TW201906310A - 平衡－不平衡轉換器 - Google Patents

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Abstract

本發明之課題在於改善具備低通濾波器之平衡-不平衡轉換器之插入損耗。
本發明之平衡-不平衡轉換器100具備端子P1~P3、電感器L11~L13、及電容器C21。端子P1係不平衡訊號用之端子。端子P2、P3係平衡訊號用之端子。電感器L11、L12於端子P1與接地點之間串聯。電容器C21於端子P1與接地點之間與電感器L11串聯。電容器C21於電感器L11與接地點之間與電感器L12並聯。電感器L13係連接於端子P2與P3之間。電感器L11至少與電感器L13磁耦合。

Description

平衡-不平衡轉換器
本發明係關於一種將不平衡訊號與平衡訊號互相轉換之平衡-不平衡轉換器。
於通信機器之RF(Radio Frequency，無線射頻)電路及其周邊電路中，為了減少來自外部之雜訊之影響，有時會使用將不平衡訊號與平衡訊號互相轉換之平衡-不平衡轉換器。日本專利特開2011-124880號公報(專利文獻1)中揭示有一種積層平衡濾波器作為將不平衡訊號與平衡訊號互相轉換之平衡-不平衡轉換器之一例。
[先前技術文獻]
[專利文獻]
日本專利特開2011-124880號公報
於專利文獻1所揭示之積層平衡濾波器中，藉由不平衡側電感器與平衡側電感器磁耦合，而將不平衡訊號與平衡訊號互相轉換。於專利文獻1所揭示之積層平衡濾波器中，除了用於磁耦合之電感器以外，另行於平衡側與電容器一併配置形成低通濾波器之電感器。
於如專利文獻1所揭示之積層平衡濾波器般，除了用於訊號傳送所需之磁耦合之電感器以外另行配置用於低通濾波器之電感器之情形時，通帶之訊號於通過低通濾波器之電感器時衰減。因此，平衡-不平衡轉換器之通帶中之插入損耗因低通濾波器之電感器而變差。
本發明係為了解決如上所述之課題而完成者，其目的在於改善具備低通濾波器之平衡-不平衡轉換器之插入損耗。
本發明之平衡-不平衡轉換器具備第1~第3端子、第1~第3電感器、及第1電容器。第1端子係不平衡訊號用之端子。第2及第3端子係平衡訊號用之端子。第1及第2電感器係於第1端子與接地點之間串聯。第1電容器係於第1端子與接地點之間與第1電感器串聯。第1電容器係於第1電感器與接地點之間與第2電感器並聯。第3電感器係連接於第2端子與第3端子之間。第1電感器至少與第3電感器磁耦合。
此外，所謂平衡訊號係振幅之最大值大致相等且相位互相差180度之2個訊號。所謂不平衡訊號係具有以接地電位為基準之振幅之訊號。又，所謂磁耦合係藉由磁通量之耦合，其伴隨流至一電感器之電流之變化，電感器間之磁通量發生變化，而於另一電感器產生感應電動勢。
於本發明之平衡-不平衡轉換器中，接收不平衡訊號之第1電感器與接收平衡訊號之第3電感器磁耦合。又，由於第1電感器於第1端子與接地點之間與第1電容器串聯，因此與第1電容器一併形成低通濾波器。第1電感器兼作用於磁耦合之電感器與用於低通濾波器之電感器。於本發明之平衡-不平衡轉換器中，無需追加用於低通濾波器之電感器。
根據本發明之平衡-不平衡轉換器，可改善插入損耗。
100、100A‧‧‧平衡-不平衡轉換器
110、120、130、140、150、160、160A、170、180、180A、190、200、210、220、230、240、250、260、270、280‧‧‧介電層
111、121、241、251、252、261、271‧‧‧電容器導體圖案
161、181、191、201、211‧‧‧電感器導體圖案
C21~C23‧‧‧電容器
DM‧‧‧方向識別標記
G41~G43‧‧‧接地端子
L11~L13‧‧‧電感器
P1~P3‧‧‧端子
V61~V64‧‧‧通路導體圖案
圖1係實施形態之平衡-不平衡轉換器之等效電路圖。
圖2係圖1之平衡-不平衡轉換器之外觀立體圖。
圖3係表示圖1之平衡-不平衡轉換器之積層結構之一例的分解立體圖。
圖4係表示圖3之平衡-不平衡轉換器之插入損耗之圖。
圖5係表示實施形態之變形例之平衡-不平衡轉換器的積層結構之一例的分解立體圖。
以下，一面參照圖式一面對本發明之實施形態進行詳細說明。此外，對圖中相同或相當部分標註相同符號，原則上不重複其說明。
圖1係實施形態之平衡-不平衡轉換器100之等效電路圖。如圖1所示，平衡-不平衡轉換器100具備端子P1~P3、電感器L11~L13、及電容器C21~C23。
端子P1係不平衡訊號用之端子。端子P1例如連接於未圖示之天線。端子P2、P3分別為平衡訊號用之端子。端子P2、P3例如連接於未圖示之RF電路。自端子P2輸出之訊號之相位與自端子P3輸出之訊號之相位的差為180度。輸入至端子P2之訊號之相位與輸入至端子P3之訊號之相位的差為180度。
電感器L11及L12於端子P1與接地點之間串聯。電容器C21於端子P1與接地點之間與電感器L11串聯。電容器C21於電感器L11與接地點之間與電感器L12並聯。電感器L12與電容器C21形成LC並聯共振器。該LC並聯共振器之共振頻率為頻率f91。電感器L11與電容器C21形成低通濾波器。
電感器L13係連接於端子P2與P3之間。電感器L13，與電感器L11及L12磁耦合。電容器C22係連接於電感器L13之兩端部之間的部分與接地點之間。電容器C23於端子P2與P3之間與電感器L13並聯。電感器L13與電容器C23形成LC並聯共振器。該LC共振器之共振頻率係頻率f92。頻率f92與頻率f91大致相等。
平衡-不平衡轉換器100係以通帶包含共振頻率f91、f92之方式形成之匹配濾波器。輸入至端子P1之通帶之不平衡訊號自電感器L11及L12藉由磁耦合而被傳送向電感器L13。分別自電感器L13之兩端部輸出之訊號之相位差為180度。自端子P2及P3輸出通帶之平衡訊號。
輸入至端子P2及P3之通帶之平衡訊號向電感器L13之兩端部輸入，自電感器L13藉由磁耦合而以不平衡訊號之形式向電感器L11及L12傳送。該不平衡訊號係自端子P1輸出。
存在自連接於端子P1之未圖示之天線、或連接端子P2、P3之未圖示之RF電路產生通帶之訊號之諧波的情形。所謂某訊號之諧波係該訊號頻率之整數倍之頻率之訊號。
為了減少通帶之訊號之諧波，有時配置包含電感器之低通濾波器。於配置包含與進行磁耦合之電感器L11~L13不同之電感器的低通濾波器之情形時，通帶之訊號可於通過低通濾波器之電感器時衰減。若為了減少諧波而追加低通濾波器，則平衡-不平衡轉換器100之通帶中之插入損耗可能惡化。
於平衡-不平衡轉換器100中，電感器L11與L13磁耦合，同時與電容器C21一併形成低通濾波器。藉由平衡-不平衡轉換器100，無需追加用於低通濾波器之電感器，因此可一面減少通帶之諧波，一面維持通帶之插入損耗。
圖2係圖1之平衡-不平衡轉換器100之外觀立體圖。如圖2所示， 平衡-不平衡轉換器100例如為長方體狀。平衡-不平衡轉換器100係沿積層方向(Z軸方向)積層複數層介電層而成之積層體。將垂直於Z軸方向之面設為底面BF及上表面UF。將平行於積層方向之面中平行於ZX平面之面設為側面F31及F33。將平行於積層方向之面中平行於YZ平面之面設為側面F32及F34。端子P1、P2、及接地端子G43係跨上表面UF、側面F33、及底面BF而形成。接地端子G41、G42及端子P3係跨上表面UF、側面F31、及底面BF而形成。於上表面UF形成有用以識別平衡-不平衡轉換器100之安裝方向之方向識別標記DM。底面BF係連接於未圖示之基板。
圖3係表示圖1之平衡-不平衡轉換器100之積層結構之一例的分解立體圖。以下，一面主要參照圖3，並且視需要參照圖1(等效電路圖)，一面對形成於各介電層之導體圖案進行說明。
如圖3所示，介電層110包含底面BF。於介電層110形成有電容器導體圖案111。電容器導體圖案111係連接於接地端子G41、G42。於介電層120形成有電容器導體圖案121。電容器導體圖案111、121形成電容器C21(參照圖1)。
於介電層120與160之間配置有介電層130、140、150。於介電層160形成有電感器導體圖案161。電感器導體圖案161係連接於端子P1。電感器導體圖案161形成電感器L11(參照圖1)。電感器導體圖案161藉由通路導體圖案V61而連接於電容器導體圖案121。
於介電層160與180之間配置有介電層170。於介電層180形成有電感器導體圖案181。電感器導體圖案181係連接於接地端子G41。電感器導體圖案181形成電感器L12(參照圖1)。電感器導體圖案181係藉由通路導體圖案V61而連接於電感器導體圖案161。
於介電層190形成有電感器導體圖案191。電感器導體圖案191係 連接於端子P2。於介電層200形成有電感器導體圖案201。電感器導體圖案201藉由通路導體圖案V62而連接於電感器導體圖案191。於介電層210形成有電感器導體圖案211。電感器導體圖案211係連接於端子P3。電感器導體圖案211藉由通路導體圖案V63而連接於電感器導體圖案201。電感器導體圖案191、201、211形成電感器L13(參照圖1)。
於介電層210與240之間配置有介電層220、230。於介電層240形成有電容器導體圖案241。電容器導體圖案241係藉由通路導體圖案V64而連接於電感器導體圖案201。於介電層250形成有電容器導體圖案251、252。電容器導體圖案251係連接於接地端子G41。電容器導體圖案241、251形成電容器C22(參照圖1)。電容器導體圖案252係連接於端子P2。
於介電層260形成有電容器導體圖案261。電容器導體圖案261係連接於端子P3。於介電層270形成有電容器導體圖案271。電容器導體圖案271係連接於端子P2。電容器導體圖案252、261、271形成電容器C23(參照圖1)。介電層280包含上表面UF。
於平衡-不平衡轉換器100中，形成有電感器L12之電感器層(介電層180)係配置於形成有電感器L11之電感器層(介電層160)與形成有電感器L13之電感器層(介電層190~210)之間。於平衡-不平衡轉換器100中，在積層方向上，LC並聯共振器之電感器L12較低通濾波器之電感器L11更靠近連接於平衡訊號用之端子P2、P3之電感器L13。
圖4係表示圖3之平衡-不平衡轉換器100之插入損耗IL之圖。於圖4中，縱軸之衰減量(dB)以負值表示。衰減量之絕對值越大，插入損耗越大。所謂插入損耗係表示輸入至電子零件之某端子之訊號中傳送至電子零件之其他端子之訊號之比例的指標。插入損耗越大，意指輸入至電子零件之訊號中於該電子零件之內部損失之訊號之比例越大。
插入損耗IL表示輸入至端子P1之訊號中傳送至端子P2之訊號之比例。輸入至端子P1之訊號中，傳送至端子P3之訊號之比例亦表現出與插入損耗IL相同之變化態樣。
於圖4所示之頻帶中，插入損耗IL於頻率f91(f92)附近成為最小。又，插入損耗IL於頻率f93(>f91)附近成為極大。其原因在於：頻率f93附近之諧波藉由以電感器L11及電容器C21所形成之低通濾波器而衰減。
圖5係表示實施形態之變形例之平衡-不平衡轉換器100A的積層結構之一例的分解立體圖。平衡-不平衡轉換器100A之積層結構係將圖3所示之平衡-不平衡轉換器100之介電層160與180更換而成之結構。圖3之介電層160、180分別與圖5之介電層180A、160A相對應。圖5之介電層160A、180A以外之介電層與圖3之介電層相同，因此不重複說明。
如圖5所示，形成有電感器L11之電感器層(介電層180A)係配置於形成有電感器L12之電感器層(介電層160A)與形成有電感器L13之電感器層(介電層190~210)之間。於平衡-不平衡轉換器100A中，在積層方向上，低通濾波器之電感器L11較LC並聯共振器之電感器L12更靠近連接於平衡訊號用之端子P2、P3之電感器L13。
以上，根據實施形態及變形例之平衡-不平衡轉換器，可改善插入損耗。
應認為此次所揭示之實施形態於所有方面係例示而非加以限制。本發明之範圍係由專利申請之範圍表示而非由上述說明表示，意在包括與專利申請之範圍同等之含義及範圍內之全部變更。

Claims (4)

  1. 一種平衡-不平衡轉換器，其具備不平衡訊號用之第1端子；平衡訊號用之第2及第3端子；第1及第2電感器，其於上述第1端子與接地點之間串聯；第1電容器，其於上述第1端子與上述接地點之間與上述第1電感器串聯，並且於上述第1電感器與上述接地點之間與上述第2電感器並聯；及第3電感器，其連接於上述第2端子與上述第3端子之間，且上述第3電感器至少與上述第1電感器磁耦合。
  2. 如請求項1所述之平衡-不平衡轉換器，其中上述第3電感器與上述第1及第2電感器磁耦合。
  3. 如請求項1或2所述之平衡-不平衡轉換器，其中上述平衡-不平衡轉換器係積層複數層介電層而成之積層體，上述複數層介電層包含形成有上述第1電感器之第1電感器層、形成有上述第2電感器之第2電感器層、及形成有上述第3電感器之第3電感器層，且上述第2電感器層係配置於上述第1電感器層與上述第3電感器層之間。
  4. 如請求項1或2所述之平衡-不平衡轉換器，其中上述平衡-不平衡轉換器係積層複數層介電層而成之積層體，上述複數層介電層包含形成有上述第1電感器之第1電感器層、形成有上述第2電感器之第2電感器層、及形成有上述第3電感器之第3電感器層，且 上述第1電感器層係配置於上述第2電感器層與上述第3電感器層之間。
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