TWI716988B - 對數功率偵測器 - Google Patents

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Abstract

對數功率偵測器包含功率分配器、第一偵測電路、第二偵測電路及輸出電路。功率分配器用以依據輸入訊號產生第一功率訊號及第二功率訊號。第一偵測電路用以衰減第一功率訊號以產生第一整流訊號，並使第一整流訊號通過以產生第一低通訊號，及放大第一低通訊號以產生第一放大電流。第二偵測電路用以衰減第二功率訊號以產生第二整流訊號，並使第二整流訊號通過以產生第二低通訊號，及放大第二低通訊號以產生第二放大電流。輸出電路用以接收第一放大電流及第二放大電流以產生與輸入訊號相關之轉換電壓。

Description

對數功率偵測器
本發明關於電子電路，特別是一種對數功率偵測器。
在射頻通訊中，功率放大器會產生射頻訊號以透過天線傳送。射頻訊號之功率需要控制在特定功率範圍內，以在預定覆蓋範圍內傳送同時減低訊號干擾。對數功率偵測器可偵測射頻訊號之功率，進而控制功率放大器以調整射頻訊號之功率。然而目前的對數功率偵測器無法精準量測射頻訊號之功率，且其運作頻寬有限。
因此，需要一種對數功率偵測器，能夠準確偵測輸入訊號之功率，及增加輸出訊號之線性度及可運作頻寬。
本發明實施例提供一種對數功率偵測器，包含輸入端、第一偵測電路、第二偵測電路及輸出電路。輸入端用以接收輸入訊號。功率分配器耦接於輸入端，用以依據輸入訊號產生第一功率訊號及第二功率訊號。第一偵測電路耦接於功率分配器，包含第一半波整流器、第一低通濾波器及第一緩衝器。第 二偵測電路耦接於功率分配器，包含第二半波整流器、第二低通濾波器及第二緩衝器。第一半波整流器耦接於功率分配器，及用以衰減第一功率訊號之半週波形以產生第一整流訊號。第一低通濾波器耦接於第一半波整流器，及用以使第一整流訊號通過以產生第一低通訊號。第一緩衝器耦接於第一低通濾波器，及用以放大第一低通訊號以產生第一放大電流。第二半波整流器耦接於功率分配器，及用以衰減第二功率訊號之半週波形以產生第二整流訊號。第二低通濾波器耦接於第二半波整流器，及用以使第二整流訊號通過以產生第二低通訊號。第二緩衝器耦接於功率分配器，及用以放大第二低通訊號以產生第二放大電流。輸出電路耦接於第一緩衝器及第二緩衝器，及用以接收第一放大電流及第二放大電流以產生轉換電壓。輸入訊號之功率與轉換電壓相關。
1、4:對數功率偵測器
10:第一偵測電路
100:輸入端
102:功率分配器
1020、50:第一阻抗單元
1022、52:第二阻抗單元
104:第一半波整流器
106:第一低通濾波器
108:第一緩衝器
11:第二偵測電路
110:第二半波整流器
112:第二低通濾波器
114:第二緩衝器
116:輸出電路
118:輸出端
120:偏壓電路
122:供電電壓端
124:交流至直流轉換器
126:參考電壓端
41至4M:偵測電路
401至40M:半波整流器
421至42M:低通濾波器
441至44M:緩衝器
60:運算放大器
70至74、80至84:模擬曲線
90:傳送訊號產生電路
911至91N:偏壓電路
92:功率放大器
921至92N:放大階段
93:電壓調節電路
94:耦合器
96:對數功率偵測器
98:天線
C1至C8、95:電容
I1:第一放大電流
I2:第二放大電流
I41至I4M:放大電流
L1、L2:電感
Q1至Q7:電晶體
R1至R8、97:電阻
R60至R66:加法器電阻
Sa:放大訊號
Slp1:第一低通訊號
Slp2:第二低通訊號
Slp41至Slp4M:低通訊號
Sp1:第一功率訊號
Sp2:第二功率訊號
Sp41至Sp4M:功率訊號
Spin:輸入訊號
Sr1:第一整流訊號
Sr2:第二整流訊號
Sr41至Sr4M:整流訊號
St:傳送訊號
Vout:轉換電壓
Vpout:輸出電壓
Vb1至VbN:偏壓
Vref1至VrefN:參考電壓
第1圖係本發明實施例中之對數功率偵測器的方塊圖。
第2圖顯示第1圖中對數功率偵測器之輸入訊號及輸出訊號的關係圖。
第3圖係第1圖中對數功率偵測器的電路圖。
第4圖係本發明實施例中之另一種對數功率偵測器的方塊圖。
第5圖係第1圖中另一種功率分配器的電路圖。
第6圖係第1圖中另一種輸出電路的電路圖。
第7圖顯示第1圖中對數功率偵測器之輸出訊號的訊號模擬圖。
第8圖顯示第1圖中對數功率偵測器之頻率響應。
第9圖係使用第1圖中對數功率偵測器之傳送電路的示意圖。
第1圖係顯示本發明實施例中之對數功率偵測器1的方塊圖。對數功率偵測器1可接收輸入訊號Spin，及產生與輸入訊號Spin之功率實質上成正比之轉換電壓Vout，藉以正確偵測輸入訊號Spin之功率。輸入訊號Spin可為交流訊號，例如但不限於是射頻訊號。
對數功率偵測器1可包含輸入端100、功率分配器102、第一偵測電路10、第二偵測電路11、輸出電路116及輸出端118。功率分配器102可將輸入訊號Spin分配給第一偵測電路10及第二偵測電路11，以使第一偵測電路10及/或第二偵測電路11分別偵測輸入訊號Spin之分段功率以產生和輸入訊號Spin相關之結合電流，結合電流可透過輸出電路116轉換為轉換電壓Vout，轉換電壓Vout可另透過交流至直流轉換器轉換為輸出電壓Vpout。
第2圖顯示對數功率偵測器1之輸入訊號Spin及輸出電壓Vpout的關係圖。舉例而言，輸入訊號Spin之功率範圍可區分為二個分段功率區間P1、P2，分段功率區間P1可介於-30dBm及5dBm之間，對應輸出電壓Vpout為V0至V1之間的範圍，分段功率區間P2可介於5dBm及20dBm之間，對應電壓輸出電壓Vpout為V1至Vsat之間的範圍，其中V0為輸出電壓Vpout的最小值，Vsat為輸出電壓Vpout的飽和值。在分段功率區間P1，亦即輸入訊號Spin在較低功率的情況下，第一偵測電路10及第二偵測電路11可共同偵測輸入訊號Spin之功率。在分段功率區間P2，亦即輸入訊號Spin在較高功率的情況下，第一偵測電路10或第二偵測電路11可單獨偵測輸入訊號Spin之功率。藉由在不同分段功率區間內，並使用偵測電路來偵測輸入訊號Spin之功率，對數功率偵測器1可產生與輸入訊號Spin之功率實質上成正比之輸出電壓Vpout。
輸入端100可耦接於功率分配器102。第一偵測電路10可耦接於功率分配器102及輸出電路116，且包含第一半波整流器104、第一低通濾波器106及第一緩衝器108。第二偵測電路11可耦接於功率分配器102及輸出電路116，且包含第二半波整流器110、第二低通濾波器112及第二緩衝器114。功率分配器102可耦接於第一半波整流器104及第二半波整流器110。第一半波整流器104可耦接於第一低通濾波器106，接著第一低通濾波器106可耦接於第一緩衝器108。相似地，第二半波整流器110可耦接於第二低通濾波器112，接著第二低通濾波器112可耦接於第二緩衝器114。第一緩衝器108及第二緩衝器114可耦接於輸出電路116。最後輸出電路116可耦接於輸出端118。
輸入端100可接收輸入訊號Spin。功率分配器102可依據輸入訊號Spin產生第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2。第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2之大小可與輸入訊號Spin之功率成正比，且第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2之大小可為相同或不同。
第一半波整流器104可衰減第一功率訊號Sp1之半週波形以產生第一整流訊號Sr1。在一些實施例中，第一半波整流器104可衰減第一功率訊號Sp1之正半週波形以產生第一整流訊號Sr1。在其他實施例中，第一半波整流器104可實質上衰減第一功率訊號Sp1之正半週波形以產生第一整流訊號Sr1，例如是衰減第一功率訊號Sp1之正半週波形的一部分以產生第一整流訊號Sr1。第一整流訊號Sr1可包含第一功率訊號Sp1之負半週波形。第一整流訊號Sr1可通過第一低通濾波器106以產生第一低通訊號Slp1，第一緩衝器108可放大第一低通訊號Slp1以產生第一放大電流I1。在一些實施例中，第一緩衝器108可為反向放大器，由共 射極(Common Emitter,CE)放大器或共源極(Common Source,CS)放大器實現，以產生具有正半週波形之第一放大電流I1。在另一實施例中，第一半波整流器104可實質上衰減第一功率訊號Sp1之負半週波形以產生第一整流訊號Sr1。
相似地，第二半波整流器110可衰減第二功率訊號Sp2之半週波形以產生第二整流訊號。在一些實施例中，第二半波整流器110可衰減第二功率訊號Sp2之正半週波形以產生第二整流訊號Sr2。在其他實施例中，第二半波整流器110可實質上濾除第二功率訊號Sp2之正半週波形以產生第二整流訊號Sr2，例如是衰減第二功率訊號Sp2之正半週波形的一部分以產生第二整流訊號Sr2。第二整流訊號Sr2可包含第二功率訊號Sp2之負半週波形。第二整流訊號Sr2可通過第二低通濾波器112以產生第二低通訊號Slp2，第二緩衝器114可放大第二低通訊號Slp2以產生第二放大電流I2。在一些實施例中，第二緩衝器114可為反向放大器，由共射極放大器或共源極放大器實現，以產生具有正半週波形之第二放大電流I2。在另一實施例中，第二半波整流器110可實質上濾除第二功率訊號Sp2之負半週波形以產生第二整流訊號Sr2。
輸出電路116可接收第一放大電流I1及第二放大電流I2以產生結合電流，及依據結合電流產生轉換電壓Vout，在輸出端118輸出轉換電壓Vout。結合電流可為具有正半波之電流。輸入訊號Spin之功率與轉換電壓Vout之大小相關。在一些實施例中，輸入訊號Spin之功率可與結合電流成正比，結合電流可與轉換電壓Vout成正比，因此對數功率偵測器1可產生與輸入訊號Spin之功率實質上成正比之轉換電壓Vout。
第3圖係顯示本發明實施例中之對數功率偵測器1的電路圖。第3圖之 對數功率偵測器1在第1圖之對數功率偵測器1之元件外另包含供電電壓端122、偏壓電路120及交流至直流轉換器124。供電電壓端122可耦接於偏壓電路120。偏壓電路120可耦接於第一低通濾波器106、第二低通濾波器112及輸出電路116。交流至直流轉換器124可耦接於輸出電路116及輸出端118。
偏壓電路120可包含電阻R5、R6。電阻R5可耦接於電壓供應端122及第一低通濾波器106之間，及可透過第一半波整流器104與第一低通濾波器106提供第一偏壓至第一緩衝器108。電阻R6可耦接於電壓供應端122及第二低通濾波器112之間，及可透過第二半波整流器110與第二低通濾波器112提供第二偏壓至第二緩衝器114。
功率分配器102可包含第一阻抗單元1020及第二阻抗單元1022。第一阻抗單元1020可耦接於第一半波整流器104及輸入端100之間，及可依據輸入訊號Spin產生第一功率訊號Sp1。第二阻抗單元1022可耦接於第二半波整流器110及輸入端100之間，及可依據輸入訊號Spin產生第二功率訊號Sp2。第一阻抗單元1020可包含電容C5及C6，且第二阻抗單元1022可包含電容C7及C8。電容C5包含第一端，耦接於輸入端100；及第二端。電容C6包含第一端，耦接於電容C5之第二端；及第二端，耦接於參考電壓端126。電容C7包含第一端，耦接於輸入端100；及第二端。電容C8包含第一端，耦接於電容C7之第二端；及第二端，耦接於參考電壓端126。在一些實施例中，第一阻抗單元1020及第二阻抗單元1022也可包含電容、電阻及電感之其他組合以分別產生第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2。第一阻抗單元1020及第二阻抗單元1022之阻抗值可為相同或不同。在一些實施例中，第一阻抗單元1020之阻抗值可大於第二阻抗單元1022之阻抗值，以使第一功率訊號Sp1小於第二功率訊號Sp2。在另一些實施例中，第一阻抗單元 1020之阻抗值可實質上等於第二阻抗單元1022之阻抗值，以使第一功率訊號Sp1實質上等於第二功率訊號Sp2。
第一半波整流器104可包含電晶體Q1、Q3，二者皆以二極體形式設置。電晶體Q3可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q3之第一端可耦接於功率分配器102，電晶體Q3之第二端可耦接於第一低通濾波器106及電晶體Q3之控制端。電晶體Q1可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q1之第一端可耦接於電晶體Q3之第二端、第一低通濾波器106及電晶體Q1之控制端，電晶體Q1之第二端可耦接於參考電壓端126。參考電壓端126可提供參考電壓，例如0V。電晶體Q1、Q3可進行兩次正半週訊號濾波以實質上衰減第一功率訊號Sp1中之正半週波形，藉以產生第一整流訊號Sr1。在第一功率訊號Sp1之正半週周期時，因電晶體Q3為負向偏壓，因此可以衰減第一功率訊號Sp1中之正半週波形，及電晶體Q1為正向偏壓，所以更進一步衰減第一功率訊號Sp1中之正半週波形，使第一功率訊號Sp1之負半週訊號進入第一低通濾波器106。第一半波整流器104可另包含電阻R1，耦接於電晶體Q1之控制端及第一端之間，在一些實施例中，電阻R1可以調整第一整流訊號Sr1以對第一緩衝器108提供合適的偏壓。相似地，在一些實施例中，第一半波整流器104也可另包含電阻，耦接於電晶體Q3之控制端及第二端之間，藉以另調整第一整流訊號Sr1。在另一些實施例中，第一半波整流器104可不包含電晶體Q3，以對第一功率訊號Sp1只進行一次正半週濾波而產生第一整流訊號Sr1。在一些實施例中，電晶體Q1可由二極體代替，其陽極耦接於第一低通濾波器106，陰極耦接於參考電壓端126；電晶體Q3亦可由二極體代替，其陽極耦接於第一低通濾波器106，陰極耦接於功率分配器102。
第一低通濾波器106可包含電阻R3及電容C1。電阻R3可包含第一 端，耦接於第一半波整流器104，及第二端，耦接於第一緩衝器108。電容C1可包含第一端，耦接於第一緩衝器108及電阻R3之第二端，及第二端，耦接於參考電壓端126。電阻R3及電容C1可衰減第一整流訊號Sr1中之高頻成分以產生第一低通訊號Slp1。第一緩衝器108可包含電晶體Q5，設置為共射極放大器。電晶體Q5可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q5之控制端可接收第一低通訊號Slp1及第一偏壓，電晶體Q5之第一端可產生第一放大電流I1，及電晶體Q5之第二端可耦接於參考電壓端126。
第二半波整流器110可包含電晶體Q2、Q4，二者皆以二極體形式設置。電晶體Q4可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q4之第一端可耦接於功率分配器102。電晶體Q4之第二端可耦接於第二低通濾波器112及電晶體Q4之控制端。電晶體Q2可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q2之第一端可耦接於電晶體Q4之第二端、第二低通濾波器112及電晶體Q2之控制端，電晶體Q2之第二端可耦接於參考電壓端126。電晶體Q2、Q4可進行兩次正半週訊號濾波以實質上衰減第二功率訊號Sp2中之正半週波形，藉以產生第二整流訊號Sr2。在第二功率訊號Sp2之正半週周期時，電晶體Q4可為負向偏壓以衰減第二功率訊號Sp2中之正半週波形，電晶體Q2可為正向偏壓以進一步衰減第二功率訊號Sp2中之正半週波形，使第二功率訊號Sp2之負半週訊號進入第二低通濾波器112。第二半波整流器110可另包含電阻R2，耦接於電晶體Q2之控制端及第一端之間，藉以調整第二整流訊號Sr2以對第一緩衝器108提供合適的偏壓。在一些實施例中，第二半波整流器110也可另包含電阻，耦接於電晶體Q4之控制端及第二端之間，藉以另調整第一整流訊號Sr1。在另一些實施例中，第二半波整流器110可僅包含電晶體Q2及/或電阻R2，以減少或移除第二功率訊號Sp2之正半週波形而產生第二整流訊號Sr2。在一些實施例中，電晶體Q2可由二極體代替，其陽極耦接於第 二低通濾波器112，陰極耦接於參考電壓端126；電晶體Q4由二極體代替，其陽極耦接於第二低通濾波器112，陰極耦接於功率分配器102。
第二低通濾波器112可包含電阻R4及電容C2。電阻R4可包含第一端，耦接於第二半波整流器110，及第二端，耦接於第二緩衝器114。電容C2可包含第一端，耦接於第二緩衝器114及電阻R4之第二端，及第二端，耦接於參考電壓端126。電阻R4及電容C2可減低或移除第二整流訊號Sr2中之高頻成分以產生第二低通訊號Slp2。第二緩衝器114可包含電晶體Q6，設置為共射極放大器。電晶體Q6可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q6之控制端可接收第二低通訊號Slp2及第二偏壓，電晶體Q6之第一端可產生第二放大電流I2，及電晶體Q6之第二端可耦接於參考電壓端126。
第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2對應之電壓根據第一阻抗單元1020及第二阻抗單元1022之阻抗值可為相同或不同。在一些實施例中，當第一阻抗單元1020之阻抗值大於第二阻抗單元1022之阻抗值時，第一功率訊號Sp1對應之電壓可小於第二功率訊號Sp2對應之電壓。當輸入訊號Spin之功率低於預定分段功率(例如5dBm)時，第一功率訊號Sp1對應之電壓與第二功率訊號Sp2對應之電壓可以低於第一臨界值(例如電晶體Q5之飽和電壓)與第二臨界值(例如電晶體Q6之飽和電壓)，此時的輸入訊號Spin之功率實質上可以與輸出電壓Vpout成正比。另在一些實施例中，當輸入訊號Spin之功率超過預定分段功率，且第一阻抗單元1020之阻抗值仍大於第二阻抗單元1022之阻抗值時，第二功率訊號Sp2之電壓便可能超出第二臨界值，而導致電晶體Q6進入了飽和區操作，此時輸出電壓Vpout之線性度則由在線性區操作的電晶體Q5所決定。換句話說，當輸入訊號Spin之功率超過預定分段功率時，第一緩衝器108可維持在線性區操作而第二緩衝器 114則進入飽和區操作以產生輸出電壓Vpout；而當輸入訊號Spin之功率小於預定分段功率時，第一緩衝器108及第二緩衝器114皆可維持在線性區操作以產生輸出電壓Vpout。在其他的實施例中，第一阻抗單元1020與第二阻抗單元1022之阻抗值、第一低通濾波器106與第二低通濾波器112中之電容值、電阻值與偏壓電路120中之電阻值可在不同功率的輸入訊號Spin下進行調整，進一步可設定第一緩衝器108與第二緩衝器114的操作範圍，以增加輸出電壓Vpout之線性度與可運作頻寬。
輸出電路116可包含電晶體Q7及電阻R7。電阻R7可包含第一端及第二端。電阻R7之第一端耦接於供電電壓端122。供電電壓端122可提供供電電壓。電晶體Q7可包含控制端、第一端及第二端。電晶體Q7之控制端可耦接於電晶體Q5之第一端、電晶體Q6之第一端及電阻R7之第二端。電晶體Q7之第一端可耦接於電阻R7之第一端。電晶體Q7之第二端可耦接於交流至直流轉換器124。交流至直流轉換器124可耦接於輸出端118。電晶體Q7可設置為射極隨耦器(Emitter Follower)。電晶體Q7之控制端可接收第一放大電流I1及第二放大電流I2以產生結合電流，及依據結合電流在電晶體Q7之第二端產生轉換電壓Vout。交流至直流轉換器124可包含電容C3及電阻R8，將轉換電壓Vout轉換為直流輸出電壓Vpout。由於第一半波整流器104及第二半波整流器110可實質上衰減第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2中之正半週波形，所產生之輸出電壓Vpout不易受另外半週波形干擾影響而可增加線性度。
電晶體Q1至Q7可以是雙極性接面型電晶體(Bipolar Junction Transistor,BJT)或金屬氧化物半導體場效電晶體(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor,MOSFET)。
對數功率偵測器1透過功率分配器102分段產生第一功率訊號Sp1與第二功率訊號Sp2，並經由第一偵測電路10及/或第二偵測電路11分段產生與輸入訊號Spin之功率實質上成正比之輸出電壓Vpout，及使用二個二極體或二個二極體形式設置之電晶體進行兩次正半週訊號濾波以衰減訊號中的正半週波形以增加輸出電壓Vpout之線性度。
第4圖係本發明實施例中之另一種對數功率偵測器4的方塊圖。對數功率偵測器4中，第一偵測電路10及第二偵測電路11之連接及運作已在前面段落中說明，在此不再贅述。對數功率偵測器4在對數功率偵測器1之元件外另包含M個偵測電路41至4M，分別耦接於功率分配器102及輸出電路116，M係為正整數。例如M=1時，對數功率偵測器4具有3個偵測電路，以偵測對應於輸入訊號Spin之3個分段功率區間，例如介於-30dBm及5dBm之間之低功率分段功率區間、介於5dBm及20dBm之間之中功率分段功率區間、及超過20dBm之高功率分段功率區間。在低功率分段功率區間內，第一偵測電路10、第二偵測電路11及偵測電路41可共同偵測輸入訊號Spin之功率；在中功率分段功率區間內，第一偵測電路10及第二偵測電路11可共同偵測輸入訊號Spin之功率；及在高功率分段功率區間內，第一偵測電路10可單獨偵測輸入訊號Spin之功率。M的值越大，對數功率偵測器4可偵測輸入訊號Spin之功率的範圍也越大。
M個偵測電路41至4M中之第m偵測電路4m可包含第m半波整流器40m、第m低通濾波器42m及第m緩衝器44m，m係為正整數且m小於或等於M。功率分配器102可耦接於第m半波整流器40m。第m半波整流器40m可耦接於第m 低通濾波器42m，第m低通濾波器42m可耦接於第m緩衝器44m，及第m緩衝器44m可耦接於輸出電路116。功率分配器102可依據輸入訊號Spin另產生第m功率訊號，其大小可與輸入訊號Spin之功率成正比。第一功率訊號Sp1、第二功率訊號Sp2及M個功率訊號Sp41至Sp4M之大小可為相同或不同。第m半波整流器40m可衰減第m功率訊號Sp4m之半週波形以產生第m整流訊號Sr4m。在一些實施例中，第m半波整流器40m可衰減第m功率訊號Sp1之正半週波形以產生第m整流訊號S4m。在其他實施例中，第m半波整流器40m可實質上衰減第m功率訊號Sp4m之正半週波形以產生第m整流訊號Sr4m。第m整流訊號Sr4m可包含第m功率訊號Sp4m之負半週波形。第m整流訊號Sr4m可通過第m低通濾波器42m以產生第m低通訊號Slp4m，及第m緩衝器44m可放大第m低通訊號Slp4m以產生第m放大電流I4m。在一些實施例中，第m緩衝器44m可為反向放大器，由共射極放大器或共源極放大器實現，及產生具有正半週波形之第m放大電流I4m。
輸出電路116可接收第一放大電流I1、第二放大電流I2及放大電流I41至I4M以產生結合電流，並依據結合電流產生轉換電壓Vout。
對數功率偵測器4可透過M個偵測電路41至4M增加輸入訊號Spin之功率的可偵測範圍。
第5圖係另一種功率分配器102的電路圖，包含第一阻抗單元50及第二阻抗單元52。第一阻抗單元50可為電容，依據輸入訊號Spin產生第一功率訊號Sp1，及包含第一端，耦接於輸入端100，及第二端，耦接於第一半波整流器104。第二阻抗單元52可為電容，依據輸入訊號Spin產生第二功率訊號Sp2，及包含第一端，耦接於第一半波整流器104，及第二端，耦接於第二半波整流器110及參 考電壓端126。在一些實施例中，第一阻抗單元50及第二阻抗單元52也可包含電容、電阻及電感之其他組合以分別產生第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2。第一阻抗單元50及第二阻抗單元52之阻抗值可為相同或不同。
第6圖係另一種輸出電路116的電路圖，包含運算放大器60、及加法器電阻R60至R66。運算放大器60包含正向輸入端、反向輸入端及輸出端。加法器電阻R60包含第一端，耦接於第一緩衝器108以接收第一放大電流I1，及第二端，耦接於運算放大器60之正向輸入端。加法器電阻R62包含第一端，耦接於第二緩衝器114以接收第二放大電流I2，及第二端，耦接於運算放大器60之正向輸入端。加法器電阻R64包含第一端，耦接於運算放大器60之輸出端，及第二端，耦接於運算放大器60之反向輸入端。加法器電阻R66包含第一端，耦接於運算放大器60之反向輸入端，及第二端，耦接於參考電壓端126。第一放大電流I1及第二放大電流I2可在運算放大器60之正向輸入端結合以產生結合電流，運算放大器60可將結合電流轉換為轉換電壓Vout，在運算放大器60之輸出端輸出。
第7圖顯示在對數功率偵測器1相應於輸入訊號Spin所產生之輸出電壓Vpout的訊號模擬圖。直線70表示基準線，模擬曲線72表示在第一半波整流器104及第二半波整流器110中分別使用二個二極體或二個二極體形式設置之電晶體的訊號模擬，及模擬曲線74表示在第一半波整流器104及第二半波整流器110中分別使用一個二極體或一個二極體形式設置之電晶體的訊號模擬。在第7圖上可看出相較於線74，線72斜率更接近線70，具有較高之線性度。對數功率偵測器1可使用二個二極體或二個二極體形式設置之電晶體更能衰減第一功率訊號Sp1及第二功率訊號Sp2中之正半週波形，藉以增加輸出電壓Vpout之線性度。
第8圖顯示對數功率偵測器1之頻率響應，其中模擬曲線80、82及84分別表示相應於5GHz、5.5GHz及6GHz的輸入訊號Spin所產生之輸出電壓Vpout之訊號模擬。在第8圖上可看出在一相同輸入訊號Spin功率之下，模擬曲線80、82及84所對應之輸出電壓Vpout之間差異很小，例如小於0.1V。換句話說，設置二個二極體或二個二極體形式之電晶體之對數功率偵測器1在不同頻段之下所偵測到之輸出電壓Vpout之電壓值幾乎一致，可運作頻寬增加。
第9圖係顯示第1、3或4圖中之對數功率偵測器應用於傳送電路9的示意圖。傳送電路9可包含傳送訊號產生電路90、功率放大器92、電壓調節電路93、耦合器94、電容95、對數功率偵測器96、電阻97及天線98。傳送訊號產生電路90耦接於功率放大器92，功率放大器92耦接於耦合器94，耦合器94耦接於天線98、電容95及電阻97。電阻97耦接於耦合器94及參考電壓端之間。電容95耦接於耦合器94及對數功率偵測器96之間。電壓調節電路93耦接於對數功率偵測器96及功率放大器92之間。
傳送訊號產生電路90可產生傳送訊號St。功率放大器92可放大傳送訊號St以產生放大訊號Sa，通過耦合器94經由天線98發送。功率放大器92可包含順序互相耦接的N個放大階段921至92N，及分別耦接至放大階段921至92N的N個偏壓電路911至91N，N係為正整數，例如N=3。第一個放大階段921可接收傳送訊號St，最後一個放大階段92N可產生放大訊號Sa，每個放大階段都可為可變增益放大器。耦合器94可包含電感L1及L2。在一些實施例中，在通過耦合器94時，一部分放大訊號Sa耦合至電感L2，通過電容95產生輸入訊號Spin。對數功率偵測器96可接收輸入訊號Spin，及產生與輸入訊號Spin之功率實質上成正比之輸出電壓Vpout，並將輸出電壓Vpout傳送至電壓調節電路93。電壓調節電路93可依據 輸出電壓Vpout產生N個參考電壓Vref1至VrefN，並將參考電壓Vref1至VrefN分別輸出至偏壓電路911至91N，偏壓電路911至91N可分別依據參考電壓Vref1至VrefN產生偏壓Vb1至VbN，並將偏壓Vb1至VbN分別傳送至放大階段921至92N進而控制放大階段921至92N之增益。在一些實施例中，偏壓電路911至91N可分別依據參考電壓Vref1至VrefN而更新偏壓Vb1至VbN之一或多者。在另一些實施例中，偏壓電路911至91N可分別依據參考電壓Vref1至VrefN而更新偏壓Vb1至VbN全部。在另一些實施例中，功率放大器92可將N個放大階段中之第n放大階段輸出的第n輸出訊號送到耦合器94以使一部分的第n輸出訊號耦合至電感L2以通過電容95產生輸入訊號Spin，對數功率偵測器96可依據輸入訊號Spin產生輸出電壓Vpout，電壓調節電路93可依據輸出電壓Vpout產生參考電壓Vref1至VrefN，偏壓電路911至91N可分別依據參考電壓Vref1至VrefN產生偏壓Vb1至VbN，最後放大階段921至92N可分別依據偏壓Vb1至VbN控制最後放大階段921至92N之增益，n係為正整數且n小於或等於N。在另一些實施例中，對數功率偵測器96也可將輸出電壓Vpout傳送至傳送訊號產生電路90以控制放大訊號Sa之傳送功率。其中，傳送訊號產生電路90可以但不限於是基頻(baseband)電路，電壓調節電路可以但不限於是低壓差穩壓器(Low-dropout regulator，LDO)。在又一些實施例中，對數功率偵測器96可接收輸入訊號Spin，及產生與輸入訊號Spin之功率實質上成反比之輸出電壓Vpout。
第1、3或4圖中之對數功率偵測器使用複數個偵測電路以分段產生與輸入訊號Spin之功率實質上成正比之輸出電壓Vpout，並使用二個二極體或二個二極體形式設置之電晶體增加對數功率偵測器之輸出電壓Vpout之線性度及增加可運作頻寬。
以上所述僅為本發明之較佳實施例，凡依本發明申請專利範圍所做之均等變化與修飾，皆應屬本發明之涵蓋範圍。
1:對數功率偵測器
10:第一偵測電路
100:輸入端
102:功率分配器
104:第一半波整流器
106:第一低通濾波器
108:第一緩衝器
11:第二偵測電路
110:第二半波整流器
112:第二低通濾波器
114:第二緩衝器
116:輸出電路
118:輸出端
I1:第一放大電流
I2:第二放大電流
Slp1:第一低通訊號
Slp2:第二低通訊號
Sp1:第一功率訊號
Sp2:第二功率訊號
Spin:輸入訊號
Sr1:第一整流訊號
Sr2:第二整流訊號
Vout:轉換電壓
Vpout:輸出電壓

Claims (20)

  1. 一種對數功率偵測器，包含：一輸入端，用以接收一輸入訊號；一功率分配器，耦接於該輸入端，及用以依據該輸入訊號產生一第一功率訊號及一第二功率訊號；一第一偵測電路，耦接於該功率分配器，及包含：一第一半波整流器，耦接於該功率分配器，及用以衰減該第一功率訊號之一半週波形以產生一第一整流訊號；一第一低通濾波器，耦接於該第一半波整流器，及用以使該第一整流訊號通過以產生一第一低通訊號；及一第一緩衝器，耦接於該第一低通濾波器，及用以放大該第一低通訊號以產生一第一放大電流；一第二偵測電路，耦接於該功率分配器，及包含：一第二半波整流器，耦接於該功率分配器，及用以衰減該第二功率訊號之一半週波形以產生一第二整流訊號；一第二低通濾波器，耦接於該第二半波整流器，及用以使該第二整流訊號通過以產生一第二低通訊號；及一第二緩衝器，耦接於該第二低通濾波器，及用以放大該第二低通訊號以產生一第二放大電流；及一輸出電路，耦接於該第一緩衝器及該第二緩衝器，及用以接收該第一放大電流及該第二放大電流以產生一轉換電壓；其中，該輸入訊號之功率與該轉換電壓相關；及該第一整流訊號及該第二整流訊號係為實質上同相。
  2. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該功率分配器包含：一第一阻抗單元，耦接於該第一半波整流器及該輸入端，及用以依據該輸入訊號產生該第一功率訊號；及一第二阻抗單元，耦接於該第二半波整流器及該輸入端，及用以依據該輸入訊號產生該第二功率訊號。
  3. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該功率分配器包含：一第一阻抗單元，用以依據該輸入訊號產生該第一功率訊號，及包含第一端，耦接於該輸入端，及第二端，耦接於該第一半波整流器；及一第二阻抗單元，用以依據該輸入訊號產生該第二功率訊號，及包含第一端，耦接於該第一半波整流器，及第二端，耦接於該第二半波整流器。
  4. 如請求項2或3所述之對數功率偵測器，其中該第一阻抗單元包含一電容、一電阻或一耦合器，及該第二阻抗單元包含一電容、一電阻或一耦合器。
  5. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該半週波形為一正半週波形。
  6. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中：該第一半波整流器包含一第一二極體，包含：一陽極，耦接於該功率分配器及該第一低通濾波器；及一陰極，耦接於一參考電壓端；及該第二半波整流器包含一第二二極體，包含： 一陽極，耦接於該功率分配器及該第二低通濾波器；及一陰極，耦接於該參考電壓端。
  7. 如請求項6所述之對數功率偵測器，其中：該第一半波整流器另包含一第三二極體，包含：一陽極，耦接於該第一二極體之該陽極及該第一低通濾波器；及一陰極，耦接於該功率分配器；及該第二半波整流器另包含一第四二極體，包含：一陽極，耦接於該第二二極體之該陽極及該第二低通濾波器；及一陰極，耦接於該功率分配器。
  8. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中：該第一半波整流器包含一第一電晶體，包含：一控制端；一第一端，耦接於該功率分配器、該第一低通濾波器及該第一電晶體之該控制端；及一第二端，耦接於一參考電壓端；及該第二半波整流器包含一第二電晶體，包含：一控制端；一第一端，耦接於該功率分配器、該第二低通濾波器及該第二電晶體之該控制端；及一第二端，耦接於該參考電壓端。
  9. 如請求項8所述之對數功率偵測器，其中： 該第一半波整流器另包含一第一電阻，耦接於該第一電晶體之該第一端及該第一電晶體之該控制端之間；及該第二半波整流器另包含一第二電阻，耦接於該第二電晶體之該第一端及該第二電晶體之該控制端之間。
  10. 如請求項8所述之對數功率偵測器，其中：該第一半波整流器包含一第三電晶體，包含：一控制端；一第一端，耦接於該功率分配器；及一第二端，耦接於該第一電晶體之該第一端、該第一低通濾波器及該第三電晶體之該控制端；及該第二半波整流器包含一第四電晶體，包含：一控制端；一第一端，耦接於該功率分配器；及一第二端，耦接於該第二電晶體之該第一端、該第二低通濾波器及該第四電晶體之該控制端。
  11. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中：該第一低通濾波器包含：一第三電阻，包含一第一端，耦接於該第一半波整流器，及一第二端，耦接於該第一緩衝器；及一第一電容，包含一第一端，耦接於該第一緩衝器及該第三電阻之該第二端，及一第二端，耦接於一參考電壓端；及該第二低通濾波器包含： 一第四電阻，包含一第一端，耦接於該第二半波整流器，及一第二端，耦接於該第二緩衝器；及一第二電容，包含一第一端，耦接於該第二緩衝器及該第四電阻之該第二端，及一第二端，耦接於該參考電壓端。
  12. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該第一緩衝器包含一第一放大器，及該第二緩衝器包含一第二放大器。
  13. 如請求項12所述之對數功率偵測器，其中該第一放大器及該第二放大器為反相放大器。
  14. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該輸出電路包含一第三緩衝器，耦接於該第一緩衝器及該第二緩衝器，及用以接收該第一放大電流及該第二放大電流以產生該轉換電壓。
  15. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該輸出電路包含一加法器，包含：一運算放大器，包含一正向輸入端、一反向輸入端及一輸出端；一第一加法器電阻，包含一第一端，耦接於該第一緩衝器，及一第二端，耦接於該運算放大器之該正向輸入端；一第二加法器電阻，包含一第一端，耦接於該第二緩衝器，及一第二端，耦接於該運算放大器之該正向輸入端；一第三加法器電阻，包含一第一端，耦接於該運算放大器之該輸出端，及一第二端，耦接於該運算放大器之該反向輸入端；及 一第四加法器電阻，包含一第一端，耦接於該運算放大器之該反向輸入端，及一第二端，耦接於一參考電壓端。
  16. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中：該功率分配器另用以依據該輸入訊號產生M個功率訊號；該對數功率偵測器另包含：M個偵測電路，耦接於該功率分配器及該輸出電路，及該M個偵測電路中之第m個偵測電路包含：一第m半波整流器，耦接於該功率分配器，及用以衰減該M個功率訊號之一第m功率訊號之該半週波形以產生一第m整流訊號；一第m低通濾波器，耦接於該第m半波整流器，及用以使該第m整流訊號通過以產生一第m低通訊號；及一第m緩衝器，耦接於該第m低通濾波器，及用以放大該第m低通訊號以產生一第m放大電流；其中M及m係為正整數，及m<=M；該輸出電路另用以接收M個放大電流以產生該轉換電壓；及該第一功率訊號、該第二功率訊號及該M個功率訊號之大小為相同或不同。
  17. 如請求項1所述之對數功率偵測器，其中該對數功率偵測器另包含一交流至直流轉換器，耦接於該輸出電路，及用以將該轉換電壓轉換為一輸出電壓。
  18. 如請求項17所述之對數功率偵測器，其中該第二功率訊號超出一臨界值時，該輸出電壓之一線性度係由該第一緩衝器決定。
  19. 如請求項17所述之對數功率偵測器，其中該輸出電壓與該輸入訊號之分段功率成正比。
  20. 如請求項1所述之對數功率偵測器，更包含一偏壓電路，耦接於該第一低通濾波器、該第二低通濾波器及該輸出電路，及包含：一第五電阻，耦接於一電壓供應端及該第一低通濾波器之間，及用以透過該第一低通濾波器提供一第一偏壓至該第一緩衝器；及一第六電阻，耦接於該電壓供應端及該第二低通濾波器之間，及用以透過該第二低通濾波器提供一第二偏壓至該第二緩衝器。
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Families Citing this family (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
CN115378375A (zh) * 2021-05-21 2022-11-22 立积电子股份有限公司 放大装置

Citations (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200945837A (en) * 2008-04-25 2009-11-01 Univ Nat Taiwan Signal conversion device, radio frequency tag, and method for operating the same
US20160126921A1 (en) * 2014-11-05 2016-05-05 Qualcomm Incorporated Dynamic power divider circuits and methods
WO2017216839A1 (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 三菱電機株式会社 高周波整流器
CN109950696A (zh) * 2018-04-25 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 整流天线

Family Cites Families (15)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP4365541B2 (ja) * 2001-04-18 2009-11-18 アルプス電気株式会社 送信器の検波回路
JP3937822B2 (ja) * 2001-11-28 2007-06-27 日本電気株式会社 周波数検出回路及びそれを用いた光受信装置
GB0204108D0 (en) * 2002-02-21 2002-04-10 Analog Devices Inc 3G radio
US6980441B2 (en) * 2003-07-28 2005-12-27 Astec International Limited Circuit and method for controlling a synchronous rectifier in a power converter
US7760478B2 (en) * 2007-03-16 2010-07-20 System General Corp. Control circuit with short-circuit protection for current sense terminal of power converters
CN101369777A (zh) * 2007-08-14 2009-02-18 陈建志 功率控制电路及其具有该功率控制电路的电子安定器
TWI380565B (en) * 2007-10-26 2012-12-21 Niko Semiconductor Co Ltd Three terminal integrated synchronous rectifier and flyback synchronous rectifying circuit
TWI356410B (en) * 2007-11-15 2012-01-11 Ind Tech Res Inst Light transmitter and an automatic power control c
US7839174B2 (en) * 2008-12-09 2010-11-23 Himax Technologies Limited Mixed-voltage tolerant I/O buffer and output buffer circuit thereof
US8098113B2 (en) * 2009-05-29 2012-01-17 John Mezzalingua Associates, Inc. Self-terminating coaxial cable port
US8711718B2 (en) * 2010-07-04 2014-04-29 Mediatek Inc. Method and apparatus for reducing power consumption used in communication system having time slots
CA2746761A1 (en) * 2011-07-18 2013-01-18 Crane Electronics, Inc. Power converter apparatus and methods
US9077258B2 (en) * 2011-07-26 2015-07-07 System General Corp. Regulation circuit associated with synchronous rectifier providing cable compensation for the power converter and method thereof
CN103166469B (zh) * 2011-12-12 2015-10-14 立锜科技股份有限公司 切换式电源供应器及其控制电路与控制方法
TWI649961B (zh) * 2017-08-22 2019-02-01 立積電子股份有限公司 功率放大器和用於射頻主動電路之保護電路

Patent Citations (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW200945837A (en) * 2008-04-25 2009-11-01 Univ Nat Taiwan Signal conversion device, radio frequency tag, and method for operating the same
US20160126921A1 (en) * 2014-11-05 2016-05-05 Qualcomm Incorporated Dynamic power divider circuits and methods
WO2017216839A1 (ja) * 2016-06-13 2017-12-21 三菱電機株式会社 高周波整流器
EP3447897A1 (en) * 2016-06-13 2019-02-27 Mitsubishi Electric Corporation High frequency rectifier
CN109950696A (zh) * 2018-04-25 2019-06-28 京东方科技集团股份有限公司 整流天线

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