TW201923532A - 導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置 - Google Patents

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Abstract

一種導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置，能夠抑制透過顯示裝置視覺識別的圖像的品質的降低。在藉由由不規則地彎曲的電極線構成的電極線圖案以及由規則的彎曲線構成的基準圖案的各自的二維傅立葉變換而得到的功率譜中，按規定的每個頻率寬度，用各頻率寬度中的頻譜強度的累計值除以頻率寬度後得到的值是頻譜密度，用電極線圖案中的規定頻率區域的頻譜密度的累計值除以基準圖案中的規定頻率區域的頻譜密度的累計值後得到的值的常用對數是第1評價值，第1評價值為3.6以下。

Description

導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置
本發明涉及具備多個電極線的導電性薄膜、具備該導電性薄膜的觸控面板、以及具備該觸控面板的顯示裝置。
將觸控面板用作輸入設備的顯示裝置具備對圖像進行顯示的顯示面板、和與顯示面板重疊的上述觸控面板。作為手指等在觸控面板上的接觸位置的檢測方式，廣泛採用將手指等與觸控面板的操作面接觸來作為靜電電容的變化進行檢測的靜電電容方式。在靜電電容方式的觸控面板中，觸控面板具備的導電性薄膜具備沿第1方向延伸的多個第1電極、沿與第1方向正交的第2方向延伸的多個第2電極、和被第1電極和第2電極夾著的透明電介質層。並且，1個第1電極與多個第2電極的各自之間的靜電電容的變化按每個第1電極而被檢測，基於此來檢測操作面上的手指等的接觸位置。
在這樣的導電性薄膜的一例中，多個第1電極的每一個由沿第1方向延伸的多個第1電極線構成，多個第2電極的每一個由沿第2方向延伸的多個第2電極線構成。作為電極線，採用由銀或銅等金屬構成的細 線。透過採用金屬作為電極線的材料，能夠得到在接觸位置的檢測時的迅速的響應性和高分辨率，並且能夠實現觸控面板的大型化及製造成本的削減。
此外，在由將可視光吸收或反射的金屬構成電極線的形態下，從與操作面相對的方向來看，多個第1電極線和多個第2電極線形成這些電極線相互正交的柵格狀的圖案。另一方面，在層疊有觸控面板的顯示面板中，沿第1方向和第2方向劃分多個像素的黑矩陣也形成柵格狀的圖案。
在上述結構下，相互相鄰的第1電極線之間的間隔通常不同於相互相鄰的像素間的第2方向上的間隔，此外，相互相鄰的第2電極線之間的間隔也不同於相互相鄰的像素間的第1方向上的間隔。並且，從與操作面相對的方向來看，由第1電極線和第2電極線形成的柵格狀的周期構造、與劃分像素的柵格狀的周期構造重疊，從而有時2個周期構造的偏移感應出莫爾紋(moire)。如果莫爾紋被視覺識別到，則發生在顯示裝置上視覺識別到的圖像的品質的降低。
作為用於抑制這樣的莫爾紋的對策之一，提出了使電極線的周期構造的周期性降低的方案。若由多個電極線構成的圖案的周期性較低，則該電極線圖案難以被識別為周期構造，因此劃分像素的圖案即像素圖案與電極線圖案之間的偏移難以被識別為2個周期構造的偏移。因此，能夠抑制莫爾紋被視覺識別。
例如，在專利文獻1所記載的觸控面板中， 第1電極線和第2電極線各自具有將山部和谷部交替重複的折線形狀，由這些電極線構成的圖案具有與矩形不同的多邊形的重複構造。因而，這樣的電極線圖案的周期性與矩形排列的柵格狀的電極線圖案的周期性相比較低。
[先前技術文獻] [專利文獻]
專利文獻1：國際公開第2014/115831號
電極線圖案的周期性越低，電極線圖案越難以被識別為周期構造，因此像素圖案與電極線圖案的偏移越難以被識別為2個周期構造的偏移。因此，電極線圖案的周期性越低，越能抑制莫爾紋被視覺識別。例如，如果使電極線的形狀為不規則地彎曲的折線形狀，則與上述專利文獻1中記載的由具有規則的折線形狀的電極線構成的圖案相比，能夠進一步使電極線圖案的周期性降低。
另一方面，若電極線圖案的周期性較低，則在電極線圖案所在的區域內產生明亮度等的不均，從與操作面相對的方向來看，有產生感覺到呈沙狀分布的閃爍及畫面的眩光的、被稱作顆粒化(Grained)的現象的情況。若電極線圖案的周期性較低，則圖案內的電極線的密度發生偏移，因此認為這樣的電極線的疎密的差是產生顆粒化的一個原因。這樣，若電極線圖案的周期性過低，則由於顆粒化的原因，透過顯示裝置視覺識別的圖 像的品質降低。因此，希望考量莫爾紋和顆粒化來規定電極線圖案具有的周期性的程度。
本發明的目的在於，提供能夠抑制透過顯示裝置視覺識別的圖像的品質的降低的導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置。
解決上述課題的導電性薄膜，具備：透明電介質層，具有第1面、和與上述第1面相反的一側的面即第2面；多個第1電極線，在上述第1面，不規則彎曲且在第1方向上延伸，並且沿著與上述第1方向正交的第2方向排列；以及多個第2電極線，在上述第2面，不規則地彎曲且在上述第2方向上延伸，並且沿上述第1方向排列；從與上述第1面相對的方向來看，上述多個第1電極線和上述多個第2電極線構成的圖案是電極線圖案，以規定的周期重複彎曲的同時在上述第1方向上延伸並且沿上述第2方向排列的虛擬電極線是第1基準電極線，以規定的周期重複彎曲的同時在上述第2方向上延伸並且沿上述第1方向排列的虛擬電極線是第2基準電極線，多個上述第1基準電極線以及多個上述第2基準電極線中相互相鄰的上述基準電極線中，這些電極線具有的彎曲部相面對，上述多個第1基準電極線和上述多個第2基準電極線重合而得到的圖案是基準圖案，上述電極線圖案是使上述基準圖案中的上述彎曲部相對於各基準電極線中的上述彎曲部的排列順序不規則地位移後的圖案，在透過上述電極線圖案以及上述基準 圖案各自的二維傅立葉變換而得到的功率譜中，按規定的每個頻率寬度，用各頻率寬度中的頻譜強度的累計值除以上述頻率寬度後得到的值是頻譜密度，將上述基準圖案中的電極線的斜線部分的排列的周期性所帶來的峰值的空間頻率作為第1空間頻率，將對應於上述基準圖案中的上述第1基準電極線的上述周期的一半大小而出現的峰值的空間頻率作為第2空間頻率，將對應於上述基準圖案中的上述第1基準電極線的排列間隔的大小而出現的峰值的空間頻率作為第3空間頻率，將上述第1空間頻率的1/4的值、上述第2空間頻率、和第3空間頻率中的最小值以下的頻率區域作為規定頻率區域時，用上述電極線圖案中的上述規定頻率區域的上述頻譜密度的累計值除以上述基準圖案中的上述規定頻率區域的上述頻譜密度的累計值後得到的值的常用對數是第1評價值，上述第1評價值是3.6以下。
根據上述結構，在由不規則的彎曲線形狀的電極線構成的電極線圖案中，以抑制較強的顆粒化產生的程度，確保了圖案的周期性。因此，能夠抑制當電極線圖案與像素圖案重合時莫爾紋被視覺識別，並且還能夠抑制顆粒化被視覺識別。因此，能夠抑制透過顯示裝置視覺識別的圖像的品質的降低。
在上述結構中，也可以是，上述第1評價值是1.0以上。
根據上述結構，在電極線圖案中使周期構造視覺識別的周期性足夠低到抑制莫爾紋的程度。因此，當電極 線圖案與像素圖案重合時莫爾紋被適當地抑制。特別是，在電極線圖案中，在第2電極線的圖案相對於第1電極線的圖案的位置從理想位置偏移了的情況下，如果第1評價值為1.0以上，則還能夠抑制由這樣的偏移引起的周期構造被視覺識別，從而可靠地抑制莫爾紋。
在上述結構中，可以是，在多個上述第1基準電極線以及多個上述第2基準電極線中，相互相鄰的上述基準電極線間的間隙的長度相對於上述基準電極線的排列間隔的比例是5%以上且10%以下。
根據上述結構，由於基準電極線間的間隙不過大，所以能夠抑制在電極線圖案中產生由這樣的間隙引起的周期性進而視覺識別到莫爾紋的情況。此外，由於上述間隙不過小，所以在基於基準圖案的電極線圖案中，能夠精密地形成彎曲部附近的形狀。並且，在基準電極線間的間隙滿足上述比例的情況下，第1評價值作為關於顆粒化的指標，有效地發揮功能。
在上述結構中，可以是，在上述功率譜中，將上述第1空間頻率的1/2的頻率設為第4空間頻率時，用上述電極線圖案中的上述第4空間頻率下的上述頻譜密度除以上述電極線圖案中的上述規定頻率區域的上述頻譜密度的平均值後得到的值的常用對數是第2評價值，上述第2評價值是2.0以下。
根據上述結構，在電極線圖案中，能夠將第2電極線的圖案相對於第1電極線的圖案的位置從理想位置偏移了的情況下形成的周期構造的周期性抑制得較 低。因此，能夠抑制由於這樣的周期性而視覺識別到莫爾紋的情況。因此，在電極線圖案中產生了上述偏移的情況下，也能夠抑制透過顯示裝置視覺識別的圖像的品質的降低。
解決上述課題的觸控面板，具備上述導電性薄膜、覆蓋上述導電性薄膜的保護層、以及對配置在上述第1面的電極線與配置在上述第2面的電極線之間的靜電電容進行測定的周邊電路。
根據上述結構，能夠實現抑制莫爾紋的產生和顆粒化的產生的觸控面板。
解決上述課題的顯示裝置，具備：具有呈柵格狀排列的多個像素而對資訊進行顯示的顯示面板；使上述顯示面板顯示的上述資訊透過的觸控面板；以及控制上述觸控面板的驅動的控制部；上述觸控面板是上述觸控面板。
根據上述結構，抑制了莫爾紋的產生和顆粒化的產生，從而能夠抑制視覺識別到的圖像的品質的降低。
根據本發明，能夠抑制透過顯示裝置視覺識別的圖像的品質的降低。
A1、A2‧‧‧基軸線
D1‧‧‧第1方向
D2‧‧‧第2方向
fq‧‧‧空間頻率
fs‧‧‧第1空間頻率
fs2‧‧‧空間頻率
fw‧‧‧第2空間頻率
fp‧‧‧第3空間頻率
fh‧‧‧第4空間頻率
Gs、Gd‧‧‧電極線間間隔
Hs、Hd‧‧‧基準寬度
ND‧‧‧電容檢測部
Ps、Pd‧‧‧基準間隔
Rs、Rd‧‧‧位移率
Rg‧‧‧間隔率
Ss、Sd‧‧‧位移區域
Ws、Wd‧‧‧基準半周期
αs、αd‧‧‧基準角度
10‧‧‧顯示面板
11‧‧‧下側偏光板
12‧‧‧薄膜晶體管基板
13‧‧‧TFT層
14‧‧‧液晶層
15‧‧‧濾色器層
15P‧‧‧像素
16‧‧‧濾色器基板
17‧‧‧上側偏光板
20‧‧‧觸控面板
21‧‧‧導電性薄膜
22‧‧‧保護層
23‧‧‧透明黏接層
31‧‧‧透明基板
31DP‧‧‧驅動電極
31DR‧‧‧驅動電極線
31E‧‧‧短線部
31Q‧‧‧彎曲部
31S‧‧‧驅動電極面
33‧‧‧透明電介質基板
33E‧‧‧短線部
33Q‧‧‧彎曲部
33S‧‧‧感測電極面
33SP‧‧‧感測電極
33SR‧‧‧感測電極線
34‧‧‧選擇電路
35‧‧‧檢測電路
36‧‧‧控制部
40E‧‧‧基準短線部
40KR‧‧‧感測基準電極線
40Q‧‧‧基準彎曲部
41E‧‧‧基準短線部
41KR‧‧‧驅動基準電極線
41Q‧‧‧基準彎曲部
100‧‧‧顯示裝置
圖1是關於顯示裝置的第1實施方式而表示顯示裝置的截面構造的截面圖。
圖2是表示第1實施方式的導電性薄膜的平面構造的平面圖。
圖3是表示第1實施方式的顯示面板的像素排列的平面圖。
圖4是用於說明第1實施方式的觸控面板的電氣結構的示意圖。
圖5是表示第1實施方式的感測基準電極線的結構的圖。
圖6是表示第1實施方式的感測電極線的結構的圖。
圖7是表示第1實施方式的驅動基準電極線的結構的圖。
圖8是表示第1實施方式的驅動電極線的結構的圖。
圖9是表示第1實施方式的基準圖案的結構的圖。
圖10是表示第1實施方式的電極線圖案的結構的圖。
圖11是示意地表示透過對第1實施方式的基準圖案進行的二維傅立葉變換而得到的功率譜的圖。
圖12是表示第1實施方式的基準圖案的功率譜的空間頻率與頻譜(spectre)密度的關係的圖。
圖13是示意地表示透過對第1實施方式的電極線圖案進行的二維傅立葉變換而得到的功率譜的圖。
圖14是表示第1實施方式的電極線圖案的功率譜的空間頻率與頻譜密度的關係的圖。
圖15是表示第1實施方式的基準圖案的功率譜圖像的圖。
圖16是表示第1實施方式的電極線圖案的功率譜圖像的圖。
圖17是關於顯示裝置的第2實施方式而示意地表示透過對第2實施方式的基準圖案進行的二維傅立葉變換得到的功率譜的圖。
圖18是表示第2實施方式的基準圖案的功率譜的空間頻率與頻譜密度的關係的圖。
圖19是示意地表示透過對第2實施方式的電極線圖案進行的二維傅立葉變換而得到的功率譜的圖。
圖20是表示第2實施方式的電極線圖案的功率譜的空間頻率與頻譜密度的關係的圖。
圖21是表示變形例的顯示裝置的截面構造的截面圖。
圖22是表示變形例的顯示裝置的截面構造的截面圖。
(第1實施方式)
參照圖1~圖16，對導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置的第1實施方式進行說明。另外，各圖是為了說明第1實施方式的導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置而示意地表示了它們的結構的圖，各圖所示的結構具有的各部位的大小的比率有與實際的比率不同的情況。
〔顯示裝置的結構〕
參照圖1，對顯示裝置的結構進行說明。
如圖1所示，顯示裝置100例如具備將作為 液晶面板的顯示面板10和觸控面板20透過未圖示的1個透明黏接層貼合而成的層疊體，還具備用於驅動觸控面板20的電路和控制觸控面板20的驅動的控制部。另外，在將顯示面板10與觸控面板20的相對位置藉由框體等其他結構固定的前提下，上述透明黏接層也可以省略。
在顯示面板10的表面，劃分出大致矩形形狀的顯示面，在顯示面上，顯示基於圖像數據的圖像等資訊。
構成顯示面板10的構成要素按照距觸控面板20從遠到近的構成要素的順序，如以下那樣排列。即，按照距觸控面板20從遠到近的順序，具有下側偏光板11、薄膜晶體管(以下記作TFT)基板12、TFT層13、液晶層14、濾色器層15、濾色器基板16、上側偏光板17。
其中，在TFT層13，構成子像素的像素電極設置為矩陣狀。此外，濾色器層15具有的黑矩陣具有由具有矩形形狀的多個單位柵格構成的柵格形狀。並且，黑矩陣透過這樣的柵格形狀來劃分具有矩形形狀的多個區域作為與各個子像素相對的區域，在黑矩陣劃分的各區域，設置有將白色光變換為紅色、綠色以及藍色中的任一種顏色的光的著色層。
另外，顯示面板10是輸出有色的光的EL面板，只要是具有輸出紅色的光的紅色像素、輸出綠色的光的綠色像素以及輸出藍色的光的藍色像素的結構，則也可以省略上述的濾色器層15。這時，EL面板中相互相 鄰的像素的邊界部分作為黑矩陣發揮功能。此外，顯示面板10也可以是通過放電而發光的等離子面板，該情況下，劃分紅色的螢光體層、綠色的螢光體層和藍色的螢光體層的邊界部分作為黑矩陣而發揮功能。
觸控面板20是靜電電容方式的觸控面板，是將導電性薄膜21和保護層22藉由透明黏接層23貼合而成的層疊體，具有使顯示面板10顯示的資訊透過的光透過性。
詳細而言，構成觸控面板20的構成要素之中，按照距顯示面板10從近到遠的構成要素的順序，設置有透明基板31、多個驅動電極31DP、透明黏接層32、透明電介質基板33、多個感測電極33SP、透明黏接層23、保護層22。其中，透明基板31、驅動電極31DP、透明黏接層32、透明電介質基板33以及感測電極33SP構成導電性薄膜21。
透明基板31具有使顯示面板10的顯示面顯示的圖像等資訊透過的光透過性和絕緣性，與顯示面的整體重疊。透明基板31例如由透明玻璃基板、透明樹脂薄膜、矽基板等基材構成。作為在透明基板31中使用的樹脂，例如可以舉出PET(Polyethylene Terephthalate)、PMMA(Polymethyl methacrylate)、PP(Polypropylene)、PS(Polystyrene)等。透明基板31可以是由1個基材構成的單層構造體，也可以是將2個以上的基材重疊而成的多層構造體。
透明基板31的與顯示面板10相反側的面被 設定為驅動電極面31S，在驅動電極面31S，配置有多個驅動電極31DP。多個驅動電極31DP、以及驅動電極面31S中不具有驅動電極31DP的部分，透過1個透明黏接層32而與透明電介質基板33貼合。
透明黏接層32具有使顯示面上顯示的圖像等資訊透過的光透過性，在透明黏接層32中，例如使用聚醚類黏接劑、丙烯酸類黏接劑等。
透明電介質基板33具有使顯示面上顯示的圖像等資訊透過的光透過性、和適於電極間的靜電電容的檢測的相對介電常數。透明電介質基板33例如由透明玻璃基板、透明樹脂薄膜、矽基板等基材構成。作為在透明電介質基板33中使用的樹脂，例如可以舉出PET、PMMA、PP、PS等。透明電介質基板33可以是由1個基材構成的單層構造體，也可以是將2個以上的基材重疊而成的多層構造體。
多個驅動電極31DP被透明黏接層32貼合於透明電介質基板33，結果，在透明電介質基板33的與透明基板31相對的面即背面，排列有多個驅動電極31DP。
透明電介質基板33的與透明黏接層32相反側的面即表面被設定為感測電極面33S，在感測電極面33S，配置有多個感測電極33SP。即，透明電介質基板33被多個驅動電極31DP和多個感測電極33SP夾著。多個感測電極33SP、以及感測電極面33S中不具有感測電極33SP的部分，透過1個透明黏接層23而與保護層22 貼合。
透明黏接層23具有使顯示面上顯示的圖像等資訊透過的光透過性，在透明黏接層23中，例如使用聚醚類黏接劑、丙烯酸類黏接劑等。作為透明黏接層23而使用的黏接劑的種類可以是濕式層壓黏接劑，也可以是乾式層壓黏接劑或熱層壓黏接劑。
保護層22由強化玻璃等玻璃基板或樹脂薄膜等形成，保護層22的與透明黏接層23相反側的面是觸控面板20的表面，作為操作面20S而發揮功能。
另外，上述構成要素中，透明黏接層23也可以被省略。在將透明黏接層23省略的結構下，在保護層22具有的面中，與透明電介質基板33相對的面被設定為感測電極面33S，可以藉由形成於感測電極面33S的1個薄膜的圖案化，形成多個感測電極33SP。
此外，在製造觸控面板20時，可以採用將導電性薄膜21和保護層22用透明黏接層23貼合的方法，作為與這樣的製造方法不同的其他例，也可以採用以下的製造方法。即，在樹脂薄膜等的保護層22，直接形成或隔著基底層形成由銅等導電性金屬構成的薄膜層，在薄膜層之上形成具有感測電極33SP的圖案形狀的抗蝕劑層。接著，藉由利用氯化鐵等的濕式蝕刻法，將薄膜層加工為多個感測電極33SP，得到第一薄膜。此外，與感測電極33SP同樣地，將作為透明基板31發揮功能的其他樹脂薄膜所形成的薄膜層加工為多個驅動電極31DP，得到第二薄膜。並且，以使第1薄膜和第2薄膜 夾著透明電介質基板33的方式，透過透明黏接層23、32黏貼於透明電介質基板33。
〔導電性薄膜的平面構造〕
參照圖2，以感測電極33SP與驅動電極31DP的位置關係為中心，對導電性薄膜21的平面構造進行說明。另外，圖2是從與透明電介質基板33的表面相對的方向觀察導電性薄膜21的圖，雙點劃線所包圍的沿橫向延伸的各個帶狀區域表示配置有1個感測電極33SP的區域，雙點劃線所包圍的沿縱向延伸的各個帶狀區域表示配置有1個驅動電極31DP的區域。另外，感測電極33SP以及驅動電極31DP的數量進行了簡化表示。
此外，為了容易理解感測電極33SP和驅動電極31DP的結構，在圖2中僅針對位於最上側的感測電極33SP示出了構成感測電極33SP的感測電極線，在圖2中僅針對位於最左側的驅動電極31DP示出了構成驅動電極31DP的驅動電極線。
如圖2所示，在透明電介質基板33的感測電極面33S，多個感測電極33SP的每一個具有沿作為1個方向的第1方向D1延伸的帶形狀，並且沿與第1方向D1正交的第2方向D2排列。各感測電極33SP與相鄰的其他感測電極33SP彼此絕緣。
各感測電極33SP由多個感測電極線33SR構成，在感測電極面33S，配置有作為這些多個感測電極線33SR的集合的感測電極線群。感測電極線33SR的形 成材料使用銅、銀、鋁等的金屬膜，例如藉由蝕刻將成膜於感測電極面33S的金屬膜圖案化，從而形成感測電極線33SR。
多個感測電極33SP的每一個經由感測焊盤33P分別與作為觸控面板20的周邊電路的一例的檢測電路連接，藉由檢測電路來測定電流值。與1個感測焊盤33P連接的多個感測電極線33SR是構成1個感測電極33SP的感測電極線33SR。構成1個感測電極33SP的多個感測電極線33SR協同動作，對該感測電極33SP所在的區域的靜電電容的變化的檢測做出貢獻。
在透明基板31的驅動電極面31S，多個驅動電極31DP的每一個具有沿第2方向D2延伸的帶形狀，並且沿第1方向D1排列。各驅動電極31DP與相鄰的其他驅動電極31DP彼此絕緣。
各驅動電極31DP由多個驅動電極線31DR構成，在驅動電極面31S，配置有作為這些多個驅動電極線31DR的集合的驅動電極線群。驅動電極線31DR的形成材料使用銅、銀、鋁等的金屬膜，例如藉由蝕刻將成膜於驅動電極面31S的金屬膜圖案化，從而形成驅動電極線31DR。
多個驅動電極31DP的每一個經由驅動焊盤31P分別與作為觸控面板20的周邊電路的一例的選擇電路連接，透過接受選擇電路所輸出的驅動信號而被選擇電路選擇。與1個驅動焊盤31P連接的多個驅動電極線31DR是構成1個驅動電極31DP的驅動電極線31DR。 構成1個驅動電極31DP的多個驅動電極線31DR協同動作，對該驅動電極31DP所在的區域的靜電電容的變化的檢測做出貢獻。
在與透明電介質基板33的表面相對的俯視下，感測電極33SP和驅動電極31DP相互重合的部分是圖2的被雙點劃線劃分的具有四邊形狀的電容檢測部ND。1個電容檢測部ND是1個感測電極33SP與1個驅動電極31DP立體地交叉的部分，是在觸控面板20上能夠檢測使用者的手指等接觸的位置的最小單位。
另外，作為感測電極線33SR以及驅動電極線31DR的形成方法，不限於上述的蝕刻，例如也可以使用印刷法等其他方法。
〔顯示面板的平面構造〕
參照圖3，對顯示面板10中的濾色器層15的平面構造、即顯示面板10的像素排列進行說明。
如圖3所示，濾色器層15的黑矩陣15a具有由沿上述第1方向D1和上述第2方向D2排列的具有矩形形狀的多個單位柵格構成的柵格圖案。1個像素15P由沿第1方向D1連續的3個單位柵格構成，多個像素15P沿第1方向D1以及第2方向D2的每一個以柵格狀排列。
多個像素15P的每一個由用於顯示紅色的紅色著色層15R、用於顯示綠色的綠色著色層15G以及用於顯示藍色的藍色著色層15B構成。在濾色器層15中， 例如，紅色著色層15R、綠色著色層15G以及藍色著色層15B沿第1方向D1按該順序反復排列。此外，多個紅色著色層15R沿第2方向D2連續而排列，多個綠色著色層15G沿第2方向D2連續而排列，多個藍色著色層15B沿第2方向D2連續而排列。
1個紅色著色層15R、1個綠色著色層15G以及1個藍色著色層15B構成1個像素15P，多個像素15P以維持著第1方向D1上的紅色著色層15R、綠色著色層15G以及藍色著色層15B的排列順序的狀態，沿第1方向D1排列。此外，換言之，多個像素15P配置成沿第2方向D2延伸的條狀。
像素15P的沿第1方向D1的寬度是第1像素寬度P1，像素15P的沿第2方向D2的寬度是第2像素寬度P2。第1像素寬度P1以及第2像素寬度P2分別被設定為與顯示面板10的大小及顯示面板10所需求的分辨率等相對應的值。
〔觸控面板的電氣結構〕
參照圖4，將觸控面板20的電氣結構與顯示裝置100具備的控制部的功能一起進行說明。另外，以下，作為靜電電容方式的觸控面板20的一例，說明互容方式的觸控面板20的電氣結構。
如圖4所示，觸控面板20具備選擇電路34以及檢測電路35作為周邊電路。選擇電路34連接於多個驅動電極31DP，檢測電路35連接於多個感測電極 33SP，顯示裝置100具備的控制部36連接於選擇電路34和檢測電路35。
控制部36生成並輸出用於使選擇電路34開始生成針對各驅動電極31DP的驅動信號的開始定時信號。控制部36生成並輸出用於使選擇電路34從第一個驅動電極31DP1朝向第n個驅動電極31DPn依次掃描被供給驅動信號的對象的掃描定時信號。
控制部36生成並輸出用於使檢測電路35開始檢測流過各感測電極33SP的電流的開始定時信號。控制部36生成並輸出用於使檢測電路35從第一個感測電極33SP1朝向第n個感測電極33SPn依次掃描檢測的對象的掃描定時信號。
選擇電路34基於控制部36輸出的開始定時信號，開始驅動信號的生成，基於控制部36輸出的掃描定時信號，從第一個驅動電極31DP1朝向第n個驅動電極31DPn掃描驅動信號的輸出對象。
檢測電路35具備信號取得部35a和信號處理部35b。信號取得部35a基於控制部36輸出的開始定時信號，開始取得在各感測電極33SP中生成的作為模擬信號的電流信號。並且，信號取得部35a基於控制部36輸出的掃描定時信號，從第一個感測電極33SP1朝向第n個感測電極33SPn掃描電流信號的取得源。
信號處理部35b處理信號取得部35a取得的各電流信號，生成作為數字值的電壓信號，將生成的電壓信號向控制部36輸出。這樣，選擇電路34和檢測電 路35根據與靜電電容的變化相應地改變的電流信號生成電壓信號，從而測定驅動電極31DP與感測電極33SP之間的靜電電容的變化。
控制部36基於信號處理部35b輸出的電壓信號，檢測在觸控面板20上使用者的手指等接觸的位置，將檢測到的位置的資訊用於在顯示面板10的顯示面上顯示的資訊的生成等各種處理。另外，觸控面板20不限於上述的互容方式的觸控面板20，也可以是自容方式的觸控面板。
〔電極線圖案的構成〕
參照圖5~圖10，對藉由多個感測電極線33SR與多個驅動電極線31DR的重合而形成的電極線圖案的結構進行說明。
在第1實施方式中，感測電極線33SR和驅動電極線31DR分別具有不規則地彎曲的彎曲線形狀。多個感測電極線33SR構成的圖案以及多個驅動電極線31DR構成的圖案分別利用由規則的彎曲線構成的基準圖案來製作。
參照圖5，對作為多個感測電極線33SR構成的圖案的基礎的感測基準圖案進行說明。
如圖5所示，感測基準圖案由具有規則的折線形狀的虛擬的電極線即多個感測基準電極線40KR構成。多個感測基準電極線40KR分別是具有直線形狀且具有相互不同的傾斜度的2種基準短線部40E的集合， 包括沿第1方向D1交替地重複的2種基準短線部40E、和作為連接2種基準短線部40E的部分的基準彎曲部40Q。換言之，各感測基準電極線40KR將多個基準短線部40E經由基準彎曲部40Q相連，整體具有在第1方向D1上延伸的折線形狀。
2種基準短線部40E分別沿著基準短線部40E的延伸方向具有長度Lk。感測基準圖案包含的多個基準短線部40E的長度Lk全部相等。2種基準短線部40E之中，一方的基準短線部40Ea相對於作為沿第1方向D1延伸的虛擬直線的基軸線A1，具有角度+θk的傾斜度，另一方的基準短線部40Eb相對於基軸線A1，具有角度一θk的傾斜度。即，在感測基準圖案包含的多個基準短線部40E中，各基準短線部40E相對於基軸線A1的傾斜度的絕對值是一定的，在各感測基準電極線40KR中，上述傾斜度為正的基準短線部40E和上述傾斜度為負的基準短線部40E沿第1方向D1交替地重複。
沿著第1方向D1彼此相鄰的2個基準短線部40E所成的角的角度是基準角度αs，感測基準圖案中的基準角度αs全部相等。此外，基準角度αs被穿過基準彎曲部40Q且在沿著第2方向D2的方向上延伸的直線二等分。
感測基準電極線40KR的位於第2方向D2的一側的多個基準彎曲部40Q位於沿著第1方向D1延伸的直線上，感測基準電極線40KR的位於第2方向D2的另一側的多個基準彎曲部40Q也位於沿著第1方向D1 延伸的直線上。這些直線之間的長度，即位於第2方向D2的一側的基準彎曲部40Q與位於第2方向D2的另一側的基準彎曲部40Q之間的、沿著第2方向D2的長度，是基準寬度Hs。換言之，基準寬度Hs是在第2方向D2上1個感測基準電極線40KR所占的寬度，即，1個基準短線部40E的沿第2方向D2的長度。在感測基準圖案中，基準寬度Hs是一定的。
基準半周期Ws是沿感測基準電極線40KR排列的2個基準彎曲部40Q之間的沿第1方向D1的長度。換言之，基準半周期Ws是1個基準短線部40E的沿第1方向D1的長度，在感測基準圖案中，基準半周期Ws是一定的。並且，在感測基準電極線40KR中，沿第1方向D1相鄰的基準彎曲部40Q之間的長度是基準半周期Ws的2倍的長度，該基準半周期Ws的2倍的長度是感測基準電極線40KR中的彎曲的重複的1周期的長度。
在上述結構下，換言之，多個基準彎曲部40Q由作為第1虛擬彎曲部的一例的圖中山部、和作為第2虛擬彎曲部的一例的圖中谷部構成，第1虛擬彎曲部和第2虛擬彎曲部沿感測基準電極線40KR周期性地1個1個地交替排列。並且，多個第1虛擬彎曲部和多個第2虛擬彎曲部位於沿第1方向D1延伸的不同的直線上。
多個感測基準電極線40KR以在第1方向D1上相位錯開的狀態沿第2方向D2排列。即，在沿第2方向D2相互相鄰的感測基準電極線40KR中，沿第2方向D2排列的部分的相位互不相同。相位是感測基準電極 線40KR中的1周期內的第1方向D1上的位置，例如，是從作為谷部的基準彎曲部40Q到沿第1方向D1與該基準彎曲部40Q相鄰的作為谷部的基準彎曲部40Q為止的部分中的位置。
詳細而言，在相互相鄰的感測基準電極線40KR中，沿第2方向D2排列的部分成為反相位。換言之，相互相鄰的感測基準電極線40KR的相位反轉。例如，在圖5所示的區域S1的中央部分，當將谷部之間設為1周期時，圖中上側的感測基準電極線40KR的相位相當於1周期的開始位置，圖中下側的感測基準電極線40KR的相位相當於1周期的1/2的位置。在這樣的結構下，沿第2方向D2，作為山部的基準彎曲部40Q和作為谷部的基準彎曲部40Q交替地排列，此外，基準短線部40Ea和基準短線部40Eb交替地排列。換言之，在相互相鄰的感測基準電極線40KR中，這些電極線具有的基準彎曲部40Q相對。
多個感測基準電極線40KR沿第2方向D2以一定的排列間隔排列，該排列間隔是基準間隔Ps。即，基準間隔Ps是相互相鄰的感測基準電極線40KR中的、作為第1虛擬彎曲部的基準彎曲部40Q彼此之間、或者作為第2虛擬彎曲部的基準彎曲部40Q彼此之間的沿第2方向D2的距離。
沿第2方向D2相互相鄰的感測基準電極線40KR之間的間隙的長度是電極線間間隔Gs。換言之，電極線間間隔Gs是在相互相鄰的感測基準電極線40KR 中相對的2個基準彎曲部40Q之間、即一方的感測基準電極線40KR中的第1虛擬彎曲部與另一方的感測基準電極線40KR中的第2虛擬彎曲部之間的沿第2方向D2的距離。
若電極線間間隔Gs過大，則由於產生由電極線間間隔Gs引起的周期性的原因，在使根據感測基準圖案製作的電極線圖案與像素圖案重合的情況下容易產生莫爾紋。另一方面，若電極線間間隔Gs過小，則難以由電極線圖案精密地形成電極線的彎曲部附近。特別是，在電極線藉由金屬薄膜的蝕刻而形成的情況下，在彎曲部彼此接近的部分處，電極線的線寬度變得比設計尺寸粗，彎曲部附近容易被視覺識別為點狀。
從這樣的觀點來看，在將電極線間間隔Gs相對於基準間隔Ps的百分率設為間隔率Rg時，間隔率Rg較佳為0%以上且25%以下，更佳為5%以上且10%以下。
規定感測基準圖案的形狀的上述的各參數較佳被設定為，例如利用傅立葉解析在使感測基準圖案和顯示面板10的像素圖案重合時能夠抑制莫爾紋的產生的值。具體而言，計算出在使感測基準圖案與規定周期的像素圖案重合時產生的莫爾紋的對比度、及作為莫爾紋而被視覺識別的條紋的間距及角度，設定各參數的值，以使得莫爾紋不易被視覺識別。此時，較佳的是，針對互不相同的尺寸及互不相同的分辨率的多個顯示面板10具有的像素圖案，共通地求出抑制莫爾紋的產生的 各參數的值。成為重合的對象的多個顯示面板10只要至少包括具有互不相同的尺寸的2種顯示面板、或者具有互不相同的分辨率的2種顯示面板即可。
透過傅立葉解析，對被重合的圖案進行傅立葉變換而取得頻率資訊，在計算了得到的二維傅立葉圖案的卷積(convolution)後，施以二維遮罩(mask)，透過逆傅立葉變換進行圖像的重構。莫爾紋的間距由於比重合的原圖案的周期大，所以上述二維遮罩可以以透過二維遮罩將高頻成分去除、僅取出低頻成分的方式被施加。藉由將遮罩的大小設定為根據人的視覺響應特性決定的尺寸，在圖像的重構後，算出莫爾紋的對比度、間距、角度，基於此能夠判斷被視覺識別的莫爾紋的程度。
此外，基準間隔Ps較佳在顯示面板10的第1像素寬度P1及第2像素寬度P2的10%以上且600%以下的範圍中設定。第1像素寬度P1與第2像素寬度P2不同的情況下，可以以第1像素寬度P1以及第2像素寬度P2中的較大者的像素寬度為基準。只要基準間隔Ps為第1像素寬度P1以及第2像素寬度P2的10%以上，則由於根據感測基準圖案製作的電極線圖案內電極線所占的比例不會過於變得過剩，所以觸控面板20的光的透過率的降低得以抑制。另一方面，如果基準間隔Ps為第1像素寬度P1以及第2像素寬度P2的600%以下，則觸控面板的位置的檢測精度提高。
此外，基準角度αs較佳為95度以上且150度以下，更佳為100度以上且140度以下。如果基準角 度αs為95度以上，則基準短線部40E的數量變多而在圖案內電極線所占的比例過剩的情況得以抑制。另一方面，如果基準角度αs為150度以下，則基準半周期Ws被確保在不過大的範圍，容易將基準間隔Ps以及基準寬度Hs設定為適當的範圍內的值。
參照圖6，對根據感測基準圖案製作的感測電極線33SR的圖案進行說明。
如圖6所示，由多個感測電極線33SR構成的圖案是使多個感測基準電極線40KR中的基準彎曲部40Q的位置不規則地進行了位移後得到的圖案。圖6中，用細線表示感測基準電極線40KR，用粗線表示感測電極線33SR。
在使感測基準電極線40KR的基準彎曲部40Q的位置在包圍基準彎曲部40Q的三角形狀的位移區域Ss內移動了的位置上，配置感測電極線33SR的彎曲部33Q。1個感測電極線33SR具有使1個感測基準電極線40KR中的各基準彎曲部40Q的位置在每個基準彎曲部40Q的位移區域Ss內相對於基準彎曲部40Q的排列的順序不規則地位移了的形狀。透過使多個感測基準電極線40KR中的各基準彎曲部40Q的位置相對於各感測基準電極線40KR中的基準彎曲部40Q的排列的順序不規則地位移，形成由多個感測電極線33SR構成的圖案。
位移區域Ss配置為，具備具有沿第1方向D1延伸的底邊Bk的等腰三角形狀，底邊Bk朝向感測基準電極線40KR的外側，穿過基準彎曲部40Q而沿第2 方向D2延伸的直線穿過等腰三角形的頂點和底邊Bk的中點。底邊Bk配置在沿第2方向D2相互相鄰的感測基準電極線40KR之間的中央。並且，底邊Bk在針對一方的感測基準電極線40KR的基準彎曲部40Q設定的位移區域Ss、和針對與該基準彎曲部40Q相對的另一方的感測基準電極線40KR的基準彎曲部40Q設定的位移區域Ss之間被共用。即，位移區域Ss的底邊Bk被配置在，從第2方向D2上的感測基準電極線40KR的中央的位置起、在第2方向D2上離開了基準間隔Ps的1/2的長度的位置。
作為位移區域Ss的三角形的高度ds1、和底邊Bk的長度ds2被設定為，使得高度ds1相對於基準間隔Ps的比與長度ds2相對於基準半周期Ws的2倍的長度的比一致。高度ds1相對於該基準間隔Ps的比是位移率Rs。位移率Rs越大，位移區域Ss越大，即，彎曲部33Q相對於基準彎曲部40Q位移的範圍越大。因此，位移率Rs越大，感測電極線33SR的規則性越紊亂，感測電極線33SR的圖案的周期性越降低。
這樣製作的感測電極線33SR具有一邊不規則地反復彎曲一邊沿第1方向D1延伸的折線形狀。詳細而言，感測電極線33SR包括，多個彎曲部33Q、和將沿著感測電極線33SR相互相鄰的彎曲部33Q連結的具有直線形狀的多個短線部33E。彎曲部33Q是將相互相鄰的2個短線部33E連接的部分，作為第1彎曲部的一例的相當於圖中山部的彎曲部33Q和作為第2彎曲部的一 例的相當於圖中谷部的彎曲部33Q沿著感測電極線33SR一個一個地交替排列。彎曲部33Q配置在將感測基準電極線40KR的基準彎曲部40Q在位移區域Ss內位移後的位置，短線部33E位於將該彎曲部33Q連結的位置。
多個短線部33E的每一個沿著短線部33E的延伸方向具有長度Ls，在多個短線部33E中，包含具有彼此不同的長度Ls的短線部33E。即，在多個短線部33E中，長度Ls不是一定的。在沿第1方向D1排列的多個短線部33E之間，相對於短線部33E的排列的順序，長度Ls不規則地變化。多個短線部33E的每一個相對於基軸線A1具有傾斜度θs，在多個短線部33E中，包含具有彼此不同的大小的傾斜度θs的短線部33E。即，在多個短線部33E中，傾斜度θs的絕對值不是一定的。在沿第1方向D1排列的多個短線部33E之間，相對於短線部33E的排列的順序，傾斜度θs的絕對值不規則地變化。
參照圖7以及圖8，對作為多個驅動電極線31DR構成的圖案的基礎的驅動基準圖案、以及以驅動基準圖案為基礎而製作出的驅動電極線31DR的圖案進行說明。驅動基準圖案也與感測基準圖案同樣地，由具有規則的折線形狀的虛擬的電極線構成，藉由使驅動基準圖案的彎曲部位移，來製作驅動電極線31DR的圖案。
如圖7所示，作為構成驅動基準圖案的虛擬電極線的驅動基準電極線41KR包括沿第2方向D2交替重複的2種基準短線部41E、和作為將2種基準短線部41E連接的部分的基準彎曲部41Q。驅動基準圖案包括 的基準短線部41E的長度是一定的。2種基準短線部41E之中，一方的基準短線部41E相對於作為沿第2方向D2延伸的虛擬直線的基軸線A2，具有的傾斜度為正，另一方的基準短線部41E相對於基軸線A2，具有的傾斜度為負，這些傾斜度的絕對值相等。驅動基準電極線41KR中的位於第1方向D1的一側的基準彎曲部41Q和位於另一側的基準彎曲部41Q位於沿第2方向D2延伸的不同的直線上。
在驅動基準電極線41KR中，相互相鄰的2個基準短線部41E所成的角的角度是基準角度αd，驅動基準電極線41KR中的位於第1方向D1的一側的基準彎曲部41Q與位於第1方向D1的另一側的基準彎曲部41Q之間的沿著第1方向D1的長度是基準寬度Hd。沿驅動基準電極線41KR排列的2個基準彎曲部41Q之間的沿著第2方向D2的長度是基準半周期Wd。在驅動基準電極線41KR中，沿第2方向D2相鄰的基準彎曲部41Q之間的長度是基準半周期Wd的2倍的長度，該基準半周期Wd的2倍的長度是驅動基準電極線41KR中的彎曲的重複的1周期的長度。在驅動基準圖案中，基準角度αd、基準寬度Hd、基準半周期Wd分別是一定的。
多個驅動基準電極線41KR沿第1方向D1以作為一定的排列間隔的基準間隔Pd排列。多個驅動基準電極線41KR以在第2方向D2上錯開相位的狀態沿第1方向D1排列。相位是驅動基準電極線41KR中的在1周期內的第2方向D2上的位置。詳細而言，在相互相鄰的 驅動基準電極線41KR中，沿第1方向D1排列的部分成為反相位，這些電極線具有的基準彎曲部41Q相面對。
沿第1方向D1相互相鄰的驅動基準電極線41KR之間的間隙的長度是電極線間間隔Gd。電極線間間隔Gd被設定為，使得電極線間間隔Gd相對於基準間隔Pd的百分率即間隔率與感測基準圖案中的間隔率Rg一致。即，無論在感測基準圖案和驅動基準圖案的哪一個中，間隔率都成為規定的間隔率Rg。
這裏，關於基準半周期Ws、Wd以及基準間隔Ps、Pd，被設定為，感測基準電極線40KR的基準半周期Ws與驅動基準電極線41KR的基準間隔Pd一致(Ws=Pd)，驅動基準電極線41KR的基準半周期Wd與感測基準電極線40KR的基準間隔Ps一致(Wd=Ps)。另外，當這樣設定基準半周期Ws、Wd以及基準間隔Ps、Pd時，只要感測基準電極線40KR的基準角度αs與驅動基準電極線41KR的基準角度αd的至少一方包含在作為上述基準角度αs的較佳範圍而示出的範圍中即可。
如圖8所示，由多個驅動電極線31DR構成的圖案是使多個驅動基準電極線41KR中的基準彎曲部41Q的位置不規則地位移後得到的圖案。在圖8中，用細線表示驅動基準電極線41KR，用粗線表示驅動電極線31DR。
在使驅動基準電極線41KR的基準彎曲部41Q的位置在包圍基準彎曲部41Q的三角形狀的位移區域Sd內發生了移動後的位置，配置有驅動電極線31DR 的彎曲部31Q。1個驅動電極線31DR具有將1個驅動基準電極線41KR中的各基準彎曲部41Q的位置在每個基準彎曲部41Q的位移區域Sd內相對於基準彎曲部41Q的排列的順序進行了不規則地位移後的形狀。
位移區域Sd配置為，具備具有沿第2方向D2延伸的底邊的等腰三角形狀，底邊朝向驅動基準電極線41KR的外側，穿過基準彎曲部41Q的沿第1方向D1延伸的直線穿過等腰三角形的頂點和底邊的中點。底邊配置在沿第1方向D1相互相鄰的驅動基準電極線41KR之間的中央。
作為位移區域Sd的三角形的高度dd1和底邊的長度dd2被設定為，使得高度dd1相對於基準間隔Pd的比與長度dd2相對於基準半周期Wd的2倍的長度的比一致。高度dd1相對於該基準間隔Pd的比是位移率Rd，位移率Rd與位移率Rs一致。
這樣製作的驅動電極線31DR包括多個彎曲部31Q、和將沿驅動電極線31DR相互相鄰的彎曲部31Q連結的具有直線形狀的多個短線部31E。彎曲部31Q被配置在使驅動基準電極線41KR的基準彎曲部41Q在位移區域Sd內發生了位移後的位置，短線部31E位於將該彎曲部31Q連結的位置。
在各驅動電極線31DR中，短線部31E的沿著延伸方向的長度，在沿第2方向D2排列的多個短線部31E之間，相對於短線部31E的排列的順序不規則地變化。此外，在各驅動電極線31DR中，短線部31E相對 於基軸線A2的傾斜度的絕對值，在沿第2方向D2排列的多個短線部31E之間，相對於短線部31E的排列的順序不規則地變化。
參照圖9以及圖10，對藉由將多個感測電極線33SR和多個驅動電極線31DR重合而形成的電極線圖案進行說明。
在導電性薄膜21中，從與透明電介質基板33的表面相對的方向來看，形成將由多個感測電極線33SR構成的圖案和由多個驅動電極線31DR構成的圖案重合後的圖案即電極線圖案。此時，以使感測電極33SP的延伸方向與驅動電極31DP的延伸方向正交的方式，將這些電極線重疊。這樣的電極線圖案是彎曲部相對於基準圖案被不規則地位移後的圖案，上述基準圖案是，將感測基準圖案和驅動基準圖案以使第1方向D1和第2方向D2正交的方式重合而得到的圖案。
圖9表示基准圖案。在Ws=Pd並且Wd=Ps的情況下，感測基準電極線40KR相對於驅動基準電極線41KR的配置、即基準彎曲部40Q及基準短線部40E相對於基準彎曲部41Q及基準短線部41E的位置在基準圖案內是一定的。因此，在基準圖案中，能夠提高電極線的配置的密度的均勻性，並且，抑制了電極線圖案中的電極線的配置的密度在圖案內過度地不均勻的情況。
具體而言，如圖9所示，在基準圖案中，感測基準電極線40KR的基準彎曲部40Q，在相互相鄰的驅動基準電極線41KR之間的中央部，與這些電極線間 的間隙重疊。此外，驅動基準電極線41KR的基準彎曲部41Q在相互相鄰的感測基準電極線40KR之間的中央部，與這些電極線間的間隙重疊。並且，感測基準電極線40KR的基準短線部40E的中點與驅動基準電極線41KR的基準短線部41E的中點交叉。
圖10表示基於圖9所示的基準圖案而製作出的電極線圖案。如以直線狀延伸的電極線交叉的圖案那樣，與重複同一形狀的矩形的圖案相比，本實施方式的電極線圖案是由不同於矩形的多邊形構成的圖案，所以圖案的周期性低。因此，像素圖案與電極線圖案的偏移不易被識別為2個周期構造的偏移，從而在使本實施方式的電極線圖案與顯示面板10的像素圖案重合的情況下，能夠抑制莫爾紋被視覺識別。結果，能夠抑制透過顯示裝置100視覺識別的圖像的品質的降低。
特別是，構成電極線圖案的感測電極線33SR以及驅動電極線31DR各自具有不規則的彎曲線形狀，從而與由具有規則的彎曲線形狀的電極線形成圖案的情況相比，圖案的周期性進一步降低。因此，在使電極線圖案與像素圖案重合的情況下，能夠更適當地抑制莫爾紋被視覺識別。
此外，透過將基準角度αs、αd及基準半周期Ws、Wd等參數設定為不易產生莫爾紋的值，基準圖案中的感測基準電極線40KR以及驅動基準電極線41KR的形狀成為容易抑制莫爾紋的形狀。並且，透過這樣的容易抑制莫爾紋的基準圖案的周期性的紊亂，電極線圖案 成為更加抑制莫爾紋被視覺識別的圖案。
此外，在基準圖案中，相互相鄰的電極線的相位偏移，從而沿第1方向D1及第2方向D2，不會引起同一傾斜度的基準短線部40E、41E排列，在根據基準圖案製作的電極線圖案中，也能夠抑制同一傾斜度的斜線部分排列。若同一的傾斜度的斜線部分排列，則這些斜線部分構成的帶狀的區域以沿電極線的排列方向延伸的方式形成，進而，若斜線部分的傾斜度互不相同的2種帶狀的區域交替排列，則有帶狀的圖案特別是在顯示裝置100非點亮時由於外光的反射而被視覺識別的情況。
在本實施方式中，由於抑制同一傾斜度的斜線部分排列，所以抑制這樣的帶狀的圖案被視覺識別，結果，能夠抑制從操作面20S看到的觸控面板20的外觀的品質降低。
〔電極線圖案的周期性的評價〕
參照圖11~圖16，利用藉由FFT(Fast Fourier Transformation，快速傅立葉變換)對本實施方式的電極線圖案所具有的周期性與顆粒化的產生的關係進行解析的結果進行考察。
圖11是示意地表示設第1方向D1為水平方向、設第2方向D2為垂直方向、對基準圖案即感測基準電極線40KR與驅動基準電極線41KR重合後的圖案進行二維傅立葉變換從而得到的功率譜的一例的圖。圖11將 特徵性峰值強調表示，省略了與基準圖案關聯低的微弱點。另外，圖15表示關於基準圖案的一例的實際的功率譜的圖像。
如圖11所示，在二維的頻率空間，出現了表示由基準圖案中的基準短線部40E、41E的排列、換言之折線的斜線部分的排列的周期性帶來的頻率成分的峰值的輝點G1。與輝點G1對應的空間頻率是第1空間頻率fs。輝點G1相對於水平方向的軸即u軸以及垂直方向的軸即v軸分別對稱地出現，相對於原點而言，出現輝點G1的方向根據基準角度αs、αd的大小決定。
此外，在u軸上及v軸上，出現了輝點G2、G3，該輝點G2、G3表示由基準圖案中的基準彎曲部40Q、41Q的排列、換言之折線的頂點部分的排列的周期性帶來的頻率成分的峰值。其中，輝點G2位於u軸上，與輝點G2對應的空間頻率是第2空間頻率fw。輝點G2相對於原點對稱地出現，輝點G2的位置根據基準半周期Ws的大小即基準間隔Pd的大小決定。此外，輝點G3位於v軸上，與輝點G3對應的空間頻率是第3空間頻率fp。輝點G3相對於原點對稱地出現，輝點G3的位置根據基準間隔Ps的大小即基準半周期Wd的大小決定。
此外，在輝點G1出現的方向上，出現了表示高次成分的峰值的輝點G4。輝點G4出現在與第1空間頻率fs的整數倍對應的位置。
圖12是定量地表示基準圖案的功率譜中的每個空間頻率的頻譜強度的圖。詳細而言，圖12所示的 曲線圖的橫軸是空間頻率，縱軸是頻譜密度的常用對數值。
頻譜密度是按每個規定的頻率寬度表示頻譜的強度的尺度。以下說明頻譜密度的算出方法。首先，將功率譜所示的空間頻率分割為規定的微小範圍。該範圍是單位頻率寬度。接著，按每個單位頻率寬度，將各範圍中包含的空間頻率中的頻譜強度累計。並且，藉由用每個單位頻率寬度的頻譜強度的累計值除以單位頻率寬度的大小，求出各單位頻率寬度的頻譜密度。單位頻率寬度的大小是1個範圍中包含的空間頻率的值的寬度。圖12表示對各單位頻率寬度的頻譜密度的常用對數進行繪圖後得到的點的近似曲線。
如圖12所示，關於與圖11的功率譜中出現的輝點G1、G2、G3對應的空間頻率fw、fp、fs以及與高次成分對應的空間頻率fs2，形成了突出的峰值。第2空間頻率fw以及第3空間頻率fp各自的峰值小於第1空間頻率fs的峰值。
圖13是示意性地表示將第1方向D1設為水平方向且將第2方向D2設為垂直方向，對將本實施方式的電極線圖案、即感測電極線33SR與驅動電極線31DR重合後的圖案進行二維傅立葉變換而得到的功率譜的一例的圖。另外，圖16表示關於電極線圖案的一例的實際的功率譜的圖像。
如圖13所示，由於藉由彎曲部的位移而使電極線圖案的周期性相對於基準圖案變低，在電極線圖案 的功率譜中，出現呈帶狀分布的許多點。該呈帶狀地分布點的區域從原點起擴展到出現輝點G2、G3的位置附近，並且在以出現輝點G1的方向為中心的方向上，向高頻區域延伸。
圖14是透過與圖12相同的方法、以電極線圖案的功率譜為對象而用實線表示空間頻率與頻譜密度的關係、以基準圖案的功率譜為對象而用單點劃線表示空間頻率與頻譜密度的關係的圖。頻譜密度與圖12相同，用常用對數表示。
如圖14所示，在電極線圖案中，峰值分散，與基準圖案相比，發生突出的峰值的衰減、消失。特別是，電極線圖案和基準圖案在低頻區域差異大，在電極線圖案中，與空間頻率fw、fp對應的峰值埋沒於分散的峰值。
在電極線圖案的低頻區域中，觀察不到突出的峰值，頻譜密度的大小整體上增大，這表示在該區域，不是單一的峰值，而是混合存在分散的各種峰值。這表示，在電極線圖案中，在低頻率即視覺識別性高的頻率下看到特定的周期構造的情況得以抑制，另一方面，如在電極線圖案中如霧化般看起來不均勻、即產生顆粒化的因素增大。因此，對於基準圖案，若電極線圖案的低頻區域下的頻譜密度的增大過大，則雖然不易產生莫爾紋但容易較強地觀察到顆粒化。
因此，為了減少莫爾紋和顆粒化進而抑制透過顯示裝置100視覺識別的圖像的品質的降低，本案的 發明者導入了以下說明的第1評價值Ev1，作為評價以下內容的參數，所評價的內容為：可以容許將基準圖案紊亂到何種程度的圖案作為電極線圖案，換言之，可以容許低頻區域下的頻譜密度的增大達到何種程度。
首先，說明在第1評價值Ev1的計算中使用的規定頻率區域。規定頻率區域是作為第1空間頻率fs的1/4的值的空間頻率fq、第2空間頻率fw、以及第3空間頻率fp這3個頻率值中的最小值以下的頻率區域。例如，在圖14中，空間頻率fq以下的頻率區域是規定頻率區域。
並且，第1評價值Ev1是用電極線圖案的規定頻率區域的頻譜密度的累計值除以基準圖案的規定頻率區域的頻譜密度的累計值而得到的值的常用對數。即，第1評價值Ev1是電極線圖案相對於基準圖案的、規定頻率區域的頻譜密度的比的常用對數。頻譜密度的累計值例如作為每個單位頻率寬度的頻譜密度的總和而被求出。
參照表1，描述關於第1評價值Ev1與顆粒化的發生程度之間的關係的實驗結果。表1關於使位移率Rs變化而製作的多個電極線圖案，表示對顆粒化的發生的程度進行評價後得到的結果。在電極線圖案的製作中使用的基準圖案中，基準半周期Ws、以及與基準半周期Ws一致的基準間隔Pd是包含在250μm以上且350μm以下的範圍中的規定的值，基準間隔Ps、以及與基準間隔Ps一致的基準半周期Wd是包含在150μm以上且 250μm以下的範圍中的規定的值。另外，表1的第1評價值Ev1用如下的值表示，即：按每個電極線圖案將電極線圖案與成為該電極線圖案的基礎的基準圖案作為對象算出、並將小數第2位以下四捨五入後的值。
顆粒化的評價透過目視進行。在顆粒化的評價中，將顆粒化的強度分為4個階段，將顆粒化不被視覺識別到的情況作為“◎”，將視覺識別到較弱的顆粒化的情況作為“○”，將視覺識別到中等程度的顆粒化的情況作為“△”，將視覺識別到較強的顆粒化的情況作為“×”。另外，視覺識別到顆粒化意味著，在圖案所在的區域感覺到呈沙狀分布的閃爍，或看到區域閃爍。
如表1所示，在第1評價值Ev1為3.6以下的電極線圖案中，視覺識別不到較強的顆粒化。即，如 果第1評價值Ev1為3.6以下，則顆粒化的發生被抑制。此外，確認到間隔率Rg越小即電極線間間隔Gs、Gd越小、則顆粒化變弱的第1評價值Ev1的值越變大的傾向。可以認為這是因為，電極線間間隔Gs、Gd越大，由電極線間間隔Gs、Gd引起的周期性帶來的峰值在基準圖案中越大，從而在基準圖案與電極線圖案中，低頻區域的頻譜密度的累計值的差變小。
在間隔率Rg的較佳範圍即5%以上且10%以下的範圍中，當使位移率Rs從0變化到1.0時，第1評價值Ev1為0~4左右。第1評價值Ev1為這樣的範圍的情況下，如果是以3.6為閾值而透過第1評價值Ev1判斷電極線圖案是否良好的結構，則特別是，第1評價值Ev1作為關於顆粒化的指標，有效地發揮功能。
此外，較佳的是，為了抑制莫爾紋，與基準圖案相比，透過電極線圖案使周期構造不易被視覺識別到，即低頻區域中的頻譜密度的累計值適度大。從這樣的觀點來看，第1評價值Ev1較佳為1.0以上。
另外，在第1實施方式中，透明電介質基板33是透明電介質層的一例。並且，透明電介質基板33的表面是第1面的一例，透明電介質基板33的背面是第2面的一例，感測電極線33SR是第1電極線的一例，驅動電極線31DR是第2電極線的一例。進而，感測基準電極線40KR是第1基準電極線的一例，驅動基準電極線41KR是第2基準電極線的一例。
如以上說明的那樣，根據第1實施方式，能 夠得到以下列舉的效果。
(1)如果是第1評價值Ev1為3.6以下的電極線圖案，則在由不規則的彎曲線形狀的電極線構成的電極線圖案中，以可以抑制較強的顆粒化產生的程度，確保了圖案的周期性。因此，抑制了在電極線圖案與像素圖案重合時莫爾紋被視覺識別的情況，並且還抑制了顆粒化被視覺識別。因此，能夠抑制透過顯示裝置100視覺識別的圖像的品質的降低。
(2)如果是第1評價值Ev1為1.0以上的電極線圖案，則在電極線圖案中使周期構造能視覺識別的周期性足夠低到莫爾紋被抑制的程度。因此，當電極線圖案與像素圖案重合時莫爾紋被適當地抑制。
(3)如果間隔率Rg為5%以上且10%以下，則由於電極線間間隔Gs、Gd不過大，所以抑制了在電極線圖案中產生起因於電極線間間隔Gs、Gd的周期性而莫爾紋被視覺識別的情況。此外，由於電極線間間隔Gs、Gd不過小，所以能夠藉由電極線圖案將電極線的彎曲部附近的形狀精密地形成，例如，抑制了電極線的線寬局部地變粗而被視覺識別為點狀的情況。
(第2實施方式)
參照圖17~圖20，對導電性薄膜、觸控面板以及顯示裝置的第2實施方式進行說明。以下，以第2實施方式與第1實施方式的不同點為中心進行說明，對於與第1實施方式相同的結構賦予相同符號而將其說明省略。
第2實施方式的電極線圖案，與第1實施方式同樣地，由具有不規則的彎曲線形狀的多個感測電極線33SR以及多個驅動電極線31DR構成。第2實施方式的電極線圖案，也與第1實施方式同樣地，透過使由感測基準電極線40KR以及驅動基準電極線41KR構成的基準圖案中的彎曲部的位置不規則地位移而製作。
此外，在形成導電性薄膜21時，藉由將形成有感測電極線33SR的基板和形成有驅動電極線31DR的基板貼合，來形成電極線圖案。此時，若重合的基板彼此的位置從設計上的位置偏移，則驅動電極線31DR的圖案相對於感測電極線33SR的圖案的位置也從設計上的位置即理想的位置偏移。有時，作為這樣的圖案的偏移的表裏偏移使電極線圖案中產生新的周期構造，該周期構造成為莫爾紋的要因。
圖17是示意地表示將第1方向D1設為水平方向且將第2方向D2設為垂直方向、對發生表裏偏移的基準圖案進行二維傅立葉變換而得到的功率譜的一例的圖。圖17將特徵性峰值強調表示，省略了與圖案關聯低的微弱點。
在圖17所示的功率譜中，與圖11所示的無表裏偏移的基準圖案的功率譜相比，除了輝點G1~G4以外，還出現了輝點G5，該輝點G5表示因表裏偏移即感測基準圖案與驅動基準圖案的偏移而產生的周期所帶來的頻率成分的峰值。與輝點G5對應的空間頻率是第4空間頻率fh。輝點G5出現在與輝點G1相同方向上，第 4空間頻率fh小於第1空間頻率fs。詳細而言，因表裏偏移而產生的周期為因斜線部分的排列而產生的周期的2倍周期，與這樣的周期對應的頻率是第4空間頻率fh。即，第4空間頻率fh是第1空間頻率fs的1/2的空間頻率。
圖18是透過與圖12相同的方法、以產生了表裏偏移的基準圖案的功率譜為對象、表示空間頻率與頻譜密度的關係的圖。頻譜密度與圖12同樣地，用常用對數表示。
如圖18所示，在產生了表裏偏移的基準圖案中，與圖12所示的沒有產生表裏偏移的基準圖案的情況相比，在低頻區域，產生了突出的峰值，作為與第4空間頻率fh對應的峰值。
圖19是示意地表示以第1方向D1為水平方向且以第2方向D2為垂直方向、對產生了表裏偏移的電極線圖案進行二維傅立葉變換從而得到的功率譜的一例的圖。此外，圖20是藉由與圖12相同的方法、以產生了表裏偏移的電極線圖案的功率譜為對象、用實線表示空間頻率與頻譜密度的關係、並且以發生了表裏偏移的基準圖案的功率譜為對象、用單點劃線表示空間頻率與頻譜密度的關係的圖。頻譜密度與圖12同樣地，用常用對數表示。
如圖19所示，與圖13同樣地，藉由彎曲部的位移，從而相對於基準圖案而言，電極線圖案的周期性變低，起因於此，在電極線圖案的功率譜中，出現以 帶狀分布的許多點。如圖20所示，在電極線圖案中，峰值分散，與基準圖案相比，發生了突出的峰值的衰減、消失。由表裏偏移引起的第4空間頻率fh所對應的峰值也有埋沒於分散的峰值的傾向，但根據因表裏偏移產生的周期構造的周期性的程度、以及電極線圖案中的周期性的紊亂的程度，如圖20所示，有第4空間頻率fh的峰值從周圍突出的情況。
如在第1實施方式中說明的那樣，關於電極線圖案，在低頻區域中，形成單一的峰值作為突出的峰值意味著以視覺識別性高的頻率形成特定的周期構造而周期構造容易被識別，莫爾紋容易被視覺識別。
因此，第4空間頻率fh的峰值從周圍突出的程度小的情況下，能夠抑制莫爾紋的發生。
因此，為了降低基於表裏偏移的莫爾紋而抑制透過顯示裝置100視覺識別的圖像的品質的降低，本案的發明者導入了以下說明的第2評價值Ev2，作為評價如下內容的參數，所述內容為：能夠允許第4空間頻率fh的峰值的大小相對於周圍的頻譜密度而言大到何種程度。
在第2評價值Ev2的計算中，與第1實施方式同樣，使用了規定頻率區域。規定頻率區域與第1實施方式同樣，是第1空間頻率fs的1/4的值即空間頻率fq、第2空間頻率fw以及第3空間頻率fp這3個頻率值中的最小值以下的頻率區域。例如，在圖20中，空間頻率fq以下的頻率區域是規定頻率區域。
並且，第2評價值Ev2是用電極線圖案的第4空間頻率fh中的頻譜密度除以電極線圖案的規定頻率區域中的頻譜密度的平均值而得到的值的常用對數。即，第2評價值Ev2是電極線圖案的、第4空間頻率fh中的頻譜密度相對於規定頻率區域中的頻譜密度平均值的比的常用對數。頻譜密度的平均值例如作為各單位頻率寬度的頻譜密度的平均而被求出。
如果第2評價值Ev2為2.0以下，則由於第4空間頻率fh中的頻譜密度相對於周圍不過大，所以良好地抑制了基於表裏偏移的莫爾紋。特別是，與理想的電極線圖案相比，驅動電極線31DR的圖案相對於感測電極線33SR的圖案的位置在第1方向D1上偏移xμm並且在第2方向D2上偏移yμm，x2+y2>450時，容易產生基於表裏偏移的莫爾紋。因此，當產生了成為x2+y2>450的表裏偏移時，若以2.0為閾值而將第2評價值Ev2用作莫爾紋的程度的指標，則能夠適當地降低莫爾紋。
此外，在產生了表裏偏移的情況下，如在第1實施方式中說明的那樣，如果以第1評價值Ev1成為1.0以上的方式構成電極線圖案，則還能夠抑制由表裏偏移形成的周期構造被視覺識別的情況，從而能夠可靠地抑制莫爾紋。
若以上說明的那樣，根據第2實施方式，除了第1實施方式的(1)~(3)的效果外，還能得到以下的效果。
(4)如果第2評價值Ev2為2.0以下，則在產生了電極線圖案的表裏偏移的情況下所形成的周期構造的周期性被抑制得較低。因此，能夠抑制由於這樣的周期性而莫爾紋被視覺識別的情況。因此，即使是電極線圖案中產生了表裏偏移的情況，也能夠抑制透過顯示裝置100視覺識別的圖像的品質的降低。
(5)如果第1評價值Ev1為1.0以上，則在電極線圖案中產生了表裏偏移的情況下，也能夠抑制包含由表裏偏移引起的周期構造在內的低頻的周期構造被視覺識別的情況，從而能夠可靠地抑制莫爾紋被視覺識別。
(變形例)
上述各實施方式能夠如以下那樣變更實施。
‧上述各實施方式中，對於感測基準圖案的基準彎曲部40Q和驅動基準圖案的基準彎曲部41Q，設定相同的位移率Rs、Rd的位移區域Ss、Sd，將彎曲部33Q、31Q配置到在該位移區域Ss、Sd內發生了位移的位置上，從而製作出電極線圖案。電極線圖案的製作手法不限於此，例如，感測基準圖案的位移率Rs與驅動基準圖案的位移率Rd也可以不同，位移區域Ss、Sd的形狀也可以不是等腰三角形。此外，也可以按在相互鄰接的基準電極線中相對的基準彎曲部的每個組，使彎曲部位移，也可以僅在電極線的排列方向或電極線的延伸方向上使彎曲部位移。此外，使相對的基準彎曲部發生位移後得到的彎曲部、即在電極線圖案中相互相鄰的電極線的彎曲 部也可以接觸。此外，在感測基準圖案和驅動基準圖案中，間隔率也可以不同。總之，電極線圖案是使基準圖案中的彎曲部相對於各基準電極線40KR、41KR中的彎曲部的排列順序不規則地位移後的圖案即可。另外，用於決定基準圖案的各參數，例如能夠藉由電極線圖案的特徵解析、從電極線圖案的功率譜提取輝點等而導出。
‧在上述各實施方式中，感測電極線33SR的彎曲部33Q以及驅動電極線31DR的彎曲部31Q是將直線形狀的短線部33E、31E相連的點狀的部分。不限於此，彎曲部33Q、31Q也可以是將在電極的延伸方向上相互相鄰的2個短線部33E、31E以曲線狀相連的部分。
‧電極線圖案至少在以下部分具有第1實施方式及第2實施方式的特徵即可，上述部分被配置於希望抑制圖像的品質降低的區域、例如從操作面20S來看的中央的區域等。此外，由多個感測電極線33SR構成的圖案可以是該圖案中包含的一部分區域的圖案沿第1方向D1及第2方向D2重複的圖案。同樣，由多個驅動電極線31DR構成的圖案也可以是該圖案中包含的一部分區域的圖案沿第1方向D1及第2方向D2重複的圖案。該情況下，上述一部分區域即重複的單位區域中包含的部分是第1電極線或第2電極線。
‧如圖21所示，構成觸控面板20的導電性薄膜21中，也可以省略透明基板31以及透明黏接層32。在這樣的結構下，在透明電介質基板33的面中，與顯示面板10相對的背面被設定為驅動電極面31S，驅動電極 31DP位於驅動電極面31S。並且，透明電介質基板33中的與背面相反側的面即表面是感測電極面33S，感測電極33SP位於感測電極面33S。另外，在這樣的結構下，驅動電極31DP例如透過利用蝕刻對形成於透明電介質基板33的一面的1個薄膜進行圖案化而形成，感測電極33SP例如透過利用蝕刻對形成於透明電介質基板33的另一面的1個薄膜進行圖案化而形成。
另外，如上述各實施方式那樣，在將感測電極33SP和驅動電極31DP形成在互不相同的基材上的結構下，與在1個基材的兩面形成電極線的結構相比，電極線的形成是容易的，另一方面，容易產生表裏偏移。因此，在將感測電極33SP和驅動電極31DP形成在互不相同的基材上的結構下，採用第2實施方式的結構時效果好。
‧如圖22所示，在觸控面板20中，也可以從距顯示面板10較近的構成要素起，依次存在驅動電極31DP、透明基板31、透明黏接層32、透明電介質基板33、感測電極33SP、透明黏接層23、保護層22。
在這樣的結構下，例如，驅動電極31DP形成在成為透明基板31的驅動電極面31S的1個面上，感測電極33SP形成在成為透明電介質基板33的感測電極面33S的1個面上。並且，透明基板31中驅動電極面31S的相反側的面和透明電介質基板33中感測電極面33S的相反側的面透過透明黏接層32黏接。該情況下，透明基板31、透明黏接層32以及透明電介質基板33構 成透明電介質層，透明電介質基板33的感測電極面33S是第1面，透明基板31的驅動電極面31S是第2面。
‧顯示面板10和觸控面板20也可以不單獨地形成，觸控面板20也可以與顯示面板10一體地形成。在這樣的結構下，例如，能夠做成導電性薄膜21中的多個驅動電極31DP位於TFT層13、另一方面多個感測電極33SP位於濾色器基板16與上側偏光板17之間的in-cell型的結構。或者，也可以是導電性薄膜21位於濾色器基板16與上側偏光板17之間的on-cell型的結構。在這樣的結構下，被驅動電極31DP和感測電極33SP夾著的層構成透明電介質層。

Claims (6)

  1. 一種導電性薄膜，其具備：透明電介質層，具有第1面、和與上述第1面相反的一側的面即第2面；多個第1電極線，在上述第1面，不規則彎曲且在第1方向上延伸，並且沿著與上述第1方向正交的第2方向排列；以及多個第2電極線，在上述第2面，不規則地彎曲且在上述第2方向上延伸，並且沿上述第1方向排列；從與上述第1面相對的方向來看，上述多個第1電極線和上述多個第2電極線構成的圖案是電極線圖案，以規定的周期重複彎曲的同時在上述第1方向上延伸並且沿上述第2方向排列的虛擬電極線是第1基準電極線，以規定的周期重複彎曲的同時在上述第2方向上延伸並且沿上述第1方向排列的虛擬電極線是第2基準電極線，多個上述第1基準電極線以及多個上述第2基準電極線中相互相鄰的上述基準電極線中，這些電極線具有的彎曲部相面對，上述多個第1基準電極線和上述多個第2基準電極線重合而成的圖案是基準圖案，上述電極線圖案是，使上述基準圖案中的上述彎曲部相對於各基準電極線中的上述彎曲部的排列順序不規則地進行位移後的圖案，在藉由上述電極線圖案以及上述基準圖案各自的 二維傅立葉變換而得到的功率譜中，按規定的每個頻率寬度，用各頻率寬度中的頻譜強度的累計值除以上述頻率寬度後得到的值是頻譜密度，將上述基準圖案中的電極線的斜線部分的排列的周期性所帶來的峰值的空間頻率作為第1空間頻率，將對應於上述基準圖案中的上述第1基準電極線的上述周期的一半大小而出現的峰值的空間頻率作為第2空間頻率，將對應於上述基準圖案中的上述第1基準電極線的排列間隔的大小而出現的峰值的空間頻率作為第3空間頻率，將上述第1空間頻率的1/4的值、上述第2空間頻率、和第3空間頻率中的最小值以下的頻率區域作為規定頻率區域時，用上述電極線圖案中的上述規定頻率區域的上述頻譜密度的累計值除以上述基準圖案中的上述規定頻率區域的上述頻譜密度的累計值後得到的值的常用對數是第1評價值，上述第1評價值是3.6以下。
  2. 如請求項1之導電性薄膜，其中，上述第1評價值是1.0以上。
  3. 如請求項1或2之導電性薄膜，其中，多個上述第1基準電極線以及多個上述第2基準電極線中，相互相鄰的上述基準電極線間的間隙的長度相對於上述基準電極線的排列間隔的比例是5%以上且10%以下。
  4. 如請求項1至3中任一項之導電性薄膜，其中， 在上述功率譜中，將上述第1空間頻率的1/2的頻率作為第4空間頻率時，用上述電極線圖案的上述第4空間頻率下的上述頻譜密度除以上述電極線圖案的上述規定頻率區域的上述頻譜密度的平均值後得到的值的常用對數是第2評價值，上述第2評價值是2.0以下。
  5. 一種觸控面板，其具備：如請求項1至4中任一項之導電性薄膜；保護層，將上述導電性薄膜覆蓋；以及周邊電路，對配置在上述第1面的電極線與配置在上述第2面的電極線之間的靜電電容進行測定。
  6. 一種顯示裝置，其具備：顯示面板，具有呈柵格狀排列的多個像素，對資訊進行顯示；觸控面板，供上述顯示面板顯示的上述資訊透過；以及控制部，控制上述觸控面板的驅動；上述觸控面板是如請求項5中之觸控面板。
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