TW201901145A - 用於偵測製造製程缺陷之方法、電腦程式產品及系統 - Google Patents

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Abstract

一種系統、電腦程式產品及一種用於偵測製造製程缺陷之方法，該方法可包括：在多個製造階段中之每一者結束之後，獲得一或多個結構元件之多個邊緣量測值；基於該多個邊緣量測值，產生針對該多個製造階段中之每一者之空間頻譜；判定該等空間頻譜之頻帶之間的關係；及基於該等空間頻譜之該等頻帶之間的該等關係，識別該等製造製程缺陷中之至少一者。

Description

用於偵測製造製程缺陷之方法、電腦程式產品及系統
對改進奈米量級測量法方法及製程之需求不斷增長。
在以下詳細說明中，闡述許多特定細節以提供對本發明之徹底理解。然而，熟習此項技術者應理解，可在無此等特定細節之情況下實踐本發明。在其他情況下，不詳細描述熟知之方法、過程及組件以免混淆本發明。
由於本發明之所說明實施例絕大部分可使用熟習此項技術者已知之電子組件及電路實施，因此將不會在比如上文所說明認為必需之程度更大的程度上解釋細節，以便理解及瞭解本發明之基礎概念且不會混淆或分散本發明之教示。
說明書中對一方法之任何提及如作適當變動應適用於能夠執行該方法之系統，且如作適當變動應適用於儲存一旦被執行便引起該方法之執行之指令的電腦程式產品。
說明書中對一系統之任何提及如作適當變動應適用於可由該系統執行之方法，且如作適當變動應適用於儲存可被該系統執行之指令之電腦程式產品。
說明書中對一電腦程式產品之任何提及如作適當變動應適用於當執行儲存於該電腦程式產品中之指令時可被執行之方法，且如作適當變動應適用於經組態以執行儲存於電腦程式產品中之指令之系統。
電腦程式產品可為(或可包括)儲存電腦可讀之指令之非暫時性電腦可讀媒體。
片語「及/或」意指另外或替代地。
可提供一種用於偵測製造製程缺陷之方法。該方法可包括(a)在多個製造階段中之每一者結束之後(或在多個製造階段期間)獲得一或多個結構元件之多個邊緣量測值；(b)基於該多個邊緣量測值，產生針對多個製造階段中之每一者之空間頻譜；(c)判定空間頻譜之頻帶之間的關係；及(d)基於空間頻譜之頻帶之間的關係，搜尋製造製程缺陷中之至少一者。
結構元件可具有奈米量級尺寸。
判定空間頻譜之頻帶之間的關係可包括判定一個空間頻譜之一或多個頻帶與另一空間頻譜之一或多個頻帶之間的關係。
空間頻譜之頻帶意指空間頻譜之在頻帶內之部分(或片段或部分)。
獲得多個邊緣量測值可包括藉由帶電粒子測量法工具照射一或多個結構元件之邊緣。
獲得多個邊緣量測值可包括獲得一或多個結構元件之傾斜影像。
獲得多個邊緣量測值可包括獲得底部邊緣量測值以及另外或替代地，獲得頂部邊緣量測值。
該方法可包括虛擬地將空間頻譜中之每一者分段成多個頻帶。
該方法可包括當發現製造製程缺陷中之至少一者時強制修改一或多個製造製程參數。
該方法可包括當發現製造製程缺陷中之至少一者時要求修改一或多個製造製程參數。
該方法可包括接收或產生一或多個參考空間頻譜，並且判定空間頻譜之一或多個頻帶與參考空間頻譜之一或多個頻帶之間的至少一個關係。
一或多個結構元件可包括心軸、間隔物、間隔物元件及可藉由對間隔物元件應用蝕刻製程形成之中間層元件。
可提供一種電腦程式產品，其儲存用於執行以下步驟之指令：在多個製造階段中之每一者結束之後，獲得一或多個結構元件之多個邊緣量測值；基於該多個邊緣量測值，產生針對多個製造階段中之每一者之空間頻譜；判定空間頻譜之頻帶之間的關係；及基於空間頻譜之頻帶之間的關係，搜尋至少一個製造製程缺陷。
該電腦程式產品可儲存用於虛擬地將空間頻譜中之每一者分段成多個頻帶之指令。
該電腦程式產品可儲存用於當發現製造製程缺陷中之至少一者時強制修改一或多個製造製程參數之指令。
該電腦程式產品可儲存用於接收或產生一或多個參考空間頻譜，並且判定空間頻譜之頻帶與一或多個參考空間頻譜之一或多個頻帶之間的至少一個關係的指令。
可提供一種可包括處理器及記憶體單元之系統，其中該記憶體單元可經構造及配置以在多個製造階段中之每一者結束之後，儲存一或多個結構元件之多個邊緣量測值；其中該處理器可經構造及配置以(a)基於該多個邊緣量測值，產生針對多個製造階段中之每一者之空間頻譜；(b)判定空間頻譜之頻帶之間的關係；及(c)基於空間頻譜之頻帶之間的關係，搜尋至少一個製造製程缺陷。
該系統可執行上述方法。
該系統可為電腦或可包括電腦。該系統可為帶電粒子測量法工具或可不同於帶電粒子測量法工具。
可提供一種測量法系統，該測量法系統可為可(單獨地或結合另一電腦)執行不同類型之量測諸如臨界尺寸(critical dimension; CD)量測、邊緣粗糙度量測、覆蓋量測等之相異測量法系統。
該相異測量法系統亦可稱為「帶電粒子測量法工具」或「系統」或「相異系統」。
第1圖說明方法800之實例。
方法800可始於步驟802，該步驟為藉由帶電粒子測量法工具照射物件之多個方位並且產生指示散射及/或反射粒子之偵測信號。
帶電粒子測量法工具可經組態以(單獨地或結合另一電腦)產生臨界尺寸資訊、邊緣粗糙度資訊及/或覆蓋資訊。
步驟802之後可為處理偵測信號之步驟803。
處理步驟803可包括以下各項中之至少一者： a. 應用自適應晶圓取樣之步驟804。步驟804可包括基於上述量測之結果，選擇接下來將被系統照射之方位。舉例而言，判定在展現較大CD變化之區域處比在其他區域處執行更多量測。步驟804之後可為步驟802。 b. 基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程之步驟806。步驟806可包括修改各個環節諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP(化學機械研磨)、Epi等之製造製程參數。步驟806可包括偵測可能的製造製程問題。 c. 步驟808可包括基於在步驟804期間獲得之量測值，估計量測結果。
步驟803可包括應用一或多種技術諸如使用機器學習製程，諸如但不限於深度學習。
第2圖說明根據本發明之一實施例之系統8及試樣100之實例。
系統8包括真空腔室5、可包括可移動台60之移動及支撐系統(卡盤，以及一或多個機械台)、帶電粒子束光學件40、控制器50、記憶體單元70及處理器20。
帶電粒子束光學件40可用一或多個帶電粒子束照射試樣100，該一或多個帶電粒子諸如可為初級電子束之帶電粒子束111。
系統8可包括一或多個偵測器、至少一個非透鏡偵測器(行內)及/或透鏡偵測器(行外)中之至少一者。
系統8可包括任何類型之偵測器，包括次級電子(secondary electron; SE)偵測器、背散射電子(backscattered electron; BSE)偵測器、X射線偵測器等。
系統8可處理偵測信號以提供臨界尺寸資訊、邊緣粗糙度資訊及覆蓋資訊。
第3圖說明根據本發明之一實施例之系統7及試樣100之實例。
第3圖亦示出另一電腦6，該電腦可處理自系統7提供之偵測信號或製程資訊以提供臨界尺寸資訊、邊緣粗糙度資訊及覆蓋資訊。
第4圖說明帶電粒子束系統10之實例，該帶電粒子束系統包括控制器50、可移動台60、帶電粒子束光學件40、能量分散X射線(energy dispersive X-ray; EDX)偵測器200、EDX偵測器動作模組250、試樣腔室90、記憶體單元70及處理器20。
EDX偵測器200係偵測器之非限制性實例。舉例而言，EDX偵測器200可替換為BSE偵測器或任何其他具有相同形狀及/或大小或具有不同形狀及/或大小之偵測器。
控制器50經組態以控制帶電粒子束系統10之各種組件中之至少一些組件之操作。
可移動台60經組態以支撐試樣100並且根據機械掃描模式移動試樣。
帶電粒子束光學件40經組態以(a)產生初級帶電粒子束111，(b)偏轉及以其他方式引導初級帶電粒子束111穿過帶電粒子束光學件尖端43排出以射在試樣100之平坦表面105上，(c)偵測自平坦表面105發出之電子。
在第4圖中，帶電粒子束光學件40經說明為包括透鏡內次級電子偵測器42及透鏡內背散射電子偵測器44。應注意，帶電粒子束光學件40可包括一或多個電子透鏡外電子探測器，可僅具有一或多個次級電子偵測器，可僅包括一或多個背散射電子偵測器或可包括電子探測器之任何組合。
EDX偵測器動作模組250經組態以在第一位置與第二位置之間移動EDX偵測器200。
試樣100可為晶圓、微型機械加工物件、太陽能面板等。試樣100可相對較大(例如，具有300毫米或更大之直徑)，且EDX偵測器即使當定位於第二位置處時仍可直接定位於試樣100上方。
因此，當EDX偵測器200定位於第一位置處時以及當EDX偵測器定位於第二位置處時，EDX偵測器200在平面106上之投影全部落在試樣100上。
EDX偵測器200包括EDX偵測器尖端210、EDX偵測器導管220及EDX偵測器放大器230。
第4圖說明EDX偵測器200定位在第一位置中，其中EDX偵測器尖端210定位於帶電粒子束光學件尖端43與試樣100之間。初級帶電粒子束111通過形成於EDX偵測器尖端210中之孔口。EDX偵測器導管220通過試樣腔室開口91。
當EDX偵測器200定位於第一位置處時，EDX偵測器尖端210非常靠近(例如，少數十奈米)平坦表面105，且因此，EDX偵測器200能夠偵測在比EDX偵測器200更遠離平坦表面105之情況更大之角度範圍內傳播之X射線光子。
此外，當視窗置於孔口之兩側上時，EDX偵測器200可提供發出之X射線光子之對稱覆蓋。
可移動台60可遵循機械掃描模式，且帶電粒子束光學件40可偏轉初級帶電粒子束111，從而掃描平坦表面105。
由於掃描平坦表面105發出之X射線光子進入EDX偵測器尖端210之視窗並且被EDX偵測器200之X射線敏感元件偵測到。X射線敏感元件可為光二極體。X射線敏感元件產生指示所偵測之X射線光子之偵測信號。該等偵測信號經由EDX偵測器導管220發送至EDX偵測器放大器230，且可儲存在記憶體單元70中或被處理器20處理。應注意，偵測信號可藉由EDX偵測器放大器230或藉由不屬EDX偵測器放大器230之類比-數位轉換器轉換成數位偵測信號。
處理器20可使在掃描平坦表面105期間被(初級帶電粒子束111)照亮之試樣點與EDX偵測器產生之偵測信號之間相關或以其他方式相關聯。
處理器20可經組態以評估在掃描平坦表面105期間被照亮之試樣點之組成物。
第5圖說明定位於行40’下方之背散射電子(backscattered electron; BSE)偵測器1102。BSE偵測器定位於行40’下方，靠近物件且具有相對大敏感表面會提供對BSE之高度有效收集且當組合BSE偵測與次級電子(secondary electron; SE)偵測時提供覆蓋資訊。
行40’係帶電粒子束光學件之實例。
第6圖說明方法820之實例。
方法820可包括步驟822、824、826及828之序列。
步驟822可包括接收或產生所量測及/或所評估之製造製程參數。
步驟824可包括基於(a)所量測及/或所評估之製造製程參數，以及基於(b)將製造製程參數映射為臨界尺寸(CD)變化之模型，計算預期CD變化。
步驟826可包括基於在物件之多個方位處所取之多個CD量測值，計算當前CD變化。
步驟828可包括檢查當前CD變化與預期CD變化之間的關係。此可包括檢查是否存在顯著偏差。可由任何一方定義多少相當於顯著偏差。舉例而言，顯著偏差可被視為可影響良率，可實質上影響晶圓之晶粒之效能等的偏差。
步驟830可為當發現當前CD變化與預期CD變化之間的顯著偏差時，執行以下各項中之至少一者：(a)更新模型，(b)檢查所量測及/或所評估之製造製程參數，(c)改變製造製程參數。
檢查所量測及/或所評估之製造製程參數可包括執行另一量測，檢查感測器誤差等。
所評估之製造製程參數之非限制性實例可包括溫度、氣體壓力、輻射強度等。
第7圖說明自適應晶圓取樣。
可在方法800之步驟802期間及/或在方法820之步驟822期間應用自適應晶圓取樣840。
自適應晶圓取樣840可包括步驟842及步驟844。可執行步驟842及844之多次重複。
步驟842可包括在不同方位處執行CD量測。
步驟844可包括基於CD量測值中之至少一些CD量測值，判定接下來的方位。
將在步驟842之下一重複期間在接下來的方位處執行CD量測。
第8圖說明CD變化敏感性圖601、602、603及604。每一CD變化敏感性圖說明預期或實際CD變化對製造製程參數改變之敏感性。
當決定改變、修改或設定製造製程參數以便達成所要CD變化時，則可考量CD變化敏感性圖。
第9圖說明各種CD柱狀圖901、902、903及904。
第10圖係根據本發明之一實施例之帶電粒子束系統10及試樣100之剖視圖。
至少當EDX偵測器200定位於第一位置處時，EDX偵測器放大器230定位於試樣腔室90外側，且EDX偵測器尖端210定位於試樣腔室90內。
EDX偵測器尖端210經由EDX偵測器導管220耦接至EDX偵測器放大器230。在第10圖中，EDX偵測器200定位於第一位置處且初級帶電粒子束通過形成於EDX偵測器尖端210中之孔口。
EDX偵測器導管220通過試樣腔室開口91。
試樣100受可移動台60支撐。
為維持極低腔室壓力，試樣腔室90應密封而不管EDX偵測器200之位置為何。
該密封係藉由包括圍繞EDX偵測器導管220之罩蓋251及波紋管252獲得，且該密封將EDX偵測器導管220及試樣腔室90與環境密封開。
波紋管252係撓性的且連接於EDX偵測器放大器230於罩蓋251之間。
第11圖係根據本發明之一實施例之帶電粒子束系統10及試樣100之剖視圖。
第11圖說明諸如但不限於EDX偵測器200之偵測器定位在第二位置中，其中EDX偵測器尖端210與帶電粒子束光學件尖端43及試樣100間隔開。EDX偵測器尖端210不干擾帶電粒子束光學件40執行之任何量測。
當在第二位置中時，EDX偵測器尖端210與可移動台60之間的距離(D1 101)小於可移動台與帶電粒子束光學件尖端43之間的距離(D2 102)。
EDX偵測器200可以各種方式在第一位置與第二位置之間移動。舉例而言，EDX偵測器200可藉由向下及向左(或向外)移動朝向第一位置移動。
第12圖包括根據本發明之一實施例之EDX偵測器200之俯視圖及側視圖。
EDX偵測器尖端210經由EDX偵測器導管220耦接至EDX偵測器放大器230。
EDX偵測器尖端210經說明為包括孔口231及視窗232。當EDX偵測器200處於第一位置時，初級帶電粒子束可通過孔口231。自試樣發出之X射線光子通過視窗232且被EDX偵測器200之X射線敏感元件240偵測到。X射線敏感元件240可定位於EDX偵測器尖端210內但並非必需如此。
X射線敏感元件240產生偵測信號，該等偵測信號經由導體242發送至EDX偵測器放大器230。
EDX偵測器導管220經說明為包括上水平部分221、下水平部分223以及連接於上水平部分221與下水平部分223之間的傾斜中間部分222。
EDX偵測器導管220可為剛性的或彈性的。EDX偵測器導管220可具有任何形狀或大小。
第12圖亦說明EDX偵測器尖端210之替代性組態，該組態包括以對稱方式配置於孔口231之兩側上之多個視窗232及233。
第13圖說明根據本發明之一實施例之方法300。
方法300可始於步驟310，該步驟為將能量分散X射線(EDX)偵測器定位於第一位置處。
步驟310之後可為如下之步驟320：(i)藉由退出帶電粒子束光學件之尖端且傳播穿過EDX偵測器之EDX尖端之孔口之帶電粒子束掃描試樣之平坦表面；及(ii)藉由EDX偵測器偵測由於用帶電粒子束掃描平坦表面自試樣發出之X射線光子。
步驟320之後可為步驟330及340。
步驟330可包括將EDX偵測器定位於第二位置處，其中EDX偵測器尖端與平坦表面之平面之間的距離超過平坦表面之平面與帶電粒子束光學件尖端之間的距離。
當EDX偵測器定位於第一位置處時以及當EDX偵測器定位於第二位置處時，EDX偵測器在平坦表面之平面上之投影全部落在該平坦表面上。
步驟340可包括處理EDX偵測器產生之偵測信號以提供多個試樣點之所估計組成物。
系統之電子光學件可為電子顯微鏡之電子光學件、電子束成像器之電子光學件等。電子光學件可為掃描電子顯微鏡之行。在Shemesh等人之美國專利公開案第2006/0054814號中說明掃描電子光學件之非限制性實例，該美國專利公開案以全文引用方式併入本文中。
電子光學件可包括於應用上述方法中之任一種方法之系統中。
第14圖說明群集工具之實例。
群集工具400可包括各種腔室，該等腔室包括相異系統404以及可執行各種製造步驟諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等之處理腔室402、403、405及406。
修改處理腔室402、403、405及406之一或多個製造製程參數之建議或命令可基於系統404執行之量測的結果。
移送腔室407可用於在相異系統404以及處理腔室402、403、405及406之間移送晶圓或其他物件。
晶圓或另一物件可藉由介面408自盒409取回並且經由裝載鎖401饋送至移送腔室407。
第15圖說明方法810之實例。
方法810可包括步驟812、814、816及818之序列。
步驟812可包括獲得針對多個製造階段中之每一者之多個邊緣量測值。
步驟814可包括產生針對多個製造階段中之每一者之空間頻譜。步驟814可包括對多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟816可包括基於空間頻譜之間的關係，偵測可能的製造製程問題。可使用基於空間頻率的比較判定該等關係。
舉例而言，可按空間頻率頻帶做出該等關係。
步驟818可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。
步驟818可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
第16圖說明方法1000之實例。
方法1000可包括步驟1010、1020、1030及1040之序列。
步驟1010可包括獲得一或多個結構元件之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。該多個邊緣量測值與一或多個結構元件之多個製造階段有關。
步驟1020可包括基於多個邊緣量測值，產生與一或多個邊緣有關之多個空間頻譜。步驟1020可包括對多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1030可包括基於空間頻譜之間的關係，偵測可能的製造製程問題。可使用基於空間頻率的比較，判定該等關係。舉例而言，可按空間頻率頻帶做出該等關係。可判定所有頻帶(或該等頻帶中之僅一些頻帶)之間的關係。
步驟1040可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。
步驟1040可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
第17圖說明方法1002之實例。
方法1002可包括步驟1032以及步驟1010、1020、1034及1040之序列。步驟1032之後可為步驟1034。
步驟1010可包括獲得一或多個結構元件之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。該多個邊緣量測值與一或多個結構元件之多個製造階段有關。
步驟1020可包括基於多個邊緣量測值，產生針對一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1020可包括對多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1032可包括接收或產生一或多個參考頻譜。可以如下任何方式產生每一參考頻譜：該參考頻譜可反射理想或可接受邊緣粗糙度之裝置之實際頻譜，可基於電腦輔助設計檔案產生該參考頻譜，可基於實際頻譜及模擬(或以其他方式計算)之頻譜產生該參考頻譜，等等。
步驟1034可包括基於一或多個參考頻譜之一或多個頻帶與多個空間頻譜之一或多個頻帶之間的比較，偵測可能的製造製程問題。
步驟1040可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。步驟1040可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
第18圖及第19圖說明諸如自對準雙圖案化(self-aligned double patterning; SADP)製程之多圖案化製程及在說明書中說明之方法中之任一種方法期間量測之各個邊緣之實例。
多圖案化製程包括多個製造階段。第18圖至第19圖說明六個製造階段。每一製造階段可影響邊緣之粗糙度。藉由比較不同邊緣之頻譜，該方法可提供對哪個製造階段具有缺陷，每一製造階段引入什麼缺陷之指示，且該方法可指示應在製造階段中之任一製造階段中做出哪些改變。在頻帶基礎上做出該比較。
SADP製程可包括： a. 一或多個初始階段，在該一或多個初始階段期間，形成基底層992、中間層990及多個心軸920。中間層990定位於基底層992與心軸920之間。心軸920與另一心軸間隔開。可量測心軸之一或多個頂部邊緣及/或一或多個底部邊緣(例如，頂部邊緣922及底部邊緣921)。 b. 沉積間隔物層930。可量測間隔物之一或多個頂部邊緣及/或一或多個底部邊緣(例如，頂部邊緣932及底部邊緣931)。 c. 藉由移除先前罩蓋心軸之間隔物部分來蝕刻間隔物，並且使間隔物部分940留在心軸之側上。可量測間隔物部分940之一或多個頂部邊緣及/或一或多個底部邊緣(例如頂部邊緣946及942以及底部邊緣944)。 d. 移除心軸920。可量測間隔物部分940之一或多個頂部邊緣及/或一或多個底部邊緣(例如，頂部邊緣952及954以及底部邊緣951及953)。 e. 使用間隔物部分作為遮罩蝕刻中間層990，從而形成在間隔物部分940下方包括中間層部分991之結構。可量測該結構之一或多個頂部邊緣及/或一或多個底部邊緣(例如頂部邊緣962及964以及底部邊緣961及963)。 f. 移除間隔物部分940並暴露中間層部分991。可量測中間層部分991之一或多個頂部邊緣及/或一或多個底部邊緣(例如頂部邊緣972及974以及底部邊緣971及973)。
應注意，中間層部分991可變成又一圖案化製程之心軸。
邊緣之空間頻譜之間的比較可包括比較與彼此相關之結構元件之邊緣有關之空間頻譜。彼此相關之結構元件可定位於實質上相同方位處且/或可在一或多個製造階段期間彼此接觸。舉例而言，心軸可與沉積於心軸上之間隔物有關，可與接觸心軸之間隔物部分有關，可在移除心軸之前接觸心軸之間隔物部分有關，可與使用先前連接至心軸之間隔物部分暴露之中間層部分有關，等等。
該比較可提供對邊緣粗糙度轉譯之指示，亦即，製程製造階段如何將某一邊緣之邊緣粗糙度轉譯為有關結構元件之邊緣之邊緣粗糙度。
第20圖說明在三個不同製造階段核心1 (Core1)、核心2沉積(Core2 dep)及核心2蝕刻(Core2 etch)期間獲得之包括一邊緣之物件之一區域的三個SEM影像701、702及703。
核心2跟在核心1之後且包括沉積材料。核心2蝕刻跟在核心2沉積之後且涉及移除材料。
特定而言，核心1涉及產生心軸。核心2沉積包括在心軸上沉積間隔物。核心2蝕刻包括在移除心軸之頂部上之間隔物部分的同時暴露心軸之側上之間隔物部分。
線路E1、E2、E3及E4表示四個理想線路。
假定獲得針對三個製造階段中之每一者之多個邊緣量測值(指示邊緣像素之方位)。
第20圖亦說明圖表710，該圖表說明針對核心2蝕刻獲得之多個邊緣量測值之空間頻譜721及針對核心1獲得之多個邊緣量測值之空間頻譜722。
該頻譜分成三個頻帶，亦即，低頻帶711、中頻帶712及高頻帶713。頻帶之數目可為兩個或三個以上，且可定義其他頻帶。
僅以實例方式，空間頻譜721與722之間低頻帶711內之差異可影響良率且可指示覆蓋誤差。此係製造製程缺陷之一個實例。特定頻帶內空間頻譜之間或不同頻帶之間的關係可指示製造製程缺陷。
作為另一實例，空間頻譜721與722之間中頻帶712內之差異可影響閘極效能(滲漏)，且可藉由調整脈衝化及導電率旋鈕來修正該差異。此係另一製造製程缺陷之實例。
作為又一實例，空間頻譜721與722之間高頻帶713內之差異可影響閘極效能(滲漏)，且可藉由調整處理旋鈕來修正該差異。此實例使用相同製造製程缺陷(閘極效能)，但調整旋鈕在此頻帶內係不同的。
應注意，頻帶之數目可不同於三個(兩個、四個、五個、六個、七個、八個及八個以上)，該一或多個頻帶可具有相同寬度，且/或該兩個或更多個頻帶之寬度可彼此不同。
可基於不同製造製程參數及/或製造製程缺陷之間的關係，定義頻帶及/或定義比較頻帶內之頻譜之方式。
不同製程參數可包括溫度、輻射波長、輻射強度、製程製造階段之持續時間、照明角度、輻射束寬度、化合物、電漿參數、蝕刻參數、沉積參數等。
頻帶可經定義使得不同頻帶對應於不同製造製程缺陷。
當製造製程缺陷具有頻譜特徵時，該比較經定義以偵測彼頻譜特徵。
可隨時間學習邊緣之頻譜與製造製程參數之值之間的關係，可估計該關係，可使用人工智慧或機器學習判定該關係，可藉由第三方提供該關係，等等。
頻帶之指派以及/或頻譜及/或頻帶之間的比較可隨時間改變。
第21圖說明方法1100之實例。
方法1100可包括步驟1110、1112、1114、1116、1118、1120、1030及1040之序列。步驟1120之後可為步驟1110，在多圖案化製程中比在雙圖案化製程中包括更多階段。
步驟1110可包括獲得一或多個心軸之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1112可包括產生針對一或多個心軸之一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1112可包括對在步驟1110期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1114可包括獲得間隔物之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。該間隔物沉積於一或多個心軸上。
步驟1116可包括產生針對間隔物之一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1116可包括對在步驟1114期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1118可包括在蝕刻間隔物之後，獲得間隔物部分之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1120可包括在蝕刻間隔物之後，產生針對間隔物部分之一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1120可包括對在步驟1118期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1030可包括基於空間頻譜之間的關係，偵測可能的製造製程問題。可使用基於空間頻率的比較判定該等關係。舉例而言，可按空間頻率頻帶做出該等關係。
步驟1040可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。步驟1040可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
第22圖說明方法1103之實例。
方法1103可包括步驟1032以及步驟1010、1020、1034及1040之序列。步驟1032之後可為步驟1034。
步驟1120之後可為步驟1110，在多圖案化製程中比在雙圖案化製程中包括更多階段。
步驟1110可包括獲得一或多個心軸之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1112可包括產生針對一或多個心軸之一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1112可包括對在步驟1110期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1114可包括獲得間隔物之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。該間隔物沉積於一或多個心軸上。
步驟1116可包括產生針對間隔物之一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1116可包括對在步驟1114期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1118可包括在蝕刻間隔物之後，獲得間隔物部分之一或多個邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1120可包括在蝕刻間隔物之後產生針對間隔物部分之一或多個邊緣之多個空間頻譜。步驟1120可包括對在步驟1118期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1032可包括接收或產生一或多個參考頻譜。可以如下任何方式產生每一參考頻譜：該參考頻譜可反射理想或可接受邊緣粗糙度之裝置之實際頻譜，可基於電腦輔助設計檔案產生該參考頻譜，可基於實際頻譜及模擬(或以其他方式計算)之頻譜產生該參考頻譜，等等。
步驟1034可包括基於一或多個參考頻譜之一或多個頻帶與多個空間頻譜之一或多個頻帶之間的比較偵測可能的製造製程問題。
步驟1040可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。步驟1040可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
第23圖說明方法1141之實例。
方法1141可包括步驟1140、1142、1144、1146、1148、1150、1030及1040之序列。步驟1150之後可為步驟1140，在多圖案化製程中比在雙圖案化製程中包括更多階段。
步驟1140可包括獲得心軸之一或多個頂部邊緣及心軸之一或多個底部邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1142可包括產生針對心軸之一或多個頂部邊緣及心軸之一或多個底部邊緣之多個空間頻譜。步驟1142可包括對在步驟1140期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1144可包括獲得間隔物之一或多個頂部邊緣及間隔物之一或多個底部邊緣之多個邊緣量測值。該間隔物沉積於一或多個心軸上。
步驟1146可包括產生針對間隔物之一或多個頂部邊緣及間隔物之一或多個底部邊緣之多個空間頻譜。步驟1146可包括對在步驟1144期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1148可包括在蝕刻間隔物之後，獲得間隔物部分之一或多個頂部邊緣及間隔物部分之一或多個底部邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1150可包括在蝕刻間隔物之後產生針對間隔物部分之一或多個頂部邊緣及間隔物部分之一或多個底部邊緣之多個空間頻譜。步驟1150可包括對在步驟1148期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1030可包括基於空間頻譜之間的關係偵測可能的製造製程問題。可使用基於空間頻率的比較判定該等關係。舉例而言，可按空間頻率頻帶做出該等關係。
步驟1040可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。步驟1040可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
雖然方法1141涉及心軸之邊緣，但方法1141可包括獲得一或多個心軸之一或多個頂部邊緣及一或多個底部邊緣。方法1411可包括獲得與多個心軸有關之一或多個間隔物部分之一或多個頂部邊緣及一或多個底部邊緣。
第24圖說明方法1160之實例。
方法1160可包括步驟1032以及步驟1140、1150、1034及1040之序列。步驟1032之後可為步驟1034。
步驟1140可包括獲得心軸之一或多個頂部邊緣及心軸之一或多個底部邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1142可包括產生針對心軸之一或多個頂部邊緣及心軸之一或多個底部邊緣之多個空間頻譜。步驟1142可包括對在步驟1140期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1144可包括獲得間隔物之一或多個頂部邊緣及間隔物之一或多個底部邊緣之多個邊緣量測值。該間隔物沉積於一或多個心軸上。
步驟1146可包括產生針對間隔物之一或多個頂部邊緣及間隔物之一或多個底部邊緣之多個空間頻譜。步驟1146可包括對在步驟1144期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1148可包括在蝕刻間隔物之後，獲得間隔物部分之一或多個頂部邊緣及間隔物部分之一或多個底部邊緣之多個邊緣量測值。
步驟1150可包括在蝕刻間隔物之後產生針對間隔物部分之一或多個頂部邊緣及間隔物部分之一或多個底部邊緣之多個空間頻譜。步驟1150可包括對在步驟1148期間獲得之多個邊緣量測值應用空間頻率變換。
步驟1032可包括接收或產生一或多個參考頻譜。可以如下任何方式產生每一參考頻譜：該參考頻譜可反射理想或可接受邊緣粗糙度之裝置之實際頻譜，可基於電腦輔助設計檔案產生該參考頻譜，可基於實際頻譜及模擬(或以其他方式計算)之頻譜產生該參考頻譜，等等。
步驟1034可包括基於一或多個參考頻譜之一或多個頻帶與多個空間頻譜之一或多個頻帶之間的比較，偵測可能的製造製程問題。
步驟1040可包括基於可能的製造製程問題，建議(或強制)修改一或多個製造製程參數。步驟1040可包括建議(或強制)修改諸如微影術、蝕刻、沉積、CMP、Epi等各個環節之製造製程參數。
雖然方法1160涉及心軸之邊緣，但方法1160可包括獲得一或多個心軸之一或多個頂部邊緣及一或多個底部邊緣。方法1160可包括獲得與多個心軸有關之一或多個間隔物部分之一或多個頂部邊緣及一或多個底部邊緣。
第25圖說明空間頻譜1201、1202及1203。第26圖說明空間頻譜1201及1202，且第27圖說明空間頻譜1203及1202。
空間頻譜1201、1202及1203中之每一者可為參考空間頻譜或量測之空間頻譜。
可在有關結構元件之兩個不同製造階段期間獲得至少兩個不同空間頻譜。
分頻頻譜中之每一者可指示頂部邊緣之粗糙度或底部邊緣之粗糙度。
第25圖及第27圖說明頻帶1301、1302、1303、1304、1305及1306。第26圖說明頻帶1311、1312、1313及1314。
一或多個頻帶內之空間頻譜1201、1202及1203中之兩個或更多個空間頻譜之間的比較可指示缺陷及/或製造製程參數之值。
舉例而言，參考第25圖，在頻帶1304及1305中，空間頻譜1203與空間頻譜1201及1202相比較不平滑。但對於另一實例，在頻帶1306中，空間頻譜1202低於空間頻譜1203。
但對於另一實例，在第26圖中，空間頻譜1201與1202之間的面積1401可超過預定面積閾值。在區域1313中，空間頻譜1201與1202之間的最大高度差1404可低於預定高度閾值。
第28圖包括十四個間隔物元件1501至1514及該十四個間隔物元件之具有其量測之粗糙度之十四個頂部邊緣1601至1614之頂部影像1500。
第29圖包括十四個間隔物元件1501至1514及該十四個間隔物元件之具有其量測之粗糙度之十四個底部邊緣1701至1714之傾斜影像1700。
每一對間隔物元件耦接至彼此並且形成具有內部體積之結構元件。該內部體積位於定位有心軸處。形成於結構元件之內部體積上之間隔物元件之邊緣稱為核心邊緣，且形成於結構元件之外部上之邊緣稱為縫隙邊緣。
第30圖包括空間頻譜1801、1802、1803及1804。
空間頻譜1801表示底部核心邊緣之邊緣粗糙度。
空間頻譜1802表示頂部核心邊緣之邊緣粗糙度。
空間頻譜1803表示頂部縫隙邊緣之邊緣粗糙度。
空間頻譜1804表示底部縫隙邊緣之邊緣粗糙度。
可做出空間頻譜(第30圖之每三個頻帶)之間的任何比較。
舉例而言，在分頻頻譜1801及1802之最左邊部分可見，在PSD之間存在顯著不同(約100對60)。
在前述說明書中，已參考本發明之實施例之具體實例描述本發明。然而，將顯而易見的是可在不脫離如在隨附申請專利範圍中闡述之本發明之寬泛精神及範疇之情況下在其中做出各種修改及改變。
此外，在說明書及申請專利範圍中存在之任何術語「前」、「後」、「頂部」、「底部」、「上方」、「下方」等術語用於描述性目的且不必用於描述永久性相對位置。應理解，如此使用之該等術語可在適當情形下互換，使得本文中描述之本發明之實施例例如能夠在除本文中說明或以其他方式描述之定向以外的定向中操作。
如本文中論述之連接可為適於例如經由中間裝置移送信號來往於相應節點、單元或裝置之任何類型之連接。因此，除非另外暗示或說明，否則該等連接可例如為直接連接或間接連接。可參考單個連接、複數個連接、單向連接或雙向連接說明或描述該等連接。然而，不同實施例可改變該等連接之實施。舉例而言，可使用單獨單向連接而非雙向連接且反之亦然。同時，複數個連接可替換為以串列方式或以分時多工方式移送多個信號之單個連接。同樣地，承載多個信號之單個連接可分離成承載此等信號之子集之多個不同連接。因而，存在用於移送信號之多種選擇方案。
雖然已在實例中描述特定導電類型或電位極性，但應瞭解，導電類型或電位極性可為相反的。
本文中描述之每一信號可經設計為正或負邏輯。在負邏輯信號之情形下，該信號係有效低的，其中邏輯真狀態對應於邏輯位準零。在正邏輯信號之情形下，該信號係有效高的，其中邏輯真狀態對應於邏輯位準一。應注意，本文中描述之任何信號可經設計為負邏輯信號或正邏輯信號。因而，在替代性實施例中，描述為正邏輯信號之彼等信號可實施為負邏輯信號，且描述為負邏輯信號之彼等信號可實施為正邏輯信號。
此外，當涉及將信號、狀態位或類似設備呈現為其邏輯真或邏輯假狀態時，在本文中分別使用術語「確證」或「設定」及「否定」(或「撤銷確證」或「清除」)。若邏輯真狀態係邏輯位準一，則邏輯假狀態係邏輯位準零。且若邏輯真狀態係邏輯位準零，則邏輯假狀態係邏輯位準一。
熟習此項技術者將認識到，邏輯區塊之間的邊界僅係說明性的，且替代性實施例可合併邏輯區塊或電路元件或對各種邏輯區塊或電路元件施加功能性之交替分解。因此，應理解，本文中描繪之架構僅係例示性的，且事實上可實施達成相同功能性之諸多其他架構。
達成相同功能性之組件之任何配置有效地「相關聯」以便達成所要功能性。由此，本文中經組合以達成特定功能性之任何兩個組件可被視為彼此「相關聯」以便達成所要功能性，而無視架構或中間組件。同樣地，如此相關聯之任何兩個組件亦可被視為彼此「可操作地連接」或「可操作地耦接」以達成所要功能性。
此外，熟習此項技術者將認識到，上文描述之操作之間的邊界僅係說明性的。多個操作可組合成單個操作，單個操作可分佈於額外操作中，且可在時間上至少部分重疊地執行操作。此外，替代性實施例可包括特定操作之多個示例，且操作之次序可在多個其他實施例中更改。
亦舉例而言，在一個實施例中，所說明之實例可實施為位於單個集成電路上或相同裝置內之電路。替代性地，該等實例可實施為以適合方式彼此互連之任何數目個單獨集成電路或單獨裝置。
亦舉例而言，該等實例或其部分可實施為實體電路之軟式表示或程式碼表示或可諸如以任何適當類型之硬體描述語言轉變為實體電路之邏輯表示之軟式表示或程式碼表示。
然而，其他修改、變化及替代方案亦係可能的。因此說明書及圖式應被視為說明性的而非限制性的。
在申請專利範圍中，置於括號內之任何參考符號不應被視為限制申請專利範圍。詞語「包含」不排除存在除申請專利範圍中列出之元件或步驟之外的其他元件或步驟。此外，如本文中所使用之術語「一(a或an)」定義為一個或多於一個。而且，在申請專利範圍中使用引導性片語諸如「至少一個」及「一或多個」不應視為暗示不定冠詞「一(a或an)」引導之另一請求項將含有此類引導之請求項元素之任何特定請求項限制為僅含有一個此類元素之發明，即使當相同請求項包括引導性片語「一或多個」或「至少一個」及不定冠詞諸如「一(a或an)」時仍會如此。此同樣適用於定冠詞之使用。除非另有說明，否則術語諸如「第一」及「第二」用以任意區分此類術語描述之元素。因此，此等術語未必意欲指示此類元素之暫時或其他優先次序。在互相不同之請求項中敘述某些措施之僅有事實不指示不能將此等措施之組合用以獲得優勢。
雖然已在本文中說明及描述本發明之某些特徵，但熟習此項技術者現在將會想到諸多修改、置換、改變及等效物。因而，應理解，隨附申請專利範圍意欲涵蓋落在本發明之真實精神內之所有此類修改及改變。
5‧‧‧真空腔室
6‧‧‧電腦
7‧‧‧系統
8‧‧‧系統
10‧‧‧帶電粒子束系統
20‧‧‧處理器
40‧‧‧帶電粒子束光學件
40’‧‧‧行
42‧‧‧透鏡內次級電子偵測器
43‧‧‧帶電粒子束光學件尖端
44‧‧‧透鏡內背散射電子偵測器
50‧‧‧控制器
60‧‧‧可移動台
70‧‧‧記憶體單元
90‧‧‧試樣腔室
91‧‧‧試樣腔室開口
100‧‧‧試樣
D1 101‧‧‧距離
D2 102‧‧‧距離
105‧‧‧平坦表面
106‧‧‧平面
111‧‧‧初級帶電粒子束
200‧‧‧能量分散X射線(EDX)偵測器
210‧‧‧EDX偵測器尖端
220‧‧‧EDX偵測器導管
221‧‧‧上水平部分
222‧‧‧傾斜中間部分
223‧‧‧下水平部分
230‧‧‧EDX偵測器放大器
231‧‧‧孔口
232‧‧‧視窗
233‧‧‧視窗
240‧‧‧X射線敏感元件
242‧‧‧導體
250‧‧‧EDX偵測器動作模組
251‧‧‧罩蓋
252‧‧‧波紋管
300‧‧‧方法
310~340‧‧‧步驟
400‧‧‧群集工具
401‧‧‧裝載鎖
402、403、405、406‧‧‧處理腔室
404‧‧‧相異系統
407‧‧‧移送腔室
408‧‧‧介面
409‧‧‧盒
601‧‧‧CD變化敏感性圖
602‧‧‧CD變化敏感性圖
603‧‧‧CD變化敏感性圖
604‧‧‧CD變化敏感性圖
701~703‧‧‧SEM影像
710‧‧‧圖表
711‧‧‧低頻帶
712‧‧‧中頻帶
713‧‧‧高頻帶
721‧‧‧空間頻譜
722‧‧‧空間頻譜
800‧‧‧方法
802~808‧‧‧步驟
810‧‧‧方法
812~818‧‧‧步驟
820‧‧‧方法
822~830‧‧‧步驟
840‧‧‧自適應晶圓取樣
842、844‧‧‧步驟
901~904‧‧‧CD柱狀圖
920‧‧‧心軸
921‧‧‧底部邊緣
922‧‧‧頂部邊緣
930‧‧‧間隔物層
931‧‧‧底部邊緣
932‧‧‧頂部邊緣
940‧‧‧間隔物部分
942‧‧‧頂部邊緣
944‧‧‧底部邊緣
946‧‧‧頂部邊緣
951‧‧‧底部邊緣
952‧‧‧頂部邊緣
953‧‧‧底部邊緣
954‧‧‧頂部邊緣
961‧‧‧底部邊緣
962‧‧‧頂部邊緣
963‧‧‧底部邊緣
964‧‧‧頂部邊緣
971‧‧‧底部邊緣
972‧‧‧頂部邊緣
973‧‧‧底部邊緣
974‧‧‧頂部邊緣
990‧‧‧中間層
991‧‧‧中間層部分
992‧‧‧基底層
1000‧‧‧方法
1002‧‧‧方法
1010~1040‧‧‧步驟
1100‧‧‧方法
1102‧‧‧背散射電子(BSE)偵測器
1103‧‧‧方法
1110~1140‧‧‧步驟
1141‧‧‧方法
1142~1150‧‧‧步驟
1150‧‧‧步驟
1160‧‧‧方法
1201、1202、1203‧‧‧空間頻譜
1301~1314‧‧‧頻帶
1401‧‧‧面積
1404‧‧‧最大高度差
1500‧‧‧頂部影像
1501-1514‧‧‧間隔物元件
1601-1614‧‧‧頂部邊緣
1700‧‧‧傾斜影像
1701-1714‧‧‧底部邊緣
1801、1802、1803、1804‧‧‧空間頻譜
E1、E2、E3、E4‧‧‧線路
特定指出被視為本發明之標的物且在說明書之結尾部分清楚地主張該標的物。然而，可參考以下詳細說明當結合隨附圖式閱讀時最佳理解本發明之組織及操作方法以及其試樣、特徵及優點，在隨附圖式中：
第1圖說明方法之實例；
第2圖說明試樣及系統之實例；
第3圖說明試樣及系統之實例；
第4圖說明試樣及系統之實例；
第5圖說明試樣及系統之一部分之實例；
第6圖說明方法之實例；
第7圖說明方法之實例；
第8圖說明臨界尺寸敏感性圖之實例；
第9圖說明臨界尺寸之柱狀圖之實例；
第10圖說明系統及試樣之橫剖面之實例；
第11圖說明系統及試樣之橫剖面之實例；
第12圖說明偵測器之實例；
第13圖說明方法之實例；
第14圖說明群集工具之實例；
第15圖說明方法之實例；
第16圖說明方法之實例；
第17圖說明方法之實例；
第18圖至第19圖說明各種製造階段及在此等製造階段結束之後量測之邊緣；
第20圖說明影像及空間頻譜之實例；
第21圖說明方法之實例；
第22圖說明方法之實例；
第23圖說明方法之實例；
第24圖說明方法之實例；
第25圖說明空間頻譜之實例；
第26圖說明空間頻譜之實例；
第27圖說明空間頻譜之實例；
第28圖說明間隔物元件之影像；
第29圖說明間隔物元件之影像；及
第30圖說明空間頻譜之實例。
應瞭解，為簡單及清晰說明起見，諸圖中示出之元件不必按比例繪製。舉例而言，為清晰起見，一些元件之尺寸可相對於其他元件而誇大。另外，在認為恰當處，可在諸圖中重複參考編號以指示對應或類似元件。
國內寄存資訊 (請依寄存機構、日期、號碼順序註記) 無
國外寄存資訊 (請依寄存國家、機構、日期、號碼順序註記) 無

Claims (15)

  1. 一種用於偵測製造製程缺陷之方法，該方法包含以下步驟： 在多個製造階段中之每一者結束之後，獲得一或多個結構元件之多個邊緣量測值；基於該多個邊緣量測值，產生針對該多個製造階段中之每一者之空間頻譜；判定該等空間頻譜之頻帶之間的關係；及基於該等空間頻譜之該等頻帶之間的該等關係，識別該等製造製程缺陷中之至少一者。
  2. 如請求項1所述之方法，其中該獲得該多個邊緣量測值之步驟包含以下步驟：藉由一帶電粒子測量法工具照射該一或多個結構元件之邊緣。
  3. 如請求項1所述之方法，其中該獲得該多個邊緣量測值之步驟包含以下步驟：獲得該一或多個結構元件之傾斜影像。
  4. 如請求項1所述之方法，其中該獲得該多個邊緣量測值之步驟包含以下步驟：獲得該等結構元件之底部邊緣量測值及頂部邊緣量測值。
  5. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：將該等空間頻譜中之每一者虛擬地分段以界定多個頻帶。
  6. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：當發現該等製造製程缺陷中之該至少一者時，強制修改一或多個製造製程參數。
  7. 如請求項1所述之方法，進一步包含以下步驟：接收或產生一或多個參考空間頻譜，以及判定該等空間頻譜之該等頻帶與該一或多個參考空間頻譜之頻帶之間的至少一個關係。
  8. 如請求項1所述之方法，其中該一或多個結構元件包含一心軸、一間隔物、間隔物元件及藉由對該等間隔物元件應用一蝕刻製程形成之中間層元件。
  9. 一種儲存指令之電腦程式產品，包含： 在多個製造階段中之每一者結束之後，獲得一或多個結構元件之多個邊緣量測值；基於該多個邊緣量測值，產生針對該多個製造階段中之每一者之空間頻譜；判定該等空間頻譜之頻帶之間的關係；及基於該等空間頻譜之該等頻帶之間的該等關係，識別至少一個製造製程缺陷。
  10. 如請求項9所述之電腦程式產品，其中該獲得該多個邊緣量測值包含： 藉由一帶電粒子測量法工具照射該一或多個結構元件之邊緣，獲得該一或多個結構元件之傾斜影像，及/或獲得該等結構元件之底部邊緣量測值及頂部邊緣量測值。
  11. 如請求項9所述之電腦程式產品，進一步包含用於將該等空間頻譜中之每一者虛擬地分段以界定多個頻帶之指令。
  12. 如請求項9所述之電腦程式產品，進一步包含用於當發現該等製造製程缺陷中之該至少一者時，強制修改一或多個製造製程參數之指令。
  13. 如請求項9所述之電腦程式產品，進一步包含用於接收或產生一或多個參考空間頻譜，以及判定該等空間頻譜之該等頻帶與該一或多個參考空間頻譜之頻帶之間的至少一個關係的指令。
  14. 如請求項9所述之電腦程式產品，其中該一或多個結構元件包含一心軸、一間隔物、間隔物元件及藉由對該等間隔物元件應用一蝕刻製程形成之中間層元件。
  15. 一種包含一處理器及一記憶體單元之系統，其中該記憶體單元經構造及配置以在多個製造階段中之每一者結束之後，儲存一或多個結構元件之多個邊緣量測值；其中該處理器經構造及配置以(a)基於該多個邊緣量測值，產生針對該多個製造階段中之每一者之空間頻譜；(b)判定該等空間頻譜之頻帶之間的關係；及(c)基於該等空間頻譜之該等頻帶之間的該等關係，識別至少一個製造製程缺陷。
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Family Cites Families (21)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH101903A (ja) * 1996-06-14 1998-01-06 H S S T Kaihatsu Kk 桁式軌道用の分岐装置
US6452677B1 (en) * 1998-02-13 2002-09-17 Micron Technology Inc. Method and apparatus for detecting defects in the manufacture of an electronic device
US6566885B1 (en) * 1999-12-14 2003-05-20 Kla-Tencor Multiple directional scans of test structures on semiconductor integrated circuits
EP1322941A2 (en) * 2000-10-02 2003-07-02 Applied Materials, Inc. Defect source identifier
US6650422B2 (en) * 2001-03-26 2003-11-18 Advanced Micro Devices, Inc. Scatterometry techniques to ascertain asymmetry profile of features and generate a feedback or feedforward process control data associated therewith
US6947588B2 (en) * 2003-07-14 2005-09-20 August Technology Corp. Edge normal process
JP2006038779A (ja) 2004-07-30 2006-02-09 Hitachi High-Technologies Corp パターン形状評価方法、評価装置、及び半導体装置の製造方法
US7616804B2 (en) * 2006-07-11 2009-11-10 Rudolph Technologies, Inc. Wafer edge inspection and metrology
CN101490538B (zh) * 2006-08-02 2013-03-27 株式会社尼康 缺陷检测装置和缺陷检测方法
US20080267489A1 (en) * 2007-04-24 2008-10-30 Hermes- Microvision, Inc. Method for determining abnormal characteristics in integrated circuit manufacturing process
DE102007042271B3 (de) * 2007-09-06 2009-02-05 Vistec Semiconductor Systems Gmbh Verfahren zur Bestimmung der Lage der Entlackungskante eines scheibenförmigen Objekts
JP5203787B2 (ja) 2008-04-17 2013-06-05 株式会社日立ハイテクノロジーズ データ解析装置
WO2012005019A1 (ja) * 2010-07-08 2012-01-12 旭硝子株式会社 ガラス基板端面の評価方法及びガラス基板端面の加工方法並びにガラス基板
US8673165B2 (en) 2011-10-06 2014-03-18 International Business Machines Corporation Sidewall image transfer process with multiple critical dimensions
JP5882072B2 (ja) 2012-02-06 2016-03-09 株式会社日立ハイテクノロジーズ 欠陥観察方法及びその装置
US8912495B2 (en) * 2012-11-21 2014-12-16 Kla-Tencor Corp. Multi-spectral defect inspection for 3D wafers
JP2014130077A (ja) 2012-12-28 2014-07-10 Hitachi High-Technologies Corp パターン形状評価方法、半導体装置の製造方法及びパターン形状評価装置
SG2013084975A (en) * 2013-11-11 2015-06-29 Saedge Vision Solutions Pte Ltd An apparatus and method for inspecting asemiconductor package
US9734568B2 (en) * 2014-02-25 2017-08-15 Kla-Tencor Corporation Automated inline inspection and metrology using shadow-gram images
EP3317651A1 (en) * 2015-06-30 2018-05-09 Corning Incorporated Interferometric roll-off measurement using a static fringe pattern
US10937705B2 (en) * 2018-03-30 2021-03-02 Onto Innovation Inc. Sample inspection using topography

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