CH4連接於低壓電力線VSS，並且亦透過一第五接觸孔CH5連接於有機發光二極體之陰極。第三輔助電極AE3可與有機發光二極體之陽極電極位於同一層，並與有機發光二極體之陽極電極皆由相同材料所形成。

圖9係為圖8之電致發光顯示器的多個發射區佈置在電路結構中的平面示意圖。如圖9所示，第二發射區E2的寬度大於第一發射區E1的寬度，第三發射區E3的寬度大於第二發射區E2的寬度，如圖6所對應。

如圖9所示，第一發射區E1重疊於高壓電力線VDD。此外，第一發射區E1與做為一有機發光二極體之一陽極電極的一第一電極310重疊。第一電極310的面積相對大於第一發射區E1的面積。與第一發射區E1重疊之第一電極310延伸至第一接觸孔CH1，並且透過第一接觸孔CH1連接於設置在第一電路裝置列C1之驅動薄膜電晶體T2之第二源極S2。

如此一來，第一發射區E1與重疊於第一發射區E1之第一電極310之每一個皆重疊於高壓電力線VDD，但不重疊於設置有用以控制第一發射區E1之發光之一電路裝置的第一電路裝置列C1。

第二發射區E2重疊於第一電路裝置列C1、第一資料線DL1以及第二資料線DL2，並且可部份重疊於第二電路裝置列C2。如圖7之實施例所述，當第二發射區E2的寬度相同於第一發射區E1的寬度，第二發射區E2可不重疊於第二電路裝置列C2。

第二發射區E2與做為一有機發光二極體之一陽極電極的一第一電極320重疊。第一電極320的面積相對大於第二發射區E2的面積。重疊於第二發射區E2之第一電極320延伸至第二接觸孔CH2，並且透過第二接觸孔CH2連接於設置在第二電路裝置列C2之驅動薄膜電晶體T2之第二源極S2。

第二發射區E2與重疊於第二發射區E2之第一電極320之每一個皆重疊於第一電路裝置列C1。在部份情況中，第二發射區E2與重疊於第二發射區E2之第一電極320之每一個皆可部份重疊於設置有用以控制第二發射區E2之發光之一電路裝置的第二電路裝置列C2。

第三發射區E3可重疊於第二電路裝置列C2、第一參考線Ref1以及第三電路裝置列C3。第三發射區E3與做為一有機發光二極體之一陽極電極的一第三電極330重疊。第一電極330的面積相對大於第三發射區E3的面積。重疊於第三發射區E3之第一電極330延伸至第三接觸孔CH3，並且透過第三接觸孔CH3連接於設置在第三電路裝置列C3之驅動薄膜電晶體T2之第二源極S2。

第三發射區E3與重疊於第三發射區E3之第一電極330之每一個皆重疊於設置有用以控制第三發射區E3之發光之一電路裝置的第三電路裝置列C3。

透過設置於各電路裝置列C1, C2, C3中的電路裝置可控制各發射區E1, E2, E3的發光。在此時，在第三發射區E3之情況中，重疊於用以控制發光之第三電路裝置列C3。在第一發射區E1之情況中，不重疊於用以控制發光之第一電路裝置列C1。此外，在第二發射區E2之情況中，可重疊或不重疊於用以控制發光之第二電路裝置列C2。

圖10係為根據本發明之另一實施例所繪示之電致發光顯示器的多個發射區佈置在如8的電路結構中的平面示意圖。在圖10之另一實施例中，僅有電路裝置列C1, C2, C3與第一電極310, 320, 330之間的連接結構不同，其餘的結構皆相同於如圖9所示之實施例，因此以下僅對不同之結構詳細說明。

如圖10所示，重疊於第一發射區E1之第一電極310延伸至第三接觸孔CH3，並且透過第三接觸孔CH3連接於設置在第三電路裝置列C3之一驅動薄膜電晶體T2之第二源極S2。

如此一來，第一發射區E1與重疊於第一發射區E1之第一電極310之每一個皆重疊於低壓電力線VSS，但不重疊於設置有用以控制第一發射區E1之發光之一電路裝置的第三電路裝置列C3。

重疊於第二發射區E2之第一電極320延伸至第一接觸孔CH1，並且透過第一接觸孔CH1連接於設置在第一電路裝置列C1之一驅動薄膜電晶體T2之一第二源極S2。

如此一來，第二發射區E2與重疊於第二發射區E2之第一電極320可重疊於設置有用以控制第二發射區E2之發光之一電路裝置的第一電路裝置列C1。

重疊於第三發射區E3之第一電極330延伸至第二接觸孔CH2，並且透過第二接觸孔CH2連接於設置在第二電路裝置列C2之一驅動薄膜電晶體T2之一第二源極S2。

如此一來，第三發射區E3與重疊於第三發射區E3之第一電極330每一個皆重疊於設置有用以控制第三發射區E3之發光之一電路裝置的第二電路裝置列C2，並亦重疊於設置有用以控制第一發射區E1之發光之一電路裝置的第三電路裝置列C3。

因此，如圖10所示，第二發射區E2與第三發射區E3分別重疊於用以控制發光的第一電路裝置列C1與第二電路裝置列C2。然而，第一發射區E1不重疊於用以控制發光的第三電路裝置列C3。

以下將詳細說明本發明之電致發光顯示器的剖面結構。

圖11係為圖9之電致發光顯示器沿A-B的剖面示意圖。意即，圖11的剖面示意圖對應於各電路裝置列C1, C2, C3之驅動薄膜電晶體T2的剖面結構。

如圖11所示，基板100上形成有一電路裝置層200、多個第一電極310, 320, 330、一堤部400、多個發射層510, 520, 530以及一第二電極600。

電路裝置層200包含多個輔助電極AE1, AE2、一光屏蔽層LS、一高壓電力線VDD、一低壓電力線VSS、一驅動薄膜電晶體T2、多個資料線DL1, DL2, DL3、一第一參考線Ref1、一緩衝層210、一絕緣夾層220、一鈍化層230以及一平坦化層240。

輔助電極AE1, AE2可包含一第一輔助電極AE1以及一第二輔助電極AE2，第一輔助電極AE1與第二輔助電極AE2形成於基板100上。第一輔助電極AE1設置於高壓電力線VDD下方，而第二輔助電極AE2設置於低壓電力線VSS下方。

光屏蔽層LS形成於基板100上的每一個電路裝置列C1, C2, C3中。光屏蔽層LS可與輔助電極AE1, AE2位於同一層，並與輔助電極AE1, AE2皆由相同材料所形成。

高壓電力線VDD設置於第一輔助電極AE1上。詳細來說，緩衝層210與絕緣夾層220依序地形成於第一輔助電極AE1上，並且高壓電力線VDD形成於絕緣夾層220上。高壓電力線VDD透過設置在緩衝層210與絕緣夾層220的一接觸孔連接於第一輔助電極AE1。

低壓電力線VSS設置於第二輔助電極AE2上。詳細來說，緩衝層210與絕緣夾層220依序地形成於第二輔助電極AE2上，並且低壓電力線VSS形成於絕緣夾層220上。低壓電力線VSS透過設置在緩衝層210與絕緣夾層220的一接觸孔連接於第二輔助電極AE2。

驅動薄膜電晶體T2設置於每一個電路裝置列C1, C2, C3中。驅動薄膜電晶體T2可包含一第二活化層A2、一閘極絕緣層GI、一第二閘極G2、一第二源極S2以及一第二汲極D2。第二活化層A2設置於緩衝層210上，閘極絕緣層GI設置於第二活化層A2上，第二閘極G2設置於閘極絕緣層GI上，而第二源極S2與第二汲極D2設置於絕緣夾層220上並且分別透過設置在絕緣夾層220的接觸孔連接於第二活化層A2。第二活化層A2的寬度可小於光屏蔽層LS的寬度。

資料線DL1, DL2, DL3設置於絕緣夾層220上。資料線DL1, DL2, DL3可包含一第一資料線DL1、一第二資料線DL2以及一第三資料線DL3。第一資料線DL1與第二資料線DL2設置於第一電路裝置列C1與第二電路裝置列C2之間，第三資料線DL3設置於第三電路裝置列C3與低壓電力線VSS之間。

第一參考線Ref1形成於絕緣夾層220上。第一參考線Ref1設置於第二電路裝置列C2與第三電路裝置列C3之間。

高壓電力線VDD、低壓電力線VSS、第二源極S2、第二汲極D2、資料線DL1, DL2, DL3以及第一參考線Ref1皆設置於絕緣夾層220上，並全部皆由相同材料所形成。

鈍化層230形成於高壓電力線VDD、低壓電力線VSS、第二源極S2、第二汲極D2、資料線DL1, DL2, DL3以及第一參考線Ref1上。

平坦化層240形成於鈍化層230上。

第一電極310, 320, 330形成於平坦化層240上。第一電極310, 320, 330以對應發射區E1, E2, E3之每個區域而圖案化。

堤部400設置在平坦化層240上並用以覆蓋第一電極310, 320, 330的兩端。發射區E1, E2, E3由堤部400所定義。意即，發射區E1, E2, E3的位置、發射區E1, E2, E3與電路裝置列C1, C2, C3的重疊區域以及發射區E1, E2, E3與高壓電力線VDD以及低壓電力線VSS的重疊區域可與上述實施例相同，因此有關發射區E1, E2, E3之位置的說明將被省略。

發射層510, 520, 530個別形成於第一電極310, 320, 330上。發射層510, 520, 530可包含一第一發射層510、一第二發射層520以及一第三發射層530，其中第一發射層510具有設置於第一發射區E1之紅色(R)發光層，第二發射層520具有設置於第二發射區E2之綠色(G)發光層，以及第三發射層530具有設置於第三發射區E3之藍色(B)發光層。

第二電極600形成於發射層510, 520, 530上。第二電極600形成於堤部400上，因此第二電極600可形成於多個像素中，並且還形成於每個像素之間的邊界區域中。

圖12係為圖9之電致發光顯示器沿C-D的剖面示意圖。意即，圖12的剖面示意圖對應於各電路裝置列C1, C2, C3之一第一連接電極CE1與一第二源極S2之間的重疊區域。

如圖12所示，基板100上形成有一電路裝置層200、多個第一電極310, 320, 330、一堤部400、多個發射層510, 520, 530以及一第二電極600。

電路裝置層200包含多個輔助電極AE1, AE2、一光屏蔽層LS、一高壓電力線VDD、一低壓電力線VSS、一第一連接電極CE1、一第二源極S2、多個資料線DL1, DL2, DL3、一第一參考線Ref1、一緩衝層210、一絕緣夾層220、一鈍化層230以及一平坦化層240。

輔助電極AE1, AE2、光屏蔽層LS、高壓電力線VDD、低壓電力線VSS、資料線DL1, DL2, DL3、第一參考線Ref1、緩衝層210、絕緣夾層220、鈍化層230以及平坦化層240皆與圖11之實施例相同，因此以上元件的相關說明將被省略。

第一連接電極CE1與第二源極S2形成於每一個電路裝置列C1, C2, C3中。第一連接電極CE1形成於緩衝層210與絕緣夾層220之間，第二源極S2形成於絕緣夾層220與鈍化層230之間。因此，第一連接電極CE1設置得與光屏蔽層LS相隔一預定間距，使得緩衝層210設置於第一連接電極CE1與光屏蔽層LS之間，並且第一連接電極CE1可設置得與第二源極S2相隔一預定間距，使得絕緣夾層220設置於第一連接電極CE1與第二源極S2之間。第一連接電極CE1、光屏蔽層LS以及第二源極S2彼此重疊而形成電容。第一連接電極CE1與活化A1, A2, A3設置於同一層。活化層A1, A2, A3可由氧化物半導體所形成，而第一連接電極CE1可由一導電材料所形成，其中此導電材料係由對氧化物半導體加熱之傳導製程(conduction process)所獲得的。

第一電極310, 320, 330、堤部400、發射層510, 520, 530 以及第二電極600皆與圖11之實施例相同，因此以上元件的相關說明將被省略。

圖13係為圖9之電致發光顯示器沿E-F的剖面示意圖。意即，圖13的剖面示意圖對應於各電路裝置列C1, C2, C3之一接觸孔CH1, CH2, CH3, CH4, CH5的剖面結構。

如圖13所示，基板100上形成有一電路裝置層200、多個第一電極310, 320, 330、一第三輔助電極AE3、一堤部400以及一第二電極600。

電路裝置層200可包含一第一連接線CL1、一高壓電力線VDD、一低壓電力線VSS、一第二源極S2、多個資料線DL1, DL2, DL3、一第一參考線Ref1、一緩衝層210、一絕緣夾層220、一鈍化層230以及一平坦化層240。

第一連接線CL1形成於基板100上。第一連接線CL1設置於高壓電力線VDD下方。第一連接線CL1與前述之第一輔助電極AE1、前述之第二輔助電極AE2以及光屏蔽層LS位於同一層，並與第一輔助電極AE1、第二輔助電極AE2以及光屏蔽層LS皆由相同材料所形成。

高壓電力線VDD設置於第一連接線CL1上。詳細來說，緩衝層210與絕緣夾層220依序地形成於第一連接線CL1上，並且高壓電力線VDD形成於絕緣夾層220上。高壓電力線VDD透過設置在緩衝層210與絕緣夾層220中的一接觸孔連接於第一連接線CL1。

低壓電力線VSS形成於絕緣夾層220上。

第二源極S2形成於每一個電路裝置列C1, C2, C3中。特別地，第二源極S2形成於絕緣夾層220上。

資料線DL1, DL2, DL3、第一參考線Ref1、緩衝層210、絕緣夾層220、鈍化層230以及平坦化層240皆與圖11之實施例相同。

第一電極310, 320, 330形成於平坦化層240上。延伸至對應於第一發射區E1之區域的第一電極310透過設置於鈍化層230與平坦化層240的第一接觸孔CH1連接於設置在第一電路裝置列C1的第二源極S2。延伸至對應於第二發射區E2之區域的第一電極320透過設置於鈍化層230與平坦化層240的第二接觸孔CH2連接於設置在第二電路裝置列C2的第二源極S2。延伸至對應於第三發射區E3之區域的第一電極330透過設置於鈍化層230與平坦化層240的第三接觸孔CH3連接於設置在第三電路裝置列C3的第二源極S2。

然而，在如圖10之實施例中，延伸至對應於第一發射區E1之區域的第一電極310透過第三接觸孔CH3連接於設置在第三電路裝置列C3的第二源極S2。延伸至對應於第二發射區E2之區域的第一電極320透過第一接觸孔CH1連接於設置在第一電路裝置列C1的第二源極S2。延伸至對應於第三發射區E3之區域的第一電極330透過第二接觸孔CH2連接於設置在第二電路裝置列C2的第二源極S2。

第三輔助電極AE3形成於平坦化層240上。第三輔助電極AE3透過設置在鈍化層230與平坦化層240中的第四接觸孔CH4連接於低壓電力線VSS。第三輔助電極AE3與第一電極310, 320, 330由相同材料所形成。

堤部400形成於第一電極310, 320, 330以及第三輔助電極AE3上。圖13對應於每個像素之間的邊界區域，其中堤部400形成於基板100的整個區域之上。

第二電極600形成於堤部400上。第二電極600透過形成於堤部400內的一第五接觸孔CH5連接於第三輔助電極AE3。因此，第二電極600透過第三輔助電極AE3連接於低壓電力線VSS。

上述實施例之第一發射區E1重疊於高壓電力線VDD與低壓電力線VSS，並且第一發射區E1的寬度W1小於等於高壓電力線VDD的寬度Wvdd與低壓電力線VSS的寬度Wvss，但不以此結構為限。舉例來說，非高壓電力線VDD亦非低壓電力線VSS之另一條線的寬度大於等於第一發射區E1的寬度W1，並且第一發射區E1重疊於其他的訊號線。

圖14係為根據本發明之一實施例所繪示之電致發光顯示器的高壓電力線與低壓電力線佈置於顯示區與非顯示區的平面示意圖。

如圖14所示，基板100具有一顯示區DA以及一非顯示區NDA，其中非顯示區NDA環繞顯示區DA。顯示區DA對應到藉由發光而用以顯示影像的區域，而非顯示區NDA對應到無發光生成的區域因而無顯示影像。上述本發明之各實施例中的像素結構形成於顯示區DA。

多個虛設像素(dummy pixel)可形成於非顯示區NDA。多個虛設像素可環繞設置於形成在顯示區DA的多個像素之週邊。虛設像素可包含一虛設發射層(dummy emission layer)，其中虛設發射層形成於由堤部層所定義出的每個虛設發射區。於此，由於虛設像素上不顯示影像，虛設發射層則無發光生成。虛設發射層設置於顯示區DA中間的發射層與顯示區DA邊緣的發射層之間，以實現輪廓之均勻性。

當利用溶液製程將發射層形成於顯示區DA中時，顯示區DA中心之發射層的乾燥速度會不同於顯示區DA邊緣之發射層的乾燥速度，因此顯示區DA中心之發射層的輪廓與顯示區DA邊緣之發射層的輪廓可能會不均勻，因而難以實現顯示區DA中的發光均勻性。有鑑於此，虛設像素形成於非顯示區NDA，而當發射層形成於顯示區DA時虛設發射層亦形成於非顯示區NDA。意即，即使虛設發射層與發射層的輪廓不均勻，仍可在整個顯示區DA中使發射層實現均勻的輪廓。

多個高壓電力線VDD與多個低壓電力線VSS以一第一方向交互佈置於顯示區DA中並且延至非顯示區NDA，例如為一垂直方向。

低壓電力線VSS的相對下端可透過第一短路棒SB1而彼此連接，而低壓電力線VSS的相對上端可透過第二短路棒SB2而彼此連接，因此低壓電力線VSS彼此之間可電性連接。第一短路棒SB1與第二短路棒SB2每一個皆形成於非顯示區NDA中。第一短路棒SB1與第二短路棒SB2可與前述之第一電極310, 320, 330位於同一層，並與前述之第一電極310, 320, 330皆由相同材料所形成。第二短路棒SB2可透過接觸導線CW連接於設置在非顯示區NDA的一驅動電路DC。因此，施加於驅動電路DC的低壓電可經由接觸導線CW與第二短路棒SB2傳輸至多個低壓電力線。

高壓電力線VDD的相對下端可透過第三短路棒SB3而彼此連接。因此，高壓電力線VDD彼此之間可電性連接。此外，高壓電力線VDD的相對上端可連接於驅動電路DC。因此，高壓電可經由驅動電路DC施加於高壓電力線VDD。

根據上述之一實施例，高壓電力線與低壓電力線的寬度形成大於等於第一發射區的寬度，並且第一發射區重疊於高壓電力線與低壓電力線，以避免高壓電力線與低壓電力線造成第一發射區中的段差。如此一來，當利用溶液製程將第一發射層形成於第一發射區時，可使得第一發射區內的第一發射層實現均勻的輪廓，進而使第一發射區的發光均勻。

對於本領域技術人員而言，本發明顯然不限於上述實施例與附圖，並且在不脫離本發明的精神或範圍的情況下，可以對本發明進行各種替換、修改及變化。因此，本發明旨於涵蓋包含在所附申請專利範圍及其等同概念範圍內之本發明之修改及變化。

上述之各實施例可以修改或互相結合以進一步提供其他實施例。

有鑑於此，在以下申請專利範圍中，所提及之用語不應限制為僅於闡釋本說明書與申請專利範圍，而應可闡釋所有可能之實施例。因此，申請專利範圍不受本說明書的限制。

雖然本發明以前述之諸項實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明，任何熟習相像技藝者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作些許之更動與潤飾，因此本發明之專利保護範圍須視本說明書所附之申請專利範圍所界定者為準。

10‧‧‧基板

20‧‧‧電路裝置層

30‧‧‧第一電極

40‧‧‧堤部

50‧‧‧發射層

E‧‧‧發射區

100‧‧‧基板

201‧‧‧下絕緣層

202‧‧‧上絕緣層

210‧‧‧緩衝層

220‧‧‧絕緣夾層

230‧‧‧鈍化層

240‧‧‧平坦化層

310‧‧‧第一電極

320‧‧‧第一電極

330‧‧‧第一電極

400‧‧‧堤部

410‧‧‧第一堤部

420‧‧‧第二堤部

510‧‧‧第一發射層

520‧‧‧第二發射層

530‧‧‧第三發射層

600‧‧‧第二電極

A1‧‧‧第一活化層

A2‧‧‧第二活化層

A3‧‧‧第三活化層

AE1‧‧‧第一輔助電極

AE2‧‧‧第二輔助電極

AE3‧‧‧第三輔助電極

B‧‧‧藍光

C‧‧‧電容器

C1‧‧‧第一電路裝置列

C2‧‧‧第二電路裝置列

C3‧‧‧第三電路裝置列

C4‧‧‧第四電路裝置列

C5‧‧‧第五電路裝置列

C6‧‧‧第六電路裝置列

CE1‧‧‧第一連接電極

CE2‧‧‧第二連接電極

CH1‧‧‧第一接觸孔

CH2‧‧‧第二接觸孔

CH3‧‧‧第三接觸孔

CH4‧‧‧第四接觸孔

CH5‧‧‧第五接觸孔

CL1‧‧‧第一連接線

CL2‧‧‧第二連接線

CL3‧‧‧第三連接線

CW‧‧‧接觸導線

D1‧‧‧第一汲極

D2‧‧‧第二汲極

D3‧‧‧第三汲極

DA‧‧‧顯示區

DC‧‧‧驅動電路

DL1‧‧‧第一資料線

DL2‧‧‧第二資料線

DL3‧‧‧第三資料線

DL4‧‧‧第四資料線

DL5‧‧‧第五資料線

DL6‧‧‧第六資料線

E1‧‧‧第一發射區

E2‧‧‧第二發射區

E3‧‧‧第三發射區

G‧‧‧綠光

G1‧‧‧第一閘極

G2‧‧‧第二閘極

G3‧‧‧第三閘極

GI‧‧‧閘極絕緣層

GL‧‧‧閘極線

h1‧‧‧高度

h2‧‧‧高度

LS‧‧‧光屏蔽層

NDA‧‧‧非顯示區

OLED‧‧‧有機發光二極體

R‧‧‧紅光

Ref1‧‧‧第一參考線

Ref2‧‧‧第二參考線

S1‧‧‧第一源極

S2‧‧‧第二源極

S3‧‧‧第三源極

SB1‧‧‧第一短路棒

SB2‧‧‧第二短路棒

SB3‧‧‧第三短路棒

SCL‧‧‧感測控制線

T1‧‧‧轉換薄膜電晶體

T2‧‧‧驅動薄膜電晶體

T3‧‧‧感測薄膜電晶體

VDD‧‧‧高壓電力線

VSS‧‧‧低壓電力線

W1‧‧‧寬度

W2‧‧‧寬度

W3‧‧‧寬度

We‧‧‧寬度

Wvdd‧‧‧寬度

Wvss‧‧‧寬度

透過以下詳細描述並配合參照附圖，將更清清地理解本發明之上述與其他目的、特徵以及其他優點，其中：圖1係為根據先前技術所繪示的之電致發光顯示器的剖面示意圖。圖2係為根據本發明之一實施例所繪示之電致發光顯示器的平面示意圖。圖3係為圖2之電致發光顯示器沿I-I的局部放大剖面示意圖。圖4係為根據本發明之另一實施例所繪示之電致發光顯示器沿如圖2 I-I的局部放大剖面示意圖。圖5係為根據本發明之一實施例所繪示之電致發光顯示器的電路圖。圖6係為圖5之電致發光顯示器的多個發射區佈置在電路結構中的平面示意圖。圖7係為根據本發明之另一實施例所繪示之電致發光顯示器的多個發射區佈置在如圖5的電路結構中的平面示意圖。圖8係為根據本發明之一實施例所繪示之具有如圖5的電路結構之電致發光顯示器的平面示意圖。圖9係為圖8之電致發光顯示器的多個發射區佈置在電路結構中的平面示意圖。圖10係為根據本發明之另一實施例所繪示之電致發光顯示器的多個發射區佈置在如8的電路結構中的平面示意圖。圖11係為圖9之電致發光顯示器沿A-B的剖面示意圖。圖12係為圖9之電致發光顯示器沿C-D的剖面示意圖。圖13係為圖9之電致發光顯示器沿E-F的剖面示意圖。圖14係為根據本發明之一實施例所繪示之電致發光顯示器的高壓電力線與低壓電力線佈置於顯示區與非顯示區的平面示意圖。

Claims

一種電致發光顯示器，包含：一基板；一電路裝置層，設置於該基板上；一訊號線，設置於該電路裝置層內，該訊號線具有一第一寬度；一堤部，於該電路裝置層上定義出一第一發射區以及一第二發射區，該第一發射區具有一第二寬度，該第二發射區具有一第三寬度；一第一發射層，位於該第一發射區；以及一第二發射層，位於該第二發射區；其中，該第一發射區重疊於該訊號線，該第二寬度小於等於該第一寬度。
如申請專利範圍第1項所述之電致發光顯示器，其中該訊號線對應於一電力線。
如申請專利範圍第2項所述之電致發光顯示器，其中該電路裝置層更包含與該電力線同一方向佈置的一資料線與一參考線之至少其中一者，該第二發射區重疊於該資料線與該參考線之至少其中一者，該第三寬度大於該資料線與該參考線之至少其中一者的一寬度。
如申請專利範圍第3項所述之電致發光顯示器，其中該第三寬度大於該第二寬度。
如申請專利範圍第1項所述之電致發光顯示器，其中該第一發射層的一寬度小於等於該第一寬度。
一種電致發光顯示器，包含一基板；一高壓電力線以及一低壓電力線，以一第一方向佈置於該基板上；多個電路裝置列(circuit device column)，包含多個薄膜電晶體，用以控制於該基板上之該高壓電力線與該低壓電力線之間的一發光；一堤部，定義出多個發射區，該些發射區重疊於該高壓電力線、該低壓電力線與該些電路裝置列；以及一發射層，設置於各該發射區；其中，該些發射區包含一第一發射區，該第一發射區重疊於該高壓電力線與該低壓電力線之至少其中一者，且該第一發射區的一寬度小於等於該高壓電力線與該低壓電力線之至少其中一者的一寬度。
如申請專利範圍第6項所述之電致發光顯示器，其中該些發射區更包含一第二發射區，該第二發射區重疊於該些電路裝置列之至少其中一者。
如申請專利範圍第7項所述之電致發光顯示器，其中該些發射區更包含一第三發射區，該第三發射區重疊於該些電路裝置列之其中二者，且該第三發射區之一寬度大於該第一發射區的一寬度及該第二發射區的一寬度。
如申請專利範圍第6項所述之電致發光顯示器，更包含一參考線、一第一資料線、一第二資料線以及一第三資料線，該參考線、該第一資料線、該第二資料線以及該第三資料線設置於該基板之各該電路裝置列之間，其中該些電路裝置列包含一第一電路裝置列、一第二電路裝置列以及一第三電路裝置列，該第一電路裝置列設置於該高壓電力線與該第一資料線之間，該第二電路裝置列設置於該第二資料線與該參考線之間，該第三電路裝置列設置於該參考線與該第三資料線之間。
如申請專利範圍第9項所述之電致發光顯示器，更包含一第一陽極電極、一第二陽極電極以及一第三陽極電極，該第一陽極電極與設置於該第一電路裝置列內之一驅動薄膜電晶體(driving thin film transistor)的一電極相連接且重疊於該高壓電力線，該第二陽極電極與設置該第二電路裝置列內之一驅動薄膜電晶體的一電極相連接且重疊於該第一電路裝置列，該第三陽極電極與設置於該第三電路裝置列內之一驅動薄膜電晶體的一電極相連接且重疊於該第三電路裝置列。
如申請專利範圍第9項所述之電致發光顯示器，更包含一第一陽極電極、一第二陽極電極以及一第三陽極電極，該第一陽極電極與設置於該第三電路裝置列內之一驅動薄膜電晶體的一電極相連接且重疊於該低壓電力線，該第二陽極電極與設置於該第一電路裝置列內之一驅動薄膜電晶體的一電極相連接且重疊於該第一電路裝置列，該第三陽極電極與設置於該第二電路裝置列內之一驅動薄膜電晶體的一電極相連接且重疊於該第三電路裝置列。
如申請專利範圍第9項所述之電致發光顯示器，更包含一第一連接線，該第一連接線自該高壓電力線延伸至該第一電路裝置列、該第二電路裝置列、該第三電路裝置列以及該低壓電力線，其中該第一連接線將該高壓電力線連接至設置於該第一電路裝置列、該第二電路裝置列以及該第三電路裝置列中之該些驅動薄膜電晶體的各電極。
如申請專利範圍第9項所述之電致發光顯示器，更包含一第二連接線，該第二連接線自該參考線延伸至該第一電路裝置列、該第二電路裝置列以及該第三電路裝置列，其中該第二連接線將該參考線連接至設置於該第一電路裝置列、該第二電路裝置列以及該第三電路裝置列中之多個感測薄膜電晶體(sensing thin film transistor)的各電極。
如申請專利範圍第6項所述之電致發光顯示器，其中該高壓電力線的一寬度等於該低壓電力線的一寬度，該第一發射區設置於該高壓電力線與該低壓電力線之上且重疊於該高壓電力線與該低壓電力線，該第一發射區的一寬度小於等於該高壓電力線的一寬度與該低壓電力線的一寬度。
一種電致發光顯示器，包含：一基板；一電路裝置層，設置於該基板上且包含一第一電路裝置列、一第二電路裝置列以及一第三電路裝置列；一堤部，於該電路裝置層上定義出一第一發射區、一第二發射區以及一第三發射區；一第一陽極電極，重疊於該第一發射區；一第二陽極電極，重疊於該第二發射區；以及一第三陽極電極，重疊於該第三發射區；其中，該第一電路裝置列、該第二電路裝置列以及該第三電路裝置列各包含一轉換薄膜電晶體(switching thin film transistor)以及一驅動薄膜電晶體，該些驅動薄膜電晶體，以相應控制該第一發射區、該第二發射區以及該第三發射區的一發光；其中，重疊於該第一發射區之該第一陽極電極連接於該第一電路裝置列或該第三電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極；其中，該第一發射區不重疊於該第一電路裝置列與該第三電路裝置列。
如申請專利範圍第15項所述之電致發光顯示器，其中該電路裝置層更包含一高壓電力線，用以提供高壓電予設置於該第一電路裝置列、該第二電路裝置列以及該第三電路裝置列中之該些驅動薄膜電晶體的另一電極，該第一發射區重疊於該高壓電力線。
如申請專利範圍第15項所述之電致發光顯示器，更包含一發射層、一第一電極以及一第二電極，該發射層位於該第一電極上，該第二電極位於該發射層上，該電路裝置層更包含一低壓電力線，該低壓電力線用以提供低壓電予該第二電極，其中該第一發射區重疊於該低壓電力線。
如申請專利範圍第15項所述之電致發光顯示器，其中重疊於該第一發射區之該第一陽極電極連接於設置於該第一電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極，重疊於該第二發射發之該第二陽極電極連接於設置於該第二電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極，重疊於該第三發射區之該第三陽極電極連接於該第三電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極，該第二發射區重疊於該第一電路裝置列，該第三發射區重疊於該第三電路裝置列。
如申請專利範圍第15項所述之電致發光顯示器，其中重疊於該第一發射區之該第一陽極電極連接於設置於該第三電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極，重疊於該第二發射區之該第二陽極電極連接於設置於該第一電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極，重疊於第三發射區之該第三陽極電極連接於設置於該第二電路裝置列中的該驅動薄膜電晶體的一電極，該第二發射區重疊於該第一電路裝置列，該第三發射區重疊於該第三電路裝置列。
如申請專利範圍第15項所述之電致發光顯示器，其中該電路裝置層更包含以相同方向佈置的一高壓電力線、一低壓電力線、一第一資料線、一第二資料線、一第三資料線以及一參考線，該第一電路裝置列設置於該高壓電力線與該第一資料線之間，該第二電路裝置列設置於該第二資料線與該參考線之間，該第三電路裝置列設置於該參考線與該第三資料線之間。