TW201924059A - 用於提供電晶體之受應力通道之裝置、方法及系統 - Google Patents

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Abstract

在電晶體上施加應力的技術和機制，該電晶體包括各個在鰭結構中的通道區和源極或汲極區。在一個實施例中，電晶體的閘極結構在鰭結構上延伸，其中第一間隔部分位於閘極結構的側壁，並且第二間隔部分鄰接第一間隔部分。兩個特徵中的任一個或兩個存在於間隔部分的分別的底部邊緣處或在其下方。其中一個特徵包括鰭結構上的一條不連續線。另一個特徵包括第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度。在另一個實施例中，鰭結構設置在緩衝層上，其中至少部分地利用緩衝層施加應力在通道區上。

Description

用於提供電晶體之受應力通道之裝置、方法及系統
本發明的實施例概括地涉及半導體技術，更具體地但非排他地，涉及受應力電晶體。
在半導體處理中，電晶體通常形成在半導體晶圓上。在CMOS(互補金屬氧化物半導體)技術中，電晶體通常屬於兩種類型中的一種：NMOS(負通道金屬氧化物半導體)或PMOS(正通道金屬氧化物半導體)電晶體。電晶體和其他裝置可以互相連接以形成執行許多有用功能的積體電路(IC)。
這種IC的操作至少部分地取決於電晶體的性能，而電晶體的性能又可以藉由在通道區中施加應力來提高。具體地，藉由在其通道區中提供拉應力來增進NMOS電晶體的性能，並且藉由在其通道區中提供壓縮應力來改善PMOS電晶體的性能。
FinFET是圍繞著薄帶半導體材料(通常稱為鰭)而構建的電晶體。電晶體包括標準場效應電晶體(FET)節點，其包括閘極，閘極電介質，源極區和汲極區。這種裝置的導電通道設置在閘極電介質下方的鰭的外側。具體地，電流流經(或流於其中)鰭的兩個側壁(垂直於基板表面的側面)，電流亦沿著鰭的頂部(平行於基板表面的一側)流過。因為這種配置的導電通道基本上位於鰭的三個不同的外部平面區域，所以這種FinFET設計有時被稱為三閘極FinFET。也可以使用其他類型的FinFET配置，例如所謂的雙閘極FinFET，其中導電通道主要僅存在於沿著鰭的兩個側壁(而不沿著鰭的頂部)上。而目前，存在有與製造這種基於鰭的電晶體相關的許多重要問題。
及
在各種實施例中，描述了與受應力電晶體有關的設備和方法。簡而言之，一些實施例多方面地促進通道應力以增強一個或多個NMOS電晶體和/或一個或多個PMOS電晶體的性能。然而，可以在沒有一個或多個具體細節的情況下或者利用其他方法、材料或組件來實踐各種實施例。在其他例子中，未詳細示出或描述公知的結構、材料或操作以避免模糊各個實施例的各個態樣。相類似地，出於解釋的目的，闡述了具體的數字、材料和配置，以便提供對一些實施例的透徹理解。然而，可以在沒有具體細節的情形下來實踐一些實施例。此外，應理解，圖中所示的各種實施例是說明性表示，並且不需要按比例繪製。
這裡描述的技術可以在一個或多個電子裝置中實現。可以利用本文描述的技術的電子裝置的非限制性示例包括任何類型的移動裝置和/或固定裝置，諸如相機、手機、電腦終端、桌上型電腦、電子閱讀器、傳真機、資訊站、膝上型電腦、輕省筆電、筆記型電腦、上網裝置、支付終端、個人數位助理、媒體播放器和/或記錄器、伺服器(例如刀片伺服器、框架安裝式伺服器、其組合等等)、機上盒、智慧型手機、平板個人電腦、超移動個人電腦、有線電話，及其組合等等。更一般地，實施例可以用於各種電子裝置中的任何一種，該些電子裝置包括一個或多個包括有根據本文描述的技術所形成的結構的電晶體。
圖1以透視圖顯示出了根據一個實施例之包含有對電晶體施加應力的結構的積體電路(IC)裝置100。圖1還顯示出了IC裝置100的剖視透視圖102和俯視圖104。
IC裝置100是實施例的一個示例，其中電晶體的結構包括製造製程的標記，其中間隔結構連續地形成在閘極電極的給定側上。這樣的電晶體可以包括鰭結構的摻雜源極區或摻雜汲極區，以及在鰭結構上延伸的閘極結構(例如包括閘極電介質和閘極電極)。鰭結構可以由第一半導體本體形成，該第一半導體本體設置在第二半導體本體(這裡稱為“緩衝層”)上，以便於在電晶體上施加應力。摻雜間隔結構和/或多級摻雜處理的使用可以減輕對可能以其他方式減輕這種應力的替代製造處理的需要。
在所示的示例實施例中，IC裝置100包括具有側面112的緩衝層110。緩衝層110可以包括一個或多個外延單晶半導體層(例如，矽、鍺、矽鍺、砷化鎵、磷化銦、磷砷化鎵銦、砷化鋁鎵等)，其，例如，可以在不同的塊狀半導體基板(例如所示的示例性矽基板140)的頂上生長。
儘管一些實施例在這方面不受限制，但是緩衝層110可以包括具有不同晶格常數的各種外延生長的半導體子層。這種半導體子層可以用於沿著所示的xyz坐標系的z軸對晶格常數進行分級。例如，SiGe緩衝層110的鍺濃度可以從最底部緩衝層處的30%鍺增加到最頂部緩衝層處的70%鍺，從而逐漸增加晶格常數。
IC裝置100還可以在緩衝層110上包括形成鰭結構(例如所示的示例性鰭結構120)的第一半導體本體。例如，第一半導體本體可以部分地由外延生長的單晶半導體形成，例如但不限於Si、Ge、GeSn、SiGe、GaAs、InSb、GaP、GaSb、InAlAs、InGaAs、GaSbP、GaAsSb、GaN、GaP和InP。在一些實施例中，鰭結構120可以延伸到側面112。在其他實施例中，第一半導體本體還可以包括下層子層部分，鰭結構120從該下層子層部分延伸(例如，其中該下層子層部分設置在側面112和鰭結構120之間，並且鄰接各該側面112和鰭結構120)。
如本文所使用的，“源極或汲極區”(或替代地，“源極/汲極區”)是指被配置為用作電晶體的源極或電晶體的汲極之一的結構。鰭結構120的摻雜部分可以提供電晶體的源極和電晶體的汲極(例如所示的示例性源極/汲極區124、126)。電晶體的通道區可以設置在源極/汲極區124、126之間，其中閘極電介質132和閘極電極130在包括通道區的鰭結構120的一部分上多方面地延伸。例如，源極/汲極區124、126等區域可以在閘極電極130的橫向相對側下方延伸。
源極/汲極區124、126和通道區可以被配置為在IC裝置100的操作期間傳導電流-例如，使用閘極電極130控制電流。例如，源極/汲極區124、126可以被設置在源極/汲極井，該源極/汲極井係由鰭結構120所形成。該源極/汲極區124、126可包括各種合適的n型摻雜劑中的任何一種，例如磷或砷中的其中一種。或者，源極/汲極區124、126可包括各種合適的p型摻雜劑中的任何一種，例如硼。
緩衝層110的結構和/或鰭結構120的結構可以藉由絕緣結構114(例如)與IC裝置100的其他電路結構至少部分地電性地隔離。絕緣結構114可以包括二氧化矽或任何各種其他介電材料，例如，適用於傳統的隔離技術。絕緣結構114的尺寸、形狀、數量和相對配置僅僅是說明性的，並且在其他實施例中，IC裝置100可以包括各種附加或替代絕緣結構中的任何一種。
閘極電介質132可以包括高k閘極電介質，例如氧化鉿。在各種其他實施例中，閘極電介質132可包括氧化鉿矽、氧化鑭、氧化鋯、氧化鋯矽、氧化鉭、氧化鈦、氧化鋇鍶鈦(barium strontium titanium oxide)、氧化鋇鈦、氧化鍶鈦、氧化釔氧化鋁、氧化鉛鈧鉭(lead scandium tantalum oxide)或鈮酸鉛鋅(lead zinc niobate)。在另一實施例中，閘極電介質132包括二氧化矽。
閘極電極130可以由任何合適的閘極電極材料形成。在一個實施例中，閘極電極130包括摻雜的多晶矽。替代地或另外地，閘極電極130可以包括金屬材料，例如但不限於鎢、鉭、鈦及其氮化物。應當理解的是，閘極電極130不必要一定是單一材料，並且可以是薄膜的複合疊層，例如但不限於多晶矽/金屬電極或金屬/多晶矽電極。
雖然一些實施例在這方面不受限制，但是電晶體可以包括多個不同的通道區，每個通道區位於源極/汲極區124、126之間-例如，包括一個或多個奈米線結構的多個通道區。這樣的一個或多個奈米線可以是，例如，由各種合適的材料中的任何一種形成，例如但不限於Si、Ge、SiGe、GaAs、InSb、GaP、GaSb、InAlAs、InGaAs、GaSbP、GaAsSb、InP和奈米碳管。
在一個實施例中，形成鰭結構120的第一半導體本體可以具有不同於相鄰緩衝層110的晶體結構。鰭結構120和側面112之間的不匹配(例如，晶格常數不匹配)可能導致對位於源極/汲極區124、126之間的通道區施加壓縮應力或拉應力於其中。例如，側面112的晶格常數可能與鰭結構120的晶格常數不同。在一個這樣的實施例中，側面112和鰭結構120其中之一者包括具有第一矽-鍺成分比的矽鍺，其中側面112和鰭結構120中的另一個包括具有與該第一矽-鍺成分比不同的第二矽-鍺成分比的純矽或矽鍺。然而，在不同的實施例中，可以為110和鰭結構120提供各種其他的晶格不匹配中的任何一種。
常規的製造非平面電晶體裝置通常包括外底切處理以形成凹口，隨後摻雜的源極/汲極區在該凹口中生長。然而，鰭結構120和側面112之間的應力可能因為這種外底切處理而莫名地顯著地被減輕。多個實施例可以利用用於形成摻雜源極/汲極區的改良技術來緩和或避免這種應力的損失-例如，其中這樣的技術摒棄切除和替換鰭結構120的部分的需要。
IC裝置100可以包括這種改進技術的一個或多個人造物-該一個或多個人造物包括由位於閘極電極130的至少一側上的間隔結構所形成或設置在其下的特徵。作為說明而非限制，間隔部分152可以鄰接閘極電極130的側壁，其中另一個間隔部分150鄰接間隔部分152。在這樣的實施例中，兩個特徵中的任一個或兩個可以存在於區域154中，該區域154包括間隔部分150、152的相應的底部邊緣或被設置在間隔部分150、152的相應的底部邊緣之下。一個這樣的特徵包括在間隔部分150、152的介面處形成在鰭結構120上的不連續線。這樣的不連續線可以至少部分地由鰭結構120的頂側122形成，和/或藉由設置在側面122上的其他結構(例如，包括間隔部分150、152)。另一個特徵包括間隔部分150和源極/汲極區124，各個都具有相應的摻雜劑的量，其中間隔部分150中的摻雜劑濃度大於源極/汲極區124中的摻雜劑濃度。
替代地或另外地，間隔部分162可以鄰接閘極電極130的相對側壁，其中另一個間隔部分160鄰接間隔部分162。在這樣的實施例中，兩個特徵中的任一個或兩個可以存在於所示的區域164中。一個這樣的特徵包括在間隔部分160、162的介面處形成在鰭結構120上的不連續線。另一個特徵包括間隔部分160和源極/汲極區124，各個都具有相應的摻雜劑的量，其中間隔部分160中的摻雜劑濃度大於源極/汲極區124中的摻雜劑濃度。
圖2示出了根據一個實施例之提供電晶體之受應力通道區的方法200的特徵。方法200可以，例如，包括製造IC裝置100的一些或全部結構的製程。為了說明各種實施例的某些特徵，本文中參考圖3A、3B中所示的結構來描述方法200。然而，在不同的實施例中，可以根據方法200製造任何各種附加的或替代的結構。
如圖2所示，方法200可以包括，在步驟210處，形成電晶體的閘極結構，其中閘極結構在設置於緩衝層上的鰭結構上延伸。例如，如圖3A所示，在階段300，鰭結構320可以直接地或間接地設置在緩衝層315上-例如，其中鰭結構320和緩衝層315分別在功能上對應於鰭結構120和緩衝層110。閘極電介質332和閘極電極330可以依次選擇性地形成，各個都至少部分地圍繞鰭結構320延伸。這種選擇性形成可以包括改編自傳統半導體製造技術的操作-例如，包括光罩、光刻，沉積(例如，化學氣相沉積)、蝕刻和/或其他製程-這裡沒有對其詳述，以避免模糊多個實施例的某些特徵。
方法200還可以包括，在步驟220處，在閘極結構的側壁上沉積第一間隔部分。例如，如階段301所示，可以形成間隔部分352、362中的一個或兩者-例如，各個形成在閘極電極330的兩個相對側壁中的相應的一個側壁處。間隔352、362可以藉由全面式沉積保角電介質膜而形成，保角電介質膜例如但不限於氮化矽、氧化矽、氮氧化矽或其組合。間隔352、362的電介質材料可以以共形方式沉積，使得電介質膜在垂直表面上形成實質上地相等的高度，例如閘極電極330的側壁。在一個示例性實施例中，電介質膜是氮化矽膜通過熱壁低壓化學氣相沉積(LPCVD)製程而形成的。電介質膜的沉積厚度可以確定所形成的間隔352、362的寬度或厚度。在一個實施例中，間隔部分352、362中的一個的厚度可以有助於在隨後的摻雜製程期間隔離閘極電極330。在一個示例性實施例中，這種電介質膜被形成為0.5奈米(nm)至15nm範圍內的厚度(x軸維度)-例如，其中厚度在0.5nm至5nm的範圍內，並且，在一些實施例中，在1nm至3nm的範圍。
在一個實施例中，方法200還包括：在沉積第一間隔部分之後，形成(在步驟230處)鄰接第一間隔部分的第二間隔部分。方法200還可以包括，在步驟240處，在鰭結構中形成電晶體的源極/汲極區。可以在第一間隔部分和第二間隔部分的介面處的鰭結構上形成不連續線。替代地或另外地，第二間隔部分和源極/汲極區可各自包括摻雜劑，其中第二間隔部分中的摻雜劑的濃度大於源極/汲極區中的摻雜劑的濃度。
在步驟240處之形成源極/汲極區可以，例如，包括在鰭結構上形成摻雜層(例如，包括摻雜外延層和摻雜玻璃)，其中該形成是在步驟220處沉積第一間隔部分之後執行。在這樣的實施例中，在步驟240處形成源極/汲極區還可以包括執行從摻雜層到鰭結構中之內擴散(在步驟230處形成第二間隔部分之前)。例如，如階段302所示，摻雜外延材料(或可選地，摻雜玻璃)的層322可以在鰭結構320周圍共形地生長。層322的摻雜劑隨後可以向內擴散到鰭結構320中，退火處理在，例如，相對低的溫度(650℃至800℃)或更高的溫度(例如，高達1200℃)下完成，例如在快速熱退火(RTA)或飛速退火處理(flash annealing processes)的情況下。然而，可能的退火溫度的範圍在一些實施例中不是限制性的，並且可以根據具體實施細節而變化。
如階段304所示，退火以提供從層322來之內擴散可以導致形成說明性摻雜區324中的一個或兩個-例如，各個在閘極電介質332的兩個相對端中的相應端部處(並且在一些實施例中，部分地在下面)。例如，摻雜區324中的一個或兩個可以包括任何合適的n型摻雜劑，例如磷和砷。或者，摻雜區324中的一個或兩個可以包括p型摻雜劑，例如硼。
在這樣的實施例中，在步驟230處之形成第二間隔部分可以包括，在形成一個或兩個摻雜區324之後，沉積兩個另外的間隔部分350、360中的一個或兩個-例如，各個在閘極電極330的兩個相對立的側面中之相對的一個上。例如，間隔部分350可以鄰接間隔部分352以及/或者間隔部分360可以鄰接間隔部分362。在這樣的實施例中，在步驟240處之形成源極或汲極區還可以包括在步驟230處形成第二間隔部分之後執行鰭結構320的額外摻雜(例如，包括離子注入、電漿注入或內擴散)，並且，在一些實施例中，是在蝕刻以去除至少部分的摻雜層322之後才執行。如步驟305所示，可以藉由這樣的額外摻雜形成摻雜區326中的一個或兩個-例如，其中，摻雜區326中的一個包括摻雜區324中的一個或者形成與摻雜區324中的一個結合的源極/汲極區。在這樣的實施例中，摻雜區324中的一個可以是源極/汲極區的尖端部分。在一些實施例中，可以在階段300~305期間或之後形成一個或多個絕緣結構(未示出)-例如，包括絕緣結構114。
間隔部分350、360之一的厚度(沿著x軸所示)-例如，與間隔部分352、362中相鄰的一個間隔部分的厚度相結合-可足以保護閘極電極330的鄰接側壁免受到這種額外摻雜製程的影響。作為說明而非限制，包括間隔部分350、352(或包括間隔部分360、362)的間隔可具有0.5 nm至10nm範圍內的厚度。
階段300~305所示的處理可以產生結構-在此稱為“不連續線”-其沿著鰭結構320的寬度(y軸維度)延伸。這種不連續線可以形成凹陷的邊緣在(z軸)高度上為至少0.5nm。
在示例性實施例中，這種不連續線(例如，在區域370處)可以由間隔部分350、352的相應的底部邊緣形成-例如，其中，該不連續線至少部分地定義凹口，間隔部分352的底部側面設置於其中。替代地或另外地，另一條不連續線可以由間隔部分360、362的相應的底部邊緣形成-例如，其中，該不連續線至少部分地定義凹口，間隔部分362的底部側面設置於其中。
在一個替代的實施例中，可以在形成間隔部分350、360之前蝕刻掉一些或全部摻雜層322。在這樣的實施例中，可以在區域370中，作為替代地，形成不同的不連續線。例如，蝕刻掉摻雜層322可能導致蝕刻人造物，該蝕刻人造物去除了鰭結構320的頂部。結果，隨後沉積的間隔部分350將具有底部邊緣-橫跨鰭結構320的(y軸)寬度-該底部邊緣在橫跨鰭結構320的寬度上低於間隔部分352的相對應的底部邊緣。替代地或另外地，隨後沉積的間隔部分360將具有底部邊緣-橫跨鰭結構320的(y軸)寬度-該底部邊緣在橫跨鰭結構320的寬度上低於間隔部分362的相對應的底部邊緣。因此，可以通過間隔部分350、352的相對底部邊緣形成不連續線，例如，其中，該不連續線至少部分地定義凹口，間隔部分350的底部側面設置於其中。替代地或另外地，另一條不連續線可以由間隔部分360、362的相應的底部邊緣形成-例如，其中，該不連續線至少部分地定義凹口，間隔部分360的底部側面設置於其中。
在一些實施例中，在步驟240處之形成源極/汲極區包括執行鰭結構的離子注入或電漿注入，其中在步驟220處沉積第一間隔部分之後並且在步驟230處形成第二間隔部分之前執行該注入。例如，現在參照圖4A、4B，其中示出了根據一個實施例之用以製造電晶體結構的製程的各別階段400~405的橫截面側視圖。圖4A、4B還分別示出了對應於階段400~405的橫截面端視圖400a~405a。
在階段400，鰭結構420可以直接或間接地設置在緩衝層415上-例如，其中鰭結構420和緩衝層415分別在功能上對應於鰭結構120和緩衝層110。閘極電介質432和閘極電極430可以各自至少部分地圍繞著鰭結構420延伸。在一些實施例中，可以形成示例性間隔部分452、462中的一個或兩個-例如，各個形成在閘極電極430的兩個相對立的側壁中的相對的一個之處。於階段400所示的結構，例如，可以多方面地包括在階段301中所示的相應結構的特徵。
在階段401，可以執行鰭結構420的注入454-例如，以作為在步驟240處之形成源極/汲極區的一部分。注入454可以包括離子注入製程和/或電漿注入製程-例如，其中注入454是以從所示的z軸之偏移角來執行並且至少部分地通過鰭結構420的側壁來對其摻雜。如階段402所示，摻雜區424可以藉由注入454而形成在鰭結構420之中。在一些實施例中，注入454對鰭結構320的一部分是具有腐蝕性的。例如，一個或多個凹口(例如用作說明之所示的凹口451、461)可以藉由去除鰭結構420的頂部部分的注入454來形成。這樣的一個或多個凹口可以各自延伸到間隔部分452、462中的相應一個-例如，其中，藉由位在該間隔部分之下的鰭結構120的剩餘部分在上述的凹口中之一個的一端處形成一條不連續線。凹口451、461中的一個或每個可以，例如，具有至少0.5nm的(z軸)高度。
如階段403所示，各個一個或多個其他的間隔部分(例如用以說明的間隔部分450、460)可以沿著間隔部分452、462中之相對的一個的邊而形成。間隔部分450和/或間隔部分460可以，例如，藉由方法200之步驟230處之形成而被沉積。在階段404中，可以執行鰭結構420的額外摻雜456-例如，以作為在步驟240處之形成源極/汲極區的一部分。注入456可以包括，例如，各種各樣的注入製程或內擴散製程中之任何一個。如階段405所示，摻雜區426中的一個或兩個可以藉由額外摻雜456而形成-例如，其中摻雜區426中的一個包括摻雜區424中的一個，或者替代地，形成與摻雜區424中的一個結合的源極/汲極區。在一些實施例中，可以在階段400~405期間或之後形成一個或多個絕緣結構(未示出)-例如，包括絕緣結構114。
在方法200的步驟220處之形成第二間隔部分可以包括(例如)在鰭結構上沉積包括第一摻雜劑的摻雜玻璃材料。在這樣的一個實施例中，形成該源極區或汲極區(在方法200的步驟240處)可以包括執行從摻雜玻璃材料進入到鰭結構的內擴散。
例如，現在參照圖5A、5B，其示出了根據一個實施例之製造電晶體結構的製程的各個階段500~503的橫截面側視圖。圖5A、5B還分別地示出了對應於階段500~503的橫截面端視圖500a~503a。雖然分別的結構在圖3A、3B、4A、4B、5A及5B中以各種各樣不同的方式顯示為直線化的，但是應當理解，在不同的實施例中，一些或所有這樣的特徵-例如，包括水平頂部或底部表面、側壁，轉角處等-可以是不同角度的、不同弧形的、不同錐形的、不同粗糙的，或等等諸如此類。
在階段500，鰭結構520可以直接或間接地設置在緩衝層515上-例如，其中鰭結構520和緩衝層515分別在功能上對應於鰭結構120和緩衝層110。閘極電介質532和閘極電極530可各自至少部分地圍繞著鰭結構520延伸。在一些實施例中，可形成用作說明的間隔部分552、562中的一者或兩者-例如，每一者在閘極電極530的兩個相對立的側壁中之相對的一者處。階段500所示的結構可以，例如，各種各樣地包括階段301中所示的相應結構的特徵。
如階段501所示，各個一個或多個其他的摻雜間隔部分(例如用以說明的間隔部分550、560)可以沿著間隔部分552、562中之相對的一個的邊而形成。間隔部分550的摻雜玻璃材料和/或間隔部分560可以，例如，藉由方法200在步驟230處的形成來沉積。在一個實施例中，間隔部分552、562中的一個的厚度可以有助於在隨後的摻雜製程期間隔離閘極電極530。在一個示例性實施例中，這樣的厚度(x軸維度)在0.5nm至8nm的範圍內，並且在一些實施例中，在1nm至3nm的範圍內。
如狀態502所示，在形成間隔部分550、560中的一個或各個之後，可以執行鰭結構520的摻雜554-例如，以作為在步驟240處源極/汲極區之形成的一部分。摻雜554可以包括退火製程以將間隔部分550、560中的一個或各個的摻雜劑內擴散進入至鰭結構520中。如階段503所示，在間隔部分550下面的摻雜區524(和/或在間隔部分560下面的摻雜區526)可以藉由摻雜554而形成於鰭結構520之中。在這樣的一個實施例中，間隔部分550中的摻雜劑的濃度可以大於摻雜區524中的相同摻雜劑的濃度。可選地或另外地，間隔部分560中的摻雜劑濃度可以大於摻雜區526中相同摻雜劑的濃度。摻雜區524、526可以各自用作包括閘極電極530的電晶體的相對源極或汲極區。
圖6示出了根據一個實施例的計算裝置600。計算裝置600容納電路板602。計算裝置600的積體電路可以包括根據本文描述的技術而受應力的一個或多個電晶體。電路板602可以包括多個組件，該些組件包括但不限於處理器604和至少一個通信晶片606。處理器604物理上地和電氣上地耦合到電路板602。在一些實施方式中，該至少一個通信晶片606亦是物理上地和電氣上地耦合到電路板602。在更進一步的實施方式中，通信晶片606是處理器604的一部分。
取決於其應用，計算裝置600可以包括其他組件，該其他組件可以為或可以不為物理上地和電氣上地耦合到電路板602。這些其他組件包括但不限於揮發性記憶體(例如，DRAM)、非揮發性記憶體(例如，ROM)、快閃記憶體、圖形處理器、數位信號處理器、密碼處理器、晶片組、天線、顯示器、觸控螢幕顯示器、觸控螢幕控制器、電池、音頻編解碼器、視訊編解碼器、功率放大器、全球定位系統(GPS)裝置、指南針、加速度計、陀螺儀、揚聲器、相機和大容量儲存裝置(如硬碟驅動器、光碟(CD)、數位通用光碟(DVD)、等等)。計算裝置600的顯示裝置可以基於一個或多個信號而被耦合以顯示圖像，該一個或多個信號與具有本文描述的特徵的電路結構相通信。
通信晶片606實現用於向計算裝置600傳輸資料和從計算裝置600傳輸資料的無線通信。術語“無線”及其衍生詞可用於描述電路、裝置、系統、方法、技術、通信頻道等，其可以藉由使用調變的電磁輻射以非固體介質來進行資料通信。該術語並非暗示相關裝置不包含任何電線，儘管在一些實施例中它們可能不包含任何電線。通信晶片606可以實現多種無線標準或協議中的任何一種，包括但不限於Wi-Fi(IEEE 802.11系列)、WiMAX(IEEE 802.16系列)、IEEE 802.20、長期演進(LTE)、Ev-DO、HSPA+、HSDPA+、HSUPA+、EDGE、GSM、GPRS、CDMA、TDMA、DECT、藍牙及其衍生物，以及被指定為3G、4G、5G及更高版本的任何其他的無線協議。計算裝置600可以包括多個通信晶片606。例如，第一通信晶片606可以專用於諸如Wi-Fi和藍牙的較短距離無線通信，以及第二通信晶片606可以專用於諸如GPS、EDGE、GPRS、CDMA、WiMAX、LTE、Ev-DO及其他等較長距離的無線通信。
計算裝置600的處理器604包括封裝在處理器604內的積體電路晶粒。術語“處理器”可以指處理來自暫存器和/或記憶體的電子資料以將該電子資料轉換成其他可以被儲存於暫存器和/或記憶體的電子資料之任何裝置或裝置的一部分。通信晶片606還包括封裝在通信晶片606內的積體電路晶粒。
在各種各樣的實施方式中，計算裝置600可以是膝上型電腦、小筆電、筆記型電腦、超輕薄筆電、智慧型手機、平板電腦、個人數位助理(PDA)、超級移動個人電腦(ultra mobile PC)、行動電話、桌上型電腦、伺服器、印表機、掃描器、監視器、機上盒、娛樂控制單元、數位相機、可攜式音樂播放器或數位視訊錄影機。在進一步的實施方式中，計算裝置600可以是處理資料的任何其他電子裝置。
一些實施例可以被提供為電腦程式產品或軟體，其可以包括其上儲存有指令的機器可讀介質，該指令可以用於對電腦系統(或其他電子裝置)進行程式撰寫以執行根據一個實施例的處理。機器可讀介質包括用於以機器(例如，電腦)可讀的形式儲存或傳輸資訊的任何機制。例如，機器可讀(例如，電腦可讀)介質包括機器(例如，電腦)可讀儲存介質(例如，唯讀記憶體(“ROM”)、隨機存取記憶體(“RAM”)、磁碟儲存介質、光學儲存介質、快閃記憶體裝置等)，機器(例如，電腦)可讀傳輸介質(電、光、聲或其他形式的傳播的信號(例如，紅外線信號、數位信號等))等。
圖7示出了以電腦系統700的示例性形式呈現的機器之圖解表示法，其中可以執行用於使機器執行本文所描述的方法中的任何一個或多個的一組指令於該電腦系統700之中。在備選實施例中，機器可以連接(例如，連接成網路)到區域網(LAN)、內部網路、外部網路或網際網路中的其他機器。機器可以在客戶端-伺服器網路環境中以伺服器或客戶端機器的能力操作，或者作為同級間(或分佈式)網路環境中的同級機器操作。該機器可以是個人電腦(PC)、輸入板個人電腦、機上盒(STB)、個人數位助理(PDA)、蜂巢式電話、網路設備、伺服器、網路路由器、交換器或橋接器，或任何能夠執行一組指令(序列的或其他)的機器，該組指令指定該機器要採取的動作。此外，雖然僅示出了單個機器，但術語“機器”還應被視為包括任何機器(例如，電腦)的集合，該機器的集合個別地或聯合地執行一組(或多組)指令以執行一個或多個本文所描述的方法論中之任何一個。
示例性電腦系統700包括處理器702、主記憶體704(例如，唯讀記憶體(ROM)、快閃記憶體、諸如同步DRAM(SDRAM)或Rambus DRAM(RDRAM)等之動態隨機存取記憶體(DRAM))、靜態記憶體706(例如，快閃記憶體、靜態隨機存取記憶體(SRAM)等)，以及輔助記憶體718(例如，資料儲存裝置)，其經由匯流排730彼此通信。
處理器702代表一個或多個通用處理裝置，例如微處理器、中央處理單元或其類似裝置。更具體地，處理器702可以是複雜指令集計算(CISC)微處理器、精簡指令集計算(RISC)微處理器、極長指令字(VLIW)微處理器、實現其他指令集的處理器、或實現指令集組合的處理器。處理器702還可以是一個或多個專用處理裝置，例如專用積體電路(ASIC)、現場可程式閘陣列(FPGA)、數位信號處理器(DSP)、網路處理器或其類似裝置。處理器702被配置為執行用以完成本文所描述的操作的處理邏輯726。
電腦系統700還可以包括網路介面裝置708。電腦系統700還可以包括視訊顯示單元710(例如，液晶顯示器(LCD)、發光二極體顯示器(LED)或陰極射線管(CRT))、文數字輸入裝置712(例如，鍵盤)、游標控制裝置714(例如，滑鼠)以及信號產生裝置716(例如，揚聲器)。視訊顯示單元710可以基於一個或多個信號而被耦合以顯示圖像，該一個或多個信號與具有本文所描述的特徵的電路結構相互通信。
輔助記憶體718可以包括機器可存取儲存介質(或者更具體地，電腦可讀儲存介質)732，其上儲存有體現本文所描述的一種或多種方法或功能中之任何一個的一組或多組指令(例如，軟體722)。軟體722還可以在由電腦系統700執行期間完全地或至少部分地駐留在主記憶體704內及/或處理器702內，主記憶體704和處理器702亦構成了機器可讀儲存介質。軟體722還可以經由網路介面裝置708透過網路720發送或接收。
雖然在示例性實施例中將機器可存取儲存介質732顯示為單個介質，但是術語“機器可讀儲存介質”應當被視為包括單個介質或多個介質(例如，集中式或分佈式資料庫，及/或關聯的快取記憶體和伺服器)，其儲存有該一組或多組指令。術語“機器可讀儲存介質”還應被視為包括能夠儲存或編碼用以供機器執行的一組指令並且使機器執行一個或多個實施例中的任何一個的任何介質。因此，術語“機器可讀儲存介質”應被視為包括但不限於固態記憶體，以及光學和磁性介質。
在一個實施方式中，積體電路(IC)裝置包括：包含有半導體晶格的緩衝層、設置在該緩衝層上的鰭結構，該鰭結構包含有電晶體的通道區和該電晶體的源極或汲極區，其中利用該緩衝層施加應力在該通道區上、該電晶體的閘極結構，其中該閘極結構在該鰭結構上延伸、被設置在該閘極結構的側壁上的第一間隔部分，以及鄰接於該第一間隔部分的第二間隔部分。在該第一間隔部分和該第二間隔部分的介面處的該鰭結構上形成不連續線，或者該第二間隔部分和該源極或該汲極區各自包括摻雜劑，其中該第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於該源極或該汲極區中的摻雜劑濃度。
在一個實施例中，鰭結構的表面形成不連續線，其中不連續線至少部分地定義第一間隔部分下方的凹口部分。在另一個實施例中，鰭結構的表面形成不連續線，其中不連續線至少部分地定義了在第二間隔部分下方的凹口部分。在另一個實施例中，第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度，並且在介面處的鰭結構上形成不連續線。
在另一個實施例中，在第一間隔部分和第二間隔部分的介面處的鰭結構上形成不連續線，或者第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度。在另一個實施例中，緩衝層和鰭結構中的一個包括矽鍺，該矽鍺具有與緩衝層和鰭結構中的另一個的第二矽-鍺成分比不同的第一矽-鍺成分比。在另一個實施例中，不連續線形成凹陷的邊緣，其中凹陷的高度為至少0.5奈米。在另一個實施例中，第一間隔部分和第二間隔部分兩者之總厚度在0.5奈米(nm)至15nm的範圍內。
在另一實施方式中，一種方法包括形成電晶體的閘極結構，其中閘極結構在設置於包含有半導體晶格的緩衝層上的鰭結構上延伸，沉積第一間隔部分於閘極結構的側壁之上，在沉積第一間隔部分之後，形成鄰接第一間隔部分的第二間隔部分，以及在鰭結構中形成電晶體的源極或汲極區。利用緩衝層施加應力在電晶體的通道區上，其中在第一間隔部分和第二間隔部分的介面處的鰭結構上形成不連續線，或第二間隔部分及源極或汲極區之每一者包括摻雜劑，其中第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度。
在一個實施例中，形成源極或汲極區包括：在沉積第一間隔部分之後，在鰭結構上形成摻雜外延層，以及執行從摻雜外延層進入到鰭結構的內擴散。在另一個實施例中，形成源極或汲極區包括在形成第一間隔部分之後，在鰭結構上沉積摻雜玻璃材料，以及執行從摻雜玻璃材料進入到鰭結構的內擴散。在另一個實施例中，第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度，並且其中形成源極或汲極區包括執行從摻雜材料進入到鰭結構的內擴散。在另一個實施例中，形成源極或汲極區還包括：在沉積第一間隔部分之後，在鰭結構上形成摻雜層，並且在形成第二間隔部分之前，執行從摻雜層進入到鰭結構的內擴散。
在另一個實施例中，形成源極或汲極區包括在形成第一間隔部分之後並且在形成第二間隔部分之前，執行鰭結構的離子注入。在另一個實施例中，形成源極或汲極區包括在形成第一間隔部分之後並且在形成第二間隔部分之前，執行鰭結構的電漿注入。在另一個實施例中，緩衝層和鰭結構中的一個包括矽鍺，該矽鍺具有與緩衝層和鰭結構中的另一個的第二矽-鍺成分比不同的第一矽-鍺成分比。在另一個實施例中，不連續線形成凹陷的邊緣，其中凹陷的高度為至少0.5奈米。在另一個實施例中，其中第一間隔部分和第二間隔部分兩者之總厚度在0.5奈米(nm)至15nm的範圍內。
在另一個實施方式中，一種系統包括積體電路(IC)裝置，該積體電路(IC)裝置包括：包含有半導體晶格的緩衝層、設置在緩衝層上的鰭結構，該鰭結構包含有電晶體的通道區和該電晶體的源極或汲極區，其中利用緩衝層施加應力在通道區上、該電晶體的閘極結構，其中該閘極結構在該鰭結構上延伸、被設置在該閘極結構的側壁上的第一間隔部分，以及鄰接於該第一間隔部分的第二間隔部分。在該第一間隔部分和該第二間隔部分的介面處的該鰭結構上形成不連續線，或者該第二間隔部分和該源極或該汲極區各自包括摻雜劑，其中該第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於該源極或該汲極區中的摻雜劑濃度。該系統還包括耦合到該IC裝置的顯示裝置，該顯示裝置基於與IC裝置通信的信號顯示圖像。
在一個實施例中，鰭結構的表面形成不連續線，其中不連續線至少部分地定義第一間隔部分下方的凹口部分。在另一個實施例中，鰭結構的表面形成不連續線，其中不連續線至少部分地定義了在第二間隔部分下方的凹口部分。在另一個實施例中，第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度，並且在介面處的鰭結構上形成不連續線。
在另一個實施例中，在第一間隔部分和第二間隔部分的介面處的鰭結構上形成不連續線，或者第二間隔部分中的摻雜劑濃度大於源極或汲極區中的摻雜劑濃度。在另一個實施例中，緩衝層和鰭結構中的一個包括矽鍺，該矽鍺具有與緩衝層和鰭結構中的另一個的第二矽-鍺成分比不同的第一矽-鍺成分比。在另一個實施例中，不連續線形成凹陷的邊緣，其中凹陷的高度為至少0.5奈米。在另一個實施例中，第一間隔部分和第二間隔部分兩者之總厚度在0.5奈米(nm)至15nm的範圍內。
本文描述了用於促進電晶體中的應力的技術和架構。在以上描述中，出於解釋的目的，闡述了許多具體細節以便提供對某特定實施例的透徹理解。然而，對於本領域技術人員顯而易見的是，可以在沒有這些具體細節的情況下實踐某特定實施例。在其他情況下，結構和裝置以方塊圖的形式示出，以避免模糊了對說明的焦點。
說明書中對“一個實施例”或“實施例”的引用意味著結合該實施例描述的特定特徵、結構或特性包括在本發明的至少一個實施例中。在說明書中各處出現的短語“在一個實施例中”不必要是都指涉同一實施例。
本文中之詳細描述的某些部分是根據對電腦記憶體內的資料位元的操作的演算法和符號表示來呈現的。這些演算法描述和表示是計算領域的技術人員用來最有效地將他們工作的實質傳達給本領域其他技術人員的手段。這裡的演算法通常被認為是導致期望結果的自相一致的步驟順序。這些步驟是需要物理量的物理操作之步驟。通常，儘管不是必須的，這些量採用能夠被儲存、傳輸、組合、比較和以其他方式操作的電信號或磁信號的形式。有時，主要出於通用的原因，已經證明了將這些信號稱為位元、(數)值、元素、符號、字符、術語、數字(號碼)或其相類似物是方便的。
然而，應該記住，所有這些和類似術語都與適當的物理量相關聯，並且僅僅是應用於這些量的便利的標籤。除非從本文的討論中明顯地另外地明確說明，否則應理解，在整個說明書中，利用諸如“處理”或“運算”或“計算”或“確定”或“顯示”或其類似物等術語之討論所指涉的是電腦系統或類似電子計算裝置的動作和處理，其將在電腦系統的暫存器和記憶體內被表示為物理(電子)量的資料進行操作和轉換成類似地被表示為在電腦系統記憶體或暫存器或其他如此的資訊儲存器、傳輸或顯示裝置內的物理量的其他資料。
某些實施例還涉及用於執行本文所描述之操作的設備。該設備可以為所需目的而專門建構，或者它可以包括由儲存在電腦中的電腦程式選擇性地啟動或重新配置的通用型電腦。這樣的電腦程式可以儲存在電腦可讀儲存介質中，例如但不限於任何類型的磁碟，包括軟碟、光碟、CD-ROM和磁光碟、唯讀記憶體(ROM)、隨機存取記憶體(RAM)，例如動態RAM(DRAM)、EPROM、EEPROM、磁卡或光卡，或適用於儲存電子指令的任何類型的介質，並且耦合到電腦系統匯流排。
本文所呈現出的演算法和顯示器並非固有地與任何特定電腦或其他設備相關。根據本文的教示，各種通用型系統可以與程式一起使用，或者其可以證明建構更為專門的設備以執行所需的方法步驟是方便的。從本文的描述中可以看出用於各種各樣的這些系統所需的結構。另外，某些實施例並未參考任何特定程式語言來描述。應當理解，可以使用各種各樣程式語言來實現本文所描述的這些實施例的教示。
除了在此描述的內容之外，在不脫離其範圍的情況下，可以對所揭露的實施例及其中之實施方式進行各種修改。因此，這裡的圖示說明和示例應該被解釋為說明性的意義而非限制性的意義。應該僅藉由參考下面的申請專利範圍來衡量本發明的範圍。
100‧‧‧IC裝置
102‧‧‧剖視透視圖
104‧‧‧俯視圖
110，315，415，515‧‧‧緩衝層
112‧‧‧側面
114‧‧‧絕緣結構
120，320，420，520‧‧‧鰭結構
122‧‧‧頂側
124，126‧‧‧源極/汲極區
130，330，430，530‧‧‧閘極電極
132，332，432，532‧‧‧閘極電介質
140‧‧‧矽基板
150，152，160，162，350，352，360，362，450，452，460，462，550，552，560，562‧‧‧間隔部分
154，164，370‧‧‧區域
200‧‧‧方法
210，220，230，240‧‧‧步驟
300-305，400-405，500-503‧‧‧階段
322‧‧‧層
324，326，424，426，524，526‧‧‧摻雜區
400a-405a，500a-503a‧‧‧橫截面端視圖
454‧‧‧注入
451，461‧‧‧凹口
456‧‧‧額外摻雜
554‧‧‧摻雜
600‧‧‧計算裝置
602‧‧‧電路板
604‧‧‧處理器
606‧‧‧通信晶片
700‧‧‧電腦系統
702‧‧‧處理器
704‧‧‧主記憶體
706‧‧‧靜態記憶體
708‧‧‧網路介面裝置
710‧‧‧視訊顯示單元
712‧‧‧文數字輸入裝置
714‧‧‧游標控制裝置
716‧‧‧信號產生裝置
718‧‧‧輔助記憶體
720‧‧‧網路
722‧‧‧軟體
726‧‧‧處理邏輯
730‧‧‧匯流排
732‧‧‧機器可存取儲存介質
在所附圖式之各圖中，藉由例子而非限制的方式繪示出了本發明的各種實施例，其中：
圖1顯示出了根據一個實施例之繪示出了用於促進電晶體應力的積體電路的成分的各種視圖。
圖2為根據一個實施例之繪示出了用於促進電晶體的通道中的應力的方法的成分的流程圖。
圖3A，3B顯示出了根據一個實施例之各自繪示出了半導體製造處理的各個階段的結構的截面圖。
圖4A，4B顯示出了根據一個實施例之各自繪示出了半導體製造處理的各個階段的結構的截面圖。
圖5A，5B顯示出了根據一個實施例之各自繪示出了半導體製造處理的各個階段的結構的截面圖。
圖6是繪示出了根據一個實施例的計算裝置的功能方塊圖。
圖7是繪示出了根據一個實施例的示例性電腦系統的功能方塊圖。

Claims (20)

  1. 一種積體電路(IC)裝置，其包括： 　　包含有半導體晶格的緩衝層； 　　設置在該緩衝層上的鰭結構，該鰭結構包含有電晶體的通道區和該電晶體的源極或汲極區，其中利用該緩衝層施加應力在該通道區上； 　　該電晶體的閘極結構，其中該閘極結構在該鰭結構上延伸； 　　被設置在該閘極結構的側壁上的第一間隔部分；以及 　　鄰接於該第一間隔部分的第二間隔部分，其中： 　　　　在該第一間隔部分和該第二間隔部分的介面處的該鰭結構上形成不連續線；或 　　　　該第二間隔部分和該源極或該汲極區各自包括摻雜劑，其中該第二間隔部分中的該摻雜劑的濃度大於該源極或該汲極區中的該摻雜劑的濃度。
  2. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該鰭結構的表面形成該不連續線，其中該不連續線至少部分地定義該第一間隔部分下方的凹口部分。
  3. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該鰭結構的表面形成該不連續線，其中該不連續線至少部分地定義該第二間隔部分下方的凹口部分。
  4. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該第二間隔部分中的該摻雜劑的該濃度大於該源極或該汲極區中的該摻雜劑的該濃度，並且該不連續線係在該介面處的該鰭結構上形成。
  5. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該不連續線係在該第一間隔部分和該第二間隔部分的該介面處的該鰭結構上形成，或該第二間隔部分中的摻雜劑的濃度大於該源極或該汲極區中的該摻雜劑的濃度。
  6. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該緩衝層和該鰭結構中的一個包括矽鍺，該矽鍺具有與該緩衝層和該鰭結構中的另一個的第二矽-鍺成分比不同的第一矽-鍺成分比。
  7. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該不連續線形成凹陷的邊緣，其中該凹陷的高度為至少0.5奈米。
  8. 如申請專利範圍第1項之IC裝置，其中，該第一間隔部分和該第二間隔部分兩者之總厚度在0.5奈米(nm)至15nm的範圍內。
  9. 一種方法，其包括： 　　形成電晶體的閘極結構，其中該閘極結構在設置於包含有半導體晶格的緩衝層上的鰭結構上延伸； 　　沉積第一間隔部分於該閘極結構的側壁之上； 　　在沉積該第一間隔部分之後，形成鄰接該第一間隔部分的第二間隔部分；以及 　　在該鰭結構中形成該電晶體的源極或汲極區，其中利用該緩衝層施加應力在該電晶體的該通道區上，其中： 　　　　在該第一間隔部分和該第二間隔部分的介面處的該鰭結構上形成不連續線；或 　　　　該第二間隔部分和該源極或該汲極區各自包括摻雜劑，其中該第二間隔部分中的該摻雜劑的濃度大於該源極或該汲極區中的該摻雜劑的濃度。
  10. 如申請專利範圍第9項之方法，其中形成該源極或該汲極區包括： 　　在沉積該第一間隔部分之後，在該鰭結構上形成摻雜外延層；以及 　　執行從該摻雜外延層進入到該鰭結構的內擴散。
  11. 如申請專利範圍第9項之方法，其中形成該源極或該汲極區包括： 　　形成該第一間隔部分之後，在該鰭結構上沉積摻雜玻璃材料；以及 　　執行從該摻雜玻璃材料進入到該鰭結構的內擴散。
  12. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該第二間隔部分中的該摻雜劑的該濃度大於該源極或該汲極區中的該摻雜劑的該濃度，並且其中形成該源極或該汲極區包括執行從該摻雜材料進入到該鰭結構的內擴散。
  13. 如申請專利範圍第12項之方法，其中形成該源極或該汲極區還包括： 　　在沉積該第一間隔部分之後，在該鰭結構上形成摻雜層；以及 　　在形成該第二間隔部分之前，執行從該摻雜層進入到該鰭結構的內擴散。
  14. 如申請專利範圍第9項之方法，其中形成該源極或該汲極區包括： 　　在形成該第一間隔部分之後並且在形成該第二間隔部分之前，執行該鰭結構的離子注入。
  15. 如申請專利範圍第9項之方法，其中形成該源極或該汲極區包括： 　　在形成該第一間隔部分之後並且在形成該第二間隔部分之前，執行該鰭結構的電漿注入。
  16. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該緩衝層和該鰭結構中的一個包括矽鍺，該矽鍺具有與該緩衝層和該鰭結構中的另一個的第二矽-鍺成分比不同的第一矽-鍺成分比。
  17. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該不連續線形成凹陷的邊緣，其中該凹陷的高度為至少0.5奈米。
  18. 如申請專利範圍第9項之方法，其中，該第一間隔部分和該第二間隔部分兩者之總厚度在0.5奈米(nm)至15nm的範圍內。
  19. 一種系統，其包括： 　　一種積體電路(IC)裝置，其包括： 　　　　包含有半導體晶格的緩衝層； 　　　　設置在該緩衝層上的鰭結構，該鰭結構包含有電晶體的通道區和該電晶體的源極或汲極區，其中利用該緩衝層施加應力在該通道區上； 　　　　該電晶體的閘極結構，其中該閘極結構在該鰭結構上延伸； 　　　　被設置在該閘極結構的側壁上的第一間隔部分；以及 　　　　鄰接於該第一間隔部分的第二間隔部分，其中： 　　　　　　在該第一間隔部分和該第二間隔部分的介面處的該鰭結構上形成不連續線；或 　　　　　　該第二間隔部分和該源極或該汲極區各自包括摻雜劑，其中該第二間隔部分中的該摻雜劑的濃度大於該源極或該汲極區中的該摻雜劑的濃度；以及 　　與該IC裝置耦合的顯示裝置，該顯示裝置基於與該IC裝置通信的信號顯示圖像。
  20. 如申請專利範圍第19項之系統，其中，該鰭結構的表面形成該不連續線，其中該不連續線至少部分地定義該第一間隔部分下方的凹口部分。
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