TW201925890A - 顯示裝置及電子裝置 - Google Patents

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TW201925890A
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川島進
楠本直人
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日商半導體能源研究所股份有限公司
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Abstract

本發明的一個實施方式提供一種能夠提高影像品質的顯示裝置。在各像素中設置有存儲節點，該存儲節點可以保持第一資料。由電容耦合將第二資料附加到第一資料，並可以將該第一資料供應到顯示元件。因此，顯示裝置可以顯示被校正的影像。另外，由於從電源線等供應用來進行電容耦合工作的參考電位，因此可以由共同使用的信號線供應第一資料及第二資料。

Description

顯示裝置及電子裝置
本發明的一個實施方式係關於一種顯示裝置。
注意，本發明的一個實施方式不侷限於上述技術領域。本說明書等所公開的發明的一個實施方式的技術領域係關於一種物體、方法或製造方法。另外，本發明的一個實施方式係關於一種製程(process)、機器(machine)、產品(manufacture)或者組合物(composition of matter)。由此，更明確而言，作為本說明書所公開的本發明的一個實施方式的技術領域的一個例子可以舉出半導體裝置、顯示裝置、液晶顯示裝置、發光裝置、照明設備、蓄電裝置、記憶體裝置、攝像裝置、這些裝置的驅動方法或者這些裝置的製造方法。
注意，在本說明書等中，半導體裝置是指能夠藉由利用半導體特性而工作的所有裝置。電晶體和半導體電路為半導體裝置的一個實施方式。另外，記憶體裝置、顯示裝置、攝像裝置、電子裝置有時包括半導體裝置。
作為可以應用於電晶體的半導體薄膜，矽類半導體材料被廣泛地周知。作為其他材料，氧化物半導體受到關注。作為氧化物半導體，例如，已知除了如氧化銦、氧化鋅等單元金屬氧化物之外還有多元金屬氧化物。在多元金屬氧化物中，有關In-Ga-Zn氧化物(以下也稱為IGZO)的研究尤為火熱。
藉由對IGZO的研究，在氧化物半導體中，發現了既不是單晶也不是非晶的CAAC(c-axis aligned crystalline：c軸配向結晶)結構及nc(nanocrystalline：奈米晶)結構(參照非專利文獻1至非專利文獻3)。非專利文獻1及非專利文獻2中公開了一種使用具有CAAC結構的氧化物半導體製造電晶體的技術。再者，非專利文獻4及非專利文獻5中公開了一種比CAAC結構及nc結構的結晶性更低的氧化物半導體中也具有微小的結晶。
將IGZO用於活性層的電晶體具有極低的關態電流(off-state current)(參照非專利文獻6)，已知有利用了該特性的LSI及顯示器(參照非專利文獻7及非專利文獻8)。
另外，專利文獻1公開了一種具有將關態電流極低的電晶體用於記憶單元的結構的記憶體裝置。
[專利文獻]
[專利文獻1]日本專利申請公開第2011-119674號公報
[非專利文獻]
[非專利文獻1]S. Yamazaki et al., “SID Symposium Digest of Technical Papers”, 2012, volume 43, issue 1, p.183-186
[非專利文獻2]S. Yamazaki et al., “Japanese Journal of Applied Physics”, 2014, volume 53, Number 4S, p.04ED18-1-04ED18-10
[非專利文獻3]S. Ito et al., “The Proceedings of AM-FPD’13 Digest of Technical Papers”, 2013, p.151-154
[非專利文獻4]S. Yamazaki et al., “ECS Journal of Solid State Science and Technology”, 2014, volume 3, issue 9, p.Q3012-Q3022
[非專利文獻5]S. Yamazaki, “ECS Transactions”,2014, volume 64, issue 10, p.155-164
[非專利文獻6]K. Kato et al., “Japanese Journal of Applied Physics”, 2012, volume 51, p.021201-1-021201-7
[非專利文獻7]S. Matsuda et al., “2015 Symposium on VLSI Technology Digest of Technical Papers”, 2015, p.T216-T217
[非專利文獻8]S. Amano et al., “SID Symposium Digest of Technical Papers”, 2010, volume 41, issue 1, p.626-629
顯示裝置的解析度不斷提高，已經開發出能夠顯示8K4K(像素數：7680×4320)或更高解析度的影像的硬體。此外，藉由亮度調整提高影像品質的HDR(高動態範圍)顯示技術的導入得到了推進。
為了由顯示裝置適當地進行顯示，需要使影像資料對應於顯示裝置的解析度。例如，在顯示裝置的解析度為8K4K，影像資料是用於4K2K(像素數：3840×2160)的資料時，除非將資料數量轉換為4倍，否則不能進行全屏顯示。與此相反地，在顯示裝置的解析度為4K2K，影像資料是用於8K4K的資料時，需要將資料數量轉換為1/4。
此外，產生如下問題，亦即在藉由HDR處理中影像資料的生成及資料數量的轉換需要專用電路，而導致增高功耗。較佳為至少不轉換原始影像資料而將其輸入到顯示裝置的像素中。
因此，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠提高影像品質的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠不轉換影像資料地進行適當的顯示的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠進行HDR顯示的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠進行上轉換工作的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠提高顯示影像的亮度的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種能夠重疊地顯示兩個影像的顯示裝置。
另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種低功耗的顯示裝置。此外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種新穎的顯示裝置等。另外，本發明的一個實施方式的目的之一是提供一種上述顯示裝置的驅動方法。另外，本發明的一個實施方式的目的是提供一種新穎的半導 體裝置等。
注意，這些目的的記載不妨礙其他目的的存在。本發明的一個實施方式並不需要實現所有上述目的。另外，上述以外的目的從說明書、圖式及申請專利範圍等的記載看來顯而易見，且可以從說明書、圖式及申請專利範圍等的記載中衍生上述以外的目的。
本發明的一個實施方式係關於一種能夠提高影像品質的顯示裝置。另外，本發明的一個實施方式係關於一種能夠進行影像處理的顯示裝置。
本發明的一個實施方式是一種顯示裝置，包括：第一電晶體、第二電晶體、第三電晶體、第一電容器、電路區塊、第一佈線以及第二佈線，其中第一電晶體的源極和汲極中的一個與第二電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第二電晶體的源極和汲極中的一個與第一電容器的一個電極電連接，第一電容器的另一個電極與第三電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第三電晶體的源極和汲極中的一個與電路區塊電連接，第一電晶體的源極和汲極中的另一個與第一佈線電連接，第三電晶體的源極和汲極中的另一個與第一佈線電連接，第二電晶體的閘極與第二佈線電連接，第三電晶體的閘極與第二佈線電連接，並且電路區塊包括顯示元件。
另外，本發明的另一個實施方式是一種顯示裝置，包括：第一電晶體、第二電晶體、第一電路、第二電路、第一佈線以及第二佈線，其中第一電路和第二電路都包括第三電晶體、第一電容器及電路區塊，第三電晶體的源極和汲極中的一個與第一電容器的一個電極電連接，第一電容器的一個 電極與電路區塊電連接，第一電容器的另一個電極與第一電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第一電晶體的源極和汲極中的一個與第二電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第一電路所包括的第三電晶體的源極和汲極中的另一個與第一佈線電連接，第一電晶體的源極和汲極中的另一個與第一佈線電連接，第一電路所包括的第三電晶體的閘極與第二佈線電連接，第二電路所包括的第三電晶體的閘極與第二佈線電連接，第二電晶體的閘極與第二佈線電連接，並且電路區塊包括顯示元件。
電路區塊包括第四電晶體、第五電晶體、第二電容器以及作為顯示元件的有機EL元件，並可以具有如下結構：有機EL元件的一個電極與第五電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第五電晶體的源極和汲極中的另一個與第二電容器的一個電極電連接，第二電容器的一個電極與第四電晶體的源極和汲極中的一個電連接，第四電晶體的閘極與第二電容器的另一個電極電連接，並且第二電容器的另一個電極與第一電容器的一個電極電連接。
在上述結構中，第四電晶體的源極和汲極中的另一個可以與第二電晶體的源極和汲極中的另一個電連接。
此外，電路區塊包括第六電晶體、第三電容器以及作為顯示元件的液晶元件，並可以具有如下結構：液晶元件的一個電極與第三電容器的一個電極電連接，第三電容器的一個電極與第六電晶體的源極和汲極中的一個電連接，並且第六電晶體的源極和汲極中的另一個與第一電容器的一個電極電連接。
在上述結構中，第三電容器的另一個電極可以與第二電晶體的源極和汲極中的另一個電連接。
第三電晶體在通道形成區域中具有金屬氧化物，並且金屬氧化物較佳為具有In、Zn及M(M是Al、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd或Hf)。
藉由使用本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠提高影像品質的顯示裝置。藉由使用本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠不轉換影像資料地進行適當的顯示的顯示裝置。藉由使用本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠進行HDR顯示的顯示裝置。藉由使用本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠進行上轉換工作的顯示裝置。藉由使用本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠提高顯示影像的亮度的顯示裝置。藉由使用本發明的一個實施方式，可以提供一種能夠重疊地顯示兩個影像的顯示裝置。
另外，可以提供一種低功耗的顯示裝置。此外，可以提供一種可靠性高的顯示裝置。另外，可以提供一種新穎的顯示裝置等。另外，可以提供一種上述顯示裝置的驅動方法。另外，可以提供一種新穎的半導體裝置等。
10‧‧‧像素
10B‧‧‧子像素
10G‧‧‧子像素
10R‧‧‧子像素
11‧‧‧像素
11B‧‧‧子像素
11G‧‧‧子像素
11R‧‧‧子像素
12‧‧‧像素陣列
13‧‧‧行驅動器
14‧‧‧列驅動器
15‧‧‧電路
16‧‧‧選擇電路
20‧‧‧移位暫存器
21‧‧‧緩衝電路
22‧‧‧移位暫存器
23‧‧‧緩衝電路
24‧‧‧感測器
25‧‧‧電路
26B‧‧‧電極
26G‧‧‧電極
26R‧‧‧電極
101‧‧‧電晶體
102‧‧‧電晶體
102a‧‧‧電晶體
102b‧‧‧電晶體
103‧‧‧電晶體
104‧‧‧電容器
110‧‧‧電路區塊
111‧‧‧電晶體
112‧‧‧電晶體
113‧‧‧電容器
114‧‧‧EL元件
115‧‧‧電晶體
116‧‧‧電容器
117‧‧‧液晶元件
118‧‧‧電晶體
119‧‧‧電晶體
120‧‧‧電路
121‧‧‧佈線
122‧‧‧佈線
123‧‧‧佈線
126‧‧‧佈線
128‧‧‧佈線
129‧‧‧佈線
130‧‧‧佈線
131‧‧‧佈線
132‧‧‧佈線
133‧‧‧佈線
134‧‧‧佈線
215‧‧‧顯示部
221a‧‧‧掃描線驅動電路
231a‧‧‧信號線驅動電路
232a‧‧‧信號線驅動電路
241a‧‧‧共通線驅動電路
723‧‧‧電極
726‧‧‧絕緣層
728‧‧‧絕緣層
729‧‧‧絕緣層
741‧‧‧絕緣層
742‧‧‧半導體層
744a‧‧‧電極
744b‧‧‧電極
746‧‧‧電極
755‧‧‧雜質
771‧‧‧基板
772‧‧‧絕緣層
810‧‧‧電晶體
811‧‧‧電晶體
820‧‧‧電晶體
821‧‧‧電晶體
825‧‧‧電晶體
826‧‧‧電晶體
842‧‧‧電晶體
843‧‧‧電晶體
844‧‧‧電晶體
845‧‧‧電晶體
846‧‧‧電晶體
847‧‧‧電晶體
901‧‧‧外殼
902‧‧‧顯示部
903‧‧‧顯示部
904‧‧‧感測器
911‧‧‧外殼
912‧‧‧顯示部
913‧‧‧揚聲器
919‧‧‧照相機
921‧‧‧柱子
922‧‧‧顯示部
951‧‧‧外殼
952‧‧‧顯示部
953‧‧‧操作按鈕
954‧‧‧外部連接埠
955‧‧‧揚聲器
956‧‧‧麥克風
957‧‧‧照相機
961‧‧‧外殼
962‧‧‧快門按鈕
963‧‧‧麥克風
965‧‧‧顯示部
966‧‧‧操作鍵
967‧‧‧揚聲器
968‧‧‧變焦鈕
969‧‧‧透鏡
971‧‧‧外殼
973‧‧‧顯示部
974‧‧‧操作鍵
975‧‧‧揚聲器
976‧‧‧通訊用連接端子
977‧‧‧光感測器
4001‧‧‧基板
4005‧‧‧密封劑
4006‧‧‧基板
4008‧‧‧液晶層
4010‧‧‧電晶體
4011‧‧‧電晶體
4013‧‧‧液晶元件
4014‧‧‧佈線
4015‧‧‧電極
4017‧‧‧電極
4018‧‧‧FPC
4019‧‧‧各向異性導電層
4020‧‧‧電容器
4021‧‧‧電極
4030‧‧‧電極層
4031‧‧‧電極層
4032‧‧‧絕緣層
4033‧‧‧絕緣層
4035‧‧‧間隔物
4041‧‧‧印刷電路板
4042‧‧‧積體電路
4102‧‧‧絕緣層
4103‧‧‧絕緣層
4104‧‧‧絕緣層
4110‧‧‧絕緣層
4111‧‧‧絕緣層
4112‧‧‧絕緣層
4131‧‧‧彩色層
4132‧‧‧遮光層
4133‧‧‧絕緣層
4200‧‧‧輸入裝置
4210‧‧‧觸控面板
4227‧‧‧電極
4228‧‧‧電極
4237‧‧‧佈線
4238‧‧‧佈線
4239‧‧‧佈線
4263‧‧‧基板
4272b‧‧‧FPC
4273b‧‧‧IC
4510‧‧‧分隔壁
4511‧‧‧發光層
4513‧‧‧發光元件
4514‧‧‧填充材料
在圖式中；圖1是說明像素電路的圖； 圖2A及圖2B是說明像素電路的工作的時序圖；圖3A及圖3B是說明影像資料的校正及影像的合成的圖；圖4A至圖4C是說明電路區塊的圖；圖5A至圖5C是說明電路區塊的圖；圖6A至圖6C是說明像素電路的圖；圖7是說明像素陣列的圖；圖8A1、圖8A2、圖8B1及圖8B2是說明像素陣列的工作的時序圖；圖9A至圖9C是說明顯示裝置的方塊圖；圖10A及圖10B是說明神經網路的結構例的圖；圖11是說明用於類比的像素陣列的結構的圖；圖12A至圖12C是說明類比結果的圖；圖13A至圖13D是說明類比結果的圖；圖14A至圖14D是說明類比結果的圖；圖15是說明像素的結構的圖；圖16A至圖16C是說明顯示裝置的圖；圖17A及圖17B是說明觸控面板的圖；圖18A及圖18B是說明顯示裝置的圖；圖19A1、圖19A2、圖19B1、圖19B2、圖19C1及圖19C2是說明電晶體的圖；圖20A1、圖20A2、圖20B1、圖20B2、圖20C1及圖20C2是說明電晶體的圖；圖21A1、圖21A2、圖21B1、圖21B2、圖21C1及圖21C2是說明電晶體的圖；圖22A1、圖22A2、圖22B1、圖22B2、圖22C1及圖22C2是說明電 晶體的圖；圖23A至圖23F是說明電子裝置的圖。
使用圖式對實施方式進行詳細說明。注意，本發明不侷限於下面說明，所屬技術領域的通常知識者可以很容易地理解一個事實就是其方式及詳細內容在不脫離本發明的精神及其範圍的情況下可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發明不應該被解釋為僅限定在以下所示的實施方式所記載的內容中。注意，在下面所說明的發明的結構中，在不同的圖式中共同使用相同的元件符號來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重複說明。注意，有時在不同的圖式中適當地省略或改變相同組件的陰影。
實施方式1
在本實施方式中，參照圖式對本發明的一個實施方式的顯示裝置進行說明。
本發明的一個實施方式是具有在像素中校正影像資料的功能的顯示裝置。在各像素中設置有存儲節點，並且可以在該存儲節點中保持第一資料。由電容耦合將第二資料附加到第一資料，並可以將該第一資料供應到顯示元件。或者，也可以在對該存儲節點寫入第二資料之後，由電容耦合附加第一資料。
由此，顯示裝置可以顯示被校正的影像。藉由該校正，可以進行影像 的上轉換。或者，可以校正顯示部中的一部或全體的影像而進行HDR顯示。或者，藉由作為第一資料及第二資料使用相同的影像資料，可以大幅度地提高顯示影像的亮度。或者，藉由作為第一資料及第二資料使用不同的影像資料，可以重疊地顯示任意影像。
此外，藉由使用本發明的一個實施方式，可以不對高解析度用及低解析度用的兩個影像資料進行上轉換或下轉換而進行適當的顯示。在以高解析度顯示的情況下，經由各像素所包括的第一電晶體對各像素供應不同的資料。在以低解析度顯示時，經由與多個像素電連接的第二電晶體對該多個像素供應同一資料。
在此，高解析度用影像資料例如相當於對應於8K4K(像素數：7680×4320)的資料。此外，低解析度用影像資料例如相當於對應於4K2K(像素數：3840×2160)的資料。也就是說，假設高解析度用影像資料和低解析度用影像資料的資料數量(對應於有效的像素數)的有效比率為4：1。
另外，只要資料數量(像素數)的比率為4：1，就不侷限於上述例子，高解析度用影像資料可以是對應於4K2K的資料，且低解析度用影像資料可以是對應於FullHD(像素數：1920×1080)的資料。或者，高解析度用影像資料可以是對應於16K8K(像素數：15360×8640)的資料，且低解析度用影像資料可以是對應於8K4K的資料。
圖1是說明可以用於本發明的一個實施方式的顯示裝置的像素10的圖。像素10包括電晶體101、電晶體102、電晶體103、電容器104及電路區塊 110。電路區塊110可以包括電晶體、電容器及顯示元件等。在後面說明其詳細內容。
電晶體101的源極和汲極中的一個與電晶體102的源極和汲極中的一個電連接。電晶體102的源極和汲極中的一個與電容器104的一個電極電連接。電容器104的另一個電極與電晶體103的源極和汲極中的一個電連接。電晶體103的源極和汲極中的一個與電路區塊110電連接。
在此，將連接電晶體103的源極和汲極中的一個、電容器104的另一個電極與電路區塊110的佈線作為節點NM。另外，與節點NM連接的電路區塊110的組件可以使節點NM處於浮動狀態。
電晶體101的閘極與佈線122電連接。電晶體102的閘極及電晶體103的閘極與佈線121電連接。電晶體101的源極和汲極中的另一個及電晶體103的源極和汲極中的另一個與佈線123電連接。電晶體102的源極和汲極中的另一個與能夠供應特定電位“Vref”的佈線電連接。
佈線121、122可以具有作為用來控制電晶體的工作的信號線的功能。佈線123可以具有作為供應第一資料或第二資料的信號線的功能。作為能夠供應“Vref”的佈線，例如可以使用與電路區塊110的組件電連接的電源線等。
另外，為了進行在後面說明的電容耦合工作，需要在相同期間中對像素供應“Vref”及第一資料(例如，校正資料)。因此在從信號線供應“Vref” 時，至少需要供應第一資料的信號線及供應“Vref”或第二資料(例如，影像資料)的信號線。
另一方面，因為在本發明的一個實施方式的顯示裝置中從電源線等供應“Vref”，所以藉由切換時機可以使用一個信號線(佈線123)供應第一資料或第二資料。也就是說，本發明的一個實施方式的顯示裝置可以使用較少的佈線構成。
節點NM是存儲節點，藉由使電晶體103導通，可以將供應到佈線123的資料寫入到節點NM。此外，藉由使電晶體103非導通，可以在節點NM中保持該資料。藉由作為電晶體103使用關態電流極低的電晶體，可以長時間地保持節點NM的電位。作為該電晶體，例如可以使用將金屬氧化物用於通道形成區域的電晶體(以下，OS電晶體)。
OS電晶體不僅可以用於電晶體103還可以用於構成像素的其他的電晶體。電晶體103也可以使用通道形成區域中含有Si的電晶體(以下稱為Si電晶體)，也可以使用OS電晶體和Si電晶體的兩者。作為上述Si電晶體，可以舉出含有非晶矽的電晶體、含有結晶矽(典型的有低溫多晶矽、單晶矽)的電晶體等。
作為用於OS電晶體的半導體材料，可以使用能隙為2eV以上，較佳為2.5eV以上，更佳為3eV以上的金屬氧化物。典型地有含有銦的氧化物半導體等，例如，可以使用後面提到的CAAC-OS或CAC-OS等。CAAC-OS中構成結晶的原子穩定，適用於重視可靠性的電晶體等。CAC-OS呈現高 移動率特性，適用於進行高速驅動的電晶體等。
OS電晶體具有大能隙而呈現極低的關態電流特性。與Si電晶體不同，OS電晶體不會發生碰撞電離、突崩潰、短通道效應等，因此能夠形成高可靠性的電路。
作為OS電晶體中的半導體層，例如可以採用包含銦、鋅及M(鋁、鈦、鎵、鍺、釔、鋯、鑭、鈰、錫、釹或鉿等金屬)的以“In-M-Zn類氧化物”表示的膜。
當構成半導體層的氧化物半導體為In-M-Zn類氧化物時，較佳為用來形成In-M-Zn氧化物膜的濺射靶材的金屬元素的原子數比滿足InM及ZnM。這種濺射靶材的金屬元素的原子數比較佳為In：M：Zn=1：1：1、In：M：Zn=1：1：1.2、In：M：Zn=3：1：2、In：M：Zn=4：2：3、In：M：Zn=4：2：4.1、In：M：Zn=5：1：6、In：M：Zn=5：1：7、In：M：Zn=5：1：8等。注意，所形成的半導體層的原子數比分別有可能在上述濺射靶材中的金屬元素的原子數比的±40%的範圍內變動。
作為半導體層，可以使用載子密度低的氧化物半導體。例如，作為半導體層可以使用載子密度為1×1017/cm3以下，較佳為1×1015/cm3以下，更佳為1×1013/cm3以下，進一步較佳為1×1011/cm3以下，更進一步較佳為小於1×1010/cm3，1×10-9/cm3以上的氧化物半導體。將這樣的氧化物半導體稱為高純度本質或實質上高純度本質的氧化物半導體。該氧化物半導體的缺陷能階密度低，因此可以說是具有穩定的特性的氧化物半導體。
注意，本發明不侷限於上述記載，可以根據所需的電晶體的半導體特性及電特性(場效移動率、臨界電壓等)來使用具有適當的組成的材料。另外，較佳為適當地設定半導體層的載子密度、雜質濃度、缺陷密度、金屬元素與氧的原子數比、原子間距離、密度等，以得到所需的電晶體的半導體特性。
當構成半導體層的氧化物半導體包含第14族元素之一的矽或碳時，氧缺陷增加，會使該半導體層變為n型。因此，將半導體層中的矽或碳的濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)設定為2×1018atoms/cm3以下，較佳為2×1017atoms/cm3以下。
另外，有時當鹼金屬及鹼土金屬與氧化物半導體鍵合時生成載子，而使電晶體的關態電流增大。因此，將半導體層的鹼金屬或鹼土金屬的濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)設定為1×1018atoms/cm3以下，較佳為2×1016atoms/cm3以下。
另外，當構成半導體層的氧化物半導體含有氮時生成作為載子的電子，載子密度增加而容易n型化。其結果是，使用含有氮的氧化物半導體的電晶體容易變為常開特性。因此，半導體層的氮濃度(藉由二次離子質譜分析法測得的濃度)較佳為5×1018atoms/cm3以下。
另外，半導體層例如也可以具有非單晶結構。非單晶結構例如包括具有c軸配向的結晶的CAAC-OS(C-Axis Aligned Crystalline Oxide Semiconductor)、多晶結構、微晶結構或非晶結構。在非單晶結構中，非晶結構的缺陷態密度最高，而CAAC-OS的缺陷態密度最低。
非晶結構的氧化物半導體膜例如具有無秩序的原子排列且不具有結晶成分。或者，非晶結構的氧化物膜例如是完全的非晶結構且不具有結晶部。
此外，半導體層也可以為具有非晶結構的區域、微晶結構的區域、多晶結構的區域、CAAC-OS的區域和單晶結構的區域中的兩種以上的混合膜。混合膜有時例如具有包括上述區域中的兩種以上的區域的單層結構或疊層結構。
以下對非單晶半導體層的一個實施方式的CAC(Cloud-Aligned Composite)-OS的構成進行說明。
CAC-OS例如是指包含在氧化物半導體中的元素不均勻地分佈的構成，其中包含不均勻地分佈的元素的材料的尺寸為0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸。注意，在下面也將在氧化物半導體中一個或多個金屬元素不均勻地分佈且包含該金屬元素的區域以0.5nm以上且10nm以下，較佳為1nm以上且2nm以下或近似的尺寸混合的狀態稱為馬賽克(mosaic)狀或補丁(patch)狀。
氧化物半導體較佳為至少包含銦。尤其是，較佳為包含銦及鋅。除此之外，也可以還包含選自鋁、鎵、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種。
例如，In-Ga-Zn氧化物中的CAC-OS(在CAC-OS中，尤其可以將In-Ga-Zn氧化物稱為CAC-IGZO)是指材料分成銦氧化物(以下，稱為InOX1(X1為大於0的實數))或銦鋅氧化物(以下，稱為InX2ZnY2OZ2(X2、Y2及Z2為大於0的實數))以及鎵氧化物(以下，稱為GaOX3(X3為大於0的實數))或鎵鋅氧化物(以下，稱為GaX4ZnY4OZ4(X4、Y4及Z4為大於0的實數))等而成為馬賽克狀，且馬賽克狀的InOX1或InX2ZnY2OZ2均勻地分佈在膜中的構成(以下，也稱為雲狀)。
換言之，CAC-OS是具有以GaOX3為主要成分的區域和以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域混在一起的構成的複合氧化物半導體。在本說明書中，例如，當第一區域的In與元素M的原子個數比大於第二區域的In與元素M的原子個數比時，第一區域的In濃度高於第二區域。
注意，IGZO是通稱，有時是指包含In、Ga、Zn及O的化合物。作為典型例子，可以舉出以InGaO3(ZnO)m1(m1為自然數)或In(1+x0)Ga(1-x0)O3(ZnO)m0(-1x01，m0為任意數)表示的結晶性化合物。
上述結晶性化合物具有單晶結構、多晶結構或CAAC結構。CAAC結構是多個IGZO的奈米晶具有c軸配向性且在a-b面上以不配向的方式連接的結晶結構。
另一方面，CAC-OS與氧化物半導體的材料構成有關。CAC-OS是指如下構成：在包含In、Ga、Zn及O的材料構成中，一部分中觀察到以Ga為 主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域分別以馬賽克狀無規律地分散。因此，在CAC-OS中，結晶結構是次要因素。
CAC-OS不包含組成不同的二種以上的膜的疊層結構。例如，不包含由以In為主要成分的膜與以Ga為主要成分的膜的兩層構成的結構。
注意，有時觀察不到以GaOX3為主要成分的區域與以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域之間的明確的邊界。
在CAC-OS中包含選自鋁、釔、銅、釩、鈹、硼、矽、鈦、鐵、鎳、鍺、鋯、鉬、鑭、鈰、釹、鉿、鉭、鎢和鎂等中的一種或多種以代替鎵的情況下，CAC-OS是指如下構成：一部分中觀察到以該元素為主要成分的奈米粒子狀區域以及一部分中觀察到以In為主要成分的奈米粒子狀區域以馬賽克狀無規律地分散。
CAC-OS例如可以藉由在對基板不進行意圖性的加熱的條件下利用濺射法來形成。在利用濺射法形成CAC-OS的情況下，作為沉積氣體，可以使用選自惰性氣體(典型的是氬)、氧氣體和氮氣體中的一種或多種。另外，成膜時的沉積氣體的總流量中的氧氣體的流量比越低越好，例如，將氧氣體的流量比設定為0%以上且低於30%，較佳為0%以上且10%以下。
CAC-OS具有如下特徵：藉由根據X射線繞射(XRD：X-ray diffraction)測定法之一的Out-of-plane法利用θ/2θ掃描進行測定時，觀察不到明確的峰 值。也就是說，根據X射線繞射測量，可知在測定區域中沒有a-b面方向及c軸方向上的配向。
另外，在藉由照射束徑為1nm的電子束(也稱為奈米束)而取得的CAC-OS的電子繞射圖案中，觀察到環狀的亮度高的區域以及在該環狀區域內的多個亮點。由此，根據電子繞射圖案，可知CAC-OS的結晶結構具有在平面方向及剖面方向上沒有配向的nc(nano-crystal)結構。
另外，例如在In-Ga-Zn氧化物的CAC-OS中，根據藉由能量色散型X射線分析法(EDX：Energy Dispersive X-ray spectroscopy)取得的EDX面分析影像(EDX-mapping)，可確認到：具有以GaOX3為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域不均勻地分佈而混合的構成。
CAC-OS的結構與金屬元素均勻地分佈的IGZO化合物不同，具有與IGZO化合物不同的性質。換言之，CAC-OS具有以GaOX3等為主要成分的區域及以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域互相分離且以各元素為主要成分的區域為馬賽克狀的構成。
在此，以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域的導電性高於以GaOX3等為主要成分的區域。換言之，當載子流過以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域時，呈現氧化物半導體的導電性。因此，當以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域在氧化物半導體中以雲狀分佈時，可以實現高場效移動率(μ)。
另一方面，以GaOX3等為主要成分的區域的絕緣性高於以InX2ZnY2OZ2或InOX1為主要成分的區域。換言之，當以GaOX3等為主要成分的區域在氧化物半導體中分佈時，可以抑制洩漏電流而實現良好的切換工作。
因此，當將CAC-OS用於半導體元件時，藉由起因於GaOX3等的絕緣性及起因於InX2ZnY2OZ2或InOX1的導電性的互補作用可以實現高通態電流(Ion)及高場效移動率(μ)。
另外，使用CAC-OS的半導體元件具有高可靠性。因此，CAC-OS適用於各種半導體裝置的構成材料。
參照圖2A、圖2B所示的時序圖說明對影像資料附加校正資料的像素10的工作的一個例子。另外，在以下說明中，以“H”表示高電位，以“L”表示低電位。此外，校正資料為“Vp”，影像資料為“Vs”，特定電位為“Vref”。作為“Vref”，例如可以使用0V、GND電位或特定的參考電位。另外，“Vp”可以被稱為任意的第一資料，“Vs”可以被稱為任意的第二資料。
首先，參照圖2A說明將校正資料“Vp”寫入到節點NM的工作。注意，這裡在電位的分佈、耦合或損耗中不考慮因電路的結構、工作時機等的詳細變化。由電容耦合引起的電位變化取決於供應側與被供應側的容量比，但是為了便於說明，假設節點NM的電容值足夠小。
在時刻T1，使佈線121的電位為“H”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“Vp”，由此電晶體102導通，電容器104的一個電極的電 位變為“Vref”。該工作是用來進行後面的校正工作(電容耦合工作)的重設工作。
此外，電晶體103導通，佈線123的電位(校正資料“Vp”)被寫入到節點NM。
在時刻T2，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“L”，由此電晶體102及電晶體103非導通，節點NM保持校正資料“Vp”。此外，電容器104保持“Vp-Vref”。
到這裡是校正資料“Vp”的寫入工作。另外，在不進行校正的情況下，也可以在上述工作中作為校正資料“Vp”供應與“Vref”相同的電位。
接著，參照圖2B說明影像資料“Vs”的校正工作及電路區塊110所包括的顯示元件中的顯示工作。
圖2A、圖2B的工作可以在一個水平期間內連續地進行。或者，也可以圖2A的工作在第k圖框進行(k為自然數)，而圖2B的工作在第k+1圖框進行。或者，也可以在圖2A的工作之後多次進行圖2B的工作。
在時刻T11，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“H”，使佈線123的電位為“Vs”，由此電晶體101導通，由電容器104的電容耦合對節點NM的電位附加佈線123的電位“Vs”。此時，節點NM的電位為“Vp-Vref+Vs”，而在“Vref”=0時節點NM的電位為“Vp+Vs”。
在時刻T12，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“L”，由此電晶體103非導通，節點NM的電位被保持為“Vp+Vs”。
然後，在電路區塊110所包括的顯示元件中進行對應於節點NM的電位的顯示工作。另外，根據電路區塊的結構，有時從時刻T1或時刻T11進行顯示工作。
在此，參照圖3A說明影像資料的校正工作。
圖3A所示的圖示出水平垂直方向的四個像素(P1至P4)。從左邊示出被輸入的影像資料(Vs1、Vs2、Vs3)、被輸入的校正資料(+Vp1、Vp0、-Vp1)、被生成的校正後的影像資料。注意，在以下說明中，顯示元件在影像資料的電位相對高時能夠進行高亮度顯示，在影像資料的電位相對低時能夠進行低亮度顯示。
例如，在像素P1中，在影像資料“Vs1”與正的校正資料“+Vp1”組合時影像資料為“Vs1+Vp1”，且亮度上升。在像素P2及P3中，在影像資料Vs2與實質上沒有校正的校正資料“Vp0”組合時影像資料為“Vs2+Vp0=Vs1”，且亮度不改變。在像素P4中，在影像資料“Vs3”與負的校正資料“-Vp1”組合時影像資料為“Vs1-Vp1”，且亮度降低。
這樣影像資料和校正資料的組合可以進行上轉換、HDR顯示、顯示裝 置固有的顯示不均勻的校正、像素所包括的電晶體的臨界電壓的校正等。
在上轉換工作中，例如，對四個像素的全部供應相同的影像資料。藉由校正，各像素可以顯示不同的影像。例如，可以對具有8K4K的像素數的顯示裝置的特定四個像素輸入適用於具有4K2K的像素數的顯示裝置的特定一個像素的資料，從而進行提高解析度的顯示。
此外，可以重疊地顯示不同的影像，這是廣義上的影像資料的校正。圖3B示出顯示部整體的影像。從左邊示出由影像資料“Vs”構成的第一影像、由校正資料“Vp”構成的第二影像、合成第一影像及第二影像的影像。
這樣影像資料和校正資料的組合除了可以合成地顯示不同的影像之外，而且還可以提高顯示影像整體的亮度等。例如，可以適用於文字插入及AR(Augmented Reality：增強現實)顯示等。
圖4A至圖4C是可以適用於電路區塊110且作為顯示元件包括EL元件的結構的例子。
圖4A所示的結構包括電晶體111、電容器113及EL元件114。電晶體111的源極和汲極中的一個與EL元件114的一個電極電連接。EL元件114的一個電極與電容器113的一個電極電連接。電容器113的另一個電極與電晶體111的閘極電連接。電晶體111的閘極與節點NM電連接。
電晶體111的源極和汲極中的另一個與佈線128電連接。EL元件114 的另一個電極與佈線129電連接。佈線128、129具有供應電源的功能。例如，佈線128可以供應高電位電源。此外，佈線129可以供應低電位電源。
在此，圖1所示的用來供應“Vref”的電晶體103的源極和汲極中的另一個可以與佈線128電連接。因為“Vref”較佳為0V、GND或低電位，所以佈線128還具有供應這些電位中的至少任一的功能。對於佈線128，在對節點NM寫入資料的時機供應“Vref”，而在使EL元件114發光的時機供應高電位電源，即可。
在圖4A所示的結構中，在節點NM的電位成為電晶體111的臨界電壓以上時電流流過EL元件114。由此，有時在圖2A所示的時序圖的時刻T1的階段開始EL元件114的發光，因此該結構的用途可能有限。
圖4B是對圖4A的結構附加電晶體112的結構。電晶體112的源極和汲極中的一個與電晶體111的源極和汲極中的一個電連接。電晶體112的源極和汲極中的另一個與EL元件114電連接。電晶體112的閘極與佈線126電連接。佈線126可以具有控制電晶體112的導通的信號線的功能。
在該結構中，在節點NM的電位為電晶體111的臨界電壓以上且電晶體112導通時電流流過EL元件114。因此，可以在圖2B所示的時序圖中的時刻T12以後開始EL元件114的發光，從而該結構適用於伴隨校正的工作。
圖4C是對圖4B的結構附加電晶體115的結構。電晶體115的源極和 汲極中的一個與電晶體111的源極和汲極中的一個電連接。電晶體115的源極和汲極中的另一個與佈線130電連接。電晶體115的閘極與佈線131電連接。佈線131可以具有控制電晶體115的導通的信號線的功能。另外，電晶體115的閘極也可以與佈線122電連接。
佈線130可以與參考電位等特定電位的供應源電連接。藉由從佈線130對電晶體111的源極和汲極中的一個供應特定電位，也可以使影像資料的寫入穩定化。
此外，佈線130可以與電路120連接，並可以具有監控線的功能。電路120可以具有供應上述特定電位的功能、取得電晶體111的電特性的功能及生成校正資料的功能中的一個以上。
在將佈線130用作監控線時，電路120生成校正電晶體111的臨界電壓的電位作為上述校正資料“Vp”。
圖5A至圖5C是可以適用於電路區塊110並作為顯示元件包括液晶元件的結構的例子。
圖5A所示的結構包括電容器116及液晶元件117。液晶元件117的一個電極與電容器116的一個電極電連接。電容器116的一個電極與節點NM電連接。
電容器116的另一個電極與佈線132電連接。液晶元件117的另一個 電極與佈線133電連接。佈線132、133具有供應電源的功能。例如，佈線132、133可以供應GND及0V等的參考電位或任意電位。
在此，用來供應圖1所示的“Vref”的電晶體103的源極和汲極中的另一個可以與佈線132電連接。
在該結構中，在節點NM的電位成為液晶元件117的工作臨界值以上時開始液晶元件117的工作。由此，有時在圖2A所示的時序圖的時刻T1的階段開始顯示工作，因此該結構的用途可能有限。注意，在是透過型液晶顯示裝置的情況下，藉由還採用到圖2B所示的時刻T12為止使背燈關閉等工作，可以抑制不需要的顯示工作被看到。
圖5B是對圖5A的結構附加電晶體118的結構。電晶體118的源極和汲極中的一個與電容器116的一個電極電連接。電晶體118的源極和汲極中的另一個與節點NM電連接。電晶體118的閘極與佈線126電連接。佈線126可以具有控制電晶體118的導通的信號線的功能。
在該結構中，在電晶體118導通的同時液晶元件117被施加節點NM的電位。由此，可以在圖2B所示的時序圖中的時刻T12以後開始液晶元件的工作，從而該結構適用於伴隨校正的工作。
另外，因為在電晶體118處於非導通的狀態下，繼續保持供應到電容器116及液晶元件117的電位，所以較佳為在改寫影像資料之前對供應到電容器116及液晶元件117的電位進行重設。在該重設中，例如，對佈線 123供應重設電位，並在同時使電晶體103及電晶體118導通，即可。
圖5C是對圖5B的結構附加電晶體119的結構。電晶體119的源極和汲極中的一個與液晶元件117的一個電極電連接。電晶體119的源極和汲極中的另一個與佈線130電連接。電晶體119的閘極與佈線131電連接。佈線131可以具有控制電晶體119的導通的信號線的功能。另外，電晶體119的閘極也可以與佈線122電連接。
電連接到佈線130的電路120與上述圖4C中的說明同樣，還可以具有對供應電容器116及液晶元件117的電位進行重設的功能。
此外，雖然圖4A至圖4C、圖5A至圖5C示出從電源線供應“Vref”的例子，但是也可以從掃描線供應“Vref”。例如，如圖6A所示，也可以從佈線122供應“Vref”。如圖6A所示，因為在寫入校正資料時(在電晶體103導通時)，佈線122供應有相當於“L”的電位，所以可以將該電位用作“Vref”。
此外，如圖6B、圖6C所示，電晶體101、102、103也可以採用設置有背閘極的結構。圖6B示出背閘極與前閘極電連接的結構，該結構具有提高開啟電流的效果。圖6C示出背閘極與能夠供應恆定電位的佈線134電連接的結構，該結構可以控制電晶體的臨界電壓。另外，也可以在圖4A至圖4C及圖5A至圖5C所示的電路區塊110所包括的電晶體設置背閘極。
圖7是示出包括適用像素10的基本結構的像素11的像素陣列的一部 分(四個像素)的圖。像素11設置有電晶體103、電容器104、電路區塊110。另外，附加到符號的括弧內的n、m表示特定的行，i表示特定的列(n、m、i為自然數)。
像素11的每一個配置為矩陣狀，即可以配置在第n行i列、第n行(i+x)列(x為自然數)、第(n+1)行i列及第(n+1)行(i+x)列上。另外，圖7示出x=1時的佈局。
此外，在像素陣列中設置有與四個像素11電連接的電晶體101、電晶體102a及電晶體102b。電晶體102a、102b具有像素10中的電晶體102的功能。
另外，電晶體101是各像素11的組件，也可以說4個像素共同使用電晶體101。電晶體102a是像素11[n，i]及像素11[n，i+1]的組件，也可以說兩個像素共同使用電晶體102a。電晶體102b是像素11[n+1，i]及像素11[n+1，i+1]的組件，也可以說兩個像素共同使用電晶體102b。另外，電晶體101、102a、102b也可以分散地配置在任何像素區域中。
在各像素11中，電晶體103的源極和汲極中的一個與電容器104的一個電極電連接。電容器104的一個電極與電路區塊110電連接。電容器104的另一個電極與電晶體101的源極和汲極中的一個電連接。電晶體101的源極和汲極中的一個與電晶體102a的源極和汲極中的一個電連接。此外，電晶體101的源極和汲極中的一個與電晶體102b的源極和汲極中的一個電連接。
在該像素陣列中，可以利用其佈線數及電晶體數比將像素10簡單地配置為矩陣狀的結構少的結構進行幾個相同工作。
此外，在顯示裝置和影像資料的解析度不同的情況下，也藉由切換影像資料及校正資料的輸入路徑可以以不進行上轉換或下轉換的方式適當地進行顯示。
參照圖8A1、圖8A2所示的時序圖說明對像素11的每一個寫入不同的資料的工作的一個例子。該工作相當於例如對像素數對應於8K4K的顯示裝置輸入高解析度用影像資料(8K4K資料)的情況。另外，雖然關於一個像素11進行說明，但是像素11也可以適用同樣工作。
在下面的說明中，將高電位表示為“H”，將低電位表示為“L”，將高電位和低電位之間的特定電位表示為“M”。注意，作為“M”，例如可以採用0V或GND等的參考電位，也可以採用其他電位。此外，使高解析度用影像資料為“VsH”，使高解析度用校正資料為“Vp1”。另外，“Vp1”也可以被稱為任意的第一資料，而“VsH”也可以被稱為任意的第二資料。
首先，參照圖8A1說明將影像資料“VsH”寫入到節點NM的工作。注意，這裡在電位的分佈、耦合或損耗中不考慮因電路的結構、工作時機等的詳細變化。
在時刻T1，使佈線121的電位為“H”，使佈線122的電位為“L”，使佈 線123的電位為“VsH”，由此電晶體102導通，電容器104的另一個電極的電位變為“Vref”。該工作是用來進行後面的校正工作(電容耦合工作)的重設工作。
此外，電晶體103導通，佈線123的電位(影像資料“VsH”)被寫入到節點NM。
在時刻T2，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“M”，由此電晶體102及電晶體103非導通，節點NM保持影像資料“VsH”。此外，電容器104保持“VsH-Vref”。
到這裡是影像資料“VsH”的寫入工作。接著，參照圖8A2說明影像資料“VsH”的校正工作及電路區塊110所包括的顯示元件中的顯示工作。
圖8A1、圖8A2的工作可以在一個水平期間內連續地進行。或者，也可以圖8A1的工作在第k圖框進行(k為自然數)，而圖8A2的工作在第k+1圖框進行。或者，也可以在圖8A1的工作之後多次進行圖8A2的工作。
在時刻T11，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“H”，使佈線123的電位為“Vp1”，由此電晶體101導通，由電容器104的電容耦合對節點NM的電位附加佈線123的電位“Vp1”。此時，節點NM的電位為“VsH-Vref+Vp1”，而在“Vref”=0時節點NM的電位為“VsH+Vp1”。另外，在不進行校正的情況下，也可以在上述工作中作為校正資料“Vp1”供應與“Vref”相同的電位。
在時刻T12，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“M”，由此電晶體101非導通，節點NM的電位被保持為“VsH+Vp1”。
然後，在電路區塊110所包括的顯示元件中進行對應於節點NM的電位的顯示工作。另外，根據電路區塊的結構，有時從時刻T1或時刻T11進行顯示工作。
如此，可以由選擇的像素進行校正來進行HDR顯示等。另外，雖然相對於四個像素，校正資料“Vp1”的值是相同的，但是足以得到明暗的視覺效果。此外，在不進行校正的情況下，在時刻T11，將佈線123的電位維持為“M”，即可。或者，使佈線122的電位為“L”來不使電晶體101導通，即可。
接著，參照圖8B1、圖8B2所示的時序圖說明對四個像素11寫入相同的資料的工作。該工作相當於例如對像素數對應於8K4K的顯示裝置輸入低解析度用影像資料(4K2K資料)的情況。
首先，參照圖8B1說明將校正資料“Vp2”寫入到節點NM的工作。下面，低解析度用影像資料為“VsL”，而低解析度用校正資料為“Vp2”。注意，“Vp2”也可以被稱為任意的第一資料，而“VsL”也可以被稱為任意的第二資料。
在時刻T1，使佈線121的電位為“H”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“Vp2”，由此電晶體102導通，電容器104的另一個電極的 電位變為“Vref”。該工作是用來進行後面的校正工作(電容耦合工作)的重設工作。
此外，電晶體103導通，佈線123的電位(校正資料“Vp2”)被寫入到節點NM。
在時刻T2，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“M”，由此電晶體102及電晶體103非導通，節點NM保持校正資料“Vp2”。此外，電容器104保持“Vp2-Vref”。
到這裡是校正資料“Vp2”的寫入工作。另外，在不進行校正的情況下，也可以在上述工作中作為校正資料“Vp2”供應與“Vref”相同的電位。
接著，參照圖8B2說明影像資料“VsL”的校正工作及電路區塊110所包括的顯示元件中的顯示工作。
圖8B1、圖8B2的工作可以在一個水平期間內連續地進行。或者，也可以圖8B1的工作在第k圖框進行，而圖8B2的工作在第k+1圖框進行。或者，也可以在圖8B1的工作之後多次進行圖8B2的工作。
在時刻T11，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“H”，使佈線123的電位為“VsL”，由此電晶體101導通，由電容器104的電容耦合對節點NM的電位附加佈線123的電位“VsL”。此時，節點NM的電位為“Vp2-Vref+VsL”，而在“Vref”=0時節點NM的電位為“Vp2+VsL”。
在時刻T12，使佈線121的電位為“L”，使佈線122的電位為“L”，使佈線123的電位為“M”，由此電晶體101非導通，節點NM的電位被保持為“Vp2+VsL”。
然後，在電路區塊110所包括的顯示元件中進行對應於節點NM的電位的顯示工作。另外，根據電路區塊的結構，有時從時刻T11進行顯示工作。
因為作為校正資料“Vp2”可以對各像素11輸入不同的值，所以即使影像資料“VsL”相同，各像素11也可以顯示不同的影像。也就是說，可以進行上轉換。另外，在不進行校正時，四個像素顯示相同的影像。
藉由如上所述那樣地進行工作，可以將原來的影像資料以不對其進行上轉換的方式輸入到顯示裝置，從而可以進行適當的顯示。或者，可以進行適合於影像顯示的校正。
圖9A是本發明的一個實施方式的顯示裝置的方塊圖的一個例子。該顯示裝置包括矩陣狀地設置有像素11的像素陣列12、行驅動器13、列驅動器14、電路15及選擇電路16。另外，在圖9A中，以一個區塊表示電晶體102a及電晶體102b，且省略與供應電位“Vref”的佈線的連接方式。
行驅動器13例如可以採用組合移位暫存器20和緩衝電路21的結構。藉由控制緩衝電路21的導通，對佈線121或佈線122輸出資料。
列驅動器14例如可以採用組合移位暫存器22和緩衝電路23的結構。藉由控制緩衝電路23的導通，可以對佈線123輸出資料。
電路15具有生成校正資料的功能。注意，電路15也可以說是用來生成校正資料的外部設備。
行驅動器13可以控制電晶體101及電晶體102a、102b的導通。列驅動器14可以對佈線123供應校正資料或影像資料。
對電路15輸入高解析度用影像資料“VsH”(例如，8K4K資料)或低解析度用影像資料“VsL”(例如，4K2K資料)。在輸入影像資料“VsH”時，生成校正資料“Vp1”，而在輸入影像資料“VsL”時，生成校正資料“Vp2”。
選擇電路16除了由電路15生成的校正資料“Vp1”、“Vp2”之外還可以對列驅動器14輸出在外部生成的校正資料“Vp1”、“Vp2”或影像資料“VsH”、“VsL”。
在圖9A所示的結構中，例如可以在以低解析度進行沒有校正的顯示工作的情況下，使各驅動器的輸出級為一半，從而可以減少功耗。
電路15可以具有神經網路。例如，可以利用以大量的影像作為監督資料進行了學習的深度神經網路生成高精度的校正資料。
如圖10A所示，神經網路NN可以由輸入層IL、輸出層OL及中間層(隱藏層)HL構成。輸入層IL、輸出層OL及中間層HL都包括一個或多個神經元(單元)。注意，中間層HL可以為一層或兩層以上。包括兩層以上的中間層HL的神經網路可以被稱為DNN(深度神經網路)，使用深度神經網路的學習可以被稱為深度學習。
輸入層IL的各神經元被輸入輸入資料，中間層HL的各神經元被輸入前一層或後一層的神經元的輸出信號，輸出層OL的各神經元被輸入前一層的神經元的輸出信號。注意，各神經元既可以與前一層和後一層的所有神經元連結(全連結)，又可以與部分神經元連結。
圖10B示出利用神經元的運算的例子。在此，示出神經元N及向神經元N輸出信號的前一層的兩個神經元。神經元N被輸入前一層的神經元的輸出x1及前一層的神經元的輸出x2。在神經元N中，算出輸出x1與權重w1的乘法結果(x1w1)和輸出x2與權重w2的乘法結果(x2w2)之總和x1w1+x2w2，然後根據需要對其加偏壓b，從而得到值a=x1w1+x2w2+b。值a被活化函數h變換，輸出信號y=h(a)從神經元N輸出。
如此，利用神經元的運算包括對前一層的神經元的輸出與權重之積進行加法的運算，亦即，積和運算(上述x1w1+x2w2)。該積和運算既可以藉由程式在軟體上進行，又可以藉由硬體進行。在藉由硬體進行積和運算時，可以使用積和運算電路。作為該積和運算電路，既可以使用數位電路，又可以使用類比電路。
積和運算電路既可以由Si電晶體構成，也可以由OS電晶體構成。尤其是，因為OS電晶體具有極小的關態電流，所以較佳為用作構成積和運算電路的類比記憶體的電晶體。注意，也可以由Si電晶體和OS電晶體的兩者構成積和運算電路。
另外，校正資料的生成不侷限於使用電路15進行，而也可以使用上述電路120進行(參照圖9B)。此外，也可以根據在顯示部中進行灰階級的顯示並由亮度計讀取該顯示的亮度的資料、或讀取該顯示的照片的資料，來生成校正資料。另外，也可以設置能夠檢測出顯示的亮度的感測器24及能夠檢測出顯示元件的劣化來生成校正資料的電路25(參照圖9C)。
接著，說明將圖4A所示的電路區塊應用於圖7所示的像素陣列的結構(參照圖11)的類比結果。參數為如下。電晶體尺寸是L/W=6μm/6μm(電晶體111)、L/W=4μm/4μm(其他電晶體)，電容器104的電容值是150fF，電容器113的電容值是50fF，EL元件114是FN二極體模型，使佈線128為+10V的陽極電位，“Vref”為+1V，使佈線129為-5V的陰極電位，影像資料及校正資料的最小值為+1V，其最大值為+8V。注意，作為電路類比軟體使用SPICE。
圖12A至圖12C是驗證高解析度的顯示(沒有校正)的類比結果。圖12A是用於驗證的時序圖。在圖12A中的時刻T1至T2，藉由使電晶體103導通，從佈線123寫入影像資料“Vs”(s[n])。此外，在時刻T3至T4，寫入影像資料“Vs”(s[n+1])。此時，佈線128為陽極電位。
圖12B是流過EL元件114的電流(ILED)相對於影像資料“Vs”的類比結果。雖然圖12B是一個像素中的類比結果，但是確認到任何像素(pix1至pix4)可以進行灰階顯示。
此外，圖12C是節點NM的電位“VNM”相對於影像資料“Vs”的變化的類比結果。確認到在任何像素中節點NM的電位“VNM”與影像資料“Vs”成正比。
也就是說，確認到可以顯示從佈線123供應的高解析度用影像資料“Vs”。
圖13A至圖13D是驗證低解析度的顯示(沒有校正)的類比結果。圖13A及圖13B是用於驗證的時序圖。首先，使佈線123的電位為最小值(+1V)，在圖13A中的時刻T1至T4，對所有像素寫入校正資料“Vp”(p)。此時，因為使佈線128處於電位“Vref”(+1V)，所以電容器104所保持的差異電位為0。也就是說，沒有校正。
然後，在圖13B中的時刻T1至T2，藉由使電晶體101導通，從佈線123寫入影像資料“Vs”(s[m])。
圖13C是流過EL元件114的電流(ILED)相對於影像資料“Vs”的類比結果。雖然圖13C是一個像素中的類比結果，但是確認到任何像素(pix1至pix4)可以進行灰階顯示。
此外，圖13D是節點NM的電位“VNM”相對於影像資料“Vs”的變化的類比結果。確認到在任何像素中節點NM的電位“VNM”與影像資料“Vs”成正比。
也就是說，確認到可以顯示從佈線123供應的低解析度用影像資料“Vs”。
圖14A至圖14D是驗證低解析度的顯示(有校正)的類比結果。圖14A及圖14B是用於驗證的時序圖。首先，對佈線123供應所希望的校正資料“Vp”，在圖14A中的時刻T1至T2，寫入校正資料“Vp”(p[n])。此外，在時刻T3至T4寫入校正資料“Vp”(p[n+1])。此時，因為使佈線128處於電位“Vref”(+1V)，所以電容器104所保持的差異電位為“Vp-1”。
然後，在圖14B中的時刻T1至T2，藉由使電晶體101導通，從佈線123寫入影像資料“Vs”，並對影像資料附加校正資料。此時，佈線128為陽極電位。
圖14C是每個校正資料中的流過EL元件114的電流(ILED)相對於影像資料“Vs”的類比結果。確認到在作為校正資料“Vp”寫入1V至8V並將其與影像資料“Vs”結合的任何情況下都可以進行灰階顯示。
此外，圖14D是每個校正資料“Vp”中的節點NM的電位“VNM”相對於影像資料“Vs”的變化的類比結果。確認到在作為校正資料“Vp”寫入1V至8V並將其與影像資料“Vs”結合的任何情況下都節點NM的電位“VNM”趨於 與影像資料“Vs”成正比。
也就是說，確認到可以結合從佈線123供應的校正資料“Vp”和低解析度用影像資料“Vs”來進行有效的顯示。
圖15是將本發明的一個實施方式的像素應用於能夠進行彩色顯示的EL顯示裝置的情況的一個例子。一般地說，能夠進行彩色顯示的顯示裝置的像素具有發射R(紅色)、G(綠色)、B(藍色)的各顏色的子像素的組合。在圖15中，在水平方向上排列的子像素10R、子像素10G、子像素10B的各顏色的三個子像素構成一個像素，並且表示水平垂直方向上的四個像素。另外，在圖15中，由一個區塊表示電晶體102a及電晶體102b。
如上所述，在本發明的一個實施方式中，可以藉由電晶體101對配置為矩陣狀的四個像素(在此，相當於發射相同顏色的四個子像素)輸入校正資料“Vp1”或影像資料“VsL”。此外，可以藉由電晶體102a、102b對在水平方向上配置的兩個像素(在此，相當於發射相同顏色的兩個子像素)供應電位“Vref”。
雖然在條紋排列中，每個子像素較佳為以相同間隔配置，但是在各子像素共同使用佈線及電晶體的情況下，有時難以將各子像素的間隔(具有同一功能的組件的間隔)為恆定。
因此，在將與子像素10R、子像素10G、子像素10B連接的像素電極分別為電極26R、26G、26B時，如圖15所示，較佳為採用以相同間隔配 置電極26R、26G、26B的結構。注意，雖然像素電極也可以說是各子像素的組件，但是在此為了明確起見，將它們表示為彼此不同的組件。該結構對頂面發射型EL顯示裝置或反射型液晶顯示裝置有效。
本實施方式可以與其他實施方式等中記載的結構適當地組合而實施。
實施方式2
本實施方式對使用液晶元件的顯示裝置的結構例及使用EL元件的顯示裝置的結構例進行說明。注意，在本實施方式中省略實施方式1已說明的顯示裝置的組件、工作及功能。
圖16A至圖16C示出能夠使用本發明的一個實施方式的顯示裝置的結構。
在圖16A中，以圍繞設置在第一基板4001上的顯示部215的方式設置密封劑4005，顯示部215被密封劑4005及第二基板4006密封。
顯示部215設置有實施方式1的圖7所示的像素陣列。注意，在下面說明的掃描線驅動電路相當於行驅動器，而信號線驅動電路相當於列驅動器。
在圖16A中，掃描線驅動電路221a、信號線驅動電路231a、信號線驅動電路232a及共通線驅動電路241a都包括設置在印刷電路板4041上的多 個積體電路4042。積體電路4042由單晶半導體或多晶半導體形成。信號線驅動電路231a及信號線驅動電路232a具有實施方式1所示的列驅動器的功能。掃描線驅動電路221a具有實施方式1所示的行驅動器的功能。共通線驅動電路241a具有對實施方式1所示的供應電源的佈線及供應Vref的佈線供應規定電位的功能。
藉由FPC(Flexible printed circuit：軟性印刷電路板)4018向掃描線驅動電路221a、共通線驅動電路241a、信號線驅動電路231a及信號線驅動電路232a供應各種信號及電位。
包括於掃描線驅動電路221a及共通線驅動電路241a中的積體電路4042具有對顯示部215供應選擇信號的功能。包括於信號線驅動電路231a及信號線驅動電路232a中的積體電路4042具有對顯示部215供應影像資料的功能。積體電路4042被安裝在與由第一基板4001上的密封劑4005圍繞的區域不同的區域中。
注意，對積體電路4042的連接方法沒有特別的限制，可以使用打線接合法、COG(Chip On Glass)法、TCP(Tape Carrier Package)法以及COF(Chip On Film)法等。
圖16B示出利用COG法安裝包含於信號線驅動電路231a及信號線驅動電路232a中的積體電路4042的例子。另外，藉由將驅動電路的一部分或整體形成在形成有顯示部215的基板上，可以形成系統整合型面板(system-on-panel)。
圖16B示出將掃描線驅動電路221a及共通線驅動電路241a形成在形成有顯示部215的基板上的例子。藉由同時形成驅動電路與顯示部215內的像素電路，可以減少構件數。由此，可以提高生產率。
另外，在圖16B中，以圍繞設置在第一基板4001上的顯示部215、掃描線驅動電路221a以及共通線驅動電路241a的方式設置密封劑4005。顯示部215、掃描線驅動電路221a及共通線驅動電路241a上設置有第二基板4006。由此，顯示部215、掃描線驅動電路221a及共通線驅動電路241a藉由第一基板4001、密封劑4005及第二基板4006與顯示元件密封在一起。
雖然圖16B中示出另行形成信號線驅動電路231a及信號線驅動電路232a並將其安裝至第一基板4001的例子，但是本發明的一個實施方式不侷限於該結構，也可以另行形成掃描線驅動電路並進行安裝，或者另行形成信號線驅動電路的一部分或掃描線驅動電路的一部分並進行安裝。另外，如圖16C所示也可以將信號線驅動電路231a及信號線驅動電路232a形成在形成有顯示部215的基板上。
此外，顯示裝置有時包括顯示元件為密封狀態的面板和在該面板中安裝有包括控制器的IC等的模組。
設置於第一基板上的顯示部及掃描線驅動電路包括多個電晶體。作為該電晶體，可以適用上述實施方式所示的電晶體。
週邊驅動電路所包括的電晶體及顯示部的像素電路所包括的電晶體的結構既可以具有相同的結構又可以具有不同的結構。週邊驅動電路所包括的電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。同樣地，像素電路所包括的電晶體既可以都具有相同的結構，又可以組合兩種以上的結構。
另外，可以在第二基板4006上設置輸入裝置4200。圖16A至圖16C所示的對顯示裝置設置輸入裝置4200的結構能夠用作觸控面板。
對本發明的一個實施方式的觸控面板所包括的感測元件(也稱為感測元件)沒有特別的限制。還可以將能夠檢測出手指、觸控筆等檢測對象的接近或接觸的各種感測器用作感測元件。
例如，作為感測器的方式，可以利用靜電電容式、電阻膜式、表面聲波式、紅外線式、光學式、壓敏式等各種方式。
在本實施方式中，以包括靜電電容式的感測元件的觸控面板為例進行說明。
作為靜電電容式，有表面型靜電電容式、投影型靜電電容式等。另外，作為投影型靜電電容式，有自電容式、互電容式等。較佳為使用互電容式，因為可以同時進行多點感測。
本發明的一個實施方式的觸控面板可以採用貼合了分別製造的顯示裝 置和感測元件的結構、在支撐顯示元件的基板和相對基板中的一者或兩者設置有構成感測元件的電極等的結構等各種各樣的結構。
圖17A和圖17B示出觸控面板的一個例子。圖17A是觸控面板4210的透視圖。圖17B是輸入裝置4200的透視示意圖。注意，為了明確起見，只示出典型的組件。
觸控面板4210具有貼合了分別製造的顯示裝置與感測元件的結構。
觸控面板4210包括重疊設置的輸入裝置4200和顯示裝置。
輸入裝置4200包括基板4263、電極4227、電極4228、多個佈線4237、多個佈線4238及多個佈線4239。例如，電極4227可以與佈線4237或佈線4239電連接。另外，電極4228可以與佈線4239電連接。FPC4272b可以與多個佈線4237及多個佈線4238分別電連接。FPC4272b可以設置有IC4273b。
顯示裝置的第一基板4001與第二基板4006之間可以設置觸控感測器。當在第一基板4001與第二基板4006之間設置觸控感測器時，除了靜電電容式觸控感測器之外還可以使用利用光電轉換元件的光學式觸控感測器。
圖18A及圖18B是沿著圖16B中的點劃線N1-N2的剖面圖。圖18A及圖18B所示的顯示裝置包括電極4015，該電極4015與FPC4018的端子藉由各向異性導電層4019電連接。另外，在圖18A及圖18B中，電極4015在形成於絕緣層4112、絕緣層4111及絕緣層4110的開口中與佈線4014電 連接。
電極4015與第一電極層4030使用同一導電層形成，佈線4014與電晶體4010及電晶體4011的源極電極及汲極電極使用同一導電層形成。
另外，設置在第一基板4001上的顯示部215和掃描線驅動電路221a包括多個電晶體。在圖18A及圖18B中，示出顯示部215中的電晶體4010及掃描線驅動電路221a中的電晶體4011。雖然圖18A及圖18B中作為電晶體4010及電晶體4011示出底閘極型電晶體，但是也可以使用頂閘極型電晶體。
在圖18A及圖18B中，在電晶體4010及電晶體4011上設置有絕緣層4112。另外，在圖18B中，絕緣層4112上形成有分隔壁4510。
另外，電晶體4010及電晶體4011設置在絕緣層4102上。另外，電晶體4010及電晶體4011包括形成在絕緣層4111上的電極4017。電極4017可以用作背閘極電極。
另外，圖18A及圖18B所示的顯示裝置包括電容器4020。電容器4020包括與電晶體4010的閘極電極以同一製程形成的電極4021以及與源極電極及汲極電極以同一製程形成的電極。每個電極隔著絕緣層4103彼此重疊。
一般而言，考慮在像素部中配置的電晶體的洩漏電流等設定在顯示裝置的像素部中設置的電容器的容量以使其能夠在指定期間保持電荷。電容 器的容量考慮電晶體的關態電流等設定即可。
設置在顯示部215中的電晶體4010與顯示元件電連接。圖18A是作為顯示元件使用液晶元件的液晶顯示裝置的一個例子。在圖18A中，作為顯示元件的液晶元件4013包括第一電極層4030、第二電極層4031以及液晶層4008。注意，以夾持液晶層4008的方式設置有被用作配向膜的絕緣層4032及絕緣層4033。第二電極層4031設置在第二基板4006一側，第一電極層4030與第二電極層4031隔著液晶層4008重疊。
間隔物4035是藉由對絕緣層選擇性地進行蝕刻而得到的柱狀間隔物，並且它是為控制第一電極層4030和第二電極層4031之間的間隔(單元間隙)而設置的。注意，還可以使用球狀間隔物。
此外，根據需要，可以適當地設置黑矩陣(遮光層)、彩色層(濾色片)、偏振構件、相位差構件、抗反射構件等的光學構件(光學基板)等。例如，也可以使用利用偏振基板以及相位差基板的圓偏振。此外，作為光源，也可以使用背光或側光等。作為上述背光或側光，也可以使用Micro-LED等。
在圖18A所示的顯示裝置中，在第二基板4006和第二電極層4031之間設置有遮光層4132、彩色層4131及絕緣層4133。
作為能夠用於遮光層的材料，可以舉出碳黑、鈦黑、金屬、金屬氧化物或包含多個金屬氧化物的固溶體的複合氧化物等。遮光層也可以為包含樹脂材料的膜或包含金屬等無機材料的薄膜。另外，也可以對遮光層使用 包含彩色層的材料的膜的疊層膜。例如，可以採用包含用於使某個顏色的光透過的彩色層的材料的膜與包含用於使其他顏色的光透過的彩色層的材料的膜的疊層結構。藉由使彩色層與遮光層的材料相同，除了可以使用相同的設備以外，還可以實現製程簡化，因此是較佳的。
作為能夠用於彩色層的材料，可以舉出金屬材料、樹脂材料、包含顏料或染料的樹脂材料等。遮光層及彩色層例如可以利用噴墨法等形成。
另外，圖18A及圖18B所示的顯示裝置包括絕緣層4111及絕緣層4104。作為絕緣層4111及絕緣層4104，使用不易使雜質元素透過的絕緣層。藉由由絕緣層4111和絕緣層4104夾持電晶體的半導體層，可以防止來自外部的雜質的混入。
此外，作為顯示裝置所包括的顯示元件，可以應用利用電致發光的發光元件(也稱為EL元件)。EL元件在一對電極之間具有包含發光化合物的層(也稱為EL層)。當使一對電極之間產生高於EL元件的臨界電壓的電位差時，電洞從陽極一側注入到EL層中，而電子從陰極一側注入到EL層中。被注入的電子和電洞在EL層中再結合，由此，包含在EL層中的發光化合物發光。
EL元件根據發光材料是有機化合物還是無機化合物被區別，通常前者被稱為有機EL元件，而後者被稱為無機EL元件。
在有機EL元件中，藉由施加電壓，電子從一個電極注入到EL層中， 而電洞從另一個電極注入到EL層中。藉由這些載子(電子及電洞)再結合，發光有機化合物形成激發態，當從該激發態回到基態時發光。由於這種機制，這種發光元件被稱為電流激發型發光元件。
EL層除了發光化合物以外也可以還包括電洞注入性高的物質、電洞傳輸性高的物質、電洞阻擋材料、電子傳輸性高的物質、電子注入性高的物質或雙極性的物質(電子傳輸性及電洞傳輸性高的物質)等。
EL層可以藉由蒸鍍法(包括真空蒸鍍法)、轉印法、印刷法、噴墨法、塗佈法等的方法形成。
無機EL元件根據其元件結構而分類為分散型無機EL元件和薄膜型無機EL元件。分散型無機EL元件包括發光層，其中發光材料的粒子分散在黏合劑中，並且其發光機制是利用施體能階和受體能階的施體-受體再結合型發光。薄膜型無機EL元件是其中發光層夾在電介質層之間，並且該夾著發光層的電介質層夾在電極之間的結構，其發光機制是利用金屬離子的內殼層電子躍遷的局部型發光。注意，這裡作為發光元件使用有機EL元件進行說明。
為了取出發光，使發光元件的一對電極中的至少一個為透明。在基板上形成有電晶體及發光元件。作為發光元件可以採用從與該基板相反一側的表面取出發光的頂部發射結構；從基板一側的表面取出發光的底部發射結構；以及從兩個表面取出發光的雙面發射結構。
圖18B是作為顯示元件使用發光元件的發光顯示裝置(也稱為“EL顯示裝置”)的一個例子。被用作顯示元件的發光元件4513與設置在顯示部215中的電晶體4010電連接。雖然發光元件4513具有第一電極層4030、發光層4511及第二電極層4031的疊層結構，但是不侷限於該結構。根據從發光元件4513取出光的方向等，可以適當地改變發光元件4513的結構。
分隔壁4510使用有機絕緣材料或無機絕緣材料形成。尤其較佳為使用感光樹脂材料，在第一電極層4030上形成開口部，並且將該開口部的側面形成為具有連續曲率的傾斜面。
發光層4511可以使用一個層構成，也可以使用多個層的疊層構成。
發光元件4513的發光顏色可以根據構成發光層4511的材料為白色、紅色、綠色、藍色、青色、洋紅色或黃色等。
作為實現彩色顯示的方法，有如下方法：組合發光顏色為白色的發光元件4513和彩色層的方法；以及在每個像素設置發光顏色不同的發光元件4513的方法。前者的方法的生產率比後者的方法高。另一方面，在後者的方法中，需要根據每個像素形成發光層4511，所以其生產率比前者的方法低。但是，在後者的方法中，可以得到其色純度比前者的方法高的發光顏色。藉由在後者的方法中使發光元件4513具有微腔結構，可以進一步提高色純度。
發光層4511也可以包含量子點等無機化合物。例如，藉由將量子點用 於發光層，也可以將其用作發光材料。
為了防止氧、氫、水分、二氧化碳等侵入發光元件4513，也可以在第二電極層4031及分隔壁4510上形成保護層。作為保護層，可以形成氮化矽、氮氧化矽、氧化鋁、氮化鋁、氧氮化鋁、氮氧化鋁、DLC(Diamond Like Carbon)等。此外，在由第一基板4001、第二基板4006以及密封劑4005密封的空間中設置有填充劑4514並被密封。如此，為了不暴露於外部氣體，較佳為使用氣密性高且脫氣少的保護薄膜(黏合薄膜、紫外線硬化性樹脂薄膜等)、覆蓋材料進行封裝(封入)。
作為填充劑4514，除了氮或氬等惰性氣體以外，也可以使用紫外線硬化性樹脂或熱固性樹脂，例如可以使用PVC(聚氯乙烯)、丙烯酸類樹脂、聚醯亞胺、環氧類樹脂、矽酮類樹脂、PVB(聚乙烯醇縮丁醛)或EVA(乙烯-醋酸乙烯酯)等。填充劑4514也可以包含乾燥劑。
作為密封劑4005，可以使用玻璃粉等玻璃材料或者兩液混合型樹脂等在常溫下固化的固化樹脂、光硬化性樹脂、熱固性樹脂等樹脂材料。密封劑4005也可以包含乾燥劑。
另外，根據需要，也可以在發光元件的光射出面上適當地設置諸如偏光板或者圓偏光板(包括橢圓偏光板)、相位差板(λ/4板、λ/2板)、濾色片等的光學薄膜。此外，也可以在偏光板或者圓偏光板上設置抗反射膜。例如，可以進行抗眩光處理，該處理是藉由利用表面的凹凸擴散反射光來降低反射眩光的處理。
藉由使發光元件具有微腔結構，能夠提取色純度高的光。另外，藉由組合微腔結構和濾色片，可以防止反射眩光，而可以提高影像的可見度。
關於對顯示元件施加電壓的第一電極層及第二電極層(也稱為像素電極層、共用電極層、相對電極層等)，根據取出光的方向、設置電極層的地方以及電極層的圖案結構而選擇其透光性、反射性，即可。
作為第一電極層4030及第二電極層4031，可以使用包含氧化鎢的氧化銦、包含氧化鎢的銦鋅氧化物、包含氧化鈦的氧化銦、銦錫氧化物、包含氧化鈦的銦錫氧化物、銦鋅氧化物、添加有氧化矽的銦錫氧化物等具有透光性的導電材料。
此外，第一電極層4030及第二電極層4031可以使用鎢(W)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦(Ti)、鉑(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等金屬、或者、其合金或其氮化物中的一種以上形成。
此外，第一電極層4030及第二電極層4031可以使用包含導電高分子(也稱為導電聚合體)的導電組成物形成。作為導電高分子，可以使用所謂的π電子共軛導電高分子。例如，可以舉出聚苯胺或其衍生物、聚吡咯或其衍生物、聚噻吩或其衍生物、或者由苯胺、吡咯及噻吩中的兩種以上構成的共聚物或其衍生物等。
此外，由於電晶體容易因靜電等而損壞，所以較佳為設置用來保護驅動電路的保護電路。保護電路較佳為使用非線性元件構成。
本實施方式可以與其他實施方式等所記載的結構適當地組合而實施。
實施方式3
在本實施方式中，參照圖式說明可以代替上述實施方式所示的各電晶體而使用的電晶體的一個例子。
本發明的一個實施方式的顯示裝置可以使用底閘極型電晶體或頂閘極型電晶體等各種形態的電晶體來製造。因此，可以很容易地對應於習知的生產線更換所使用的半導體層材料或電晶體結構。
[底閘極型電晶體]
圖19A1示出底閘極型電晶體之一的通道保護型電晶體810的通道長度方向的剖面圖。在圖19A1中，電晶體810形成在基板771上。另外，電晶體810在基板771上隔著絕緣層772包括電極746。另外，在電極746上隔著絕緣層726包括半導體層742。電極746可以被用作閘極電極。絕緣層726可以被用作閘極絕緣層。
另外，在半導體層742的通道形成區域上包括絕緣層741。此外，在絕緣層726上以與半導體層742的一部分接觸的方式包括電極744a及電極744b。電極744a可以被用作源極電極和汲極電極中的一個。電極744b可 以被用作源極電極和汲極電極中的另一個。電極744a的一部分及電極744b的一部分形成在絕緣層741上。
絕緣層741可以被用作通道保護層。藉由在通道形成區域上設置絕緣層741，可以防止在形成電極744a及電極744b時半導體層742露出。由此，可以防止在形成電極744a及電極744b時半導體層742的通道形成區域被蝕刻。根據本發明的一個實施方式，可以實現電特性良好的電晶體。
另外，電晶體810在電極744a、電極744b及絕緣層741上包括絕緣層728，在絕緣層728上包括絕緣層729。
當將氧化物半導體用於半導體層742時，較佳為將能夠從半導體層742的一部分中奪取氧而產生氧缺陷的材料用於電極744a及電極744b的至少與半導體層742接觸的部分。半導體層742中的產生氧缺陷的區域的載子濃度增加，該區域n型化而成為n型區域(n+層)。因此，該區域能夠被用作源極區域或汲極區域。當將氧化物半導體用於半導體層742時，作為能夠從半導體層742中奪取氧而產生氧缺陷的材料的一個例子，可以舉出鎢、鈦等。
藉由在半導體層742中形成源極區域及汲極區域，可以降低電極744a及電極744b與半導體層742的接觸電阻。因此，可以使場效移動率及臨界電壓等電晶體的電特性良好。
當將矽等半導體用於半導體層742時，較佳為在半導體層742與電極 744a之間及半導體層742與電極744b之間設置被用作n型半導體或p型半導體的層。用作n型半導體或p型半導體的層可以被用作電晶體的源極區域或汲極區域。
絕緣層729較佳為使用具有防止雜質從外部擴散到電晶體中或者降低雜質的擴散的功能的材料形成。此外，根據需要也可以省略絕緣層729。
圖19A2所示的電晶體811的與電晶體810不同之處在於：在絕緣層729上包括可用作背閘極電極的電極723。電極723可以使用與電極746同樣的材料及方法形成。
一般而言，背閘極電極使用導電層來形成，並以半導體層的通道形成區域被閘極電極與背閘極電極夾持的方式設置。因此，背閘極電極可以具有與閘極電極同樣的功能。背閘極電極的電位可以與閘極電極相等，也可以為接地電位(GND電位)或任意電位。另外，藉由不跟閘極電極聯動而獨立地改變背閘極電極的電位，可以改變電晶體的臨界電壓。
電極746及電極723都可以被用作閘極電極。因此，絕緣層726、絕緣層728及絕緣層729都可以被用作閘極絕緣層。另外，也可以將電極723設置在絕緣層728與絕緣層729之間。
注意，當將電極746和電極723中的一個稱為“閘極電極”時，將另一個稱為“背閘極電極”。例如，在電晶體811中，當將電極723稱為“閘極電極”時，將電極746稱為“背閘極電極”。另外，當將電極723用作“閘極電極” 時，電晶體811是頂閘極型電晶體之一種。此外，有時將電極746和電極723中的一個稱為“第一閘極電極”，有時將另一個稱為“第二閘極電極”。
藉由隔著半導體層742設置電極746及電極723並將電極746及電極723的電位設定為相同，半導體層742中的載子流過的區域在膜厚度方向上更加擴大，所以載子的移動量增加。其結果是，電晶體811的通態電流增大，並且場效移動率也增高。
因此，電晶體811是相對於佔有面積具有較大的通態電流的電晶體。也就是說，可以相對於所要求的通態電流縮小電晶體811的佔有面積。根據本發明的一個實施方式，可以縮小電晶體的佔有面積。因此，根據本發明的一個實施方式，可以實現積體度高的半導體裝置。
另外，由於閘極電極及背閘極電極使用導電層形成，因此具有防止在電晶體的外部產生的電場影響到形成通道的半導體層的功能(尤其是對靜電等的電場遮蔽功能)。另外，當將背閘極電極形成得比半導體層大以使用背閘極電極覆蓋半導體層時，能夠提高電場遮蔽功能。
另外，藉由使用具有遮光性的導電膜形成背閘極電極，能夠防止光從背閘極電極一側入射到半導體層。由此，能夠防止半導體層的光劣化，並防止電晶體的臨界電壓漂移等電特性劣化。
根據本發明的一個實施方式，可以實現可靠性良好的電晶體。另外，可以實現可靠性良好的半導體裝置。
圖19B1示出與圖19A1不同的結構的通道保護型電晶體820的通道長度方向的剖面圖。電晶體820具有與電晶體810大致相同的結構，而不同之處在於：絕緣層741覆蓋半導體層742的端部。在選擇性地去除絕緣層741的重疊於半導體層742的部分而形成的開口部中，半導體層742與電極744a電連接。另外，在選擇性地去除絕緣層741的重疊於半導體層742的部分而形成的其他開口部中，半導體層742與電極744b電連接。絕緣層741的與通道形成區域重疊的區域可以被用作通道保護層。
圖19B2所示的電晶體821與電晶體820的不同之處在於：在絕緣層729上包括可以被用作背閘極電極的電極723。
藉由設置絕緣層741，可以防止在形成電極744a及電極744b時產生的半導體層742的露出。因此，可以防止在形成電極744a及電極744b時半導體層742被薄膜化。
另外，與電晶體810及電晶體811相比，電晶體820及電晶體821的電極744a與電極746之間的距離及電極744b與電極746之間的距離更長。因此，可以減少產生在電極744a與電極746之間的寄生電容。此外，可以減少產生在電極744b與電極746之間的寄生電容。根據本發明的一個實施方式，可以提供一種電特性良好的電晶體。
圖19C1示出作為底閘極型電晶體之一的通道蝕刻型電晶體825的通道長度方向的剖面圖。在電晶體825中，不使用絕緣層741形成電極744a及 電極744b。因此，在形成電極744a及電極744b時露出的半導體層742的一部分有時被蝕刻。另一方面，由於不設置絕緣層741，可以提高電晶體的生產率。
圖19C2所示的電晶體826的與電晶體825的不同之處在於：在絕緣層729上具有可以用作背閘極電極的電極723。
圖20A1、圖20A2、圖20B1、圖20B2、圖20C1及圖20C2示出電晶體810、811、820、821、825、826的通道寬度方向的剖面圖。
在圖20B2和圖20C2所示的結構中，閘極電極和背閘極電極彼此連接，由此閘極電極和背閘極電極的電位相同。此外，半導體層742被夾在閘極電極和背閘極電極之間。
在通道寬度方向上，閘極電極和背閘極電極的長度比半導體層742大，並且半導體層742整體夾著絕緣層726、741、728、729被閘極電極或背閘極電極覆蓋。
藉由採用該結構，可以由閘極電極及背閘極電極的電場電圍繞包括在電晶體中的半導體層742。
可以將如電晶體821或電晶體826那樣的利用閘極電極及背閘極電極的電場電圍繞形成通道形成區域的半導體層742的電晶體的裝置結構稱為Surrounded channel(S-channel：圍繞通道)結構。
藉由採用S-channel結構，可以利用閘極電極和背閘極電極中的一個或兩個對半導體層742有效地施加用來引起通道形成的電場。由此，電晶體的電流驅動能力得到提高，從而可以得到較高的通態電流特性。此外，由於可以增加通態電流，所以可以使電晶體微型化。此外，藉由採用S-channel結構，可以提高電晶體的機械強度。
[頂閘極型電晶體]
圖21A1所例示的電晶體842是頂閘極型電晶體之一。電極744a及電極744b在形成於絕緣層728及絕緣層729中的開口與半導體層742電連接。
另外，去除不與電極746重疊的絕緣層726的一部分，以電極746及剩餘的絕緣層726為遮罩將雜質755引入到半導體層742，由此可以在半導體層742中以自對準(self-alignment)的方式形成雜質區域。電晶體842包括絕緣層726超過電極746的端部延伸的區域。半導體層742的藉由絕緣層726被引入雜質755的區域的雜質濃度低於不藉由絕緣層726被引入雜質755的區域。因此，在半導體層742的不與電極746重疊的區域中形成LDD(Lightly Doped Drain：輕摻雜汲極)區域。
圖21A2所示的電晶體843的與電晶體842不同之處在於：包括電極723。電晶體843包括形成在基板771上的電極723。電極723隔著絕緣層772與半導體層742重疊的區域。電極723可以被用作背閘極電極。
另外，如圖21B1所示的電晶體844及圖21B2所示的電晶體845那樣， 也可以完全去除不與電極746重疊的區域的絕緣層726。另外，如圖21C1所示的電晶體846及圖21C2所示的電晶體847那樣，也可以不去除絕緣層726。
在電晶體842至電晶體847中，也可以在形成電極746之後以電極746為遮罩而將雜質755引入到半導體層742，由此在半導體層742中自對準地形成雜質區域。根據本發明的一個實施方式，可以實現電特性良好的電晶體。另外，根據本發明的一個實施方式，可以實現積體度高的半導體裝置。
圖22A1、圖22A2、圖22B1、圖22B2、圖22C1及圖22C2示出電晶體842、843、844、845、846、847的通道寬度方向的剖面圖。
電晶體843、電晶體845及電晶體847具有上述S-channel結構。但是，不侷限於此，電晶體843、電晶體845及電晶體847也可以不具有S-channel結構。
本實施方式可以與其他實施方式等中記載的結構適當地組合而實施。
實施方式4
作為能夠使用本發明的一個實施方式的顯示裝置的電子裝置，可以舉出顯示裝置、個人電腦、具備儲存媒體的影像記憶體裝置及影像再現裝置、行動電話、包括可攜式遊戲機的遊戲機、可攜式資料終端、電子書閱讀器、拍攝裝置諸如視頻攝影機或數位相機等、護目鏡型顯示器(頭戴式顯示器)、 導航系統、音頻再生裝置(汽車音響系統、數位聲訊播放機等)、影印機、傳真機、印表機、多功能印表機、自動櫃員機(ATM)以及自動販賣機等。圖23A至圖23F示出這些電子裝置的具體例子。
圖23A是數位相機，該數位相機包括外殼961、快門按鈕962、麥克風963、揚聲器967、顯示部965、操作鍵966、變焦鈕968、透鏡969等。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部965，可以進行各種影像的顯示。
圖23B是數位看板，該數位看板包括大型顯示部922。例如，可以設置在柱子921的側面。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部922，可以顯示各種影像。
圖23C是行動電話機，該行動電話機包括外殼951、顯示部952、操作按鈕953、外部連接埠954、揚聲器955、麥克風956、照相機957等。該行動電話機在顯示部952中包括觸控感測器。藉由用手指或觸控筆等觸摸顯示部952可以進行打電話或輸入文字等所有操作。另外，外殼951及顯示部952具有撓性而可以如圖示那樣彎折地使用。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部952，可以進行各種影像的顯示。
圖23D是可攜式資料終端，該可攜式資料終端包括外殼911、顯示部912、揚聲器913、照相機919等。藉由利用顯示部912的觸控面板功能可以輸入或輸出資料。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部912，可以進行各種影像的顯示。
圖23E是電視機，該電視機包括外殼971、顯示部973、操作鍵974、揚聲器975、通訊用連接端子976及光感測器977等。顯示部973設置有觸控感測器，可以進行輸入操作。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部973，可以進行各種影像的顯示。
圖23F是資訊處理終端，該資訊處理終端包括外殼901、顯示部902、顯示部903及感測器904等。顯示部902及顯示部903由一個顯示面板構成且具有撓性。此外，外殼901也具有撓性，由此如圖式所示那樣可以將該資訊處理終端折疊而使用，並且可以使該資訊處理終端成為如平板終端那樣的平板狀而使用。感測器904可以檢測外殼901的形狀，例如，當外殼被彎曲時，可以切換顯示部902及顯示部903的顯示。藉由將本發明的一個實施方式的顯示裝置用於顯示部902及顯示部903，可以進行各種影像的顯示。
本實施方式可以與其他實施方式等中記載的結構適當地組合而實施。

Claims (8)

  1. 一種顯示裝置，包括：第一電晶體；第二電晶體；第三電晶體；第一電容器；電路區塊；第一佈線；以及第二佈線，其中，該第一電晶體的源極和汲極中的一個與該第二電晶體的源極和汲極中的一個電連接，該第二電晶體的該源極和該汲極中的該一個與該第一電容器的一個電極電連接，該第一電容器的另一個電極與該第三電晶體的源極和汲極中的一個電連接，該第三電晶體的該源極和該汲極中的該一個與該電路區塊電連接，該第一電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第一佈線電連接，該第三電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第一佈線電連接，該第二電晶體的閘極與該第二佈線電連接，該第三電晶體的閘極與該第二佈線電連接，並且，該電路區塊包括顯示元件。
  2. 一種顯示裝置，包括：第一電晶體；第二電晶體； 第一電路；第二電路；第一佈線；以及第二佈線，其中，該第一電路和該第二電路都包括第三電晶體、第一電容器以及電路區塊，該第三電晶體的源極和汲極中的一個與該第一電容器的一個電極電連接，該第一電容器的該一個電極與該電路區塊電連接，該第一電容器的另一個電極與該第一電晶體的源極和汲極中的一個電連接，該第一電晶體的該源極和該汲極中的該一個與該第二電晶體的源極和汲極中的一個電連接，該第一電路中的該第三電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第一佈線電連接，該第一電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第一佈線電連接，該第一電路中的該第三電晶體的閘極與該第二佈線電連接，該第二電路中的該第三電晶體的閘極與該第二佈線電連接，該第二電晶體的閘極與該第二佈線電連接，並且，該電路區塊包括顯示元件。
  3. 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該電路區塊包括第四電晶體、第五電晶體、第二電容器以及作為該顯示元件的有機EL元件，該有機EL元件的一個電極與該第五電晶體的源極和汲極中的一個電 連接，該第五電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第二電容器的一個電極電連接，該第二電容器的該一個電極與該第四電晶體的源極和汲極中的一個電連接，該第四電晶體的閘極與該第二電容器的另一個電極電連接，並且該第二電容器的該另一個電極與該第一電容器的該一個電極電連接。
  4. 根據申請專利範圍第3項之顯示裝置，其中該第四電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第二電晶體的該源極和該汲極中的另一個電連接。
  5. 根據申請專利範圍第1或2項之顯示裝置，其中該電路區塊包括第六電晶體、第三電容器以及作為該顯示元件的液晶元件，該液晶元件的一個電極與該第三電容器的一個電極電連接，該第三電容器的該一個電極與該第六電晶體的源極和汲極中的一個電連接，並且該第六電晶體的該源極和該汲極中的另一個與該第一電容器的該一個電極電連接。
  6. 根據申請專利範圍第5項之顯示裝置，其中該第三電容器的另一個電極與該第二電晶體的該源極和該汲極中的另一個電連接。
  7. 根據申請專利範圍第1至6中任一項之顯示裝置，其中該第三電晶體在通道形成區域中包括金屬氧化物，且該金屬氧化物包括In、Zn、及M，M選自Al、Ti、Ga、Sn、Y、Zr、La、Ce、Nd、及Hf中。
  8. 一種包括根據申請專利範圍第1至7中任一項之顯示裝置及照相機的電子 裝置。
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Families Citing this family (10)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
DE112018005219T5 (de) 2017-11-02 2020-06-18 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Anzeigevorrichtung und elektronisches Gerät
CN112119448A (zh) * 2018-05-18 2020-12-22 株式会社半导体能源研究所 显示装置以及显示装置的驱动方法
CN112703002A (zh) * 2018-05-30 2021-04-23 Ptc医疗Mp公司 增加墨蝶呤血浆暴露的方法
CN112219233A (zh) 2018-06-06 2021-01-12 株式会社半导体能源研究所 显示装置、显示模块及电子设备
US10770482B2 (en) 2018-06-06 2020-09-08 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Display device and electronic device
JP7289850B2 (ja) 2018-11-02 2023-06-12 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、電子機器
US11996133B2 (en) 2019-06-21 2024-05-28 Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. Memory circuit using oxide semiconductor
WO2021085679A1 (ko) * 2019-10-31 2021-05-06 엘지전자 주식회사 신호 처리 장치 및 이를 구비하는 영상표시장치
CN112116899A (zh) * 2020-10-12 2020-12-22 北京集创北方科技股份有限公司 驱动装置及电子设备
KR20230050546A (ko) * 2021-10-07 2023-04-17 삼성디스플레이 주식회사 표시 장치 및 이의 구동 방법

Family Cites Families (19)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US5903248A (en) 1997-04-11 1999-05-11 Spatialight, Inc. Active matrix display having pixel driving circuits with integrated charge pumps
KR100696266B1 (ko) 2000-08-11 2007-03-19 엘지.필립스 엘시디 주식회사 아날로그 버퍼 및 그의 구동방법
JP4197287B2 (ja) * 2003-03-28 2008-12-17 シャープ株式会社 表示装置
KR20060064614A (ko) 2003-08-08 2006-06-13 코닌클리케 필립스 일렉트로닉스 엔.브이. 전자발광 디스플레이 디바이스
GB0318613D0 (en) 2003-08-08 2003-09-10 Koninkl Philips Electronics Nv Electroluminescent display devices
US8421716B2 (en) 2006-08-30 2013-04-16 Sharp Kabushiki Kaisha Display device
WO2009011092A1 (ja) 2007-07-19 2009-01-22 Panasonic Corporation 画像表示装置
JP2011095720A (ja) * 2009-09-30 2011-05-12 Casio Computer Co Ltd 発光装置及びその駆動制御方法、並びに電子機器
EP2494597A4 (en) 2009-10-30 2015-03-18 Semiconductor Energy Lab SEMICONDUCTOR COMPONENT
WO2011070903A1 (ja) 2009-12-10 2011-06-16 シャープ株式会社 画素回路及び表示装置
TWI444981B (zh) 2010-06-24 2014-07-11 Japan Display West Inc 顯示器件，驅動顯示器件之方法及電子裝置
JP5495974B2 (ja) 2010-06-24 2014-05-21 株式会社ジャパンディスプレイ 液晶表示装置、液晶表示装置の駆動方法、及び、電子機器
KR101239231B1 (ko) * 2011-07-22 2013-03-11 한국과학기술연구원 금속을 포함하는 패시배이션 층을 갖는 박막 트랜지스터 및 그 제조 방법
KR101893167B1 (ko) * 2012-03-23 2018-10-05 삼성디스플레이 주식회사 화소 회로, 이의 구동 방법 및 유기 발광 표시 장치
JP6228753B2 (ja) 2012-06-01 2017-11-08 株式会社半導体エネルギー研究所 半導体装置、表示装置、表示モジュール、及び電子機器
US9443471B2 (en) 2012-07-31 2016-09-13 Sharp Kabushiki Kaisha Display device and driving method thereof
CN104064149B (zh) * 2014-07-07 2016-07-06 深圳市华星光电技术有限公司 像素电路、具备该像素电路的显示面板和显示器
KR102417120B1 (ko) 2015-01-21 2022-07-06 삼성디스플레이 주식회사 유기발광표시장치
CN104732929A (zh) 2015-04-16 2015-06-24 京东方科技集团股份有限公司 一种像素电路及其驱动方法、显示装置

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