TW201834277A - 熱流束感測器 - Google Patents

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TW201834277A
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原田敏一
坂井田敦資
井村友弘
坂下祐基
渡邉隼人
白石芳彦
松井啓仁
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日商電裝股份有限公司
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    • G01MEASURING; TESTING
    • G01KMEASURING TEMPERATURE; MEASURING QUANTITY OF HEAT; THERMALLY-SENSITIVE ELEMENTS NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
    • G01K17/00Measuring quantity of heat
    • G01K17/06Measuring quantity of heat conveyed by flowing media, e.g. in heating systems e.g. the quantity of heat in a transporting medium, delivered to or consumed in an expenditure device
    • G01K17/08Measuring quantity of heat conveyed by flowing media, e.g. in heating systems e.g. the quantity of heat in a transporting medium, delivered to or consumed in an expenditure device based upon measurement of temperature difference or of a temperature
    • G01K17/20Measuring quantity of heat conveyed by flowing media, e.g. in heating systems e.g. the quantity of heat in a transporting medium, delivered to or consumed in an expenditure device based upon measurement of temperature difference or of a temperature across a radiating surface, combined with ascertainment of the heat transmission coefficient

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Abstract

熱流束感測器(10),是具備絕緣構件(12)。絕緣構件(12),是薄膜狀,具有第1面(12a)及其相反側的第2面(12b)。絕緣構件(12),是具有彼此相面對的第1、第2相面對壁面(41、42)。第1、第2相面對壁面(41、42),是在絕緣構件(12)之中未被配置有第1熱電構件(18)、第2熱電構件(20)、第1導體圖型(22)及第2導體圖型(24)的領域,從第1面(12a)至第2面(12b)為止延伸,並且在第1面(12a)及第2面(12b)中,呈線狀延伸。絕緣構件(12)被拉引的情況,在第1、第2相面對壁面(41、42)之間,形成有從第1面(12a)至第2面(12b)為止貫通絕緣構件(12)的空間部(40)。

Description

熱流束感測器
本發明,是有關於熱流束感測器者。
在日本特開2004-153128號公報已揭示薄膜狀的熱電模組。此熱電模組,是只有在熱電模組的單面設有開縫。開縫,是空間部。由此,此熱電模組,在將熱電模組彎曲時可以獲得必要的延伸。即,熱電模組之中因為單面側可延伸,所以可以將單面側作為彎曲的外側將熱電模組彎曲。因此,可以將熱電模組與曲面密合地設置。
可考慮將上述的習知的熱電模組,作為檢出熱流束的熱流束感測器使用。   但是上述的習知的熱電模組,不是熱電模組的整體具有延伸性。因此,被測量物若延伸的情況,熱流束感測器無法追從被測量物地延伸。即使將熱流束感測器設置在被測量物,熱流束感測器仍遠離被測量物。且,被測量物的測量面是具有凹凸等的複雜的形狀的情況,無法將熱流束感測器的形狀對應測量面的形狀。因此,熱流束感測器及被測量物之間的間隙會產生。   如此,測量物是延伸的情況、和被測量物的測量面是具有複雜的形狀的情況,在熱流束的測量時,無法將熱流束感測器與被測量物的測量面密合。在熱流束感測器及被測量物之間若空氣層發生的話,空氣層會成為熱阻力。因此,無法將從被測量物被放出的熱流或是朝被測量物流入的熱流的熱流束精度佳地測量。   本發明的目的是提供一種熱流束感測器,即使是被測量物是延伸的情況、和被測量物的測量面是具有複雜的形狀的情況,也可以精度佳地將熱流束測量。   依據本發明的一態樣的話,是薄膜狀的熱流束感測器,具備:具有第1面及第1面的相反側的第2面,且具有可撓性的薄膜狀的絕緣構件;及被配置於絕緣構件的內部,且由第1熱電材料所構成的複數第1熱電構件;及被配置於絕緣構件的內部,且與第1熱電材料由相異的第2熱電材料所構成,且複數第1熱電構件各別交互地並列的複數第2熱電構件;及對於複數第1熱電構件及複數第2熱電構件被配置於第1面側,且將複數第1熱電構件及複數第2熱電構件之中相鄰地並列的第1熱電構件及第2熱電構件連接的複數第1導體圖型;及對於複數第1熱電構件及複數第2熱電構件被配置於第2面側,且將複數第1熱電構件及複數第2熱電構件之中相鄰地並列的第1熱電構件及第2熱電構件連接的複數第2導體圖型。絕緣構件,是具有彼此相面對的第1、第2相面對壁面。第1、第2相面對壁面,是在絕緣構件之中未被配置有第1熱電構件、第2熱電構件、第1導體圖型及第2導體圖型的領域中,從第1面至第2面為止延伸,並且在第1面及第2面中,呈線狀延伸。絕緣構件,是若絕緣構件是由沿著第1面及第2面的方向被拉引的情況,在第1、第2相面對壁面之間,形成有從第1面至第2面為止貫通絕緣構件的空間部。   由此,第1、第2相面對壁面是從絕緣構件的第1面至第2面為止延伸地形成。第1、第2相面對壁面是在絕緣構件的第1面及第2面被配置成線狀。由此,不是只有絕緣構件的單面側,包含絕緣構件的第1面側及第2面側的絕緣構件的整體也具有延伸性。即,在沿著絕緣構件的第1面及第2面的方向,可以將絕緣構件的整體延伸。   因此,將此熱流束感測器設置在延伸的被測量物的情況,可以追從被測量物的延伸將熱流束感測器延伸。因此,可以維持將熱流束感測器與被測量物的測量面密合的狀態。   且將此熱流束感測器設置在測量面是具有複雜的形狀的被測量物的情況,可以將熱流束感測器延伸,將熱流束感測器的形狀對應測量面的形狀。因此,可以將熱流束感測器與被測量物的測量面密合。   因此,依據此熱流束感測器的話,即使被測量物是延伸的情況、和被測量物的測量面是具有複雜的形狀的情況,也可以精度佳地將熱流束測量。
以下,依據圖面說明本發明的實施例。又,在以下的各實施例彼此之間,對於彼此同一或是均等的部分,是附加同一符號進行說明。 (第1實施例)   如第1、2圖所示,本實施例的熱流束感測器10,是薄膜狀。薄膜狀,是指薄的狀態的意思。熱流束感測器10,是具有第1面10a及其相反側的第2面10b。熱流束感測器10的平面形狀,是四角形。   如第2圖所示,熱流束感測器10,是具備:絕緣構件12、及第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16。   絕緣構件12,是薄膜狀,具有第1面12a及其相反側的第2面12b。絕緣構件12,是由具有可撓性的絕緣材料所構成。絕緣材料,是使用熱可塑性樹脂。對於絕緣構件12的詳細如後述。   第1延伸性薄膜14,是被層疊於絕緣構件12的第1面12a。第1延伸性薄膜14的與絕緣構件12側相反側的表面,是構成熱流束感測器10的第1面10a。   第2延伸性薄膜16,是被層疊於絕緣構件12的第2面12b。第2延伸性薄膜16的與絕緣構件12側相反側的表面,是構成熱流束感測器10的第2面10b。   第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16,是由與絕緣構件12相同的尺寸條件相比較,具有延伸性比絕緣構件12更高的薄膜狀的延伸性構件。相同的尺寸條件,是指面積及厚度為相同的意思。第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16,是具有通氣性。第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16,是使用氟樹脂多孔質膜等的樹脂製多孔質膜。   熱流束感測器10,是具備:複數第1熱電構件18、及複數第2熱電構件20、及複數第1導體圖型22、及複數第2導體圖型24。   複數第1熱電構件18,是被配置於絕緣構件12的內部。複數第1熱電構件18,是由第1熱電材料所構成。複數第2熱電構件20,是被配置於絕緣構件12的內部。複數第2熱電構件20,是由與第1熱電材料相異的第2熱電材料所構成。第1熱電材料及第2熱電材料,是使用半導體材料和金屬材料。在沿著絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的方向,複數第2熱電構件20,是各別與複數第1熱電構件18各別交互地並列。   複數第1導體圖型22,是將複數第1熱電構件18及複數第2熱電構件20之中相鄰地並列的第1熱電構件18及第2熱電構件20連接的連接構件。複數第1導體圖型22,是對於複數第1熱電構件18及複數第2熱電構件20被配置於絕緣構件12的第1面12a側。   複數第2導體圖型24,是將複數第1熱電構件18及前述複數第2熱電構件20之中相鄰地並列的第1熱電構件18及第2熱電構件20連接的連接構件。複數第2導體圖型24,是對於複數第1熱電構件18及複數第2熱電構件20被配置於絕緣構件12的第2面12b側。   複數第1導體圖型22及複數第2導體圖型24,是使平面形狀被作成所期的圖型的導體膜。導體膜,是使用金屬薄膜。   在本實施例中,絕緣構件12,是包含:基材26、及第1保護構件28、及第2保護構件30。   基材26、第1保護構件28及第2保護構件30,是各別為薄膜狀。基材26、第1保護構件28及第2保護構件30,是各別由具有可撓性的熱可塑性樹脂所構成。基材26、第1保護構件28及第2保護構件30,是由:熱可塑性樹脂以外的具有可撓性的樹脂材料、和樹脂材料以外的具有可撓性的絕緣材料所構成也可以。   基材26,是具有第1面26a及其相反側的第2面26b。基材26,是形成有朝其厚度方向貫通的複數第1貫通孔261及複數第2貫通孔262。複數第1貫通孔261及複數第2貫通孔262,是從第1面26a至第2面26b為止貫通基材26。在第1貫通孔261被配置有第1熱電構件18。在第2貫通孔262被配置有第2熱電構件20。   第1保護構件28,是被層疊於基材26的第1面26a。第1保護構件28,是具有:基材26側的表面28a、及與基材26側相反側的表面28b。相反側的表面28b是構成絕緣構件12的第1面12a。   第2保護構件30,是被層疊於基材26的第2面26b。第2保護構件30,是具有:基材26側的表面30a、及與基材26側相反側的表面30b。相反側的表面30b,是構成絕緣構件12的第2面12b。   複數第1導體圖型22,是被配置於基材26的第1面26a及第1保護構件28之間。複數第2導體圖型24,是被配置於基材26的第2面26b及第2保護構件30之間。如此,複數第1導體圖型22及複數第2導體圖型24,是被配置於絕緣構件12的內部。   熱流束感測器10,是在第1面10a及第2面10b的一方與無圖示的被測量物的測量面接觸的狀態下,被設於被測量物的測量面。熱流是以從熱流束感測器10的第1面10a及第2面10b的一方朝向另一方的方向,通過熱流束感測器10。此時,在熱流束感測器10的第1面10a側及第2面10b側會發生溫度差。即,在彼此被連接的第1熱電構件18及第2熱電構件20的各一方側及另一方側會發生溫度差。由此,藉由塞貝克效果而在第1熱電構件18及第2熱電構件20發生熱電動勢。熱流束感測器10,是將此熱電動勢,具體而言,電壓作為感測器訊號輸出。如此,熱流束感測器10,是將對應通過熱流束感測器10的熱流的熱流束的大小的感測器訊號輸出。   如第2圖所示,藉由連接複數第1熱電構件18、及複數第2熱電構件20、及複數第1導體圖型22、及複數第2導體圖型24,而形成導體部32。導體部32,是依第1熱電構件18、第1導體圖型22、第2熱電構件20、第2導體圖型24的順序,將這些反覆串聯地連接而成。   第3圖,是顯示絕緣構件12的第1面12a。第4圖,是顯示絕緣構件12的第2面12b。第4圖,是將絕緣構件12從與第3圖相反的方向所見的圖。因此,第4圖的左右方向,是與第3圖為相反關係。在第3、4圖中,將導體部32連接的樣子由二點虛線(L1)顯示。   如第3、4圖所示,導體部32,是在沿著絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的方向,成為蛇行的形狀。此導體部32的形狀,是由絕緣構件12的厚度方向,將導體部32朝規定的平面投影時,被投影的導體部32的形狀。規定的平面,是例如,絕緣構件12的第1面12a。   在此,將第3、4圖的上下方向設成縱方向。將第3、4圖的左右方向設成橫方向。此時,導體部32,是具有:導體部32之中橫方向的一方側也就是第1導體部321、及導體部32之中橫方向中的另一方側也就是第2導體部322。第3圖的左側及第4圖的右側是對應橫方向的一方側。第3圖的右側及第4圖的左側是對應橫方向的另一方側。   第1導體部321,是以一邊朝橫方向的一方側及另一方側交互地擺動,一邊從縱方向的一方側朝另一方側前進的方式蛇行的形狀。第3、4圖的下側是對應縱方向的一方側。第3、4圖的上側是對應縱方向的另一方側。   第2導體部322,是使橫方向中的擺動側成為與第1導體部321相反的方式,一邊朝橫方向的一方側及另一方側交互地擺動,一邊從縱方向的一方側朝另一方側前進的蛇行形狀。第1導體部321及第2導體部322,是由縱方向的另一方側連接。   如第3、4圖所示,在本實施例的絕緣構件12中,形成有開縫40。開縫40,是在絕緣構件12的第1面12a及第2面12b中呈線狀延伸的空間部。開縫40,是形成於彼此相面對的一對的壁面也就是第1、第2相面對壁面41、42之間。   如第5圖-第13圖所示,開縫40,是從絕緣構件12的第1面12a至第2面12b為止貫通絕緣構件12。換言之,第1、第2相面對壁面41、42,是從絕緣構件12的第1面12a至第2面12b為止延伸。   如第3圖-第13圖所示,開縫40,是形成於絕緣構件12之中未形成有導體部32的領域。即,開縫40,是形成於絕緣構件12之中未被配置有第1熱電構件18、第2熱電構件20、第1導體圖型22及第2導體圖型24的領域。   如第3圖所示,更具體而言,開縫40,是具有朝橫方向延伸的複數第1開縫401。複數第1開縫401,是各別形成於導體部32之中在縱方向相鄰接的部分之間。因此,複數第1開縫401,是各別彼此隔有間隔地在縱方向被並列配置。   開縫40,是具有朝縱方向延伸的1個第2開縫402。第2開縫402,是形成於第1導體部321及第2導體部32之間。換言之,第2開縫402,是形成於導體部32之中在橫方向相鄰接的部分之間。   如此,絕緣構件12,是具有第1開縫401及第2開縫402。因此,如第14圖所示,絕緣構件12,是在縱方向及橫方向的兩方向,具有延伸性。   在此,如第3、14圖所示,絕緣構件12,是藉由第1開縫401及第2開縫402而被分隔成複數領域121。複數領域121,是各別與絕緣構件12相比較,寬度變小。因此,在沿著絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的方向,拉伸的力是施加在絕緣構件12時,施加於複數領域121的各應力,是比施加於絕緣構件12整體的應力更大。因此,在絕緣構件12沒有開縫40的情況,與將絕緣構件12拉伸的力是相同時相比較,複數領域121,是各別大幅地變形。即,本實施例的絕緣構件12,是與沒有開縫40的情況相比較,延伸性較高。   且絕緣構件12是容易朝對於呈線狀延伸的開縫40交叉的方向變形。更詳細說明的話,複數領域121,是各別容易朝對於複數領域121延伸的方向交叉的方向彎曲。因此,絕緣構件12,是可以藉由第1開縫401而朝縱方向延伸。絕緣構件12,是可以藉由第2開縫402而朝橫方向延伸。   在本實施例中,如第3-13圖所示,在沿著絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的方向,絕緣構件12未被拉引的情況,第1、第2相面對壁面41、42會接觸,開縫40會阻塞。即,成為在第1、第2相面對壁面41、42之間未形成由開縫40所產生的空間部的狀態。   如第14圖所示,在沿著絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的方向,絕緣構件12被拉引的情況,在第1、第2相面對壁面41、42之間,形成有開縫40。即,開縫40是成為開口的狀態。   又,即使絕緣構件12未被拉引的情況時,也在第1、第2相面對壁面41、42之間形成有開縫40也可以。即,在第1、第2相面對壁面41、42之間,藉由開縫40產生空間部也可以。   接著,使用第15圖A-第15圖H,說明本實施例的熱流束感測器10的製造方法。又,第15圖A-第15圖H,是對應第7圖所示的熱流束感測器10的剖面圖。   如第15圖A所示,準備薄膜狀的基材51。基材51,是具有第1面51a及其相反側的第2面51b。   接著,如第15圖B所示,在基材51形成複數第1貫通孔261及複數第2貫通孔262。複數第1貫通孔261及複數第2貫通孔262,是從第1面51a至第2面51b為止貫通基材51。第1貫通孔261及第2貫通孔262是交互地配置。   接著,如第15圖C所示,在複數第1貫通孔261各別將粉末狀的第1熱電構件52充填。在複數第2貫通孔262各別將粉末狀的第2熱電構件53充填。   接著,如第15圖D所示,準備第1保護構件54及第2保護構件55。在第1保護構件54的表面形成有複數第1導體圖型56。在第2保護構件55的表面形成有複數第2導體圖型57。   且將第1保護構件54之中複數第1導體圖型56側作為基材51側,將第1保護構件54層疊於基材51的第1面51a。將第2保護構件55之中的複數第2導體圖型57側作為基材51側,將第2保護構件55層疊於基材51的第2面51b。由此,形成使基材51、及第1保護構件54、及第2保護構件55被層疊的層疊體58。   接著,如第15圖E所示,將層疊體58一邊加熱一邊加壓。由此,基材51、及第1保護構件54、及第2保護構件55被一體化。使複數第1熱電構件52各別被燒結。使複數第2熱電構件53各別被燒結。如此,形成使複數第1熱電構件18、及複數第2熱電構件20、及複數第1導體圖型22、及複數第2導體圖型24被配置於內部的絕緣構件12。絕緣構件12,是第1面12a及第2面12b。   又,基材51、第1面51a、第2面51b、第1熱電構件52、第2熱電構件53、第1保護構件54、第2保護構件55、第1導體圖型56、第2導體圖型57,是各別對應基材26、第1面26a、第2面26b、第1熱電構件18、第2熱電構件20、第1保護構件28、第2保護構件30、第1導體圖型22、第2導體圖型24。   接著,如第15圖F所示,在絕緣構件12形成開縫40。即,形成第1、第2相面對壁面41、42。   接著,如第15圖G所示,準備:第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16。將第1延伸性薄膜14層疊在絕緣構件12的第1面12a。將第2延伸性薄膜16層疊在絕緣構件12的第2面12b。由此,形成絕緣構件12、及第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16被層疊的層疊體59。   接著,如第15圖H所示,將層疊體59加壓。或是將層疊體59一邊加熱一邊加壓。由此,絕緣構件12、及第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16被一體化。如此,本實施例的熱流束感測器10被製造。   接著,說明本實施例的熱流束感測器10的效果。   本實施例的熱流束感測器10,是在絕緣構件12形成有開縫40。如第5圖-第13圖所示,開縫40,是從絕緣構件12的第1面12a至第2面12b為止貫通。如第3、4圖所示,開縫40,是在絕緣構件12的第1面12a及第2面12b被配置成線狀。   由此,不是只有絕緣構件12的單面側,包含絕緣構件12的第1面12a側及第2面12b側的絕緣構件12的整體皆具有延伸性。即,可以在沿著絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的方向,將絕緣構件12的整體延伸。   開縫40,是具有朝橫方向延伸的第1開縫401及朝縱方向延伸的第2開縫402。由此,在縱方向及橫方向的兩方向,絕緣構件12是具有延伸性。   第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16也具有延伸性。因此,本實施例的熱流束感測器10,是具有延伸性。   因此,將此熱流束感測器10設置在延伸的被測量物的情況時,可以追從被測量物的延伸將熱流束感測器10延伸。因此,可以維持將熱流束感測器10與被測量物的測量面密合的狀態。   且將此熱流束感測器10設置在測量面是具有複雜的形狀的被測量物的情況時,可以將熱流束感測器10延伸,將熱流束感測器10的形狀對應測量面的形狀。因此,可以將熱流束感測器10與被測量物的測量面密合。   因此,依據此熱流束感測器10的話,即使被測量物是延伸的情況、和被測量物的測量面是具有複雜的形狀的情況,也可以精度佳地將熱流束測量。   但是在絕緣構件12形成有開縫40的情況,與在絕緣構件12未形成有開縫40情況相比較,絕緣構件12的強度是下降。即,熱流束感測器10的強度是下降。   在此,本實施例的熱流束感測器10,是第1延伸性薄膜14被層疊於絕緣構件12的第1面12a。第2延伸性薄膜16是被層疊於絕緣構件12的第2面12b。由此,可以將熱流束感測器10的延伸性維持,且抑制熱流束感測器10的強度下降。   且在本實施例的熱流束感測器10中,熱流束感測器10被設置在被測量物的狀態時,藉由形成有開縫40,使絕緣構件12具有通氣性。進一步,第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16是具有通氣性。因此,熱流束感測器10的整體是具有通氣性。由此,也可以防止濕氣被悶在被測量物及熱流束感測器10之間。因此,例如,在發汗的人體的表面設置熱流束感測器10的情況,可以精度佳地將熱流束測量。 (第2實施例)   如第16圖所示,本實施例,其絕緣構件12的構成是與第1實施例相異。其他的構成是與第1實施例相同。第16圖,是對應第7圖。   絕緣構件12,是由薄膜狀的基材26所構成。基材26的第1面26a,是構成絕緣構件12的第1面12a。基材26的第2面26b,是構成絕緣構件12的第2面12b。   複數第1熱電構件18,是被配置於複數第1貫通孔261。複數第2熱電構件20,是被配置於複數第2貫通孔262。複數第1導體圖型22,是被配置於基材26的第1面26a。複數第2導體圖型24,是被配置於基材26的第2面26b。   如此,複數第1熱電構件18及複數第2熱電構件20,是被配置於絕緣構件12的內部。複數第1導體圖型22及複數第2導體圖型24,是從絕緣構件12露出。   與第1實施例同樣,在絕緣構件12中,形成有彼此相面對的第1、第2相面對壁面41、42。第1、第2相面對壁面41、42之間形成有開縫40。   接著,使用第17圖A-第17圖G,說明本實施例的熱流束感測器10的製造方法。又,第17A、17B圖,是將層疊前的狀態的第1基材部61及第2基材部62並列顯示。   如第17圖A所示,準備:薄膜狀的第1基材部61、及薄膜狀的第2基材部62。第1基材部61,是具有第1面61a及其相反側的第2面61b。在第1基材部61的第1面61a中形成有複數第1導體圖型63。第2基材部62,是具有第1面62a及其相反側的第2面62b。在第2基材部62的第1面62a中形成有複數第2導體圖型64。   接著,如第17圖B所示,在第1基材部61形成複數第1貫通孔611及複數第2貫通孔612。複數第1貫通孔611及複數第2貫通孔612,是從第1面61a至第2面61b為止貫通第1基材部61。第1貫通孔611及第2貫通孔612是交互地配置。第1導體圖型63,是構成複數第1貫通孔611及複數第2貫通孔612的底。   同樣地,在第2基材部62形成複數第1貫通孔621及複數第2貫通孔622。複數第1貫通孔621及複數第2貫通孔622,是從第1面62a至第2面62b為止貫通第2基材部62。第1貫通孔621及第2貫通孔622是交互地配置。第2導體圖型64,是構成複數第1貫通孔621及複數第2貫通孔622的底。   接著,如第17圖C所示,在第1基材部61中,在複數第1貫通孔611各別將粉末狀的第1熱電構件651充填。在複數第2貫通孔612各別將粉末狀的第2熱電構件661充填。   同樣地,在第2基材部62中,在複數第1貫通孔621各別將粉末狀的第1熱電構件652充填。在複數第2貫通孔622各別將粉末狀的第2熱電構件662充填。   接著,形成第1基材部61及第2基材部62被層疊的層疊體67。此時,第1基材部61的第2面61b及第2基材部62的第2面62b是相面向。第1基材部61的第1熱電構件651及第2基材部62的第1熱電構件652是相面向。第1基材部61的第2熱電構件661及第2基材部62的第1熱電構件662是相面向。   接著,將層疊體67一邊加熱一邊加壓。由此,第1基材部61、及第2基材部62被一體化。使複數第1熱電構件651、652各別被燒結。使複數第2熱電構件661、662各別被燒結。   如此,如第17圖D所示,形成有複數第1熱電構件18及複數第2熱電構件20被配置於內部的絕緣構件12。絕緣構件12,是第1面12a及第2面12b。又,第1基材部61及第2基材部62是對應基材26。第1基材部61的第1面61a是對應絕緣構件12的第1面12a。第2基材部62的第1面62a是對應絕緣構件12的第2面12b。第1基材部61的第1貫通孔611及第2基材部62的第1貫通孔621是對應基材26的第1貫通孔261。第1基材部61的第2貫通孔612及第2基材部62的第2貫通孔622是對應基材26的第2貫通孔262。第1導體圖型63、第2導體圖型64,是各別對應第1導體圖型22、第2導體圖型24。   接著,如第17圖E所示,在絕緣構件12形成開縫40。即,形成第1、第2相面對壁面41、42。   接著,如第17圖F所示,準備:第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16。將第1延伸性薄膜14層疊在絕緣構件12的第1面12a。將第2延伸性薄膜16層疊在絕緣構件12的第2面12b。由此,形成絕緣構件12、及第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16被層疊的層疊體68。   接著,如第17圖G所示,將層疊體68加壓。或是將層疊體68一邊加熱一邊加壓。由此,絕緣構件12、及第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16被一體化。如此,本實施例的熱流束感測器10被製造。   在本實施例的熱流束感測器10中,也形成有開縫40。因此,本實施例的熱流束感測器10,可達成與第1實施例的熱流束感測器10同樣的效果。 (第3實施例)   如第18、19圖所示,本實施例,其導體部32及開縫40的平面佈局配置是與第1實施例相異。熱流束感測器10的基本的剖面構造,是與第1實施例相同。即,如第20圖所示,熱流束感測器10,是具備:絕緣構件12、及第1延伸性薄膜14、及第2延伸性薄膜16。在絕緣構件12的內部,被配置有:複數第1熱電構件18、及複數第2熱電構件20、及複數第1導體圖型22、及複數第2導體圖型24。絕緣構件12,是包含:基材26、及第1保護構件28、及第2保護構件30。   如第18圖所示,熱流束感測器10的平面形狀,是圓形狀。形成於絕緣構件12的開縫40,是具有放射狀開縫43。在本實施例中,開縫40的全部是放射狀開縫43。   如第19圖所示,放射狀開縫43,是在絕緣構件12的第1面12a中,使3條以上的線狀空間部432從1個基準部431呈放射狀延伸的放射狀空間部。線狀空間部432,是形成於彼此相面對的第1、第2相面對壁面41、42之間。在本實施例中,線狀空間部432是8條。基準部431,是位於絕緣構件12的第1面12a的中央部。放射狀開縫43,是在絕緣構件12的第1面12a及第2面12b中為相同形狀。   導體部32,是被配置於放射狀開縫43的周圍。導體部32,是沿著放射狀開縫43的形狀。   如第20圖所示,導體部32,是藉由依第1熱電構件18、第1導體圖型22、第2熱電構件20、第2導體圖型24的順序,使這些反覆串聯地連接而形成。   如第19圖所示,導體部32,是具有沿著線狀空間部432呈直線狀延伸的複數直線狀部分324。如第19、21圖所示,複數直線狀部分324之中相鄰接的2個直線狀部分324,是藉由第2導體圖型24,而與絕緣構件12之中的第1面12a的外周側的領域連接。如第19、22圖所示,複數直線狀部分324之中別的相鄰接的2個直線狀部分324,是藉由第2導體圖型24,而與絕緣構件12之中第1面12a的中央側的領域連接。   如第23圖-第26圖所示,放射狀開縫43,是形成於絕緣構件12之中未形成有導體部32的領域。放射狀開縫43,是從絕緣構件12的第1面12a至第2面12b為止貫通絕緣構件12。即,第1、第2相面對壁面41、42,是從絕緣構件12的第1面12a至第2面12b為止延伸。   依據本實施例的熱流束感測器10的話,在絕緣構件12的中央部形成有放射狀開縫43。由此,在以基準部431為中心的圓的圓周方向,絕緣構件12的中央部是具有延伸性。且,第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16是具有延伸性。   因此,將熱流束感測器10設於球面時,可以將熱流束感測器10的中央部沿著球面擴大。即,熱流束感測器10的中央部,是為了將熱流束感測器10設置在球面而具有必要的延伸性。因此,在被測量物的測量面是球面的情況,可以將熱流束感測器10密合在測量面。因此,依據本實施例的熱流束感測器10的話,被測量物的測量面即使是球面的情況,也可以精度佳地將熱流束測量。   又,在本實施例中,基準部431,雖是位於絕緣構件12的第1面12a的中央部,但是不限定於此。基準部431,是位於絕緣構件12的第1面12a之中比外周側更內側的領域即可。 (第4實施例)   如第27圖所示,本實施例,是在熱流束感測器10形成有複數缺口70的點,是與第3實施例相異。第27圖,是對應第18圖。   熱流束感測器10的平面形狀是近似圓形狀。複數缺口70,是位於熱流束感測器10的第1面10a的外周部的複數外周側空間部。複數缺口70,是從熱流束感測器10的第1面10a至第2面10b為止貫通熱流束感測器10。換言之,複數缺口70,是形成於第1延伸性薄膜14、絕緣構件12及第2延伸性薄膜16。複數缺口70,是各別形成於絕緣構件12之中未形成有導體部32的領域。複數缺口70,是各別形成於相鄰接的線狀空間部432及線狀空間部432之間。   複數缺口70,是各別從基準部431側的位置朝向熱流束感測器10的第1面10a的外周側延伸。複數缺口70的各第1面10a中的寬度W1,是隨著從基準部431側朝向外周側而變大。換言之,複數缺口70,是各別形成扇形的形狀。複數缺口70,是各別由熱流束感測器10的外周側被開放。又,複數缺口70的第2面10b中的形狀,是與第1面10a中的形狀相同。   被測量物的測量面是球面的情況,如此形成有複數缺口70的話更佳。   將平面狀的構件與球面密合的話,平面狀的構件的中央側會擴大,平面狀的構件的外周側會變窄。進一步,在平面狀的構件的外周側中,隨著從中央側朝向外周側變窄的量會變多。   對於此,在本實施例中,在熱流束感測器10的外周部形成複數缺口70。進一步,複數缺口70,是各別隨著從基準部431側朝向外周側而使熱流束感測器10的第1面10a中的寬度W1變大。   由此,將本實施例的熱流束感測器10設於球面狀的測量面時,可以將熱流束感測器10的外周側沿著球面變窄。因此,依據本實施例的熱流束感測器10的話,可以藉由球面狀的測量面使密合。因此,依據本實施例的熱流束感測器10的話,被測量物的測量面即使是球面的情況,也可以精度佳地將熱流束測量。 (第5實施例)   如第28圖所示,本實施例,是對於第3實施例的熱流束感測器10,其絕緣構件12的構成是不同。第28圖,是對應第24圖。   在本實施例中,與第2實施例同樣,絕緣構件12,是由薄膜狀的基材26所構成。因此,複數第1熱電構件18及複數第2熱電構件20,是被配置於絕緣構件12的內部。複數第1導體圖型22及複數第2導體圖型24,是從絕緣構件12露出。   熱流束感測器10的其他的構成是與第3實施例相同。因此,本實施例的熱流束感測器10,可獲得與第3實施例的熱流束感測器10同樣的效果。又,將第4實施例的熱流束感測器10的絕緣構件12,作成與本實施例同樣的構成也可以。 (其他的實施例)   (1)在第1-第5實施例中,延伸性構件也就是第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16雖是被層疊於絕緣構件12的第1面12a及第2面12b的雙方,但是不限定於此。延伸性構件,是被層疊於絕緣構件12的第1面及第2面的至少一方即可。藉此,也可獲得由延伸性構件所產生的效果。   (2)在第1-第5實施例中,延伸性構件,雖是使用具有通氣性的樹脂製多孔質膜,但是不限定於此。延伸性構件,是具有通氣性的其他的構件也可以。具有間隙的構件的話,具有通氣性。此時,間隙的大小,是無法目視確認程度地微小也可以,可以目視確認程度地變大也可以。延伸性構件,例如,使用網狀構件也可以。   (3)在第1-第5實施例中,第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16,雖是具有通氣性,但是不具有通氣性也可以。   (4)在第1-第5實施例中,熱流束感測器10,雖是具有延伸性構件也就是第1延伸性薄膜14及第2延伸性薄膜16,但是即使沒有延伸性構件也可以。藉此,也可獲得由絕緣構件12的構成所產生的效果。   (5)在第1、第2實施例中,熱流束感測器10的平面形狀,雖是四角形,但是圓等的其他的形狀也可以。同樣地,在第3、4實施例中,熱流束感測器10的平面形狀,雖是圓形狀,但是如第29圖所示,四角形等的其他的形狀也可以。又,在第29圖中,省略第1延伸性薄膜14的圖示。   (6)在第3實施例中,開縫40的全部雖是放射狀開縫43,但是不限定於此。開縫40,是放射狀開縫43、及由其他的開縫所構成也可以。其他的開縫,例如,如第30圖所示,可以形成對於構成放射狀開縫43的線狀空間部432交叉的開縫44。又,在第30圖中,省略第1延伸性薄膜14的圖示。   且在第3實施例中,雖形成1個放射狀開縫43,但是如第31、32圖所示,形成複數放射狀開縫43也可以。又,在第31、32圖中,線狀空間部432是4條。在第31、32圖中,省略第1延伸性薄膜14的圖示。   (7)在第3實施例中,為了在球面狀的測量面設置熱流束感測器10,開縫40雖形成放射狀開縫43,但是不限定於此。開縫40是形成其他的形狀的開縫也可以。例如,如第33圖所示,形成渦捲狀的開縫45也可以。此情況,導體部32也被配置成渦捲狀。藉此,即使在被測量物的測量面是球面的情況,也可以將熱流束感測器10密合在測量面。第33圖所示的熱流束感測器10的平面形狀,雖是圓形狀,但是四角形等的其他的形狀也可以。又,在本發明中,「呈線狀延伸」,不限定於直線狀。   (8)在上述的各實施例中,絕緣構件12,雖是由熱可塑性樹脂所構成,但是由具有可撓性的其他的材料所構成也可以。   (9)本發明不限定於上述的實施例,在不脫離本發明的實質的範圍內可適宜變更,也包含各式各樣的變形例和均等範圍內的變形。且,上述各實施例,彼此之間並非無關係,除了明顯不可組合的情況以外,可適宜地組合。且,在上述各實施例中,構成實施例的要素,除了特別明示必須的情況及原理上明顯必須的情況等以外,不用說當然不一定必要。且,在上述各實施例中,實施例的構成要素的個數、數值、量、範圍等的數值被言及的情況時,除了特別是被明示必須的情況及原理上明顯被限定於特定的數量的情況等以外,不限定於該特定的數量。且,在上述各實施例中,言及構成要素等的材質、形狀、位置關係等時,除了特別是被明示的情況及原理上被限定於特定的材質、形狀、位置關係等的情況等以外,不限定於其材質、形狀、位置關係等。 (總結)   依據上述各實施例的一部分或是全部所示的第1觀點的話,熱流束感測器,是具備:絕緣構件、及複數第1熱電構件、及複數第2熱電構件、及複數第1導體圖型、及複數第2導體圖型。絕緣構件,是具有彼此相面對的第1、第2相面對壁面。第1、第2相面對壁面,是在絕緣構件之中未被配置有第1熱電構件、第2熱電構件、第1導體圖型及第2導體圖型的領域中,從第1面至第2面為止延伸,並且在第1面及第2面中,呈線狀延伸。絕緣構件是由沿著第1面及第2面的方向被拉引的情況,在第1、第2相面對壁面之間,形成有從第1面至第2面為止貫通絕緣構件的空間部。   且依據第2觀點的話,熱流束感測器,是具備:由與絕緣構件相同的尺寸條件相比較,延伸性比絕緣構件更高的延伸性構件。延伸性構件,是被層疊於絕緣構件的第1面及第2面的至少一方。   在絕緣構件形成了空間部的情況,與在絕緣構件未形成有空間部的情況相比較,熱流束感測器的強度是下降。對於此,依據第2觀點的話,延伸性薄膜是被層疊於絕緣構件。由此,可以將熱流束感測器的延伸性維持,且抑制熱流束感測器的強度下降。   且依據第3觀點的話,延伸性構件,是具有通氣性。   由此,絕緣構件是藉由在第1、第2相面對壁面之間形成空間部,而具有通氣性。進一步,延伸性薄膜是具有通氣性。因此,熱流束感測器的整體是具有通氣性。由此,也可以防止濕氣被悶在被測量物及熱流束感測器之間。因此,例如,在發汗的人體的表面設置熱流束感測器的情況,可以精度佳地將熱流束測量。   且依據第4觀點的話,空間部,是在絕緣構件的第1面,具有使3條以上的線狀空間部從1個基準部呈放射狀延伸的放射狀空間部。由此,在被測量物的測量面是球面的情況,可以將熱流束感測器與測量面密合。因此,可以精度佳地將熱流束測量。   且依據第5觀點的話,熱流束感測器,是具有第1面及第1面的相反側的第2面。在熱流束感測器的第1面的外周部,形成有複數外周側空間部。複數外周側空間部,是各別從熱流束感測器的第1面至第2面為止貫通熱流束感測器,並且從基準部側朝向熱流束感測器的外周側延伸。複數外周側空間部的各第1面中的寬度,是隨著從基準部側朝向外周側而變大。   被測量物的測量面是球面的情況,可以採用如此形成有複數外周側空間部的構成。   且依據第6觀點的話,絕緣構件,是包含:薄膜狀的基材、及薄膜狀的第1保護構件、及薄膜狀的第2保護構件。基材,是具有第1面及第1面的相反側的第2面。第1保護構件,是被層疊於基材的第1面。第2保護構件,是被層疊於基材的第2面。第1保護構件的與基材側相反側的表面,是構成絕緣構件的第1面。第2保護構件的與基材側相反側的表面,是構成絕緣構件的第2面。複數第1熱電構件,是被配置於由基材的厚度方向貫通基材的複數第1貫通孔。複數第2熱電構件,是被配置於:由基材的厚度方向貫通基材,且與複數第1貫通孔不同的複數第2貫通孔。複數第1導體圖型,是被配置於基材及第1保護構件之間。複數第2導體圖型,是被配置於基材及第2保護構件之間。   熱流束感測器的具體的構造,可以採用這種構造。   且依據第7觀點的話,絕緣構件,是由薄膜狀的基材所構成。基材,是具有第1面及第1面的相反側的第2面。基材的第1面,是構成絕緣構件的第1面。基材的第2面,是構成絕緣構件的第2面。複數第1熱電構件,是被配置於由基材的厚度方向貫通基材的複數第1貫通孔。複數第2熱電構件,是被配置於:由基材的厚度方向貫通基材,且與複數第1貫通孔不同的複數第2貫通孔。複數第1導體圖型,是被配置於基材的第1面。複數第2導體圖型,是被配置於基材的第2面。   熱流束感測器的具體的構造,可以採用這種構造。
W1‧‧‧寬度
10‧‧‧熱流束感測器
10a‧‧‧第1面
10b‧‧‧第2面
12‧‧‧絕緣構件
12a‧‧‧第1面
12b‧‧‧第2面
14‧‧‧第1延伸性薄膜
16‧‧‧第2延伸性薄膜
18‧‧‧第1熱電構件
20‧‧‧第2熱電構件
22‧‧‧第1導體圖型
24‧‧‧第2導體圖型
26‧‧‧基材
26a‧‧‧第1面
26b‧‧‧第2面
28‧‧‧第1保護構件
28a‧‧‧表面
28b‧‧‧表面
30‧‧‧第2保護構件
30a‧‧‧表面
30b‧‧‧表面
32‧‧‧第2導體部
40‧‧‧開縫
41,42‧‧‧第2相面對壁面
43‧‧‧放射狀開縫
44‧‧‧開縫
45‧‧‧開縫
51‧‧‧基材
51a‧‧‧第1面
51b‧‧‧第2面
52‧‧‧第1熱電構件
53‧‧‧第2熱電構件
54‧‧‧第1保護構件
55‧‧‧第2保護構件
56‧‧‧第1導體圖型
57‧‧‧第2導體圖型
58‧‧‧層疊體
59‧‧‧層疊體
61‧‧‧第1基材部
61a‧‧‧第1面
61b‧‧‧第2面
62‧‧‧第2基材部
62a‧‧‧第1面
62b‧‧‧第2面
63‧‧‧第1導體圖型
64‧‧‧第2導體圖型
67‧‧‧層疊體
68‧‧‧層疊體
70‧‧‧缺口
121‧‧‧領域
261‧‧‧第1貫通孔
262‧‧‧第2貫通孔
321‧‧‧第1導體部
322‧‧‧第2導體部
324‧‧‧直線狀部分
401‧‧‧第1開縫
402‧‧‧第2開縫
431‧‧‧基準部
432‧‧‧線狀空間部
611‧‧‧第1貫通孔
612‧‧‧第2貫通孔
621‧‧‧第1貫通孔
622‧‧‧第2貫通孔
651,652‧‧‧第1熱電構件
661,662‧‧‧第2熱電構件
對於本發明的上述目的及其他的目的、特徵和優點,可一邊參照添付的圖面一邊藉由下述的詳細的記載,成為更明確。   [第1圖]第1實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第2圖]第1圖中的II-II線剖面圖。   [第3圖]顯示第1圖的熱流束感測器之中的絕緣構件的第1面的俯視圖。   [第4圖]顯示第1圖的熱流束感測器之中的絕緣構件的第2面的俯視圖。   [第5圖]第1圖中的V-V線剖面圖。   [第6圖]第1圖中的VI-VI線剖面圖。   [第7圖]第1圖中的VII-VII線剖面圖。   [第8圖]第1圖中的VIII-VIII線剖面圖。   [第9圖]第1圖中的IX-IX線剖面圖。   [第10圖]第1圖中的X-X線剖面圖。   [第11圖]第1圖中的XI-XI線剖面圖。   [第12圖]第1圖中的XII-XII線剖面圖。   [第13圖]第1圖中的XIII-XIII線剖面圖。   [第14圖]對應第3圖的熱流束感測器的俯視圖,顯示熱流束感測器被拉引的狀態的圖。   [第15圖A]顯示第1實施例的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖B]顯示接著第15圖A之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖C]顯示接著第15圖B之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖D]顯示接著第15圖C之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖E]顯示接著第15圖D之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖F]顯示接著第15圖E之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖G]顯示接著第15圖F之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第15圖H]顯示接著第15圖G之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第16圖]第2實施例的熱流束感測器的剖面圖。   [第17圖A]顯示第2實施例的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第17圖B]顯示接著第17圖A之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第17圖C]第17圖B的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第17圖D]顯示接著第17圖C之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第17圖E]顯示接著第17圖D之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第17圖F]顯示接著第17圖E之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第17圖G]顯示接著第17圖F之後的熱流束感測器的製造過程的剖面圖。   [第18圖]第3實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第19圖]顯示第18圖的熱流束感測器之中的絕緣構件的第1面的俯視圖。   [第20圖]第18圖中的XX-XX線剖面圖。   [第21圖]第18圖中的XXI-XXI線剖面圖。   [第22圖]第18圖中的XXII-XXII線剖面圖。   [第23圖]第18圖中的XXIII-XXIII線剖面圖。   [第24圖]第18圖中的XXIV-XXIV線剖面圖。   [第25圖]第18圖中的XXV-XXV線剖面圖。   [第26圖]第18圖中的XXVI-XXVI線剖面圖。   [第27圖]第4實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第28圖]第5實施例的熱流束感測器的剖面圖。   [第29圖]其他的實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第30圖]其他的實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第31圖]其他的實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第32圖]其他的實施例的熱流束感測器的俯視圖。   [第33圖]其他的實施例的熱流束感測器的俯視圖。

Claims (7)

  1. 一種熱流束感測器,   是薄膜狀的熱流束感測器,具備:   具有第1面(12a)及前述第1面的相反側的第2面(12b),且具有可撓性的薄膜狀的絕緣構件(12);及   被配置於前述絕緣構件的內部,且由第1熱電材料所構成的複數第1熱電構件(18);及   被配置於前述絕緣構件的內部,且由與前述第1熱電材料相異的第2熱電材料所構成,且與前述複數第1熱電構件各別交互地並列的複數第2熱電構件(20);及   對於前述複數第1熱電構件及前述複數第2熱電構件被配置於前述第1面側,將前述複數第1熱電構件及前述複數第2熱電構件之中相鄰地並列的第1熱電構件及第2熱電構件連接的複數第1導體圖型(22);及   對於前述複數第1熱電構件及前述複數第2熱電構件被配置於前述第2面側,將前述複數第1熱電構件及前述複數第2熱電構件之中相鄰地並列的第1熱電構件及第2熱電構件連接的複數第2導體圖型(24);   前述絕緣構件,是具有彼此相面對的第1、第2相面對壁面(41、42),   前述第1、第2相面對壁面,是在前述絕緣構件之中未被配置有前述第1熱電構件、前述第2熱電構件、前述第1導體圖型及前述第2導體圖型的領域中,從前述第1面至前述第2面為止延伸,並且在前述第1面及前述第2面中,呈線狀延伸,   前述絕緣構件是由沿著前述第1面及前述第2面的方向被拉引的情況,在前述第1、第2相面對壁面之間,形成有從前述第1面至前述第2面為止貫通前述絕緣構件的空間部(40)。
  2. 如申請專利範圍第1項的熱流束感測器,其中,   前述熱流束感測器,是具備:由與前述絕緣構件相同的尺寸條件相比較,延伸性是比前述絕緣構件更高的延伸性構件(14、16),   前述延伸性構件,是被層疊於前述絕緣構件的前述第1面及前述第2面的至少一方。
  3. 如申請專利範圍第2項的熱流束感測器,其中,   前述延伸性構件,是具有通氣性。
  4. 如申請專利範圍第1項的熱流束感測器,其中,   前述空間部,是在前述絕緣構件的前述第1面中,具有使3條以上的線狀空間部(432)從1個基準部(431)呈放射狀延伸的放射狀空間部(43)。
  5. 如申請專利範圍第4項的熱流束感測器,其中,   前述熱流束感測器,是具有第1面(10a)及前述第1面的相反側的第2面(10b),   在前述熱流束感測器的前述第1面的外周部,形成有複數外周側空間部(70),   前述複數外周側空間部,是各別從前述熱流束感測器的前述第1面至前述第2面為止貫通前述熱流束感測器,並且從前述基準部側的位置朝向前述熱流束感測器的外周側延伸,   前述複數外周側空間部的各前述第1面中的寬度(W1),是隨著從前述基準部側朝向前述外周側而變大。
  6. 如申請專利範圍第1至5中任一項的熱流束感測器,其中,   前述絕緣構件,是包含:薄膜狀的基材(26)、及薄膜狀的第1保護構件(28)、及薄膜狀的第2保護構件(30)   前述基材,是具有第1面(26a)及前述第1面的相反側的第2面(26b),   前述第1保護構件,是被層疊於前述基材的第1面,   前述第2保護構件,是被層疊於前述基材的第2面,   前述第1保護構件的與前述基材側相反側的表面(28b),是構成前述絕緣構件的第1面,   前述第2保護構件的與前述基材側相反側的表面(30b),是構成前述絕緣構件的第2面,   前述複數第1熱電構件,是被配置於由前述基材的厚度方向貫通前述基材的複數第1貫通孔(261),   前述複數第2熱電構件,是被配置於:由前述基材的厚度方向貫通前述基材,且與前述複數第1貫通孔不同的複數第2貫通孔(262),   前述複數第1導體圖型,是被配置於前述基材及前述第1保護構件之間,   前述複數第2導體圖型,是被配置於前述基材及前述第2保護構件之間。
  7. 如申請專利範圍第1至5中任一項的熱流束感測器,其中,   前述絕緣構件,是以薄膜狀的基材(26)所構成,   前述基材,是具有第1面(26a)及前述第1面的相反側的第2面(26b),   前述基材的第1面,是構成前述絕緣構件的第1面,   前述基材的第2面,是構成前述絕緣構件的第2面,   前述複數第1熱電構件,是被配置於由前述基材的厚度方向貫通前述基材的複數第1貫通孔(261),   前述複數第2熱電構件,是被配置於:由前述基材的厚度方向貫通前述基材,且與前述複數第1貫通孔不同的複數第2貫通孔(262),   前述複數第1導體圖型,是被配置於前述基材的第1面,   前述複數第2導體圖型,是被配置於前述基材的第2面。
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