TW201925888A - 有機發光顯示裝置 - Google Patents
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Abstract
一種具有複數個像素的有機發光顯示裝置，包括：一平坦化層，設置在複數個電晶體上；複數個第一電極，設置在該平坦化層上，並分別分配給該等像素；一阻擋層，設置在該平坦化層上並且位於彼此相鄰的該等第一電極之間；以及一像素界定層，具有分別暴露該等第一電極的至少一部分的複數個開孔及暴露該阻擋層的至少一部分的複數個凹槽。
Description
本發明涉及一種有機發光顯示裝置。
最近，正在開發比陰極射線管(CRT)體積小且重量更輕的各種顯示裝置。這些顯示裝置的示例包含液晶顯示器(LCD)、場發射顯示器(FED)、電漿顯示面板(PDP)、有機發光顯示裝置(OLED)等。
在這些顯示裝置中，有機發光顯示裝置為透過激發有機化合物來發光的自發光顯示器。與LCD相反的是，有機發光顯示裝置在沒有背光源的情況下運作；因此，有機發光顯示裝置可以更輕量和更薄，並且以簡化的過程製造。此外，因為有機發光顯示裝置可以在低溫下製造，並具有1ms或更短的快速反應時間，以及低功耗、寬視角、和高對比度的特徵，有機發光顯示裝置被廣泛使用。
有機發光顯示裝置包括複數個像素，每個像素具有將電能轉換為光能的有機發光二極體。該有機發光二極體包括陽極、陰極、和位於陽極與陰極之間的有機化合物層。電洞和電子分別從陽極和陰極注入，且重新組合以形成激子，因此當激子從激發態下降到基態時，有機發光顯示裝置顯示影像。
有機化合物層可包括紅色(R)有機化合物層、綠色(G)有機化合物層、和藍色(B)有機化合物層，可以分別形成在對應的紅色(R)像素、綠色(G)像素、和藍色(B)像素中。精細金屬遮罩(fine metal mask,FMM)通常用於圖案化紅色(R)像素、綠色(G)像素、和藍色(B)像素。然而，即使製程技術取得了顯著的進步，使用FMM以製作高解析度顯示器仍存在限制。事實上，當FMM用於實現1,000PPI以上的解析度時，目前很難達成超過一定程度的製程良率(process yield)。
此外，大面積、高解析度的顯示裝置需要對應的大面積FMM。遮罩的面積越大，中心在該重量下下陷越多，導致各種缺陷，例如有機化合物層的位移，如此可能導致漏電流。
本發明提供一種有機發光顯示裝置，藉由最小化漏電流來改進顯示品質。
在一個態樣中，提供一種具有複數個像素的有機發光顯示裝置，該有機發光顯示裝置包括：一平坦化層，設置在複數個電晶體上；複數個第一電極，設置在該平坦化層上，並分別分配給該等像素；一阻擋層，設置在該平坦化層上並且位於彼此相鄰的該等第一電極之間；以及一像素界定層，具有分別暴露該第一電極的至少一部分的複數個開孔和暴露該阻擋層的至少一部分的複數個凹槽。
該阻擋層直接接觸該第一電極的一側。
該阻擋層覆蓋該第一電極的一個側表面和至少一部分的頂表面。
該阻擋層和該像素界定層具有彼此不同的蝕刻選擇性。
該阻擋層包含具有設定為低於該像素界定層的蝕刻速率的蝕刻速率的材料。
該阻擋層由無機材料的單層或其多層組成。
該阻擋層是以下中的一種的單層：氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、和二氧化鈦(TiO2)，或其多層。
該有機發光顯示裝置進一步包括：覆蓋該第一電極和該像素界定層的一有機化合物層；以及覆蓋該有機化合物層的一第二電極。
該有機化合物層經由該等凹槽直接接觸該阻擋層。
在另一個態樣中，提供一種有機發光顯示裝置，包括：一平坦化層，設置在複數個電晶體上；一犧牲層，具有暴露該平坦化層的至少一部分的一第一開口；一分離層，設置在該犧牲層上，具有比該第一開口窄的一第二開口，並且具有暴露該犧牲層的至少一部分的一凹槽；以及一第一電極，設置在該平坦化層、該分離層、和該凹槽上。透過由該犧牲層和該分離層的一階梯所
形成的一底切結構，將該第一電極物理性地分成設置在該平坦化層上的一第一部分和設置在該分離層上的一第二部分。
該犧牲層和該分離層具有彼此不同的蝕刻選擇性。
該第一電極的該第二部分經由該凹槽直接接觸該犧牲層。
10‧‧‧有機發光顯示裝置
12‧‧‧資料驅動電路
14‧‧‧閘極驅動電路
16‧‧‧時序控制器
19‧‧‧主機系統
110a‧‧‧下基板
110b‧‧‧上基板
111‧‧‧緩衝層
112‧‧‧半導體層
113‧‧‧閘極絕緣層
114‧‧‧閘極金屬層
115‧‧‧層間絕緣層
116a‧‧‧源極電極
116b‧‧‧汲極電極
117a‧‧‧第一覆蓋層
117b‧‧‧第二覆蓋層
118‧‧‧平坦化層
119‧‧‧犧牲層
120‧‧‧分離層
121‧‧‧第一電極
121a‧‧‧第一部分
121b‧‧‧第二部分
122‧‧‧有機化合物層
123‧‧‧第二電極
ANO‧‧‧陽極
BG‧‧‧凹槽
BM‧‧‧黑色矩陣
BN‧‧‧像素界定層
CAT‧‧‧陰極
CC‧‧‧內部補償電路
CF‧‧‧彩色濾光片
CGL‧‧‧電荷產生層
Cst‧‧‧電容器
D‧‧‧資料線
D1~Dm‧‧‧資料線
DE‧‧‧資料致能信號
DIS‧‧‧顯示面板
DL1‧‧‧資料線
DR‧‧‧驅動電晶體
DT‧‧‧驅動薄膜電晶體
E1‧‧‧第一電極
E2‧‧‧第二電極
EIL‧‧‧電子注入層
EML‧‧‧發光層
ETL‧‧‧電子傳輸層
EVDD‧‧‧高位準電壓源
EVSS‧‧‧低位準電壓源
GL1‧‧‧掃描線
GL1a‧‧‧第一掃描線
GL1b‧‧‧第二掃描線
GOE‧‧‧閘極輸出致能信號
GSC‧‧‧閘極移位時脈
GSP‧‧‧閘極啟動脈衝
G‧‧‧閘極線
G1~Gn‧‧‧閘極線
HIL‧‧‧電洞注入層
Hsync‧‧‧水平同步信號
HTL‧‧‧電洞傳輸層
INIT‧‧‧補償信號線
LCP‧‧‧漏電流流動路徑
MCLK‧‧‧主時脈
N1‧‧‧第一節點
N2‧‧‧第二節點
OC‧‧‧平坦化層
OL‧‧‧有機化合物層
OLE‧‧‧有機發光二極體
OLED‧‧‧有機發光二極體
OPN‧‧‧開口區域
PAS‧‧‧鈍化層
PH‧‧‧像素接觸孔
PXL‧‧‧像素
RGB‧‧‧數位視訊資料
SC‧‧‧編程部件
SOE‧‧‧訊號源輸出致能
SSC‧‧‧訊號源取樣時脈
STC1‧‧‧第一堆疊
STC2‧‧‧第二堆疊
STP‧‧‧阻擋層
SUB‧‧‧薄膜電晶體基板
SW‧‧‧開關電晶體
SW1‧‧‧開關電晶體
SW2‧‧‧感測電晶體
T‧‧‧薄膜電晶體
TFT‧‧‧薄膜電晶體
Vsync‧‧‧垂直同步信號
附圖被包含在內以提供對本發明的進一步理解，並且附圖併入在本說明書中並構成本說明書的一部分，以說明本發明的實施例，並與說明書一起用於解釋本發明的原理。在圖式中：圖1和圖2為有機發光顯示裝置的平面圖和剖面圖；圖3為根據本發明的有機發光顯示裝置的示意性方塊圖；圖4為圖3中所示之像素的示意圖；圖5為顯示圖4之具體示例的示意圖；圖6為示意性地顯示根據本發明的有機發光顯示裝置的剖面圖；圖7為示意性地顯示根據本發明一示例性實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖；圖8為用於說明阻擋層的位置關係的示意圖；以及圖9為示意性地顯示根據本發明一應用示例之有機發光顯示裝置的剖面圖。
在下文中，將參照附圖詳細描述本發明的示例性實施例。在整個說明書中，相同的元件符號表示基本相同的組件。在描述本發明時，當認為可能不必要地模糊本發明的主題時，將省略與本發明相關的已知功能或配置的詳細描述。在描述各種示例性實施例時，將在一開始給出相同或相似組件的描述，但在其他示例性實施例中省略。
儘管包含諸如「第一」和「第二」的序數的術語可用於描述各種組件，但是組件不受這些術語的限制。這些術語僅用於區分一個組件與其他組件。
圖1和圖2為有機發光顯示裝置的平面圖和剖面圖。
參照圖1，有機發光顯示裝置包括具有複數個像素PXL的顯示面板DIS。顯示面板DIS可以具有各種形狀。也就是說，顯示面板DIS的平面
可以是矩形或正方形，並且還可以具有各種自由形式的形狀，例如圓形、橢圓形、或多邊形。
顯示面板DIS包括分別發射紅色(R)光、藍色(B)光、和綠色(G)光的紅色(R)像素PXL、藍色(B)像素PXL、和綠色(G)像素PXL。如果需要，顯示面板DIS可以進一步包括發射另一種顏色的光的像素PXL，例如白色(W)。為了便於說明，以下將給出關於包括例如紅色(R)像素PXL、藍色(B)像素PXL、和綠色(G)像素PXL的顯示面板DIS的描述。
根據本發明的有機發光顯示裝置包括發射白光(W)的有機化合物層OL以及紅色(R)彩色濾光片、藍色(B)彩色濾光片、和綠色(G)彩色濾光片，以產生紅色(R)、藍色(B)、和綠色(G)的顏色。也就是說，因為從有機化合物層OL發射的白光(W)穿過對應於紅色(R)像素PXL、綠色(G)像素PXL、和藍色(B)像素PXL的紅色(R)彩色濾光片、綠色(G)彩色濾光片、和藍色(B)彩色濾光片，有機發光顯示裝置可以產生紅色(R)、綠色(G)、和藍色(B)的顏色。
在根據本發明的有機發光顯示裝置中，發射白光(W)的有機化合物層OL被製造成足夠寬以覆蓋面板的整個表面的大部分，因此，不需要使用FMM以將紅色(R)有機化合物層OL、藍色(B)有機化合物層OL、和綠色(G)有機化合物層OL分別分配到對應的像素PXL。因此，本發明具有避免使用上述FMM的問題的優點，例如，與高解析度相關之製程良率的降低、以及引起有機化合物層OL的位移的對準誤差。
使用上述方法，本發明可以提供一種顯示裝置，使製程良率的降低最小化，並具有高解析度。然而，問題在於，由於通過有機化合物層OL的漏電流，光可能從不需要的像素PXL發射，並且這可能導致相鄰像素PXL之間的混色(color mixing)缺陷。此處，組成有機化合物層OL並且具有高導電性的至少一個層可以用作漏電流流動路徑LCP(在圖2中)。
在一個示例中，參照圖2(a)，發射白光(W)的有機化合物層OL可以具有多重堆疊結構，例如雙堆疊結構。雙堆疊結構可以包括：位於陽極與陰極之間的電荷產生層CGL；以及第一堆疊STC1和第二堆疊STC2，位於電荷產生層CGL下方和上方，電荷產生層CGL夾在第一堆疊STC1與第二堆疊STC2之間。在下文中，將給出其中第一電極E1是陽極而第二電極E2是陰極的
示例的描述，但是不限於該示例。也就是說，有機發光二極體可以以倒置結構實現。
第一堆疊STC1和第二堆疊STC2的每一個包括發光層，並且可以進一步包括諸如電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、和電子注入層的共同層中的至少一個。第一堆疊STC1的發光層和第二堆疊STC2的發光層可以包括不同顏色的發光材料。第一堆疊STC1和第二堆疊STC2的發光層中的一個包括但不限於藍色發光材料，另一個可包括但不限於黃色發光材料。
由於上述有機化合物層OL，尤其是電荷產生層CGL沒有被圖案化為每個像素PXL的單獨部分，而是被大範圍地形成，因此在顯示裝置保持開啟時所產生的電流的一部分可能通過電荷產生層CGL而洩漏。由於該漏電流，光從不需要的像素PXL發射，而這導致色彩再現的顯著降低。
在另一個示例中，參照圖2(b)，發射白光(W)的有機化合物層OL可以具有單堆疊結構。每個單堆疊包括發光層EML，並且可以進一步包括諸如電洞注入層HIL、電洞傳輸層HTL、電子傳輸層ETL、和電子注入層EIL的共同層中的至少一個。
由於上述有機化合物層OL，特別是電洞注入層HIL，沒有被圖案化為每個像素PXL的單獨部分，而是被大範圍地形成為覆蓋所有像素，因此在顯示裝置保持開啟時所產生的電流的一部分可能通過電洞注入層HIL而洩漏。由於該漏電流，光從不需要的像素PXL發射，而這導致色彩再現範圍(或色域)的顯著降低。
在具有相對小的像素間距的高解析度顯示裝置中，上述問題變得更加嚴重。也就是說，儘管相鄰像素PXL由像素界定層BN界定並且以預定間距隔開，但更高解析度的顯示裝置具有更小的像素間距，因此將更頻繁地發生由漏電流引起的混色缺陷。因此，需要最小化漏電流的流動，以防止高解析度顯示裝置的顯示品質的下降。
圖3為根據本發明的有機發光顯示裝置的示意性方塊圖。圖4為圖3中所示之像素的示意圖。圖5為顯示圖4之具體示例的示意圖。圖6為示意性地顯示根據本發明的有機發光顯示裝置的剖面圖。
參照圖3，根據本發明的有機發光顯示裝置10包括顯示驅動電路和顯示面板DIS。
顯示驅動電路包括資料驅動電路12、閘極驅動電路14、和時序控制器16，並將輸入影像的資料電壓寫入顯示面板DIS上的像素PXL。資料驅動電路12將從時序控制器16輸入的數位視訊資料RGB轉換為類比伽瑪補償電壓，以產生資料電壓。從資料驅動電路12輸出的資料電壓被提供給資料線D1至資料線Dm。閘極驅動電路14與資料電壓同步地向閘極線G1至閘極線Gn按順序地提供閘極信號，並從顯示面板DIS選擇像素PXL以寫入資料電壓。
時序控制器16從主機系統19接收時序信號，例如：垂直同步信號Vsync、水平同步信號Hsync、資料致能信號DE、和主時脈MCLK，並且使資料驅動電路12和閘極驅動電路14的操作時序彼此同步。用於控制資料驅動電路12的資料時序控制信號包括：訊號源取樣時脈(SSC)、訊號源輸出致能信號(SOE)等。用於控制閘極驅動電路14的閘極時序控制信號包括：閘極啟動脈衝(GSP)、閘極移位時脈(GSC)、閘極輸出致能信號(GOE)等。
主機系統19可以是以下的任何一種：電視系統、機上盒、導航系統、DVD播放器、藍光播放器、個人電腦PC、家庭劇院系統、和電話系統。主機系統19包括其中具有計數器的系統單晶片(system-on-chip,SoC)，並且將輸入影像的數位視訊資料RGB轉換成適合於在顯示面板DIS上顯示的格式。隨著數位視訊資料，主機系統19還將時序信號Vsync、Hsync、DE、和MCLK一起發送到時序控制器16。
顯示面板DIS可以具有各種形狀。也就是說，顯示面板DIS的平面可以是矩形或正方形，並且還可以具有各種自由形式的形狀，例如：圓形、橢圓形、或多邊形。
顯示面板DIS包括像素陣列PXL。像素陣列PXL包括複數個像素PXL。像素PXL可以由資料線D1至資料線Dm(m為正整數)和閘極線G1至閘極線Gn(n為正整數)的交點界定，但不限於此。每個像素PXL包括有機發光二極體(在下文中表示為OLED)，其為自發光元件。顯示面板DIS包括發射紅色(R)光、藍色(B)光、和綠色(G)光的紅色(R)像素PXL、藍色(B)像素PXL、和綠色(G)像素PXL。
像素PXL可以具有各種形狀。也就是說，像素PXL的平面可以具有各種形狀，例如：圓形、橢圓形、或多邊形。像素PXL中的一個可以具有與另一個不同的尺寸及/或不同的平面形狀。
參照圖4，複數條資料線D和複數條閘極線G在顯示面板DIS上相交，並且像素PXL在交點以陣列的形式佈置。每個像素PXL包括：有機發光二極體OLED；驅動薄膜電晶體DT，控制流過有機發光二極體OLED的電流量；以及編程部件SC，用於設定驅動薄膜電晶體DT的閘極-源極電壓。
編程部件SC可以包括至少一個開關薄膜電晶體和至少一個儲存電容器。開關薄膜電晶體回應來自閘極線G的閘極信號而導通，以將資料電壓從資料線D施加到儲存電容器的一個電極。驅動薄膜電晶體DT藉由根據儲存電容器中儲存的電壓位準控制提供給有機發光二極體OLED的電流量來調整從有機發光二極體OLED發射的光量。從有機發光二極體OLED發射的光量與從驅動薄膜電晶體DT提供的電流量成比例。這樣的像素PXL連接到高位準電壓源EVDD和低位準電壓源EVSS，以從電源產生部件(圖中未示)接收高位準電源電壓和低位準電源電壓。像素PXL的薄膜電晶體可以實現為p型或n型。此外，像素PXL的薄膜電晶體的半導體層可以包含：非晶矽、多晶矽、或氧化物。以下將給出關於含有氧化物的半導體層的描述。有機發光二極體OLED包括：陽極ANO；陰極CAT；以及有機化合物層，夾在陽極ANO與陰極CAT之間。陽極ANO連接到驅動薄膜電晶體DT。
如圖5(a)所示，像素可以包括內部補償電路CC，以及上述的開關電晶體SW、驅動電晶體DR、電容器、和有機發光二極體OLED。內部補償電路CC可以包括連接到補償信號線INIT的一個以上的電晶體。內部補償電路CC將驅動電晶體DR的閘極-源極電壓設定為反映臨界電壓變化的電壓，以便於當有機發光二極體OLED發光時消除由驅動電晶體DR的臨界電壓引起的任何亮度變化。在這種情況下，掃描線GL1包括至少兩條的掃描線GL1a和掃描線GL1b，用於控制開關電晶體SW和內部補償電路CC中的電晶體。
如圖5(b)所示，像素可以包括開關電晶體SW1、驅動電晶體DR、感測電晶體SW2、電容器Cst、和有機發光二極體OLED。感測電晶體SW2為可以包含在內部補償電路CC中的電晶體，並且執行用於補償像素的感測操作。
開關電晶體SW1用於回應經由第一掃描線GL1a提供的掃描信號，而將經由資料線DL1提供的資料電壓提供給第一節點N1。感測電晶體SW2
用於回應經由第二掃描線GL1b提供的感測信號，而重設或感測位於驅動電晶體DR與有機發光二極體OLED之間的第二節點N2。
根據本發明的子像素的結構不限於上述，而是可以改變的，包含：2電晶體(T)1電容器(C)、3T1C、4T2C、5T2C、6T2C、和7T2C。
參照圖6，根據本發明的有機發光顯示裝置包括薄膜電晶體基板SUB。在薄膜電晶體基板SUB上，分別放置薄膜電晶體T和連接到分配給像素PXL的薄膜電晶體的有機發光二極體OLE。相鄰的像素PXL可以由像素界定層BN分隔。每個像素PXL的平面形狀可以由像素界定層BN界定。因此，可以適當地選擇像素界定層BN的位置和形狀，使得像素PXL具有預設的平面形狀。
薄膜電晶體T可以具有各種結構，包含：底閘極結構、頂閘極結構、和雙閘極結構。也就是說，每個薄膜電晶體T可以包括半導體層、閘極電極、和源極電極/汲極電極，並且半導體層、閘極電極、和源極電極/汲極電極可以佈置在不同的層上，且具有至少一個絕緣層介於兩者之間。
可以在薄膜電晶體T與有機發光二極體OLE之間插入至少一個絕緣層。絕緣層可以包括由有機材料製成的平坦化層OC。平坦化層OC可以由感光型丙烯酸類材料(photoacryl)製成。平坦化層OC可以使形成有薄膜電晶體T和各種信號線的基板的表面平坦化。
絕緣層可以進一步包括由氧化矽膜(SiOx)、氮化矽膜(SiNx)、或其多層組成的鈍化層PAS，並且鈍化層PAS可以插入在平坦化層OC與薄膜電晶體T之間。薄膜電晶體T和有機發光二極體OLE可以經由穿透一個以上的絕緣層的像素接觸孔PH電性連接。
有機發光二極體OLE包括彼此面對的第一電極E1和第二電極E2、以及插入在第一電極E1與第二電極E2之間的有機化合物層OL。第一電極E1可以是陽極，而第二電極E2可以是陰極。
第一電極E1可以由單層或多層組成。第一電極E1進一步包括用作反射電極的反射層。反射層可以由鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)、鎳(Ni)、或這些元素的合金製成，較佳地，為銀/鈀/銅合金(APC)。在一個示例中，第一電極E1可以由ITO/Ag/ITO的三層形成。在這種情況下，可以形成下ITO，用於改進有機層(平坦化層)與Ag之間的黏附性的目的。第一電極E1可以分別分配給像素，每個像素一個。
用於界定相鄰的像素的像素界定層BN位於形成有第一電極E1的薄膜電晶體基板SUB上。像素界定層BN可以由有機材料製成，較佳地，為聚醯亞胺。像素界定層BN包括分別用於暴露第一電極E1的中心的大部分的開孔(或開口)。由像素界定層BN的開孔暴露的第一電極E1的部分可以被界定為發光區域。像素界定層BN可以設置為暴露第一電極E1的中心但覆蓋第一電極E1的側邊緣。
像素界定層BN包括凹槽BG。凹槽BG設置在相鄰的像素之間。換句話說，凹槽BG設置在相鄰的開孔之間。
凹槽BG可以用於提供能流到相鄰像素之足夠長的漏電流路徑。也就是說，因為形成漏電流的流動路徑的層(例如，電荷產生層)沿著由凹槽BG形成的階梯部分沉積，因此形成在像素界定層BN中的凹槽BG可以提供相對長的漏電流流動路徑。因此，本發明可以有效地防止漏電流，並因此避免由不需要的像素發射光所引起之色彩再現的顯著降低。
換句話說，透過具有凹槽BG的像素界定層BN，本發明可以相對地增加形成漏電流流動路徑的層(例如，電荷產生層)的表面積。也就是說，本發明可以藉由控制形成漏電流的流動路徑的層(例如，電荷產生層)的表面積來增加電阻。因此，本發明具有使由漏電流引起的混色缺陷最小化的優點，因為可以有效地減少漏電流的流動。
在本發明中，為了藉由控制表面積來增加電阻，可以適當地選擇凹槽BG的數量，例如：在相鄰像素之間形成的複數個凹槽BG，並且也可以適當地選擇凹槽BG的寬度和深度。複數個凹槽BG可以沿像素之間的一方向對準，其中，該像素在該方向上相鄰。複數個凹槽BG之間的間隔可以根據位置而不同。
凹槽BG可以具有開孔的形狀，完全穿透像素界定層BN的整個厚度並暴露下面的層，或者可以具有凹陷的形狀，由像素界定層BN的頂表面向內部分地凹陷而形成。考慮到漏電流的流動路徑、電阻控制等，期望凹槽BG具有開孔的形狀。
有機化合物層OL形成在形成有像素界定層BN的薄膜電晶體基板SUB上。有機化合物層OL設置為在薄膜電晶體基板SUB上延伸，以覆蓋像素。有機化合物層OL可以具有多重堆疊結構，例如雙堆疊結構。雙堆疊結構可
以包括：位於第一電極E1與第二電極E2之間的電荷產生層CGL；以及位於電荷產生層CGL下方和上方的第一堆疊STC1和第二堆疊STC2，電荷產生層CGL夾在第一堆疊STC1與第二堆疊STC2之間。第一堆疊STC1和第二堆疊STC2的每一個包括發光層，並且可以進一步包括諸如電洞注入層、電洞傳輸層、電子傳輸層、和電子注入層的共同層中的至少一個。第一堆疊STC1的發光層和第二堆疊STC2的發光層可以包括不同顏色的發光材料。
第二電極E2形成在形成有機化合物層OL的薄膜電晶體基板SUB上。第二電極E2可以由透明導電材料製成，例如：ITO(氧化銦錫)、IZO(氧化銦鋅)、或ZnO(氧化鋅)；或者可以由薄的不透明導電材料製成，例如：鎂(Mg)、鈣(Ca)、鋁(Al)、或銀(Ag)，並用作透射電極。第二電極E2可以在薄膜電晶體基板SUB上整體延伸，以覆蓋像素。
因為可以有效地減少流到相鄰像素的漏電流，本發明可以使由漏電流引起之從不需要的像素發射光的問題最小化。因此，本發明提供一種顯著改進顯示品質的有機發光顯示裝置。
圖7為示意性地顯示根據本發明一示例性實施例之有機發光顯示裝置的剖面圖。圖8為用於說明阻擋層的位置關係的示意圖。
根據本發明第一示例性實施例的有機發光顯示裝置包括薄膜電晶體基板SUB。分別對應於像素的薄膜電晶體T和連接到薄膜電晶體T的有機發光二極體OLE放置在薄膜電晶體基板SUB上。有機發光二極體OLE包括第一電極E1、第二電極E2、和插入第一電極E1與第二電極E2之間的有機化合物層OL。
相鄰的像素可以由像素界定層BN界定，並且每個像素PXL的平面形狀可以由像素界定層BN界定。因此，可以適當地選擇像素界定層BN的位置和形狀，以便形成具有預設平面形狀的像素PXL。
像素界定層BN包括凹槽BG。因為凹槽BG用於提供足夠的漏電流流動路徑，因此凹槽BG必須形成為預設深度或更深。預設深度指的是凹槽BG正常運作所需的最小深度。然而，由於製程的限制，凹槽BG可能不具有均
勻的深度，而是根據其位置可能具有不同的深度。在這種情況下，凹槽BG可能在至少一個區域中不形成為預設深度，如此可能成為問題。
為了防止這個問題，凹槽BG可以形成為大於預設深度的足夠深度。在這種情況下，凹槽BG可以具有足夠的深度並且在所有位置執行其功能。然而，當在用於形成凹槽BG的蝕刻製程中也蝕刻在像素界定層BN下面的平坦化層OC時，從形成平坦化層OC的顏料產生的釋出氣體(out-gas)可能經由凹槽BG進入有機化合物層OL，從而導致裝置劣化。
為了防止這種情況，根據本發明第一示例性實施例的有機發光顯示裝置進一步包括阻擋層STP。阻擋層STP插入像素界定層BN與平坦化層OC之間，並且與凹槽BG重疊。阻擋層STP位於與凹槽BG對應的位置，並且用來在用於形成凹槽BG的蝕刻製程中防止蝕刻溶液流入平坦化層OC。
阻擋層STP和像素界定層BN具有彼此不同的蝕刻選擇性。也就是說，阻擋層STP的材料可以是允許在相同的製程條件下使阻擋層STP的蝕刻速率設定為低於像素界定層BN的蝕刻速率的材料。例如，阻擋層STP可以由單層無機材料，例如氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、和二氧化鈦(TiO2)、或其多層組成。例如，可以執行使用O2等電漿的蝕刻製程以形成凹槽BG。若阻擋層STP由上述無機材料製成，則其可以用作控制像素界定層BN的蝕刻程度的裝置，因為其不會被O2電漿蝕刻。
在本發明的第一個示例性實施例中，可以使用阻擋層STP來控制像素界定層BN的蝕刻程度，以便在用於形成凹槽BG的蝕刻製程中將像素界定層BN蝕刻到大於預設深度。因此，凹槽BG可以在所有位置形成為預設深度或更深。換句話說，在本發明的第一個示例性實施例中，即使凹槽BG根據其位置具有不同的深度，凹槽BG也可以藉由過蝕刻(over etching)在所有位置具有預設深度或更深的深度。同時，因為即使執行過蝕刻，阻擋層STP也保持平坦化層OC不被蝕刻，因此本發明的第一示例性實施例可以防止由釋出氣體引起的裝置劣化。
有機化合物層OL和第二電極E2按順序地堆疊在具有凹槽BG的像素界定層BN上和第一電極E1上。有機化合物層OL可以經由凹槽BG與阻擋層STP直接接觸。
參照圖8，阻擋層STP放置在相鄰像素的第一電極E1之間。阻擋層STP可以與第一電極E1以預定距離隔開或者可以與第一電極E1接觸。
若阻擋層STP與第一電極E1以預定距離隔開，則平坦化層OC暴露在阻擋層STP與第一電極E1之間。在這種情況下，如果由於製程缺陷而沒有在預設位置形成凹槽BG，則這可能導致暴露的平坦化層OC被蝕刻溶液蝕刻的問題(圖8(a))。
為了防止這種情況，期望阻擋層STP設置成與相鄰像素的第一電極E1的側面接觸或者覆蓋第一電極E1的至少一個側表面和頂表面的至少一部分。在這種情況下，由於阻擋層STP，平坦化層OC不會暴露。因此，即使在形成凹槽BG時發生對準誤差，也可以防止由平坦化層OC的蝕刻產生的釋出氣體的問題(圖8(b))。
圖9為示意性地說明根據本發明一應用示例的有機發光顯示裝置的剖面圖。
參照圖9，根據本發明應用示例的有機發光顯示裝置包括彼此面對的下基板110a和上基板110b。下基板110a包括薄膜電晶體TFT和連接到電晶體TFT的有機發光二極體OLED。上基板110b可以包括彩色濾光片CF，並且如果需要，可以進一步包括黑色矩陣BM。
緩衝層111位於下基板110a上。緩衝層111可以由單層氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)組成，或者由多層氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiOx)組成。同時，由金屬材料製成的遮光層可以位於下基板110a與緩衝層111之間以阻擋外部光。遮光層可以設置為對應於電晶體的半導體層(或通道區域)。
半導體層112位於緩衝層111上。半導體層112具有源極區域、通道區域、和汲極區域。半導體層112可以由有機半導體材料、氧化物半導體材料、或矽半導體材料製成。
閘極絕緣層113位於半導體層112上。形成閘極絕緣層113以覆蓋半導體層112的通道區域。閘極絕緣層113可以由單層氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)組成，或者由者多層氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiOx)組成。
閘極金屬層114位於閘極絕緣層113上。閘極金屬層114對應於閘極絕緣層113的尺寸。閘極金屬層114用作電晶體TFT的閘極電極。此外，閘極金屬層114用作形成掃描線等的層。閘極金屬層114可以是選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、和銅(Cu)或其合金所組成的群組中的一種，並且可以由單層或多層組成。
層間絕緣層115位於閘極金屬層114上。層間絕緣層115可以由單層氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)組成，或者由多層氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiOx)組成。層間絕緣層115暴露半導體層112的源極區域和汲極區域。
源極電極116a和汲極電極116b位於層間絕緣層115上。源極電極116a和汲極電極116b分別經由穿透層間絕緣層115的接觸孔連接到半導體層112的源極區域和汲極區域。源極電極116a和汲極電極116b可以是選自由鉬(Mo)、鋁(Al)、鉻(Cr)、金(Au)、鈦(Ti)、鎳(Ni)、和銅(Cu)或者其合金所組成的群組中的一種，並且可以由單層或多層組成。
覆蓋層117a和覆蓋層117b位於源極電極116a和汲極電極116b上。對應於源極電極116a和汲極電極116b的位置，覆蓋層117a和覆蓋層117b被圖案化，以保護源極電極116a和汲極電極116b。覆蓋層117a和覆蓋層117b可以由諸如ITO(氧化錫銦)和IZO(氧化銦鋅)的氧化物製成。
覆蓋層117a和覆蓋層117b可以分成與源極電極116a接觸的第一覆蓋層117a和與汲極電極116b接觸的第二覆蓋層117b，且第一覆蓋層117a與第二覆蓋層117b可以彼此隔開。第一覆蓋層117a與第二覆蓋層117b中的至少一個可以延伸為與通道區域重疊。
由於製程的特性，覆蓋層117a和覆蓋層117b可以省略或用鈍化層代替。鈍化層可以由單層氮化矽(SiNx)或氧化矽(SiOx)組成，或者由多層氮化矽(SiNx)和氧化矽(SiOx)組成。
平坦化層118位於覆蓋層117a和覆蓋層117b上。平坦化層118用於平坦化包括電晶體TFT的下層結構的表面，並且可以由諸如感光型丙烯酸類材料、聚醯亞胺、苯環丁烯樹脂、或丙烯醯胺樹脂的有機材料製成。像素接觸孔PH形成在平坦化層118中。在界定像素的發光區域的開口區域OPN內，像素接觸孔PH暴露汲極電極116b或第二覆蓋層117b的一部分。
犧牲層119位於平坦化層118上。犧牲層119具有比界定像素的發光區域的開口區域OPN更寬的開孔(或第一開口)。犧牲層119經由比開口區域OPN寬的開孔暴露平坦化層118的一部分。犧牲層119可以由單層無機材料，例如：氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、和二氧化鈦(TiO2)、或其多層組成。犧牲層119可以用作能夠控制稍後要形成的凹槽的蝕刻程度的阻擋層STP(參見圖7)。
分離層120位於犧牲層119上。分離層120可以界定界定像素的發光區域的開口區域OPN。因此，分離層120可以被稱為像素界定層。此處，開口區域OPN可以被稱為第二開口。分離層120經由開口區域OPN暴露平坦化層118的一部分。分離層120可以由矽材料製成，例如：矽氧烷。透過分離層120中開口區域OPN與犧牲層119中的開孔之間的面積差異來形成底切結構。
凹槽BG形成在分離層120中。凹槽BG暴露犧牲層119的至少一部分。因為犧牲層119由具有與分離層120的材料不同的蝕刻選擇性的材料製成，因此犧牲層119未被穿透而是在形成凹槽BG時被保留下來。
第一電極121位於分離層120上。第一電極121覆蓋平坦化層118和分離層120。
由於透過犧牲層119和分離層120的階梯形成的底切結構，每個第一電極121具有覆蓋平坦化層118的第一部分121a和覆蓋分離層120的第二部分121b，且第一部分121a和第二部分121b彼此電性分離。也就是說，每個第一電極121透過底切結構自像素化(self-pixelated)，並且因此分成為存在於分離層120上的第二部分121b和存在於經由開口區域OPN暴露的平坦化層118上的第一部分121a，且第一部分121a和第二部分121b在電性和物理上不連接。
覆蓋平坦化層118的每個第一電極121的第一部分121a經由平坦化層118中的像素接觸孔PH電性連接到汲極電極116b或第二覆蓋層117b的一部分。覆蓋分離層120的每個第一電極121的第二部分121b沿著凹槽BG的階梯部分形成，並且可以經由凹槽BG與犧牲層119直接接觸。
因此，由於不需要執行用於將第一電極121單獨分配給像素的圖案化製程，本發明的應用示例具有顯著提高製程良率的優點。此外，本發明的應用示例允許覆蓋分離層120的第一電極121將從有機化合物層122發射的光朝向上基板110b上的彩色濾光片反射。因此，可以顯著提高光效率。
有機化合物層122位於第一電極121上。有機化合物層122可以由發射白光的材料製成。有機化合物層122覆蓋第一電極121和分離層120，並且沿著由犧牲層119和分離層120以及凹槽BG的階梯部分所形成的底切結構形成。
第二電極123位於有機化合物層122上。第二電極123覆蓋有機化合物層122，並且沿著凹槽BG的階梯部分形成。
彩色濾光片CF位於上基板110b上。每個彩色濾光片CF包括顏料，該顏料可以將從有機化合物層122產生的光轉換成紅色、綠色、或藍色的光。黑色矩陣BM可以位於上基板110b上。黑色矩陣BM可以位於相鄰的彩色濾光片CF之間，以防止像素之間的邊界(非開口區域)的漏光，並防止彩色濾光片CF之間的混色缺陷。黑色矩陣BM可包括黑色顏料。
在本發明中，藉由在像素界定層中形成凹槽，可以有效地防止漏電流，從而防止從不需要的像素發射光而引起的色彩再現的顯著劣化的問題。因此，本發明具有提供顯著改善顯示品質的有機發光顯示裝置的優點。
在本發明中，藉由包含能夠控制凹槽深度的阻擋層，可以防止蝕刻溶液在用於形成凹槽的蝕刻製程中流入平坦化層。因此，可以最小化由平坦化層的蝕刻產生之釋出氣體所引起的裝置劣化的問題。
透過以上描述，所屬技術領域中具有通常知識者將理解的是，在不脫離本發明的範疇和精神的情況下，可以進行各種修改和改變。因此，本發明的技術範疇應由所附申請專利範圍而不是說明書的詳細描述來界定。
Claims (14)
- 一種有機發光顯示裝置，具有複數個像素，該有機發光顯示裝置包括：一平坦化層，設置在複數個電晶體上；複數個第一電極，設置在該平坦化層上，並分別分配給該等像素；一像素界定層，具有：複數個開孔，分別暴露該等第一電極的至少一部分；以及複數個凹槽，設置在相鄰的該等開孔之間；以及一阻擋層，設置在該平坦化層與該像素界定層之間，並與該等凹槽重疊。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該阻擋層設置在相鄰的該等第一電極之間，並且直接地接觸該第一電極的一側。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該阻擋層設置在相鄰的該等第一電極之間，並且覆蓋該第一電極的一個側表面和一頂表面的至少一部分。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該阻擋層和該像素界定層具有彼此不同的蝕刻選擇性。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該阻擋層包含具有一蝕刻速率低於該像素界定層的一蝕刻速率的材料。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該平坦化層包含有機材料。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該阻擋層由無機材料的單層或多層組成。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，其中，該阻擋層是以下中的一種的單層：氧化矽(SiOx)、氮化矽(SiNx)、氮氧化矽(SiON)、氧化鋁(Al2O3)、和二氧化鈦(TiO2)，或其多層。
- 根據申請專利範圍第1項所述的有機發光顯示裝置，進一步包括：一有機化合物層，覆蓋該等第一電極和該像素界定層；以及 一第二電極，覆蓋該有機化合物層。
- 根據申請專利範圍第9項所述的有機發光顯示裝置，其中，該有機化合物層經由該等凹槽直接接觸該阻擋層。
- 一種有機發光顯示裝置，包括：一平坦化層，設置在複數個電晶體上；一犧牲層，具有暴露該平坦化層的至少一部分的複數個第一開口；一分離層，設置在該犧牲層上，具有：複數個第二開口，對應於該等第一開口且比該等第一開口窄；以及一凹槽，設置在相鄰的該等第二開口之間；以及一第一電極，設置在該平坦化層、該分離層、和該凹槽上，其中，透過由該犧牲層和該分離層的一階梯所形成的一底切結構，將該第一電極分成設置在該平坦化層上的一第一部分和設置在該分離層和該凹槽上的一第二部分，並且該第一部分與該第二部分物理性地分離。
- 根據申請專利範圍第11項所述的有機發光顯示裝置，其中，該犧牲層和該分離層具有彼此不同的蝕刻選擇性。
- 根據申請專利範圍第11項所述的有機發光顯示裝置，其中，該第一電極的該第二部分經由該凹槽直接接觸該犧牲層。
- 根據申請專利範圍第11項所述的有機發光顯示裝置，其中，該第一電極包含一反射層。
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (8)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
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| KR20210045658A (ko) * | 2019-10-17 | 2021-04-27 | 엘지디스플레이 주식회사 | 발광 표시 장치 및 그 제조 방법 |
| CN110931652A (zh) * | 2019-11-26 | 2020-03-27 | 深圳市华星光电半导体显示技术有限公司 | Oled双面显示装置 |
| KR20210083917A (ko) * | 2019-12-27 | 2021-07-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시 장치 |
| CN111584551B (zh) * | 2020-05-06 | 2023-12-01 | 武汉华星光电半导体显示技术有限公司 | 一种显示面板及显示装置 |
| US11980046B2 (en) * | 2020-05-27 | 2024-05-07 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | Method for forming an isolation structure having multiple thicknesses to mitigate damage to a display device |
| CN116548094A (zh) * | 2021-11-29 | 2023-08-04 | 京东方科技集团股份有限公司 | 显示基板 |
| WO2024018756A1 (ja) * | 2022-07-21 | 2024-01-25 | キヤノン株式会社 | 発光装置、表示装置、光電変換装置、電子機器、照明装置、および、移動体 |
Family Cites Families (30)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US7224118B2 (en) * | 2003-06-17 | 2007-05-29 | Semiconductor Energy Laboratory Co., Ltd. | Display device and electronic apparatus having a wiring connected to a counter electrode via an opening portion in an insulating layer that surrounds a pixel electrode |
| JP4715226B2 (ja) * | 2005-02-21 | 2011-07-06 | セイコーエプソン株式会社 | 有機エレクトロルミネッセンス装置、有機エレクトロルミネッセンス装置の製造方法、電子機器 |
| JP4742626B2 (ja) * | 2005-03-09 | 2011-08-10 | セイコーエプソン株式会社 | 発光装置、及びこれを備えた電子機器 |
| KR100686120B1 (ko) * | 2005-05-17 | 2007-02-26 | 엘지전자 주식회사 | 유기 ｅｌ 소자의 제조방법 |
| KR100884185B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2009-02-17 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR100859084B1 (ko) * | 2006-07-25 | 2008-09-17 | 주식회사 엘지화학 | 유기발광소자 및 그의 제조방법 |
| KR101373435B1 (ko) * | 2007-03-22 | 2014-03-14 | 엘지디스플레이 주식회사 | 표시기판, 이를 구비한 유기발광다이오드 표시장치 및이들의 제조 방법 |
| KR101310917B1 (ko) * | 2008-07-17 | 2013-09-25 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| KR101348408B1 (ko) * | 2008-12-02 | 2014-01-07 | 엘지디스플레이 주식회사 | 상부발광 방식 유기전계 발광소자 및 이의 제조 방법 |
| US9093399B2 (en) * | 2009-05-28 | 2015-07-28 | Sharp Kabushiki Kaisha | Organic electroluminescence display device, method for producing same, color filter substrate and method for producing same |
| JP5677437B2 (ja) * | 2010-08-06 | 2015-02-25 | パナソニック株式会社 | 有機ｅｌ素子 |
| KR101780814B1 (ko) * | 2010-10-21 | 2017-09-21 | 엘지디스플레이 주식회사 | 백색 유기전계발광표시장치와 이의 제조방법 |
| KR101811027B1 (ko) | 2011-07-07 | 2017-12-21 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 디스플레이 장치 |
| KR20130006068A (ko) | 2011-07-08 | 2013-01-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 트랜지스터 어레이 기판의 제조방법 |
| KR101943379B1 (ko) * | 2012-05-30 | 2019-04-18 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그 제조방법 |
| JP2014029814A (ja) | 2012-07-31 | 2014-02-13 | Sony Corp | 表示装置および電子機器 |
| KR101548304B1 (ko) * | 2013-04-23 | 2015-08-28 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 전계 발광 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102076620B1 (ko) * | 2013-09-24 | 2020-02-12 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR102089324B1 (ko) * | 2013-09-30 | 2020-03-16 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| US9570471B2 (en) * | 2014-08-05 | 2017-02-14 | Lg Display Co., Ltd. | Organic light emitting display device and method of manufacturing the same |
| KR102209499B1 (ko) * | 2014-09-26 | 2021-01-29 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광 다이오드 표시장치 및 그 제조 방법 |
| KR102347847B1 (ko) * | 2014-12-18 | 2022-01-06 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| CN104659070B (zh) * | 2015-03-13 | 2018-11-16 | 上海天马有机发光显示技术有限公司 | 一种显示面板、显示装置及显示面板的制造方法 |
| KR102399574B1 (ko) | 2015-04-03 | 2022-05-19 | 삼성디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 |
| KR102530799B1 (ko) * | 2015-05-28 | 2023-05-09 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기발광다이오드 표시장치 및 그 제조방법 |
| KR102523534B1 (ko) * | 2015-07-15 | 2023-04-19 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기전계발광표시장치 |
| KR101765102B1 (ko) * | 2015-11-30 | 2017-08-04 | 엘지디스플레이 주식회사 | 유기 발광 표시 장치 및 그의 제조방법 |
| US11211582B2 (en) * | 2016-01-15 | 2021-12-28 | Samsung Display Co., Ltd. | Organic light-emitting display apparatus with protection layer surrounding the pixel electrode |
| CN107146808A (zh) * | 2017-05-15 | 2017-09-08 | 京东方科技集团股份有限公司 | Oled器件制造方法、oled器件及显示面板 |
| CN107104130A (zh) * | 2017-05-26 | 2017-08-29 | 京东方科技集团股份有限公司 | 一种oled显示基板及制备方法、显示面板及显示装置 |
-
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI804018B (zh) * | 2020-11-17 | 2023-06-01 | 日商日本顯示器股份有限公司 | 顯示裝置 |
Also Published As
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