TW201902591A - 用以清洗一真空腔室之方法、用以真空處理一基板之設備、及用以製造具有數個有機材料之數個裝置的系統 - Google Patents

Abstract

本揭露係提供一種用以清洗一真空腔室(210)的方法(100)。此方法(100)包括減少真空腔室(210)中之一壓力，以蒸發包含於真空腔室(210)中之一溶劑的至少一部份。

Description

用以清洗一真空腔室之方法、用以真空處理一基板之設備、及用以製造具有數個有機材料之數個裝置的系統

本揭露之數個實施例是有關於一種用以清洗一真空腔室之方法，一種用以真空處理一基板的設備，及一種用以製造具有數個有機材料之數個裝置之系統。本揭露之數個實施例特別是有關於數個使用於有機發光二極體(organic light-emitting diode，OLED)裝置之製造中的方法、設備、及系統。

用於在基板上之層沈積的技術舉例為包括熱蒸發、物理氣相沈積(physical vapor deposition，PVD)、及化學氣相沈積(chemical vapor deposition，CVD)。已塗佈之基板可使用於數種應用中及數種技術領域中。舉例來說，已塗佈之基板可使用於OLED裝置之領域中。OLEDs係使用來製造電視螢幕、電腦螢幕、行動電話、其他手持裝置、及用以顯示資訊之類似者。OLED裝置例如是OLED顯示器，可包括一或多個有機材料層，位於全部沈積於基板上之兩個電極之間。

OLED裝置可包括數種有機材料之堆疊，此些有機材料之堆疊舉例為在處理設備之真空腔室中蒸發。利用蒸發源，有機材料係以接續方式通過陰影遮罩(shadow masks)而沈積於基板上。對於已沈積之材料層及利用此些材料層製造之OLED裝置之品質來說，真空腔室之內側的真空條件係為關鍵。

因此，對於可改善真空腔室之內側的真空條件之方法、設備及系統係有需求。本揭露特別是著重於改善真空條件，使得沈積於基板上之有機材料層之品質可改善。

有鑑於上述，提出一種用以清洗一真空腔室之方法，一種用以真空處理一基板之設備，及一種用以製造具有數個有機材料之數個裝置的系統。本揭露之其他方面、優點、及特徵係透過申請專利範圍、說明、及所附之圖式更為清楚。

根據本揭露之一方面，提出一種用以清洗一真空腔室的方法。此方法包括減少真空腔室中之一壓力，以蒸發包含於真空腔室中之一溶劑的至少一部份。

根據本揭露之另一方面，提出一種用以真空處理一基板的設備。設備包括一真空腔室；一或多個溶劑容器，位於真空腔室中；及一控制器，裝配以減少真空腔室中之一壓力，以蒸發包含於此一或多個溶劑容器中之一溶劑之至少一部份。

根據本揭露之其他方面，提出一種用以製造具有數個有機材料之數個裝置的系統。此系統包括根據此處所述實施例之設備，此設備用以真空處理一基板；以及一傳送配置，裝配以用以在真空腔室中非接觸式傳送一基板載體及一遮罩載體之至少一者。

數個實施例係亦有關於用以執行所揭露之方法之設備，且包括用以執行各所述之方法方面之設備部件。此些方法方面可藉由硬體元件、由合適軟體程式化之電腦、兩者之任何結合或任何其他方式執行。再者，根據本揭露之數個實施例係亦有關於用以操作所述之設備的方法。用以操作所述之設備的此些方法包括數個方法方面，用以執行設備之各功能。為了對本發明之上述及其他方面有更佳的瞭解，下文特舉實施例，並配合所附圖式詳細說明如下：

詳細的參照現在將以本揭露之數種實施例達成，數種實施例的一或多個例子係繪示於圖式中。在圖式之下方說明中，相同參考編號係意指相同之元件。一般來說，只有有關於個別實施例之相異處係進行說明。各例子係藉由說明本揭露的方式提供且不意味為本揭露之一限制。再者，所說明或敘述而做為一實施例之部份之特徵可用於其他實施例或與其他實施例結合，以取得進一步之實施例。此意指本說明包括此些調整及變化。

對於沈積於基板上之材料層的品質來說，真空腔室之內側的真空條件可為關鍵。本揭露係提供清洗程序。在此清洗程序中，溶劑係置於真空腔室之內側。真空腔室之內側的壓力係減少，使得溶劑之至少一部份係蒸發。污染物例如是有機污染物(舉例為塑化劑及/或其他碳氫化合物)，可從真空腔室及/或從真空腔室中之設備移除。特別是，在泵送(也就是減少壓力)期間，溶劑開始蒸發及小部份係凝結於真空腔室之冷牆及/或設備。溶劑舉例為開始與污染物作用，而可致使揮發性化合物之形成。如此清洗之真空腔室之內側的真空條件可改善，且沈積於基板上之有機材料層的品質可改善。

第1圖繪示根據此處所述實施例之用以清洗真空腔室之方法100之流程圖。真空腔室可為處理真空腔室，使用於沈積有機材料於基板上。

方法100包括於方塊110中之減少真空腔室中之(氣體)壓力，以蒸發包含於真空腔室中之溶劑之至少一部份。於方塊120中，已蒸發之溶劑的至少一小部份係凝結於真空腔室之一或多個(內部)腔室牆及/或真空腔室之內側的設備上。污染物例如是有機污染物，可分成二或多個成份或部份。此二或多個成份或部份可具有高於原始污染物之蒸汽壓力。具有較高之蒸汽壓力之此二或多個成份或部份可更輕易地以移除或泵送離開真空腔室。高效率之清洗製程可提供而用於從真空腔室及/或設置於其中之設備移除污染物。

根據一些實施例，溶劑係包含於真空腔室之內側的一或多個溶劑容器中。溶劑容器可具有一或多個開孔，使得已蒸發之溶劑可擴散或噴射至真空腔室中。於一些應用中，包含於真空腔室中之溶劑的總量，及特別是包含於此一或多個溶劑容器中之溶劑的總量係真空腔室之每單位體積0.5 公升或更少，及特別是每單位體積0.3公升或更少，及更特別是每單位體積0.1公升或更少。作為一例子來說，包含於真空腔室中的溶劑之總量可約為每單位體積0.1 公升。單位體積可為m³ 。蒸發之部份之溶劑可為10%或更少，特別是25%或更少，特別是50%或更少，及更特別是75%或更少之包含於此一或多個溶劑容器中的溶劑之總量。於一些實施例中，包含於此一或多個溶劑容器中之本質上整個溶劑可在清洗製程期間蒸發。

於一些應用中，於真空腔室中之(氣體)壓力可減少，使得溶劑之至少此部份係蒸發及凝結於真空腔室上(舉例為真空腔室之內部腔室牆上)及/或真空腔室之內側的設備上。設備可包括驅動裝置、基板及/或載體傳送裝置、材料沈積設備(舉例為蒸發源)、可移動裝置 (舉例為閥)、及類似者，但不以此為限。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，真空腔室中之壓力係減少至10^-5 mbar或更少，特別是10^-7 mbar或更少，及更特別是10^-9 mbar或更少。作為一例子來說，清洗製程可在壓力已經到達10^-5 mbar 或更少，特別是10^-7 mbar 或更少，及更特別是10^-9 mbar或更少時視為完成。壓力可減少，以建立技術真空。連接於真空腔室之一或多個真空幫浦可設置，用以在真空腔室之內側產生技術真空。此一或多個真空幫浦例如是渦輪幫浦及/或冷凍幫浦。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，此方法可包括在減少壓力期間，控制及/或調整部份之真空腔室之溫度，舉例為真空腔室之一或多個牆之溫度。作為一例子來說，真空腔室之溫度可控制，以促使已蒸發及已凝結之溶劑與污染物作用。清洗製程之效率可增加。

此一或多個污染物可能源自於內部源及/或外部源，例如是聚合物及流體。內部源可包括纜線、O形環、緩衝器、磁流體密封件、氣壓缸遮門、及類似者，但不以此些為限。外部源可包括在安裝及/或維護期間帶入真空腔室中之聚合物、泵油(逆擴散)、清洗溶劑之雜質(舉例為IPA 99.7%)、因抽氣空氣之雜質、 真空潤滑脂、及類似者，但不以此些為限。

溶劑可基於將由溶劑移除之污染物選擇。特別是，溶劑可基於在真空腔室中最常發現的一或多個污染物選擇。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，溶劑可為液體溶劑。於一些應用中，溶劑係選自包括乙醇、丙酮、丙醇、異丙醇、水、N-甲基吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidon)、三氯甲烷、及其任何組合之群組。於一些應用中，二或多個溶劑可使用於清洗程序中。作為一例子來說，此二或多個溶劑可於一個溶劑容器中混合或可分別設置於個別之溶劑容器中。

利用酒精及/或水清洗可能致使解離及後續的產品在不同之反應通道上。特別是，酒精及/或水可能水解酯。根據反應條件(舉例為溶劑、溫度、濃度)，其他後續的反應可能發生。於一些應用中，內部腔室牆之金屬表面可能具有催化效應。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，方法100及特別是減少真空腔室中之壓力來蒸發包含於真空腔室中之溶劑之至少一部份係重複地執行。舉例來說，減少壓力可執行兩次、三次、四次、或甚至是更多次。在兩次壓力減少操作之間，舉例為藉由引導氣體至真空腔室中，真空腔室中之壓力可增加，以避免新的污染物。引導之氣體例如是氮。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，方法100包括在減少真空腔室中之壓力以蒸發溶劑之前及/或之後，執行一或多個其他清洗程序。此一或多個其他清洗程序可包括舉例為濕式化學清洗(wet chemical cleaning)。

於一些應用中，方法100係在抽氣期間執行來建立用於層沈積製程之真空條件，也就是技術真空。也就是說，方法100可包括於現存的程序中，而不為分離之壓力減少製程。用以清洗 及/或維護製造系統的停工時間可減少。然而，本揭露以此為限，及於其他應用中，方法100係作為分離之壓力減少製程。

第2圖繪示根據此處所述實施例之用以真空處理基板之設備200。

設備200包括真空腔室210、一或多個溶劑容器220、及控制器230。此一或多個溶劑容器220位於真空腔室210中。控制器230係裝配，以減少真空腔室210中的壓力來蒸發包含於溶劑容器220中的溶劑201之至少一部份。控制器230可裝配，以應用根據此處所述實施例之用以清洗真空腔室之方法。此一或多個溶劑容器220可為可移動地設置或固定於真空腔室210中。

一或多個真空幫浦240例如是渦輪幫浦及/或冷凍幫浦，可舉例為經由一或多個連管242連接於真空腔室210，用以於真空腔室210之內側產生技術真空。此一或多個連管242例如是波紋管。控制器230可裝配，以控制此一或多個真空幫浦240來減少真空腔室210中的壓力。

如本揭露通篇所使用之名稱「真空」可理解為具有少於舉例為10 mbar之真空壓力的技術真空之含義。在真空腔室中之壓力可為10^-5 mbar及約10^-8 mbar之間，特別是10^-5 mbar及10^-7 mbar之間，及更特別是約10^-6 mbar及約10^-7 mbar之間。

根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，溶劑容器220具有一或多個開孔，用於已蒸發之溶劑至真空腔室210中之通道。已蒸發之溶劑可擴散至真空腔室210之體積212中。於一些實施例中，包含於溶劑容器220中的本質上整個溶劑係蒸發且釋放至體積212中。

溶劑係蒸發至真空腔室中，此真空腔室的體積可定義為至少由內部腔室牆包圍之體積。根據可與此處所述其他實施例結合之一些實施例，由包含於此一或多個溶劑容器中的溶劑清洗之真空腔室的體積可為40m³ 或更少，特別是30m³ 或更少，及更特別是20m³ 或更少。作為一例子來說，真空腔室之體積可在5m³ 及40m³ 之間的範圍中，特別是在15m³ 及25m³ 之間的範圍中，及更特別是可為約20m³ 。

於一些應用中，二或多個溶劑容器可設置於真空腔室210中。此二或多個溶劑容器可裝配，以用於包含不同之溶劑及/或不同總量之溶劑。作為一例子來說，不同的溶劑可使用，以移除不同的污染物。特別是， 此二或多個溶劑可基於將由溶劑溶解之污染物選擇。清洗製程之效率可進一步改善。

根據一些實施例，設備200可包括於系統中。此系統用以製造具有有機材料於其中之裝置，例如是OLED裝置。舉例來說，設備200可包括一或多個材料沈積源。此一或多個材料沈積源例如是蒸發源，位於真空腔室中，裝配以用於沈積一或多個有機材料於基板上。用以製造具有有機材料於其中之裝置的範例系統係參照第3及4圖說明。

第3圖繪示根據此處所述實施例之用以製造具有有機材料之裝置之系統300的示意圖。系統300可亦意指為「真空系統」。系統300可裝配，以用於沈積舉例為有機材料之一或多層於基板10上。系統300可利用根據此處所述實施例之方法及設備清洗。

系統300包括根據此處所述實施例之用以真空處理基板之設備及傳送配置310。傳送配置310係裝配，以用於在真空腔室302中非接觸式傳送基板載體320及遮罩載體之至少一者。

於一些應用中，系統300包括一或多個材料沈積源380，例如是一或多個蒸發源，位於真空腔室302中。基板載體320可裝配，以在真空沈積製程期間支承基板10及選擇地支承遮罩20。系統300可裝配，以用於蒸發舉例為製造OLED裝置之有機材料。於另一例子中，系統300可裝配，以用於CVD或PVD。PVD例如是濺射沈積。

於一些應用中，此一或多個材料沈積源380可為蒸發源，特別是用以沈積一或多個有機材料於基板上之蒸發源，以形成OLED裝置之層。舉例為在層沈積製程期間，用以支撐基板10之基板載體320可沿著傳送路徑傳送進入及通過真空腔室302，及特別是通過沈積區域。傳送路徑例如是線性傳送路徑。

材料可於發射方向中從此一或多個材料沈積源380朝向沈積區域射出。將塗佈之基板10係位於沈積區域中。舉例來說，此一或多個材料沈積源380可提供接線源，具有數個開孔及/或噴嘴。此些開孔及/或噴嘴係配置成至少一接線，沿著此一或多個材料沈積源380之長度。材料可射出而通過此些開孔及/或噴嘴。

如第3圖中所示，其他腔室可設置而相鄰於真空腔室302。真空腔室302可藉由閥與相鄰之腔室分離。閥具有閥殼體304及閥單元306。在具有基板10及選擇之遮罩於其上的基板載體320係如箭頭所示插入真空腔室302中之後，閥單元306可關閉。真空腔室302中之大氣可藉由產生技術真空來個別地控制。產生技術真空舉例為利用連接於真空腔室302之真空幫浦。真空幫浦可使用，以執行根據此處所述實施例之清洗程序。

根據一些實施例，在沈積材料之沈積期間，基板載體320及基板10係為靜態或動態。根據此處所述之一些實施例，動態沈積製程可提供而舉例為用於OLED裝置之製造。

於一些應用中，系統300可包括一或多個傳送路徑，延伸通過真空腔室302。載體可裝配，以用於沿著此一或多個傳送路徑傳送而舉例為通過此一或多個材料沈積源380。雖然一個傳送路徑係由箭頭範例性繪示，將了解的是，本揭露係不以此為限，及可提供二或多個傳送路徑。作為一例子來說，至少兩個傳送路徑可實質上平行於彼此配置，用以傳送個別之載體。此一或多個材料沈積源380可配置於此兩個傳送路徑之間。

傳送配置310可裝配，以用於在真空腔室中舉例為於傳送方向中沿著此一或多個傳送路徑非接觸式懸浮及非接觸式傳送基板載體320。非接觸式懸浮及/或傳送基板載體320係有利的，沒有粒子係舉例為因與導引軌道機械接觸而在傳送期間產生。既然在使用非接觸式懸浮及/或傳送時產生之粒子係減到最少，沈積於基板10上之層的改善純度及均勻性可提供。

第4圖繪示根據此處所述其他實施例之用以製造具有有機材料之裝置的系統400之示意圖。系統400可使用根據此處所述實施例之方法及設備來清洗。

系統400包括二或多個處理區域及傳送配置460。傳送配置460係裝配，以用於相繼地傳送載體401。載體401係用以支撐基板10及選擇地支撐遮罩至此二或多個處理區域。舉例來說，傳送配置460可裝配，以用於沿著傳送方向2傳送載體401通過此二或多個處理區域。此二或多個處理區域係用於基板處理。也就是說，相同載體係使用於傳送基板10通過多個處理區域。特別是，在一處理區域中之基板處理及接續之處理區域中之基板處理之間，基板10係不從載體401移除。也就是說，基板係保持在相同的載體上，用於二或多個基板處理程序。

如第4圖中範例性繪示，此二或多個處理區域可包括第一沈積區域408及第二沈積區域412。傳送區域410可選擇地設置於第一沈積區域408及第二沈積區域412之間。此些區域例如是此二或多個處理區域及傳送區域，可設置於一個真空腔室中。或者，此些區域可設置於彼此連接之不同的真空腔室中。作為一例子來說，各真空腔室可提供一區域。特別是，第一真空腔室可提供第一沈積區域408，第二真空腔室可提供傳送區域410，及第三真空腔室可提供第二沈積區域412。於一些應用中，第一真空腔室及第三真空腔室可意指為「沈積腔室」。第二沈積腔室可意指為「處理腔室」。其他真空腔室或區域可提供而相鄰於第4圖之例子中所示之此些區域。

真空腔室或區域可藉由閥與相鄰之區域分離。閥具有閥殼體404及閥單元405。在具有基板10於其上之載體401係插入 例如是第二沈積區域412之一區域中之後，閥單元405可關閉。藉由產生技術真空及/或藉由加入一或多個處理氣體於舉例為第一沈積區域408及/或第二沈積區域412中，區域中的大氣可個別地控制。產生技術真空舉例為利用連接於區域的真空幫浦。傳送路徑可設置，以傳送具有基板10於其上之載體401至區域中、通過區域及離開區域。傳送路徑例如是線性傳送路徑。傳送路徑可至少部份延伸通過此二或多個處理區域及選擇地通過傳送區域410。此二或多個處理區域例如是第一沈積區域408及第二沈積區域412。

系統400可包括傳送區域410。於一些實施例中，傳送區域410可省略。傳送區域410可藉由旋轉模組、過渡模組、或其之組合提供。第4圖繪示旋轉模組及過渡模組之組合的示意圖。於旋轉模組中，軌道配置及配置於其上之載體可繞著可旋轉軸旋轉。旋轉軸例如是垂直旋轉軸。作為一例子來說，載體可從系統400之左側傳送至系統400之右側，或反之亦然。過渡模組可包括交叉軌道，使得載體可在不同方向中傳送通過過渡模組。不同方向舉例為垂直於彼此之方向。

在沈積區域中，可設置一或多個沈積源。沈積區域例如是第一沈積區域408及第二沈積區域412。作為一例子來說，第一沈積源430可設置於第一沈積區域408中。第二沈積源450可設置於第二沈積區域412中。此一或多個沈積源可為蒸發源，裝配以 用於沈積一或多個有機層於基板10上，以形成有機層堆疊來用於OLED裝置。

此處所述之系統可利用來於大面積基板上蒸發而舉例為用於OLED顯示器製造。特別是，提供而用於根據此處所述實施例之系統的基板係為大面積基板。舉例來說，大面積基板或載體可為第4.5代、第5代、第7.5代、第8.5代、或甚至是第10代。第4.5代對應於約0.67 m² 之表面積(0.73 m x 0.92 m)、第5代對應於約1.4 m² 之表面積(1.1 m x 1.3 m)、第7.5代對應於約4.29 m² 之表面積(1.95 m x 2.2 m)、第8.5代對應於約5.7 m²之表面積(2.2 m x 2.5 m)、第10代對應於約8.7 m² 之表面積(2.85 m × 3.05 m)。甚至例如是第11代及第12代之更高代及對應之表面積可以類似之方式應用。此些代之一半的尺寸可亦提供於OLED顯示器製造中。

對於沈積於基板上之材料層的品質來說，真空腔室之內側的真空條件可為關鍵。本揭露係提供清洗程序。在此清洗程序中，溶劑係置於真空腔室之內側。真空腔室之內側的壓力係減少，使得溶劑之至少一部份係蒸發。污染物例如是有機污染物(舉例為塑化劑及/或其他碳氫化合物)，可從真空腔室及/或從真空腔室中之設備移除。特別是，在泵送期間，溶劑開始蒸發及小部份係凝結於真空腔室之冷牆及/或設備。溶劑可開始與污染物作用，而可致使揮發性化合物之形成。清洗之真空腔室之內側的真空條件可改善，且沈積於基板上之有機材料層的品質可改善。

綜上所述，雖然本發明已以實施例揭露如上，然其並非用以限定本發明。本發明所屬技術領域中具有通常知識者，在不脫離本發明之精神和範圍內，當可作各種之更動與潤飾。因此，本發明之保護範圍當視後附之申請專利範圍所界定者為準。

2‧‧‧傳送方向

10‧‧‧基板

20‧‧‧遮罩

100‧‧‧方法

110、120‧‧‧方塊

200‧‧‧設備

201‧‧‧溶劑

210、302‧‧‧真空腔室

212‧‧‧體積

220‧‧‧溶劑容器

230‧‧‧控制器

240‧‧‧真空幫浦

242‧‧‧連管

300、400‧‧‧系統

304、404‧‧‧閥殼體

306、405‧‧‧閥單元

310、460‧‧‧傳送配置

320‧‧‧基板載體

380‧‧‧材料沈積源

401‧‧‧載體

408‧‧‧第一沈積區域

410‧‧‧傳送區域

412‧‧‧第二沈積區域

430‧‧‧第一沈積源

450‧‧‧第二沈積源

為了使本揭露之上述特徵可詳細地瞭解，簡要摘錄於上之本揭露更特有之說明可參照數個實施例。所附之圖式係有關於本揭露之數個實施例且係說明於下方： 第1圖繪示根據此處所述實施例之用以清洗真空腔室之方法的流程圖； 第2圖繪示根據此處所述實施例之用以真空處理基板之設備的示意圖； 第3圖繪示根據此處所述實施例之用以製造具有有機材料之裝置的系統之示意圖；以及 第4圖繪示根據此處所述其他實施例之用以製造具有有機材料之裝置的系統之示意圖。

Claims (20)

1. 一種用以清洗一真空腔室的方法，包括： 減少該真空腔室中之一壓力，以蒸發包含於該真空腔室中之一溶劑的至少一部份。
2. 如申請專利範圍第1項所述之方法，其中該溶劑係包含於該真空腔室之內側的一或多個溶劑容器中。
3. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該溶劑係一液體溶劑。
4. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該溶劑係選自由乙醇、丙酮、丙醇、異丙醇、水、N-甲基吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidon)、三氯甲烷、及其任何組合所組成之群組。
5. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該溶劑係選自由乙醇、丙酮、丙醇、異丙醇、水、N-甲基吡咯烷酮(N-Methyl-2-pyrrolidon)、三氯甲烷、及其組合所組成之群組。
6. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中包含於該真空腔室中之該溶劑之一總量係該真空腔室之每單位體積0.5 公升或更少。
7. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該真空腔室中之該壓力係減少，使得該溶劑之至少該部份係蒸發及凝結於該真空腔室及該真空腔室之內側之設備的至少一者上。
8. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該真空腔室中之該壓力係減少，使得該溶劑之至少該部份係蒸發及凝結於該真空腔室及該真空腔室之內側之設備的至少一者上。
9. 如申請專利範圍第4項所述之方法，其中該真空腔室中之該壓力係減少，使得該溶劑之至少該部份係蒸發及凝結於該真空腔室及該真空腔室之內側之設備的至少一者上。
10. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該溶劑係基於將藉由該溶劑移除之一或多個污染物選擇。
11. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該溶劑係基於將藉由該溶劑移除之一或多個污染物選擇。
12. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，其中該真空腔室中之該壓力係減少至10^-5 mbar或更少。
13. 如申請專利範圍第3項所述之方法，其中該真空腔室中之該壓力係減少至10^-5 mbar或更少。
14. 如申請專利範圍第1或2項所述之方法，更包括： 在減少該真空腔室中之該壓力之前或之後，執行一或多個其他清洗程序。
15. 如申請專利範圍第14項所述之方法，其中該一或多個其他清洗程序包括濕式化學清洗(wet chemical cleaning)。
16. 一種用以真空處理一基板的設備，包括： 一真空腔室； 一或多個溶劑容器，位於該真空腔室中；及 一控制器，裝配以減少該真空腔室中之一壓力，以蒸發包含於該一或多個溶劑容器中之一溶劑之至少一部份。
17. 如申請專利範圍第16項所述之設備，其中該一或多個溶劑容器具有一或多個開孔，用於已蒸發之該溶劑至該真空腔室中之一通道。
18. 如申請專利範圍第16或17項所述之設備，更包括一或多個材料沈積源，位於該真空腔室中，該一或多個材料沈積源係裝配，以用以沈積一或多個有機材料於該基板上。
19. 如申請專利範圍第16或17項之任一者所述之設備，其中該控制器係裝配，以應用如申請專利範圍第1至15項之任一者所述之該方法。
20. 一種用以製造具有複數個有機材料之複數個裝置的系統，包括： 如申請專利範圍第16至19項之任一者所述之該設備；以及 一傳送配置，裝配以用以在該真空腔室中非接觸式傳送一基板載體及一遮罩載體之至少一者。