TW201914210A - 功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路 - Google Patents
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- 238000001514 detection method Methods 0.000 claims description 85
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims description 31
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims description 31
- 230000008878 coupling Effects 0.000 claims 2
- 238000010168 coupling process Methods 0.000 claims 2
- 238000005859 coupling reaction Methods 0.000 claims 2
- 230000007274 generation of a signal involved in cell-cell signaling Effects 0.000 claims 1
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 12
- 101100512568 Arabidopsis thaliana MED33B gene Proteins 0.000 description 8
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 6
- 102100039435 C-X-C motif chemokine 17 Human genes 0.000 description 5
- 101000889048 Homo sapiens C-X-C motif chemokine 17 Proteins 0.000 description 5
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 description 5
- 101000806846 Homo sapiens DNA-(apurinic or apyrimidinic site) endonuclease Proteins 0.000 description 4
- 101000835083 Homo sapiens Tissue factor pathway inhibitor 2 Proteins 0.000 description 4
- 102100026134 Tissue factor pathway inhibitor 2 Human genes 0.000 description 4
- 101100219315 Arabidopsis thaliana CYP83A1 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100269674 Mus musculus Alyref2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100140580 Saccharomyces cerevisiae (strain ATCC 204508 / S288c) REF2 gene Proteins 0.000 description 3
- 101100152598 Arabidopsis thaliana CYP73A5 gene Proteins 0.000 description 2
- 239000000969 carrier Substances 0.000 description 2
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 2
- 238000000034 method Methods 0.000 description 2
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 1
- 230000005669 field effect Effects 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H03—ELECTRONIC CIRCUITRY
- H03F—AMPLIFIERS
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
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- H03F3/19—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers with semiconductor devices only
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/189—High-frequency amplifiers, e.g. radio frequency amplifiers
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- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
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- H03F3/211—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only using a combination of several amplifiers
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/21—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only
- H03F3/213—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers with semiconductor devices only in integrated circuits
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- H03F3/00—Amplifiers with only discharge tubes or only semiconductor devices as amplifying elements
- H03F3/20—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers
- H03F3/24—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages
- H03F3/245—Power amplifiers, e.g. Class B amplifiers, Class C amplifiers of transmitter output stages with semiconductor devices only
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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- H03F2200/00—Indexing scheme relating to amplifiers
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Abstract
用於射頻主動電路之保護電路包含一訊號強度偵測電路、一電流偵測電路、一邏輯電路,以及一開關單元。訊號強度偵測電路耦接於射頻主動電路之射頻訊號輸入端或射頻訊號輸出端,用以根據射頻訊號之訊號強度來產生一第一偵測訊號。電流偵測電路根據射頻主動電路之驅動電流來偵測射頻訊號之一輸出反射駐波,進而產生相對應一第二偵測訊號。邏輯電路依據第一偵測訊號與第二偵測訊號來產生一開關控制訊號。開關單元依據開關控制訊號來降低射頻主動電路之驅動電流。
Description
本發明相關於一種功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路,尤指一種能夠降低突波和電壓駐波比所帶來負面影響之功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路。
放大器是電子裝置中常有的元件,可用來放大電子裝置的特性,像是增益、頻寬、及線性度等。放大器的應用範圍也相當廣泛,例如應用在主動濾波器、緩衝器、類比訊號轉數位訊號的轉換器、及射頻收發器等。其中,在無線通訊領域中,功率放大器(power amplifier)是射頻電路中一個重要的元件,通常都會被設計在天線放射器的前端,其主要的功能在於將輸出訊號放大至合理振幅。
射頻突波為電路中潛在之快速且短時間內的電壓波形峰值瞬變,可能在當電子設備(例如是功率放大器)接通電源的瞬間產生,或是由於射頻阻抗不匹配造成瞬間電壓波形峰值變化,而導致驅動電子設備的偏壓電流瞬變。雖然射頻突波訊號維持的時間通常很短暫,但由於射頻突波遠大於系統負載所能承受的規格,極容易對敏感的電子設備造成損壞。
此外,電壓駐波比(voltage standing wave ratio, VSWR)是評量功率放大器性能的一個參數,其定義是反射功率與輸入功率之間的比率。當射頻系統中某一個裝置的阻抗大於或小於另一個相連裝置的阻抗時,在阻抗不匹配之處會因能量被彈回輻射主體而形成能量反饋損失(return loss)與駐波,進而造成輸出訊號強度不穩定而產生反射的射頻信號。電壓駐波比的理想比例是1:1,表示沒有任何反射功率產生,比值越大則反射功率越大,因此造成的反射損失也越多。在實際RF電路上電壓駐波比造成的問題不只是發射信號變弱,嚴重時還會因為反射功率造成元件過熱或燒毀。
因此,需要一種能夠降低突波訊號和電壓駐波比所帶來負面影響之功率放大器。
本發明提供一種功率放大器,其包含一輸入端,用以輸入一射頻訊號;一輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號;一第一放大電路和一第二放大電路,用以放大該射頻訊號;一第一供電輸入端,用以輸入一第一供電電流;一第二供電輸入端,用以輸入一第二供電電流;一第一偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第一偏壓電流;一第二偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第二偏壓電流;以及一保護電路,耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端。該第一放大電路包含一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及一射頻訊號輸出端,耦接於該功率放大器之該輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號。該第二放大電路耦接於該功率放大器之該輸入端與該第一放大電路之該射頻訊號輸入端之間,其中該第一偏壓電流與該第一供電電流用以驅動該第一放大電路,而該第二偏壓電流與該第二供電電流用以驅動該第二放大電路。該保護電路包含一訊號強度偵測電路,用以偵測該射頻訊號之一射頻突波來產生一第一偵測訊號;一電流偵測電路,耦接於該第一放大電路,其依據該第一偏壓電流來產生一第二偵測訊號;一邏輯電路,其用以依據該第一偵測訊號與該第二偵測訊號來產生一第一開關控制訊號與一第二開關控制訊號;一第一開關單元,用以依據該第一開關控制訊號降低該第一偏壓電流或該第一供電電流;以及一第二開關單元,用以依據該第二開關控制訊 號降低該第二偏壓電流或該第二供電電流。
本發明另提供一種功率放大器,其包含一輸入端,用以輸入一射頻訊號;一輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號;一放大電路,用以放大該射頻訊號;一供電輸入端,用以輸入一供電電流;一偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一偏壓電流,其中該偏壓電流與該供電電流用以驅動該功率放大器;以及一保護電路,耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端或該射頻訊號輸出端。該保護電路包含一訊號強度偵測電路,用以偵測該射頻訊號之一射頻突波來產生一偵測訊號;一邏輯電路,其用以依據該偵測訊號來產生一開關控制訊號;以及一開關單元,用以依據該開關控制訊號降低該偏壓電流或該供電電流。該放大電路包含一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及一射頻訊號輸出端,耦接於該功率放大器之該輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號。
本發明另提供一種用於射頻主動電路之保護電路,該射頻主動電路接收一驅動電流用以驅動該射頻主動電路。該保護電路包含一第一訊號強度偵測電路,耦接於該射頻主動電路之一射頻訊號輸入端或一射頻訊號輸出端,用以根據該射頻訊號之訊號強度來產生一第一偵測訊號;一第一電流偵測電路,耦接於該射頻主動電路,其用以根據該驅動電流偵測該射頻訊號之一輸出反射駐波來產生一第二偵測訊號;一第一邏輯電路,其依據該第一偵測訊號與該第二偵測訊號來產生一第一開關控制訊號;以及一第一開關單元,用來依據該第一開關控制訊號降低該驅動電流。
第1圖為本發明實施例中功率放大器100之功能方塊圖。功率放大器100包含一輸入端IN、一輸出端OUT、第一級至第三級放大電路ST1〜ST3、第一級至第三級偏壓電路BC1〜BC3、一第一保護電路10,以及一第二保護電路20。功率放大器100之輸入端IN用以輸入一射頻訊號RFIN
,功率放大器100之輸出端OUT用以輸出一射頻訊號RFOUT
(放大後之射頻訊號RFIN
)。第一級放大電路ST1之射頻訊號輸入端耦接於輸入端IN以接收射頻訊號RFIN
,用以放大射頻訊號RFIN
以產生射頻訊號RF1,並於其射頻訊號輸出端輸出放大射頻訊號RFIN
後之射頻訊號RF1。第二級放大電路ST2之射頻訊號輸入端耦接於第一級放大電路ST1之射頻訊號輸出端以接收射頻訊號RF1,用以放大射頻訊號RF1以產生射頻訊號RF2,並於其射頻訊號輸出端輸出放大射頻訊號RF1後之射頻訊號RF2。第三級放大電路ST3之射頻訊號輸入端耦接於第二級放大電路ST2之射頻訊號輸出端以接收射頻訊號RF2,用以放大射頻訊號RF2以產生射頻訊號RFOUT
,第三級放大電路ST3之射頻訊號輸出端耦接於輸出端OUT以輸出放大射頻訊號RF2後之射頻訊號RFOUT
。
在本發明功率放大器100中,第一級偏壓電路BC1用以提供一偏壓電流IB1
和一供電電流IC1
以驅動第一級放大電路ST1,第二級偏壓電路BC2用以提供一偏壓電流IB2
和一供電電流IC2
以驅動第二級放大電路ST2,第三級偏壓電路BC3用以提供一偏壓電流IB3
和一供電電流IC3
以驅動第三級放大電路ST3。
第一保護電路10耦接於第一級放大電路ST1之射頻訊號輸出端和第二級放大電路ST2之射頻訊號輸入端之間,其包含一第一訊號強度偵測電路PD1、一第一邏輯電路Comp1,以及一第一開關單元SW1。第一訊號強度偵測電路PD1可偵測射頻訊號RF1之射頻突波來產生一偵測訊號VPD1
。第一邏輯電路Comp1可依據偵測訊號VPD1
和一第一參考電位VREF1
之間的大小關係來產生開關控制訊號S1A
〜S1C
。第一開關單元SW1包含開關SW1A
、SW1B
和SW1C
,可分別依據開關控制訊號S1A
〜S1C
來控制第二級偏壓電路BC2之輸出。
第二保護電路20耦接於第二級放大電路ST2之射頻訊號輸出端和第三級放大電路ST3之射頻訊號輸入端之間、或是功率放大器100的中間級,其包含一第二訊號強度偵測電路PD2、一電流偵測電路CD、一第二邏輯電路Comp2,以及一第二開關單元SW2。第二訊號強度偵測電路PD2可偵測射頻訊號RF2之射頻突波來產生一偵測訊號VPD2
。電流偵測電路CD耦接於第三級放大電路ST3,可依據第三級放大電路ST3之偏壓電流IB3
來產生一偵測訊號Vid。第二邏輯電路Comp2可依據偵測訊號VS
和一第二參考電位VREF2
之間的大小關係來產生開關控制訊號S2A
〜S2C
和S3A
〜S3C
,其中偵測訊號VS
相關於偵測訊號VPD2
和偵測訊號Vid之值。第二開關單元SW2包含開關SW2A
〜SW2C
和SW3A
〜SW3C
,可分別依據開關控制訊號S2A
〜S2C
和S3A
〜S3C
來控制第一級偏壓電路BC1和第三級偏壓電路BC3之輸出。
第2圖為本發明實施例中一訊號強度偵測電路PD之示意圖。訊號強度偵測電路PD包含電晶體Q1〜Q4、電容C1〜C3,以及電阻R1〜R4,可用來實作本發明功率放大器100中之第一訊號強度偵測電路PD1或第二訊號強度偵測電路PD2。當用來實作第一訊號強度偵測電路PD1時,訊號強度偵測電路PD之輸入端耦接於第一級放大電路ST1之射頻訊號輸出端和第二級放大電路ST2之射頻訊號輸入端之間、或是功率放大器100的中間級,可偵測射頻訊號RF1之射頻突波來產生偵測訊號VPD1
,其中偵測訊號VPD1
之值相關於第一級放大電路ST1輸出端之射頻訊號RF1(亦即相關於RFIN
)和來自第二級放大電路ST2之VSWR訊號。當用來實作第二訊號強度偵測電路PD2時,訊號強度偵測電路PD之輸入端耦接於第二級放大電路ST2之射頻訊號輸出端和第三級放大電路ST3之射頻訊號輸入端之間,可偵測射頻訊號RF2之射頻突波來產生偵測訊號VPD2
,其中偵測訊號VPD2
之值相關於第二級放大電路ST2輸出端之射頻訊號RF2(亦即相關於RFIN
)和來自第三級放大電路ST3之VSWR訊號。電阻R1可作為流限器,電阻R2可提供第二級放大電路ST2/第三級放大電路ST3工作偏壓,電阻R3/R4可分別提供電晶體Q2/Q1工作偏壓。
第3圖為本發明實施例中電流偵測電路CD之示意圖。電流偵測電路CD包含電晶體Q5〜Q8、電容C4,以及電阻R5〜R8。電流偵測電路CD之輸入端耦接於第三級放大電路ST3,可偵測第三級放大電路ST3之偏壓電流IB3
來產生偵測訊號Vid,其中偵測訊號Vid之值相關於第三級放大電路ST3輸出端之射頻訊號RFOUT
和來自第三級放大電路ST3之VSWR訊號。電阻R5可作為流限器,電阻R8可提供第三級放大電路ST3工作偏壓,電阻R6/R7可分別提供電晶體Q5/Q6工作偏壓。
第4圖為本發明實施例中保護電路應用至偏壓電路時之示意圖。為了說明方便,第4圖僅顯示了第一級至第三級偏壓電路BC1〜BC3和保護電路中之開關單元。每一級偏壓電路各包含電晶體Q9〜Q11、電阻R9〜R11,以及一電容C5,分別於偏壓輸出端N1〜N3提供偏壓電流IB1
〜IB3
至相對應之放大電路ST1〜ST3。偏壓電路BC1〜BC3另各包含訊號輸入端ST1IN
〜ST3IN
、訊號輸出端ST1OUT
〜ST3OUT
和供電輸入端VCC1〜VCC3,以分別提供供電電流IC1
〜IC3
至相對應之放大電路ST1〜ST3。在每一級偏壓電路中,電晶體Q9和Q10組成一偏壓元件,而電晶體Q11為輸出電晶體。電阻R9耦接於輸出電晶體Q11的輸出端和相對應之放大電路ST1〜ST3之間;電阻R10耦接於輸出電晶體Q11的輸入端和第三參考電位VREF3
之間;由電晶體Q9和Q10組成的偏壓元件,耦接於輸出電晶體Q11的輸入端和第四參考電位VREF4
之間。在一實施例中,供電輸入端VCC1〜VCC3是耦接於外部的供應電壓源,該供應電壓源提供穩定的電壓。在一實施例中,上述偏壓電路BC1〜BC3所分別包含的電晶體Q9〜Q11、電阻R9〜R11、以及電容C5,可以為不同。例如偏壓電路BC1所包含的電晶體Q9可以與偏壓電路BC2所包含的電晶體Q9、以及偏壓電路BC3所包含的電晶體Q9,三者的尺寸或類型不同;偏壓電路BC1所包含的電阻R9可以與偏壓電路BC2所包含的電阻R9、以及偏壓電路BC3所包含的電阻R9,三者的電阻值不同;依此類推。
保護電路10之開關單元SW1包含開關SW1A
〜SW1C
,開關SW1A
和SW1B
分別依據開關控制訊號S1A
和S1B
來選擇性地將第二級偏壓電路BC2中輸出電晶體Q11之輸入端和輸出端耦接至第四參考電位VREF4
(例如是共同電位或接地電位),而開關SW1C
依據開關控制訊號S1C
來選擇性地導通或截斷供電輸入端VCC2至第二級放大電路ST2之路徑。保護電路20之開關單元SW2包含開關SW2A
〜SW2C
和SW3A
〜SW3C
。開關SW2A
、SW2B
、SW3A
和SW3B
分別依據開關控制訊號S2A
、S2B
、S3A
和S3B
來選擇性地將第一級偏壓電路BC1和第三級偏壓電路BC3中輸出電晶體Q11之輸入端和輸出端耦接至第四參考電位VREF4
,開關SW2C
依據開關控制訊號S2C
來選擇性地導通或截斷供電輸入端VCC1至第一級放大電路ST1之路徑,而開關SW3C
依據開關控制訊號S3C
來選擇性地導通或截斷供電輸入端VCC3至第三級放大電路ST3之路徑。
在本發明中,電晶體Q1〜Q11可為雙載子接面電晶體(bipolar junction transistor, BJT)、金氧半場效電晶體(metal-oxide-semiconductor field-effect transistor, MOSFET),或其它具備類似開關功能之元件。在一實施例中,放大電路ST1〜ST3分別包括一雙載子接面電晶體,電晶體的集極分別耦接於放大電路ST1〜ST3的射頻訊號輸出端ST1OUT
〜ST3OUT
,電晶體的基極分別耦接於放大電路ST1〜ST3的射頻訊號輸入端ST1IN
〜ST3IN
,電晶體的射極分別耦接於第四參考電位VREF4
,而偏壓電流IB1
〜IB3
被提供至相對應之放大電路ST1〜ST3的電晶體的基極,供電電流IC1
〜IC3
被提供至相對應之放大電路ST1〜ST3的電晶體的集極。為了說明目的,第2圖至第4圖顯示了BJT之實施例,其中電晶體Q1〜Q11之輸入端為基極而電晶體之輸出端為射極,但放大電路ST1〜ST3的電晶體以及電晶體Q1〜Q11之種類並不限定本發明之範疇,且為了簡化說明,上述圖式未繪出等效阻抗匹配電路。
第5圖為本發明實施例中保護電路10運作時之示意圖。為了說明目的,假設射頻訊號RF1為正交分頻多工(orthogonal frequency-division multiplexing, OFDM)訊號,亦即使用多個差異很大且容易分辨之正交載波來乘載數位訊號。偵測訊號VPD1
則對應至射頻訊號RF1之峰值強度或功率。當保護電路10之第一邏輯電路Comp1偵測到射頻訊號RF1之峰值強度或功率超過第一參考電位VREF1
時,會輸出致能電位之開關控制訊號S1A
和S1B
(實線)以開啟(使短路)開關SW1A
和SW1B
,並輸出除能電位之開關控制訊號S1C
以關閉(使開路)開關SW1C
。如此一來,第二級偏壓電路BC2中電晶體Q11之輸入端和輸出端會耦接至第四參考電位VREF4
,而供電輸入端VCC2會和第二級放大電路ST2電性分離,進而降低第二偏壓電流IB2
和第二供電電流IC2
之值。因此,當輸入射頻訊號RFIN
因故出現突波時,本發明之保護電路10可迅速關閉第二級偏壓電路BC2,進而關閉第二級放大電路ST2避免瞬間突波訊號損傷內部元件。在一實施例中,若射頻訊號RF1之峰值強度或功率超過第一參考電位VREF1
時,亦可只輸出致能電位之開關控制訊號S1A
和S1B
的其中之一以開啟(使短路)開關SW1A
和SW1B
的其中之一,或輸出除能電位之開關控制訊號S1C
(虛線)以關閉(使開路)開關SW1C
,或同時結合上述手段中的數個,亦能避免瞬間突波訊號損傷內部元件。
第6圖為本發明實施例中保護電路20運作時之示意圖。為了說明目的,假設射頻訊號RF2為OFDM訊號,亦即使用多個差異很大且容易分辨之正交載波來乘載數位訊號。偵測訊號VPD2
則對應至射頻訊號RF2之峰值強度或功率,偵測訊號Vid則對應至第三級放大電路ST3之偏壓電流IB3
,而偵測訊號VS
則為同時考量偵測訊號VPD2
和偵測訊號Vid後的結果。當保護電路20之第二邏輯電路Comp2偵測到偵測訊號VS
超過第二參考電位VREF2
時,代表此時射頻訊號RF2之峰值強度/功率或第三級放大電路ST3之偏壓電流IB3
之值過高,因此會輸出致能電位之開關控制訊號S2A
和S2B
(實線)以開啟(使短路)開關SW2A
和SW2B
,輸出致能電位之開關控制訊號S3A
和S3B
(實線)以開啟(使短路)開關SW3A
和SW3B
,輸出除能電位之開關控制訊號S2C
(虛線)以關閉(使開路)開關SW2C
,並輸出除能電位之開關控制訊號S3C
(虛線)以關閉(使開路)開關SW3C
。如此一來,第一級偏壓電路BC1中電晶體Q11之基極和射極會耦接至第四參考電位VREF4
,進而降低第一偏壓電流IB1
或第一供電電流IC1
之值。如此一來,第一級偏壓電路BC1和第三級偏壓電路BC1BC3中電晶體Q11之輸入端和輸出端會耦接至第四參考電位VREF4
,第一級偏壓電路BC1之供電輸入端VCC1會和第一級放大電路ST1電性分離,而第三級偏壓電路BC3之供電輸入端VCC3會和第三級放大電路ST3電性分離,進而降低第一偏壓電流IB1
、第一供電電流IC1
、第三偏壓電流IB3
和第三供電電流IC3
之值。因此,當輸入射頻訊號RFIN
因故出現突波時,或是第二級放大電路ST2和第三級放大電路ST3之間阻抗不匹配,或是第三級放大電路ST3和天線端之間阻抗不匹配時,本發明之保護電路20可迅速關閉第一級偏壓電路BC1和第三級偏壓電路BC3,進而關閉第一級放大電路ST1和第三級放大電路ST3避免瞬間突波訊號或反射駐波損傷內部元件。在一實施例中,若射頻訊號RF2之峰值強度/功率或第三級放大電路ST3之偏壓電流IB3
之值過高,亦可只輸出致能電位之開關控制訊號S2A
和S2B
的其中之一以開啟(使短路)開關SW2A
和SW2B
的其中之一,或輸出致能電位之開關控制訊號S3A
和S3B
的其中之一以開啟(使短路)開關SW3A
和SW3B
的其中之一,或輸出除能電位之開關控制訊號S2C
以關閉(使開路)開關SW2C
,或輸出除能電位之開關控制訊號S3C
以關閉(使開路)開關SW3C
,或同時結合上述手段中的數個,亦能避免瞬間突波訊號或反射駐波損傷內部元件。
綜上所述,當系統內產生突波電壓/電流,或是兩相連裝置之間出現阻抗不匹配時,本發明之功率放大器可迅速關閉相對應裝置以降低突波訊號和電壓駐波比所帶來負面影響。 以上所述僅為本發明之較佳實施例,凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾,皆應屬本發明之涵蓋範圍。
10‧‧‧第一保護電路
20‧‧‧第二保護電路
100‧‧‧功率放大器
IN‧‧‧輸入端
OUT‧‧‧輸出端
N1〜N3‧‧‧偏壓輸出端
ST1IN〜ST3IN‧‧‧訊號輸入端
ST1OUT〜ST3OUT‧‧‧訊號輸出端
ST1〜ST3‧‧‧第一級至第三級放大電路
BC1〜BC3‧‧‧第一級至第三級偏壓電路
Q1〜Q11‧‧‧電晶體
C1〜C4‧‧‧電容
R1〜R11‧‧‧電阻
PD1‧‧‧第一訊號強度偵測電路
PD2‧‧‧第二訊號強度偵測電路
Comp1‧‧‧第一邏輯電路
Comp2‧‧‧第二邏輯電路
SW1‧‧‧第一開關單元
SW2‧‧‧第二開關單元
CD‧‧‧電流偵測電路
SW1A〜SW1C、SW2A〜SW2C、SW3A〜SW3C‧‧‧
開關
S1A〜S1C、S2A〜S2C、S3A〜S3C‧‧‧開關控制訊號
RF1、RF2、RFIN、RFOUT‧‧‧射頻訊號
IB1、IB2、IB3‧‧‧偏壓電流
IC1、IC2、IC3‧‧‧供電電流
VCC1〜VCC3‧‧‧供電輸入端
VREF1
、VREF2、VREF3、VREF4‧‧‧參考電位
VPD1、VPD2、Vid、VS‧‧‧偵測訊號
第1圖為本發明實施例中功率放大器之功能方塊圖。 第2圖為本發明實施例中一訊號強度偵測電路之示意圖。 第3圖為本發明實施例中電流偵測電路之示意圖。 第4圖為本發明實施例中保護電路應用至偏壓電路時之示意圖。 第5圖為本發明實施例中保護電路運作時之示意圖。 第6圖為本發明實施例中保護電路運作時之示意圖。
Claims (24)
- 一種功率放大器,其包含: 一輸入端,用以輸入一射頻訊號; 一輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號; 一第一放大電路,用以放大該射頻訊號,其包含: 一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及 一射頻訊號輸出端,耦接於該功率放大器之該輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號; 一第二放大電路,用以放大該射頻訊號,該第二放大電路耦接於該功率放大器之該輸入端與該第一放大電路之該射頻訊號輸入端之間; 一第一供電輸入端,用以輸入一第一供電電流; 一第二供電輸入端,用以輸入一第二供電電流; 一第一偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第一偏壓電流; 一第二偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第二偏壓電流,其中,該第一偏壓電流與該第一供電電流用以驅動該第一放大電路、該第二偏壓電流與該第二供電電流用以驅動該第二放大電路;以及 一第一保護電路,耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端,其包含: 一第一訊號強度偵測電路,用以偵測該射頻訊號之一射頻突波來產生一第一偵測訊號; 一第一電流偵測電路,耦接於該第一放大電路,其依據該第一偏壓電流來產生一第二偵測訊號; 一第一邏輯電路,其用以依據該第一偵測訊號與該第二偵測訊號來產生一第一開關控制訊號與一第二開關控制訊號; 一第一開關單元,用以依據該第一開關控制訊號降低該第一偏壓電流或該第一供電電流;以及 一第二開關單元,用以依據該第二開關控制訊號降低該第二偏壓電流或該第二供電電流。
- 如請求項1所述之功率放大器,更包含: 一第三放大電路,用以放大該射頻訊號,耦接於該第一放大電路與該第二放大電路之間且包含: 一射頻訊號輸入端,耦接於該第二放大電路,用以輸入該射頻訊號;以及 一射頻訊號輸出端,耦接於該第一放大電路,用以輸出放大後之該射頻訊號; 一第三供電輸入端,用以輸入一第三供電電流; 一第三偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第三偏壓電流,其中該第三偏壓電流與該第三供電電流用以驅動該第三放大電路; 一第二保護電路,耦接於該第三放大電路之該射頻訊號輸入端,其包含: 一第二訊號強度偵測電路,用以偵測該射頻訊號之該射頻突波來產生一第三偵測訊號; 一第二邏輯電路,其用以依據該第三偵測訊號來產生一第三開關控制訊號;以及 一第三開關單元,用以依據該第三開關控制訊號降低該第三偏壓電流或該第三供電電流。
- 一種功率放大器,其包含: 一輸入端,用以輸入一射頻訊號; 一輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號;以及 一第一放大電路,用以放大該射頻訊號,其包含: 一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及 一射頻訊號輸出端,耦接於該功率放大器之該輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號; 一第一供電輸入端,用以輸入一第一供電電流; 一第一偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第一偏壓電流,其中該第一偏壓電流與該第一供電電流用以驅動該功率放大器;以及 一第一保護電路,耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端或該射頻訊號輸出端,其包含: 一第一訊號強度偵測電路,用以偵測該射頻訊號之一射頻突波來產生一第一偵測訊號; 一第一邏輯電路,其用以依據該第一偵測訊號來產生一第一開關控制訊號;以及 一第一開關單元,用以依據該第一開關控制訊號降低該第一偏壓電流或該第一供電電流。
- 如請求項3所述之功率放大器,其中該第一訊號強度偵測電路用以根據該射頻訊號之峰值強度或功率,偵測該射頻突波。
- 如請求項3所述之功率放大器,其中該第一偏壓電流與該第一供電電流用以驅動該第一放大電路。
- 如請求項5所述之功率放大器,其中該第一供電輸入端耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸出端,且該第一偏壓電路之該偏壓輸出端耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端。
- 如請求項6所述之功率放大器,其中該第一開關單元用來依據該第一開關控制訊號來將該第一偏壓電路之該偏壓輸出端選擇性地耦接至一第一參考電位。
- 如請求項7所述之功率放大器,其中: 該第一偏壓電路包括一輸出電晶體,用來輸出該第一偏壓電流;且 該第一開關單元包括一第一開關,用以將該輸出電晶體的一輸出端選擇性地耦接至該第一參考電位,進而截斷流向該第一放大電路的該第一偏壓電流以關閉該第一放大電路。
- 如請求項8所述之功率放大器,其中: 該第一開關單元包括一第二開關,用以將該輸出電晶體的一輸入端選擇性地耦接至該第一參考電位,進而關閉該輸出電晶體以減少流經該輸出電晶體之電流。
- 如請求項9所述之功率放大器,其中該第一偏壓電路另包括: 一第一電阻,耦接於該輸出電晶體的該輸出端和該第一放大電路之間; 一第二電阻,耦接於該輸出電晶體的該輸入端和一第二參考電位之間;以及 一偏壓元件,耦接於該輸出電晶體的該輸入端和該第一參考電位之間。
- 如請求項6所述之功率放大器,其中該第一開關單元用來依據該第一開關控制訊號來將該第一供電輸入端選擇性地耦接至一第一供電電位。
- 如請求項11所述之功率放大器,其中: 該第一開關單元包括一第三開關,耦接於該第一供電輸入端與該第一放大電路之間,用來依據該第一開關控制訊號來將選擇性地截斷流向該第一放大電路的該第一供電電流以關閉該第一放大電路。
- 如請求項3所述之功率放大器,更包含一第二放大電路,用以放大該射頻訊號,該第二放大電路耦接於該第一放大電路,其中該第一偏壓電流與該第一供電電流用以驅動該第二放大電路。
- 如請求項13所述之功率放大器,其中該第二放大電路包含: 一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及 一射頻訊號輸出端,耦接於該功率放大器之該輸出端,用以輸出放大後之該射頻訊號; 其中該第一供電輸入端耦接於該第二放大電路之該射頻訊號輸出端,且該第一偏壓電路之該偏壓輸出端耦接於該第二放大電路之該射頻訊號輸入端。
- 如請求項14所述之功率放大器,其中該第一開關單元用來依據該第一開關控制訊號來將該第一偏壓電路之該偏壓輸出端選擇性地耦接至一第一參考電位。
- 如請求項14所述之功率放大器,其中該第一開關單元用來依據該第一開關控制訊號來將該該第一供電輸入端選擇性地耦接至一第一供電電位。
- 如請求項5所述之功率放大器,其中: 該第一保護電路耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端,該第一保護電路更包含一第一電流偵測電路,耦接於該第一放大電路,其依據該第一偏壓電流來產生一第二偵測訊號;且 該第一邏輯電路另依據該第二偵測訊號來產生該第一開關控制訊號。
- 如請求項5所述之功率放大器,其中該第一保護電路耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端,且該功率放大器更包含: 一第二放大電路,耦接於該功率放大器之該輸入端與該第一放大電路之間,用以放大該射頻訊號,其包含: 一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及 一射頻訊號輸出端,耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端,用以輸出放大後之該射頻訊號; 一第二供電輸入端,用以輸入一第二供電電流; 一第二偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第二偏壓電流,其中該第二偏壓電流與該第二供電電流用以驅動該第二放大電路;以及 一第二保護電路,耦接於該第二放大電路之該射頻訊號輸入端,其包含: 一第二訊號強度偵測電路,用以偵測該射頻訊號之該射頻突波來產生一第二偵測訊號; 一第二邏輯電路,其用以依據該第二偵測訊號來產生一第二開關控制訊號;以及 一第二開關單元,用以依據該第二開關控制訊號降低該第二偏壓電流或該第二供電電流。
- 如請求項5所述之功率放大器,其中: 該第一保護電路耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端; 該功率放大器更包含: 一第三放大電路,用以放大該射頻訊號,耦接於該功率放大器之該輸入端與該第一放大電路之間且包含: 一射頻訊號輸入端,耦接於該功率放大器之該輸入端,用以輸入該射頻訊號;以及 一射頻訊號輸出端,耦接於該第一放大電路之該射頻訊號輸入端,用以輸出放大後之該射頻訊號; 一第三供電輸入端,用以輸入一第三供電電流; 一第三偏壓電路,用以於一偏壓輸出端輸出一第三偏壓電流,其中該第三偏壓電流與該第三供電電流用以驅動該第三放大電路;而 該第一保護電路更包含一第三開關單元,用以依據該第一開關控制訊號降低該第三偏壓電流或該第三供電電流。
- 一種用於射頻主動電路之保護電路,該射頻主動電路接收一驅動電流用以驅動該射頻主動電路,該保護電路包含: 一第一訊號強度偵測電路,耦接於該射頻主動電路之一射頻訊號輸入端或一射頻訊號輸出端,用以根據該射頻訊號之訊號強度來產生一第一偵測訊號; 一第一電流偵測電路,耦接於該射頻主動電路,用以根據該驅動電流偵測該射頻訊號之一輸出反射駐波來產生一第二偵測訊號; 一第一邏輯電路,其依據該第一偵測訊號與該第二偵測訊號來產生一第一開關控制訊號;以及 一第一開關單元,用來依據該第一開關控制訊號降低該驅動電流。
- 如請求項20所述之保護電路,其中: 該驅動電流係由包含一輸出電晶體之一偏壓電路所提供;且 該第一開關單元包括一第一開關,用以將該輸出電晶體的一輸出端選擇性地耦接至一第一參考電位,進而截斷流向該射頻主動電路的電流。
- 如請求項21所述之保護電路,其中: 該第一開關單元另包括一第二開關,用以將該輸出電晶體的一輸入端選擇性地耦接至該第一參考電位,進而關閉該輸出電晶體以減少流經該輸出電晶體之電流。
- 如請求項22所述之保護電路,其中該偏壓元件耦接於該輸出電晶體的該輸入端和該第一參考電位之間,且包含: 一第一電阻,耦接於該輸出電晶體的該輸出端和該射頻主動電路之間;以及 一第二電阻,耦接於該輸出電晶體的該輸入端和一第二參考電位之間。
- 如請求項20所述之保護電路,其中該第一訊號強度偵測電路依據該射頻訊號之峰值強度來產生該第一偵測訊號。
Priority Applications (4)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106128409A TWI649961B (zh) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | 功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路 |
CN201710880522.9A CN109428556B (zh) | 2017-08-22 | 2017-09-26 | 功率放大器和用于射频主动电路的保护电路 |
US15/892,361 US10348254B2 (en) | 2017-08-22 | 2018-02-08 | Power amplifier and protection circuit for use in RF active circuit |
EP18185462.1A EP3447912B1 (en) | 2017-08-22 | 2018-07-25 | Power amplifier and a protection circuit for use in an rf active circuit |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
TW106128409A TWI649961B (zh) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | 功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TWI649961B TWI649961B (zh) | 2019-02-01 |
TW201914210A true TW201914210A (zh) | 2019-04-01 |
Family
ID=63047202
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW106128409A TWI649961B (zh) | 2017-08-22 | 2017-08-22 | 功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路 |
Country Status (4)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US10348254B2 (zh) |
EP (1) | EP3447912B1 (zh) |
CN (1) | CN109428556B (zh) |
TW (1) | TWI649961B (zh) |
Families Citing this family (4)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI716988B (zh) * | 2019-08-30 | 2021-01-21 | 立積電子股份有限公司 | 對數功率偵測器 |
CN115699566A (zh) * | 2020-04-13 | 2023-02-03 | 天工方案公司 | 具有输入功率保护的放大器 |
US20220337201A1 (en) * | 2021-04-14 | 2022-10-20 | Samsung Electronics Co., Ltd. | Power amplification circuit including protection circuit and electronic device including power amplification circuit |
US20230387867A1 (en) * | 2022-05-26 | 2023-11-30 | Qorvo Us, Inc. | Power protection loop for amplifier chain elements |
Family Cites Families (14)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4150101B2 (ja) * | 1998-04-10 | 2008-09-17 | 富士通株式会社 | 無線受信装置 |
US6407689B1 (en) * | 2000-11-01 | 2002-06-18 | Qualcomm, Incorporated | Method and apparatus for controlling stages of a multi-stage circuit |
US6614309B1 (en) * | 2002-02-21 | 2003-09-02 | Ericsson Inc. | Dynamic bias controller for power amplifier circuits |
US7102442B2 (en) * | 2004-04-28 | 2006-09-05 | Sony Ericsson Mobile Communications Ab | Wireless terminals, methods and computer program products with transmit power amplifier input power regulation |
US7427897B2 (en) * | 2006-02-08 | 2008-09-23 | Fairchild Semiconductor Corporation | Power amplifier with close-loop adaptive voltage supply |
JP4618461B2 (ja) * | 2006-05-08 | 2011-01-26 | 日立金属株式会社 | 高周波回路、高周波部品及び通信装置 |
JP2008271517A (ja) * | 2007-03-23 | 2008-11-06 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 高周波電力増幅器、半導体装置、および高周波電力増幅方法 |
US9559639B2 (en) | 2009-08-19 | 2017-01-31 | Qualcomm Incorporated | Protection circuit for power amplifier |
US8319549B2 (en) * | 2009-12-09 | 2012-11-27 | California Institute Of Technology | Self-healing power amplifier: methods and apparatus |
US8487705B2 (en) | 2010-05-26 | 2013-07-16 | Triquint Semiconductor, Inc. | Protection circuit for radio frequency power amplifier |
US9294046B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-03-22 | Rf Micro Devices (Cayman Islands), Ltd. | RF power amplifier with PM feedback linearization |
TWI508432B (zh) * | 2013-06-13 | 2015-11-11 | Advanced Semiconductor Eng | 射頻功率放大器與電子系統 |
JP5854289B2 (ja) * | 2013-11-11 | 2016-02-09 | 株式会社村田製作所 | 電力増幅モジュール |
US10284153B2 (en) * | 2014-10-03 | 2019-05-07 | Skyworks Solutions, Inc. | Peak voltage limiting circuits and methods for power amplifiers |
-
2017
- 2017-08-22 TW TW106128409A patent/TWI649961B/zh active
- 2017-09-26 CN CN201710880522.9A patent/CN109428556B/zh active Active
-
2018
- 2018-02-08 US US15/892,361 patent/US10348254B2/en active Active
- 2018-07-25 EP EP18185462.1A patent/EP3447912B1/en active Active
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
EP3447912A1 (en) | 2019-02-27 |
CN109428556A (zh) | 2019-03-05 |
US20190068137A1 (en) | 2019-02-28 |
EP3447912B1 (en) | 2023-04-12 |
CN109428556B (zh) | 2022-10-21 |
US10348254B2 (en) | 2019-07-09 |
TWI649961B (zh) | 2019-02-01 |
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