TW201927548A

TW201927548A - 偏光板保護薄膜、偏光板及顯示裝置

Info

Publication number: TW201927548A
Application number: TW107146416A
Authority: TW
Inventors: 真島啟; 猪股貴道
Original assignee: 日商日本瑞翁股份有限公司
Priority date: 2017-12-26
Filing date: 2018-12-21
Publication date: 2019-07-16
Also published as: CN111465878A; JPWO2019131457A1; JP7226333B2; US20200301046A1; WO2019131457A1; TWI783102B; KR20200103651A; CN111465878B

Abstract

一種偏光板保護薄膜，其在具有經以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理之算術平均粗糙度3nm的面之玻璃板的前述面，以溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min之條件壓合之情形中的密合力為1.0N／10mm以上，在190℃、荷重2.16kg時之熔流速率M［g／10min］為5g／10min以上，並且拉伸彈性模數E［MPa］為200MPa以上且1200MPa以下。

Description

偏光板保護薄膜、偏光板及顯示裝置

本發明係關於偏光板保護薄膜，以及包含此偏光板保護薄膜之偏光板及顯示裝置。

作為顯示裝置，已知具備顯示體及偏光板者。舉例而言，已知液晶顯示裝置，其具備包含成對設置之透明基板及封入於此些基板之間之液晶化合物的液晶顯示體，與設置於此液晶顯示體之單側或兩側的偏光板。並且，舉例而言，已知有機電致發光顯示裝置（以下適時稱為「有機EL顯示裝置」。），其具備包含基板、電極及發光層的有機電致發光顯示體（以下適時稱為「有機EL顯示體」。），與為了抑制在此有機EL顯示體之光線反射而設置的偏光板。

如前所述之顯示裝置所具備的偏光板，以往一般具備偏光件與分別貼合於此偏光件之兩側的偏光板保護薄膜。而且，此偏光板大多使用接合劑貼合於顯示體。

近年來，為了薄化顯示裝置，已嘗試薄化偏光板。於是，已提案省略單邊偏光板保護薄膜而僅於偏光件之單側具備偏光板保護薄膜的偏光板（專利文獻1及2）。

《專利文獻》
專利文獻1：日本專利公開第2012-145645號公報
專利文獻2：日本專利公開第2009-109860號公報

如前所述，僅於偏光件之單側具備偏光板保護薄膜的偏光板，通常以與偏光板保護薄膜為相反側之偏光件的面，經由接合劑貼合於顯示體。然而，若使用如此省略單邊偏光板保護薄膜的偏光板，則偏光件的保護會變得不夠充分，有時會因濕氣而發生偏光度降低，有時會因遭受熱衝擊而於偏光件發生破裂。並且，若省略偏光板保護薄膜，則有時會損及偏光板的剛性，而使偏光板容易產生傷痕。再者，藉由接合劑的貼合，有時會在高溫環境或高濕度環境發生剝離，而有因此剝離進而難以進行偏光件之保護的情形。

本發明係有鑑於前述問題而首創者，其目的在於提供能薄化設置有偏光板之顯示裝置且可善加保護偏光件的偏光板保護薄膜，以及包含前述偏光板保護薄膜之偏光板及顯示裝置。

本發明人為能解決前述問題而專心致志進行研究。其結果，本發明人發現藉由將係為具有期望特性之薄膜且即使不使用接合劑亦能貼合於顯示體之薄膜作為偏光板保護薄膜使用，可解決前述問題，進而完成本發明。

亦即，本發明包含下述內容。

［1］一種偏光板保護薄膜，其包含：
樹脂層，其在190℃、荷重2.16kg時之熔流速率M［g／10min］滿足式（1）：
5g／10min　≦　M　　式（1）；
其中，在具有經以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理之算術平均粗糙度3nm的面之玻璃板的前述面，以溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min之條件壓合前述樹脂層之情形中的密合力為1.0N／10mm以上，且
拉伸彈性模數E［MPa］滿足式（2）：
200MPa　≦　E　≦　1200MPa　　式（2）。

［2］如［1］所記載之偏光板保護薄膜，其中前述樹脂層包含烷氧矽基。

［3］如［1］或［2］所記載之偏光板保護薄膜，其中
前述偏光板保護薄膜之以厚度100μm換算的水蒸氣穿透率W［g／m² ／day］滿足式（3）：
W　≦　10g／m² ／day　　式（3）。

［4］如［1］～［3］之任一項所記載之偏光板保護薄膜，其中：
前述樹脂層包含烷氧矽基改質物［3］；
前述烷氧矽基改質物［3］係嵌段共聚物［1］之主鏈及支鏈之碳―碳不飽和鍵結及芳環之碳―碳不飽和鍵結之90%以上經氫化的氫化物［2］之烷氧矽基改質物；
前述嵌段共聚物［1］具有以芳族乙烯化合物單元作為主成分且於每1分子前述嵌段共聚物［1］為2個以上的聚合物嵌段［A］，與以鏈狀共軛二烯化合物單元作為主成分且於每1分子前述嵌段共聚物［1］為1個以上的聚合物嵌段［B］；
前述嵌段共聚物［1］之整體中前述聚合物嵌段［A］所佔之重量分率wA與前述嵌段共聚物［1］之整體中前述聚合物嵌段［B］所佔之重量分率wB之比（wA／wB）為30／70～60／40。

［5］如［1］～［4］之任一項所記載之偏光板保護薄膜，其中前述樹脂層包含塑化劑。

［6］一種偏光板，其包含如［1］～［5］之任一項所記載之偏光板保護薄膜與偏光件。

［7］一種顯示裝置，其包括具備基板之顯示體與如［6］所記載之偏光板，其中
前述偏光板之偏光板保護薄膜與前述基板接觸。

根據本發明，可提供能薄化設置有偏光板之顯示裝置且可善加保護偏光件的偏光板保護薄膜，以及包含前述偏光板保護薄膜之偏光板及顯示裝置。

以下揭示實施型態及示例物以詳細說明本發明。惟本發明並非受限於以下所示之實施型態及示例物者，於未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。

於以下說明中，除非另有註記，否則所謂「偏光板」及「基板」不僅為剛直的構件，亦包含例如樹脂製之薄膜般具有可撓性的構件。

［1.偏光板保護薄膜的概要］

本發明之偏光板保護薄膜係用於藉由與偏光件貼合來保護前述偏光件的薄膜，其中：
（i）具有具指定範圍之熔流速率的樹脂層；
（ii）前述樹脂層對於玻璃板具有指定範圍的密合力；且
（iii）具有指定範圍的拉伸彈性模數。

於以下說明中，適時將前述樹脂層稱為「特定樹脂層」。

［2.特定樹脂層的熔流速率］

偏光板保護薄膜包含具有指定之熔流速率M的特定樹脂層。於此，所謂特定樹脂層的熔流速率，意指該特定樹脂層所包含之樹脂的熔流速率。因此，偏光板保護薄膜包含由具有指定之熔流速率M之樹脂而成的特定樹脂層。

具體而言，前述特定樹脂層之在190℃、荷重2.16kg時之熔流速率M［g／10min］滿足下述式（1）。
5g／10min　≦　M　　式（1）

更詳細而言，特定樹脂層的熔流速率M通常為5g／10min以上，以6g／10min以上為佳，以7g／10min以上為較佳。熔流速率為如此之高的特定樹脂層，因在藉由加熱壓合之貼合時會發揮高流動性，故可輕易擴散。據此，在將偏光板加熱壓合於顯示體時，包含前述特定樹脂層之偏光板保護薄膜可以高密合面積密合於顯示體，故可抑制氣泡及空隙的產生，尤可優化於邊緣部分的密合。因此，可抑制水蒸氣經由前述氣泡或空隙進入，故可提升偏光板的耐濕性。並且，因具有前述熔流速率之特定樹脂層在加熱壓合時可輕易擴散，故偏光板保護薄膜不易發生局部變形，因此易於抑制皺褶產生。再者，因具有前述熔流速率的特定樹脂層可獲得高密合面積，故可提高偏光板保護薄膜的密合力。並且，因具有前述熔流速率的特定樹脂層在高溫時固然會變得柔軟，卻不易損及密合力，故可抑制在高溫環境中之偏光板保護薄膜的剝離。

特定樹脂層的熔流速率M，以80g／10min以下為佳，以60g／10min以下為較佳，以40g／10min以下為尤佳。藉由熔流速率M為前述上限值以下，於加熱壓合偏光板保護薄膜時，能抑制偏光板保護薄膜的流動性變得過剩，而易於進行貼合。

特定樹脂層的熔流速率M得依據JIS K7210，使用熔融指數器作為量測裝置，於溫度190℃、荷重2.16kg的條件下量測。

［3.特定樹脂層對於玻璃板的密合力］

特定樹脂層在具有經以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理之算術平均粗糙度3nm的面之玻璃板的前述面，以溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min之條件壓合之情形中的密合力，處於指定範圍。具體而言，前述密合力通常為1.0N／10mm以上，以2.0N／10mm以上為較佳，以3.0N／10mm以上為尤佳。

顯示裝置中設置有偏光板之顯示體的基板，得藉由樹脂等有機材料、玻璃等無機材料等廣泛種類的材料來形成。並且，包含對於玻璃板之面具有如前所述之高密合力之特定樹脂層的偏光板保護薄膜，能貼合於廣泛種類的構件而不使用接合劑。據此，在前述偏光板保護薄膜設置於顯示裝置的時候，毋須使用接合劑。因此，有多少接合劑層之層體之部分就能縮小多少厚度，故能使顯示裝置薄型化。其中，尤因包含特定樹脂層之偏光板保護薄膜對於玻璃板等無機構件的親和性尤其優異，故能夠尤為強力地貼合於由玻璃等無機材料而成的基板。

前述密合力之上限值並無特別限制，但就易於進行偏光板保護薄膜之製造的觀點而言，得定為例如10.0N／10mm以下、8.0N／10mm以下、6.0N／10mm以下。

前述密合力得藉由下述方法量測。

準備於表面具有特定樹脂層且幅寬10mm×長度100mm之矩形的試片。尤其，在前述試片包含偏光件的情況下，使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致。以溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min之條件，藉由層壓機，將此試片壓合在具有經以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理之算術平均粗糙度3nm的面之玻璃板的前述面。之後，使用剝離試驗機，以速度300mm／分鐘，沿相對於玻璃板之表面180°之方向拉伸試片，量測試片之長邊方向的剝離強度作為密合力。

並且，某面的算術平均粗糙度Ra，得使用表面粗糙度計，依據JIS B 0601:1994量測。於此，所謂算術平均粗糙度Ra，係自所量測之截面曲線，藉由截止值λc的高通濾波器來遮蔽長波長成分而求得輪廓曲線（粗糙度曲線），於此曲線之基準長度中之高度（自平均線至量測曲線的距離）之絕對值的平均值。

前述密合力得藉由例如適當選擇係為特定樹脂層之材料的樹脂種類而實現。其中，以使用含有矽原子之基的聚合物作為樹脂所包含之聚合物為佳，以使用含有烷氧矽基之聚合物為尤佳。並且，為了實現如前所述之高密合性，以使用具有高熔流速率之樹脂為佳。

［4.偏光板保護薄膜的拉伸彈性模數］

偏光板保護薄膜的拉伸彈性模數E［MPa］滿足式（2）。
200MPa　≦　E　≦　1200MPa　　式（2）

更詳言之，偏光板保護薄膜的拉伸彈性模數E通常為200MPa以上，以300MPa以上為佳，以400MPa以上為較佳，且通常為1200MPa以下，以1100MPa以下為佳，以1000MPa以下為較佳。藉由偏光板保護薄膜的拉伸彈性模數E為前述下限值以上，可充分保護偏光件，故可抑制偏光件之破裂的發生。並且，可提高偏光板的剛性，故可抑制由外力所致之偏光板的變形、抑制傷痕產生。並且，藉由偏光板保護薄膜的拉伸彈性模數E為前述上限值以下，薄膜於層壓時會隨顯示體的表面變形，故可抑制貼合時之氣泡及皺褶的產生。

偏光板保護薄膜的拉伸彈性模數E得依據JIS K7113，使用拉伸試驗機，藉由下述方法量測。

自偏光板保護薄膜切取具有平行於該薄膜之長邊方向的長邊之矩形（幅寬10mm×長邊長度250mm）的試片。量測沿長邊方向拉伸此試片使之變形時的應力。應力的量測條件定為溫度23℃、濕度60±5%RH、夾頭間距離115mm、拉伸速度50mm／min。此應力之量測進行3次。然後，選擇所量測之應力，與自對應此應力之應變的量測資料中之試片應變於0.6%～1.2%之範圍每隔0.2%的4點量測資料（亦即，應變為0.6%、0.8%、1.0%及1.2%時的量測資料）。自3次量測之4點量測資料（總計12點），使用最小平方法計算拉伸彈性模數。

［5.偏光板保護薄膜的組成及結構］

偏光板保護薄膜係包含上述特定樹脂層的薄膜。作為特定樹脂層所包含之樹脂，就實現如上所述之高熔流速率的觀點而言，通常使用熱塑性樹脂。據此，特定樹脂層通常包含熱塑性聚合物與視需求而使用的任意成分。

偏光板保護薄膜可為僅具有1層之單層結構的薄膜，亦可為具備2層以上之層體之多層結構的薄膜。在偏光板保護薄膜具有多層結構的情況下，以其最外層為特定樹脂層為佳。以偏光板保護薄膜之用以與顯示體之基板接觸之最外層為特定樹脂層為尤佳。因特定樹脂層與顯示體之基板的親和性優異，故具備此種特定樹脂層作為最外層的偏光板保護薄膜可實現高密合力。

並且，就實現對於玻璃板之高密合力的觀點而言，特定樹脂層以包含烷氧矽基為佳。據此，特定樹脂層所包含的樹脂，以包含烷氧矽基為佳。

特定樹脂層所包含的樹脂中，烷氧矽基的重量比例，以0.1重量%以上為佳，以0.2重量%以上為較佳，以0.3重量%以上為尤佳，且以10重量%以下為佳，以5重量%以下為較佳，以3重量%以下為尤佳。藉由烷氧矽基的重量比例為前述範圍的下限值以上，可提高樹脂對於顯示體之基板的親和性，而有效提高密合力。另一方面，藉由烷氧矽基的重量比例為前述範圍的上限值以下。可抑制樹脂的脆化而提高機械強度。

烷氧矽基的比例，得藉由¹ H-NMR光譜量測聚合物中之烷氧矽基的量，依據此量測值而求得。並且，計算烷氧矽基的量時，在烷氧矽基的量為少的情況下，得增加累積次數來計算。

作為包含烷氧矽基之合適的樹脂，可舉出包含「包含烷氧矽基的聚合物」與「視需求之任意成分」的熱塑性樹脂。作為包含烷氧矽基的聚合物，以使用特定嵌段共聚物［1］之不飽和鍵結經氫化的氫化物［2］之烷氧矽基改質物［3］為佳。

嵌段共聚物［1］係具有於每1分子嵌段共聚物［1］為2個以上之聚合物嵌段［A］與於每1分子嵌段共聚物［1］為1個以上之聚合物嵌段［B］的嵌段共聚物。

聚合物嵌段［A］係以芳族乙烯化合物單元作為主成分的聚合物嵌段。於此，所謂芳族乙烯化合物單元，意指具有聚合芳族乙烯化合物而形成之結構的結構單元。

作為對應聚合物嵌段［A］所具有之芳族乙烯化合物單元的芳族乙烯化合物，可列舉例如：苯乙烯；α-甲基苯乙烯、2-甲基苯乙烯、3-甲基苯乙烯、4-甲基苯乙烯、2,4-二甲基苯乙烯、2,4-二異丙基苯乙烯、4-三級丁基苯乙烯、5-三級丁基-2-甲基苯乙烯等具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類；4-氯苯乙烯、二氯苯乙烯、4-一氟苯乙烯等具有鹵素原子作為取代基的苯乙烯類；4-甲氧基苯乙烯等具有碳數1～6之烷氧基作為取代基的苯乙烯類；4-苯基苯乙烯等具有芳基作為取代基的苯乙烯類；1-乙烯基萘、2-乙烯基萘等乙烯基萘類；等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。此些之中，就可降低吸濕性而言，以苯乙烯、具有碳數1～6之烷基作為取代基的苯乙烯類等不含極性基的芳族乙烯化合物為佳，就工業易取得性而言，以苯乙烯為尤佳。

聚合物嵌段［A］中之芳族乙烯化合物單元的含有率，以90重量%以上為佳，以95重量%以上為較佳，以99重量%以上為尤佳。藉由將聚合物嵌段［A］中芳族乙烯化合物單元的量增為如前所述之多，可提高偏光板保護薄膜之硬度及耐熱性。

聚合物嵌段［A］亦可於芳族乙烯化合物單元以外包含任意結構單元。聚合物嵌段［A］可包含單獨1種的任意結構單元，亦可包含以任意比率組合2種以上的任意結構單元。

作為聚合物嵌段［A］得包含的任意結構單元，可列舉例如：鏈狀共軛二烯化合物單元。於此，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，意指具有聚合鏈狀共軛二烯化合物而形成之結構的結構單元。作為對應鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：與列舉作為對應聚合物嵌段［B］所具有之鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物者相同之例。

並且，作為聚合物嵌段［A］得包含的任意結構單元，可列舉例如：具有聚合除了芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外的任意不飽和化合物而形成之結構的結構單元。作為任意不飽和化合物，可列舉例如：鏈狀乙烯化合物、環狀乙烯化合物等乙烯化合物；不飽和環狀酸酐；不飽和醯亞胺化合物；等。此些化合物亦可具有腈基、烷氧基羰基、羥羰基或鹵基等取代基。此些之中，就吸濕性的觀點而言，以乙烯、丙烯、1-丁烯、1-戊烯、1-己烯、1-庚烯、1-辛烯、1-壬烯、1-癸烯、1-十二烯、1-二十烯、4-甲基-1-戊烯、4,6-二甲基-1-庚烯等每1分子為碳數2～20之鏈狀烯烴；乙烯基環己烷等每1分子為碳數5～20之環狀烯烴；等不含極性基的乙烯化合物為佳，以每1分子為碳數2～20之鏈狀烯烴為較佳，以乙烯、丙烯為尤佳。

聚合物嵌段［A］中之任意結構單元的含有率，通常為10重量%以下，以5重量%以下為佳，以1重量%以下為較佳。

嵌段共聚物［1］1分子中之聚合物嵌段［A］的數量，以2個以上為佳，且以5個以下為佳，以4個以下為較佳，以3個以下為尤佳。1分子中有多個的聚合物嵌段［A］，彼此可相同，亦可相異。

在1分子之嵌段共聚物［1］存在有多個相異聚合物嵌段［A］的情況下，在聚合物嵌段［A］中，重量平均分子量最大之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（A1），重量平均分子量最少之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（A2）。此時，Mw（A1）與Mw（A2）之比「Mw（A1）／Mw（A2）」，以4.0以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.0以下為尤佳。藉此，可壓低各種物性數值的離散程度。

聚合物嵌段［B］係以鏈狀共軛二烯化合物單元作為主成分的聚合物嵌段。如前所述，所謂鏈狀共軛二烯化合物單元，意指具有聚合鏈狀共軛二烯化合物而形成之結構的結構單元。

作為對應此聚合物嵌段［B］所具有之鏈狀共軛二烯化合物單元的鏈狀共軛二烯化合物，可列舉例如：1,3-丁二烯、異戊二烯、2,3-二甲基-1,3-丁二烯、1,3-戊二烯等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。其中，為了要降低吸濕性，以不含極性基的鏈狀共軛二烯化合物為佳，以1,3-丁二烯、異戊二烯為尤佳。

聚合物嵌段［B］中之鏈狀共軛二烯化合物單元的含有率，以70重量%以上為佳，以80重量%以上為較佳，以90重量%以上為尤佳。藉由將聚合物嵌段［B］中鏈狀共軛二烯化合物單元的量增為如前所述之多，可提升偏光板保護薄膜的柔軟性。

聚合物嵌段［B］亦可於鏈狀共軛二烯化合物單元以外包含任意結構單元。聚合物嵌段［B］可包含單獨1種的任意結構單元，亦可包含以任意比率組合2種以上的任意結構單元。

作為聚合物嵌段［B］得包含的任意結構單元，可列舉例如：芳族乙烯化合物單元，以及具有聚合除了芳族乙烯化合物及鏈狀共軛二烯化合物以外的任意不飽和化合物而形成之結構的結構單元。作為此些芳族乙烯化合物單元，以及具有聚合任意不飽和化合物而形成之結構的結構單元，可列舉例如：與作為聚合物嵌段［A］亦可包含者而示例者相同之例。

聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率，以30重量%以下為佳，以20重量%以下為較佳，以10重量%以下為尤佳。藉由降低聚合物嵌段［B］中之任意結構單元的含有率，可提升偏光板保護薄膜的柔軟性。

嵌段共聚物［1］1分子中之聚合物嵌段［B］的數量，通常為1個以上，但亦可為2個以上。在嵌段共聚物［1］中之聚合物嵌段［B］的數量為2個以上的情況下，聚合物嵌段［B］彼此可相同，亦可相異。

在1分子之嵌段共聚物［1］存在有多個相異聚合物嵌段［B］的情況下，在聚合物嵌段［B］中，重量平均分子量最大之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（B1），重量平均分子量最少之聚合物嵌段的重量平均分子量定為Mw（B2）。此時，Mw（B1）與Mw（B2）之比「Mw（B1）／Mw（B2）」，以4.0以下為佳，以3.0以下為較佳，以2.0以下為尤佳。藉此，可壓低各種物性數值的離散程度。

嵌段共聚物［1］之嵌段之型態可為鏈狀型嵌段，亦可為星型嵌段。其中，鏈狀型嵌段因機械強度優異而為佳。由於在嵌段共聚物［1］具有鏈狀型嵌段之型態的情況下，嵌段共聚物［1］之分子鏈的兩端為聚合物嵌段［A］一事可將樹脂的黏性抑制為適當低的值，故為佳。

嵌段共聚物［1］之尤佳的嵌段之型態，如以［A］－［B］－［A］所表示：於聚合物嵌段［B］的兩端鍵結聚合物嵌段［A］的三嵌段共聚物；如以［A］－［B］－［A］－［B］－［A］所表示：於聚合物嵌段［A］的兩端鍵結聚合物嵌段［B］，更於該兩聚合物嵌段［B］的另一端分別鍵結聚合物嵌段［A］的五嵌段共聚物。尤其，由於［A］－［B］－［A］的三嵌段共聚物製造容易且可輕易使物性落於期望範圍，故為尤佳。

嵌段共聚物［1］中，嵌段共聚物［1］之整體中聚合物嵌段［A］所佔之重量分率wA與嵌段共聚物［1］之整體中聚合物嵌段［B］所佔之重量分率wB之比（wA／wB），以落於特定範圍為佳。具體而言，前述比（wA／wB），以30／70以上為佳，以40／60以上為較佳，且以60／40以下為佳，以55／45以下為較佳。藉由將前述比wA／wB定於前述範圍之下限值以上，可提升偏光板保護薄膜之硬度及耐熱性、縮小雙折射。並且，藉由定於上限值以下，可提升偏光板保護薄膜的柔軟性。於此，聚合物嵌段［A］的重量分率wA表示聚合物嵌段［A］整體的重量分率，聚合物嵌段［B］的重量分率wB表示聚合物嵌段［B］整體的重量分率。

前述嵌段共聚物［1］之重量平均分子量（Mw），以40,000以上為佳，以50,000以上為較佳，以60,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。

並且，嵌段共聚物［1］的分子量分布（Mw／Mn），以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。於此，Mn表示數量平均分子量。

前述嵌段共聚物［1］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃（THF）作為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC），作為聚苯乙烯換算的值來量測。

作為嵌段共聚物［1］的製造方法，可列舉例如：藉由活性陰離子聚合等方法，使含有芳族乙烯化合物作為主成分的單體組成物（a）與含有鏈狀共軛二烯化合物作為主成分的單體組成物（b）交替聚合的方法；使含有芳族乙烯化合物作為主成分的單體組成物（a）與含有鏈狀共軛二烯化合物作為主成分的單體組成物（b）依序聚合後，藉由耦合劑使聚合物嵌段［B］的末端彼此耦合的方法。

單體組成物（a）中之芳族乙烯化合物的含量，通常為90重量%以上，以95重量%以上為佳，以99重量%以上為較佳。並且，單體組成物（a）亦可含有芳族乙烯化合物以外的任意單體成分。作為任意單體成分，可列舉例如：鏈狀共軛二烯化合物、任意不飽和化合物。任意單體成分的量，相對於單體組成物（a），通常為10重量%以下，以5重量%以下為佳，以1重量%以下為較佳。

單體組成物（b）中之鏈狀共軛二烯化合物的含量，通常為70重量%以上，以80重量%以上為佳，以90重量%以上為較佳。並且，單體組成物（b）亦可含有鏈狀共軛二烯化合物以外的任意單體成分。作為任意單體成分，可列舉芳族乙烯化合物、任意不飽和化合物。任意單體成分的量，相對於單體組成物（b），通常為30重量%以下，以20重量%以下為佳，以10重量%以下為較佳。

作為聚合單體組成物而獲得各個聚合物嵌段的方法，得使用例如：自由基聚合、陰離子聚合、陽離子聚合、配位陰離子聚合、配位陽離子聚合等。就使聚合操作及後續工序中之氫化反應易於進行的觀點而言，自由基聚合、陰離子聚合及陽離子聚合等，以藉由活性聚合來進行的方法為佳，以藉由活性陰離子進行的方法為尤佳。

聚合得在聚合起始劑的存在下進行。舉例而言，於活性陰離子聚合中，作為聚合起始劑，得使用：正丁基鋰、二級丁基鋰、三級丁基鋰、己基鋰、苯基鋰等單有機鋰；二鋰甲烷、1,4-二鋰丁烷、1,4-二鋰-2-乙基環己烷等多官能性有機鋰化合物；等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

聚合溫度，以0℃以上為佳，以10℃以上為較佳，以20℃以上為尤佳，且以100℃以下為佳，以80℃以下為較佳，以70℃以下為尤佳。

聚合反應的型態，得使用例如：溶液聚合及漿液聚合等。其中，若使用溶液聚合，則易於去除反應熱。

在進行溶液聚合的情況下，作為溶劑，得使用可溶解在各工序中所獲得之聚合物的惰性溶劑。作為惰性溶劑，可舉例：正丁烷、正戊烷、異戊烷、正己烷、正庚烷、異辛烷等脂族烴溶劑；環戊烷、環己烷、甲基環戊烷、甲基環己烷、十氫萘、雙環[4.3.0]壬烷、三環[4.3.0.1^2,5 ]癸烷等脂環烴溶劑；苯、甲苯等芳烴溶劑；等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。其中，若使用脂環烴溶劑作為溶劑，由於在氫化反應中亦可直接作為惰性的溶劑使用，且嵌段共聚物［1］的溶解性亦良好，故為佳。溶劑的使用量，相對於總使用單體100重量份，以200重量份～2000重量份為佳。

在各個單體組成物包含2種以上之單體的情況下，為了防止僅某1成分的連鏈變長，得使用無規化劑。尤其，在藉由陰離子聚合進行聚合反應的情況下，以使用例如路易士鹼化合物等作為無規化劑為佳。作為路易士鹼化合物，可列舉例如：二甲醚、二乙醚、二異丙醚、二丁醚、四氫呋喃、二苯醚、乙二醇二乙醚、乙二醇甲基苯基醚等醚化合物；四甲基乙二胺、三甲胺、三乙胺、吡啶等三級胺化合物；三級戊基氧化鉀、三級丁基氧化鉀等鹼金屬烷氧化合物；三苯基膦等膦化合物；等。此些可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

氫化物［2］係將嵌段共聚物［1］之不飽和鍵結之特定量以上的量氫化而獲得的聚合物。於此，嵌段共聚物［1］之主鏈及支鏈之碳―碳不飽和鍵結、芳族性及非芳族性之碳―碳不飽和鍵結，皆包含於「經氫化之嵌段共聚物［1］的不飽和鍵結」。

氫化率通常為嵌段共聚物［1］之主鏈及支鏈之碳―碳不飽和鍵結及芳環之碳―碳不飽和鍵結的90%以上，以97%以上為佳，以99%以上為較佳。氫化率愈高，可愈優化偏光板保護薄膜的透明性、耐熱性及耐候性，更易於縮小雙折射。於此，氫化物［2］的氫化率得藉由透過¹ H-NMR的量測來求得。

尤其，主鏈及支鏈之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，以95%以上為佳，以99%以上為較佳。藉由提高主鏈及支鏈之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，可更為提高偏光板保護薄膜的耐光性及耐氧化性。

並且，芳環之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，以90%以上為佳，以93%以上為較佳，以95%以上為尤佳。藉由提高芳環之碳―碳不飽和鍵結的氫化率，將聚合物嵌段［A］氫化而獲得之聚合物嵌段的玻璃轉移溫度會變高，故可有效提高偏光板保護薄膜的耐熱性。再者，可降低樹脂的光彈性係數。

氫化物［2］之重量平均分子量（Mw），以40,000以上為佳，以50,000以上為較佳，以60,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。藉由使氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）落於前述範圍，可提升偏光板保護薄膜之機械強度及耐熱性，更易於縮小雙折射。

氫化物［2］的分子量分布（Mw／Mn），以3以下為佳，以2以下為較佳，以1.5以下為尤佳，且以1.0以上為佳。藉由使氫化物［2］的分子量分布（Mw／Mn）落於前述範圍，可提升偏光板保護薄膜之機械強度及耐熱性，更易於縮小雙折射。

氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC），以聚苯乙烯換算的值量測。

前述之氫化物［2］，得藉由將嵌段共聚物［1］氫化而製造。作為氫化方法，以可提高氫化率、嵌段共聚物［1］之鏈斷裂反應為少的氫化方法為佳。作為此種氫化方法，可列舉例如：國際專利公開第2011/096389號、國際專利公開第2012/043708號所記載的方法。

作為具體的氫化方法之例，可舉出例如：使用包含選自由鎳、鈷、鐵、銠、鈀、鉑、釕及錸而成之群組之至少1種金屬的氫化觸媒進行氫化的方法。氫化觸媒可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。氫化觸媒無論非勻相系觸媒、勻相系觸媒皆能使用。並且，氫化反應以在有機溶劑中進行為佳。

非勻相系觸媒，舉例而言，可直接使用金屬或金屬化合物，亦可承載於適當的載體而使用。作為載體，可列舉例如：活性碳、氧化矽、氧化鋁、碳酸鈣、氧化鈦、氧化鎂、氧化鋯、矽藻土、碳化矽、氟化鈣等。觸媒的承載量，相對於觸媒及載體的合計量，以0.1重量%以上為佳，以1重量%以上為較佳，且以60重量%以下為佳，以50重量%以下為較佳。並且，承載型觸媒的比表面積，以100m² ／g～500m² ／g為佳。再者，承載型觸媒的平均細孔徑，以100Å以上為佳，以200Å以上為較佳，且以1000Å以下為佳，以500Å以下為較佳。於此，比表面積得量測氮吸附量並使用BET式求得。並且，平均細孔徑得藉由汞滲法量測。

作為勻相系觸媒，可使用例如：組合了鎳、鈷或鐵的化合物與有機金屬化合物（例如：有機鋁化合物、有機鋰化合物）的觸媒；包含銠、鈀、鉑、釕、錸等的有機金屬錯合物觸媒；等。

作為鎳、鈷或鐵化合物，可使用例如：各種金屬的乙醯丙酮化合物、羧酸鹽、環戊二烯化合物等。

作為有機鋁化合物，可列舉例如：三乙基鋁、三異丁基鋁等烷基鋁；氯化二乙基鋁、二氯化乙基鋁等鹵化鋁；氫化二異丁基鋁等氫化烷基鋁；等。

作為有機金屬錯合物觸媒，可列舉例如：二氫化肆(三苯基膦)釕、二氫化肆(三苯基膦)鐵、雙(環辛二烯)鎳、雙(環戊二烯)鎳等過渡金屬錯合物。

氫化觸媒的使用量，相對於嵌段共聚物［1］100重量份，以0.01重量份以上為佳，以0.05重量份以上為較佳，以0.1重量份以上為尤佳，且以100重量份以下為佳，以50重量份以下為較佳，以30重量份以下為尤佳。

氫化反應的溫度，以10℃以上為佳，以50℃以上為較佳，以80℃以上為尤佳，且以250℃以下為佳，以200℃以下為較佳，以180℃以下為尤佳。藉由在此種溫度範圍進行氫化反應，可提高氫化率，並且可減少嵌段共聚物［1］的分子斷裂。

氫化反應時的氫氣壓力，以0.1MPa以上為佳，以1MPa以上為較佳，以2MPa以上為尤佳，且以30MPa以下為佳，以20MPa以下為較佳，以10MPa以下為尤佳。藉由在如此之氫氣壓力下進行氫化反應，可提高氫化率，可減少嵌段共聚物［1］的分子鏈斷裂，使操作性良好。

由上述方法所獲得的氫化物［2］，通常作為包含氫化物［2］、氫化觸媒及聚合觸媒的反應液而獲得。於是，氫化物［2］亦可在藉由例如過濾及離心分離等方法，自此反應液去除氫化觸媒及聚合觸媒之後，自反應液回收。作為自反應液回收氫化物［2］的方法，可列舉例如：自包含氫化物［2］的反應液藉由蒸汽汽提去除溶劑的蒸汽凝固法；在減壓加熱下去除溶劑的直接去溶劑法；將反應液注入氫化物［2］之不良溶劑以使之析出或凝固的凝固法；等方法。

所回收之氫化物［2］的型態，為了易於供給至之後的矽基化改質反應（導入烷氧矽基的反應），以做成粒狀為佳。舉例而言，亦可自模具將熔融狀態的氫化物［2］擠製成條狀，冷卻後，以造粒機細切成粒狀，再供給至各種成形。並且，在使用凝固法的情況下，舉例而言，亦可在乾燥所獲得的凝固物之後，藉由擠製機在熔融狀態擠製，比照上述做成粒狀，再供給至各種成形。

烷氧矽基改質物［3］係將烷氧矽基導入至上述嵌段共聚物［1］的氫化物［2］而獲得的聚合物。此時，烷氧矽基可直接鍵結於上述氫化物［2］，亦可中介例如伸烷基等2價的有機基而間接鍵結。烷氧矽基改質物［3］對於廣泛材料的密合力優異，其中，與玻璃、金屬等無機材料的密合力尤為優異。因此，具備由包含此種烷氧矽基改質物［3］之樹脂而成之特定樹脂層的偏光板保護薄膜，通常與顯示體之基板的密合力優異。是以，偏光板保護薄膜在長時間暴露於高溫環境、高濕度環境或高溫高濕環境之後，亦可維持對於顯示體之基板的高密合力。

烷氧矽基改質物［3］中之烷氧矽基的導入量，相對於烷氧矽基導入前的氫化物［2］100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。若使烷氧矽基的導入量落於前述範圍，則可防止經水分等分解之烷氧矽基彼此的交聯度變得過高，故可高度維持偏光板保護薄膜的密合力。

烷氧矽基的導入量，得藉由¹ H-NMR光譜來計算。並且，計算烷氧矽基的導入量時，在導入量為少的情況下，得增加累積次數來計算。

烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw），因所導入之烷氧矽基的量為少，故通常較導入烷氧矽基前之氫化物［2］的重量平均分子量（Mw）無大幅變化。惟通常在導入烷氧矽基時因於過氧化物的存在下會使氫化物［2］發生改質反應，故此氫化物［2］會進行交聯反應及斷裂反應，而有分子量分布大幅變化的傾向。烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw），以40,000以上為佳，以50,000以上為較佳，以60,000以上為尤佳，且以200,000以下為佳，以150,000以下為較佳，以100,000以下為尤佳。並且，烷氧矽基改質物［3］的分子量分布（Mw／Mn），以3.5以下為佳，以2.5以下為較佳，以2.0以下為尤佳，且以1.0以上為佳。若烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn）為此範圍，則可維持偏光板保護薄膜之良好的機械強度及拉伸伸長量。

烷氧矽基改質物［3］的重量平均分子量（Mw）及分子量分布（Mw／Mn），得藉由以四氫呋喃作為溶劑的凝膠滲透層析法（GPC），作為聚苯乙烯換算的值來量測。

烷氧矽基改質物［3］得藉由將烷氧矽基導入至前述嵌段共聚物［1］的氫化物［2］而製造。作為將烷氧矽基導入至氫化物［2］的方法，可列舉例如：在過氧化物的存在下使氫化物［2］與乙烯性不飽和矽烷化合物反應的方法。

作為乙烯性不飽和矽烷化合物，得使用可與氫化物［2］接枝聚合，並可將烷氧矽基導入至氫化物［2］者。作為此種乙烯性不飽和矽烷化合物之例，可列舉：乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷等具有乙烯基的烷氧基矽烷；烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷等具有烯丙基的烷氧基矽烷；對苯乙烯基三甲氧基矽烷、對苯乙烯基三乙氧基矽烷等具有對苯乙烯基的烷氧基矽烷；3-甲基丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二甲氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷、3-甲基丙烯醯氧基丙基甲基二乙氧基矽烷等具有3-甲基丙烯醯氧基丙基的烷氧基矽烷；3-丙烯醯氧基丙基三甲氧基矽烷、3-丙烯醯氧基丙基三乙氧基矽烷等具有3-丙烯醯氧基丙基的烷氧基矽烷；2-降烯-5-基三甲氧基矽烷等具有2-降烯-5-基的烷氧基矽烷；等。此些之中，就較易於獲得本發明之效果而言，以乙烯基三甲氧基矽烷、乙烯基三乙氧基矽烷、二甲氧基甲基乙烯基矽烷、二乙氧基甲基乙烯基矽烷、烯丙基三甲氧基矽烷、烯丙基三乙氧基矽烷、對苯乙烯基三甲氧基矽烷為佳。並且，乙烯性不飽和矽烷化合物可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

乙烯性不飽和矽烷化合物的量，相對於導入烷氧矽基前的氫化物［2］100重量份，以0.1重量份以上為佳，以0.2重量份以上為較佳，以0.3重量份以上為尤佳，且以10重量份以下為佳，以5重量份以下為較佳，以3重量份以下為尤佳。

作為過氧化物，得使用作為自由基反應起始劑發揮功能者。作為此種過氧化物，通常使用有機過氧化物。作為有機過氧化物，可列舉例如：過氧化二苯甲醯基、過氧乙酸三級丁酯、2,2-二(三級丁基過氧)丁烷、過氧苯甲酸三級丁酯、過氧化(三級丁基)(異丙苯基)、過氧化二異丙苯基、過氧化二(三級己基)、2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧)己烷、過氧化二(三級丁基)、2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧)-3-己炔、氫過氧化三級丁基、過氧異丁酸三級丁酯、過氧化月桂醯基、過氧化二丙醯基、氫過氧化對䓝烷等。此些之中，以1分鐘半衰期溫度為170℃～190℃者為佳，具體而言，以過氧化(三級丁基)(異丙苯基)、過氧化二異丙苯基、過氧化二(三級己基)、2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧)己烷、過氧化二(三級丁基)等為佳。並且，過氧化物可單獨使用1種，亦可組合2種以上使用。

過氧化物的量，相對於導入烷氧矽基前的氫化物［2］100重量份，以0.01重量份以上為佳，以0.1重量份以上為較佳，以0.2重量份以上為尤佳，且以5重量份以下為佳，以3重量份以下為較佳，以2重量份以下為尤佳。

使嵌段共聚物［1］的氫化物［2］與乙烯性不飽和矽烷化合物在過氧化物的存在下反應的方法，得使用例如加熱混練機及反應器而進行。若要舉出具體例，可藉由雙軸混練機，在氫化物［2］的熔融溫度以上使氫化物［2］、乙烯性不飽和矽烷化合物與過氧化物的混合物加熱熔融，混練預期的時間，藉此獲得烷氧矽基改質物［3］。混練時的具體溫度，以180℃以上為佳，以190℃以上為較佳，以200℃以上為尤佳，且以240℃以下為佳，以230℃以下為較佳，以220℃以下為尤佳。並且，混練時間，以0.1分鐘以上為佳，以0.2分鐘以上為較佳，以0.3分鐘以上為尤佳，且以15分鐘以下為佳，以10分鐘以下為較佳，以5分鐘以下為尤佳。在使用雙軸混練機、單軸擠製機等連續混練設備的情況下，得以滯留時間為上述範圍的方式操作，連續進行混練及擠製。

烷氧矽基改質物［3］等聚合物在樹脂中的量，以90重量%以上為佳，以93重量%以上為較佳，以95重量%以上為更佳，以97重量%以上為尤佳。藉由使樹脂中之聚合物的量落於前述範圍，可穩定發揮本發明之期望效果。

特定樹脂層所包含的樹脂得包含任意成分組合於聚合物。任意成分可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

作為任意成分，可舉出例如：塑化劑。由於藉由使用塑化劑，可調整樹脂的玻璃轉移溫度及彈性率，故能調整樹脂的耐熱性及機械強度。作為塑化劑，可列舉例如：聚異丁烯、氫化聚異丁烯、氫化聚異戊二烯、氫化1,3-戊二烯系石油樹脂、氫化環戊二烯系石油樹脂、氫化苯乙烯―茚系石油樹脂、酯系塑化劑等。並且，塑化劑可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

塑化劑的量，相對於聚合物100重量份，以1重量份以上為佳，以3重量份以上為較佳，以5重量份以上為尤佳，且以30重量份以下為佳，以20重量份以下為較佳，以15重量份以下為尤佳。藉由使塑化劑的量落於前述範圍，可輕易將樹脂的玻璃轉移溫度及彈性率調整至適當的範圍。

並且，作為任意成分，可舉出例如：抗氧化劑。藉由使用抗氧化劑，可於透過將樹脂熔融擠製以製造偏光板保護薄膜時，抑制樹脂的氧化劣化物往模具之唇部的附著。作為抗氧化劑，可列舉：酚系抗氧化劑、磷系抗氧化劑、硫系抗氧化劑等。並且，抗氧化劑可單獨使用1種，亦可以任意比率組合2種以上使用。

抗氧化劑之中，以酚系抗氧化劑為佳，以烷基取代酚系抗氧化劑為尤佳。作為烷基取代酚系抗氧化劑的具體例，可列舉：2,6-二(三級丁基)對甲酚、2,6-二(三級丁基)-4-乙基酚、2,6-二環己基-4-甲基酚、2,6-二異丙基-4-乙基酚、2,6-二(三級戊基)-4-甲基酚、2,6-二(三級辛基)-4-正丙基酚、2,6-二環己基-4-正辛基酚、2-異丙基-4-甲基-6-三級丁基酚、2-三級丁基-4-乙基-6-三級辛基酚、2-異丁基-4-乙基-6-三級己基酚、2-環己基-4-正丁基-6-異丙基酚、β-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸硬脂酯等單環酚系抗氧化劑；2,2’-亞甲基雙(4-甲基-6-三級丁基酚)、4,4’-亞丁基雙(3-甲基-6-三級丁基酚)、4,4’-硫化雙(3-甲基-6-三級丁基酚)、2,2’-硫化雙(4-甲基-6-三級丁基酚)、4,4’-亞甲基雙[2,6-二(三級丁基)酚]、2,2’-亞甲基雙[6-(1-甲基環己基)對甲酚]、2,2’-亞乙基雙[4,6-二(三級丁基)酚]、2,2’-亞丁基雙(2-三級丁基-4-甲基酚)、雙[3-(3-三級丁基-4-羥基-5-甲基苯基)丙酸]3,6-二氧代八亞甲基酯、雙[3-(3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基)丙酸]1,6-己二醇酯、雙[3-(3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基)丙酸]2,2’-硫化二伸乙基酯等二環酚系抗氧化劑；1,1,3-參(2-甲基-4-羥基-5-三級丁基苯基)丁烷、三聚異氰酸-1,3,5-參(2,6-二甲基-3-羥基-4-三級丁基苄基)酯、三聚異氰酸-1,3,5-參{[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙醯氧基乙基}酯、三聚異氰酸參(4-三級丁基-2,6-二甲基-3-羥基苄基)酯、1,3,5-三甲基-2,4,6-參[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苄基]苯等三環酚系抗氧化劑；肆{亞甲基-3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}甲酯等四環酚系抗氧化劑；等。

抗氧化劑的量，相對於聚合物100重量份，以0.01重量份以上為佳，以0.02重量份以上為較佳，以0.05重量份以上為尤佳，且以1.0重量份以下為佳，以0.5重量份以下為較佳，以0.3重量份以下為尤佳。

再者，作為任意成分，可列舉例如：熱穩定劑、光穩定劑、耐候穩定劑、紫外線吸收劑、近紅外線吸收劑等穩定劑；滑劑等樹脂改質劑；染料或顏料等著色劑；抗靜電劑等。此些之量在無損本發明之目的的範圍得適度選擇。

特定樹脂層所包含之樹脂的玻璃轉移溫度Tg，以30℃以上為佳，以50℃以上為較佳，以70℃以上為尤佳，且以140℃以下為佳，以120℃以下為較佳，以100℃以下為尤佳。在樹脂具有多個玻璃轉移溫度的情況下，以使樹脂之最高的玻璃轉移溫度落於前述範圍為佳。藉由樹脂的玻璃轉移溫度Tg處於前述範圍，可優化偏光板保護薄膜之密合力及耐熱性的平衡。樹脂的玻璃轉移溫度Tg，可作為黏彈性圖譜中之tanδ之峰頂值求得。

特定樹脂層所包含之樹脂，以透明為佳。於此，所謂透明的樹脂，意指係將該樹脂做成厚度1mm之試片而量測到的全光線穿透率，通常為70%以上，以80%以上為佳，以90%以上為較佳的樹脂。全光線穿透率得使用紫外－可見光分光計，在波長400nm～700nm的範圍量測。

特定樹脂層的厚度並不特別受限，得做成相應於用途的期望厚度。特定樹脂層的具體厚度，以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，且以100μm以下為佳，以50μm以下為較佳。

偏光板保護薄膜如前所述，可為單層結構的薄膜，亦可為多層結構的薄膜。在偏光板保護薄膜具有多層結構的情況下，該偏光板保護薄膜可包含多層特定樹脂層，亦可將特定樹脂層與特定樹脂層以外之任意層體組合而包含。作為任意層體，通常使用由樹脂而成的層體。作為此種任意層體所包含的樹脂，可列舉例如：包含嵌段共聚物［1］的樹脂、包含嵌段共聚物［1］之氫化物［2］的樹脂、降烯樹脂等環烯烴樹脂等。

偏光板保護薄膜的厚度並不特別受限，得做成相應於用途的期望厚度。偏光板保護薄膜的具體厚度，以5μm以上為佳，以10μm以上為較佳，且以100μm以下為佳，以50μm以下為較佳。

［6.偏光板保護薄膜的物性］

偏光板保護薄膜之以厚度100μm換算的水蒸氣穿透率W［g／m² ／day］，以滿足式（3）為佳。
W　≦　10g／m² ／day　　式（3）

更詳言之，前述水蒸氣穿透率W，以10g／m² ／day以下為佳，以8g／m² ／day以下為較佳，以5g／m² ／day以下為尤佳，理想上為0g／m² ／day。水蒸氣穿透率W為如此之小的偏光板保護薄膜，可有效保護偏光件絕於水蒸氣。因此，可有效抑制由水蒸氣所致之偏光件之偏光度的降低。並且，水蒸氣穿透率W為小的偏光板保護薄膜，通常因耐濕性優異，故可有效抑制高濕環境下的剝離。

偏光板保護薄膜的水蒸氣穿透率W，得在溫度40℃、相對濕度90%RH的環境下，遵循JIS Z 0208來量測，將實測值換算成100μm之厚度而求得。於此，換算成100μm之厚度，得將實測值乘以由「100μm／偏光板保護薄膜之厚度［μm］」表示的係數來進行。

偏光板保護薄膜的全光線穿透率，以70%以上為佳，以80%以上為較佳，以90%以上為尤佳。並且，偏光板保護薄膜的霧度，以3.0%以下為佳，以1.0%以下為較佳。霧度得遵循JIS K 7136，使用將偏光板保護薄膜切成50mm×50mm的薄膜片來量測。

［7.貼合面的表面粗糙度］

偏光板保護薄膜之與顯示體貼合的面，以具有指定的算術平均粗糙度Ra為佳。以下適時將與顯示體貼合之偏光板保護薄膜的面稱為「貼合面」。據此，在偏光板保護薄膜包含作為特定樹脂層之最外層的情況下，以作為此最外層之表面的貼合面具有指定的算術平均粗糙度Ra為佳。前述算術平均粗糙度Ra的具體範圍，以10nm以上為佳，以20nm以上為較佳，以50nm以上為尤佳，且以1000nm以下為佳，以900nm以下為較佳，以750nm以下為尤佳。藉由算術平均粗糙度Ra為前述下限值以上，可在將偏光板保護薄膜貼合於顯示體時，使空氣有效率自偏光板保護薄膜與顯示體之間逸散。因此，可有效抑制於偏光板保護薄膜與顯示體之間產生氣泡及空隙。並且，藉由算術平均粗糙度Ra為前述上限值以下，可在將偏光板保護薄膜貼合於顯示體時，抑制大量壓力局部施加於顯示體的一部分。因此，可抑制前述局部壓力所致之顯示體的損壞，故可抑制暗點的產生。

［8.偏光板保護薄膜的製造方法］

偏光板保護薄膜得藉由任意製造方法來製造。舉例而言，得透過藉由熔融成形法、溶液流延法之成形方法將樹脂成形為薄膜狀來製造。熔融成形法更詳細而言，可分類成擠製成形法、壓製成形法、充氣成形法、射出成形法、吹塑成形法、延伸成形法等。此些方法之中，為了獲得機械強度及表面精細度優異的偏光板保護薄膜，以擠製成形法、充氣成形法及壓製成形法為佳，其中就簡單而有效率製造偏光板保護薄膜的觀點而言，以擠製成形法為尤佳。

偏光板保護薄膜的製造方法，得更包含任意工序組合於將樹脂成形為薄膜狀的工序。舉例而言，偏光板保護薄膜的製造方法亦可包含：將偏光板保護薄膜的貼合面加工，將該貼合面的算術平均粗糙度調整至指定範圍的工序。作為將貼合面加工的方法，可舉出例如：壓花加工法。壓花加工法中，以具有粗糙面之壓花模型的前述粗糙面，在按壓偏光板保護薄膜之面的同時，視需求進行加熱。藉此，壓花模型之粗糙面的形狀會轉印至所按壓的面，而於偏光板保護薄膜形成具有期望之算術平均粗糙度Ra的貼合面。壓花模型並無限制，得使用板狀之壓花板、圓筒狀之壓花輥、環狀之壓花環等任意模型。

［9.偏光板］

本發明的偏光板包含上述偏光板保護薄膜與偏光件。偏光板保護薄膜設置於偏光件的至少單側。於此偏光板，偏光件因偏光板保護薄膜而受到保護。

作為偏光件，得使用可使相交為直角的二個直線偏光之一者穿透而吸收或反射另一者的薄膜。若要舉出偏光件的具體例，可舉出：於聚乙烯醇、部分縮甲醛化聚乙烯醇等乙烯醇系聚合物的薄膜，以適當的順序及方式實施利用碘、二色性染料等二色性物質之染色處理、延伸處理、交聯處理等適當的處理者。尤其，以包含聚乙烯醇的偏光件為佳。並且，偏光件的厚度，通常為5μm～80μm。

偏光板得更包含任意層體組合於偏光板保護薄膜及偏光件。作為任意層體，可舉出：接合層。有時為了貼合偏光板保護薄膜與偏光件會使用接合劑，在此情況下，偏光板得在偏光板保護薄膜與偏光件之間包含由接合劑或該接合劑之固化物而成的接合層。

並且，作為任意層體，可例如具備偏光板保護薄膜以外的任意保護薄膜層，亦可例如於與偏光板保護薄膜為相反側之偏光件的面包含任意保護薄膜層。

再者，作為任意層體，可列舉例如：硬塗層、低折射率層、抗靜電層、折射率匹配層。

偏光板可藉由例如貼合偏光件與偏光板保護薄膜來製造。貼合時，亦可視需求使用接合劑。

如前所述的偏光板中，因偏光板保護薄膜保護偏光件，故可抑制高溫、高濕度或熱衝擊所致之偏光件之偏光度的降低，及偏光件之破裂的發生。並且，偏光板保護薄膜因具有適度的剛性，故可提高偏光板整體的剛性。因此，能抑制由外力所致之偏光板的變形。

［10.顯示裝置］

本發明的顯示裝置包括具備基板的顯示體與上述偏光板。顯示體為於顯示裝置中用以控制影像顯示的構件，可列舉例如：液晶顯示體、有機EL顯示體。

液晶顯示體通常包含成對設置之透明基板及封入於此些基板之間的液晶化合物，前述基板亦可具有作為電極的功能。前述液晶顯示體可發揮作為液晶單元的功能。此時，作為液晶單元的模式，得為面內切換（IPS）模式、垂直排列（VA）模式、多域垂直排列（MVA）模式、連續焰火狀排列（CPA）模式、混合排列向列（HAN）模式、扭轉向列（TN）模式、超扭轉向列（STN）模式、光學補償彎曲（OCB）模式等任意模式。

有機EL顯示體通常於基板上依序具備第一電極層、發光層及第二電極層，得藉由自第一電極層及第二電極層施加電壓，而使發光層產生光線。作為構成有機發光層的材料之例，可列舉：聚對伸苯乙烯系、聚茀系及聚乙烯咔唑系的材料。並且，發光層亦可具有多個發光色相異之層體的堆疊體，或於某色素之層體經摻雜相異色素的混合層。再者，有機EL顯示體亦可具備障壁層、電洞注入層、電洞傳輸層、電子注入層、電子傳輸層等電位面形成層、電荷產生層等功能層。

在如前所述之顯示體中，基板得藉由例如：樹脂等有機材料、玻璃等無機材料以及此些之組合來形成。其中，就提高偏光板保護薄膜與基板之密合力的觀點而言，基板以藉由玻璃、金屬、金屬氧化物等無機材料來形成為佳，以藉由玻璃來形成為尤佳。在顯示裝置中，偏光板在該偏光板的偏光板保護薄膜與基板之間可不中介接合層，而以直接接觸的方式設置。通常以使偏光板保護薄膜之特定樹脂層與基板接觸的方式進行貼合。即使如此般無接合層，偏光板保護薄膜亦可以高密合力貼合於基板。而且，因如此般不需接合層，故前述顯示裝置有多少接合層之部分就可薄化多少厚度。

並且，偏光板保護薄膜的高密合性，於高溫環境及高濕度環境中不易受損。據此，前述顯示裝置中，可於高溫環境及高濕度環境中抑制偏光板的剝離。尤其，以往使用接合劑的貼合中，接合劑的流動性於高溫環境或高濕度環境中會變得過剩，而有時會於偏光板的邊緣部分發生剝離，偏光板的位置發生偏移。然而，使用上述偏光板保護薄膜貼合時，此種位置偏移不易發生。

再者，前述顯示裝置中，因偏光板保護薄膜保護偏光件，故如前所述可抑制高溫、高濕度或熱衝擊所致之偏光件之偏光度的降低，及偏光件之破裂的發生。尤其，以往易於偏光板的邊緣部分發生破裂，但前述顯示裝置中，可有效抑制於此種邊緣部分之破裂。

並且，藉由偏光板保護薄膜的剛性，包含此偏光板保護薄膜的偏光板能抑制由外力所致的變形，更可獲得高抗刮性。在省略偏光板保護薄膜，藉由接合劑貼合偏光件與顯示體之以往的偏光板中，因由此接合劑而獲得之接合層的剛性為低，故難以獲得充分的抗刮性。舉例而言，即使在偏光板的表面設置具有高硬度之硬塗層的情況下，由於接合層的剛性為低，故難以獲得由硬塗層之硬度而倍受期待之程度的高抗刮性。相對於此，在包含偏光板保護薄膜的前述偏光板中，係依偏光板保護薄膜來對偏光板保護薄膜賦予充分的剛性，故可藉由例如組合硬塗層而實現鉛筆硬度2H以上的高抗刮性。

前述顯示裝置通常藉由包含以使顯示體的基板與偏光板保護薄膜的特定樹脂層接觸的方式貼合顯示體與偏光板的製造方法來製造。前述貼合得藉由加熱壓合來進行。並且，加熱壓合以藉由層壓機進行為佳。貼合溫度，以70℃以上為佳，以80℃以上為較佳，以90℃以上為尤佳，且以140℃以下為佳，以130℃以下為較佳，以120℃以下為尤佳。並且，貼合時的線壓，以3N／mm以上為佳，以5N／mm以上為較佳，以8N／mm以上為尤佳，且以50N／mm以下為佳，以45N／mm以下為較佳，以40N／mm以下為尤佳。藉由此種加熱壓合，偏光板可順利密合於顯示體，同時抑制皺褶發生，故能抑制貼合部分中之氣泡及空隙的形成。

［實施例］

以下揭示實施例以具體說明本發明。惟本發明並非受限於以下之實施例者，於未脫離本發明之申請專利範圍及其均等範圍的範圍中得任意變更而實施。

於以下說明中，除非另有註記，否則表示量的「%」及「份」為重量基準。並且，於以下所說明的操作，除非另有註記，否則在常溫及常壓的條件下進行。於以下說明中，除非另有註記，否則所謂「PVA」表示聚乙烯醇。

［評價方法］

[算術平均粗糙度Ra的量測方法]

表面的算術平均粗糙度Ra，使用表面粗糙度計（Mitutoyo公司製「SJ400」），依據JIS B 0601:1994來進行量測。

[拉伸彈性模數的量測方法]

薄膜之拉伸彈性模數的量測，依據JIS K7113，使用附有高溫高濕槽之拉伸試驗機（Instron Japan公司製之5564型數位材料試驗機），依下述程序進行。

自薄膜切取具有平行於該薄膜之長邊方向的長邊之矩形（幅寬10mm×長邊長度250mm）的試片。量測沿長邊方向拉伸此試片使之變形時的應力。應力的量測條件定為溫度23℃、濕度60±5%RH、夾頭間距離115mm、拉伸速度50mm／min。此應力之量測進行3次。然後，選擇所量測之應力，與自對應此應力之應變的量測資料中之試片應變於0.6%～1.2%之範圍每隔0.2%的4點量測資料（亦即，應變為0.6%、0.8%、1.0%及1.2%時的量測資料）。自3次量測之4點量測資料（總計12點），使用最小平方法計算薄膜的拉伸彈性模數。

[熔流速率的量測方法]

薄膜的熔流速率，依據JIS K7210，使用熔融指數器（東洋精機製作所公司製「F-F01」），於溫度190℃、荷重2.16kg的條件下量測。

[水蒸氣穿透率的量測方法]

薄膜的水蒸氣穿透率，在溫度40℃、相對濕度90%RH的環境下，遵循JIS Z 0208來量測，換算成100μm之厚度。

〔密合力的量測方法〕

在實施例1～3及比較例1～2中，以下述要領進行評價樣品的製作。

自偏光板切出幅寬10mm×長度100mm之矩形的試片。此切出以使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致的方式進行。並且，在算術平均粗糙度3nm之載玻片的表面，以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理。之後，將試片之偏光板保護薄膜側的面（亦即，與硬塗層為相反側的面）重疊於經實施電暈處理之載玻片的表面。在此狀態下，通過溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min的層壓機，藉由加熱壓合將偏光板貼合於載玻片，獲得評價樣品。

並且，在比較例3中，以下述要領進行評價樣品的製作。

自偏光板切出幅寬10mm×長度100mm之矩形的試片。此切出以使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致的方式進行。並且，在算術平均粗糙度3nm之載玻片的表面，以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理。之後，將試片之偏光件側的面（亦即，與硬塗層為相反側的面），中介接合劑PSA貼合於經實施電暈處理之載玻片的表面，獲得評價樣品。

於此，前述所謂接合劑PSA，係於丙烯酸黏合劑（綜研化學公司製「SK-Dyne 2094」），以相對於丙烯酸黏合劑中之聚合物100重量份為5重量份的比例添加固化劑（綜研化學公司製「E-AX」）者。

之後，使用剝離試驗機，以速度300mm／分鐘，沿相對於載玻片之表面180°之方向拉伸試片，量測試片之長邊方向的剝離強度。此剝離強度表示自載玻片剝離特定樹脂層所需的密合力。以下述基準判定所量測的密合力。
A：密合力為1.0N／10mm以上。
B：密合力為0.5N／10mm以上且未達1.0N／10mm。
C：密合力未達0.5N／10mm。

[貼合面狀態的評價方法]

在如前述[密合力的量測方法]中所說明般貼合載玻片與偏光板而獲得評價樣品之後，進行此評價樣品的觀察。若可做到貼合而沒有氣泡及皺褶則判定為「A」，若有氣泡或皺褶則判定為「B」。

[高溫試驗方法]

在實施例1～3中，以下述要領製作剝離及破裂之評價用之評價樣品。

自偏光板切出幅寬190mm×長度290mm之矩形的試片。此切出以使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致的方式進行。並且，在表面的算術平均粗糙度3nm、幅寬200mm×長度300mm之玻璃的表面，以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理。之後，將試片之偏光板保護薄膜側的面（亦即，與硬塗層為相反側的面）重疊於經實施電暈處理之玻璃的表面。在此狀態下，通過溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min的層壓機，藉由加熱壓合將偏光板貼合於玻璃，獲得剝離及破裂之評價用之評價樣品。

並且，在比較例3中，以下述要領進行評價樣品的製作。

自偏光板切出幅寬190mm×長度290mm之矩形的試片。此切出以使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致的方式進行。並且，在表面的算術平均粗糙度3nm、幅寬200mm×長度300mm之玻璃的表面，以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理。之後，將試片之偏光件側的面（亦即，與硬塗層為相反側的面），中介接合劑PSA貼合於經實施電暈處理之玻璃的表面，獲得剝離及破裂之評價用之評價樣品。

之後，將剝離及破裂之評價用之評價樣品保存於溫度80℃的高溫槽500小時。保存後，觀察評價樣品，驗看偏光板自玻璃的剝離及偏光件中之破裂的發生。

再者，在實施例1～3中，以下述要領製作偏光度評價用之評價樣品。

自偏光板切出幅寬25mm×長度35mm之矩形的試片。此切出以使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致的方式進行。並且，在表面的算術平均粗糙度3nm、幅寬30mm×長度40mm之玻璃的表面，以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理。之後，將試片之偏光板保護薄膜側的面（亦即，與硬塗層為相反側的面）重疊於經實施電暈處理之玻璃的表面。在此狀態下，通過溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min的層壓機，藉由加熱壓合將偏光板貼合於玻璃，獲得偏光度評價用之評價樣品。

再者，在比較例3中，以下述要領進行偏光度評價用之評價樣品的製作。

自偏光板切出幅寬25mm×長度35mm之矩形的試片。此切出以使試片的長邊方向與偏光件的吸收軸方向一致的方式進行。並且，在表面的算術平均粗糙度3nm、幅寬30mm×長度40mm之玻璃的表面，以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理。之後，將試片之偏光件側的面（亦即，與硬塗層為相反側的面），中介接合劑PSA貼合於經實施電暈處理之玻璃的表面，獲得偏光度評價用之評價樣品。

將偏光度評價用之評價樣品保存於溫度80℃的高溫槽500小時。保存後，使用附有積分球之分光光度計（日本分光公司製「V7100」）量測評價樣品的偏光度。

評價的結果，偏光板未自玻璃剝離、偏光件未發生破裂，且無因於高溫槽保存所致之偏光度的降低者，判定為「A」。並且，偏光板自玻璃剝離、偏光件發生破裂，及因於高溫槽保存所致之偏光度的降低之中有1種以上者，判定為「B」。

[高溫高濕試驗方法]

藉由與前述[高溫試驗方法]相同的操作，製作剝離及破裂之評價用之評價樣品。將此評價樣品保存於溫度60℃、相對濕度90%RH的高溫高濕槽500小時。保存後，觀察評價樣品，驗看偏光板自玻璃的剝離及偏光件中之破裂的發生。

並且，藉由與前述[高溫試驗方法]相同的操作，製作偏光度評價用之評價樣品。將此偏光度評價用之評價樣品保存於溫度60℃、相對濕度90%RH的高溫高濕槽500小時。保存後，使用附有積分球之分光光度計（日本分光公司製「V7100」）量測評價樣品的偏光度。

評價的結果，偏光板未自玻璃剝離、偏光件未發生破裂，且無因於高溫高濕槽保存所致之偏光度的降低者，判定為「A」。並且，偏光板自玻璃剝離、偏光件發生破裂，及因於高溫高濕槽保存所致之偏光度的降低之中有1種以上者，判定為「B」。

[熱衝擊試驗方法]

藉由與前述[高溫試驗方法]相同的操作，製作剝離及破裂之評價用之評價樣品。將往－30℃之冷卻及往80℃之加熱作為1次循環，對於此評價樣品進行300次循環之冷卻及加熱。之後，觀察評價樣品，驗看偏光板自玻璃的剝離及偏光件中之破裂的發生。

並且，藉由與前述[高溫試驗方法]相同的操作，製作偏光度評價用之評價樣品。將往－30℃之冷卻及往80℃之加熱作為1次循環，對於此評價樣品進行300次循環之冷卻及加熱。之後，使用附有積分球之分光光度計（日本分光公司製「V7100」）量測評價樣品的偏光度。

以下述基準判定評價的結果。
「A」：偏光板未自玻璃剝離、偏光件未發生破裂，且無因熱衝擊所致之偏光度的降低。
「B」：偏光板未自玻璃剝離，且無因熱衝擊所致之偏光度的降低，但偏光件發生少量（1～2處）破裂。
「C」：偏光板自玻璃剝離、偏光件發生大量（3處以上）破裂，及因熱衝擊所致之偏光度的降低之中有1種以上。

[鉛筆硬度的量測方法]

藉由與前述[高溫試驗方法]相同的操作，製作鉛筆硬度之量測用之評價樣品。之後，遵循JIS K 5600-5-4，將各種硬度的鉛筆傾斜45°，施加500g重的荷重，劃刮偏光板之薄膜表面（硬塗層側的表面），量測作為開始產生傷痕的鉛筆硬度。

［製造例1.偏光件的製造］

將厚度60μm的長條狀聚乙烯醇薄膜透過導輥沿長邊方向連續搬送，同時進行下述操作。

進行將前述聚乙烯醇薄膜浸漬於包含碘及碘化鉀之染色浴的染色處理，與將經實施染色處理之前述薄膜延伸2.5倍的第一延伸處理。隨後，進行將經延伸的薄膜在包含硼酸及碘化鉀之酸浴中延伸的第二延伸處理。第二延伸處理中之延伸倍率，以由第一延伸處理中之延伸倍率與第二延伸處理中之延伸倍率的積所表示的總延伸倍率成為6倍的方式設定。之後，對於經延伸的薄膜實施交聯處理，獲得碘―PVA系偏光件。將所獲得的偏光件置於70℃乾燥機中5分鐘，再回收之。

［製造例2.硬塗薄膜的製造］

作為硬塗薄膜用之基材薄膜層，準備已將厚度40μm之三乙醯纖維素薄膜（富士薄膜公司製「FT40UL」）皂化處理的薄膜。

〔硬塗層的形成〕

在每1分子含有3官能基以上之丙稀醯基的丙烯酸胺甲酸酯寡聚物100份，加入二氧化矽分散液（日產化學工業公司製，數量平均粒徑20nm）60份、聚甲基丙烯酸甲酯粒子（積水化成品工業公司製，數量平均粒徑2.0μm）3份及光聚合起始劑（Ciba Specialty Chemicals公司製「IRGACURE184」）6份，使用攪拌機以2000rpm攪拌5分鐘，藉此獲得硬塗層形成用的液態組成物。

於前述基材薄膜層的表面塗布前述硬塗層形成用的液態組成物，進行乾燥（70℃×2分鐘）及紫外線照射（累計光量200mW／cm² ），形成厚度5μm的硬塗層。藉此，獲得具備基材薄膜層及硬塗層的硬塗薄膜。

［實施例1］

（1-1.嵌段共聚物［1］-1的製造）

在充分經氮氣置換且具備攪拌裝置的反應器，置入脫水環己烷550份、脫水苯乙烯25.0份及二正丁醚0.475份，在60℃下攪拌。在持續此攪拌的同時，進一步在反應器加入正丁基鋰（15%環己烷溶液）0.68份，在60℃下攪拌60分鐘。藉由氣相層析法量測之在此時間點的聚合轉換率為99.5%。

隨後，在反應器加入脫水異戊二烯50.0份，就此持續攪拌30分鐘。於此時間點的聚合轉換率為99%。

之後，在反應器加入脫水苯乙烯25.0份，攪拌60分鐘。於此時間點的聚合轉換率為近乎100%。於此，在反應器加入異丙醇0.5份以停止反應。所獲得之嵌段共聚物［1］-1的重量平均分子量（Mw）為61,700，分子量分布（Mw／Mn）為1.05。

（1-2.嵌段共聚物之氫化物［2］-1的製造）

將包含前述嵌段共聚物［1］-1的聚合物溶液轉移至具備攪拌裝置的耐壓反應器。在此耐壓反應器加入作為氫化觸媒之矽藻土承載型鎳觸媒（Süd-Chemie觸媒公司製「T-8400RL」）3.0份及脫水環己烷100份並混合之。之後，以氫氣置換反應器內部，進一步攪拌溶液同時供給氫氣，在溫度170℃、壓力4.5MPa下進行氫化反應6小時。氫化反應後所獲得之嵌段共聚物之氫化物［2］-1的重量平均分子量（Mw）為65,300，分子量分布（Mw／Mn）為1.06。

氫化反應結束後，過濾反應溶液，以去除氫化觸媒。之後，在經過濾的反應溶液，添加係為酚系抗氧化劑之已溶解有肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯（KOYO化學研究所公司製「Songnox1010」）0.1份的二甲苯溶液1.0份，並使之溶解。

隨後，藉由金屬纖維製過濾器（孔徑0.4μm，NICHIDAI公司製）過濾前述反應溶液，以去除微小的固體成分。之後，使用圓筒型濃縮乾燥器（日立製作所公司製「KONTRO」），在溫度260℃、壓力0.001MPa以下的條件下，自經過濾的反應溶液去除係為溶劑的環己烷、二甲苯以及其他揮發成分。然後，將濃縮乾燥器中所殘留的樹脂，自直接連接於前述濃縮乾燥器的模具，以熔融狀態擠製成條狀，使之冷卻，以造粒機細切，獲得嵌段共聚物氫化物［2］-1的料粒90份。所獲得之嵌段共聚物氫化物［2］-1的重量平均分子量（Mw）為64,600，分子量分布（Mw／Mn）為1.11。氫化率為近乎100%。

（1-3.嵌段共聚物之氫化物之烷氧矽基改質物［3］-1的製造）

對於所獲得之嵌段共聚物氫化物［2］-1的料粒100份，添加乙烯基三甲氧基矽烷2.0份及2,5-二甲基-2,5-二(三級丁基過氧)己烷（日油公司製「PERHEXA（註冊商標）25B」）0.2份，獲得混合物。使用雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM37B」），將此混合物在混練溫度200℃、滯留時間60秒鐘～70秒鐘下混練，並擠製成條狀。於空氣中冷卻所擠製之混合物之後，藉由造粒機細切，獲得嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物［3］-1的料粒97份。

將所獲得之烷氧矽基改質物［3］-1的料粒10份溶解於環己烷100份之後，注入已脫水的甲醇400份中，使烷氧矽基改質物［3］-1凝固。過濾已凝固的烷氧矽基改質物［3］-1之後，在25℃下真空乾燥，單獨分離烷氧矽基改質物［3］-1的團粒9.5份。

對於如此單獨分離的烷氧矽基改質物［3］-1，量測FT-IR光譜。於FT-IR光譜中，在與乙烯基三甲氧基矽烷之1075cm⁻¹ 、808cm⁻ ¹ 及766cm⁻ ¹ 相異的位置，觀察到在1090cm⁻ ¹ 源自Si－OCH₃ 基、在825cm⁻ ¹ 與739cm⁻ ¹ 源自Si－CH₂ 基的新吸收帶。

並且，對於烷氧矽基改質物［3］-1，量測¹ H-NMR光譜（氘代氯仿中）。於¹ H-NMR光譜中，在3.6ppm觀察到依據甲氧基之質子的吸收帶。然後，自峰面積比，確認到在用以獲得烷氧矽基改質物［3］-1的改質反應中，相對於嵌段共聚物氫化物［2］-1之100份，已鍵結乙烯基三甲氧基矽烷1.7份。

（1-4.偏光板保護薄膜的製造及評價）

將所獲得之嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物［3］-1的料粒，使用使空氣流通的熱風乾燥器，在50℃下加熱並乾燥4小時，之後，去除溶解空氣。對於經如此乾燥的料粒100重量份，添加光穩定劑（甲醛縮聚物、{2,4,6-三氯-1,3,5-三―[N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己-1,6-二胺]―啉聚合物}與甲酸的反應生成物；Cytec Industries Japan公司製「CYASORB（註冊商標）3529」）0.05份，及紫外線吸收劑（2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)酚；BASF Japan公司製「Tinuvin（註冊商標）329」）0.05份，並均勻攪拌混合。

將如此獲得之混合物，使用具有具備直徑40mm之螺桿之樹脂熔融擠製機的T模具式薄膜成形機（T模具幅寬600mm），在熔融樹脂溫度200℃、T模具溫度200℃、輥溫度50℃的成形條件下，擠製成厚度50μm、幅寬500mm之薄膜狀而成形，獲得僅由特定樹脂層而成之單層結構的偏光板保護薄膜。於此偏光板保護薄膜的單面，使用接觸輥，賦予壓花形狀。此壓花形狀以經賦予該壓花形狀之面的算術平均粗糙度Ra成為0.1μm的方式形成。然後，將所獲得之偏光板保護薄膜收捲成輥而回收之。

對於如此獲得之偏光板保護薄膜，藉由上述方法，量測拉伸彈性模數、熔流速率及水蒸氣穿透率。

（1-5.偏光板的製造及評價）

將水100重量份、聚乙烯醇系接合劑（日本合成化學公司製「Z-200」）3重量份及交聯劑（日本合成化學公司製「SPM-01」）0.3重量份混合，獲得接合劑。將此接合劑塗布於製造例2中所製造之硬塗薄膜之基材薄膜層側的面，再貼合製造例1中所製造之偏光件。以此狀態在70℃下使接合劑加熱乾燥5分鐘。接合劑乾燥後所獲得之接合層的厚度為0.6μm。

並且，在前述偏光板保護薄膜之未形成壓花形狀的面，塗布前述接合劑，與前述偏光件貼合。此狀態下，在70℃下使接合劑加熱乾燥5分鐘。接合劑乾燥後所獲得之接合層的厚度為0.6μm。如此操作後，獲得依序具備偏光板保護薄膜／接合層／偏光件／接合層／基材薄膜層／硬塗層的偏光板。

使用如此獲得之偏光板，藉由上述方法，進行密合力的量測、貼合面的評價、高溫試驗、高溫高濕試驗、熱衝擊試驗及鉛筆硬度的量測。

［實施例2］

（2-1.嵌段共聚物［1］-2的製造）

在內部充分經氮氣置換且具備攪拌裝置的反應器，置入脫水環己烷270份、二正丁醚0.59份，加入正丁基鋰（15%環己烷溶液）0.66份，在60℃下攪拌。在持續此攪拌的同時，在反應器連續添加脫水苯乙烯25.0份長達60分鐘，以進行聚合反應。脫水苯乙烯的添加結束後，就此進一步在60℃下攪拌20分鐘。藉由氣相層析法量測反應液，結果於此時間點的聚合轉換率為99.5%。

其次，在反應器連續添加脫水苯乙烯30.0份與異戊二烯25.0份的混合物長達150分鐘。前述混合物的添加結束後，就此進一步持續攪拌20分鐘。於此時間點的聚合轉換率為99.5%。

之後，在反應器連續添加脫水苯乙烯20.0份長達60分鐘。脫水苯乙烯的添加結束後，就此進一步攪拌20分鐘。於此時間點的聚合轉換率為近乎100%。於此，在反應器加入異丙醇0.5份以停止反應。所獲得之嵌段共聚物［1］-2的重量平均分子量（Mw）為64,600，分子量分布（Mw／Mn）為1.03，wA：wB＝45：55，w［IB］：w［IIB］＝55：45。於此，wA表示嵌段共聚物［1］-2中苯乙烯嵌段所佔之重量分率，wB表示嵌段共聚物［1］-2中苯乙烯－異戊二烯共聚物嵌段所佔之重量分率。並且，所謂w［IB］表示苯乙烯－異戊二烯共聚物嵌段中源自苯乙烯之結構單元所佔之重量分率，所謂w［IIB］表示苯乙烯－異戊二烯共聚物嵌段中源自異戊二烯之結構單元所佔之重量分率。

（2-2.嵌段共聚物之氫化物［2］-2的製造）

將包含前述嵌段共聚物［1］-2的聚合物溶液轉移至具備攪拌裝置的耐壓反應器。在此耐壓反應器加入作為氫化觸媒之矽藻土承載型鎳觸媒（日揮觸媒化成公司製「E22U」，鎳承載量60%）7.0份及脫水環己烷80份並混合。之後，以氫氣置換反應器內部，進一步於攪拌溶液的同時供給氫氣，在溫度190℃、壓力4.5MPa下進行氫化反應6小時。氫化反應後所獲得之嵌段共聚物氫化物［2］-2的重量平均分子量（Mw）為68,400、分子量分布（Mw／Mn）為1.04。

隨後，使用圓筒型濃縮乾燥器（日立製作所公司製「KONTRO」），在溫度260℃、壓力0.001MPa以下的條件下，自前述反應溶液去除係為溶劑的環己烷、二甲苯以及其他揮發成分。然後，將濃縮乾燥器中所殘留的樹脂，藉由具備連接於前述濃縮乾燥器之孔徑20μm之不鏽鋼製燒結過濾器的聚合物過濾器（Fuji Filter公司製），在溫度260℃下過濾。將經過濾的樹脂自模具以熔融狀態擠製成條狀，使之冷卻，以造粒機細切，獲得嵌段共聚物氫化物［2］-2的料粒95份。所獲得之嵌段共聚物氫化物［2］-2的重量平均分子量（Mw）為67,700，分子量分布（Mw／Mn）為1.05，氫化率為近乎100%。

（2-3.偏光板保護薄膜的製造及評價）

準備可製造包含樹脂層a／樹脂層b／樹脂層c之3層之多層薄膜的共擠製成形用薄膜成形裝置。此薄膜成形裝置中，設置有用以擠製分別對應樹脂層a、樹脂層b及樹脂層c之樹脂的單軸擠製機。並且，各單軸擠製機具備雙螺線型螺桿。

在前述薄膜成形裝置之樹脂層b用的單軸擠製機，放入前述嵌段共聚物氫化物［2］-2的料粒，在220℃下使之熔融。

並且，準備實施例1中所製造之嵌段共聚物氫化物之烷氧矽基改質物［3］-1之經乾燥的料粒100重量份、光穩定劑（甲醛縮聚物、{2,4,6-三氯-1,3,5-三―[N,N’-雙(2,2,6,6-四甲基哌啶-4-基)己-1,6-二胺]―啉聚合物}與甲酸的反應生成物；Cytec Industries Japan公司製「CYASORB（註冊商標）3529」）0.05份，及紫外線吸收劑（2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)酚；BASF Japan公司製「Tinuvin（註冊商標）329」）0.05份的混合物。將此混合物放入前述薄膜成形裝置之樹脂層a及樹脂層c用的單軸擠製機，在200℃下使之熔融，獲得熔融樹脂。

將經熔融的220℃嵌段共聚物氫化物［2］-2，通過開口3μm之葉盤狀的聚合物過濾器，供給至多歧管模具之樹脂層b用的多歧管。

並且，將包含烷氧矽基改質物［3］-1、光穩定劑及紫外線吸收劑之200℃熔融樹脂，通過開口3μm之葉盤狀的聚合物過濾器，供給至樹脂層a用及樹脂層c用的多歧管。

將嵌段共聚物氫化物［2］-2與包含烷氧矽基改質物［3］-1、光穩定劑及紫外線吸收劑的熔融樹脂，自多歧管模具在220℃下同時擠製，成形為薄膜狀。將經成形的薄膜狀樹脂，澆鑄於表面溫度調整成110℃之冷卻輥，隨後通過表面溫度調整成50℃之2個冷卻輥之間使之固化。藉此，獲得依序具備：作為包含烷氧矽基改質物［3］-1、光穩定劑及紫外線吸收劑之特定樹脂層的樹脂層a（厚度12μm）；包含嵌段共聚物氫化物［2］-2的樹脂層b（厚度25μm）；以及作為包含烷氧矽基改質物［3］-1、光穩定劑及紫外線吸收劑之特定樹脂層的樹脂層c（厚度12μm），且厚度49μm的偏光板保護薄膜。於此偏光板保護薄膜的單面，賦予與實施例1相同的壓花形狀。

對於如此獲得之偏光板保護薄膜，藉由上述方法，量測拉伸彈性模數及水蒸氣穿透率。再者，量測特定樹脂層所包含之樹脂的熔流速率。

（2-4.偏光板的製造及評價）

除了使用本實施例2中所製造的前述偏光板保護薄膜，代替實施例1中所製造的偏光板保護薄膜以外，藉由與實施例1之工序（1-5）相同的操作，獲得依序具備：偏光板保護薄膜／接合層／偏光件／接合層／基材薄膜層／硬塗層的偏光板。

［實施例3］

（3-1.偏光板保護薄膜的製造及評價）

在實施例1中所製造之嵌段共聚物之氫化物之烷氧矽基改質物［3］-1的料粒100重量份，添加作為紫外線吸收劑的2-(2H-苯并三唑-2-基)-4-(1,1,3,3-四甲基丁基)酚（BASF Japan公司製「Tinuvin（註冊商標）329」）0.4份，供給至雙軸擠製機（東芝機械公司製「TEM37BS」）。

前述雙軸擠製機具備可添加液狀物的側進料器。自此側進料器，以相對於烷氧矽基改質物［3］-1之100重量份成為10重量份之比例的方式，在雙軸擠製機連續添加作為發揮塑化劑功能之烴聚合物的聚異丁烯（JX日鑛日石ENERGY公司製「日石聚丁烯HV-300」，數量平均分子量1,400）。然後，在雙軸擠製機混合前述烷氧矽基改質物［3］-1、紫外線吸收劑及聚異丁烯，在樹脂溫度190℃下擠製成條狀。於空氣中冷卻所擠製之樹脂之後，藉由造粒機細切，獲得樹脂的料粒102份。

將所獲得之樹脂的料粒，使用具有具備直徑40mm之螺桿之樹脂熔融擠製機的T模具式薄膜成形機（T模具幅寬600mm），在熔融樹脂溫度190℃、T模具溫度190℃、輥溫度50℃的成形條件下，擠製成厚度50μm、幅寬500mm之薄膜狀而成形，獲得僅由特定樹脂層而成之單層結構的偏光板保護薄膜。於此偏光板保護薄膜的單面，賦予與實施例1相同的壓花形狀。之後，將所獲得之偏光板保護薄膜收捲成輥而回收之。

（3-2.偏光板的製造及評價）

除了使用本實施例3中所製造的前述偏光板保護薄膜，代替實施例1中所製造的偏光板保護薄膜以外，藉由與實施例1之工序（1-5）相同的操作，獲得依序具備：偏光板保護薄膜／接合層／偏光件／接合層／基材薄膜層／硬塗層的偏光板。

［比較例1］

（C1-1.偏光板保護薄膜的製造及評價）

[開環重合工序]

準備三環[4.3.0.1^2,5 ]癸-3-烯（以下適時稱為「DCP」。）、四環[4.4.0.1^2,5 .1^7,10 ]十二-3-烯（以下適時稱為「TCD」。）及四環[9.2.1.0^2,10 .0^3,8 ]十四-3,5,7,12-四烯（以下適時稱為「MTF」。）的混合物（重量比DCP／TCD／MTF＝60／35／5）。將此混合物7份（相對於聚合中使用的單體總量為重量1%）與環己烷1600份，加入經氮氣置換的反應器。

在此反應器進一步添加三異丁基鋁0.55份、異丁醇0.21份、作為反應調節劑之二異丙醚0.84份及作為分子量調節劑之1-己烯3.24份。

在此反應器進一步添加已溶解於環己烷之濃度0.65%的六氯化鎢溶液24.1份，在55℃下攪拌10分鐘。

隨後，在將反應系統維持在55℃的同時，將DCP、TCD及MTF的混合物（重量比DCP／TCD／MTF＝60／35／5）693份；以及已溶解於環己烷之濃度0.65%的六氯化鎢溶液48.9份，分別耗時150分鐘連續滴入系統內。之後，繼續反應30分鐘，使聚合結束，獲得包含開環聚合物的反應液。

聚合結束後，藉由氣相層析法量測的單體之聚合轉換率，於聚合結束時為100%。

[氫化]

將包含前述開環聚合物的反應液轉移至耐壓性的氫化反應器。在此氫化反應器加入矽藻土承載鎳觸媒（日揮化學公司製「T8400RL」，鎳承載率57%）1.4份及環己烷167份，在180℃、氫氣壓力4.6MPa下，使之反應6小時。將所獲得之反應溶液，以RADIOLITE #500作為濾床，在壓力0.25MPa下加壓過濾（石川島播磨重工公司製「FUNDABAC過濾器」），去除氫化觸媒，獲得包含氫化物的無色透明溶液。

隨後，將每100份前述氫化物為0.5份的抗氧化劑（肆{3-[3,5-二(三級丁基)-4-羥基苯基]丙酸}新戊四醇酯，Ciba Specialty Chemicals公司製「Irganox 1010」），添加於所獲得之溶液，使之溶解。隨後，藉由過濾器（CUNO Filter公司製「Zeta Plus filter 30H」，孔徑0.5μm～1μm）依序過濾，再藉由另一金屬纖維製過濾器（NICHIDAI公司製，孔徑0.4μm）過濾，去除微小的固體成分，獲得開環聚合物氫化物。所獲得之開環聚合物氫化物的氫化率為99.9%。

[料粒的製作]

隨後，使用圓筒型濃縮乾燥器（日立製作所公司製「KONTRO」），自包含前述開環聚合物氫化物的溶液去除溶劑及揮發成分（環己烷及其他揮發成分）。此時的條件設定於溫度270℃、壓力1kPa以下。然後，自直接連接於此濃縮機的模具，將開環聚合物氫化物以熔融狀態擠製成條狀，使之冷卻，獲得包含開環聚合物氫化物之脂環式聚烯烴樹脂的料粒。此料粒的玻璃轉移溫度Tg為125℃。

[偏光板保護薄膜的製造]

將前述料粒在100℃下乾燥5小時。將已乾燥的料粒供給至擠製機，在擠製機內使之熔融，經過聚合物管及聚合物過濾器，自T模具在流延鼓上擠製成片狀，並冷卻之。藉此，獲得厚度50μm、幅寬1450mm的長條狀樹脂薄膜。於此長條狀樹脂薄膜的單面，賦予與實施例1相同的壓花形狀，獲得偏光板保護薄膜。

（C1-2.偏光板的製造及評價）

除了使用本比較例1中所製造的前述偏光板保護薄膜，代替實施例1中所製造的偏光板保護薄膜以外，藉由與實施例1之工序（1-5）相同的操作，獲得依序具備：偏光板保護薄膜／接合層／偏光件／接合層／基材薄膜層／硬塗層的偏光板。

使用如此獲得之偏光板，藉由上述方法，進行密合力的量測及貼合面的評價。並且，在比較例1中，因偏光板保護薄膜無法良好貼合於玻璃，故未進行高溫試驗、高溫高濕試驗、熱衝擊試驗及鉛筆硬度的量測。

［比較例2］

（C2-1.偏光板保護薄膜的製造及評價）

除了使用實施例1中所製造之嵌段共聚物氫化物［2］-1的料粒，代替實施例1中所製造之烷氧矽基改質物［3］-1以外，藉由與實施例1之工序（1-4）相同的操作，獲得偏光板保護薄膜。

（C2-2.偏光板的製造及評價）

除了使用本比較例2中所製造的前述偏光板保護薄膜，代替實施例1中所製造的偏光板保護薄膜以外，藉由與實施例1之工序（1-5）相同的操作，獲得依序具備：偏光板保護薄膜／接合層／偏光件／接合層／基材薄膜層／硬塗層的偏光板。

使用如此獲得之偏光板，藉由上述方法，進行密合力的量測及貼合面的評價。並且，在比較例2中，因偏光板保護薄膜無法良好貼合於玻璃，故未進行高溫試驗、高溫高濕試驗、熱衝擊試驗及鉛筆硬度的量測。

［比較例3］

（C3-1.偏光板保護薄膜的製造及評價）

在具有離型層的支撐薄膜之前述離型層上，塗布接合劑PSA，使之固化，獲得厚度20μm的接合層。之後，自支撐薄膜剝離接合層。

對於如此獲得之接合層，代替偏光板保護薄膜，量測拉伸彈性模數及水蒸氣穿透率。並且，前述接合劑PSA因不具有熱塑性，故未進行熔流速率的量測。

（C3-2.偏光板的製造）

除了不進行偏光板保護薄膜的貼合以外，藉由與實施例1之工序（1-5）相同的操作，獲得依序具備：偏光件／接合層／基材薄膜層／硬塗層的偏光板。

［結果］

前述實施例及比較例的結果揭示於下述表1。下述表中，簡稱的意義如下所述。
MFR：特定樹脂層的熔流速率。

《表1》
［表1.實施例及比較例的結果］

［討論］

由表1可知，比較例1及2中，偏光板保護薄膜之對於玻璃的密合力為低。可認為此係因比較例1及2中所使用之偏光板保護薄膜的熔流速率為低，故缺乏加熱壓合時的擴散性，而無法獲得充分密合面積的緣故。如此密合力為低的偏光板保護薄膜，為了安裝至裝置而導致要進行使用接合劑之貼合，故有多少前述接合劑之層體之部分就有多少厚度增加，難以實現薄型化。

相對於此，比較例3中，於偏光件的單側設置硬塗薄膜，省略另一單側的偏光板保護薄膜。於此比較例3中，用以將偏光板貼合於玻璃之接合劑的層體，對應於偏光板保護薄膜。然而，比較例3中所使用之接合劑的層體，其保護偏光件的能力低劣，耐久性低。具體而言，在高溫試驗中因高溫而發生偏光板保護薄膜的剝離，在高溫高濕試驗中因高濕度而發生偏光板保護薄膜的剝離及偏光件的偏光度降低，在熱衝擊試驗中大量發生因熱衝擊所致之偏光件的破裂。尤其，在邊緣部分，剝離及破裂的發生顯著。

另一方面，實施例1～3中，偏光板保護薄膜因能藉由加熱壓合而貼合於玻璃，故在對於玻璃板等基板之偏光板的貼合時，毋須使用接合劑。據此，可省略接合劑之層體，故有多少該接合劑之層體之部分就有多少厚度減少，而可實現顯示裝置的薄型化。

並且，實施例1～3中，無論在高溫試驗、高溫高濕試驗及熱衝擊試驗，皆可抑制偏光板自玻璃的剝離、偏光件之破裂的發生，及因於高溫高濕槽保存所致之偏光度的降低。因此，本發明的偏光板保護薄膜，由耐熱性及耐濕性優異一事可確認到可善加保護偏光件。

無。

Claims

一種偏光板保護薄膜，其包含：樹脂層，其在190℃、荷重2.16kg時之熔流速率M［g／10min］滿足式（1）：5g／10min　≦　M　　式（1）；其中，在具有經以輸出300W、放電量200W·min／m² 之條件實施電暈處理之算術平均粗糙度3nm的面之玻璃板的前述面，以溫度110℃、線壓25N／mm、速度0.04m／min之條件壓合前述樹脂層之情形中的密合力為1.0N／10mm以上，且拉伸彈性模數E［MPa］滿足式（2）：200MPa　≦　E　≦　1200MPa　　式（2）。
如請求項1所述之偏光板保護薄膜，其中前述樹脂層包含烷氧矽基。
如請求項1所述之偏光板保護薄膜，其中前述偏光板保護薄膜之以厚度100μm換算的水蒸氣穿透率W［g／m² ／day］滿足式（3）：W　≦　10g／m² ／day　　式（3）。
如請求項1所述之偏光板保護薄膜，其中：前述樹脂層包含烷氧矽基改質物［3］；前述烷氧矽基改質物［3］係嵌段共聚物［1］之主鏈及支鏈之碳―碳不飽和鍵結及芳環之碳―碳不飽和鍵結之90%以上經氫化的氫化物［2］之烷氧矽基改質物；前述嵌段共聚物［1］具有：以芳族乙烯化合物單元作為主成分且於每1分子前述嵌段共聚物［1］為2個以上的聚合物嵌段［A］，與以鏈狀共軛二烯化合物單元作為主成分且於每1分子前述嵌段共聚物［1］為1個以上的聚合物嵌段［B］；前述嵌段共聚物［1］之整體中前述聚合物嵌段［A］所佔之重量分率wA與前述嵌段共聚物［1］之整體中前述聚合物嵌段［B］所佔之重量分率wB之比（wA／wB）為30／70～60／40。
如請求項1所述之偏光板保護薄膜，其中前述樹脂層包含塑化劑。
一種偏光板，其包含如請求項1至5之任一項所述之偏光板保護薄膜與偏光件。
一種顯示裝置，其包括具備基板之顯示體與如請求項6所述之偏光板，其中前述偏光板之偏光板保護薄膜與前述基板接觸。