TW201923265A - 閥裝置 - Google Patents

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Abstract

本發明的課題為提供一種可一邊確保必要的流量，一邊可跳躍式提升閥體的流路的配置自由度之小型化的閥裝置。
其解決手段的閥構件，具有：閥座支架(50)，具有設置在收容凹部(22)內，使閥座(16)的密封面(16f)抵接並支撐來自該密封面(16f)之推壓力的支撐面(50f1)，及隔膜(14)，可與閥座(16)的座面(16s)抵接及隔離地設置在收容凹部(22)內，將收容凹部(22)的開口側密閉，閥座支架(50)，具有：與收容凹部(22)的內壁面的一部分共同作動阻斷初級側流路(21)與次級側流路(24)的連通的密封面(50b1、50b2、50b3)，及連接初級側流路(21)與閥座(16)的流通流路(16a)的迂迴流路(50a)。

Description

閥裝置
本發明是有關閥裝置、使用此閥裝置的流量控制裝置、流體控制裝置、流量控制方法、半導體製造裝置及半導體製造方法。
半導體製造程序等的各種製造程序是將正確計量後的處理氣供應於處理腔室，因此，使用將開關閥、調節器、質量流量控制器等的各種的流體機器集成化後的流體控制裝置。
如上述的流體控制裝置是沿著基板的長方向配置形成流路的設置塊(以下，稱基塊)，在此基塊上設置包括連接有複數的流體機器與管接頭的接頭塊等的各種流體機器來取代管接頭，藉此實現集成化(例如，參閱專利文獻1)。

[先前技術文獻]
[專利文獻]
專利文獻1：日本特開2007-3013號公報
[發明所欲解決之課題]
對於各種製造程序的處理氣的供應控制尋求更為高的反應性，盡可能使流體控制裝置小型化、集成化，而有設置在更接近流體之供應對方的處理腔室的必要。
隨著半導體晶圓的大口徑化等之處理對象物的大型化，也有配合此大型化而從流體控制裝置增加對處理腔室內供應流體之供應流量的必要。
使用於流體控制裝置的閥裝置是在塊狀的閥體直接形成有流體流路。
伴隨流體控制裝置的小型化，當然也有使閥體小型化的必要。但是，一旦使閥體小型化時，一邊確保流路的流量並最適當配置流路並非容易。例如，相對於流體流入之初級側的流路，將通過閥的流體流通的次級側流路分支成複數的場合，確保流路的剖面積或形成位置並非容易，也有閥體小型化的困難。
另外，有將流入閥裝置的初級側之流路的流體在次級側分流成多數流出的必要的場合，有形成對應分流數之流路的必要，且有是閥體大型化的必要。
本發明之一目的是提供可一邊確保必要的流量，一邊跳躍式提升閥體的流路的配置自由度之小型化的閥裝置。
本發明的其他目的為提供可一邊維持裝置的小型化，一邊將流入初級側的流路的流體在次級側分流成多數的閥裝置。

[用於解決課題的手段]
本發明的第一觀點相關的閥裝置，係具有塊狀的閥體的閥裝置，
上述閥體，區劃有：收容凹部，係於該閥體的表面開口並內置有閥構件，及初級側流路及次級側流路，連接於上述收容凹部，
上述閥構件，阻斷通過上述初級側流路及上述次級側流路之上述收容凹部的直接連通，並且，通過該閥構件連通上述初級側流路及上述次級側流路。
較理想為上述閥體，區劃：相對的上面及底面、在上述上面及底面之間延伸的側面，
上述收容凹部，係於上述閥體的上面開口，
上述閥構件，具有：
閥座，具有：形成於一端面的環狀的座面；形成於另一端面的環狀的密封面；及形成在上述座面及密封面的內側並貫穿上述一端面及另一端面的流通流路；
閥座支架，具有設置在上述收容凹部內，使上述閥座的密封面抵接並支撐來自該密封面之推壓力的支撐面；及
隔膜，可與支撐於上述閥座支架的上述座面抵接及隔離地設置在上述收容凹部內，
上述隔膜是通過該隔膜與上述座面的間隙，連通上述流通流路與上述次級側流路，
上述閥座支架，具有：與上述收容凹部的內壁面的一部分共同作動阻斷上述初級側流路與上述次級側流路的連通的密封面，及連接上述初級側流路與上述流通流路的迂迴流路。
更佳是可採用：上述初級側流路是在上述閥體的底面開口，
上述次級側流路是在上述閥體內分支成複數，分支流路是在上述閥體的上面，底面及側面的其中之一開口的構成。並且，較佳為可採用上述次級側流路，包括在上述閥體的長方向相對於上述收容凹部形成於彼此相反側的第1及第2的次級側流路，上述第1及第2的次級側流路的一方的端部是在上述閥體內封閉，上述第1及第2的次級側流路的另一方的端部是在上述閥體的側面開口的構成。並且更佳為可採用上述第1及第2的次級側流路是形成在朝上述閥體的長方向延伸的共通的軸線上的構成。
並且，可採用進一步具有設置在上述收容凹部的內壁面的一部分與上述閥座支架的密封面之間的密封構件的構成。此時，
上述密封構件是可採用受到來自上述閥座的推壓力，在上述收容凹部的內壁面的一部分與上述閥座支架之間壓扁所形成的構成。
此外，可採用進一步具有將上述閥座相對於上述閥座支架的支撐面定位，並將該閥座朝向上述閥座支架的支撐面推壓的定位推壓構件，
上述定位推壓構件具有透過上述隔膜與上述座面之間的間隙連通上述閥座的流通流路與上述次級側流路的流路的構成。
較理想是可採用上述定位推壓構件為設置在上述閥體與上述隔膜之間的構成。並且，較理想為可採用進一步具有驅動上述隔膜的致動器，將收容上述致動器的殼體鎖入上述閥體，上述定位推壓構件是利用上述殼體的鎖入力將上述閥座朝著上述閥座支架的支撐面推壓的構成。
本發明的流量控制裝置是控制流體的流量的流體控制裝置，包括上述閥裝置。
本發明的流量控制方法是將包括上述構成的閥裝置的流體控制裝置使用於流體的流量控制。
本發明的流體控制裝置是排列有複數流體機器的流體控制裝置，
上述複數的流體機器包括上述的閥裝置。
本發明的半導體製造方法是在密閉的腔室內藉處理氣進行處理步驟所需之半導體裝置的製造程序中，將上述的閥裝置使用於上述處理氣的流量控制。
本發明的半導體製造裝置具有將處理氣供應至處理腔室的流體控制裝置，
上述流量控制裝置包括複數的流體機器，
上述流體機器包括上述的閥裝置。

[發明的效果]
根據本發明，由於在閥體設置收容凹部，在上述收容凹部收容閥座支架，阻斷初級側流路與次級側流路的連通，另一方面，以閥座支架的迂迴流路連接支撐於閥座支架的閥座的流通流路與初級側流路的構成，因此只要將初級側流路及次級側流路連接於收容凹部即可，可跳躍式提升初級側流路及次級側流路的配置自由度。
又，根據本發明，由於使初級側流路及次級側流路的配置最適當化，因此也可以使閥體進一步小型化。
並且，根據本發明，藉著一邊使次級側流路的配置最適當化並將次級側流路分支，可以使流入初級側的流路的流體在次級側分流成多數。
以下，針對本發明的實施形態參閱圖示說明。並且，在本說明書及圖示中，對於功能實質相同的構成元件，藉使用相同符號來省略重複的說明。
第1A圖~第1E圖是表示本發明之一實施形態相關的閥裝置的構造，第2圖及第3圖表示第1A圖的閥裝置的動作，第4圖表示內磨擦片，第5圖表示閥座及第6圖為閥座支架的剖面構造。
第1A圖~第3圖中，圖中的箭頭A1、A2為上下方向A1表示上方，A2表示下方。箭頭B1、B2為閥裝置1的閥體20的長方向，B1表示一端側，B2表示另一端側。C1、C2是表示與閥體20的長方向B1、B2正交的寬方向，C1表示前面側，C2表示背面側。
閥體20在上面顯示為具有長方形的塊狀的構件，區劃在上面20f1及底面20f2、上面20f1及底面20f2之間延伸的側面四個側面20f3~20f6。另外，區劃在上面20f1開口的收容凹部22。如第2圖等可得知，收容凹部22是以直徑不同的內周圍面22a、22b、22c與底面22d所構成。內周圍面22a、22b、22c是以此順序直徑變小。收容凹部22內置有後述的閥構件2。
閥體20區劃出連接於收容凹部22的初級側流路21，及次級側流路24。初級側流路21是通過閥構件2從外部供應氣體等的流體之一方的流路，次級側流路24是使氣體等的流體流出至外部的流路。初級側流路21是相對於閥體20的底面20f2傾斜所形成在底面20f2開口。在初級側流路21的開口的周圍，形成有未圖示的密封保持部21a。在密封保持部21a配置有作為密封構件的墊圈。閥體20是以緊固螺栓鎖入未圖示的其他流路塊與螺孔20h1所連結。此時，保持於密封保持部21a的墊圈是在與未圖示的其他流路塊之間被以緊固螺栓的緊固力壓扁，因此將初級側流路21的開口周圍密封。
作為墊圈，可舉例如金屬製或樹脂製等的墊圈。作為墊圈舉例如軟質墊圈、陶瓷墊圈、金屬墊圈等。具體是以使用下述的墊圈為佳。
(1)軟質墊圈
‧橡膠O環
‧橡膠片(全面座用)
‧接合片
‧膨脹石墨片
‧PTFE片
‧PTFE套形
(2)半金屬墊圈
‧螺旋形墊圈(Spiral-wound gaskets)
‧金屬套墊圈
(3)金屬墊圈
‧金屬平墊圈
‧金屬中空O環
‧環形接頭
並且，設置在後述的分支流路25、26的開口周圍的密封保持部25a1、26b1也相同而省略詳細說明。
次級側流路24在閥體20的長方向B1、B2中，包括相對於收容凹部22彼此在相反側所形成的兩條次級側流路24A、24B。次級側流路24A、24B是形成於朝閥體20的長方向B1、B2延伸的共通的軸線J1上。次級側流路24A是一端在收容凹部22的內周圍面22b開口，另一端24a1是在閥體20的內部封閉。次級側流路24B是一端在收容凹部22的內周圍面22b開口，另一端24b1是在側面20f6側開口。在次級側流路24B的側面20f6的開口，藉焊接等的手段，設有封閉構件30，將次級側流路24B的開口封閉。次級側流路24A、24B可使用鑽頭等的工具容易進行加工。
次級側流路24A是在另一端24a1分支成兩條的分支流路25，在上面20f1開口。次級側流路24B是在中途分支成兩條的分支流路26，在上面20f1開口。
亦即，本實施形態相關的閥裝置1是可藉次級側流路24的分支流路25、26將流入初級側流路21的氣體等的流體分流成四條。
閥構件2具有隔膜14、內磨擦片15、閥座16及閥座支架50。閥構件2阻斷通過初級側流路21與次級側流路24的收容凹部22之直接的連通，並且，通過該閥構件2連通初級側流路21與次級側流路24。以下，針對閥構件2具體說明。
在收容凹部22內，插入具有與內周圍面22c嵌合的外徑的閥座支架50。閥座支架50是如第6圖表示為圓柱形的金屬製構件，中心部形成有由貫穿孔所成的迂迴流路50a，在上端面形成有以迂迴流路50a為中心的環狀的支撐面50f1。閥座支架50的支撐面50f1是由平坦面所構成，在其外圍部形成有段差。閥座支架50的外圍面50b1具有嵌入收容凹部22的內周圍面22c的直徑，在與下端側的小徑化後的外圍面50b2之間存在有段差。藉此段差，形成有圓環狀的端面50b3。在外圍面50b2，如第2圖等表示，嵌入有PTFE等的樹脂製的密封構件51。密封構件51是剖面形狀形成為矩形，如後述，具有被以收容凹部22的底面22d與閥座支架50的端面50b3之間壓扁的尺寸。密封構件51被收容凹部22的底面22d與閥座支架50的端面50b3之間壓扁時，樹脂進入閥座支架50的外圍面50b1與收容凹部22的內周圍面22c及底面22d之間，確實將閥座支架50與收容凹部22之間密封。亦即，作為密封面的外圍面50b2及端面50b3是與收容凹部22的內周圍面22c及底面22d共同作動，阻斷初級側流路21與次級側流路24的連通。
閥座支架50的迂迴流路50a是與在收容凹部22的底面22d開口的初級側流路21連接。
在閥座支架50的支撐面50f1上，設有閥座16。
閥座16是以PFA、PTFE等的樹脂形成可彈性變形，如第5圖表示，形成為圓環狀，在一端面形成有圓環狀的座面16s，另一端面形成有圓環狀的密封面16f。在座面16s及密封面16f的內側，形成有由貫穿孔所成的流通流路16a。閥座16在其外圍側具有小徑部16b1與大徑部16b2，在小徑部16b1與大徑部16b2之間形成有段差部。
閥座16是藉著作為定位推壓構件的內磨擦片15，相對於閥座支架50的支撐面50f1定位，並且朝閥座支架50的支撐面50f1推壓。具體而言，形成有形成在內磨擦片15的中心部的大徑部15a1與小徑部15a2，在大徑部15a1與小徑部15a2之間形成有段差面15a3。在內磨擦片15的一端面側形成有圓環狀的平坦面15f1。內磨擦片15的另一端面側，在外側形成有圓環狀的平坦面15f2，內側形成有圓環狀的平坦面15f3。平坦面15f2與平坦面15f3在高度不同，平坦面15f3是位在近平坦面15f1的位置。在內磨擦片15的外圍側形成有嵌合於收容凹部22的內周圍面22a的外圍面15b。另外，貫穿一端面及另一端面的流路15h是等間隔複數形成於圓周方向。在內磨擦片15的大徑部15a1與小徑部15a2嵌有閥座16的大徑部16b2與小徑部16b1，藉以使閥座16相對於閥座支架50的支撐面50f1定位。
內磨擦片15的平坦面15f2是設置於形成在收容凹部22的內周圍面22a與內周圍面22b之間的平坦的段差面上。在內磨擦片15的平坦面15f1上，設有隔膜14，在隔膜14上，設有壓環13。
致動器10是藉空壓等的驅動源所驅動，驅動保持可在上下方向A1、A2移動的隔膜壓件12。致動器10的殼體11的前端部是如第1A圖表示，被鎖入閥體20固定。且其前端部是向下方A2推壓壓環13，隔膜14是被固定在收容凹部22內。隔膜14是將收容凹部22在開口側密閉。並且，內磨擦片15也被朝下方A2推壓。在內磨擦片15的平坦面15f2被推壓至收容凹部22的段差面的狀態，設定段差面15a3的高度，以使得段差面15a3朝閥座支架50的支撐面50f1推壓閥座16。並且，內磨擦片15的平坦面15f3形成不抵接於閥座支架50的上端面。
隔膜14具有比閥座16大的直徑，以不鏽鋼、NiCo系合金等的金屬或、含氟樹脂可彈性變形地形成球殼形。隔膜14是相對於閥座16的座面16s可抵接分離地支撐於閥體20。
第2圖中，隔膜14是藉隔膜壓件12推壓而彈性變形，被朝著閥座16的座面16s推壓的狀態。隔膜14藉著隔膜壓件12推壓而開放時，如第3圖表示，恢復成球殼狀。在隔膜14被推壓於閥座16的座面16s的狀態，初級側流路21與次級側流路24之間的流路是處於封閉的狀態。隔膜壓件12向上方A1移動時，如第3圖表示，隔膜14從閥座16的座面16s分開。並且，從初級側流路21所供應的流體通過隔膜14與閥座16的座面16s的間隙，流入次級側流路24A、24B，最終通過分支流路25、26流出閥體20的外部。
如以上說明，根據本實施形態，在閥體20設置收容凹部22，並在該收容凹部22收容閥座支架50，阻斷初級側流路21與次級側流路24的連通，另一方面，以閥座支架50的迂迴流路50a連接支撐於閥座支架50之閥座16的流通流路16a與初級側流路21。此結果，只要將初級側流路21與次級側流路24連接於收容凹部22，即可跳躍式地增加初級側流路21與次級側流路24的配置自由度。亦即，如本實施形態，次級側流路24可形成朝長方向B1、B2延伸，非常容易進行流路配置的最適當化。由於初級側流路21與次級側流路24的配置最適當化，因此可使閥體20進一步小型化。
上述實施形態中，雖例示次級側流路24在閥體20內分支成複數，分支流路25、26在閥體20的上面20f1開口的場合，但本發明不限於此，也可採用在底面20f2或側面20f3~20f6的其中之一開口的構成。
上述實施形態中，內磨擦片15與閥座16雖為不同構件，但也可以使內磨擦片15與閥座16一體化。
參閱第7圖，說明運用上述實施形態相關之閥裝置1的流體控制裝置的一例。
第7圖表示的流體控制裝置中，設有沿著寬方向W1、W2排列的長方向G1、G2延伸的金屬製的底板BS。並且，W1表示正面側、W2表示背面側、G1表示上游側、G2表示上游側的方向。在底座BS透過複數的流路塊992設置有各種流體機器991A~991E，藉複數的流路塊992，從上游側G1向下游側G2分別形成有流體流通的未圖示的流路。
在此，所謂「流體機器」是使用於控制流體的流動之流體控制裝置的機器，具備區劃流體流路的主體，具有在此主體的表面開口之至少兩個流路口的機器。具體而言，雖包括開關閥(雙通閥)991A、調節器991B、壓力計991C、開關閥(三通閥)991D、流量控制裝置的質量流量控制器991E等，但不限於此。並且，導入管993是連接在上述未圖示的流路之上游側的流路口。
本實施形態相關的閥裝置1可運用於上述質量流量控制器991E，可以此質量流量控制器991E進行流體的流量控制。並且，在開關閥(雙通閥)991A、調節器991B、壓力計991C、開關閥(三通閥)991D等的閥，也可運用本實施形態相關的閥裝置1。
接著，在第8圖表示運用上述流體控制裝置的半導體製造裝置的例。
半導體製造裝置1000是藉原子層沉積法(ALD：Atomic Layer Deposition法)實行半導體製造程序用的系統，600是表示處理氣供應源、700是表示氣箱、710是表示槽、800是表示處理腔室、900是表示排氣泵。第7圖表示的流體控制裝置是收容在氣箱700內。
在基板層疊膜的處理程序中，為穩定供應處理氣將從氣箱700供應的處理氣暫時儲存於作為存儲器的槽710，以高頻度進行設置在處理腔室800的附近的閥720的開關，將來自槽的處理氣供應至真空周圍環境的處理腔室。
ALD法為化學氣相成長法的一種，在溫度或時間等的成膜條件之下，將兩種類以上的處理氣分別各一種類交替流動於基板表面上，與基板表面上的原子反應以每單層堆疊膜的方法，可以每單原子層控制，因此可形成均勻的膜厚，膜質也可使膜非常緻密地成長。
藉ALD法的半導體製造程序中，有精密調整處理氣之流量的必要，並且有藉基板的大口徑化等，確保某程度處理氣的流量的必要。
內置流體控制裝置的氣箱700可將正確計量後的處理氣供應至處理腔室800。槽710具有作為暫時存放從氣箱700所供應的處理氣之存儲器的功能。
處理腔室800提供藉ALD法進行對基板的膜形成用的密閉處理空間。
排氣泵900將處理腔室800內吸引成真空。
並且，本發明不限於上述的實施形態。只要是該業者，在本發明的範圍內皆可進行種種的追加或變更等。例如，上述運用例中，雖已例示針對在ALD法的半導體製造程序使用閥裝置1的場合，但不限於此，本發明是例如可運用在原子層蝕刻法(ALE：Atomic Layer Etching法)等，有精密流量調整必要的任何對象。
1‧‧‧閥裝置
2‧‧‧閥構件
10‧‧‧致動器
11‧‧‧殼體
12‧‧‧隔膜壓件
13‧‧‧壓環
14‧‧‧隔膜
15‧‧‧內磨擦片
15h‧‧‧流路
16‧‧‧閥座
16a‧‧‧流通流路
16f‧‧‧密封面
16s‧‧‧座面
20‧‧‧閥體
20f1‧‧‧上面
20f2‧‧‧底面
20f3~20f6‧‧‧側面
20h1‧‧‧螺孔
21‧‧‧初級側流路
21a‧‧‧密封保持部
24A、24B、24‧‧‧次級側流路
25、26‧‧‧分支流路
30‧‧‧封閉構件
50‧‧‧閥座支架
50a‧‧‧迂迴流路
50f1‧‧‧支撐面
50b2、50b3‧‧‧密封面
51‧‧‧密封構件
600‧‧‧處理氣供應源
700‧‧‧氣箱
710‧‧‧槽
720‧‧‧閥
800‧‧‧處理腔室
900‧‧‧排氣泵
1000‧‧‧半導體製造裝置
991A‧‧‧開關閥(雙通閥)
991B‧‧‧調節器
991C‧‧‧壓力計
991D‧‧‧開關閥(三通閥)
991E‧‧‧質量流量控制器
992‧‧‧流路塊
993‧‧‧導入管
A1‧‧‧上方
A2‧‧‧下方
BS‧‧‧基板
J1‧‧‧軸線
W1‧‧‧寬方向
W2‧‧‧寬方向
第1A圖是包括本發明之一實施形態相關的閥裝置的一部分之縱剖面的正面圖。
第1B圖為第1A圖之閥裝置的上面圖。
第1C圖為第1A圖之閥裝置的底面圖。
第1D圖為第1A圖之閥裝置的側面圖。
第1E圖是沿第1A圖的1E-1E線的剖面圖。
第2圖為第1A圖之閥裝置的主要部放大剖面圖，表示閥封閉狀態的圖。
第3圖為第1A圖之閥裝置的主要部放大剖面圖，表示閥開放狀態的圖。
第4圖為內磨擦片的剖面圖。
第5圖為閥座的剖面圖。
第6圖為閥座支架的剖面圖。
第7圖是表示使用本實施形態的閥裝置之流體控制裝置的一例的透視圖。
第8圖為運用本實施形態相關的閥裝置的半導體製造裝置之一例的概略圖。

Claims (15)

  1. 一種閥裝置，具有塊狀的閥體的閥裝置，其特徵為： 上述閥體，區劃有：收容凹部，係於該閥體的表面開口並內置有閥構件，及初級側流路及次級側流路，連接於上述收容凹部， 上述閥構件，阻斷通過上述初級側流路及上述次級側流路之上述收容凹部的直接連通，並且，通過該閥構件連通上述初級側流路及上述次級側流路。
  2. 如申請專利範圍第1項記載的閥裝置，其中，上述閥體，區劃：相對的上面及底面、在上述上面及底面之間延伸的側面， 上述收容凹部，係於上述閥體的上面開口， 上述閥構件，具有： 閥座，具有：形成於一端面的環狀的座面；形成於另一端面的環狀的密封面；及形成在上述座面及密封面的內側並貫穿上述一端面及另一端面的流通流路； 閥座支架，具有設置在上述收容凹部內，使上述閥座的密封面抵接並支撐來自該密封面之推壓力的支撐面；及 隔膜，可與支撐於上述閥座支架的上述座面抵接及隔離地設置在上述收容凹部內， 上述隔膜是通過該隔膜與上述座面的間隙，連通上述流通流路與上述次級側流路， 上述閥座支架，具有：與上述收容凹部的內壁面的一部分共同作動阻斷上述初級側流路與上述次級側流路的連通的密封面，及連接上述初級側流路與上述流通流路的迂迴流路。
  3. 如申請專利範圍第2項記載的閥裝置，其中，上述初級側流路是在上述閥體的底面開口， 上述次級側流路包括在上述閥體內分支成複數的分支流路， 複數的上述分支流路是在上述上面，底面及側面的其中之一開口。
  4. 如申請專利範圍第2項或第3項記載的閥裝置，其中，上述次級側流路，包括在上述閥體的長方向相對於上述收容凹部形成於彼此相反側的第1及第2的次級側流路， 上述第1及第2的次級側流路的一方的端部是在上述閥體內封閉， 上述第1及第2的次級側流路的另一方的端部是在上述側面開口。
  5. 如申請專利範圍第2項至第4項中任一項記載的閥裝置，其中，上述第1及第2的次級側流路是形成在朝上述閥體的長方向延伸的共通的軸線上。
  6. 如申請專利範圍第2項至第5項中任一項記載的閥裝置，其中，進一步具有設置在上述收容凹部的內壁面的一部分與上述閥座支架的密封面之間的密封構件。
  7. 如申請專利範圍第6項記載的閥裝置，其中，上述密封構件是形成受到來自上述閥座的推壓力，在上述收容凹部的內壁面的一部分與上述閥座支架之間壓扁。
  8. 如申請專利範圍第2項記載的閥裝置，其中，進一步具有將上述閥座相對於上述支撐面定位，並將該閥座朝向上述支撐面推壓的定位推壓構件， 上述定位推壓構件具有透過上述隔膜與上述座面的間隙連通上述流通流路與上述次級側流路的流路。
  9. 如申請專利範圍第8項記載的閥裝置，其中，上述定位推壓構件是設置在上述閥體與上述隔膜之間。
  10. 如申請專利範圍第8項或第9項記載的閥裝置，其中，進一步具有驅動上述隔膜的致動器， 將收容上述致動器的殼體鎖入上述閥體， 上述定位推壓構件是利用上述殼體的鎖入力將上述閥座朝著上述支撐面推壓。
  11. 一種流量控制裝置，係控制流體的流量的流體控制裝置， 包括申請專利範圍第1~10項中任一項記載的閥裝置。
  12. 一種流量控制方法，係將申請專利範圍第1~10項中任一項記載的閥裝置使用於流體的流量控制。
  13. 一種流體控制裝置，係排列有複數的流體機器， 上述複數的流體機器包括申請專利範圍第1~10項中任一項記載的閥裝置。
  14. 一種半導體製造方法，係於密閉的腔室內需要藉處理氣進行處理步驟之半導體裝置的製造程序中，將申請專利範圍第1~10項中任一項記載的閥裝置使用於上述處理氣的流量控制。
  15. 一種半導體製造裝置，具有將處理氣供應至處理腔室的流體控制裝置， 上述流量控制裝置包括複數的流體機器， 上述流體機器包括申請專利範圍第1~10項中任一項記載的閥裝置。
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