TW201841817A - 共平面流體互連 - Google Patents

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Abstract

一種設備包括具有表面之聚合物基礎層。晶粒具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面。該晶粒包括流體致動器以跨越該晶粒之該表面控制流體流動。流體通道耦接至該聚合物基礎層以提供該晶粒與流體輸入/輸出埠之間的流體互連。

Description

共平面流體互連
本發明係關於流體處理設備及系統。
流體處理系統可建構於極小封裝中且有時被稱作晶片實驗室。此等系統可基於以微升或更小尺度對離散流體小滴的顯微操作。因此，可對流體之單元大小封包執行微流處理，接著使用一組標準的基本流體控制指令來以離散方式輸送、儲存、混合、反應及/或分析該等封包。此等基本流體控制指令可在階層式設計結構內組合及再使用，使得可建構更複雜之流體處理程序（例如化學合成或生物檢定）。
本發明提供一種設備，其包含： 聚合物基礎層，其具有表面； 晶粒，其具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面，該晶粒包括流體致動器以跨越該晶粒之該表面控制流體流動；以及 流體通道，其耦接至該聚合物基礎層以提供該晶粒與流體輸入/輸出埠之間的流體互連。
本發明亦提供一種設備，其包含： 聚合物基礎層，其具有表面； 晶粒，其具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面，該晶粒包括電路系統以跨越該晶粒之該表面控制流體流動；以及 流體通道，其以流體方式與輸入/輸出（I/O）埠耦接且在與該晶粒間隔開之位置處由該聚合物基礎層支撐，該流體通道自該I/O埠縱向延伸來以流體方式與該晶粒耦接且提供該晶粒與該I/O埠之間的流體互連。
此外，本發明提供一種系統，其包含： 聚合物基礎層，其具有表面； 矽晶粒，其被模製至該聚合物基礎層中，該矽晶粒具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面，該矽晶粒跨越該晶粒之該表面控制流體流動；以及 流體輸送層，其耦接至該聚合物基礎層，該流體輸送層包括流體通道及輸入/輸出（I/O）埠，該流體通道提供該矽晶粒與該I/O埠之間的流體互連。
提供了流體互連，其允許對較大小滴進行流體小滴操縱以經由使用者可接近流體輸入/輸出（input/output，I/O）埠進行交換。流體之更小部分可經由主動流體組件自I/O埠導引，且可經由積體晶粒（例如具有主動流體控制元件之矽晶粒）進行數位控制來更精確地（例如以微微升、奈升及/或微升）處理流體。流體互連之混合型構造包括聚合物或共聚物之基礎層，較小矽晶粒駐留至該基礎層中。在互連處提供共平面構造，其中基礎層與晶粒整合，使得提供大體上平滑之流體導引表面以緩解對跨越晶粒之流體流動的阻礙。晶粒具有與基礎層之表面實質上共平面的表面。晶粒包括流體致動器（例如泵、毛細管控制件、電極控制件），以跨越晶粒之表面且相對於流體通道控制流體流動。流體通道可耦接至基礎層（或整合至基礎層中）以提供晶粒與通道之間的流體互連。
如同先前實施方案，基底可由更便宜之材料（例如環氧樹脂材料、聚合物或共聚物）構成，而非由矽建構基底，同時經由駐留於基礎層中之更小積體晶粒提供流體控制。
圖1說明用以提供共平面流體互連之實例設備100的俯視圖。設備100包括基礎層110，基礎層110提供基板以支撐流體流動總成（例如用於導引及/或混合流體之積體總成）。基礎層110可提供由單種材料（例如聚合物樹脂）構成之基板，或可提供具有多於一種材料（例如形成基礎層之分層式材料）之基板總成。在一個實例中，基礎層可形成為環氧樹脂模製化合物（epoxy molding compound，EMC），諸如熱固性環氧樹脂聚合物樹脂材料（例如來自日立公司（Hitachi, Inc.）之目錄號CEL400ZHF40WG）。用以製造基礎層以支撐30 mm×30 mm基板大小之環氧樹脂模製材料的實例量約為兩克。
晶粒130包括在晶粒之間隔開的末端之間（沿著Y軸）縱向延伸的側邊緣。晶粒130之每一側邊緣形成與聚合物基礎層110共平面之表面，該表面與聚合物基礎層之每一鄰近邊緣接觸。在一個實例中，可在晶粒上方模製基礎層110以在晶粒表面及基礎層表面之周邊處形成共平面平滑過渡（見例如圖8至圖12）。在另一實例中，晶粒130可插入至基礎層之凹入部分中以形成共平面表面（見例如圖13）。晶粒130可包括電路系統及一或多個流體致動器140。
如本文所使用，術語「實質上共平面」指代晶粒130之頂表面與基礎層110之頂表面對準使得在兩個表面之間的接合點處且自形成於輸入/輸出埠與晶粒之間的互連大體上不發生對流體流動之阻礙。在本文中關於圖8至13描述實例製造製程以提供共平面構造。此類共平面製造允許由更便宜之材料（相對於與晶粒相同之材料）製造基礎層110，而包括本文中所描述之流體流動控制件的晶粒130可使其面積最小化以降低總體裝配成本。如所展示，晶粒130包括流體致動器140以跨越晶粒之表面控制流體流動。可跨越晶粒130之表面控制的實例流體可包括例如生物流體、試劑、化學物質、水溶液、油劑及樣本製備流體。流體致動器140可實施為一或多種類型之致動器，諸如本文中所揭示之致動器（見例如圖14至圖16）。流體通道150可耦接至基礎層110以在通道之另一端處提供晶粒130與I/O埠之間的共平面流體互連（見例如圖2至圖4）。
在一個實例中，基礎層110可形成為環氧樹脂模製化合物（EMC）。流體通道150可形成於基礎層110中或形成為與基礎層分離之層（見例如圖2及圖3）。流體通道150可形成於例如一或多層環烯烴聚合物（Cyclic Olefin Polymer，COP）或環烯烴共聚物（Cyclic Olefin Copolymer，COC）中。流體通道150可耦接至基礎層110或形成於該基礎層中。輸入/輸出埠（見例如圖26）可耦接至流體通道150且由COP或COC形成以與流體通道交換流體。至少一個其他流體通道可耦接至基礎層，該基礎層可由COP或COC形成。其他流體通道可定位成鄰近於流體通道150且由基礎層支撐。在一些實例中，鄰近之流體通道對可沿著同軸路徑自間隔開之I/O埠延伸，該等同軸路徑沿著含有一或多個流體致動器之中心接合點相交（見例如圖6）。在其他實例中，鄰近之流體通道對可沿著平行但間隔開之路徑自間隔開之I/O埠延伸，該等路徑沿著含有一或多個流體致動器之中心接合點相交（見例如圖5）。
在一些實例中，微機電系統（MEMS）層可形成於晶粒130之表面上（見例如圖4）以提供對應流體致動器。若安置於晶粒140上，則MEMS層可具有與基礎層110之表面實質上共平面的表面。至少一個其他晶粒可與基礎層110中之晶粒成直線定位，或與基礎層中之晶粒按不同角度定位以使得能夠在多於一個維度上導引流體（見例如圖7，其中按直角製造晶粒以允許在多個維度上進行流體控制）。晶粒140可由矽基板形成，但其他類型之半導體係可能的。舉例而言，流體致動器140可係電極致動器、毛細管致動器或泵致動器，以跨越晶粒140之表面控制流體流動。在本文中關於圖2至圖7說明實例基礎層及晶粒組態。在本文中關於圖8至圖13揭示了用於經由以不同基礎層及晶粒材料進行製造達成共平面表面的實例製造製程。
圖2說明具有用以提供I/O埠與晶粒之間的共平面流體互連之通道之實例設備200的側視圖，其中通道形成於基礎層上且與晶粒表面共平面。設備200包括提供基板以支撐流體流動總成之基礎層210。晶粒220具有與基礎層210之表面實質上共平面的表面。通道240形成於基礎層210及晶粒220之頂部上。通道240包括開口250以使得流體能夠自通道流動至晶粒220之表面。可模製（例如以聚合物或共聚物材料）或以其他方式在晶粒220及基礎層210上方形成通道240。通道可包括使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠260及270，其中可將流體注入（例如經由滴管施配器）至通道240中以供混合/導引，及/或可根據與晶粒230之一或多個流體致動器的相互作用而提取流體。在此實例中，晶粒220之頂表面可製造為與基礎層210之頂表面實質上共平面，其中通道240製造為自基礎層朝外延伸之單獨層。
在圖3之實例中，通道340製造為基礎層310之部分。圖3因此說明用以提供共平面流體互連之實例設備300的側視圖，其中通道形成於基礎層內且晶粒表面與基礎層之表面共平面。設備300包括基礎層310以支撐流體流動總成，流體流動總成包括將輸入/輸出埠連接至晶粒之一或多個微型流體互連通道。晶粒320具有與基礎層310之表面實質上共平面的表面。在此實例中，晶粒320與製造於基礎層310內之通道340的表面共平面，以使得流體能夠在通道與晶粒之表面之間流動。使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠350及360可附連至通道340，其中可注入（例如經由滴管施配器）流體以供混合/導引，及/或可經由實施於晶粒上之一或多個流體致動器相對於晶粒320提取流體以進行輸送。在此實例中，晶粒320之頂表面可製造為與通道340之頂表面實質上共平面以跨越通道及晶粒之表面支援流體流動，此基於控制實施於晶粒上之一或多個流體致動器。
圖4說明用以提供I/O埠與晶粒之間的共平面流體互連之實例設備400的側視圖，其中通道形成於基礎層410及晶粒420上。在此實例中，晶粒420包括微機電系統（MEMS）層440，MEMS層440曝露於通道且與基礎層之表面共平面。基礎層410支撐流體流動總成且晶粒420駐留於基礎層410中。在此實例中，MEMS層440可製造於晶粒420之頂部上。MEMS層440包括用於自相關聯通道460接收流體且將流體發送至相關聯通道460之入口450。舉例而言，入口自MEMS層440延伸以終止於其與通道之對應表面連接且與該表面實質上共平面的末端中。通道460包括開口470以允許流體自通道流動至入口450。通道460可藉由使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠480及490模製（例如以聚合物或共聚物材料），其中可注入（例如經由滴管施配器）流體以供混合/導引，及/或可經由通道460在與MEMS層440相互作用之後提取流體。在此實例中，MEMS層440可提供本文中所描述之流體致動器，諸如一或多個泵或毛細管控制件。晶粒420可包括電路系統以提供控制信號來控制實施於MEMS層440上之流體致動器的動作。
圖5說明用以提供輸入/輸出埠與晶粒之間的共平面流體互連之實例設備500的俯視圖。在此實例中，設備500包括以間隔開且平行之配置縱向延伸之流體通道530。舉例而言，通道530中之每一者具有在與凹入部分間隔開之位置處以流體方式耦接至各別I/O埠560、580的一端。每一通道沿著基礎層自I/O埠延伸以終止於以流體方式與一或多個晶粒（在此視圖中不可見）耦接之間隔開的末端中。在此實例中，一組I/O埠560配置於晶粒收納區域520之一側上，且另一組I/O埠580配置於晶粒之相對側上，使得凹入部分插入於該等組I/O埠之間。而且，在圖5之實例中，I/O埠與通道中之每一者沿著晶粒區域520之長度交錯。每一流體通道530自輸入/輸出（I/O）埠560延伸且由基礎層510支撐，以經由通道中之開口540（以及經由任何其他介入層）提供經由各別I/O埠至晶粒之流體互連。
如同圖1至圖4之實例，設備500包括支撐流體流動總成之基礎層510。基礎層510包括在其中安置有一或多個晶粒之區域520。晶粒（在此視圖中不可見）駐留於基礎層510中及流體通道530之下。晶粒（或晶粒之頂部上的組件）具有與基礎層510之表面實質上共平面的表面。開口540以流體方式將每一通道530耦接至凹入部分內之晶粒。流體通道530以流體方式與I/O埠560耦接，且在與晶粒間隔開之位置處由基礎層510支撐。流體通道530自I/O埠560縱向延伸來以流體方式與晶粒耦接，從而提供晶粒與I/O埠之間的流體互連。
圖6說明提供共平面流體互連之另一實例設備600的俯視圖。在此實例中，基礎層610包括用於如本文中所描述之一或多個晶粒的區域620。流體通道630及640可耦接至I/O埠650及660。通道630/640中之每一者以流體方式耦接至各別I/O埠650/650，且自此類埠延伸來經由通道中之各別開口670以流體方式耦接至一或多個晶粒。如所展示，相對的流體通道630與640對可共軸地對準，且與共同流體開口670耦接。儘管可製造共同開口670以為軸向對準之通道630、640對提供晶粒近接，但每一通道630及640可經由相同或單獨的開口以流體方式耦接至安置於晶粒收納區域620中之相同或單獨晶粒。
圖7說明用於導引流體之實例晶粒的俯視圖，其中複數個晶粒710、720及730定位於不同軸（展現為X及Y軸）上以支援在多個共平面維度上之流體移動。在此實例中，兩個晶粒710及720沿著Y軸定位，且第三晶粒730沿著X軸定位。流體小滴740展示為朝向由晶粒710、720及730形成之接面750沿著X軸導引。取決於提供至安置於晶粒上之電極的控制信號，可沿著Y軸在任一方向上導引流體小滴740。在760處展示接面750之展開圖，其中定位三個晶粒以導引小滴740。如所展示，三個晶粒710、720及730中之每一者可包括用於跨越晶粒之表面導引流體的一或多個電極。電極可大小類似或大小不同，諸如在770及780處所展示。
圖8至圖12說明用以形成可模製至不同材料之基礎層之晶粒的裝配製造製程，其中該晶粒與該基礎層包括實質上共平面之表面。在此實例中，晶粒可由半導體材料形成，且基礎層由相對更便宜之材料（例如聚合物）形成。為了開始圖8處之共平面製造製程，提供具有帶狀層壓層820之臨時載體810（例如陶瓷）。在圖9之共平面製程處，一或多個晶粒910附接至帶狀層壓表面820。舉例而言，可經由取放積體電路置放製程將晶粒910安置於晶粒收納區域中。
前進至圖10之共平面製造製程，在1010處，可在晶粒上方模製基礎層。舉例而言，基礎層1010可包括液體模製化合物，諸如環氧樹脂模製化合物。前進至圖11之共平面製造製程，在基礎層1010已形成且固化之後移除載體810及層820（例如經由熱處理剝離）。前進至圖12，可將流體輸送層1220附接至圖11之基礎層及晶粒總成。儘管圖8至圖12中展示了在晶粒與基礎層之間提供共平面性之模製製程，但在圖13中描繪了晶粒配適至基礎層之預先存在之凹入部分中的替代性共平面製造製程。
圖13說明晶粒1300與基礎層1310之間的替代性共平面裝配製程。如所展示，基礎層包括可在其中安裝晶粒1300之凹入部分1320。晶粒1300可裝配至形成於基礎層1310中之預成型凹穴或凹入部分1320中，其中晶粒應足夠平坦，且在晶粒邊緣與基礎層邊緣之間不應存在明顯的間隙。為了在一個實例中達成此目的，可將少量黏著劑衝壓至凹入部分1320中（或在凹入部分之周邊周圍進行針式施配）。可調諧黏著劑之量以確保略微溢出或幾乎齊平之黏著劑。在將晶粒1300置放於凹入部分1320中之後，被設計成在固化期間不黏著至黏著劑之膜，諸如塗佈鐵氟龍之膜，可用以「平坦化」周邊，其中晶粒邊緣在固化期間與基礎層1310接觸。隨後可剝離此膜，從而在晶粒1300與基礎層1310之間留下足夠共平面且不明顯的間隙。另一實例方法可係將通道層自身用作平坦化膜以減小此間隙。在此狀況下，若在晶粒1300之邊緣處存在小的梯度，則聚合物材料之厚膜（例如2至4 μm）可用以填充此小間隙（例如＜ 10 μm），且嘗試在晶粒與基礎層之間進行平坦化。
圖14至圖16說明實例流體致動器。圖14展示流體致動器1400，其中提供電極1410以跨越一或多個晶粒之表面控制流體流動。可使用液體之表面張力屬性來形成流體小滴。舉例而言，置放於疏水性表面上之水將藉由產生與基板之接觸角度可隨疏水性提高而增大之液滴來降低其與表面之接觸。然而，在一些狀況下，有可能藉由使用由電極提供之電場來控制基板之疏水性。此有時被稱作「介電質上電潤濕（Electro-wetting On Dielectric）」或EWOD。此類電極實施方案可被稱作數位微流應用。
圖15說明使用一或多個毛細管流體致動器1510之流體致動器1500的另一實例。此類致動器1510可藉由毛細管控制件控制流體，毛細管控制件諸如可在本文中所描述之晶粒內製造的加熱或冷卻元件。舉例而言，此等毛細管控制件可包括具有圖案化電極或加熱器以驅動汽化器之電滲流動控制件。圖16說明可係諸如在1610處展示之一或多個泵致動器之流體致動器1600的又一實例。舉例而言，在圖14至圖16中描述的致動器中之每一者可製造於本文中所描述之晶粒內及/或可製造為接著附連至晶粒之單獨MEMS層。
上文已描述之內容係實例。一般熟習此項技術者將認識到，許多其他組合及排列係可能的。因此，本發明意欲涵蓋屬於本申請案，包括隨附申請專利範圍之範圍內的所有此等更改、修改及變化。另外，在本發明或申請專利範圍列舉「一（a、an）」、「第一」或「另一」元件或其等效物時，應解釋為包括一個或多於一個此元件，既不需要亦不排除兩個或多於兩個此等元件。如本文所使用，術語「包括（includes）」意謂包括但不限於，且術語「包括（including）」意謂包括但不限於。術語「基於」意謂至少部分基於。
100‧‧‧設備
110‧‧‧聚合物基礎層
130‧‧‧晶粒
140‧‧‧流體致動器
150‧‧‧流體通道
200‧‧‧設備
210‧‧‧基礎層
220‧‧‧晶粒
230‧‧‧晶粒
240‧‧‧通道
250‧‧‧開口
260‧‧‧使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠
270‧‧‧使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠
300‧‧‧設備
310‧‧‧基礎層
320‧‧‧晶粒
340‧‧‧通道
350‧‧‧使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠
360‧‧‧使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠
400‧‧‧設備
410‧‧‧基礎層
420‧‧‧晶粒
440‧‧‧微機電系統（MEMS）層
450‧‧‧入口
460‧‧‧通道
470‧‧‧開口
480‧‧‧使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠
490‧‧‧使用者可接近輸入/輸出（I/O）埠
500‧‧‧設備
510‧‧‧基礎層
520‧‧‧晶粒收納區域
530‧‧‧流體通道
540‧‧‧開口
560‧‧‧輸入/輸出（I/O）埠
580‧‧‧輸入/輸出（I/O）埠
600‧‧‧設備
610‧‧‧基礎層
620‧‧‧晶粒收納區域
630‧‧‧流體通道
640‧‧‧流體通道
650‧‧‧輸入/輸出（I/O）埠
660‧‧‧輸入/輸出（I/O）埠
670‧‧‧流體開口
710‧‧‧晶粒
720‧‧‧晶粒
730‧‧‧晶粒
740‧‧‧流體小滴
750‧‧‧接面
810‧‧‧臨時載體
820‧‧‧帶狀層壓表面
910‧‧‧晶粒
1010‧‧‧基礎層
1220‧‧‧流體輸送層
1300‧‧‧晶粒
1310‧‧‧基礎層
1320‧‧‧凹入部分
1400‧‧‧流體致動器
1410‧‧‧電極
1500‧‧‧流體致動器
1510‧‧‧毛細管流體致動器
1600‧‧‧流體致動器
1610‧‧‧泵致動器
X‧‧‧軸
Y‧‧‧軸
圖1說明用以提供共平面流體互連之實例設備的俯視圖。
圖2說明用以提供共平面流體互連之實例設備的側視圖，其中通道形成於基礎層上且晶粒表面與基礎層之表面共平面。
圖3說明用以提供共平面流體互連之實例設備的側視圖，其中通道形成於基礎層內且晶粒表面與基礎層之表面共平面。
圖4說明用以提供共平面流體互連之實例設備的側視圖，其中通道形成於基礎層上且具有微機電系統（MicroElectro-Mechanical System，MEMS）層之晶粒與基礎層之表面共平面。
圖5說明用以提供共平面流體互連之實例設備的俯視圖，其中該設備包括流體通道及I/O埠。
圖6說明用以提供共平面流體互連之另一實例設備的俯視圖，其中該設備包括流體通道及I/O埠。
圖7說明用於導引流體之實例晶粒的俯視圖，其中該等晶粒沿著相同或不同軸線定位以支援在多個維度上之流體移動。
圖8至圖12說明具有晶粒之設備的實例製造製程，該晶粒可形成為與基礎層共平面之總成。
圖13說明晶粒與基礎層之間的替代性共平面裝配製程。
圖14至圖16說明實例流體致動器。

Claims (15)

  1. 一種設備，其包含： 聚合物基礎層，其具有表面； 晶粒，其具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面，該晶粒包括流體致動器以跨越該晶粒之該表面控制流體流動；以及 流體通道，其耦接至該聚合物基礎層以提供該晶粒與流體輸入/輸出埠之間的流體互連。
  2. 如請求項1所述之設備，其中該基礎層包含環氧樹脂模製化合物（EMC）。
  3. 如請求項1所述之設備，其中該流體通道至少部分地安置於該基礎層中或係與該基礎層分離之層。
  4. 如請求項1所述之設備，其中該晶粒包括在該晶粒之間隔開的末端之間縱向延伸的側邊緣，每一側邊緣在該晶粒之該共平面表面處與該聚合物基礎層之每一鄰近邊緣接觸。
  5. 如請求項4所述之設備，其進一步包含耦接至該流體通道以與該流體通道交換流體之輸入/輸出埠，該輸入/輸出埠由環烯烴聚合物（COP）或環烯烴共聚物（COC）形成。
  6. 如請求項4所述之設備，其進一步包含耦接至該基礎層之至少一個其他流體通道，該等流體通道中之每一者相對於彼此平行地間隔開且朝向該晶粒自各別I/O埠縱向延伸。
  7. 如請求項5所述之設備，其進一步包含該晶粒之表面上的微機電系統（MEMS）層，該MEMS層具有與該基礎層之該表面實質上共平面的表面。
  8. 如請求項1所述之設備，其進一步包含駐留於該基礎層中且具有流體輸送路徑之至少一個其他晶粒，該流體輸送路徑相對於另一晶粒之流體輸送路徑對準以使得能夠在多於一個共平面維度上導引流體。
  9. 如請求項1所述之設備，其中該流體致動器係電極致動器、毛細管致動器或泵致動器。
  10. 一種設備，其包含： 聚合物基礎層，其具有表面； 晶粒，其具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面，該晶粒包括電路系統以跨越該晶粒之該表面控制流體流動；以及 流體通道，其以流體方式與輸入/輸出（I/O）埠耦接且在與該晶粒間隔開之位置處由該聚合物基礎層支撐，該流體通道自該I/O埠縱向延伸來以流體方式與該晶粒耦接且提供該晶粒與該I/O埠之間的流體互連。
  11. 如請求項10所述之設備，其中該流體通道至少部分地安置於該基礎層中或係與該聚合物基礎層分離之層。
  12. 如請求項10所述之設備，其中該晶粒包括在該晶粒之間隔開的末端之間縱向延伸的側邊緣，每一側邊緣在該晶粒及基礎層之該表面處與該聚合物基礎層之每一鄰近邊緣接觸以提供共平面對接表面。
  13. 如請求項10所述之設備，其進一步包含該晶粒之表面上的微機電系統（MEMS）層，該MEMS層具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面。
  14. 一種系統，其包含： 聚合物基礎層，其具有表面； 矽晶粒，其被模製至該聚合物基礎層中，該矽晶粒具有與該聚合物基礎層之該表面實質上共平面的表面，該矽晶粒跨越該晶粒之該表面控制流體流動；以及 流體輸送層，其耦接至該聚合物基礎層，該流體輸送層包括流體通道及輸入/輸出（I/O）埠，該流體通道提供該矽晶粒與該I/O埠之間的流體互連。
  15. 如請求項14所述之系統，其中該流體通道至少部分地安置於該聚合物基礎層中。
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