TW201842689A - 蒸鍍遮罩，附有框架的蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩準備體，蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法 - Google Patents

蒸鍍遮罩，附有框架的蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩準備體，蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法 Download PDF

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Abstract

一種蒸鍍遮罩，係層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩，其中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂遮罩表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。

Description

蒸鍍遮罩，附有框架的蒸鍍遮罩，蒸鍍遮罩準備體，蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法
本揭示的實施形態係有關於蒸鍍遮罩、附有框架的蒸鍍遮罩、蒸鍍遮罩準備體、蒸鍍圖案形成方法及有機半導體元件的製造方法。
使用蒸鍍遮罩的蒸鍍圖案的形成，通常，藉由使對應蒸鍍製作的圖案設有開口部的蒸鍍遮罩與蒸鍍對象物密著，將從蒸鍍源放出的蒸鍍材，通過開口部附著於蒸鍍對象物來進行。
作為用於上述蒸鍍圖案的形成的蒸鍍遮罩，例如，已知有將具有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩、及具有金屬遮罩開口部(也有稱為狹縫的情形)的金屬遮罩進行層積而成的蒸鍍遮罩(例如，專利文獻1)等。 [先前技術文獻] [專利文獻]
[專利文獻1] JP 5288072 B
[發明所欲解決的問題]
本揭示的實施形態的主要課題為提供一種能形成高精細的蒸鍍圖案的蒸鍍遮罩等。 [解決問題的手段]
本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩，係層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩，其中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂遮罩表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
在上述第1實施形態的蒸鍍遮罩中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂遮罩表面的最大高度(Sz)為2.5μm以下也可以。
又，本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體，係用以得到層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩準備體，包含：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩；層積於前述金屬遮罩的樹脂層；從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂層的表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
在上述第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂層的表面的最大高度(Sz)為2.5μm以下也可以。
又，本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩，係層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩，其中，前述樹脂遮罩的，未與前述金屬遮罩接觸之側的表面的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下。
在上述第2實施形態的蒸鍍遮罩中，前述樹脂遮罩的，未與前述金屬遮罩接觸之側的表面的最大高度(Sz)為2.0μm以下也可以。
又，本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體，係用以得到層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩準備體，包含：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩；層積於前述金屬遮罩的樹脂層；前述樹脂層的，未與前述金屬遮罩接觸之側的表面的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下。
在上述第2實施形態的蒸鍍遮罩中，前述樹脂層的，未與前述金屬遮罩接觸之側的表面的最大高度(Sz)為2.0μm以下也可以。
本揭示的第3實施形態的蒸鍍遮罩，為包含設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩的蒸鍍遮罩，前述樹脂遮罩的一面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
在上述第3實施形態的蒸鍍遮罩中，前述樹脂遮罩的，算術平均高度(Sa)為0.8μm以下之面上層積有金屬層也可以。
又，在上述第3實施形態的蒸鍍遮罩中，前述樹脂遮罩的一面的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下；在與前述算術平均高度(Sa)為0.5μm以下的面相反側之面上層積金屬層也可以。
本揭示的實施形態的附有框架的蒸鍍遮罩，係包含：框架、及固定於前述框架的蒸鍍遮罩的附有框架的蒸鍍遮罩，其中，前述蒸鍍遮罩為上述第1至第3中的任一實施形態的蒸鍍遮罩。
又，使用本揭示的實施形態的蒸鍍法的蒸鍍圖案形成方法，係使用第1至第3中的任一實施形態的蒸鍍遮罩。
又，本揭示的實施形態的有機半導體元件的製造方法，係使用第1至第3中的任一實施形態的蒸鍍遮罩。 [發明的效果]
根據本揭示的蒸鍍遮罩等，能夠形成高精細的蒸鍍圖案。
以下，參照圖式等說明本發明的實施形態。此外，本發明可以以多種不同態樣來實施，並不限定解釋於以下例示的實施形態的記載內容。又，圖式為了使說明更明確，與實際的態樣相比，雖有就各部分的寬度、厚度、形狀等模式地表示的情形，但其僅為一例，並非限定本發明的解釋。又，在本案說明書與各圖中，關於已出現的圖中與前述相同的要素，會有附加相同的符號，並適宜地省略詳細說明的情形。又，在說明的方便上，雖使用上方或下方等的語句說明，但上下方向逆轉也可以。關於左右方向也一樣。
＜第1實施形態的蒸鍍遮罩＞ 　　圖1(a)為表示從本揭示的第1實施形態的金屬遮罩側平視蒸鍍遮罩的一例的正視圖、圖1(b)為表示圖1(a)的A-A部分的概略剖面圖。此外，圖1(b)中的蒸鍍遮罩的中央附近的一部分被省略。
如圖1所示，本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩100，為將具有對應蒸鍍製作的圖案的複數樹脂遮罩開口部25的樹脂遮罩20、與具有金屬遮罩開口部15的金屬遮罩10，以前述樹脂遮罩開口部25重疊前述金屬遮罩開口部15的方式層積而成的蒸鍍遮罩100。
在圖示的形態中，樹脂遮罩開口部25、及金屬遮罩開口部15的開口形狀雖呈矩形狀，但就開口形狀並沒有特別限定，樹脂遮罩開口部25、及金屬遮罩開口部15的開口形狀可以是菱形、多角形狀，是圓或橢圓等具有曲率的形狀也可以。不過，矩形、或多角形的開口形狀，其與圓、橢圓等具有曲率的開口形狀相比，在發光面積被擴大這點上，屬較佳的樹脂遮罩開口部25的開口形狀。
(樹脂遮罩) 　　就成為構成圖1所示的第1實施形態的蒸鍍遮罩100的樹脂遮罩20的主材料的樹脂材料並沒有限定，例如，使用可藉由雷射加工等形成高精細的樹脂遮罩開口部25，經過加熱或時間變化的尺寸變化率及吸濕率小，且輕量的材料較佳。作為這種材料，可以是：聚酰亞胺樹脂、聚醯胺樹脂、聚醯胺醯亞胺樹脂、聚酯纖維樹脂、聚乙烯樹脂、聚乙烯醇樹脂、聚丙烯樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚苯乙烯樹脂、聚丙烯腈樹脂、乙烯乙酸乙烯酯共聚物樹脂、乙烯-乙烯醇共聚物樹脂、乙烯-甲基丙烯酸共聚物樹脂、聚氯乙烯樹脂、聚偏二氯乙烯樹脂、玻璃纸、離子聚合物樹脂等。上述例示的材料中，較佳為熱膨脹係數為16ppm/°C以下的樹脂材料，吸溼率在1.0%以下的樹脂材料較佳，兼具該兩者條件的樹脂材料特佳。藉由使用該樹脂材料作為樹脂遮罩20，可以提升樹脂遮罩開口部25的尺寸精度，且可以降低經過加熱或時間變化的尺寸變化率及吸濕率。
雖然不特別限定樹脂遮罩20的厚度，但在為了更加提升抑制陰影發生的效果時，樹脂遮罩20的厚度較佳為25μm以下，未滿10μm更佳。雖不特別限定下限值的較佳範圍，但樹脂遮罩20的厚度在未滿3μm時，容易產生孔隙等的缺陷，且變形等的風險變高。特別是，藉由使樹脂遮罩20的厚度在3μm以上且未滿10μm，更佳為4μm以上8μm以下，能夠更有效地防止形成超過400ppi的高精細圖案時的陰影的影響。此外，樹脂遮罩20與後述的金屬遮罩10可以是直接接合，也可以藉由黏著劑層接合，但藉由黏著劑層接合樹脂遮罩20與金屬遮罩10時，樹脂遮罩20與黏著劑層的合計厚度在上述較佳的厚度範圍內為佳。此外，陰影指的是因為從蒸鍍源放出的蒸鍍材的一部分，衝撞金屬遮罩開口部或樹脂遮罩的開口部的內壁面而未到達蒸鍍對象物，而產生比作為目的的蒸鍍膜厚還薄的膜厚的未蒸鍍部分之現象。
就樹脂遮罩開口部25的剖面形狀沒有特別的限定，形成樹脂遮罩開口部25的樹脂遮罩的相面對的端面彼此可以呈略平行，但如圖1(b)所示，樹脂遮罩開口部25其剖面形狀在面向蒸鍍源時具有擴大的形狀較佳。換言之，在面向金屬遮罩10側具有擴大的錐體面較佳。關於錐體角，雖可以考慮樹脂遮罩20的厚度等作適宜設定，但連結樹脂遮罩開口部的下底前端以及同樣的樹脂遮罩開口部的上底前端的直線、與樹脂遮罩底面所呈的角度，換言之，即在構成樹脂遮罩開口部25的內壁面的厚度方向剖面中，樹脂遮罩開口部25的內壁面與樹脂遮罩20的和金屬遮罩10未接觸之側的面(圖示的形態中為樹脂遮罩的下面)所呈的角度，較佳為在5°以上85°以下的範圍內，更佳為在15°以上75°以下的範圍內，再更佳為在25°以上65°以下的範圍內。特別是在該範圍內，比使用的蒸鍍機的蒸鍍角度還小的角度較佳。此外，圖示的形態中，形成樹脂遮罩開口部25的端面雖呈直線形狀，但並不以此為限，在外部呈凸的彎曲形狀，也就是樹脂遮罩開口部25的全體形狀呈碗形也可以。又，與之相反，即在內呈凸的彎曲形狀也可以。
這種本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩100，具有從金屬遮罩開口部15露出的樹脂遮罩20的表面20’的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的特徵。藉由將該表面20’的算術平均高度(Sa)設為0.8μm以下，在加工樹脂遮罩開口部25時，特別是雷射加工時的精度能夠提升。又，也能夠防止在樹脂遮罩開口部25的邊緣產生鋸齒或缺陷。再來，該表面20’的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下表示樹脂遮罩20的厚度均勻，藉此能夠使樹脂遮罩開口部25的形狀及大小以更高的精度均勻化。
從金屬遮罩開口部15露出的樹脂遮罩20的表面20’的算術平均高度(Sa)為0.1μm以下較佳，0.08μm以下特佳。
其中，「算術平均高度(Sa)」指的是使線的算術平均高度(Ra)在表面擴張的參數，是相對於成為測定對象的表面的平均面，由各點的高度的絕對值的平均所算出的值。當算出該算術平均高度(Sa)時，例如，能使用形狀解析雷射顯微鏡來測定樹脂遮罩20的表面20’，並以ISO 25178為準的方法算出。
再來，在本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩100中，從金屬遮罩開口部15露出的樹脂遮罩20的表面20’的最大高度(Sz)為2.5μm以下的特徵。因為算術平均高度(Sa)為0.8μm以下，且最大高度(Sz)為2.5μm以下，樹脂遮罩20的厚度又變得更均勻，藉此能夠使樹脂遮罩開口部25的形狀及大小以更高的精度均勻化。
從金屬遮罩開口部15露出的樹脂遮罩20的表面20’的最大高度(Sz)更佳為2.0μm以下，特佳為1.5μm以下。
其中，「最大高度(Sz)」指的是線的最大高度Rz在表面擴張的參數，為表示從成為測定對象的表面的最高點到最低點的距離的值。當測定該最大高度(Sz)時，例如，可以使用形狀解析雷射顯微鏡來測定樹脂遮罩20的表面20’，並以ISO 25178為準的方法算出。
(金屬遮罩) 　　如圖1(b)所示，在樹脂遮罩20的一面上，層積有金屬遮罩10。金屬遮罩10由金屬所構成，配置有在縱方向或橫方向延伸的金屬遮罩開口部15。關於金屬遮罩開口部的配置例並沒有特別限定，在縱方向、及橫方向延伸的金屬遮罩開口部也可以在縱方向、及橫方向配置成複數列，在縱方向延伸的金屬遮罩開口部也可以在橫方向配置成複數列，在橫方向延伸的金屬遮罩開口部也可以在縱方向配置成複數列。此外，也可以在縱方向、或橫方向僅配置1列。另外，本案說明書中所述的「縱方向」、「橫方向」指的是圖式的上下方向、左右方向，也可以是蒸鍍遮罩、樹脂遮罩、金屬遮罩的長邊方向、寬度方向的任一方向。例如，可以將蒸鍍遮罩、樹脂遮罩、金屬遮罩的長邊方向設為「縱方向」，也可以將寬度方向設為「縱方向」。此外，在本案說明書中，雖舉平視蒸鍍遮罩時的形狀為矩形狀時的之例說明，但作為除此之外的形狀，例如圓形、菱形等多角形也可以。在這種情況下，將對角線的長邊方向及徑方向、或任意的方向作為「長邊方向」，將與該「長邊方向」垂直的方向作為「寬度方向(也有稱為短邊方向的情形)」也可以。
有關金屬遮罩10的材料並沒有特別限定，可以從蒸鍍遮罩的領域中的從前公知材料中作適當地選擇，例如可以是不銹鋼、鐵鎳合金、鋁合金等的金屬材料。在其中，鐵鎳合金即因瓦材因為受熱造成的形變較小，適合拿來使用。
雖然不特別限定關於金屬遮罩10的厚度，但為了更有效地防止陰影發生，較佳為100μm以下，更佳為50μm以下，再更佳為35μm以下。此外，在比5μm還薄時，破斷或變形的風險提高，同時有處理變困難的傾向。
此外，在圖1(a)所示的形態中，平視金屬遮罩開口部15時的開口形狀，雖然呈矩形，但並不特別限定開口形狀，金屬遮罩開口部15的開口形狀可以是梯狀，圓形等任何形狀。
就形成於金屬遮罩10的金屬遮罩開口部15之剖面形狀雖沒有特別的限定，但如圖1(b)所示，採用具有面向蒸鍍源會擴大的形狀較佳。更具體來說，連結金屬遮罩開口部的下底前端以及同樣的金屬遮罩開口部15的上底前端的直線、與金屬遮罩10的底面所呈的角度，換言之，即在構成金屬遮罩開口部15的內壁面的厚度方向剖面中，金屬遮罩開口部15的內壁面與金屬遮罩10的和樹脂遮罩20連接之側的面(圖示中的形態中為金屬遮罩的下面)所呈的角度，較佳為在5°以上85°以下的範圍內，更佳為在15°～80°的範圍內，再更佳為在25°以上65°以下的範圍內。特別是在該範圍內，比使用的蒸鍍機的蒸鍍角度還小的角度較佳。
此外，本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩100，藉由將其固定於框架，作為附有框架的蒸鍍遮罩也可以。
圖2表示附有框架的蒸鍍遮罩的一例的正視圖、圖3表示附有框架的蒸鍍遮罩的一例的正視圖、圖4(a)～(c)表示本揭示的實施形態的框架的一例的正視圖。
附有框架的蒸鍍遮罩200，如圖2所示，為在框架60固定1個蒸鍍遮罩100者也可以，如圖3所示，在框架60固定複數蒸鍍遮罩100者也可以。
框架60為略矩形形狀的框件，具有用以使設於最終固定的蒸鍍遮罩100的樹脂遮罩20的樹脂遮罩開口部25在蒸鍍源側露出的開口。作為非框架的材料，可以是金屬材料、或玻璃材料、陶瓷材料等。
雖不特別限定框架的厚度，但從剛性等的點來看較佳為約10mm以上30mm以下的範圍內。框架的開口的內周端面與框架的外周端面間的寬度，若是能夠固定該框架與蒸鍍遮罩的金屬遮罩的寬度的話，則沒有特別的限定，例如可以是10mm以上70mm以下的範圍內。
此外，如圖4(a)~(c)所示，也可以使用在框架的開口區域設置補強框架65等的框架60。換言之，框架60所具有的開口，也可以具有由補強框架等所分割的構成。藉由設置補強框架65，利用該補強框架65可以固定框架60與蒸鍍遮罩100。具體來說，如上述所說明的將複數蒸鍍遮罩100在縱方向及橫方向排列固定時，即便是在該補強框架與蒸鍍遮罩的重疊位置，也能夠在框架60固定蒸鍍遮罩100。
關於框架60與蒸鍍遮罩100的固定方法並沒有特別限定，可以使用由雷射光等來固定的點溶接、黏接劑、螺絲、或其等以外的方法來固定。
＜第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法＞ ＜第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體＞ 　　以下，就本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法與一例進行說明，同時也就本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體進行說明。
圖5為表示本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。
在本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，準備圖5所示的第1蒸鍍遮罩準備體30。
第1蒸鍍遮罩準備體30為金屬板11，具有其表面11’(圖5中為下側的面)的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的特徵。使用該蒸鍍遮罩準備體30製造蒸鍍遮罩時，在構成蒸鍍遮罩準備體30的金屬板11的表面11’層積樹脂層，並將金屬板11加工作為金屬遮罩，另一方面將樹脂層加工作為樹脂遮罩。在該情形中，最終從金屬遮罩的金屬遮罩開口部露出的樹脂遮罩的表面的粗糙度，將與該樹脂遮罩連接的金屬遮罩(金屬板11)的表面的粗糙度轉印。根據本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體30，因為構成其等的金屬板11的表面11’的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下，層積於該表面11’的樹脂層的表面的算術平均高度(Sa)也能設為0.8μm以下。
此外，關於金屬板11的材質或形狀、還有厚度等，因為與上述金屬遮罩一樣，在此省略說明。
在這種金屬板11中，其表面的最大高度(Sz)為較佳為2.5μm以下，特佳為2.0μm以下。
其中，關於使金屬板11的表面11’的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的方法，還有使最大高度(Sz)為2.5μm以下的方法，並沒有特別的限定，可以從從前公知的各種方法中適宜選擇。
以下，利用圖8及圖9來表示製造表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下，還有最大高度(Sz)為2.5μm以下的金屬板的一例。具體來說，就金屬板為以包含鎳的鐵合金的壓延材形成的例子進行說明。
該壓延材具有35μm以下的厚度。又，壓延材中的鎳及鈷的含有量合計為30質量％以上且38質量％以下。
(溶解工程) 　　首先，準備鐵及鎳還有其他的原材料。例如，以使相對於原材料全體的鐵的比例及鎳的比例分別成為約64重量％及約36重量％的方式來準備各原材料。接著，將各原材料因應必要而粉碎後，實施將各原材料在溶解爐中溶解的溶解工程。例如，利用電弧放電等氣體放電將各原材料溶解並混合。藉此，能夠得到用於金屬板的母材。溶解時的溫度雖因應原材料作設定，但例如為1500℃以上。溶解工程可以包含將用於脫酸、脫水、脫氮等的鋁、錳、矽等投入溶解爐的工程。又，溶解工程在比大氣壓還低的低壓狀態，在氬氣等惰性氣體的環境下實施也可以。
(研磨工程) 　　將母材從溶解爐取出後，實施刮取母材表面的研磨工程也可以。藉此，能夠將鏽皮等的氧化物的被膜除去。具體的研磨方法並沒有特別的限定，但採用使磨石器旋轉而刮取母材表面即所謂的拋光法、或將母材壓入削切具而刮取母材表面即所謂的壓入法等也可以。研磨工程以使母材的厚度成為均勻的方式實施也可以。
(壓延工程) 　　接著，如圖8所示，實施將由包含鎳的鐵合金構成的母材60壓延的壓延工程。例如，向包含一對壓延滾輪66a、66b(工件滾輪)的壓延裝置66，在箭頭D1所示的方向施加拉伸張力並搬送。到達一對壓延滾輪66a、66b之間的母材60，被一對壓延滾輪66a、66b壓延，其結果，母材60在其厚度降低的同時，沿著搬送方向被拉伸。藉此，能夠得到厚度T0的金屬板64。如圖8所示，藉由將金屬板64以核芯61捲取來形成捲體62也可以。此外，圖8僅為表示壓延工程的概略者，並非特別限制用以實施壓延工程的具體構成或順序。例如壓延工程包含：以使構成母材60的鐵合金的結晶配列發生變化的溫度以上的溫度來將母材加工的熱間壓延工程、或以使鐵合金的結晶配列發生變化的溫度以下的溫度來將母材加工的冷壓延工程也可以。又，在一對壓延滾輪66a、66b使母材60及金屬板64通過時的方向並不限於一方向。例如，在圖8及圖9中，藉由從紙面左側向右側、及從紙面右側向左側的方向反複使母材60及金屬板64通過一對壓延滾輪66a、66b之間，將母材60及金屬板64慢慢地壓延也可以。在壓延工程中，藉由調整接觸至母材60的壓延滾輪66a、66b的直徑，能夠調整金屬板64的表面粗糙度。例如，藉由縮小壓延滾輪66a、66b的直徑，能降低金屬板的表面粗糙度。又，在壓延工程中，為了調整金屬板64的形狀而調整壓延致動器的壓力也可以。又，除了壓延滾輪(工件滾輪)66a、66b以外，適宜調整支撐滾輪的形狀也可以，將支撐滾輪的位置在板寬度方向進行適宜調整也可以。又，在壓延工程中，調整壓延速度，亦即母材的搬送速度也可以。此外，在使表面粗糙度更小的觀點中，減慢壓延速度較佳。又，在冷壓延工程中，在母材60與壓延滾輪66a、66b之間供應燈油等的冷卻劑也可以。藉此，能控制母材的溫度。此外，在使表面粗糙度更小的觀點中，減少冷卻劑的供應量較佳。又，在壓延工程的前後、或壓延工程之間實施分析母材60或金屬板64的品質或特性的分析工程也可以。例如，將螢光X線照射至母材60或金屬板64並分析組成也可以。又，藉由熱機械分析(TMA：Thermomechanical Analysis)來測定母材60或金屬板64的熱膨脹量也可以。
(退火工程) 　　之後，為了除去因壓延而蓄積於金屬板64內的殘留應力，如圖9所示，利用退火裝置67將金屬板64退火也可以。退火工程如圖9所示，將金屬板64在搬送方向(長邊方向)拉伸的同時實施也可以。亦即，退火工程非使用所謂的分批式退火，而作為同時進行搬送的連續退火來實施也可以。此時，為了抑制在金屬板64產生挫曲折等變形，而設定溫度及搬送速度較佳。藉由實施退火工程，能夠得到將殘留應變以一定程度除去的金屬板64。此外，在圖9中，雖例示在退火工程時將金屬板64在水平方向搬送之例，但不限於此，在退火工程時將金屬板64在垂直方向等的其他方向搬送也可以。退火工程的條件雖因應金屬板64的厚度及壓下率等適切地設定，但例如，在500℃～600℃的範圍內以30秒～90秒實施退火工程。此外上述的秒數，表示在退火裝置67中金屬板64通過調整至預定溫度的空間所需要的時間。退火工程的溫度，設定成不會使金屬板64產生軟化的溫度較佳。上述退火工程在非還原環境或惰性氣體環境實施較佳。其中非還原環境指的是未含有氫等還原性氣體的環境。「未含有還原性氣體」指的是氫等還原性氣體濃度在10％以下。又，惰性氣體環境指的是氬氣體、氦氣體、氮氣體等惰性氣體的濃度為90％以上的環境。藉由在非還原環境或惰性氣體環境實施退火工程，能夠抑制鎳氫氧化物等鎳化合物在金屬板64的表面層生成。退火裝置67具有監視惰性氣體濃度的機構、及調整惰性氣體的濃度的機構較佳。在退火工程之前，也可以實施將金屬板64洗淨的洗淨工程。藉此，能夠抑制退火工程時在金屬板64的表面附著異物。作為用以洗淨的洗淨液，例如，可以使用碳化氫系的液體。又，在圖9中，雖例示在將金屬板64於長邊方向拉伸的同時實施退火工程之例，但不限於此，在將金屬板64捲至核芯61的狀態實施退火工程也可以。亦即實施分批式退火也可以。此外，以將金屬板64捲取至核芯61的狀態實施退火工程，有在金屬板64附著有對應捲體62的捲取徑的彎曲的缺陷的情形。因此，根據捲體62的捲徑及構成母材60的材料，來將金屬板64在長邊方向拉伸同時實施退火工程是有利的。
(切縫工程) 　　之後，實施以使金屬板64的寬度成為預定的範圍內的方式，將由壓延工程得到的金屬板64的寬度方向的兩端分別以預定的範圍切斷的切縫工程也可以。該切縫工程是為了除去因壓延而可能在金屬板64的兩端產生的裂縫而實施。藉由實施這樣的切縫工程，能夠防止金屬板64斷裂的現象，即所謂以裂縫為起點而產生裂板。在切縫工程切斷的部分的寬度，可以調整成於切縫工程後的金屬板64的形狀在寬度方向呈左右對稱。又，在上述退火工程之前實施切縫工程也可以。此外，藉由重複複數次上述壓延工程、退火工程及切縫工程之中的至少2個工程，來製作預定厚度的長條狀金屬板64也可以。
藉由以上的工程，能夠製造表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下，還有最大高度(Sz)為2.5μm以下的金屬板。
圖6為表示與圖5不同的本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。
在本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，在構成圖5所示的蒸鍍遮罩準備體30的金屬板11的表面11’層積樹脂層21。
關於樹脂層21的層積方法並沒有特別限定，可以藉由從前公知的塗佈法等來形成最終成為樹脂遮罩的樹脂層。例如，將上述說明的樹脂遮罩的材料及因應必要而添加的任意成分適當地分散至溶劑中、或調製溶解的樹脂層用塗佈液，將其在金屬板11的表面11’，利用從前公知的塗佈手段進行塗佈・乾燥而能夠作為樹脂層21。
由這種方法得到的構成蒸鍍遮罩準備體40的樹脂層21中的與金屬板11接觸的表面21’的算術平均高度(Sa)，因為與金屬板11中與樹脂層21接觸的表面11’的算術平均高度(Sa)相同，當然會成為0.8μm以下。
另一方面，當使用表面11’的算術平均高度(Sa)並非0.8μm以下的作為蒸鍍遮罩準備體的金屬板11時，不是在該金屬板的表面而是在別的面上，更具體來說，是在算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面上形成樹脂層21，從該別的面上將樹脂層21剝除，將該樹脂層21的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面與金屬板11貼合，藉此形成蒸鍍遮罩準備體40也可以。其中，作為算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面，例如有無鹼玻璃(日本電氣硝子(株)，OA-10G)等。
圖7為表示與圖5、及圖6不同的本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。
在本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，藉由在構成圖6所示的蒸鍍遮罩準備體40的金屬板11加工金屬遮罩開口部15，來形成金屬遮罩10。
關於金屬遮罩開口部15的加工方法沒有特別限定，可以從從前公知的加工方法中適宜選擇。例如，在圖6所示的蒸鍍遮罩準備體40的金屬板11中，在未與樹脂層21接觸之側的表面，也就是與樹脂遮罩側之面相反側的表面(圖6及圖7中為上側之面)塗佈遮蔽構件(例如光阻材)，並在預定的處所進行曝光並顯影，藉此形成最終在形成金屬遮罩開口部15的位置殘留的光阻圖案。作為遮蔽構件所使用的光阻材，較佳為處理性佳，且具有所期望的解析性者。接著，將該光阻圖案作為耐蝕刻遮罩使用而藉由蝕刻法，從未與樹脂層21接觸之側開始蝕刻加工。蝕刻結束後，將光阻圖案洗淨除去。藉此，得到在樹脂層21的一面上層積有設置金屬遮罩開口部15的金屬遮罩10的蒸鍍遮罩準備體50。此外，當樹脂層21對金屬板11的蝕刻材具有耐蝕刻性時，雖不需要遮蔽樹脂層21的表面，但樹脂層21對金屬板11的蝕刻材沒有耐性時，不需要預先在樹脂層21的表面塗佈遮蔽構件。又，在上述中，作為遮蔽構件雖以光阻材為中心進行說明，但取代塗佈光阻材而將乾薄膜光阻進行層合，進行同樣的圖案化也可以。
從由該製造方法得到的蒸鍍遮罩準備體50中的金屬遮罩開口部15露出的樹脂層21的表面21’的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下，而且上述金屬板11的表面的最大高度(Sz)為2.5μm以下時，該樹脂層21的表面21’的最大高度(Sz)也為2.5μm以下。
另一方面，當使用上述圖5所示的蒸鍍遮罩準備體30，也就是金屬板11的表面11’的算術平均高度(Sa)並非0.8μm以下的蒸鍍遮罩準備體時，從金屬遮罩開口部露出的樹脂層的表面的算術平均高度(Sa)也有非成為0.8μm以下的情形。
在該情形中，藉由加工從金屬遮罩開口部露出的樹脂層的表面，使該表面的算術平均高度(Sa)作為0.8μm以下也可以。作為樹脂層表面的加工方法，可以從從前公知的各種方法中適宜選擇。另一方面，當使用金屬板11的表面11’的算術平均高度(Sa)並非0.8μm以下的蒸鍍遮罩準備體時，在該金屬板11的表面11’形成樹脂層21前的階段，在該表面11’形成平坦化層也可以。作為用以形成前述平坦化層的材料沒有特別限定，可以使用例如與樹脂層21相同的各種樹脂。
又，另一方面，當不是在該金屬板的表面而是在別的面上，更具體來說，是在算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面上形成樹脂層21，從該別的面上將樹脂層21剝除，在該樹脂層21中的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面上使金屬以預定的圖案狀析出，藉此形成金屬遮罩也可以。作為此時的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面，可以使用上述的無鹼玻璃等。作為使金屬析出的方法，可以使用各種鍍膜法，例如，使用無電解鍍膜法在樹脂層21中的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面上使金屬析出，將其作為基底層使用電解鍍膜法形成金屬遮罩也可以。
又，與上述一樣，非在金屬板的表面，例如，準備其表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的無鹼玻璃，在該表面上形成樹脂層21，維持此狀態在樹脂層21上形成金屬遮罩，之後將附有金屬遮罩的樹脂層21從無鹼玻璃剝離也可以。再來，不將附有金屬遮罩的樹脂層21從無鹼玻璃剝離，而是維持此狀態固定於框架，利用後述的雷射加工法等在樹脂層21形成樹脂遮罩開口部25，最後將無機鹼玻璃剝離也可以。
在本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，藉由在構成圖7所示的蒸鍍遮罩準備體50的樹脂層21加工樹脂遮罩開口部25，來製造圖1所示的蒸鍍遮罩100。
作為樹脂遮罩開口部25的形成方法，藉由對蒸鍍遮罩準備體50使用雷射加工法、精密加壓加工、光蝕刻加工等，使樹脂層21貫通，在樹脂層21形成對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部25，來得到本揭示的實施形態的蒸鍍遮罩100。此外，從能夠容易形成高精細的樹脂遮罩開口部25的點來看，在樹脂遮罩開口部25的形成中，使用雷射加工法較佳。又，在本揭示的實施形態的蒸鍍遮罩準備體50中，施予該雷射加工法的樹脂層21的表面21’的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下，再來，最大高度(Sz)為2.5μm以下，因為平滑性高，適合雷射加工法。
此外，上述樹脂遮罩開口部的加工，在將蒸鍍遮罩準備體50固定於框架後進行也可以。非將完成的蒸鍍遮罩100固定於框架，而是藉由對固定於框架的狀態的蒸鍍遮罩準備體50，從後方設置樹脂遮罩開口部25，能夠使位置精度顯著地提升。關於蒸鍍遮罩準備體50與框架的固定方法並沒有特別限定，可以使用由雷射光等來固定的點溶接、黏接劑、螺絲、或其等以外的方法來固定。
說明關於形成樹脂遮罩開口部25時所使用的雷射加工裝置的一例。
雷射加工裝置具備XY載台，且在該XY載台的上方從雷射光的行進方向的上游朝向下游依序具備雷射光源、耦合光學系統、束整形用遮罩、成像透鏡、對物透鏡。XY載台因為在上面載置遮罩用構件而在與XY平面平行的面內於XY方向移動，藉由控制裝置控制，僅以預先輸入而記憶的移動量來移動載台。上述雷射光源產生波長為400nm以下的雷射光，例如為放射KrF248nm的準分子雷射、1064nm的第3高頻波或第4高頻波的雷射光的YAG雷射。又，上述耦合光學系統包含：將從雷射光源放射的雷射束擴張的擴束器、使雷射光的輝度分佈均勻而照射至後述的束調整用遮罩的光積分器及聚焦透鏡。上述束整形用遮罩，為將照射至遮罩用構件的雷射光整形成具有與欲形成的開口圖案相似的形狀的剖面形狀的雷射束並射出，且將與開口圖案相似的形狀的複數透光窗，相對於位於預定的單位區域內的複數開口圖案的配列間距以預定的擴大倍率配置，在透明的玻璃基板或石英基板使鉻(Cr)等被著的遮光膜形成上述透光窗。成像透鏡為與後述對物透鏡協動並將形成於束整形用遮罩的複數透光窗在樹脂層上以預定的倍率縮小投影的集光透鏡。又，對物透鏡為與成像透鏡協動並將形成於束整形用遮罩的複數透光窗在樹脂層上以預定的倍率縮小投影者。
接著，說明關於利用上述雷射加工裝置形成樹脂遮罩開口部25的工程的一例。
將附有框架的蒸鍍遮罩準備體的金屬遮罩側作為雷射光的照射側，在XY載台上定位、載置。接著，移動XY載台使對物透鏡位於附有框架的蒸鍍遮罩準備體的雷射加工開始位置。接著，使雷射加工裝置的光學單元沿著對物透鏡的光軸僅以預定的距離在Z軸方向上升，使對物透鏡的成像位置位於附有框架的蒸鍍遮罩準備體的樹脂層與XY載台的交界面。接著，啟動雷射光源使其脈衝振盪，放射複數射束的雷射束。放射出的雷射束藉由耦合光學系統擴張，成為強度分佈均勻的雷射光並照射至束調整用遮罩。照射至束整形用遮罩的雷射光，藉由透過該束調整用遮罩的複數透光窗，剖面形狀被整形成與開口圖案的形狀相似的形狀，成為複數雷射光並從束整形用遮罩射出。接著，藉由對物透鏡在樹脂層上集光。在雷射加工開始位置的單位區域形成複數開口圖案後，XY載台在X或Y軸方向僅以預定的距離步階移動，以第2單位區域、第3單位區域…，在各單位區域依序重複將複數開口圖案進行雷射加工。藉此，在樹脂層的預定的預定位置將複數開口圖案進行雷射加工，形成樹脂遮罩。
＜第2實施形態的蒸鍍遮罩＞ 　　圖10(a)為表示從本揭示的第2實施形態的金屬遮罩側平視蒸鍍遮罩的一例的正視圖、圖10(b)為表示圖10(a)的A-A部分的概略剖面圖。此外，圖10(b)中的蒸鍍遮罩的中央附近的一部分被省略。
如圖10所示，本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100，與上述本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，為將具有對應蒸鍍製作的圖案的複數樹脂遮罩開口部25的樹脂遮罩20、與具有金屬遮罩開口部15的金屬遮罩10，以前述樹脂遮罩開口部25重疊前述金屬遮罩開口部15的方式層積而成的蒸鍍遮罩100。
關於樹脂遮罩開口部25及金屬遮罩開口部15的開口形狀，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，在此省略說明。
(樹脂遮罩) 　　關於構成圖10所示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100的成為樹脂遮罩20的主材料的樹脂材料、厚度、還有樹脂遮罩開口部25的剖面形狀，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，在此省略說明。
這種本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100，具有樹脂遮罩20的與金屬遮罩10側的面相反側的表面20’’，也就是未與金屬遮罩10接觸之側的表面20’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下的特徵。藉由使該表面20’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下，利用本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100在蒸鍍對象物蒸鍍製作所期望的圖案時，能夠提升該蒸鍍遮罩100與蒸鍍對象物間的密著性，藉此能夠抑制稱為「蒸鍍圖案肥大」或「蒸鍍模糊」的不良狀態的發生。再來，該表面20’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下表示樹脂遮罩20的厚度均勻，藉此能夠使樹脂遮罩開口部25的形狀及大小以更高的精度均勻化。
樹脂遮罩20的與金屬遮罩10側的面相反側的表面20’’，也就是未與金屬遮罩10接觸側的20’’的算術平均高度(Sa)為0.1μm以下較佳，0.05μm以下特佳。
此外，關於「算術平均高度(Sa)」，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，在此省略說明。
本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100中，還有樹脂遮罩20的，與金屬遮罩10側的面相反側的表面20’’，也就是未與金屬遮罩10接觸之側的表面20’’的最大高度(Sz)為2.0μm以下的特徵較佳。因為算術平均高度(Sa)為0.5μm以下，且最大高度(Sz)為2.0μm以下，樹脂遮罩20的，與金屬遮罩10側的面相反側的表面20’’與蒸鍍對象物間的密著性能夠更加提升。
樹脂遮罩20的未與金屬遮罩10接觸之側的表面20’的最大高度(Sz)更佳為1.0μm以下，特佳為0.8μm以下。
此外，關於「最大高度(Sz)」，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，在此省略說明。
(金屬遮罩) 　　如圖1(b)所示，在樹脂遮罩20的一面上，層積有金屬遮罩10。在此，關於金屬遮罩10的詳細，具體來說，關於金屬遮罩開口部15的配列、金屬遮罩10的材料、厚度、金屬遮罩開口部15的開口形狀、剖面形狀等，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，在此省略說明。
此外，在本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100中也一樣，與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，藉由將其固定於框架，作為附有框架的蒸鍍遮罩也可以。因為關於利用本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩100的框架的附有框架的蒸鍍遮罩的一例及框架與第1實施形態的蒸鍍遮罩100一樣，故在此省略其說明。
＜第2實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法＞ ＜第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體＞ 　　以下，就本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法與一例進行說明，同時也就本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體進行說明。
圖11為表示金屬板的一例的剖面圖。
在本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，準備圖11所示的金屬板11。
該金屬板11其表面11’’(圖5中為下側之面)的算術平均高度(Sa)成為0.5μm以下。使用該金屬板11製造蒸鍍遮罩時，在該金屬板11的表面11’’層積樹脂層，並將金屬板11加工作為金屬遮罩，另一方面將樹脂層加工作為樹脂遮罩。在此情形中，在金屬板11的表面11’’層積樹脂層時，樹脂層會追隨該金屬板11的表面11’’的凹凸，樹脂層的，與金屬板11側之面相反側的表面，也就是未與金屬板11接觸之側的表面，也會反映出前述金屬板11的表面11’’的凹凸。此現象在樹脂層越薄時越顯著。因此，藉由使用其表面11’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下的金屬板11，之後層積的樹脂層的，與金屬板11側之面相反的表面，也就是未與金屬板11接觸之側的表面的算術平均高度(Sa)也能設為0.5μm以下。
此外，關於金屬板11的材質或形狀、還有厚度等，因為與上述金屬遮罩一樣，在此省略說明。
這種金屬板11，其表面的最大高度(Sz)為較佳為2.0μm以下。
其中，使金屬板11的表面11’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下的方法，還有使最大高度(Sz)為2.0μm以下的方法，沒有特別的限定，可以從從前公知的各種方法中適宜選擇。具體來說，可以使用前述第1實施形態的蒸鍍遮罩100所說明的「壓延材的製造方法」。
圖12為表示本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。
在本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，在構成圖11所示的金屬板11的表面11’’層積樹脂層21。
關於樹脂層21的層積方法，可以使用與第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法相同的方法。
構成該蒸鍍遮罩準備體40的樹脂層21中的，未與金屬板11接觸之側的表面21’’的算術平均高度(Sa)，追隨與金屬板11中與樹脂層21接觸的面11’’的算術平均高度(Sa)而成為0.5μm以下。
另一方面，當上述圖11所示的金屬板11的表面11’’的算術平均高度(Sa)並非0.5μm以下時，樹脂層21的，未與金屬板11接觸之側的表面21’’的算術平均高度(Sa)也有非成為0.5μm以下的情形。
在該情形中，藉由加工該樹脂層21的表面21’’，使該表面21’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下也可以。作為樹脂層表面的加工方法，可以從從前公知的各種方法中適宜選擇。另一方面，當金屬板11的表面11’’的算術平均高度(Sa)並非0.5μm以下時，在該金屬板11的表面11’’形成樹脂層21前的階段，在該表面11’形成平坦化層也可以。作為用以形成前述平坦化層的材料沒有特別限定，可以使用例如與樹脂層21相同的各種樹脂。
另一方面，當使用表面11’’的算術平均高度(Sa)並非0.5μm以下的作為蒸鍍遮罩準備體的金屬板11時，不是在該金屬板的表面而是在別的面上，更具體來說，是在算術平均高度(Sa)為0.5μm以下的面上形成樹脂層21，從該別的面上將樹脂層21剝除，將該樹脂層21與金屬板11貼合，藉此形成蒸鍍遮罩準備體40也可以。其中，作為算術平均高度(Sa)為0.5μm以下的面，例如有無鹼玻璃(日本電氣硝子(株)，OA-10G)等。
圖13為表示與圖11、及圖12不同的本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。
在本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，藉由在構成圖12所示的蒸鍍遮罩準備體40的金屬板11加工金屬遮罩開口部15，來形成金屬遮罩10。
關於金屬遮罩開口部15的加工方法，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法一樣，在此省略說明。
由該製造方法得到的蒸鍍遮罩準備體50，與前述一樣，樹脂層21中的未與金屬遮罩接觸之側的表面21’’的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下，而且上述金屬板11的表面的最大高度(Sz)為2.0μm以下時，該樹脂層21的表面21’的最大高度(Sz)也為2.0μm以下。
在本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法中，藉由在構成圖13所示的蒸鍍遮罩準備體50的樹脂層21加工樹脂遮罩開口部25，來製造圖10所示的蒸鍍遮罩100。
關於樹脂遮罩開口部25的加工方法，因為與第1實施形態的蒸鍍遮罩的製造方法一樣，在此省略說明。
＜第3實施形態的蒸鍍遮罩＞ 　　本揭示的第3實施形態的蒸鍍遮罩，為包含設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩的蒸鍍遮罩，前述樹脂遮罩的一面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。雖然上述第1及第2實施形態的蒸鍍遮罩都是層積金屬遮罩及樹脂遮罩的層積構造，但沒有限定於此，為包含其一面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的樹脂遮罩的蒸鍍遮罩即可。
具體來說，不使用金屬遮罩，而將一面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的樹脂遮罩作為蒸鍍遮罩也可以。此時的樹脂遮罩的詳細因為與構成上述第1及第2實施形態的蒸鍍遮罩的樹脂遮罩一樣，在此省略說明。
此外，關於構成第3實施形態的蒸鍍遮罩的樹脂遮罩的製造方法雖也沒有特別限定，但例如，準備其表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的無鹼玻璃等，在該表面上形成樹脂層，在該樹脂層利用雷射加工法等來形成樹脂遮罩開口部，藉此將樹脂層為樹脂遮罩也可以。
又，在使用上述那種，僅由所謂的樹脂遮罩所形成的第3實施形態的蒸鍍遮罩來形成蒸鍍圖案的情形中，將樹脂遮罩中的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的表面，朝向蒸鍍源側使用也可以，相反地，將算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的表面朝向蒸鍍對象物側使用也可以。
本揭示的第3實施形態的蒸鍍遮罩，如圖14～圖24所示，在設有樹脂遮罩開口部25的樹脂遮罩20的一面上，更正確來說，在設有樹脂遮罩開口部25的樹脂遮罩20的一面上，未設有樹脂遮罩開口部25的部分，部分地設置金屬層12也可以。根據這種蒸鍍遮罩，將蒸鍍遮罩固定於框架時，能夠使可能會產生於樹脂遮罩20的應力適當地發散，其結果，能夠有效地抑制伸縮等的變形。
在此情形中，金屬層12設於樹脂遮罩20中算術平均高度(Sa)為0.8μm以下的面上也可以，設置於其相反側之面，也就是與算術平均高度(Sa)為0.8μm以下之面相反側的面上也可以。此外，當將金屬層12設於相反側時，將未設有金屬層12之側的表面的算術平均高度(Sa)設為0.5μm以下較佳。
又，關於平視設有金屬層12的位置及金屬層12時的平面形狀並沒有特別的限定。亦即，可以因應設置金屬層的位置，來適宜設計金屬層12的平面形狀。
例如，如圖14(a)所示，從設置金屬層12之側平視第3實施形態的蒸鍍遮罩100時，樹脂遮罩20為具有長邊及短邊的四邊形，例如，呈長方形時，將金屬層12設為沿樹脂遮罩之邊的帶狀也可以。又，例如，將金屬層12的形狀設為具有與其短邊相同長度的帶狀，同時配置成與樹脂遮罩20的短邊平行也可以。另一方面，如圖20所示，從設置金屬層12之側平視第3實施形態的蒸鍍遮罩100時，在樹脂遮罩20呈具有長邊及短邊的長方形時，將金屬層12的形狀設為具有與其長邊相同長度的帶狀，同時配置成與樹脂遮罩20的長邊平行也可以。又，將金屬層形狀，相對於樹脂遮罩的長邊，設為具有預定角度的帶狀也可以。此外，四邊形並不限於長方形，例如，可以設為梯形、平行四邊形，設為其以外的四邊形也可以。又，將平視樹脂遮罩20時的形狀設為四邊形以外的形狀也可以。又，在將樹脂遮罩20設為平面時的形狀，設為四邊形以外的形狀的樹脂遮罩20中，也能夠適宜適用本案說明書說明的金屬層12的形狀或配置的形態。
在圖14所示的形態中，與樹脂遮罩20的短邊平行配置6個帶狀金屬層12，在圖20所示的形態中，與樹脂遮罩20的長邊平行配置3個帶狀的金屬層12，但配置的金屬層12之數並沒有限定，例如，雖圖未表示，但設為僅配置複數金屬層12中的1個金屬層12的形態也可以。
又，如圖17所示，僅於樹脂遮罩20的上邊、及下邊附近，配置與短邊具有同長度的帶狀金屬層12也可以，如圖21所示，僅於樹脂遮罩20的左邊、及右邊附近，配置與長邊相同長度的帶狀體的金屬層12也可以。又，設為比長邊還短的長度的帶狀也可以。在圖17或圖21所示的蒸鍍遮罩100中，位於樹脂遮罩的上邊及下邊附近、或樹脂遮罩的右邊及左邊附近的金屬層12，雖配置於與樹脂遮罩20的周緣重疊的位置，但配置於未與周緣重疊的位置也可以。又，僅在樹脂遮罩20的周緣部上配置金屬層12也可以。此外，在本案說明書中所述的樹脂遮罩20的周緣部，指的是在框架固定蒸鍍遮罩時，與形成該框架的框構件在厚度方向重疊的區域。該區域會根據框架的大小或形成框架的框構件的寬度等而變化。例如，在圖14所示的形態中，為在樹脂遮罩20的周緣部之中，僅在樹脂遮罩的上邊、及下邊的任一者、或兩者之邊的附近，配置金屬層12的形態也可以。又，在該情形中，將金屬層12以與樹脂遮罩的周緣重疊的方式配置也可以。又，取代與樹脂遮罩20的長邊、或短邊具有相同長度的帶狀金屬層12，將與樹脂遮罩20的長邊、或短邊具有不同長度的金屬層，以與樹脂遮罩20的長邊、或短邊平行的方式配置1個也可以，配置複數個也可以。又，將1個或複數個帶狀的金屬層12分別配置於隨機的方向也可以。
例如，如圖22所示，在從樹脂遮罩20的右邊及左邊各自的周緣離間的位置，配置比右邊及左邊，也就是樹脂遮罩20的長邊還短的長度的帶狀體的金屬層12也可以。配置圖22中的金屬層12的區域，可以是樹脂遮罩20的周緣部，也可以是非周緣部。又，橫跨周緣部與非周緣部的區域也可以。此外，在本案說明書中所述的樹脂遮罩20的非周緣部，指的是與樹脂遮罩20的上述周緣部不同的區域全體。換言之，指的是在框架固定蒸鍍遮罩時，與形成該框架的框構件在厚度方向未重疊的區域。又，如圖23所示，平行於樹脂遮罩20的長邊配置的帶狀金屬層12，在其長度方向分割成複數個(圖23中為5個)也可以。
藉由這樣配置平行於樹脂遮罩20的長邊或短邊的帶狀金屬層12，能夠有效地抑制在帶狀的金屬層12的長度方向的樹脂遮罩20的伸縮等的變形，能夠抑制將蒸鍍遮罩100固定於框架時的皺折的產生。因此，當樹脂遮罩20具有長邊及短邊時，平行於伸縮等變化量大的長邊配置金屬層12較佳。
圖15表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側12平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。
金屬層12未必要位於樹脂遮罩20的周緣部上。圖15表示僅使金屬層12位於樹脂遮罩20的非周緣部上的例子。又，在樹脂遮罩20的周緣部上及非周緣部上配置金屬層12也可以。
藉由這樣，也在樹脂遮罩20的非周緣部上，具體來說為樹脂遮罩20中未與框架重疊的位置配置金屬層12，不只用於金屬層12與框架間的固定，也能夠有效地抑制可能會在樹脂遮罩20產生的伸縮等的變形。又，藉由將金屬層12的形狀設為帶狀，與以金屬層包圍形成於樹脂遮罩20的開口部25的周圍的情形相比，將蒸鍍遮罩固定於框架時，能夠使可能會產生於樹脂遮罩20的應力適當地發散，其結果，能夠有效地抑制伸縮等的變形。
此外，圖15所示的虛線表示「1畫面」的區域。在將金屬層12配置於非周緣部上時，在「1畫面」與「1畫面」之間配置金屬層12也可以。
又，圖16表示從本揭示的第3實施形態的形成金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。
如圖16所示，金屬層12未必是帶狀，以在樹脂遮罩20上點綴的方式配置也可以，再來，如圖24所示，僅將金屬層12配置於樹脂遮罩20的四角也可以。在該情形中，圖16或圖24所示的金屬層12雖然是正方形，但不以此為限，也可以採用長方形、三角形、四角形以上的多角形、圓、橢圓、半圓、甜甜圈形狀、英文字母「C」的形狀、「T」形狀、還有「十字」形狀或「星」形狀等任何形狀。 在一枚的樹脂遮罩20上設置複數金屬層12時，所有金屬層12不需要是相同形狀，混合前述所舉的各種形狀的金屬層12也可以。又，將上述說明的金屬層12的形狀或配置的形態適宜組合也可以。這種情形也與上述金屬層12為帶狀的情形一樣，將蒸鍍遮罩固定於框架時，能夠使可能會產生於樹脂遮罩的應力發散。
較佳形態的蒸鍍遮罩100如圖14(a)、圖15、圖17、圖18等所示，在樹脂遮罩20上配置帶狀的金屬層12。更佳形態的蒸鍍遮罩100，為沿著蒸鍍時的蒸鍍遮罩100的搬送方向，配置帶狀的金屬層12。換言之，更佳形態的蒸鍍遮罩100相對於蒸鍍時的線性源(蒸鍍源)沿著垂直方向，在樹脂遮罩10上配置帶狀的金屬層12。例如，將圖中的左右方向設為蒸鍍遮罩的搬送方向時，如圖14(a)、圖15、圖17等所示，沿著搬送方向設置配置有帶狀的金屬層12的蒸鍍遮罩100較佳。根據該形態的蒸鍍遮罩100，能有效地抑制在形成於樹脂遮罩20的開口部25發生尺寸變動、或位置變動。
雖然不特別限定關於金屬層12的厚度，但為了更有效地防止陰影發生，較佳為100μm以下，更佳為50μm以下，再更佳為35μm以下。藉由將金屬層12的厚度設為該種厚度，能使斷裂及變形的風險降低，同時也能提升處理性。
關於金屬層12的剖面形狀雖沒有特別的限定，但與構成上述本揭示的第1及第2實施形態的蒸鍍遮罩的金屬遮罩的情形一樣，採用面向蒸鍍源會變大的形狀較佳。
關於在樹脂遮罩上設置金屬層12的方法並沒有特別的限定，可以使用各種黏著劑貼合樹脂遮罩20與金屬層12，也可以利用自體具有黏著性的樹脂遮罩。又，與製造構成上述本揭示的第1及第2實施形態的蒸鍍遮罩的金屬遮罩的情形一樣，組合各種鍍膜法，例如組合無電解鍍膜法及電解鍍膜法使用也可以。
＜使用蒸鍍遮罩的蒸鍍方法＞ 　　有關上述說明的本揭示的第1及第2蒸鍍遮罩、或使用第1及第2附有框架的蒸鍍遮罩的蒸鍍圖案的形成所用的蒸鍍方法，並沒有特別的限定，例如可以是：反應性濺鍍法、真空蒸鍍法、離子鍍膜法、電子束蒸鍍法等物理氣相沉積法(Physical Vapor Deposition)、熱CVD、電漿CVD、光CVD法等的化學氣相沉積法(Chemical Vapor Deposition)等。此外，蒸鍍圖案的形成，可以使用從前公知的真空蒸鍍裝置等來進行。
＜有機半導體元件的製造方法＞ 　　接著，說明有關本揭示的實施形態的有機半導體元件的製造方法(以下，稱為本揭示的有機半導體元件的製造方法)。本揭示的實施形態的有機半導體元件的製造方法，包含利用蒸鍍遮罩在蒸鍍對象物形成蒸鍍圖案的工程，於形成蒸鍍圖案的工程中，其特徵為使用上述說明的本揭示第1及第2的蒸鍍遮罩、或第1及第2的附有框架的蒸鍍遮罩。
有關藉由使用第1及第2的蒸鍍遮罩的蒸鍍法形成蒸鍍圖案的工程並沒有特別限定，具有在基板上形成電極的電極形成工程、有機層形成工程、對向電極形成工程、密封層形成工程等，在各任意的工程中，利用上述說明的本揭示的蒸鍍遮罩，來形成蒸鍍圖案。例如，於有機EL裝置的R(紅)、G(綠)、B(藍)各色的發光層形成工程中，分別適用上述說明的本揭示的蒸鍍遮罩的情形中，於基板上形成各色發光層的蒸鍍圖案。此外，本揭示的有機半導體元件的製造方法，並不限於該等工程，可以適用從前公知的任何有機半導體元件的製造中的任意工程。
根據以上說明的本揭示的有機半導體元件的製造方法，在使蒸鍍遮罩與蒸鍍對象物沒有間隙而密著的狀態，可以進行形成有機半導體元件的蒸鍍，能夠製造高精細的有機半導體元件。作為本揭示的有機半導體元件的製造方法所製造的有機半導體元件，例如，可以是有機EL元件的有機層、發光層、或陰極電極等。特別是，本揭示的有機半導體元件的製造方法，可以適用於製造要求高精細的圖案精度的有機EL元件之R(紅)、G(綠)、B(藍)各色的發光層。
＜有機EL顯示器的製造方法＞ 　　接著，說明有關本揭示的實施形態的有機EL顯示器(有機電致發光顯示器)的製造方法(以下，稱為本揭示的有機EL顯示器的製造方法)。本揭示的有機EL顯示器的製造方法，為在有機EL顯示器的製造工程中，使用由上述說明的本揭示的有機半導體元件的製造方法來製造的有機半導體元件。
圖25為表示具有有機EL顯示器的裝置的一例的圖。
作為使用由上述本揭示的有機半導體元件的製造方法來製造的有機半導體元件的有機EL顯示器，例如，可以是用於電腦(參照圖25(a))、平板終端(參照圖25(b))、行動電話(參照圖25(c))、智慧手機(參照圖25(d))、視訊攝影機(參照圖25(e))、數位攝影機(參照圖25(f))、智慧手錶(參照圖25(g))等的有機EL顯示器。 [實施例]
(實施例1) 　　作為金屬板，準備36％因瓦壓延材(厚度30μm)，其表面的Sa及Sz為Sa=0.072μm、Sz=1.312μm的金屬板。此外，金屬板的表面的Sa及Sz的測定方法的詳細如以下所述。
(金屬板的表面的測定方法) 　　關於金屬板的測定，以接下來的方式準備試驗片。在金屬板的寬度方向的中央部，切取出一邊為5cm的正方形試驗片。接著，利用雷射顯微鏡，測定試驗片的測定區域的表面位置。作為雷射顯微鏡，使用基恩斯社製的雷射顯微鏡VK-X250。
測定試驗片的表面位置時的雷射顯微鏡的設定如下。 　　・雷射光：藍色(波長408nm) 　　・對物透鏡：50倍 　　・光學變焦：1.0倍 　　・測定模式：表面形狀 　　・測定大小：標準(1024×768) 　　・測定品質：高速 　　・RPD：有 　　・試驗片固定方法：使用KOKUYO　磁鐵片材　或　多孔質吸附平板來固定
此外，RPD為Real Peak Detection的略稱。「RPD　有」指的是採用藉由檢出雷射光的反射光的峰值來測定試驗片的表面位置的手法。
說明關於測定區域的面積。將上述「標準(1024×768)」的設定之下測定的9個區域(影像)連結，作為測定區域。此時，測定區域的面積為0.35mm2 。從以上的測定結果，以ISO 25178為準的方法來算出，得到高度參數Sa及Sz。
如以上所述，關於一個試驗片，至少進行3點以上的測定，將算出的值的平均值作為測定值。
接著，在前述金屬板的測定Sa及Sz測定側的表面，將聚醯亞胺塗漆(UPIA(註冊商標)-ST／宇部興產(株))進行枚葉塗佈後，在氮環境下以400℃進行60分鐘的燒結。其結果，得到在金屬板的表面層積有厚度6.0μm±0.5μm的樹脂層而形成的實施例1的第1的蒸鍍遮罩準備體。
接著，在前述實施例1的第1的蒸鍍遮罩準備體的金屬板的表面貼合乾薄膜，將預定的處所進行曝光顯影，形成遮罩圖案。將該遮罩圖案作為耐蝕刻遮罩使用，使用氯化鐵腐蝕液將不要的金屬板除去後，將遮罩圖案洗淨除去。其結果，得到將金屬板作為具有金屬遮罩開口部的金屬遮罩，並層積該金屬遮罩與樹脂層而形成的實施例1的第2的蒸鍍遮罩準備體。
測定前述實施例1的第2的蒸鍍遮罩準備體的從金屬遮罩開口部露出的樹脂層表面Sa及Sz後，Sa=0.076μm，Sz=1.243μm。此外，從金屬遮罩開口部露出的樹脂層的表面的Sa及Sz的測定方法的詳細如以下所述。
(樹脂層的表面的測定方法) 　　關於樹脂層的表面的測定，將中央部的一邊為5cm的正方形區域視為試驗片，與上述(金屬遮罩的測定方法)一樣得到Sa及Sz的測定值。
接著，準備由因瓦材形成的金屬框架，以使前述實施例1的第2的蒸鍍遮罩準備體的金屬遮罩與金屬框架接觸的方式溶接固定，製作實施例1的附有框架的蒸鍍遮罩準備體。
接著，將前述實施例1的附有框架的蒸鍍遮罩準備體，以與金屬遮罩在相反側，也就是樹脂層成為下側的方式，配置於雷射加工裝置的加工載台。此時，藉由將加工載台與樹脂層的間隙，以異丙醇來填充的方式接觸，使加工載台與樹脂層密著。之後，對樹脂層，通過金屬遮罩開口部照射YAG雷射(波長355nm)，使樹脂層貫通，製作樹脂遮罩開口部(32μm×34μm)，得到形成400ppi的圖案的樹脂遮罩，藉此得到實施例1的附有框架的蒸鍍遮罩。
(實施例2～3、及比較例1) 　　除了準備與前述金屬板為不同表面粗糙度的金屬板以外，以與所有的前述實施例1相同的條件，得到實施例2～3及比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩。此外，關於各個在製造實施例2～3及比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩的過程中得到的實施例2～3及比較例1的第2的蒸鍍遮罩準備體，測定從金屬遮罩開口部露出的樹脂層的表面的Sa及Sz，如以下的表1所示。
(面積率的測定) 　　使用前述實施例1～3及比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩，在玻璃基板(150mm×150mm×0.7t)上，將有機發光材料Alq3以厚度40nm進行真空蒸鍍。此外，使蒸鍍遮罩與玻璃基板以無間隙密著。將蒸鍍後的膜使用光學顯微鏡(LEICA製　DMRX　HC　DC300F)及掃描型白色干涉顯微鏡((株)日立高科技VertScan)進行觀察，計算蒸鍍膜的面積率。
在這裡，蒸鍍膜的面積率指的是將應蒸鍍的圖案的面積設為100％時，相對於該面積，膜厚為目標值的95％以上(因此，膜厚40nm的情形為38nm以上)的面積以％來表示者。在400ppi的圖案，將蒸鍍膜的面積率為70％以上設為合格。比其還小時，因蒸鍍的位置偏差等影響，發生不良的可能性高。
測定的面積率如以下表1所示。
從前述面積率的測定，根據實施例1～3的附有框架的蒸鍍遮罩，得知因為形成的蒸鍍膜的面積率為70％以上，能夠抑制因蒸鍍的位置偏差等影響造成的不良的發生。另一方面，在比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩，形成的蒸鍍膜的面積率未滿70％。這應該是因為從金屬遮罩開口部露出的樹脂遮罩的表面的Sa為0.8以上，所以無法將樹脂遮罩開口部以高精度形成。
此外，關於利用比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩形成的蒸鍍膜的面積率未滿70％的原因，例如，可能有：(1)從金屬遮罩開口部露出樹脂遮罩的表面的凹凸，形成樹脂遮罩開口時的雷射加工時的雷射照射無法變得均均，產生許多毛邊及渣，因而在樹脂遮罩開口部的形狀產生應變及變形。(2)因前述毛邊及渣的影響、或與樹脂遮罩的金屬遮罩側相反側的表面的凹凸的影響，在形成蒸鍍膜時，附有框架的蒸鍍遮罩與蒸鍍對象即物玻璃基板之間無法充分地密著，蒸鍍膜的厚度不充分的區域增加、及(3)因樹脂遮罩開口部的形狀的應變及變形造成蒸鍍面積減少等。
又，不只是比較例的比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩，在實施例1～3的附有框架的蒸鍍遮罩，雖然也可能在蒸鍍膜的形成時發生左右的「位置偏差」，但因為使用比較例1的附有框架的蒸鍍遮罩形成的蒸鍍膜的面積率未滿70％，因位置偏差的影響，在TFT的發光區域上無法覆蓋充分膜厚的蒸鍍膜，可能會有因此造成發生面板發光時的輝度虹斑等的面板缺陷的可能性。
10‧‧‧金屬遮罩
11‧‧‧金屬板
11’、11’’‧‧‧金屬板的表面
12‧‧‧金屬層
15‧‧‧金屬遮罩開口部
20‧‧‧樹脂遮罩
21‧‧‧樹脂層
21’‧‧‧樹脂層的，金屬板側的表面
21’’‧‧‧樹脂層的，與金屬板側之面相反側的表面
25‧‧‧樹脂遮罩開口部
30、40、50‧‧‧蒸鍍遮罩準備體
60‧‧‧框架
100‧‧‧蒸鍍遮罩
200‧‧‧附有框架的蒸鍍遮罩
[圖1](a)為表示本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩的一例的概略剖面圖、(b)為表示從本揭示的第1實施形態的樹脂遮罩的表面側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖2]表示本揭示的實施形態的附有框架的蒸鍍遮罩的一例的正視圖。 　　[圖3]表示本揭示的實施形態的附有框架的蒸鍍遮罩的一例的正視圖。 　　[圖4](a)～(c)為表示本揭示的實施形態的框架的一例的正視圖。 　　[圖5]表示本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。 　　[圖6]表示本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。 　　[圖7]表示本揭示的第1實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。 　　[圖8]壓延工程的概略圖。 　　[圖9]退火工程的概略圖。 　　[圖10](a)為表示本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩的一例的概略剖面圖、(b)為表示從本揭示的第2實施形態的樹脂遮罩的表面側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖11]表示本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。 　　[圖12]表示本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。 　　[圖13]表示本揭示的第2實施形態的蒸鍍遮罩準備體的一例的剖面圖。 　　[圖14](a)為表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖、(b)為(a)的A-A部分的概略剖面圖。 　　[圖15]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖16]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖17]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖18]表示附有框架的本揭示的第3實施形態的蒸鍍遮罩的一例的正視圖。 　　[圖19]表示附有框架的本揭示的第3實施形態的蒸鍍遮罩的一例的正視圖。 　　[圖20]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖21]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖22]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖23]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖24]表示從本揭示的第3實施形態的金屬層側平視蒸鍍遮罩時的一例的正視圖。 　　[圖25]表示具有有機EL顯示器的裝置的一例的圖。

Claims (14)

  1. 一種蒸鍍遮罩，係層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩，其中， 　　從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂遮罩表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
  2. 如請求項1所記載的蒸鍍遮罩，其中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂遮罩表面的最大高度(Sz)為2.5μm以下。
  3. 一種蒸鍍遮罩準備體，係用以得到層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩準備體，包含： 　　設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩； 　　層積於前述金屬遮罩的樹脂層； 　　從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂層表面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
  4. 如請求項3所記載的蒸鍍遮罩準備體，其中，從前述金屬遮罩開口部露出的前述樹脂層表面的最大高度(Sz)為2.5μm以下。
  5. 一種蒸鍍遮罩，係層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩，其中， 　　前述樹脂遮罩的，與前述金屬遮罩側之面相反側的表面的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下。
  6. 如請求項5所記載的蒸鍍遮罩準備體，其中，前述樹脂遮罩的，與前述金屬遮罩側之面相反側的表面的最大高度(Sz)為2.0μm以下。
  7. 一種蒸鍍遮罩準備體，係用以得到層積：設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩、及在與前述金屬遮罩開口部重疊的位置設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩而形成的蒸鍍遮罩的蒸鍍遮罩準備體，包含： 　　設有金屬遮罩開口部的金屬遮罩； 　　層積於前述金屬遮罩的樹脂層； 　　前述樹脂層的，與前述金屬遮罩側之面相反側的表面的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下。
  8. 如請求項7所記載的蒸鍍遮罩準備體，其中，前述樹脂層的，與前述金屬遮罩側之面相反側的表面的最大高度(Sz)為2.0μm以下。
  9. 一種蒸鍍遮罩，係包含設有對應蒸鍍製作的圖案的樹脂遮罩開口部的樹脂遮罩的蒸鍍遮罩，其中， 　　前述樹脂遮罩的一面的算術平均高度(Sa)為0.8μm以下。
  10. 如請求項9所記載的蒸鍍遮罩，其中，前述樹脂遮罩的，算術平均高度(Sa)為0.8μm以下之面上層積有金屬層。
  11. 如請求項9所記載的蒸鍍遮罩，其中，前述樹脂遮罩的一面的算術平均高度(Sa)為0.5μm以下； 　　與算術平均高度(Sa)為0.5μm以下之面相反側之面上層積有金屬層。
  12. 一種附有框架的蒸鍍遮罩，包含：框架、及固定於前述框架的蒸鍍遮罩； 　　前述蒸鍍遮罩為請求項1、5及9中任一項所記載的蒸鍍遮罩。
  13. 一種使用蒸鍍法的蒸鍍圖案形成方法，其中， 　　使用請求項1、5及9中任一項所記載的蒸鍍遮罩。
  14. 一種有機半導體元件的製造方法，其中， 　　使用前述請求項1、5及9中任一項所記載的蒸鍍遮罩。
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