TW201909210A - 積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝 - Google Patents
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Abstract
本發明提供一種於搭載元件並予以密封時可呈現較高之氣密性、且可實現低背化之積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝。 本發明之積層陶瓷基板具備：底部3，其具有主面3a，且係由複數個第1陶瓷層3b積層而成；間隔壁部4，其以包圍底部3之一部分區域之方式設置於主面3a，且係由複數個第2陶瓷層4b積層而成；及配線5，其具有於主面3a中之間隔壁部4之內側露出之第1端部5a、及於主面3a中之間隔壁部4之外側露出之第2端部5e，且穿過底部3內。
Description
本發明係關於一種用以搭載元件之積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝。
先前，為了搭載發光元件而使用發光元件搭載用基板。作為搭載於發光元件搭載用基板之發光元件之一例之LED(Light Emitting Diode，發光二極體)係小型且消耗電力較低之光源。其中，白色LED作為代替白熾燈泡或螢光燈之照明而受到關注。又，紫外LED於殺菌、空氣清潔、癌症治療、或樹脂硬化等用途方面，作為紫外線光源而受到關注。
於下述專利文獻1中，揭示有一種於氮化鋁基板上設置光反射層而成之發光元件搭載用基板。於專利文獻1中，於氮化鋁基板內設置有填孔。上述填孔將正面側電極與背面側電極連接。
又，於專利文獻1中，揭示有一種於上述發光元件搭載用基板搭載有發光元件之發光器件。上述發光元件連接於上述正面側電極。專利文獻1中，以覆蓋上述發光元件之方式設置有樹脂，藉此將發光元件密封。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1]日本專利特開2015-144210號公報
[發明所欲解決之問題]
近年來，根據進一步提高殺菌或空氣淨化、或樹脂硬化等性能之觀點，對深紫外線LED之關注正在提高。將深紫外線LED用作發光元件之情形時，需要更高之氣密性。然而，專利文獻1之發光器件係以發出可見光線之發光元件為前提，氣密性並不充分。
又，發光元件經由發光元件搭載用基板之背面側電極而與其他元件電性連接。因此，需要於搭載有其他元件之其他安裝基板上搭載發光元件搭載用基板，故難以實現裝置整體之低背化。
本發明之目的在於提供一種於搭載元件並予以密封時可呈現較高之氣密性、且可實現低背化之積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝。 [解決問題之技術手段]
本發明之積層陶瓷基板之特徵在於具備：底部，其具有主面，且係由複數個第1陶瓷層積層而成；間隔壁部，其以包圍底部之一部分區域之方式設置於主面，且係由複數個第2陶瓷層積層而成；及配線，其具有於主面之間隔壁部之內側露出之第1端部、及於主面之間隔壁部之外側露出之第2端部，且穿過底部內。
較佳為，底部之第1陶瓷層與間隔壁部之第2陶瓷層包含相同之陶瓷材料。
亦可為，於將第1陶瓷層及第2陶瓷層之積層方向設為高度方向時，配線之第1端部之高度方向之位置、與第2端部之高度方向之位置相同。
亦可為，於將第1陶瓷層及第2陶瓷層之積層方向設為高度方向時，配線之第1端部之高度方向之位置較第2端部之高度方向之位置高。
亦可為，於將第1陶瓷層及第2陶瓷層之積層方向設為高度方向時，配線之第1端部之高度方向之位置較第2端部之高度方向之位置低。
較佳為，配線具有：第1貫通部，其於間隔壁部之內側，於積層方向貫通底部之至少1層陶瓷層；第2貫通部，其於間隔壁部之外側，於積層方向貫通底部之至少1層陶瓷層；及連接部，其穿過底部內，且將第1貫通部及第2貫通部連接。於該情形時，較佳為，配線設置有複數條，且複數條配線中之至少2條配線之連接部設置於互不相同之第1陶瓷層。又，較佳為，配線於與連接部之延伸方向正交之方向設置有複數條，於與連接部之延伸方向正交之方向上相鄰之配線之連接部設置於互不相同之第1陶瓷層，將與第1陶瓷層之積層方向及連接部之延伸方向正交之方向上之長度設為寬度時，連接部之寬度較第1貫通部及第2貫通部之寬度寬。
本發明之積層陶瓷封裝之特徵在於具備上述積層陶瓷基板、及設置於間隔壁部上之玻璃蓋。 [發明之效果]
根據本發明，可提供一種於搭載元件並予以密封時可呈現較高之氣密性、且可實現低背化之積層陶瓷基板及積層陶瓷封裝。
以下，對較佳之實施形態進行說明。但是，以下之實施形態僅為例示，本發明並不限定於以下之實施形態。又，於各圖式中，有具有實質上相同功能之構件以相同符號參照之情形。
(第1實施形態) 圖1係表示本發明之第1實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。圖2係表示第1實施形態之積層陶瓷封裝之模式性俯視圖。再者，於圖2中，省略了下述之玻璃蓋、密封材層、或金屬線等。
如圖1所示，積層陶瓷封裝1具備本發明之一實施形態之積層陶瓷基板2、及玻璃蓋7。於積層陶瓷基板2搭載有元件10。作為元件10，可列舉例如可見光線用之LED及深紫外線LED等發光元件或反射型影像器件等。
如圖2所示，積層陶瓷基板2具備具有主面3a之底部3、及以包圍底部3之一部分區域之方式設置於主面3a之間隔壁部4。底部3具有間隔壁部4之內側之區域與外側之區域。元件10配置於底部3之主面3a上之間隔壁部4之內側之區域。
返回至圖1，底部3係由複數個第1陶瓷層3b積層而成。間隔壁部4係由包含與底部3之第1陶瓷層3b相同之陶瓷材料之複數個第2陶瓷層4b積層而成。積層陶瓷基板2係一體地設置有底部3及間隔壁部4之積層陶瓷基板。再者，第1陶瓷層3b與第2陶瓷層4b亦可包含不同之陶瓷材料。
於積層陶瓷基板2之間隔壁部4上，設置有上述玻璃蓋7。玻璃蓋7藉由密封材層6而與間隔壁部4接合。元件10由積層陶瓷基板2及玻璃蓋7密封。
積層陶瓷基板2具備穿過底部3之配線5。更具體而言，配線5具有第1貫通部5b，該第1貫通部5b於間隔壁部4之內側，於積層方向z貫通底部3之至少1層第1陶瓷層3b。第1貫通部5b包含於底部3之主面3a上之間隔壁部4之內側露出之第1端部5a。配線5具有第2貫通部5d，該第2貫通部5d於間隔壁部4之外側，於積層方向z貫通至少1層第1陶瓷層3b。第2貫通部5d包含於主面3a上之間隔壁部4之外側露出之第2端部5e。進而，配線5具有穿過底部3內、且將第1貫通部5b及第2貫通部5d連接之連接部5c。
再者，連接部5c設置於複數個第1陶瓷層3b中之1層。於該第1陶瓷層3b之設置有連接部5c之面，進而積層有其他第1陶瓷層3b。
此處，將第1陶瓷層3b及第2陶瓷層4b之積層方向z設為高度方向z時，於本實施形態中，配線5之第1端部5a之高度方向z之位置、與第2端部5e之高度方向z之位置相同。再者，於本說明書中，玻璃蓋7之高度方向z之位置較底部3之高度方向z之位置高。
元件10藉由金屬線8而與配線5電性連接。元件10經由金屬線8及配線5而與其他元件等電性連接。配線5及金屬線8包含適當之金屬。再者，於本實施形態中，金屬線8包含Au。
本實施形態之特徵在於，底部3及間隔壁部4係複數個陶瓷層之積層體，且具有穿過底部3內、並於主面3a上之間隔壁部4之內側及外側露出之配線5。藉此，間隔壁部4之第2陶瓷層4b於整面與底部3之第1陶瓷層3b相接，故可將底部3與間隔壁部4一體地設置。由此，可有效地提高積層陶瓷封裝1之密閉性。此外，配線5於主面3a上之間隔壁部4之外側露出，故可不將積層陶瓷封裝1安裝於安裝基板，而使圖1所示之元件10與其他元件等電性連接。由此，作為包含除元件10以外之元件等之裝置整體，可謀求低背化。
此處，將連接部5c之延伸方向設為方向x，將與方向x及積層方向z正交之方向設為方向y。如圖2所示，於本實施形態中，配線5於方向y設置有複數條。進而，配線5於方向x設置有複數條。更具體而言，如圖1所示，複數條配線5之連接部5c設置於互不相同之第1陶瓷層3b。關於配線5，第1貫通部5b配置於越靠近間隔壁部4之位置，則第2貫通部5d亦配置於越靠近間隔壁部4之位置。藉此，可將複數條配線5集中配置而不會短路，故可減小用以配置配線5之面積。因此，可將積層陶瓷基板2及積層陶瓷封裝1小型化。再者，配線5之配置並不限定於以上所述。
較佳為，於設置有連接部5c之第1陶瓷層3b之外層側設置有複數個第1陶瓷層3b。藉此，可提高積層陶瓷基板2之強度，且配線5不易斷線。
較佳為，第1陶瓷層3b與第2陶瓷層4b如本實施形態般包含相同之陶瓷材料。藉此，可有效地提高底部3與間隔壁部4之密接性，且可有效地提高積層陶瓷封裝1之密閉性。進而，底部3之材料與間隔壁部4之材料之熱膨脹係數相同，故於溫度變化時亦可穩定地提高密閉性，可提高可靠性。
於本實施形態中，配線5之第1端部5a之高度方向z之位置、與第2端部5e之高度方向z之位置相同。由此，底部3之厚度之均勻性較高，且不易產生因溫度變化導致之複雜之變形。因此，於溫度變化時亦可更穩定地提高密閉性，可進一步提高可靠性。
較佳為，複數條配線5中之至少2條配線5之連接部5c設置於互不相同之第1陶瓷層3b。藉此，如上所述，可將配線5集中配置，可使積層陶瓷基板2及積層陶瓷封裝1小型化。
圖3係表示第1實施形態之變化例之積層陶瓷基板之模式性俯視圖。本變化例之積層陶瓷基板22具有複數個散熱構件28，該等複數個散熱構件28於方向z貫通底部23之配置有元件10之部分。藉此，可將自元件10產生之熱有效地散熱。散熱構件28並未特別限定，但較佳為包含導熱性較高之Ag等金屬。再者，散熱構件28只要包含導熱性較底部23之材料高之材料即可。
以下，對構成圖1所示之積層陶瓷封裝1之各構件之詳情進行說明。
作為構成底部3之第1陶瓷層3b及間隔壁部4之第2陶瓷層4b之陶瓷材料，可列舉LTCC(Low Temperature Co-fired Ceramics，低溫共燒陶瓷)等。作為LTCC之具體例，可列舉氧化鋁或氧化鋯等無機粉末與玻璃粉末之燒結體等。
作為構成玻璃蓋7之玻璃之具體例，可列舉SiO2
-B2
O3
-RO(R為Mg、Ca、Sr或Ba)系玻璃、SiO2
-B2
O3
-R'2
O(R'為Li、Na或Ka)系玻璃、SiO2
-B2
O3
-RO-R'2
O(R'為Li、Na或K)系玻璃等。
用以形成密封材層6之密封材料較佳為包含Bi2
O3
系玻璃粉末、SnO-P2
O5
系玻璃粉末、V2
O5
-TeO2
系玻璃粉末等低熔點之密封玻璃。尤其於照射雷射而密封之情形時，就以更短時間之加熱使密封材料軟化之必要性及進一步提高接合強度之觀點而言，更佳為對密封玻璃使用軟化點較低之鉍系玻璃粉末。又，於密封材料中亦可包含低膨脹耐火性填料、或雷射吸收材等。作為低膨脹耐火性填料，可列舉例如堇青石、矽鋅礦、氧化鋁、磷酸鋯系化合物、鋯英石、氧化鋯、氧化錫、石英玻璃、β-石英固溶體、β-鋰霞石、β-鋰輝石。又，作為雷射吸收材，可列舉例如選自Fe、Mn、Cu等至少1種金屬或包含該金屬之氧化物等化合物。
(製造方法) 以下，對第1實施形態之積層陶瓷封裝1之製造方法之一例進行說明。圖4(a)～(d)係用以說明本發明之第1實施形態之積層陶瓷封裝之製造方法之模式性剖視圖。
準備圖4(a)所示之第1坯片83b。更具體而言，藉由於陶瓷粉末中添加樹脂黏合劑、塑化劑及溶劑並混練而製作漿料。其次，將所製作之漿料藉由刮刀等塗佈於PET(聚對苯二甲酸乙二酯)等基材上之後進行乾燥，製作第1坯片83b。其次，於第1坯片83b設置複數個孔85a。再者，作為孔85a之形成方法，並未特別限定，例如，可藉由沖孔或鑽孔之機械加工、或雷射加工等而形成。
其次，如圖4(b)所示，將金屬漿料85b填充至孔85a之後，藉由印刷等將金屬漿料85c塗佈於第1坯片83b上。金屬漿料85c係用以形成圖1所示之配線5之連接部5c之金屬漿料。藉由相同之方法而製作複數個第1坯片83b。再者，較佳為至少製作1片未形成金屬漿料85c或孔85a之第1坯片83b。
另一方面，藉由將以與第1坯片83b相同之方式製作之坯片沖裁成框狀之形狀而製作複數個第2坯片。
其次，如圖4(c)所示，以不使金屬漿料85c露出於外部、並且使填充至各第1坯片83b之孔85a中之金屬漿料85b重疊之方式，將複數個第1坯片83b積層壓接。再者，較佳為未形成金屬漿料85c之第1坯片83b以成為不搭載上述元件10之最外層之方式而積層。藉此，可提高上述底部3之強度，且上述配線5不易斷線。
其次，於複數個第1坯片83b之積層體上積層複數個第2坯片84b。再者，以具有及至各金屬漿料85c之位於框狀之第2坯片84b之內側之部分之金屬漿料85b(孔85a)、與及至各金屬漿料85c之位於第2坯片84b之外側之部分之金屬漿料85b(孔85a)之方式，將第2坯片84b積層。其次，使用溫水貼合機等將複數個第1坯片83b及複數個第2坯片84b壓接。
其次，例如以800℃以上且900℃以下之溫度進行燒成，藉此獲得圖4(d)所示之積層陶瓷基板2。
其次，將密封材料86配置於間隔壁部4上或玻璃蓋7下。密封材料86之配置例如可藉由印刷將密封材料86與適當之有機黏合劑混合而成之漿料而進行。其次，例如以400℃以上且600℃以下之溫度進行燒成。
其次，將元件10配置於積層陶瓷基板2之底部3之主面3a上。其次，藉由金屬線8將元件10與配線5之第1端部5a連接。再者，較佳為於將元件10配置於積層陶瓷基板2上之前，於配線5之第1端部5a形成Au膜等金屬膜。藉此，藉由金屬線8可將元件10與配線5容易地連接。上述金屬膜例如可藉由無電解鍍覆法或電解鍍覆法而形成。
其次，將玻璃蓋7配置於間隔壁部4上。其次，於使玻璃蓋7密接於密封材料86及間隔壁部4之狀態下，自玻璃蓋7側對密封材料86照射雷射光L。藉此，使密封材料86軟化，將玻璃蓋7與間隔壁部4接合。作為雷射光L，可使用例如波長600 nm以上且1600 nm以下之雷射光。藉此，將內部進行氣密密封而獲得圖1所示之積層陶瓷封裝1。
(第2實施形態) 圖5係表示本發明之第2實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。本實施形態與第1實施形態不同點係於底部33中之間隔壁部4之內側之區域設置有凹部33c。
藉由設置有凹部33c，而使底部33之主面33a具有階差。如圖5所示，配線35之第1貫通部5b之沿著高度方向z之長度較第2貫通部35d之沿著高度方向z之長度短。第1端部5a之高度方向z之位置較第2端部35e之高度方向z之位置低。於該情形時，於底部33，相較於間隔壁部4之內側之區域之厚度，外側之區域之厚度較厚，故可提高積層陶瓷基板32之外側之強度。藉此，於自外部施加衝擊等時不易破損。
於本實施形態中，亦可將底部33與間隔壁部4一體地設置，可有效地提高積層陶瓷封裝之密閉性。此外，配線35於主面33a上之間隔壁部4之外側露出，故與第1實施形態同樣地，作為包含除元件10以外之元件等之裝置整體，可謀求低背化。
(第3實施形態) 圖6係表示本發明之第3實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。本實施形態係於積層陶瓷基板42中凹部43c未到達設置有配線45之位置，以及底部43中之間隔壁部4之外側之厚度與設置有凹部43c之部分之厚度相同，該兩點與第2實施形態不同。
如圖6所示，配線45之第1貫通部45b之沿著高度方向z之長度較第2貫通部5d之沿著高度方向z之長度長。第1端部45a之高度方向z之位置較第2端部5e之高度方向z之位置高。藉此，可使第1端部45a之高度方向z之位置、與元件10之連接於金屬線8之部分之高度方向z之位置接近。由此，可將元件10與配線45容易地連接，可提高生產性。
較佳為，第1端部45a之高度方向z之位置與元件10之連接於金屬線8之部分之高度方向z之位置大致相同。藉此，可將元件10與配線45更容易連接，可進一步提高生產性。
底部43中之間隔壁部4之外側之厚度較設置有配線45之第1貫通部45a之部分之厚度薄。藉此，可削減用於底部43之陶瓷材料之量，可提高生產性。
於本實施形態中，亦可將底部43與間隔壁部4一體地設置，可有效地提高積層陶瓷封裝之密閉性。此外，配線45於主面上之間隔壁部4之外側露出，故與第2實施形態同樣地，作為包含除元件10以外之元件等之裝置整體，可謀求低背化。
(第4實施形態) 圖7係表示本發明之第4實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。本實施形態與第2實施形態不同點係於積層陶瓷基板52中，凹部43c未到達設置有配線5之位置。
如圖7所示，配線5之第1端部5a之高度方向z之位置與第2端部5e之高度方向z之位置相同。於該情形時，亦與第3實施形態同樣地，藉由設置有凹部43c，而可使第1端部5a之高度方向z之位置、與元件10之連接於金屬線8之部分之高度方向z之位置接近。由此，可將元件10與配線5容易地連接，可提高生產性。此外，於底部53，相較於設置有凹部43c之部分之厚度，間隔壁部4之外側之區域之厚度較厚，故可提高積層陶瓷基板52之外側之強度。
於本實施形態中，亦可將底部53與間隔壁部4一體地設置，可有效地提高積層陶瓷封裝之密閉性。此外，配線5於主面上之間隔壁部4之外側露出，故與第2實施形態同樣地，作為包含除元件10以外之元件等之裝置整體，可謀求低背化。
(第5實施形態) 圖8係表示本發明之第5實施形態之積層陶瓷基板之模式性俯視圖。圖9係沿著圖8中之I-I線之剖視圖。本實施形態之積層陶瓷基板62、配線65之構成與第1實施形態不同。
如圖8所示，配線65於方向y以等間距設置有複數條。再者，將配線65之方向y上之間距設為D。於方向y上相鄰之配線65之各第1端部5a在方向x上之位置互不相同。藉此，於產生第1端部5a之位置偏移之情形時，鄰接之配線65亦不易短路。由此，可不導致配線65間之短路，而使間距縮小，可將配線65集中配置。
如圖9所示，於方向y上相鄰之配線65之連接部65c設置於互不相同之第1陶瓷層3b。將沿著方向y之長度設為寬度時，連接部65c之寬度較第1貫通部5b及第2貫通部之寬度寬。藉此，於設置配線65時，可使第1貫通部5b及第2貫通部與連接部65c更確實地連接。此外，可減小配線65之電阻。
於本實施形態中，亦可將底部63與間隔壁部4一體地設置，可有效地提高積層陶瓷封裝之密閉性。此外，配線65於主面上之間隔壁部4之外側露出，故與第1實施形態同樣地，作為包含除元件10以外之元件等之裝置整體，可謀求低背化。
於積層陶瓷基板62中，於3層第1陶瓷層3b分別設置有連接部65c。配線65在方向y上之每3條會有連接部65c設置於同一第1陶瓷層3b。由此，設置於同一第1陶瓷層3b之配線65之間距為3D。於該情形時，連接部65c之寬度只要未達設置於同一第1陶瓷層3b之配線65之間距3D即可。
圖10係第5實施形態之變化例之積層陶瓷基板之模式性剖視圖。再者，圖10表示與圖9所示之剖面相當之變化例之剖面。
於本變化例之底部73，於6層第1陶瓷層3b分別設置有連接部75c。於該情形時，可使連接部75c之寬度較3D寬，可進一步降低配線75之電阻。如此，亦可藉由增多第1陶瓷層3b之層數而使連接部75c之寬度加寬。
當然，於圖9所示之本實施形態中，設置有連接部65c之第1陶瓷層3b為3層，故可將第1陶瓷層3b之最低限度之層數設為4層，可有效地實現低背化。
1‧‧‧積層陶瓷封裝
2‧‧‧積層陶瓷基板
3‧‧‧底部
3a‧‧‧主面
3b‧‧‧第1陶瓷層
4‧‧‧間隔壁部
4b‧‧‧第2陶瓷層
5‧‧‧配線
5a‧‧‧第1端部
5b‧‧‧第1貫通部
5c‧‧‧連接部
5d‧‧‧第2貫通部
5e‧‧‧第2端部
6‧‧‧密封材層
7‧‧‧玻璃蓋
8‧‧‧金屬線
10‧‧‧元件
22‧‧‧積層陶瓷基板
23‧‧‧底部
28‧‧‧散熱構件
32‧‧‧積層陶瓷基板
33‧‧‧底部
33a‧‧‧主面
33c‧‧‧凹部
35‧‧‧配線
35d‧‧‧第2貫通部
35e‧‧‧第2端部
42‧‧‧積層陶瓷基板
43‧‧‧底部
43c‧‧‧凹部
45‧‧‧配線
45a‧‧‧第1貫通部
45b‧‧‧第1端部
52‧‧‧積層陶瓷基板
53‧‧‧底部
62‧‧‧積層陶瓷基板
63‧‧‧底部
65‧‧‧配線
65c‧‧‧連接部
73‧‧‧底部
75‧‧‧配線
75c‧‧‧連接部
83b‧‧‧第1坯片
84b‧‧‧第2坯片
85a‧‧‧孔
85b‧‧‧金屬漿料
85c‧‧‧金屬漿料
86‧‧‧密封材料
D‧‧‧間距
3D‧‧‧間距
L‧‧‧雷射光
圖1係表示本發明之第1實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。 圖2係表示本發明之第1實施形態之積層陶瓷封裝之模式性俯視圖。 圖3係表示本發明之第1實施形態之變化例之積層陶瓷基板之模式性俯視圖。 圖4(a)～(d)係用以說明本發明之第1實施形態之積層陶瓷封裝之製造方法之模式性剖視圖。 圖5係表示本發明之第2實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。 圖6係表示本發明之第3實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。 圖7係表示本發明之第4實施形態之積層陶瓷封裝之模式性剖視圖。 圖8係表示本發明之第5實施形態之積層陶瓷基板之模式性俯視圖。 圖9係沿著圖8中之I-I線之剖視圖。 圖10係本發明之第5實施形態之變化例之積層陶瓷基板之模式性剖視圖。
Claims (9)
- 一種積層陶瓷基板，其具備： 底部，其具有主面，且係由複數個第1陶瓷層積層而成； 間隔壁部，其以包圍上述底部之一部分區域之方式設置於上述主面，且係由複數個第2陶瓷層積層而成；及 配線，其具有於上述主面上之上述間隔壁部之內側露出之第1端部、及於上述主面上之上述間隔壁部之外側露出之第2端部，且穿過上述底部內。
- 如請求項1之積層陶瓷基板，其中上述底部之上述第1陶瓷層與上述間隔壁部之上述第2陶瓷層包含相同之陶瓷材料。
- 如請求項1或2之積層陶瓷基板，其中於將上述第1陶瓷層及上述第2陶瓷層之積層方向設為高度方向時，上述配線之上述第1端部之上述高度方向之位置、與上述第2端部之上述高度方向之位置相同。
- 如請求項1或2之積層陶瓷基板，其中於將上述第1陶瓷層及上述第2陶瓷層之積層方向設為高度方向時，上述配線之上述第1端部之上述高度方向之位置較上述第2端部之上述高度方向之位置高。
- 如請求項1或2之積層陶瓷基板，其中於將上述第1陶瓷層及上述第2陶瓷層之積層方向設為高度方向時，上述配線之上述第1端部之上述高度方向之位置較上述第2端部之上述高度方向之位置低。
- 如請求項1或2之積層陶瓷基板，其中上述配線具有：第1貫通部，其於上述間隔壁部之內側，於積層方向貫通上述底部之至少1層上述陶瓷層；第2貫通部，其於上述間隔壁部之外側，於積層方向貫通上述底部之至少1層上述陶瓷層；及連接部，其穿過上述底部內，且將上述第1貫通部及上述第2貫通部連接。
- 如請求項6之積層陶瓷基板，其中上述配線設置複數條， 將上述複數條配線中之至少2條配線之上述連接部設置於互不相同之上述第1陶瓷層。
- 如請求項7之積層陶瓷基板，其中上述配線於與上述連接部之延伸方向正交之方向設置複數條， 於與上述連接部之延伸方向正交之方向上相鄰之上述配線之上述連接部設置於互不相同之上述第1陶瓷層， 將與上述第1陶瓷層之積層方向及上述連接部之延伸方向正交之方向上之長度設為寬度時，上述連接部之上述寬度較上述第1貫通部及上述第2貫通部之上述寬度寬。
- 一種積層陶瓷封裝，其具備： 如請求項1或2之積層陶瓷基板；及 玻璃蓋，其設置於上述間隔壁部上。
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