TW201841690A - 用於將暴露於uv輻射的液體介質塗佈至基板上的裝置 - Google Patents

用於將暴露於uv輻射的液體介質塗佈至基板上的裝置 Download PDF

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Abstract

本發明揭露一種用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置。裝置包括：具有細長腔室的殼體；通向腔室的至少一個進入口；以及與進入口相對的在腔室的長度內延伸的至少一個縫狀排出口；穿過腔室在縱向方向上延伸的管件，管件對紫外線輻射至少部分透明，其中管件配置於腔室中，使得在管件與腔室的壁之間形成流動空間，流動空間相對於腔室的縱向中心平面對稱，縱向中心平面在其中間剖開所述排出口，且使得管件延伸至殼體中的縫狀排出口中，且藉此在管件與殼體之間形成兩個縱向延伸的排出縫；以及在管件中的至少一個紫外線輻射源，經配置以在流動空間的方向上並穿過排出口自殼體發射紫外線輻射，從而在液體中產生自由基並將自由基送至基板的表面。裝置的特徵在於用於調節經由管件排出排出口的輻射以使得輻射的強度朝向腔室的縱向中心平面增加的裝置。

Description

用於塗佈被UV照射的液體介質至基板上的裝置
本發明是有關於一種用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上以便處理基板的裝置，其中在所述裝置的區域中將所述液體局部塗佈至基板的部分區域，且其中將紫外線輻射引入至液體中。
在半導體技術中，已知的是，例如在光罩之製造及使用過程，需要對其進行不同處理步驟，特別是清潔步驟。舉例而言，已知的是，為對光罩進行濕式清潔，其中至少局部地在基板上形成液膜及將紫外線輻射引入至此液膜中。在半導體晶圓的製造過程中，針對其的對應清潔步驟亦為已知的。在此情況下，液體及紫外線輻射如此相互匹配，使得大部分紫外線輻射在液膜中被吸收，以在液膜中產生有助於清潔的自由基。特定言之，已知的是，例如在經稀釋之過氧化氫水或臭氧水O3 -H2 O中產生羥基自由基。此類羥基自由基使得來自基板表面的有機材料選擇性溶解，而不侵蝕基板表面上可能存在的金屬層。引入至液體中的部分輻射通常並未被吸收且自身撞擊（impinge）至基板上。撞擊至基板上的輻射的強度以及基板表面處的自由基的濃度兩者實質上有助於實現一定製程結果，諸如光阻剝除（resist strip）。
在此濕處理中，通常使液體的塗佈單元（其亦用於將紫外線輻射引入至液體中）以越過基板上的方式移動，使得液體塗覆在基板上。主要在塗佈單元下方藉由自由基進行處理，因為當塗佈單元繼續移動且剛才被紫外線輻射照射的區域不再被紫外線輻射照射時，自由基迅速分解。因此，基板表面的處理在塗佈單元下方的小處理區域中進行。
適用於此的裝置例如自本案申請人提出的德國專利申請案DE 10 2009 058 962 A1所揭示。特定言之，所述申請案示出一種如申請專利範圍第1項的前言的裝置。在已知設計中，在塗佈單元的排出口下方的縱向中心區域中形成較高的自由基濃度，然而，其濃度在橫向於排出口的方向上迅速降低。
在濕處理之後，還已知乾燥處理，其中紫外線輻射引入至乾燥氣體中（例如O2 ）或引入至乾燥氣體與蒸汽的混合物（例如N2 +H2 O）中，所述乾燥氣體或混合物導引至基板上。在乾燥處理過程進行的光解反應實質上不同於在濕處理過程進行的反應，且實質上較不複雜且比濕處理進行得更快。在不同處理方案中使用的技術可因此並不容易更換。
鑒於根據上述申請案的裝置，本申請案的目標在於，在裝置的處理區域內使處理均勻化（例如光阻剝除（resist strip））。本發明與上述德國專利申請案DE 10 2009 058 962 A1的裝置的區別在於如申請專利範圍第1項之特徵部分的附加特徵。
特定言之，提供一種用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，裝置包括：具有細長腔室的殼體；通向腔室的至少一個進入口；以及與進入口相對的並在腔室的長度內延伸的至少一個縫狀排出口；在縱向方向上延伸穿過腔室的管件，管件對紫外線輻射而言至少部分透明，其中管件配置於腔室中，使得在管件與腔室的壁之間形成流動空間，流動空間相對於腔室的縱向中心平面（longitudinal center plane）對稱，縱向中心平面在其中間剖開（dissecting）所述排出口，且使得管件延伸至殼體中的縫狀排出口中，且藉此在管件與殼體之間形成兩個縱向延伸的排出縫；以及在管件中的至少一個紫外線輻射源，經配置以在流動空間的方向上並穿過排出口自殼體發射紫外線輻射，從而在液體中產生自由基並將自由基送至基板的表面。裝置的特徵在於用於調節通過管件離開排出口的輻射，以使得輻射的強度朝向腔室的縱向中心平面增加。此類裝置能夠藉助於輻射的強度的增加朝向縱向中心平面至少部分地補償自由基的減少，從而在排出口的寬度內提高製程反應，諸如漆（lacquer）或光阻（resist）剝除的均勻性。
在一個實施例中，管件具有圓形橫截面，且裝置包括至少一個光學元件，所述至少一個光學元件經配置以改變經由排開口及管件排出的輻射的強度，使得強度增大，特別是朝向腔室的縱向中心平面穩定地增加。因此，以尤其簡單的方式，可實現液體在基板上的良好分佈及所要求的輻射分佈。至少一個光學裝置可包括至少一個鏡元件，其配置在至少一個輻射源的與基板相對的側面處及/或與輻射源相鄰，並以朝向排出口的方式反射輻射，從而實現上述強度分佈。較佳地，鏡元件相對於腔室的縱向中心平面對稱。在一較佳實施例中，鏡元件至少部分地包圍至少一個輻射源，使得輻射源的發射可主要朝向排出口。
對於裝置的簡單構造及所要強度分佈，至少一個輻射源較佳地配置於腔室的縱向中心平面上且在管件的橫向中心平面（transverse center plane）下方，所述至少一個輻射源垂直於腔室的縱向中心平面延伸且並在中間剖開（dissecting）管件。因此，輻射元件朝向排出口移位。
在一個實施例中，鏡元件至少部分地配置於管件的橫向中心平面下方，以便將強壯輻射自管件的下部部分導引出殼體。
在裝置的另一實施例中，至少一個光學裝置包括在管件內的多個至少三個紫外線輻射源，其定位成彼此相鄰且相鄰於配置在排除口中或腔室外的部分管件，其中相鄰輻射源以不同輻射強度發射紫外線輻射，使得輻射強度朝向腔室的縱向中心平面增加。在此實施例中，至少一個分隔元件可設置在管件中，其基本上阻擋了所述多個紫外線輻射源中的在流動空間方向上的輻射，且特定言之反射。此處，術語基本意謂多個紫外線輻射源中的在流動空間方向上的輻射的至少90%被阻擋。
在一個實施例中，裝置具有在管件中的第一紫外線輻射源，其經配置以將紫外線輻射主要發射至流動空間中；及至少一個第二紫外線輻射源，其經配置以主要經由排出口發射紫外線輻射，其中在此上下文中的「主要」是指源自相應輻射源且排出管件的輻射的強度的至少80%。
在以下描述中使用的方向參考，如上或下，左或右，參考圖式中的說明且不應被理解為限制本申請案，儘管其可為較佳的配置方案。在以下描述中，術語「鑽孔」將理解為縱向延伸的盲孔或通孔，與其製造方式無關，亦即，毋需藉由打孔或鑽孔過程，但可以任何合適的方式製造這種鑽孔。
圖1為裝置1的俯視圖，裝置1用於在紫外線輻射的協助下對基板2進行濕處理，特別是對用於晶片製造的遮罩或半導體晶圓進行濕處理，其中基板亦可為以下中的一者：用於製造半導體晶圓的光罩；一半導體晶圓，特別是Si晶圓、Ge晶圓、GaAs晶圓、InP晶圓；平板基板和多層陶瓷基板。圖2為裝置1沿圖1中的線II-II的剖視圖。裝置1大體包括基板固持器（substrate holder）4及塗佈單元6。基板固持器4及塗佈單元6可容納於未示出的壓力腔室中，其中可藉由適當的手段產生過壓或負壓。
應注意，在濕處理中，將液體（例如經稀釋的過氧化氫水或臭氧水O3 -H2 O或某一其他特別是含水的液體）塗佈至基板上。在對液體進行紫外線照射的過程中會發生若干複雜的反應，其中僅在將水作為液體時例如會產生14種不同的物質，例如H2 O、H● 、HO● 、e-aq、HO2 ● 、O2● - 、H2 、O2 、H2 O2 、H2 O- 、H3 O+ 、HO- 、O3● - 及HO3 ● 。與紫外線照射用的氣體相比，液體中的此類反應之複雜度大幅提升，且自由基的壽命大幅縮短，故濕處理裝置無法與使用氣體的處理裝置相比。發生的反應與波長相關，並且針對一種或另一種物質的反應方向可受波長選擇影響。
如圖1中所指示，基板固持器4呈現為用於接納亦為矩形的基板2的扁平矩形板。然而，基板容器4亦可採用不同形狀，且與待處理之基板2的形狀匹配。基板固持器4具有用於液體介質的至少一個未繪示的排放口，所述液體介質可經由塗佈單元6塗佈至基板2。
塗佈單元6由主部件8及支承部件10組成，所述支承部件如雙箭頭A及雙箭頭B所指示以可移動方式承載主部件8。特定言之，支承構件10具有支承臂12，所述支承臂的一端連接至主部件8而另一端則連接至未示出的驅動單元。如雙箭頭A及雙箭頭B所示，驅動單元可例如提供支承臂10和主部件8的樞轉運動以及線性移動中的至少一者。因此，主部件8可以所要求的方式越過容納於基板固持器4上的基板2，以便允許對基板的部分區域或基板的整個表面進行處理。另外，支承臂10亦有可能執行升降運動，以便能夠調節主部件8與接納在基板固持器4上的基板2的表面之間的距離。
此外，作為替代或附加方案，有可能提供針對基板固持器4的運動機構，以便能夠提供基板2與主部件8之間的相對運動。
主部件8大體由殼體14、若干介質接口（media port）16以及輻射部件18組成。殼體14具有由合適之塑膠（諸如TFM、經改質的PTFE）製成的細長立方形主體20。殼體亦可由另一合適之材料製成。材料應如此選擇使得其就所使用的溫度及介質而言具有耐受性。在主體20內定義有縱向延伸的腔室22，其在主體的整個長度內延伸。在主體20的縱向端處可附接有若干未示出的遮蓋元件，以便在縱向方向上界定腔室22。主體20且因此腔室22的長度大於基板2的寬度尺寸，以便能夠在基板2的整個寬度內塗佈液體介質，如下文將對此作更詳細解釋。然而，主體20或腔室22亦有可能具有較小的尺寸。腔室的內壁23可形成，使得其特別是針對紫外線輻射具有高反射率，而IR輻射則基本被吸收。
腔室22具有實質上圓形的橫截面，而腔室22朝向主體20的的下部面或底部打開，使得主體20定義朝下（朝向基板2）的開口21。因此，腔室22的內壁23在剖面中僅描述大於半圓的部分圓形，且其較佳地在250°至300°，特別是270°至290°的角範圍內延伸。
在腔室22的上部區域中，主體20中設置有流體連接（fluidly connect）至接口16的至少一個供應管線24，所述供應管線24經配置與開口21直接相對。供應管線24流體連接至腔室22，以便能夠將液體介質引導至腔室22中，如下文將對此作更詳細解釋。
在圖1的平面視圖中，示出三個接口16，其可各自經由相應供應管線24流體連接至腔室22。然而，亦可提供更大或更小數目的接口。經由接口16，可將單個液體介質引導至腔室22中，或可將數個介質引導至腔室22中，其可同時或依序引入。特別是，可將不同介質源連接至接口16，藉此例如可同時將不同介質引導至相應的接口16，以便產生原位混合物。特別是將液體用作介質，但亦可供應氣體，在引入至腔室22中之前，這種氣體例如在接口16以及供應管線24中與液體混合。
輻射部件18大體由管件30及至少一個輻射源32形成。管件30具有細長形狀且在腔室22的整個長度內延伸且可延伸穿過（或伸入）未示出的在主體20的端處的遮蓋構件。管件30由對紫外線輻射實質上透明的材料製成且具有圓形橫截面。具有圓形橫截面的管件30的中心點在開口21的方向上相對於由腔室22的內壁23形成的部分圓形的中心點偏移。管件30部分地穿過開口21自殼體14延伸，如圖2中所示。
因此，在管件30與腔室22的內壁23之間形成流動空間。所述流動空間相對於腔室22的縱向中心平面C（參見圖3中的線IV-IV）對稱，所述縱向中心平面在中心與排出口21及供應管線24相交。流動空間形成右分枝及左分枝，如圖2的橫截面圖中所示。分枝中的每一者在其下端處具有排出縫37，其在開口21的區域中形成於管件30與內壁23相應端之間。自供應管線24起且朝向相應排出縫37延伸，流動空間的分枝中的每一者皆具有逐漸變窄的流動橫截面。特定言之，流動空間的在每一個分枝中的流動橫截面在相應排出縫37的方向上連續變細。流動空間的在鄰近至少一個供應管線24的區域中的流動橫截面與在排出縫37處的流動橫截面的比率在10:1至40:1範圍內，較佳在15:1至25:1範圍內。因此在排出縫37方向上流動的介質大幅加速。介質的相應加速一方面使得流動均勻化，且另一方面導致排出縫37處的高流速。高流速有助於在開口21下方形成實質上連續的液體介質幕，其可用於在設置於其下的基板2上形成液膜。
圖2中指示流動箭頭，其示出液體介質自接口16經由供應管線24及腔室22自殼體14流出的流動。
在所說明組態中，輻射源32為棒狀燈，其居中配置在管件30內。棒狀燈32又在腔室22的整個長度內延伸，以在腔室22的長度內提供均勻的輻射分佈。輻射源32主要發射在所要光譜範圍內的紫外線輻射，其中經發射的輻射既發射至腔室22的流動空間中，亦經由開口21自殼體14射出。可針對特定目的特定地選擇輻射，如下文將更詳細地解釋。輻射亦可受控制以使得發射至流動空間中的輻射與自開口21射出的輻射不同。
作為此種管狀輻射源的替代或附加方案，亦可提供其他輻射源，如後續實施例中部分所示。特定言之，超過一個輻射源32可設置於管件30內。舉例而言，可將氣體放電燈，但亦可將LED或在所要光譜範圍內（至少亦在紫外線範圍內）發射的其他合適的光源用作輻射源32。
可向形成於管件30與輻射源32之間的空間40供應冷卻介質，特別是氣態冷卻介質，以防止元件過熱。在此情況下，應如此選擇冷卻介質，使得其實質上不吸收紫外線輻射。
現將參考圖3至圖8對塗佈單元6的，特別是可用於根據圖1的裝置的替代性主部件108的另一實施例進行描述。主部件108大體具有殼體114、介質導引件116以及輻射部件118。
殼體114同樣具有由合適之材料（諸如TFM）製成的細長立方形主體120，所述主體具有縱向延伸腔室122，其在主體120的整個長度內延伸。遮蓋元件（未示出）可附接在主體120的縱向端處以用於在縱向方向上界定腔室122。遮蓋元件可例如藉由提供可釋放連接的螺釘附接。然而，實際上可使用連接較佳可釋放的遮蓋元件的其他方式。腔室122的長度可同樣大於上面將塗佈液體介質的基板2的寬度尺寸。
此外，腔室122具有大體上環形的橫截面，其中腔室122向主體120的下部面或底部124打開，以便定義朝下的開口121。因此，腔室122的內壁123同樣描述部分圓形，但其大於半圓。開口121的張角較佳地在60°與120°之間，且特別是70°與90°之間的範圍內。
主體120的底部124經配置以形成向上朝向主體120的側壁128傾斜的斜面。在斜面與開口121之間形成實質上平面區域，且主體120具有緊鄰開口121的圓形邊緣126。此圓形邊緣連接底部124的實質上平面部分與腔室122的圓形內壁123，且在其頂點處定義主體120中的實際開口121。
在主體120的底部124與側壁128之間的過渡區中設置有多個斜凹口（例如每側5個，如圖所示）。在此等凹口130中的每一者的區域中，主體120具有通向腔室122的通孔132。通孔132為階梯式的，且具有面向凹口130的較寬區域及面向腔室122的較窄區域。在面向凹口130的較寬區域中，通孔132具備內螺紋。相應通孔132用於接納調節元件134，其具有對應於通孔132階梯形狀的階梯形狀。調節元件134具有頭部件136及調節部件138。頭部分136經大小設定以穿過通孔132的狹窄區域，以便能夠伸入腔室122。調節部件138具有外螺紋，其可與通孔132的較寬區域中的內螺紋嚙合，以擰入其中。在此情況下，調節部件138的嚙合深度決定調節元件134的頭部件136伸入腔室122的程度。調節元件134由合適的材料製成，所述材料對所使用的溫度及介質具有耐受性，且可具有一定彈性。特定言之，已證實PFA材料（多氟烷氧基聚合物材料）為合適的材料。然而，亦可使用其他材料，特別是其他塑膠材料。
主體120的頂側140具有橫向於主體120之縱向方向延伸的多個凹口142，其在主體120的縱向方向上與凹口130對準。在每個凹口142的區域中，設置有另一凹口144及螺紋孔146。螺紋孔146用於接納螺釘，經由所述螺釘，蓋板147可經附接以填充凹口142。
凹口144具有在凹口142的底部橫向於主體120之縱向方向延伸的第一區段。凹口144進一步具有鄰近於側壁128的相應側壁且在平行於側壁128的方向上延伸至主體120中的區段。因此，凹口144大體呈U形，如圖3所示。
凹口144用於接納夾持元件150，如圖3所示。圖7示出夾持部件150在未安裝且因此鬆弛的狀態下的透視圖。夾持元件150大體呈U形，其中（在鬆弛狀態下），U形夾持部件150的側邊152自夾持部件150的底座部分154朝向彼此延伸而不彼此接觸。換句話說，側邊152的自由端之間的距離小於所述側邊在底座部分154處的距離。因此，當夾持元件150的側邊152插入至U形凹口144中時，需要將所述側邊輕微地彎曲分開，且其接著將向內的偏力施加至主體120的與側邊相鄰的部分上。特定言之，在調節元件134的區域中提供向內的偏力。
前述介質導引件116整體形成於主體120中，下文將對此作更詳細解釋。介質導引件116基本劃分成供應元件160、介質分佈通道162以及入口通道164。
在所說明的實施例中，設置有四個供應元件160，其在主體120的縱向方向上間隔開。供應元件160並非均勻地間隔開。確切而言，中間供應元件160之間的距離小於其與相應外部供應元件160的距離。供應元件160各自形成於主體120的頂部表面140上且各自具有自頂部表面140向上延伸的實質上截錐形部分166。在截錐形部分（frusto-conical portion）166上方設置有適當地用以連接至外部供應線的環狀接口168。在截錐形部分166中，形成垂直延伸的通孔170。所述通孔完全穿過供應元件160的截錐形部分166延伸至介質分佈通道162中，下文將對此介質分佈通道作更詳細解釋。
介質分佈通道162由在主體120的橫向方向上居中定位的縱向孔174形成。縱向孔174完全穿過主體120而延伸且設置在頂部表面140與腔室122之間。在末端區域中，縱向孔174具有加寬區段176，其可藉由未示出的合適端蓋封閉。實際的介質分佈通道162僅由縱向孔174的未封閉的中心部分形成。當然，如熟習此項技術者將瞭解，縱向孔174亦將有可能僅朝向主體120的一端打開，且因此僅在此端處具有可以合適的方式封閉的加寬區段176。
特別是如圖4中可見，形成介質分佈通道162的縱向孔174在四個位置處與鑽孔170流體連通。經由供應元件160引入的任何介質可在不同位置處引入至介質分佈通道162中，且隨後在主體120的縱向方向上分佈於介質分佈通道162內。
在位於介質分佈通道162與腔室122之間的壁部件177中形成多個通孔，其流體地連接介質分佈通道162與腔室122且因此形成入口通道164。在所說明的實施例中設置有十二個入口通道164。入口通道164相對於鑽孔170在主體120的縱向方向上偏移配置。當然，可設置有不同數目的入口通道164。入口通道164在主體120的縱向方向上較佳地均勻間隔開，其中目前較佳採用在3/100 mm至12/100 mm範圍內，特別是在4/100 mm至10/100 mm範圍內的密度，以促進介質在腔室122中的均勻流動。
在壁部件177面向腔室122的側面中設置有兩個盲孔178（參見圖4），其各自用於接納間隔件179（參見圖3）。間隔件179由合適的材料製成，所述材料就所使用的溫度及介質而言耐用且具有一定彈性。特定言之，在此亦可如調節元件134那般使用PFA。間隔件179各自具有未示出的用於接納在盲孔178中的相應一者中的支腳及截錐形主部件，可參見圖3。
現將更詳細地解釋此實施例的輻射部件118。輻射部件118具有管件180及至少一個輻射源182。其結構與根據第一實施例的管件30及至少一個輻射源32實質上相同。管件180具有呈圓形橫截面的細長形狀且由對紫外線輻射實質上透明的材料製成。管件180接納在腔室122中，以便在腔室的整個長度內延伸，並且具有圓形橫截面的管件180的中心相對於腔室122的內壁123的部分圓形的中心朝向開口121偏移。圓形管件180亦部分地穿過開口121延伸出殼體14。亦在管件180與腔室122的內壁123之間形成流動空間184，流動空間184相對於腔室122的縱向中心平面C對稱，所述縱向中心平面在中間與開口121及供應元件160相交。流動空間184形成右分枝及左分枝，如圖3的橫截面圖中可見。分枝中的每一者在其下端處具有排出縫186。自入口通道164起至相應排出縫186止，流動腔室的分枝中的每一者具有逐漸變細的流動橫截面。分枝以與第一實施例相同的方式逐漸變細。
如根據圖3的視圖中可見，管件180位於相應調節元件134的頭部136上，且在其上部側接觸間隔件179。調節元件134及間隔件179因此提供3點接觸，且因此定義管件180在腔室122中的精確位置。如此可知，可藉由調節元件134在一定範圍內對排出縫186的寬度進行調節。調節元件134的相應頭部136形成點式支承，其並不實質上影響介質圍繞頭部的流動，使得可在排出縫186的區域中形成實質上連續的介質幕。輻射源132可以與第一實施例相同的方式置放於管狀部件180內。
根據圖2的主部件8的實施例與根據圖3至圖7的主部件108的第二實施例之間的主要差異在介質導引件的區域中。在第一實施例中經由供應線24將介質直接引入至腔室122中，而在第二實施例中則經由供應元件160引入至介質分佈通道162中，且隨後經由入口通道164引入至腔室122中。因此，實現液體介質在主體120的縱向方向上的更均勻分佈。因此，在腔室122的區域中，在流動空間184中提供更均勻的流動。特定言之，結合流動空間184的逐漸變細的橫截面，可在排出縫186處實現均勻流動，從而形成均勻液幕。
另一差異在於托架150、調節元件134以及間隔件179的使用，但其亦可以對應方式在第一實施例中使用。夾持件150用於在腔室122的區域中提供向內偏力，如參考圖8a及圖8b將更詳細解釋。
當液體介質經由介質導引件116引入至腔室122中時，在腔室的內壁123上產生向外的壓力。特別是在腔室122的最寬區域中，其中主體120具有較小橫截面，相應壓力可導致主體120變形，使得排出縫186處的寬度可增大。此點尤其適用於在主體120的縱向方向上的中間區域，因為在末端處，遮蓋部件（未繪示）將抵消相應變形。
特定言之，如圖8a中所示，排出縫186的寬度例如可能在中心區域中實質上增大，相應介質自排出縫186的排出自然亦發生變化。此將會對介質的均勻分佈起反作用。藉由使用托架150可防止此情況，如圖8b中所示。特別是在與調節元件134結合的情況下，托架150可確保排出縫186的均勻寬度。與流動腔室的流動橫截面的變化無關，托架150在確保排出縫186的恆定寬度方面亦可為有利的，特別是在與調節元件134結合時。
現將參考圖9至圖12對第一實施例的輻射部件18的不同組態進行更詳細解釋。然而，此等組態可以相同方式用於第二實施例中。
圖9a為類似於圖2的一般配置，其具有橫截面呈圓形的管件30及居中配置於管件30中的棒狀輻射源32。在適當的情況下，下文使用與第一實施例中相同的元件符號，其中不同的組態當然亦可用於第二實施例中。
具有腔室22及供應線24的殼體14僅為示意性示出。在此單元下方示意性地示出基板2。
在不同組態的示意性表示下方示出兩個圖表，其中上圖表表示在液體介質（例如過氧化氫（H2 O2 ）或去離子水）經由供應線24供應至基板且同時對輻射源32進行操作時，基板2的表面上的自由基濃度分佈。下圖表指示在藉由自由基促進的清潔過程中，可在基板上實現的漆層厚度變化，其中在此假定靜止的過程控制，亦即，單元並不跨越基板移動，而是靜止。兩個分佈皆以標準化形式示出。
如可見，自由基濃度對移除的漆層具有大的影響。另外，撞擊至基板上的輻射亦對漆層的移除量具有影響，即使此並未示出於圖9a中。舉例而言，自由基的較低濃度可藉由撞擊至基板上的輻射的增加補償，所述較低濃度將減少漆層的移除量。此並非線性關係，且藉由大量光或輻射來補償極低的自由基濃度是不可能的。因此，對於補償存在限制。在腔室22的縱向中心平面（參見虛線）區域中的自由基濃度最高，且朝外急劇降低。因此，在基板2的表面上，在橫向於腔室22的方向上的自由基濃度差異極大。排出管件的紫外線輻射大體均勻分佈，且因此漆層的移除量大體遵循自由基濃度。
圖9b為與圖9a的配置相同，然而，此處，臭氧水O3 -H2 O經由供應線24導引至基板上，同時輻射源32經激活。此處，自由基分佈的圖表示出在排出縫37直接下方的自由基最高濃度，且所述濃度朝向縱向中心平面降低。排出管件的紫外線輻射大體均勻分佈，且因此漆層的移除量亦大體遵循自由基濃度。本發明者已意識到，在此類應用中，朝向縱向中心平面增加光的強度以實現漆移除的更佳均勻性（或以類似方式受影響的過程結果）將是有益的。
圖9c示出替代性配置，其適合於在如圖9b中所示的自由基分佈存在時改善過程結果的均勻性。此處，亦使用具有圓形橫截面的管件30。輻射源32亦與先前所描述的相同。管件30經改質使得其在不同區域中具有不同透射率特性。管件30在處於腔室22內的區域具有第一透射率，且在腔室22外的區域具有另一第二透射率。特定言之，第一區域例如對紫外線輻射具有儘可能高透射率，亦即，在流動腔室內，由輻射源32提供的所有紫外線輻射實質上皆可引入至腔室22中。
另一方面，管件30的位於腔室外的區域具有較低透射率，因為紫外線輻射的吸收或反射有所增強。特定言之，管件30在縱向中心平面區域中具有最高透射率，並且透射率在朝向排出縫37的方向上逐漸降低。因此，可對撞擊至基板2的表面上的紫外線光的輻射強度進行調節，使得所述輻射強度在縱向中心平面附近最高，其中自由基的濃度與排出縫37直接下方的區域相比更低，且橫向降低。因此，不管自由基的不均勻分佈如何，可設置有提供漆的實質上均勻移除的加寬區域。即使可能未完全補償減少的自由基濃度，但可實現如圖9b中所示的情況下的大體均勻化。因此，不管自由基的濃度變化如何，可在主體20中的開口21的寬度內設定實質上均勻的過程結果，如圖9c的圖表中所示。因此，在主體20中的開口21的寬度內提供實質上均勻的大量漆移除。
對應效應可藉由管件自身的材料實現，或者藉由在管件的相應區域上或與其相鄰的塗層或箔片實現。在後一情況下，塗層或膜應較佳地配置在管件內部，以便避免對液體的任何污染，且亦能夠忽略塗層對所使用的介質的耐受性。
在圖10a至圖10c中示出輻射部件18的其他配置，其中在每種情況下僅示意性地示出具有腔室22的殼體14及供應線24。同樣亦示意性地示出基板2。圖10中並未示出如圖9a至圖9c中所示的圖表。
在根據圖10a的組態中，亦設置有容納於管件30中的單個輻射源32。在此組態中，反射塗層設置於管件30的處於腔室22內的部分上。舉例而言，此可設計為附接到管件，例如可附接到內部或外部的層或箔片。此箔片層可將自輻射源32發出的輻射完全反射，或其可僅在某一波長範圍內進行反射。在圖10a中，反射塗層的形狀以簡化方式繪示以遵循管件的輪廓。然而，就此而言形狀可偏離，其中形狀應特定設計，使得自與排出縫37相鄰的區域中管件30排出的輻射強度低於縱向中心平面C的區域中的強度，且特定言之，大體上朝向縱向中心平面C穩定地增加。因此，自管件30排出的輻射的強度在中心（縱向中心平面C附近）最高，且橫向降低。
圖10b示出反射塗層的另一配置，其中在此示出反射鏡面的另一形狀，其在上部區域中為平坦的且在剖面中相對於管件的原形呈弓弦狀。此種形狀使得尤其可能在管件30的上部區域（在反射塗層上方）設置另一幅射源（未繪示）。此另一輻射源可在不同於輻射源32的光譜範圍內進行發射，以便在流動通道的區域中提供與朝向排除縫37的區域且在基板2的方向上導引的輻射不同的輻射。除過程結果，諸如漆移除（藉助於調節局部地撞擊至基板上的輻射與局部自由基濃度之間的特定比率）的均勻化以外，亦可實現波長選擇（在裝置的不同區域內，特別是在腔室22內以及在主體外，提供具有不同主要光譜範圍的輻射）。
此亦可經由反射塗層的選擇性反射特性實現，其例如可允許波長小於200奈米的紫外線輻射通過，且實質上可反射波長大於200奈米的紫外線輻射。此當然亦適用於根據圖10a的實施例。
在兩種情況下，即在根據圖10a及圖10b的配置中，亦可藉由以使額外輻射源自外部發射至腔室22中的方式將額外輻射源配置於主體20內來實現波長選擇。在此情況下，發射至腔室22中的輻射可例如主要在小於200奈米的範圍內，例如大致為185奈米。自腔室22經由開口21射出的輻射可主要在大於200奈米的範圍內，例如大致為254奈米。小於200奈米的輻射可主要用於使流動通道中的介質分解，而大於200奈米的輻射可主要用於產生自由基。
除輻射強度的特定空間分佈以外，亦可藉由上述組態輕易實現額外波長選擇，其在流動腔室內提供與自腔室朝基板2射出的輻射不同的輻射。
同樣在此情況下，反射塗層或鏡元件應特定地設計以使得自管件30排出的輻射的強度在縱向中心平面C附近最高，且在此橫向降低。
根據圖10c的實施例亦可實現類似效果。在此實施例中，輻射部件18亦具有管件30。在管件內設置有第一輻射源32，其可屬於上文所描述的類型。在第一輻射源下方設置有呈凹面狀向上彎曲的鏡元件200，其實質上將輻射源32發射的輻射向上反射回去。在鏡元件200下方設置有不同配置的第二輻射源210。特定言之，示出七個輻射源210。此等輻射源210各自至少以不同強度發射紫外線範圍內的光。特定言之，強度自中間輻射源210至外側輻射源210不斷降低。亦即，最外側輻射源210以最低強度發射光。在此配置中，亦可實現自管件30排出的光的所要強度分佈，使得自管件30排出的輻射的強度在所述配置的縱向中心平面C附近最高，且橫向降低。
特定言之，藉由前述優勢，可在主體20中的開口21的寬度內獲得實質上均勻的過程結果，諸如漆移除（藉助於調節局部撞擊至基板上的輻射與局部自由基濃度之間的特定比率）。另外，此組態亦提供某一波長選擇，使得發射至流動空間中的輻射可具有與自開口21發射的輻射不同的光譜範圍。
舉例而言，第一輻射源亦可在小於200奈米的範圍內發射，例如大致為185奈米，而輻射源210例如在大於200奈米的範圍內發射輻射，特別是大致為254奈米。
圖11及圖12示出輻射部件18的其他配置。此外，示意性地示出具有腔室22及開口21的主體20以及基板2。
根據圖11的配置中的輻射部件18亦具有管件30，其對紫外線輻射實質上透明。在管件30內，示出兩個輻射源220、222。兩個輻射源220、222在管件30內相疊配置。輻射源220、222屬於不同類型，且尤其在不同光譜範圍內進行發射。在此，上輻射源220例如主要在小於200奈米的光譜範圍內發射輻射，例如為185奈米，而下輻射源222主要在大於200奈米的光譜範圍內發射輻射，例如為254奈米。
在輻射源220與輻射源222之間設置有兩側皆具反射性的彎曲反射器226。反射器基本上使得發射至流動空間中的輻射與自開口21射出的輻射分隔。反射器226經配置使得輻射自上部輻射源220及下輻射源222兩者發射至相應流動通道的與排出縫37相鄰的末端區域中。
如上文所提及，小於200奈米的輻射主要用於實質上使流動通道中的介質分解，而大於200奈米的輻射用於產生自由基。由於期望在流動通道的末端區域中產生自由基，如圖所示的組態是有利的。反射器126的向下指向區域的曲率可以使得局部撞擊至基板上的輻射與局部自由基濃度之間的所要比率亦可在儘可能寬的區域內實現的方式特定地選擇，所述比率實現均勻處理。此處，比率發生改變，使得輻射的強度隨著自由基濃度降低而增大，如上文所描述。特定言之，輻射的強度在配置的縱向中心平面附近最高，且降低橫向。
在根據圖12的實施例中，再次提供具有兩個輻射源220、222的管件30，其如圖11中的可在不同光譜區域中發射。亦有可能省掉上部輻射源220。此外，鏡元件240設置於管件30中。鏡元件具有風格化的M形狀，如圖12中可見，其中較低輻射源配置於M形狀內，而任選的上部輻射源220配置於鏡元件上方。特定言之，鏡元件具有兩個間隔開且實質上平行的第一側邊241。在第一側邊中的每一者的上部末端處設置有第二側邊242，第二側邊242向內成角度。在第二側邊242中的每一者的上部末端處，設置有向內延伸的第三側邊243。第三側邊243經配置在相同平面中且實質上彼此平行並垂直於第一側邊241延伸。在每一第三腿部的內部末端處設置有第四側邊244，其相對於第三側邊243以一定角度向內延伸且在第一側邊241之間的中心中接合。在每種情況下，第一側邊與第二側邊之間、第二側邊與第三側邊之間以及第三側邊與第四側邊之間的相應角度大於90°。如圖所示，相應第二側邊、第三側邊以及第四側邊形成屋頂形狀。鏡元件240配置於管件30中，使得第一側邊實質上平行於所述配置的縱向中心平面，且鏡元件相對於所述配置的縱向中心平面對稱。如圖12中所示，鏡元件240經配置使得第二輻射源222的輻射至少部分地達到腔室22，且尤其達到與腔室22的相應排出縫37相鄰的區域。替代地或附加地，額外反射器可設置於如圖12中所示的配置中，其例如配置於第一輻射源上方且防止輻射朝向供應線24的區域直接發射。特定言之，此類反射器可在更大區域內延伸且可朝向排出縫37或與排出縫37相鄰的腔室22的區域特定地導引輻射。
在此配置中，亦可實現排出管件的光的所要強度分佈，使得排出管件的輻射的強度在所述配置的縱向中心平面附近最高，且橫向降低。
現將更詳細解釋裝置1的操作。最初假定存在根據圖1及圖2的配置。對於不同實施例而言，操作不會改變。
將塗佈單元6，特別是主部件8送入至與基板2相鄰的位置中，在所述位置中，自開口21排出的液體並未到達基板2。經由介質接口16，將液體介質（例如經稀釋的過氧化氫水或臭氧水O3 -H2 O）引入至腔室22中並同時打開輻射源32。
在管件30與腔室22的內壁23之間的流動腔室中形成液流，其在排出縫37的方向上加速。特定言之，自供應線24的端處的頂部區域至排出縫為止，液體速度藉助於對應的橫截面變化以10:1至40:1的範圍內的係數，且較佳地以15:1至25:1的範圍內的係數加速。
在主部件8下方形成水幕，其在主部件8的長度的主要部分上均勻地延伸。藉由輻射源32發射的輻射，在流動通道中，亦即在供應線24與排出縫36之間將液體分解，以破壞液體內的非所需反應性物質。同時，藉由輻射在液體中產生自由基。此等機制主要發生於輻射的不同光譜區域處。對於所述分解，在小於200奈米的光譜範圍內的輻射是有利的，而對於自由基產生，大於200奈米，尤其大致254奈米的輻射是所要的。在無特別量測的情況下，如圖9至圖11中所描述，自輻射源32發出的輻射在流動通道的區域中及在主體20外實質上相同，且通常既含有大於亦含有小於200奈米的輻射分量。歸因於流動通道中的加速流動實現流動的均勻化，且因此在較大寬度內均勻地形成液幕。
如所描述，一方面，在流動通道中，液體經分解且非所需反應性物質破碎，而同時自由基，特別是羥基自由基得以產生。當塗佈單元6的主部件8隨後在基板2上移動時，此等自由基尤其在排出縫37的區域中產生，使得其可存在足夠的時間以達至基板2的表面。
基板2例如可為光罩，需要清潔其上的漆或光阻殘留物。可在光罩的整個區域內或僅在遮罩的特定區域內進行此類清潔。藉由塗佈單元6的主部件8在基板上的移動，液幕跨越基板2移動。輻射源32在液體內持續產生自由基，其中尤其在排出縫的區域中及主體20中的開口21下方的自由基的相應產生較為重要，且如實施例中所描述自由基的產生可藉由特定量測集中於此。因此，在開口21下方的液體帶有自由基，且對漆或光阻清潔而言特別有效。
在此，特別是當使用臭氧水O3 -H2 O時，增強的自由基濃度可在排出縫37的直接下方出現，所述濃度橫向降低，如圖9b所指示。除帶有自由基的液體之外，輻射源32的紫外線輻射的部分達至待處理的基板的表面，其中輻射進一步激活表面且藉助於自由基促進相應清潔。在此，局部撞擊至基板的表面區域上的輻射的強度與局部自由基濃度應處於所要比率，以便補償在開口21的寬度內出現的自由基濃度的不均勻性。特別是在自由基濃度局部較低的情況下，應提供較高強度的撞擊至待處理的基板的表面上的輻射。特定言之，根據本發明，其經提供以影響經由管件30排出開口21的輻射，使得輻射強度朝向腔室22的縱向中心平面增加。在並不在開口21的直接下方的區域中，液體的自由基濃度迅速降低，因為自由基迅速地分解，其中自由基的降低濃度結合此等區域中的紫外線輻射的低強度導致對基板的影響的快速下降。過程在開口下方最有效且可藉助於紫外線輻射的強度與自由基的濃度的相應調節在開口的寬度內均質化。
可使拂掠基板上的液幕的速度與所需的清潔性能匹配，以實現帶有自由基的液體在所述基板上的足夠長的停留時間。當遮罩經相應清潔時，可停止介質供應且將輻射源關斷，或可以對應方式處理下一基板2。
上文已參考本發明的較佳實施例對本發明進行了詳細解釋，但本發明不限於所述具體實施例。特定言之，在具備相容性的情況下，可將實施例的不同特徵彼此自由組合或交換。
1‧‧‧裝置
2‧‧‧基板
4‧‧‧基板固持器
6‧‧‧塗佈單元
8、108‧‧‧主部件
10‧‧‧支承部件
12‧‧‧支承臂
14、114‧‧‧殼體
16‧‧‧介質接口
18、118‧‧‧輻射部件
20、120‧‧‧主體
21、121‧‧‧開口
22、122‧‧‧腔室
23、123‧‧‧內壁
24‧‧‧供應管線
30、180‧‧‧管件
32、182、220、222‧‧‧輻射源
37、186‧‧‧排出縫
40‧‧‧空間
116‧‧‧介質導引件
124‧‧‧底部
126‧‧‧圓形邊緣
128‧‧‧側壁
130‧‧‧凹口
132、170‧‧‧通孔
134‧‧‧調節元件
136‧‧‧頭部件
138‧‧‧調節部件
140‧‧‧頂側
142、144‧‧‧凹口
146‧‧‧螺紋孔
147‧‧‧蓋板
150‧‧‧夾持元件
152‧‧‧側邊
154‧‧‧底座部分
160‧‧‧供應元件
162‧‧‧介質分佈通道
164‧‧‧入口通道
166‧‧‧截錐形部分
168‧‧‧環狀接口
174‧‧‧縱向孔
176‧‧‧加寬區段
177‧‧‧壁部件
178‧‧‧盲孔
179‧‧‧間隔件
184‧‧‧流動空間
226‧‧‧反射器
240‧‧‧鏡元件
241‧‧‧第一側邊
242‧‧‧第二側邊
243‧‧‧第三側邊
244‧‧‧第四側邊
A‧‧‧雙箭頭
B‧‧‧雙箭頭
C‧‧‧縱向中心平面
II-II‧‧‧線
III-III‧‧‧線
IV-IV‧‧‧線
在本文中，下文將參考圖式更詳細地解釋本發明。在圖式中： 圖1為基板處理裝置的俯視圖，其具有用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的根據本發明的裝置。 圖2為根據本發明的裝置沿圖1中的線II-II的剖視圖。 圖3為沿圖4中的線III-III截取的剖視圖，其類似於圖2，但示出一替代性實施例。 圖4為圖3中所示的本發明的替代性實施例中的殼體沿圖3中的線IV-IV的縱向剖視圖。 圖5為圖4所示殼體的透視圖。 圖6為圖4所示殼體的俯視圖。 圖7為夾緊托架（clamping bracket）的前視圖。 圖8a及圖8b為根據本發明的裝置的排出縫區域內的水平剖視圖，其對夾緊托架的效果進行說明。 圖9a至圖9c為上述類型的裝置的輻射部分的不同配置的剖視圖。 圖10a至圖10c為輻射部件的發明性替代性實施例的剖視圖。 圖11為輻射部件的另一替代性配置的剖視圖。 圖12為類似於圖11的輻射部件的另一配置的剖視圖。

Claims (10)

  1. 一種用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，所述裝置包括： 具有細長腔室的殼體； 至少一個進入口，通向所述腔室；以及 至少一個縫狀排出口，與所述進入口相對且在所述腔室的長度內延伸； 管件，在縱向方向上延伸穿過所述腔室，所述管件對紫外線輻射而言至少部分透明，其中所述管件配置於所述腔室中，使得在所述管件與所述腔室的壁之間形成流動空間，所述流動空間相對於所述腔室的縱向中心平面對稱，所述縱向中心平面在其中間剖開所述排出口，且使得所述管件延伸至所述殼體中的所述縫狀排出口中，藉此在所述管件與所述殼體之間形成兩個縱向延伸的排出縫；以及 至少一個紫外線輻射源，位於所述管件中，所述紫外線輻射源經配置以在所述流動空間方向上並穿過所述排出口自所述殼體發射紫外線輻射，以在所述液體中產生自由基並將所述自由基送至所述基板的表面， 其特徵在於： 用於調節通過所述管件離開所述排出口的所述輻射，以使得所述輻射的強度朝向所述腔室的所述縱向中心平面增加的設備。
  2. 如申請專利範圍第1項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述管件具有圓形橫截面，且所述設備包括至少一個光學元件，所述至少一個光學元件經配置以改變排出所述管件的所述輻射的強度，使得強度朝向所述腔室的所述縱向中心平面穩定地增加。
  3. 如申請專利範圍第2項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述至少一個光學設備包括至少一個鏡元件，其配置在所述至少一個輻射源的與所述基板相對的側面處及/或鄰近所述輻射源並將輻射朝向所述排出口反射。
  4. 如申請專利範圍第3項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述鏡元件相對於所述腔室的所述縱向中心平面對稱。
  5. 如申請專利範圍第3或4項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述鏡元件至少部分地包圍所述至少一個輻射源。
  6. 如申請專利範圍第1至5項中任一項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述至少一個輻射源配置於所述腔室的所述縱向中心平面上且在所述管件的橫向中心平面下方，所述至少一個輻射源垂直於所述腔室的所述縱向中心平面延伸並在中間剖開所述管件，亦即所述輻射元件朝向所述排出口移位。
  7. 如申請專利範圍第6項組合第3項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述鏡元件至少部分地配置於所述管件的所述橫向中心平面下方。
  8. 如申請專利範圍第1至7項中任一項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，其中所述裝置包括多個至少三個紫外線輻射源，所述紫外線輻射源位於所述管件內且彼此相鄰，所述紫外線輻射源相鄰於配置在所述排出口中或所述腔室外的部分所述管件，其中相鄰的所述輻射源以不同輻射強度發射紫外線輻射。
  9. 如申請專利範圍第10項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，更包括： 至少一個分隔元件，位於所述管件中，所述至少一個分隔元件基本上阻擋了所述多個紫外線輻射源中的在所述流動空間的方向上的輻射。
  10. 如申請專利範圍第1至9項中任一項所述的用於將被紫外線輻射照射的液體介質塗佈至基板上的裝置，所述裝置包括： 至少一個第一紫外線輻射源，位於所述管件中，所述第一紫外線輻射源經配置以將紫外線輻射至少發射至所述流動空間中；以及 至少一個第二紫外線輻射源，經配置而只由所述排出口發射紫外線輻射。
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Family Cites Families (17)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH1110101A (ja) * 1997-06-18 1999-01-19 Nikon Corp 光洗浄装置
JP2001300451A (ja) 2000-04-25 2001-10-30 Hoya Schott Kk 紫外光照射装置
RU2195046C2 (ru) * 2000-06-15 2002-12-20 Акционерное общество открытого типа "НИИ молекулярной электроники и завод "Микрон" Способ очистки поверхности
DE10130999A1 (de) * 2000-06-29 2002-04-18 D M S Co Multifunktions-Reinigungsmodul einer Herstellungseinrichtung für Flachbildschirme und Reinigungsgerät mit Verwendung desselben
TWI251506B (en) * 2000-11-01 2006-03-21 Shinetsu Eng Co Ltd Excimer UV photo reactor
JP2003159571A (ja) * 2001-11-27 2003-06-03 Ushio Inc 紫外線照射装置
WO2004104707A2 (de) * 2003-05-22 2004-12-02 Philips Intellectual Property & Standards Gmbh Verfahren und vorrichtung zum reinigen mindestens einer optischen komponente
JP2008068155A (ja) * 2006-09-12 2008-03-27 Ushio Inc エキシマ光照射装置
JP4905049B2 (ja) * 2006-10-17 2012-03-28 株式会社Ｇｓユアサ 紫外線照射装置及びそれの調整方法
JP5017232B2 (ja) * 2007-10-31 2012-09-05 エーエスエムエル ネザーランズ ビー．ブイ． クリーニング装置および液浸リソグラフィ装置
JP2009268974A (ja) * 2008-05-08 2009-11-19 Toppan Printing Co Ltd 紫外線照射方法及び紫外線照射装置
DE102009058962B4 (de) * 2009-11-03 2012-12-27 Suss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Verfahren und Vorrichtung zum Behandeln von Substraten
JP5348156B2 (ja) * 2011-03-01 2013-11-20 ウシオ電機株式会社 光照射装置
KR102139391B1 (ko) * 2012-05-18 2020-07-30 레이브 엔.피., 인크. 오염 제거 장치 및 방법
US20150167160A1 (en) * 2013-12-16 2015-06-18 Applied Materials, Inc. Enabling radical-based deposition of dielectric films
US20160111342A1 (en) * 2014-10-17 2016-04-21 Lam Research Corporation Method and apparatus for characterizing metal oxide reduction
DE102015011229B4 (de) * 2015-08-27 2020-07-23 Süss Microtec Photomask Equipment Gmbh & Co. Kg Vorrichtung zum Aufbringen eines mit UV-Strahlung beaufschlagten flüssigen Mediums auf ein Substrat

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